CN101907807B - 具有氧化物薄膜晶体管的显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种具有氧化物薄膜晶体管(TFT)的显示器。在用半色调掩模刻蚀像素区的氧化物半导体层时，栅焊盘区的氮化物的栅绝缘层也被刻蚀，金属层形成在被刻蚀的栅绝缘层的接触孔，随后将形成在上面的钝化层刻蚀。因此，可以防止在刻蚀栅绝缘层时钝化层的突出部分的出现，从而简化了制造工艺。

Description

具有氧化物薄膜晶体管的显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种具有氧化物薄膜晶体管(TFT)的显示器及其制造方法，更具体地，涉及一种能够通过在栅焊盘上形成源金属层来简化制造工艺以及降低制造成本的具有氧化物TFT的显示器及其制造方法。
背景技术
近来，诸如移动电话、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑等各种便携式电子设备的发展引起了对高图像质量的大的显示设备以及轻、薄、短和小的显示设备的需求的增长，因此，平板显示器(FED)得到普遍应用。FED包括液晶显示器(LCD)或等离子体显示器(PDP)，最近，由于LCD可以大规模地生产、具有易于驱动的驱动单元、实现高质量的图像以及在低功耗下驱动驱动单元，因此LCD获得了很多的关注。
LCD包括滤色器基板、阵列基板和形成在滤色器基板与阵列基板之间的液晶层。
普遍应用于LCD的有源矩阵(AM)驱动方法是利用非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)作为开关元件来驱动像素部分的液晶分子的方法。
下面将参照图1描述常规LCD的结构。
图1是示意性示出常规LCD的分解透视图。如图1所示，LCD包括滤色器基板5、阵列基板10和形成在滤色器基板5与阵列基板10之间的液晶层30。
滤色器基板5包括具有多个子滤色器7的滤色器(C)、黑矩阵6和透明公共电极8。这些子滤色器7实现红、绿和蓝的颜色，黑矩阵6分隔子滤色器7并阻挡光透过液晶层30，透明公共电极8提供电压给液晶层30。
阵列基板10包括垂直和水平排列以限定多个像素区(P)的栅线16和数据线17、形成在栅线16和数据线17的各个交叉处的开关元件TFT(T)以及形成在像素区(P)的像素电极18。
栅焊盘18和数据焊盘19形成在每条栅线16和数据线17的末端部分。栅驱动电路和数据驱动电路与栅焊盘18和数据焊盘19连接，以通过栅线16和数据线17提供扫描信号和图像信号。
用形成在滤色器基板5和阵列基板10的图像显示区的边缘的密封胶(未示出)将滤色器基板5和阵列基板10以面对的方式贴附在一起来形成液晶面板，用形成在滤色器基板5或阵列基板10上的贴附标记(attachment key)来完成滤色器基板5与阵列基板10的贴附。
LCD主要使用非晶硅作为开关元件。由于非晶硅的制造成本较低并可以在低温下制造，所以通常应用为LCD的开关元件。
然而，非晶硅具有较小的迁移率和较差的电学性能，因此在用非晶硅制造大的高质量显示器时，它的图像质量下降。所以，为了解决这个问题，用多晶硅来制造TFT，但是多晶硅制成的TFT的制造成本较高，在用于制造大尺寸显示器时很难具有一致的性能，并且需要在较高的温度下进行它的制造工艺。此外，与非晶硅类似，多晶硅也具有较差的电学性能。
于是，在近来解决这个问题的研究成果中，提出了采用氧化物半导体的氧化物TFT。氧化物TFT的制造工艺在低温下进行，并且与多晶硅相比，氧化物TFT具有较好的电学性能。因此，在将氧化物TFT应用于LCD时，它们具有在较少的花费下就获得一致的性能的优势。
图2是图1的LCD的截面图，示出了具有作为开关元件的氧化物TFT的LCD的结构。在图中，为了图示的简明清晰，将实际上实现图像的像素区和与外电路连接以给像素区提供信号的焊盘区分开表示。
如图2所示，LCD包括彼此面对的第一基板20和第二基板40以及形成在第一基板20与第二基板40之间的液晶层30。
第一基板20是阵列基板，氧化物TFT(T)形成在阵列基板的像素区上。TFT(T)包括形成在第一基板20上的栅电极21、形成在第一基板20的整个表面上以覆盖栅电极21的栅绝缘层26、形成在栅绝缘层26上的氧化物半导体层22以及形成在氧化物半导体层22上的源电极23和漏电极24。钝化层28形成在第一基板20的整个表面上以覆盖TFT(T)。
在第一基板20上的焊盘区，形成有栅焊盘18和形成在栅焊盘18上以防止栅焊盘18在工艺处理中被氧化的透明导电层29a。虽然未示出，但是数据焊盘和透明导电层形成在焊盘区的栅绝缘层26上，外信号输入到该焊盘区。
像素电极29形成在钝化层28上。像素电极29经由形成在钝化层28上的接触孔与TFT的漏电极24电连接，以通过氧化物TFT(T)提供图像信号。
实现实际颜色的滤色器层7形成在第二基板40的像素区上，黑矩阵42阻挡光透射到像素区的非显示区和焊盘区。
然而，具有这样的氧化物半导体层的现有技术LCD存在下述问题。
