CN113707828B - 显示面板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开是关于一种显示面板及其制作方法和显示装置，属于显示技术领域。显示面板包括衬底基板、像素界定层、发光层、导光层和封装层。衬底基板具有多个像素区域。像素界定层位于衬底基板的第一表面，像素界定层具有多个开口，多个开口分别位于一个像素区域中；发光层包括多个发光结构，多个发光结构分别位于一个开口中；导光层包括与开口的侧壁贴合的第一部分；封装层位于导光层远离衬底基板的一侧，封装层的部分位于开口内；其中，对于同一个像素区域，第一部分和封装层相互配合使得发光结构的边缘发射的光从像素区域的中部射出。

Description

显示面板及其制作方法和显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术

显示面板是手机、平板电脑和电视等显示装置的重要组成部分。

显示面板具有多个像素区域，显示面板包括衬底基板、像素界定层、发光层、导光层和封装层。沿远离衬底基板的方向，像素界定层、发光层、导光层和封装层依次位于衬底基板的表面。像素界定层具有多个开口，多个开口分别位于一个像素区域中，发光层包括多个发光结构，每个开口内具有一个发光结构。发光结构发出的光经过导光层和封装层后从显示面板射出。

在上述显示面板结构中，发光结构的边缘发出的光绝大部分垂直从显示面板的出光面射出，导致显示面板的像素区域中部的亮度较低，使得显示面板在直视角度下亮度降低。

发明内容

本公开实施例提供了一种显示面板及其制作方法和显示装置，在减小衍射对显示效果影响的前提下，提高显示面板的出光效率。所述技术方案如下：

第一方面，本公开提供了一种显示面板，所述显示面板包括：衬底基板，具有多个像素区域；像素界定层，位于所述衬底基板的第一表面，所述像素界定层具有多个开口，所述多个开口分别位于一个所述像素区域中；发光层，包括多个发光结构，所述多个发光结构分别位于一个所述开口中；导光层，包括与所述开口的侧壁贴合的第一部分；封装层，位于所述导光层远离所述衬底基板的一侧，所述封装层的部分位于所述开口内；其中，对于同一个像素区域，所述第一部分和所述封装层相互配合使得所述发光结构的边缘发射的光从所述像素区域的中部射出。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述第一部分和所述封装层之间具有环形的斜坡面，所述斜坡面的底部在所述第一表面的正投影，位于所述斜坡面的顶部在所述第一表面的正投影的内部，所述斜坡面的底部靠近所述衬底基板，所述斜坡面的顶部远离所述衬底基板；所述导光层的折射率小于所述封装层的折射率。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述斜坡面的坡度角的范围为17度至45度。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述导光层的折射率的范围为1.3至1.5，所述封装层的折射率的范围为1.7至1.9。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述导光层的材料包括氟化物，所述封装层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述显示面板还包括：滤光层，位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧，所述滤光层包括多个滤光膜和黑矩阵，所述多个滤光膜位于一个所述像素区域中，所述黑矩阵位于相邻的所述滤光膜之间；所述滤光膜在所述第一表面的正投影位于对应的所述发光结构在所述第一表面的正投影的内部。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述导光层还包括第二部分，所述第二部分位于所述开口内，所述第二部分的边缘与所述第一部分连接，所述第二部分夹设在所述封装层和所述发光结构之间，所述第二部分在所述第一表面的正投影位于所述滤光膜在所述第一表面的正投影内；或者，所述封装层位于所述开口内的部分与所述发光层接触。

第二方面，本公开提供了一种显示面板的制作方法，所述方法包括：提供一衬底基板，所述衬底基板具有多个像素区域；在所述衬底基板的第一表面形成像素界定层、发光层、导光层和封装层，所述像素界定层位于所述衬底基板的第一表面，所述像素界定层具有多个开口，所述多个开口分别位于一个所述像素区域中；所述发光层包括多个发光结构，所述多个发光结构分别位于一个所述开口中；所述导光层包括与所述开口的侧壁贴合的第一部分；所述封装层位于所述导光层远离所述衬底基板的一侧，所述封装层的部分位于所述开口内；其中，对于同一个像素区域，所述第一部分和所述封装层相互配合使得所述发光结构的边缘发射的光从所述像素区域的中部射出。

