TW201407768A - 顯示器單元、其製造方法及製造電子裝置之方法 - Google Patents

顯示器單元、其製造方法及製造電子裝置之方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201407768A
TW201407768A TW102124602A TW102124602A TW201407768A TW 201407768 A TW201407768 A TW 201407768A TW 102124602 A TW102124602 A TW 102124602A TW 102124602 A TW102124602 A TW 102124602A TW 201407768 A TW201407768 A TW 201407768A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
display unit
layer
functional layer
inter
Prior art date
Application number
TW102124602A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Sakairi
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW201407768A publication Critical patent/TW201407768A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17—Carrier injection layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明提供一種製造顯示器單元之方法。該方法包含：形成複數個第一電極；形成自該第一電極覆蓋至電極間區域之功能層；及將能量射線局部施加至該功能層以在該功能層中於該電極間區域中形成切斷連接區段或高電阻區段。

Description

顯示器單元、其製造方法及製造電子裝置之方法
本技術係關於一種包含諸如電洞注入層及發光層之功能層之顯示器單元、一種製造該顯示器單元之方法及一種製造電子裝置之方法。
在近些年，作為平板顯示器中之一者，使用有機電致發光(EL)器件之顯示器已吸引注意。該顯示器係自發光類型，且因此具有寬視角及低電力消耗之特性。另外，該有機EL器件被視為關於具有高清晰度之高速度視訊信號具有充分回應性，且正被朝向其實際用途開發。
已知其中按次序堆疊(舉例而言)第一電極、包含發光層之有機層及第二電極之有機EL器件之組態。在彼此毗鄰之第一電極之間的區域(電極間區域)中，提供由絕緣膜形成之障壁。作為形成有機層之方法，主要存在兩種方法，亦即，其中藉助蒸發遮罩之使用針對每一器件個別地蒸發紅色、綠色及藍色之各別色彩之發光層之方法及其中在不使用蒸發遮罩之情況下對於器件共同地堆疊及形成紅色、綠色及藍色之各別色彩之發光層之方法。就高清晰度及孔徑比之改良而言，後一方法係有利的。
然而，在後一方法中，在毗鄰器件之間穿過有機層(特定而言， 電洞注入層)容易地發生驅動電流之洩漏。由於洩漏電流，因此不發光器件發射光(由來自發光器件之影響引起)，此導致色彩混合及發光效率之降低。
相比之下，在PTL 1中，提議一種其中藉由以倒錐形形狀提供之障壁而增加電洞注入層在器件之間的電阻且因此防止洩漏之發生之方法。
[引用清單] [專利文獻]
[PTL 1]第2009-4347號日本未審查專利申請公開案
然而，藉由PTL1中之方法並未充分增加電洞注入層之電阻，且因此已需要能夠更確定地防止洩漏電流之方法之發展。
期望提供一種能夠更確定地防止洩漏電流之發生之顯示器單元、一種製造該顯示器單元之方法及一種製造電子裝置之方法。
根據本技術之實施例，提供一種製造顯示器單元之第一方法。該方法包含：形成複數個第一電極；形成自該第一電極覆蓋至電極間區域之功能層；及將能量射線局部施加至該功能層以在該功能層中於該電極間區域中形成切斷連接區段或高電阻區段。
根據本技術之實施例，提供一種製造電子裝置之方法。該方法包含製造顯示器單元。該製造該顯示器單元包含：形成複數個第一電極；形成自該第一電極覆蓋至電極間區域之功能層；及將能量射線局部施加至該功能層以在該功能層中於該電極間區域中形成切斷連接區段或高電阻區段。
在製造該顯示器單元之方法或製造本技術之實施例之該電子裝 置之方法中，藉由該能量射線之施加在該功能層中形成該切斷連接區段或該高電阻區段，且因此穿過該功能層之電流之流動被該電極間區域阻擋。
根據本技術之實施例，提供一種顯示器單元，其包含：複數個第一電極；及功能層，其自該第一電極覆蓋至電極間區域，且在該電極間區域中具有切斷連接區段或高電阻區段，該切斷連接區段或該高電阻區段係藉由能量射線之局部施加而形成。
在本技術之實施例之該顯示器單元中，穿過該功能層之電流之流動被該電極間區域中之該切斷連接區段阻擋。
根據本技術之實施例，存在一種製造該顯示器單元之第二方法。該方法包含：形成複數個第一電極；在該等第一電極之電極間區域中形成端子及障壁，該端子嵌入於該障壁中；將能量射線施加至該障壁以曝露嵌入於該障壁中之該端子之表面；及將該端子電連接至第二電極，該第二電極面對該第一電極，其中功能層在中間。
在製造根據本技術之實施例之該顯示器單元之第二方法中，將該第二電極電連接至嵌入於該障壁中之該端子。因此，允許消除其中提供用於連接該第二電極之電極墊之區域。舉例而言，提供於顯示區域之周邊中之電極墊變得不必要，且允許該顯示區域與切割區域之間的區域(周邊區段)減小。另外，藉由該能量射線之施加而刮削且平滑化該障壁，且因此抑制該第二電極之切斷連接。
根據顯示器單元、製造顯示器單元之方法及製造根據本技術之各別實施例之電子裝置之方法，藉由能量射線之施加而在功能層中提供切斷連接區段或高電阻區段。因此，更確定地防止洩漏電流之發生。
應理解，前述大體說明及以下詳細說明兩者皆係例示性的且意 欲提供對如所主張之本技術之進一步闡釋。
1、1A、1B、2、3、4‧‧‧顯示器單元
10、10R、10G、10B‧‧‧有機電致發光器件
11‧‧‧支撐基板
12‧‧‧薄膜電晶體層
13‧‧‧平坦化層
13H‧‧‧連接孔
14、14A、14B‧‧‧第一電極
15‧‧‧電洞注入層
15D、16D‧‧‧切斷連接區段
16‧‧‧發光層
17‧‧‧第二電極
17T‧‧‧端子
18‧‧‧保護層
19‧‧‧障壁
21‧‧‧反基板
L1‧‧‧像素驅動電路形成層
L2‧‧‧發光器件形成層
包含隨附圖式以提供對本技術之進一步理解，且該等隨附圖式併入於此說明書中並構成該說明書之部分。該等圖式圖解說明實施例且與該說明書一起用於闡釋本技術之原理。
[圖1]圖1係圖解說明根據本技術之第一實施例之顯示器單元之結構之剖視圖。
[圖2]圖2係圖解說明圖1中所圖解說明之顯示器單元之整個組態之圖式。
[圖3]圖3係圖解說明圖2中所圖解說明之像素驅動電路之實例之圖式。
[圖4]圖4係圖解說明圖1中所圖解說明之障壁之另一實例之剖視圖。
[圖5A]圖5A係圖解說明製造圖1中所圖解說明之顯示器單元之步驟之剖視圖。