即，在现有技术LCD中，栅绝缘层26由诸如SiNx的无机氮化物绝缘材料制成，钝化层28由诸如SiO2的无机氧化物绝缘材料制成。采用SiNx作为栅绝缘层26的材料和采用SiO2作为钝化层28的材料的原因如下。在氧化物半导体层22中电子实际流过的沟道层沿着氧化物半导体层22的上表面形成。因此，若采用SiNx而不是SiO2作为与氧化物半导体层22的上表面接触的钝化层28的材料，则氧从氧化物半导体层22与钝化层28的界面处被俘获到钝化层28，从而在界面处附近(即氧化物半导体层22的上表面附近)的结晶性(即晶体性质)下降。这种结晶性的下降导致相应区域的电导率下降，于是氧化物TFT的性能退化。为此，氧化物TFT的栅绝缘层26由诸如SiNx的无机氮化物绝缘材料制成，而钝化层28由诸如SiO2的无机氧化物绝缘材料制成。
在这种情况下，用干法刻蚀方法刻蚀无机氮化物绝缘材料，而用湿法刻蚀方法刻蚀无机氧化物绝缘材料。因此，在栅绝缘层26和钝化层28在焊盘区时，刻蚀方法的差异导致了工艺处理中的问题。图3a至3e示出了栅绝缘层26和钝化层28的刻蚀处理步骤。基本上，在形成像素区的氧化物TFT(T)之后，在形成用于电连接氧化物TFT(T)的漏电极23与像素电极29的接触孔的过程中，将栅绝缘层26和钝化层28刻蚀，但是，为使简明清晰，仅参考附图描述在焊盘区的栅绝缘层26和钝化层28的刻蚀。
参见图3a，在沉积于第一基板20上的焊盘区的栅绝缘层26和钝化层28上形成光刻胶层54a，如图3b所示用光刻掩模将光刻胶显影以形成光刻胶图案54b。随后，将刻蚀液提供到被光刻胶图案54b遮挡的钝化层以刻蚀钝化层28。
随后，当如图3c所示将刻蚀气体提供到暴露的栅绝缘层26时，如图3d所示栅绝缘层26被刻蚀以使栅焊盘18暴露。这里，在用刻蚀气体刻蚀栅绝缘层26时，栅绝缘层26被各向同性地刻蚀，如图3d所示在钝化层28下方的栅绝缘层26产生底切(undercut)，于是在钝化层28出现突出部分(A)。
在随后的工艺步骤中形成透明导电层29a时，钝化层28的突出部分(A)造成透明导电层29a的未连接，所以如图3d所示，提供刻蚀液以刻蚀掉形成在钝化层28的突出部分(A)。
随后，如图3e所示，将透明导电材料沉积在除去了突出部分(A)的钝化层28上以形成透明导电层29a。
如上所述，在具有氧化物TFT的现有技术LCD中，在通过刻蚀形成在栅焊盘18上方的栅绝缘层26和钝化层28来暴露栅焊盘18时，不但需要栅绝缘层26的刻蚀和钝化层28的刻蚀的步骤，还要额外地进行除去形成在钝化层28的突出部分(A)的步骤。
发明内容
因此，为了处理上述问题，构想出了此处描述的各种特征。
本发明的一方面提供一种具有氧化物薄膜晶体管(TFT)的显示器及其制造方法，该显示器能够通过在栅焊盘区的栅绝缘层和钝化层之间形成金属层，以防止在刻蚀钝化层时在钝化层出现突出部分来简化工艺过程。
根据本发明的一方面，提供一种制造显示器的方法，包括：提供包括像素区、栅焊盘区和数据焊盘区的第一和第二基板；在所述第一基板的像素区形成栅电极，在所述第一基板的栅焊盘区形成栅焊盘；沉积氮化物的栅绝缘材料和氧化物半导体材料在所述第一基板的整个表面上；刻蚀在所述像素区的氧化物半导体材料以在所述栅电极上方形成氧化物半导体层，刻蚀在所述栅焊盘区的氧化物半导体材料和栅绝缘材料以暴露所述栅焊盘，刻蚀在所述数据焊盘区的氧化物半导体材料；在所述像素区的所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极，在所述栅焊盘区的被暴露栅焊盘上和在栅绝缘层上形成金属层，在所述数据焊盘区形成数据焊盘；在所述第一基板的整个表面上形成钝化层，并刻蚀所述钝化层以在所述漏电极、所述金属层和所述数据焊盘上的钝化层形成接触孔；形成并刻蚀透明导电层以形成与所述像素区的漏电极连接的像素电极，在所述金属层和所述数据焊盘区的所述数据焊盘上形成透明导电层；以及将所述第一和第二基板贴附在一起，液晶层插入在所述第一和第二基板之间。
栅绝缘层由例如SiNx的氮化物的栅绝缘材料或例如SiO2的氧化物的栅绝缘材料形成，氧化物半导体层由含有Zn、In、Ga或它们的混合物的氧化物制成。其中形成氧化物半导体层、暴露栅焊盘区的栅焊盘和刻蚀数据焊盘区的氧化物半导体材料包括：在所述氧化物半导体材料上形成光刻胶层，然后在所述光刻胶的上方设置包括透射区、半透射区和阻挡区的掩模；照射光并显影所述光刻胶以暴露在所述栅焊盘区的栅焊盘上方的氧化物半导体材料；用被显影光刻胶层刻蚀在所述栅焊盘区的被暴露氧化物半导体材料；灰化被显影光刻胶层以暴露部分的像素区以及所述栅焊盘和所述数据焊盘的氧化物半导体材料；以及用被灰化光刻胶层刻蚀被暴露氧化物半导体材料以在所述像素区形成氧化物半导体层，并除去在所述数据焊盘区和所述栅焊盘区的氧化物半导体材料。
根据本发明的另一方面，提供一种显示器，包括：具有像素区、栅焊盘区和数据焊盘区的第一和第二基板；形成在所述第一基板的像素区的氧化物薄膜晶体管，所述氧化物薄膜晶体管包括在所述第一基板上的栅电极、在所述第一基板的整个区域上的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的氧化物半导体层和在所述氧化物半导体层上的源电极与漏电极；在所述第一基板的栅焊盘区和数据焊盘区的栅焊盘和数据焊盘；在所述栅焊盘区的栅绝缘层上并经由所述栅绝缘层中的接触孔与所述栅电极连接的金属层；在所述第一基板的整个区域上的钝化层；在所述像素区的钝化层上的像素电极；分别在所述栅焊盘区和所述数据焊盘区的第一和第二透明导电层；以及在所述第一和第二基板之间的液晶层。
