KR20070030124A - 면 발광 장치 - Google Patents

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KR20070030124A
KR20070030124A KR1020060084733A KR20060084733A KR20070030124A KR 20070030124 A KR20070030124 A KR 20070030124A KR 1020060084733 A KR1020060084733 A KR 1020060084733A KR 20060084733 A KR20060084733 A KR 20060084733A KR 20070030124 A KR20070030124 A KR 20070030124A
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electrode
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사쿠타로 호시
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가부시키가이샤 도요다 지도숏키
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Abstract

제 1 전극층, 발광층을 포함하는 박막층 및 제 2 전극층이 기판상에 순차 적층된 구조를 가지며, 소정의 면 발광 영역을 가지며, 그리고 제 1 전극층 및 제 2 전극층 중 적어도 하나는 투명층인, EL 소자; 및 그 EL 소자의 면 발광 영역 내에 배치되고, 투명전극층보다 전도성이 높은 재료로 형성되며, 투명전극층에 전기적으로 접속되며, 그리고 보조전극의 외주부에 반사면을 가지는, 보조전극을 포함하는, 면 발광 장치가 제공된다.
면 발광 장치, EL 소자, 보조전극

Description

면 발광 장치{AREA LIGHT EMITTING DEVICE}
도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 면 발광 장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 2 는 제 1 실시형태에 따른 면 발광 장치를 나타내는 평면도.
도 3a 내지 3d 는 제 1 실시형태에 따른 면 발광 장치에 이용되는 보조전극의 제조 방법을 단계적으로 나타내는 도면.
도 4 는 제 2 실시형태에 따른 면 발광 장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 5a 내지 5d 는 제 2 실시형태에 따른 면 발광 장치에 이용되는 보조전극의 제조방법을 단계적으로 나타내는 도면.
도 6 은 제 3 실시형태에 따른 면 발광 장치에 이용되는 보조전극을 나타내는 단면도.
도 7 은 제 4 실시형태에 따른 면 발광 장치에 이용되는 보조전극을 나타내는 단면도.
도 8 은 제 4 실시형태의 변형예에 따른 면 발광 장치에 이용되는 보조전극을 나타내는 단면도.
도 9 는 제 5 실시형태에 따른 면 발광 장치에 이용되는 보조전극을 나타내는 단면도.
도 10 은 제 5 실시형태의 변형예에 따른 면 발광 장치에 이용되는 보조전극을 나타내는 단면도.
도 11 은 또 다른 실시형태에 따른 면 발광 장치의 구조를 나타내는 단면도.
도 12 는 또 다른 실시형태에 따른 면 발광 장치의 구조를 나타내는 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 투명기판 2 : 투명전극층
3 : 유기층 4 : 금속전극층
5: 유기 EL 소자 6 : 보호막
7, 13, 14, 15: 보조전극 8, 11 : 그루브 (groove)
9 : Ag 층 10 : 굴절률조정층
16 : 외주부 19 : 기판
20 : 보호막
본 발명은 면 발광 장치에 관련된 것으로, 보다 구체적으로는, 전계발광 (electroluminescence; EL) 장치를 광원으로 이용하는 면 발광 장치의 광 추출 효율의 향상에 관련된 것이다.
무기 EL 장치 또는 유기 EL 장치와 같은 EL 장치는 자기발광을 수행하여, 고휘도 면광원이 획득될 수 있다. 따라서, EL 장치는, 예를 들어, 두께가 얇고 무게가 가벼운 이동 장치용으로 이용되는 디스플레이 또는 면 발광 장치로서 널리 실용화되어 왔다. 예를 들어, EL 장치는, 광투과성이고 ITO 등으로 구성된 투명전극층, 발광층을 가지는 박막층, 및 광반사성이고 Al 등으로 구성된 금속전극층이 유리 등으로 구성된 투명기판상에 순차 적층되어 EL 소자를 형성한 구조를 가진다. 발광층으로부터 방출된 광이 직접 투명전극층을 투과하거나 광이 금속전극층에서 반사된 후 투명전극층을 투과한다. 그 후, 광은 투명기판을 투과하고, 광출사면으로 기능하는, 투명기판과 외기 사이의 경계면으로부터 출사된다.
박막층과 투명전극층의 경계면, 투명전극층과 투명기판의 경계면, 및 투명기판과 외기의 경계면의 각각에 있어서, 광 입사측에 위치하는 물질의 굴절률이 광 출사측에 위치하는 물질의 굴절률보다 큰 경우, 투명기판의 재료인 유리 등의 굴절률과 외기의 굴절률 사이의 비율에 기초하여 판정되는 임계각을 초과하는 입사각의 광은 예를 들어, 광사출면으로 기능하는 투명기판과 외기 사이의 경계면에서 전반사된다. 따라서, 광이 추출될 수 없다.
그러한 문제점을 해결하기 위해, 일본특허공개공보 평 10-189251 A 호에 개시된 디스플레이 장치의 경우에는, 절단면이 쐐기 형상인 반사부재가 각 화소의 외주부를 둘러싸도록 투명기판 내에 제공된다. 각 화소의 발광층으로부터 방출된 광이 그 외주부에 위치한 반사부재에서 반사되어 광의 각도를 변화시킨다. 따라서, 투명기판과 외기의 경계면에서 전반사되는 광의 양이 감소되어, 광 추출 효율을 향상시킨다.
