CN112713249B - 显示面板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括：发光层；电极层，覆盖所述发光层出光面的一侧；光取出层，覆盖所述电极层背离所述发光层一侧，沿所述发光层指向所述电极层的方向上，所述光取出层的至少一侧表面设置有多个第一图案；保护层，覆盖所述光取出层背离所述电极层一侧；其中，所述电极层和/或所述保护层靠近所述光取出层一侧的表面设置有与所述第一图案嵌合的第二图案。通过上述设计方式，可以增大光取出层与其两侧的电极层或保护层之间的接触面积，以增强界面结合力，降低光取出层与电极层或保护层分层的概率。

Description

显示面板及其制备方法
技术领域
本申请属于显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着显示技术的快速发展，OLED已成为当今超薄、大面积平板显示器件研究的热门。它作为自发光器件，具有高亮度、高发光效率等优点，但同时也存在膜层分层严重等问题。
例如，为了有效提升显示面板的出光率，一般会在位于出光面一侧的电极层上设置光取出层。但是光取出层与其两侧的其他膜层之间结合力较低，容易与其两侧的其他膜层产生分离。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法，以解决光取出层容易与其他膜层分离的技术问题。
为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，包括：发光层；电极层，覆盖所述发光层的出光面一侧；光取出层，覆盖所述电极层背离所述发光层一侧，沿所述发光层指向所述电极层的方向上，所述光取出层的至少一侧表面设置有多个第一图案；保护层，覆盖所述光取出层背离所述电极层一侧；其中，所述电极层和/或所述保护层靠近所述光取出层一侧的表面设置有与所述第一图案嵌合的第二图案。
其中，所述第一图案和所述第二图案为凹槽和/或凸起；优选地，所述光取出层上的至少部分凹槽裸露所述电极层，所述保护层填充所述凹槽并与所述电极层接触。其中，所述发光层包括间隔设置的多个发光单元，所述凹槽和所述凸起在所述显示面板所在平面上的正投影与所述发光单元在所述显示面板所在平面上的正投影不重叠。
其中，所述发光层包括像素限定单元，所述像素限定单元位于相邻两个所述发光单元之间；其中，所述像素限定单元上方的所述电极层存在多个通孔，所述通孔裸露所述像素限定单元的部分表面；所述光取出层填充至少部分所述通孔并与所述像素限定单元表面接触。
其中，所述光取出层上的凹槽在所述显示面板所在平面上的正投影被所述通孔在所述显示面板所在平面上的正投影覆盖；所述保护层填充所述通孔未被所述光取出层填充的部分并与所述像素限定单元表面接触。
其中，沿所述发光层指向所述电极层的方向，所述光取出层上的凹槽的开口逐渐增大。
其中，所述光取出层的材料为有机材料，所述保护层的材料为无机材料。
为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种显示面板的制备方法，包括：在发光层的出光面一侧形成电极层；在所述电极层背离所述发光层一侧形成光取出层；在所述光取出层背离所述电极层一侧形成保护层，其中，沿所述发光层指向所述电极层的方向上，所述光取出层的至少一侧表面形成有多个第一图案，所述电极层和/或所述保护层靠近所述光取出层一侧的表面设置有与所述第一图案嵌合的第二图案。
其中，所述第一图案为凹槽，所述在所述电极层背离所述发光层一侧形成光取出层的步骤，包括：利用掩膜版和蒸镀的方式在所述电极层背离所述发光层一侧形成所述光取出层，其中，被所述掩膜版遮盖的所述电极层位置与所述凹槽位置对应，且所述电极层从所述凹槽中裸露。
其中，所述利用掩膜版和蒸镀的方式在所述电极层背离所述发光层一侧形成所述光取出层的步骤之前，包括：使所述掩膜版和所述电极层之间的第一间距大于第一阈值，以使在沿所述发光层指向所述电极层的方向上，形成的所述光取出层的横截面面积逐渐减小；和/或，使所述掩膜版和蒸镀源之间的第二间距小于第二阈值，以使在沿所述发光层指向所述电极层的方向上，形成的所述光取出层的横截面面积逐渐减小；其中，所述掩膜版位于所述蒸镀源和所述电极层之间。
区别于现有技术情况，本申请的有益效果是：本申请所提供的显示面板中的光取出层上设置有多个第一图案，分别位于光取出层两侧的电极层和/或保护层与光取出层贴合的表面形成与第一图案嵌合的第二图案。通过多个第一图案的设计方式，可以增大光取出层与其两侧的电极层或保护层之间的接触面积，以增强界面结合力，降低光取出层与电极层或保护层剥离的概率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1为本申请显示面板一实施方式的结构示意图；
