KR20200081627A - 디스플레이 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광추출 효율이 향상되고 시야각에 따른 색감 편차가 최소화된 디스플레이 장치를 위하여, 기판 상에 배치되는, 화소전극; 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 개구를 통해 발광영역을 정의하는, 절연막; 상기 화소전극 상부에 배치되고, 측면의 기울기가 제1 각도를 갖는, 제1 광추출패턴; 및 상기 제1 광추출패턴 외곽에서 상기 제1 광추출패턴을 둘러싸도록 배치되며, 측면의 기울기가 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 갖는, 제2 광추출패턴을 구비하는, 디스플레이 장치를 제공한다.
Description
본 발명은 디스플레이 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 광추출 효율이 향상되고 시야각에 따른 색감 편차가 최소화된 디스플레이 장치에 관한 것이다.
디스플레이 장치들 중, 유기발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 컨트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 장치로서 주목을 받고 있다.
일반적으로 유기발광 디스플레이 장치는 기판 상에 박막트랜지스터 및 유기발광소자들을 형성하고, 유기발광소자들이 스스로 빛을 발광하여 작동한다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 휴대폰 등과 같은 소형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 하고, 텔레비전 등과 같은 대형 제품의 디스플레이부로 사용되기도 한다.
유기발광 디스플레이 장치는 화소전극과 대향전극 사이에 발광층을 포함하는 중간층이 개재된 유기발광소자를 각 (부)화소로 갖는다. 이러한 유기발광 디스플레이 장치는 일반적으로 각 화소의 발광여부나 발광정도를 화소전극에 전기적으로 연결된 박막트랜지스터를 통해 제어하고, 대향전극은 복수개의 (부)화소들에 있어서 일체(一體)인 형태이다.
그러나 이러한 종래의 디스플레이 장치는 디스플레이 장치가 대면적화 됨에 따라, 각 (부)화소의 광추출 효율이 저하되고 시야각에 따른 색감 편차 제어가 어렵다는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 광추출 효율이 향상되고 시야각에 따른 색감 편차가 최소화된 디스플레이 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 기판 상에 배치되는, 화소전극; 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 개구를 통해 발광영역을 정의하는, 절연막; 상기 화소전극 상부에 배치되고, 측면의 기울기가 제1 각도를 갖는, 제1 광추출패턴; 및 상기 제1 광추출패턴 외곽에서 상기 제1 광추출패턴을 둘러싸도록 배치되며, 측면의 기울기가 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 갖는, 제2 광추출패턴을 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴을 덮도록 상부에 평탄화막을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 제1 굴절률을 갖고, 상기 평탄화막은 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴, 상기 제2 광추출패턴 및 상기 평탄화막은 투광성을 갖는 유기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 평탄화막은 무기물을 포함하는 미세입자들을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 광추출패턴은 제2 높이를 갖고, 상기 제1 광추출패턴은 상기 제2 높이보다 낮은 제1 높이를 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴은 제1 높이를 갖고, 상기 제2 광추출패턴은 상기 제1 높이과 동일한 제2 높이를 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴은 상기 발광영역에 대응하도록 상기 개구 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 광추출패턴은 상기 발광영역의 외곽에 대응하도록 상기 절연막 상부에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면에서, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 고리 형태의 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면에서, 상기 개구는 다각형, 타원형 또는 원형의 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면에서, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 상기 개구의 형상과 닮은꼴일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면에서, 상기 개구 내에 위치하는 중심점과 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴의 중심점은 서로 일치할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 개구를 통해 노출된 상기 화소전극 상에 배치되는 유기발광물질을 포함하는, 중간층; 및 상기 중간층을 사이에 두고 상기 화소전극과 대향하여 배치되는 대향전극;을 더 포함하고, 상기 제1 광추출패턴은 상기 중간층과 중첩되도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 대향전극 상부에 배치되는, 터치센서층; 및 상기 터치센서층 상부에 배치되는, 커버층;을 더 구비하고, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 상기 터치센서층과 상기 커버층 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 커버층은 상기 평탄화막 상에 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 기판 상에 배치되고, 화소전극, 상기 화소전극과 대향하는 대향전극 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되는 중간층을 포함하는, 유기발광소자; 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 개구를 통해 발광영역을 정의하는, 절연막; 상기 절연막 상부에 배치되며 제1 높이를 갖는, 제1 광추출패턴; 및 상기 제1 광추출패턴과 소정간격 이격되어 상기 제1 광추출패턴을 둘러싸도록 배치되며, 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는, 제2 광추출패턴를 구비하는, 디스플레이 장치가 제공된다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴을 덮도록 상기 제1 광추출패턴 상에 배치되는, 평탄화막을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2 광추출패턴은 상기 절연막에 대응하도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴은 하면과 제1 각도를 이루는 측면을 갖고, 상기 제2 광추출패턴은 하면과 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 이루는 측면을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴은 제1 높이를 갖고, 상기 제2 광추출패턴은 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴과 상기 제2 광추출패턴은 동일물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴은 제1 굴절률을 갖고, 상기 평탄화막은 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 평탄화막은 투광성을 갖는 유기물을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면에서, 상기 제1 광추출패턴은 고리 형태의 폐루프(closed loop) 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면에서, 상기 개구는 다각형, 타원형 또는 원형의 형상을 가지며, 상기 제1 광추출패턴의 형상은 상기 개구의 형상과 닮은꼴일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 평면에서, 상기 개구 내에 위치하는 도형의 중심과 상기 제1 광추출패턴의 도형의 중심은 서로 일치할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 광추출 효율이 향상되고 시야각에 따른 색감 편차가 최소화된 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 어느 한 화소의 등가회로도이다.
