CN114725300A

CN114725300A - 显示基板及其制备方法、显示装置

Info

Publication number: CN114725300A
Application number: CN202210359613.9A
Authority: CN
Inventors: 陈登云; 李然; 李良坚; 杨静; 屈财玉; 宋尊庆; 李栋; 张慧娟; 刘政; 史世明
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd
Priority date: 2022-04-06
Filing date: 2022-04-06
Publication date: 2022-07-08

Abstract

一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括多个发光区和围绕发光区设置的非发光区，显示基板包括：位于发光区的至少一个阳极，位于非发光区的至少一个辅助电极，以及叠设在阳极上层的有机发光层和第一阴极，显示基板还包括位于非发光区的连接层，连接层设置为连接第一阴极和辅助电极；其中，连接层覆盖第一阴极和辅助电极；或者，连接层覆盖辅助电极，并与第一阴极接触。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术，尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器具有可折叠、可弯曲、窄边框等优点，拥有广泛的应用前景。随着显示技术的不断发展，对大尺寸显示屏幕的需求越来越大。一些技术中，OLED显示面板的屏幕尺寸越大，阴极的尺寸就越大，而阴极的尺寸越大，阴极的电阻就越大，进而使阴极上存在的电压降(IR drop)就越大，影响屏幕显示的均一性，并使显示功耗增加。

对于这种情况，一些技术中的解决办法是采用辅助电极技术，将辅助电极与阴极搭接。然而，在将阴极与辅助电极进行搭接时的工艺繁琐。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置，解决了阴极与辅助电极搭接时工艺繁琐的问题。

第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括多个发光区和围绕所述发光区设置的非发光区，所述显示基板包括：位于所述发光区的至少一个阳极，位于所述非发光区的至少一个辅助电极，以及叠设在所述阳极上层的有机发光层和第一阴极，所述显示基板还包括位于所述非发光区的连接层，所述连接层设置为连接所述第一阴极和所述辅助电极；其中，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极；或者，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触。

在一些示例性实施方式中，所述显示基板还包括位于所述非发光区的像素定义层，其中，所述像素定义层包括至少一个第一像素开口和至少一个第二开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接，所述辅助电极通过所述第二开口与所述连接层连接，所述阳极和所述辅助电极同层设置且相互绝缘；或者，所述像素定义层包括至少一个第一像素开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接；至少一个辅助电极位于所述像素定义层的上层。

在一些示例性实施方式中，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极包括：所述连接层为第二阴极，所述连接层在基底上的正投影覆盖所述第一阴极和所述辅助电极在基底上的正投影。

在一些示例性实施方式中，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触，包括：所述显示基板还包括设置在所述第一阴极上层的功能层，所述功能层在基底上的正投影与所述连接层在基底上的正投影没有交叠；所述连接层在基底上的正投影覆盖所述辅助电极和部分所述第一阴极；或者，所述连接层与所述第一阴极接触，且所述连接层在基底上的正投影覆盖所述辅助电极。

在一些示例性实施方式中，所述连接层的材料为改性镁。

第二方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括多个发光区和围绕所述发光区设置的非发光区，所述方法包括：在非发光区形成至少一个辅助电极；在所述非发光区形成至少一个隔离柱，所述隔离柱在基底上的正投影覆盖所述辅助电极在所述基底上的正投影；依次形成有机发光层和第一阴极；剥离所述隔离柱；在所述非发光区形成连接层，所述连接层设置为连接所述第一阴极和所述辅助电极；其中，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极；或者，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触。

在一些示例性实施方式中，所述在非发光区形成至少一个辅助电极，包括：在发光区的基底上形成至少一个阳极，在所述非发光区的基底上形成至少一个辅助电极，所述阳极和所述辅助电极同层设置且相互绝缘；随后形成像素定义层，所述像素定义层位于所述非发光区，包括至少一个第一像素开口和至少一个第二开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接，所述辅助电极通过所述第二开口与所述连接层连接；或者，在发光区的基底上形成至少一个阳极；随后形成像素定义层，所述像素定义层位于所述非发光区，包括至少一个第一像素开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接；在所述像素定义层上形成至少一个辅助电极。

在一些示例性实施方式中，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极，包括：所述连接层为第二阴极，在所述基底上形成所述第二阴极，所述连接层在所述基底上的正投影覆盖所述第一阴极和所述辅助电极在基底上的正投影。

在一些示例性实施方式中，在所述剥离所述隔离柱之前，所述方法还包括：在所述第一阴极上形成功能层。

在一些示例性实施方式中，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触，包括：所述功能层在基底上的正投影与所述连接层在基底上的正投影没有交叠；所述连接层在基底上的正投影覆盖所述辅助电极和部分所述第一阴极；或者，所述连接层与所述第一阴极接触，且所述连接层在基底上的正投影覆盖所述辅助电极。

在一些示例性实施方式中，所述连接层的材料为改性镁。

在一些示例性实施方式中，所述隔离柱包括叠设的牺牲层和光刻胶层，所述在所述非发光区形成至少一个隔离柱，包括：在所述基底上依次形成所述牺牲层和所述光刻胶层，所述光刻胶层在所述基底上的正投影覆盖所述牺牲层在所述基底上的正投影，所述牺牲层在所述基底上的正投影覆盖所述辅助电极在基底上的正投影。

在一些示例性实施方式中，所述光刻胶层远离所述基底一侧的表面在所述基底上的正投影位于所述光刻胶层靠近所述基底一侧的表面在所述基底上的正投影之内。

在一些示例性实施方式中，在所述形成连接层后，所述方法还包括：在所述基底上形成封装层。

第三方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例中的显示基板。

本公开实施例提供的显示基板，在第一阴极和辅助电极完成搭接的制备过程中不需要调节EL和阴极的蒸镀角度，不需要设计和使用精细金属掩膜板，制备步骤简单。采用本公开实施例的显示基板，能够避免第一阴极的电压降过大带来的均一性差等显示问题。

本公开实施例提供的显示基板的制备方法中，通过在辅助电极上制备隔离柱，并在制备发光功能层和第一阴极后剥离隔离柱，在剥离隔离柱后辅助电极上不存在其它膜层，再制备连接层使第一阴极和辅助电极完成搭接。第一阴极和辅助电极完成搭接的制备过程中不需要调节EL和阴极的蒸镀角度，不需要设计和使用精细金属掩膜板，制备步骤简单。解决了阴极与辅助电极搭接时工艺繁琐的问题。

本公开的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本公开而了解。本公开的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

