TWI832949B

TWI832949B - 顯示裝置

Info

Publication number: TWI832949B
Application number: TW108147950A
Authority: TW
Inventors: 兪炳漢; 金起範; 金相羽; 崔千基; 孫正河; 安泰瓊; 李基準; 林載翊
Original assignee: 南韓商三星顯示器有限公司
Priority date: 2018-12-27
Filing date: 2019-12-26
Publication date: 2024-02-21
Also published as: US20220085331A1; JP2022515811A; KR20200081627A; US11871608B2; WO2020138665A1; JP7376597B2; TW202029514A; CN113261127B; CN113261127A

Abstract

本發明提供一種顯示裝置，為了提高光提取效率、使視野角引起的色感偏差實現最小化，包括：像素電極，其配置於基板上；絕緣膜，其覆蓋所述像素電極的邊緣，藉由使中央部露出的開口來定義發光區域；第一光提取圖案，其配置於所述像素電極上部，具有以第一角度傾斜的側面；及第二光提取圖案，其在所述第一光提取圖案外廓包圍所述第一光提取圖案地配置，具有以小於所述第一角度的第二角度傾斜的側面。

Description

顯示裝置

本發明涉及顯示裝置，更詳細而言，涉及一種提高光提取效率、使視野角引起的色感偏差實現最小化的顯示裝置。

在顯示裝置中，有機發光顯示裝置不僅視野角廣闊、對比度優秀，而且具有反應速度快的優點，作為新一代顯示裝置而倍受矚目。

一般而言，有機發光顯示裝置在基板上形成薄膜電晶體及有機發光元件，有機發光元件自行發光運轉。這種有機發光顯示裝置既用作諸如手機等的小型製品的顯示部，也用作諸如電視機等的大小製品的顯示部。

有機發光顯示裝置具有在像素電極與反電極之間插入有包括發光層的中間層的有機發光元件作為各(部)像素。這種有機發光顯示裝置一般藉由電氣連接於像素電極的薄膜電晶體，控制各像素是否發光或發光程度，反電極在多個(部)像素中為一體的形態。

但是，這種以往的顯示裝置隨著顯示裝置的大面積化而存在各(部)像素的光提取效率低下、視野角引起的色感偏差難以控制的問題。

本發明旨在解決包括如上所述問題在內的各種問題，目的是提供一種提高光提取效率、使視野角引起的色感偏差實現最小化的顯示裝置。但是，這種課題只是示例性的，並非本發明的範圍由此限定。

根據本發明的一種觀點，提供一種顯示裝置，包括：像素電極，其配置於基板上；絕緣膜，其覆蓋所述像素電極的邊緣，藉由使中央部露出的開口來定義發光區域；第一光提取圖案，其配置於所述像素電極上部，具有以第一角度傾斜的側面；及第二光提取圖案，其在所述第一光提取圖案外廓包圍所述第一光提取圖案地配置，具有以小於所述第一角度的第二角度傾斜的側面。

在本實施例中，在上部還可以包括平坦化膜，以便覆蓋所述第一光提取圖案及所述第二光提取圖案。

在本實施例中，所述第一光提取圖案及所述第二光提取圖案可以具有第一折射率，所述平坦化膜可以具有大於所述第一折射率的第二折射率。

在本實施例中，所述第一光提取圖案、所述第二光提取圖案及所述平坦化膜可以包含具有透光性的有機物。

在本實施例中，所述平坦化膜可以包含含有無機物的細微顆粒。

在本實施例中，所述第二光提取圖案可以具有第二高度，所述第一光提取圖案可以具有低於所述第二高度的第一高度。

在本實施例中，所述第一光提取圖案可以具有第一高度，所述第二光提取圖案可以具有與所述第一高度相同的第二高度。

在本實施例中，所述第一光提取圖案可以與所述發光區域對應地配置於所述開口上部。

在本實施例中，所述第二光提取圖案可以與所述發光區域的外廓對應地配置於所述絕緣膜上部。

在本實施例中，在平面中，所述第一光提取圖案及所述第二光提取圖案可以具有環形態的閉環(closed loop)形狀。

在本實施例中，在平面中，所述開口可以具有多邊形、橢圓形或圓形的形狀。

在本實施例中，在平面中，所述第一光提取圖案及所述第二光提取圖案可以與所述開口形狀為相似形。

在本實施例中，在平面中，位於所述開口內的中心點與所述第一光提取圖案及所述第二光提取圖案的中心點可以相互一致。

在本實施例中，還可以包括：中間層，其包括配置於藉由所述開口而露出的所述像素電極上的有機發光物質；及反電極，其將所述中間層置於之間，與所述像素電極相向地配置；所述第一光提取圖案與所述中間層可以重疊地配置。