도 3은 도 1의 A부분을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 4는 도 3의 B-B 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소를 개략적으로 도시하는 평면도들이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 어느 한 화소의 등가회로도이다.
도 3은 도 1의 A부분을 확대하여 도시하는 평면도이다.
도 4는 도 3의 B-B 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소를 개략적으로 도시하는 평면도들이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(1)는 기판(100) 및 기판(100) 상에 위치한 디스플레이부(200)를 포함한다.
기판(100)은 유리, 금속 또는 유기물과 같은 다양한 재질로 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(100)은 유연한 재료로 형성될 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 잘 휘어지고 구부러지거나 돌돌 말 수 있는 폴리이미드(PI)와 같은 재질로 형성될 수 있으나. 이는 예시적인 것일 뿐 본 발명은 이에 제한되지 않는다.
기판(100)은 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA) 상에는 디스플레이부(200)가 위치한다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 외곽, 기판(100)의 가장자리를 따라 배치된다. 비표시영역(NDA) 상에는 일측에 디스플레이부(200)로 신호를 공급하는 구동부(DU)가 배치될 수 있다.
복수의 화소(P)들은 표시영역(DA)에 배치될 수 있다. 화소(P)는 신호선 및 전원선과 전기적으로 연결된 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터 등을 포함하는 화소회로, 그리고 전술한 화소회로 연결된 디스플레이요소, 예컨대 유기발광다이오드(Organic light emitting didoe: OLED)를 포함할 수 있다.
화소(P)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 본 명세서에서의 화소(P)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 화소로 이해할 수 있다. 화소(P)에 구비된 디스플레이요소가 유기발광다이오드인 경우, 박막트랜지스터는 적어도 구동 박막트랜지스터 및 스위칭 박막트랜지스터를 포함할 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 어느 한 화소의 등가회로도이다.
도 2를 참조하면, 화소(P)는 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소를 포함한다. 도 2에서는 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED)를 도시하고 있다. 화소회로(PC)는 제1 박막트랜지스터(T1), 제2 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제2 박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1 박막트랜지스터(T1)로 전달한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2 박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1 전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
제1 박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류(Id)를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류(Id)에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2 전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 2에서는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 3은 도 1의 A부분에 대응할 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 각각의 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED) 상부에 위치한 광추출부(300)를 포함한다. 광추출부(300)는 제1 광추출패턴(310), 제2 광추출패턴(320) 및 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)을 덮는 평탄화막(330)을 포함한다.
제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 동일층에 배치되며, 절연막(150) 상부에 위치한다. 절연막(150)은 개구(OP)를 통해 발광영역(EA)을 정의하고, 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 개구(OP) 상부에 위치한다.
평면에서, 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 고리 형태의 폐루프(closed loop) 형상을 갖는다. 도 3에서 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 액자와 같은 형상을 가지나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 개구(OP)의 형상을 따라 이와 닮은꼴로서 형성될 수 있다. 도 3에서 개구(OP)는 대략 사각형 형상으로 도시되나, 도 7와 같은 팔각형 또는 도 8과 같은 육각형과 같은 다양한 형상을 가질 수도 있다. 그 외에도, 개구(OP)는 다각형, 타원형 또는 원형으로 형성될 수도 있다.
개구(OP)로 정의된 발광영역(EA)은 제1 방향을 따르는 제1 축(CAX1)을 기준으로 대칭으로 형성되고, 제2 방향을 따르는 제2 축(CAX2)을 기준으로 대칭으로 형성될 수 있다. 제1 방향과 제2 방향은 서로 교차할 수 있으며, 일 예로 직교할 수 있다. 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 제1 축(CAX1)을 기준으로 대칭으로 형성되고, 마찬가지로 제2 축(CAX2)을 기준으로 대칭으로 형성된다.
제1 축(CAX1)과 제2 축(CAX2)은 한 점에서 서로 만나게 되고, 이 점은 도형의 중심점(O)으로 정의될 수 있다. 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)도 이와 동일한 방법으로 정의되는 중심점(O)을 가지며, 개구(OP)와 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)는 중심점(O)을 서로 공유할 수 있다. 일 실시예로, 개구(OP)가 다각형으로 형성되는 경우, 중심점(O)은 개구(OP)에서 서로 대향하는 두 모서리를 연결한 2개 이상의 대각선이 서로 만나는 점으로 정의될 수도 있다.
