KR102631905B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 표시 영역을 포함하는 베이스 기판층, 상기 베이스 기판층 위에 배치되고, 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 회로층, 상기 회로층과 연결되고, 광을 출사하는 출사면이 계단 형상을 갖는 발광 소자를 포함하는 발광 소자층 및 상기 발광 소자층 위에 배치된 봉지층을 포함한다. 이에 따르면, 곡면의 표시 영역을 갖는 표시 장치에서 곡면의 곡률에 따라 발광 소자의 출사면을 경사지게 형성함으로써 상기 곡면의 표시 영역에 표시되는 영상의 정면 시인성을 향상시킬 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정면 시인성 향상을 위한 표시 장치에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로서 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
이 중, 유기 발광 표시 장치는 액정 표시 장치에 비하여 휘도 특성 및 시야각 특성이 우수하고 백라이트를 필요로 하지 않아 초박형으로 구현할 수 있다는 장점이 있다. 이러한 유기 발광 표시 장치는 유기 박막에 음극과 양극을 통하여 주입된 전자와 정공이 재결합하여 여기자를 형성하고, 형성된 여기자로부터의 에너지에 의해 특정한 파장의 빛이 발생되는 현상을 이용한다.
본 발명의 목적은 정면 시인성 향상을 위한 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기 일 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 표시 영역을 포함하는 베이스 기판층, 상기 베이스 기판층 위에 배치되고, 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 회로층, 상기 회로층과 연결되고, 광을 출사하는 출사면이 계단 형상을 갖는 발광 소자를 포함하는 발광 소자층 및 상기 발광 소자층 위에 배치된 봉지층을 포함한다.
일 실시예에서, 상기 베이스 기판층은 유연성 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 회로층은 액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 덮도록 두껍게 배치된 평탄화막을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광 소자층은 상기 회로층과 비아 홀을 통해 연결된 화소 전극, 발광 소자의 영역을 정의하는 개구가 형성된 화소 정의막, 상기 개구 내에 배치되고, 계단 형상을 갖는 발광층, 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 위에 배치된 공통 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광 소자층은 상기 회로층과 비아 홀을 통해 연결된 화소 전극, 발광 소자의 영역을 정의하는 개구가 형성된 화소 정의막, 상기 개구 내에 배치된 발광층 및 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 위에 배치된 공통 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 회로층은 액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 덮도록 두껍게 배치되고, 개구 영역에 대응하여 계단 형상으로 패터닝된 평탄화막을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 회로층은 액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터 및 상기 트랜지스터를 덮도록 두껍게 배치된 평탄화막을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광 소자층은 상기 회로층과 비아 홀을 통해 연결되고, 계단 형상으로 패터닝된 화소 전극, 발광 소자의 영역을 정의하는 개구가 형성된 화소 정의막, 상기 개구 내에 배치되고, 계단 형상을 갖는 발광층 및 상기 발광층 및 상기 화소 정의막 위에 배치된 공통 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 표시 영역은 복수의 발광 소자들을 포함하고, 상기 발광 소자들의 출사면은 상기 표시 영역의 중앙 영역에서 멀어질수록 계단 형상의 경사각이 변할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 발광 소자들의 출사면은 상기 표시 영역의 중앙 영역을 기준으로 좌우 대칭일 수 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치는 곡률을 갖는 볼록한 곡면인 표시 영역을 포함하는 표시 기판, 상기 표시 영역의 중앙 영역에 대응하는 제1 영역에 배치되고, 제1 출사면을 갖는 제1 발광 소자, 상기 제1 영역의 제1 측과 인접한 제2 영역에 배치되고, 상기 제2 영역의 곡률에 대응하는 제1 경사각을 갖는 제2 출사면을 포함하는 제2 발광 소자 및 상기 제2 영역의 제1 측과 인접한 제3 영역에 배치되고, 상기 제3 영역의 곡률에 대응하는 제2 경사각을 갖는 제3 출사면을 포함하는 제3 발광 소자를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 제2 및 제3 출사면들은 상기 제1 출사면과 각각 평행할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 출사면, 제2 출사면 및 제3 출사면의 길이는 서로 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각 보다 클 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 발광 소자는 상기 제1 출사면과 마주하고 상기 표시 기판에 증착된 제1 증착면을 더 포함하고, 상기 제2 발광 소자는 상기 제2 출사면과 마주하고 상기 표시 기판에 증착된 제2 증착면을 더 포함하고, 상기 제3 발광 소자는 상기 제3 출사면과 마주하고 상기 표시 기판에 증착된 제3 증착면을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 증착면의 길이는 상기 제1 경사각에 대응하여 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제3 증착면의 길이는 상기 제2 경사각에 대응하여 설정될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 영역의 제2 측과 인접한 제4 영역에 배치되고, 상기 제1 경사각과 반대인 제3 경사각을 갖는 제4 출사면을 포함하는 제4 발광 소자 및 상기 제4 영역의 제2 측과 인접한 제5 영역에 배치되고, 상기 제2 경사각과 반대인 제4 경사각을 갖는 제5 출사면을 포함하는 제5 발광 소자를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제4 및 제5 출사면들은 상기 제1 출사면과 각각 평행할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 출사면, 제4 출사면 및 제5 출사면의 길이는 서로 동일할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 실시예들에 따르면, 곡면의 표시 영역을 갖는 표시 장치에서 곡면의 곡률에 따라 발광 소자의 출사면을 경사지게 형성함으로써 상기 곡면의 표시 영역에 표시되는 영상의 정면 시인성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 벤딩된 표시 장치를 설명하기 위한 개념도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 평면도이다. 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 표시 장치(1000)는 곡률을 갖는 볼록한 곡면인 표시 영역(DA)을 포함하고, 상기 표시 영역(DA)은 복수의 영역들(A1, A2, A3, A4, A5)을 포함한다.