根据本发明的示范性实施例，由于在栅焊盘区的栅绝缘层和钝化层之间形成金属层，以防止在刻蚀栅绝缘层和钝化层时在钝化层出现突出部分，于是可以简化工艺过程并降低制造成本。
根据随后的本发明的详细描绘并结合所附附图，本发明的前述和其它的目标、特征、方面和优点将是更为显而易见的。
附图说明
图1是示意性地表示一般的液晶显示器(LCD)的分解透视图。
图2是表示一般的具有氧化物薄膜晶体管(TFT)的LCD的截面图。
图3a至3e表示一般的具有氧化物TFT的LCD的栅焊盘区的制造工艺。
图4是表示根据本发明的示范性实施例的具有氧化物TFT的LCD的结构的截面图。
图5a至5h表示根据本发明示范性实施例的具有氧化物TFT的LCD的制造方法。
具体实施方式
下面将参考附图描述根据本发明的示范性实施例的具有氧化物薄膜晶体管(TFT)的显示器及其制造方法。
氧化物半导体不但具有比非晶硅大10到100倍的迁移率，还具有约105-107的开关电流比(Ion/Ioff)。氧化物半导体还具有比非晶半导体层大的约3.2至3.4eV的禁带宽度，所以即使在将可见光照射到氧化物半导体时，仍有益地基本没有漏电流产生。
在本发明的示范性实施例中，由于这样的优点，在将氧化物TFT应用于显示器时，通过在栅焊盘上的栅绝缘层和钝化层之间形成金属层来简化工艺过程。
即，金属层形成在氮化物的栅绝缘层和氧化物的钝化层之间以使栅绝缘层和钝化层不连续，这样栅绝缘层的刻蚀和钝化层的刻蚀之间彼此不影响从而简化工艺过程。
本发明的构造可以实施于任意的采用TFT作为开关元件的显示器中，例如，液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等等。在下文的描述中，为了简便将对LCD进行说明。
图4是表示根据本发明的示范性实施例的具有氧化物TFT的LCD的结构的截面图。将像素区、栅焊盘区和数据焊盘区区分开来并进行描述。
如图4所示，根据本发明的示范性实施例的LCD包括第一基板120、第二基板140和形成在第一基板120和第二基板140之间的液晶层130。
氧化物TFT(T)形成在第一基板20的像素区。TFT(T)包括形成在第一基板120上的栅电极121、形成在第一基板120的整个表面上以覆盖栅电极121的栅绝缘层126、形成在栅绝缘层126上的氧化物半导体层122以及形成在氧化物半导体层122上的源电极123和漏电极124。钝化层128形成在第一基板120的整个表面上以覆盖TFT(T)。
氧化物半导体层122由氧化物半导体材料制成。作为氧化物半导体材料，可以采用包括Zn、In、Ga或它们的混合物的氧化物，等等。
栅绝缘层126可以由诸如SiNx或SiO2的各种无机绝缘材料制成，并且由于第一基板120和栅电极121之间的界面特性，栅绝缘层126可以通过沉积SiNx来形成。
由透明导电材料制成的像素电极129形成在钝化层128上。像素电极129经由形成在钝化层128中的接触孔与氧化物TFT(T)的漏电极124电连接。来自外部源的图像信号经由氧化物TFT(T)提供给像素电极129。
钝化层128可以由各种无机绝缘材料制成，例如氮化物的无机绝缘材料或氧化物的无机绝缘材料，如SiNx或SiO2。由于与钝化层128接触的氧化物半导体层122的沟道区的结晶性，最好是使用诸如SiO2的氧化物的绝缘材料。即，如果使用诸如SiNx的氮化物的绝缘材料，与钝化层128接触的氧化物半导体层122的氧被引入到由氮化物的绝缘材料制成的钝化层128，从而在氧化物半导体层122与钝化层128的界面处的氧化物半导体层122的结晶性下降。在制造氧化物TFT时，氧化物半导体层的沟道区形成在氧化物半导体层122与钝化层128的界面附近。因此，区域的结晶性的下降会使沟道区的导电性下降从而降低氧化物TFT的性能。因此，钝化层128最好是由氧化物的绝缘材料制成。
另外，栅焊盘118形成在第一基板120上的栅焊盘区。栅焊盘118连接形成在像素区的栅线和外部栅驱动电路，以将栅驱动电路输出的扫描信号提供给TFT(T)。栅焊盘118可以由与氧化物TFT(T)的栅电极121不同的金属制成，但是为了简化工艺，最好是用相同的金属制成。
栅焊盘118被栅绝缘层126覆盖。除去一部分的栅绝缘层126和钝化层128以形成孔。金属层155形成在栅绝缘层126上以及栅焊盘118上。金属层155可以由与氧化物TFT(T)的源电极123和漏电极124不同的金属制成，但是为了简化工艺，最好是用相同的金属制成。
数据焊盘119形成在第一基板120的数据焊盘区的栅绝缘层126上。数据焊盘119连接形成在像素区的数据线和外部数据驱动电路，以将数据驱动电路输出的图像信号经由TFT(T)提供给像素电极129。数据焊盘119可以由与源电极123和漏电极124不同的金属制成，但是为了简化工艺，最好是用相同的金属制成。
