CN101582442B

CN101582442B - 显示单元

Info

Publication number: CN101582442B
Application number: CN2009101410731A
Authority: CN
Inventors: 藤冈弘文; 广升泰信
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2008-05-16
Filing date: 2009-05-18
Publication date: 2012-07-18
Anticipated expiration: 2029-05-18
Also published as: TWI434608B; US8193699B2; CN101582442A; KR20090119701A; TW200950584A; KR101612720B1; US20090284144A1; JP4678421B2; JP2009277590A; CN102738204A; CN102738204B

Abstract

本发明提供一种显示单元，该显示单元能够防止第二电极的断裂，并且减少通过有机层的泄漏电流。该显示单元包括在平面基板上的多个有机发光器件。该多个有机发光器件的每一个都依次具有第一电极、具有对应于第一电极的开口的绝缘膜、至少形成在开口中的第一电极上的且由包括发光层的多个层构成的有机层以及第二电极。绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分，该低锥度部分由开口的侧面与基板的平面形成的倾角，且该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。

Description

显示单元

技术领域

本发明涉及一种包括有机发光器件的显示单元。

背景技术

有机发光器件具有依次设置在基板之上的第一电极、包括发光层的有机层以及第二电极。在第一电极和第二电极之间施加直流电压的情况下，在发光层中产生电子-空穴复合，并且产生光。在各器件之间，提供分隔各器件的绝缘膜。绝缘膜设置有对应于第一电极的开口。开口的边通常具有相对于基板平面的倾角(锥角)。

过去，对于绝缘膜的形状，已经提出了(1)减小倾角(例如，如日本未审查专利申请公开No.11-97182所述)以及(2)使倾角接近直角(例如，如日本专利No.3247388所述)。

发明内容

然而，在如前述(1)的情况“减少倾角”使倾角一概很小的情况下，如果采用有机发光器件的驱动电路作为电容(例如，日本未审查专利申请公开No.2007-148129所描述)，则在驱动晶体管的阈值电压纠正操作中，微小的泄漏电流从第一电极通过有机层流向第二电极，由此驱动晶体管的源电位偏移。结果，存在产生亮度不均匀性的缺点。

同时，在如前述情况(2)使倾角变大以使该倾角大致为直角的情况下，存在产生第二电极的断裂和不发光的可能性。

考虑到前述情况，在本发明中，所希望的是提供能够防止第二电极的断裂和减少通过有机层的泄漏电流的显示单元。

根据本发明的实施例，提供的显示单元包括在平坦基板上的多个有机发光器件。多个有机发光器件的每一个都依次具有：第一电极；绝缘膜，具有对应于第一电极的开口；有机层，至少形成在开口中的第一电极上，并且由包括发光层的多个层组成；以及第二电极。绝缘膜在该开口的周围的一部分中具有低锥度部分(low taper section)，该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角，该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。

“倾角”是指位于从开口的侧面的端部到具有最大厚度的部分的区域中的每个点处的倾角中的最大角。

在根据本发明实施例的显示单元中，绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分，该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角，该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。因此，在低锥度部分之外的部分中，倾角大并且减少了通过有机层的泄漏电流。同样，在低锥度部分中，防止了第二电极的断裂。

在根据本发明实施例的显示单元中，绝缘膜在开口的周围的一部分中具有低锥度部分，该低锥度部分具有由开口的侧面和基板的平面形成的倾角，该倾角小于开口的周围的其它部分的倾角。因此，可以防止第二电极的断裂，并且可以减少通过有机层的泄漏电流。特别是，该实施例适合于采用以有机发光器件作为电容的驱动电路的情况，并且可以抑制亮度不均匀性的产生。