제1 영역(A1)은 상기 표시 영역(DA)의 중앙 영역에 대응하고, 복수의 제1 화소들(P1)을 포함할 수 있다. 상기 제1 영역(A1)의 제1 화소(P1)는 광을 발생하는 제1 발광 소자(E1)를 포함한다. 상기 제1 발광 소자(E1)는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 상기 제1 발광 소자(E1)는 광을 출사하는 제1 출사면(a1) 및 상기 표시 장치에 증착된 상기 제1 증착면(b1)을 포함한다. 상기 제1 출사면(a1) 및 제1 증착면(b1)은 x축(x)과 각각 평행할 수 있다.
제2 영역(A2)은 상기 제1 영역(A1)의 제1 측, 예컨대 좌측에 인접하고, 복수의 제2 화소들(P2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 영역(A2)의 제2 화소(P2)는 광을 발생하는 제2 발광 소자(E2)를 포함한다. 상기 제2 발광 소자(E2)는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 상기 제2 발광 소자(E2)는 광을 출사하는 제2 출사면(a2) 및 상기 표시 장치에 증착된 제2 증착면(b2)을 포함한다. 상기 제2 증착면(b2)은 상기 x축(x)과 평행하고 상기 제2 증착면(b2)은 상기 x축(x)에 제1 각도로 경사진다.
제3 영역(A3)은 상기 제2 영역(A2)의 좌측에 인접하고, 복수의 제3 화소들(P3)을 포함할 수 있다. 상기 제3 영역(A3)의 제3 화소(P3)는 광을 발생하는 제3 발광 소자(E3)를 포함한다. 상기 제3 발광 소자(E3)는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 상기 제3 발광 소자(E3)는 광을 출사하는 제3 출사면(a3) 및 상기 표시 장치에 증착된 상기 제3 증착면(b3)을 포함한다. 상기 제3 증착면(b3)은 상기 x축(x)과 평행하고 상기 제3 증착면(b3)은 상기 x축(x)에 대해 상기 제1 각보다 큰 제2 각도로 경사진다.
제4 영역(A4)은 상기 제1 영역(A1)의 제2 측, 예컨대 우측에 인접하고, 복수의 제4 화소들(P4)을 포함할 수 있다. 상기 제4 영역(A4)의 제4 화소(P4)는 광을 발생하는 제4 발광 소자(E4)를 포함한다. 상기 제4 발광 소자(E4)는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 상기 제4 발광 소자(E4)는 광을 출사하는 제4 출사면(a4) 및 상기 표시 장치에 증착된 제4 증착면(b4)을 포함한다. 상기 제4 증착면(b4)은 상기 x축(x)과 평행하고 상기 제4 증착면(b4)은 상기 x축(x)에 대해 상기 제1 각도와 반대의 제1 각도로 경사진다.
제5 영역(A5)은 상기 제4 영역(A4)의 우측에 인접하고, 복수의 제5 화소들(P5)을 포함할 수 있다. 상기 제5 영역(A5)의 제5 화소(P5)는 광을 발생하는 제5 발광 소자(E5)를 포함한다. 상기 제5 발광 소자(E5)는 광을 발생하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 상기 제5 발광 소자(E5)는 광을 출사하는 제5 출사면(a5) 및 상기 표시 장치에 증착된 제5 증착면(b5)을 포함한다. 상기 제5 증착면(b5)은 상기 x축(x)과 평행하고 상기 제5 증착면(b5)은 상기 x축(x)에 대해 상기 제2 각도와 반대의 제2 각도로 경사진다.
본 실시예에 따른 상기 표시 장치에 배열된 발광 소자의 출사면은 위치에 따라서 증착면에 대해 일정 각도로 경사질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 벤딩(bending)된 표시 장치를 설명하기 위한 개념도이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 발광 소자를 설명하기 위한 개념도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 표시 장치(1000)는 원점(o)을 지나는 중심 축인 y축(y)에 대해 좌우 대칭으로 볼록하게 구부러진 곡면의 표시 영역(DA)을 갖는다.
제1 영역(A1)은 상기 표시 영역(DA)의 중앙 영역에 위치한다. 상기 제1 영역(A1)은 제1 곡률에 대응하는 제1 경사각(θ1)을 갖는다. 상기 제1 경사각(θ1)은 실질적으로 0 도에 대응한다. 제1 영역(A1)에 위치한 제1 발광 소자(E1)의 제1 증착면(b1)은 제1 출사면(a1)과 실질적으로 동일한 길이를 가진다. 따라서 상기 제1 출사면(a1) 및 상기 제1 증착면(b1)은 x축(x)과 평행하다.
