TWI594436B - 顯示器及其製造方法 - Google Patents

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Description

顯示器及其製造方法
本發明係關於一種採用其中一作用層係由一個氧化物半導體製成之一薄膜電晶體(TFT)之顯示器，及一種製造該顯示器之方法。
TFT作為一基本技術廣泛應用於液晶顯示器、有機EL顯示器及諸如此類。一般而言，用作一TFT之一作用層之一半導體層係由非晶矽(a-Si：H)或多晶係製成，但在最近幾年，亦使用可運用一濺鍍方法或諸如此類藉由廉價設備形成之氧化物半導體(諸如金屬氧化物)來形成此一半導體層。然而，若光(尤其係420 nm或更小之紫外光)照射於由一個氧化物半導體製成之一半導體層上，則其TFT特性可藉由光誘導而變化，或更特定而言其臨限位準電壓(Vth)可偏移為負(-)方向。
為瞭解決此問題，舉例而言，日本未經審查專利申請公開案2007-115902號揭示採用提供於一基板之背面上之一遮光膜之一TFT。另外，舉例而言，日本未經審查專利申請公開案2009-224354號揭示採用提供於一閘極電極與一作用層之間的一光吸收層之一底部閘極型TFT，且日本未經審查之專利申請公開案2007-150157號揭示採用一基礎材料(基板)之一TFT，該基礎材料係由其中具有短於帶隙能量之一波長之光之透射率係10%或更小之一材料製成。
藉助在日本未經審查專利申請公開案2007-115902號、2009-224354號及2007-150157號中所揭示之上文所提及之TFT，自一基板之一背側入射於一作用層上之光可被遮蔽；然而，自該基板之一側方向照射之光可不被充分遮蔽。在最近幾年，在顯示器中(尤其係在行動顯示器中)期望較窄框架，且顯著縮短提供於一周邊區(框架區)中之一終端區段與提供於一顯示區(像素區)中之像素之間的距離。在此情形下，存在一如下問題：自一框架區側(亦即，一傾斜方向)照射之光進入一TFT之一半導體層(氧化物半導體層)，從而導致劣化之TFT特性。
可期望提供防止光進入欲用作一作用層之一個氧化物半導體層以便抑制TFT特性之劣化之一顯示器及電子設備，及製造該顯示器之一方法。
根據本發明之一實施例，提供一顯示器，其包括一樹脂、一電晶體及定位於該樹脂與該電晶體之間的一遮光材料。該遮光材料經組態以抑制光入射於該電晶體上。
根據本發明之一實施例，提供製造一顯示器之一方法。該方法包括形成一樹脂、一電晶體及一遮光材料。該遮光材料定位於該樹脂與該電晶體之間，且該遮光材料經組態以抑制光入射於該薄膜電晶體上。
根據本發明之一實施例，提供一電子設備，其包括一樹脂；一電晶體；及定位於該樹脂與該電晶體之間的一遮光材料。該遮光材料經組態以抑制光入射於該電晶體上。
在根據本發明之實施例之該顯示器、製造該顯示器之方 法及該電子設備中，在形成該薄膜電晶體及該發光裝置之後，藉由該遮光膜覆蓋該薄膜電晶體之側面、該發光裝置之側面及該發光裝置之頂面之一部分。以此方式，遮蔽來自一傾斜方向(尤其係來自一框架區側)欲進入該薄膜電晶體之光。此外，由於該薄膜電晶體之側面、該發光裝置之側面及該發光裝置之頂面之一部分係藉由該遮光膜覆蓋，因此可能遮蔽來自一傾斜方向(尤其係來自一框架區側)之光，且因此可能抑制該薄膜電晶體之特性之劣化。
應理解，前述概括說明及下文詳細說明兩者皆係實例性且意欲提供對所主張之本發明之闡釋。
包括附圖以提供對本發明之進一步理解，且該等附圖併入本說明書中並構成本說明書之一部分。該等圖式圖解說明實施例且與說明書一起用來闡釋本發明之原理。參考該等圖，將詳細闡述本發明之一實施例。應注意，將以以下次序給出說明。
1.實施例 1-1.一般組態 1-2.顯示器之一般組態 1-3.製造方法 2.應用實例 1.實施例 (1-1.一般組態)
圖1展示根據本發明之一實施例之一顯示器1之一部分之 一剖面組態。在顯示器1中，複數個像素(未展示)在一基板11之一像素區2上安置成矩陣(柵格)。該等像素包括紅色像素R、綠色像素G及藍色像素B，該等像素基於逐顏色安置成一線形狀。該等像素(R、G及B)中之每一者具備輸出一對應色彩之一有機EL裝置20(發光裝置)。每一有機EL裝置20形成於用於驅動裝置之一薄膜電晶體(TFT)10上。應注意，在此例項中，紅色像素R、綠色像素G與藍色像素B之一組合組態一個顯示像素(像素)。一框架區3提供於像素區2之周邊處，且一終端區段4提供於框架區3之一周邊部分處。
在本實施例之顯示器1中，一遮光膜5提供於框架區3(像素區2與終端區段4之間)中，如圖1及圖2A中所圖解說明。遮光膜5係由藉由散射或吸收光(尤其係具有420 nm或更小之一波長之光(紫外光))而具有一遮光功能之一材料製成。遮光膜5經形成以便覆蓋TFT 10之側面及提供於像素區2中之有機EL裝置20及有機EL裝置20之頂面之一部分。因此，在稍後所闡述之顯示器1之製造程序中，可抑制紫外(UV)光入射於TFT 10上，該紫外(UV)光係在將防潮增強型材料35A及35B提供至終端區段4時輸出。在本實施例中，不僅在TFT 10之側面，有機EL裝置20之側面及有機EL裝置20之頂面之一部分上，而且在經形成自TFT 10之端部分延伸且組態有機EL裝置20之一層上以使得夾持有機EL裝置20之一方式提供遮光膜5(5A及5B；參見圖10)。應注意，此不具有限制性，且舉例而言，若遮光膜5經提供以 便覆蓋有機EL裝置20之頂面及側面之至少部分且進一步覆蓋自有機EL裝置20之側面延伸至基板11之線，則可抑制上文所闡述之於TFT 10上之UV光入射。
另外，如圖2B中所圖解說明，在本實施例中之遮光膜5之表面上提供一或多個凹入部分5a(在基板11及有機EL裝置20之頂面上，參見圖1)。藉由提供此凹入部分5a，除了藉由組態遮光膜5之材料之特性所提供之對於UV光之遮光功能之外，還添加以該形式(或凹入部分5a)提供之一反射功能，且因此更安全地遮蔽自一傾斜方向入射於TFT 10上之UV光。用於組態遮光膜5之材料之具體實例係氧化鈦(TiO2)及氧化鋅(ZnO)。亦可將諸如鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、金(Au)、鉭(Ta)、鈷(Co)之一般金屬及其矽化物用作遮光膜5。亦可使用諸如氮化鈦(TiN)及氮化鉭(TaN)之障壁金屬。只要獲得上文所闡述之對於UV光之遮光功能，即亦可使用其他材料。另外，遮光膜5可包括除具有遮光功能之彼等材料之外的材料。