在本公开实施例的一种实现方式中，形成导光层包括：采用高精度金属掩模板对所述像素界定层和所述发光层进行遮挡，使得所述高精度金属掩模板上的遮挡部与所述开口的底面对应；采用蒸镀的方式，在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成导光层。

第二方面，本公开提供了一种显示装置，所述显示装置包括供电组件和第一方面任一项所述的显示面板，所述供电组件用于向所述显示面板供电。

本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：

在本公开实施例中，像素界定层中的开口用于布置发光层中的发光结构，发光结构发光，光经过导光层和封装层后从显示面板射出。发光结构位于开口内，发光结构中部的光无需经过折射，就可以从像素区域的中部射出。发光结构的边缘发出的光经过导光层和封装层时，导光层和封装层配合使得发光结构的边缘发出的光也能够从像素区域的中部射出，像素区域的中部的亮度增加，从而提高显示面板在直视角度下的亮度。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本公开实施例提供的一种显示面板的截面示意图；

图3是本公开实施提供的显示面板的光路示意图；

图4是本公开实施例提供的一种斜坡面和发光结构在第一表面的正投影的示意图；

图5是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图6是本公开实施提供的一种光线传播图；

图7是本公开实施提供的一种导光层的制作方案示意图；

图8是本公开实施例提供的一种高精度金属掩膜板的结构示意图；

图9是本公开实施例提供的一种导光层与像素界定层的部分贴合图；

图10是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图11是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法；

图12是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法。

附图标记：

10、衬底基板；101、第一表面；102、像素区域；20、像素界定层；201、开口；30、发光层；301、发光结构；311、第二投影；302、阳极层；321、阳极；303、空穴注入层；304、空穴传输层；305、电子传输层；306、电子注入层；307、阴极层；308、耦合出光层；40、导光层；401、第一部分；411、斜坡面；4111、第一投影；402、第二部分；403、第三部分；50、滤光层；501、滤光膜；511、第三投影；502、黑矩阵；60、封装层；70、防水氧层；80、薄膜晶体管阵列层；801、有源层；802、栅极绝缘层；803、栅极层；804、绝缘层；805、源漏极层；851、源极；852、漏极；90、平坦化层；100、高精度金属掩膜板；1001、遮挡部分；1002、连接部；200、蒸镀器材。

具体实施方式

为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。

图1是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图1，显示面板包括衬底基板10，衬底基板10具有相互隔开的多个像素区域102。

图2是本公开实施例提供的一种显示面板的截面示意图。参见图2，显示面板包括还包括像素界定层(Pixel Definition Layer，PDL)20、发光层30、导光层40和封装层60。

像素界定层20位于衬底基板10的第一表面101，像素界定层20具有多个开口201，多个开口201分别位于一个像素区域102中。发光层30包括多个发光结构301，多个发光结构301分别位于一个开口201内。导光层40包括与开口201的侧壁贴合的第一部分401。封装层60位于导光层40远离衬底基板10的一侧，封装层60的部分位于开口201内。其中，对于同一个像素区域102，第一部分401和封装层60相互配合使得发光结构301的边缘发射的光从像素区域102的中部射出。

在本公开实施例中，衬底基板10的第一表面101为衬底基板10靠近出光面的表面。

在本公开实施例中，衬底基板为位于衬底基板上的膜层提供支撑，像素界定层中的开口用于布置发光层中的发光结构。发光结构发光，光经过导光层和封装层后从显示面板射出。发光结构位于开口内，发光结构中部的光无需经过折射，就可以从像素区域的中部射出。发光结构的边缘发出的光经过导光层和封装层时，导光层和封装层配合使得发光结构的边缘发出的光也能够从像素区域的中部射出，像素区域的中部的亮度增加，从而提高显示面板在直视角度下的亮度。