제2 영역(A2)은 상기 제1 영역(A1)의 좌측에 인접하게 위치한다. 상기 제2 영역(A2)은 제2 곡률에 대응하는 제2 경사각(θ2)을 갖는다. 제2 영역(A2)에 위치한 제2 발광 소자(E2)의 제2 출사면(a2)은 상기 제2 증착면(b2)에 대해 상기 제2 경사각(θ2)으로 경사진다. 상기 제2 증착면(b2)의 길이는 상기 제2 출사면(a2)에 대해 a2ㆍcosθ2 와 같은 길이를 갖는다.
제2 영역(A2)은 상기 제1 영역(A1)의 좌측에 인접하게 위치한다. 상기 제2 영역(A2)은 제2 곡률에 대응하는 제2 경사각(θ2)을 갖는다. 제2 영역(A2)에 위치한 제2 발광 소자(E2)의 제2 출사면(a2)은 상기 제2 증착면(b2)에 대해 상기 제2 경사각(θ2)으로 경사진다. 도 4를 참조하면, 상기 제2 증착면(b2)의 길이는 상기 제2 출사면(a2)에 대해 a2ㆍcosθ2 와 같은 길이를 갖는다.
제3 영역(A3)은 상기 제2 영역(A2)의 좌측에 인접하게 위치한다. 상기 제3 영역(A3)은 제3 곡률에 대응하는 제3 경사각(θ3)을 갖는다. 제3 영역(A3)에 위치한 제3 발광 소자(E3)의 제3 출사면(a3)은 상기 제3 증착면(b3)에 대해 상기 제3 경사각(θ3)으로 경사진다. 도 4를 참조하면, 상기 제3 증착면(b3)의 길이는 상기 제3 출사면(a3)에 대해 a3ㆍcosθ3 와 같은 길이를 갖는다.
제4 영역(A4)은 상기 제1 영역(A1)의 우측에 인접하게 위치한다. 상기 제4 영역(A4)은 제4 곡률에 대응하는 제4 경사각(θ4)을 갖는다. 상기 제4 경사각(θ4)은 상기 제2 경사각(θ2)과 반대 각(-θ2)일 수 있다. 제4 영역(A4)에 위치한 제4 발광 소자(E4)의 제4 출사면(a4)은 상기 제4 증착면(b4)에 대해 상기 제4 경사각(θ4)으로 경사진다. 도 4를 참조하면, 상기 제4 증착면(b4)의 길이는 상기 제4 출사면(a4)에 대해 a4ㆍcosθ4 와 같은 길이를 갖는다.
제5 영역(A5)은 상기 제4 영역(A4)의 우측에 인접하게 위치한다. 상기 제5 영역(A5)은 제5 곡률에 대응하는 제5 경사각(θ5)을 갖는다. 상기 제5 경사각(θ5)은 상기 제3 경사각(θ3)과 반대 각(-θ3)일 수 있다. 제5 영역(A5)에 위치한 제5 발광 소자(E5)의 제5 출사면(a5)은 상기 제5 증착면(b5)에 대해 상기 제5 경사각(θ5)으로 경사진다. 도 4를 참조하면, 상기 제5 증착면(b5)의 길이는 상기 제5 출사면(a5)에 대해 a5ㆍcosθ5 와 같은 길이를 갖는다.
본 실시예에 따르면, 상기 볼록한 곡면으로 형성된 표시 영역에 배치된 상기 제1 내지 제5 발광 소자들(E1 내지 E5)의 제1 내지 제5 출사면들(a1 내지 a5)은 상기 x축에 대해 평행할 수 있다. 상기 복수의 발광 소자들의 출사면들(a1 내지 a5)의 길이는 서로 동일하게 설정되고, 증착면들(b1 내지 b5)의 길이는 경사각에 따라서 다르게 설정될 수 있다.
상기 제1 내지 제5 출사면들(a1 내지 a5)로부터 각각 출사되는 광은 한 방향, 예컨대 y축 방향으로 동일하게 출사될 수 있으므로 상기 표시 장치의 정면 시인성을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 상기 표시 장치(1000A)는 베이스 기판층(100), 회로층(200), 발광 소자층(300) 및 봉지층(400)을 포함한다.
상기 베이스 기판층(100)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphtalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(polyrtherlmide) 또는 폴리에테르술폰(polyethersulfone) 등과 같은 유연성 물질로 형성될 수 있다. 상기 베이스 기판층(100)은 복수의 화소들이 배열되고, 각 화소에 대응하는 화소 영역(PA)을 포함한다.
상기 회로층(200)은 상기 베이스 기판층(100) 위에 배치되고, 적어도 하나의 트랜지스터(T)를 포함한다.
상기 트랜지스터(T)는 액티브 패턴(AC), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 액티브 패턴(AC)과 상기 게이트 전극(GE) 사이에는 게이트 절연막(210)이 형성될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AC)은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 게이트 절연막(210)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 및 게이트 전극(GE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에는 층간 절연막(220)이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(220)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등으로 이루어질 수 있다. 상기 트랜지스터(T) 위에 두꺼운 평탄화막(230)이 형성된다. 상기 평탄화막(230)은 상기 트랜지스터(T)를 보호한다.
