TWI414203B - A manufacturing method and a display device of a display device - Google Patents

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TWI414203B
TWI414203B TW098118239A TW98118239A TWI414203B TW I414203 B TWI414203 B TW I414203B TW 098118239 A TW098118239 A TW 098118239A TW 98118239 A TW98118239 A TW 98118239A TW I414203 B TWI414203 B TW I414203B
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Description

顯示裝置之製造方法及顯示裝置
本發明係與使用有機發光元件或液晶之顯示裝置的製造方法及顯示裝置有關。
近年來，在顯示裝置之範疇方面，正積極開發下一世代之顯示器，期待實現省空間、高亮度、低耗費電力等。作為如此之顯示裝置，使用有機發光元件之有機EL(Electro Luminescence：電致發光)顯示裝置係受到矚目。此有機EL顯示裝置由於為自發光型，因此視角廣、不需要背光，因而具有可期待省電、應答性高、裝置本身之厚度可變薄等特徵。進而，有機EL顯示裝置為了利用有機發光材料原本具有之可撓性，而使用塑膠基板作為基板，藉此，作為具有可撓性之裝置亦受到矚目。
在有機EL顯示裝置中之驅動方式，使用薄膜電晶體(TFT；Thin Film Transistor)以作為驅動元件的主動矩陣方式，相較於被動矩陣方式，在應答性及解析力之點上較出色，在具有前述特色之有機EL顯示裝置中，係可考慮為特別適合之驅動方式。
主動矩陣型之有機EL顯示裝置係成為如下結構：具有設置有有機發光元件(有機EL元件)與驅動該有機發光元件之驅動元件(薄膜電晶體)的驅動面板，並以此驅動面板與密封面板挾住有機發光元件之方式，藉由黏著層而予以貼合，前述有機發光元件(有機EL元件)係在第1電極與第2電極之間包含含有由有機發光材料構成之發光層。
在有機EL顯示裝置，雖具有將來自各有機發光元件之光往上述驅動面板側射出的下面發光(Bottom Emission)方式，與相對地將此光往上述密封面板側射出的上面發光(Top Emission)方式，但由於後者可更提高開口率，因此成為開發之主流。
上面發光方式之有機EL顯示裝置係在下層(亦即，驅動元件側之第1電極)使用容易將電洞佈植於發光層之工作函數相對較大的材料，譬如ITO(Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)等氧化物導電材料。然而，相較於通常之布線金屬材料等，氧化物導電材料係電阻率高出2~3位數程度，並無法作為第1電極以外之布線等材料而應用。又，亦有無法有效利用朝下側方向發光之光的問題。
因此，譬如在專利文獻1中，記載有在ITO等透明導電膜之下層，係形成有反射率高且電阻率低的金屬膜，使其可應用於布線等。
[專利文獻1]日本特開2003-115393號公報
在此專利文獻1之構造中，係將透明導電膜藉由濺鍍等形成。然而，相較於金屬標靶，ITO等氧化物導電體之濺鍍標靶由於既硬且脆弱，因此為了進行往一邊超過1m之大型玻璃基板上的成膜，有必要將標靶分割為若干個。因而產生如下問題，即，在對應於分割部位之處容易附著微粒子，而此為貫通之後所形成之有機層，成為在第2電極與第1電極之間產生層間短路缺陷的原因，發生非發光缺陷(閃爍像素不良)。
又，就金屬膜而言，係譬如使用銀、鋁或其合金，但此等材料係容易產生表面氧化膜，金屬膜與透明導電膜之間的接觸電阻上昇，有發光性能下降之虞。
本發明係有鑒於此問題而研發，其目的在於提供一種顯示裝置之製造方法及顯示裝置，該顯示裝置之製造方法係在將第1電極設為金屬與氧化物導電體的疊層構造時，可減少起因於氧化物導電體之濺鍍標靶的微粒子，而可在金屬與氧化物導電體之間獲得良好的通電特性。
根據本發明之顯示裝置之製造方法，係製造在第1電極與第2電極之間具有顯示層的顯示裝置者，形成第1電極之步驟係包含以下(A)、(B)步驟：
(A)在基板形成依序由金屬構成之第1層及由氧化物顯示導電性的金屬構成之第2層的疊層構造；
