CN104508848B - 显示装置、其制造方法以及制造电子设备的方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种制造显示装置的方法。该方法包括：形成多个第一电极(14)；形成功能层(15)，该功能层覆盖该第一电极(14)覆盖及电极间区域；以及局部施加能量射线(E)至该功能层(15)以在该电极间区域的该功能层中形成断开部或高电阻部(15D)。

Description

显示装置、其制造方法以及制造电子设备的方法
技术领域
本技术涉及包括诸如空穴注入层和发光层的功能层的显示装置、制造该显示装置的方法、以及制造电子设备的方法。
背景技术
近年来，采用有机电致发光(EL)装置的显示器作为平板显示器中的一种已经引起人们的注意。该显示器是自发光型，并且因此具有宽视角和低功耗的特点。此外，有机EL单元被认为对高清晰度的高速视频信号具有充足的响应性，因此，逐渐向实际应用而发展。
在已知的有机EL单元的构造中，例如，第一电极、包括发光层的有机层和第二电极为顺序堆叠。在彼此相邻的第一电极之间的区域(电极间区域)中，设置有由绝缘膜形成的隔挡。作为形成有机层的方法，主要有两种方法，即，一种方法是，利用蒸发掩模为每个装置单独蒸发红、绿和蓝各个颜色的发光层，另一种方法是，堆叠红、绿和蓝各个颜色的发光层，并且不采用蒸发掩模使它们形成为被各装置共用。后者的方法在高清晰度和开口率的改善上是有利的。
然而，在后者的方法中，在相邻的装置之间容易发生驱动电流泄漏而通过有机层(特别是，空穴注入层)。由于泄漏电流，非发光单元受发光单元的影响而发光，这导致混色和发光效率上的降低。
相反，在PTL 1中，提出了一种方法，其中通过将隔挡设置为倒锥形状使空穴注入层在装置之间的电阻增加，并且因此防止泄漏的发生。
[引用列表]
[专利文件]
[PTL 1]
日本未审查专利申请公开No.2009-4347
发明内容
[技术问题]
然而，空穴注入层的电阻不能通过PTL1中的方法充分增加，因此需要开发一种更加可靠地防止泄漏的方法。
所希望的是提供能更加可靠地防止泄漏电流发生的显示装置、制造该显示装置的方法、以及制造电子设备的方法。
[解决问题的方案]
根据本技术的实施例，提供制造显示装置的第一方法，该方法包括：形成多个第一电极；形成覆盖该第一电极及电极间区域的功能层；以及局部施加能量射线到功能层以在该电极间区域的该功能层中形成断开部或高电阻部。
根据本技术的实施例，提供制造电子设备的方法，该方法包括制造显示装置。制造显示装置包括：形成多个第一电极；形成覆盖该第一电极及电极间区域的功能层；以及局部施加能量射线至功能层以在该电极间区域的该功能层中形成断开部或高电阻部。
在本技术实施例的制造显示装置的方法或制造电子设备的方法中，断开部或高电阻部通过施加能量射线而形成在功能层中，并且因此由该电极间区域阻挡电流流过功能层。
根据本技术的实施例，所提供的显示装置包括：多个第一电极；以及覆盖该第一电极及电极间区域的功能层，该功能层在电极间区域中具有断开部或高电阻部，该断开部或高电阻部通过局部施加能量射线而形成。
在本技术实施例的显示装置中，电流经由功能层的流动受到电极间区域中断开部的阻挡。
根据本技术的实施例，提供制造显示装置的第二方法。该方法包括：形成多个第一电极；在该第一电极的电极间区域中形成端子和隔挡，该端子埋设在该隔挡中；施加能量射线至该隔挡以暴露该隔挡中埋设的端子的表面，并且电连接该端子到第二电极，该第二电极面对第一电极，其中功能层位于第一电极和第二电极之间。
在根据本技术实施例的制造显示装置的第二方法中，第二电极电连接到埋设在隔挡中的端子。因此，不再需要提供用于连接第二电极的电极焊盘的区域。例如，显示区域的周围提供的电极焊盘变得不必要，因此，减小了显示区域和划线区域之间的区域(周边部分)。另外，通过施加能量射线削刮且平滑化隔挡，抑制第二电极的断开。
[发明的有益效果]
根据本技术各实施例的显示装置、制造显示装置的方法和制造电子设备的方法，通过施加能量射线提供断开部或高电阻部。因此，更加可靠地防止泄漏电流的发生。
应理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示范性的，并且旨在对如权利要求所述的技术方案提供进一步的说明。
附图说明
附图包括对本技术提供进一步的理解，并且结合在说明书中且构成其一部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于说明本技术的原理。
图1是示出根据本技术第一实施例的显示装置结构的截面图。
图2是示出图1所示显示装置的总体构造的示意图。
图3是示出图2所示像素驱动电路示例的示意图。
图4是示出图1所示隔挡的另一个示例的截面图。
图5A是示出制造图1所示显示装置的步骤的截面图。
图5B是示出图5A步骤的下一步骤的截面图。
图5C是示出图5B步骤的下一步骤的截面图。
图6A是示出图5C步骤的下一步骤的截面图。
图6B是示出图6A步骤的下一步骤的截面图。
图6C是示出图6B步骤的下一步骤的截面图。
图7A是示出图6C步骤的下一步骤的截面图。
图7B是示出图7A步骤的下一步骤的截面图。
图8A是示出图7B步骤的下一步骤的截面图。