상기 발광 소자층(300)은 상기 회로층(200) 위에 배치된다. 상기 발광 소자층(300)은 화소 전극(PE), 화소 정의막(PDL), 발광층(EL), 공통 전극(CE)을 포함한다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 평탄화막(230)에 형성된 비아 홀(VH)을 통해 상기 트랜지스터(T)와 연결된다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 평탄화막(230) 위에 배치되고, 상기 발광 소자(E)를 정의하는 개구(OP)를 포함한다. 예를 들면, 상기 개구(OP)는 상기 화소 전극(PE)을 노출하고, 노출된 상기 화소 전극(PE)에 의해 상기 발광 소자(E)의 증착면(b)이 정의될 수 있다.
상기 발광층(EL)은 상기 개구(OP) 내에 형성되고, 상기 발광층(EL)은 단면이 계단 형상을 갖는다. 상기 계단 형상의 상기 발광층(EL)에 의해 상기 발광 소자(E)의 출사면(a)은 단면이 계단 형상을 가질 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 발광층(EL)이 형성된 베이스 기판층(100) 위에 배치된다.
상기 발광 소자(E)는 상기 화소 전극(PE), 상기 화소 정의막(PDL), 상기 발광층(EL) 및 상기 공통 전극(CE)에 의해 정의될 수 있다.
상기 봉지층(400)은 상기 공통 전극(CE) 위에 배치되고, 복수의 무기층들로 형성되거나, 무기층과 유기층이 혼합되어 형성될 수 있다. 상기 봉지층(400)은 상기 발광 소자(E)를 캡슐화하여 보호할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 단면이 계단 형상을 갖는 발광층에 의해 상기 발광 소자의 출사면이 경사면을 가질 수 있다. 상기 발광 소자는 상기 발광 소자가 위치한 상기 표시 영역의 곡률에 따라서 출사면의 경사각이 결정될 수 있고, 상기 경사각에 대응하여 증착면의 길이가 결정될 수 있다.
도 6 내지 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 베이스 기판층(100) 위에 액티브 패턴(AC)을 형성한다.
게이트 절연막(210)을 상기 액티브 패턴(AC)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
게이트 전극(GE)을 상기 게이트 절연막(210) 위에 형성한다.
층간 절연막(220)을 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 상기 층간 절연막(220) 위에 형성한다.
평탄화막(230)을 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
이에 따라서, 상기 베이스 기판층(100) 위에 회로층(200)이 형성될 수 있다.
이어, 상기 평탄화막(230)에 상기 드레인 전극(DE)을 노출하는 비아 홀(VH)을 형성한다.
화소 전극(PE)을 상기 평탄화막(230) 위에 형성하고, 상기 화소 전극(PE)은 상기 비아 홀(VH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 연결된다.
화소 정의막(PDL)을 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 평탄화막(230) 위에 형성한다.
상기 발광 소자(E)의 영역을 정의하는 개구(OP)를 상기 화소 정의막(PDL)에 형성한다.
제1 마스크(710)를 통해 개구 영역(OPA)내에 제1 발광층(EL1)을 형성한다. 상기 제1 발광층(EL1)에 의해 제1 두께(d1)의 제1 계단 패턴을 형성할 수 있다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 제2 마스크(720)를 통해 상기 개구 영역(OPA) 중 제1 계단 영역(S1)을 제외한 제2 및 제3 계단 영역들(S2, S3)에 제2 발광층(EL2)을 형성한다. 상기 제2 발광층(EL2)에 의해 제2 두께(d2)의 제2 계단 패턴을 형성할 수 있다.
도 5 및 도 8을 참조하면, 제3 마스크(730)를 통해 상기 개구 영역(OPA) 중 제1 및 제2 계단 영역들(S1, S2)을 제외한 제3 계단 영역(S3)에 제3 발광층(EL3)을 형성한다. 상기 제3 발광층(EL3)에 의해 제3 두께(d3)의 제3 계단 패턴을 형성할 수 있다.
이와 같이 형성된 상기 계단 형상의 발광층에 의해 상기 발광 소자의 출사면은 경사면으로 형성할 수 있다. 도시되지 않았으나, 상기 경사면의 경사각은 발광 물질을 주입하는 다양한 주입 공정들을 통해 제어할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9를 참조하면, 상기 표시 장치(1000B)는 베이스 기판층(100), 회로층(200B), 발광 소자층(300B) 및 봉지층(400)을 포함한다.
상기 베이스 기판층(100)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphtalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(polyrtherlmide) 또는 폴리에테르술폰(polyethersulfone) 등과 같은 유연성 물질로 형성될 수 있다. 상기 베이스 기판층(100)은 복수의 화소들이 배열되고, 각 화소에 대응하는 화소 영역(PA)을 포함한다.
상기 회로층(200B)은 상기 베이스 기판층(100) 위에 배치되고, 적어도 하나의 트랜지스터(T)를 포함한다.
