KR20230099140A

KR20230099140A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20230099140A
Application number: KR1020210188250A
Authority: KR
Inventors: 이준석; 김세준; 금도영
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2021-12-27
Filing date: 2021-12-27
Publication date: 2023-07-04
Also published as: US20230209904A1; CN116367624A

Abstract

본 발명은 발광 영역 및 발광 영역을 둘러싸는 비발광 영역을 포함하는 기판; 기판 상에 구비된 회로 소자층; 회로 소자층 상에 구비된 보호층; 보호층 상에 구비된 평탄화층; 평탄화층 상에 구비된 제1 전극; 제1 전극 상에서 상기 비발광 영역에 구비된 뱅크; 제1 전극 및 상기 뱅크 상에 구비된 발광층; 및 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하며, 평탄화층 및 뱅크는 광을 흡수하는 물질을 포함하는, 표시 장치를 제공한다.

Description

표시 장치{DISPLAY APPARATUS}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal Display), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 및 전계 발광 표시 장치 (ELD: Electroluminescence Display)와 같은 여러 표시 장치가 활용되고 있다. 그리고, 전계 발광 표시 장치는 유기 발광 표시 장치(OLED, Organic Light Emitting Display) 및 퀀텀닷 발광 표시 장치 (QLED. Quantum-dot Light Emitting Display)와 같은 표시장치를 포함할 수 있다.

표시장치들 중에서 전계 발광 표시 장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 전계 발광 표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.

한편, 전계 발광 표시 장치가 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emission) 방식으로 이루어질 경우, 외부의 광으로 인한 반사율을 저감시키기 위하여, 5중막으로 구성된 양극(Anode)을 개시할 수 있다. 예를 들어, 양극(Anode)은 ITO(indium-zinc-oxide) 또는 IZO(indium-zinc-oxide) 등의 투명한 도전성 물질로 이루어진 투명 도전층 및 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti) 등의 금속으로 이루어진 금속층이 교대로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 이 때, 외부에서 유입된 광이 양극(Anode) 내부에서 복수의 금속층에 의해 각각 반사되며 상쇄 간섭이 발생함으로써, 외부에서 유입된 광이 소멸되어 외부의 광으로 인한 반사율을 저감시킬 수 있다.

하지만, 발광층에서 방출된 광이 전계 발광 표시 장치의 하부 방향으로 진행할 경우, 발광층에서 방출된 광도 양극(Anode) 내부에서 상쇄 간섭이 발생하여 소멸될 수 있으므로, 시야각에 따른 색차의 변화 및 반사율의 변화가 발생하는 문제가 있다.

본 발명은 외부 광의 반사율을 저감하면서도 광 효율이 개선된 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 발광 영역 및 발광 영역을 둘러싸는 비발광 영역을 포함하는 기판; 기판 상에 구비된 회로 소자층; 회로 소자층 상에 구비된 보호층; 보호층 상에 구비된 평탄화층; 평탄화층 상에 구비된 제1 전극; 제1 전극 상에서 상기 비발광 영역에 구비된 뱅크; 제1 전극 및 상기 뱅크 상에 구비된 발광층; 및 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하며, 평탄화층 및 뱅크는 광을 흡수하는 물질을 포함하는, 표시 장치를 제공한다.

본 발명에 따르면, 광을 흡수하는 물질을 포함하는 평탄화층을 형성함으로써, 외부의 광의 반사율을 저감시키면서도, 표시장치의 광 효율을 개선하는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예를 보여주는 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시 예를 보여주는 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 외부의 광의 경로를 보여주는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광학 밀도와 반사율의 관계를 보여주는 그래프이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.

제1 실시예

도 1은 본 발명의 제1 실시 예를 보여주는 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이다.

도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 회로 소자층(200), 보호층(300), 평탄화층(400), 발광소자(500), 뱅크(540) 및 봉지층(600)을 포함할 수 있다.

기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 기판(100)에는 복수의 서브 화소가 구비되어 있으며, 도 1에서는 하나의 서브 화소만을 도시하였다. 서브 화소 각각은 발광층(520)에서 빛이 방출되는 발광 영역(EA) 및 발광 영역(EA)을 둘러싸는 비발광 영역(NEA)을 포함하여 구성될 수 있다.