[圖5B]圖5B係圖解說明繼圖5A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖5C]圖5C係圖解說明繼圖5B之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖6A]圖6A係圖解說明繼圖5C之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖6B]圖6B係圖解說明繼圖6A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖6C]圖6C係圖解說明繼圖6B之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖7A]圖7A係圖解說明繼圖6C之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖7B]圖7B係圖解說明繼圖7A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖8A]圖8A係圖解說明繼圖7B之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖8B]圖8B係圖解說明繼圖8A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖9A]圖9A係圖解說明繼圖8B之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖9B]圖9B係圖解說明繼圖9A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖10]圖10係圖解說明圖9A中所圖解說明之步驟之另一實例之剖視圖。
[圖11A]圖11A係圖解說明繼圖9B之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖11B]圖11B係圖解說明繼圖11A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖12]圖12係圖解說明根據比較性實例之顯示器單元之結構之剖視圖。
[圖13]圖13係圖解說明根據修改1之顯示器單元之結構之剖視圖。
[圖14A]圖14A係圖解說明製造圖13中所圖解說明之顯示器單元之步驟之剖視圖。
[圖14B]圖14B係圖解說明繼圖14A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖15]圖15係圖解說明根據修改2之顯示器單元之結構之剖視圖。
[圖16]圖16係圖解說明根據本技術之第二實施例之顯示器單元之結構之剖視圖。
[圖17]圖17係圖解說明製造圖16中所圖解說明之顯示器單元之步驟之剖視圖。
[圖18A]圖18A係圖解說明圖16中所圖解說明之顯示器單元之另一實例之剖視圖。
[圖18B]圖18B係圖解說明圖18A中所圖解說明之顯示器單元之另一實例之剖視圖。
[圖19]圖19係圖解說明根據本技術之第三實施例之顯示器單元之結構之剖視圖。
[圖20A]圖20A係圖解說明製造圖19中所圖解說明之顯示器單元之步驟之實例之剖視圖。
[圖20B]圖20B係圖解說明繼圖20A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖21A]圖21A係圖解說明製造圖19中所圖解說明之顯示器單元之步驟之另一實例之剖視圖。
[圖21B]圖21B係圖解說明繼圖21A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖22]圖22係圖解說明根據本技術之第四實施例之顯示器單元之結構之剖視圖。
[圖23A]圖23A係圖解說明圖12中所圖解說明之顯示器單元之結構之平面圖。
[圖23B]圖23B係圖解說明沿著圖23A中之B-B線所截取之剖面結構之圖式。
[圖24A]圖24A係圖解說明製造圖22中所圖解說明之顯示器單元之步驟之剖視圖。
[圖24B]圖24B係圖解說明繼圖24A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖24C]圖24C係圖解說明繼圖24B之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖25A]圖25A係圖解說明繼圖24C之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖25B]圖25B係圖解說明繼圖25A之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖25C]圖25C係圖解說明繼圖25B之步驟之後之步驟之剖視圖。
[圖26]圖26係圖解說明包含圖1中所圖解說明之顯示器單元及諸如此類之模組之示意性組態之平面圖。
[圖27]圖27係圖解說明應用實例1之外觀之透視圖。
[圖28A]圖28A係圖解說明自其前側觀看之應用實例2之外觀之透視圖。
[圖28B]圖28B係圖解說明自其背側觀看之應用實例2之外觀之透視圖。
[圖29]圖29係圖解說明應用實例3之外觀之透視圖。
[圖30]圖30係圖解說明應用實例4之外觀之透視圖。
[圖31A]圖31A係圖解說明處於關閉狀態中之應用實例5之圖式。
[圖31B]圖31B係圖解說明處於打開狀態中之應用實例5之圖式。
下文將參考隨附圖式詳細闡述本技術之某些實施例。應注意，將按以下次序給出說明。
1.第一實施例(其中在電洞注入層中提供切斷連接區段之顯示器單元：頂部發射類型)
2.修改1(其中在電洞注入層中提供高電阻區段之顯示器單元)
3.修改2(其中在電洞注入層中提供切斷連接區段之顯示器單元：底部發射類型)
4.第二實施例(其中藉由能量射線之施加平滑化障壁之顯示器單元)
5.第三實施例(其中除電洞注入層之外亦在發光層中提供切斷連接區段之顯示器單元)
6.第四實施例(其中在障壁中嵌入端子之顯示器單元)
<第一實施例> [顯示器單元之整個組態]
圖1圖解說明根據本技術之第一實施例之顯示器單元(顯示器單元1)之主要部分之剖面結構。顯示器單元1係包含複數個有機EL器件10之自發光顯示器單元，且包含按次序在支撐基板11上之像素驅動電路形成層L1、包含有機EL器件10之發光器件形成層L2及反基板21。顯示器單元1係具有在反基板21側上之光提取方向之所謂的頂部發射類型顯示器單元。像素驅動電路形成層L1可包含(舉例而言)用於圖像顯示之信號線驅動電路及掃描線驅動電路(兩者皆未經圖解說明)。稍後將闡述每一組件之細節。
圖2圖解說明顯示器單元1之整個組態。顯示器單元1包含在支撐基板11上之顯示區域110，且用作超薄型有機發光彩色顯示器單元。 舉例而言，係用於圖像顯示之驅動器之信號線驅動電路120、掃描線驅動電路130及電力供應線驅動電路140可提供於在支撐基板11上之顯示區域110之周邊中。
在顯示區域110中，提供以矩陣二維配置之複數個有機EL器件10(10R、10G及10B)及驅動有機EL器件10之像素驅動電路150。有機EL器件10R、10G及10B分別發射紅色、綠色及藍色之光。在像素驅動電路150中，複數個信號線120A(120A1、120A2、...、120Am、...)及複數個電力供應線140A(140A1、...、140An、...)係沿行方向(Y方向)配置，且複數個掃描線130A(130A1、...、130An、...)係沿列方向(X方向)配置。有機EL器件10R、10G及10B中之一者提供於信號線120A中之每一者與掃描線130A中之每一者之交叉點中。每一信號線120A之兩端皆連接至信號線驅動電路120，每一掃描線130A之兩端皆連接至掃描線驅動電路130，且每一電力供應線140A之兩端皆連接至電力供應線驅動電路140。
信號線驅動電路120透過信號線120A將自信號供應源(未圖解說明)供應之對應於明度資訊之圖像信號之信號電壓供應至選定有機EL器件10R、10G及10B。來自信號線驅動電路120之信號電壓施加至信號線120A之兩端。
