CN111987123B - 发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光显示设备。该发光显示设备包括基板。该发光显示设备还包括基板上的绝缘层，并且绝缘层具有基础部分和突出部分。该发光显示设备还包括覆盖基础部分的上部以及突出部分的侧部和上部的第一电极。该发光显示设备还包括覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分的堤层，并且堤层具有凹形部分。该发光显示设备还包括在第一电极和堤层上的发光层，以及在发光层上的第二电极。

Description

发光显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年5月23日在韩国提交的韩国专利申请第10-2019-0060676号的权益和优先权，其全部内容通过引用并入本申请。
技术领域
本公开内容涉及发光显示设备，更具体地，涉及具有改善的光提取效率和改善的前光提取效率的发光显示设备。
背景技术
最近，随着我们的社会朝向信息导向型社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示设备的领域已经迅速地发展。相应地，正在开发在纤薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示设备。
在这些不同的显示设备中，发光显示设备是自发光显示设备，并且由于它不像液晶显示器那样需要单独的光源，因此可以被制造成具有轻盈性和纤薄性。此外，发光显示设备由于低电压驱动而在功耗方面具有优势，并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此，期望发光显示设备在各种领域中使用。
发明内容
从发光显示设备的发光层发射的光可以穿过发光显示设备的各种部件而被输出到发光显示设备的外部。然而，在从发光层发射的光中，存在着被困在发光显示设备内部而没有被提取到发光显示器外部的光，由此发光显示设备的光提取效率可能是有缺陷的。
例如，存在以下问题：由于全反射的损失、光波导的损失以及表面等离子体的损失，从发光显示设备中的发光层发射的一些光被困在发光显示设备的内部。此处，全反射的损失指的是从发光层发射的光中的、由于基板和空气之间的界面处的全反射而被困在发光显示设备内部的光所导致的光提取效率的降低。光波导的损失指的是由于发光显示设备内部的部件的界面处的全反射而被困在内部的光所导致的光提取效率的降低。表面等离子体的损失指的是由于在光入射和传播期间光被吸收到金属表面上的现象导致光振动金属表面的自由电子的情况，由此阻止了光的反射或透射，从而导致光提取效率的降低。
因此，本公开内容的发明人已经发明了具有新结构的改进的发光显示设备，以通过改善全反射和光波导的损失来提高发光显示设备的光提取效率。例如，本公开内容的发明人形成具有基础部分和突出部分的绝缘层，该基础部分具有平坦的上表面，该突出部分从基础部分突出，并且本公开内容的发明人在基础部分和突出部分的侧部分上设置了具有反射层的阳极。因此，形成在突出部分的侧部分上的阳极的反射层可以用作侧镜(sidemirror)，由于全反射而被困在发光显示设备内部的一些光被在发光显示设备的前向方向上提取，由此提高发光显示设备的光提取效率。
然而，本公开内容的发明人已经认识到以下限制：即使当使用上述发光显示设备时，由于光波导的损失而导致的光损失仍然存在，并且前光提取效率降低。
例如，从发光层发射的一些光可以被全反射并被困在由堤层和有机封装层之间设置的发光层、阴极和无机封装层形成的区域中。形成堤层的材料具有约1.6的折射率，形成发光层的有机材料具有约1.8至1.9的折射率，形成第一封装层的无机材料具有约1.8的折射率，并且形成有机封装层的有机材料具有约1.5至约1.6的折射率。此外，形成阴极的金属材料具有大约0.13的折射率，但是在顶部发射类型的发光显示设备中，由于阴极被形成为具有非常小的厚度，所以它基本上是透明的。因此，阴极的折射率可能不会显著地影响全反射。因此，可以忽略阴极。由于发光层和无机封装层具有相似的折射率，所以可能在发光层和堤层的界面处以及在无机封装层和有机封装层的界面处发生全反射。
此外，在由于发生在发光层和堤层之间的界面以及无机封装层和外来材料覆盖层之间的界面处的全反射而被困的光中，存在着从堤层被平坦化的区域向外发射的光。然而，由于该光以大的入射角行进，所以它在发光显示设备和空气之间的界面处被全反射回发光显示设备的内部，并且被困在发光显示设备的内部，或者即使该光被提取到外部，它也是在横向方向上被提取，而不是在前向方向上被提取，由此改善前光提取效率的程度可能显著偏低。
此外，当堤层由有机材料形成时，堤层被形成为在突出部分的侧部分上具有凸起形状和大的厚度。这增大了堤层的凸起侧表面和阳极的反射层之间的空间。由于光具有随着从狭窄空间移动到宽广空间而扩散的特性，所以从发光层发射的光在作为宽广空间的堤层中扩散，使得到达侧镜结构的光的量减少，从而导致发光显示设备的光提取效率降低。
因此，本公开内容的发明人已经进一步发明了具有新结构的改进的发光显示设备，该设备能够通过提高光波导的损失以及全反射的损失而提高光提取效率，并且能够提高前光提取效率。
本公开的一个方面是提供如下发光显示设备：在该发光显示设备中堤层是凹形的，以提高光提取效率。
本公开内容的另一方面是提供如下发光显示设备：该发光显示设备能够通过以凹形方式设置具有侧镜形状的阳极来提高光提取效率。
本公开内容的另一方面是提供如下发光显示设备：该发光显示设备能够提高光提取效率和前光提取效率，从而改善功耗。
另外的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分地将从描述中变得明显，或者可以通过实践本文提供的发明概念来了解。发明概念的其他特征和方面可以通过在书面描述中特别指出结构或由此衍生的结构、以及本发明概念的权利要求以及附图来实现和获得。
根据本公开内容的一个方面，发光显示设备包括：基板；绝缘层，其位于基板上并且具有基础部分和突出部分；第一电极，其覆盖基础部分的上部分以及突出部分的上部分和侧部分；堤层，其覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分，并且具有凹形部分；发光层，其位于第一电极和堤层上；以及第二电极，其位于发光层上。
根据本公开内容的另一方面，发光显示设备包括：基板；外涂层，其位于基板上并且具有基础部分和突出部分；发光元件，其位于外涂层上并且包括第一电极、发光层和第二电极；堤层，其位于第一电极和发光层之间，并且被配置成限定发光区域；以及封装部件，其位于发光元件上；其中堤层的侧表面包括光提取图案，该光提取图案被配置成通过使从发光层发射的光的扩散最小化来提高光提取效率和前光提取效率。
通过对以下附图和详细描述的研究，其他装置、系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员来说将是明显的或将变得明显。所有这样的另外的系统、方法、特征和优点都意图被包含在本说明书中，都在本公开内容的范围内，并被所附权利要求保护。本节中的任何内容都不应被视为对这些权利要求的限制。下面结合本公开内容的实施方式讨论另外的方面和优点。应当理解，本公开内容的前面一般性描述和以下详细描述都是示例和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的公开内容的进一步说明。
