CN112864188A - 发光显示设备 - Google Patents

Abstract

一种发光显示设备包括：基板，该基板包括多个子像素；外涂层，该外涂层在基板上并具有基础部分和突出部分；第一电极，该第一电极被设置成在多个子像素处覆盖基础部分和突出部分的侧部分；堤层，该堤层覆盖第一电极和外涂层的一部分；以及发光层和第二电极，所述发光层和第二电极在多个子像素处的第一电极和堤层上。第一电极包括反射层和反射层上的透明导电层，透明导电层包括基础部分上的第一部分和突出部分的侧表面上的第二部分，并且第二部分的厚度大于第一部分的厚度。

Description

发光显示设备

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年11月26日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0152920号的优先权，在此，该申请的公开内容特此通过引用明确并入本申请中。

技术领域

本公开内容涉及发光显示设备，更具体地，涉及能够提高光提取效率并且同时通过抑制颜色坐标的变化来提高色域的发光显示设备。

背景技术

最近，随着社会向面向信息的社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示设备的领域已经迅速发展。相应地，正在开发在厚度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示设备。

在这些各种显示设备中，发光显示设备是自发光显示设备，并且与具有单独光源的液晶显示设备不同，因为发光显示设备不需要单独的光源，所以发光显示设备可以制造得轻而薄。此外，发光显示设备由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此，发光显示设备被期望用于各种领域。

发明内容

从发光显示设备的发光层发射的光可以通过发光显示设备的各种部件输出到发光显示设备的外部。然而，在从发光层发射的光中，存在在发光显示设备内部捕获而没有从发光显示设备出来的光，由此发光显示设备的光提取效率可能是有问题的。

例如，由于全反射、光学波导和表面等离子体中的损耗，存在从发光层发射的一些光被捕获在发光显示设备的内部的限制。这里，全反射中的损耗指的是由于通过在基板和空气之间的界面处的全反射而捕获在发光显示设备内部的从发光层发射的光中的光所导致的光提取效率的降低。光学波导中的损耗指的是由于通过在发光显示设备内部的部件的界面处的全反射而捕获在内部的光所导致的光提取效率的降低。表面等离子体中的损耗指的是当光由于在光入射和传播期间存在于金属表面上的光被吸收到金属中的现象而使金属表面的自由电子振动时的情况，由此阻止光的反射或透射，从而导致光提取效率的降低。

为了解决这些限制，本公开内容的发明人已经发明了具有新结构的发光显示设备，以通过减少全反射和光学波导中的损耗来提高发光显示设备的光提取效率。例如，本公开内容的发明人形成具有基础部分和从基础部分突出的突出部分的外涂层，其中基础部分具有平坦的上表面，并且本公开内容的发明人在突出部分的侧部分和基础部分上设置具有反射层的阳极。因此，在突出部分的侧部分上形成的阳极的反射层可以用作侧镜，并且通过全反射捕获在发光显示设备内部的一些光在发光显示设备的正面方向上被提取，由此提高了发光显示设备的光提取效率。

然而，本公开内容的发明人已经认识到，从具有上述结构的发光显示设备另外提取的光可能导致颜色坐标的变化，这可能是一个问题。

例如，当反射电极被设置在发光显示设备的突出部分的侧部分上时，光在非发光区域中从发光显示设备被向上提取，从而有助于提高光提取效率。然而，通过从设置在非发光区域中的反射电极反射而从发光显示设备向上提取的光呈现光致发光(PL)光谱。因此，另外提取的光在长波长区域中比在短波长区域中增加得更多。因此，发射短波长范围的光的子像素诸如蓝色子像素可能具有可能出现颜色坐标变化的问题。

因此，本公开内容的发明人已经发明了具有新颖结构的改进的发光显示设备，该发光显示设备能够防止颜色坐标变化或使颜色坐标变化最小化，同时提高光提取效率。

本公开内容的一个方面是提供如下发光显示设备，该发光显示设备能够使当使用具有侧镜形状的阳极时可能出现的长波长区域中的光的生成最小化。

本公开内容的另一方面是减少提取的光的颜色坐标的变化。

另外的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分将从描述中变得明显，或者可以通过实践本文提供的发明概念来了解。本发明概念的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出的或由此衍生的结构、其权利要求以及附图来实现和获得。

根据本公开内容的一个方面，发光显示设备可以包括：基板，该基板包括多个子像素；外涂层，该外涂层在基板上并具有基础部分和从基础部分突出的突出部分；第一电极，该第一电极被设置成在多个子像素处覆盖基础部分和突出部分的侧部分；堤层，该堤层覆盖第一电极和外涂层的一部分；以及发光层和第二电极，所述发光层和第二电极在多个子像素处的第一电极和堤层上，其中，第一电极包括反射层和反射层上的透明导电层，透明导电层包括基础部分上的第一部分和突出部分的侧表面上的第二部分，并且其中第二部分的厚度大于第一部分的厚度。

根据本公开内容的另一方面，发光显示设备可以包括：基板，该基板具有多个子像素，多个子像素包括发光区域和非发光区域；外涂层，该外涂层具有从非发光区域突出的突出部分；发光元件，该发光元件包括与突出部分接触的第一电极、第二电极以及在第一电极和第二电极之间的发光区域处的发光层；以及堤层，该堤层覆盖第一电极和突出部分的一部分，其中，第一电极包括反射层和反射层上的透明导电层，透明导电层包括发光区域处的第一透明导电层和非发光区域处的突出部分上的第二透明导电层，第二透明导电层的厚度大于第一透明导电层的厚度。

根据本公开内容的另一方面，发光显示设备可以包括：外涂层，外涂层在基板上并具有基础部分和从基础部分突出的突出部分；第一电极，第一电极被设置成覆盖基础部分和突出部分的侧部分，第一电极包括反射层和反射层上的透明导电层；堤层，堤层覆盖外涂层和第一电极的一部分；以及在第一电极和堤层上的发光层和第二电极。

通过对以下附图和详细描述的研究，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是明显的或将变得明显。意旨的是所有这样的另外的系统、方法、特征和优点都包含在本说明书中，都在本公开内容的范围内，并受以下权利要求的保护。本节中的任何内容都不应视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开内容的实施方式讨论进一步的方面和优点。应当理解的是，本公开内容的前述一般描述和以下详细描述都是示例和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的公开内容的进一步解释。

根据本公开内容的示例性实施方式，可以通过使用具有侧镜形状的阳极来提高发光显示设备的光提取效率。

根据本公开内容的示例性实施方式，在发光区域和非发光区域中不同地设置阳极的厚度，从而抑制由于有助于提高光效率的另外提取的光导致的颜色坐标的变化，从而可以改善色域。

应该理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的发明概念的进一步解释。

附图说明

可以被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开内容的各种原理。

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备的平面视图。

图2是图1的区域A的放大平面视图。

图3A是沿着图2的线IIIa-IIIa’截取的发光显示设备的截面视图。

图3B是沿着图2的线IIIb-IIIb’截取的发光显示设备的截面视图。

图4是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。

图5是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。

图7A至图7C是示出根据本公开内容的各种示例性实施方式的发光显示设备的光提取光谱的曲线图。

具体实施方式

通过参照下面详细描述的示例性实施方式和附图，本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅以示例的方式提供，使得本领域技术人员可以完全理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围来限定。

在附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知的相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。本文使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语除非与术语“仅”一起使用，否则这些术语通常旨在允许添加其他部件。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释成包括普通误差范围。

当使用诸如“上”、“上面”、“下面”和“靠近”的术语描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。

当一个元件或层设置在另一元件或层上时，另一个层或另一个元件可以直接插入在另一元件上或它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制并且可以不限定任何顺序。这些术语仅用于区分一个部件和其他部件。因此，下面要提到的第一部件可以是本公开内容的技术概念中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，示出了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于示出的部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此粘附或彼此结合，并且可以以各种技术方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地执行或彼此关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的示例性实施方式。