再次参见图2，第一部分401和封装层60之间具有环形的斜坡面411，斜坡面411的底部在第一表面101的正投影，位于斜坡面411的顶部在第一表面101的正投影的内部，斜坡面411的底部靠近衬底基板10，斜坡面411的顶部远离衬底基板10。这样斜坡面411呈现为倒梯形。其中，导光层40的折射率小于封装层60的折射率。通过斜坡面411对光线进行折射，使得发光结构的边缘的光从像素区域的中部射出。

图3是本公开实施提供的显示面板的光路示意图。参见图3，从发光结构301边缘发出的光，经过斜坡面411时，与斜坡面411的法线的夹角为入射角a，入射角a为锐角，由于斜坡面411两侧的介质不一样，那么光从斜坡面411射出的话会发生折射现象，折射光线与斜坡面411的法线的夹角为折射角b。该折射角b与斜坡面411两侧的介质的折射率和入射角a有关，为保证折射的光线会向滤光膜501靠近，折射角b小于入射角a，这样就需要保证位于开口201内的物质的折射率大于导光层40的折射率，也即导光层40的折射率小于封装层60的折射率。

参见图3，假设导光层40的折射率为n1，封装层60的折射率为n2，根据折射定律，那么，n1·sina＝n2·sinb(1)，如果折射角b小于入射角a，那么sinb小于sina，就需保证n1小于n2，也即是导光层40的折射率小于封装层60的折射率。

如图3所示，入射角a与第一夹角c的和为90度。第一夹角c为光线与斜坡面411的夹角，斜坡面411的坡度角d与第一夹角c的和也为90度，也即是说入射角a等于斜坡面411的坡度角d。

在本公开实施例的一种实现方式中，导光层40的折射率的范围为1.3至1.5，封装层60的折射率的范围为1.7至1.9。保证导光层40的折射率小于封装层60的折射率，进而保证从发光结构301边缘发出的光经过到导光层40及封装层60折射后从像素区域的中部射出。

示例性地，导光层40的折射率为1.39，封装层60的折射率为1.8。

在本公开实施例中，导光层40的材料包括氟化物。

示例性地，导光层40为氟化锂(LiF)层，在其他实现方式中，导光层40还可以是其他材料，例如，导光层40为氟化锌层或者氟化铟层。

在本公开实施例的一种实现方式中，封装层60的材料包括氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO)或氮氧化硅(SiNO)层。氮化硅、氧化硅和氮氧化硅具有很好的防水氧性，既能够保证封装层60的封装效果，同时能够实现封装层60的折射率大于导光层40的折射率。

再次参见图2，显示面板还包括滤光层50。滤光层50位于封装层60远离衬底基板10的一侧，滤光层50包括多个滤光膜(Color Filter，CF)501和黑矩阵(Black Matrix，BM)502，多个滤光膜501分别位于一个像素区域102中，黑矩阵502位于相邻的滤光膜501之间。这样从像素区域102射出的光经过了滤光膜501的过滤，使得从像素区域102射出的光纯度更高。

图4是本公开实施例提供的一种斜坡面和发光结构在第一表面的正投影的示意图。参见图4，对于任意一个开口201，斜坡面411在第一表面101的正投影为环形的第一投影4111，发光结构301在第一表面101的正投影为第二投影311，第一投影4111的内圈位于第二投影311内，第二投影311位于第一投影4111的外圈内。