在本實施例中，還可以包括：觸碰感測器層，其配置於所述反電極上部；及覆蓋層，其配置於所述觸碰感測器層上部；所述第一光提取圖案及所述第二光提取圖案可以配置於所述觸碰感測器層與所述覆蓋層之間。

在本實施例中，所述覆蓋層可以配置於所述平坦化膜上。

根據本發明的另一觀點，提供一種顯示裝置，包括：有機發光元件，其配置於基板上，包括像素電極、與所述像素電極相向的反電極及介於所述像素電極與所述反電極之間的中間層；絕緣膜，其覆蓋所述像素電極的邊緣，藉由使中央部露出的開口來定義發光區域；第一光提取圖案，其配置於所述絕緣膜上部；及第二光提取圖案，其與所述第一光提取圖案隔開預定間隔，且包圍所述第一光提取圖案地配置。

在本實施例中，所述第二光提取圖案可以與所述絕緣膜對應地配置。

在本實施例中，所述第一光提取圖案可以具有與下表面構成第一角度的側面，所述第二光提取圖案可以具有與下表面構成小於所述第一角度的第二角度的側面。

在本實施例中，所述第一光提取圖案可以具有第一高度，所述第二光提取圖案可以具有高於所述第一高度的第二高度。

在本實施例中，所述第一光提取圖案與所述第二光提取圖案可以包含相同物質。

在本實施例中，還可以包括覆蓋所述第一光提取圖案地配置於所述第一光提取圖案上的平坦化膜。

在本實施例中，所述第一光提取圖案可以具有第一折射率，所述平坦化膜可以具有大於所述第一折射率的第二折射率。

在本實施例中，所述第一光提取圖案及所述平坦化膜可以包含具有透光性的有機物。

在本實施例中，在平面中，所述第一光提取圖案可以具有環形態的閉環(closed loop)形狀。

在本實施例中，在平面中，所述開口可以具有多邊形、橢圓形或圓形的形狀，所述第一光提取圖案的形狀與所述開口的形狀為相似形。

在本實施例中，在平面中，位於所述開口內的圖形的中心可以與所述第一光提取圖案的圖形的中心相互一致。

藉由以下具體實施方式、申請專利範圍及圖式，除前述內容之外的其他態樣、特徵、優點將更加明確。

根據如上所述構成的本發明一個實施例，能夠實現一種提高光提取效率、使視野角引起的色感偏差最小化的顯示裝置。當然，本發明的範圍並不限於這些效果。

1:顯示裝置

100:基板

101:緩衝層

103:閘極絕緣層

105:層間絕緣層

107:層間絕緣層

109:無機保護膜

130:通過層

150:絕緣膜

200:顯示部

210:薄膜電晶體

211:半導體層

213:薄膜電晶體

215s:源極

215d:汲極

220:儲存電容器

221:下部電極

223:上部電極

230:像素電極

240:中間層

250:反電極

260:封裝層

261:第一無機膜

262:有機膜

263:第二無機膜

300:光提取部

310:第一光提取圖案

320:第二光提取圖案

330:平坦化膜

331:有機物

332:細微顆粒

400:觸碰感測器層

500:覆蓋層

CAX:中心軸

CAX1:第一軸

CAX2:第二軸

Cst:儲存電容器

DA:顯示區域

DL:數據線

DU:驅動部

EA:發光區域

ELVDD:第一電源電壓

ELVSS:第二電源電壓

h1:第一高度

h2:第二高度

Id:驅動電流

L1:第一光

L2:第二光

NDA:非顯示區域

NEA:非發光區域

O:中心點

OLED:有機發光二極體

OP:開口

P,P’,P”:像素

PC:像素電路

PL:驅動電壓線

SL:掃描線

T1:第一薄膜電晶體

T2:第二薄膜電晶體

W1:第一寬度

W2:第二寬度

第1圖是概略地圖示本發明一個實施例的顯示裝置的平面圖。

第2圖是本發明一個實施例的顯示裝置的一個像素的等效電路圖。

第3圖是放大圖示第1圖的A部分的平面圖。

第4圖是概略地圖示沿第3圖的B-B線截斷的剖面的剖面圖。

第5圖是概略地圖示本發明另一實施例的顯示裝置的一個像素剖面的剖面圖。

