JP2012174356A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】第１電極の側面と第２電極との短絡を抑えると共に、材料および工程数を削減することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１電極材料膜の上に感光性材料膜を形成し、この感光性材料膜に対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域に未焼成マスクを形成する。未焼成マスクを用いて第１電極材料膜をエッチングすることにより第１電極を形成したのち、未焼成マスクに対して２回目の露光，２回目の現像および焼成を行うことにより、第１電極１３の上面の周縁部に第２絶縁膜１４を形成する。第２絶縁膜１４は、第１電極１３の側面１３Ａよりも張り出した庇部１４Ｃを有している。
【選択図】図３

Description

本開示は、有機ＥＬ（Electroluminescence）などの表示装置およびその製造方法に関する。

有機ＥＬ素子は、基板に第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に積層した構成を有している。アクティブマトリクス方式の場合には、第１電極は各々の素子ごとに設けられ、第２電極は共通電極として設けられる。このような有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置の製造工程では、駆動回路が設けられた基板に平坦化絶縁膜を形成し、この平坦化絶縁膜の上に第１電極を形成する。その際の工程は、例えば、以下のようなものである。すなわち、平坦化絶縁膜の上に第１電極の材料となる金属膜を成膜し、この金属膜の上面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりレジスト膜をパターニングする。そののち、レジスト膜をマスクとして金属膜をエッチングすることにより第１電極を形成し、レジスト膜を剥離する（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００５−０１１７９３号公報（段落００５７ないし００５９）

このような従来の製造工程では、第１電極を形成したのちには、隣接する第１電極どうしの間の領域に電極間絶縁膜を形成し、第１電極の側面を電極間絶縁膜で覆うことにより、第１電極の側面と第２電極との短絡を抑えるようにしていた。平坦化絶縁膜と電極間絶縁膜とは同じ絶縁材料を用いて形成する場合が多かったが、第１電極のエッチングのためのレジストは別材料を用いていた。そのため、絶縁材料とレジストとの２種類を常備する必要があり、材料および工程数が多くなってしまっていた。

本開示の目的は、第１電極の側面と第２電極との短絡を抑えると共に、材料および工程数を削減することが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。

本開示による表示装置は、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）基板の駆動回路が設けられた面を被覆する第１絶縁膜
（Ｂ）第１絶縁膜の上に設けられた第１電極
（Ｃ）第１電極の上面の周縁部に設けられ、第１電極の側面から張り出した庇部を有する第２絶縁膜
（Ｄ）第１電極および第２絶縁膜の表面に設けられ、発光層を含む有機層
（Ｅ）有機層の上に設けられた第２電極

本開示の表示装置では、第１電極の上面の周縁部に第２絶縁膜が設けられ、第２絶縁膜は、第１電極の側面から張り出した庇部を有している。よって、従来のように隣接する第１電極どうしの間の領域に電極間絶縁膜が設けられていなくても、第１電極の側面と第２電極との短絡が抑えられる。

本開示による表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｈ）の工程を含むものである。
（Ａ）基板の駆動回路が設けられた面に第１絶縁膜を形成する工程
（Ｂ）第１絶縁膜の上に第１電極材料膜を形成する工程
（Ｃ）第１電極材料膜の上に感光性材料膜を形成する工程
（Ｄ）感光性材料膜に対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域に未焼成マスクを形成する工程
（Ｅ）未焼成マスクを用いて第１電極材料膜をエッチングすることにより第１電極を形成する工程
（Ｆ）未焼成マスクに対して２回目の露光，２回目の現像および焼成を行うことにより、第１電極の上面の周縁部に第２絶縁膜を形成する工程
（Ｇ）第１電極および第２絶縁膜の表面に、発光層を含む有機層を形成する工程
（Ｈ）有機層の上に第２電極を形成する工程

本開示の表示装置によれば、第１電極の上面の周縁部に第２絶縁膜を設け、第２絶縁膜に、第１電極の側面から張り出した庇部を設けるようにしている。よって、従来のように隣接する第１電極どうしの間の領域に電極間絶縁膜を設けることは不要となり、第１電極の側面と第２電極との接触による短絡を抑えることが可能となると共に、材料および工程数を削減することが可能となる。