(B)在形成疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在第2層之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜。
本發明之第1顯示裝置，係在第1電極與第2電極之間具有顯示層；第1電極係藉由如下方式形成，即：在基板形成依序由金屬構成之第1層及第2層的疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在第2層之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜。
本發明之第2顯示裝置係在第1電極與第2電極之間具有顯示層；第1電極係具有由金屬構成之第1層及第2層的疊層構造；在第1電極之上係設有覆蓋第2層之平面形狀中之一部分的絕緣膜；在第2層中從絕緣膜露出之表面露出部的厚度方向之至少一部分係氧化物導電體膜；在第2層中以絕緣膜所覆蓋之表面包覆部，係由氧化物顯示導電性之金屬構成的金屬膜。
在本發明之第1顯示裝置方面，由於第1電極係藉由如下方式形成，即，在基板形成依序由金屬構成之第1層，及由氧化物顯示導電性的金屬構成之第2層的疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在第2層之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜，故，起因於在將第2層成膜之際的濺鍍標靶之微粒子減少。因而，抑制了因層間短路缺陷而產生的閃爍不良。
在本發明之第2顯示裝置方面，第1電極係具有由金屬構成之第1層及第2層的疊層構造，且在第2層中從絕緣膜露出之表面露出部的厚度方向之至少一部分係氧化物導電體膜。另一方面，在第2層中以絕緣膜所覆蓋之表面包覆部，係含有氧化物顯示導電性之金屬的金屬膜。因而，即使在第1層之表層已形成氧化膜之情形，第1層至氧化物導電體膜亦可經由金屬膜而以低接觸電阻連接，在第1層與第2層之間可獲得良好之通電特性。
根據本發明之顯示裝置之製造方法、或本發明之第1顯示裝置，由於設為將第1電極藉由如下方式形成，即，在基板形成依序由金屬構成之第1層，及由氧化物顯示導電性的金屬構成之第2層的疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在第2層之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜，故可減少起因於將第2層成膜之際的濺鍍標靶之微粒子。因而，可抑制因層間短路缺陷而產生的閃爍不良。
根據本發明之第2顯示裝置，由於令第1電極為由金屬構成之第1層及第2層的疊層構造，且在第2層中從絕緣膜露出之表面露出部的厚度方向之至少一部分係氧化物導電體膜，另一方面，令在第2層中以絕緣膜所覆蓋之表面包覆部為由氧化物顯示導電性之金屬構成的金屬膜，因此，即使在第1層之表層已形成氧化膜之情形，亦可使第1層至氧化物導電體膜經由金屬膜而以低接觸電阻加以連接，而可在第1層與第2層之間獲得良好之通電特性。
以下，參考圖式，針對本發明之實施型態作詳細說明。
圖1係顯示與本發明之一實施型態有關之顯示裝置的構成。此顯示裝置係使用於極薄型之有機發光彩色顯示器裝置等，譬如，在含有玻璃、矽(Si)晶圓或樹脂等之基板11上，形成後述複數個有機發光元件10R、10G、10B呈矩陣狀配置而成之顯示區域110，且在此顯示區域110之周邊形成有影像顯示用之驅動器(信號線驅動電路120)及掃描線驅動電路130。
在顯示區域110內係形成有像素驅動電路140。圖2係顯示像素驅動電路140之一例。此像素驅動電路140係主動型之驅動電路，其係在後述第1電極13之下層形成，具有：驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2、其間之電容器(保持電容)Cs、以及在第1電源線(Vcc)及第2電源線(GND)之間串聯連接於驅動電晶體Tr1之有機發光元件10R(或10G、10B)。驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2係藉由一般之薄膜電晶體(TFT(Thin Film Transistor))所構成，此構成譬如可為反交錯構造(所謂底閘極型)，如為交錯構造(上閘極型)亦可，並不特別限定。