그러나, 일본특허공개공보 평 10-189251 A 호에 개시된 디스플레이 장치의 반사부재는, 서로 분리되고 매트릭스로 배열된 각 화소 사이의 간격에 대향하는 위치에 형성된다. 따라서, 투명기판의 전체면 상에 EL 소자가 형성된 면 발광 장치에 그 디스플레이 장치가 그대로 적용되기 어렵다.
투명전극층의 전기 저항률은, 예를 들어, ITO 의 경우 대략 수백 uΩ㎝ 이다. 따라서, 투명전극층의 전기 저항률은 예를 들어, Al 의 경우 2.65uΩ㎝, 또는 Ag 의 경우 1.59uΩ㎝ 인 금속전극층의 전기 저항률에 비해 대략 백 배 정도 더 크다. 따라서, 투명기판의 전체면 상에 EL 소자가 형성되는 면 발광 장치의 경우에는, 투명전극층의 면내 방향의 전압강하가 무시될 수 없고, 발광시 휘도 불균일성을 유발하기 쉽다. 일반적으로, 투명전극층의 단자는 비발광 영역에 형성된다. 따라서, 발광면의 크기가 증가할수록, 단자로부터 먼 거리에 위치하는 발광 영역과 단자로부터 가까운 거리에 위치하는 다른 발광 영역 사이의 전압강하의 차이가 증가한다. 따라서, 휘도 불균일성이 발생된다.
상술한 투명전극층의 전압강하에 의해 기인하는 휘도 불균일성를 경감하기 위해서, 금속과 같은 우수한 전도성을 가지는 재료로 구성되는 보조전극을 투명전극층에 접속되도록 비발광 영역에 형성하는 방법이 제안되어 있다. 그러나, 보조전극이 이용되는 경우에도, 발광면의 크기가 커지는 경우, 단자로부터 먼 거리에 위치하는 발광 영역과 단자로부터 가까운 거리에 위치하는 다른 발광 영역 사이의 전압 강하가 커진다. 따라서, 휘도 불균일성의 문제점을 해결하기 어렵다.
투명전극층이 두꺼운 경우, 면내 방향의 전압강하가 저감될 수 있다. 그러나, 그 두께의 증가에 따라 투명전극층의 투과율이 감소되어, EL 소자의 발광 효 율이 감소된다는 문제점이 생긴다.
본 발명은, 상술한 종래의 문제점을 해소하기 위한 것이다. 본 발명의 목적은 광 추출 효율을 증가시키고 투명전극층의 전압강하에 의해 유발되는 휘도 불균일성을 감소시킬 수 있는 면 발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 면 발광 장치는: 기판 상에 순차 적층된 제 1 전극층, 발광층을 포함하는 박막층, 및 제 2 전극층을 포함하며, 소정의 면 발광 영역을 가지며, 그리고 제 1 전극층과 제 2 전극층 중 적어도 하나는 투명전극층인 EL 소자; 및 그 EL 소자의 면 발광 영역 내에 위치하며, 투명전극층보다 더 높은 전도성을 가지는 재료로 형성되며, 투명전극층에 전기적으로 접속되고, 그 외주면에 반사면을 가지는 보조전극을 포함한다.
이하, 본 발명의 실시형태를 첨부 도면을 참조하여 설명한다. 각 도면은 개략적인 구성을 나타낸 것이며, 따라서, 크기 비율, 두께 비율 등은 실제 비율과 상이하다.
제 1 실시형태
도 1 은 제 1 실시형태에 따른 면 발광 장치의 단면구조를 나타낸다. 기판으로 기능하는 투명기판 (1) 의 표면상에 제 1 전극층으로 기능하는 투명전극층 (2) 이 형성된다. 유기 화합물로 구성되고 발광층을 포함하는 박막층으로 기능하는 유기층 (3) 이 투명전극층 (2) 상에 형성된다. 제 2 전극층으로 기능하는 금속전극층 (4) 이 유기층 (3) 상에 형성된다. 소정의 면 발광 영역 R 을 가지는 유기 전계발광 (EL) 소자 (5) 가 투명전극층 (2), 유기층 (3), 및 금속전극층 (4) 에 의해 형성된다. 유기 EL 소자 (5) 의 전체가 보호막 (6) 에 의해 피복된다. 투명기판 (1) 의 투명전극층 (2) 과 반대측의 면 (1a) 이 면 발광 장치의 출사면으로 기능한다.
투명기판 (1) 과 투명전극층 (2) 사이의 경계면 상에 보조전극 (7) 이 형성된다. 보조전극 (7) 은, 투명전극층 (2) 보다 우수한 전도성을 가지는 재료로 구성되고 직각이등변 삼각형의 단면형상을 가진다. 또한, 바닥면이 되는 외주면 (7a) 이 투명전극층 (2) 의 표면에 접촉하고, 서로 직각으로 교차하는 2 개의 외주면 (7b 및 7c) 이 각각 투명기판 (1) 의 면 (1a) 에 대향하도록, 보조전극 (7) 이 투명기판 (1) 내에 매설된다. 외주면 (7a) 과 투명전극층 (2) 의 표면간의 접촉 때문에, 보조전극 (7) 은 투명전극층 (2) 에 전기적으로 접속된다. 보조전극 (7) 의 3 개의 외주면 (7a, 7b 및 7c) 은 적어도 가시광을 반사하는 반사면을 형성한다.