图1为一种电子装置的结构示意图；

图2为一种显示基板的平面结构示意图；

图3为一种像素驱动电路的等效电路示意图；

图4为一种像素驱动电路的工作时序图；

图5为本公开实施例中显示基板的制备方法流程图；

图6为本公开示例性实施例中形成电路结构层后的剖面结构示意图；

图7为本公开示例性实施例中形成阳极和辅助电极后的剖面结构示意图；

图8为本公开示例性实施例中形成像素定义层后的剖面结构示意图；

图9至图11为本公开示例性实施例形成隔离柱过程的剖面结构示意图；

图12为本公开示例性实施例中形成有机发光层和第一阴极后的剖面结构示意图；

图13为本公开示例性实施例中形成功能层后的剖面结构示意图；

图14为本公开示例性实施例中剥离隔离柱后的剖面结构示意图；

图15为本公开示例性实施例中形成连接层后的剖面结构示意图；

图16为本公开示例性实施例中形成封装结构层后的剖面结构示意图；

图17为本公开又一示例性实施例中形成阳极后的剖面结构示意图；

图18为本公开又一示例性实施例中形成像素定义层后的剖面结构示意图；

图19为本公开又一示例性实施例中形成辅助电极后的剖面结构示意图；

图20为本公开又一示例性实施例中形成隔离柱后的剖面结构示意图；

图21为本公开又一示例性实施例中形成有机发光层、第一阴极和功能层后的剖面结构示意图；

图22为本公开又一示例性实施例中剥离隔离柱后的剖面结构示意图；

图23为本公开又一示例性实施例中形成连接层后的剖面结构示意图；

图24为本公开又一示例性实施例中形成封装层后的剖面结构示意图；

图25为本公开另一示例性实施例中形成第一阴极后的剖面结构示意图；

图26为本公开另一示例性实施例中剥离隔离柱后的剖面结构示意图；

图27为本公开另一示例性实施例中形成第二阴极后的剖面结构示意图；

图28为本公开另一示例性实施例中形成封装层后的剖面结构示意图。

附图标记说明：

10-基底； 11-电路结构层； 101A-第一晶体管

101B-第一存储电容 21-阳极 22-辅助电极

30-像素定义层 40-隔离柱 41-牺牲层

42-光刻胶层 50-有机发光层 60-第一阴极

61-第二阴极 70-功能层 80-连接层

90-封装层。

具体实施方式

本公开描述了多个实施例，但是该描述是示例性的，而不是限制性的，并且对于本领域的普通技术人员来说显而易见的是，在本公开所描述的实施例包含的范围内可以有更多的实施例和实现方案。尽管在附图中示出了许多可能的特征组合，并在具体实施方式中进行了讨论，但是所公开的特征的许多其它组合方式也是可能的。除非特意加以限制的情况以外，任何实施例的任何特征或元件可以与任何其它实施例中的任何其他特征或元件结合使用，或可以替代任何其它实施例中的任何其他特征或元件。

本公开包括并设想了与本领域普通技术人员已知的特征和元件的组合。本公开已经公开的实施例、特征和元件也可以与任何常规特征或元件组合，以形成由权利要求限定的独特的发明方案。任何实施例的任何特征或元件也可以与来自其它发明方案的特征或元件组合，以形成另一个由权利要求限定的独特的发明方案。因此，应当理解，在本公开中示出和/或讨论的任何特征可以单独地或以任何适当的组合来实现。因此，除了根据所附权利要求及其等同替换所做的限制以外，实施例不受其它限制。此外，可以在所附权利要求的保护范围内进行各种修改和改变。

此外，在描述具有代表性的实施例时，说明书可能已经将方法和/或过程呈现为特定的步骤序列。然而，在该方法或过程不依赖于本文所述步骤的特定顺序的程度上，该方法或过程不应限于所述的特定顺序的步骤。如本领域普通技术人员将理解的，其它的步骤顺序也是可能的。因此，说明书中阐述的步骤的特定顺序不应被解释为对权利要求的限制。此外，针对该方法和/或过程的权利要求不应限于按照所写顺序执行它们的步骤，本领域技术人员可以容易地理解，这些顺序可以变化，并且仍然保持在本公开实施例的精神和范围内。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本公开中的附图比例可以作为实际工艺中的参考，但不限于此。例如：沟道的宽长比、各个膜层的厚度和间距、各个信号线的宽度和间距，可以根据实际需要进行调整。显示基板中像素的个数和每个像素中子像素的个数也不是限定为图中所示的数量，本公开中所描述的附图仅是结构示意图，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。

在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述的构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本说明书中，晶体管是指至少包括栅电极、漏电极以及源电极这三个端子的元件。晶体管在漏电极(漏电极端子、漏区域或漏极)与源电极(源电极端子、源区域或源极)之间具有沟道区域，并且电流能够流过漏电极、沟道区域以及源电极。注意，在本说明书中，沟道区域是指电流主要流过的区域。

在本说明书中，第一极可以为漏电极、第二极可以为源电极，或者第一极可以为源电极、第二极可以为漏电极。在使用极性相反的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，“源电极”及“漏电极”的功能有时互相调换。因此，在本说明书中，“源电极”和“漏电极”可以互相调换。

在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本说明书中三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等并非严格意义上的，可以是近似三角形、矩形、梯形、五边形或六边形等，可以存在公差导致的一些小变形，可以存在导角、弧边以及变形等。

本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。

一些技术中，在将辅助电极和阴极进行搭接时采用光刻剥离EL工艺，这种工艺需要通过调节EL和阴极的蒸镀角度实现对发光元件的排版设计，并在此基础上完成阴极和辅助电极搭接。然而，调节设备蒸镀角度的操作比较复杂，且需要设计精细金属掩膜板(FineMetal Mask，FMM)，成本较高。由于不同的蒸镀设备之间存在差异，通过调节设备蒸镀角度实现阴极和辅助电极搭接的做法获得的器件均一性较差。

图1为一种电子装置的结构示意图。如图1所示，电子装置可以包括时序控制器、数据驱动器、扫描驱动器、发光驱动器和像素阵列，时序控制器分别与数据驱动器、扫描驱动器和发光驱动器连接，数据驱动器分别与多个数据信号线(D1到Dn)连接，扫描驱动器分别与多个扫描信号线(S1到Sm)连接，发光驱动器分别与多个发光信号线(E1到Eo)连接。像素阵列可以包括多个子像素Pxij，i和j可以是自然数，至少一个子像素Pxij可以包括电路单元和与电路单元连接的发光器件，电路单元可以包括至少一个扫描信号线、至少一个数据信号线、至少一个发光信号线和像素驱动电路。在示例性实施方式中，时序控制器可以将适合于数据驱动器的规格的灰度值和控制信号提供到数据驱动器，可以将适合于扫描驱动器的规格的时钟信号、扫描起始信号等提供到扫描驱动器，可以将适合于发光驱动器的规格的时钟信号、发射停止信号等提供到发光驱动器。数据驱动器可以利用从时序控制器接收的灰度值和控制信号来产生将提供到数据信号线D1、D2、D3、……和Dn的数据电压。例如，数据驱动器可以利用时钟信号对灰度值进行采样，并且以像素行为单位将与灰度值对应的数据电压施加到数据信号线D1至Dn，n可以是自然数。扫描驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、扫描起始信号等来产生将提供到扫描信号线S1、S2、S3、……和Sm的扫描信号。例如，扫描驱动器可以将具有导通电平脉冲的扫描信号顺序地提供到扫描信号线S1至Sm。例如，扫描驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以导通电平脉冲形式提供的扫描起始信号传输到下一级电路的方式产生扫描信号，m可以是自然数。发光驱动器可以通过从时序控制器接收时钟信号、发射停止信号等来产生将提供到发光信号线E1、E2、E3、……和Eo的发射信号。例如，发光驱动器可以将具有截止电平脉冲的发射信号顺序地提供到发光信号线E1至Eo。例如，发光驱动器可以被构造为移位寄存器的形式，并且可以以在时钟信号的控制下顺序地将以截止电平脉冲形式提供的发射停止信号传输到下一级电路的方式产生发射信号，o可以是自然数。