图8B是示出图8A步骤的下一步骤的截面图。
图9A是示出图8B步骤的下一步骤的截面图。
图9B是示出图9A步骤的下一步骤的截面图。
图10是示出图9A所示步骤的另一个示例的截面图。
图11A是示出图9B步骤的下一步骤的截面图。
图11B是示出图11A步骤的下一步骤的截面图。
图12是示出根据比较示例的显示装置结构的截面图。
图13是示出根据变型例1的显示装置的截面图。
图14A是示出制造图13所示显示装置的步骤的截面图。
图14B是示出图14A步骤的下一步骤的截面图。
图15是示出根据变型例2的显示装置结构的截面图。
图16是示出根据本技术第二实施例的显示装置结构的截面图。
图17是示出制造图16所示显示装置的步骤的截面图。
图18A是示出图16所示显示装置另一个示例的截面图。
图18B是示出图18A所示显示装置另一个示例的截面图。
图19是示出根据本技术第三实施例的显示装置结构的截面图。
图20A是示出制造图19所示显示装置的步骤示例的截面图。
图20B是示出图20A步骤的下一步骤的截面图。
图21A是示出制造图19所示显示装置的另一个步骤示例的截面图。图21B是示出图21A步骤的下一步骤的截面图。
图22是示出根据本技术第四实施例的显示装置结构的截面图。
图23A是示出图12所示显示装置结构的平面图。
图23B是示出沿着图23A中的B-B线剖取的截面结构的示意图。
图24A是示出制造图22所示显示装置的步骤的截面图。
图24B是示出图24A步骤的下一步骤的截面图。
图24C是示出图24B步骤的下一步骤的截面图。
图25A是示出图24C步骤的下一步骤的截面图。
图25B是示出图25A步骤的下一步骤的截面图。
图25C是示出图25B步骤的下一步骤的截面图。
图26是示出包括图1所示显示装置等的模块的示意性构造的平面图。
图27是示出应用示例1的外观的透视图。
图28A是示出应用示例2从其前侧看的外观的透视图。
图28B是示出应用示例2从其后侧看的外观的透视图。
图29是示出应用示例3的外观的透视图。
图30是示出应用示例4的外观的透视图。
图31A是示出应用示例5在关闭状态下的示意图。
图31B是示出应用示例5在打开状态下的示意图。
具体实施方式
下面，将参考附图详细描述本技术的某些实施例。应注意，描述将以下面的顺序给出。
1.第一实施例(其中断开部设置在空穴注入层中的显示装置：顶发射式)
2.变型例1(其中高电阻部设置在空穴注入层中的显示装置)
3.变型例2(其中断开部设置在空穴注入层中的显示装置：底发射式)
4.第二实施例(其中隔挡通过施加能量射线光滑化的显示装置)
5.第三实施例(其中断开部设置在发光层以及空穴注入层二者中的显示装置)
6.第四实施例(其中端子埋设在隔挡中的显示装置)
<第一实施例>
(显示装置的总体构造)
图1示出了根据本技术第一实施例的显示装置(显示装置1)的主体的截面结构。显示装置1是包括多个有机EL单元10的自发光显示装置，并且在支撑基板11上顺序包括像素驱动电路形成层L1、包括有机EL单元10的发光单元形成层L2和对置基板21。显示装置1是所谓的顶发射式显示装置，具有在对置基板21侧的光取出方向。像素驱动电路形成层L1例如可包括用于图像显示的信号线驱动电路和扫描线驱动电路(二者均未示出)。稍后将描述每个部件的细节。
图2示出了显示装置1的总体构造。显示装置1包括在支撑基板11上的显示区域110，并且显示装置1用作超薄有机发光彩色显示装置。例如，信号线驱动电路120、扫描线驱动电路130和电源线驱动电路140为用于图像显示的驱动器，它们可设置在支撑基板11上显示区域110的周边。
在显示区域110中，设置有多个有机EL单元10(10R、10G和10B)和驱动该些有机EL单元10的像素驱动电路150，其中多个有机EL单元10在二维上设置成一矩阵。有机EL单元10R、10G和10B分别发射红、绿和蓝光。在像素驱动电路150中，多个信号线120A(120A1、120A2直至120Am等)和多个电源线140A(140A1直至140An等)设置在列方向(Y方向)上，并且多个扫描线130A(130A1直至130An等)设置在行方向(X方向)上。有机EL单元10R、10G和10B之一设置在每个信号线120A和每个扫描线130A的交叉点。每个信号线120A的两端连接到信号线驱动电路120，每个扫描线130A的两端连接到扫描线驱动电路130，并且每个电源线140A的两端连接到电源线驱动电路140。
信号线驱动电路120通过信号线120A将与信号提供源(未示出)提供的亮度信息对应的图像信号的信号电压提供到所选择的有机EL单元10R、10G和10B。来自信号线驱动电路120的信号电压提供到信号线120A的两端。
扫描线驱动电路130由移位寄存器等构成，以与输入时钟脉冲同步顺序移动(传输)一启动脉冲。在写入图像信号时，扫描线驱动电路130逐行扫描有机EL单元10R、10G和10B，并且顺序提供扫描信号到每一个扫描线130A。扫描信号从扫描线驱动电路130提供到扫描线130A的两端。
电源线驱动电路140由移位寄存器等构成，以与输入时钟脉冲同步顺序移动(传输)一启动脉冲。与信号线驱动电路120逐列扫描同步，电源线驱动电路140适当地将彼此不同的第一电位和第二电位之一提供到每个电源线140A的两端。结果是，选择了稍后描述的驱动晶体管Tr1处于导通状态或非导通状态。