通过下面的描述，本发明的其它和进一步的目的、特征和优点将变得更加明显易懂。

附图说明

图1是图解根据本发明第一实施例的显示单元构造的示意图；

图2是图解图1所示像素电路的示例的等效电路示意图；

图3是图解图1所示显示区域构造的截面图；

图4是图解图3所示有机层结构的截面图；

图5是图解图3所示第一电极、辅助配线和绝缘膜的位置关系示例的平面图；

图6A和6B是沿着图5的VI-VI线剖取的截面图及其照片；

图7A和7B是沿着图5的VII-VII线剖取的截面图及其照片；

图8是用于说明泄漏电流流过的路径的截面图；

图9是用于说明泄漏电流的大小根据绝缘膜的开口的倾角而变化的截面图；

图10是用于说明倾角的定义的截面图；

图11是图解图3所示绝缘膜和有机层的位置关系示例的平面图；

图12是沿着图11的XII-XII线剖取的截面图；

图13是沿着图11的XIII-XIII线剖取的截面图；

图14是图解偏移图11的有机层的沉积位置的情况的平面图；

图15是图解采用有机发光器件作为电容进行阈值电压纠正操作的电路图；

图16是根据本发明第二实施例的显示单元的显示区域的平面图；

图17是沿着图16的XVII-XVII线剖取的截面图；

图18是图解包括前述实施例的显示单元的模块的示意性构造的平面图；

图19是图解前述实施例的显示单元的第一应用示例的外观的透视图；

图20A是图解第二应用示例从前侧看的外观的透视图，而图20B是第二应用示例从后侧看的外观的透视图；

图21是图解第三应用示例的外观的透视图；

图22是图解第四应用示例的外观的透视图；

图23A是第五应用示例打开状态下的主视图，图23B是其侧视图，图23C是第五应用示例闭合状态下的主视图，图23D是其左侧视图，图23E是其右侧视图，图23F是其俯视图，而图23G是其仰视图；以及

图24是图解本发明修改示例的平面图。

具体实施方式

以下将参考附图详细描述本发明的实施例。

第一实施例

图1图解了根据本发明第一实施例的显示单元的构造。显示单元用作超薄有机发光彩色显示单元等。在显示单元中，例如，稍后描述的多个有机发光器件10R、10G和10B(在下文通常称为“有机发光器件EL”)在显示区域110中设置成矩阵状态，该显示区域110形成在由玻璃、硅(Si)晶片或树脂等制作的基板11上。在显示区域110的周边形成作为信号部的水平选择器121和作为扫描部的光扫描器131、驱动扫描器132及电源线扫描器133。

在显示区域110中，多条信号线SL设置在列方向上，并且多条扫描线WS和DS以及多条电源线VL设置在行方向上。包括有机发光器件EL(10R、10G和10B(子像素)之一)的像素电路140设置在每条信号线SL和每条扫描线WS和DS之间的每个交叉点。每条信号线SL连接到水平选择器121。视频信号Sig从水平选择器121提供给信号线SL。每条扫描线WS连接到光扫描器131。每条扫描线DS连接到驱动扫描器132。每条电源线VL连接到电源线扫描器133。

图2图解了像素电路140的示例。像素电路140是有源驱动电路，该有源驱动电路具有取样晶体管(sampling transistor)T1、驱动晶体管T5、在取样晶体管T1和驱动晶体管T5之间的像素电容C1、连接在驱动晶体管T5和阴极电位(Vcat)之间的有机发光器件EL和连接在驱动晶体管T5和电源线VL之间的开关晶体管(switching transistor)T4。

取样晶体管T1响应于从扫描线WS提供的控制信号而导通，并且进行从信号线SL提供到像素电容C1中的视频信号Sig的信号电位Vsig的取样。像素电容C1响应视频信号Sig的取样的信号电位Vsig在驱动晶体管T5的栅极G和源极S之间施加输入电压Vgs。驱动晶体管T5响应输入电压Vgs将输出电流Ids提供到有机发光器件EL(10R、10G和10B)。根据输出电流Ids，有机发光器件EL发射对应于视频信号Sig的信号电位Vsig的亮度的光。开关晶体管T4响应于从扫描线DS提供的控制信号而导通。在发光期间，开关晶体管T4将驱动晶体管T5连接到电源线VL。不发光期间，开关晶体管T4不导通，并且使驱动晶体管T5与电源线VL分开。