图2为一种显示基板的平面结构示意图。如图2所示，显示基板可以包括以矩阵方式排布的多个像素单元P，多个像素单元P的至少一个包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3均包括像素驱动电路和发光器件。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的像素驱动电路分别与扫描信号线、数据信号线和发光信号线连接，像素驱动电路被配置为在扫描信号线和发光信号线的控制下，接收数据信号线传输的数据电压，向所述发光器件输出相应的电流。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光器件分别与所在子像素的像素驱动电路连接，发光器件被配置为响应所在子像素的像素驱动电路输出的电流发出相应亮度的光。

在示例性实施方式中，像素单元P中可以包括红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素，或者可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素，本公开在此不做限定。在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个子像素可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。

图3为一种像素驱动电路的等效电路示意图。在示例性实施方式中，像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C或7T1C结构。如图3所示，像素驱动电路可以包括7个晶体管(第一晶体管T1到第七晶体管T7)、1个存储电容C，像素驱动电路与7个信号线(数据信号线D、第一扫描信号线S1、第二扫描信号线S2、发光信号线E、初始信号线INIT、第一电源线VDD和第二电源线VSS)连接。

在示例性实施方式中，像素驱动电路可以包括第一节点N1、第二节点N2和第三节点N3。其中，第一节点N1分别与第三晶体管T3的第一极、第四晶体管T4的第二极和第五晶体管T5的第二极连接，第二节点N2分别与第一晶体管的第二极、第二晶体管T2的第一极、第三晶体管T3的控制极和存储电容C的第二端连接，第三节点N3分别与第二晶体管T2的第二极、第三晶体管T3的第二极和第六晶体管T6的第一极连接。

在示例性实施方式中，存储电容C的第一端与第一电源线VDD连接，存储电容C的第二端与第二节点N2连接，即存储电容C的第二端与第三晶体管T3的控制极连接。

第一晶体管T1的控制极与第二扫描信号线S2连接，第一晶体管T1的第一极与初始信号线INIT连接，第一晶体管的第二极与第二节点N2连接。当导通电平扫描信号施加到第二扫描信号线S2时，第一晶体管T1将初始化电压传输到第三晶体管T3的控制极，以使第三晶体管T3的控制极的电荷量初始化。

第二晶体管T2的控制极与第一扫描信号线S1连接，第二晶体管T2的第一极与第二节点N2连接，第二晶体管T2的第二极与第三节点N3连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第二晶体管T2使第三晶体管T3的控制极与第二极连接。

第三晶体管T3的控制极与第二节点N2连接，即第三晶体管T3的控制极与存储电容C的第二端连接，第三晶体管T3的第一极与第一节点N1连接，第三晶体管T3的第二极与第三节点N3连接。第三晶体管T3可以称为驱动晶体管，第三晶体管T3根据其控制极与第一极之间的电位差来确定在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间流动的驱动电流的量。

第四晶体管T4的控制极与第一扫描信号线S1连接，第四晶体管T4的第一极与数据信号线D连接，第四晶体管T4的第二极与第一节点N1连接。第四晶体管T4可以称为开关晶体管、扫描晶体管等，当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第四晶体管T4使数据信号线D的数据电压输入到像素驱动电路。

第五晶体管T5的控制极与发光信号线E连接，第五晶体管T5的第一极与第一电源线VDD连接，第五晶体管T5的第二极与第一节点N1连接。第六晶体管T6的控制极与发光信号线E连接，第六晶体管T6的第一极与第三节点N3连接，第六晶体管T6的第二极与发光器件的第一极连接。第五晶体管T5和第六晶体管T6可以称为发光晶体管。当导通电平发光信号施加到发光信号线E时，第五晶体管T5和第六晶体管T6通过在第一电源线VDD与第二电源线VSS之间形成驱动电流路径而使发光器件发光。

第七晶体管T7的控制极与第一扫描信号线S1连接，第七晶体管T7的第一极与初始信号线INIT连接，第七晶体管T7的第二极与发光器件的第一极连接。当导通电平扫描信号施加到第一扫描信号线S1时，第七晶体管T7将初始化电压传输到发光器件的第一极，以使发光器件的第一极中累积的电荷量初始化或释放发光器件的第一极中累积的电荷量。

在示例性实施方式中，发光器件可以是OLED，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)，或者可以是QLED，包括叠设的第一极(阳极)、量子点发光层和第二极(阴极)。

在示例性实施方式中，发光器件的第二极与第二电源线VSS连接，第二电源线VSS的信号为低电平信号，第一电源线VDD的信号为持续提供高电平信号。第一扫描信号线S1为本显示行像素驱动电路中的扫描信号线，第二扫描信号线S2为上一显示行像素驱动电路中的扫描信号线，即对于第n显示行，第一扫描信号线S1为S(n)，第二扫描信号线S2为S(n-1)，本显示行的第二扫描信号线S2与上一显示行像素驱动电路中的第一扫描信号线S1为同一信号线，可以减少显示面板的信号线，实现显示面板的窄边框。

在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以是P型晶体管，或者可以是N型晶体管。像素驱动电路中采用相同类型的晶体管可以简化工艺流程，减少显示面板的工艺难度，提高产品的良率。在一些可能的实现方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以包括P型晶体管和N型晶体管。

在示例性实施方式中，第一晶体管T1到第七晶体管T7可以采用低温多晶硅薄膜晶体管，或者可以采用氧化物薄膜晶体管，或者可以采用低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管。低温多晶硅薄膜晶体管的有源层采用低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)，氧化物薄膜晶体管的有源层采用氧化物半导体(Oxide)。低温多晶硅薄膜晶体管具有迁移率高、充电快等优点，氧化物薄膜晶体管具有漏电流低等优点，将低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管集成在一个显示基板上，形成低温多晶氧化物(LowTemperature Polycrystalline Oxide，简称LTPO)显示基板，可以利用两者的优势，可以实现低频驱动，可以降低功耗，可以提高显示品质。

在示例性实施方式中，发光器件可以是有机电致发光二极管(OLED)，包括叠设的第一极(阳极)、有机发光层和第二极(阴极)。

图4为一种像素驱动电路的工作时序图。下面通过图3示例的像素驱动电路的工作过程说明本公开示例性实施例，图3中的像素驱动电路包括7个晶体管(第一晶体管T1到第六晶体管T7)和1个存储电容C。

在示例性实施方式中，像素驱动电路的工作过程可以包括：

第一阶段A1，称为复位阶段，第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号。第二扫描信号线S2的信号为低电平信号，使第一晶体管T1导通，初始信号线INIT的信号提供至第二节点N2，对存储电容C进行初始化，清除存储电容中原有数据电压。第一扫描信号线S1和发光信号线E的信号为高电平信号，使第二晶体管T2、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7断开，此阶段OLED不发光。

第二阶段A2、称为数据写入阶段或者阈值补偿阶段，第一扫描信号线S1的信号为低电平信号，第二扫描信号线S2和发光信号线E的信号为高电平信号，数据信号线D输出数据电压。此阶段由于存储电容C的第二端为低电平，因此第三晶体管T3导通。第一扫描信号线S1的信号为低电平信号使第二晶体管T2、第四晶体管T4和第七晶体管T7导通。第二晶体管T2和第四晶体管T4导通使得数据信号线D输出的数据电压经过第一节点N1、导通的第三晶体管T3、第三节点N3、导通的第二晶体管T2提供至第二节点N2，并将数据信号线D输出的数据电压与第三晶体管T3的阈值电压之差充入存储电容C，存储电容C的第二端(第二节点N2)的电压为Vd-|Vth|，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vth为第三晶体管T3的阈值电压。第七晶体管T7导通使得初始信号线INIT的初始电压提供至OLED的第一极，对OLED的第一极进行初始化(复位)，清空其内部的预存电压，完成初始化，确保OLED不发光。第二扫描信号线S2的信号为高电平信号，使第一晶体管T1断开。发光信号线E的信号为高电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6断开。