本開示の表示装置の製造方法によれば、第１電極材料膜の上に感光性材料膜を形成し、この感光性材料膜に対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域に未焼成マスクを形成する。続いて、この未焼成マスクを用いて第１電極材料膜をエッチングすることにより第１電極を形成したのち、未焼成マスクに対して２回目の露光，２回目の現像および焼成を行うことにより、第１電極の上面の周縁部に第２絶縁膜を形成するようにしている。よって、第１電極のエッチングのための未焼成マスクを用いて第２絶縁膜を形成することが可能となると共に、未焼成マスクを剥離する工程も不要となる。従って、材料および工程数の削減が可能となる。

本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図４に続く工程を表す断面図である。 図５に続く工程を表す断面図である。 図６に続く工程を表す断面図である。 図７に続く工程を表す断面図である。 図８に続く工程を表す断面図である。 図９に続く工程を表す断面図である。 図１０に続く工程を表す断面図である。 図１１に続く工程を表す断面図である。 図１２に示した工程における基板の進行方向を説明するための図である。 図１３に示した基板の上面図および断面図である。 図１２に続く工程を表す断面図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。 適用例３の外観を表す斜視図である。 適用例４の外観を表す斜視図である。 （Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。

以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図３は、図１に示した表示領域１１０の一部の断面構成を表したものである。基板１１上には、上述した駆動トランジスタＴｒ１を有する駆動回路１４０が設けられている。基板１１の駆動回路１４０が設けられた面は、第１絶縁膜１２によって被覆されている。第１絶縁膜１２の上には、表示素子としての有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられている。

駆動トランジスタＴｒ１は、例えば、基板１１にゲート電極１１Ａ，ゲート絶縁膜１１Ｂ，半導体膜１１Ｃ，チャネル保護膜１１Ｄ，層間絶縁膜１１Ｅ，配線１１Ｆがこの順に積層されたボトムゲート型（逆スタガ型）の構成を有している。なお、図２に示した書き込みトランジスタＴｒ２も、駆動トランジスタＴｒ１と同様の構成を有している。

第１絶縁膜１２は、画素駆動回路１４０が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、厚みが２．０μｍ程度であり、ポリイミドにより構成されている。第１絶縁膜１２の構成材料は、ポジ型感光性の絶縁材料であれば特に限定されず、ポリイミド系絶縁材料のほか、ノボラック系絶縁材料，アクリル材，ポリベンゾオキサゾールなどが挙げられる。また、第１絶縁膜１２は、永久レジストにより構成されていてもよい。第１絶縁膜１２の厚みは、駆動トランジスタＴｒ１等の凹凸を軽減可能であると共に、駆動トランジスタＴｒ１と有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの電気的接続をとるための接続孔１２Ａを所定の形状でパターニング可能な程度、具体的には１．０μｍないし５．０μｍ程度であることが望ましい。

有機ＥＬ素子１０Ｒ, １０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、基板１１の側から、第１電極１３、第２絶縁膜１４、発光層を含む有機層１５、および第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。

このような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護膜１７により被覆されている。更に、この保護膜１７上には、接着層１８を間にして、ガラスなどよりなる封止用基板２０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。

第１電極１３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ）合金により構成されており、発光層で発生した光を第２電極１６側から取り出すようになっている（トップエミッション）。第１電極１３の厚みは、発光層で発生した光が透過されず、後述する製造工程において第１電極１３の側面が有機層１５により容易に被覆される程度、例えば３０ｎｍないし２００ｎｍの範囲であることが好ましい。第１電極１３の構成材料は、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金のほか、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。また、第１電極１３は、上述した反射電極と、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物；Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（登録商標）（インジウム・亜鉛複合酸化物），またはＳｎＯ₂などの透明電極との複合膜により構成されていてもよい。