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备的平面视图。图2是图1的区域A的放大平面视图。图3A是沿着图2的线IIIa-IIIa’截取的发光显示设备的截面视图。图3B是沿着图2的线IIIb-IIIb’截取的发光显示设备的截面视图。

在图2中，为了便于描述，仅示出了多个子像素SPX。此外，图3A是第一子像素SPX1和第二子像素SPX2的截面视图，以及图3B是第三子像素SPX3的截面视图。根据本公开的所有实施方式的发光显示设备的所有部件可操作性地耦接和配置。

参照图1至图3B，发光显示设备100可以包括基板110、薄膜晶体管120、发光元件130、外涂层140、堤层114和封装部150。发光显示设备100可以实现成顶部发光类型发光显示设备。

基板110包括显示区域A/A和非显示区域N/A。

显示区域A/A是在发光显示设备100中显示图像的区域。在显示区域A/A中，可以设置多个显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。例如，显示元件可以由包括第一电极131、发光层132和第二电极133的发光元件130构成。此外，用于驱动显示元件的各种驱动元件诸如薄膜晶体管、电容器或布线可以设置在显示区域A/A中。

显示区域A/A可以包括多个子像素SPX。子像素SPX是用于配置屏幕的最小单元，并且多个子像素SPX中的每一个可以包括发光元件130和驱动电路。多个子像素SPX中的每一个可以发射不同波长的光。例如，多个子像素SPX可以包括例如作为红色子像素的第一子像素SPX1、例如作为绿色子像素的第二子像素SPX2和例如作为蓝色子像素的第三子像素SPX3。然而，实施方式不限于此，并且多个子像素SPX还可以包括白色子像素。

子像素SPX的驱动电路是用于控制发光元件130的驱动的电路。例如，驱动电路可以被配置成包括薄膜晶体管120和电容器，但不限于此。

非显示区域N/A是不显示图像的区域，并且可以设置用于驱动设置在显示区域A/A中的多个子像素SPX的各种部件。例如，提供用于驱动多个子像素SPX的信号的驱动器IC、柔性膜等可以设置在非显示区域N/A中。

非显示区域N/A可以是如图1所示的围绕显示区域A/A的区域，但不限于此。例如，非显示区域N/A可以是从显示区域A/A延伸的区域。

参照图3A和图3B，基板110可以支承和保护发光显示设备100的各种部件。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。当基板110由塑料材料形成时，例如，基板可以由聚酰亚胺(PI)形成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。

缓冲层111设置在基板110上。缓冲层111可以提高在缓冲层111和基板110上形成的层之间的粘附性，并且可以阻止碱成分等从基板110流出。缓冲层111可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层形成，或者由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成，但不限于此。缓冲层111可以基于基板110的类型和材料以及薄膜晶体管120的结构和类型而被省略。

薄膜晶体管120设置在基板110上。薄膜晶体管120可以用作发光显示设备100的驱动元件。薄膜晶体管120包括栅极电极121、有源层122、源极电极123和漏极电极124。在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，薄膜晶体管120具有如下结构：其中有源层122设置在栅极电极121上，以及源极电极123和漏极电极124设置在有源层122上。因此，薄膜晶体管120具有底部栅极结构，在底部栅极结构中，栅极电极121被设置在最下部，但是实施方式不限于此。

薄膜晶体管120的栅极电极121设置在基板110上。栅极电极121可以是各种金属材料中的任何一种，例如，可以是钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种，或者是它们中的两种或更多种的合金，或者是它们的多层，但是实施方式不限于此。

栅极绝缘层112设置在栅极电极121上。栅极绝缘层112是用于使栅极电极121和有源层122彼此电绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以由作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层形成，或者由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成，但是实施方式不限于此。

有源层122设置在栅极绝缘层112上。有源层122被设置成与栅极电极121交叠。例如，有源层122可以由氧化物半导体形成，或者由非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、有机半导体等形成。

蚀刻阻止件117设置在有源层122上。当通过蚀刻方法对源极电极123和漏极电极124图案化时，蚀刻阻止件117防止由于等离子体而对有源层122的表面造成损坏。蚀刻阻止件117的一部分可以与源极电极123交叠，并且蚀刻阻止件117的另一部分可以与漏极电极124交叠。然而，蚀刻阻止件117可以被省略。

源极电极123和漏极电极124设置在有源层122和蚀刻阻止件117上。源极电极123和漏极电极124设置在相同的层中以彼此间隔开。源极电极123和漏极电极124可以电连接到有源层122以与有源层122接触。源极电极123和漏极电极124可以由各种金属材料中的任何一种形成，例如，可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或者它们中的两种或更多种的合金形成，或者由它们的多层形成，但是实施方式不限于此。

外涂层140设置在薄膜晶体管120上。外涂层140是用于保护薄膜晶体管120并使设置在基板110上的层的台阶差平滑的绝缘层。外涂层140可以由丙烯酸基树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺基树脂、聚酰亚胺基树脂、不饱和聚酯基树脂、聚苯基树脂、聚苯硫醚基树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成，但是实施方式不限于此。

外涂层140包括基础部分141和突出部分142。基础部分141和突出部分142可以如图3A和图3B所示一体形成。例如，基础部分141和突出部分142可以由相同的材料形成，并且通过相同的工艺例如掩模工艺同时形成，但是实施方式不限于此。

基础部分141设置在薄膜晶体管120上。基础部分141的上表面具有与基板110平行的表面。因此，基础部分141可以使由设置在基础部分141下方的部件导致的台阶差平坦化。例如，基础部分141可以使可能由设置在外涂层140下方的薄膜晶体管120导致的台阶差平坦化。

突出部分142设置在基础部分141上。突出部分142设置在非发光区域NEA中。突出部分142与基础部分141一体形成，并且形成为从基础部分141突出。因此，突出部分142的上表面可以小于其下表面。然而，实施方式不限于此。

突出部分142包括上表面和侧表面。突出部分142的上表面可以是突出部分142的最上部分的表面，并且可以是基本上与基础部分141或基板110平行的表面。突出部分142的侧表面可以是将突出部分142的上表面与基础部分141连接的表面。

图3A和图3B示出了外涂层140包括具有平坦上表面的基础部分141和从基础部分141突出的突出部分142。然而，只要外涂层140具有体现基础部分141和突出部分142的形状，外涂层140的详细配置就不限于基础部分141和突出部分142，并且可以被不同地实现。

发光元件130设置在外涂层140上。发光元件130包括第一电极131、发光层132和第二电极133。

第一电极131设置在外涂层140上，以覆盖基础部分141和突出部分142的侧部分。例如，第一电极131设置在其上没有设置突出部分142的基础部分141的上表面上、突出部分142的侧部分上以及突出部分142的上表面的一部分上。并且，第一电极131沿着基础部分141和突出部分142的形状进行设置。然而，实施方式不限于此。例如，第一电极131可以仅设置在其上没有形成突出部分142的基础部分141的上表面上以及突出部分142的侧部分上。

第一电极131包括电连接到薄膜晶体管120的反射层131A和设置在反射层131A上的透明导电层131B。

第一电极131的反射层131A设置在外涂层140上。因为根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100是顶部发光类型发光显示设备，所以反射层131A可以将从发光元件130发射的光向上反射。从发光元件130的发光层132生成的光可能不仅向上发射，而且还可能横向发射。横向发射的光可以被引导至发光显示设备100的内部，并且可以通过全反射而被捕获在发光显示设备100的内部。被捕获在发光显示设备100内部的光可以在发光显示设备100的向内方向上行进并在其中消失。因此，反射层131A被设置在发光层132的下方，并且被设置成覆盖突出部分142的侧部分，由此朝向发光层132的侧部分行进的光的行进方向可以改变成正面方向。

反射层131A可以由金属材料形成，并且例如可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)或镁-银合金(Mg：Ag)的金属材料形成，但是实施方式不限于此。反射层131A可以通过外涂层140中的接触孔而电连接到漏极电极124。并且，实施方式不限于此。例如，反射层131A可以通过外涂层140中的接触孔电连接到源极电极123。