像素驱动电路150设置在支撑基板11和有机EL单元10之间的层中，即在像素驱动电路形成层L1(稍后描述的TFT层12)中。图3示出了像素驱动电路150的构造示例。像素驱动电路150是有源驱动电路，包括驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2、其间的电容器(保持电容)Cs以及有机EL单元10。有机EL单元10与电源线140A和公用电源线(GND)之间的驱动晶体管Tr1串联连接。驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2的每一个由典型的薄膜晶体管(TFT)构成，并且其可构造为倒置交错结构(所谓的底栅型)或交错结构(顶栅型)，而没有特别限制。
例如，写入晶体管Tr2的漏极电极连接到信号线120A，并且从信号线驱动电路120接收图像信号。另外，写入晶体管Tr2的栅极电极连接到扫描线130A，并且从扫描线驱动电路130接收扫描信号。此外，写入晶体管Tr2的源极电极连接到驱动晶体管Tr1的栅极电极。
例如，驱动晶体管Tr1的漏极电极连接到电源线140A，并且其漏极电极通过电源线驱动电路140设定到第一电位和第二电位。驱动晶体管Tr1的源极电极连接到有机EL单元10。
保持电容Cs形成在驱动晶体管Tr1的栅极电极(写入晶体管Tr2的源极电极)和驱动晶体管Tr1的漏极电极之间。
(显示装置的主体的构造)
接下来，再一次参见图1，描述支撑基板11、像素驱动电路形成层L1、发光元件形成层L2和对置基板21等的详细构造。有机EL单元10R、10G和10B具有共同构造并将统一给出。
支撑基板11由玻璃、硅(Si)晶片、树脂或导电材料等形成。支撑基板11可由透明材料或非透明材料形成，因为在顶发射式中光从对置基板21取出。在采用导电基板时，表面由二氧化硅(SiO2)或树脂来绝缘。
像素驱动电路形成层L1具有堆叠结构，包括TFT层12和平坦化层13。在像素驱动电路形成层L1中，设置构成像素驱动电路150的驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2，并且还埋设信号线120A、扫描线130A和电源线140A(未示出)。
TFT层12的TFT(驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2)的构造没有特别限定，例如，半导体层可采用非晶硅(a-Si)、氧化物半导体或有机半导体等形成。另外，驱动晶体管Tr1和写入晶体管Tr2可由金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)构成。
平坦化层13平坦化支撑基板11的形成有像素驱动电路150的表面，并且平坦化层13可优选由具有较高图案精度的材料形成，因为要设置精细的连接孔13H。TFT层12的驱动晶体管Tr1通过设置在平坦化层13中的连接孔13H电连接到有机EL单元10(稍后描述的第一电极14)。连接孔13H设置有由导电金属形成的塞子。作为平坦化层13的材料的示例可包括诸如聚酰亚胺的有机材料和诸如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氧氮化硅(SiON)的无机材料。
在发光单元形成层L2中，设置有有机EL单元10、隔挡19以及覆盖有机EL单元10和隔挡19的保护层18。
每一个有机EL单元10通过从支撑基板11侧开始依次堆叠作为阳极的第一电极14、包括空穴注入层15和发光层16的有机层、以及作为阴极的第二电极17而构造。
为每个有机EL单元10设置第一电极14，并且多个第一电极14布置为在平坦化层13上彼此间隔开。第一电极14具有阳极的功能和反射层的功能，并且可希望由具有高反射性和高空穴注入特性的材料形成。这样的第一电极14例如在堆叠方向上的厚度(在下文简称为厚度)为30nm或更大并且1000nm或更小，并且其材料的示例可包括诸如铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、镍(Ni)、铜(Cu)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、钽(Ta)、铝(Al)和银(Ag)的金属元素及其合金。例如，显示装置1的第一电极14可具有第一电极14A和14B的堆叠结构。例如，钛可用于下层(平坦化层13侧)中的第一电极14A，铝可用于上层(空穴注入层15侧)中的第一电极14B。
隔挡19设置在彼此相邻的第一电极14之间(在电极间区域中)，并且覆盖第一电极14(第一电极14B)表面的端部。隔挡19从第一电极14的表面朝着第二电极17侧抬高，并且用隔挡19的侧表面(开口)围绕第一电极14。隔挡19设置为保证第一电极14和第二电极17之间以及彼此相邻的有机EL单元10之间的绝缘性，并且精确控制发光区域为所希望的形状。第一电极14上隔挡19的开口对应于发光区域。例如，隔挡19的开口尺寸可为从第一电极14至第二电极17(在深度方向上)都是一致的，即隔挡19的横截面(XZ横截面)具有基本上矩形的形状。如图4所示，隔挡19的横截面可具有正锥形形状，并且开口可从第一电极14朝着第二电极17增大。例如，隔挡19可由氧化硅、氮化硅或氧氮化硅形成，并且可具有10nm或更大的厚度。