提供到有机发光器件EL的输出电流Ids对驱动晶体管T5的阈值电压Vth具有依赖性。为了消除输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖性，光扫描器131和驱动扫描器132进行纠正像素电容C1的纠正操作和将视频信号Sig的信号电位Vsig写入纠正的像素电容C1的取样操作。水平选择器121在纠正操作期间给信号线SL提供固定的电位Vofs。之后，水平选择器121转换到对应于取样操作的信号电位Vsig。在纠正操作期间，电源线扫描器133从发光期间提供的正常电源电位Vcc转换到纠正操作所需的电位Vss。

图3图解了显示区域110的截面构造。在显示区域110中，产生红光的有机发光器件10R、产生绿光的有机发光器件10G和产生蓝光的有机发光器件10B总体上依次形成为矩阵状态。有机发光器件10R、10G和10B具有长方形平面形状，并且彼此相邻的有机发光器件10R、10G和10B的结合组成一个像素。

有机发光器件10R、10G和10B分别具有这样的结构，其中从基板11侧依次层叠前述的像素电路140、平坦化层12、作为阳极的第一电极13、绝缘膜14、包括稍后描述的发光层15C的有机层15以及作为阴极的第二电极16。在基板11中，形成与第一电极13电绝缘的辅助配线17。辅助配线17电连接到第二电极16。

如上的有机发光器件10R、10G和10B涂覆有保护膜18，保护膜18根据需要由氮化硅(SiN)或氧化硅(SiO)等组成。此外，由玻璃等制作的密封基板31利用密封基板31和保护膜之间的由热固树脂或紫外线固化树脂等制作的粘合层20粘合到保护膜18的整个区域，由此密封有机发光器件10R、10G和10B。密封基板31根据需要可以设置有滤色器32和作为黑矩阵的遮光膜(未示出)。

像素电路140和配线等通过设置在平坦化层12中的连接孔12A电连接到第一电极13。

平坦化层12旨在平坦化基板11的形成有像素驱动电路140的前面。因为在平坦化层12中形成精细的连接孔12A，所以平坦化层12优选由具有合适的图案化精度的材料制造。平坦化层12组成材料的示例包括诸如聚酰亚胺的有机材料和诸如氧化硅(SiO₂)的无机材料。

对应于各有机发光器件10R、10G和10B形成第一电极13。此外，第一电极13具有反射电极的功能，以反射发光层中产生的光，并且希望具有尽可能高的反射率以改善发光效率。第一电极13具有例如100nm至1000nm的厚度(包括端值)，具体地约为200nm，并且由铝(Al)或包含铝(Al)的合金、或者银(Ag)或包含银(Ag)的合金制成。此外，第一电极13可以由其它金属元素的单质或合金制成，如铬(Cr)、钛(Ti)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、铜(Cu)、钽(Ta)、钨(W)、铂(Pt)和金(Au)。

绝缘膜14旨在保证第一电极13与第二电极16之间的绝缘，并且精确地获得发光区域所希望的形状。例如，绝缘膜14由诸如光敏压克力(acryl)、聚酰亚胺和聚苯并唑(polybenzoxazole)的有机材料制造。绝缘膜14具有开口14A和14B，分别对应于第一电极13的发光区域和辅助配线17。

图4图解了有机层15的截面结构。有机层15至少形成在绝缘膜14的开口14A中的第一电极13上。光仅在开口14A中产生，但是有机层15也可以连续地提供在绝缘膜14上。有机层15例如具有这样的结构，其中从第一电极13侧层叠电子空穴注入层15A、电子空穴输运层15B、发光层15C和电子输运层15D。对于前述各层，发光层15C之外的各层可以根据需要提供。此外，有机层15可以具有根据有机发光器件10R、10G和10B的发光颜色而变化的结构。电子空穴注入层15A旨在改善电子空穴注入效率，并且用作防止泄漏的缓冲层。电子空穴输运层15B旨在改善将空穴输运到发光层15C的效率。发光层15C旨在因通过施加电场使电子-空穴复合而产生光。电子输运层15D旨在改善将电子输运到发光层15C的效率。可以在电子输运层15D和第二电极16之间设置由LiF或Li₂O等构成的电子注入层(未示出)。