第6圖是概略地圖示本發明又一實施例的顯示裝置的一個像素剖面的剖面圖。

第7圖及第8圖是概略地圖示本發明又一實施例的顯示裝置的一個像素的平面圖。

第9圖是概略地圖示本發明又一實施例的顯示裝置的一個像素的剖面的剖面圖。

第10圖是概略地圖示本發明又一實施例的顯示裝置的一個像素剖面的剖面圖。

第11圖是概略地圖示本發明又一實施例的顯示裝置的一個像素剖面的剖面圖。

本發明可以施加多樣的變換，可以具有各種實施例，在圖式中示例性圖示特定實施例，在詳細說明中進行詳細說明。如果參照後面與圖式一同詳細敘述的實施例，本發明的效果及特徵以及達成其的方法將更加明確。但是，本發明並非限定於以下公開的實施例，可以以多樣的形態體現。

下面參照圖式，詳細說明本發明的實施例，當參照圖式進行說明時，相同或對應的構成要素賦予相同的元件符號，省略對此的重複說明。

在以下實施例中，第一、第二等術語並非限定性的意義，而是用於將一個構成要素區別於其他構成要素的目的。另外，只要在文理上未明確表示不同，則單數的表現也包括複數的表現。

另一方面，包括或具有等術語意味著說明書中記載的特徵或構成要素的存在，並非預先排除一個以上其他特徵或構成要素的附加可能性。另外，當提到膜、區域、構成要素等部分在其他部分“上方”或“上面”時，不僅是在其他部分的“緊上方”或“緊上面”的情形，也包括在其中間存在其他膜、區域、構成要素等的情形。

在圖式中，為了說明的便利，構成要素的大小可以誇張或縮小。例如，在圖中顯示的各構成的大小及厚度為了說明的便利而任意顯示，因而本發明並非必須限定於顯示的內容。

x軸、y軸及z軸不限定為直角坐標系上的三軸，也可以解釋為包括其的廣義意義。例如，x軸、y軸及z軸既可以相互垂直，但也可以指稱相互不垂直的互不相同的方向。

在某實施例可以不同地體現的情況下，特定的製程順序也可以不同於說明的順序地執行。例如，連續說明的兩個製程既可以實質上同時執行，也可以按照與說明的順序相反的順序進行。

第1圖是概略地圖示本發明一個實施例的顯示裝置的平面圖。

如果參照第1圖，本發明一個實施例的顯示裝置1包括基板100及位於基板100上的顯示部200。

基板100可以以諸如玻璃、金屬或有機物的多樣材質形成。根據一個實施例，基板100可以以柔軟的材料形成。例如，基板100可以以能夠良好彎曲、折彎或卷起的諸如聚醯亞胺(PI)的材質形成，但這只是示例性的，本發明不限於此。

基板100包括顯示區域DA及非顯示區域NDA。顯示部200位於顯示區域DA上。非顯示區域NDA沿著顯示區域DA的外廓、基板100的邊緣配置。在非顯示區域NDA上，可以在一側配置有向顯示部200供應訊號的驅動部DU。

在顯示區域DA可以配置有多個像素P。像素P可以包括像素電路以及連接前述像素電路的顯示元件，例如有機發光二極體(Organic light emitting didoe：OLED)，所述像素電路包括與訊號線及電源線電氣連接的薄膜電晶體及儲存電容器等。

像素P可以藉由有機發光二極體，釋放如紅色、綠色、藍色或白色的光線。本說明書中的所謂像素P，如前所述，可以理解為釋放紅色、綠色、藍色、白色中任意一種顏色的光線的像素。當像素P具備的顯示元件為有機發光二極體時，薄膜電晶體至少可以包括驅動薄膜電晶體及開關薄膜電晶體。

如果參照第2圖，像素P包括像素電路PC及連接於像素電路PC的顯示元件。在第2圖中，作為顯示元件，圖示了有機發光二極體OLED。像素電路PC可以包括第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2及儲存電容器Cst。

第二薄膜電晶體T2作為開關薄膜電晶體，連接於掃描線SL及數據線DL，根據從掃描線SL輸入的開關電壓，將從數據線DL輸入的數據電壓傳遞給第一薄膜電晶體T1。儲存電容器Cst連接於第二薄膜電晶體T2和驅動電壓線PL，儲存與從第二薄膜電晶體T2接受傳遞的電壓與向驅動電壓線PL供應的第一電源電壓ELVDD差異相應的電壓。