掃描線驅動電路130由與輸入時脈脈衝同步地依序移位(轉移)起動脈衝之移位暫存器或諸如此類組態。掃描線驅動電路130在寫入圖像信號時針對每一列掃描有機EL器件10R、10G及10B，且將掃描信號依序供應至掃描線130A中之每一者。掃描信號自掃描線驅動電路130供應至掃描線130A之兩端。
電力供應線驅動電路140由與輸入時脈脈衝同步地依序移位(轉移)起動脈衝之移位暫存器或諸如此類組態。電力供應線驅動電路140與由信號線驅動電路120針對每一行之掃描同步地將彼此不同之第一 電位及第二電位中之一者適當地供應至每一電力供應線140A之兩端。因此，稍後闡述之驅動電晶體Tr1之導電狀態或不導電狀態係選定的。
像素驅動電路150提供於支撐基板11與有機EL器件10之間的層中，亦即，像素驅動電路形成層L1(稍後闡述之TFT層12)中。圖3圖解說明像素驅動電路150之組態實例。像素驅動電路150係包含驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2、其間之電容器(保持電容)Cs及有機EL器件10之主動驅動電路。有機EL器件10與驅動電晶體Tr1串聯連接於電力供應線140A與共同電力供應線(GND)之間。驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2各自由典型薄膜電晶體(TFT)組態，且其組態可係逆交錯結構(所謂的底部閘極類型)或交錯結構(頂部閘極類型)，且並非特定受限的。
舉例而言，寫入電晶體Tr2具有連接至信號線120A之汲極電極，且自信號線驅動電路120接收圖像信號。另外，寫入電晶體Tr2具有連接至掃描線130A之閘極電極，且自掃描線驅動電路130接收掃描信號。此外，寫入電晶體Tr2具有連接至驅動電晶體Tr1之閘極電極之源極電極。
舉例而言，驅動電晶體Tr1具有連接至電力供應線140A之汲極電極，且該汲極電極藉由電力供應線驅動電路140經設定為第一電位及第二電位中之一者。驅動電晶體Tr1具有連接至有機EL器件10之源極電極。
保持電容Cs形成於驅動電晶體Tr1之閘極電極(寫入電晶體Tr2之源極電極)與驅動電晶體Tr1之汲極電極之間。
[顯示器單元之主要部分之組態]
接下來，再次參考圖1，闡述支撐基板11、像素驅動電路形成層L1、發光元件形成層L2、反基板21及諸如此類之詳細組態。有機EL 器件10R、10G及10B具有將集體給出之共同組態。
支撐基板11由玻璃、矽(Si)晶圓、樹脂、導電材料或諸如此類形成。支撐基板11可由透射材料或非透射材料形成，此乃因在頂部發射類型中自反基板21提取光。當使用導電基板時，藉由氧化矽(SiO2)或樹脂使表面絕緣。
像素驅動電路形成層L1具有包含TFT層12及平坦化層13之堆疊結構。在像素驅動電路形成層L1中，提供組態像素驅動電路150之驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2，且亦嵌入信號線120A、掃描線130A及電力供應線140A(未圖解說明)。
TFT層12之TFT(驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2)之組態並非特定受限的，且(舉例而言)可使用非晶矽(a-Si)、氧化物半導體、有機半導體或諸如此類形成半導體層。另外，驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2可由金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)組態。
平坦化層13平坦化形成有像素驅動電路150之支撐基板11之表面，且可較佳地由具有較高圖案準確度之材料形成，此乃因欲提供細連接孔13H。TFT層12之驅動電晶體Tr1透過提供於平坦化層13中之連接孔13H電連接至有機EL器件10(稍後闡述之第一電極14)。連接孔13H具備由導電金屬形成之插塞。平坦化層13之材料之實例可包含諸如聚醯亞胺之有機材料及諸如氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiON)之無機材料。
在發光器件形成層L2中，提供有機EL器件10、障壁19及覆蓋有機EL器件10及障壁19之保護層18。
藉由自支撐基板11側按次序堆疊作為陽極電極之第一電極14、包含電洞注入層15及發光層16之有機層及作為陰極電極之第二電極17而組態有機EL器件10中之每一者。
針對每一有機EL器件10提供第一電極14，且複數個第一電極14 經配置以在平坦化層13上彼此疏遠。第一電極14具有作為陽極之功能及作為反射層之功能，且可期望地由具有高反射率及高電洞注入性質之材料形成。此第一電極14可具有(舉例而言)30nm或大於30nm及1000nm或小於1000nm之沿堆疊方向之厚度(下文中簡稱為厚度)，且其材料之實例可包含金屬元件，諸如鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鋁(Al)及銀(Ag)及其合金。舉例而言，顯示器單元1之第一電極14可具有第一電極14A及14B之堆疊結構。舉例而言，鈦可用於在下部層中(在平坦化層13側上)之第一電極14A，且鋁可用於在上部層中(在電洞注入層15側上)之第一電極14B。
障壁19提供於彼此毗鄰之第一電極14之間(電極間區域中)，且覆蓋第一電極14(第一電極14B)之表面之端。障壁19自第一電極14之表面朝向第二電極17側隆起，且藉助障壁19之側表面環繞第一電極14(開口)。障壁19經提供以確保第一電極14與第二電極17之間及彼此毗鄰之有機EL器件10之間的絕緣性質，且準確地將發光區域控制成所要形狀。障壁19在第一電極14上之開口對應於發光區域。舉例而言，障壁19之開口之大小自第一電極14至第二電極17(沿深度方向)可係統一的，即，障壁19之剖面表面(XZ剖面表面)具有實質上矩形形狀。如圖4中所圖解說明，障壁19之剖面表面可具有前錐形形狀，且開口可自第一電極14朝向第二電極17增加。舉例而言，障壁19可由氧化矽、氮化矽或氮氧化矽形成，且可具有10nm或大於10nm之厚度。
包含電洞注入層15及發光層16之有機層具有相同結構而不論自有機EL器件10(10R、10G及10B)發射之光之色彩如何，且可藉由自第一電極14側按次序堆疊(舉例而言)電洞注入層15、電洞傳輸層(未圖解說明)、發光層16、電子傳輸層(未圖解說明)及電子注入層(未圖解說明)而經組態。電洞注入層15係用於增加電洞注入效率且用於防止 洩漏之緩衝層。在第一實施例中，電洞注入層15之切斷連接區段15D提供於電極間區域中。因此，允許防止穿過電洞注入層15之洩漏電流之發生。
儘管稍後將闡述細節，但切斷連接區段15D係藉由移除電洞注入層15(藉由能量射線之輻照)形成之區段。在有機EL器件10之間穿過電洞注入層15流動之電流被切斷連接區段15D阻擋。儘管切斷連接區段15D較佳地形成於電極間區域上方，但其可提供於電極間區域之至少部分中。舉例而言，切斷連接區段15D可提供於與障壁19(圖1)之表面相同之位置(平面圖)處。
舉例而言，電洞注入層15可具有1nm或大於1nm及300nm或小於300nm之厚度，且可由化學式1或2中所圖解說明之六氮雜苯并菲衍生物形成。
其中R1至R6各自獨立地係選自氫、鹵基、羥基、胺基、芳基胺基之經取代基團、具有20個或更少碳原子之經取代或未經取代羰基、具有20個或更少碳原子之經取代或未經取代羰基脂基團、具有20個或更少碳原子之經取代或未經取代烷基、具有20個或更少碳原子之經取代或未經取代烯基、具有20個或更少碳原子之經取代或未經取代烷氧基、具有30個或更少碳原子之經取代或未經取代芳基、具有30個或更少碳原子之經取代或未經取代雜環基、腈基、氰基、硝基及甲矽烷基，且毗鄰基團Rm(其中m=1至6)可透過環狀結構連結在一起，且X1 至X6各自獨立地係碳原子或氮原子。