상기 트랜지스터(T)는 액티브 패턴(AC), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 액티브 패턴(AC)과 상기 게이트 전극(GE) 사이에는 게이트 절연막(210)이 형성될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AC)은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 게이트 절연막(210)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 및 게이트 전극(GE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에는 층간 절연막(220)이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(220)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등으로 이루어질 수 있다.
상기 트랜지스터(T) 위에 두꺼운 평탄화막(230B)이 형성된다. 상기 평탄화막(230B)은 상기 트랜지스터(T)를 보호한다.
본 실시예에 따르면, 상기 평탄화막(230B)은 발광 소자(E)가 형성되는 개구 영역(OPA)에 대응하여 단면이 계단 형상을 갖도록 패터닝된다. 상기 계단 형상의 상기 평탄화막(230B) 위에 배치된 상기 발광 소자(E)의 출사면(a)은 단면이 계단 형상을 가질 수 있다.
상기 발광 소자층(300B)은 상기 회로층(200B) 위에 배치된다. 상기 발광 소자층(300B)은 화소 전극(PE), 화소 정의막(PDL), 발광층(EL), 공통 전극(CE)을 포함한다.
상기 화소 전극(PE)은 상기 평탄화막(230B)에 형성된 비아 홀(VH)을 통해 상기 트랜지스터(T)와 연결된다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 평탄화막(230B) 위에 배치되고, 상기 발광 소자(E)의 영역을 정의하는 개구(OP)를 포함한다.
상기 발광층(EL)은 상기 개구(OP) 내에 형성된다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 발광층(EL) 및 상기 화소 정의막(PDL) 위에 배치된다.
상기 발광 소자(E)는 상기 화소 전극(PE), 상기 화소 정의막(PDL), 상기 발광층(EL) 및 상기 공통 전극(CE)에 의해 정의될 수 있다.
상기 봉지층(400)은 상기 공통 전극(CE) 위에 배치되고, 복수의 무기층들로 형성되거나, 무기층과 유기층이 혼합되어 형성될 수 있다. 상기 봉지층(400)은 상기 발광 소자(E)를 캡슐화하여 보호할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 단면이 계단 형상을 갖는 평탄화막에 의해 상기 출사면이 경사면을 가질 수 있다. 상기 발광 소자는 상기 발광 소자가 위치한 상기 표시 영역의 곡률에 따라서 출사면의 경사각이 결정될 수 있고, 상기 경사각에 대응하여 증착면의 길이가 결정될 수 있다.
도 10 및 도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 베이스 기판층(100) 위에 액티브 패턴(AC)을 형성한다.
게이트 절연막(210)을 상기 액티브 패턴(AC)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
게이트 전극(GE)을 상기 게이트 절연막(210) 위에 형성한다.
층간 절연막(220)을 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 상기 층간 절연막(220) 위에 형성한다.
평탄화막(230B)을 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
상기 평탄화막(230B) 위에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴은 상기 화소 정의막의 개구가 형성되는 개구 영역(OPA) 중 제1 계단 영역(S1)을 제외한 영역에 배치된다. 상기 포토레지스트 패턴은 서로 다른 두께의 제1 포토 패턴(PR1) 및 제2 포토 패턴(PR2)을 포함한다.
상기 제1 포토 패턴(PR1)은 상기 개구 영역(OPA) 중 제2 계단 영역(S2) 및 비아 홀이 형성되는 비아 영역(VA)에 대응하여 배치된다.
상기 제2 포토 패턴(PR2)은 상기 제1 포토 패턴(PR1)보다 두껍고, 상기 평탄화막(230B)이 제거되지 않는 영역에 배치된다. 예를 들면, 상기 제1 계단 영역(S1), 상기 제2 계단 영역(S2) 및 상기 비아 영역(VA)을 제외한 영역에 배치될 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 제1 계단 영역(S1)의 상기 평탄화막(230B)이 설정 두께(d)를 갖도록 상기 제1 계단 영역(S1)의 상기 평탄화막(230B)을 제거한다.
도 9 및 도 11을 참조하면, 상기 제1 및 제2 포토 패턴들(PR1, PR2)을 애싱 공정으로 일정 두께만큼 제거한다. 이에 따라서, 상기 제2 포토 패턴(PR2)이 배치된 영역에는 제3 포토 패턴(PR3)이 남고, 상기 제1 포토 패턴(PR1)이 배치된 영역에는 상기 평탄화막(230B)이 노출된다. 즉, 상기 비아 영역(VA), 상기 제1 및 제2 계단 영역들(S1, S2)에는 포토 패턴이 제거되고 상기 평탄화막(230B)이 노출된다.
상기 제3 포토 패턴(PR3)을 이용하여 상기 평탄화막(230B)을 제거하여 상기 제1 계단 영역(S1)에는 제1 두께(d1)의 제1 계단 패턴을 형성하고, 상기 제2 계단 영역(S2)에는 상기 제1 두께(d1)보다 두꺼운 제2 두께(d2)의 제2 계단 패턴을 형성하고, 상기 제3 계단 영역(S3)에는 상기 제2 두께(d2)보다 두꺼운 제3 두께(d3)의 제3 계단 패턴을 형성한다.