第一薄膜電晶體T1作為驅動薄膜電晶體，連接於驅動電壓線PL和儲存電容器Cst，可以與儲存電容器Cst中儲存的電壓值對應地控制從驅動電壓線PL流向有機發光二極體OLED的驅動電流。有機發光二極體OLED可以借助於驅動電流Id而釋放具有既定亮度的光線。有機發光二極體OLED的反電極(例，陰極)可以接受供應第二電源電壓ELVSS。

在第2圖中，說明了像素電路PC包括2個薄膜電晶體和1個儲存電容器的情形，但本發明不限於此。薄膜電晶體的個數及儲存電容器的個數可以根據像素電路PC的設計而多樣地變更。

第3圖是概略地圖示本發明一個實施例的顯示裝置的一部分的平面圖。第3圖可以對應於第1圖的A部分。

如果參照第3圖及第4圖，本實施例的各個像素P包括位於有機發光二極體OLED上部的光提取部300。光提取部300包括第一光提取圖案310、第二光提取圖案320及覆蓋第一及第二光提取圖案310、320的平坦化膜330。

第一及第二光提取圖案310、320配置於同一層，位於絕緣膜150上部。絕緣膜150藉由開口OP來定義發光區域EA，第一及第二光提取圖案310、320位於開口OP上部。

在平面中，第一及第二光提取圖案310、320具有環形態的閉環(closed loop)形狀。在第3圖中，第一及第二光提取圖案310、320具有諸如相框的形狀，但並非限定於此。第一及第二光提取圖案310、320可以根據開口OP的形狀，以與其的相似形形成。在第3圖中，開口OP大致圖示為四邊形形狀，但也可以具有諸如第7圖所示的八邊形或第8圖所示的六邊形的多樣形狀。此外，開口OP也可以以多邊形、橢圓形或圓形形成。

藉由開口OP定義的發光區域EA可以以沿第一方向的第一軸CAX1為基準對稱地形成，並且以沿第二方向的第二軸CAX2為基準對稱地形成。第一方向與第二方向可以相互交叉，例如可以彼此垂直。第一及第二光提取圖案310、320以第一軸CAX1為基準對稱地形成，同樣，以第二軸CAX2為基準對稱地形成。

第一軸CAX1和第二軸CAX2在一點相互相遇，該點可以定義為圖形的中心點O。第一及第二光提取圖案310、320也具有以與此相同的方法定義的中心點O，開口OP與第一及第二光提取圖案310、320可以相互共享中心點O。作為一個實施例，當開口OP以多邊形形成時，中心點O也可以定義為在開口OP中連接相互相向的兩個角的2條以上的對角線相遇的點。

第一及第二光提取圖案310、320設置於有機發光二極體OLED上，設置以用於使有機發光二極體OLED發出的光線更多釋放到外部。作為比較例，當第一及第二光提取圖案310、320不以第一及第二軸CAX1、CAX2為基準對稱地形成時，會在發光區域EA內特定部分，發生光線更多地反射或較少反射等的差異，這會導致可見性不良。因此，第一及第二光提取圖案310、320與開口OP相同地以第一及第二軸CAX1、CAX2為基準對稱地形成。

第一光提取圖案310與開口OP內側的發光區域EA對應地配置。即，第一光提取圖案310與開口OP內側的發光區域EA重疊地配置，這可以理解為與位於開口OP內的中間層240重疊配置。

第二光提取圖案320與開口OP外側的非發光區域NEA對應地配置。即，第二光提取圖案320與開口OP外側的非發光區域NEA重疊地配置，這可以理解為與絕緣膜150重疊配置。去除絕緣膜150的區域定義為開口OP，即發光區域EA，未去除絕緣膜150的區域定義為非發光區域NEA，因而可以理解為第一光提取圖案310配置於發光區域EA上，第二光提取圖案320配置於非發光區域NEA上。

第一光提取圖案310設置有第一寬度W1，第二光提取圖案320設置有第二寬度W2。此時，第二寬度W2可以設置為比第一寬度W1更寬。這涉及到因第一光提取圖案310及第二光提取圖案320的側面所構成的角及他們配置的位置而不同的出光效率。在第4圖及第5圖中對此進行詳細說明。

第4圖是概略地圖示本發明一個實施例的顯示裝置的一部分的剖面圖，第5圖是概略地圖示本發明另一實施例的顯示裝置的一個像素剖面的剖面圖。第4圖可以對應於沿第3圖的B-B線截取的剖面。