在像素驅動電路140中，在行方向係將信號線120A作複數配置，在列方向係將掃描線130A作複數配置。各信號線120A與各掃描線130A之交叉點係對應於有機發光元件10R、10G、10B中任一個(副圖元)。各信號線120A係連接於信號線驅動電路120，從此信號線驅動電路120經由信號線120A而將像素信號供應至寫入電晶體Tr2之源極電極。各掃描線130A係連接於掃描線驅動電路130，從此掃描線驅動電路130經由掃描線130A而將掃描信號依照順序供應至寫入電晶體Tr2之閘極電極。
圖3係顯示顯示區域110之剖面構成。在顯示區域110，發生紅色之光的有機發光元件10R、發生綠色之光的有機發光元件10G、及發生藍色之光的有機發光元件10B係作為全體依序形成為矩陣狀。再者，有機發光元件10R、10G、10B具有長方形之平面形狀，鄰接之有機發光元件10R、10G、10B之組合係構成一個像素(圖元)。
有機發光元件10R、10G、10B係分別具有如下構成：從基板11側，上述像素驅動電路140之驅動電晶體Tr1、平坦化層12、作為陽極之第1電極13、絕緣膜14、包含後述發光層之有機層15、及作為陰極之第2電極16依照此順序作疊層。
如此之有機發光元件10R、10G、10B係依照需要，藉由氮化矽(SiN)或氧化矽(SiO)等保護膜17而被包覆，進而在此保護膜17上，係以熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等之黏著層20為間隔，藉由含有玻璃等之密封用基板31遍及全面作貼合而予以密封。在密封用基板31，如依照需要，而設有彩色濾光片32及作為黑矩陣之光遮蔽膜(未圖示)亦可。
驅動電晶體Tr1係經由設於平坦化層12之連接孔12A，而與第1電極13呈電性連接。
平坦化層12係用於將形成有像素驅動電路140之基板11的表面作平坦化，為了形成微細之連接孔12A，係以藉由圖案精度良好之材料所構成為佳。就平坦化層12之構成材料而言，譬如可舉出聚醯亞胺等有機材料、或氧化矽(SiO2 )等無機材料。
第1電極13係對應於有機發光元件10R、10G、10B之各個而形成，譬如具有依序包含含有金屬之第1層13A、及第2層13B的疊層構造。第1電極13如在第1層13A與平坦化層12之間具有第3層13C亦可。
第1層13A具有作為反射電極之功能，係以設為儘量具有高反射率則在提高發光效率上較為理想，而反射電極係使以發光層所發生之光反射。基於此因，第1層13A係譬如厚度為100nm以上1000nm以下，具體而言，200nm程度，高反射率導電體，具體而言，係藉由鋁(Al)或包含鋁(Al)之合金、或是銀(Ag)或包含銀(Ag)之合金所構成。就鋁合金而言，作為擔心會在蝕刻‧洗淨‧抗蝕劑剝離步驟等發生之腐蝕對策，係以銦合金與接近標準電極電位者為佳，譬如可舉出鋁-鎳合金、鋁-白金合金等。
第2層13B具有提高往有機層15之正孔佈植效率的工作函數調整層之功能，係以藉由比第1層13A工作函數高的材料所構成為佳。又，如圖4所示般，在第1電極13之上係設有絕緣膜14，藉由此絕緣膜14而覆蓋第2層13B之平面形狀中的一部分。在第2層13B中從絕緣膜14露出之表面露出部13D係氧化物導電體膜13B1。另一方面，在第2層13B中以絕緣膜14所覆蓋之表面包覆部13E，係含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)或鎘(Cd)等氧化物顯示導電性之金屬的金屬膜13B2。藉由此方式，在此顯示裝置方面，於後述製造步驟上，係減少起因於濺鍍標靶的微粒子，而可在第1層13A與第2層13B之間獲得良好的通電特性。
具體而言，氧化物導電體膜13B1係以藉由氧化物導電體所構成為佳，而該氧化物導電體係包含含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)及鎘(Cd)之群中的至少1種之元素。譬如，可舉出含有包含銦(In)與錫(Sn)與氧(O)之化合物(ITO；Indium Tin Oxide：銦錫氧化物)、包含銦(In)與鋅(Zn)與氧(O)之化合物(IZO；Indium Zinc Oxide：銦鋅氧化物)、氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)的群中之至少1種。
