CN103474573B - 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，用以减小薄膜晶体管中的暗电流，改善因暗电流所引起的不良显示，同时不影响对薄膜晶体管的检测。其中，所述阵列基板包括衬底基板、在衬底基板上交叉布置的扫描线、数据线以及由扫描线和数据线划分出的呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，所述阵列基板还包括设置在所述衬底基板和有源层之间的、用于阻挡照射在有源层上的光的感光层，所述感光层位于每一像素单元的非显示区域。

Description

薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。TFT-LCD在各种大中小尺寸的产品上得到了广泛的应用，几乎涵盖了当今信息社会的主要电子产品，如液晶电视、高清晰度数字电视、电脑、手机、车载显示、投影显示、摄像机、数码相机、电子手表、计算器、电子仪器、仪表、公共显示和虚幻显示等。

TFT-LCD由液晶显示面板、驱动电路以及背光模组组成，液晶显示面板是TFT-LCD的重要部分。液晶显示面板是通过在阵列基板和彩膜基板之间注入液晶，四周用封框胶密封，然后在阵列基板和彩膜基板上分别贴敷偏振方向相互垂直的偏振片等过程形成的。参见图1和图2，图1为现有技术中阵列基板的平面结构示意图，图2为沿图1中A-A′方向的阵列基板的剖面结构示意图；从图1和图2中可以看出，所述阵列基板包括衬底基板100，在衬底基板100上交叉设置的扫描线101和数据线102，以及呈矩阵式排列的薄膜晶体管10和像素电极108；其中，所述薄膜晶体管10包括栅极103、栅绝缘层104、有源层105、源极106和漏极107。

但是，在所述薄膜晶体管的结构设计工艺中，特别是形成有源层105的工艺设计中，存在有源层残留是很难避免的，处于源极和漏极周边区域下方的部分有源层受到光照影响，将会产生电子-空穴对；即便是在薄膜晶体管关闭的状态下，也会存在较大的暗电流（Ioff），参见图3，从图3中可以看出，随着光照的增强，在一定范围内Ioff电流值呈现线性增大的趋势，且不同区域的薄膜晶体管的Ioff的特性也有较大的差异；在来自背光源的光照较强的情况下，不同区域的薄膜晶体管保持电荷的能力不同；Ioff越大，对薄膜晶体管的影响就会越大，导致薄膜晶体管液晶显示器的面域特性不均，形式闪烁不均；同时，在施加正负电压值时，Ioff对于正负电压的影响程度不一样，造成的正负电压不对称，长时间处在正负电压不对称的工作状态下会形成直流电压残留，最终造成影像残留；相对无光照或光照较弱的情况，在光照较强的情况下由于Ioff过大所引起的薄膜晶体管的保持电荷会造成灰阶差异，而且能够被肉眼识别，在利用背光源脉冲宽度调制技术调制背光源时，将会在显示面板上看到扫描纹干扰。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，用以减小薄膜晶体管中的暗电流，改善因暗电流所引起的不良显示，同时不影响对薄膜晶体管的检测。

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于衬底基板上并包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，所述薄膜晶体管还包括：设置在衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域。

所述薄膜晶体管中，设置有位于衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域，所述感光层能够吸收进入到薄膜晶体下方区域内的光变为不透明状态，进而使得来自背光源的光无法照射到有源层，因此在有源层中不会产生由光照所引起的电子-空穴对，进而使得暗电流减小，消除由暗电流所引起的不良显示；同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于检测和分析薄膜晶体管的不良问题。

较佳的，所述感光层覆盖每一像素单元的非显示区域，用于将照射到所述漏极和所述源极之间的区域的部分光线遮住，有利于进一步减小薄膜晶体管的暗电流。

较佳的，所述有源层位于所述感光层的上方区域，使得所述有源层下方的光全部被遮住，有效的防止来自背光源的光照射到有源层上。

较佳的，所述感光层的材料为光致变色材料，所述光致变色材料，在有光照较强的条件下，会变为不透明状态，可以有效的阻挡来自背光源的光的透过；在光照较弱的条件下，所述光致变色材料为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