根据本公开内容的实施方式，可以通过使用具有侧镜形状的阳极来提高发光显示设备的光提取效率。
根据本公开内容的实施方式，通过减少从发光层发射的光中的由光波导的损失而损失的光，可以提高光提取效率。
根据本公开内容的实施方式，通过改变从发光层发射的光的路径，可以提高光提取效率。
根据本公开内容的实施方式，具有改进的功耗的发光显示设备可以被实现，其中通过提高光提取效率和前光提取效率来改进功耗。
应该理解，前面的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的发明概念的进一步说明。
附图说明
可以被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本公开内容的实施方式，并且与描述一起用于解释本公开内容的各种原理。
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备的平面视图。
图2是沿着图1的线II-II’截取的发光显示设备的截面视图。
图3是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。
图4A和图4B是用于示出根据本公开内容的示例性实施方式和比较示例的发光显示设备的光提取效率的示例的图像。
图5A和图5B示出了用于示出根据本公开内容的另一示例性实施方式和另一比较示例的发光显示设备的光提取效率的示例的图像。
图6A和图6B是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备中取决于突出部分的形状和突出部分的侧部分的角度的光提取效率的示例的图像。
具体实施方式
通过参照下面详细描述的示例性实施方式和附图，本公开内容的优点和特征以及实现优点和特征的方法将是清楚的。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实现。示例性实施方式仅以示例的方式而提供，使得本领域技术人员能够完全地理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅通过所附权利要求的范围来限定。
用于描述本公开内容的示例性实施方式的附图中所示的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可以省略已知的相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开内容的主题。除非本文使用的诸如“包括”、“包含”和“具有”的术语与术语“仅”一起使用，否则这些术语通常允许添加其他部件。除非另外明确说明，否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明，部件也被解释成包括普通误差范围，。
当使用诸如“上”、“上面”、“下面”和“旁边”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用，否则一个或更多个部件可以位于两个部件之间。
当一个元件或层被设置在另一个元件或层“上”时，另外的层或元件可以被直接地插入在该另一个元件上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制，并且不必然地限定任何顺序。这些术语仅用于区分一个部件和其他部件。因此，下面将要提到的第一部件可以是本公开内容的技术概念中的第二部件。
在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
附图中示出的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出，并且本公开内容不限于示出的部件的尺寸和厚度。
本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此依附或彼此结合，并且可以以各种方式在技术上互锁和操作，并且这些实施方式可以彼此独立地实施或彼此关联地实施。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备。根据本公开内容的所有实施方式的发光显示设备的所有部件被可操作地耦接和配置。
图1是根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备的平面视图。图2是沿着图1的线II-II’截取的发光显示设备的截面视图。
参照图1和图2，发光显示设备100包括基板110、薄膜晶体管120、发光元件150和封装部件170。发光显示设备100可以实现成顶部发射型发光显示设备。
参考图1和图2，基板110可以支撑和保护发光显示设备100的各种部件。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。例如，当基板110由塑料材料形成时，它可以由聚酰亚胺(PI)形成。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
基板110包括显示区域A/A和非显示区域N/A。
显示区域A/A是在发光显示设备100中显示图像的区域。在显示区域A/A中，可以设置显示元件和用于驱动显示元件的各种驱动元件。例如，显示元件可以由包括第一电极151、发光层152和第二电极153的发光元件150构成。此外，诸如布线、电容器或用于驱动显示元件的薄膜晶体管120的各种元件可以被设置在显示区域A/A中。
显示区域A/A可以包括多个子像素SP。子像素SP是用于配置屏幕的最小单元，并且多个子像素SP中的每一个可以包括发光元件150和驱动电路。多个子像素SP中的每一个可以发射不同波长的光。例如，多个子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。然而，多个子像素SP不限于此，还可以包括白色子像素。
子像素SP的驱动电路是用于控制发光元件150的驱动的电路。例如，驱动电路可以被配置成包括薄膜晶体管120和电容器，但不限于此。
非显示区域N/A是如下区域：在该区域中不显示图像，并且可以设置用于驱动显示区域A/A中所设置的多个子像素SP的各种部件。例如，提供用于驱动多个子像素SP的信号的驱动器IC、柔性膜等可以被设置在非显示区域N/A中。
非显示区域N/A可以是如图1所示的围绕显示区域A/A的区域，但不限于此。例如，非显示区域N/A可以是从显示区域A/A延伸的区域。
参照图2，缓冲层111被设置在基板110上。缓冲层111可以改善形成在缓冲层111和基板110上的层之间的粘附性，并且可以阻挡碱成分等流出基板110。缓冲层111可以形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层，或者形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层，但不限于此。缓冲层111不是必要的部件，并且可以基于基板110的类型和材料以及薄膜晶体管120的结构和类型而被省略。