도 2 에 나타낸 바와 같이, 보조전극 (7) 은, 유기 EL 소자 (5) 의 면 발광 영역 R 내에 격자 형태로 배열된다.
투명전극층 (2) 및 금속전극층 (4) 은, 각각 면 발광 영역 R 의 외측까지 연장되는 단자부 (2a 및 4a) 를 가진다.
투명기판 (1) 은, 가시광에 대하여 투과성의 재료로 형성될 수도 있으며, 유리, 수지 등이 이용될 수 있다. 투명전극층 (2) 은, 전극으로서 기능하고 적어 도 가시광에 대해 투과성일 수도 있다. 예를 들어, 투명전극층 (2) 의 재료로 ITO 가 이용된다.
유기층 (3) 은, 발광층만의 단일층일 수도 있고, 또는 정공주입층, 정공수송층, 정공주입 수송층, 정공저지층, 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층을 포함하는 그룹에서 선택된 하나 이상의 층과 발광층이 적층된 복수층일 수도 있다. 발광층은, Alq3 또는 DCM 과 같은 공지된 유기발광 재료를 포함한다. 정공주입층, 정공수송층, 정공주입수송층, 정공저지층, 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층 등의 각각은 공지된 재료로 적절히 형성된다.
금속전극층 (4) 은, 전극으로 기능하고 적어도 가시광에 대해 반사성일 수도 있다. 예를 들어, Al, Cr, Mo, Al 합금, Al / Mo 적층체 등이 이용될 수 있다.
예를 들어, 플라즈마 CVD 법을 이용하여 형성되는 질화규소, 산질화규소 및 산화규소 등이 보호막 (6) 에 이용될 수 있다.
보조전극 (7) 은, Ag 또는 Al 과 같이 우수한 전도성을 가지고 적어도 가시광에 대하여 우수한 반사성을 가지는 재료로 형성된다. 보조전극 (7) 의 외주면 (7a) 은 50 ㎛ 의 폭, 200 ㎛ 의 배열 피치로 형성된다.
여기서, 도 3 을 참조해서 보조전극 (7) 을 제조하는 방법을 설명한다. 우선, 도 3a 에 나타낸 투명기판 (1) 의 표면에 절삭가공을 시행하여, 도 3b 에 나타낸 바와 같이 각각 직각이등변 삼각형의 단면형상을 가지는 격자 형태로 배열되는 그루브 (8) 를 형성한다. 또한, 기계적 가공 외에도 레이저 가공, 화학적 가공 등을 이용하여 그루브 (8) 를 형성할 수도 있다. 그 다음에, 도 3c 에 나타낸 바와 같이, 각 그루브 (8) 의 내부가 충분히 충전될 때까지 투명기판 (1) 의 표면상에 예를 들어, Ag 를 증착해서 Ag 층 (9) 을 형성한다. 그 후, Ag 층 (9) 을 에칭해서 투명기판 (1) 의 표면을 노출시킨다. 그러면, 도 3d 에 나타낸 바와 같이, 투명기판 (1) 의 표면에 매설된 보조전극 (7) 이 제조된다.
그 후, 보조전극 (7) 이 매설된 투명기판 (1) 의 표면상에 투명전극층 (2), 유기층 (3), 및 금속전극층 (4) 을 순차 적층하기만 하면 유기 EL 소자 (5) 가 형성된다.
다음으로, 제 1 실시형태 (1) 에 따른 면 발광 장치의 동작에 대해서 설명한다. 단자부 (2a 및 4a) 사이에 미도시된 전원회로를 접속해서, 투명전극층 (2) 과 금속전극층 (4) 사이에 전류를 흐를 수 있게 하여 유기 EL 소자 (5) 를 턴온한다. 즉, 유기층 (3) 의 발광층으로부터 방출된 광이 직접 투명전극층 (2) 에 입사되거나 또는 광이 금속전극층 (4) 에 반사된 후에 투명전극층 (2) 에 입사되고, 그 후, 투명기판 (1) 을 통해 면 (1a) 으로부터 출사된다.
일반적으로, 투명기판 (1) 의 재료인 유리 등의 굴절률이 공기의 굴절률보다 크다. 따라서, 도 1 에 나타낸 바와 같이, 투명기판 (1) 을 통해 투과되고 그 후 광 출사면으로 기능하는 면 (1a) 에 임계각을 초과하는 입사각으로 입사하는 광선 L1 은, 면 (1a) 에서 전반사되어 다시 투명기판 (1) 을 통해 진행한다. 여기서, 직각이등변 삼각형의 단면형상을 가지고 투명기판 (1) 과 투명전극층 (2) 의 경계면에 배열되는 보조전극 (7) 때문에, 광선 L1 이 보조전극 (7) 의 외주면 (7b 또는 7c) 에서 반사될 때, 광선 L1 의 광로가 조정된다. 따라서, 광선 L1 은 면 (1a) 에 임계각보다 작은 입사각으로 입사해 그 후 면 (1a) 으로부터 외기로 출사된다.
유기층 (3) 의 발광층으로부터 방출된 광 중에서, 투명전극층 (2) 으로부터 큰 입사각으로 투명기판 (1) 에 입사하는 광선 L2 이 보조전극 (7) 의 외주면 (7b 또는 7c) 에서 반사될 때, 광선 L2 의 광로가 조정된다. 따라서, 광선 L2 는 임계각보다 작은 입사각으로 면 (1a) 에 입사하고, 그 후, 그 면 (1a) 으로부터 외기로 출사된다.