透明导电层131B设置在反射层131A上。透明导电层131B设置在反射层131A上，并通过反射层131A电连接到漏极电极124。透明导电层131B可以由具有高功函(high workfunction)的导电材料形成，以向发光层132提供空穴。例如，透明导电层131B可以由透明导电氧化物诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)形成，但是实施方式不限于此。例如，当透明导电层131B由铟锡氧化物(ITO)形成时，透明导电层131B的折射率可以是大约1.8。

图3A和图3B示出了第一电极131包括反射层131A和设置在反射层131A上的透明导电层131B。然而，第一电极131还可以包括设置在反射层131A和外涂层140之间的另外的透明导电层。例如，第一电极131可以具有如下结构：其中另外的透明导电层、反射层131A和透明导电层131B被顺序地堆叠。在这种情况下，另外的透明导电层可以由与透明导电层131B相同的材料形成，并且可以增强第一电极131和外涂层140之间的粘附力。此外，其上没有设置突出部分的基础部分141的上表面上的另外的透明导电层的厚度可以与透明导电层131B的厚度相同，但是实施方式不限于此。

堤层114设置在第一电极131和外涂层140上。堤层114可以覆盖多个子像素SPX中的发光元件130的第一电极131和外涂层140的一部分，并且可以包括非发光区域NEA。例如，在非发光区域NEA中，堤层114可以设置在第一电极131上，以阻挡非发光区域NEA中光的生成。因为堤层114没有设置在发光区域EA中，所以发光层132可以直接位于第一电极131上，由此可以从发光层132生成光。

堤层114可以由有机材料形成。例如，堤层114可以由有机材料诸如聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯基树脂等形成，但是实施方式不限于此。例如，使用聚酰亚胺形成堤层114，堤层114的折射率可以是大约1.6。

发光层132被设置成与多个子像素SPX中的第一电极131接触。例如，发光层132可以设置在第一电极131上的发光区域EA中。例如，发光层132可以被设置成被堤层114围绕。

发光层132是用于发射特定颜色的光的层，并且具有针对每个子像素SPX分开的结构。例如，设置在作为红色子像素的第一子像素SPX1中的发光层132是红色发光层，设置在作为绿色子像素的第二子像素SPX2中的发光层132是绿色发光层，以及设置在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中的发光层132是蓝色发光层。设置在第一子像素SPX1中的发光层132、设置在第二子像素SPX2中的发光层132和设置在第三子像素SPX3中的发光层132可以被分开设置。通过使用在每个子像素SPX中打开的掩模——例如精细金属掩模(FMM)——可以在每个发光区域EA中图案沉积每个发光层132。发光层132还可以包括各种层，诸如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子传输层、电子阻挡层等。各种有机层可以在所有子像素SPX中形成为单层。此外，发光层132可以是由有机材料形成的有机发光层，但不限于此。例如，发光层132可以由量子点发光层或微型LED形成。

在多个子像素SPX中，第二电极133设置在发光层132和堤层114上。例如，第二电极133被设置成与发光区域EA中的发光层132接触，并且可以沿着发光层132的形状设置。此外，第二电极133可以被设置成与非发光区域NEA中的堤层114接触，并且可以沿着堤层114的形状设置。

第二电极133向发光层132提供电子。第二电极133可以由诸如银(Ag)、铜(Cu)和镁-银合金(Mg：Ag)的金属材料形成，或者可以由透明导电氧化物或镱(Yb)的合金形成。然而，实施方式不限于此。

因为根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100是顶部发光型发光显示设备，所以该发光显示设备可以被制造成使得实现微腔。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可以通过调节反射层131A和第二电极133之间的距离来实现相对于从发光层132发射的光的相长干涉，从而提高光效率。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可以通过对每个子像素SPX不同地配置发光层132的厚度值来实现微腔。

封装部150设置在第二电极133上。封装部150设置在外涂层140和发光元件130上。封装部150可以阻挡氧气和水分从发光显示设备100的外部渗透到发光显示设备100的内部。例如，当发光显示设备100暴露于水分或氧气时，可能出现发光区域EA减小的像素收缩现象，或者可能导致在发光区域EA中出现黑点的缺陷。因此，封装部150可以阻挡氧气和水分以保护发光显示设备100。

封装部150包括第一封装层151、第二封装层152和第三封装层153。

第一封装层151设置在第二电极133上，并抑制水分或氧气的渗透。第一封装层151可以由无机材料诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、铝氧化物(AlyOz)等形成，但是实施方式不限于此。

第二封装层152设置在第一封装层151上，以使第一封装层151的表面平坦化。此外，第二封装层152可以覆盖制造过程中可能出现的异物或颗粒。第二封装层152可以由有机材料例如硅碳氧化物(SiOxCz)、丙烯酸或环氧基树脂等形成，但是实施方式不限于此。

第三封装层153设置在第二封装层152上，并且与第一封装层151类似，第三封装层153可以防止或抑制水分或氧气的渗透。第三封装层153可以由无机材料诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlyOz)等形成，但是实施方式不限于此。

在相关领域的发光显示设备中，从发光层发射的光中的在发光显示设备内部被捕获和损耗的光已经成为降低光效率的因素。例如，在从发光层发射的光中，由于全反射中的损耗或光学波导中的损耗，会出现可能没有被提取到发光显示设备外部的光，使得发光显示设备的光提取效率降低。例如，在相关领域的发光显示设备中，由于使用了在具有平坦上表面的外涂层上形成的第一电极，所以从发光层发射的光中以低发射角发射的光可能由于全反射中的损耗或光学波导中的损耗而被捕获在发光显示设备中。

因此，根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100可以通过使用具有突出部分142的外涂层140来提高发光元件130的光提取效率。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，外涂层140被配置成包括基础部分141和从基础部分141突出的突出部分142，并且发光元件130的第一电极131的反射层131A被设置成覆盖其上没有设置突出部分142的基础部分141以及至少突出部分142的侧部分。因此，从发光显示设备100的发光层132发射的光中以低发射角发射的第二光L2可以由设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A而在正面方向上被提取。例如，如在相关领域的发光显示设备中，当第一电极设置在具有平坦形状的外涂层上时，横向导向的光——例如以低发射角发射的光——没有在正面方向行进，并且由于全反射中的损耗或光学波导中的损耗而可能没有被提取到发光显示设备的外部。然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，从发光层132以低发射角发射的第二光L2与从发光层132在正面方向上发射的第一光L1一起，从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射，并且可以在正面方向上被提取。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，设置在外涂层140的侧部分上的反射层131A可以作为侧镜，由此可以在正面方向上提取可能在发光显示设备100内损耗的光，从而提高光提取效率并提高功耗。

从发光层132在正面方向上发射的第一光L1具有电致发光(EL)光谱并实现微腔。另一方面，从发光层132以低发射角发射、从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射、并且然后在正面方向上被提取的第二光L2可以具有光致发光(PL)特征。PL光谱是通过接收光能而发射的光的光谱，EL光谱是通过接收电能而发射的光的光谱，并且一部分光能可以以能量诸如热的形式被耗散。因此，在PL光谱中，可能存在能量相对低于EL光谱中的能量的光，例如长波长区域的光。因此，由于由具有PL特征的第二光L2提供的另外的光，从发光显示设备100向外发射的光在长波长范围内比在短波长范围内具有更高的增加率。

例如，在作为红色子像素的第一子像素SPX1中，由于从红色子像素发射的红光具有长波长，所以从第一子像素SPX1提取第一光L1和第二光L2，并且因此可以进一步实现色域。因此，如图3A所示，在第一子像素SPX1中，第一电极131的透明导电层131B的厚度在发光区域EA和非发光区域NEA中可以相同。例如，基础部分141上的透明导电层131B的厚度可以与突出部分142上的透明导电层131B的厚度相同。