薄膜晶体管120被设置在基板110上。薄膜晶体管120可以是发光显示设备100的驱动元件。薄膜晶体管120包括栅极电极121、有源层122、源极电极123和漏极电极124。在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，薄膜晶体管120具有如下结构：在该结构中有源层122被设置在栅极电极121上，源极电极123和漏极电极124被设置在有源层122上。因此，薄膜晶体管120具有底栅结构，在该结构中栅极电极121被设置在最底下部分，但不限于此。
薄膜晶体管120的栅极电极121被设置在基板110上。栅极电极121可以是多种金属材料中的任一种，例如可以是钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种，或者是它们中的两种或更多种的合金，或者是它们的多层，但是实施方式不限于此。
栅极绝缘层112被设置在栅极电极121上。栅极绝缘层112是用于将栅极电极121与有源层122电绝缘的层，并且可以由绝缘材料形成。例如，栅极绝缘层112可以形成为作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层，或者形成为硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层，但是实施方式不限于此。
有源层122被设置在栅极绝缘层112上。有源层122被设置成与栅极电极121交叠。例如，有源层可以由氧化物半导体或非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)或有机半导体形成。
蚀刻阻止层113被设置在有源层122上。当通过蚀刻方法来图案化源极电极123和漏极电极124时，蚀刻阻止层113防止由于等离子体而对有源层122的表面造成损坏。蚀刻阻止层113的一部分与源极电极123交叠，而蚀刻阻止层113的另一部分与漏极电极124交叠。然而，蚀刻阻止层113可以被省略。
源极电极123和漏极电极124被设置在有源层122和蚀刻阻止层113上。源极电极123和漏极电极124被设置在同一层上，并且彼此间隔开。源极电极123和漏极电极124可以电连接到有源层122，以与有源层122接触。源极电极123和漏极电极124可以由多种金属材料中的任一种或更多种形成，例如，由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种形成，或者由它们中的两种或更多种的合金形成，或者由它们的多层形成，但是实施方式不限于此。
外涂层130被设置在薄膜晶体管120上。外涂层130可以保护薄膜晶体管120并且使基板110上的层的台阶平滑。外涂层130可以由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯和光刻胶中的一种形成，但是实施方式不限于此。
外涂层130可以被称为绝缘层，其包括基础部分131和突出部分132。基础部分131和突出部分132可以如图2所示被整体地形成。例如，基础部分131和突出部分132可以由相同的材料形成，并且通过相同的工艺(例如掩模工艺)同时形成，但不限于此。
基础部分131被设置在薄膜晶体管120上。基础部分131的上表面具有平行于基板110的表面。因此，基础部分131可以保护薄膜晶体管120，并且使基板110上的层之间的台阶差平整。
突出部分132被设置在基础部分131上。突出部分132与基础部分131被整体地形成，并且形成为从基础部分131突出。因此，突出部分132的上表面可能小于其下表面。然而，突出部分132不限于此。
突出部分132包括上表面和侧表面。突出部分132的上表面可以是突出部分132的最上面处的表面，并且可以是基本上平行于基础部分131或基板110的表面。突出部分132的侧表面可以是连接突出部分132的上表面和基础部分131的表面。突出部分132的侧表面可以具有从其上表面朝向基础部分131倾斜的形状。
图2示出了以下外涂层130：该外涂层130包括具有平坦的上表面的基础部分131和从基础部分131突出的突出部分132。然而，只要外涂层130具有包含基础部分131和突出部分132的形状，外涂层130的详细构造不限于基础部分131和突出部分132，并且可以被不同地限定。
发光元件150被设置在外涂层130上。发光元件150包括外涂层130上的第一电极151、第一电极151上的发光层152和发光层152上的第二电极153。
第一电极151被设置在外涂层130上，以覆盖基础部分131和突出部分132的侧部分和上部分。例如，第一电极151可以被设置在没有设置突出部分132的基础部分131的上表面上、突出部分132的侧表面上、以及突出部分132的上表面的一部分上，并且可以沿着基础部分131和突出部分132的形状设置。
第一电极151包括电连接到薄膜晶体管120的反射层151a，以及反射层151a上的透明导电层151b。
第一电极151的反射层151a被设置在外涂层130上。因为根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100是顶部发射型发光显示设备，所以反射层151a可以向上反射从发光元件150发射的光。从发光元件150的发光层152产生的光不仅可以向上发射，还可以横向发射。横向发射的光可以被引导到发光显示设备100的内部，可以通过全反射而被困在发光显示设备100的内部，并且可以在发光显示设备100的向内方向上行进和熄灭。因此，反射层151a被设置在发光层152的下方，并且被设置成覆盖突出部分132的侧部分，由此朝着发光层152的侧部分行进的光的行进方向可以被改变成前向。
反射层151a可以由金属材料形成，并且例如，可以由诸如铝(Al)、银(Ag)、铜(Cu)或镁-银合金(Mg:Ag)的金属材料形成，但是，实施方式不限于此。反射层151a可以通过形成在外涂层130中的接触孔而电连接到漏极电极124。作为另一个示例，反射层151a可以通过形成在外涂层130中的接触孔而电连接到源极电极123。
透明导电层151b被设置在反射层151a上，并通过反射层151a而电连接到漏极电极124。透明导电层151b可以由具有高功函数(work function)的导电材料形成，以向发光层152提供空穴。例如，透明导电层151b可以由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(TO)的透明导电氧化物形成，但实施方式不限于此。
堤层140被设置在第一电极151和外涂层130上。堤层140可以覆盖发光元件150的第一电极151的一部分，并且限定作为发光区域的第一区域A1和作为非发光区域的第二区域A2。例如，在第二区域A2中，堤层140可以被设置在第一电极151和发光层152之间，以阻挡第二区域A2中的光的产生。因为堤层140没有被设置在第一区域A1中，所以发光层152可以直接位于第一电极151上，以从发光层152产生光。
堤层140可以由有机材料形成。例如，堤层140可以由聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯基树脂形成，但是实施方式不限于此。当堤层140由有机材料形成时，堤层140的折射率可以是大约1.6。