第2層13B之厚度係譬如以0.5nm(5)以上3nm(30)以下為佳。由於如比0.5nm薄則無法獲得電洞佈植效率之提昇效果，又，如比3nm厚，則在後述製造步驟上變得難以藉由表面氧化處理而形成具有充分透明性之氧化物導電體膜13B1之故。
第3層13C係以如下目的而插入，譬如，厚度為5nm以上200nm以下，理想狀態為10nm以上50nm以下，藉由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)或鎘(Cd)而構成，該目的係防止第1層13A從平坦化層12剝離，減少與源極‧汲極電極層201之接觸電阻，或是使在將第1電極13圖案化之際的形狀控制變得容易等。又，如第3層13C係以氧化物導電體所構成亦可，而其包含含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)及鎘(Cd)之群中的至少1種之元素。具體而言，可舉出含有ITO、IZO、氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)的群中之至少1種。再者，第3層13C並無必要與第2層13B為相同材料、或為其氧化物。又，第3層13C並無必要非設置不可。
如後述般，如此之第1電極13係在於基板11將形成依序包含第3層13C、第1層13A、及第2層13B之疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而將第2層13B之表面露出部13D改質為氧化物導電體膜13B1。
絕緣膜14係用於確保第1電極13與第2電極16之絕緣性且使發光區域正確成為所期望之形狀，以藉由不具有導電性且具有耐氧化性之材料所構成為佳。由於在後述製造步驟上可抑制藉由表面氧化處理之絕緣膜14的灰化之故。具體而言，譬如可舉出感光性之丙烯酸、聚醯亞胺、聚苯噁唑等有機材料、矽氧化物、矽氮化物、矽氧氮化物等無機絕緣材料、或該等之複合膜。絕緣膜14係設於第1電極13之上，且對應於第1電極13之發光區域而具有開口部14A，此開口部14A內之區域係成為第2層13B之表面露出部13D(亦即，氧化物導電體膜13B1)。再者，有機層15及第2電極16如非僅發光區域而亦連續設於絕緣膜14之上亦可，但產生發光者係僅絕緣膜14之開口部14A。
有機層15係譬如具有從第1電極13之側起依序將正孔佈植層、正孔輸送層、發光層及電子輸送層(均未圖示)疊層的構成，但在此等中發光層以外之層係依照需要而設即可。又，有機層15如根據有機發光元件10R、10G、10B之發光色而分別構成呈不同亦可。正孔佈植層係用於提高電洞佈植效率、且用於防止外洩之緩衝層。正孔輸送層係用於提高往發光層之電洞輸送效率。發光層係藉由施加電場，引起電子與電洞的再結合而發生光。電子輸送層係用於提高往發光層之電子輸送效率。再者，如在電子輸送層與第2電極16之間設有含有LiF、Li2 O等之電子佈植層(未圖示)亦可。
就有機發光元件10R之正孔佈植層的構成材料而言，譬如，可舉出4,4',4"-三(3-甲苯基苯氨基)三苯胺(m-MTDATA)或4,4',4"-三(2-萘苯氨基)三苯胺(2-TNATA)。就有機發光元件10R之正孔輸送層的構成材料而言，譬如，可舉出二[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺(α-NPD)。就有機發光元件10R之發光層的構成材料而言，譬如，可舉出將2,6-二[4-[N-(4-甲氧苯基)-N-苯基]苯乙烯]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)作40體積%混合於8-喹啉鋁錯合物(Alq3 )者。就有機發光元件10R之電子輸送層的構成材料而言，譬如，可舉出Alq3 。
就有機發光元件10G之正孔佈植層的構成材料而言，譬如，可舉出m-MTDATA或2-TNATA。就有機發光元件10G之正孔輸送層的構成材料而言，譬如，可舉出α-NPD。就有機發光元件10G之發光層的構成材料而言，譬如，可舉出將香豆素6(Coumarin6)作3體積%混合於Alq3 者。就有機發光元件10G之電子輸送層的構成材料而言，譬如，可舉出Alq3 。
就有機發光元件10B之正孔佈植層的構成材料而言，譬如，可舉出m-MTDATA或2-TNATA。就有機發光元件10B之正孔輸送層的構成材料而言，譬如，可舉出α-NPD。就有機發光元件10B之發光層的構成材料而言，譬如，可舉出將螺旋芳香族系6Φ(spiro6Φ)。就有機發光元件10B之電子輸送層的構成材料而言，係譬如厚度為5nm以上300nm以下，可舉出Alq3 。