图2为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图；
图3为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图；
图4为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图；
图5为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图；
图6为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图；
图7为本申请显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1，图1为本申请显示面板一实施方式的结构示意图。该显示面板10可以为OLED显示面板等，其可具有刚性或者柔性或者可折叠性等。在本实施例中，显示面板10包括发光层100、电极层102、光取出层104和保护层106。
具体而言，发光层100包括间隔设置的多个发光单元1000，相邻发光单元1000之间可以被像素限定单元1002间隔开。发光单元1000可以发红色光或绿色光或蓝色光或白色光等。
电极层102覆盖发光层100的出光面一侧，电极层102可以为阴极，在一些实施例中，多个发光单元1000可以共用一个阴极。阴极的材质可以为无机物，包括银Ag、镁Mg、镱Yb中至少一种。当然，在其他实施例中，电极层102也可非连续覆盖发光层100的出光面一侧，每个发光单元1000可以单独设置有一个对应的阴极。此外，发光层100背离阴极一侧还设置有多个阳极101，每个发光单元1000对应设置有一个阳极101，阳极101的材质可以为无机物，包括氧化铟锡ITO等。
光取出层104覆盖电极层102背离发光层100一侧，光取出层104的材质可以为折射率较高的有机材料，例如，咪唑类等。光取出层104的厚度可以为18nm-22nm，例如，20nm等。
保护层106覆盖光取出层104背离电极层102一侧，该保护层106的材质可以为无机材料，例如氟化锂LiF等，其可以减少后续薄膜封装过程中强氧化性材料与发光层100、电极层102发生化学反应的概率，以提升显示面板10的寿命。在本实施例中，LiF的厚度可以为3nm-5nm，例如4nm等。上述厚度的LiF可以在满足保护性能的基础上，尽可能减少其对光取出效率的影响。
进一步，沿发光层100指向电极层102的方向上，光取出层104的至少一侧表面上设置有多个第一图案1040，电极层102与光取出层104贴合的表面、或保护层106与光取出层104贴合的表面形成与第一图案1040嵌合的第二图案(未标示)。通过多个第一图案1040的设计方式，可以增大光取出层104与其两侧的电极层102或保护层106之间的接触面积，以增强界面结合力，降低光取出层104与电极层102或保护层106剥离的概率。
可选地，第一图案1040和第二图案为凹槽和/或凸起。该第一图案1040和第二图案的结构设计方式较为简单，且工艺易于形成。
在一个实施例中，如图1所示，第一图案1040为凹槽，第二图案为与凹槽嵌合的凸起。且光取出层104上的至少部分凹槽裸露下方的电极层102，即至少部分凹槽为贯通槽。此时，电极层102可以处于同一个平面上或者处于凹凸不平的表面上，保护层106与光取出层104贴合的表面形成与凹槽匹配的凸起，即保护层106填充凹槽。一般而言，保护层106和电极层102的材质均为无机物，无机物与无机物之间的结合力大于有机物与无机物之间的结合力。即在上述设计方式中，保护层106穿过光取出层104后与电极层102直接接触，光取出层104相当于被限制在保护层106与电极层102之间，从而可以进一步降低光取出层104与其两侧的保护层106和电极层102分离的概率。
进一步，上述图1中结构形成的过程可以为：先采用通用掩膜版CMM在发光层100表面蒸镀形成电极层102；然后利用精密掩膜版FMM在电极层102的表面蒸镀形成光取出层104，其中，精密掩膜版上可以设置有多个开口区域，光取出层104仅在开口区域中形成，即所形成的光取出层104上具有多个贯通光取出层104的凹槽；接着利用通用掩膜版在光取出层104上蒸镀形成保护层106，保护层106填充凹槽。