제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 유기발광다이오드(OLED) 상에 배치되어, 유기발광다이오드(OLED)에서 발광하는 빛이 외부로 더 많이 출광되도록 하기 위해 구비된다. 비교예로서, 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)이 제1 및 제2 축(CAX1, CAX2)을 기준으로 대칭으로 형성되지 않는 경우, 발광영역(EA) 내의 특정 부분에서 빛이 더 반사된다거나, 덜 반사되는 등의 차이가 발생할 수 있으며, 이는 시인성 불량으로 이어질 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 개구(OP)와 동일하게 제1 및 제2 축(CAX1, CAX2)을 기준으로 대칭으로 형성된다.
제1 광추출패턴(310)은 개구(OP) 내측의 발광영역(EA)에 대응하도록 배치된다. 즉, 제1 광추출패턴(310)은 개구(OP) 내측의 발광영역(EA)과 중첩되도록 배치되고, 이는 개구(OP) 내에 위치한 중간층(240)과 중첩되어 배치되는 것으로 이해될 수 있다.
제2 광추출패턴(320)은 개구(OP) 외측의 비발광영역(NEA)에 대응하도록 배치된다. 즉, 제2 광추출패턴(320)은 개구(OP) 외측의 비발광영역(NEA)과 중첩되도록 배치되고, 이는 절연막(150)과 중첩되어 배치되는 것으로 이해될 수 있다. 절연막(150)이 제거된 영역이 개구(OP), 즉 발광영역(EA)으로 정의되고, 절연막(150)이 제거되지 않은 영역은 비발광영역(NEA)으로 정의되므로, 제1 광추출패턴(310)은 발광영역(EA) 상에, 제2 광추출패턴(320)은 비발광영역(NEA) 영역 상에 배치되는 것으로 이해될 수 있다.
제1 광추출패턴(310)은 제1 폭(W1)으로 구비되고, 제2 광추출패턴(320)은 제2 폭(W2)으로 구비된다. 이때, 제2 폭(W2)은 제1 폭(W1) 보다 넓게 구비될 수 있다. 이는 제1 광추출패턴(310) 및 제2 광추출패턴(320)의 측면이 이루는 각 및 이들이 배치되는 위치에 다른 출광 효율과 관련이 있다. 이에 대해 도 4 및 도 5에서 상세하게 설명한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일부를 개략적으로 도시하는 단면도이고, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다. 도 4는 도 3의 B-B 선을 따라 취한 단면에 대응할 수 있다.
먼저 도 4를 참조하면, 표시영역(DA)에 위치한 화소(P)는 화소회로(PC)를 포함하고, 화소회로(PC)는 박막트랜지스터(210) 및 스토리지 커패시터(220)를 포함한다. 도 4의 박막트랜지스터(210)는 도 2의 구동 박막트랜지스터인 제1 박막트랜지스터(T1)일 수 있다.
화소회로(PC)는 기판(100) 상에 순차적으로 위치하는 버퍼층(101), 게이트절연층(103) 및 층간 절연층(105)을 포함할 수 있다.
버퍼층(101)은 불순물의 침투를 방지하기 위해, 기판(100) 상에 배치되며, 게이트절연층(103)은 박막트랜지스터(210)의 반도체층(211)과 게이트전극(213) 사이에 개재될 수 있다. 층간 절연층(105)은 박막트랜지스터(210)의 게이트전극(213)과 소스전극(215s) 및 드레인전극(215d) 사이에 개재되며, 동시에 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)과 상부전극(223) 사이에 개재되어 유전체로서 기능할 수 있다.
버퍼층(101), 게이트절연층(103), 층간 절연층(105)은 모두 절연성 무기물로 형성된다. 예컨대, 버퍼층(101), 게이트절연층(103) 및 층간 절연층(105)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 및/또는 실리콘산질화물로 형성될 수 있다.
도 4에서는, 화소회로(PC)의 박막트랜지스터(210)가 탑 게이트 타입인 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 또 다른 실시예로, 박막트랜지스터(210)는 바텀 게이트 타입일 수 있다. 또한, 도 4에서는 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)과 상부전극(223)이 각각 게이트전극(213)과 소스전극(215s) 및 드레인전극(215d)과 동일한 물질을 포함하도록 동일 층에 위치하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 다양하게 변경 가능하다.
유기발광다이오드(OLED)는 컨택홀을 갖는 비아층(130)을 사이에 두고 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 화소전극(230), 화소전극(230)과 마주보는 대향전극(250) 및 이들 사이에 개재되는 중간층(240)을 포함한다. 일 실시예로, 비아층(130)은 절연성 유기물로 형성될 수 있다.
화소전극(230)은 화소정의막으로 이해되는 절연막(150)에 구비된 개구(OP)를 통해 노출되며, 화소전극(230)의 가장자리는 절연성 유기물로 형성된 절연막(150)에 의해 커버될 수 있다. 일 실시예로서, 화소전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함할 수 있다.