상술한 바와 같이, 보조전극 (7) 의 존재에 의해, 종래의 면 발광 장치에서는 유폐되는 광이 외기로 추출될 수 있어 광 추출 효율을 향상시킨다.
상술한 광선 L1 및 L2 와 같이, 보조전극 (7) 의 외주면 (7b 또는 7c) 에서 반사된 후에 투명기판 (1) 의 면 (1a) 으로부터 외기로 출사되는 광선의 존재 때문에, 이 면 발광 장치를 투명기판 (1) 의 면 (1a) 으로부터 보았을 때에 보조전극 (7) 을 보기 어렵다. 따라서, 균일한 발광면이 획득된다.
한편, 유기층 (3) 의 발광층으로부터 방출된 광선이, 투명전극층 (2) 에 접촉하는 보조전극 (7) 의 외주면 (7a) 에서 반사될 때, 그 광선은 투명기판 (1) 으로 들어갈 수 없고 다시 유기 EL 소자 (5) 로 되돌아 간다. 그러나, 도 1 에 나타낸 광선 L3 의 경우와 같이, 입사각이 보조전극 (7) 의 외주면 (7a) 에 대하여 0 이 아닌 때에는, 광선은 유기 EL 소자 (5) 의 금속전극층 (4) 에서 반사되거나, 보조전극 (7) 의 외주면 (7a) 과 금속전극층 (4) 사이에서 반복적으로 반사된다. 그 후, 광선은 보조전극 (7) 이 위치하지 않는 영역으로부터 투명기판 (1) 에 입사되고, 광선은 면 (1a) 로부터 외기로 출사된다. 따라서, 보조전극 (7) 을 막음으로써 유발되는 광 추출 효율의 감소가 최소화된다.
투명전극층 (2) 보다 우수한 전도성을 가지는 재료로 구성되는 보조전극 (7) 이 유기 EL 소자 (5) 의 면 발광 영역 R 에 격자형으로 배열되고, 투명전극층 (2) 과 전기적으로 접속된다. 따라서, 보조전극 (7) 의 일부가 면 발광 영역 R 의 각 포인트에 가깝게 위치되어, 투명전극층 (2) 의 전압강하에 의해 유발되는 면 방향의 휘도 불균일성이 감소된다. 보조전극 (7) 의 단면, 투명전극층 (2) 과 접촉하는 외주면 (7a) 의 폭, 및 보조전극 (7) 의 배열 피치 등이 휘도 불균일성을 최소화하도록 바람직하게 선택된다.
종래 경우와 달리 보조전극 (7) 이 유기 EL 소자 (5) 의 면 발광 영역 R 에 배열되어, 보조전극을 비발광 영역에 형성할 필요가 없다. 따라서, 면 발광 영역 R 의 크기가 종래의 경우와 동일하더라도, 작은 면 발광 소자가 실현될 수 있다. 따라서, 모기판 (parent substrate) 으로부터 복수의 면 발광 소자가 절단되어야 할 때, 동일한 모기판으로부터 더 많은 면 발광 소자가 절단될 수 있어, 면 발광 소자의 제조 단가를 감소시킬 수 있다.
제 2 실시형태
도 4 는 제 2 실시형태에 따른 면 발광 소자의 단면 구조를 나타낸다. 이 면 발광 소자는, 굴절률조정층 (10) 이 투명기판 (1) 과 유기 EL 소자 (5) 의 투명전극층 (2) 사이에 형성되고, 보조전극 (7) 이 굴절률조정층 (10) 에 형성된다 는 점에서 도 1 에 나타낸 제 1 실시형태에 따른 면 발광 소자와 상이하다. 보조전극 (7) 은 투명전극층 (2) 과의 접촉을 통해 투명전극층 (2) 과 전기적으로 접속된다.
굴절률조정층 (10) 은 적어도 가시광선에 대해 투과성이고, 투명 기판 (1) 의 굴절률과 투명전극층 (2) 의 굴절률의 중간값을 가지는 재료로 형성된다.
굴절률조정층 (10) 을 포함하는 면 발광 소자 (7) 를 제조하는 방법을 설명한다. 먼저, 도 5a 에 나타낸 바와 같이, 예를 들어, 네가티브 포토폴리머로 구성된 굴절률조정층 (10) 이 투명 기판 (1) 의 표면상에 형성되고, 그 후, 형성될 보조전극 (7) 의 배열 형상에 대응하는 격자형의 자외선 (UV) 광이 투명 기판 (1) 의 후면측으로부터 투명 기판 (1) 을 통해 굴절률조정층 (10) 으로 조사된다. 그 후, 굴절률조정층 (10) 이 현상되고, 도 5b 에 나타낸 바와 같이, 두께 방향의 노출량 차이에 의해 유발되는 현상률 차이에 기초하여, 각각 삼각형의 단면을 가지는 격자형 그루브 (11) 가 굴절률조정층 (10) 에 형성된다. 다음으로, 도 5c 에 나타낸 바와 같이, 예를 들어, Ag 가 그루브 (11) 각각의 내부에 충전될 때까지 굴절률조정층 (10) 의 표면상에 증착되어, Ag 층 (9) 을 형성한다. 그 후, Ag 층 (9) 이 에칭되어 굴절률조정층 (10) 을 노출시킨다. 따라서, 도 5d 에 나타낸 바와 같이, 굴절률조정층 (10) 의 표면에 매설된 보조전극 (7) 이 제조된다.