较佳的，所述光致变色材料通过将卤化银与微量铜的微颗粒混合在透明绝缘材质中形成；或者，所述光致变色材料通过将氧化物、氧化锰、二氧化钛等过渡金属氧化物添加到透明绝缘材质中形成。

较佳的，所述光致变色材料为有机光致变色材料。

较佳的，所述栅极位于所述衬底基板的上方；所述栅绝缘层位于所述栅极所在层的上方；所述有源层位于所述栅绝缘层的上方；所述源极和漏极同层设置，位于所述有源层的上方；所述感光层位于所述有源层与所述栅绝缘层之间，或者所述感光层位于所述栅绝缘层与所述栅极之间，或者所述感光层位于所述栅极与所述衬底基板之间。

从而在底栅结构的薄膜晶体管中，包括设置在有源层和衬底基板之间的、用于阻挡照射在有源层上的来自背光源的光的感光层，所述感光层能够有效的阻挡照射在有源层上的来自背光源的光，进而达到减小暗电流，降低暗电流对薄膜晶体管的影响，提高画面显示质量的目的；同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

或者，所述源极和漏极同层设置，位于所述衬底基板的上方；所述有源层位于所述源极和漏极所在层的上方；所述栅绝缘层位于所述有源层的上方；所述栅极位于所述栅绝缘层的上方；所述感光层位于所述衬底基板与所述源极和漏极所在层之间。此外，当所述有源层位于所述源极和漏极所在层的下方时，所述感光层位于所述衬底基板与有源层之间。

从而在顶栅结构的薄膜晶体管中，包括设置在有源层和衬底基板之间的、用于阻挡照射在有源层上的光的感光层，所述感光层能够有效的阻挡照射在有源层上的光，进而达到减小暗电流，降低暗电流对薄膜晶体管的影响，提高画面显示质量的目的；同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列包括多个呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，其中，所述薄膜晶体管为上述的薄膜晶体管。

本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

本发明实施例提供了一种在衬底基板上制备薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：形成栅极的步骤，形成栅绝缘层的步骤，形成有源层的步骤，形成源极和漏极的步骤，其中，在形成有源层的步骤之前，所述方法还包括形成用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层的步骤，使得所述感光层形成在衬底基板和有源层之间，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域。

利用上述方法制备的薄膜晶体管中，设置有位于衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层在光照较强的条件下变为不透明状态，使得光无法照射到有源层，有源层不会产生由光照所引起的电子-空穴对，进而使得薄膜晶体管中的暗电流减小，由暗电流所引起的不良显示得到明显的改善；同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

利用上述制备方法，可形成底栅式薄膜晶体管和顶栅式薄膜晶体管，其中，形成底栅式薄膜晶体管的方法包括：在衬底基板上形成包括栅极的图形；在所述包括栅极的图形的上方形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方形成包括有源层的图形；在所述包括有源层的图形的上方形成包括源极和漏极的图形；

所述底栅式薄膜晶体管的方法还包括，在所述衬底基板上形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述衬底基板与栅极所在层之间；或者，在所述包括栅极的图形的上方形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述栅极所在层与栅绝缘层之间；或者，在所述栅绝缘层的上方形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述栅绝缘层和有源层之间。

经过上述步骤，可形成三种不同结构的底栅式薄膜晶体管结构，所述三种不同结构的底栅式阵列基板中，均包括位于衬底基板和有源层之间的感光层，用于阻挡照射在有源层上的光，进而达到减小暗电流，改善不良显示的目的；同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

进一步的，形成顶栅式薄膜晶体管的方法包括：在所述衬底基板上形成包括感光层的图形；在所述包括感光层的图形的上方形成包括源极和漏极的图形；在所述包括源极和漏极的图形的上方形成包括有源层的图形；在所述包括有源层的图形的上方形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方形成包括栅极的图形；在所述衬底基板上形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述源极和漏极所在层与衬底基板之间。

此外，在形成顶栅式薄膜晶体管的过程中，当形成有源层的步骤先于所述形成源极和漏极的步骤时，所述形成感光层的步骤具体包括：在所述包括有源层的图形的上方形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述衬底基板与有源层之间。