대향전극(250)은 일체로 형성되어 표시영역(DA)을 전체적으로 커버할 수 있다. 일 실시예로서, 대향전극(250)은 은(Ag)과 마그네슘(Mg)을 함유하는 박막 금속층, 또는 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 투광성 도전층(TCO, transparent conductive oxide)일 수 있다.
중간층(240)은 적색, 녹색 및 청색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물로 형성될 수 있으며, 표시영역(DA) 중 화소(P)에 대응하여 패터닝될 수 있다.
도시되어 있지는 않으나, 중간층(240)을 사이에 두고 중간층(240)과 화소전극(230) 사이에 개재되는 제1 기능층(미도시) 및 중간층(240)과 대향전극(250) 사이에 개재되는 제2 기능층(미도시) 중 적어도 어느 하나의 기능층을 포함할 수 있다. 제1 기능층과 제2 기능층은 화소전극(230) 상에 패터닝되어 형성되는 중간층(240)과는 달리, 디스플레이부(200) 전면에 형성되는 공통층일 수 있다.
제1 기능층은 예컨대, 정공 주입층(HIL: Hole Injection Layer) 및 정공 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 정공 주입층은 애노드에서 정공을 용이하게 방출되게 하며, 정공 수송층은 정공 주입층의 정공이 발광층까지 전달되게 한다. 제2 기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 전자 주입층은 캐소드에서 전자를 용이하게 방출되게 하며, 전자 수송층은 전자 주입층의 전자가 발광층까지 전달되게 한다.
표시영역(DA) 상에는 봉지층(260)이 배치된다. 도 4에서는 봉지층(260)이 표시영역(DA) 상에 위치한 것을 도시하고 있으나, 봉지층(260)은 비표시영역(NDA) 상에도 일부 배치될 수 있다.
다른 실시예로, 봉지층 대신에 기판(100) 상부에 봉지기판(미도시)를 구비하고, 기판(100)의 외곽에 실런트(미도시)를 이용하여 기판(100)과 봉지기판을 접합시킴으로써 디스플레이부(200)를 밀봉하는 구조를 구비할 수도 있다. 본 실시예에서는 봉지층(260)을 통해 디스플레이부(200)를 밀봉하는 구조에 대하여 설명하도록 한다.
봉지층(260)은 제1 및 제2 무기막(261, 263)과 유기막(262)을 포함한다. 예컨대, 봉지층(260)은 제1 무기막(261), 유기막(262), 및 제2 무기막(263)이 순차적으로 적층되어 형성될 수 있다. 제1 및 제2 무기막(261, 263)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물, 주석 산화물, 세륨 산화물 및 실리콘 산화질화물 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 무기막(261, 263)은 예컨대 화학기상증착(CVD) 공정에 의해 형성될 수 있다.
유기막(262)은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예로서, 유기막(262)은 HMDSO (Hexamethyldisiloxane) 또는 TEOS (tetraethly orthosilicate)와 같은 물질을 원료가스로 사용한 원자층증착(ALD: Atomic Layer Deposition) 공정에 의해 형성될 수 있다.
또 다른 실시예로, 유기막(262)은 액상의 모노머를 증착한 후 열이나 자외선과 같은 빛을 이용하여 경화시킴으로써 형성될 수 있다.
본 실시예에서는 봉지층(260)이 2개의 제1 및 제2 무기막(261, 263) 및 1개의 유기막(262)을 구비하는 경우를 설명하였으나, 무기 봉지층과 유기 봉지층의 적층 순서 및 개수는 이에 한정되지 않는다.
광추출부(300)는 봉지층(260) 상에 위치할 수 있다. 본 실시예에서 광추출부(300)는 봉지층(260) 상에 위치한 것으로 도시되나, 다른 실시예로 광추출부(300)와 봉지층(260) 사이에 각종 기능층이 개재되고, 광추출부(300)는 그러한 기능층들 상에 배치될 수 있다. 기능층은 예컨대, 터치센서층, 편광층, 필터층, 유기층, 무기층 등일 수 있다.
광추출부(300)는 제1 광추출패턴(310), 제2 광추출패턴(320) 및 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)을 덮는 평탄화막(330)을 포함한다. 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 동일층에 배치되고, 평탄화막(330)은 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)을 덮도록 배치된다. 평탄화막(330)은 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)의 상면을 평탄화하여 상부에 윈도우 커버(미도시) 등이 배치될 수 있도록 하는 역할을 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 절연막(150)의 개구(OP)로 정의되는 발광영역(EA) 상에는 제1 광추출패턴(310)이 배치되고, 개구(OP) 외곽의 비발광영역(NEA) 상에는 제2 광추출패턴(320)이 배치된다. 도 4와 같이 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 발광영역(EA)의 중심을 지나는 중심축(CAX)을 기준으로 대칭되게 구비된다. 중심축(CAX)은 도 3의 제1 축(CAX1)에 대응될 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)는 제1 굴절률을 갖고, 평탄화막(330)은 제2 굴절률을 갖도록 구비된다. 이때, 평탄화막(330)의 제2 굴절률은 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)의 제1 굴절률보다 크게 구비된다. 즉, 평탄화막(330)을 형성하는 물질의 굴절률이 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)을 형성하는 물질의 굴절률보다 큰 것을 의미한다. 이와 같은 특성을 이용하여, 유기발광다이오드(OLED)에서 발광한 빛이 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)의 표면에서 전반사되게 하여 정면으로 출광되도록 함으로써 출광 효율을 향상시킬 수 있다.