第一透明导电层129a和第二透明导电层129b分别形成在栅焊盘区和数据焊盘区的钝化层128上。第一透明导电层129a和第二透明导电层129b由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料制成，形成第一透明导电层129a和第二透明导电层129b是为了防止在工艺过程中栅焊盘118和数据焊盘119被暴露从而被氧化。第一透明导电层129a和第二透明导电层129b可以在独立于像素区的工艺过程的工艺过程中形成，但是为了简化工艺，最好是在形成像素区的像素电极129的同时形成第一透明导电层129a和第二透明导电层129b。
实现实际颜色的滤色器层107形成在第二基板140的像素区，阻挡光透过的黑矩阵142形成在像素区的非图像显示区、栅焊盘区和数据焊盘区。
在本示范性实施例中，金属层155形成在栅焊盘区的栅绝缘层126和栅焊盘118上。形成金属层155是为了简化LCD的制造工艺。下文中，将描述包括金属层155的LCD的制造工艺。
图5a至5h表示根据本发明的示范性实施例的具有氧化物TFT的LCD的制造方法。
首先，如图5a所示，用溅射法将诸如Al、如AlNd的Al合金、Cu、Mo、Ta、Au等金属沉积在由诸如玻璃的透明绝缘材料制成的第一基板120的整个表面上，随后刻蚀沉积的金属以形成在像素区的栅电极121和在栅焊盘区的栅焊盘118。这里，栅焊盘118可以通过单独的工艺过程用不同的金属形成，但是为了简化工艺和减低成本，最好是在相同的工艺过程中用同样的金属制成栅焊盘118。随后，利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将诸如SiNx的无机绝缘材料沉积在形成有栅电极121和栅焊盘118的第一基板120的整个表面上，以形成栅绝缘层126。
随后，如图5b所示，将氧化物半导体材料沉积在第一基板120的整个表面上，以在栅绝缘层126上形成氧化物半导体层122a。用溅射法、脉冲激光沉积法、分子束外延法、印刷法、旋涂法、原子层沉积法、金属有机化学气相沉积法等等，通过在栅绝缘层126上沉积包含Zn、In、Ga或它们的混合物的氧化物来形成氧化物半导体层122a。
随后，将光刻胶沉积在氧化物半导体层122a上以形成光刻胶层154a，并使掩模160位于该光刻胶层154a上。掩模160是半色调掩模(half-tone mask)或狭缝掩模(slit mask)，具有用于阻挡光(或紫外线)的阻挡区、仅允许部分光透射通过的半透射区以及允许全部光透射通过的透射区。阻挡区形成为对应于形成有像素区的TFT的区域，透射区形成为对应于栅焊盘118，半透射区形成为对应于除阻挡区和透射区外的区域。
在使半色调掩模160位于第一基板120上之后，将诸如紫外线的光照射到掩模上并提供显影液。随后，在对应于透射区的区域的光刻胶被完全的除去，在对应于半透射区的区域的光刻胶被除去它的全部厚度的一半，在对应于阻挡区的区域的光刻胶保持原样。
即如图5c所示，通过光刻胶的显影，在氧化物半导体层122a上形成暴露在栅焊盘118上方的氧化物半导体层122a的光刻胶图案154b。
在用光刻胶图案154b刻蚀氧化物半导体层122a时，在栅焊盘118上方的暴露的氧化物半导体层122a被刻蚀，以暴露在栅焊盘118上的栅绝缘层126。这里，用干法刻蚀方法刻蚀氧化物半导体层122a，在该干法刻蚀方法中，将刻蚀气体提供到氧化物半导体层122a以将其刻蚀。
此后，如图5d所示，将光刻胶图案154b灰化以除去除了对应于半色调掩模的阻挡区的光刻胶图案154b以外的剩余的光刻胶图案154b，因此，如图5e所示，只在将要形成像素区的TFT的区域留下光刻胶图案154b。
这样，在用刻蚀气体通过干法刻蚀方法刻蚀暴露的氧化物半导体层122a时，氧化物半导体层122a的一部分被光刻胶图案154b遮挡，除了在光刻胶图案154b下方的氧化物半导体层122a以外的其它剩余的氧化物半导体层122a被完全地除去。这里，栅绝缘层126与氧化物半导体层122a同时被刻蚀，在栅焊盘区的栅焊盘118上暴露的栅绝缘层126也被刻蚀以暴露栅焊盘118。
也可以使用刻蚀液用湿法刻蚀方法来刻蚀氧化物半导体层122a。
同时，为了刻蚀在栅焊盘118上的氧化物半导体层122a和栅绝缘层126，可以使用半色调掩模或狭缝掩模，也可以使用仅具有阻挡区和透射区的一般的光刻掩模。这里，用两片掩模通过两次成像工艺(photo process)将光刻胶层154a构图，然后，刻蚀设置在栅焊盘118上方的氧化物半导体层122a和栅绝缘层126以及位于除了氧化物TFT区域以外的其它区域的氧化物半导体层122a。即，形成光刻胶层并用一片掩模将其显影，然后刻蚀在栅焊盘118上的氧化物半导体层122a和栅绝缘层126，随后，形成光刻胶层并用另一掩模将其显影，然后刻蚀位于除了形成氧化物TFT的区域以外的其它区域的氧化物半导体层122a。