堤层140包括凹形部分141。堤层140可以包括单个凹形部分。堤层140的凹形部分141可以被设置在与突出部分132的侧部分对应的位置处。例如，堤层140的凹形部分141可以形成为具有凹槽形状，并且可以被单独地设置在与突出部分132的侧部分对应的位置。当堤层140的凹形部分141被单独地形成时，从发光层152发射的光的光路径可以被堤层140的凹形部分141改变。并且，光路径已经改变的光可以朝向发光显示设备100的前方行进，而不受其他结构的影响。因此，由于堤层140的凹形部分141可以提高从发光层152发射的光的前光提取效率和光提取效率，所以堤层140的凹形部分141可以被称为光提取图案。
堤层140的凹形部分141上的一位置处的切线的斜率随着该位置远离或移动远离基板110而增加。例如，堤层140的凹形部分141的切线的斜率在最靠近基板110的凹形部分的点或表面处最低，并且随着位置远离或移动远离基板110而增加。堤层140的凹形部分141的切线的斜率可以在离基板110最远的凹形部分的点或表面处最大。堤层140的侧部分可以包括连接到凹形部分141的上部分并且垂直于基板110的表面P1。
堤层140的凹形部分141可以被设置成在平面上围绕第一区域A1。例如，堤层140的凹形部分141被设置在第二区域A2中，以便与第一区域A1相邻并且具有围绕第一区域A1的闭环的形状。在一个示例中，凹形部分141可以不延伸到第一区域A1中。
堤层140可以由有机材料形成。例如，堤层140可以由聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯基树脂形成，但是实施方式不限于此。
堤层140的凹形部分141可以通过干蚀刻工艺形成。当堤层140通过曝光工艺形成时，堤层140的侧部分可以形成为凸起形状。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，当形成堤层140时，堤层140可以通过干蚀刻工艺形成为具有凹形部分141。
发光层152被设置在第一电极151和堤层140上。例如，发光层152在作为发光区域的第一区域A1中被设置在第一电极151上，并且在作为非发光区域的第二区域A2中被设置在堤层140上。
发光层152是用于发射具有特定颜色的光的层，并且发光层152包括红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层和白色发光层中的至少一个或更多个。此外，发光层152还可以包括各种层，诸如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层或电子传输层。发光层152的折射率可以基于形成发光层152的有机材料的种类而不同，但是可用于发光层152的有机材料可以具有平均约1.8至约1.9的折射率。发光层152可以是由有机材料形成的有机发光层，但是实施方式不限于此。例如，发光层152可以是量子点发光层或微型LED。
由于发光层152在第二区域A2中被设置在第一电极151和堤层140上，所以发光层152也可以沿着堤层140的形状来设置。因此，发光层152可以在突出部分132的上表面和基础部分131的上表面上具有平坦的上表面，并且可以在突出部分132的侧部分上具有凹形的上表面。
第二电极153被设置在发光层152上。第二电极153向发光层152提供电子。第二电极153可以由透明导电氧化物形成，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)和氧化锡(TO)或镱(Yb)合金。当第二电极153由诸如氧化铟锡(ITO)的透明导电氧化物形成时，第二电极的反射率可以是大约1.8至19。另外，第二电极153可以由金属材料形成，诸如银(Ag)、铜(Cu)、或镁和银的合金(Mg:Ag)或非常薄的金属材料。然而，本公开内容不限于此。当第二电极153由金属材料形成时，第二电极153可以具有显著低的折射率。例如，当银(Ag)被用作第二电极153时，第二电极153的折射率可以是大约0.13。由于发光显示设备100是顶部发射型发光显示设备，第二电极153具有非常薄的厚度，因此，第二电极153的折射率不会影响光的行进。
由于第二电极153在第二区域A2中被设置在发光层152上，所以第二电极153也可以沿着堤层140的形状设置。因此，第二电极153可以在突出部分132的上表面和基础部分131的上表面上具有平坦的上表面，并且可以在突出部分132的侧部分上具有凹形的上表面。
封装部件170被设置在发光元件150上。封装部件170可以被设置成覆盖第二电极153。封装部件170可以保护发光层150免受来自发光显示设备100外部的水分、氧气等的渗透。
封装部件170包括第一封装层171、第二封装层172和第三封装层173。
第一封装层171被设置在第二电极153上并且用于抑制水分或氧气的渗透。第一封装层171可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、铝氧化物(AlyOz)等的无机材料形成，但不限于此。在这种情况下，第一封装层171可以由折射率比第二封装层172的折射率大的材料形成。例如，当第一封装层171由硅氮化物(SiNx)或硅氮氧化物(SiNxOy)形成时，第一封装层171的折射率可以是大约1.8。
由于第一封装层171被设置在第二电极153上，所以第一封装层171也可以沿着第二电极153的形状设置。因此，第一封装层171可以在突出部分132的上表面和基础部分131的上表面上具有平坦的上表面，并且可以在突出部分132的侧部分上具有凹形的上表面。
第二封装层172被设置在第一封装层171上，以使其表面平坦化。此外，第二封装层172可以覆盖在制造过程中可能出现的异物或颗粒。第二封装层172可以由例如硅碳氧化物(SiOxCz)、丙烯酸、环氧树脂等有机材料形成，但不限于此。第二封装层172可以由折射率小于第一封装层171的折射率的材料形成。例如，当第二封装层172是丙烯酸树脂时，第二封装层172的折射率可以是大约1.5至大约1.6。
第三封装层173被设置在第二封装层172上，并且类似于第一封装层171，第三封装层173可以抑制水分或氧气的渗透。第三封装层173可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlyOz)等无机材料形成，但是实施方式不限于此。第三封装层173可以由与第一封装层171相同或不同的材料形成。
由于根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100是顶部发射型发光显示设备，所以其可以制造成使得实现微腔(microcavity)。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可以通过调节第一电极151的反射层151a和第二电极153之间的距离来实现从发光层152发射的光的相长干涉，从而增强光效率。