在又一个实施例中，如图2所示，图2为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图。光取出层104a上设置的多个第一图案1040a为非贯通的凹槽。此时，该凹槽的开口方向可以朝向电极层102a远离发光层100一侧设置，电极层102a与光取出层104a贴合的表面形成与凹槽匹配的凸起，即电极层102a填充凹槽。该设计方式可以增大电极层102a与光取出层104a之间的接触面积，以增大两者之间的结合力。
进一步，上述图2中结构形成的过程可以为：在发光层100的像素限定单元1002上设置间隔件108；然后采用通用掩膜版在发光层100以及间隔件108表面蒸镀形成电极层102a。由于间隔件108的作用，位于间隔件108表面的电极层102a相对位于发光单元1000表面上的电极层102a而言向外凸出。接着利用通用掩膜版在电极层102a的表面蒸镀形成光取出层104a，位于间隔件108位置处的光取出层104a相当于形成了非贯通的凹槽；最后利用通用掩膜版在光取出层104a上蒸镀形成保护层106a。
在又一个实施例中，如图3所示，图3为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图。光取出层104b上设置的多个第一图案1040b为非贯通的凹槽。此时，该凹槽的开口方向可以朝向保护层106b一侧设置。保护层106b与光取出层104b贴合的表面形成与凹槽匹配的形状。该设计方式可以增大保护层106b与光取出层104b之间的接触面积，以增大两者之间的结合力。
进一步，上述图3中结构形成的过程可以为：先采用通用掩膜版在发光层100表面蒸镀形成电极层102；然后利用通用掩膜版在电极层102的表面蒸镀形成第一光取出子层；接着利用精密掩膜版在第一光取出子层表面蒸镀形成第二光取出子层，第一光取出子层和第二光取出子层共同形成光取出层104b；其中，精密掩膜版上可以设置有多个开口区域，第二光取出子层仅在开口区域中形成，未被第二光取出子层覆盖的第一光取出子层的位置形成凹槽；接着利用通用掩膜版在光取出层104b上蒸镀形成保护层106b，保护层106b覆盖凹槽。
在又一个实施例中，如图4中所示，图4为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图。光取出层104c上设置的多个第一图案1040c为凸起。此时，该凸起可以朝向保护层106c一侧设置。保护层106c与光取出层104c贴合的表面形成与凸起匹配的凹槽。该设计方式可以增大保护层106c与光取出层104c之间的接触面积，以增大两者之间的结合力。
进一步，上述图4中结构形成的过程可以为：先采用通用掩膜版在发光层100表面蒸镀形成电极层102；然后利用通用掩膜版在电极层102的表面蒸镀形成第一光取出子层；接着利用精密掩膜版在第一光取出子层表面蒸镀形成第二光取出子层，第一光取出子层和第二光取出子层共同形成光取出层104c；其中，精密掩膜版上可以设置有多个开口区域，第二光取出子层仅在开口区域中形成，第二光取出子层的位置形成凸起；接着利用通用掩膜版在光取出层104c上蒸镀形成保护层106c，保护层106c覆盖凸起。
需要说明的是，请再次参阅图1或图2或图3或图4，光取出层104中凹槽(即第一图案1040)和凸起的位置均与发光层100中发光单元1000错开设置。即光取出层104中凹槽和凸起在显示面板10所在平面上的正投影与发光单元1000在显示面板10所在平面上的正投影不重叠，光取出层104中凹槽和凸起的位置与像素限定单元1002对应，光取出层104中凹槽或凸起并不会影响整个显示面板10的光取出效率。
较佳地，以图1中结构为例，光取出层104对应每个像素限定单元1002的位置均可对应设置有一个凹槽(即第一图案1040)或凸起，该设计方式可以最大程度上增大光取出层104与相邻的电极层102或保护层106之间的结合力。
在本实施例中，请再次参阅图1，沿发光层100指向电极层102a的方向上，光取出层104上的凹槽(即第一图案1040)的开口逐渐增大；较佳地，在发光层100至保护层106方向上，凹槽的竖截面为倒梯形。该设计方式的光取出层104在制备时较为容易制得。进一步，凹槽的侧面为斜面，该斜面与其靠近电极层102一侧表面之间的夹角α大于或等于45°且小于90°，例如，50°、60°、70°等。该设计方式可以使得相邻光取出单元1042之间的凹槽的尺寸尽可能大，从而尽可能增大保护层106或电极层102与光取出层104之间的接触面积，以降低分层风险。当然，在其他实施例中，沿远离发光层100的方向，凹槽的竖截面也可为其他形状，凹槽的侧面可以为阶梯面等，本申请对此不作限定。
