CN101752306B - 视角可控制的液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种视角可控制的液晶显示LCD装置及其制造方法，该LCD装置包括红色、绿色和蓝色像素以及电控双折射ECB模式的控制像素。利用半色调掩模去除位于ECB控制像素的像素区域的栅绝缘层和钝化层，可以确保额外的单元间隙，由此可以使ECB控制像素的效率最大化，从而提高视角控制效果。另外，通过减小ECB控制像素的像素区域附近的台阶，防止了光泄漏。

Description

视角可控制的液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种视角可控制的液晶显示(LCD)装置及其制造方法，更具体地，本发明涉及一种能够选择性地实现宽视角和窄视角的视角可控制的LCD装置及其制造方法。
背景技术
随着消费者对信息显示的兴趣提高，以及对于便携式(移动)信息设备的需求增长，替代作为传统显示设备的阴极射线管(CRT)的轻、薄的平板显示器(FPD)的研究和商业化已经增长。在FPD中，液晶显示器(LCD)是利用液晶的光学各向异性来显示图像的装置。LCD装置呈现出优秀的分辨率、色彩显示以及图像质量，因此通常用于笔记本电脑或桌上计算机的显示器等。
LCD包括滤色器基板、阵列基板、以及形成在滤色器基板和阵列基板之间的液晶层。
通常用于LCD的有源矩阵(AM)驱动方法是利用作为开关元件的非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)驱动像素部分中的液晶分子的方法。
下面将参照图1详细描述通常的LCD的结构。
图1是示出通常的LCD装置的分解立体图。
如图1所示，LCD包括滤色器基板5、阵列基板10、以及形成在滤色器基板5和阵列基板10之间的液晶层30。
滤色器基板5包括：滤色器(C)，其包括实现红色、绿色和蓝色的多个子滤色器7；黑底(black matrix)6，用于划分子滤色器7并且阻挡穿过液晶层30的光透射；以及透明公共电极8，用于向液晶层30施加电压。
阵列基板10包括：多条选通线16和多条数据线17，其分别垂直和水平地设置以限定多个像素区域(P)；多个TFT(T)，其为形成在所述选通线16和数据线17的各交叉处的多个开关元件；以及形成在像素区域(P)上的像素电极18。
通过在图像显示区域的边缘形成的密封剂(未显示)，以彼此面对的方式接合滤色器基板5和阵列基板10以形成液晶板，并且通过在滤色器基板5或阵列基板10上形成的接合标记(key)实现所述滤色器基板5和阵列基板10的接合。
在对个人信息保护的关注增加的情况下，针对用户希望通过笔记本计算机、移动电话等仅仅自己观看屏幕图像的情况，诸如在屏幕上附接防窥视密封件(seal)的防窥视技术正在开发中，但是该技术存在的问题是屏幕变暗，视野受到限制等。
因此，需要一种允许根据用户要求自由地将视角调节为宽视角或窄视角的技术。
发明内容
本发明的目的是提供一种视角可控制的液晶显示(LCD)装置及其制造方法，其能够根据用户要求实现宽视角和窄视角。
本发明的另一目的是提供一种视角可控制的LCD装置，其能够通过增加电控双折射(ECB)控制像素的单元间隙以达到效率最大化，进而提高视角控制效果。
本发明的再一目的是提供一种视角可控制的LCD装置，其能够通过减小ECB控制像素的像素区附近的台阶来防止光泄漏。