经过上述步骤，可形成两种不同结构的顶栅式薄膜晶体管结构，所述两种不同结构的顶栅式阵列基板中，均包括位于衬底基板和有源层之间的感光层，用于阻挡照射在有源层上的光，达到减小暗电流，改善不良显示问题的目的；同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

附图说明

图1为现有技术中的一种阵列基板的平面结构示意图；

图2为沿图1中A-A′方向的阵列基板的剖面结构示意图；

图3为不同区域内暗电流与背光源亮度关系示意图；

图4为本发明实施例一提供的一种阵列基板的平面结构示意图；

图5为沿图4中B-B′方向的阵列基板的剖面结构示意图；

图6为本发明实施例二提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图7为本发明实施例三提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图8为本发明实施例四提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图9为本发明实施例五提供的一种阵列基板的剖面结构示意图；

图10为完成感光层制作的阵列基板的剖面结构示意图；

图11为完成栅极和栅绝缘层制作的阵列基板的剖面结构示意图；

图12为完成有源层、数据线、源极和漏极制作的阵列基板的剖面结构示意图；

图13为制备实施例二提供的阵列基板的流程示意图；

图14为制备实施例三提供的阵列基板的流程示意图；

图15为制备实施例四提供的阵列基板的流程示意图；

图16为制备实施例五提供的阵列基板的流程示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板，用以减小薄膜晶体管中的暗电流，改善因暗电流所引起的不良显示，同时不影响对薄膜晶体管的检测。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的薄膜晶体管形成于衬底基板上并包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，以及设置在衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域。

下面以包含所述薄膜晶体管的阵列基板为例，同时对本发明实施例提供的薄膜晶体管和阵列基本的结构进行更加清楚、完整的描述。

本发明实施例一提供了一种阵列基板，参见图4和图5，图4为本发明实施例一提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图5为沿图4中B-B′方向的阵列基板的剖面结构示意图。结合图4和图5，可以看出所述阵列基板包括：衬底基板100、在所述衬底基板100上交叉设置的扫描线101和数据线102，以及呈矩阵排列的薄膜晶体管10和像素电极108；其中，所述薄膜晶体管10包括：栅极103、栅绝缘层104、有源层105、源极106和漏极107；所述薄膜晶体管10还包括设置在有源层105和衬底基板100之间的、用于阻挡照射在有源层上的背光的感光层401。

具体的，所述感光层401，位于所述衬底基板100与所述栅极103所在层之间，至少覆盖每一像素单元的薄膜晶体管10的有源层所在的部分，并优选地覆盖每一像素单元的非显示区域，以保证尽量减少进入到薄膜晶体管中的背光，进而减小薄膜晶体管10中的暗电流。

所述感光层401采用光致变色材料制作，所述光致变色材料是通过将卤化银与微量铜的微颗粒混合在透明绝缘材质中形成的，所述光致变色材料还可以通过将氧化物、氧化锰、二氧化钛等过渡金属氧化物添加到透明绝缘材质中形成，此外，所述光致变色材料还可以为有机光致变色材料；所述感光层401可以吸收进入到薄膜晶体10下方区域内的来自背光源的光，变为不透明状态，使得来自背光源的光无法照射到有源层105，因此有源层105不会产生由光照所引起的电子-空穴对，进而使得暗电流减小，消除由暗电流所引起的不良显示。

同时，在光照较弱的条件下，所述感光层401为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于分析和检测薄膜晶体管的不良问题。

所述栅极103与扫描线101同层设置，均位于所述衬底基板100的上方，且所述栅极103与所述扫描线101采用相同的制作材料，所用制作材料一般为铬（Cr）、钨（W）、钛（Ti）、钼（Mo）、铝（Al）、铜（Cu）等非透明金属及其合金。