在相关技术的发光显示设备中，从发光层发射的光中的被困在发光显示设备内部并损失的光已经成为降低光发射效率的因素。例如，在从发光层发射的光中，由于全反射的损失或光波导的损失，会出现不能被提取到发光显示设备的外部的光，使得发光显示设备的光提取效率降低。例如，在相关技术的发光显示设备中，由于使用了形成在具有平坦上表面的外涂层上的第一电极，因此从发光层发射的光中的以低发射角输出或发射的光可能被困在发光显示设备中。
因此，根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100可以通过具有突出部分132的外涂层130来提高发光元件150的光提取效率。例如，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，外涂层130被配置成包括基础部分131和从基础部分131突出的突出部分132，并且发光元件150的第一电极151的反射层151a被设置成覆盖基础部分131和至少突出部分132的侧表面。因此，从发光显示设备100的发光层152发射的光中的以低发射角输出或发射的光可以通过设置在突出部分132的侧部分上的第一电极151的反射层151a而在前向方向上被提取。例如，在相关技术的发光显示设备中，当第一电极被设置在具有平面形状的外涂层上时，横向导向的光——例如以低发射角输出或发射的光——不会以前向方向行进，并且由于全反射的损失或光波导的损失，横向导向的光可能不会被提取到发光显示设备的外部。然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，以低发射角从发光层152输出或发射的光在突出部分132的侧部分上的第一电极151的反射层151a上被反射，并且可以在前向方向上被提取。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，在外涂层130的侧部分上的第一电极151的反射层151a用作为侧镜，使得可能在发光显示设备100内损失的光可以在前向方向上被提取，从而改善光提取效率和功耗。
在相关技术的发光显示设备中，当形成由有机材料形成的堤层时，堤层被形成为在突出部分的侧部分上具有凸起形状，并且被设置成具有大的厚度。因此，堤层的凸起侧表面和第一电极的反射层之间的空间增大。由于光具有随着从狭窄空间移动到宽广空间而扩散的特性，所以从发光层发射的光在作为宽广空间的堤层中扩散，因此，到达侧镜结构的光的量减少，从而导致发光显示设备的光提取效率降低。
然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，凹形部分141被设置在外涂层130的突出部分132的侧部分上的堤层140中，使得堤层140中的光扩散现象可以被最小化。因此，通过堤层140的凹形部分141，发光层152和第一电极151之间的间隙被最小化，并且到达侧镜结构的第一电极151的光的量增加，由此发光显示设备100的光提取效率可以增加。例如，在凹形部分141被设置在突出部分132的侧部分上的堤层140中的情况下，与堤层140的侧表面具有凸起形状的情况相比，堤层140的侧表面和突出部分132的侧表面之间的空间减小。因此，可以减少堤层140中的光扩散。这导致从发光层152发射的光中的到达侧镜结构的第一电极151的光的量增加。因此，凹形部分141形成在堤层140中，并且堤层140的凹形部分141被设置在外涂层130的突出部分132的侧部分上，由此从发光层152发射的光中的到达侧镜结构的第一电极151的光的量可以增加，从而导致发光显示设备100的光提取效率的增加。同时，被第一电极151反射的光增加，由此可以增加前光提取效率，前光提取效率是在前向方向上提取光的提取效率。
此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，堤层140的凹形部分141上的一位置处的切线的斜率随着该位置远离基板110而增加，由此光提取效率和前光提取效率可以增加。例如，当堤层140包括单个凹形部分141时，发光层152、第二电极153和第一封装层171沿着堤层140的形状设置，因此，发光层152、第二电极153和第一封装层171可以在其侧部分上包括凹形表面。当第一封装层171包括凹形表面时，在从发光层152发射的光中，通过全反射而被困在堤层140和第二封装层172之间的第一光L1可以在前向方向上被提取。例如，以大于临界角的入射角入射到堤层140和发光层152之间的界面以及第一封装层171和第二封装层172之间的界面上、并且从堤层140和第二封装层172之间的空间全反射的第一光L1可以在靠近堤层140的上表面的边缘部分处以小于临界角的入射角入射到第二封装层172上，其中堤层140的凹形部分141在该边缘部分处结束。因此，第一光L1穿过第一封装层171和第二封装层172之间的界面，并最终在发光显示设备100的前向方向上被提取。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可能被困在堤层140和第二封装层172之间的光的路径被改变，因此，光可以在发光显示设备100的前向方向上被提取，从而增加光提取效率和前光提取效率。
图3是根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的截面视图。图3的发光显示设备300与图1和图2的发光显示设备100的不同之处仅在于外涂层330、堤层340和发光元件350，但是发光显示设备300的其他配置与图1和图2的发光显示设备100的配置相同或基本相同。因此，将省略多余的描述或简短描述。
参照图3，外涂层330的突出部分332在其侧部分处可以包括凹形部分332a(例如，弯曲部分)。例如，外涂层330的突出部分332在其侧部分处包括单个凹形部分332a。例如，突出部分332的凹形部分332a可以单独位于突出部分332的侧表面处，该侧表面连接基础部分131的上表面和突出部分332的上表面。外涂层330可以被称为绝缘层。因此，突出部分332可以具有平行于基板110的上表面并且具有凹形的侧表面。当突出部分332的凹形部分332a单独地形成时，突出部分332的凹形部分332a上的第一电极351也可以具有凹形形状。因此，从发光层152发射的光被突出部分332的凹形部分332a上的第一电极351反射，而不受其他结构的干扰，使得其朝向发光显示设备300的前方行进。由于突出部分332的凹形部分332a可以提高从发光层152发射的光的前光提取效率和光提取效率，所以突出部分332的凹形部分332a可以被称为光提取图案。
突出部分332的凹形部分332a上的一位置处的切线的斜率可以随着该位置远离或移动远离基板110而增加。例如，突出部分332的凹形部分332a的切线的斜率在最靠近基板110的凹形部分的点处最低，并且随着位置远离或移动远离基板110而增加。突出部分332的凹形部分332a的切线的斜率可以在离基板110最远的凹形部分的表面处最大。
突出部分332的凹形部分332a可以通过干蚀刻工艺形成。当突出部分332通过曝光工艺形成时，突出部分332的侧部分可以形成为凸起的形状。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备300中，当形成突出部分332时，突出部分332可以通过干蚀刻工艺而形成为具有凹形部分332a。
发光元件350被设置在外涂层330上。发光元件350包括外涂层330上的第一电极351、第一电极351上的发光层152、以及发光层152上的第二电极153。