제1 및 제2 광추출패턴(310, 320) 및 평탄화막(330)은 예컨대, 투광성을 갖는 유기물을 포함한다. 광추출부(300)가 유기발광다이오드(OLED)의 출광 효율을 향상시키기 위해 구비되며, 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치는 전면 발광을 전체로 하므로, 광추출부(300)를 형성하는 구성요소들은 투광성을 갖는 물질로 구비된다. 예를 들어, 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320) 및 평탄화막(330)은 아크릴계 유기막 등으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 제한되는 것은 아니며, 투광성을 갖는 유기물로서 평탄화막(330)의 굴절률이 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)의 굴절률보다 높은 물질이면 족하다.
일 실시예로, 상대적으로 고굴절률을 갖는 평탄화막(330)은 굴절률 향상을 위해 유기물(331) 내에 미세입자(332)가 분산된 물질을 포함할 수 있다. 미세입자(332)는 예컨대, 지르코니아와 같은 무기물일 수 있다.
제1 광추출패턴(310)은 측면의 기울기가 제1 각도(θ1)를 갖고, 제2 광추출패턴(320)은 측면의 기울기가 제2 각도(θ2)를 갖도록 구비된다. 이때, 제1 각도(θ1)는 제2 각도(θ2) 보다 크게 구비된다. 예컨대, 제1 각도(θ1)는 약 70°내지 90°으로 형성되고, 제2 각도(θ2)는 약 70°내지 80°으로 형성될 수 있다. 도 5에서 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 대략 사다리꼴 형상으로 도시되나, 제1 광추출패턴(310)은 직사각형 형상으로 형성될 수도 있다. 이러한 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)의 제1 및 제2 각도(θ1, θ2)는 화소(P)의 크기, 광추출부(300)의 두께 등을 종합적으로 고려하여 설계할 수 있다.
도 5와 같이, 발광영역(EA)의 중심으로부터 발광한 빛은 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)의 측면 표면에서 전반사되어 유기발광다이오드(OLED)의 정면으로 출광한다. 디스플레이 장치를 사용하는 사용자의 입장에서 디스플레이 장치와 사용자의 시각은 대략 일직선 상에 위치하는 경우가 대부분이며, 따라서 유기발광다이오드(OLED)에서 발광한 빛이 얼마나 정면으로 출광하는지가 디스플레이 장치의 성능에 있어서 중요한 요소 중 하나이다. 이에 본 발명의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치에서는 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)을 유기발광다이오드(OLED) 상부에 구비함으로써 유기발광다이오드(OLED)에서 발광한 빛의 정면 출광 효율을 상승시켜, 디스플레이 장치의 성능 및 수명을 획기적으로 향상시킬 수 있다.
도 5에서는 발광영역(EA)의 중심으로부터 발광한 빛을 각도에 따라 제1 광(L1) 및 제2 광(L2)으로 도시하였다. 제2 광(L2)은 제1 광(L1)에 비해 중심축(CAX)과 이루는 각도가 더 크며, 비발광영역(NEA) 측으로 진행된다. 이러한 제2 광(L2)은 유기발광다이오드(OLED)의 정면으로 직진하지 않기 때문에, 비교예로서 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)을 구비하지 않는 경우, 제2 광(L2)은 인접 화소와 혼색되거나, 유기발광다이오드(OLED)의 광효율을 저하시키는 주요 원인이 된다. 따라서, 비발광영역(NEA) 상에 제2 광추출패턴(320)을 구비함으로써 비발광영역(NEA) 측으로 진행되는 제2 광(L2)을 정면으로 출광시켜 출광 효율을 향상시킬 수 있다.
상술한 것과 같이, 제2 광(L2)은 비발광영역(NEA) 측으로 진행되고, 중심축(CAX)과 이루는 각도가 상대적으로 크기 때문에, 입사각을 고려하여 제2 광추출패턴(320)의 측면이 이루는 각도는 제1 광추출패턴(310)에 비해 상대적으로 작게 구비된다. 이와 유사한 원리로, 제1 광(L1)은 발광영역(EA) 측으로 진행되고, 중심축(CAX)과 이루는 각도가 상대적으로 작기 때문에, 입사각을 고려하여 제1 광추출패턴(310)의 측면이 이루는 각도는 제2 광추출패턴(320)에 비해 상대적으로 더 크게 구비된다.