包括空穴注入层15和发光层16的有机层具有相同的结构，而与从有机EL单元10(10R、10G和10B)发射光的颜色无关，并且可通过从第一电极14侧开始依次堆叠例如空穴注入层15、空穴传输层(未示出)、发光层16、电子传输层(未示出)和电子注入层(未示出)而构成。空穴注入层15是缓冲层，用于提高空穴注入效率和防止泄漏电流。在第一实施例中，空穴注入层15的断开部15D设置在电极间区域中。因此，可防止经由空穴注入层15的泄漏电流的发生。
尽管细节将稍后描述，但是断开部15D是通过辐射能量射线去除空穴注入层15而形成的部分。经由空穴注入层15在有机EL单元10之间流动的电流被断开部15D阻挡。尽管断开部15D优选形成为横跨电极间区域，但是可设置在电极间区域的至少一部分中。例如，断开部15D可设置在与隔挡19的表面相同的位置(平面图)(图1)。
例如，空穴注入层15可具有1nm或更大并且300nm或更小的厚度，并且可由化学式1或2所示的六氮杂苯并菲衍生物形成。
[化学式1]
Figure BDA0000661632410000091
其中R1至R6各自独立地为选自氢、卤素、羟基、氨基、芳基-氨基的取代基、具有20或更少碳原子的取代或非取代羰基、具有20或更少碳原子的取代或非取代的羰基酯基(carbonyl ester group)、具有20或更少碳原子的取代或非取代烷基、具有20或更少碳原子的取代或非取代链烯基、具有20或更少碳原子的取代或非取代烷氧基、具有30或更少碳原子的取代或非取代芳基、具有30或更少碳原子的取代或非取代杂环基、腈基、氰基、硝基和甲硅烷基，并且相邻基团Rm可通过环状结构结合在一起，其中m＝1至6，且X1至X6各自独立地为碳原子或氮原子。
[化学式2]
Figure BDA0000661632410000092
空穴传输层是用于对发光层16提高空穴传输效率。例如，空穴传输层可具有约40nm的厚度，并且可由4,4',4"-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或阿尔法-萘基苯基二胺(alpha NPD)形成。空穴传输层、发光层16、电子传输层和电子注入层对所有的有机EL单元10是共用的，并且也设置在电极间区域中。换言之，在空穴注入层15的断开部15D中，例如，空穴传输层可与隔挡19接触。
发光层16是用于发射白光的发光层，并且例如可包括红发光层、绿发光层和蓝发光层(全部未示出)，堆叠在第一电极14和第二电极17之间。红发光层、绿发光层和蓝发光层响应于施加的电场通过一部分空穴和一部分电子的再结合而分别产生红光、绿光和蓝光，其中该一部分空穴由第一电极14经由空穴注入层15和空穴传输层注入，该一部分电子由第二电极17通过电子注入层和电子传输层注入。
例如，红发光层可包括一个或更多个发红光材料、空穴传输材料、电子传输材料和一双电荷传输材料。发红光材料可为荧光材料或磷光材料。例如，红发光层可具有约5nm的厚度，并且可由4,4-二(2,2-联苯乙烯基)联苯(DPVBi)与30wt％的2,6-二<(4'-甲氧基联苯氨基)苯乙烯基>-1,5-二氰基萘(BSN)混合而形成。
例如，绿发光层可包括一个或多个发绿光材料、空穴传输材料、电子传输材料和一双电荷传输材料。发绿光材料可为荧光材料或磷光材料。例如，绿发光层可具有约10nm的厚度，并且可由DPVBi与5wt％的香豆素6混合形成。
例如，蓝发光层可包括一个或多个发蓝光材料、空穴传输材料、电子传输材料和一双电荷传输材料。发蓝光材料可为荧光材料或磷光材料。例如，蓝发光层可具有约30nm的厚度，并且可由DPVBi与2.5wt％的4,4'-二<2-{4-(N,N-二苯氨基)苯基}乙烯基>联苯(DPAVBi)混合形成。
电子传输层是为了对发光层16提高电子传输效率，并且例如可由8-羟基喹啉铝(Alq3)形成，厚度为约20nm。电子注入层是为了对发光层16提高电子注入效率，并且例如可由LiF或Li2O等形成，厚度为约0.3nm。
第二电极17与第一电极14配对，二者之间设置有机层，并且第二电极17设置在电子注入层上以与第一电极14绝缘且为该些有机EL单元10所共用。第二电极17由透光性透明材料形成，并且例如可由铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)、钙(Ca)或钠(Na)的合金形成。其中，镁和银的合金(Mg-Ag合金)是优选的，因为该合金在薄膜状态下的导电性和吸收率小。尽管Mg-Ag合金中的镁和银的比率没有特别限定，但是希望膜厚度上的该比率为Mg:Ag＝20:1至1:1的范围内。作为选择，作为第二电极17的材料，可采用铝(Al)和锂(Li)的合金(Al-Li合金)，或者可采用铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟钛氧化物(ITiO)或铟钨氧化物(IWO)等。