在本公开实施例中，发光层30中发光结构301发光，光经过导光层40和滤光层50射出。斜坡面411在第一表面101的正投影为环形的第一投影4111，发光结构301在第一表面101的正投影为第二投影311，第一投影4111的内圈位于第二投影311内，第二投影311位于第一投影4111的外圈内。上述结构使得从发光结构301的边缘发出的光经过斜坡面411，光与斜坡面411呈现一定的角度，该角度小于90度，如果光从斜坡面411射出必然会存在折射现象，由于开口为倒梯形，使得斜坡面411也呈现倒梯形，这样折射的光线会向滤光膜501靠近，使得光到达滤光层50时远离黑矩阵502从滤光膜501射出，光不会被黑矩阵502吸收，从而提高显示面板的出光效率。

在图4中示出了三个不同颜色的像素区域102中的斜坡面411的投影与发光结构301的投影的关系。例如，位于左边的投影B为蓝色像素区域的投影，位于中间的投影G为绿色像素区域的投影，位于右边的两个投影R为红色像素区域的投影。

在本公开实施例中，发光结构301的中部是与滤光膜501对应的，发光结构301的中部发出的光即使不经过折射也可以从滤光膜501射出。所以发光结构301的中部可以被导光层40覆盖(参见图5)，也可以不被导光层40覆盖(参见图2)。

再次参见图4，滤光膜501在第一表面101的正投影为第三投影511，第三投影511位于第二投影311内，第一投影4111的内圈位于第三投影511内。再次参见图2，封装层60位于开口201内的部分与发光层30接触。此时发光结构301的中部没有被导光层40覆盖，发光结构301的中部发出的光无需经过导光层40。

图5是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图5，导光层40还包括第二部分402，第二部分402位于开口201内，第二部分402夹设在封装层60和发光结构301之间，且第二部分402的边缘与第一部分401连接，第二部分402在第一表面101的正投影位于滤光膜501在第一表面101的正投影内。

此时发光结构301的中部发出的光会经过第二部分402，且光线与第二部分402的表面的夹角为90度，光线不会发生折射，仍然以90度的夹角从第二部分402射出，并从滤光膜501射出。保证发光结构301的中部发出的光会经过导光层40，提高显示面板的出光效率。

再次参见图2和图5，导光层40还包括第三部分403，第三部分403与第一部分401连接，第三部分403位于像素界定层20远离衬底基板10的一侧。

在本公开实施例中，发光结构301在第一表面101的正投影与滤光膜501在第一表面101的正投影重合的部分为发光结构301的中部，围绕发光结构301的中部的部分为发光结构301的边缘。

在本公开实施例中，由于黑矩阵502会遮挡发光结构301的边缘，为保证发光结构301的边缘发出的光均能够从滤光膜501中射出，需限定斜坡面411的坡度角d。

发光结构301的最外缘发出的光可以从滤光膜501射出，那么发光结构301其余部分发出的光自然也能从滤光膜501射出。

图6是本公开实施提供的一种光线传播图。参见图6，在临界情况下，发光结构301的最外缘发出的光从黑矩阵502个滤光膜501的交界处射出。黑矩阵502个滤光膜501的交界处与发光结构301的最外缘的连线与竖直方向的第二夹角为e，经过统计第二夹角e为5度。由图6可知，a＝b+e，也即a＝b+5°，同时由于n1·sina＝n2·sinb，所以n1·sin(b+5°)＝n2·sinb(2)。

导光层40的折射率n1为1.39，封装层60的折射率n2为1.8带入公式(2)中可以得到a＝17°，b＝12°，那么当坡度角a大于17度时，b也大于12度，折射光线会向滤光膜501倾斜，从而使得折射光线从滤光膜501射出。

所以斜坡面411的坡面角大于或等于17度，同时由于第一部分401与开口201的侧壁贴合，如果斜坡面411的坡面角过大不易制作。所以斜坡面411的坡面角的范围为17度至45度，既能保证折射光线从滤光膜501射出，提高显示面板的出光效率，同时便于制作。