第三阶段A3、称为发光阶段，发光信号线E的信号为低电平信号，第一扫描信号线S1和第二扫描信号线S2的信号为高电平信号。发光信号线E的信号为低电平信号，使第五晶体管T5和第六晶体管T6导通，第一电源线VDD输出的电源电压通过导通的第五晶体管T5、第三晶体管T3和第六晶体管T6向OLED的第一极提供驱动电压，驱动OLED发光。

在像素驱动电路驱动过程中，流过第三晶体管T3(驱动晶体管)的驱动电流由其栅电极和第一极之间的电压差决定。由于第二节点N2的电压为Vdata-|Vth|，因而第三晶体管T3的驱动电流为：

I＝K*(Vgs-Vth)²＝K*[(Vdd-Vd+|Vth|)-Vth]²＝K*[(Vdd-Vd]²

其中，I为流过第三晶体管T3的驱动电流，也就是驱动OLED的驱动电流，K为常数，Vgs为第三晶体管T3的栅电极和第一极之间的电压差，Vth为第三晶体管T3的阈值电压，Vd为数据信号线D输出的数据电压，Vdd为第一电源线VDD输出的电源电压。

本公开实施例提供了一种显示基板，所述显示基板包括多个发光区和围绕所述发光区设置的非发光区，所述显示基板包括：位于所述发光区的至少一个阳极，位于所述非发光区的至少一个辅助电极，以及叠设在所述阳极上层的有机发光层和第一阴极，所述显示基板还包括位于所述非发光区的连接层，所述连接层设置为连接所述第一阴极和所述辅助电极；其中，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极；或者，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触。

在一些示例性实施方式中，单个发光区可以是一个子像素，显示基板上发光区以外的部分可以均为非发光区。

在一些示例性实施方式中，发光区在显示基板上的排列方式可以如图2所示，显示基板上可以设置多个辅助电极，多个辅助电极可以设置在子像素区域以外的非发光区。由于辅助电极与第一阴极搭接，相当于给第一阴极并联了一个电阻，因此设置辅助电极的个数越多，辅助电极与第一阴极的搭接面积越大，相当于给第一阴极并联的电阻的阻值越小，更加有助于降低第一阴极的电阻，从而降低第一阴极的电压降。本公开对于辅助电极的数量和位置不作限定，可以根据需要进行设置。

在一些示例性实施方式中，所述连接层的材料为改性镁。

本公开实施例提供了一种显示基板的制备方法，显示基板包括多个发光区和围绕发光区设置的非发光区，图5为本公开实施例中显示基板的制备方法流程图，结合图5，本公开实施例提供的制备方法包括：

S1、在非发光区形成至少一个辅助电极；

S2、在非发光区形成至少一个隔离柱，隔离柱在基底上的正投影覆盖辅助电极在基底上的正投影；

S3、依次形成有机发光层和第一阴极；

S4、剥离隔离柱；

S5、在非发光区形成连接层，连接层设置为连接第一阴极和辅助电极。

其中，连接层覆盖第一阴极和辅助电极；或者，连接层覆盖辅助电极，并与第一阴极接触。

本公开实施例的方案中，通过在辅助电极上制备隔离柱，并在制备发光功能层和第一阴极后剥离隔离柱，在剥离隔离柱后辅助电极上不存在其它膜层，再制备连接层使第一阴极和辅助电极完成搭接。本公开实施例提供的制备方法，第一阴极和辅助电极完成搭接的制备过程中不需要调节EL和阴极的蒸镀角度，不需要设计和使用精细金属掩膜板，制备步骤简单，能够使第一阴极和辅助电极顺利完成搭接，实现了辅助电极的功能。采用本公开实施例的制备方法所制备的显示基板，能够避免第一阴极的电压降过大带来的均一性差、功耗高等显示问题。

本实施方式中，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触；或者，所述连接层覆盖所述辅助电极，并覆盖部分所述第一阴极。

在一些示例性实施方式中，所述连接层的材料为改性镁。

如图16所示，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底10，设置在基底10上的电路结构层11，以及位于电路结构层11上、且同层设置的至少一个阳极21、至少一个辅助电极22，阳极21位于发光区，辅助电极22位于非发光区，阳极21和辅助电极22相互绝缘，在阳极21上依次设置有有机发光层50、第一阴极60以及功能层70，连接层80设置为连接辅助电极22和第一阴极60，封装层90用于对整个显示基板进行封装。其中，电路结构层11中包含有显示基板正常工作所必需的电路结构，第一晶体管101A和第一存储电容101B可以属于同一个子像素的像素驱动电路。阳极21通过像素定义层30上的开口与有机发光层50连接，辅助电极22通过像素定义层30上的开口与连接层80连接。连接层80与第一阴极60接触，连接层80在基底10上的正投影覆盖辅助电极22在基底10上的正投影，连接层80在基底10上的正投影与功能层70在基底10上的正投影没有交叠。在其他实施方式中，连接层80可以覆盖部分第一阴极60的表面。

下面对显示基板的制备过程进行示例性说明。本公开所说的“图案化工艺”，对于金属材料、无机材料或透明导电材料，包括涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，对于有机材料，包括涂覆有机材料、掩模曝光和显影等处理。沉积可以采用溅射、蒸镀、化学气相沉积中的任意一种或多种，涂覆可以采用喷涂、旋涂和喷墨打印中的任意一种或多种，刻蚀可以采用干刻和湿刻中的任意一种或多种，本公开不做限定。“薄膜”是指将某一种材料在基底上利用沉积、涂覆或其它工艺制作出的一层薄膜。若在整个制作过程当中该“薄膜”无需图案化工艺，则该“薄膜”还可以称为“层”。若在整个制作过程当中该“薄膜”需图案化工艺，则在图案化工艺前称为“薄膜”，图案化工艺后称为“层”。经过图案化工艺后的“层”中包含至少一个“图案”。本公开所说的“A和B同层设置”是指，A和B通过同一次图案化工艺同时形成，膜层的“厚度”为膜层在垂直于显示基板方向上的尺寸。本公开示例性实施例中，“B的正投影位于A的正投影的范围之内”或者“A的正投影包含B的正投影”是指，B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

在示例性实施方式中，图6至图16为一种显示基板的制备过程的示意图，制备后得到的显示基板的结构如图16所示。显示基板的制备过程可以包括如下步骤。

(1)形成电路结构层图案。在示例性实施方式中，形成电路结构层图案可以包括：

在基底上依次沉积第一绝缘薄膜和半导体薄膜，通过图案化工艺对半导体薄膜进行图案化，形成覆盖基底的第一绝缘层，以及设置在第一绝缘层上的半导体层图案，半导体层图案至少包括：多个第一有源层。

随后，依次沉积第二绝缘薄膜和第一导电薄膜，通过图案化工艺对第一导电薄膜进行图案化，形成覆盖半导体层图案的第二绝缘层，以及设置在第二绝缘层上的第一导电层图案，第一导电层图案至少包括：多个第一栅电极和多个第一极板。

随后，依次沉积第三绝缘薄膜和第二导电薄膜，通过图案化工艺对第二导电薄膜进行图案化，形成覆盖第一导电层的第三绝缘层，以及设置在第三绝缘层上的第二导电层图案，第二导电层图案至少包括：多个第三极板，第三极板在基底上的正投影与第一极板在基底上的正投影至少部分交叠。