제1 광(L1)은 발광영역(EA) 측으로 진행되기는 하나, 비교예로서 제1 광추출패턴(310)을 구비하지 않는 경우, 정면으로 출광되지는 않는다. 따라서, 발광영역(EA) 상에 제1 광추출패턴(310)을 구비함으로써 제1 광(L1)을 정면으로 출광시켜 출광 효율을 향상시킬 수 있다.
제1 광추출패턴(310)은 제1 높이(h1)를 갖고, 제2 광추출패턴(320)은 제2 높이(h2)를 갖는다. 이때, 제1 광추출패턴(310)의 제1 높이(h1)는 제2 광추출패턴(320)의 제2 높이(h2) 보다 낮게 구비된다. 제1 광추출패턴(310)은 발광영역(EA) 상부에 배치되기 때문에, 상대적으로 얇은 두께로 형성하는 것이 광효율 측면에서 용이하다.
이와 동일한 원리로, 제1 광추출패턴(310)은 제1 폭(W1)을 갖고, 제2 광추출패턴(320)은 제2 폭(W2)을 갖는다. 이때, 제1 광추출패턴(310)의 제1 폭(W1)은 제2 광추출패턴(320)의 제2 폭(W2) 보다 좁게 구비된다. 전술한 것과 같이, 제1 광추출패턴(310)을 형성하는 물질이 투광성을 갖는다고 하더라도, 발광영역(EA) 상부에 구조물을 배치하는 경우 광효율이 저하될 우려가 있다. 따라서, 발광영역(EA) 상에 배치되는 제1 광추출패턴(310)은 비발광영역(NEA) 상에 배치되는 제2 광추출패턴(320) 보다 좁은 폭을 갖도록 하여, 제1 광추출패턴(310)에 의해 발광영역(EA)의 광효율이 저하되는 것을 최소화시킬 수 있다. 예컨대, 제1 광추출패턴(310)의 제1 폭(W1)은 동일 방향을 기준으로 발광영역(EA)의 약 10% 내지 30% 정도일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 6의 실시예는 도 4의 실시예와 화소회로(PC)의 구조에서 차이가 있다. 그 외에 구성들은 도 4의 실시예와 동일한바, 이하에서는 화소회로(PC) 구조의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 6을 참조하면, 화소회로(PC)는 박막트랜지스터(210) 및 스토리지 커패시터(220)를 포함한다. 화소회로층(110)은 기판(100) 상에 순차적으로 위치하는 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 유전체 절연층(105), 층간 절연층(107) 및 무기 보호막(109)을 포함할 수 있다.
버퍼층(101)은 불순물의 침투를 방지하기 위해, 기판(100) 상에 배치되며, 게이트절연층(103)은 박막트랜지스터(210)의 반도체층(211)과 게이트전극(213) 사이에 개재되며, 유전체 절연층(105)은 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)과 상부전극(223) 사이에 개재되고, 층간 절연층(107)은 박막트랜지스터(210)의 게이트전극(213)과 소스전극(215s) 및 드레인전극(215d) 사이에 개재된다.
버퍼층(101), 게이트절연층(103), 유전체 절연층(105), 층간 절연층(107) 및 무기 보호막(109)은 모두 절연성 무기물로 형성된다. 예컨대, 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 유전체 절연층(105), 층간 절연층(107) 및 무기 보호막(109)은 각각 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 및/또는 실리콘산질화물로 형성될 수 있다.
도 6에서는, 박막트랜지스터(210)와 스토리지 커패시터(220)가 중첩되도록 배치되어, 박막트랜지스터(210)의 게이트전극(213)이 스토리지 커패시터(220)의 하부전극(221)인 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 어느 한 화소를 개략적으로 도시하는 평면도들로, 도 3의 변형실시예이다.
전술한 도 3에서는 개구(OP)로 정의된 발광영역(EA)이 대략 사각형 형상을 갖는 경우를 도시하였으며, 도 7 및 도 8에서는 변형실시예로 개구(OP)로 정의된 발광영역(EA)이 대략 팔각형 형상을 갖는 경우 및 육각형 형상을 갖는 경우를 도시한다. 도 7 및 도 8의 실시예에서 개구(OP)의 형상을 제외하고는 도 3의 실시예와 동일한바, 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
도 7을 참조하면, 개구(OP)로 정의된 화소(P')의 발광영역(EA)은 대략 팔각형 형상을 가질 수 있다. 발광영역(EA)은 제1 방향을 따르는 제1 축(CAX1) 및 이와 교차하는 제2 축(CAX2)과 대칭이 되도록 형성된다. 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 개구(OP)의 형상을 따라 닮은꼴로 구비된다. 도 3와 마찬가지로 제1 광추출패턴(310)은 발광영역(EA) 상부에 배치되고, 제2 광추출패턴(320)은 비발광영역(NEA) 상부에 배치된다.