本发明实施方式的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且一部分会在描述中变得明显，或者可以通过实施本发明的实施方式来了解。通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构，可以实现并获得本发明实施方式的目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点，根据本发明实施方式的目的，正如所实施并广泛描述那样，本发明提供一种液晶显示(LCD)装置，其包括：包含有4种子像素的第一基板和第二基板，所述4种子像素包括RGB彩色像素和电控双折射控制像素；在第一基板上形成的栅极和选通线；在所述栅极和选通线上形成的栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成的有源图案和欧姆接触层；在所述有源图案上形成的源极和漏极，以及在所述有源图案上形成并与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线；形成在所述有源图案、所述源极和漏极以及所述数据线上的钝化层，其具有第一接触孔，该第一接触孔是通过去除所述钝化层的一部分而形成的并且曝露出所述漏极的一部分；形成在所述RGB彩色像素的像素区域内的像素电极，该像素电极通过第一接触孔连接到所述漏极，以及在所述RGB彩色像素的像素区域内形成的公共电极，该公共电极与所述像素电极交替布置以产生面内场；以及形成在打开ECB控制像素的像素区域的孔内的像素电极，该像素电极经由所述第一接触孔连接到所述漏极，当选择性地去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和钝化层时，在所述ECB控制像素的像素区域的附近保留所述栅绝缘层的厚度的一部分。
为了实现这些和其他优点，根据本发明实施方式的目的，正如所实施并广泛描述的，本发明提供一种液晶显示(LCD)装置的制造方法，所述方法包括：提供包含有4种子像素的第一基板和第二基板，所述种个子像素包括RGB彩色像素和ECB控制像素；第一掩模工艺，用于在所述第一基板上形成栅极和选通线；在所述栅极和所述选通线上形成栅绝缘层；第二掩模工艺，包括：在所述栅绝缘层上形成有源图案和欧姆接触层，在所述有源图案上形成源极和漏极，以及形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线；第三掩模工艺，包括：在所述有源图案、所述源极和漏极、以及所述数据线上形成钝化层，通过半色调掩模去除所述钝化层的一部分以形成曝露出所述漏极的一部分的第一接触孔，以及去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和钝化层以形成打开所述ECB控制像素的像素区域的孔，通过半色调掩模选择性地去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和钝化层以在所述ECB控制像素的像素区域附近保留栅绝缘层厚度的一部分；第四掩模工艺，用于形成像素电极RGB、公共电极以及像素电极ECB，该第四掩模工艺包括：形成RGB彩色像素的像素区域内的像素电极，使得该像素电极通过所述第一接触孔连接到漏极，以及形成与所述像素电极交替布置以产生面内场的公共电极，形成打开ECB控制像素的像素区域的孔内的像素电极，使得该像素电极经由所述第一接触孔连接到所述漏极；以及接合所述第一基板和第二基板。
应当理解，上述一般描述和下述详细描述是示例性和说明性的，其旨在提供所要求保护的实施方式的进一步解释。
附图说明
包含附图以提供对本发明的进一步理解，并入附图并构成本说明书的一部分，附图与说明书一起用于说明本发明的实施方式，并用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是示意性地示出通常的液晶显示(LCD)装置的分解立体图；
图2是示意性地示出根据本发明的示例性实施方式的LCD装置的阵列基板的一部分的平面图；
图3是沿着图2所示的阵列基板的II-II’线的剖视图；
图4A到4D是依次示出图2的阵列基板的制造工艺的平面图；
图5A到5D是沿着图2的阵列基板的II-II’线的剖视图，其依次示出所述制造工艺；以及
图6A到6F是示出图4C和5C所示的根据本发明的示例性实施方式的第三掩模工艺的剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图描述根据本发明示例性实施方式的液晶显示(LCD)装置及其制造方法。