또한, 상기 비아 영역(VA)에는 상기 트랜지스터(T)의 드레인 전극(DE)을 노출하는 비아 홀(VH)을 형성한다.
이와 같이 상기 평탄화막(230B)을 패터닝한 후, 상기 평탄화막(230B) 위에 발광 소자층(300B)을 형성한다.
예를 들면, 상기 비아 홀(VH)을 통해 상기 트랜지스터(T)와 연결된 화소 전극(PE)을 형성한다.
상기 화소 전극(PE)을 노출하도록 상기 개구 영역(OPA)에 대응하는 개구(OP)를 포함하는 화소 정의막(PDL)을 형성한다.
상기 개구(OP)내에 발광층(EL)을 형성한다. 이때 상기 발광층(EL)은 하나의 마스크를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 발광층(EL) 위에 공통 전극(CE)을 형성한다. 이후, 상기 발광 소자층(300B) 위에 봉지층(400)을 형성한다.
이와 같이, 발광 소자가 형성되는 상기 개구 영역의 상기 평탄화막을 계단 패턴으로 형성함으로써 상기 발광 소자의 출사면은 경사면으로 형성할 수 있다. 도시되지 않았으나, 상기 경사면의 경사각은 다양한 포토레지스트 공정들을 통해 제어할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 상기 표시 장치(1000C)는 베이스 기판층(100), 회로층(200), 발광 소자층(300C) 및 봉지층(400)을 포함한다.
상기 베이스 기판층(100)은 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(polyethylenenaphtalate), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리에테르이미드(polyrtherlmide) 또는 폴리에테르술폰(polyethersulfone) 등과 같은 유연성 물질로 형성될 수 있다. 상기 베이스 기판층(100)은 복수의 화소들이 배열되고, 각 화소에 대응하는 화소 영역(PA)을 포함한다.
상기 회로층(200)은 상기 베이스 기판층(100) 위에 배치되고, 적어도 하나의 트랜지스터(T)를 포함한다.
상기 트랜지스터(T)는 액티브 패턴(AC), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 액티브 패턴(AC)과 상기 게이트 전극(GE) 사이에는 게이트 절연막(210)이 형성될 수 있다. 상기 액티브 패턴(AC)은 인듐, 아연, 갈륨, 주석, 티타늄, 알루미늄, 하프늄(Hf), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg) 등을 함유하는 이성분계 화합물(ABx), 삼성분계 화합물(ABxCy), 사성분계 화합물(ABxCyDz) 등을 포함하는 반도체 산화물로 구성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 상기 게이트 절연막(210)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 및 게이트 전극(GE)과 상기 드레인 전극(DE) 사이에는 층간 절연막(220)이 형성될 수 있다. 상기 층간 절연막(220)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 등으로 이루어질 수 있다. 상기 트랜지스터(T) 위에 평탄화막(230)이 형성된다. 상기 평탄화막(230)은 상기 트랜지스터(T)를 보호하고 상기 표시 장치를 평탄화할 수 있다.
상기 발광 소자층(300C)은 상기 회로층(200) 위에 배치된다. 상기 발광 소자층(300C)은 화소 전극(PE), 화소 정의막(PDL), 발광층(EL), 공통 전극(CE)을 포함한다.
본 실시예에 따르면, 상기 화소 전극(PE)은 계단 형상의 전극 패턴을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 화소 전극(PE)은 서로 다른 길이를 갖는 제1 전극 패턴(PE1), 제2 전극 패턴(PE2) 및 제3 전극 패턴(PE3)을 포함한다.
상기 제1, 제2 및 제3 화소 전극들(PE1, PE2, PE3)을 포함하는 상기 화소 전극(PE)은 상기 발광 소자(E)가 형성되는 개구 영역(OPA)에 대응하여 단면이 계단 형상을 갖는다. 상기 발광 소자(E)는 상기 계단 형상의 상기 화소 전극(PE)에 의해 출사면(a)의 계단 형상을 가질 수 있다.
상기 화소 정의막(PDL)은 상기 화소 전극(PE)이 형성된 상기 평탄화막(230) 위에 배치되고, 상기 발광 소자(E)를 정의하는 개구(OP)를 포함한다. 예를 들면, 상기 개구(OP)는 계단 형상의 상기 화소 전극(PE)을 노출한다.
상기 발광층(EL)은 상기 개구(OP) 내에 형성되고, 상기 계단 형상의 상기 화소 전극(PE)에 의해 단면이 계단 형상을 가질 수 있다.
상기 공통 전극(CE)은 상기 발광층(EL) 및 상기 화소 정의막(PDL) 위에 배치된다. 상기 발광 소자(E)는 상기 화소 전극(PE), 상기 화소 정의막(PDL), 상기 발광층(EL) 및 상기 공통 전극(CE)에 의해 정의될 수 있다.