그 후, 보조전극 (7) 이 매설된 굴절률조정층 (10) 의 표면상에 투명전극층 (2), 유기층(3), 및 금속전극층 (4) 을 순차 적층하기만 하면 유기 EL 소자 (5) 가 형성된다.
굴절률조정층 (10) 을 형성하는데 이용되는 포토폴리머는 몰딩 후의 아웃개싱 (outgassing) 의 양이 작은 재료인 것이 바람직하다.
다음으로, 제 2 실시형태에 따른 면 발광 소자의 동작을 설명한다. 투명전극층 (2) 과 금속전극층 (4) 사이에 전류를 흘려 유기 EL 소자 (5) 를 턴온한다. 이때, 유기층 (3) 의 발광층으로부터 방출되는 광은 투명전극층 (2) 상에 직접 입사되거나 광이 금속전극층 (4) 상에 반사된 후에 투명전극층 (2) 상에 입사되고, 그 후, 굴절률조정층 (10) 및 투명기판 (1) 을 통해 면 (1a) 으로부터 출사된다.
투명기판 (1) 의 재료인 유리 등의 굴절률이 n1 으로 표현되고, 투명전극층 (2) 의 재료인 ITO 등의 굴절률이 n2 로 표현되고, 굴절률조정층 (10) 의 굴절률이 n3 로 표현된다고 가정한다. 일반적으로, n1 < n2 가 성립하고, 굴절률조정층 (10) 의 굴절률은 n1 과 n2 의 중간값이다. 따라서, 하기의 수식이 성립한다.
n1 < n3 < n2 (1)
여기서, 제 1 실시형태에 따른 면 발광 장치와 같이, 투명기판 (1) 과 투명전극층 (2) 이 서로 직접 접촉하고 있는 구조의 경우, 투명전극층 (2) 으로부터 투명기판 (1) 으로 진행하는 광에 대하여 결정되는 임계각 θ 는,
sin θ = n1 / n2 (2)
로 표현된다.
이에 반해, 제 2 실시형태에 따른 면 발광 장치와 같이, 투명전극층 (2) 과 투명기판 (1) 의 사이에 굴절률조정층 (10) 이 개재된 구조의 경우에는, 투명전극층 (2) 으로부터 굴절률조정층 (10) 으로 진행하는 광에 대하여 결정되는 임계각 α 는,
sin α = n3 / n2 (3)
로 표현되며, 굴절률조정층 (10) 으로부터 투명기판 (1) 으로 진행하는 광에 대하여 결정되는 임계각 β 는,
sin β = n1 / n3 (4)
로 표현된다.
식 (1) 및 식 (2) 를 이용해서 식 (3) 및 식 (4) 를 재작성하면 하기의 수식,
sin α = (n3 / n2) > (n1 / n2) = sin θ (5)
sin β = (n1 / n3) > (n1 / n2) = sin θ (6)
이 획득된다. 따라서, 식 (5) 및 (6) 으로부터 하기의 수식
α > 0
β > 0
이 유도된다.
즉, 제 2 실시형태로부터 명백한 바와 같이, 투명전극층 (2) 으로부터 굴절률조정층 (10) 으로 진행하는 광에 대한 임계각 α 및 굴절률조정층 (10) 으로부터 투명기판 (1) 으로 진행하는 광에 대한 임계각 β 각각은, 제 1 실시형태와 같이 투명기판 (1) 과 투명전극층 (2) 이 직접 접촉하고 있는 구조에 있어서 투명전극층 (2) 으로부터 투명기판 (1) 으로 진행하는 광에 대한 임계각 θ 보다 커져서, 전반사하는 광의 양이 감소한다. 따라서, 도 4 의 광선 L4 의 경우와 같이, 투명전 극층 (2) 과 굴절률조정층 (10) 간의 경계면 및 굴절률조정층 (10) 과 투명기판 (1) 간의 경계면에서 전반사 없이 투명기판 (1) 을 투과하는 광선의 양이 증가하여, 제 1 실시형태에 따른 면 발광 장치의 경우에 비해 광 추출 효율을 더욱 향상시킨다.
보조전극 (7) 의 외주면 (7a 내지 7c) 에서의 반사에 의해 유발되는 광 추출 효과, 및 보조전극 (7) 의 존재에 의해 유발되는 휘도 불균일성의 경감 효과는 제 1 실시형태와 동일하다.
제 3 실시형태
도 6 은 제 3 실시형태에 따른 면 발광 장치의 보조전극 (7) 을 나타낸다. 상술한 제 1 실시형태에 따른 면 발광 장치에서는, 보조전극 (7) 이 투명전극층 (2) 의 표면에 접촉하도록 투명기판 (1) 내에 매설된다. 제 3 실시형태에 있어서는, 보조전극 (7) 이 투명전극층 (2) 의 내부 및 투명기판 (1) 의 내부에 매설된다. 보조전극 (7) 의 외주면 (7a 내지 7c) 이 투명전극층 (2) 에 접촉하여, 보조전극 (7) 이 투명전극층 (2) 에 전기적으로 접속된다. 바닥면이 되는 외주면 (7a) 이 유기층 (3) 의 표면에 접촉하지 않도록, 보조전극 (7) 이 투명전극 (1) 내에 매설된다.