본 발명의 제1 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광된 광이 상부 쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emission) 방식으로 이루어지고, 따라서, 기판(100)의 재료로는 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다.

회로 소자층(200)은 기판(100) 상에 형성되며, 회로 소자층(200)에는 각종 신호 배선들, 복수의 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 구비될 수 있다. 본원발명의 도 1에서는 회로 소자층(200)의 구동 박막 트랜지스터(TFT) 및 층간 절연층(250)을 상세히 도시하였다.

구동 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브층(210), 게이트 절연층(220), 게이트 전극(230), 소스 전극(241), 및 드레인 전극(242)를 포함할 수 있다.

액티브층(210)은 기판(100) 상에 구비된다. 액티브층(210)은 In-Ga-Zn-O(IGZO)와 같은 산화물 반도체로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘계 반도체로 이루어질 수도 있다. 또한, 액티브층(210)은 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 구동 시 채널이 형성되는 채널 영역, 채널 영역 양 측의 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다. 소스 영역은 소스 전극(241)과 연결된 액티브층(210)의 부분을 의미하며, 드레인 영역은 드레인 전극(242)과 연결된 액티브층(210)의 부분을 의미한다.

게이트 절연층(220)은 액티브층(210) 상에 구비되어, 게이트 전극(230)을 액티브층(210)으로부터 절연시킬 수 있다. 게이트 절연층(220)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 게이트 절연층(220)에는 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(241) 및 드레인 전극(242) 각각이 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 액티브층(210)의 소스 영역 및 드레인 영역 각각에 연결되기 위한 컨택홀이 형성될 수 있다.

게이트 전극(230)은 게이트 절연층(220) 상에 구비된다. 게이트 전극(230)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

층간 절연층(250)은 게이트 절연층(220) 및 게이트 전극(230) 상에 구비된다. 층간 절연층(300)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

소스 전극(241) 및 드레인 전극(242)은 서로 마주하면서 층간 절연층(250) 상에 구비된다. 또한, 소스 전극(241) 및 드레인 전극(242) 각각은 층간 절연층(250)에 형성된 콘택홀을 통해 액티브층(210)과 연결될 수 있다. 소스 전극(241) 및 드레인 전극(242)은 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 티타늄(Ti), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd)중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 제1 실시 예의 구동 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극(230)이 액티브층(210)의 위에 형성된 탑 게이트(Top Gate) 구조를 개시하고 있으나, 게이트 전극(230)이 액티브층(210)의 아래에 형성된 보텀 게이트(Bottom Gate) 구조를 개시할 수도 있다.

보호층(300)은 소스 전극(241), 드레인 전극(242) 및 층간 절연층(250) 상에 구비된다. 보호층(300)은 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지는 않으며, 보호층(300)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등과 같은 유기 물질로 형성될 수도 있다.

평탄화층(400)은 보호층(300) 상에 구비되어, 회로 소자층(200)에 구비된 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 사이의 단차를 보상할 수 있다. 평탄화층(400)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다. 또는, 평탄화층(400)은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기막으로 형성될 수도 있다. 또한, 평탄화층(400)은 광을 흡수하는 블랙 염료를 포함하여 형성되어, 평탄화층(400)에 입사되는 외부의 광을 대부분 흡수할 수 있다.

제1 전극(510)은 평탄화층(400) 상에 구비되며, 유기 발광 표시 장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다. 제1 전극(510)은 회로 소자층(200)에 구비된 드레인 전극(242)과 연결되어 있다.

제1 전극(510)은 투명 도전층(511) 및 저반사 금속층(512)을 포함하여 이루어질 수 있다.

저반사 금속층(512)은 평탄화층(400) 상에 구비된다. 저반사 금속층(512)은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti) 등의 금속 물질 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다.

저반사 금속층(512)은 광의 일부를 반사시키고, 광의 나머지 일부는 투과시킬 수 있다. 또한, 저반사 금속층(512)에서 반사되는 광의 양은 저반사 금속층(512)을 투과하는 광의 양보다 적을 수 있다. 구체적으로, 저반사 금속층(512)에서 반사되는 광은 표시 장치의 상부 방향으로 진행되어 발광 영역(EA)에서 방출되는 광의 양을 증가시킬 수 있으며, 저반사 금속층(512)에서 투과되는 광은 저반사 금속층(512)의 하부에 구비된 평탄화층(400)에 입사되어 평탄화층(400)에 흡수될 수 있다. 이에 따라, 표시 장치에서 외부의 광에 의한 반사율을 저감하면서도, 광 효율이 감소되는 것을 최소화할 수 있다.