有机发光器件10R的电子空穴注入层15A具有例如1nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由氮杂三亚苯(azatriphenylene)衍生物、4，4′，4″-三(3-甲苯基苯氨基)三苯胺(4，4′，4″-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine)(m-MTDATA)或4，4′，4″-三(2-萘基苯胺基)三苯胺(4，4′，4″-tris(2-naphthylphenylamino)triphenyl amine)(2-TNATA)组成。有机发光器件10R的电子空穴输运层15B具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由二[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺(bis[(N-naphthyl)-N-phenyl]benzidine(α-NPD))制成。有机发光器件10R的发光层15C具有例如10nm至100nm的厚度(包含端值)，并且由40(体积)％的2，6-二[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二腈(2，6-bis[4-[N-(4-methoxyphenyl)-N-phenyl]aminostyryl]naphthalene-1，5-dicarbonitrile(BSN-BCN))与8-羟基喹啉铝(Alq₃)混合的材料制成。有机发光器件10R的电子输运层15D具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由Alq₃制成。

有机发光器件10G的电子空穴注入层15A具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由m-MTDATA或者2-TNATA制成。有机发光器件10G的电子空穴输运层15B具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由α-NPD制成。有机发光器件10G的发光层15C具有例如10nm至100nm的厚度(包含端值)，并且由3(体积)％的香豆素6(coumarin 6)与Alq₃混合的材料构成。有机发光器件10G的电子输运层15D具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由Alq₃制成。

有机发光器件10B的电子空穴注入层15A具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由m-MTDATA或者2-TNATA制成。有机发光器件10B的电子空穴输运层15B具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由α-NPD制成。有机发光器件10B的发光层15C具有例如10nm至100nm的厚度(包含端值)，并且由螺6Φ(spiro 6Φ)制成。有机发光器件10B的电子输运层15D具有例如5nm至300nm的厚度(包含端值)，并且由Alq₃制成。

形成有机发光器件10R、10G和10B共用的第二电极16。第二电极16具有例如5nm至50nm的厚度(包含端值)，并且由诸如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)和钠(Na)的金属元素的单质或者合金构成。具体地讲，优选镁和银的合金(MgAg合金)或者铝(Al)和锂(Li)的合金(AlLi合金)。此外，第二电极16可以由ITO(铟锡复合氧化物)或者IZO(铟锌复合氧化物)构成。

辅助配线17旨在抑制第二电极16中的电压降，并且形成在各有机发光器件10R、10G和10B之间的间隙中。辅助配线17例如由与第一电极13相同的材料制作在基板11上与第一电极13相同的层中。在辅助配线17由与第一电极13相同的材料制作的情况下，辅助配线17和第一电极13能够在后面所述的制造工艺中在相同的步骤中形成。辅助配线17的材料和结构不是必须与第一电极13的相同。

图5图解了第一电极13、辅助配线17和绝缘层14的平面位置关系。图6A和6B是沿着图5的VI-VI线剖取的截面图及其照片。图7A和7B是沿着图5的VII-VII线剖取的截面图及其照片。绝缘膜14的开口14A和14B为矩形。绝缘膜14设置有在开口14A的周围的一部分中的低锥度部分41。低锥度部分41具有由开口14A的侧面和基板11的平面11A形成的倾角θ1，该倾角θ1小于开口14A的周围的其它部分(即高锥度部分42)的倾角θ2。因此，在显示单元中，能够防止第二电极16的断裂，并且能够降低通过有机层15的泄漏电流。

图8示意性地图解了泄漏电流流过的路径。在有机层15中，与第一电极13接触的层具有大的导电性。因此，如箭头所示，泄漏电流L在第一电极13和第二电极16之间通过这样的高导电层(highly-conductive layer)15E流动。尽管取决于有机层15的层叠结构，但情况通常是这样的：高导电层15E对应于图4所示的电子空穴注入层15A或者电子空穴输运层15B。此外，尽管没有示出，但是在第一电极13为阴极而第二电极16为阳极的情况下，有时高导电层15E对应于电子注入层或者电子输运层。