보조전극 (7) 이 이용되더라도, 제 1 실시형태의 경우와 같이, 보조전극 (7) 의 외주면 (7a 내지 7c) 에서의 광 반사에 의해 광 추출 효율이 향상되고, 투명전극층 (2) 의 면내 방향의 전압강하에 기인한 휘도 불균일성이 경감된다.
제 3 실시형태에 따른 보조전극 (7) 이 제 2 실시형태에 적용되어, 보조전극 (7) 이 투명전극층 (2) 의 내부 및 굴절률조정층 (10) 의 내부에 매설될 수 있다.
제 4 실시형태
도 7 및 도 8 은 각각 제 4 실시형태에 따른 면 발광 장치의 보조전극 (13, 14) 을 나타낸다. 상술한 제 1 내지 제 3 실시형태 각각에 따른 면 발광 장치에서는, 보조전극 (7) 이 직각이등변 삼각형의 단면형상을 가진다. 이에 반해, 도 7 에 나타낸 바와 같이, 6 각형과 같은 다각형 단면형상을 가지는 보조전극 (13) 이 이용된다. 보조전극 (13) 은, 투명전극층 (2) 보다 우수한 전도성을 가지는 재료로 구성되고, 바닥면이 되는 외주면 (13a) 이 투명전극층 (2) 의 표면에 접촉하도록 투명기판 (1) 내에 매설된다. 보조전극 (13) 의 바닥면을 포함하는 외주면 각각은 적어도 가시광을 반사하는 반사면을 형성한다.
제 1 내지 제 3 실시형태 각각에서 이용된 직각이등변 삼각형의 단면형상을 가지는 보조전극 (7) 에 비교해서, 보조전극 (13) 은 다양한 각도로 설정되는 더 많은 반사면을 가진다. 따라서, 종래의 면 발광 장치에서는 제한되는 광의 진행 방향이 다양한 방향으로 조정될 수 있어, 광의 추출 효율이 향상될 수 있다.
보조전극의 단면형상은 직각이등변 삼각형 및 6 각형으로 제한되지 않고, 임의인 다각형의 단면형상을 가지는 보조전극을 이용할 수 있다.
또한, 도 8 에 나타낸 바와 같이, 원호 단면형상을 가지는 보조전극 (14) 이 이용될 수 있다. 바닥면이 되는 외주면 (14a) 이 투명전극층 (2) 의 표면에 접촉하고 있다.
제 4 실시형태에 따른 보조전극 (13 또는 14) 이 제 2 실시형태에 적용되어, 보조전극 (13 또는 14) 을 굴절률조정층 (10) 내에 매설할 수도 있다. 또한, 보조전극 (13 또는 14) 을 제 3 실시형태에 적용하여, 보조전극 (13 또는 14) 을, 투명전극층 (2) 의 내부 및 투명기판 (1) 의 내부, 또는 투명전극층 (2) 의 내부 및 굴절률조정층 (10) 의 내부에 매설할 수 있다
제 5 실시형태
도 9 및 도 10 은 각각 제 5 실시형태에 따른 면 발광 장치의 보조전극 (15) 을 나타낸다. 상술한 제 1 내지 제 4 실시형태에 따른 면 발광 장치에서, 보조전극 (7, 13 및 14) 각각은 단일 재료로 형성된다. 이에 반해, 제 5 실시형태에서는, 2 종류의 재료로 구성되고 2 층 구조를 가지는 보조전극 (15) 이 이용된다. 도 9 에 나타낸 바와 같이, 보조전극 (15) 은: 면 발광 장치의 출사면이 되는 투명기판 (1) 의 면 (1a) 에 대향하고 우수한 반사성을 가지는 제 1 재료로 구성되는 외주부 (16); 및 외주부 (16) 내부에 투명전극층 (2) 에 접촉하여 위치하고 우수한 반사성을 가지는 제 2 재료로 구성되는 내부 (17) 를 포함한다. 예를 들어, 외주부 (16) 는 제 1 재료로서 Al 으로 형성될 수 있고, 내부 (17) 는 제 2 재료로서 Cu 로 형성될 수 있다.
이러한 구조의 보조전극 (15) 이 이용되는 경우, 외주부 (16) 의 광 반사 효율이 높고 투명전극층 (2) 에 접속되는 내부 (17) 의 전도성이 높아, 광 추출 효율의 향상 및 투명전극층 (2) 의 면내 방향의 전압강하에 기인한 휘도 불균일성의 경감을 동시에 실현할 수 있다.
또한, 도 10 에 나타낸 바와 같이, 보조전극 (15) 은, 보조전극 (15) 의 모 든 외주면을 형성하고 우수한 반사성을 가지는 제 1 재료로 구성되는 외주부 (18) 를 포함할 수 있다. 예를 들어, 외주부 (18) 는 제 1 재료로서 Al 으로 형성될 수 있고, 내부 (17) 는 제 2 재료로서 Cu 로 형성될 수 있다.
이러한 구조를 가지는 보조전극 (15) 이 이용되는 경우, 보조전극 (15) 의 바닥면이 되는 외주면 (18a) 의 반사성이 향상된다.
상술한 제 1 내지 제 5 실시형태 각각에서, 보조전극은 유기 EL 소자 (5) 의 면 발광 영역 R 내에 격자형으로 배열된다. 그러나, 본 발명은 이러한 배열에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 평행 형태 배열이 채택될 수 있다. 보조전극은, 반드시 유기 EL 소자 (5) 의 면 발광 영역 R 내에서 균일한 크기 및 단면형상으로 제공될 필요는 없고, 상이한 크기 및 단면형상을 가질 수도 있다.