此外，在作为绿色子像素的第二子像素SPX2中，由于通过第二光L2在长波长范围中提取的光的增加率高，所以可能导致颜色坐标的变化。然而，通常，由于用作用于发射绿光的发光层的材料的效率优于用于发射除绿光之外的有色光的发光层的效率，所以整个波长范围内的强度被降低以消除长波长范围内光的增加量，从而防止颜色坐标的变化。因此，如图3A所示，在第二子像素SPX2中，第一电极131的透明导电层131B的厚度在发光区域EA和非发光区域NEA中可以相同。例如，基础部分141上的透明导电层131B的厚度可以与突出部分142上的透明导电层131B的厚度相同。

接下来，在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中，由于通过第二光L2在长波长范围中提取的光的增加率高，所以可能出现颜色坐标变化。此外，通常，用作用于发射蓝光的发光层的材料的效率比用于发射除蓝光以外的有色光的发光层的效率低得多。因此，在第三子像素SPX3中，在以与第二子像素SPX2相同的方式降低整个波长范围中的强度以消除长波长范围中光的增加量的情况下，通过实现微腔而提高的光效率可以再次降低。

因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，对作为多个子像素SPX中的蓝色子像素的第三子像素SPX3中的透明导电层131B的厚度进行调整，从而防止通过第二光L2可能在第三子像素SPX3中出现的颜色坐标变化或者使该颜色坐标变化最小化。

参照图3B，在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中，透明导电层131B包括作为第一透明导电层的第一部分131B1、作为第二透明导电层的第二部分131B2以及作为第三透明导电层的第三部分131B3。

透明导电层131B的第一部分131B1是设置在基础部分141上的透明导电层131B的一部分。第一部分131B1可以被设置成与外涂层140的基础部分141接触。例如，第一部分131B1可以设置在外涂层140的基础部分141上的发光区域EA中。

第一部分131B1的厚度t1可以被设置成最佳厚度以实现微腔。例如，第三子像素SPX3中的第一部分131B1的厚度t1可以是7nm，但是实施方式不限于此。另外，如上所述，当第一电极131还包括在反射层131A和外涂层140之间设置的另一透明导电层时，第一部分131B1的厚度t1与设置在第一部分131B1下方的另一透明导电层的厚度可以彼此相同。

透明导电层131B的第二部分131B2设置在突出部分142上。例如，第二部分131B2可以设置在外涂层140上的非发光区域NEA中，并且可以设置在突出部分142上的非发光区域NEA中。第二部分131B2被设置成相对于第一部分131B1倾斜，并且可以从第一部分131B1延伸。第二部分131B2被设置成与设置在第二部分131B2的上部分上的堤层114接触，并且可能不有助于生成光。

第二部分131B2的厚度t2可以大于第一部分131B1的厚度t1。例如，与反射层131A接触的第二部分131B2的下表面和与堤层114接触的第二部分131B2的上表面之间的垂直距离可以大于第一部分131B1的厚度t1。例如，第二部分131B2的厚度t2可以是45nm至75nm。此外，如上所述，当第一电极131还包括设置在反射层131A和外涂层140之间的另一透明导电层时，第二部分131B2的厚度t2可以大于设置在第二部分131B2下方的另一透明导电层的厚度。

透明导电层131B的第三部分131B3设置在突出部分142上。例如，第三部分131B3可以设置在外涂层140上的非发光区域NEA中。由于第三部分131B3被设置成与突出部分142的上表面接触，所以第三部分131B3可以被设置成与第一部分131B1平行。第三部分131B3被设置成相对于第二部分131B2倾斜，并且可以从第二部分131B2延伸。第三部分131B3被设置成与设置在第三部分131B3的上部分上的堤层114接触，并且可能不有助于生成光。

第三部分131B3的厚度t3可以与第一部分131B1的厚度t1和第二部分131B2的厚度t2中的任何一个相同。例如，当为了便于制造而同时形成第三部分131B3和第一部分131B1时，第三部分131B3的厚度t3可以与第一部分131B1的厚度t1相同。当同时形成第三部分131B3和第二部分131B2时，第三部分131B3的厚度t3可以与第二部分131B2的厚度t2相同。然而，本公开内容的实施方式不限于此，并且第三部分131B3的厚度t3可以不同于第一部分131B1的厚度t1和第二部分131B2的厚度t2。

在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可以调整设置在作为蓝色子像素的第三子像素SPX3中的第一电极131的透明导电层131B的厚度，从而使具有与蓝光的波长不同的波长的光的反射率降低。在由具有不同折射率的层组成的堆叠结构中，在折射率出现差异的界面处，关于穿过该界面的光可能出现相长干涉和相消干涉。也就是说，当具有不同折射率的层设置在光的行进路径中时，特定波长范围内的反射率可能通过由于菲涅耳(Fresnel)反射引起的相长干涉和相消干涉而降低。因此，设置在突出部分142的侧部分上的第一电极131的透明导电层131B的第二部分131B2和堤层114被配置成具有不同的折射率，并且第二部分131B2和堤层114的堆叠结构可以减少特定波长范围内的光的提取。例如，从发光层132以低发射角发射并穿过第二部分131B2和堤层114向突出部分142的侧部分行进的第二光L2从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射，并且可以在正面方向上被提取。在这种情况下，关于向突出部分142的侧部分行进的光在具有不同折射率的第二部分131B2和堤层114之间的界面处以及在堤层114和设置在堤层114上的层之间的界面处出现反射和干涉现象。并且，可以降低从发光显示设备100向上提取的特定波长范围的光的反射率。

因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，第一电极131的透明导电层131B被配置成包括第一部分131B1、第二部分131B2和第三部分131B3。并且，设置在非发光区域NEA中的突出部分142的侧部分上的第二部分131B2的厚度t2被设置成不同于第一部分131B1的厚度t1。因此，可以调整特定波长处的光的反射率。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可以降低与蓝光的波长不同的波长处的光的反射率。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，从发光显示设备100提取的光的波长可以在没有另外的部件的情况下被调整。例如，通过仅调节第一电极131的透明导电层131B的厚度，可以调整从非发光区域NEA中的突出部分142的侧部分反射和提取的光的波长。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可以使形成用于调整光的波长的另外的部件所需的过程最小化，并且还可以使制造时间和成本最小化。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，将透明导电层131B设置在非发光区域NEA中，可以防止或抑制由通过非发光区域NEA发射的第二光L2导致的颜色坐标的变化，同时保持由发光区域EA中的微腔实现的高的光效率。在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，设置在发光区域EA中的透明导电层131B的第一部分131B1具有实现微腔的厚度，并且设置在非发光区域NEA中的透明导电层131B的第二部分131B2具有能够使长波长区域中的光的生成最小化的厚度。因此，在保持从发光区域EA发射的第一光L1的高光效率的同时，可以使从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射然后通过非发光区域NEA在正面方向上提取的第二光L2的颜色坐标的变化最小化，并且可以改善色域。同时，将参照图7A详细描述第二部分131B2的详细厚度。

图4是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。图4的发光显示设备400在第一电极431方面与图1至图3B的发光显示设备100不同，但是图4的发光显示设备400的其他配置与图1至图3B的发光显示设备100的配置基本相同。因此，将省略或将简化多余的描述。

发光元件430的第一电极431包括反射层131A和设置在反射层131A上的透明导电层431B。

第一电极431的反射层131A设置在外涂层140上。反射层131A设置在发光层132的下方，并且被设置成覆盖突出部分142的侧部分，从而将在发光层132横向行进的光的行进方向改变为正面方向。

透明导电层431B设置在反射层131A上，并且包括第一部分131B1、第二部分431B2和第三部分131B3。

透明导电层431B的第一部分131B1是透明导电层431B的一部分，该第一部分131B1设置在基础部分141上。第一部分131B1可以设置在外涂层140的基础部分141上的发光区域EA中。第一部分131B1的厚度t1可以被调整成用于实现微腔的厚度。