상기 봉지층(400)은 상기 공통 전극(CE) 위에 배치되고, 복수의 무기층들로 형성되거나, 무기층과 유기층이 혼합되어 형성될 수 있다. 상기 봉지층(400)은 상기 발광 소자(E)를 캡슐화하여 보호할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 발광 소자는 단면이 계단 형상을 갖는 화소 전극(PE)에 의해 상기 출사면이 경사면을 가질 수 있다. 상기 발광 소자는 상기 발광 소자가 위치한 상기 표시 영역의 곡률에 따라서 출사면의 경사각이 결정될 수 있고, 상기 경사각에 대응하여 증착면의 길이가 결정될 수 있다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 상기 베이스 기판층(100) 위에 액티브 패턴(AC)을 형성한다.
게이트 절연막(210)을 상기 액티브 패턴(AC)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
게이트 전극(GE)을 상기 게이트 절연막(210) 위에 형성한다.
층간 절연막(220)을 상기 게이트 전극(GE)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 상기 층간 절연막(220) 위에 형성한다.
평탄화막(230)을 상기 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 형성된 상기 베이스 기판층(100) 위에 형성한다.
이에 따라서, 상기 베이스 기판층(100) 위에 회로층(200)이 형성될 수 있다.
이어, 상기 평탄화막(230)에 상기 드레인 전극(DE)을 노출하는 비아 홀(VH)을 형성한다.
상기 비아 홀(VH)이 형성된 상기 평탄화막(230) 위에 형성하고, 제1 화소 전극층(PEL1)을 제1 두께(d1)로 형성한다. 상기 화소 전극층(PEL1)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다.
제1 마스크(810)를 이용하여 상기 제1 화소 전극층(PEL1)을 패터닝하여 상기 비아 홀(VH)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 연결된 제1 전극 패턴(PE1)을 형성한다. 상기 제1 전극 패턴(PE1)은 개구 영역(OPA)에 대응하여 형성될 수 있다. 상기 제1 전극 패턴(PE1)은 제1 계단 영역(S1)에 제1 계단을 형성할 수 있다.
도 12 및 도 14를 참조하면, 상기 제1 전극 패턴(PE1)이 형성된 상기 평탄화막(230) 위에 제2 화소 전극층(PEL2)을 형성한다. 상기 제2 화소 전극층(PEL2)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있고, 상기 제1 화소 전극층(PEL1)과 다른 식각비를 가질 수 있다.
제2 마스크(820)를 이용하여 상기 제2 화소 전극층(PEL2)을 패터닝하여 제2 전극 패턴(PE2)을 형성한다. 상기 제2 전극 패턴(PE2)은 상기 개구 영역(OPA) 중 제1 계단 영역(S1)을 제외한 제2 및 제3 계단 영역들(S2, S3)에 형성될 수 있다.
이에 따라서, 상기 제2 및 제3 계단 영역들(S2, S3)에는 제2 두께(d2)로 제1 및 제2 전극 패턴들(PE1, PE2)이 적층되어 형성될 수 있다. 상기 제2 전극 패턴(PE2)은 제2 계단 영역(S2)에 제2 계단을 형성할 수 있다.
도 12 및 도 15를 참조하면, 상기 제1 및 제2 전극 패턴들(PE1, PE2)이 적층된 상기 평탄화막(230) 위에 제3 화소 전극층(PEL3)을 형성한다. 상기 제3 화소 전극층(PEL3)은 금속, 금속 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있고, 상기 제1 및 제2 화소 전극층들(PEL1, PEL2)과 다른 식각비를 가질 수 있다.
제3 마스크(830)를 이용하여 상기 제3 화소 전극층(PEL3)을 패터닝하여 제3 전극 패턴(PE3)을 형성한다. 상기 제3 전극 패턴(PE3)은 상기 개구 영역(OPA) 중 제1 및 제2 계단 영역들(S1, S2)을 제외한 제3 계단 영역(S3)에 형성될 수 있다.
이에 따라서, 상기 제3 계단 영역(S3)에는 제3 두께(d3)로 제1, 제2 및 제3 전극 패턴들(PE1, PE2, PE3)이 적층되어 형성될 수 있다. 상기 제3 전극 패턴(PE3)은 제3 계단 영역(S3)에 제3 계단을 형성할 수 있다.
이와 같이, 상기 개구 영역(OPA)에는 계단 형상의 화소 전극(PE)이 형성될 수 있다.
이후, 상기 계단 형상인 화소 전극(PE)이 형성된 상기 평탄화막(230) 위에 상기 개구 영역(OPA)에 대응하여 개구(OP)가 형성된 화소 정의막(PDL)을 형성한다.
상기 개구(OP)내에 발광층(EL)을 형성한다. 이때 상기 발광층(EL)은 하나의 마스크를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 발광층(EL) 위에 공통 전극(CE)을 형성한다. 이후, 상기 발광 소자층(300B) 위에 봉지층(400)을 형성한다.