電洞傳輸層係用以增加至發光層16之電洞傳輸效率。舉例而言，電洞傳輸層可具有大約40nm之厚度，且可由4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或α-萘基苯基氨(αNPD)形成。電洞傳輸層、發光層16、電子傳輸層及電子注入層對於所有有機EL器件10係共同的，且亦提供於電極間區域中。換言之，在電洞注入層15之切斷連接區段15D中，舉例而言，電洞傳輸層可與障壁19接觸。
發光層16係用於發射白色光之發光層，且(舉例而言)可包含堆疊於第一電極14與第二電極17之間的紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層(全部皆未經圖解說明)。紅色發光層、綠色發光層、及藍色發光層回應於電場之施加藉由自第一電極14穿過電洞注入層15及電洞傳輸層注入之電洞之部分與自第二電極17穿過電子注入層及電子傳輸層注入之電子之部分的重組合而分別產生紅色光、綠色光及藍色光。
舉例而言，紅色發光層可包含紅色發光材料、電洞傳輸材料、電子傳輸材料及兩種電荷之傳輸材料中之一或多者。紅色發光材料可係螢光材料或磷光材料。舉例而言，紅色發光層可具有大約5nm之厚度，且可由與30wt%之2,6-雙[(4，-甲氧基二苯胺)苯乙烯基]-1,5-二氰萘(BSN)混合之4,4-雙(2,2-二苯基乙烯基)聯苯(DPVBi)形成。
舉例而言，綠色發光層可包含綠色發光材料、電洞傳輸材料、電子傳輸材料及兩種電荷之傳輸材料中之一或多者。綠色發光材料可 係螢光材料或磷光材料。舉例而言，綠色發光層可具有大約10nm之厚度，且可由與5wt%之香豆素6混合之DPVBi形成。
舉例而言，藍色發光層可包含藍色發光材料、電洞傳輸材料、電子傳輸材料及兩種電荷之傳輸材料中之一或多者。藍色發光材料可係螢光材料或磷光材料。舉例而言，藍色發光層可具有大約30nm之厚度，且可由與2.5wt%之4,4'-雙[2-{4-(N,N-二苯胺)苯基}乙烯基]聯苯(DPAVBi)混合之DPVBi形成。
電子傳輸層係用以增加至發光層16之電子傳輸效率，且(舉例而言)可由具有大約20nm之厚度之8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成。電子注入層係用以增加至發光層16之電子注入效率，且(舉例而言)可由具有大約0.3nm之厚度之LiF、Li2O或諸如此類形成。
第二電極17與第一電極14配對(其中有機層在中間)，且提供於電子注入層上以便與第一電極14絕緣且以便對於有機EL器件10係共同的。第二電極17由透光透明材料形成，且可由(舉例而言)鋁(Al)、鎂(Mg)、銀(Ag)、鈣(Ca)或鈉(Na)之合金形成。在彼等材料當中，鎂與銀之合金(Mg-Ag合金)係較佳的，此乃因該合金在薄膜狀態中具有導電性及小吸收性。儘管Mg-Ag合金中之鎂與銀之比率並非特定受限的，但期望地，該比率在膜厚度上係在Mg：Ag=20：1至1：1之範圍內。另一選擇係，作為第二電極17之材料，可使用鋁(Al)與鋰(Li)之合金(Al-Li合金)，或可使用氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、摻雜鋁之氧化鋅(AZO)、摻雜鎵之氧化鋅(GZO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦鈦(ITiO)、氧化銦鎢(IWO)或諸如此類。
舉例而言，保護層18可由諸如聚醯亞胺之絕緣樹脂材料形成，類似於平坦化層13。
反基板21藉助諸如熱固樹脂之黏合劑層(未圖解說明)將有機EL器件10密封在一起。反基板21由允許在發光層16中產生之光通過其之透 明玻璃材料或透明塑膠材料形成。彩色濾光器(未圖解說明)提供於反基板21之一個表面上。該彩色濾光器包含按分別對應於有機EL器件10R、10G及10B之次序配置之紅色濾光器、綠色濾光器及藍色濾光器。儘管該彩色濾光器可提供於反基板21之表面中之任一者上，但較佳地提供於有機EL器件10側上之表面上。此乃因彩色濾光器未在表面上經曝露且受保護層18(或黏合劑層)保護。另外，此乃因發光層16與彩色濾光器之間的距離經減小以便防止自發光層16發射之光進入毗鄰其他彩色濾光器以導致色彩混合。
舉例而言，可以以下方式製造此顯示器單元1(圖5A至圖11B)。
首先，在由上文所闡述之材料製成之支撐基板11上形成包含驅動電晶體Tr1之像素驅動電路150(TFT層12)，且(舉例而言)然後在支撐基板11之整個表面上施加光敏樹脂。使該光敏樹脂遭受曝露及顯影以將其圖案化成預定形狀，且因此形成平坦化層13。在圖案化之同時，形成接觸孔13H及插塞(圖5A)。
隨後，如圖5B中所圖解說明，藉由(舉例而言)濺鍍而在平坦化層13上按次序形成具有大約2nm或大於2nm之厚度之由鈦製成之金屬膜14AM及具有大約20nm或大於20nm之厚度之由鋁製成之金屬膜14BM。然後，在金屬膜14BM上施加抗蝕劑22(圖5C)，且使用光微影圖案化金屬膜14M(金屬膜14AM及14BM)。具體而言，在曝露抗蝕劑22之後，執行乾式蝕刻(圖6A)，且藉由灰化及洗滌移除抗蝕劑22以形成針對每一有機EL器件10劃分之第一電極14(圖6B)。
隨後，如圖6C中所圖解說明，由(舉例而言)氧化矽製成之絕緣膜19M在支撐基板11之整個表面上形成為具有(舉例而言)20nm或大於20nm之厚度。此時，絕緣膜19M在厚度上形成為比第一電極14大。使用(舉例而言)能夠形成保形膜之電漿化學汽相沈積(CVD)形成絕緣膜19M。可使用高密度電漿(HPD)以填充第一電極14之間的間隙(以防 止孔之形成)。在形成絕緣膜19M之後，藉由光微影及蝕刻形成障壁19。具體而言，首先，在絕緣膜19M上施加抗蝕劑23，且然後曝露抗蝕劑23(圖7A)。然後，執行蝕刻以在絕緣膜19M上形成開口(圖7B)，且藉由灰化及洗滌而移除抗蝕劑23(圖8A)。因此，形成障壁19。
然後，如圖8B中所圖解說明，藉由(舉例而言)蒸發方法在支撐基板11之整個表面上形成電洞注入層15，且提供自第一電極14覆蓋至在電極間區域中之障壁19之電洞注入層15。在彼操作之後，將具有指向性之能量射線E施加至電洞注入層15(圖9A)以形成切斷連接區段15D(圖9B)。舉例而言，可使用離子束、原子束、分子束、電子束、雷射束及諸如此類作為能量射線E。舉例而言，藉由使用氬(Ar)離子束作為能量射線E執行離子研磨，移除在電極間區域中之電洞注入層15，且因此形成切斷連接區段15D。以(舉例而言)1度或1度以上且小於90度之低角度將能量射線E施加至第一電極14之表面。與第一電極14之表面相比，障壁19經提高。因此，以低角度施加之能量射線E被障壁19阻擋，且防止第一電極14上之電洞注入層15被移除。如上文所闡述，藉助障壁19之形狀之使用將能量射線E局部施加至在電極間區域中之電洞注入層15以使得在不使用遮罩或諸如此類之情況下允許藉由自對準形成切斷連接區段15D。在此情形中，藉由能量射線E之施加僅選擇性地移除電洞注入層15。電洞注入層15在厚度上比下部層中之障壁19或諸如此類極小，且因此切斷連接區段15D之提供不影響上部層中之發光層16、第二電極17及諸如此類。
如圖10中所圖解說明，在不圖案化金屬膜14M之情況下形成障壁19及電洞注入層15之後，可施加能量射線E。藉由能量射線E之施加，移除電洞注入層15之切斷連接區段15D及在障壁19之下部層中之金屬膜14M以形成間隙。換言之，形成彼此毗鄰之第一電極14之間的間隙。
在於電洞注入層15中提供切斷連接區段15D(圖11A中所圖解說明)之後，藉由(舉例而言)蒸發方法在支撐基板11之整個表面上按次序形成電洞傳輸層(未圖解說明)、發光層16、電子傳輸層(未圖解說明)、電子注入層(未圖解說明)及第二電極17。因此，形成有機EL器件10。