遮光膜5之膜厚度較佳地係380 nm或更大。舉例而言，如圖3A至圖3C中所圖解說明，與ITO(圖3A)及二氧化矽(圖3C)相比，TiO2(圖3B)具有遮蔽紫外區中之光的一功能。特定而言，當膜厚度係500 nm時，獲得90%之UV遮光能力。由於在上文所闡述之防潮增強型材料固化之情形下UV光之照射量通常係約1000 mJ/cm2，因此當藉由具有500 nm之一膜厚度之一TiO2膜遮光時，允許通過約10%(100 mJ/cm2)的UV光。圖4展示UV照射量與TFT 10之臨限位準 (Vth)在UV照射之後的變化量(△Vth)之間的一關係。如圖4中所展示，當照射100 mJ/cm2之UV光時，臨限位準(Vth)偏移約0.1 V。一般而言，一TFT之可接受△Vth係0.2 V或更小。參考圖4，當UV照射量係175 mJ/cm2時，△Vth變為0.2 V。另一方面，在UV入射光之強度由L0表示之情形中，透射光之強度L具有L(t)=L0×ηt之一關係，其中每單位長度(膜厚度)之透射率係由η表示。假設入射光之強度L0係在防潮增強型材料35A及35B固化時施加於其上之UV照射量(1000 mJ/cm2)，且每單位長度(膜厚度)之透射率η係對應於500 nm之膜厚度之透射率，亦即η=10%=0.1。另外，若透射光之強度L(t)係一TFT之可接受△Vth(0.2 V)，則175=1000×0.1(t/500)且t=378.5 nm。特定而言，用於有效抑制UV光入射於TFT 10上之遮光膜5之膜厚度較佳地係378.5 nm或更大，且更佳地係380 nm或更大。
(1-2.顯示器之一般組態)
接下來，闡述顯示器1之剖面組態。圖5展示根據本實施例之顯示器1之一方塊組態。舉例而言，將顯示器1用作一有機EL電視機或諸如此類。如上文所闡述，其中複數個有機EL裝置20(20R、20G及20B)安置成矩陣之像素區2形成於基板11上，且框架區3以圍繞像素區2之一方式安置。框架區3具備一信號線驅動電路120及一掃描線驅動電路130作為驅動器以用於影像顯示。
在像素區2中，提供一像素驅動電路140。圖6展示像素驅動電路140之一實例。像素驅動電路140係形成於稍後所 闡述之一下部電極21之一下部層中之一主動型驅動電路。換言之，像素驅動電路140包括一驅動電晶體Tr1、一寫入電晶體Tr2、提供於電晶體Tr1與Tr2之間的一電容器Cs及一第一電源線(Vcc)與一第二電源線(GND)之間串聯連接至驅動電晶體Tr1之紅色有機EL裝置20R(或綠色有機EL裝置20G或藍色有機EL裝置20B)。驅動電晶體Tr1及寫入電晶體Tr2中之每一者係由一共同TFT組態，且其組態並非特定限定，而是可係(例如)一逆交錯結構(所謂的底部閘極類型)或一交錯結構(頂部閘極類型)。
在像素驅動電路140中，複數個信號線120A沿行方向安置，且複數個掃描線130A沿列方向安置。信號線120A與掃描線130A之間的每一交叉點對應於紅色有機EL裝置20R、綠色有機EL裝置20G及藍色有機EL裝置20B中之一者。信號線120A連接至信號線驅動電路120，且一影像信號透過信號線120A自信號線驅動電路120供應至寫入電晶體Tr2之一源極電極。掃描線130A連接至掃描線驅動電路130，且一掃描信號透過掃描線130A自掃描線驅動電路130循序供應至寫入電晶體Tr2之一閘極電極。
圖7展示顯示器1之一部分之一剖面組態。在顯示器1中，藉由(例如)主動矩陣系統驅動之TFT 10提供於基板11上，且包括對應於像素(R、G及B)之一發光層23C之有機EL裝置20(20R、20G及20B)提供於TFT 10上。
(TFT)
TFT 10係一所謂的底部閘極類型之一TFT，且其通道(作 用層)係由(例如)一個氧化物半導體製成。在TFT 10中，一閘極電極12、一閘極絕緣膜13、一個氧化物半導體層14、一通道保護膜15及一源極電極16A/汲極電極16B係以此次序形成於由玻璃或諸如此類製成之基板11上。經組態以平坦化基板11之整個面上方之TFT 10之不規則部之一平坦化膜18形成於源極電極16A及汲極電極16B上。
閘極電極12在藉由施加至TFT 10之一閘極電壓控制氧化物半導體層14中之載子密度(此處，電子密度)中發揮一作用。閘極電極12係由一單層膜(其由鉬(Mo)、鋁(Al)、一鋁合金及諸如此類中之一者製成)或一層壓膜(其由鉬(Mo)、鋁(Al)、一鋁合金及諸如此類中之兩者或兩者以上製成)組態。應注意，該鋁合金之實例包括(例如)一鋁-釹合金。
閘極絕緣膜13係由SiO2、Si3N4、氮氧化矽(SiON)、氧化鉿(HfO)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉭(TaO)、氧化鋯(ZrO)及諸如此類及其氮氧化物中之一者製成之一單層膜。另外，閘極絕緣膜13可係由其中之兩者或兩者以上製成之一層壓膜。藉助此一組態，可改良閘極絕緣膜13與氧化物半導體層14之間的邊界表面特性，且防止含於基板11中之雜質擴散至氧化物半導體層14中。舉例而言，閘極絕緣膜13之膜厚度係200 nm至300 nm。
氧化物半導體層14含有作為一主要組分之(例如)銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)及Ti中之一者或多者之氧化物。氧化物半導體層14藉由一閘極電壓之一施加形成源極電極16A與汲極電極16B之間的一通道。舉例而言，氧化 物半導體層14之膜厚度係5 nm至200 nm。
通道保護膜15形成於氧化物半導體層14上，且經組態以防止該通道在形成源極電極16A/汲極電極16B之時間處被損壞。舉例而言，通道保護膜15之厚度係20 nm至300 nm。另外，可將類似於閘極絕緣膜13之材料之任何材料用作用於通道保護膜15之材料。
源極電極16A/汲極電極16B中之每一者係由(例如)諸如Mo、Al、銅(Cu)及Ti之金屬及其合金以及諸如ITO及TiO之導電材料中之一者製成之一單層膜或由其中之兩者或兩者以上製成之一層壓膜。舉例而言，可期望使用其中分別由Mo、Al及Mo製成且分別具有50 nm、500 nm及50 nm之膜厚度之三個層以此次序層壓之一個三層膜，或諸如ITO及氧化鈦之金屬或金屬化合物(其係含有氧且與氧形成一弱鍵之金屬化合物)。藉助此一組態，可穩定地維持氧化物半導體之電特性。
舉例而言，平坦化膜18係由諸如Al2O3、TiO2及其氮化物之一無機絕緣材料製成。舉例而言，平坦化膜18之厚度係20 nm至200 nm，較佳地係50 nm或更小。當平坦化膜18具有3.0 g/cm3或更大之膜密度時，其提供抵抗氧及氫之高障壁效能。有機EL裝置20之下部電極21形成於平坦化膜18上。
(有機EL裝置)
有機EL裝置20係經組態以自與基板11相對之一側(陰極電極側)提取在自下部電極21(陽極電極)注入之電洞與自 上部電極24(陰極電極)注入之電子在發光層23C中重新結合時所產生之光之頂部發射類型之一發光裝置。藉由使用頂部發射類型之有機EL裝置20，改良顯示器之一發光區段之孔徑比。應注意，本發明之有機EL裝置20之組態不限於此，且舉例而言，亦可採用自基板11側提取光之一透射類型(亦即，底部發射類型)之一發光裝置。
在顯示器1係頂部發射類型之情形中，舉例而言，在有機EL裝置20中，由諸如Al、Ti及Cr之一高反射率材料製成之下部電極21形成於平坦化膜18上。另一方面，在顯示器1係透射類型之情形中，使用諸如ITO、IZO及IGZO之一透明材料。