图7是本公开实施提供的一种导光层的制作方案示意图。参见图7，导光层40可以通过蒸镀的方式形成，采用高精度金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)100对像素界定层20和发光层30进行掩膜，使得高精度金属掩膜板100的遮挡部分1001对开口201的底面进行遮挡，采用蒸镀器材200进行蒸镀，蒸镀分子在蒸镀的时候会沿着一个锥形的立体角蒸镀上去，未被遮挡的像素界定层20和发光层30的边缘区域也会有一定厚度的氟化锂材料，随着越往开口201的中心靠近，氟化锂的厚度越来越薄，从而使得第一部分401形成斜坡面411。其中斜坡面411的坡度角d(图7未示出)和高精度金属掩膜板100与衬底基板10的距离以及蒸镀的锥形立体角f有关。当高精度金属掩膜板100与衬底基板10的距离越近时，形成的坡度角d越大；当蒸镀的锥形立体角f越小时，形成的坡度角d越大。可以通过调节高精度金属掩膜板100与衬底基板10的距离，以及蒸镀的锥形立体角来调节坡度角d。

图8是本公开实施例提供的一种高精度金属掩膜板的结构示意图。参见图8高精度金属掩膜板100包括多个遮挡部分1001，多个遮挡部分1001之间通过连接部1002连接，保证整个高精度金属掩膜板100的整体性，由于连接部1002同样具有遮挡性，所以与连接部1002相对的区域同样不具有导光层40。

在本公开实施例中，当导光层40为氟化锂层时，导光层40可以在制作完发光层30后进行制作，这样只需将制作导光层40的全掩膜板换成高精度金属掩膜板，相比于相关技术中，不需额外增加制作步骤，实施较为简单。

在其他实现方式中，导光层40为氟化锌层或者氟化铟层时，可以在制作完发光层30后，先在发光层30上制作一层氟化锂层，然后在氟化锂层上制作导光层40。

图9是本公开实施例提供的一种导光层与像素界定层的部分贴合图。参见图9，在斜坡面411与发光层30的交点为A，开口201底面的边缘点为B，A和B之间的任意一点为C，A与C的距离为X，斜坡面411的坡度角为d，在垂直于第一表面101的方向上，点C与斜坡面411的距离为D，D也可以称为C点处第一部分401在垂直于第一表面101的方向上的厚度。那么：D＝X·tan d(3)，也即对于同一个斜坡面411和同一个开口201，C点处第一部分401的厚度D与C点和A之间的距离X呈正相关关系。

图10是本公开实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图10，发光层30包括依次层叠在衬底基板10上的阳极层302、空穴注入层(Hole Injection Layer，HIL)303、空穴传输层(Hole Tranport Layer，HTL)304、发光结构301、电子传输层(ElectronTransport Layer，ETL)305、电子注入层(Electron Injection Layer，EIL)306、阴极层307和耦合出光层(Capping Layer，CPL)308。

在显示面板工作期间，为阳极层302和阴极层307提供电信号，使得阳极层302和阴极层307间形成电流，驱动发光结构301发光。空穴注入层303向发光结构301注入空穴，空穴传输层304用于传输空穴，加快空穴的移动速度，电子注入层306向发光结构301注入电子，电子传输层305用于传输电子，加快电子的移动速度，使得发光结构301中电子和空穴复合的速度增加，从而提高发光效率。耦合出光层308用于增大出光效率。

其中，阳极层302中具有阳极321，不同像素区域102的阳极321是相互隔开的，不同子像素的发光结构301也是相互隔开的，可以通过控制每一个子像素的阳极321的电信号来控制每一个子像素的发光结构301的发光亮度。

在本公开实施例中，不同子像素的阳极321及发光结构301通过像素界定层20来实现相互分隔。

再次参见图10，显示面板还包括依次层叠在衬底基板10上的防水氧层70、薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列层80和平坦化(Planarization，PLN)层90，其中，平坦化层90位于薄膜晶体管阵列层80和像素界定层20之间，阳极层302和像素界定层20均位于平坦化层90上。