隨後，藉由(舉例而言)CVD或濺鍍在有機EL器件10上形成保護層18(圖11B)。最後，藉助在中間之黏合劑層(未圖解說明)將具備彩色濾光器之反基板21接合至保護層18以完成顯示器單元1。
在顯示器單元1中，掃描信號透過寫入電晶體Tr2之閘極電極自掃描線驅動電路130供應至有機EL器件10(10R、10G及10B)中之每一者，且圖像信號透過寫入電晶體Tr2自信號線驅動電路120供應且保留在保持電容Cs中。具體而言，回應於保留在保持電容Cs中之信號而控制驅動電晶體Tr1經接通或關斷，且因此將驅動電流Id注入至有機EL器件10中之每一者。此致使電洞與電子之重組合，藉此導致光發射。光在通過第二電極17、彩色濾光器(未圖解說明)及反基板21之後經提取。
在此情形中，由於藉由能量射線E之施加而在電極間區域中提供電洞注入層15之切斷連接區段15D，因此允許防止穿過電洞注入層15之洩漏電流之發生。
圖12圖解說明根據比較性實例之顯示器單元(顯示器單元100)之剖面結構。在顯示器單元100中，未在電洞注入層151中提供切斷連接區段，且在各別有機EL器件100E中之電洞注入層151彼此連接。因此，驅動電流在有機EL器件100E之間穿過電洞注入層151流動，此可導致洩漏之發生。特定而言，在白色發射類型顯示器中，有機層並非針對每一有機EL器件經個別著色，且因此洩漏之發生容易變為問題。
在專利文獻1中，提議一種藉由以倒錐形形狀提供之障壁增加器件之間的電洞注入層之電阻以防止洩漏之發生之方法。然而，藉由該方法難以充分增加電阻。另外，在電洞注入層之形成之後藉由熱處理使障壁變形成錐形形狀，且因此諸如電洞注入層之有機層可因熱而劣化。
相比之下，在顯示器單元1中，由於藉由能量射線E之施加形成電洞注入層15之切斷連接區段150，因此穿過電洞注入層15之電流之流動被電極間區域阻擋。因此，允許更確定地抑制穿過電洞注入層15之洩漏之發生。此外，適當地選擇能量射線E防止有機EL器件10之特性劣化。舉例而言，藉由離子束之施加而未產生熱，且因此不具劣化地維持有機EL器件10之特性。此外，藉助障壁19之形狀之使用將能量射線E局部施加至在電極間區域中之電洞注入層15，且因此在不使用遮罩或諸如此類之情況下允許藉由自對準形成切斷連接區段15D。
如上文所闡述，在第一實施例之顯示器單元1中，由於藉由能量射線E之施加而在電極間區域中提供電洞注入層15之切斷連接區段15D，因此允許更確定地防止穿過電洞注入層15之洩漏之發生。
下文中，將闡述第一實施例及其他實施例之修改，且相似編號用於實質上指定第一實施例之相似組件，且將適當省略其說明。
<修改1>
圖13圖解說明根據修改1之顯示器單元(顯示器單元1A)之剖面結構。顯示器單元1A具有在電極間區域中之電洞注入層15之高電阻區段15H。除此點以外，顯示器單元1A亦具有類似於顯示器單元1之彼等結構、功能及效應之結構、功能及效應。
如圖14A中所圖解說明，電洞注入層15之高電阻區段15H係已經施加能量射線E之區段，類似於第一實施例。在高電阻區段15H中，未移除電洞注入層15，且其材料藉由能量射線E之施加經修改以具有 高電阻(圖14B)。因此，允許防止穿過電洞注入層15之洩漏電流之發生，類似於切斷連接區段15D。
<修改2>
圖15圖解說明根據修改2之顯示器單元(顯示器單元1B)之剖面結構。在顯示器單元1B中，在支撐基板11側上顯示圖像。換言之，顯示器單元1B係所謂的底部發射類型顯示器單元。除此點以外，顯示器單元1B亦具有類似於顯示器單元1之彼等結構、功能及效應之結構、功能及效應。
在顯示器單元1B中，支撐基板11及第一電極14各自由透明材料形成，且第二電極17由反射材料形成。自發光層16發射之光在通過第一電極14及支撐基板11之後經提取。可提供取代切斷連接區段15D之高電阻區段15H(圖13)。
<第二實施例>
圖16圖解說明根據第二實施例之顯示器單元(顯示器單元2)之剖面結構。在顯示器單元2中，藉由能量射線E之施加，移除電洞注入層15且刮削障壁19之部分。除此點以外，顯示器單元2亦具有類似於顯示器單元1之彼等結構、功能及效應之結構、功能及效應。
如圖17中所圖解說明，當將能量射線E施加至電洞注入層15時，能量射線E之種類之選擇允許障壁19之表面之蝕刻。舉例而言，當將氬離子束施加至由氧化矽形成之障壁19時，蝕刻障壁19。經蝕刻障壁19與形成時相比係平滑的，且障壁19與第一電極14之間的梯級減小。以此方式，平滑化障壁19防止障壁19上之第二電極17之切斷連接。
如圖18A及圖18B中所圖解說明，可將能量射線E施加至具有突出部19P之障壁19。提供突出部19P允許藉由施加能量射線E而蝕刻障壁19之控制。可適當地調整突出部19P之大小及形狀，且突出部19P之剖面表面可係(舉例而言)正方形形狀(圖18A)或三角形形狀(圖18B)。
<第三實施例>
圖19圖解說明根據第三實施例之顯示器單元(顯示器單元3)之剖面結構。在顯示器單元3中，電洞注入層15之切斷連接區段15D及發光層16之切斷連接區段(切斷連接區段16D)提供於電極間區域中。除此點以外，顯示器單元3亦具有類似於顯示器單元1之彼等結構、功能及效應之結構、功能及效應。
發光層16之切斷連接區段16D係其中藉由能量射線E之施加移除發光層16之區段。當移除障壁19上(電極間區域中)之發光層16時，形成於有機EL器件10之間的第二電極17中之梯級減小，且因此允許防止第二電極17之切斷連接。此外，除切斷連接區段15D之外亦提供切斷連接區段16D更有效地防止洩漏電流之發生。
舉例而言，如圖20A中所圖解說明，在相繼形成電洞注入層15及發光層16之後，可藉由能量射線E之施加而與電洞注入層15之切斷連接區段15D一起形成發光層16之切斷連接區段16D(圖20B)。
另一選擇係，如圖21A中所圖解說明，在於電洞注入層15中形成切斷連接區段15D之後，形成發光層16，且然後可再次藉由能量射線E之施加形成發光層16之切斷連接區段16D(圖21B)。
<第四實施例>
圖22圖解說明根據第四實施例之顯示器單元(顯示器單元4)之剖面結構。在顯示器單元4中，切斷連接區段16D提供於發光層16中，類似於上文所闡述之顯示器單元3。另外，電連接至第二電極17之端子(端子17T)嵌入於障壁19中。除此點以外，顯示器單元4亦具有類似於顯示器單元1之彼等結構、功能及效應之結構、功能及效應。
端子17T可由(舉例而言)鎢、鈦、鋁或氮化鈦(TiN)形成，且嵌入於障壁19中以使得其表面經曝露。端子17T之表面與第二電極17接觸，且端子17T電連接至第二電極17。舉例而言，端子17T可連接至 共同電力供應線(GND)(圖3)。
在根據比較性實例之顯示器單元100中，第二電極17提供於比顯示區域110寬之區域中，且電連接至經配置以便環繞顯示區域110之電極墊117T(圖23A及圖23B)。在顯示器單元100中，有必要在顯示區域110之外側提供此電極墊117T，且因此顯示區域110與切割區域111之間的區域(周邊區域)增加。另外，使用遮罩來形成電極墊117T，且因此有必要在顯示區域110與電極墊117T之間提供邊際區域。舉例而言，可在電極墊117T外側提供接合墊118。
在顯示器單元4中，取代上文所闡述之電極墊117T，提供端子17T以使得允許周邊區域減小。另外，發光層16之切斷連接區段16D防止第二電極17之切斷連接。儘管足以提供切斷連接區段16D以使得第二電極17與端子17T彼此接觸(圖22)，但切斷連接區段16D可提供於較寬區域上方(圖19)。圖24A至圖25C圖解說明製造顯示器單元4之方法。