接下来，下文将基于图9给出关于以下情况的描述，泄漏电流的大小根据绝缘膜14的开口14A的倾角而变化。通过蒸发法等沉积有机层15。在蒸发法中，要沉积的大部分材料粒子是从相对于基板11的垂直方向的飞行成分。因此，在开口14A的侧面中的高导电层15E的厚度t1表示为t1≈t0×cosθ，这里高导电层15E在开口14A的平坦部分中的厚度为t0，且倾角为θ。就是说，在开口14A的侧面中，高导电层15E的厚度变薄，并且电阻也相应地增加。在此情况下，取决于倾角θ和厚度，高导电层15E的厚度变得非常薄，没有形成连续的膜，并且结果高导电层15E被绝缘(产生所谓的“由台阶引起的断开”)。如上所述，由倾角θ能控制高导电层15E的电导率。

在增加开口14A的倾角θ的情况下，能够使引起泄漏电流的高导电层15E变为“由台阶引起断开”的状态而防止泄漏电流。同时，存在第二电极16也处于“由台阶引起断开”的状态的可能性。因此，开口14A的周围的大部分形成为具有大倾角θ的高锥度部分42，而局部提供具有小倾角θ的低锥度部分41。因此，减少了泄漏电流，并且第二电极16的不导电可以得到抑制。低锥度部分41的宽度w越小，泄漏电流越小。例如，所希望的宽度w约为3μm至5μm(包含端值)。

这里的“倾角”是指位于从开口14A的侧面的端部到具有最大厚度的部分的区域中每点处的倾角中的最大角。例如，如图10所示，在低锥度部分41中，只有低锥度部分41的一部分具有大倾角θ12，而其大部分具有小倾角θ11，具有大倾角θ12的部分可变为“由台阶引起断开”的状态。

在高锥度部分42中的倾角θ2例如可以为60度或者更大，在低锥度部分41中的倾角θ1例如可以为30度或者更小。然而，倾角不限于此。

同时，用于辅助配线17的开口14B与开口14A相类似，在周围的一部分中可以设置有低锥度部分41。然而，开口14B优选在整个周围上设置有低锥度部分41，这是因为由此有利于保证第二电极16和辅助配线17间的接触电阻。

低锥度部分41优选设置在开口14A的四边中在开口14A和相邻的开口14A之间存在没有设置有机层15的无有机层区域51的边上。下面参考图11至13给出对其原因的描述。

图11图解了绝缘层14和有机层15的平面位置关系。为了延长有机发光器件10R、10G和10B的发光寿命，绝缘膜14的开口14A相对第一电极13的开口率应尽可能大。因此，各种颜色R、G和B的有机层15形成为在开口14A的长边彼此部分重叠。此外，有机层15形成为避开要成为辅助配线17和第二电极16之间的连接孔的开口14B。因此，有机层15在开口14A的短边不彼此重叠，并且无有机层区域51存在于开口14A和相邻的开口14A之间。

图12图解了沿着图11的XII-XII线剖取的截面结构，而图13图解了沿着图11的XIII-XIII线剖取的截面结构。存在两个泄漏电流的路径。其一是图12所示的情况(有机层15没有彼此重叠的边)，另一个是图13所示的情况(有机层15彼此重叠的边)。泄漏电流的大小随路径的长度(即在高导电层15E中的距离)成比例地增加和减小。因此，在有机层15的沉积位置如图14所示在横向(水平方向)上变化的情况下，泄漏电流根据有机层15彼此重叠的边上的沉积位置精度而变化很大。在此情况下，存在显示区域110中泄漏电流变得不均匀的可能性，导致亮度的不均匀。因此，在低锥度部分41设置在有机层彼此不重叠的边上，即在开口14A和相邻的开口14A之间存在无有机层区域51的边上的情况下，能够降低因沉积位置精度引起的泄漏电流的变化。

此外，低锥度部分41由于下面的原因优选形成在开口14A的两个相对的边。在某些情况下，有机层15的沉积位置不仅如图14所示在横向(水平方向)上偏移，而且也在纵向(垂直方向)上偏移。如果低锥度部分41仅设置在两个相对边之一上，则当沉积位置在纵向上偏移时，泄漏电流变化很大，泄漏电流在显示区域110中变得不均匀，导致亮度的不均匀。同时，在低锥度部分41设置在两个相对边的情况下，即使沉积位置在纵向上移动，泄漏电流的路径的总长度(L1+L2)在一个像素的单元中也能够恒定地均匀。因此，能够在显示单元110中均匀化泄漏电流，并且抑制亮度的不均匀。