随后，如图5f所示，用溅射法将诸如Al、Al合金、Cr、Ti、Mo等金属沉积在第一基板120的整个表面上，然后使用光刻胶用光刻法将沉积的金属刻蚀，以在像素区的氧化物半导体层122上形成源电极123和漏电极124，并在栅焊盘区暴露的栅焊盘118上以及部分的栅绝缘层126上形成金属层155。
随后，如图5g所示，用PECVD方法将诸如SiO2的无机绝缘材料沉积在第一基板120的整个表面上，以形成钝化层128，然后用刻蚀液将钝化层128刻蚀，以形成在像素区的漏电极124上的钝化层128中的接触孔，以及除去在栅焊盘区的金属层155上的钝化层128以形成接触孔。此外，除去数据焊盘区的数据焊盘119上的钝化层128以形成接触孔。
在具有氧化物TFT的现有技术LCD中，栅绝缘层126和钝化层128相继沉积在栅焊盘118上，因此为了暴露栅焊盘118，用湿法刻蚀方法刻蚀钝化层，然后接下来用干法刻蚀方法刻蚀栅绝缘层。这里，由于在钝化层128之下的栅绝缘层126的各向同性刻蚀，在钝化层128处出现突出部分，于是需要额外的进行除去该突出部分的工艺步骤。
然而，在本发明中，如上所述，在形成并刻蚀栅绝缘层126之后，在栅焊盘区暴露的栅焊盘118上以及部分的栅绝缘层126上形成金属层155，随后，沉积并刻蚀钝化层128。因此，在钝化层128处并不出现突出部分。于是，与现有技术不同，本发明并不需要除去突出部分的工艺步骤，可以简化制造工艺。
在此之后，将诸如ITO或IZO的透明导电材料沉积在第一基板120的整个表面上，然后用光刻方法将沉积的材料刻蚀以形成在钝化层128上的像素电极129。这里，像素电极129经由形成在钝化层128的接触孔与氧化物TFT的漏电极124电连接。同时，第一透明导电层129a形成在栅焊盘区的金属层155和部分的钝化层128上，第二透明导电层129b形成在数据焊盘区的数据焊盘119和部分的钝化层128上。
随后，如图5h所示，将Cr、CrOx等沉积在第二基板140上，然后将沉积的材料刻蚀以在像素区中不显示图像的地方形成黑矩阵，即在氧化物TFT形成的地方、栅线和数据线形成的地方、栅焊盘区和数据焊盘区形成黑矩阵，在像素区上将彩色的墨或彩色的树脂沉积随后将其刻蚀以形成包括R(红)、G(绿)和B(蓝)子滤色器层的滤色器层107。
随后，在将液晶层130设置在第一基板120和第二基板140之间后，将第一基板120和第二基板140贴附在一起以完成LCD。通过将密封剂涂覆到第一基板120或第二基板140，用密封剂的方式贴附第一基板120和第二基板140，从而形成液晶层面板，随后通过液晶注入孔注入液晶。可选地，可以通过在第一基板120或第二基板140上滴入液晶，以使在贴附第一基板120和第二基板140时液晶在基板散开，从而形成液晶层130。
如上所述，在本发明中，形成并刻蚀栅绝缘层126之后，在栅焊盘区暴露的栅焊盘118上以及部分的栅绝缘层126上形成金属层155，随后，沉积并刻蚀钝化层128。因此，栅绝缘层126和钝化层128在不同的工艺步骤中被刻蚀。因此，在刻蚀栅绝缘层126时，在钝化层128并不出现由各向同性刻蚀造成的突出部分，于是，不需要除去钝化层128的突出部分的工艺步骤，从而简化了制造工艺。
描述了具有特定结构的LCD，但是本发明并不限于这种结构。例如，本发明可以应用于任意的使用TFT作为开关元件的显示器，例如有机发光二极管(OLED)显示器，除了氧化物TFT以外，本发明甚至可以应用于使用硅TFT的显示器。即本发明可以应用于使用氮化物绝缘层和氧化物绝缘层作为栅绝缘层和钝化层的LCD和OLED显示器。
除了上述特定的材料以外，氧化物半导体层也可以由任意的已知材料制成。
由于可以在不脱离本发明的特征的情况下，将本发明以多种形式实施，应当理解，除非已有特别的显示，否则上述实施例并不限制于前面描述的任何细节，而应当在所附权利要求所限定的范围内将其广义地解释，因此所有落入权利要求范围界限内的变化和变型，或这些范围界限的等同物都将被所附权利要求所包括。

Claims (10)

1.一种制造显示器的方法，包括：
提供包括像素区、栅焊盘区和数据焊盘区的第一和第二基板；
在所述第一基板的像素区形成栅电极，在所述第一基板的栅焊盘区形成栅焊盘；
沉积氮化物的栅绝缘材料和氧化物半导体材料在所述第一基板的整个表面上；
刻蚀在所述像素区的氧化物半导体材料以在所述栅电极上方形成氧化物半导体层，刻蚀在所述栅焊盘区的氧化物半导体材料和栅绝缘材料以暴露所述栅焊盘，刻蚀在所述数据焊盘区的氧化物半导体材料；
在所述像素区的所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极，在所述栅焊盘区的被暴露栅焊盘上和在栅绝缘层上形成金属层，在所述数据焊盘区形成数据焊盘；
在所述第一基板的整个表面上形成钝化层，并刻蚀所述钝化层以在所述漏电极、所述金属层和所述数据焊盘上的钝化层形成接触孔；
形成并刻蚀透明导电层以形成与所述像素区的漏电极连接的像素电极，在所述金属层和所述数据焊盘区的所述数据焊盘上形成透明导电层；以及
将所述第一和第二基板贴附在一起，液晶层插入在所述第一和第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮化物的栅绝缘材料包括SiNx。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述氧化物半导体材料包括含有Zn、In、Ga或它们的混合物的氧化物。