투명 도전층(511)은 저반사 금속층(512) 상에 구비될 수 있다. 또한, 투명 도전층(511)은 저반사 금속층(512)에서 반사된 광을 표시 장치의 상부 방향으로 투과시키기 위하여, 투명한 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 투명 도전층(511)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 물질의 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.

도 1에 도시되지는 않았으나, 투명 도전층(511)은 저반사 금속층(512)과 평탄화층(400) 사이에 추가적으로 구비되어, 저반사 금속층(512)과 평탄화층(400) 사이의 접착력을 향상시킬 수 있다.

뱅크(540)는 제1 전극(510) 상에 형성되면서 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)을 정의한다. 즉, 뱅크(540)가 형성되지 않은 영역이 발광 영역(EA)이 되며, 뱅크(540)가 형성된 영역이 비발광 영역(NEA)이 될 수 있다.

뱅크(540)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다. 또는, 뱅크(540)는 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 또는 티타늄 산화물 등의 무기막으로 형성될 수도 있다. 또한, 뱅크(540)는 외부에서 입사되는 광을 흡수하기 위해, 블랙 염료를 포함하여 형성되며, 평탄화층(400)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

발광층(520)은 제1 전극(510) 상에 형성된다. 발광층(520)은 뱅크(540) 상에도 형성될 수 있다. 즉, 발광층(520)은 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)에도 형성될 수 있다.

발광층(520)은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 발광층(light emitting layer), 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 전극(510)과 제2 전극(530)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층과 전자 수송층을 통해 발광층으로 이동하게 되며, 발광층에서 서로 결합하여 발광하게 된다.

발광층(520)은 백색 광을 발광하도록 구비될 수 있다. 이를 위해서, 발광층(520)은 서로 상이한 색상의 광을 발광하는 복수의 스택(stack)을 포함하여 이루어질 수 있다.

제2 전극(530)은 발광층(520) 상에 형성되어 있다. 제2 전극(530)은 유기 발광 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 제2 전극(530)은 발광층(520)과 마찬가지로 발광 영역(EA) 및 비발광 영역(NEA)에도 형성된다.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 발광 표시 장치는 상부 발광 방식으로 이루어지기 때문에, 제2 전극(530)은 발광층(520)에서 발광된 광을 상부 쪽으로 투과시키기 위해서, ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명한 도전성 물질로 이루어진다.

봉지층(600)은 제2 전극(530) 상에 형성되어 발광층(520)으로 외부의 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 봉지층(600)은 무기절연물로 이루어질 수도 있고, 무기절연물과 유기절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있다, 하지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 도시하지는 않았지만, 봉지층(600) 상에는 발광층(520)에서 방출된 광의 색깔을 변환하는 컬러 필터가 구비될 수 있으며, 컬러 필터 상에는 보호 필름이 추가로 구비될 수 있다.

제2 실시 예

도 2는 본 발명의 제2 실시 예를 보여주는 전계 발광 표시 장치의 개략적인 단면도이며, 도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 외부의 광의 경로를 보여주는 단면도이다.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 도 2에 따른 표시 장치는 도 1에 따른 표시 장치에서 평탄화층(400) 및 제1 전극(510)의 구성이 변경된 구조를 개시하고 있다. 또한, 도 2에 따른 표시 장치는 추가적으로 고반사 금속층(350)을 포함하고 있다. 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

고반사 금속층(350)은 보호층(300) 상에 구비되며, 외부에서 입사되는 광을 반사시킬 수 있다. 또한, 고반사 금속층(350)은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag) 등의 금속 물질 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다. 또한, 고반사 금속층(350)은 발광 영역(EA)에 형성되며, 고반사 금속층(350)의 양 끝단은 발광 영역(EA)에서 연장되어 비발광 영역(NEA)에도 형성될 수 있다.