도 8을 참조하면, 개구(OP)로 정의된 화소(P'')의 발광영역(EA)은 대략 팔각형 형상을 가질 수 있다. 발광영역(EA)은 제1 방향을 따르는 제1 축(CAX1) 및 이와 교차하는 제2 축(CAX2)과 대칭이 되도록 형성된다. 도 8의 제1 방향 및 제2 방향은 도 7과 비교할 때 대각선 방향일 수 있다. 즉, 화소(P'')의 형상 및 배치는 스트라이프 타입뿐만 아니라, 펜타일 타입으로 형성될 수도 있는바, 이 경우 도 8과 같은 화소(P'') 형상을 가질 수 있다. 이 경우에도 마찬가지로 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 개구(OP)의 형상을 따라 닮은꼴로 구비된다. 제1 광추출패턴(310)은 발광영역(EA) 상부에 배치되고, 제2 광추출패턴(320)은 비발광영역(NEA) 상부에 배치된다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도들로서, 도 4의 변형실시예이다.
도 9 및 도 10의 실시예들은 광추출부(300) 구조에서 도 4의 실시예와 차이가 있다. 그 외에 구성들은 도 4의 실시예와 동일한바, 이하에서는 광추출부(300) 구조의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 9를 참조하면, 제1 광추출패턴(310)의 제1 높이(h1)와 제2 광추출패턴(320)의 제2 높이(h2)가 동일하게 구비될 수 있다. 전술한 도 4의 실시예에서는 제1 광추출패턴(310)의 제1 높이(h1)를 제2 광추출패턴(320)의 제2 높이(h2) 보다 낮게 형성하였는데, 이는 발광영역(EA)의 광효율 이외의 제조공정적 문제와 관련된다. 즉, 제1 광추출패턴(310)의 측면 각도를 대략 90°에 근접하게 설계함에 따라, 상대적으로 작은 측면 각도를 갖는 제2 광추출패턴(320) 패턴에 비해 높은 높이를 갖도록 형성하는 것이 공정 상 어려움이 있다. 또한, 발광영역(EA)의 광효율을 위해 제1 광추출패턴(310)의 폭을 늘리는데 한계가 있어, 도 4의 실시예에서는 제1 광추출패턴(310)의 높이를 낮추는 방향으로 광추출부(300)를 설계하였다.
따라서, 공정 상 조건이 가능한 경우라면 도 9와 같이 제1 광추출패턴(310)의 제1 높이(h1)와 제2 광추출패턴(320)의 제2 높이(h2)가 동일하게 구비하는 것도 가능하다.
도 10을 참조하면, 제1 및 제2 광추출패턴(310, 320)은 비발광영역(NEA) 상부에 위치할 수 있다. 이 경우, 내측에 위치한 제1 광추출패턴(310)의 제1 높이(h1)는 외측에 위치한 제2 광추출패턴(320)의 제2 높이(h2) 보다 낮게 구비될 수 있다. 이를 통해, 비발광영역(NEA) 측으로 진행되는 광 중 제1 광추출패턴(310)에 의해 반사되지 못한 광은 제2 광추출패턴(320)에 의해 반사될 수 있어, 유기발광다이오드(OLED)의 정면 출광 효율을 상승시킬 수 있다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 디스플레이 장치의 일 화소의 단면을 개략적으로 도시하는 단면도로서, 도 4의 변형실시예이다.
도 11의 실시예는 봉지층(260) 상부 구조에서 도 4의 실시예와 차이가 있다. 그 외에 구성들은 도 4의 실시예와 동일한바, 이하에서는 봉지층(260) 상부 구조의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 11을 참조하면, 본 실시예에 따른 디스플레이 장치는 광추출부(300), 터치센서층(400) 및 커버층(500)을 포함한다. 광추출부(300)는 터치센서층(400)과 커버층(500) 사이에 개재될 수 있다.
터치센서층(400)은 사용자의 터치 입력을 전기적 또는 물리적으로 감지하여 이를 전기적 신호로서 디스플레이부에 전달하는 역할을 한다. 일 실시예로, 터치센서층(400)은 봉지층(260) 상에 직접 형성될 수 있다. 즉, 터치센서층(400)은 봉지층(260) 상에 직접 센싱 패턴들 및 절연막 등이 형성될 수 있다. 다른 실시예로, 터치센서층(400)은 터치패널 형태로 봉지층(260) 상에 라미네이션될 수 있다. 이때 터치센서층(400)은 접착층(미도시)에 의해 봉지층(260) 상에 배치될 수 있다.
광추출부(300)는 터치센서층(400) 상에 위치할 수 있다. 광추출부(300) 상에는 커버윈도우에 대응하는 커버층(500)이 배치될 수 있다.