第２絶縁膜１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、第１電極１３の上面の周縁部に枠状に設けられ、中央には発光領域に対応して開口部１４Ａを有している。なお、有機層１５および第２電極１６は、第２絶縁膜１４の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第２絶縁膜１４の開口部１４Ａだけである。

第２絶縁膜１４は、例えば、厚みが２μｍ程度であり、ポリイミドにより構成されている。第２絶縁膜１４の構成材料は、第１絶縁膜１２と同様に、ポジ型感光性の絶縁材料であれば特に限定されず、ポリイミド系絶縁材料のほか、ノボラック系絶縁材料，アクリル材，ポリベンゾオキサゾールなどが挙げられる。また、第２絶縁膜１４は、永久レジストにより構成されていてもよい。

第２絶縁膜１４は、第１絶縁膜１２と同じ感光性材料により構成されていることが好ましい。第２絶縁膜１４と第１絶縁膜１２とを、同一の塗布設備を用いて形成することが可能となり、材料コストおよび設備コストを削減すると共に設備の維持管理の手間を省くことが可能となる。

第２絶縁膜１４は、外側面１４Ｂに、第１電極１３の側面１３Ａから張り出した庇部１４Ｃを有している。換言すれば、第１電極１３の側面１３Ａは、第２絶縁膜１４の外側面１４Ｂよりも内側に後退し、奥に引っ込んだ状態となっている。これにより、この表示装置では、従来のように隣接する第１電極１３どうしの間の領域に電極間絶縁膜を設けることは不要となり、第１電極１３の側面１３Ａと第２電極１６との短絡を抑えると共に、材料および工程数を削減することが可能となっている。

有機層１５は、第１電極１３および第２絶縁膜１４の表面に設けられている。第１電極１３の側面１３Ａは、有機層１５により被覆されていることが好ましい。第２電極１６が第１電極１３の側面１３Ａに接触して短絡を生じてしまうことが抑えられるからである。

有機層１５は、例えば、正孔注入層，正孔輸送層，赤色発光層，第１電子輸送層，緑色発光層，青色発光層および第２電子輸送層が第１電極１３の側からこの順に積層された白色発光用の有機層であることが好ましい。有機層１５が基板１１，第１電極１３および第２絶縁膜１４の表面の全面に設けられるので、第１電極１３の側面１３Ａを確実に有機層１５により被覆することが可能となるからである。

なお、有機層１５は、正孔注入層，正孔輸送層，発光層および電子輸送層を有しており、正孔注入層，正孔輸送層および電子輸送層が有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通層であり、発光層が有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各色別に設けられていてもよい。このようにした場合にも、共通層である正孔注入層，正孔輸送層および電子輸送層によって、第１電極１３の側面１３Ａを確実に被覆することが可能となる。

正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、赤色発光層，緑色発光層および青色発光層への正孔注入効率を高めるためのものである。赤色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から第１電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。第１電子輸送層は、赤色発光層への電子注入効率を高めるためのものである。緑色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から第２電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１６から第２電子輸送層を介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、第２絶縁膜１４の開口部１４Ａに対応した領域で発光するようになっている。第２電子輸送層は、赤色発光層，緑色発光層および青色発光層への電子注入効率を高めるためのものである。

正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。

正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。

赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。

第１電子輸送層は、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。

緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。

青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。

第２電子輸送層は、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ３により構成されている。

第２電極１６は、発光層で発生した光を第２電極１６側から取り出す場合には（トップエミッション）、例えば、厚みが１μｍ程度であり、ＩＴＯ，ＩＺＯ（登録商標），またはＳｎＯ₂などの透明電極により構成されている。また、第２電極１６は、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）などよりなる半透過性反射電極により構成されていてもよい。この場合には、発光層で発生した光を第１電極１３と第２電極１６との間で共振させて第２電極１６の側から取り出す共振器構造を構成することが可能である。このような共振器構造を設ければ、発光層で発生した光が多重干渉を起こし、第２電極１６の側から取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、ピーク強度を高めることが可能となる。すなわち、正面方向における光放射強度を高め、発光の色純度を向上させることが可能となる。また、封止用基板２０側から入射した外光についても多重干渉により減衰させることができ、後述するカラーフィルタ２１との組合せにより有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることができる。