随后，沉积第四绝缘薄膜，通过图案化工艺对第四绝缘薄膜进行图案化，形成覆盖第二导电层图案第四绝缘层图案，第四绝缘层上形成多个有源过孔，多个有源过孔分别暴露出第一有源层的两端。

随后，沉积第三导电薄膜，通过图案化工艺对第三导电薄膜进行图案化，在第四绝缘层上形成第三导电层图案，第三导电层图案至少包括：多个第一源电极和第一漏电极，第一源电极和第一漏电极分别通过有源过孔与第一有源层连接。

随后，在形成前述图案的基底上涂覆平坦薄膜，通过图案化工艺对平坦薄膜进行图案化，形成覆盖第三导电层图案平坦层图案，平坦层上形成有多个连接过孔，多个连接过孔暴露出第一漏电极的表面。

至此，制备完成电路结构层11图案，如图6所示。

在示例性实施方式中，电路结构层可以包括构成像素驱动电路的多个第一晶体管和第一存储电容，图6中仅以一个子像素的像素驱动电路包括一个第一晶体管101A和一个第一存储电容101B作为示例。

在示例性实施方式中，第一晶体管101A可以包括第一有源层、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极，第一存储电容101B可以包括第一极板和第三极板。在示例性实施方式中，第一晶体管101A可以是第一像素驱动电路中的驱动晶体管，驱动晶体管可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)。

在示例性实施方式中，基底10可以是刚性基底，或者可以是柔性基底。刚性基底可以采用玻璃或石英等材料，柔性基底可以采用聚酰亚胺(PI)等材料，柔性基底可以是单层结构，或者可以是无机材料层和柔性材料层构成的叠层结构，本公开在此不做限定。

在示例性实施方式中，第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或更多种，可以是单层、多层或复合层。第一绝缘层可以称为缓冲(Buffer)层，第二绝缘层和第三绝缘层可以称为栅绝缘(GI)层，第四绝缘层可以称为层间绝缘(ILD)层。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以采用金属材料，如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，如铝钕合金(AlNd)或钼铌合金(MoNb)，可以是单层结构，或者多层复合结构，如Ti/Al/Ti等。平坦层可以采用有机材料，如树脂等。半导体层可以采用非晶态氧化铟镓锌材料(a-IGZO)、氮氧化锌(ZnON)、氧化铟锌锡(IZTO)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)、六噻吩、聚噻吩等各种材料，即本公开适用于基于氧化物Oxide技术、硅技术以及有机物技术制造的晶体管，本公开在此不做限定。

(2)形成阳极和辅助电极图案。在示例性实施方式中，形成阳极和辅助电极图案可以包括：

在形成前述图案的基底上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成阳极和辅助电极图案，阳极图案至少可以包括：位于发光区的多个阳极21，阳极21通过连接过孔与第一晶体管101A的第一漏电极连接。辅助电极图案至少可以包括：位于非发光区的多个辅助电极22。

至此，制备完成阳极和辅助电极图案。如图7所示。

在示例性实施方式中，第四导电薄膜可以采用金属材料、透明导电材料或者金属材料和透明导电材料的多层复合结构，金属材料可以包括银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)和钼(Mo)中的任意一种或更多种，或上述金属的合金材料，透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，多层复合结构可以是ITO/Al/ITO等。

(3)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：

在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层图案，像素定义层图案至少可以包括：像素定义层30。像素定义层30上设置有多个第一像素开口和多个第二开口，第一像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露出阳极21的表面，第二开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露出辅助电极22的表面。

至此，制备完成像素定义层图案。如图8所示。

在示例性实施方式中，像素定义薄膜的材料可以包括聚酰亚胺或亚克力等。

(4)形成隔离柱图案。在示例性实施方式中，形成隔离柱图案可以包括：

在形成前述图案的基底上涂覆牺牲层41和光刻胶层42，先对光刻胶层42进行曝光和显影，以对光刻胶层42进行图案化，随后利用图案化的光刻胶层42作为蚀刻掩膜对牺牲层41进行蚀刻，形成位于非发光区的辅助电极22上的隔离柱图案。形成隔离柱图案的过程如图9至图11所示，图11为制备后的隔离柱40。隔离柱图案至少可以包括：多个隔离柱40，每个隔离柱40包括对应设置的牺牲层41和光刻胶层42，图11中仅以一个辅助电极22上设置的一个隔离柱40作为示例。

在示例性实施方式中，如图11所示，光刻胶层42在基底上的正投影可以覆盖牺牲层41在基底上的正投影，牺牲层41在基底上的正投影可以覆盖辅助电极22在基底上的正投影，隔离柱40可以呈“T”形结构。隔离柱40在基底10上的正投影与阳极21在基底10上的正投影可以没有交叠。光刻胶层42远离基底一侧的表面在基底上的正投影可以位于光刻胶层42靠近基底一侧的表面在基底上的正投影之内，即光刻胶层42在垂直于基底方向上的切面可以呈倒梯形，有助于后续形成的膜层在光刻胶层42边缘处形成断裂。

至此，制备完成隔离柱图案。如图11所示。在示例性实施方式中，牺牲层41的材料可以包括非感光有机材料，牺牲层41的材料可以包含含氟聚合物，例如，牺牲层中的含氟聚合物可以由质量分数约为20wt％至60wt％的氟含量的聚合物形成，含氟聚合物可以包括：聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、全氟烷基乙烯基醚和全氟烷基乙烯基醚的共聚物、四氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物或者氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯基醚的共聚物等材料。根据实际需要，牺牲层可以采用其它材料，本公开对此不作限制。在牺牲层41的材料包含含氟聚合物的情况下，在利用图案化的光刻胶层42作为蚀刻掩膜对牺牲层41进行蚀刻时，可以采用含有氢氟醚的溶剂作为蚀刻剂。

(5)形成有机发光层和第一阴极图案。在示例性实施方式中，形成有机发光层和第一阴极图案可以包括：

在形成前述图案的基底上，通过蒸镀方式或喷墨打印方式形成有机发光层图案，有机发光层图案至少可以包括：位于发光区的有机发光层50，有机发光层50通过第一像素开口与阳极21连接。

随后，在形成前述图案的基底上，通过开放式掩膜板的蒸镀方式形成第一阴极图案，整面结构的第一阴极可以覆盖发光区和非发光区，第一阴极60与有机发光层50连接，实现了有机发光层50同时与阳极21和第一阴极60连接。第一阴极60可以为透明阴极，例如可以采用ITO或IZO等透明导电材料制备。

至此，制备完成有机发光层和第一阴极图案，如图12所示。

在示例性实施方式中，有机发光层可以包括发光层(EML)，以及如下任意一种或多种：空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。

在示例性实施方式中，制备有机发光层可以采用如下方式：

首先采用开放式掩膜版(Open Mask，简称OPM)的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺依次形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，在显示基板上形成空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层。

随后采用开放式掩膜版的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺，在不同的子像素形成不同的发光层。相邻子像素的发光层可以有少量的交叠(例如，交叠部分占各自发光层图案的面积小于10％)，或者可以是隔离的。

随后采用开放式掩膜版的蒸镀工艺或者采用喷墨打印工艺依次形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，在显示基板上形成空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层。

在示例性实施方式中，有机发光层50中可以包括微腔调节层，使得阴极60和阳极21之间有机发光层50的厚度满足微腔长度的设计。在一些示例性实施方式中，可以采用空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层或电子传输层作为微腔调节层，本公开在此不做限定。