在此例項中，確保稍後所闡述之下部電極21與上部電極24之間的一絕緣性質之一分割壁22提供於下部電極21上及平坦化膜18上。分割壁22提供於TFT 10之閘極電極16A/源極電極16B與下部電極21之間的一連接區段上。舉例而言，分割壁22係由諸如聚醯亞胺及酚醛樹脂(特定而言，諸如一正類型之光敏聚醯亞胺之一光敏樹脂)之一有機材料製成，且可藉由施加一電漿處理給其添加疏水性。
如圖7中所圖解說明，舉例而言，一有機層23具有其中一電洞注入層23A、一電洞運送層23B、一發光層23C及一電子運送層23D自下部電極21側以此次序層壓之一組態。有機層23係藉由一真空沈積方法、一旋塗方法及諸如此類而形成，且稍後將給出對其之詳細說明。有機層23之頂面係藉由上部電極24覆蓋。儘管組態有機層23之該等層之膜 厚度、組態材料及諸如此類並非特定限定，但下文圖解說明該膜厚度、該組態材料及諸如此類之實例。
電洞注入層23A係給發光層23C增強電洞注入效率且防止洩漏之一緩衝層。舉例而言，電洞注入層23A之厚度較佳地係5 nm至200 nm，更佳地係8 nm至230 nm。可基於與電極及毗鄰層之材料之關係來適當選擇電洞注入層23A之組態材料，且電洞注入層23A之組態材料之實例包括聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯撐乙烯撐、二氯乙烯、聚喹啉、聚喹喔啉及其衍生物，包括在主鏈或側鏈中含有芳香胺結構之一聚合物之一導電聚合物、金屬酞菁(諸如銅酞菁)及碳。導電聚合物之特定實例包括聚二氧噻吩，諸如苯胺低聚物及聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)。
電洞運送層23B給發光層23C增強電洞運送效率。舉例而言，儘管依據該裝置之一般組態，電洞運送層23B之厚度較佳地係5 nm至200 nm，但更佳地係8 nm至230 nm。可將可溶於一有機溶劑(諸如聚乙烯咔唑、聚芴、聚苯胺、聚矽烷及其衍生物)中之發光材料、在主鏈或側鏈中含有芳香胺結構之聚矽氧烷衍生物、聚噻吩及其一衍生物、聚吡咯及Alq3用作用於組態電洞運送層23B之材料。
當將一電場施加至發光層23C時，致使電子與電洞之重新結合產生光。舉例而言，儘管依據該裝置之一般組態，發光層23C之厚度較佳地係10 nm至200 nm，但更佳地係20 nm至230 nm。發光層23C可具有一單層結構或一層壓結構。特定而言，舉例而言，不僅可採用其中如在本實施例 之有機EL裝置20之情形中將分別對應於紅色、綠色及藍色之發光層23CR、23CG及23CB提供為電洞運送層23B上之單層之組態，而且可採用其中將藍光發射層提供為有機EL裝置20R、20G及20B之一共同層之組態。在此情形中，在紅色有機EL裝置20R中，藍光發射層23CB層壓於紅光發射層23CR上，而在綠色有機EL裝置20G中，藍光發射層23CB層壓於綠光發射層23CG上。另外，儘管此處未展示，但紅光發射層23CR、綠光發射層23CG及藍光發射層23CB可層壓，且藉由層壓此等層形成一白色有機EL裝置。
可將對應於各別發射色彩之任何材料用作用於組態發光層23C之材料，且此等材料包括聚芴聚合衍生物、聚對苯乙炔衍生物、聚苯衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、苝系顏料、香豆素顏料、若丹明顏料及摻雜有一有機EL材料之上文所提及之聚合物中之任一者。可將紅熒烯、苝、9,10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6及諸如此類用作摻雜材料。應注意，亦可將上文所提及之材料中之兩者或兩者以上混合用作用於組態發光層23C之材料。另外，上文所提及之高分子量材料並非限定的，且亦可使用低分子量材料之一組合。低分子量材料之實例包括汽油、苯乙烯胺、三苯胺、卟啉、苯并菲、氮雜苯并菲、四氰基對醌二甲烷、三唑、咪唑、惡二唑、聚芳基烷烴、苯二胺、芳基胺、惡唑、蒽、芴酮、腙、二苯乙烯及其衍生物，諸如聚矽烷化合物、乙烯基咔唑化合物、 噻吩化合物及苯胺化合物之雜環共軛系統之單體或低聚物。
除了上文所提及之材料之外，亦可將低分子螢光材料中之任一者用作用於組態發光層23C之材料，且可將具有高發光效率之諸如磷光顏料及金屬複合物之有機發光材料用作場致發光客體材料。
應注意，舉例而言，發光層23C可係亦用作上文所闡述之電洞運送層23B之一電洞可運送發光層，且另外可係亦用作稍後所闡述之電子運送層23D之一電子可運送發光層。
電子運送層23D給發光層23C增強電子運送效率。舉例而言，儘管依據該裝置之一般組態，電子運送層23D之總膜厚度較佳地係5 nm至200 nm，但更佳地係10 nm至180 nm。
較佳的係將具有高電子運送能力之一有機材料用作電子運送層23D之材料。藉由給發光層23C增強電子運送效率，可抑制場致發光色彩由於電場強度之變化。特定而言，較佳的係使用芳基吡啶衍生物、苯并咪唑衍生物及諸如此類。藉助此一組態，甚至可在一低驅動電壓下維持供應電子之高效率。電子運送層23D之材料之實例包括鹼性金屬、鹼土金屬、稀土金屬及其氧化物、複合氧化物、氟化物、碳酸鹽及諸如此類。
舉例而言，上部電極24經組態以具有約10 nm之一厚度，且係由具有有利透光率及小功函數之一材料製成。另 外，亦可藉由使用氧化物形成一透明導電層來確保光提取。在此一情形中，可使用ZnO、ITO、IZnO、InSnZnO及諸如此類。此外，儘管上部電極24可係一單層，但舉例而言，此例項中之上部電極24具有其中一第一層、一第二層及一第三層(均未展示)以此次序自下部電極21側層壓之一結構。
該第一層之材料較佳地係具有小功函數及有利透光率之一材料。特定而言，該第一層之材料之實例包括諸如鈣(Ca)及鋇(Ba)之鹼土金屬、諸如鋰(Li)及銫(Cs)之鹼性金屬、銦(In)、鎂(Mg)及銀(Ag)。該材料之實例進一步包括諸如Li2O、Cs2Co3、CS2SO4、MgF、LiF及CaF2之鹼性金屬氧化物、鹼性金屬氟化物、鹼土金屬氧化物及鹼土氟化物。
該第二層係由具有高透射率及有利導電性之一材料製成，且舉例而言係由一MgAg電極、一Ca電極或諸如此類以一薄膜之形式組態。該第三層較佳地係由透明鑭系氧化物製成以便抑制電極降級。藉助此一組態，該第三層可用作其中光可自頂面提取之一密封電極。另外，在有機EL裝置20係一底部發射類型之情形中，將金(Au)、鉑(Pt)、AuGc或諸如此類用作用於該第三層之材料。
應注意，該第一層、該第二層及該第三層係藉由一真空沈積方法、一濺鍍方法、一電漿CVD方法或諸如此類形成。另外，在運用此發光裝置之一顯示器之驅動系統係主動矩陣系統之情形中，在上部電極24藉由覆蓋下部電極21 之一部分之分割壁22及有機層23與下部電極21絕緣之一狀態中，上部電極24可能以一固體膜之一形式形成於基板11上以欲用作共同於該等像素之一電極。