首先，如針對顯示器單元1所闡述，在形成第一電極14之後，在電極間區域中形成端子17T。接下來，形成障壁19以使得端子17T嵌入於其中且障壁19隨其經完全覆蓋(圖24A)。隨後，在支撐基板11之整個表面上方形成電洞注入層15(圖24B)，且然後施加能量射線E以形成電洞注入層15之切斷連接區段15D(圖24C)。在形成切斷連接區段15D之後，在基板11之整個表面上方形成發光層16(圖25A)，且再次施加能量射線E至其。因此，在發光層16中形成切斷連接區段16D，且刮削障壁19以使得端子17T之表面經曝露(圖25B)。在彼操作之後，形成第二電極17以與端子17T電連接(圖25C)。當除在發光層16中提供切斷連接區段16D之外亦刮削且平滑化障壁19時，更確定地防止第二電極17之切斷連接。下文中，正如顯示器單元1，提供保護層18及反基板21以完成顯示器單元4。
(模組)
上文所闡述之實施例及修改之顯示器單元1、1A、1B、2、3及4中之任一者可作為圖26中所圖解說明之模組併入於各種種類之電子裝置(諸如下文闡述之應用實例1至5)中，舉例而言。特定而言，其適合於被要求具有高清晰度之微型顯示器，諸如視訊攝錄影機或單鏡頭反射式相機之取景器及頭戴式顯示器。舉例而言，該模組可在支撐基板11之側上具有自反基板21曝露之區域210，且可在經曝露區域210中具有由信號線驅動電路120之經延伸導線及掃描線驅動電路130之經延伸導線形成之外部連接端子(未圖解說明)。外部連接端子可具備用於輸入及輸出信號之撓性印刷電路(FPC)220。
(應用實例1)
圖27圖解說明應用實施例及修改中之任一者之顯示器單元之電視之外觀。舉例而言，該電視可具有包含前面板310及濾光玻璃320之圖像顯示螢幕區段300，且圖像顯示螢幕區段300由根據實施例及修改中之任一者之顯示器單元組態。
(應用實例2)
圖28A及圖28B各自圖解說明應用實施例及修改中之任一者之顯示器單元之數位相機之外觀。舉例而言，該數位相機可具有用於閃光之發光區段410、顯示區段420、選單開關430及快門按鈕440，且顯示區段420由根據實施例及修改中之任一者之顯示器單元組態。
(應用實例3)
圖29圖解說明應用實施例及修改中之任一者之顯示器單元之筆記型個人電腦之外觀。舉例而言，該筆記型個人電腦可具有主體510、用於字元及諸如此類之輸入操作之鍵盤520及顯示圖像之顯示區段530，且顯示區段530由根據實施例及修改中之任一者之顯示器單元組態。
(應用實例4)
圖30圖解說明應用實施例及修改中之任一者之顯示器單元之視訊攝錄影機之外觀。舉例而言，該視訊攝錄影機可具有主體區段610、用於拍攝對象且提供於主體區段610之前側表面上之透鏡620、用於拍攝之起動-停止開關630及顯示區段640，且顯示區段640由根據實施例及修改中之任一者之顯示器單元組態。
(應用實例5)
圖31A及圖31B各自圖解說明應用實施例及修改中之任一者之顯示器單元之行動電話之外觀。舉例而言，該行動電話可由藉由連接區段(鉸鏈區段)730連接之上部外殼710及下部外殼720組態，且可具有顯示器740、子顯示器750、圖像燈760及相機770。顯示器740或子顯示器750由根據實施例及修改中之任一者之顯示器單元組態。
在上文中，儘管已參考實施例及修改闡述本技術，但本技術並不限於上文所闡述之實施例及諸如此類，且可進行各種修改。舉例而言，每一層之材料、厚度、形成方法、形成條件及諸如此類並不限於上文所闡述之實施例及諸如此類中所闡述之彼等材料、厚度、形成方法、形成條件及諸如此類，且每一層可在任何其他形成條件下藉由任何其他形成方法由具有任何其他厚度之任何其他材料形成。
此外，在上文所闡述之實施例及諸如此類中，已闡述其中包含紅色發光層、綠色發光層及藍色發光層之三個層的用於發射白色光之發光層作為發光層16之情形。然而，用於發射白色光之發光層16之組態並非特定受限的，且可藉由堆疊呈彼此互補之色彩關係之兩個色彩之發光層(舉例而言，橙色發光層及藍色發光層或藍綠色發光層及紅色發光層)而經組態。此外，發光層16不限於用於發射白色光之發光層，且可應用於其中(舉例而言)僅形成綠色發光層的單個色彩之顯示器單元。另外，發光層16可應用於其中發光層16針對每一有機EL器 件10經個別著色之顯示器單元。
此外，舉例而言，在上文所闡述之實施例及諸如此類中，已闡述其中第一電極14用作陽極且第二電極17用作陰極之情形。另一選擇係，陽極及陰極可係反轉的，且第一電極14可用作陰極且第二電極17可用作陽極。另外，顯示器單元3及4可係底部發射顯示器單元。
注意，本技術可如下經組態。
(1)一種製造顯示器單元之方法，該方法包含：形成複數個第一電極；形成自該第一電極覆蓋至電極間區域之功能層；及將能量射線局部施加至該功能層以在該功能層中於該電極間區域中形成切斷連接區段或高電阻區段。
(2)如(1)之方法，其中在該電極間區域中提供障壁，且將該能量射線施加至覆蓋該障壁之該功能層。
(3)如(1)或(2)之方法，其中以小於大約90度之角度將該能量射線施加至該第一電極之表面。
(4)如(2)或(3)之方法，其中該功能層係在該第一電極與發光層之間的電洞注入層。
(5)如(2)或(3)之方法，其中該功能層係發光層及該發光層與該第一電極之間的電洞注入層。
(6)如(2)至(5)中任一項之方法，其中在於該功能層中提供該切斷連接區段或該高電阻區段之後形成與該第一電極配對之第二電極，其中該功能層在中間。
(7)如(6)之方法，其中施加該能量射線以形成該切斷連接區段且允許曝露嵌入於該障壁中之端子之表面，且將該端子電連接至該第二電極。
(8)如(2)至(5)中任一項之方法，其中施加該能量射線以形成該切斷連接區段且刮削該障壁，且形成與該第一電極配對之第二電極，其中該功能層在其間。
(9)如(1)至(8)中任一項之方法，其中施加該能量射線以在彼此毗鄰之該等第一電極之間形成間隙。
(10)如(1)至(9)中任一項之方法，其中使用離子束、原子束、分子束、電子束及雷射束中之一者作為該能量射線。
(11)一種製造電子裝置之方法，該方法包含製造顯示器單元，該製造該顯示器單元包含：形成複數個第一電極；形成自該第一電極覆蓋至電極間區域之功能層；及將能量射線局部施加至該功能層以在該功能層中於該電極間區域中形成切斷連接區段或高電阻區段。
(12)一種顯示器單元，其包含：複數個第一電極；及功能層，其自該第一電極覆蓋至電極間區域，且在該電極間區域中具有切斷連接區段或高電阻區段，該切斷連接區段或該高電阻區段係藉由能量射線之局部施加而形成。
(13)如(12)之顯示器單元，其進一步包含：障壁，其提供於該電極間區域中；第二電極，其面對該第一電極，其中該功能層在中間；及端子，其嵌入於該障壁中且電連接至該第二電極。
本發明含有與2012年8月2日在日本專利局提出申請之日本優先權專利申請案JP 2012-172181中所揭示之標的物相關之標的物，該申請案之全部內容據此以引用方式併入本文中。
熟習此項技術者應理解，可取決於設計要求及其他因素而做出 各種修改、組合、子組合及變更，只要其歸屬於隨附申請專利範圍及其等效範圍之範疇內即可。
1‧‧‧顯示器單元
10‧‧‧有機電致發光器件
11‧‧‧支撐基板/基板
12‧‧‧薄膜電晶體層
13‧‧‧平坦化層
13H‧‧‧細連接孔/連接孔/接觸孔
14‧‧‧第一電極
14A‧‧‧第一電極
14B‧‧‧第一電極
15‧‧‧電洞注入層
15D‧‧‧切斷連接區段
16‧‧‧發光層
17‧‧‧第二電極
18‧‧‧保護層
19‧‧‧障壁
21‧‧‧反基板
L1‧‧‧像素驅動電路形成層
L2‧‧‧發光器件形成層

Claims (13)

  1. 一種製造顯示器單元之方法，該方法包括：形成複數個第一電極；形成自該第一電極覆蓋至電極間區域之功能層；及將能量射線局部施加至該功能層以在該功能層中於該電極間區域中形成切斷連接區段或高電阻區段。