进一步，为了不影响显示面板10的光取出效率，如图1中所示，光取出层104包括多个间隔设置的光取出单元1042，相邻光取出单元1042之间被贯通的凹槽(即第一图案1040)间隔开，能够避免相邻发光单元1000之间发生光串扰。在电极层102至保护层106方向上，光取出单元1042的最小横截面在发光层100上的正投影覆盖对应位置处的发光单元1000。即在电极层102至保护层106方向上，光取出单元1042的最小横截面面积大于或等于对应位置处的发光单元1000的最大横截面面积。
在又一个实施例中，请参阅图5，图5为本申请显示面板又一实施方式的结构示意图。像素限定单元1002d上方的电极层102d存在多个通孔1020d，通孔1020d裸露像素限定单元1002d的部分表面；光取出层104d填充至少部分通孔1020d并与像素限定单元1002d表面接触。一般而言，像素限定单元1002d为有机材料，光取出层104d也为有机材料，有机材料与有机材料之间的结合力较大，从而可以进一步降低光取出层104d与周围膜层之间发生分层的概率。
进一步，如图5所示，光取出层104d上的凹槽(即上述提及的第一图案1040d)在显示面板10d所在平面上的正投影与通孔1020d在显示面板10d平面上的正投影错开设置，光取出层104d填充通孔1020d并与像素限定单元1002d表面接触。在该设计方式中，同为有机材料的光取出层104d与像素限定单元1002d之间接触，同为无机材料的电极层102d与保护层106d之间接触，以进一步降低膜层之间分层的概率。
当然，在其他实施例中，通孔1020e和光取出层104e上的凹槽(即上述提及的第一图案1040e)的设置方式也可为其他。例如，如图6所示，图6为本申请显示面板另一实施方式的结构示意图。光取出层104e上的凹槽在显示面板10e所在平面上的正投影被通孔1020e在显示面板10e平面上的正投影覆盖；可选地，通孔1020e在显示面板10e平面上的正投影面积和光取出层104e上的凹槽在显示面板10e所在平面上的正投影面积之间的比值可以在2:1到1.5:1之间；保护层106e填充通孔1020e未被光取出层104e填充的部分并与像素限定单元1002e表面接触。该设计方式不仅可以增大保护层106e和光取出层104e之间的接触面积，同时保护层106e和像素限定单元1002e之间接触可以防止光取出层104e和电极层102e之间的剥离，还能降低水氧入侵发光单元的可能性。
此外，请再次参阅图1，本申请所提供的显示面板10还可以包括封装层103，位于保护层106背离光取出层104一侧。可选的，保护层106为无机材料，封装层103与保护层106接触的一侧为无机材料，通过该设计方式以增大保护层106和封装层103之间的结合力，以降低保护层106和封装层103之间出现剥离的概率。
下面从制备方法的角度对上述显示面板作进一步说明。请一并参阅图1和图7，图7为本申请显示面板的制备方法一实施方式的流程示意图，该制备方法包括：
S101：在发光层100一侧形成电极层102。
具体地，发光层100包括间隔设置的多个发光单元1000，可以通过通用掩膜版和蒸镀的方式在发光层100表面形成电极层102，此时多个发光单元1000可以共用同一个电极层102。
S102：在电极层102背离发光层100一侧形成光取出层104，其中，沿发光层100指向电极层102的方向上，光取出层104的至少一侧表面形成有多个第一图案1040。
具体地，如图1中所示，当第一图案1040为凹槽，且至少部分凹槽裸露下方的电极层102时，上述步骤S102具体包括：利用掩膜版和蒸镀的方式在电极层102背离发光层100一侧形成光取出层1040，其中，被掩膜版遮盖的电极层102位置与凹槽位置对应，且电极层102从凹槽中裸露。而为了进一步增大光取出单元1042与保护层106之间的接触面积，沿远离发光层100的方向，光取出层104上的凹槽的开口逐渐增大，即沿远离发光层100的方向，凹槽的竖截面为倒梯形。而形成倒梯形的方式可以为在蒸镀过程中增大蒸镀阴影效应，当掩膜版的开口离待蒸镀基板的距离越远，则在沿待蒸镀基板指向掩膜板的方向上，蒸渡形成的膜层的横截面面积逐渐变小。例如，在利用掩膜版和蒸镀的方式在电极层102背离发光层100一侧形成光取出层104的步骤之前，包括：调节掩膜版和电极层102之间的第一间距大于第一阈值，以使在沿发光层100指向电极层102的方向上，所形成的光取出层的横截面面积逐渐减小；和/或，调节掩膜版和蒸镀源之间的第二间距小于第二阈值，以使在沿发光层100指向电极层102的方向上，所形成的光取出层的横截面面积逐渐减小；其中，掩膜版位于蒸镀源和电极层102之间，从而使得在沿发光层100指向电极层102的方向上，光取出层中的凹槽的开口逐渐增大。具体第一阈值和第二阈值的大小可根据实际情况进行设定。另外，在蒸镀过程中所采用的蒸镀源可以为线蒸镀源或面蒸镀源。