由于存在隔离柱40，位于辅助电极22上方的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层以及空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层的共通层等膜层将被隔离柱40所阻挡，使辅助电极22的表面不与这些膜层接触。实际上，在形成隔离柱40后直至剥离隔离柱40之前，位于辅助电极22上方的这部分膜层都会被隔离柱40所阻挡，从而在剥离隔离柱40后，可以方便地在辅助电极22上方形成与第一阴极连接的连接层。

在示例性实施方式中，发光层可以包括主体(Host)材料和掺杂在主体材料中的客体(Dopant)材料，发光层客体材料的掺杂比例为1％至20％。在该掺杂比例范围内，一方面发光层主体材料可将激子能量有效转移给发光层客体材料来激发发光层客体材料发光，另一方面发光层主体材料对发光层客体材料进行了“稀释”，有效改善了发光层客体材料分子间相互碰撞、以及能量间相互碰撞引起的荧光淬灭，提高了发光效率和器件寿命。在示例性实施方式中，掺杂比例是指客体材料的质量与发光层的质量之比，即质量百分比。在示例性实施方式中，可以通过多源蒸镀工艺共同蒸镀主体材料和客体材料，使主体材料和客体材料均匀分散在发光层中，可以在蒸镀过程中通过控制客体材料的蒸镀速率来调控掺杂比例，或者通过控制主体材料和客体材料的蒸镀速率比来调控掺杂比例。在示例性实施方式中，发光层的厚度可以约为10nm至50nm。

在示例性实施方式中，空穴注入层可以采用无机的氧化物，如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物或锰氧化物，或者可以采用强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物。在示例性实施方式中，空穴注入层的厚度可以约为5nm至20nm。

在示例性实施方式中，在示例性实施方式中，空穴传输层可以采用空穴迁移率较高的材料，如芳胺类化合物，其取代基团可以是咔唑、甲基芴、螺芴、二苯并噻吩或呋喃等。在示例性实施方式中，空穴传输层的厚度可以约为40nm至150nm。

在示例性实施方式中，空穴阻挡层和电子传输层可以采用芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。在示例性实施方式中，空穴阻挡层的厚度可以约为5nm至15nm，电子传输层的厚度可以约为20nm至50nm。

在示例性实施方式中，电子注入层可以采用碱金属或者金属，例如氟化锂(LiF)、镱(Yb)、镁(Mg)或钙(Ca)等材料，或者这些碱金属或者金属的化合物等。在示例性实施方式中，电子注入层的厚度可以约为0.5nm至2nm。

在示例性实施方式中，第一阴极可以采用镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)和锂(Li)中的任意一种或多种，或采用上述金属中任意一种或多种制成的合金。

(6)形成功能层图案。在示例性实施方式中，形成功能层图案可以包括：

在形成前述图案的基底上沉积有机图案化材料薄膜，形成功能层图案，功能层图案至少可以包括：功能层70，如图13所示。功能层70的厚度可以为20埃至130埃，在示例性实施方式中，功能层70的厚度可以为30埃至100埃。

在示例性实施方式中，如图13所示，功能层70在基底10上的正投影与第一阴极60在基底10上的正投影重合，暴露出第一阴极60靠近隔离柱40一侧的侧面，第一阴极60可以通过该暴露的侧面与辅助电极22完成搭接。这种制备方式无需使用精细金属掩膜板，成本较低。

在示例性实施方式中，如果需要第一阴极60暴露出更大的搭接面积，在沉积有机图案化材料薄膜后，可以采用精细金属掩膜板对有机图案化材料薄膜进行图案化处理，使形成的功能层70在基底上的正投影位于第一阴极6 0在基底上的正投影之内，暴露出第一阴极60靠近隔离柱40一侧的部分上表面，可以根据需要设计第一阴极60不被功能层70覆盖的上表面的形状尺寸等参数，功能层70的上表面为功能层70远离基底一侧的表面。这样一来，辅助电极22可以与第一阴极60的暴露出的侧面和未被覆盖的这部分上表面进行搭接，辅助电极22与第一阴极60的接触面积更大，降低第一阴极60电阻的效果更好。

(7)剥离隔离柱图案。在示例性实施方式中，剥离隔离柱图案可以包括：

采用剥离溶剂对牺牲层41进行剥离，在采用质量分数为20wt％至60wt％的氟含量的聚合物作为牺牲层的材料的情况下，剥离溶剂例如可以是含有氢氟醚类溶剂，从而能够对牺牲层41进行剥离。在从基底上剥离牺牲层41后，隔离柱40及位于隔离柱40上方的膜层都将从基底上剥离。剥离隔离柱40后的结构如图14所示。

在一种示例性实施方式中，显示基板的多个发光区可以包括第一发光区、第二发光区和第三发光区，第一发光区、第二发光区和第三发光区可以分别对应不同颜色的子像素，例如：红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。可以对不同颜色的发光区分别执行上述制备过程(4)至(7)，下面以第一发光区为例，对本实施方式中制备过程(4)至(7)的细节进行说明：

在形成隔离柱图案(对应上述制备过程(4))时，可以保留除第一发光区以外的牺牲层41和光刻胶层42，即显示基板上只暴露出第一发光区，其它位置均覆盖有牺牲层41和光刻胶层42。随后，在第一发光区形成有机发光层、第一阴极图案和功能层图案(对应上述制备过程(5)至(6))。在剥离隔离柱图案(对应上述制备过程(7))时，还包括从基底上剥离显示基板上其它位置的牺牲层41和光刻胶层42。具体制备过程参见上面制备过程(4)至(7)的描述，在此不再赘述。

至此，在显示基板上完成第一发光区的制备。在一种示例性实施方式中，随后可以进行第二发光区的制备，制备第二发光区时可以重复上述制备过程(4)至(7)，即重新在辅助电极22上形成隔离柱40，并利用牺牲层41和光刻胶层42覆盖显示基板上除第二发光区以外的部分，形成有机发光层、第一阴极图案和功能层图案后，剥离隔离柱40以及显示基板上的牺牲层41和光刻胶层42，完成第二发光区的制备。最后，可以重复上述制备过程(4)至(7)以进行第三发光区的制备。制备过程参见上述对第一发光区和第二发光区的描述，在此不再赘述。本公开实施例中，在形成有机发光层的过程中可以不使用精细金属掩膜板，节约了显示基板的成本。

在其它实施方式中，显示基板的多个发光区可以包括第一发光区、第二发光区、第三发光区和第四发光区，第一发光区、第二发光区、第三发光区和第四发光区可以分别对应不同颜色的子像素，例如：红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。可以对不同颜色的发光区分别执行上述制备过程(4)至(7)，制备过程可以参见上述描述，在此不再赘述。本公开对显示基板包括的子像素颜色种类、数量及排列方式等不作限制。

(8)形成连接层图案。在示例性实施方式中，形成连接层图案可以包括：

在形成前述图案的基底上沉积改性镁(Mg)薄膜，形成覆盖辅助电极22并与阴极60相接触的连接层图案，连接层图案至少可以包括：连接层80，如图15所示。利用改性镁材料制备的连接层80的厚度可以在800埃以上，在示例性实施方式中，连接层80的厚度可以为1000埃至5000埃(或者可以为5000埃以上)，可以根据需要选择连接层80的厚度。