在本公开实施例中，衬底基板10用于为其他膜层提供支撑，保证后面的膜层能够顺利制作完成。

示例性地，衬底基板10为玻璃基板或者聚酰亚胺(Polyimide，PI)基板。

防水氧层70可以起到缓冲和防水氧的作用，可以保护薄膜晶体管阵列层80中的薄膜晶体管，避免受到水氧侵蚀，保证薄膜晶体管能够正常工作。

示例性地，防水氧层70为氧化硅层、氮化硅层或者氮氧化硅层，保证防水氧层70的绝缘效果，能够将薄膜晶体管阵列层80与衬底基板10隔开。

在本公开实施例中，显示面板中每个像素包括至少两个薄膜晶体管，例如包括7个薄膜晶体管，7个薄膜晶体管之间连接构成像素电路，像素电路与集成电路(IntegratedCircuit，IC)连接，通过集成电路驱动像素电路，从而为阳极321提供发光所需的电流，进而驱动发光结构301的发光，使显示面板工作。多个像素所包含的薄膜晶体管构成薄膜晶体管阵列层80。

在本公开实施例中，平坦化层90可以使显示面板更加平坦，易于布置阳极层302及像素界定层20。平坦化层90可以为树脂(Resin)层，树脂具有绝缘性，保证平坦化层90的绝缘性。

在本公开实施例中，阳极层302可以为氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)层或金属层。保证阳极层302的电信号传输的稳定性。金属的电阻率较小，避免阳极层302消耗较多的电能；氧化铟锡的透明性好，可以提高显示面板的开口率。

在本公开实施例中，阴极层307可以为氧化铟锡层或金属层。保证阴极层307的电信号传输的稳定性。阳极层302和阴极层307的材料可以相同，也可以不同。例如，阳极层302为氧化铟锡层，阴极层307为金属层。

再次参见图10，薄膜晶体管阵列层80包括依次叠层设置在衬底基板10上的有源(Active，Act)层801、栅极绝缘(Gate Insulator，GI)层802、栅极(Gate)层803、绝缘(PVX)层804和源漏极(Source Drain，SD)层805。为了简便，图5所示的薄膜晶体管阵列层80仅示出了其中一个薄膜晶体管。

图10所示的薄膜晶体管阵列层80的膜层结构仅为一种示例，在其他实现方式中，薄膜晶体管阵列层80也可以为其他膜层结构，例如，具有两层栅极层等。

在图10所示的结构中，栅极绝缘层802位于有源层801与栅极层803之间，通过栅极绝缘层802将有源层801和栅极层803隔开，保证有源层801和栅极层803之间相互隔开能够独立传输信号。绝缘层804位于栅极层803和源漏极层805之间，保证栅极层803和源漏极层805之间够独立传输信号。源漏极层805和阳极层302之间设置有平坦化层90，使得制作了源漏极层805的显示面板更加平坦，便于制作阳极层302和像素界定层20。

示例性地，有源层801可以为低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)层。LTPS的迁移率高，稳定性好，可以满足高分辨率显示器的要求。

示例性地，栅极绝缘层802可以为无机绝缘层，例如氮化硅(SiN)绝缘层，也可以为有机绝缘层，例如环形树脂绝缘层。氮化硅和环形树脂的绝缘性好，保证栅极绝缘层802的绝缘性。

示例性地，绝缘层804可以为无机绝缘层，例如氮化硅绝缘层，也可以为有机绝缘层，例如环形树脂绝缘层。氮化硅和环形树脂的绝缘性好，保证绝缘层804的绝缘性。

示例性地，栅极层803可以为金属层或氧化铟锡层。保证栅极层803电信号传输的稳定性。

示例性地，源漏极层805可以为金属层或氧化铟锡层。保证源漏极层805电信号传输的稳定性。

其中，阳极层302中的阳极321分别与薄膜晶体管阵列层80中的源漏极层805中的源极851或者漏极852电连接，使得薄膜晶体管可以向阳极321输入电信号。

在本公开实施例中，滤光层50位于封装层60的上方，也即将彩色滤光片制作在封装层上(Color Filter on Encapsulation)，这种结构可以称为COE结构。