另外，上部電極24可係含有諸如鋁喹啉絡合物、苯乙烯胺衍生物及酞菁衍生物之一有機發光材料之一混合層。在此情形中，上部電極24可單獨包括由具有高透射率之MgAg製成之一層作為該第三層(未展示)。另外，上部電極24不限於上文所提及之層壓結構，且自然可根據欲形成之一裝置之結構採用任一合適組合及層壓結構。舉例而言，本實施例之上部電極24之上文所提及之組態係其中電極層之功能彼此分離(亦即，用於促進電子注入至有機層23中之一無機層(該第一層)、支配電極之一無機層(該第二層)及用於保護電極之一無機層(該第三層)彼此分離)之一層壓結構。然而，用於促進電子注入至有機層23中之該無機層亦可用作支配該電極之無機層，且此等層可組態為一單層結構。
此外，在有機EL裝置20具有一腔結構之情形中，上部電極24較佳地係由一半透射性且半反射性材料製成。藉助此一組態，自上部電極24側提取在下部電極21側上之一反光表面與上部電極24側上之一發光表面之間已經受多次干涉之光。在此情形中，假設根據欲提取之光之波長來界定下部電極21側上之反光表面與上部電極24側上之反光表面之間的光學距離，且該等層之膜厚度經設定以便滿足該光學距離。藉由積極使用頂部發射類型之此一發光裝置中之此 腔結構，至外部的光提取效率及對光發射光譜之控制之改良成為可能。
保護膜25經組態以防止水滲透至有機層23中，且係由具有低透射率及低滲水性，厚(例如)2 μm至3 μm之一材料製成。保護膜25可係由絕緣材料及導電材料中之任一者製成。作為絕緣材料，較佳的係使用一無機非晶絕緣材料，諸如非晶矽(α-Si)、非晶碳化矽(α-SiC)、非晶氮化矽(α-Si1-xNx)及非晶碳(α-C)。由於此等無機非晶絕緣材料不產生晶粒，因此可獲得具有低滲水性之一有利保護膜。
一密封基板27提供於有機EL裝置20之上部電極24側上以結合一接合層26密封有機EL裝置20。密封基板27係由諸如玻璃之一透明材料製成以用於在有機EL裝置20處所產生之光。密封基板27具備(例如)一彩色濾光器27A及一黑色矩陣27B。密封基板27提取在有機EL裝置20處所產生之光且吸收藉由有機EL裝置20之間的佈線所反射之外部光以改良對比度。
舉例而言，彩色濾光器27A及黑色矩陣27B提供於密封基板27上。彩色濾光器27A包括一紅色濾光器27AR、一綠色濾光器27AG及一藍色濾光器27AB且分別安置於對應有機EL裝置20R、20G及20B上。舉例而言，紅色濾光器27AR、綠色濾光器27AG及藍色濾光器27AB中之每一者具有一矩形形式，且其經形成而其間沒有空隙。紅色濾光器27AR、綠色濾光器27AG及藍色濾光器27AB中之每一者係由與一顏料混合之一樹脂製成，且藉由選擇顏料，可調整 其透光率以便將紅色、綠色或藍色之期望波長範圍之透光率設定為高，且將剩餘之波長範圍之透光率設定為低。
舉例而言，黑色矩陣27B係由與一黑色著色劑混合且具有1或更大之一光密度之一黑色樹脂膜或利用一薄膜之干涉之一薄膜濾光器組態。若採用該黑色樹脂膜，較佳的係可便宜且簡單地形成黑色矩陣27B。該薄膜濾光器係其中(例如)各自係由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物製成之一或多個薄膜層壓以藉由利用該薄膜之干涉減弱光之一濾光器。薄膜濾光器之一特定實例包括其中Cr與氧化鉻(III)(Cr2O3)交替層壓之一薄膜。
另外，除了上文所提及之方法之外，有機層23可係藉由一施塗方法形成，諸如旋塗方法、一浸漬方法、一刮片方法、一放電塗佈方法及一噴塗方法、一印刷方法(諸如一噴墨方法、一平版印刷方法、一凸版印刷方法、一凹版印刷方法、一網版印刷方法、一微凹版塗佈方法)或諸如此類。依據有機層及其他部件之性質，可同時使用乾式程序及濕式程序。
(1-3.製造方法)
舉例而言，可按以下方式製造顯示器1。
圖8展示製造顯示器1之一方法之一流程。圖9A至圖11C展示以該等程序之次序製造顯示器1之方法。首先，如圖9A中所圖解說明，在像素區2中，在由上文所闡述之材料製成之基板11上形成包括TFT 10之像素驅動電路140，而在框架區3(參見圖1)中，形成一提取電極31(參見圖1)(步 驟S101)。
接下來，在TFT 10之框架區3側上(換言之，在像素區2與終端區段4之間)形成下部遮光膜5A(步驟S102)。首先，如圖9A中所圖解說明，舉例而言，藉由(例如)濺鍍方法或CVD(化學汽相沈積)方法藉助使用一區域遮罩41在基板11上於TFT 10之框架區2側上形成具有500 nm之一厚度之一SiO2膜17。然後，如圖9B中所圖解說明，藉由(例如)旋塗方法將一光阻劑膜42施塗於TFT 10及SiO2膜17上，且其後如圖9C中所圖解說明，藉由使用一光罩43來實施曝光且藉由使用(例如)一槳型顯影設備實施顯影。接下來，如圖9D中所圖解說明，在處理光阻劑膜42之後，藉由(例如)濕式蝕刻或乾式蝕刻來移除經曝光之SiO2膜。然後，藉由移除剩餘的光阻劑膜42，形成各自具有(例如)Φ=1000 nm之一大小之柱狀凹入部分17A(圖10A)。接下來，如圖10B中所圖解說明，藉助使用(例如)一區域遮罩44，藉由(例如)濺鍍方法或CVD方法在像素區2與終端區段4(框架區3)之間形成一TiO2膜，從而在下部遮光膜5A之一底面及與平坦化膜18接觸之頂面上形成不規則部。
(用於形成平坦化膜18之程序)
接下來，如圖10(C)中所圖解說明，在TFT 10及下部遮光膜5A之一部分上形成平坦化膜18之後，形成有機EL裝置20及上部遮光膜5B(步驟S103至S105)。首先，作為具有正型光敏性之一絕緣材料，藉由(例如)旋塗方法將(例如)聚醯亞胺施塗於TFT 10及下部遮光膜5A之一部分上， 且藉助使用一曝光設備實施曝光。然後，藉助使用(例如)槳型顯影設備實施顯影以形成具有一預定形式之聚醯亞胺膜，且其後在(例如)一清潔烘焙熔爐中將該聚醯亞胺膜熱固化以形成具有2 μm之一厚度且包括一接觸孔18A之平坦化膜18。
(用於形成下部電極21之程序)
隨後，舉例而言，將由(例如)一Al合金製成之一導電膜圖案化於平坦化膜18上，藉此針對紅色有機EL裝置20R、綠色有機EL裝置20G及藍色有機EL裝置20B中之每一者形成下部電極21。在此時，下部電極21透過平坦化膜18之接觸孔18A電連接至電晶體10之汲極電極16B。特定而言，舉例而言，在平坦化膜18上形成由一Al合金製成之一膜以具有(例如)200 nm之一膜厚度，且然後藉由光微影方法圖案化該膜以形成下部電極21。
(用於形成分割壁22之程序)
接下來，在下部電極21及平坦化膜18上形成分割壁22。特定而言，舉例而言，藉由旋塗方法在下部電極21及平坦化膜18上施塗聚醯亞胺，且其後使該聚醯亞胺經受曝光及顯影且然後將其圖案化以獲得一預定形式，藉此形成分割壁22。
(用於形成有機層23及上部電極24之程序)