도 2에 도시되지는 않았으나, 고반사 금속층(350)의 상부 또는 하부에는 투명 도전층이 추가적으로 구비될 수 있다. 구체적으로, 고반사 금속층(350)과 평탄화층(400) 사이에 투명 도전층이 추가적으로 구비되어, 고반사 금속층(350)과 평탄화층(400) 사이의 접착력을 증가시킬 수 있다. 또는, 고반사 금속층(350)과 보호층(300) 사이에 투명 도전층이 추가적으로 구비되어, 고반사 금속층(350)과 보호층(300) 사이의 접착력을 증가시킬 수 있다. 이 때, 투명 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 이루어지므로, 고반사 금속층(350)에서 반사되는 광이 투과될 수 있다.

평탄화층(400)은 보호층(300) 및 고반사 금속층(350) 상에 구비되어, 회로 소자층(200)에 구비된 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 사이의 단차를 보상할 수 있다. 평탄화층(400)은 유기막 또는 무기막으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있다.

평탄화층(400)은 광학 밀도(Optical Density) 값이 비교적 낮은 물질로 이루어질 수 있다. 즉, 평탄화층(400)을 이루는 물질의 광학 밀도는 뱅크(540)를 이루는 물질의 광학 밀도보다 낮을 수 있다. 광학 밀도의 값이 낮은 물질일수록, 입사되는 광이 물질에 흡수되는 양은 감소하는 반면, 입사되는 광이 물질을 투과하는 양은 증가한다. 따라서, 평탄화층(400)으로 입사되는 외부의 광의 일부분은 평탄화층(400)에 흡수되고, 흡수되지 않은 외부의 광은 평탄화층(400)을 투과할 수 있다.

제1 전극(510)은 평탄화층(400) 상에 구비되며, 표시 장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다. 제1 전극(510)은 회로 소자층(200)에 구비된 드레인 전극(242)과 연결되어 있다. 또한, 제1 전극(510)은 고반사 금속층(350)에서 반사된 광을 표시 장치의 상부 방향으로 투과시키기 위하여, 투명한 전도성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(510)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 전도성 물질의 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.

도 3을 참고하여, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 외부의 광의 경로를 설명하기로 한다.

먼저, 외부의 광이 평탄화층(400)으로 입사될 수 있다. 또한, 발광층(520)에서 방출된 빛의 일부도 표시 장치의 하부 방향으로 향하며 평탄화층(400)에 입사될 수도 있다.

평탄화층(400)은 광학 밀도(Optical Density) 값이 비교적 낮은 물질로 이루어진다. 광학 밀도의 값이 낮은 물질일수록, 입사되는 광이 물질에 흡수되는 양은 감소하는 반면, 입사되는 광이 물질을 투과하는 양은 증가한다. 따라서, 평탄화층(400)으로 입사되는 외부의 광의 일부분은 평탄화층(400)에 흡수되고, 평탄화층(400)에 흡수되지 않은 외부의 광은 평탄화층(400)을 투과할 수 있다.

평탄화층(400)에 입사된 광의 일부분은 평탄화층(400)을 투과하여 고반사 금속층(350)에 입사될 수 있다. 고반사 금속층(350)은 입사된 광을 대부분 반사시키며, 반사된 광은 표시 장치의 상부 방향으로 진행될 수 있다.

고반사 금속층(350)에서 반사된 광은 다시 평탄화층(400)으로 입사될 수 있다. 전술한 바와 마찬가지로, 평탄화층(400)에 입사된 광의 일부분은 평탄화층(400)에 흡수되고, 평탄화층(400)에 흡수되지 않은 광은 평탄화층(400)을 투과할 수 있다.

최종적으로, 평탄화층(400)을 투과한 광은 제1 전극(510)을 투과하여, 표시 장치의 상부 방향으로 방출될 수 있다.