第2電極16係作為有機發光元件10R、10G、10B之共通電極而形成，係譬如厚度為5nm以上50nm以下，藉由鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)等金屬元素之單體或合金所構成。其中，係以鎂與銀之合金(MgAg合金)或鋁(Al)與鋰(Li)之合金(AlLi合金)為佳。又，第2電極16如藉由含有ITO、IZO、氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)的群中之至少1種所構成亦可。
此顯示裝置係譬如可以如下方式製造。
圖5至圖8係將此顯示裝置之製造方法以步驟順序顯示。首先，如圖5(A)所示般，在含有上述材料之基板11之上，形成包含驅動電晶體Tr1之像素驅動電路140。接著，如相同之圖5(A)所示般，譬如，將感光性樹脂塗佈於基板11之全面，藉由作曝光及顯像，而形成、燒結平坦化層12及連接孔12A。
接著，如相同之圖5(A)所示般，譬如藉由濺鍍法而形成含有上述厚度及材料之第3層13C。
其後，如圖5(B)所示般，譬如藉由濺鍍法而形成含有上述厚度及材料之第1層13A。
在形成第1層13A後，係如圖5(C)所示般，譬如藉由濺鍍法而將第2層13B以上述厚度形成，而第2層13B係含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)或鎘(Cd)等氧化物顯示導電性的金屬。此時，由於作為濺鍍標靶可使用含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)或鎘(Cd)等金屬標靶，因此藉由無分割之必要的大型一體型標靶，微粒子少之成膜係成為可能，可抑制成為非發光缺陷之原因的層間短路缺陷的發生。
再者，在形成第3層13C或第2層13B之際，亦可使用如下反應性濺鍍之手法：使用含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)或鎘(Cd)等之金屬標靶，在加入氬(Ar)等惰性濺鍍氣體，使用氧作氧化的同時予以濺鍍。此一情形，第3層13C或第2層13B係成為含有氧化物導電體者，而其包含含有銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)及鎘(Cd)之群中的至少1種之元素。具體而言，譬如可舉出含有ITO、IZO、氧化銦(In2 O3 )、氧化錫(SnO2 )、氧化鋅(ZnO)、氧化鎘(CdO)的群中之至少1種。在反應性濺鍍方面，雖擔心若干微粒子的增加，但藉由使用金屬標靶，相較於使用分割之氧化物導電體標靶之情形，可抑制微粒子的影響。
在形成第2層13B後，係如圖6(A)所示般，在第2層13B之上形成含有光抗蝕劑之遮罩41，譬如使用微影技術作曝光及顯像，而圖案化為特定之形狀。然後，如圖6(B)所示般，在使用遮罩41將第2層13B、第1層13A及第3層13C作蝕刻後，如圖(7)A所示般，將遮罩41除去。
其後，遍及基板11之全面塗佈感光性樹脂，進行曝光及顯像處理，並作燒結。藉由此方式，如圖7(B)所示般，在第3層13C、第1層13A及第2層13B之疊層構造上形成具有開口部14A的絕緣膜14。開口部14A內之區域係成為第2層13B從絕緣膜14露出之表面露出部13D。
在形成絕緣膜14後，藉由對表面露出部13D進行表面氧化處理，如圖8所示般，而在表面露出部13D形成含有上述材料之氧化物導電體膜13B1。另一方面，在第2層13B中以絕緣膜14所覆蓋之表面包覆部13E，係成為不進行表面氧化處理的區域，殘留著含有上述材料之金屬膜13B2。就表面氧化處理而言，譬如可使用高濃度臭氧水、氧(或N2O)電漿處理、在氧氣體環境下之高溫退火、或其混合製程。此步驟如兼作先前之燒結步驟亦可，在第2層13B形成後之任何步驟進行亦可。
此時，實際上，僅將第2層13B氧化之氧化控制係困難之事，如氧化較弱，則第2層13B之表面露出部13D係僅厚度方向之一部分成為氧化物導電體膜13B1，在厚度方向之殘部殘留著未氧化之金屬膜，而有使第1電極13之反射率下降的可能性。然而，即便殘留著厚度1nm程度之金屬膜的情形，光亦可穿透其，故可考慮為幾乎不會有對光利用效率的影響。因而，氧化物導電體膜13B1係形成於第2層13B中厚度方向之至少一部分即可。