所述栅绝缘层104位于所述栅极103与扫描线101所在层的上方，覆盖所述栅极103与扫描线101的上方区域，用于将所述栅极103和扫描线101与其它层绝缘。

所述有源层105位于所述栅绝缘层的上方，且所述有源层105位于所述感光层401的上方区域。

所述源极106和漏极107与数据线102同层设置，均位于所述有源层105所在层的上方，且采用相同的制作材料；

所述数据线102与所述源极106电连接；

所述源极106和漏极107位于所述有源层105上方的相对两侧。

所述像素电极108，位于所述数据线102、源极106和漏极107所在层的上方区域，所述像素电极108和所述漏极107电连接，所述像素电极108一般采用氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌等透明导电氧化物材料制作。

进一步的，所述阵列基板中还包括钝化层109，所述钝化层109设置在所述数据线102、源极106和漏极107所在层的上方，覆盖薄膜晶体管10的上方区域，用于保护薄膜晶体管10不被腐蚀；所述钝化层109采用氧化硅或氮化硅等透明绝缘材料制作。并且，所述钝化层中设置有过孔110，所述像素电极108和所述漏极107通过所述过孔110电连接。

需指出的是，所述像素电极108还可以与所述数据线102、源极106和漏极107同层设置，所述像素电极108与所述漏极107直接电连接，可进一步简化制作工艺，节约制作成本。

本发明实施例二提供了一种阵列基板，其剖面结构如图6所示，从图6中可以看出，所述阵列基板与实施例一提供的、结构如图5所示的阵列基板的结构基本相同，两者的区别之处在于：图5所示的阵列基板中，薄膜晶体管10的感光层401位于所述衬底基板100与扫描线101、栅极103所在层之间，而图6所示的阵列基板中，薄膜晶体管10的所述感光层401位于所述扫描线101和栅极103所在层与栅绝缘层104之间。

本发明实施例三提供了一种阵列基板，其剖面结构如图7所示，从7中可以看出，该阵列基板和图5所示的阵列基板的结构基本相同，两者的区别之处在于：图5所示的阵列基板中，薄膜晶体管10的感光层401位于所述衬底基板100与扫描线101、栅极103所在层之间，而图7所示的阵列基板中，所述薄膜晶体管10的感光层401位于所述栅绝缘层104与有源层105所在层之间。

本发明实施例四还提供了一种阵列基板，其剖面结构如图8所示，从8中可以看出，该阵列基板和图5所示的阵列基板的结构基本相同，两者的区别之处在于：图5所示的阵列基板中的薄膜晶体管为底栅式薄膜晶体管结构，而图8所示的阵列基板中的薄膜晶体管为顶栅式薄膜晶体管结构，具体的，图8所示的阵列基板中，所述源极106、漏极107和数据线102同层设置，位于所述衬底基板100的上方；所述有源层105位于所述源极106、漏极107和数据线102所在层的上方；所述栅绝缘层104位于所述有源层105的上方；所述栅极103位于所述栅绝缘层104的上方；所述感光层401位于所述衬底基板100与所述源极106、漏极107和数据线102所在层之间。

本发明实施例五还提供了一种阵列基板，其剖面结构如图9所示，从9中可以看出，该阵列基板和图8所示的阵列基板的结构基本相同，两者的区别之处在于：图8所示的阵列基板中，所述源极106、漏极107和数据线102所在层位于感光层401的上方、有源层105的下方，而图9所示的阵列基板中，所述有源层105位于感光层401的上方，所述源极106、漏极107和数据线102所在层位于所述有源层105的上方、栅绝缘层104的下方。

上述实施例一、实施例二、实施例三、实施例四和实施例五提供的阵列基板中的薄膜晶体管，均包括位于所述衬底基板与有源层所在层之间的感光层，在较强的光照条件下所述感光层为不透明状态，能够阻挡照射到有源层上的光，使得光无法照射到有源层，因此在有源层中不会产生由光照所引起的电子-空穴对，进而使得薄膜晶体管的暗电流减小，由暗电流所引起的不良显示得到改善；同时，在较弱的光照条件下，所述感光层为透明状态，便于检测和分析薄膜晶体管的不良问题。

本发明实施例提供了一种用于在衬底基板上制备薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：形成栅极的步骤，形成栅绝缘层的步骤，形成有源层的步骤，形成源极和漏极的步骤，其中，在形成有源层的步骤之前，所述方法还包括形成用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层的步骤，使得所述感光层形成在衬底基板和有源层之间，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域。