例如，显示单元可以如下制造。

首先，像素电路140形成在由前述材料制作的基板11上。之后，通过用光敏树脂涂敷基板11的整个区域且提供曝光和显影，形成平坦化层12和连接孔12A，并进行烘培。

接下来，例如，通过溅射法形成用于形成第一电极13和辅助配线17的金属膜，然后通过光刻和蚀刻提供图案化。由此，形成第一电极13和辅助配线17。

随后，基板11的整个区域以由前述材料制作的正型光敏树脂涂覆。利用投影式曝光装置和光掩模，用近紫外线辐射并曝光绝缘膜14的要成为开口14A和开口14B的部分。此时，在开口14A的开口端的一部分上以比开口14A的曝光量小的曝光量照射近紫外线(下文中称为半曝光)。因此，半曝光部分中的倾角θ1变得小于其它部分中的倾角θ2，并且形成低锥度部分41。具有大倾角θ2的部分变为高锥度部分42。

之后，通过采用诸如TMAH(四甲基铵氢氧化物，tetramethylammoniumhydroxide)的显影剂进行图像显影，所得产物例如在N₂中以230℃烘焙30分钟。因此，形成绝缘膜14。

之后，例如，通过蒸发法形成由前述材料制作的有机层15。此时，通过采用对各种颜色的遮光掩模形成有机层15并避开辅助配线17。

在形成有机层15后，例如，通过蒸发法沉积电子注入层和第二电极16，并且电连接第二电极16和辅助配线17。电子注入层和第二电极16形成为有机发光器件10R、10G和10B所共用。因此，形成有机发光器件10R、10G和10B。

在形成第二电极16后，有机发光器件10R、10G和10B覆盖有由前述材料制成的保护膜18。在保护膜18上形成粘合层20。随后，准备设置有滤色器32且由前述材料制作的密封基板31。形成有有机发光器件10R、10G和10B的基板11和密封基板31用其间的粘合层20粘合起来。因此，完成图1至4所示的显示单元。

在该显示单元中，取样晶体管T1响应于从扫描线WS提供的控制信号而导通，并且进行从信号线SL提供到像素电容C1中的视频信号Sig的信号电位Vsig的取样。输入电压Vgs响应于图像电位Vsig而施加在驱动晶体管T5的栅极G和源极S之间。对应于输入电压Vgs的输出电流Ids提供给有机发光器件EL(10R、10G和10B)。根据输出电流Ids，有机发光器件EL发射对应于视频信号Sig的信号电位Vsig的亮度的光。该光穿过第二电极16、滤色器32和密封基板31，并且被提取。

为了消除输出电流Ids对阈值电压Vth的依赖性，在对进入像素电容C1的信号电位Vsig取样前，进行将对应于驱动晶体管T5的阈值电压Vth的电压写入到像素电容C1中的纠正操作。如图15所示，有机发光器件EL的等效电路由二极管Tel和电容Cel表示。在有机发光器件EL的泄漏电流显著小于流过驱动晶体管T5的电流的情况下，驱动晶体管T5的电流用于对像素电容C1和有机发光器件EL的电容Cel充电。

在该实施例中，低锥度部分41提供在绝缘膜14的开口14A的周围的一部分中。低锥度部分41的倾角θ1小于低锥度部分41之外部分的高锥度部分42的倾角θ2。因此，在高锥度部分42中，减少了通过有机层15的泄漏电流，有利地进行了采用有机发光器件EL作为电容Cel的前述纠正操作，并且抑制了诸如亮度不均匀的缺陷。同时，在低锥度部分41中，防止了第二电极16的断裂，并且防止了诸如不发光的缺陷。

如上所述，在该实施例中，低锥度部分41设置在绝缘膜14的开口14A的周围的一部分中，并且低锥度部分41的倾角θ1小于低锥度部分41之外部分的高锥度部分42的倾角θ2。因此，能够防止第二电极的断裂，并且能够减少通过有机层15的泄漏电流。特别是，该实施例适合于采用有机发光器件EL用作电容Cel的驱动电路的情况，并且可以抑制亮度不均匀性的产生。