지금까지는 디스플레이 장치에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 디스플레이 장치를 제조하기 위한 디스플레이 장치의 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
100: 기판
150: 절연막
200: 디스플레이부
210: 박막트랜지스터
220: 스토리지 커패시터
230: 화소전극
240: 중간층
250: 대향전극
260: 봉지층
300: 광추출부
310: 제1 광추출패턴
320: 제2 광추출패턴
330: 평탄화막
400: 터치센서층
500: 커버층
150: 절연막
200: 디스플레이부
210: 박막트랜지스터
220: 스토리지 커패시터
230: 화소전극
240: 중간층
250: 대향전극
260: 봉지층
300: 광추출부
310: 제1 광추출패턴
320: 제2 광추출패턴
330: 평탄화막
400: 터치센서층
500: 커버층
Claims (27)
- 기판 상에 배치되는, 화소전극;
상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 개구를 통해 발광영역을 정의하는, 절연막;
상기 화소전극 상부에 배치되고, 측면의 기울기가 제1 각도를 갖는, 제1 광추출패턴; 및
상기 제1 광추출패턴 외곽에서 상기 제1 광추출패턴을 둘러싸도록 배치되며, 측면의 기울기가 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 갖는, 제2 광추출패턴;
을 구비하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴을 덮도록 상부에 평탄화막을 더 포함하는, 디스플레이 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 제1 굴절률을 갖고, 상기 평탄화막은 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖는, 디스플레이 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴, 상기 제2 광추출패턴 및 상기 평탄화막은 투광성을 갖는 유기물을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제2항에 있어서,
상기 평탄화막은 무기물을 포함하는 미세입자들을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 광추출패턴은 제2 높이를 갖고, 상기 제1 광추출패턴은 상기 제2 높이보다 낮은 제1 높이를 갖는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴은 제1 높이를 갖고, 상기 제2 광추출패턴은 상기 제1 높이과 동일한 제2 높이를 갖는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴은 상기 발광영역에 대응하도록 상기 개구 상부에 배치된, 디스플레이 장치. - 제8항에 있어서,
상기 제2 광추출패턴은 상기 발광영역의 외곽에 대응하도록 상기 절연막 상부에 배치되는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
평면에서, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 고리 형태의 폐루프(closed loop) 형상을 갖는, 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
평면에서, 상기 개구는 다각형, 타원형 또는 원형의 형상을 갖는, 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
평면에서, 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 상기 개구의 형상과 닮은꼴인, 디스플레이 장치. - 제10항에 있어서,
평면에서, 상기 개구 내에 위치하는 중심점과 상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴의 중심점은 서로 일치하는, 디스플레이 장치. - 제1항에 있어서,
상기 개구를 통해 노출된 상기 화소전극 상에 배치되는 유기발광물질을 포함하는, 중간층; 및
상기 중간층을 사이에 두고 상기 화소전극과 대향하여 배치되는 대향전극;을 더 포함하고,
상기 제1 광추출패턴은 상기 중간층과 중첩되도록 배치되는, 디스플레이 장치. - 제14항에 있어서,
상기 대향전극 상부에 배치되는, 터치센서층; 및
상기 터치센서층 상부에 배치되는, 커버층;을 더 구비하고,
상기 제1 광추출패턴 및 상기 제2 광추출패턴은 상기 터치센서층과 상기 커버층 사이에 배치되는, 디스플레이 장치. - 제15항에 있어서,
상기 커버층은 상기 평탄화막 상에 배치되는, 디스플레이 장치. - 기판 상에 배치되고, 화소전극, 상기 화소전극과 대향하는 대향전극 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이에 개재되는 중간층을 포함하는, 유기발광소자;
상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 중앙부를 노출시키는 개구를 통해 발광영역을 정의하는, 절연막;
상기 절연막 상부에 배치되며 제1 높이를 갖는, 제1 광추출패턴; 및
상기 제1 광추출패턴과 소정간격 이격되어 상기 제1 광추출패턴을 둘러싸도록 배치되며, 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는, 제2 광추출패턴;
를 구비하는, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 제2 광추출패턴은 상기 절연막에 대응하도록 배치되는, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴은 하면과 제1 각도를 이루는 측면을 갖고, 상기 제2 광추출패턴은 하면과 상기 제1 각도보다 작은 제2 각도를 이루는 측면을 갖는, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴은 제1 높이를 갖고, 상기 제2 광추출패턴은 상기 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴과 상기 제2 광추출패턴은 동일물질을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제18항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴은 제1 굴절률을 갖고, 상기 평탄화막은 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 갖는, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴을 덮도록 상기 제1 광추출패턴 상에 배치되는, 평탄화막을 더 포함하는, 디스플레이 장치. - 제23항에 있어서,
상기 제1 광추출패턴 및 상기 평탄화막은 투광성을 갖는 유기물을 포함하는, 디스플레이 장치. - 제23항에 있어서,
평면에서, 상기 제1 광추출패턴은 고리 형태의 폐루프(closed loop) 형상을 갖는, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
평면에서, 상기 개구는 다각형, 타원형 또는 원형의 형상을 가지며, 상기 제1 광추출패턴의 형상은 상기 개구의 형상과 닮은꼴인, 디스플레이 장치. - 제17항에 있어서,
평면에서, 상기 개구 내에 위치하는 도형의 중심과 상기 제1 광추출패턴의 도형의 중심은 서로 일치하는, 디스플레이 장치.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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