在示例性实施方式中，由于改性Mg与有机图案化材料相互排斥，改性Mg无法在有机图案化材料的表面成膜。因此在功能层70的表面不会形成连接层80，即功能层70能够起到对改性镁薄膜进行图案化的作用。如图15所示，连接层80与第一阴极60暴露的侧面连接，实现了第一阴极60和辅助电极22的搭接。在其他实施方式中，可以将第一阴极60与连接层80接触的侧面制备成斜面，以增加第一阴极60与连接层80的接触面积；或者，可以在形成功能层70时，控制第一阴极60靠近连接层80一侧的部分表面不被功能层70覆盖，并使连接层80覆盖第一阴极60没有被功能层70覆盖的该部分表面，以增加第一阴极60与连接层80的接触面积；或者，采用其它方式增加第一阴极60与连接层80的接触面积，本公开对此不作限制。

由于在剥离隔离柱40后暴露出辅助电极22的表面，使得连接层80能够直接形成在辅助电极22的表面，连接层80与辅助电极22的接触面积更大，连接层80实现了辅助电极22与第一阴极60的搭接。本实施例中制备连接层80的方法简单。

(9)形成封装层图案。在示例性实施方式中，形成封装层图案可以包括：

在形成前述图案的基底上，形成封装层90，如图16所示。在示例性实施方式中，封装层90的制备过程可以是：在形成前述图案的基底上，先利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第一封装薄膜，形成第一层图案，随后利用开放式掩膜板采用喷墨打印工艺打印第二封装材料，形成第二层图案，随后利用开放式掩膜板采用沉积方式沉积第三封装薄膜，形成第三层图案。至此，制备完成封装层图案。封装层90也可以采用其它的结构，本公开在此不做限定。

在示例性实施例中，第一封装薄膜和第三封装薄膜可以采用硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的任意一种或多种，可以是单层、多层或复合层，可以保证外界水氧无法进入发光结构层，沉积方式可以采用化学气相沉积(CVD)或者原子层沉积(ALD)等方式。第二封装薄膜可以采用有机材料，如树脂等，起到包覆显示基板各个膜层的作用，以提高结构稳定性和平坦性。

经上述制备后，得到的显示基板的结构如图16所示。显示基板还可以包括其它膜层结构，例如触控结构层、保护层等结构，可以根据实际需要进行制备，这里不再赘述。

在示例性的实施例中，如图23所示，本公开实施例提供了又一种结构的显示基板，显示基板包括：基底10，设置在基底10上的电路结构层11，以及位于电路结构层11上的至少一个阳极21、像素定义层30，阳极21位于发光区，在像素定义层30上设置有辅助电极22，辅助电极22位于非发光区，在阳极21上依次设置有有机发光层50、第一阴极60以及功能层70，连接层80设置为连接辅助电极22和第一阴极60，封装层90用于对整个显示基板进行封装。其中，电路结构层11中包含有显示基板正常工作所必需的电路结构，第一晶体管101A和第一存储电容101B可以属于同一个子像素的像素驱动电路。阳极21通过像素定义层30上的开口与有机发光层50连接。连接层80与第一阴极60接触，连接层80在基底10上的正投影覆盖辅助电极22在基底10上的正投影，连接层80在基底10上的正投影与功能层70在基底10上的正投影没有交叠。在其他实施方式中，连接层80可以覆盖部分第一阴极60的表面。

图17至图23为本公开又一种结构的显示基板的制备过程示意图，制备后得到的显示基板的结构如图23所示。在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下步骤。

1)在形成了电路结构层11的基底上沉积第四导电薄膜，通过图案化工艺对第四导电薄膜进行图案化，形成阳极图案，阳极图案至少可以包括：位于发光区的多个阳极21。

形成电路结构层图案的过程可以参照上述制备过程(1)，第四导电薄膜的材料参见上述制备过程(2)，在此不再赘述。

制备后的阳极图案可以如图17所示。

2)形成像素定义层图案。在示例性实施方式中，形成像素定义层图案可以包括：

在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过图案化工艺对像素定义薄膜进行图案化，形成像素定义层图案，像素定义层图案至少可以包括：像素定义层30。像素定义层30上设置有多个第一像素开口，第一像素开口内的像素定义薄膜被去掉，暴露出阳极21的表面。

至此，制备完成像素定义层图案。如图18所示。

3)形成辅助电极图案。在示例性实施方式中，形成辅助电极图案可以包括：

在形成前述图案的基底上沉积第五导电薄膜，通过图案化工艺对第五导电薄膜进行图案化，形成辅助电极图案，辅助电极图案至少可以包括：位于非发光区的多个辅助电极22。

至此，制备完成辅助电极图案。如图19所示。第五导电薄膜的材料可以与第四导电薄膜的材料相同，在此不再赘述。

4)在辅助电极22上形成隔离柱图案。在示例性实施方式中，形成隔离柱图案的过程可以参照上述制备过程(4)，在此不再赘述。

在示例性实施方式中，制备后的隔离柱图案可以如图20所示，图20中以靠近单个阳极21的两个辅助电极22上设置的隔离柱40作为示例，隔离柱40包括对应设置的牺牲层41和光刻胶层42。

5)形成有机发光层、第一阴极和功能层图案。具体形成过程参照上述制备步骤(5)至(6)，在此不再赘述。

在示例性实施方式中，制备后的有机发光层50、第一阴极60和功能层70如图21所示。

6)剥离隔离柱。

在示例性实施方式中，剥离隔离柱40的过程可以参照上述制备过程(7)，在此不再赘述。剥离隔离柱40后的显示基板可以如图22所示。

在一种示例性实施方式中，显示基板的多个发光区可以包括第一发光区、第二发光区和第三发光区，第一发光区、第二发光区和第三发光区可以分别对应不同颜色的子像素，例如：红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。可以对不同颜色的发光区分别执行上述制备步骤4)至6)，对不同颜色发光区分别进行制备的过程可以参照上述制备过程(4)至(7)的相关描述，在此不再赘述。

7)形成连接层图案。

连接层80的材料为改性镁，制备过程及与第一阴极60之间可能的搭接形式可以参照上述制备过程(8)，在此不再赘述。形成连接层80后的结构可以如图23所示。

8)形成封装层图案。

在示例性实施方式中，形成封装层90的过程可以参照上述制备过程(9)，在此不再赘述。形成封装层90后的结构如图24所示。

至此，显示基板制备完成，如图24所示。

本实施例中，将辅助电极设置在像素定义层之上，便于制备辅助电极，易于剥离隔离柱。

在示例性实施方式中，连接层可以采用其它结构及工艺形式。如图28所示，本公开实施例提供了另一种结构的显示基板，显示基板包括：基底10，设置在基底10上的电路结构层11，以及位于电路结构层11上、且同层设置的至少一个阳极21、至少一个辅助电极22，阳极21位于发光区，辅助电极22位于非发光区，阳极21和辅助电极22相互绝缘，在阳极21上依次设置有有机发光层50、第一阴极60，本实施例中连接层为第二阴极61，设置为连接辅助电极22和第一阴极60，封装层90用于对整个显示基板进行封装。其中，电路结构层11中包含有显示基板正常工作所必需的电路结构，第一晶体管101A和第一存储电容101B可以属于同一个子像素的像素驱动电路。阳极21通过像素定义层30上的开口与有机发光层50连接。第二阴极61在基底10上的正投影覆盖第一阴极60和辅助电极22在基底10上的正投影。