接下來，在下部電極21上循序形成由上文所闡述之材料製成之電洞注入層23A、電洞運送層23B、發光層23C、電子運送層23D及上部電極24。特定而言，舉例而言，在N2 氣氛下烘焙基板11且藉由O2電漿將其處理之後，藉由(例如)一真空沈積方法循序形成有機層23(電洞注入層23A、電洞運送層23B、發光層23C及電子運送層23D)及上部電極24。應注意，舉例而言，不僅可將真空沈積方法，而且可將旋塗方法、噴塗方法及狹縫印刷採用作用於形成有機層23及上部電極24之方法。
在形成上部電極24之後，形成保護膜25。特定而言，首先，藉由其中膜形成粒子之能量係小之一膜形成方法(諸如一沈積方法及CVD方法)形成保護膜25至不影響基礎之程度。舉例而言，在欲形成由SiO2製成之保護膜25之情形中，該膜藉由CVD方法經形成以具有(例如)5 μm之一膜厚度。在此時，為了防止照度由於有機層23之降級而下降，期望將該膜形成溫度設定為室溫，且為了防止保護膜25剝落，期望在該膜之應力處於一最小位準之一條件下形成該膜。
應注意，在與下部電極21相同之程序中形成一輔助電極(未展示)之情形中，可在形成上部電極24之前藉由諸如一雷射燒蝕之一方法移除形成於作為一固體膜之該輔助電極上之有機層23。藉助此一組態，上部電極24可直接連接至該輔助電極，同時改良其連接。
(用於形成上部遮光膜5B之程序)
在形成保護膜25之後，在有機EL裝置20之側面及頂面之一部分上形成上部遮光膜5B。特定而言，藉助使用一區域遮罩45，藉由(例如)濺鍍或CVD方法在框架區3中形成具有 (例如)1,500 nm之一厚度之一TiO2膜。然後，如圖10D中所圖解說明，藉由旋塗方法在保護膜25及TiO2膜上施塗一抗蝕劑膜46。接下來，如圖11A中所圖解說明，藉助使用一光罩47來實施曝光及顯影，且如圖11B中所圖解說明來處理光阻劑膜46。接下來，如圖11C中所圖解說明，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻在經曝光之TiO2膜中形成凹入部分5a，且其後移除剩餘光阻劑膜46以形成上部遮光膜5B。以此方式，完成覆蓋介於自TFT 10之側面至有機EL裝置20之頂面之一部分之間的一區之遮光膜5。
在形成上部遮光膜5B之後，舉例而言，在由上文所闡述之材料製成之密封基板27上形成由上文所闡述之材料製成之黑色矩陣27B。接下來，藉由旋塗方法或諸如此類在密封基板27上施塗紅色濾光器27AR之材料。然後，藉由光微影技術圖案化該材料且將其烘焙以形成紅色濾光器27AR。接下來，如紅色濾光器27AR之情形中，循序形成綠色濾光器27AG。其後，在保護膜25、遮光膜5及基板11上形成接合層26，且透過接合層26將密封基板27接合至保護膜25、遮光膜5及基板11。
接下來，舉例而言，形成於該膜上之一各向異性導電膜32安置且暫時固定於包括一驅動器IC 34及諸如此類之一COF(膜上覆晶片)33上，且然後實施COF 33與形成於基板11上之終端區段4中之提取電極31之對準。在此狀態中，由於提取電極31與COF 33之間的各向異性導電膜32，因此在壓入時將該兩者加熱，且提取電極31與COF 33之一 佈線藉由含於各向異性導電膜32中之細小導電粒子電連接，且COF 33形成於基板11之終端區段4中。然後，以使得密封接合層26之一方式施塗一紫外線可固化樹脂，從而密封TFT 10、有機EL裝置20、提供於接合層26上之密封基板27之一側面、COF 33之一部分及諸如此類。此外，在基板11之一背面側上以使得密封提取電極31之一端面及各向異性導電膜32之一端面之一方式施塗一紫外線可固化樹脂。其後，施加1000 mJ/cm2之UV光(波長365 nm)以固化紫外線可固化樹脂，且因此形成防潮增強型材料35A及35B。以此方式，完成圖1及圖3A至圖5中所圖解說明之顯示器1。
在顯示器1中，透過寫入電晶體Tr2之閘極電極將一掃描信號自掃描線驅動電路130供應至每一像素，且透過寫入電晶體Tr2自信號線驅動電路120供應之一影像信號保持在電容器Cs中。特定而言，根據電容器Cs中所保持之信號來接通或關斷驅動電晶體Tr1，且藉此，一驅動電流Id注入至紅色有機EL裝置20R、綠色有機EL裝置20G及藍色有機EL裝置20B中，藉此電洞與電子重新結合以產生光。在底部發射之情形中，所產生之光在通過下部電極21及基板11之後被提取，而在頂部發射之情形中，光在通過上部電極24及提供於密封基板27上之彩色濾光器27A之後被提取。
如之前所提及，在諸如行動顯示器之顯示器中期望較窄框架。出於此原因，提供於一框架區中之一終端區段與提供於一像素區中之像素之間的距離顯著縮短。在一TFT、 一發光裝置及諸如此類之安裝程序中，給一終端區段提供一防潮增強型材料以在一COF之壓力接合之後防止該COF之剝落且防止該終端區段由於水滲透而腐蝕。由於此防潮增強型材料係由如上文所闡述之一紫外線可固化樹脂製成，因此在製造程序中將UV光施加至該材料。存在一如下問題：在此一UV光照射之時間處，在具有一變窄之框架之一顯示器中，經施加以固化該材料之UV光通過該防潮增強型材料，且然後進入安置於一像素區之一周邊部分中之一TFT之一半導體層，從而導致TFT特性之劣化。
圖12展示安置於一已知顯示器100之一像素區102之一周邊部分中之一TFT在UV照射之前及之後的電流及電壓特性。如圖12中所展示，相比UV照射之前，臨限位準電壓(Vth)在該照射之後偏移至負(-)方向。藉此，存在一如下問題，顯示器100中之像素區102之周邊部分之TFT特性劣化以形成一照度下降區102A，其中像素區102之周邊部分之照度如圖13中所圖解說明而減小，從而導致不均勻照度。
相比而言，本實施例之顯示器1具備由TiO2(圖3B)或諸如此類製成之遮光膜5，遮光膜5覆蓋TFT 10之側面、有機EL裝置20之側面及有機EL裝置20之頂面之一部分。圖14展示安置於本實施例之顯示器1之像素區2之周邊部分中之TFT 10在UV照射之前及之後的電流及電壓特性。如圖14中所展示，臨限位準電壓(Vth)在UV照射之前與之後之間不偏移。以此方式，可抑制在TFT 10上之防潮增強型材料 35A及35B或諸如此類之形成時間處傾斜施加至TFT 10之UV光之入射，且因此可抑制TFT特性之劣化。
如上文所闡述，在顯示器1及本實施例之其製造方法中，在形成TFT 10及有機EL裝置20之後，形成覆蓋TFT 10之端面及諸如此類之遮光膜5，且因此可有效遮蔽自一傾斜方向(尤其係自框架區3側)入射於TFT 10上之UV光。以此方式，抑制TFT特性之劣化，且因此減小像素區2中不均勻照度之產生。換言之，可提供造成較小不均勻照度之一高品質顯示器。
另外，由於在本實施例中，凹入部分5a提供於遮光膜5之表面上，因此可有效遮蔽來自一傾斜方向之UV光。此外，由於UV光被遮光膜5之不規則部反射至框架區3側(亦即，防潮增強型材料35A及35B側)，因此可藉助一減小量之UV光照射來固化組態防潮增強型材料35A及35B之紫外線可固化樹脂。
2.應用實例
舉例而言，上文所提及之顯示器1可安裝於以下應用實例1至5中所圖解說明之電子單元中。
(模組及應用實例)