透明导电层431B的第二部分431B2设置在突出部分142上。第二部分431B2可以被设置成相对于第一部分131B1倾斜。第二部分431B2被设置成与设置在第二部分431B2的上部分上的堤层114接触，并且可能不有助于生成光。

第二部分431B2被配置成包括多个层。例如，第二部分431B2可以包括上层431B2T和下层431B2B。在图4中，第二部分431B2被示为由两层组成，但是实施方式不限于此。例如，第二部分431B2还可以包括上层431B2T、下层431B2B以及上层431B2T和下层431B2B之间的另外的层。

第二部分431B2的下层431B2B设置在突出部分142上。下层431B2B可以从第一部分131B1延伸。例如，下层431B2B可以由与第一部分131B1相同的材料形成，并且可以与第一部分131B1一体实现。另外，下层431B2B的厚度t21可以与第一部分131B1的厚度t1相同。

第二部分431B2的上层431B2T设置在第二部分431B2的下层431B2B上。上层431B2T可以被设置成与下层431B2B接触。上层431B2T可以由与下层431B2B相同的材料形成，并且例如可以由具有相同折射率的材料形成。

透明导电层431B的第三部分131B3设置在突出部分142上。

第三部分131B3的厚度t3可以与第一部分131B1的厚度t1和下层431B2B的厚度t21相同。例如，当同时形成第一部分131B1、下层431B2B和第三部分131B3时，第三部分131B3的厚度t3可以与第一部分131B1的厚度t1和下层431B2B的厚度t21相同。因此，透明导电层431B可以包括：第一层，该第一层包括第一部分131B1、下层431B2B和第三部分131B3；以及第二层，该第二层是设置在第一层的一部分上的上层431B2T。然而，本公开内容的实施方式不限于此，第三部分131B3的厚度t3可以与第二部分431B2的厚度t2相同，或者与第一部分131B1的厚度t1和第二部分431B2的厚度t2都不同。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备400中，第一电极431的透明导电层431B被配置成包括第一部分131B1、第二部分431B2和第三部分131B3。并且，设置在非发光区域NEA中的突出部分142的侧部分上的第二部分431B2的厚度t2被调整成与第一部分131B1的厚度t1不同。因此，可以调整特定波长的光的反射率。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备400中，仅调整第一电极431的透明导电层431B的厚度t1，从而对从非发光区域NEA中的突出部分142的侧部分反射和提取的光的波长进行控制。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备400中，可以使另外形成用于调整光的波长的部件所需的过程最小化，并且还可以使制造时间和成本最小化。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备400中，设置在发光区域EA中的透明导电层431B的第一部分131B1具有用于实现微腔的厚度，并且设置在非发光区域NEA中的透明导电层431B的第二部分431B2具有能够使长波长区域中的光的生成最小化的厚度。因此，在保持从发光区域EA发射的第一光L1的高光效率的同时，可以使从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射然后通过非发光区域NEA在正面方向上提取的第二光L2的颜色坐标的变化最小化，并且可以提高色域或颜色还原率。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备400中，透明导电层431B的第二部分431B2被配置成包括多个层，从而简化了透明导电层431B的制造工艺。例如，在发光显示设备400中，透明导电层431B可以包括：第一层，该第一层包括第一部分131B1、下层431B2B和第三部分131B3；以及第二层，该第二层是设置在第一层的一部分上的上层431B2T。因此，与第一部分131B1、第二部分431B2和第三部分131B3分别在不同工艺中形成的情况相比，可以减少制造透明导电层431B的工艺——诸如掩模工艺、层压工艺等——的数目。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备400中，可以通过将透明导电层431B的第二部分431B2配置成多个层来简化透明导电层431B的制造过程。此外，可以减少发光显示设备400的制造成本和制造发光显示设备400所需的时间。

图5是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。图5的发光显示设备500在堤层514方面与图1至图3B的发光显示设备100不同，但是发光显示设备500的其他配置与图1至图3B的发光显示设备100的配置基本相同。因此，将省略或简化多余的描述。

参照图5，堤层514设置在第一电极131上。堤层514可以由无机材料形成。例如，堤层514可以由诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的无机材料形成，但不限于此。例如，当堤层514由硅氮化物(SiNx)形成时，堤层514的折射率可以是大约1.85。

由于堤层514由无机材料形成，因此与堤层由有机材料形成的情况相比，堤层514的厚度可以减小。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，第一电极131的透明导电层131B被配置成包括第一部分131B1、第二部分131B2和第三部分131B3。并且，设置在非发光区域NEA中的突出部分142的侧部分上的第二部分131B2的厚度t2被调整成与第一部分131B1的厚度t1不同。因此，可以调整特定波长处的光的反射率。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，仅调整第一电极131的透明导电层131B的厚度，从而对从非发光区域NEA中的突出部分142的侧部分反射和提取的光的波长进行控制。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，可以使另外形成用于调整光的波长的部件所需的过程最小化，并且还可以使制造时间和成本最小化。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，设置在发光区域EA中的透明导电层131B的第一部分131B1具有用于实现微腔的厚度，并且设置在非发光区域NEA中的透明导电层131B的第二部分131B2具有能够使长波长区域中的光的生成最小化的厚度。因此，在保持从发光区域EA发射的第一光L1的高光效率的同时，可以使从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分142的侧部分上的反射层131A反射然后通过非发光区域NEA在正面方向上提取的第二光L2的颜色坐标的变化最小化，并且可以改善色域。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，具有与第一电极131的折射率不同的折射率的堤层514设置在第一电极131上，从而控制每个子像素SPX中的光提取。例如，当用于配置设置在透明导电层131B上的堤层514的材料的反射率高于透明导电层131B的折射率时，从发光层132生成的光中横向行进的光穿过堤层514和第二部分131B2，并且根据堤层514和第二部分131B2之间的厚度的差别，可能出现相长干涉和相消干涉。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，通过调整堤层514和第二部分131B2的厚度，可以设置如下波长范围，在该波长范围中，通过在第一电极131的反射层131A和第二部分131B2之间的界面处以及在第二部分131B2和堤层514之间的界面处的反射，出现相长干涉和相消干涉。例如，可以降低与蓝光的透射率不同的波长处的光的透射率，并且可以限制长波长区域中的光提取。将参照图7B和图7C详细描述第二部分131B2和堤层514的厚度。

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。图6的发光显示设备600在外涂层640、第一电极631和堤层614方面与图1至图3B的发光显示设备100不同，但是发光显示设备600的其他配置与图1至图3B的发光显示设备100的配置基本相同。因此，将省略或简化多余的描述。

外涂层640的突出部分642包括至少一个弯曲部分或不平坦部分624a。弯曲部分624a可以设置在突出部分642的上表面的一部分上。因为弯曲部分624a可以提高从发光层132发射的光的提取效率和正面效率，所以弯曲部分624a可以是光提取图案。参照图6，弯曲部分624a被设置成具有凹槽形状，并且可以具有椭圆形状的截面。然而，实施方式不限于此。

图6示出了一个弯曲部分624a设置在显示区域A/A的左侧上，以及另一个弯曲部分624a设置在显示区域A/A的右侧上。然而，弯曲部分624a的行数和弯曲部分624a的点数不限于此，并且可以被不同地改变。

弯曲部分624a可以容易地改变被引导至侧镜结构的外部的光的行进方向。另外，弯曲部分624a可以容易地改变入射到弯曲部分624a中的光的行进方向。

发光元件630的第一电极631设置在外涂层640上，并且可以沿着基础部分141和突出部分642的形状进行设置。

第一电极631包括反射层631A和设置在反射层631A上的透明导电层631B。

反射层631A设置在外涂层640上。反射层631A可以沿着设置在突出部分642上的弯曲部分624a的形状进行设置，并且在突出部分642的上表面上具有弯曲的上表面。因此，反射层631A在基础部分141的上表面上具有平坦的上表面，并且在突出部分642的上表面上具有弯曲的上表面。反射层631A可以在其上没有设置弯曲部分624a的突出部分642的上表面上具有平坦表面，并且反射层631A在突出部分642的侧部分上具有倾斜的上表面。