따라서, 제1 실시 예의 평탄화층(400)은 블랙 염료로 이루어졌으나, 제2 실시 예의 평탄화층(400)은 광학 밀도가 낮은 물질로 이루어지므로, 제1 실시 예에 비하여 제2 실시 예에서 평탄화층(400)에 흡수되는 광의 양을 감소시킬 수 있다. 또한, 제2 실시 예는 고반사 금속층(350)을 구비함으로써, 평탄화층(400)을 투과하는 광의 대부분을 표시 장치의 상부 방향으로 방출시킬 수 있다. 이에 따라, 제1 실시 예와 비교하여, 외부에서 입사된 광의 반사율을 어느 정도 저감하면서도, 표시 장치의 광 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광학 밀도(O.D)와 표시 장치의 반사율의 관계를 보여주는 그래프이다. 즉, 도 2에 개시된 제2 실시 예의 구조에서, 평탄화층(400)의 광학 밀도(O.D)의 값에 따른 표시 장치의 반사율의 값을 보여주고 있다. 이 때, 표시 장치의 반사율은 도 3에서 기술한 바와 같이, 외부의 광이 평탄화층(400) 및 고반사 금속층(350)에 의해 흡수되거나 반사되어 최종적으로 표시 장치의 상부 방향으로 방출된 광의 반사율을 의미한다.

표시 장치에서 방출되는 광은 발광층(520)에서 직접 방출되는 광과 표시 장치의 내부에서 반사되는 광을 포함하여 이루어진다. 따라서, 표시 장치의 반사율의 값이 매우 낮을 경우, 표시 장치의 내부에서 반사되는 광의 양도 감소하므로, 표시 장치의 광 효율은 감소될 수 있다. 반면, 반사율이 값이 매우 높을 경우, 표시 장치의 시인성이 감소할 수 있다.

도 4를 참고하면, 광학 밀도(O.D)의 값이 낮아질수록, 반사율의 값이 증가하는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 평탄화층(400)의 광학 밀도(O.D)의 값은 비교적 낮은 값일수록 바람직하다. 구체적으로, 표시 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있는 반사율의 범위는 통상적으로 5% 이상 7% 이하의 범위이므로, 평탄화층(400)의 광학 밀도(O.D)의 값은 0.15 이상 0.3 이하의 범위에 포함되는 게 바람직할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

100: 제1 기판 200: 회로 소자층
210: 액티브층 220: 게이트 절연층
230: 게이트 전극 241: 소스 전극
242: 드레인 전극 250: 층간 절연층
300: 보호층 350: 고반사 금속층
400: 평탄화층 500: 발광 소자
510: 제1 전극 511: 투명 도전층
512: 저반사 금속층 520: 발광층
530: 제2 전극 540: 뱅크
600: 봉지층

Claims

발광 영역 및 상기 발광 영역을 둘러싸는 비발광 영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 구비된 회로 소자층;
상기 회로 소자층 상에 구비된 보호층;
상기 보호층 상에 구비된 평탄화층;
상기 평탄화층 상에 구비된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에서 상기 비발광 영역에 구비된 뱅크;
상기 제1 전극 및 상기 뱅크 상에 구비된 발광층; 및
상기 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하며,
상기 평탄화층 및 상기 뱅크는 광을 흡수하는 물질을 포함하는, 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 평탄화층 상에 구비된 저반사 금속층 및 상기 저반사 금속층 상에 구비된 투명 도전층을 포함하는, 표시 장치.
제2 항에 있어서,
상기 저반사 금속층은 몰리브덴(Mo) 또는 티타늄(Ti)을 포함하여 이루어지고,
상기 투명 도전층은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)을 포함하여 이루어진, 표시 장치.
제2 항에 있어서,
상기 저반사 금속층과 상기 평탄화층 사이에 상기 투명 도전층이 더 구비되는, 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 평탄화층 및 상기 뱅크는 블랙 염료를 포함하는, 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 보호층과 상기 평탄화층 사이에는 고반사 금속층이 더 구비되는, 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 고반사 금속층은 상기 발광 영역에 형성되는, 표시 장치.
제7 항에 있어서,
상기 고반사 금속층의 양 끝단은 상기 발광 영역에서 연장되어, 상기 비발광 영역에 구비되는, 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 고반사 금속층은 알루미늄(Al) 또는 은(Ag)을 포함하여 이루어진, 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 고반사 금속층의 상부 또는 하부에는 투명 도전층이 추가적으로 구비된, 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 평탄화층을 이루는 물질의 광학 밀도의 값은 상기 뱅크를 이루는 물질의 광학 밀도의 값보다 낮은, 표시 장치.
제11 항에 있어서,
상기 평탄화층을 이루는 물질의 광학 밀도의 값은 0.15 이상 0.3 이하의 범위에 포함되는, 표시 장치.