例如，保护层18可由诸如聚酰亚胺的绝缘树脂材料形成，类似于平坦化层13。
对置基板21与诸如热固性树脂的粘合剂层(未示出)一起密封有机EL单元10。对置基板21由允许发光层16中产生的光通过其中的透明玻璃材料或透明塑料材料形成。彩色滤光片(未示出)设置在对置基板21的一个表面上。彩色滤光片包括红滤光片、绿滤光片和蓝滤光片，依次设置为分别对应于有机EL单元10R、10G和10B。尽管彩色滤光片可设置在对置基板21的任何一个表面上，但是优选设置在有机EL单元10侧的表面上。这是因为彩色滤光片在表面上没有暴露且受保护层18(或粘合剂层)保护。另外，这是因为减小了发光层16和彩色滤光片之间的距离以保护从发光层16发射的光不进入相邻的其它彩色滤光片而导致混色。
这样的显示装置1例如可以以下面的方式制造(图5A至图11B)。
首先，包括驱动晶体管Tr1的像素驱动电路150(TFT层12)形成在由前述材料制造的支撑基板11上，并且例如然后光敏树脂施加在支撑基板11的整个表面上。光敏树脂经受曝光和显影以图案化成预定的形状，并且因此形成平坦化层13。在图案化的同时，形成接触孔13H和塞子(图5A)。
随后，如图5B所示，由钛制作的厚度为约2nm或更大的金属膜14AM和由铝制作的厚度为约20nm或更大的金属膜14BM例如通过溅射顺序形成在平坦化层13上。然后，抗蚀剂22施加在金属膜14BM上(图5C)，并且采用光刻图案化金属膜14M(金属膜14AM和14BM)。具体而言，在曝光抗蚀剂22后，执行干蚀刻(图6A)，并且抗蚀剂22通过灰化和清洗被去除以形成对于每个有机EL单元10分开的第一电极14(图6B)。
随后，如图6C所示，例如，由氧化硅制作的绝缘膜19M形成在支撑基板11的整个表面上，绝缘膜19M的厚度例如为20nm或更大。此时，绝缘膜19M形成为使其厚度大于第一电极14。绝缘膜19M例如采用等离子体化学气相沉积(CVD)形成，使其能形成共形膜。高密度等离子体(HPD)可用于填充第一电极14之间的间隙(为了防止气孔的形成)。在形成绝缘膜19M后，通过光刻和蚀刻形成隔挡19。具体而言，首先，抗蚀剂23施加在绝缘膜19M上，然后曝光(图7A)。然后，执行蚀刻以在绝缘膜19M上形成开口(图7B)，并且通过灰化和清洗去除抗蚀剂23(图8A)。结果，形成隔挡19。
然后，如图8B所示，例如，通过蒸发法在支撑基板11的整个表面上形成空穴注入层15，并且该空穴注入层15设置为覆盖第一电极14及电极间区域中的隔挡19。其后，具有方向性的能量射线E施加到空穴注入层15(图9A)以形成断开部15D(图9B)。例如，离子束、原子束、分子束、电子束和激光束等可用作能量射线E。例如，通过采用氩(Ar)离子束作为能量射线E执行离子研磨，去除电极间区域中的空穴注入层15，并且因此形成断开部15D。能量射线E以低角度施加到第一电极14的表面，该低角度例如为1度或更大并且小于90度。隔挡19与第一电极14的表面相比升高。因此，以低角度施加的能量射线E被隔挡19阻挡，并且防止去除第一电极14上的空穴注入层15。如上所述，能量射线E利用隔挡19的形状局部施加到电极间区域中的空穴注入层15，从而允许通过自对准形成断开部15D而不采用掩模等。在此情况下，仅空穴注入层15通过施加能量射线E选择性地去除。空穴注入层15与下层中的隔挡19等相比在厚度上非常小，并且因此设置断开部15D不影响上层中的发光层16和第二电极17等。
如图10所示，在不图案化金属膜14M而形成隔挡19和空穴注入层15后，可施加能量射线E。通过施加能量射线E，去除空穴注入层15的断开部15D和隔挡19的下层中的金属膜14M以形成间隙。换言之，在彼此相邻的第一电极14之间形成间隙。
在断开部15D设置在空穴注入层15中后，如图11A所示，空穴传输层(未示出)、发光层16、电子传输层(未示出)、电子注入层(未示出)和第二电极17例如通过蒸发法依次形成在支撑基板11的整个表面上。结果，形成有机EL单元10。
随后，保护层18例如通过CVD或溅射形成在有机EL单元10上(图11B)。最后，设置有彩色滤光片的对置基板21利用与保护层18之间的粘合剂层(未示出)粘贴到保护层18而完成显示装置1。
在显示装置1中，扫描信号从扫描线驱动电路130通过写入晶体管Tr2的栅极电极提供到每一个有机EL单元10(10R、10G和10B)，并且图像信号从信号线驱动电路120通过写入晶体管Tr2提供且保持在保持电容Cs中。具体而言，驱动晶体管Tr1控制为响应于保持电容Cs中保持的信号导通或截止，并且因此驱动电流Id注入到每一个有机EL单元10。这导致空穴和电子的再结合，因此导致发光。光在通过第二电极17、彩色滤光片(未示出)和对置基板21后取出。
在此情况下，因为空穴注入层15的断开部15D通过施加能量射线E设置在电极间区域中，所以防止了经由空穴注入层15的泄漏电流的发生。
图12示出了根据比较示例的显示装置(显示装置100)的截面结构。在显示装置100中，断开部不设置在空穴注入层151中，并且各有机EL单元100E中的空穴注入层151彼此连接。因此，驱动电流经由空穴注入层151在该些有机EL单元100E之间流动，这可导致泄漏的发生。特别是，在白色发射类型的显示器中，对于每个有机EL单元不单独着色有机层，因此泄漏的发生容易成为问题。