4.根据权利要求1所述的方法，其中形成氧化物半导体层、暴露栅焊盘区的栅焊盘和刻蚀数据焊盘区的氧化物半导体材料包括：
在所述氧化物半导体材料上形成光刻胶层，然后在所述光刻胶的上方设置包括透射区、半透射区和阻挡区的掩模；
照射光并显影所述光刻胶以暴露在所述栅焊盘区的栅焊盘上方的氧化物半导体材料；
用被显影光刻胶层刻蚀在所述栅焊盘区的被暴露氧化物半导体材料；
灰化被显影光刻胶层以暴露部分的像素区以及所述栅焊盘和所述数据焊盘的氧化物半导体材料；以及
用被灰化光刻胶层刻蚀被暴露氧化物半导体材料以在所述像素区形成氧化物半导体层，并除去在所述数据焊盘区和所述栅焊盘区的氧化物半导体材料。
5.根据权利要求1所述的方法，其中形成氧化物半导体层、暴露栅焊盘区的栅焊盘和刻蚀数据焊盘区的氧化物半导体材料包括：
在所述氧化物半导体材料上形成光刻胶层，用一掩模显影所述光刻胶层以暴露所述栅焊盘上方的氧化物半导体层；
用被显影光刻胶层刻蚀在所述栅焊盘上方的氧化物半导体层和氮化物的栅绝缘材料；
在所述氧化物半导体材料上形成另一光刻胶层，用另一掩模显影所述另一光刻胶层，以暴露位于除了形成氧化物薄膜晶体管的区域以外的其它区域的氧化物半导体层；以及
用被显影的所述另一光刻胶层刻蚀位于除了形成氧化物薄膜晶体管的区域以外的其它区域的所述氧化物半导体层。
6.根据权利要求4所述的方法，其中所述氧化物半导体材料用刻蚀气体来刻蚀。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述氮化物的栅绝缘材料用刻蚀气体来刻蚀。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述钝化层由SiO2形成。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述钝化层用刻蚀液来刻蚀。
10.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在所述第二基板上形成黑矩阵以阻挡透射到所述像素区中的非图像显示区、所述栅焊盘区和所述数据焊盘区的光；以及
在所述第二基板上的像素区形成滤色器层。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110003792A (ko) * 2009-07-06 2011-01-13 주식회사 디지아이 칼라 인쇄회로기판의 제조방법
KR20170143023A (ko) * 2009-10-21 2017-12-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 제작방법
WO2011136018A1 (en) * 2010-04-28 2011-11-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
US8647919B2 (en) * 2010-09-13 2014-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and method for manufacturing the same
JP5351343B2 (ja) * 2011-01-13 2013-11-27 シャープ株式会社 半導体装置
WO2012121265A1 (en) 2011-03-10 2012-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and method for manufacturing the same
KR20120109856A (ko) * 2011-03-28 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN102637698B (zh) * 2011-04-20 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN102709283B (zh) * 2011-05-27 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
US8883572B2 (en) 2011-05-27 2014-11-11 Boe Technology Group Co., Ltd. Manufacturing method of low temperature poly-silicon TFT array substrate
KR101529557B1 (ko) 2011-06-09 2015-06-19 엘지디스플레이 주식회사 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법