如果參照第4圖，位於顯示區域DA的像素P包括像素電路PC，像素電路PC包括薄膜電晶體210及儲存電容器220。第4圖的薄膜電晶體210可以為第2圖的作為驅動薄膜電晶體的第一薄膜電晶體T1。

像素電路PC可以包括依次位於基板100上的緩衝層101、閘極絕緣層103及層間絕緣層105。

緩衝層101為了防止雜質侵入而配置於基板100上，閘極絕緣層103可以介於薄膜電晶體210的半導體層211與閘極213之間。層間絕緣層105可以介於薄膜電晶體210的閘極213與源極215s及汲極215d之間，同時，可以介於儲存電容器220的下部電極221與上部電極223之間，發揮作為介電質的功能。

緩衝層101、閘極絕緣層103、層間絕緣層105均由絕緣性無機物形成。例如，緩衝層101、閘極絕緣層103及層間絕緣層105可以分別由矽氮化物、矽氧化物和/或矽氮氧化物形成。

在第4圖中，說明了像素電路PC的薄膜電晶體210為頂柵型的情形，但本發明不限於此。另外，作為另一實施例，薄膜電晶體210可以為底柵型。另外，在第4圖中，雖然說明了儲存電容器220的下部電極221和上部電極223分別位於同一層而以便具有與閘極213、源極215s及汲極215d相同的物質的情形，但本發明不限於此，可以多樣地變更。

有機發光二極體OLED包括經由具有接觸孔的通過層130電氣連接至像素電路PC的像素電極230、與像素電極230相向的反電極250及介於他們之間的中間層240。作為一個實施例，通過層130可以以絕緣性有機物形成。

像素電極230藉由被理解為像素定義膜的絕緣膜150中配備的開口OP而露出，像素電極230的邊緣可以被以絕緣性有機物形成的絕緣膜150所覆蓋。作為一個實施例，像素電極230可以包含銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或他們的化合物。

反電極250可以一體形成，整體上覆蓋顯示區域DA。作為一個實施例，反電極250可以為含有銀(Ag)和鎂(Mg)的薄膜金屬層，或諸如氧化銦錫(ITO；indium tin oxide)、氧化銦鋅(IZO；indium zinc oxide)、氧化鋅(ZnO；zinc oxide)、氧化銦(In₂O₃ indium oxide)、氧化銦鎵鋅(IGO；indium gallium oxide)或氧化鋁鋅(AZO；aluminum zinc oxide)的透光性導電層(TCO、transparent conductive oxide)。

中間層240可以以釋放紅色、綠色及藍色光線的包含螢光或磷光物質的有機物形成，在顯示區域DA中與像素P對應地進行圖案化。

雖然未圖示，可以包括將中間層240置於之間並介於中間層240與像素電極230之間的第一功能層(圖中未示出)及介於中間層240與反電極250之間的第二功能層(圖中未示出)中至少任意一個功能層。第一功能層和第二功能層不同於在像素電極230上進行圖案化而形成的中間層240，可以是在顯示部200前面形成的共同層。

第一功能層例如可以包括電洞注入層(HIL：Hole Injection Layer)及電洞傳輸層(HTL：Hole Transport Layer)中至少任意一個。電洞注入層使得陽極容易釋放電洞，電洞傳輸層使電洞注入層的電洞傳遞至發光層。第二功能層可以包括電子傳輸層(ETL：Electron Transport Layer)及電子注入層(EIL：Electron Injection Layer)中至少任意一個。電子注入層使得陰極容易釋放電子，電子傳輸層使得電子注入層的電子傳遞至發光層。

在顯示區域DA上配置有封裝層260。在第4圖中，圖示了封裝層260位於顯示區域DA上的情形，但封裝層260也可以一部分配置於非顯示區域NDA上。

作為另一實施例，也可以取代封裝層，在基板100上部設置封裝基板(圖中未示出)，在基板100的外廓利用密封膠(圖中未示出)使基板100與封裝基板接合，從而也可以具備對顯示部200進行密封的結構。在本實施例中，對藉由封裝層260來密封顯示部200的結構進行說明。

封裝層260包括第一及第二無機膜261、263和有機膜262。例如，封裝層260可以由第一無機膜261、有機膜262及第二無機膜263依次層疊形成。第一及第二無機膜261、263可以包含矽氮化物、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化錫、氧化鈰和氮氧化矽中至少任意一種物質。第一及第二無機膜261、263例如可以借助於化學氣相沉積(CVD)製程形成。