在专利文献1中，提出了通过将隔挡设置为倒锥形状来提高空穴注入层的电阻，从而防止在装置之间发生泄漏的方法。然而，通过该方法难以充分地提高电阻。另外，上述隔挡为在形成空穴注入层后通过热处理变形成锥形形状，因此，诸如空穴注入层的有机层可能因受热而变差。
相反，在显示装置1中，因为空穴注入层15的断开部150通过施加能量射线E而形成，所以由电极间区域阻挡电流经由空穴注入层15的流动。因此，更可靠地抑制了经由空穴注入层15的泄漏的发生。而且，适当地选择能量射线E防止了有机EL单元10的特性变差。例如，由于施加离子束不会产生热，因此，保持了有机EL单元10的特性而不变差。此外，能量射线E利用隔挡19的形状局部施加到电极间区域中的空穴注入层15，因此，断开部15D可通过自对准形成而不采用掩模等。
如上所述，在第一实施例的显示装置1中，因为空穴注入层15的断开部15D通过施加能量射线E形成在电极间区域中，所以更可靠地防止经由空穴注入层15的泄漏的发生。
在下文，将描述第一实施例的变型例和其它实施例，并且相同的附图标记用于指代第一实施例的基本上相同的部件，而适当省略其描述。
<变型例1>
图13示出了根据变型例1的显示装置(显示装置1A)的截面结构。显示装置1A具有在电极间区域中的空穴注入层15的高电阻部15H。除此之外，显示装置1A与显示装置1具有类似的结构、功能和效果。
如图14A所示，空穴注入层15的高电阻部15H是类似于第一实施例被施加能量射线E的部分。在高电阻部15H中，空穴注入层15没有去除，并且其材料通过施加能量射线E修改以具有高电阻(图14B)。因此，类似于断开部15D，可防止经由空穴注入层15的泄漏电流的发生。
<变型例2>
图15示出了根据变型例2的显示装置(显示装置1B)的截面结构。在显示装置1B中，图像在支撑基板11侧显示。换言之，显示装置1B是所谓的底发射式显示装置。除此之外，显示装置1B与显示装置1具有类似的结构、功能和效果。
在显示装置1B中，支撑基板11和第一电极14的每一个由透明材料形成，并且第二电极17由反射材料形成。从发光层16发射的光在通过第一电极14和支撑基板11后取出。可以设置高电阻部15H来替代断开部15D(图13)。
<第二实施例>
图16示出了根据第二实施例的显示装置(显示装置2)的截面结构。在显示装置2中，通过施加能量射线E，去除空穴注入层15且刮削隔挡19的一部分。除此之外，显示装置2与显示装置1具有类似的结构、功能和效果。
如图17所示，当能量射线E施加到空穴注入层15时，选择能量射线E的种类以允许蚀刻隔挡19的表面。例如，当氩离子束施加到由氧化硅形成的隔挡19时，蚀刻了隔挡19。经蚀刻的隔挡19与其形成时相比被平滑化，并且减小了隔挡19和第一电极14之间的台阶。这样，平滑化隔挡19防止了隔挡19上第二电极17的断开。
如图18A和18B所示，能量射线E可施加到具有凸起19P的隔挡19。设置凸起19P可控制通过施加能量射线E对隔挡19的蚀刻。凸起19P的尺寸和形状可适当调整，并且凸起19P的截面例如可为正方形(图18A)或三角形(图18B)。
<第三实施例>
图19示出了根据第三实施例的显示装置(显示装置3)的截面结构。在显示装置3中，空穴注入层15的断开部15D和发光层16的断开部(断开部16D)设置在电极间区域中。除此之外，显示装置3与显示装置1具有类似的结构、功能和效果。
发光层16的断开部16D是通过施加能量射线E被去除的发光层16的部分。在去除隔挡19上的发光层16(在电极间区域中)时，减小了形成在有机EL单元10之间的第二电极17的台阶，并且因此防止了第二电极17的断开。而且，除了断开部15D外设置断开部16D更有效地防止泄漏电流的发生。
例如，如图20A所示，在接连形成空穴注入层15和发光层16后，通过施加能量射线E(图20B)，发光层16的断开部16D可与空穴注入层15的断开部15D一起形成。
作为选择，如图21A所示，在断开部15D形成在空穴注入层15中后，形成发光层16，然后可通过再一次施加能量射线E形成发光层16的断开部16D(图21B)。
<第四实施例>
图22示出了根据第四实施例的显示装置(显示装置4)的截面结构。在显示装置4中，断开部16D与上述的显示装置3类似设置在发光层16中。另外，电连接到第二电极17的端子(端子17T)埋设在隔挡19中。除此之外，显示装置4与显示装置1具有类似的结构、功能和效果。
端子17T例如可由钨、钛、铝或氮化钛(TiN)形成，并且埋设在隔挡19中，从而暴露端子17T的表面。端子17T的表面与第二电极17接触，并且端子17T电连接到第二电极17。例如，端子17T可连接到公共电源线(GND)(图3)。
在根据比较示例的显示装置100中，第二电极17设置在比显示区域110宽的区域中，并且电连接到设置为围绕显示区域110(图23A和23B)的电极焊盘117T。在显示装置100中，需要在显示区域110之外设置这样的电极焊盘117T，因此显示区域110和划线区域111之间的区域(周边区域)相应地增加。另外，掩模用于形成电极焊盘117T，并且因此需要在显示区域110和电极焊盘117T之间提供冗余区域。例如，连接焊盘118可设置在电极焊盘117T之外。