保護膜１７は、例えば、厚みが３μｍ程度であり、窒化ケイ素（ＳｉＮx ），酸化ケイ素または金属酸化物などにより構成されている。

接着層１８は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。

封止用基板２０は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層１８と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止用基板２０は、例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。

封止用基板２０には、例えば、カラーフィルタ２１およびブラックマトリクスとしての遮光膜２２が設けられている。カラーフィルタ２１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した白色光を，赤，緑または青の色光として取り出すためのものであり、赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇおよび青色フィルタ２１Ｂを有している。赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇおよび青色フィルタ２１Ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ２１Ｒ，緑色フィルタ２１Ｇおよび青色フィルタ２１Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

遮光膜２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するためのものである。遮光膜２２は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２ Ｏ３ ）とを交互に積層したものが挙げられる。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図４ないし図１５は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図４に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１４０を形成する。次いで、基板１１の画素駆動回路１４０が設けられた面の全面に、例えばスピンコート法により、例えばポリイミドを塗布し、露光装置により露光し、パドル式現像装置により現像する。続いて、ポリイミドを硬化させるため本焼成をクリーンベーク炉で２５０度、３０分行う。これにより、同じく図４に示したように、駆動トランジスタＴｒ１に対応する位置に接続孔１２Ａを有する第１絶縁膜１２を形成する。

第１絶縁膜１２の構成材料としては、上述したように、ポジ型感光性の絶縁材料であれば特に限定されず、ポリイミド系絶縁材料のほか、ノボラック系絶縁材料，アクリル材，ポリベンゾオキサゾールなどを用いてもよい。

続いて、図５に示したように、第１絶縁膜１２の上に、例えばＤＣスパッタリング法により、例えばアルミニウム（Ａｌ）合金よりなる第１電極材料膜１３Ｂを、例えば１００ｎｍの厚みで形成する。第１電極材料膜１３Ｂは、第１絶縁膜１２の上面の全面および接続孔１２Ａ内に形成する。

そののち、図６に示したように、第１電極材料膜１３Ｂの上に、例えばポリイミドを３μｍの厚みで塗布することにより、感光性材料膜１４Ｄを形成する。

感光性材料膜１４Ｄの構成材料としては、第１絶縁膜１２と同様に、ポジ型感光性の絶縁材料であれば特に限定されず、ポリイミド系絶縁材料のほか、ノボラック系絶縁材料，アクリル材，ポリベンゾオキサゾールなどを用いてもよい。

感光性材料膜１４Ｄは、第１絶縁膜１２と同じ感光性材料により構成することが好ましい。感光性材料膜１４Ｄと第１絶縁膜１２とを、同一の塗布設備を用いて塗布することが可能となり、材料コストおよび設備コストを削減すると共に設備の維持管理の手間を省くことが可能となる。

感光性材料膜１４Ｄを形成したのち、図７に示したように、この感光性材料膜１４Ｄに対して、マスク３１を用いた１回目の露光を行う。続いて、図８に示したように、感光性材料膜１４Ｄに対して、１回目の現像を行う。これにより、第１電極形成予定領域１３Ｃに未焼成マスク１４Ｅを形成する。

ここで、通常のフォトリソグラフィ工程では、現像の後にポストベーク（１００度〜１５０度で３分程度）を行うが、未焼成マスク１４Ｅに対してはポストベークを行わない。その理由は、後続する製造工程で、未焼成マスク１４Ｅに対して２回目の露光および２回目の現像を行うからである。未焼成マスク１４Ｅに対してポストベークを行うと、感光性材料が若干でも硬化されてしまい、２回目の露光ができなくなってしまう。