  2. 如請求項1之方法，其中在該電極間區域中提供障壁，且將該能量射線施加至覆蓋該障壁之該功能層。
  3. 如請求項2之方法，其中以小於大約90度之角度將該能量射線施加至該第一電極之表面。
  4. 如請求項2之方法，其中該功能層係介於該第一電極與發光層之間的電洞注入層。
  5. 如請求項2之方法，其中該功能層係發光層及介於該發光層與該第一電極之間的電洞注入層。
  6. 如請求項5之方法，其中在於該功能層中提供該切斷連接區段或該高電阻區段之後形成與該第一電極配對之第二電極，其中該功能層在中間。
  7. 如請求項6之方法，其中施加該能量射線以形成該切斷連接區段且允許曝露嵌入於該障壁中之端子之表面，且將該端子電連接至該第二電極。
  8. 如請求項2之方法，其中施加該能量射線以形成該切斷連接區段且刮削該障壁，且形成與該第一電極配對之第二電極，其中該功能層在其間。
  9. 如請求項1之方法，其中施加該能量射線以在彼此毗鄰之該等第 一電極之間形成間隙。
  10. 如請求項1之方法，其中使用離子束、原子束、分子束、電子束及雷射束中之一者作為該能量射線。
  11. 一種製造電子裝置之方法，該方法包含製造顯示器單元，該製造該顯示器單元包括：形成複數個第一電極；形成自該第一電極覆蓋至電極間區域之功能層；及將能量射線局部施加至該功能層以在該功能層中於該電極間區域中形成切斷連接區段或高電阻區段。
  12. 一種顯示器單元，其包括：複數個第一電極；及功能層，其自該第一電極覆蓋至電極間區域，且在該電極間區域中具有切斷連接區段或高電阻區段，該切斷連接區段或該高電阻區段係藉由能量射線之局部施加而形成。
  13. 如請求項12之顯示器單元，其進一步包括：障壁，其提供於該電極間區域中；第二電極，其面對該第一電極，其中該功能層在中間；及端子，其嵌入於該障壁中且電連接至該第二電極。
TW102124602A 2012-08-02 2013-07-09 顯示器單元、其製造方法及製造電子裝置之方法 TW201407768A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012172181A JP2014032817A (ja) 2012-08-02 2012-08-02 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201407768A true TW201407768A (zh) 2014-02-16

Family

ID=49029149

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102124602A TW201407768A (zh) 2012-08-02 2013-07-09 顯示器單元、其製造方法及製造電子裝置之方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20150214508A1 (zh)
JP (1) JP2014032817A (zh)
KR (2) KR20150040869A (zh)
CN (2) CN110233163B (zh)
TW (1) TW201407768A (zh)
WO (1) WO2014020853A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6558880B2 (ja) * 2014-07-11 2019-08-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法
DE102016101636A1 (de) * 2016-01-29 2017-08-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Einstellen der Emission einer OLED
JP2017220528A (ja) * 2016-06-06 2017-12-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル
EP3336918B1 (en) * 2016-12-13 2020-09-02 Novaled GmbH Flash light illumination method and organic electronic device elements obtainable this way
JP2018142442A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置の製造方法及び有機ｅｌ表示装置
CN109300938B (zh) * 2018-08-30 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR20200115749A (ko) 2019-03-25 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN111710789B (zh) * 2020-06-30 2022-11-11 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示面板的制造方法及显示装置
US11588135B2 (en) * 2020-07-07 2023-02-21 Avalon Holographies Inc. Microcavity pixel array design and method
JPWO2022163123A1 (zh) * 2021-02-01 2022-08-04

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002110345A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Toshiba Corp マスク及びそれを用いた有機ｅｌ表示素子の製造方法
JP2003109492A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Canon Inc 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法
US6810919B2 (en) * 2002-01-11 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus
JP3481232B2 (ja) * 2002-03-05 2003-12-22 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法
US6995035B2 (en) * 2003-06-16 2006-02-07 Eastman Kodak Company Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
JP2005063763A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置とその製造方法、及び電子機器
US20070069235A1 (en) * 2003-10-27 2007-03-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting element
JP4103865B2 (ja) * 2004-07-27 2008-06-18 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