图11是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法。参见图11，该方法包括：

在步骤S111中，提供一衬底基板。衬底基板具有多个像素区域。

在步骤S112中，在衬底基板的第一表面形成像素界定层、发光层、导光层和封装层。

其中，像素界定层位于衬底基板的第一表面，像素界定层具有多个开口，多个开口分别位于一个像素区域中；发光层包括多个发光结构，多个发光结构分别位于一个开口中；导光层包括与开口的侧壁贴合的第一部分；封装层位于导光层远离衬底基板的一侧，封装层的部分位于开口内；其中，对于同一个像素区域，第一部分和所述封装层相互配合使得发光结构的边缘发射的光从像素区域的中部射出。

图12是本公开实施例提供的一种显示面板的制作方法，用于形成如图10所示的显示面板。参见图12，该方法包括：

在步骤S121中，提供一衬底基板。

示例性地，衬底基板为玻璃基板或者聚酰亚胺基板。

在步骤S122中，在衬底基板上依次形成缓冲层、薄膜晶体管阵列层和平坦化层。

示例性地，可以依次形成缓冲层、薄膜晶体管阵列层和平坦化层。其中，薄膜晶体管阵列层的结构和材料、以及缓冲层和平坦化层的结构详见上述显示面板中的描述。

在步骤S123中，在平坦化层上形成阳极层。

在本公开实施例中，阳极层可以为氧化铟锡层或金属层。

示例性地，可以通过溅射的方式在平坦化层上形成阳极层。

在步骤S124中，在阳极层上形成像素界定层。

示例性地，可以通过沉积的方式在阳极层上形成一层像素界定薄膜，然后对像素界定薄膜进行图形化得到多个开口，形成像素界定层。

在步骤S125中，在像素界定层远离衬底基板的一侧形成空穴注入层。

示例性地，可以通过沉积的方式在像素界定层上形成空穴注入层。

在步骤S126中，在空穴注入层远离衬底基板的一侧形成空穴传输层。

示例性地，可以通过沉积的方式在空穴注入层上形成空穴传输层。

在步骤S127中，在空穴传输层远离衬底基板的一侧形成发光结构。

示例性地，可以通过沉积的方式在第二缓冲层上形成发光结构。发光结构位于像素界定层的开口内。

在步骤S128中，在发光结构远离衬底基板的一侧形成阴极层。

示例性地，可以通过溅射的方式在发光结构上形成阴极层。

示例性地，阴极层可以为金属银层。

在步骤S129中，在阴极层远离衬底基板的一侧形成耦合出光层。

示例性地，可以通过沉积的方式在阴极层上形成耦合出光层。

在步骤S1210中，采用高精度金属掩模板对所述像素界定层和耦合出光层进行遮挡，使得高精度金属掩模板上的遮挡部与所述开口的底面对应。

示例性地，高精度金属掩模板的结构参见图9。

在步骤S1211中，以氟化锂为靶材，在耦合出光层远离衬底基板的一侧蒸镀导光层。

在步骤S1212中，在导光层远离衬底基板的一侧形成封装层。

在本公开实施例中，封装层为氮氧化硅层。

示例性地，可以通过化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)的方式形成封装层。

在步骤S1213中，在封装层远离所述衬底基板的一侧形成滤光层。

滤光层的具体结构参见上述结构介绍，在此不再赘述。

本公开实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括供电组件和上述所示的显示面板，供电组件用于向显示面板供电。

在本公开实施例中，显示装置可以为有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)显示装置或者量子点(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)显示装置。