下面以本发明实施例一提供的阵列基板为例，详细介绍实际制备工艺中，所述阵列基板的制备方法中包括了所述薄膜晶体管的制备方法，所述阵列基板的制备方法具体包括：

第一步，参见图10，在衬底基板100上涂覆一层光致变色材料，然后利用构图工艺，形成包括感光层401的图形；其中，所述光致变色材料是通过将卤化银或其他光敏材料均匀混合在透明绝缘基材中形成的。

第二步，参见图11，在所述包括感光层401的图形的上方沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺处理，形成包括扫描线101和栅极103的图形，所述用于形成金属薄膜的材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等非透明金属及其合金。

第三步，参见图11，在所述包括扫描线101和栅极103的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅层，形成栅绝缘层104，所述栅绝缘层104用于覆盖所述扫描线101和栅极103的上方区域，用于将扫描线101和栅极103与其它层绝缘。

第四步，参见图12，在所述栅绝缘层104的上方沉积非晶硅半导体材料，然后通过构图工艺形成包括有源层105的图形。

第五步，参见图12，在所述包括有源层105的图形成源漏金属薄膜，然后通过构图工艺，形成包括数据线102、源极106和漏极107的图形。

第六步，参见图5，在所述包括数据线102、源极106和漏极107的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅层，形成钝化层109，用于保护薄膜晶体管不被腐蚀；并且，利用构图工艺在该钝化层109中形成过孔110，所述过孔110贯穿所述钝化层109、与漏极107的位置相对应。

第七步，参见图5，在所述钝化层109的上方使用磁控溅射法沉积一层氧化铟锡透明导电薄膜，并通过构图工艺，形成包括像素电极108的图形，所述像素电极108与所述漏极107通过所述过孔110电连接。

经过上述步骤，即形成本发明实施例一提供的、结构如图5所示的阵列基板。

需指出的是，在上述制备阵列基板的过程中，也可先形成包括像素电极108的图形，然后再形成钝化层108，使得像素电极108与所述源极106和漏极107同层设置，且所述像素电极108与漏极107直接电连接，可进一步简化制作工艺，节约制作成本。

对于本发明实施例二提供的阵列基板，其制备方法与制备本发明实施例一提供的阵列基板的方法类似，不同之处在于，参见图13，所述形成薄膜晶体管的感光层的步骤位于形成扫描线和栅极的步骤之后、形成栅绝缘层的步骤之前，具体的，在形成本发明实施例二提供的阵列基板时，首先在衬底基板上形成包括扫描线101和栅极103的图形，然后在包括扫描线101和栅极103的图形的上方形成包括感光层401的图形，在所述包括感光层401的图形的上方形成栅绝缘层104。

对于本发明实施例三提供的阵列基板，其制备方法与制备本发明实施例一提供的阵列基板的方法类似，不同之处在于，参见图14，在制作实施例三提供的阵列基板的过程中，所述形成薄膜晶体管的感光层的步骤位于形成栅绝缘层的步骤之后、形成包括有源层的图形之前，具体的：在衬底基板100上形成包括扫描线101和栅极103的图形，在所述包括扫描线101和栅极103的图形的上方形成栅绝缘层104，在所述栅绝缘层104的上方形成包括感光层401的图形，在所述包括感光层401的图形的上方形成包括有源层105的图形。

对于本发明实施例四提供的阵列基板，其制备方法与所述制备本发明实施例一提供的阵列基板的方法类似，不同之处在于，参见图15，形成薄膜晶体管的栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层的过程包括：

在包括感光层101的图形的上方形成源漏金属薄膜，然后通过构图工艺，形成包括数据线102、源极106和漏极107的图形。

在所述包括数据线102、源极106和漏极107的图形的上方沉积非晶硅半导体材料，然后通过构图工艺形成包括有源层105的图形。

在所述包括有源层105的图形的上方沉积氮化硅或氧化硅层，形成栅绝缘层104，所述栅绝缘层104用于覆盖所述数据线102、有源层105、源极106和漏极107的上方区域，用于将数据线102、有源层105、源极106和漏极107与其它层绝缘。