透明导电层631B沿着反射层631A的形状设置在反射层631A上。

参照图6，透明导电层631B包括第一部分131B1、第二部分131B2和第三部分631B3。

透明导电层631B的第一部分131B1是透明导电层631B的一部分，该第一部分131B1设置在基础部分141上。第一部分131B1可以设置在外涂层640的基础部分141上的发光区域EA中。第一部分131B1的厚度t1可以被设置成用于实现微腔的最佳厚度。

透明导电层631B的第二部分131B2设置在突出部分642上。第二部分131B2被设置成相对于第一部分131B1倾斜，并且可以从第一部分131B1延伸。第二部分131B2被设置成与设置在第二部分131B2的上部分上的堤层614接触，并且可能不有助于生成光。第二部分131B2的厚度t2可以大于第一部分131B1的厚度t1。

透明导电层631B的第三部分631B3设置在突出部分642上。例如，第三部分631B3可以设置在外涂层640上的非发光区域NEA中，并且可以设置在突出部分642上的非发光区域NEA中。

第三部分631B3设置在突出部分642上，并且沿着弯曲部分624a的形状进行设置。因此，第三部分631B3可以在突出部分642上具有平坦表面，并且在弯曲部分624a上具有弯曲表面。

第三部分631B3的厚度t3可以与第二部分131B2的厚度t2相同。然而，实施方式不限于此，并且设置在弯曲部分624a上的第三部分631B3的厚度t3可以与第二部分131B2的厚度t2相同，并且设置在其上没有设置弯曲部分624a的突出部分642上的第三部分631B3的厚度t3可以与第一部分131B1的厚度t1相同。

堤层614设置在第一电极631和外涂层640的一部分上。堤层614可以由有机材料形成。由于堤层614由有机材料形成，因此堤层614可以被设置成填充第一电极631的弯曲的上表面。因此，堤层614设置在突出部分642上，并且可以使突出部分642的上部分平坦化。堤层614可以具有比突出部分642的上表面更平坦的形状。

在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，第一电极631的透明导电层631B被配置成包括第一部分131B1、第二部分131B2和第三部分631B3。并且，设置在非发光区域NEA中的突出部分642的侧部分上的第二部分131B2的厚度t2被调整成与第一部分131B1的厚度t1不同。因此，可以调整特定波长处的光的反射率。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，可以仅调整第一电极631的透明导电层631B的厚度，从而对从非发光区域NEA中的突出部分642的侧部分反射和提取的光的波长进行控制。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，可以使另外形成用于调整光的波长的部件所需的过程最小化，并且还可以使制造时间和成本最小化。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，设置在发光区域EA中的透明导电层631B的第一部分131B1具有用于实现微腔的厚度，并且设置在非发光区域NEA中的透明导电层631B的第二部分131B2具有能够使长波长区域中的光的生成最小化的厚度。因此，在保持从发光区域EA发射的第一光L1的高光效率的同时，可以使从发光层132以低发射角发射并从设置在突出部分642的侧部分上的反射层631A反射然后通过非发光区域NEA在正面方向上提取的第二光L2的颜色坐标的变化最小化，并且可以改善色域。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，弯曲部分624a设置在外涂层640的突出部分642的上表面上，使得通过全反射而被捕获在堤层614和第二封装层152之间的光的路径可以被调整，从而增加发光显示设备600的光提取效率。例如，从发光层132发射的一些光可以被全反射并被捕获在发光显示设备600内部。此时，在发光显示设备600内部全反射的光中的在突出部分642的弯曲部分624a的方向上行进的第三光L3的行进方向可以被改变，使得第三光L3被第一电极631的反射层631A提取到发光显示设备600的外部。例如，用于配置堤层614的材料可以具有大约1.6的折射率，用于配置发光层132的有机材料可以具有大约1.8的折射率，用于配置第一封装层151的无机材料可以具有大约1.8的折射率，并且用于配置第二封装层152的有机材料可以具有大约1.5至大约1.6的折射率。因此，由于第一封装层151和第二封装层152之间的折射率的差异，从发光层132发射的光在第一封装层151和第二封装层152之间的界面处以及在发光层132和堤层614之间的界面处被全反射。因此，全反射光的第三光L3可以在第一电极631的反射层631A的弯曲表面内被反射至少一次，并且在正面方向上被提取。

因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，第一电极631的反射层631A沿着突出部分642的弯曲部分624a进行设置，从而改变可能在堤层614和第二封装层152之间被捕获的光的行进方向，使得发光显示设备600的光提取效率和发光显示设备600的正面效率——即在正面方向上提取的光的提取效率——可以增加。

此外，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，弯曲部分624a设置在外涂层640的突出部分642的上表面上。并且，设置在突出部分642的侧表面上的透明导电层631B的第二部分131B2的厚度t2和设置在弯曲部分624a上的透明导电层631B的第三部分631B3的厚度t3被调整，由此可以调整特定波长处的光的反射率。例如，第三光L3可以穿过设置在非发光区域NEA中的第二部分131B2、第三部分631B3、堤层614、第一封装层151和第二封装层152。并且，第三光L3穿过折射率不同的界面，并且因此可能出现反射和干涉现象。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备600中，第一电极631的透明导电层631B被配置成包括第一部分131B1、第二部分131B2和第三部分631B3。并且，第二部分131B2和第三部分631B3的厚度与第一部分131B1的厚度t1不同。因此，从第一电极631的反射层631A的弯曲表面反射并在正面方向上提取的第三光L3的颜色坐标的变化可以被最小化，并且色域可以被改善。

图7A至图7C是示出根据本公开内容的各种示例性实施方式的发光显示设备的光提取光谱的曲线图。图7A示出了根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100的依照第二部分131B2的厚度t2的光提取模拟结果。图7B示出了根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500的依照第二部分131B2的厚度t2的光提取模拟结果。图7C示出了根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500的依照堤层514的厚度的光提取模拟结果。

在图7A至图7C中，为了模拟，根据本公开内容的各种示例性实施方式的发光显示设备100或500被配置成包括外涂层140、第一电极131、发光层132以及堤层114或514，并且假设外涂层140的突出部分142的侧部分和基础部分141形成60度的倾斜角。图7A至图7C示出了从突出部分142的侧部分提取的光的光提取光谱。例如，图7A至图7C所示的光谱可以是通过穿过设置在突出部分142的侧部分上的堤层114和第二部分131B2而提取的光的光谱。图7A至图7C的曲线图是通过将最大峰值设置成1而获得的实验结果。

首先，图7A示出了根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100的依照第二部分131B2的厚度t2的光提取模拟结果。在本公开内容的示例性实施方式1至8中，假设作为与堤层114对应的元件，折射率为1.6的聚酰亚胺被设置成具有2200nm的厚度，并且假设折射率为1.8的氧化铟锡(ITO)被设置为与第二部分131B2对应的元件。

在示例性实施方式1中，假设第二部分131B2的厚度t2是5nm。在示例性实施方式2中，假设第二部分131B2的厚度t2是15nm。在示例性实施方式3中，假设第二部分131B2的厚度t2是25nm。在示例性实施方式4中，假设第二部分131B2的厚度t2是35nm。在示例性实施方式5中，假设第二部分131B2的厚度t2是45nm。在示例性实施方式6中，假设第二部分131B2的厚度t2是55nm。在示例性实施方式7中，假设第二部分131B2的厚度t2是65nm。在示例性实施方式8中，假设第二部分131B2的厚度t2是75nm。在示例性实施方式9中，假设第二部分131B2的厚度t2是85nm。