未焼成マスク１４Ｅを形成したのち、図９に示したように、未焼成マスク１４Ｅを用いて第１電極材料膜１３Ｂをエッチングすることにより第１電極１３を形成する。このとき、第１電極材料膜１３をウェットエッチングすることにより、第１電極１３の側面１３Ａが若干オーバーエッチングされて、第１電極１３の側面１３Ａが、未焼成マスク１４Ｅの外側面１４Ｂよりも内側に後退し、奥に引っ込んだ状態となる。

第１電極１３を形成したのちは、未焼成マスク１４Ｅを剥離する必要はなく、この未焼成マスク１４Ｅを用いて第２絶縁膜１４を形成する。これにより、従来のように第１電極のエッチング用にレジストを用意する必要はなくなり、第１絶縁膜１２および第２絶縁膜１４の構成材料として、感光性材料１種類のみを用意すれば足り、同一の塗布設備を用いて塗布することが可能となる。従って、材料コストおよび設備コストを削減すると共に、設備の維持管理の手間も省くことが可能となる。また、未焼成マスク１４Ｅを剥離する工程が不要となるので、工程数も削減される。更に、第１電極のエッチング用のレジストを除去するための設備やレジスト剥離用の薬品なども不要となり、更にコストの削減が可能となる。加えて、レジスト剥離用の薬品に曝されることによって第１電極１３の表面が損傷を受けるおそれもなくなり、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの性能向上が可能となる。更にまた、レジスト剥離後に電極間絶縁膜を形成するために新たに感光性材料を塗布する工程も不要となり、製造時間が短縮される。

以下、未焼成マスク１４Ｅを用いて第２絶縁膜１４を形成する工程について説明する。まず、図１０に示したように、未焼成マスク１４Ｅに対して、露光装置により、マスク３２を用いた２回目の露光を行う。

続いて、図１１に示したように、未焼成マスク１４Ｅに対して、パドル式現像装置により２回目の現像を行ったのち、ポリイミドを硬化させるため焼成（本焼成）をクリーンベーク炉で２３０度・３０分行う。これにより、第２絶縁膜１４が形成される。第２絶縁膜１４は、例えば厚みが２．０μｍであり、第１電極１３の上面の周縁部に枠状に形成され、中央に発光領域に対応する開口部１４Ａが設けられる。

また、第２絶縁膜１４の外側面１４Ｂには、第１電極１３の側面１３Ａよりも張り出した庇部１４Ｃが形成される。つまり、第１電極１３の側面１３Ａは、第２絶縁膜１４の外側面１４Ｂよりも内側に後退し、奥に引っ込んだ状態となっている。この第１電極１３の側面１３Ａは、後続の工程において有機層１５によって被覆されるので、第１電極１３の側面１３Ａと第２電極１６とが接触し短絡を生じることが抑えられる。更に、第１電極１３の側面１３Ａが有機層１５によって十分に被覆されなかった場合であっても、第２電極１６が第２絶縁膜１４の庇部１４Ｃの下方に回り込み、第１電極１３の側面１３Ａと第２電極１６とが接触し短絡を生じるおそれは極めて小さい。

第２絶縁膜１４を形成したのち、図１２に示したように、第１電極１３および第２絶縁膜１４の表面に、例えば蒸着法により、発光層を含む有機層１５を形成する。その際、第１電極１３の側面１３Ａを、有機層１５により被覆することが好ましい。後続する工程において、第２電極１６が第１電極１３の側面１３Ａに接触して短絡を生じてしまうことが抑えられるからである。

更に、有機層１５を、基板１１，第１電極１３および第２絶縁膜１４の表面の全面に設けることが好ましい。第１電極１３の側面１３Ａを確実に有機層１５により被覆することが可能となるからである。