在所述栅绝缘层104的上方沉积一层金属薄膜，然后通过构图工艺处理，形成包括扫描线101和栅极103的图形，所述用于形成金属薄膜的材料为Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等非透明金属及其合金。

对于本发明实施例五提供的阵列基板，其制备方法与制备本发明实施例四提供的阵列基板的方法类似，不同之处在于，参见图16，形成所述有源层的步骤先于形成所述数据线、源极和漏极的步骤，具体的：在包括感光层401的图形的上方沉积非晶硅半导体材料，然后通过构图工艺形成包括有源层105的图形，在所述包括有源层105的图形的上方形成包括数据线102、源极106和漏极107的图形。

需指出的是，在本发明中，所述构图工艺，可以只包括光刻工艺，或者，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。

本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板。

综上，本发明实施例提供的阵列基板中，包括位于衬底基板和有源层之间的、用于阻挡照射在有源层上的光的感光层，所述感光层在光照较强的条件下为不透明状态，使得光无法照射到有源层，有源层不会产生由光照所引起的电子-空穴对，进而使得薄膜晶体管的暗电流减小，由暗电流所引起的不良显示得到明显的改善。同时，在光照较弱的条件下，所述感光层为透明状态，有利于清晰地观察薄膜晶体管的结构，便于检测和分析薄膜晶体管的不良问题。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成于衬底基板上并且包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极和有源层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

设置在衬底基板和有源层之间的、用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域；

其中，所述感光层的材料为光致变色材料，所述感光层可在透光与非透光之间切换。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述感光层覆盖每一像素单元的非显示区域。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层位于所述感光层的上方区域。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光致变色材料通过将卤化银与微量铜的微颗粒混合在透明绝缘材质中形成；或者，所述光致变色材料通过将过渡金属氧化物添加到透明绝缘材质中形成。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述光致变色材料为有机光致变色材料。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述栅极位于所述衬底基板的上方；

所述栅绝缘层位于所述栅极所在层的上方；

所述有源层位于所述栅绝缘层的上方；

所述源极和漏极同层设置，位于所述有源层的上方；

所述感光层位于所述有源层与所述栅绝缘层之间，或者所述感光层位于所述栅绝缘层与所述栅极之间，或者所述感光层位于所述栅极与所述衬底基板之间。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述源极和漏极同层设置，位于所述衬底基板的上方；

所述有源层位于所述源极和漏极所在层的上方；

所述栅绝缘层位于所述有源层的上方；

所述栅极位于所述栅绝缘层的上方；

所述感光层位于所述衬底基板与所述源极和漏极所在层之间。

8.一种阵列基板，所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，所述像素单元内设置有薄膜晶体管和像素电极，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1～7任一权项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求8所述的阵列基板。

10.一种在衬底基板上制备薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：

形成栅极的步骤，

形成栅绝缘层的步骤，

形成有源层的步骤，

形成源极和漏极的步骤，

其特征在于，在形成有源层的步骤之前，所述方法还包括形成用于阻挡从所述衬底基板侧入射并射向有源层的光的感光层的步骤，使得所述感光层形成在衬底基板和有源层之间，所述感光层至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层所在的区域；

其中，所述感光层的材料为光致变色材料，所述感光层可在透光与非透光之间切换。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法具体包括：

在衬底基板上形成包括栅极的图形；

在所述包括栅极的图形的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成包括有源层的图形；

在所述包括有源层的图形的上方形成包括源极和漏极的图形。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述衬底基板上形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述衬底基板与栅极所在层之间；

或者，在所述包括栅极的图形的上方形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述栅极所在层与栅绝缘层之间；

或者，在所述栅绝缘层的上方形成包括感光层的图形，所述感光层位于所述栅绝缘层和有源层之间。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的制备方法具体包括：

在所述衬底基板上形成包括感光层的图形；

在所述包括感光层的图形的上方形成包括源极和漏极的图形；

在所述包括源极和漏极的图形的上方形成包括有源层的图形；

在所述包括有源层的图形的上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层的上方形成包括栅极的图形。