在下文中，將闡述上文所提及之實施例中所闡述之顯示器1之應用實例。可將上文所提及之實施例之顯示器1應用於各個領域中之電子單元之顯示器，該等顯示器將一外部輸入之視訊信號或一內部產生之視訊信號顯示為一影像或一視訊。此一電子單元之典型實例包括電視機、數位相 機、筆記型個人電腦、諸如行動電話之行動終端機單元及視訊攝影機。
(模組)
上文所闡述之實施例等之顯示器1作為(例如)圖15中所展示之一模組併入於下文所闡述之應用實例1至5之各種類型之電子單元及諸如此類中。舉例而言，此模組包括提供於一基板11之一個側上且自一保護膜及一密封基板30曝露之一區210。信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130之佈線經延伸以組態曝露區210中之一外部連接終端機(未展示)。該外部連接終端機可具備用於輸入且輸出信號之一撓性印刷電路(FPC)220。
(應用實例1)
圖16展示一電視機之一外觀，上文所提及之實施例之顯示器1應用於該電視機。舉例而言，該電視機具備包括一前面板310及一濾光器玻璃320之一影像顯示螢幕區段300，且影像顯示螢幕區段300係由根據上文所提及之實施例之顯示器1組態。
(應用實例2)
圖17A及17B展示一數位相機之外觀，上文所提及之實施例之顯示器1應用於該數位相機。舉例而言，此數位相機包括：一發光區段410，其用於產生快閃光；一顯示區段420；一選單開關430及一快門按鈕440，且顯示區段420係由根據上文所提及之實施例之顯示器1組態。
(應用實例3)
圖18展示一筆記型個人電腦之一外觀，上文所提及之實施例之顯示器1應用於該筆記型個人電腦。舉例而言，此筆記型個人電腦包括：一主體510；一鍵盤520，其用於輸入字母及諸如此類；及一顯示區段530，其用於顯示一影像，且顯示區段530係由根據上文所提及之實施例之顯示器1組態。
(應用實例4)
圖19展示一視訊攝影機之一外觀，上文所提及之實施例之顯示器1應用於該視訊攝影機。舉例而言，此視訊攝影機包括：一主體區段610；一透鏡620，其經調適以拍攝一對象之一影像且提供於主體區段610之正側上；一開始/停止開關630，其用於捕捉一影像；及一顯示區段640，且顯示區段640係由根據上文所提及之實施例之顯示器1組態。
(應用實例5)
圖20A至圖20G各自展示一行動電話之一外觀，上文所提及之實施例之顯示器1應用於該行動電話。舉例而言，此行動電話包括：一上部外殼710；一下部外殼720；一連接區段(鉸鏈區段)730，其連接上部外殼710與下部外殼720；一顯示器740；一子顯示器750；一圖像燈760及一相機770。顯示器740或子顯示器750係由根據上文所提及之實施例之顯示器1組態。
在上文中，儘管已參考實施例闡述了本發明，但本發明不限於上文所提及之實施例，而是可作出各種修改。舉例而言，在上文所提及之實施例中，將對應於各別像素之紅 光發射層、綠光發射層及藍光發射層提供為發光層23C，但此並非限定性的，且該等發光層可經層壓以組態一白色有機EL裝置。在此一情形中，紅光發射層及綠光發射層可被一黃光發射層取代。
另外，上文所提及之實施例中所闡述之每一層之材料及厚度，用於膜形成之方法及條件及諸如此類並非限定性的，且可採用其他材料及厚度、用於膜形成之其他方法及條件。舉例而言，儘管將一個氧化物半導體用作上文所提及之實施例中之TFT 10之通道，但此並非限定性的，且亦可使用矽或一有機半導體。
此外，儘管上文所提及之實施例中特定闡述有機EL裝置20R、20G及20B及諸如此類之組態，但無需一定包括該等層中之所有層，且可進一步包括其他層。舉例而言，可在電洞注入層23A上直接形成發光層23C而不形成電洞運送層23B，且亦可在電子運送層23D上提供一電子注入層。
又此外，儘管在上文所提及之實施例中闡述主動矩陣型顯示器，但亦可將本發明應用於被動矩陣型顯示器。又此外，用於主動矩陣磁碟機之像素驅動電路之組態不限於上文所提及之實施例中所闡述之組態，且可視需要添加一電容元件及一電晶體。在此一情形中，根據像素驅動電路之改變，除了上文所闡述之信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130之外，還可添加一必要驅動電路。
應注意，可如下組態本發明。
在一實施例中，一顯示器包括一樹脂、一電晶體及定位 於該樹脂與該電晶體之間的一遮光材料，其中該遮光材料經組態以抑制光於該電晶體上之一入射。
在根據一實施例之顯示器中，該電晶體係一薄膜電晶體。
在根據一實施例之顯示器中，該電晶體包括一個氧化物半導體。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一發光裝置。該發光裝置及該電晶體係在一像素區中，且該遮光材料係處於該像素區之一周邊處。
在根據一實施例之顯示器中，該遮光材料覆蓋該電晶體之面向該顯示器之一周邊之一側且覆蓋該發光裝置之面向該顯示器之周邊之一側。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一發光裝置，其中該遮光材料覆蓋該發光裝置之一上部側。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一發光裝置，及該發光裝置與該電晶體之間的一絕緣層。該遮光材料提供於該絕緣層之一側上。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一發光裝置，及提供於該發光裝置上方之一保護層。該遮光材料提供於保護層之一上部側與一周邊側中之至少一者上。
在根據一實施例之顯示器中，該遮光材料包括複數個凹入部分。
在根據一實施例之顯示器中，不規則部提供於該遮光材料之一表面上。
在根據一實施例之顯示器中，該遮光材料係氧化鈦、氧化鋅、一金屬及其矽化物以及具有一障壁金屬之一材料中之至少一者，其中該金屬及障壁金屬可包括任一合適材料或材料組合，諸如用於該金屬之Al、Cu、W、Au、Ag、Ta、Co及Ti；及諸如用於該障壁金屬之Ti、Ta、TiN及TaN。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一發光裝置，及與該發光裝置及該電晶體接觸之一接觸層。該遮光材料係處於等於或高於其中該接觸層接觸該電晶體之一位置。
在根據一實施例之顯示器中，該遮光材料提供於低於該電晶體之一高度之一位置處。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一膜上覆晶片，其中該遮光材料提供於該膜上覆晶片與該電晶體之間。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一絕緣層及一發光裝置。該遮光材料提供於該絕緣層之一側上及該發光裝置周圍。
在根據一實施例之顯示器中，該顯示器進一步包括一發光裝置，其中該遮蔽材料提供於該發光裝置之一高度處。
在一實施例中，製造一顯示器之一方法包括形成一樹脂、一電晶體及一遮光材料。該遮光材料定位於該樹脂與該電晶體之間，且該遮光材料經組態以抑制光於該薄膜電 晶體上之一入射。