이와 같이, 발광 소자(E)의 화소 전극을 계단 형상으로 형성함으로써 상기 발광 소자(E)의 출사면은 경사면으로 형성할 수 있다. 도시되지 않았으나, 상기 경사면의 경사각은 다양한 증착 공정들을 통해 제어할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 곡면의 표시 영역을 갖는 표시 장치에서 곡면의 곡률에 따라 발광 소자의 출사면을 경사지게 형성함으로써 상기 곡면의 표시 영역에 표시되는 영상의 정면 시인성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 표시 장치 및 이를 포함하는 다양한 장치 및 시스템에 적용될 수 있다. 따라서 본 발명은 손목 시계, 차량용 룸미러 디스플레이, 휴대폰, 스마트 폰, PDA, PMP, 디지털 카메라, 캠코더, PC, 서버 컴퓨터, 워크스테이션, 노트북, 디지털 TV, 셋-탑 박스, 음악 재생기, 휴대용 게임 콘솔, 네비게이션 시스템, 스마트 카드, 프린터 등과 같은 다양한 전자 기기에 유용하게 이용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.

Claims (20)

  1. 표시 영역을 포함하는 베이스 기판층;
    상기 베이스 기판층 위에 배치되고, 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 회로층;
    상기 회로층과 연결되고, 광을 출사하는 출사면이 계단 형상을 갖는 발광 소자를 포함하는 발광 소자층; 및
    상기 발광 소자층 위에 배치된 봉지층을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판층은 유연성 물질을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 회로층은
    액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터; 및
    상기 트랜지스터를 덮도록 두껍게 배치된 평탄화막을 포함하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 발광 소자층은
    상기 회로층과 비아 홀을 통해 연결된 화소 전극;
    발광 소자의 영역을 정의하는 개구가 형성된 화소 정의막;
    상기 개구 내에 배치되고, 계단 형상을 갖는 발광층; 및
    상기 발광층 및 상기 화소 정의막 위에 배치된 공통 전극을 포함하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 발광 소자층은
    상기 회로층과 비아 홀을 통해 연결된 화소 전극;
    발광 소자의 영역을 정의하는 개구가 형성된 화소 정의막;
    상기 개구 내에 배치된 발광층; 및
    상기 발광층 및 상기 화소 정의막 위에 배치된 공통 전극을 포함하는 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 회로층은
    액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터; 및
    상기 트랜지스터를 덮도록 두껍게 배치되고, 개구 영역에 대응하여 계단 형상으로 패터닝된 평탄화막을 포함하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 회로층은
    액티브 패턴, 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터; 및
    상기 트랜지스터를 덮도록 두껍게 배치된 평탄화막을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 발광 소자층은
    상기 회로층과 비아 홀을 통해 연결되고, 계단 형상으로 패터닝된 화소 전극;
    발광 소자의 영역을 정의하는 개구가 형성된 화소 정의막;
    상기 개구 내에 배치되고, 계단 형상을 갖는 발광층; 및
    상기 발광층 및 상기 화소 정의막 위에 배치된 공통 전극을 포함하는 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 표시 영역은 복수의 발광 소자들을 포함하고,
    상기 발광 소자들의 출사면은 상기 표시 영역의 중앙 영역에서 멀어질수록 계단 형상의 경사각이 변하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 발광 소자들의 출사면은 상기 표시 영역의 중앙 영역을 기준으로 좌우 대칭인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 곡률을 갖는 볼록한 곡면인 표시 영역을 포함하는 표시 기판;
    상기 표시 영역의 중앙 영역에 대응하는 제1 영역에 배치되고, 제1 출사면을 갖는 제1 발광 소자;
    상기 제1 영역의 제1 측과 인접한 제2 영역에 배치되고, 상기 제2 영역의 곡률에 대응하는 제1 경사각을 갖는 제2 출사면을 포함하는 제2 발광 소자; 및
    상기 제2 영역의 제1 측과 인접한 제3 영역에 배치되고, 상기 제3 영역의 곡률에 대응하는 제2 경사각을 갖는 제3 출사면을 포함하는 제3 발광 소자를 포함하고,
    상기 제2 출사면 및 상기 제3 출사면 중 적어도 하나는 계단 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 및 제3 출사면들은 상기 제1 출사면과 각각 평행한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 출사면, 제2 출사면 및 제3 출사면의 길이는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제2 경사각은 상기 제1 경사각 보다 큰 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제11항에 있어서, 상기 제1 발광 소자는 상기 제1 출사면과 마주하고 상기 표시 기판에 증착된 제1 증착면을 더 포함하고,
    상기 제2 발광 소자는 상기 제2 출사면과 마주하고 상기 표시 기판에 증착된 제2 증착면을 더 포함하고,
    상기 제3 발광 소자는 상기 제3 출사면과 마주하고 상기 표시 기판에 증착된 제3 증착면을 더 포함하는 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제2 증착면의 길이는 상기 제1 경사각에 대응하여 설정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 제3 증착면의 길이는 상기 제2 경사각에 대응하여 설정되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 제1 영역의 제2 측과 인접한 제4 영역에 배치되고, 상기 제1 경사각과 반대인 제3 경사각을 갖는 제4 출사면을 포함하는 제4 발광 소자; 및
    상기 제4 영역의 제2 측과 인접한 제5 영역에 배치되고, 상기 제2 경사각과 반대인 제4 경사각을 갖는 제5 출사면을 포함하는 제5 발광 소자를 더 포함하는 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제4 및 제5 출사면들은 상기 제1 출사면과 각각 평행한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 제1 출사면, 제4 출사면 및 제5 출사면의 길이는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
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