도 3 및 도 5 에 나타낸 바와 같은 보조전극 (7) 의 제조 방법에서, Ag 층 (9) 이 증기 증착에 의해 형성된다. 또는, Ag 층 (9) 은 도금, 스퍼터링 등에 의해 형성될 수 있다.
두껍게 형성된 Ag 층 (9) 을 에칭하여 투명기판 (1) 의 표면 또는 굴절률조정층 (10) 의 표면을 노출시킨다. 또는, 그루브 (8 또는 11) 에 대응하는 개구부를 가지는 마스크 또는 레지스트막을 이용하여 보조전극 (7) 을 형성하기 위해 투명기판 (1) 의 그루브 (8) 또는 굴절률조정층 (1O) 의 그루브 (11) 를 Ag 와 같은 재료로 채우고, 그 후 마스크 또는 레지스트막을 제거함으로써, 보조전극 (7) 이 형성될 수 있다.
보조전극의 단면적 및 배열 피치 등을 선택하는 것에 의해, 유기 EL 소자 (5) 의 면 발광 영역 R 상의 휘도분포가 변화되므로, 휘도 불균일성이 경감될 수 있을 뿐만 아니라, 면 발광 영역 R 상에 소망하는 휘도 패턴을 형성해서 연출 효과를 낼 수 있다.
본 발명에 따르면, 광의 추출 효율이 향상될 수 있어, 더 긴 수명, 더 높은 휘도, 및 더 낮은 전력소모의 면 발광 장치가 실현된다.
제 2 전극층인 금속전극층 (4) 에, 가시광에 대하여 반사성을 가지는 재료가 이용된다. 반사성이 없지만 전극으로서 동일한 기능의 재료가 제 2 전극층으로 이용될 수 있다.
또한, 상술한 각 실시형태에 있어서, 투명기판측으로부터 광이 출사되는 구조가 이용되었다. 그러나, 본 발명은 그 구조에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 또한, 광이 기판의 반대측으로부터 출사되는 구조를 이용할 수 있다. 이 경우, 도 11 에 나타낸 바와 같이, 제 1 전극층으로 기능하는 금속전극층 (4), 발광층을 포함하는 박막층으로 기능하는 유기층 (3), 및 제 2 전극층으로 기능하는 투명전극층 (2) 이 기판 (19) 상에 순차 적층된다. 그 후, 외기중의 수분, 산소 등으로부터 박막층을 보호하는 광투과성의 보호막 (20) 이 투명전극층 (2) 상에 제공된다. 보호막 (20) 내에 보조전극 (7) 이 투명전극층 (2) 과 전기적으로 접속하도록 형성된다. 이 경우, 기판 (19) 은 광투과성일 필요는 없으며, 따라서, 예를 들어, 금속으로 형성될 수 있다.
도 12 에 나타낸 바와 같이, 도 11 의 면 발광 장치의 경우, 기판 (19) 대신에 투명기판 (1) 을, 제 1 전극층으로서 금속전극층 (4) 대신 투명전극층 (2) 을 이용하여, 양 측, 즉, 투명기판 (1) 측 및 투명기판 (1) 의 반대측으로부터 광이 빠져나오는 구조를 획득할 수도 있다. 이 경우, 보조전극 (7) 은 투명기판 (1) 및 보호막 (20) 내에 각각 제공된다.
상기의 각 실시형태에 있어서, 유기 EL 소자를 포함하는 면 발광 장치에 대해서 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며, 따라서, 투명전극층과 반사전극층 사이에 개재된 발광층을 가지는 박막층이 무기화합물로 형성되는 무기 EL 소자를 포함하는 면 발광 장치에도 적용된다.
본 발명에 따르면, 광의 취득 효율의 향상될 수 있어, 더 긴 수명, 더 높은 휘도, 및 더 낮은 전력소모의 면 발광 장치가 실현된다.