图25至图28为本公开另一种结构的显示基板的制备过程示意图，制备后得到的显示基板的结构如图28所示。在示例性实施方式中，显示基板的制备过程可以包括如下步骤。

A)形成电路结构层11、阳极21、辅助电极22及像素定义层30。形成电路结构层11、阳极21、辅助电极22及像素定义层30的制备过程可以参见上述制备过程(1)至(3)，在此不再赘述。

B)形成隔离柱40，并依次形成有机发光层50和第一阴极60。本实施例中，有机发光层50可以包括依次叠设的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层和电子传输层。形成隔离柱40、有机发光层50和第一阴极60的制备过程可以参见上述制备过程(4)至(5)，在此不再赘述。

形成第一阴极60后的显示基板可以如图25所示。从图25中可以看出，有机发光层50包括组合层51和电子传输层52，组合层51包含依次叠设的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层和发光层，位于辅助电极22上方的组合层51包括：空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层，在隔离柱40的阻挡下，空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层的共通层、电子传输层52以及第一阴极60不与辅助电极22接触。

C)剥离隔离柱。在形成第一阴极60之后，可以直接剥离隔离柱40，剥离隔离柱40后的结构如图26所示，在剥离隔离柱后，暴露出辅助电极22的表面。剥离隔离柱的方法可以参见上述制备过程(7)，在此不再赘述。

在一种示例性实施方式中，显示基板的多个发光区可以包括第一发光区、第二发光区和第三发光区，第一发光区、第二发光区和第三发光区可以分别对应不同颜色的子像素，例如：红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。可以对不同颜色的发光区分别执行上述制备过程B)和C)，即形成隔离柱40、有机发光层50和第一阴极60，然后剥离隔离柱40的过程。例如，在进行第一发光区的制备时，可以在辅助电极22上形成隔离柱图案，隔离柱图案包括隔离柱40，还包括覆盖除第一发光区以外区域的牺牲层41和光刻胶层42。在形成有机发光层50和第一阴极60后，剥离隔离柱40及显示基板上覆盖的牺牲层41和光刻胶层42，完成对第一发光区的制备。随后可以进行第二发光区的制备，隔离柱图案包括隔离柱40，还包括覆盖除第二发光区以外区域的牺牲层41和光刻胶层42。在形成有机发光层50和第一阴极60后，剥离隔离柱40及显示基板上覆盖的牺牲层41和光刻胶层42，完成对第二发光区的制备。最后重复上述步骤完成对第三发光区的制备，在此不再赘述。

D)形成第二阴极。随后，在形成前述图案的基底上，通过开放式掩膜板的蒸镀方式形成第二阴极图案，整面结构的第二阴极可以覆盖发光区和非发光区，如图27所示。第二阴极61覆盖第一阴极60以及辅助电极22，实现了第一阴极60和辅助电极22的搭接。第二阴极61的材料可以与第一阴极60相同，在此不再赘述。

E)形成封装结构层。随后，在形成前述图案的基底上形成封装结构层图案，如图28所示。形成封装结构层90的过程可以参见上述制备过程(9)，在此不再赘述。

至此，完成显示基板的制备，制备后的显示基板可以如图28所示。

在本实施例中，先完成第一阳极60的制备后剥离隔离柱40，随后直接制备第二阴极61，采用第二阴极61作为第一阴极60与辅助电极22之间的连接层，使第一阴极60与辅助电极22之间的接触面积更大，降低第一阴极60电压降的效果更好，且不需要制备功能层及改性镁层，制备步骤简单，成本更低。

上述制备方式之间可以相互组合，例如，在将辅助电极设置在像素定义层上时，也可以采用第二阴极作为连接层。在实际应用中，可以根据需要选择合适结构的显示基板进行制备，本公开对此不作限制。

本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一实施例所述方法制备的显示基板。显示装置可以为：OLED显示器、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本公开实施例并不以此为限。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

Claims

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括多个发光区和围绕所述发光区设置的非发光区，所述显示基板包括：

位于所述发光区的至少一个阳极，位于所述非发光区的至少一个辅助电极，以及叠设在所述阳极上层的有机发光层和第一阴极，所述显示基板还包括位于所述非发光区的连接层，所述连接层设置为连接所述第一阴极和所述辅助电极；

其中，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极；或者，

所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述非发光区的像素定义层，其中，

所述像素定义层包括至少一个第一像素开口和至少一个第二开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接，所述辅助电极通过所述第二开口与所述连接层连接，所述阳极和所述辅助电极同层设置且相互绝缘；或者，

所述像素定义层包括至少一个第一像素开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接；至少一个辅助电极位于所述像素定义层的上层。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极包括：

所述连接层为第二阴极，所述连接层在基底上的正投影覆盖所述第一阴极和所述辅助电极在基底上的正投影。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触，包括：

所述显示基板还包括设置在所述第一阴极上层的功能层，所述功能层在基底上的正投影与所述连接层在基底上的正投影没有交叠；

所述连接层在基底上的正投影覆盖所述辅助电极和部分所述第一阴极；或者，所述连接层与所述第一阴极接触，且所述连接层在基底上的正投影覆盖所述辅助电极。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述连接层的材料为改性镁。

6.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述显示基板包括多个发光区和围绕所述发光区设置的非发光区，所述方法包括：

在非发光区形成至少一个辅助电极；

在所述非发光区形成至少一个隔离柱，所述隔离柱在基底上的正投影覆盖所述辅助电极在所述基底上的正投影；

依次形成有机发光层和第一阴极；

剥离所述隔离柱；

在所述非发光区形成连接层，所述连接层设置为连接所述第一阴极和所述辅助电极；

其中，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极；或者，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在非发光区形成至少一个辅助电极，包括：

在发光区的基底上形成至少一个阳极，在所述非发光区的基底上形成至少一个辅助电极，所述阳极和所述辅助电极同层设置且相互绝缘；随后形成像素定义层，所述像素定义层位于所述非发光区，包括至少一个第一像素开口和至少一个第二开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接，所述辅助电极通过所述第二开口与所述连接层连接；或者，

在发光区的基底上形成至少一个阳极；随后形成像素定义层，所述像素定义层位于所述非发光区，包括至少一个第一像素开口，所述阳极通过所述第一像素开口与所述有机发光层连接；在所述像素定义层上形成至少一个辅助电极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述连接层覆盖所述第一阴极和所述辅助电极，包括：所述连接层为第二阴极，在所述基底上形成所述第二阴极，所述第二阴极在所述基底上的正投影覆盖所述第一阴极和所述辅助电极在基底上的正投影。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在所述剥离所述隔离柱之前，所述方法还包括：

在所述第一阴极上形成功能层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述连接层覆盖所述辅助电极，并与所述第一阴极接触，包括：所述功能层在基底上的正投影与所述连接层在基底上的正投影没有交叠；

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述连接层的材料为改性镁。

12.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述隔离柱包括叠设的牺牲层和光刻胶层，所述在所述非发光区形成至少一个隔离柱，包括：

在所述基底上依次形成所述牺牲层和所述光刻胶层，所述光刻胶层在所述基底上的正投影覆盖所述牺牲层在所述基底上的正投影，所述牺牲层在所述基底上的正投影覆盖所述辅助电极在基底上的正投影。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述光刻胶层远离所述基底一侧的表面在所述基底上的正投影位于所述光刻胶层靠近所述基底一侧的表面在所述基底上的正投影之内。

14.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述形成连接层后，所述方法还包括：

在所述基底上形成封装层。

15.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5中任一项所述的显示基板。