CN100592548C (zh) * 2004-11-30 2010-02-24 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
JP4699053B2 (ja) * 2005-03-10 2011-06-08 東京応化工業株式会社 カラーフィルタ用感光性樹脂組成物およびカラーフィルタ
WO2006098188A1 (ja) * 2005-03-17 2006-09-21 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7564182B2 (en) * 2005-06-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Broadband light tandem OLED display
JP4501888B2 (ja) 2005-07-07 2010-07-14 株式会社デンソー 車両用前照灯装置
US8138502B2 (en) * 2005-08-05 2012-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2007021673A2 (en) * 2005-08-12 2007-02-22 Afl Telecommunications Llc Tapered cable for use in fiber to the premises applications
JP4449857B2 (ja) * 2005-08-17 2010-04-14 ソニー株式会社 表示装置の製造方法
JP2009004347A (ja) 2007-05-18 2009-01-08 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ表示素子の製造方法及び有機ｅｌ表示素子
JP5082834B2 (ja) 2007-12-27 2012-11-28 オムロン株式会社 脇見検出装置および方法、並びに、プログラム
JP2009230956A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP4655102B2 (ja) * 2008-04-11 2011-03-23 ソニー株式会社 表示素子およびその製造方法、ならびに表示装置
JPWO2009133680A1 (ja) * 2008-04-28 2011-08-25 パナソニック株式会社 表示装置およびその製造方法
JP5125798B2 (ja) 2008-06-20 2013-01-23 マツダ株式会社 車両の前照灯制御装置
KR101002663B1 (ko) 2008-12-11 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102010429B1 (ko) * 2011-02-25 2019-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 사용한 전자 기기
JP5785808B2 (ja) * 2011-07-20 2015-09-30 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネルおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104508848A (zh) 2015-04-08
KR20150040869A (ko) 2015-04-15
US20190229300A1 (en) 2019-07-25
KR20200142117A (ko) 2020-12-21
CN110233163A (zh) 2019-09-13
WO2014020853A1 (en) 2014-02-06
US11088355B2 (en) 2021-08-10
KR102323630B1 (ko) 2021-11-09
CN110233163B (zh) 2023-05-26
US20150214508A1 (en) 2015-07-30
JP2014032817A (ja) 2014-02-20
CN104508848B (zh) 2021-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11088355B2 (en) Display unit with prevented current leakage, method of manufacturing the same, and method of manufacturing electronic apparatus
CN110323256B (zh) 显示单元、制造显示单元的方法以及电子设备
US11552151B2 (en) Display device and method for manufacturing display device
CN101582442B (zh) 显示单元
US8866706B2 (en) Organic electroluminescent display device and manufacturing method of the same
CN104952903B (zh) 显示装置、制造显示装置的方法以及修复显示装置的方法
US20130056714A1 (en) Organic el display, method of producing organic el display, and electronic unit
JP2012216495A (ja) 有機発光素子およびこれを備えた表示装置
US20140240370A1 (en) Display, method of manufacturing display, method of driving display, and electronic apparatus
CN106997893B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US20150053963A1 (en) Display unit and electronic apparatus
CN107079561A (zh) 显示装置、制造显示装置的方法以及电子装置
WO2014020850A1 (en) Light emitting device, display unit including the same, and electronic apparatus
KR20190027985A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101820166B1 (ko) 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR20210086334A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR102084717B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20210053610A (ko) 플렉서블 표시 장치
US11765953B2 (en) Display apparatus including overlapping elements
JP2011081998A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子および表示装置