KR101438039B1 (ko) 2012-05-24 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터, 그 제조방법, 이를 구비한 표시장치 및 그 제조방법
KR101957998B1 (ko) * 2012-06-20 2019-07-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN102956676B (zh) * 2012-11-02 2015-11-25 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板、制备方法及量子点发光二极管显示器件
US9569992B2 (en) 2012-11-15 2017-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving information processing device, program, and information processing device
CN103066017A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板的制备方法
CN103681696A (zh) * 2013-12-24 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种电极引出结构、阵列基板以及显示装置
CN103700627A (zh) * 2013-12-25 2014-04-02 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板的制作方法
CN104157697B (zh) 2014-07-29 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 氧化物薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
CN104637874A (zh) * 2015-03-16 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法
CN104679356B (zh) * 2015-03-23 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 光学传感单元、触摸面板及其制作方法、显示装置
CN104952881A (zh) * 2015-05-06 2015-09-30 合肥京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置
TWI561894B (en) * 2015-05-29 2016-12-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Manufacturing method of making electronic connection structure, tft substrate, and insulation layer
CN105487285B (zh) * 2016-02-01 2018-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及阵列基板的制备方法
GB2556313B (en) * 2016-02-10 2020-12-23 Flexenable Ltd Semiconductor patterning
KR102490373B1 (ko) 2016-02-18 2023-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102520574B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-11 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN106356407A (zh) * 2016-10-26 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法
CN106932986B (zh) * 2017-04-17 2019-04-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板结构及阵列基板的制备方法
CN107179644B (zh) * 2017-05-19 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、其制作方法及显示装置
CN107272232B (zh) * 2017-07-20 2020-12-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种液晶显示面板的制造方法