参照图7A，可以确认的是，随着第二部分131B2的厚度t2从5nm增加到85nm，光提取被最小化的第一峰移动至长波长区域。当第二部分131B2的厚度t2小于45nm时，第一峰移动至极短的波长，并且因此，蓝光提取效率本身可能显著降低，这是一个问题。当第二部分131B2的厚度t2大于75nm时，在比第一峰的波长范围更短的波长范围中形成的第二峰移动至长波长区域，从而减少440nm至480nm的波长范围中的光的透射。因此，蓝光提取效率可能降低。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，当由突出部分142的侧部分和基础部分141形成的倾斜角是60度时，堤层114具有2200nm的厚度，折射率为1.6的聚酰亚胺被设置为堤层114，并且折射率为1.8的氧化铟锡(ITO)被设置为第二部分131B2，第二部分131B2的厚度t2可以被设置成45nm至75nm，从而改善色域特征，同时改善蓝光的提取效率。

图7B示出了根据本发明的另一实施方式的发光显示设备500的依照第二部分131B2的厚度t2的光提取模拟结果。图7B的示例性实施方式在堤层514方面与图7A的实施方式不同，并且图7B的示例性实施方式的其他配置与图7A的配置基本相同。因此，将省略或简化多余的描述。

图7B示出了依照本公开内容的示例性实施方式1至示例性实施方式5的光提取模拟结果。在示例性实施方式1至5中，假设作为与堤层514对应的元件，折射率为1.85的硅氮化物(SiNx)被设置成具有1000nm的厚度，并且假设折射率为1.8的铟锡氧化物(ITO)被设置成与硅氮化物(SiNx)对应的元件。

在示例性实施方式1中，假设第二部分131B2的厚度t2是5nm。在示例性实施方式2中，假设第二部分131B2的厚度t2是15nm。在示例性实施方式3中，假设第二部分131B2的厚度t2是25nm。在示例性实施方式4中，假设第二部分131B2的厚度t2是35nm。在示例性实施方式5中，假设第二部分131B2的厚度t2是45nm。参照图7B，可以确认的是，随着第二部分131B2的厚度t2从5nm增加到45nm，光提取被最小化的波长移动至长波长区域。当第二部分131B2的厚度t2小于5nm时，光提取被最小化的波长转变为极短的波长，并且因此，蓝光提取效率本身可能显著降低，这是一个问题。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，当由突出部分142的侧部分和基础部分141形成的倾斜角是60度时，堤层514具有1000nm的厚度，折射率为1.85的硅氮化物(SiNx)被设置成堤层514，并且折射率为1.8的铟锡氧化物(ITO)被设置成第二部分131B2，第二部分131B2的厚度t2可以被设置成5nm至25nm，从而改善色域特征，同时改善蓝光的提取效率。

图7C示出了根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500的依照堤层514的厚度的光提取模拟结果。图7C的示例性实施方式在堤层514和第二部分131B2方面与图7B的实施方式不同，但是图7C的示例性实施方式的其他配置与图7B的配置基本相同。因此，将省略或简化多余的描述。

图7C示出了根据示例性实施方式1至示例性实施方式3中的光的波长的透射率的光提取模拟结果。在示例性实施方式1至3中，假设作为与第二部分131B2对应的元件，折射率为1.8的铟锡氧化物(ITO)被设置成具有15nm的厚度，并且假设折射率为1.85的硅氮化物(SiNx)被设置成与堤层514对应的元件。

在示例性实施方式1中，假设堤层514的厚度是1000nm。在示例性实施方式2中，假设堤层514的厚度是1500nm。在示例性实施方式3中，假设堤层514的厚度是2000nm。参照图7C，可以确认的是，随着堤层514的厚度从1000nm增加到2000nm，光提取被最小化的波长移动至长波长区域。当堤层514的厚度是1000nm时，光提取被最小化的波长转变为极短的波长，并且因此，蓝光提取效率本身可能显著降低，这是一个问题。当堤层514的厚度是2000nm时，光提取被最小化的波长转变为极长的波长，使得波长范围为480nm至500nm的光的反射率可能不会降低。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备500中，当由突出部分142的侧部分和基础部分141形成的倾斜角是60度时，厚度为15nm且折射率为1.8的铟锡氧化物(ITO)被设置成第二部分131B2，并且折射率为1.85的硅氮化物(SiNx)被设置成堤层514，堤层514的厚度可以被设置成1000nm至2000nm，从而改善色域特征，同时改善蓝光的提取效率。

下面将描述根据本公开内容的一个或更多个实施方式的发光显示设备。

根据本公开内容的实施方式的发光显示设备包括：基板，该基板包括多个子像素；外涂层，该外涂层在基板上并具有基础部分和从基础部分突出的突出部分；第一电极，该第一电极被设置成在多个子像素处覆盖突出部分的侧部分和基础部分；堤层，该堤层覆盖第一电极和外涂层的一部分；以及发光层和第二电极，所述发光层和第二电极在多个子像素处的第一电极和堤层上，其中，第一电极包括反射层和反射层上的透明导电层，其中，透明导电层包括基础部分上的第一部分和突出部分的侧表面上的第二部分，并且其中，第二部分的厚度大于第一部分的厚度。

根据本公开内容的一些实施方式，所述第二部分的厚度可以是第二部分的与所述反射层接触的下表面和第二部分的与所述堤层接触的上表面之间的垂直距离。

根据本公开内容的一些实施方式，所述多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且所述透明导电层可以设置在所述蓝色子像素处。

根据本公开内容的一些实施方式，所述堤层可以由无机材料形成。

根据本公开内容的一些实施方式，所述透明导电层还可以包括在所述突出部分的上表面上的第三部分，所述第三部分的厚度可以与所述第一部分的厚度或所述第二部分的厚度相同。

根据本公开内容的一些实施方式，所述突出部分可以包括在所述突出部分的上表面上的一个或更多个不平坦部分。

根据本公开内容的一些实施方式，所述不平坦部分上的第三部分的厚度可以与所述第二部分的厚度相同。

根据本公开内容的一些实施方式，所述发光层可以被单独设置在所述多个子像素的每一个中，并且所述发光层的厚度可以具有被配置成在所述多个子像素的每一个处具有微腔的值。

根据本公开内容的实施方式的发光显示设备包括：基板，所述基板具有多个子像素，所述多个子像素包括发光区域和非发光区域；外涂层，所述外涂层具有从所述非发光区域突出的突出部分；发光元件，所述发光元件包括与所述突出部分接触的第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光区域处的发光层；以及堤层，所述堤层覆盖所述第一电极和所述突出部分的一部分，其中，所述第一电极包括反射层和在所述反射层上的透明导电层，所述透明导电层包括在所述发光区域处的第一透明导电层和设置在所述非发光区域中的突出部分上的第二透明导电层，并且所述第二透明导电层的厚度大于所述第一透明导电层的厚度。

根据本公开内容的一些实施方式，所述第二透明导电层的厚度和所述第一透明导电层的厚度被配置成使由于通过设置在所述突出部分上的反射层反射和提取的光而引起的颜色坐标变化的发生减少。

根据本公开内容的一些实施方式，所述多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且所述第一透明导电层和所述第二透明导电层可以被设置在所述蓝色子像素处。

根据本公开内容的一些实施方式，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层可以包括相同的材料。

根据本公开内容的一些实施方式，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层可以被一体设置。

根据本公开内容的一些实施方式，所述第二透明导电层可以包括具有与所述堤层的折射率不同的折射率的材料。

根据本公开内容的一些实施方式，所述第二透明导电层可以包括下层和所述下层上的上层。

根据本公开内容的一些实施方式，所述上层可以包括具有与所述下层的折射率不同的折射率的材料。

根据本公开内容的一些实施方式，所述堤层可以包括有机材料，所述堤层的厚度可以是2200nm，并且所述第二透明导电层的厚度可以是45nm至75nm。

根据本公开内容的一些实施方式，所述堤层可以包括无机材料，所述第二透明导电层的厚度可以是5nm至25nm。

根据本公开内容的一些实施方式，所述堤层可以具有1000nm至2000nm的厚度。

根据本公开内容的实施方式的发光显示设备包括：外涂层，所述外涂层在基板上并具有基础部分和从所述基础部分突出的突出部分；第一电极，所述第一电极被设置成覆盖所述基础部分和所述突出部分的侧部分，所述第一电极包括反射层和所述反射层上的透明导电层；堤层，所述堤层覆盖所述外涂层和所述第一电极的一部分；以及在所述第一电极和所述堤层上的发光层和第二电极。