図１３および図１４は、有機層１５をライン蒸着方式で形成する場合を説明するためのものである。例えば図１３に示したように、搬送機構４１上の基板１１を、矢印Ａ１に示した進行方向（図１３において左から右へ）に蒸着機４２に進入させる。この場合、図１４に示したように、第１電極１３を一方向（図１４において上下方向）に長い矩形とし、基板１１を第１電極１３の長辺１３Ｄに対して垂直な方向に進行させることが好ましい。ライン蒸着の場合には、進行方向Ａ１に対して垂直な面に蒸着材料が付着しやすくなっている。第１電極１３の側面１３Ａの面積は、短辺１３Ｅよりも長辺１３Ｄのほうが広いので、基板１１を第１電極１３の長辺１３Ｄに対して垂直な方向に進行させることにより、第１電極１３の長辺１３Ｄの側面１３Ａを確実に有機層１５により被覆することが可能となる。

有機層１５を形成したのち、図１５に示したように、有機層１５の上に、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯまたはＩＺＯ（登録商標）よりなる第２電極１６を、例えば１μｍの厚みで形成する。以上により、図３に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

続いて、図１に示したように、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。

また、同じく図１に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板２０に、上述した材料よりなる遮光膜２２を形成する。続いて、封止用基板２０に赤色フィルタ２１Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ２１Ｒを形成する。続いて、赤色フィルタ２１Ｒと同様にして、青色フィルタ２１Ｂおよび緑色フィルタ２１Ｇを順次形成する。

そののち、同じく図１に示したように、保護膜１７の上に、接着層１８を形成し、この接着層１８を間にして封止用基板２０を貼り合わせる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，保護膜１７，接着層１８，カラーフィルタ２１および封止用基板２０を透過して（トップエミッション）取り出される。

ここでは、第１電極１３の上面の周縁部に第２絶縁膜１４が設けられ、第２絶縁膜１４は、第１電極１３の側面１３Ａから張り出した庇部１４Ｃを有している。よって、従来のように隣接する第１電極どうしの間の領域に電極間絶縁膜が設けられていなくても、第１電極１３の側面１３Ａと第２電極１６との短絡が抑えられる。

このように本実施の形態の表示装置では、第１電極１３の上面の周縁部に第２絶縁膜１４を設け、この第２絶縁膜１４に、第１電極１３の側面１３Ａから張り出した庇部１４Ｃを設けるようにしている。よって、従来のように隣接する第１電極どうしの間の領域に電極間絶縁膜を設けることは不要となり、第１電極１３の側面と第２電極１６との短絡を抑えると共に、材料および工程数を削減することが可能となる。

本実施の形態の表示装置の製造方法では、第１電極材料膜１３Ｂの上に感光性材料膜１４Ｄを形成し、この感光性材料膜１４Ｄに対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域１３Ｃに未焼成マスク１４Ｅを形成する。続いて、この未焼成マスク１４Ｅを用いて第１電極材料膜１３Ｂをエッチングすることにより第１電極１３を形成したのち、未焼成マスク１４Ｅに対して２回目の露光，２回目の現像および焼成を行うことにより、第１電極１３の上面の周縁部に第２絶縁膜１４を形成するようにしている。よって、第１電極１３のエッチングのための未焼成マスク１４Ｅを用いて第２絶縁膜１４を形成することが可能となると共に、未焼成マスク１４Ｅを剥離する工程も不要となる。従って、材料および工程数の削減が可能となる。

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１６に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図１８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、発光層で発生した光を第２電極１６側から取り出す場合（トップエミッション）を例として説明したが、発光層で発生した光を第１電極１３側から取り出すことも可能である（ボトムエミッション）。その場合には、第１電極１３は、ＩＴＯ，ＩＺＯ（登録商標），またはＳｎＯ₂などの透明電極により構成され、第２電極１６は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第２電極１６は、上述した反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。また、ボトムエミッションの場合には、カラーフィルタ２１および遮光膜２２は基板１１上、例えば画素駆動回路１４０と第１絶縁膜１２との間に設けることが可能である。

また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

加えて、本開示は、有機ＥＬディスプレイのほか、液晶表示素子，無機エレクトロルミネッセンス素子、またはエレクトロデポジション型もしくエレクトロクロミック型の表示素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。

なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
基板の駆動回路が設けられた面を被覆する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上に設けられた第１電極と、
前記第１電極の上面の周縁部に設けられ、前記第１電極の側面から張り出した庇部を有する第２絶縁膜と、
前記第１電極および前記第２絶縁膜の表面に設けられ、発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に設けられた第２電極と
を備えた表示装置。
（２）
前記第１絶縁膜は、感光性材料により構成され、
前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜と同じ感光性材料により構成されている
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記第１電極の側面は、前記有機層により被覆されている
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（４）
基板の駆動回路が設けられた面に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜の上に第１電極材料膜を形成する工程と、
前記第１電極材料膜の上に感光性材料膜を形成する工程と、
前記感光性材料膜に対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域に未焼成マスクを形成する工程と、
前記未焼成マスクを用いて前記第１電極材料膜をエッチングすることにより第１電極を形成する工程と、
前記未焼成マスクに対して２回目の露光，２回目の現像および焼成を行うことにより、前記第１電極の上面の周縁部に第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１電極および前記第２絶縁膜の表面に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
（５）
前記未焼成マスクを形成する工程において、前記第１電極の側面を、前記未焼成マスクの外側面よりも内側に後退させ、
前記第２絶縁膜を形成する工程において、前記第２絶縁膜に、前記第１電極の側面から張り出した庇部を設ける
前記（４）記載の表示装置の製造方法。
（６）
前記第１絶縁膜を、感光性材料により構成し、
前記感光性材料膜を、前記第１絶縁膜と同じ材料により構成する
前記（４）または（５）記載の表示装置の製造方法。
（７）
前記第１電極を一方向に長い矩形とし、
前記有機層を形成する工程において、前記基板を前記第１電極の長辺に対して垂直な方向に進行させる
前記（４）ないし（６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…第１絶縁膜、１３…第１電極、１４…第２絶縁膜、１５…有機層、１６…第２電極、１７…保護膜、１８…接着層、２０…封止用基板、２１…カラーフィルタ、２２…遮光膜、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。

Claims (7)

1. 基板の駆動回路が設けられた面を被覆する第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜の上に設けられた第１電極と、
   前記第１電極の上面の周縁部に設けられ、前記第１電極の側面から張り出した庇部を有する第２絶縁膜と、
   前記第１電極および前記第２絶縁膜の表面に設けられ、発光層を含む有機層と、
   前記有機層の上に設けられた第２電極と
   を備えた表示装置。
2. 前記第１絶縁膜は、感光性材料により構成され、
   前記第２絶縁膜は、前記第１絶縁膜と同じ感光性材料により構成されている
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記第１電極の側面は、前記有機層により被覆されている
   請求項１記載の表示装置。
4. 基板の駆動回路が設けられた面に第１絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１絶縁膜の上に第１電極材料膜を形成する工程と、
   前記第１電極材料膜の上に感光性材料膜を形成する工程と、
   前記感光性材料膜に対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域に未焼成マスクを形成する工程と、
   前記未焼成マスクを用いて前記第１電極材料膜をエッチングすることにより第１電極を形成する工程と、
   前記未焼成マスクに対して２回目の露光，２回目の現像および焼成を行うことにより、前記第１電極の上面の周縁部に第２絶縁膜を形成する工程と、
   前記第１電極および前記第２絶縁膜の表面に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
   前記有機層の上に第２電極を形成する工程と
   を含む表示装置の製造方法。
5. 前記未焼成マスクを形成する工程において、前記第１電極の側面を、前記未焼成マスクの外側面よりも内側に後退させ、
   前記第２絶縁膜を形成する工程において、前記第２絶縁膜に、前記第１電極の側面から張り出した庇部を設ける
   請求項４記載の表示装置の製造方法。
6. 前記第１絶縁膜を、感光性材料により構成し、
   前記感光性材料膜を、前記第１絶縁膜と同じ材料により構成する
   請求項４記載の表示装置の製造方法。
7. 前記第１電極を一方向に長い矩形とし、
   前記有機層を形成する工程において、前記基板を前記第１電極の長辺に対して垂直な方向に進行させる
   請求項４記載の表示装置の製造方法。

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