第一电极351包括反射层351a和在反射层351a上的透明导电层351b，并且被设置在外涂层330上。第一电极351被设置成覆盖基础部分131的上部分以及突出部分332的侧部分和上部分。例如，第一电极351可以沿着突出部分332的凹形部分332a的形状设置。因此，第一电极351可以在突出部分332的上表面上具有平坦的上表面，并且在突出部分332的侧表面上具有凹形上表面。因此，从发光层152发射的光可以被第一电极351反射，并且在发光显示设备300的前向方向上被提取。
参照图3，堤层340可以由无机材料形成。例如，堤层340可以由非晶硅、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成，但是实施方式不限于此。当堤层340由无机材料形成时，堤层340的折射率可以是大约1.8。
堤层340被设置在第二区域A2的第一电极351上。堤层340可以由无机材料形成，并且可以沿着第二区域A2中的第一电极351的形状设置。因此，堤层340可以在突出部分332的上表面上具有平坦的上表面，并且可以在突出部分332的侧表面上具有凹形上表面。例如，堤层340的凹形部分341沿着突出部分332的凹形部分332a的形状设置，并且可以布置在与突出部分332的凹形部分332a对应的位置。在一个示例中，凹形部分341可以不延伸到第一区域A1中。堤层340可以被设置成具有200nm的厚度，但是实施方式不限于此。
在相关技术的发光显示设备中，突出部分的侧表面可以形成为凸起形状，并且突出部分上的发光元件也可以具有凸起形状。例如，突出部分的侧表面上的发光元件的第一电极也可以具有凸起形状。然而，当侧镜结构的第一电极具有凸起形状时，从发光层发射的光在第一电极的凸起表面上反射，并且在除了发光显示设备的前向方向之外的方向上反射，使得在发光显示设备的前向方向上的光提取效率可能降低。
因此，在根据本公开内容的另一实施方式的发光显示设备300中，凹形部分332a形成在突出部分332的侧部分上，使得被侧镜结构反射的光的光路径被改变成在发光显示设备300的前向方向上，从而增加发光显示设备300的前光提取效率和光提取效率。例如，当凹形部分332a形成在突出部分332的侧部分上时，突出部分332上的第一电极351和堤层340也可以在突出部分332的侧部分上具有凹形上表面。例如，从发光层152发射的一些光可以被具有侧镜结构的第一电极351的凹形上表面反射，并且可以在发光显示设备300的前向方向上被提取。例如，按照凹镜的原理，从发光层152发射的一些光可以在前向方向上被提取。因此，凹形部分332a形成在突出部分332的侧部分处，并且第一电极351和堤层340沿着突出部分332的凹形部分332a的形状设置，由此到达第一电极351的凹形上表面的光可以按照凹镜的原理而被反射，从而导致发光显示设备300的光提取效率和前光提取效率的增加。
同样，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备300中，堤层340可以由无机材料形成，从而使堤层340中的光扩散最小化。因此，通过堤层340的凹形部分341，发光层152和第一电极351之间的间隙被最小化，并且到达侧镜结构的第一电极351的光的量增加，由此发光显示设备300的光提取效率可以增加。例如，当堤层340由无机材料形成时，堤层340可以沿着突出部分332上的第一电极351的形状设置。因此，堤层340沿着突出部分332的凹形部分332a的形状设置，并且堤层340的凹形部分341被设置在突出部分332的凹形部分332a上。因此，堤层340的侧表面和突出部分332的侧表面之间的空间或区域减小，从而导致堤层340中的光扩散的下降，由此从发光层152发射的光中的到达具有侧镜结构的第一电极351的光的量增加。因此，堤层340由无机材料形成，并且堤层340沿着突出部分332的凹形部分332a的形状设置，由此从发光层152发射的光中的到达具有侧镜结构的第一电极351的光的量可以增加，从而导致发光显示设备300的光提取效率的增加。同样，被第一电极351反射的光增加，由此可以增加前光提取效率，该前光提取效率是在前向方向上提取光的提取效率。
图4A和图4B是用于示出根据本公开内容的示例性实施方式和比较示例的发光显示设备的光提取效率的示例的图像。图4A是示出通过使用时域有限差分(FDTD)的模拟，根据比较示例的发光显示设备的光提取效率的图像。图4B是示出通过使用时域有限差分(FDTD)的模拟，根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备的光提取效率的图像。图4A和图4B的发光显示设备10和100由相同的材料形成，并且形成为具有相同的厚度。例如，在图4A和图4B的发光显示设备10和100中，外涂层的突出部分32和132的折射率被设置成1.6，堤层40和140的折射率被设置成1.6，发光层52和152的折射率被设置成1.95，第一封装层71和171的折射率被设置成1.85，第二封装层72和172的折射率被设置成1.52。此外，在图4A和图4B中，假设空气被设置在第二封装层72和172上方，并且空气的折射率被设置成1。此处，堤层40和140被设置成作为有机材料的聚酰亚胺(PI)，并且堤层40和140的厚度被假设成1μm。从图4A和图4B的发光显示设备10和100提取的光被示出为白色。
首先，参照图4A，在根据比较示例的发光显示设备10中，堤层40被形成为在突出部分32的侧部分上具有凸起形状，使得突出部分32的侧表面和堤层40的侧表面之间的空间可以被宽广地形成。因此，当从发光层52发射的光行进到堤层40时，在堤层40中发生光扩散，由此可以确认行进而没有到达具有侧镜结构的第一电极51的光的量很大。
参照图4B，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，堤层140被形成为在突出部分132的侧部分上具有凹形形状，从而可以确认堤层140的侧表面和突出部分132的侧表面之间的空间被形成为比图4A的发光显示设备10的空间窄。因此，由于堤层140形成为凹形形状，并且发光层152和第一电极151之间的间隙被最小化，因此可以确认堤层140中的光扩散减少。因此，可以确认从发光层152发射的光中的到达侧镜结构的第一电极151的光的量增加，由此在发光显示设备100的前向方向上提取的光的量增加。
下面的表1是用于比较根据图4A的比较示例的发光显示设备10的光提取量和根据图4B的本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100的光提取量的表。下表1示出了使用时域有限差分(FDTD)模拟，基于以下情况而计算的结果的示例：没有侧镜结构的发光显示设备的外部量子效率(EQE)和前光提取效率为1。此外，前光提取效率是相对于与发光显示设备10和100垂直的方向在±10°的角度处提取光的效率。
参照下表1，在根据本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备100中，可以确认，与根据比较示例的发光显示设备10相比，外部量子效率增加了大约6.39％，前光提取效率增加了大约5.50％。