图2是示意地示出根据本发明示例性实施方式的LCD装置的阵列基板的一部分的平面图。具体来说，图2示出具有四边形结构的LCD装置，其包括作为单个单元像素的红色(R)、绿色(G)、和蓝色(B)像素和电控双折射(ECB)模式控制像素。
在此情况下，当公共电极和像素电极具有弯曲结构时，因为液晶分子沿两个方向排列以形成2个域(domain)，与单域相比，能够进一步改善视角。本发明不限于双域结构的IPS模式LCD，而可应用于具有超过两个区域的多域结构的IPS模式LCD。
作为参考，RGB彩色像素除了滤色器基板的子滤色器之外均包括相同的元件。另外，对于阵列基板中的RGB彩色像素和ECB控制像素的4种子像素(R、G、B以及W)，它们除了ECB控制像素的子像素(W)的像素电极结构之外均包括基本上相同的元件。因此，对相同元件使用相同的附图标记，并以ECB控制像素的子像素(W)作为基础进行描述。
作为参考，图3是沿着图2的阵列基板的II-II’线的示意性剖视图，示出关于ECB控制像素的子像素(W)的阵列基板的截面。
如图所示，在本发明的示例性实施方式中，选通线116和数据线117被形成为分别按垂直方向和水平方向排列，从而在阵列基板110上限定像素区域，并在选通线116和数据线117的交叉处形成作为开关元件的薄膜晶体管TFT(T)。
该TFT包括形成选通线116的一部分的栅极121、与数据线117连接的源极122、以及经由像素电极线118L连接到像素电极118和118’的漏极123。该TFT还包括用于使栅极121与源极122和漏极123绝缘的栅绝缘层115a、以及通过向栅极121提供的栅电压在源极122和漏极123之间形成导电沟道的有源图案124。在此情况下，尽管源极122具有L形状，以使得TFT沟道形成为L形状，但是本发明不限于此，而是可应用于任何类型的TFT沟道。
在ECB控制像素的子像素(W)中，像素电极118’被形成为与上滤色器基板(未示出)的ITO电极一起驱动液晶，并且通过上ITO电极和下像素电极118’的垂直电场进行ECB驱动。
源极122的一部分在一个方向上延伸以形成数据线117的一部分，漏极123的一部分向像素区域延伸，以经由在钝化层115b形成的第一接触孔140a和140a’连接到像素电极线118L。
如上所述，在RGB彩色像素的像素区域中，交替布置有多个公共电极和像素电极118以用于产生面内场。在此情况下，公共电极108和像素电极118布置为基本上平行于数据线117。
公共线108L布置为与位于像素电极线118L下部的选通线116基本上平行，公共线108L与像素电极线118L的一部分交叠，并在二者之间插入有栅绝缘层115a和钝化层115b以形成存储电容器。存储电容器用于使施加到液晶电容器的电压保持一致，直到下一个信号进入为止。除了保持信号之外，存储电容器还具有稳定灰度表现、减少闪烁、减少残留图像的形成等效果。
公共线108L与大致与数据线117平行布置的连接线108a连接，RGB彩色像素的连接线108a经由在栅绝缘层115a和钝化层115b中形成的第二接触孔140b与公共电极108连接。
对于如上所述配置的根据本发明示例性实施方式的LCD装置，在RGB彩色像素的情况下通过面内场进行IPS驱动，在ECB控制像素的情况下通过垂直电场进行双模式驱动，即ECB驱动。
在根据本发明示例性实施方式的ECB控制像素的子像素(W)中，在去除栅绝缘层115a和钝化层115b而开的孔(H)中形成ECB控制像素的像素电极118’，从而与R、G、和B彩色像素的子像素R、G、B相比，能够额外地确保约
Figure GDA0000107607050000061
的单元间隙。
也就是说，为了提高ECB控制像素的效率，需要增加ECB控制像素的像素电极的开口面积或单元间隙。在此情况下，开口面积的增加会导致一些副作用，例如ECB控制像素的子像素的光泄漏以及RGB彩色像素的子像素的孔径比的降低。