另一方面，如在強氧化條件下，係如圖9所示般，在第1層13A之表層(亦即，與第2層13B之界面)，有形成含有良好絕緣體之氧化膜13A1的情形。然而，在第2層13B中以絕緣膜14所覆蓋之表面包覆部13E，由於殘留著金屬膜13B2，因此從第1層13A至第2層13B之氧化物導電體膜13B1為止，係經由金屬膜13B2以低接觸電阻連接，而成為可實現良好之通電特性。
其後，譬如藉由蒸鍍法，而將含有上述材料之有機層15及第2電極16成膜。藉由以上而形成有機發光元件10R、10G、10B。然後，將有機發光元件10R、10G、10B以含有上述材料之保護膜17覆蓋，在此保護膜17之上形成黏著層20。然後，設置彩色濾光片32，準備含有上述材料之密封用基板31，將形成有機發光元件10R、10G、10B之基板11與密封用基板31，以黏著層20為間隔予以貼合。藉由以上而完成圖1至圖4所示顯示裝置。
在此顯示裝置方面，對各像素從掃描線驅動電路130經由寫入電晶體Tr2之閘極電極供應掃描信號，且從信號線驅動電路120經由寫入電晶體Tr2而將圖像信號保持於保持電容Cs。亦即，依據保持於此保持電容Cs之信號而將驅動電晶體Tr1作導通切斷控制，藉由此方式，藉由將驅動電流Id佈植於各有機發光元件10R、10G、10B，使正孔與電子作再結合而引起發光。此光係穿透第2電極16、彩色濾光片32及密封用基板31而被取出。此處，由於第1電極13係藉由如下方式形成，因此起因於在將第2層13B成膜之際的濺鍍標靶之微粒子係減少。因而，抑制了藉由層間短路缺陷的閃爍不良，提昇顯示品質，而該方式係：在於基板11形成依序包含第1層13A及第2層13B的疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在第2層13B之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜13B1，而第1層13A係含有金屬，第2層13B係含有氧化物顯示導電性的金屬。
又，由於從第2層13B之絕緣膜14露出之表面露出部13D係氧化物導電體膜13B1，以第2層13B之絕緣膜14所覆蓋之表面包覆部13E，係含有氧化物顯示導電性之金屬的金屬膜13B2，因此即使在第1層13A之表層已形成氧化膜13A1的情形，從第1層13A至氧化物導電體膜13B1為止係藉由經由金屬膜13B2之路徑P，而以低接觸電阻連接，成為在第1層13A與第2層13B之間可獲得良好之通電特性。
如此般，在本實施型態方面，由於在形成第1電極13之步驟上設為如下方式，因此可減少起因於在將第2層13B成膜之際的濺鍍標靶之微粒子。因而，抑制了藉由層間短路缺陷的閃爍不良，而該方式係：在於基板11形成依序包含第1層13A及第2層13B的疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在第2層13B之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜13B1，而第1層13A係含有金屬，第2層13B係含有氧化物顯示導電性的金屬。
又，由於將第2層13B中從絕緣膜14露出之表面露出部13D之厚度方向的至少一部分設為氧化物導電體膜13B1，另一方面，將第2層13B中以絕緣膜14所覆蓋之表面包覆部13E設為含有氧化物顯示導電性之金屬的金屬膜13B2，因此即使在第1層13A之表層已形成氧化膜13A1的情形，亦可使從第1層13A至氧化物導電體膜13B1為止，藉由經由金屬膜13B2之路徑P，以低接觸電阻連接，而成為在第1層13A與第2層13B之間可獲得良好之通電特性。
再者，在上述實施型態方面，係針對將本發明應用於有機EL顯示裝置之情形作說明，但本發明亦可應用於譬如如圖10所示般之反射型液晶顯示裝置。此反射型液晶顯示裝置係譬如在含有玻璃之基板61形成TFT62、平坦化層63、作為像素電極之上述第1電極13、及配向膜64，且在含有玻璃之基板71形成共通電極72及配向膜73，在兩者之間設有液晶層80。在液晶顯示裝置的情形，第2層13B係亦具有作為保護層的功能，而其係譬如抑制液晶藉由包含於第1層13A之鋁等而被污染。
再者，在液晶顯示裝置的情形，係對第2層13之平面形狀中之全部進行表面氧化處理，而可形成氧化物導電體膜13B1。亦即，無需如上述實施型態般，在第2層13B之平面形狀中的一部分形成表面露出部13D，僅對此表面露出部13D進行表面氧化處理。