而对于图2或图3或图4中形成光取出层的方法可参见结构部分描述，而当需要在光取出层中形成梯形的凹槽或凸起的过程可参见上述利用阴影蒸镀效应的方式，具体不再赘述。
S103：在光取出层104背离电极层102一侧形成保护层106；其中，电极层102和/或保护层106靠近光取出层104一侧的表面设置有与第一图案1040嵌合的第二图案。
具体地，可以通过通用掩膜版和蒸镀的方式在形成上述保护层106。而为了后续在保护层106上沉积封装层过程较为容易，保护层106背离光取出层104一侧表面可以平整。
以上仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：
发光层；
电极层，覆盖所述发光层的出光面一侧；
光取出层，覆盖所述电极层背离所述发光层一侧，沿所述发光层指向所述电极层的方向上，所述光取出层的至少一侧表面设置有多个第一图案；
保护层，覆盖所述光取出层背离所述电极层一侧；
其中，所述电极层和/或所述保护层靠近所述光取出层一侧的表面设置有与所述第一图案嵌合的第二图案；
所述第一图案包括凹槽且第二图案包括凸起，所述光取出层上的至少部分凹槽裸露所述电极层，所述保护层填充所述凹槽并与所述电极层接触；
所述发光层包括间隔设置的多个发光单元，所述凹槽和所述凸起在所述显示面板所在平面上的正投影与所述发光单元在所述显示面板所在平面上的正投影不重叠；
所述发光层包括像素限定单元，所述像素限定单元位于相邻两个所述发光单元之间；其中，所述像素限定单元上方的所述电极层存在多个通孔，所述通孔裸露所述像素限定单元的部分表面；所述光取出层填充至少部分所述通孔并与所述像素限定单元表面接触；
所述光取出层上的凹槽在所述显示面板所在平面上的正投影被所述通孔在所述显示面板所在平面上的正投影覆盖；所述保护层填充所述通孔未被所述光取出层填充的部分并与所述像素限定单元表面接触。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
沿所述发光层指向所述电极层的方向，所述光取出层上的凹槽的开口逐渐增大。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述光取出层的材料为有机材料，所述保护层的材料为无机材料。
4.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
在发光层的出光面一侧形成电极层，所述发光层包括间隔设置的多个发光单元以及位于相邻两个所述发光单元之间的像素限定单元，所述像素限定单元上方的所述电极层存在多个通孔，所述通孔裸露所述像素限定单元的部分表面；
在所述电极层背离所述发光层一侧形成光取出层，沿所述发光层指向所述电极层的方向上，所述光取出层的至少一侧表面形成有多个第一图案，所述第一图案为凹槽，且至少部分凹槽裸露所述电极层；其中，利用掩膜版和蒸镀的方式在所述电极层背离所述发光层一侧形成所述光取出层，其中，被所述掩膜版遮盖的所述电极层位置与所述凹槽位置对应，且所述电极层从所述凹槽中裸露，所述光取出层填充至少部分所述通孔并与所述像素限定单元表面接触，所述光取出层上的凹槽在所述显示面板所在平面上的正投影被所述通孔在所述显示面板所在平面上的正投影覆盖；
在所述光取出层背离所述电极层一侧形成保护层，其中，所述电极层和/或所述保护层靠近所述光取出层一侧的表面设置有与所述第一图案嵌合的第二图案，所述保护层填充所述通孔未被所述光取出层填充的部分并与所述像素限定单元表面接触。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
所述利用掩膜版和蒸镀的方式在所述电极层背离所述发光层一侧形成所述光取出层的步骤之前，包括：调整所述掩膜版和所述电极层之间的第一间距大于第一阈值，以使在沿所述发光层指向所述电极层的方向上，形成的所述光取出层的横截面面积逐渐减小；
和/或，调整所述掩膜版和蒸镀源之间的第二间距小于第二阈值，以使在沿所述发光层指向所述电极层的方向上，形成的所述光取出层的横截面面积逐渐减小；其中，所述掩膜版位于所述蒸镀源和所述电极层之间。
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