另外，为了增加单元间隙，可使用具有高粘度的外涂层材料，或者可以对ECB控制像素的外涂层进行构图，但是在使用高粘度的外涂层的情况下，会增大子像素之间的台阶，进而会增大边界的旋转位移(disclination)，另外，对外涂层进行构图需要额外的工艺。
由此，考虑到ECB控制像素的子像素控制视角的效率与单元间隙的增加成正比，在本发明的示例性实施方式中，ECB控制像素的像素区域的栅绝缘层115a和钝化层115b被去除以确保额外的单元间隙。结果，ECB控制像素的效率能够增加约19％，从而通过效率最大化改善了视角控制效果。
在示例性实施方式中，当在栅绝缘层115a和钝化层115b上形成第一接触孔140a和140a’以及第二接触孔140b时，利用半色调掩模或衍射掩模(或狭缝掩模)(在下文中，对半色调掩模的描述也包括狭缝掩模)来去除ECB控制像素的像素区域的栅绝缘层115a和钝化层115b，由此避免需要额外的掩模工艺。
并且，进行构图以在ECB控制像素的像素区域的附近(E)保留栅绝缘层115a的厚度的一部分，由此，对应于单元间隙的增大而减小了ECB控制像素的像素区域的附近(E)的台阶。结果，能够防止ECB控制像素的像素区域的附近(E)的光泄漏。下面将通过根据本发明示例性实施方式的LCD装置的制造方法详细描述这一点。
图4A到4D是依次示出图2的阵列基板的制造工艺的平面图。
图5A到5D是沿着图2的阵列基板的II-II’线的剖视图，并依次示出了所述制造工艺。
如图4A和5A所示，在诸如玻璃的透明绝缘材料制成的阵列基板110上形成包括栅极121的选通线116、公共线108L和连接线108a。
在此情况下，通过在阵列基板110的整个表面上淀积第一导电膜，接着通过光刻工艺(第一掩模工艺)选择性地对第一导电膜进行构图，从而形成栅极121、选通线116、公共线108L以及连接线108a。
在此，第一导电膜可由诸如铝(Al)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、钼合金等的低电阻不透明导电材料制成。并且，可通过堆叠两个或更多个低电阻导电材料形成具有多层结构的第一导电膜。
在此情况下，公共线108L形成为与选通线116基本上平行，而连接线108a可以形成为具有与在后续工艺中形成的公共电极和RGB彩色像素的像素电极相同的弯曲结构。
接着，如图4B和5B所示，在阵列基板110的整个表面上形成第一绝缘层115’、非晶硅薄膜、n+非晶硅薄膜、以及第二导电膜，以覆盖栅极121、选通线116、公共线108L和连接线108a，然后，通过光刻工艺(第二掩模工艺)将其选择性地去除，以在阵列基板110的像素部分形成由非晶硅薄膜形成的有源图案124，以及形成源极122和漏极123，其由第二导电膜形成并且分别连接到有源图案124的源区和漏区。
另外，通过第二掩模工艺形成由第二导电膜构成的数据线117，该数据线117与选通线116交叉以限定像素区域。在这种情况下，数据线117形成为与连接线108a基本上平行。
第二导电膜可由诸如铝(A1)、铝合金、钨(W)、铜(Cu)、铬(Cr)、钼(Mo)、钼合金等的低电阻不透明导电材料制成，进而形成所述源极122、漏极123和数据线117。另外，可通过堆叠两个或更多个低电阻导电材料形成具有多层结构的第二导电膜。
这时，可以在有源图案124上形成由n+非晶硅薄膜形成的欧姆接触层125n，该欧姆接触层125n已经被构图为与源极122和漏极123相同的形状。
在此，在本发明的示例性实施方式中，可利用半色调掩模通过单个掩模工艺(第二掩模工艺)同时形成有源图案124、源极122和漏极123以及数据线117。
之后，如图4C和5C所示，在阵列基板110的整个表面上形成用于覆盖有源图案124、源极和漏极的第二绝缘层，并通过光刻工艺(第三掩模工艺)选择性地将其去除以形成曝露出位于阵列基板110的像素部分的漏极123的一部分的第一接触孔140a和140a’，以及形成曝露出RGB彩色像素的公共线108L的一部分的第二接触孔140b。