KR102489043B1 (ko) * 2017-12-27 2023-01-16 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10571754B2 (en) * 2017-12-29 2020-02-25 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR102487050B1 (ko) * 2018-03-27 2023-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN111430379B (zh) * 2020-04-14 2022-09-27 Tcl华星光电技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN113315486B (zh) * 2021-05-17 2022-06-21 无锡豪帮高科股份有限公司 面向5g通信的高阻带抑制低通滤波器

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101079429A (zh) * 2006-05-24 2007-11-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN101349847A (zh) * 2007-07-18 2009-01-21 三星电子株式会社 显示基板和所述显示基板的制造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0186206B1 (ko) * 1995-11-21 1999-05-01 구자홍 액정표시소자 및 그의 제조방법
JP3748158B2 (ja) * 1998-01-29 2006-02-22 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
US6380559B1 (en) * 1999-06-03 2002-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display
KR100603836B1 (ko) * 2004-11-30 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
JP4870403B2 (ja) * 2005-09-02 2012-02-08 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタの製法
JP4921997B2 (ja) * 2006-02-07 2012-04-25 三星電子株式会社 薄膜トランジスタ表示パネル及びその製造方法
JP2007250982A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
KR20070109162A (ko) * 2006-05-10 2007-11-15 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
KR101226594B1 (ko) * 2006-05-15 2013-01-28 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판의 제조방법 및 이를 이용한 표시패널의제조방법
JP2007310334A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Mikuni Denshi Kk ハーフトーン露光法を用いた液晶表示装置の製造法
KR101425635B1 (ko) * 2006-11-29 2014-08-06 삼성디스플레이 주식회사 산화물 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 산화물 박막트랜지스터 기판
KR101325053B1 (ko) * 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR100814901B1 (ko) * 2007-05-22 2008-03-19 한국전자통신연구원 건식 식각 공정을 이용한 산화물 박막 트랜지스터 소자의제조방법
CN101681928B (zh) * 2007-05-31 2012-08-29 佳能株式会社 使用氧化物半导体的薄膜晶体管的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101079429A (zh) * 2006-05-24 2007-11-28 Lg.菲利浦Lcd株式会社 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN101349847A (zh) * 2007-07-18 2009-01-21 三星电子株式会社 显示基板和所述显示基板的制造方法

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