有機膜262可以包括選自由丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、聚異戊二烯、乙烯基樹脂、環氧樹脂、聚氨酯樹脂、纖維素樹脂和二萘嵌苯類樹脂組成的群組中的一種以上的物質。

作為一個實施例，有機膜262可以借助於將諸如HMDSO(Hexamethyldisiloxane，六甲基二矽氧烷)或TEOS(tetraethyl orthosilicate，矽酸四乙酯)的物質用作原料氣體的原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)製程而形成。

另外，作為另一實施例，有機膜262可以在沉積液態的單體後利用熱或諸如紫外線的光線使之固化而形成。

在本實施例中，說明了封裝層260具備2個第一及第二無機膜261、263及1個有機膜262的情形，但無機封裝層和有機封裝層的層疊順序及個數不限於此。

光提取部300可以位於封裝層260上。在本實施例中，圖示了光提取部300位於封裝層260上的情形，但作為另一實施例，也可以在光提取部300與封裝層260之間插入有各種功能層，光提取部300可以配置於這種功能層上。功能層例如可以為觸碰感測器層、偏光層、濾光層、有機層、無機層等。

光提取部300包括第一光提取圖案310、第二光提取圖案320以及覆蓋第一及第二光提取圖案310、320的平坦化膜330。第一及第二光提取圖案310、320配置於同一層，平坦化膜330覆蓋第一及第二光提取圖案310、320地配置。平坦化膜330發揮的作用是使第一及第二光提取圖案310、320的上面平坦化，使得可以在上部配置窗口蓋(圖中未示出)等。

如果參照第4圖及第5圖，在藉由絕緣膜150的開口OP而定義的發光區域EA上配置有第一光提取圖案310，在開口OP外廓的非發光區域NEA上配置有第二光提取圖案320。如第4圖所示，第一及第二光提取圖案310、320以經過發光區域EA中心的中心軸CAX為基準對稱地設置。中心軸CAX可以對應於第3圖的第一軸CAX1。

如果參照第5圖，第一及第二光提取圖案310、320設置為具有第一折射率，平坦化膜330設置為具有第二折射率。此時，平坦化膜330的第二折射率設置為大於第一及第二光提取圖案310、320的第一折射率。即，意味著形成平坦化膜330的物質的折射率大於形成第一及第二光提取圖案310、320的物質的折射率。利用這種特性，使有機發光二極體OLED發出的光線在第一及第二光提取圖案310、320的表面全反射而向正面發光，從而能夠提高出光效率。

第一及第二光提取圖案310、320及平坦化膜330包含例如具有透光性的有機物。光提取部300為了提高有機發光二極體OLED的出光效率而設置，本發明一個實施例的顯示裝置以前面發光為前提，因而形成光提取部300的構成要素設置為具有透光性的物質。例如，第一及第二光提取圖案310、320及平坦化膜330可以以丙烯酸類有機膜等形成，但並非必須限定於此，作為具有透光性的有機物，只要是平坦化膜330的折射率高於第一及第二光提取圖案310、320折射率的物質即可。

作為一個實施例，具有相對高折射率的平坦化膜330為了提高折射率，可以包含在有機物331內分散有細微顆粒332的物質。細微顆粒332例如可以為諸如氧化鋯的無機物。

第一光提取圖案310設置為側面具有傾斜的第一角度θ1，第二光提取圖案320設置為側面具有傾斜的第二角度θ2。此時，第一角度θ1設置為大於第二角度θ2。例如，第一角度θ1可以以約70°至90°形成，第二角度θ2可以以約70°至80°形成。在第5圖中，第一及第二光提取圖案310、320圖示為大致梯形形狀，但第一光提取圖案310也可以以矩形形狀形成。這種第一及第二光提取圖案310、320的第一及第二角度θ1、θ2，可以綜合考慮像素P的大小、光提取部300的厚度等進行設計。

如第5圖所示，從發光區域EA中心發出的光線在第一及第二光提取圖案310、320的側面表面全反射，向有機發光二極體OLED的正面出光。從使用顯示裝置的使用者立場而言，顯示裝置與使用者的視角大部分是位於大致一條直線上的情形，因此，有機發光二極體OLED發出的光線在何種程度上向正面出光，是顯示裝置性能的重要要素之一。因此，在本發明一個實施例的顯示裝置中，將第一及第二光提取圖案310、320設置於有機發光二極體OLED上部，從而能夠提高有機發光二極體OLED發出的光線的正面出光效率，飛躍性地提高顯示裝置的性能及壽命。