在具体实施时，本公开实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：

衬底基板，具有多个像素区域；

像素界定层，位于所述衬底基板的第一表面，所述像素界定层具有多个开口，所述多个开口分别位于多个所述像素区域中；

发光层，包括多个发光结构，所述多个发光结构分别位于多个所述开口中；

导光层，包括与所述开口的侧壁贴合的第一部分；

封装层，位于所述导光层远离所述衬底基板的一侧，所述封装层的部分位于所述开口内；

其中，对于同一个像素区域，所述第一部分和所述封装层相互配合使得所述发光结构的边缘发射的光从所述像素区域的中部射出；

所述第一部分和所述封装层之间具有环形的斜坡面，所述斜坡面的底部在所述第一表面的正投影，位于所述斜坡面的顶部在所述第一表面的正投影的内部，所述斜坡面的底部靠近所述衬底基板，所述斜坡面的顶部远离所述衬底基板；

所述导光层的折射率小于所述封装层的折射率；

所述导光层采用如下方式制作：采用高精度金属掩模板对所述像素界定层和所述发光层进行遮挡，使得所述高精度金属掩模板上的遮挡部与所述开口的底面对应；采用蒸镀的方式，在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成导光层；随着越往所述开口的中心靠近，所述导光层的厚度越来越薄，使得所述第一部分形成斜坡面。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述斜坡面的坡度角的范围为17度至45度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述导光层的折射率的范围为1.3至1.5，所述封装层的折射率的范围为1.7至1.9。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述导光层的材料包括氟化物，所述封装层的材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。

5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：

滤光层，位于所述封装层远离所述衬底基板的一侧，所述滤光层包括多个滤光膜和黑矩阵，所述多个滤光膜分别位于多个所述像素区域中，所述黑矩阵位于相邻的所述滤光膜之间；

所述滤光膜在所述第一表面的正投影位于对应的所述发光结构在所述第一表面的正投影的内部。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述导光层还包括第二部分，所述第二部分位于所述开口内，所述第二部分的边缘与所述第一部分连接，所述第二部分夹设在所述封装层和所述发光结构之间，所述第二部分在所述第一表面的正投影位于所述滤光膜在所述第一表面的正投影内；

或者，所述封装层位于所述开口内的部分与所述发光层接触。

7.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底基板，所述衬底基板具有多个像素区域；

在所述衬底基板的第一表面形成像素界定层、发光层、导光层和封装层，所述像素界定层位于所述衬底基板的第一表面，所述像素界定层具有多个开口，所述多个开口分别位于多个所述像素区域中；所述发光层包括多个发光结构，所述多个发光结构分别位于多个所述开口中；所述导光层包括与所述开口的侧壁贴合的第一部分；所述封装层位于所述导光层远离所述衬底基板的一侧，所述封装层的部分位于所述开口内；其中，对于同一个像素区域，所述第一部分和所述封装层相互配合使得所述发光结构的边缘发射的光从所述像素区域的中部射出；

所述第一部分和所述封装层之间具有环形的斜坡面，所述斜坡面的底部在所述第一表面的正投影，位于所述斜坡面的顶部在所述第一表面的正投影的内部，所述斜坡面的底部靠近所述衬底基板，所述斜坡面的顶部远离所述衬底基板；

所述导光层的折射率小于所述封装层的折射率；

所述导光层采用如下方式制作：采用高精度金属掩模板对所述像素界定层和所述发光层进行遮挡，使得所述高精度金属掩模板上的遮挡部与所述开口的底面对应；采用蒸镀的方式，在所述发光层远离所述衬底基板的一侧形成导光层；随着越往所述开口的中心靠近，所述导光层的厚度越来越薄，使得所述第一部分形成斜坡面。

8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括供电组件和如权利要求1至6任一项所述的显示面板，所述供电组件用于向所述显示面板供电。

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