根据本公开内容的一些实施方式，所述外涂层的基础部分上的透明导电层的厚度等于所述外涂层的突出部分上的透明导电层的厚度。

对于本领域技术人员来说将明显的是，在不偏离本公开内容的技术思想或范围的情况下，可以对本公开内容进行各种修改和变化。因此，如果本公开内容的修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内，则可能意旨本公开内容的实施方式覆盖本公开内容的修改和变化。

根据上述描述可知，本发明的实施例还公开了以下技术方案，包括但不限于：

方案1.一种发光显示设备，包括：

基板，所述基板包括多个子像素；

外涂层，所述外涂层在所述基板上并具有基础部分和从所述基础部分突出的突出部分；

第一电极，所述第一电极被设置成在所述多个子像素处覆盖所述基础部分和所述突出部分的侧部分；

堤层，所述堤层覆盖所述外涂层和所述第一电极的一部分；以及

在所述多个子像素处的在所述第一电极和所述堤层上的发光层和第二电极，

其中，所述第一电极包括反射层和所述反射层上的透明导电层，

其中，所述透明导电层包括所述基础部分上的第一部分和所述突出部分的侧表面上的第二部分，并且

其中，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

方案2.根据方案1所述的发光显示设备，其中，所述第二部分的厚度是所述第二部分的与所述反射层接触的下表面和所述第二部分的与所述堤层接触的上表面之间的垂直距离。

方案3.根据方案1所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且

其中，所述透明导电层被设置在所述蓝色子像素处。

方案4.根据方案1所述的发光显示设备，其中，所述堤层由无机材料形成。

方案5.根据方案1所述的发光显示设备，其中，

所述透明导电层还包括第三部分，所述第三部分在所述突出部分的上表面上，以及

其中，所述第三部分的厚度与所述第一部分的厚度或所述第二部分的厚度相同。

方案6.根据方案5所述的发光显示设备，其中，所述突出部分包括在所述突出部分的上表面上的一个或更多个不平坦部分。

方案7.根据方案6所述的发光显示设备，其中，所述不平坦部分上的所述第三部分的厚度与所述第二部分的厚度相同。

方案8.根据方案1所述的发光显示设备，其中，所述发光层被分别设置在所述多个子像素中的每一个子像素处，并且

所述发光层的厚度具有被配置成在所述多个子像素的每一个子像素处具有微腔的值。

方案9.一种发光显示设备，包括：

基板，所述基板具有多个子像素，所述多个子像素包括发光区域和非发光区域；

外涂层，所述外涂层具有从所述非发光区域突出的突出部分；

发光元件，所述发光元件包括与所述突出部分接触的第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光区域处的发光层；以及

堤层，所述堤层覆盖所述第一电极和所述突出部分的一部分，

其中，所述第一电极包括反射层和所述反射层上的透明导电层，

其中，所述透明导电层包括所述发光区域处的第一透明导电层和所述非发光区域处的突出部分上的第二透明导电层，并且

其中，所述第二透明导电层的厚度大于所述第一透明导电层的厚度。

方案10.根据方案9所述的发光显示设备，其中，所述第二透明导电层的厚度和所述第一透明导电层的厚度被配置成减少由于通过设置在所述突出部分上的所述反射层反射和提取的光而导致的颜色坐标变化的发生。

方案11.根据方案9所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且

其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层被设置在所述蓝色子像素处。

方案12.根据方案9所述的发光显示设备，其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层包括相同的材料。

方案13.根据方案9所述的发光显示设备，其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层被一体地设置。

方案14.根据方案10所述的发光显示设备，其中，所述第二透明导电层包括折射率与所述堤层的折射率不同的材料。

方案15.根据方案9所述的发光显示设备，其中，所述第二透明导电层包括下层和在所述下层上的上层。

方案16.根据方案15所述的发光显示设备，其中，所述上层包括折射率与所述下层的折射率不同的材料。

方案17.根据方案9所述的发光显示设备，其中，所述堤层包括有机材料，所述堤层的厚度是2200nm，并且所述第二透明导电层的厚度是45nm至75nm。

方案18.根据方案9所述的发光显示设备，其中，所述堤层包括无机材料，所述第二透明导电层的厚度是5nm至25nm。

方案19.根据方案18所述的发光显示设备，其中，所述堤层具有1000nm至2000nm的厚度。

方案20.一种发光显示设备，包括：

外涂层，所述外涂层在基板上并具有基础部分和从所述基础部分突出的突出部分；

第一电极，所述第一电极被设置成覆盖所述基础部分和所述突出部分的侧部分，其中，所述第一电极包括反射层和所述反射层上的透明导电层；

堤层，所述堤层覆盖所述外涂层和所述第一电极的一部分；以及

在所述第一电极和所述堤层上的发光层和第二电极。

方案21.根据方案20所述的发光显示设备，其中，所述外涂层的基础部分上的透明导电层的厚度等于所述外涂层的突出部分上的透明导电层的厚度。

Claims (10)

1.一种发光显示设备，包括：

基板，所述基板包括多个子像素；

外涂层，所述外涂层在所述基板上并具有基础部分和从所述基础部分突出的突出部分；

第一电极，所述第一电极被设置成在所述多个子像素处覆盖所述基础部分和所述突出部分的侧部分；

堤层，所述堤层覆盖所述外涂层和所述第一电极的一部分；以及

在所述多个子像素处的在所述第一电极和所述堤层上的发光层和第二电极，

其中，所述第一电极包括反射层和所述反射层上的透明导电层，

其中，所述透明导电层包括所述基础部分上的第一部分和所述突出部分的侧表面上的第二部分，并且

其中，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第二部分的厚度是所述第二部分的与所述反射层接触的下表面和所述第二部分的与所述堤层接触的上表面之间的垂直距离。

3.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，并且

其中，所述透明导电层被设置在所述蓝色子像素处。

4.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述堤层由无机材料形成。

5.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，

所述透明导电层还包括第三部分，所述第三部分在所述突出部分的上表面上，以及

其中，所述第三部分的厚度与所述第一部分的厚度或所述第二部分的厚度相同。

6.根据权利要求5所述的发光显示设备，其中，所述突出部分包括在所述突出部分的上表面上的一个或更多个不平坦部分。

7.根据权利要求6所述的发光显示设备，其中，所述不平坦部分上的所述第三部分的厚度与所述第二部分的厚度相同。

8.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述发光层被分别设置在所述多个子像素中的每一个子像素处，并且

所述发光层的厚度具有被配置成在所述多个子像素的每一个子像素处具有微腔的值。

9.一种发光显示设备，包括：

基板，所述基板具有多个子像素，所述多个子像素包括发光区域和非发光区域；

外涂层，所述外涂层具有从所述非发光区域突出的突出部分；

发光元件，所述发光元件包括与所述突出部分接触的第一电极、第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间的发光区域处的发光层；以及

堤层，所述堤层覆盖所述第一电极和所述突出部分的一部分，

其中，所述第一电极包括反射层和所述反射层上的透明导电层，

其中，所述透明导电层包括所述发光区域处的第一透明导电层和所述非发光区域处的突出部分上的第二透明导电层，并且

其中，所述第二透明导电层的厚度大于所述第一透明导电层的厚度。

10.一种发光显示设备，包括：

外涂层，所述外涂层在基板上并具有基础部分和从所述基础部分突出的突出部分；

第一电极，所述第一电极被设置成覆盖所述基础部分和所述突出部分的侧部分，其中，所述第一电极包括反射层和所述反射层上的透明导电层；

堤层，所述堤层覆盖所述外涂层和所述第一电极的一部分；以及

在所述第一电极和所述堤层上的发光层和第二电极。

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