在根據一實施例之方法中，該電晶體係一薄膜電晶體。
在根據一實施例之方法中，該電晶體包括一個氧化物半導體。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一發光裝置。在一像素區中形成該發光裝置及該電晶體，且在該像素區之一周邊處形成該遮光材料。
在根據一實施例之方法中，該遮光材料經定位以覆蓋該電晶體之面向該顯示器之一周邊之一側且覆蓋該發光裝置之面向該顯示器之周邊之一側。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一發光裝置，其中該遮光材料經定位以覆蓋該發光裝置之一上部側。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一絕緣層及一發光裝置。該絕緣層定位於該發光裝置與該電晶體之間，且該遮光材料定位於該絕緣層之一側上。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一保護層及一發光裝置。該保護層定位於該發光裝置上方，且該遮光材料定位於該保護層之一上部側及一周邊側中之至少一者上。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括在該遮光材料中形成複數個凹入部分。
在根據一實施例之方法中，在該遮光材料之一表面上提供不規則部。
在根據一實施例之方法中，該遮光材料係氧化鈦、氧化鋅、一金屬及其矽化物以及具有一障壁金屬之一材料中之至少一者，其中該金屬及障壁金屬可包括任一合適材料或材料組合，諸如用於該金屬之Al、Cu、W、Au、Ag、Ta、Co及Ti；及諸如用於該障壁金屬之Ti、Ta、TiN及TaN。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一發光裝置及形成與該發光裝置及該電晶體接觸之一接觸層。 該遮光材料係處於等於或高於其中該接觸層接觸該電晶體之一位置。
在根據一實施例之方法中，該遮光材料提供於低於該電晶體之一高度之一位置處。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一膜上覆晶片，其中將該遮光材料提供於該膜上覆晶片與該電晶體之間。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一絕緣層及一發光裝置，其中將該遮光材料提供於該絕緣層之一側上及該發光裝置周圍。
在根據一實施例之方法中，該方法進一步包括形成一發光裝置，其中將該遮蔽材料提供於該發光裝置之一高度處。
在一實施例中，一電子設備包括一樹脂、一電晶體及定位於該樹脂與該薄膜電晶體之間的一遮光材料。該遮光材料經組態以抑制光於該電晶體上之一入射。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一顯示器。
在根據一實施例之電子設備中，該顯示器係一OLED、電子紙或一液晶顯示器。
在根據一實施例之電子設備中，該電晶體係一薄膜電晶體。
在根據一實施例之電子設備中，該電晶體包括一個氧化物半導體。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一發光裝置。該發光裝置及該電晶體係在一像素區中，且該遮光材料係處於該像素區之一周邊處。
在根據一實施例之電子設備中，該遮光材料覆蓋該電晶體之面向一顯示器之一周邊之一側且覆蓋該發光裝置之面向該顯示器之周邊之一側。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一發光裝置，其中該遮光材料覆蓋該發光裝置之一上部側。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一發光裝置，及該發光裝置與該電晶體之間的一絕緣層。該遮光材料提供於該絕緣層之一側上。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一發光裝置及提供於該發光裝置上方之一保護層。該遮光材料提供於該保護層之一上部側及一周邊側中之至少一者上。
在根據一實施例之電子設備中，該遮光材料包括複數個凹入部分。
在根據一實施例之電子設備中，不規則部提供於該遮光材料之一表面上。
在根據一實施例之電子設備中，該遮光材料係氧化鈦、氧化鋅、一金屬及其矽化物以及具有一障壁金屬之一材料中之至少一者，其中該金屬及障壁金屬可包括任一合適材料或材料組合，諸如用於該金屬之Al、Cu、W、Au、Ag、Ta、Co及Ti；及諸如用於該障壁金屬之Ti、Ta、TiN及TaN。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一發光裝置，及與該發光裝置及該電晶體接觸之一接觸層。該遮光材料係處於等於或高於其中該接觸層接觸該電晶體之一位置。
在根據一實施例之電子設備中，該遮光材料提供於低於該電晶體之一高度之一位置處。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一膜上覆晶片。該遮光材料提供於該膜上覆晶片與該電晶體之間。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一絕緣層及一發光裝置。該遮光材料提供於該絕緣層之一側上及該發光裝置周圍。
在根據一實施例之電子設備中，該電子設備進一步包括一發光裝置，其中該遮蔽材料提供於該發光裝置之一高度 處。
本發明含有與於2011年8月22日在日本專利局提出申請之日本優先權專利申請案JP 2011-180778中所揭示之標的物相關之標的物，該日本優先權專利申請案之整體內容以引用方式併入本文中。
熟習此項技術者應理解，可依據設計要求及其他因素而做出各種修改、組合、子組合及變更，只要其歸屬於隨附申請專利範圍及其等效範圍之範疇內即可。
1‧‧‧顯示器
2‧‧‧像素區
3‧‧‧框架區
4‧‧‧終端區段
5‧‧‧遮光膜
5a‧‧‧凹入部分
5A‧‧‧下部遮光膜
5B‧‧‧上部遮光膜
10‧‧‧薄膜電晶體
11‧‧‧基板
12‧‧‧閘極電極
13‧‧‧閘極絕緣膜
14‧‧‧氧化物半導體層
15‧‧‧通道保護膜
16A‧‧‧源極電極
16B‧‧‧汲極電極
17‧‧‧SiO2膜
17A‧‧‧柱狀凹入部分
18‧‧‧平坦化膜
18A‧‧‧接觸孔
20‧‧‧有機發光裝置
20B‧‧‧藍色有機發光裝置
20G‧‧‧綠色有機發光裝置
20R‧‧‧紅色有機發光裝置
21‧‧‧下部電極
22‧‧‧分割壁
23‧‧‧有機層
23A‧‧‧電洞注入層
23B‧‧‧電洞運送層
23C‧‧‧發光層
23D‧‧‧電子運送層
24‧‧‧上部電極
25‧‧‧保護膜
26‧‧‧接合層
27‧‧‧密封基板
27A‧‧‧彩色濾光器
27AB‧‧‧藍色濾光器
27AG‧‧‧綠色濾光器
27AR‧‧‧紅色濾光器