又，在液晶顯示裝置的情形，如在第1層13A之表面形成有氧化膜13A1亦可。液晶顯示裝置的情形，由於像素電極(第1電極13)係以液晶層80的電場控制之目的被使用，無需來自像素電極之表面的電洞佈植效果之故。
(模組及應用例)
以下，係針對以上述實施型態所說明之顯示裝置的應用例作說明。上述實施型態之顯示裝置係可應用於：將從電視裝置、數位照相機、筆記型個人電腦、行動電話等行動終端裝置或攝影機等外部輸入之影像信號或在內部所生成之影像信號，作為圖像或影像予以顯示之所有範疇的電子機器之顯示裝置。
(模組)
上述實施型態之顯示裝置係譬如作為圖11所示般之模組，而組入於後述應用例1~5等各種電子機器。此模組係譬如在基板11之一邊，設有從密封用基板31及黏著層20露出之區域210，將信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130之布線延長於此露出之區域210，而形成外部連接端子(未圖示)。在外部連接端子如設有用於信號之輸出入的可撓性布線基板(FPC；Flexible Printed Circuit)220亦可。
(應用例1)
圖12係顯示應用上述實施型態之顯示裝置的電視裝置之外觀。此電視裝置係譬如具有包含前面板310及濾光片玻璃320之影像顯示畫面部300，此影像顯示畫面部300係藉由與上述各實施型態有關之顯示裝置所構成。
(應用例2)
圖13係顯示應用上述實施型態之顯示裝置的數位照相機之外觀。此數位照相機係譬如具有閃光燈用之發光部410、顯示部420、選單開關430、及快門鍵440，其顯示部420係藉由與上述各實施型態有關之顯示裝置所構成。
(應用例3)
圖14係顯示應用上述實施型態之顯示裝置的筆記型個人電腦之外觀。此筆記型個人電腦係譬如具有主體510、用於文字等之輸入操作的鍵盤520、及顯示圖像之顯示部530，其顯示部530係藉由與上述各實施型態有關之顯示裝置所構成。
(應用例4)
圖15係顯示應用上述實施型態之顯示裝置的攝影機之外觀。此攝影機係譬如具有主體部610、設於此主體部610之前方側面的被攝體攝影用之鏡頭620、攝影時之開始/停止開關630、及顯示部640，其顯示部640係藉由與上述各實施型態有關之顯示裝置所構成。
(應用例5)
圖16係顯示應用上述實施型態之顯示裝置的行動電話機之外觀。此行動電話機係譬如將上側框體710與下側框體720以連結部(鉸鏈部)730連結，具有顯示器740、副顯示器750、讀圖燈760、及照相機770。其顯示器740或副顯示器750係藉由與上述各實施型態有關之顯示裝置所構成。
以上，係舉出實施型態將本發明作說明，但本發明並不限定於上述實施型態，而可有各種變形。譬如，在上述實施型態中所說明之各層之材料及厚度，或成膜方法及成膜條件等並不受限定，如設為其他材料及厚度亦可，或設為其他成膜方法及成膜條件亦可。譬如，在上述實施型態方面，係設為將第2層13B之平面形狀中之一部分以絕緣膜14覆蓋進行表面氧化處理，但如設為使用遮罩取代絕緣膜14而覆蓋第2層13B之平面形狀中之一部分亦可。
又，在上述實施型態方面，雖具體舉出有機發光元件10R、10B、10G之構成作說明，但卻無需具備全部之層，又，如進而具備其他層亦可。譬如，在上述實施型態方面，係針對第1電極13係以平坦化層12為間隔而形成於像素驅動電路140之上層的情形作說明，但第1電極13如形成於與像素驅動電路140同層亦可。又，如設為TFT之源極‧汲極電極與第1電極13為共用亦可。
進而，在上述實施型態方面，係針對主動矩陣型之顯示裝置的情形作說明，但本發明亦可應用於被動矩陣型之顯示裝置。除此之外，在上述實施型態方面，係作為上面發光方式的電極形成方法作說明，但本發明亦可應用於下面發光方式的電極形成，而上面發光方式係將以發光層所發生之光從第2電極16側取出，下面發光方式將以發光層所發生之光從第1電極13側取出。進而，又，用於主動矩陣驅動之像素驅動電路的構成，並不限於以上述實施型態所說明者，如依照需要而追加電容元件或電晶體亦可。該情形，依據像素驅動電路之變更，除上述信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130之外，而追加必要之驅動電路亦可。
進而，本發明並不限於以上述實施型態所說明之有機EL顯示裝置或液晶顯示裝置，而亦可應用於無機EL顯示裝置等其他顯示裝置。
10R、10G、10B．．．有機發光元件
11．．．基板
12．．．平坦化層
13．．．第1電極