[表1]
发光显示设备10 发光显示设备100 增长率
外部量子效率 1.080 1.149 6.39％
前光提取效率 1.090 1.15 5.50％
图5A和图5B示出了用于示出根据另一比较示例和本公开内容的示例性实施方式的发光显示设备的光提取效率的示例的图像。图5A是示出通过使用时域有限差分(FDTD)的模拟，根据另一比较示例的发光显示设备的光提取效率的图像。图5B是示出通过使用时域有限差分(FDTD)的模拟，根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备的光提取效率的图像。图5A和图5B的发光显示设备10’和300由相同的材料形成，并且形成为具有相同的厚度。例如，在图5A和图5B的发光显示设备10’和300中，外涂层的突出部分32’和332的折射率被设置成1.6，堤层40’和340的折射率被设置成1.6，发光层52’和152的折射率被设置成1.95，第一封装层71’和171的折射率被设置成1.85，第二封装层72’和172的折射率被设置成1.52。此外，假设空气被设置在第二封装层72’和172上方，并且空气的折射率被设置成1。此处，堤层40’和340被设置成作为无机材料的硅氮化物(SiNx)，并且堤层40’和340的厚度被假设成200nm。从图5A和图5B的发光显示设备10’和300提取的光是白色的。
首先，参照图5A，在根据比较示例的发光显示设备10’中，突出部分32’的侧表面被形成为具有凸起形状，因此，第一电极51’被设置成在突出部分32’的侧部分上具有凸起形状。因此，从发光层52’发射的光在第一电极51’的凸起表面上被反射，由此可以确认在除了发光显示设备10’的前向方向之外的方向上行进的光的量很大。
参照图5B，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备300中，突出部分332的侧表面被形成为具有凹形形状，因此，第一电极351也被设置成在突出部分332的侧表面上具有凹形形状。因此，可以确认，按照凹镜的原理，从发光层152发射的光在具有侧镜结构的第一电极351的凹形上表面上被反射，由此在发光显示设备300的前向方向上提取的光的量增加。
下面的表2是用于比较根据图5A的比较示例的发光显示设备10’和根据图5B的本公开内容的另一实施方式的发光显示设备300中的每一个的光提取量的表。下表2示出了使用时域有限差分(FDTD)模拟，基于以下情况而计算的结果的示例：没有侧镜结构的发光显示设备的外部量子效率(EQE)和前光提取效率为1。此外，前光提取效率是相对于与发光显示设备10’和300垂直的方向在±10°的角度处提取光的效率。
参照下表2，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备300中，可以确认，与根据比较示例的发光显示设备10’的情况相比，外部量子效率增加了大约8.33％，前光提取效率增加了大约13.04％。
[表2]
图6A和图6B是示出根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备中，取决于突出部分的形状和突出部分的侧部分的角度的光提取效率的示例的图像。图6A是示出当发光层152内部的发光偶极子处于水平取向时，根据另一示例性实施方式的发光显示设备300中的取决于突出部分332的形状和突出部分332的侧部分的角度的光提取效率的图像。图6B是示出当发光层152内部的发光偶极子处于竖直取向时，根据另一示例性实施方式的发光显示设备300中的取决于突出部分332的形状和突出部分332的侧部分的角度的光提取效率的图像。
在图6A和图6B的示例中，X轴优选地表示突出部分332的侧部分的形状，Y轴优选地表示突出部分332的侧部分的角度。例如，相对于X轴的中心，X轴的左侧意味着突出部分332具有凸起形状，而X轴的右侧意味着突出部分332具有凹形形状。在X轴上，这优选地意味着凹度或凸度在远离中心的方向上增加。此外，Y轴优选地意味着突出部分332的侧部分的起点和终点之间的平均角度。此处，起点是突出部分332的侧部分的斜率出现的点，终点是突出部分332的侧部分的斜率变缓的点。在图6A和图6B中，条形图优选地表示光提取效率，并且点密度越低，光提取效率越好。此外，在图6A和图6B中，以大约30°至70°的间隔来测量突出部分332的侧部分的角度。
参照图6A和图6B，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的发光显示设备300中，可以确认，在发光层152内部的发光偶极子处于水平取向的情况下，以及发光层152内部的发光偶极子处于竖直取向的情况下，当突出部分332的侧部分的形状是凹形而不是凸起时，根据突出部分332的侧部分的角度的光提取效率总体上得到改善。
此外，参照图6A，可以确认，随着突出部分332的侧部分的凸起形状逐渐平缓，光提取效率提高。此外，可以确认，当突出部分332的侧部分具有凹形形状时，随着凹度的降低，光提取效率提高。
此外，参照图6B，可以确认，随着突出部分332的侧部分的凸起形状逐渐平缓，光提取效率提高。在图6B的发光显示设备300中，可以确认，当突出部分332的侧部分具有凹形形状时，随着凹度的增加，光提取效率提高。
下面将描述根据本公开内容的一个或多个实施方式的发光显示设备。
根据本公开内容的实施方式，发光显示设备包括：基板；绝缘层(例如，外涂层)，其位于基板上并具有基础部分和突出部分；第一电极，其覆盖基础部分的上部分以及突出部分的侧部分和上部分；堤层，其覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分，并且具有凹形部分；发光层，其位于第一电极和堤层上；以及第二电极，其位于发光层上。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层可以包括有机材料，突出部分的侧部分可以具有平面形状，第一电极可以沿着突出部分的侧部分的形状设置，并且发光层和第二电极可以沿着堤层的凹形部分的形状设置。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层的凹形部分可以被设置成与绝缘层的突出部分的侧部分对应。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层的凹形部分可以被单独地形成。
在根据本公开内容的发光显示设备中，绝缘层的突出部分的侧部分可以包括凹形部分，并且第一电极可以沿着突出部分的凹形部分的形状设置。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层可以包括无机材料，并且堤层的凹形部分可以沿着突出部分的凹形部分的形状设置。
在根据本公开内容的发光显示设备中，第一电极可以包括反射层。
在根据本公开内容的发光显示设备中，发光显示设备还可以包括：第一封装层，其沿着第二电极的形状位于第二电极上；以及第二封装层，其位于第一封装层上。
在根据本公开内容的发光显示设备中，第一封装层的折射率可以大于第二封装层的折射率。