在显示装置4中，取代上述电极焊盘117T，设置端子17T，从而允许减小周边区域。另外，发光层16的断开部16D防止第二电极17的断开。虽然以使第二电极17和端子17T彼此接触的程度设置断开部16D(图22)，但是断开部16D也可以设置为横跨较宽的区域图19)。图24A至图25C示出了制造显示装置4的方法。
首先，如对显示装置1所描述，在形成第一电极14后，端子17T形成在电极间区域中。接下来，隔挡19形成为使端子17T埋设其中且全部用其覆盖(图24A)。随后，空穴注入层15形成在支撑基板11的整个表面之上(图24B)，并且然后施加能量射线E以形成空穴注入层15的断开部15D(图24C)。在形成断开部15D后，发光层16形成在基板11的整个表面之上(图25A)，并且再一次给其施加能量射线E。结果，断开部16D形成在发光层16中，并且刮削隔挡19，从而暴露端子17T的表面(图25B)。其后，第二电极17形成为与端子17T电连接(图25C)。除了在发光层16中设置断开部16D外，在刮削且平滑化隔挡19时，更容易防止第二电极17的断开。其后，与显示装置1一样，设置保护层18和对置基板21以完成显示装置4。
(模块)
上述实施例和变型例的显示装置1、1A、1B、2、3和4的任何一个可结合在各种电子设备中，例如下面描述的应用示例1至5，例如作为图26所示的模块。特别是，适合于要求具有高清晰度的微型显示器，例如摄像机或单镜头反射照相机的取景器(view finder)以及头戴显示器。例如，模块可具有区域210，在支撑基板11侧从对置基板21暴露，并且该模块的暴露区域210中可具有外连接端子(未示出)，该外连接端子由信号线驱动电路120的延长线和扫描线驱动电路130的延长线形成。外连接端子可设置有柔性印刷电路(FPC)220用于输入和输出信号。
(应用示例1)
图27示出了采用实施例和变型例任何一个的显示装置的电视机外观。电视机例如可具有图像显示屏部分300，其包括前面板310和滤光片玻璃320，并且图像显示屏幕部分300由根据实施例和变型例任何一个的显示装置构成。
(应用示例2)
图28A和28B的每一个示出了采用实施例和变型例任何一个的显示装置的数码相机外观。数码相机例如可具有用于闪光的发光部分410、显示部分420、菜单开关430和快门按钮440，并且显示部分420由根据实施例和变型例任何一个的显示装置构成。
(应用示例3)
图29示出了采用实施例和变型例任何一个的显示装置的笔记本个人计算机外观。笔记本个人计算机例如可具有主体510、用于字符等输入操作的键盘520和显示图像的显示部分530，并且显示部分530由根据实施例和变型例任何一个的显示装置构成。
(应用示例4)
图30示出了采用实施例和变型例任何一个的显示装置的摄像机外观。摄像机例如可具有主体部分610、用于摄取物体且设置在主体部分610的前侧表面上的镜头620、用于摄像的开始-停止开关630和显示部分640，并且显示部分640由根据实施例和变型例任何一个的显示装置构成。
(应用示例5)
图31A和31B的每一个示出了采用实施例和变型例任何一个的显示装置的移动电话外观。移动电话例如可由上壳体710和下壳体720构成，它们由连接部分(铰链部分)730连接，并且可具有显示器740、子显示器750、图片灯760和摄像头770。显示器740或子显示器750由根据实施例和变型例任何一个的显示装置构成。
此前，尽管已经参考实施例和变型例描述了本技术，但是本技术不限于上述实施例等，而是可进行各种修改。例如，每个层的材料、厚度、形成方法和形成条件等不限于上述实施例等中描述的那些，而是每个层可在任何其它的形成条件下由任何其它的形成方法以任何其它的厚度由任何其它的材料形成。
而且，在上述实施例等中，描述了这样的情况，其中，作为发光层16，用于发射白光的发光层包括红发光层、绿发光层和蓝发光层的三层。然而，用于发射白光的发光层16的构造没有特别限制，而是可通过堆叠两个颜色的发光层而构造，两个颜色为彼此互补颜色关系，例如，橙发光层和蓝发光层，或者蓝-绿发光层和红发光层。此外，发光层16不限于发射白光的发光层，而是可应用于单色的显示装置，例如，其中仅形成绿发光层的单色显示装置。另外，发光层16可应用于这样的显示装置，其中发光层16为每个有机EL单元10单独着色。
此外，例如，在上述实施例等中，已经描述了第一电极14用作阳极且第二电极17用作阴极的情况。作为选择，阳极和阴极可颠倒，并且第一电极14可用作阴极，并且第二电极17可用作阳极。另外，显示装置3和4可为底发射式显示装置。
应注意，本技术可构造如下。
(1)一种制造显示装置的方法，该方法包括：
形成多个第一电极；
形成功能层，该功能层覆盖该第一电极及电极间区域；以及
局部施加能量射线到该功能层以在该电极间区域的该功能层中形成断开部或高电阻部。
(2)根据(1)所述的方法，其中
在该电极间区域中设置隔挡，以及
施加该能量射线到覆盖该隔挡的该功能层。
(3)根据(1)或(2)所述的方法，其中该能量射线以小于约90度的角度施加到该第一电极的表面。
(4)根据(2)或(3)所述的方法，其中该功能层是在该第一电极和发光层之间的空穴注入层。