Claims (17)

  1. 기판상에 순차 적층되는 제 1 전극층, 발광층을 포함하는 박막층, 및 제 2 전극층을 포함하며, 소정의 면 발광 영역을 가지며, 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층 중 적어도 하나는 투명전극층인, 유기 EL 소자; 및
    상기 EL 소자의 상기 면 발광 영역에 배치되며, 상기 투명전극층보다 높은 전도성을 가지는 재료로 형성되며, 상기 투명전극층과 전기적으로 접속되며, 그 외주면에 반사면을 가지는, 보조전극을 포함하는, 면 발광 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 투명기판을 포함하고, 상기 제 1 전극층은 투명전극층이고, 광이 상기 투명기판측으로부터 출사되는, 면 발광 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 투명기판 내에 매설되는, 면 발광 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 전극층은 반사성을 가지는 금속전극층인, 면 발광 장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 투명기판과 상기 투명전극층 사이에 배치되며, 상기 투명기판의 굴절률과 상기 투명전극층의 굴절률의 중간값의 굴절률을 가지는 굴절률조정층을 더 포함하고,
    상기 보조전극은 상기 굴절률조정층 내에 매설되는, 면 발광 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극층상에 형성되며 광투광성인 보호막을 더 포함하고,
    상기 제 2 전극층은 투명전극층이고, 상기 보호막측으로부터 광이 출사되는, 면 발광 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 보호막 내에 매설되는, 면 발광 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 전극층은 반사성을 가지는 금속전극층인, 면 발광장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판은 금속기판을 포함하는, 면 발광 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 전극층 상에 형성되며 광투과성인 보호막을 더 포함하고,
    상기 기판은 투명기판을 포함하고, 상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층은 각각 투명전극층이고, 상기 투명기판측 및 상기 보호막측 모두로부터 광이 출사되는, 면 발광 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 투명기판 및 상기 보호막 내에 각각 매설된, 면 발광 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 EL 소자의 면 발광 영역 내에 격자형으로 배열되는, 면 발광 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극의 일부는 상기 투명전극층 내에 매설된, 면 발광 장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 다각형의 단면형상을 가지는, 면 발광 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 원호의 단면형상을 가지는, 면 발광 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 보조전극은 상기 보조전극의 적어도 일부가 우수한 반사성을 가지는 제 1 재료를 포함하는 외주부 및 우수한 전도성을 가지는 제 2 재료를 포함하는 내부를 포함하는, 면 발광 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 박막층은, 유기 화합물로 구성되는, 면 발광 장치.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8687145B2 (en) 2010-08-13 2014-04-01 Lg Chem, Ltd. Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR20200081627A (ko) * 2018-12-27 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007063617B4 (de) 2007-02-16 2021-09-02 Pictiva Displays International Limited Verfahren zur Reparatur eines elektrolumineszenten organischen Halbleiterelements
EP2165366B8 (en) * 2007-07-04 2018-12-26 Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. A method for forming a patterned layer on a substrate
DE102008021655B4 (de) * 2008-04-30 2012-06-06 Saint-Gobain Sekurit Deutschland Gmbh & Co. Kg Strahlungsquelle und Solarzelle
KR20100035134A (ko) * 2008-09-25 2010-04-02 주식회사 엘지화학 고효율 유기발광소자 및 이의 제조 방법
JP5655567B2 (ja) * 2008-10-06 2015-01-21 旭硝子株式会社 電子デバイス用基板、その製造方法、これを用いた電子デバイス、その製造方法及び有機ｌｅｄ素子用基板
FR2938700A1 (fr) * 2008-11-25 2010-05-21 Commissariat Energie Atomique Diode organique electroluminescente avec nervures electriquement conductrices au niveau de l'electrode inferieure, procede de realisation et panneau d'eclairage.
CN102422452B (zh) 2009-05-08 2015-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光设备
JP2010272466A (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Fujifilm Corp 透明導電体及びその製造方法
WO2011016086A1 (ja) * 2009-08-05 2011-02-10 株式会社 東芝 有機電界発光素子およびその製造方法
EP2333863A1 (en) 2009-12-11 2011-06-15 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith
US8659220B2 (en) * 2010-06-07 2014-02-25 Nec Lighting, Ltd. Organic electroluminescent lighting device
US9778470B2 (en) 2010-09-22 2017-10-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multi-view display device
JP2013054837A (ja) * 2011-09-01 2013-03-21 Toshiba Corp 発光装置及びその製造方法
FR2986909B1 (fr) * 2012-02-10 2014-11-21 Saint Gobain Electrode supportee transparente pour oled
JPWO2013129611A1 (ja) * 2012-02-29 2015-07-30 昭和電工株式会社 エレクトロルミネッセント素子の製造方法
WO2014064834A1 (ja) * 2012-10-26 2014-05-01 パイオニア株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2014064833A1 (ja) * 2012-10-26 2014-05-01 パイオニア株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2014064832A1 (ja) * 2012-10-26 2014-05-01 パイオニア株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JPWO2014064835A1 (ja) * 2012-10-26 2016-09-05 パイオニア株式会社 発光装置
WO2014073072A1 (ja) * 2012-11-08 2014-05-15 パイオニア株式会社 ミラー装置
JP6046738B2 (ja) 2012-11-08 2016-12-21 パイオニア株式会社 ミラー装置
US9590209B2 (en) 2012-11-08 2017-03-07 Pioneer Corporation Mirror device
FR3003084B1 (fr) 2013-03-08 2015-02-27 Saint Gobain Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication
JP6238126B2 (ja) * 2013-12-03 2017-11-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子及びそれを用いた照明装置
GB201500748D0 (en) 2015-01-16 2015-03-04 Cambridge Display Tech Ltd Method of forming a light-emitting device
DE102016101872A1 (de) * 2016-02-03 2017-08-03 Osram Oled Gmbh Leuchte und Verfahren zum Herstellen einer Leuchte
JP2016164898A (ja) * 2016-06-17 2016-09-08 パイオニア株式会社 発光装置
CN106206984A (zh) * 2016-08-18 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 顶发射型有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
JP2022000669A (ja) * 2020-06-19 2022-01-04 株式会社デンソー カメラモジュール

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3573393B2 (ja) 1996-12-27 2004-10-06 パイオニア株式会社 ディスプレイ装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8687145B2 (en) 2010-08-13 2014-04-01 Lg Chem, Ltd. Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR20200081627A (ko) * 2018-12-27 2020-07-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20070096112A1 (en) 2007-05-03
TW200721906A (en) 2007-06-01
JP2007080579A (ja) 2007-03-29
EP1763081A2 (en) 2007-03-14
CN1933689A (zh) 2007-03-21

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