JP6640336B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents
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Description
1.実施の形態(第1電極を複数のサブ電極に分割し、サブ電極毎にリフレクタを有する開口部が設けられた表示装置の例)
2.変形例1−1〜1−3(サブ電極のストライプ状配置の他の例)
3.変形例2−1,2−2(サブ電極の面形状を円形状,楕円形状とした例)
4.変形例3−1,3−2(サブ電極の分割方向の他の例)
5.変形例4(第1電極の面形状の他の例)
6.変形例5(画素部の他の構成例)
7.適用例(電子機器の例)
[構成]
図1は、本開示の一実施の形態に係る表示装置(表示装置1)の全体構成を表したものである。表示装置1は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ELディスプレイ等であり、例えばR(赤),G(緑),B(青)のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型(トップエミッション型)の表示装置である。この表示装置1は、例えば、画素部2と、この画素部2を駆動するための回路部(走査線駆動部3、信号線駆動部4および電源線駆動部5)とを備えている。画素部2は、2次元配置された複数の画素pr,pg,pbを有している。
この駆動基板11aの上に、画素pr,pg,pb毎に有機EL素子10が形成されている。図3に示したように、有機EL素子10は、第1電極14上に、有機層16と第2電極17とを有している。第1電極14は、駆動基板11a上に複数配置されており、これらの複数の第1電極14を覆うように、第1絶縁膜15(絶縁膜)が形成されている。第1絶縁膜15は、各第1電極14に対向して複数の開口部(開口部H1a)を有している。有機層16は、第1絶縁膜15の各開口部H1aに形成されている。
n2−n1≧0.20 ………(2)
0.5≦t/R1≦2.0 ………(4)
次に、上記のような表示装置1において発生する画素欠陥の修復(リペア)について述べる。表示装置1では、例えば製造プロセス等に起因して、有機層16に異物が混入し、第1電極14と第2電極17とが電気的に短絡する場合がある。このような電気的短絡が生じた画素Pは、滅点(画素欠陥)となる。このため、短絡箇所に例えばレーザ光を照射し、画素欠陥を修復することが望まれる。
本実施の形態の表示装置1では、走査線駆動部3から各画素Pの書き込みトランジスタWsTrへ選択パルスが供給されることで、画素Pが選択される。この選択された画素Pに、信号線駆動部4から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Csに保持される。保持容量Csに保持された信号に応じて駆動トランジスタDsTrがオンオフ制御され、有機EL素子10に駆動電流が注入される。これにより、有機EL素子10(有機電界発光層)では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、例えば第2電極17、第2絶縁膜18、封止層19、カラーフィルタ層(赤色フィルタ20R,緑色フィルタ20B,青色フィルタ20B)および第2基板21を透過して取り出される。これにより、各画素P(画素pr,pg,pb)から赤色光、緑色光および青色光が射出され、これらの色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。
図12Aは、変形例1−1に係る第1電極14の構成を表したものである。図12Bは、変形例1−2に係る第1電極14の構成を表したものである。図12Cは、変形例1−3に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態では、第1電極14において3つのサブ電極14aがストライプ状に配置され、各サブ電極14aが端部(端部e1,e2)において接続された構成を例示した。しかしながら、第1電極14におけるサブ電極14aの端部の構成は、これに限定されるものではなく、様々な形態をとり得る。ここに記載する構成もあくまで一例である。
図13Aは、変形例2−1に係る第1電極14の構成を表したものである。図13Bは、変形例3−2に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態では、サブ電極14aの面形状が矩形状を有する場合を例示したが、このサブ電極14aの面形状は、矩形状に限定されるものではなく、様々な形状をとり得る。ここに記載する構成もあくまで一例である。
図14Aは、変形例3−1に係る第1電極14の構成を表したものである。図14Bは、変形例3−2に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態では、第1電極14がその矩形状の長辺方向に沿って分割される場合について説明したが、第1電極14の分割方向は、これに限定されるものではない。
図15は、変形例4に係る第1電極14の構成を表したものである。上記実施の形態等では、第1電極14の面形状が矩形状を有する構成を例示したが、第1電極14の面形状は、矩形状に限定されるものではない。例えば、本変形例のように、正方形状の第1電極14が用いられてもよい。この場合にも、上記実施の形態と同様、スリット140を介して複数(ここでは5つ)のサブ電極14aが配置されることにより、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
図16は、変形例5に係る画素部の構成を表したものである。上記実施の形態では、有機EL素子10の有機層16が白色光を発生する構成(例えば真空蒸着法等のドライプロセスを想定した構成)を例示したが、画素部(有機層)の構成はこれに限定されない。本変形例のように、例えばウェットプロセス(印刷、塗布)により各色の有機層(有機層16R,16G,16B)が形成されてもよい。この例では、画素分離膜15は、第1絶縁膜15Aと第2絶縁膜15Bとの積層構造を有し、隔壁として機能する。
上記実施の形態において説明した表示装置1は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図17に、表示装置1が適用される電子機器(電子機器1A)の機能ブロック構成を示す。電子機器1Aとしては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ(PC)、スマートフォン、タブレット型PC、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
(1)
複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有する
表示装置。
(2)
前記複数の開口部はそれぞれリフレクタを有する
上記(1)に記載の表示装置。
(3)
前記複数のサブ電極の各面形状は矩形状を有する
上記(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)
前記複数のサブ電極は、全体としてストライプ状をなす
上記(3)に記載の表示装置。
(5)
前記複数のサブ電極は互いに電気的に接続されている
上記(1)〜(4)のいずれか1つに記載の表示装置。
(6)
前記複数の画素のうちの選択的な画素では、前記サブ電極のうちの一部分がその他の部分から切断されている
上記(1)〜(5)のいずれか1つに記載の表示装置。
(7)
前記複数のサブ電極の面形状はそれぞれ、複数の円形状部または多角形状部を有する
上記(1)〜(6)のいずれか1つに記載の表示装置。
(8)
複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有する
表示装置を備えた電子機器。
Claims (8)
- 複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有し、
前記複数のサブ電極は、互いに隙間を介して配置されるとともに、互いの一部で繋がっている
表示装置。 - 前記複数の開口部はそれぞれリフレクタを有する
請求項1記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極の各面形状は矩形状を有する
請求項1または請求項2に記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極は、全体としてストライプ状をなす
請求項3に記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極は互いに電気的に接続されている
請求項1ないし請求項4のうちいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記複数の画素のうちの選択的な画素では、前記サブ電極のうちの一部分がその他の部分から切断されている
請求項1ないし請求項5のうちいずれか1項に記載の表示装置。 - 前記複数のサブ電極の面形状はそれぞれ、複数の円形状部または多角形状部を有する
請求項1ないし請求項6のうちいずれか1項に記載の表示装置。 - 複数の画素を備え、
前記複数の画素はそれぞれ、
複数のサブ電極を含む第1電極と、
前記第1電極上に形成されると共に、前記複数のサブ電極のそれぞれに対向して開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の各開口部に形成されると共に発光層を含む有機層と、
前記有機層上に形成された第2電極と
を有し、
前記複数のサブ電極は、互いに隙間を介して配置されるとともに、互いの一部で繋がっている
表示装置を備えた電子機器。
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US7030553B2 (en) * | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
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KR101066411B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2011-09-21 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
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KR100713998B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 분할 구조 전극을 가지는 유기 발광 표시장치 및 이의 보수방법 |
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WO2013038971A1 (ja) * | 2011-09-12 | 2013-03-21 | シャープ株式会社 | 発光デバイス、表示装置、及び照明装置 |
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