(5)根据(2)或(3)所述的方法，其中该功能层是发光层以及在该发光层和该第一电极之间的空穴注入层。
(6)根据(2)至(5)任何一项所述的方法，其中在该断开部或该高电阻部形成在该功能层中后，形成与该第一电极配对的第二电极，该功能层在第一电极和第二电极之间。
(7)根据(6)所述的方法，其中施加该能量射线以形成该断开部并且使埋设在该隔挡中的端子的表面暴露，以及
电连接该端子到该第二电极。
(8)根据(2)至(5)任何一项所述的方法，其中
施加该能量射线以形成该断开部并且刮削该隔挡，以及
形成与该第一电极配对的第二电极，该功能层在该第一电极和第二电极之间。
(9)根据(1)至(8)任何一项所述的方法，其中施加该能量射线以在彼此相邻的该第一电极之间形成间隙。
(10)根据(1)至(9)任何一项所述的方法，其中离子束、原子束、分子束、电子束和激光束之一用作该能量射线。
(11)一种制造电子设备的方法，该方法包括制造显示装置，该制造显示装置包括：
形成多个第一电极；
形成功能层，该功能层覆盖该第一电极及电极间区域；以及
局部施加能量射线到该功能层以在该电极间区域的该功能层中形成断开部或高电阻部。
(12)一种显示装置，包括：
多个第一电极；以及
功能层，该功能层覆盖该第一电极及电极间区域并且在该电极间区域中具有断开部或高电阻部，该断开部或该高电阻部通过局部施加能量射线而形成。
(13)根据(12)所述的显示装置，还包括：
隔挡，设置在该电极间区域中；
第二电极，面对该第一电极，该功能层在该第一电极和该第二电极之间；以及
端子，埋设在该隔挡中且电连接到该第二电极。
本申请包含2012年8月2日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2012-172181中公开的相关主题事项，其全部内容通过引用结合于此。
本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其他因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
[附图标记列表]
1、1A、1B、2、3、4 显示装置
10、10R、10G、10B 有机EL单元
L1 像素驱动电路形成层
L2 发光单元形成层
11 支撑基板
12 TFT层
13 平坦化层
13H 连接孔
14、14A、14B 第一电极
15 空穴注入层
15D、16D 断开部
16 发光层
17 第二电极
17T 端子
18 保护层
19 隔挡
21 对置基板

Claims (9)

1.一种制造显示装置的方法，该方法包括：
形成多个第一电极，并且在该第一电极的电极间区域中设置从该第一电极的表面抬高的隔挡；
形成空穴注入层，该空穴注入层覆盖该第一电极及电极间区域；以及
局部施加能量射线到该空穴注入层以在该电极间区域的该空穴注入层中形成断开部或高电阻部，其中该能量射线以小于90度的角度施加到该第一电极的表面，
形成覆盖该第一电极及电极间区域的发光层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在该断开部或该高电阻部形成在该空穴注入层中后，形成与该第一电极配对的第二电极，该空穴注入层在第一电极和第二电极之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中施加该能量射线以形成该断开部并且使埋设在该隔挡中的端子的表面暴露，以及
电连接该端子到该第二电极。
4.根据权利要求1所述的方法，其中
施加该能量射线以形成该断开部并且刮削该隔挡，以及
形成与该第一电极配对的第二电极，该空穴注入层在该第一电极和第二电极之间。
5.根据权利要求1所述的方法，其中施加该能量射线以在彼此相邻的该第一电极之间形成间隙。
6.根据权利要求1所述的方法，其中离子束、原子束、分子束、电子束和激光束之一用作该能量射线。
7.一种制造电子设备的方法，该方法包括制造显示装置，该制造显示装置包括：
形成多个第一电极，并且在该第一电极的电极间区域中设置从该第一电极的表面抬高的隔挡；
形成空穴注入层，该空穴注入层覆盖该第一电极及电极间区域；以及
局部施加能量射线到该空穴注入层以在该电极间区域的该空穴注入层中形成断开部或高电阻部，其中该能量射线以小于90度的角度施加到该第一电极的表面
形成覆盖该第一电极及电极间区域的发光层。
8.一种显示装置，包括：
多个第一电极，并且在该第一电极的电极间区域中设置有从该第一电极的表面抬高的隔挡；和
至少包括空穴注入层和发光层的有机层，该空穴注入层覆盖该第一电极及电极间区域并且在该电极间区域中具有断开部或高电阻部，该断开部或该高电阻部通过局部施加能量射线而形成，其中该能量射线以小于90度的角度施加到该第一电极的表面该发光层覆盖该第一电极及电极间区域。
9.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：
第二电极，面对该第一电极，该有机层在该第一电极和该第二电极之间；以及
端子，埋设在该隔挡中且电连接到该第二电极。
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