14．．．絕緣膜
15．．．有機層
16．．．第2電極
17．．．輔助布線
18．．．保護膜
20．．．黏著層
31．．．密封用基板
32．．．彩色濾光片
110．．．顯示區域
140．．．像素驅動電路
Cs．．．電容器
Tr1．．．驅動電晶體
Tr2．．．寫入電晶體
圖1係顯示與本發明之一實施型態有關之顯示裝置的構成之圖；
圖2係顯示圖1所示像素驅動電路之一例的等價電路圖；
圖3係顯示圖1所示顯示區域之構成的剖面圖；
圖4係顯示圖3所示第1電極之構成的剖面圖；
圖5(A)-(C)係將圖1至圖4所示顯示裝置之製造方法以步驟順序顯示的剖面圖；
圖6(A)、(B)係顯示接續圖5之步驟的剖面圖；
圖7(A)、(B)係顯示接續圖6之步驟的剖面圖；
圖8係顯示接續圖7之步驟的剖面圖；
圖9係用於說明圖3所示第1電極的作用之圖；
圖10係顯示本發明之變形例之圖；
圖11係顯示包含上述實施型態之顯示裝置的模組之概略構成的平面圖；
圖12係顯示上述實施型態之顯示裝置的應用例1之外觀的立體圖；
圖13(A)係顯示應用例2之從表面側所見之外觀的立體圖，(B)係顯示從背面側所見之外觀的立體圖；
圖14係顯示應用例3之外觀的立體圖；
圖15係顯示應用例4之外觀的立體圖；及
圖16(A)係應用例5的打開狀態之正面圖，(B)係其側面圖，(C)係關閉狀態之正面圖，(D)係左側面圖，(E)係右側面圖，(F)係上面圖，(G)係下面圖。
10B、10G、10R．．．有機發光元件
12．．．平坦化層
13．．．第1電極
13A．．．第1層
13B．．．第2層
13B1．．．氧化物導電體膜
13B2．．．金屬膜
13C．．．第3層
13D．．．表面露出部
13E．．．表面包覆部
14．．．絕緣膜
15．．．有機層
16．．．第2電極

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置之製造方法，該顯示裝置係在第1電極與第2電極之間具有顯示層；該顯示裝置之製造方法中形成前述第1電極之步驟包含如下步驟：在基板形成依序包含第1層及第2層的疊層構造，而前述第1層係含有金屬，前述第2層係含有氧化物顯示導電性的金屬；在形成前述疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在前述第2層之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜。
  2. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其中在前述第2層之平面形狀中之一部分，形成不進行前述表面氧化處理的區域。
  3. 如請求項2之顯示裝置之製造方法，其中在形成前述疊層構造後，在前述疊層構造之上形成覆蓋前述第2層之平面形狀中之一部分的絕緣膜，並對在前述第2層中從前述絕緣膜露出之表面露出部進行前述表面氧化處理，而對於在前述第2層中以前述絕緣膜覆蓋之表面包覆部則不進行前述表面氧化處理。
  4. 如請求項3之顯示裝置之製造方法，其中藉由不具有導電性且具有耐氧化性之材料來構成前述絕緣膜。
  5. 如請求項1之顯示裝置之製造方法，其中係使用由銦(In)、錫(Sn)、鋅(Zn)及鎘(Cd)所組成之群中的至少1種 來作為前述氧化物顯示導電性的金屬。
  6. 如請求項1至5中任1項之顯示裝置之製造方法，其中藉由高反射率導電體來構成前述第1層。
  7. 如請求項6之顯示裝置之製造方法，其中藉由鋁或包含鋁之合金、或銀或包含銀之合金來構成前述第1層。
  8. 一種顯示裝置，其係在第1電極與第2電極之間具有顯示層；前述第1電極係藉由如下方式形成：在基板形成依序包含第1層及第2層的疊層構造後，藉由進行表面氧化處理而在前述第2層之厚度方向的至少一部分形成氧化物導電體膜，而前述第1層係含有金屬，前述第2層係含有氧化物顯示導電性的金屬。
  9. 一種顯示裝置，其係在第1電極與第2電極之間具有顯示層；前述第1電極係具有含有金屬之第1層、及第2層的疊層構造，在前述第1電極之上係設有覆蓋前述第2層之平面形狀中之一部分的絕緣膜，在前述第2層中從前述絕緣膜露出之表面露出部的厚度方向之至少一部分係氧化物導電體膜，在前述第2層中以前述絕緣膜所覆蓋之表面包覆部，係含有氧化物顯示導電性之金屬的金屬膜。
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