在第5圖中，將從發光區域EA的中心發出的光線根據角度而圖示為第一光L1及第二光L2。與第一光L1相比，第二光L2與中心軸CAX構成的角度更大，且向非發光區域NEA側行進。這種第二光L2不向有機發光二極體OLED正面行進，因而作為比較例，當不具備第一及第二光提取圖案310、320時，第二光L2成為與鄰接像素混色或降低有機發光二極體OLED光效率的主要原因。因此，藉由在非發光區域NEA上設置第二光提取圖案320，從而使向非發光區域NEA側行進的第二光L2向正面出光，能夠提高出光效率。

如上所述，第二光L2向非發光區域NEA側行進，與中心軸CAX構成的角度相對較大，因而考慮到入射角，第二光提取圖案320的側面構成的角度比第一光提取圖案310相對較小。由於與此類似的原理，第一光L1向發光區域EA側行進，與中心軸CAX構成的角度相對較小，因而考慮入射角，第一光提取圖案310的側面構成的角度比第二光提取圖案320相對更大。

第一光L1向發光區域EA側行進，但作為比較例，當不具備第一光提取圖案310時，不向正面出光。因此，藉由在發光區域EA上設置第一光提取圖案310，從而可以使第一光L1向正面出光，提高出光效率。

第一光提取圖案310具有第一高度h1，第二光提取圖案320具有第二高度h2。此時，第一光提取圖案310的第一高度h1設置為比第二光提取圖案320 的第二高度h2低。第一光提取圖案310設置於發光區域EA上部，因而以相對較薄的厚度形成，這在光效率方面更容易。

由於與此相同的理由，第一光提取圖案310具有第一寬度W1，第二光提取圖案320具有第二寬度W2。此時，第一光提取圖案310的第一寬度W1設置為比第二光提取圖案320的第二寬度W2窄。如前所述，即使說形成第一光提取圖案310的物質具有透光性，當在發光區域EA上部配置結構物時，存在光效率低下的憂慮。因此，配置於發光區域EA上的第一光提取圖案310具有比配置於非發光區域NEA上的第二光提取圖案320更窄的寬度，能夠使發光區域EA的光效率因第一光提取圖案310而低下的情形實現最小化。例如，以相同方向為基準，第一光提取圖案310的第一寬度W1可以為發光區域EA的約10%至30%左右，但並非必須限定於此。

第6圖是概略地圖示本發明另一實施例的顯示裝置的一個像素剖面的剖面圖。

第6圖的實施例與第4圖的實施例的差異在於像素電路PC結構。此外，構成與第4圖的實施例相同，下面以與像素電路PC結構的差異為中心進行說明。

如果參照第6圖，像素電路PC包括薄膜電晶體210及儲存電容器220。像素電路層110可以包括依次位於基板100上的緩衝層101、閘極絕緣層103、介電質絕緣層105、層間絕緣層107及無機保護膜109。

緩衝層101為防止雜質侵入而配置於基板100上，閘極絕緣層103介於薄膜電晶體210的半導體層211與閘極213之間，介電質絕緣層105介於儲存電容器220的下部電極221與上部電極223之間，層間絕緣層107介於薄膜電晶體210的閘極213與源極215s及汲極215d之間。

緩衝層101、閘極絕緣層103、介電質絕緣層105、層間絕緣層107及無機保護膜109均由絕緣性無機物形成。例如，緩衝層101、閘極絕緣層103、介電質絕緣層105、層間絕緣層107及無機保護膜109可以分別由矽氮化物、矽氧化物和/或矽氮氧化物形成。

在第6圖中，圖示了薄膜電晶體210與儲存電容器220重疊地配置，薄膜電晶體210的閘極213為儲存電容器220的下部電極221的情形，但本發明不限於此。

第7圖及第8圖作為概略地圖示本發明又一實施例的顯示裝置的一個像素的平面圖，是第3圖的變形實施例。

在前述第3圖中，圖示了藉由開口OP而定義的發光區域EA大致具有四邊形形狀的情形，在第7圖及第8圖中，作為變形實施例，圖示了藉由開口OP而定義的發光區域EA大致具有八邊形形狀的情形及具有六邊形形狀的情形。在第7圖及第8圖的實施例中，除開口OP的形狀之外，與第3圖的實施例相同，下面以差異為主進行說明。