具体地讲，在低锥度部分41设置在开口14A的四个边中开口14A和相邻的开口14A之间存在无有机层区域51的边上的情况下，能够减少因沉积位置精度引起的泄漏电流的变化。

此外，具体地讲，在低锥度部分41设置在开口14A的两个相对边中的情况下，即使沉积位置偏移，在一个像素的单元中泄露电流的路径的总长度(L1+L2)也能恒定地均匀。因此，在显示区域110中可以均匀化泄漏电流，并且可以抑制亮度的不均匀性。

第二实施例

图16图解了根据本发明第二实施例的显示单元的绝缘膜14和有机层15的平面位置关系的示例。图17是沿着图16的XVII-XVII线剖取的截面结构。该显示单元除了低锥度部分41的位置不同外，以与前述的第一实施例相同的方式构造。因此，对于对应的元件采用相同的标号给出描述。

该实施例适合于通过转印法形成有机层15的情况。具体地讲，有机层15的电子空穴注入层15A、电子空穴输运层15B和电子输运层15D通过蒸发法形成在整个区域上，而通过转印法形成各种颜色的发光层15C。因此，在开口14的长边中，只有有机层15的发光层15C重叠的有机层重叠区域52存在于开口14A和相邻开口14A之间。因为在有机层重叠区域52中只有发光层15C重叠，所以将变为泄漏电流的路径的高导电层15E(电子空穴注入层15A或者电子空穴输运层15B)不与第二电极16接触，并且因此泄漏电流明显变小。

低锥度部分41设置在开口14A的四个边中开口14A和相邻的开口14A之间存在有机层重叠区域52的边上。因此，在显示单元中，防止了第二电极16的断裂，并且能够显著降低通过有机层15的泄漏电流。

除了通过改变半曝光的位置来改变低锥度部分41的位置以及有机层15的发光层15C通过转移法形成外，该显示单元可以以与第一实施例相同的方式制造。

在显示单元中，与在第一实施例中类似，对提供到像素电容C1中的视频信号Sig的信号电位Vsig取样。输入电压Vgs响应于信号电位Vsig施加在驱动晶体管T5的栅极G和源极S之间。根据对应于输入电压Vgs的输出电流Ids，有机发光器件EL(10R、10G和10B)发射对应于视频信号Sig的信号电位Vsig的亮度的光。此外，以与第一实施例相同的方式，在对进入像素电容C1的信号电位Vsig取样之前，进行将对应于驱动晶体管T5的阈值电压Vth的电压写入像素电容C1的纠正操作。

在该实施例中，低锥度部分41设置在开口14A的四个边中开口14A和相邻的开口14A之间存在有机层重叠区域52的边上。因此，不仅在高锥度部分42中而且在低锥度部分41中，通过有机层15的泄漏电流明显降低，有利地进行了采用有机发光器件EL作为电容Cel的前述纠正操作，并且抑制了诸如亮度不均匀的缺陷。此外，在低锥度部分41中，防止了第二电极16的断裂，并且抑制了诸如不发光的缺陷。

如上所述，在该实施例中，低锥度部分41设置在开口14A的四个边中开口14A和相邻的开口14A之间存在有机层重叠区域52的边上。因此，除了第一实施例的效果外，还能够显著减少低锥度部分41中的泄漏电流。特别是，该实施例适合于有机层15的发光层15C通过转印法形成的情况，并且能够抑制亮度不均匀性的产生。

模块和应用示例

下面将描述在前面各实施例中所述的显示单元的应用示例。前述实施例的显示单元可应用于任何领域中的电子装置的显示单元，以将从外部输入的视频信号或者内部产生的视频信号显示为图像或者图片，如电视装置、数字相机、笔记本个人电脑、诸如移动电话的便携式终端和摄像机。