在根据本公开内容的发光显示设备中，随着堤层的凹形部分上的位置远离基板，该位置处的切线的斜率可以增加。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层的侧部分还可以包括连接到堤层的凹形部分的上部分并且垂直于基板的表面。
根据本公开内容的一方面，发光显示设备包括：基板；外涂层，其位于基板上并具有基础部分和突出部分；发光元件，其位于外涂层上并包括第一电极、发光层和第二电极；堤层，其位于第一电极和发光层之间并被配置成限定发光区域；以及封装部件，其位于发光元件上，其中，堤层的侧表面包括光提取图案，该光提取图案被配置成通过使从发光层发射的光的扩散最小化来提高光提取效率和前光提取效率。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层的光提取图案可以包括凹槽形状。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层的光提取图案可以被设置成围绕发光区域。
在根据本公开内容的发光显示设备中，外涂层可以包括在突出部分的侧表面上的光提取图案。
在根据本公开内容的发光显示设备中，随着外涂层的光提取图案上的位置远离基板，该位置处的切线的斜率可以增加。
在根据本公开内容的发光显示设备中，堤层可以包括无机材料，并且堤层的光提取图案可以被设置成对应于外涂层的光提取图案。
在根据本公开内容的发光显示设备中，封装部件可以包括第一封装层、有机封装层和第二封装层，第一封装层可以沿着第二电极的形状而设置在第二电极上，有机封装层可以被设置在第一封装层上，有机封装层的折射率可以小于第一封装层的折射率，堤层的折射率可以小于或等于发光层的折射率。
根据本公开内容的一方面，发光显示设备包括：基板；绝缘层(例如外涂层)，其位于基板上并且具有基础部分和突出部分，其中突出部分的侧部分包括凹形部分；第一电极，其位于绝缘层上；堤层，其覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分，并且具有凹形部分；发光元件，其位于第一电极和堤层上；以及第二电极，其位于发光层上，其中，堤层的凹形部分沿着绝缘层的突出部分的凹形部分的形状而设置。
在根据本公开内容的发光显示设备中，第一电极可以沿着绝缘层的突出部分的凹形部分的形状而设置。
对于本领域技术人员来说明显的是，在不偏离本公开内容的技术思想或范围的情况下，可以对本公开内容进行各种修改和变化。因此，如果本公开内容的修改和变化落入所附权利要求及其等同物的范围内，则本公开内容的实施方式可以意图覆盖这些修改和变化。

Claims (19)

1.一种发光显示设备，包括：
基板；
绝缘层，其位于所述基板上，并且具有基础部分和突出部分；
第一电极，其覆盖所述基础部分的上部分以及所述突出部分的侧部分和上部分；
堤层，其覆盖所述绝缘层的一部分和所述第一电极的一部分，并且具有凹形部分；
发光层，其位于所述第一电极和所述堤层上；以及
第二电极，其位于所述发光层上，
其中，随着所述堤层的凹形部分上的位置远离所述基板，所述位置处的切线的斜率增大。
2.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中：
所述堤层包括有机材料；
所述突出部分的所述侧部分具有平面形状；
所述第一电极沿着所述突出部分的所述侧部分的形状而设置；以及
所述发光层和所述第二电极沿着所述堤层的凹形部分的形状而设置。
3.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述堤层的凹形部分被设置成与所述绝缘层的所述突出部分的所述侧部分对应。
4.根据权利要求3所述的发光显示设备，其中，所述堤层的凹形部分被单独地形成。
5.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述绝缘层的所述突出部分的所述侧部分包括凹形部分，并且所述第一电极沿着所述突出部分的凹形部分的形状而设置。
6.根据权利要求5所述的发光显示设备，其中：
所述堤层包括无机材料；以及
所述堤层的凹形部分沿着所述突出部分的凹形部分的形状而设置。
7.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一电极包括反射层。
8.根据权利要求1所述的发光显示设备，还包括：
第一封装层，其沿着所述第二电极的形状位于所述第二电极上；以及
第二封装层，其位于所述第一封装层上。
9.根据权利要求8所述的发光显示设备，其中，所述第一封装层的折射率大于所述第二封装层的折射率。
10.根据权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述堤层的侧部分还包括连接到所述堤层的凹形部分的上部分并且垂直于所述基板的表面。
11.一种发光显示设备，包括：
基板；
外涂层，其位于所述基板上，并且具有基础部分和突出部分；
发光元件，其位于所述外涂层上，并且包括第一电极、发光层和第二电极；
堤层，其位于所述第一电极和所述发光层之间，并且被配置成限定发光区域；以及
封装部件，其位于所述发光元件上，
其中，所述堤层的侧表面包括光提取图案，所述光提取图案被配置成通过使从所述发光层发射的光的扩散最小化来提高光提取效率和前光提取效率，并且
其中，随着所述堤层的光提取图案上的位置远离所述基板，所述位置处的切线的斜率增大。
12.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述堤层的光提取图案包括凹槽形状。
13.根据权利要求12所述的发光显示设备，其中，所述堤层的光提取图案被设置成围绕所述发光区域。
14.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述外涂层还包括在所述突出部分的侧表面上的光提取图案。
15.根据权利要求14所述的发光显示设备，其中，随着所述外涂层的光提取图案上的位置远离所述基板，所述位置处的切线的斜率增大。
16.根据权利要求15所述的发光显示设备，其中：
所述堤层包括无机材料；以及
所述堤层的光提取图案被设置成对应于所述外涂层的光提取图案。
17.根据权利要求11所述的发光显示设备，其中：
所述封装部件包括第一封装层、有机封装层和第二封装层；
所述第一封装层沿着所述第二电极的形状设置在所述第二电极上；
所述有机封装层被设置在所述第一封装层上；
所述有机封装层的折射率小于所述第一封装层的折射率；以及
所述堤层的折射率小于或等于所述发光层的折射率。
18.一种发光显示设备，包括：
基板；
绝缘层，其位于所述基板上，并且具有基础部分和突出部分，其中所述突出部分的侧部分包括凹形部分；
第一电极，其位于所述绝缘层上；
堤层，其覆盖所述绝缘层的一部分和所述第一电极的一部分，并且具有凹形部分；
发光层，其位于所述第一电极和所述堤层上；以及
第二电极，其位于所述发光层上，
其中，所述堤层的凹形部分沿着所述绝缘层的所述突出部分的凹形部分的形状而设置，并且
其中，随着所述堤层的凹形部分上的位置远离所述基板，所述位置处的切线的斜率增大。
19.根据权利要求18所述的发光显示设备，其中，所述第一电极沿着所述绝缘层的所述突出部分的凹形部分的形状而设置。
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