如果參照第7圖，藉由開口OP而定義的像素P’的發光區域EA可以大致具有八邊形形狀。發光區域EA與沿第一方向的第一軸CAX1及與之交叉的第二軸CAX2對稱地形成。第一及第二光提取圖案310、320根據開口OP的形狀而以相似形設置。與第3圖相同，第一光提取圖案310設置於發光區域EA上部，第二光提取圖案320配置於非發光區域NEA上部。

如果參照第8圖，藉由開口OP而定義的像素P”的發光區域EA可以大致具有八邊形形狀。發光區域EA與沿第一方向的第一軸CAX1及與之交叉的第二軸CAX2對稱地形成。第8圖的第一方向及第二方向與第7圖相比，可以為對角線方向。即，像素P”的形狀及配置不僅是條紋型，也可以以波形瓦型形成，此時，可以具有如第8圖所示的像素P”形狀。在這種情況下也一樣，第一及第二光提取圖案310、320可以根據開口OP的形狀，以相似形設置。第一光提取圖案310配置於發光區域EA上部，第二光提取圖案320配置於非發光區域NEA上部。

第9圖及第10圖作為概略地圖示本發明又一實施例的一個像素剖面的剖面圖，是第4圖的變形實施例。

第9圖及第10圖的實施例與第4圖實施例的差異在於光提取部300結構。此外的構成與第4圖的實施例相同，下面以光提取部300結構的差異為中心進行說明。

如果參照第9圖，第一光提取圖案310的第一高度h1與第二光提取圖案320的第二高度h2可以相同地設置。在前述第4圖的實施例中，將第一光提取圖案310的第一高度h1形成得低於第二光提取圖案320的第二高度h2，這涉及到發光區域EA的光效率之外的製造製程問題。即，將第一光提取圖案310的側面角度設計得大致接近90°，因而形成得比具有相對較小側面角度的第二光提取圖案320具有更高高度，這在製程上存在困難。另外，為了發光區域EA的光效率，在增加第一光提取圖案310的寬度方向存在界限，在第4圖的實施例中，向降低第一光提取圖案310高度的方向設計光提取部300。

因此，只要是製程上條件允許的情形，如第9圖所示，也可以是第一光提取圖案310的第一高度h1與第二光提取圖案320的第二高度h2相同地設置。

如果參照第10圖，第一及第二光提取圖案310、320可以位於非發光區域NEA上部。此時，位於內側的第一光提取圖案310的第一高度h1可以設置為低於位於外側的第二光提取圖案320的第二高度h2。由此，向非發光區域NEA行進的光中因第一光提取圖案310而無法反射的光，可以被第二光提取圖案320反射，可以提高有機發光二極體OLED的正面出光效率。

第11圖作為概略地圖示本發明又一實施例的顯示裝置的一個像素剖面的剖面圖，是第4圖的變形實施例。

第11圖的實施例與第4圖實施例的差異在於封裝層260上部結構。此外的構成與第4圖的實施例相同，下面以封裝層260上部結構的差異為中心進行說明。

如果參照第11圖，本實施例的顯示裝置包括光提取部300、觸碰感測器層400及覆蓋層500。光提取部300可以介於觸碰感測器層400與覆蓋層500之間。

觸碰感測器層400發揮的作用是以電氣或物理方式感知使用者的觸碰輸入並將其作為電氣訊號傳遞給顯示部。作為一個實施例，觸碰感測器層400可以在封裝層260上直接形成。即，觸碰感測器層400可以在封裝層260上直接形成有感測圖案及絕緣膜等。作為另一實施例，觸碰感測器層400可以以觸碰面板形態疊層於封裝層260上。此時，觸碰感測器層400可以借助於黏著層(圖中未示出)而配置於封裝層260上。

光提取部300可以位於觸碰感測器層400上。在光提取部300上可以配置有與覆蓋窗口對應的覆蓋層500。

以上主要只對顯示裝置進行了說明，但並非本發明限定於此。例如，用於製造這種顯示裝置的顯示裝置製造方法也屬於本發明的範圍。

本發明以圖式中圖示的實施例為參考進行了說明，但這只不過是示例性的，只要是所屬技術領域具有通常知識者便會理解，可以由此導出多樣的變形及等同的其他實施例。因此，本發明真正的技術保護範圍應根據所附的申請專利範圍的技術思想確定。