模块

例如，前述各实施例的显示单元结合在诸如稍后提及的在图18中图示为模块的第一至第五示例的各种电子装置。在模块中，例如，从密封基板50和粘合层40暴露的区域210设置在基板11的一侧，并且外部连接端子(未示出)通过信号线驱动电路120和扫描线驱动电路130的延长配线形成在暴露的区域210中。外部连接端子可以提供有用于输入和输出信号的柔性印刷电路(FPC)220。

第一应用示例

图19是应用前述各实施例的显示单元的电视装置的外观。电视装置例如具有包括前面板310和滤光片玻璃320的图像显示屏部300。图像显示屏部分300由根据前述各实施例的显示单元构成。

第二应用示例

图20A和20B是应用前述各实施例的显示单元的数字相机的外观。该数字相机例如具有用于闪光的发光部410、显示部分420、菜单开关430和快门按钮440。显示部分420由根据前述各实施例的显示单元构成。

第三应用示例

图21是应用前述各实施例的显示单元的笔记本个人电脑的外观。笔记本个人电脑例如具有主体510、用于输入字符等操作的键盘520和用于显示图像的显示部分530。显示部分530由根据前述各实施例的显示单元构成。

第四应用示例

图22是应用前述各实施例的显示单元的摄像机的外观。摄像机例如具有主体部分610、设置在主体610的前侧面的用于目标物摄像的镜头620、摄像开始/停止开关630和显示部分640。显示部分640由根据前述各实施例的显示单元构成。

第五应用示例

图23A至23G图解了应用前述各实施例的显示单元的移动电话的外观。在该移动电话中，例如，上壳体710和下壳体720通过连接部分(铰链部分)730连接。移动电话具有显示器740、副显示器750、图片灯760和照相机770。显示器740或副显示器750由根据前述各实施例的显示单元构成。

尽管已经参考各实施例描述了本发明，但是本发明不限于前述实施例，而是可以进行各种修改。例如，每个层的材料、厚度、膜形成方法和膜形成条件等不限于上述实施例中描述的内容，而是可以采用其它材料、其它厚度、其它膜形成方法和其它膜形成条件。

另外，在前述实施例中，已经具体描述了有机发光器件10R、10G和10B的结构。然而，不是必须设置所有的层，并且还可以设置其它层。例如，在前述实施例中，已经具体描述了开口14A为矩形形状的情况。然而，开口14A的形状不限于矩形，而可以为包括多个边的任何平面形状，并且例如可以是如图24所示的不规则形状。在此情况下，可以为两个相对边设置低锥度部分41。

本申请包含2008年5月16日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP2008-129858中公开的相关主题，将其全部内容引用结合于此。

本领域的技术人员应当理解的是，在权利要求或其等同特征的范围内，根据设计需要和其它因素，可以进行各种修改、结合、部分结合以及替换。

Claims

1.一种显示单元，包括：

在平面基板上的多个有机发光器件，

其中所述多个有机发光器件的每一个都依次具有第一电极、具有对应于所述第一电极的开口的绝缘膜、至少形成在所述开口中的所述第一电极上的且由包括发光层的多个层组成的有机层、和第二电极，所述有机层还形成在所述开口的侧面和所述绝缘膜上并且在所述绝缘膜上具有端部，所述第二电极形成在所述有机层上和所述绝缘膜上并且在所述绝缘膜上接触所述有机层的端部，以及

该绝缘膜在所述开口的周围的一部分中具有低锥度部分，所述低锥度部分具有由所述开口的侧面和所述基板的平面形成的倾角，该倾角小于所述开口的周围的其它部分中的倾角。

2.根据权利要求1所述的显示单元，其中所述开口具有包括多个边的平面形状，

所述开口的多个边包括在所述开口和相邻开口之间存在没有形成有机层的无有机层区域的边，以及

所述低锥度部分设置在存在无有机层区域的边上。

3.根据权利要求2所述的显示单元，其中该低锥度部分分别形成在所述开口的两个相对的边。

4.根据权利要求1所述的显示单元，其中所述开口具有包括多个边的平面形状，

所述开口的多个边包括在所述开口和相邻开口之间存在所述有机层中至少所述发光层重叠的有机层重叠区域的边，以及

该低锥度部分设置在存在所述有机层重叠区域的边上。