27B‧‧‧黑色矩陣
31‧‧‧提取電極
32‧‧‧各向異性導電膜
33‧‧‧膜上覆晶片
34‧‧‧驅動器IC
35A‧‧‧防潮增強型材料
35B‧‧‧防潮增強型材料
41‧‧‧區域遮罩
42‧‧‧光阻劑膜
43‧‧‧光罩
44‧‧‧區域遮罩
45‧‧‧區域遮罩
46‧‧‧光阻劑膜
47‧‧‧光罩
100‧‧‧顯示器
102‧‧‧像素區
102A‧‧‧照度下降區
120‧‧‧信號線驅動電路
120A‧‧‧信號線
130‧‧‧掃描線驅動電路
130A‧‧‧掃描線
140‧‧‧像素驅動電路
210‧‧‧曝露區
220‧‧‧撓性印刷電路
300‧‧‧影像顯示螢幕區段
310‧‧‧前面板
320‧‧‧濾光器玻璃
410‧‧‧發光區段
420‧‧‧顯示區段
430‧‧‧選單開關
440‧‧‧快門按鈕
510‧‧‧主體
520‧‧‧鍵盤
530‧‧‧顯示區段
610‧‧‧主體區段
620‧‧‧透鏡
630‧‧‧開始/停止開關
640‧‧‧顯示區段
710‧‧‧上部外殼
720‧‧‧下部外殼
730‧‧‧連接區段(鉸鏈區段)
740‧‧‧顯示器
750‧‧‧子顯示器
760‧‧‧圖像燈
770‧‧‧相機
Cs‧‧‧電容器
GND‧‧‧第二電源線
Id‧‧‧驅動電流
Tr1‧‧‧電晶體
Tr2‧‧‧電晶體
Vcc‧‧‧第一電源線
圖1係展示根據本發明之一實施例之一顯示器之一實例性組態之一剖視圖。
圖2A及圖2B係圖1中所圖解說明之顯示器之平面圖。
圖3A至圖3C係展示若干材料之紫外射線(UV)透射率之特性圖。
圖4係展示UV照射量與臨限位準之間的一關係之一特性圖。
圖5係圖1中所圖解說明之顯示器之一方塊圖。
圖6係展示圖5中所圖解說明之顯示器之一實例性像素驅動電路之一圖。
圖7係圖1中所圖解說明之顯示器之一部分之一剖視圖。
圖8係展示製造圖1中所圖解說明之顯示器之一方法之一流程之一圖表。
圖9A至圖9D係以程序次序展示圖8中所圖解說明之製造方法之剖視圖。
圖10A至圖10D係展示在圖9D之程序之後的程序之剖視圖。
圖11A至圖11C係展示在圖10D之程序之後的程序之剖視圖。
圖12係根據一比較實例之一TFT之一特性圖。
圖13係根據該比較實例之一顯示器之一示意圖。
圖14係根據本發明之實施例之顯示器之一TFT之一特性圖。
圖15係包括該實施例之顯示器之一模組之一示意性組態之一平面圖。
圖16係展示應用實例1之一外觀之一透視圖。
圖17A係展示如自一正側觀察之應用實例2之一外觀之一透視圖，且圖17B係展示如自一背側觀察之應用實例2之一外觀之一透視圖。
圖18係展示應用實例3之一外觀之一透視圖。
圖19係展示應用實例4之一外觀之一透視圖。
圖20A係應用實例5處於一展開狀態中之一正視圖，圖20B係其一側視圖，圖20C係處於一摺疊狀態中之一正視圖，圖20D係一左側視圖，圖20E係一右側視圖，圖20F係一俯視圖，且圖20G係一仰視圖。
1‧‧‧顯示器
2‧‧‧像素區
3‧‧‧框架區
4‧‧‧終端區段
5‧‧‧遮光膜
5a‧‧‧凹入部分
10‧‧‧薄膜電晶體
11‧‧‧基板
17‧‧‧SiO2膜
18‧‧‧平坦化膜
20‧‧‧有機發光裝置
21‧‧‧下部電極
22‧‧‧分割壁
23‧‧‧有機層
24‧‧‧上部電極
25‧‧‧保護膜
26‧‧‧接合層
27‧‧‧密封基板
27A‧‧‧彩色濾光器
27AB‧‧‧藍色濾光器
27AR‧‧‧紅色濾光器
27AG‧‧‧綠色濾光器
27B‧‧‧黑色矩陣
31‧‧‧提取電極
32‧‧‧各向異性導電膜
33‧‧‧膜上覆晶片
34‧‧‧驅動器IC
35A‧‧‧防潮增強型材料
35B‧‧‧防潮增強型材料

Claims (19)

  1. 一種顯示器，其包含：一電晶體，其位於一像素區中；一遮光材料，其位於該像素區之外，該遮光材料之至少一部分相對於該電晶體橫向地定位以覆蓋該電晶體之一側面之至少一部，以藉此抑制光入射於該電晶體上；及一樹脂，其位於該像素區及該遮光材料之外，使得該遮光材料係位在該電晶體及該樹脂之間，其中該遮光材料包括在該遮光材料之一外部光入射側上的複數個凹入部分。
  2. 如請求項1之顯示器，其中該電晶體係一薄膜電晶體。
  3. 如請求項1之顯示器，其中該電晶體包括一個氧化物半導體。
  4. 如請求項1之顯示器，其進一步包含：一發光裝置，其中該發光裝置及該電晶體係在該像素區中。
  5. 如請求項4之顯示器，其中該遮光材料覆蓋該電晶體之面向該顯示器之一周邊之一側且覆蓋該發光裝置之面向該顯示器之該周邊之一側。
  6. 如請求項1之顯示器，其進一步包含一發光裝置，其中該遮光材料覆蓋該發光裝置之一上部側。
  7. 如請求項1之顯示器，其進一步包含： 一發光裝置；及一絕緣層，其在該發光裝置與該電晶體之間，其中該遮光材料提供於該絕緣層之一側上。
  8. 如請求項1之顯示器，其進一步包含：一發光裝置；及一保護層，其提供於該發光裝置上方，其中該遮光材料提供於該保護層之一上部側及一周邊側中之至少一者上。
  9. 如請求項1之顯示器，其中不規則部提供於該遮光材料之一表面上。
  10. 如請求項1之顯示器，其中該遮光材料係氧化鈦及氧化鋅中之至少一者。
  11. 如請求項1之顯示器，其進一步包含：一發光裝置；及一接觸層，其與該發光裝置及該電晶體接觸，其中該遮光材料處於等於或高於其中該接觸層接觸該電晶體之一位置處。
  12. 如請求項1之顯示器，其中該遮光材料之一底側與該電晶體之一底側共平面。
  13. 如請求項1之顯示器，其進一步包含：一膜上覆晶片，其中該遮光材料提供於該膜上覆晶片與該電晶體之間。
  14. 如請求項1之顯示器，其進一步包含：一絕緣層，及 一發光裝置，其中該遮光材料提供於該絕緣層之一側上及該發光裝置周圍。
  15. 如請求項1之顯示器，其進一步包含：一發光裝置，其中該遮光材料提供於該發光裝置之一高度處。
  16. 一種製造一顯示器之方法，其包含：形成位於一像素區中之一電晶體；形成位於該像素區之外之一遮光材料，該遮光材料之至少一部分相對於該電晶體橫向地定位以覆蓋該電晶體之一側面之至少一部，以藉此抑制光入射於該電晶體上；及形成位於該像素區及該遮光材料之外之一樹脂，使得該遮光材料係位在該電晶體及該樹脂之間，其中該遮光材料包括在該遮光材料之一外部光入射側上的複數個凹入部分。
  17. 一種電子設備，其包含：一電晶體，其定位於一像素區中；一遮光材料，其位於該像素區之外，該遮光材料之至少一部分相對於該電晶體橫向地定位以覆蓋該電晶體之一側面之至少一部，以藉此抑制光入射於該電晶體上；及一樹脂，其位於該像素區及該遮光材料之外，使得該遮光材料係位在該電晶體及該樹脂之間， 其中該遮光材料包括在該遮光材料之一外部光入射側上的複數個凹入部分。
  18. 如請求項17之電子設備，其進一步包含：一顯示器。
  19. 如請求項18之電子設備，其中該顯示器係一OLED、電子紙及一液晶顯示器中之任一者。
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