此时，随着通过第三掩模工艺去除ECB控制像素的像素区域的第一绝缘层和第二绝缘层，形成了打开ECB控制像素的像素区域的孔(H)。
根据本发明的示例性实施方式，进行构图以在ECB控制像素的像素区域的附近保留栅绝缘层115a的厚度的一部分，从而对应于单元间隙的增大而减小ECB控制像素的像素区域附近的台阶。结果，能够防止ECB控制像素的像素区域附近的光泄漏。
在此，利用半色调掩模通过单个第三掩模工艺形成第一接触孔140a和140a’、第二接触孔140b以及孔(H)，同时，进行构图以在ECB控制像素的像素区域附近保留栅绝缘层115a的厚度的一部分。下面将详细描述第三掩模工艺。
图6A到6F是示出根据本发明示例性实施方式的图4C和5C所示的第三掩模工艺的剖视图。
如图6A所示，在阵列基板110的整个表面上形成第二绝缘层115”，以覆盖有源图案124、源极122、以及漏极123。
在此，第二绝缘层115”可由诸如氮化硅膜或二氧化硅膜的无机绝缘膜制成，或者可由诸如感光亚克力(photoacryl)或苯并环丁烯(BCB，benzocyclobutene)的有机绝缘膜制成。
接下来，如图6B所示，根据本发明的示例性实施方式，在阵列基板110的整个表面上形成由诸如光刻胶的感光材料制成的感光膜170，光可以经由半色调掩模180选择性地照射该感光膜170。
半色调掩模180包括允许所照射的光完全透射的第一透射区域(I)、仅允许一些光透射而阻挡其余光的第二透射区域(II)、以及完全阻挡所照射的光的阻挡区域(III)。只有透射过半色调掩模180的光才能照射到感光膜170上。
随后，当通过半色调掩模180曝光的感光膜170被显影时，如图6C所示，具有一定厚度的第一到第三感光膜图案170a到170c保留在光被阻挡区域(III)和第二透射区域(II)完全阻挡或部分阻挡的区域，而位于光全部透射的第一透射区域(I)的感光膜被完全去除，从而曝露出第二绝缘层115”的表面。
此时，在阻挡区域(III)形成的第一和第二感光膜图案170a和170b比通过第二透射区域(II)形成的第三感光膜图案170c厚。另外，在光穿过第一透射区域(I)完全透射的区域处的感光膜被完全去除。这是因为使用了正光刻胶，但是本发明不限于此，在本发明中也可使用负光刻胶。
接着，如图6D所示，利用第一到第三感光膜图案170a到170c作为掩模，通过第一干蚀刻工艺选择性地去除第二绝缘层115”的一部分，以在阵列基板110的像素部分处形成第一接触孔140a’，该第一接触孔曝露出漏极123的一部分。
尽管未示出，但是可以通过第一干蚀刻工艺选择性地去除RGB彩色像素的第一和第二绝缘层115a’和115b’的一部分，以形成曝露出RGB彩色像素的公共线的一部分的第二接触孔140b。
另外，通过第一干蚀刻工艺，可以去除ECB控制像素的像素区域的第一和第二绝缘层115a’和115b’，以形成打开ECB控制像素的像素区域的孔(H)。
在此情况下，在ECB控制像素的像素区域中，可形成分别具有
Figure GDA0000107607050000101
和
Figure GDA0000107607050000102
的厚度的第一绝缘层115a’和第二绝缘层115b’，以获得增大单元间隙约
Figure GDA0000107607050000103
的效果。
作为参考，当ECB控制像素的单元间隙从4.2μm增加到4.7μm时，ECB控制像素的透射率能够增加约18％，从而提高了视角控制效果。
尽管根据工艺条件而有所不同，但是可以距离下选通布线(gatewiring)约3μm到5μm的间隔形成孔(H)，以防止与下选通布线(即，包括栅极121的选通线116、连接线108a、以及公共线108L)短路。
此后，进行灰化工艺以部分地去除第一到第三感光膜图案170a到170c。接着，如图6E所示，完全去除位于第二透射区域(II)的第三感光膜图案。
接着，通过仅仅去除与阻挡区域(III)对应的区域的第三感光膜图案的厚度，保留第一和第二感光膜图案作为第四和第五感光膜图案170a’和170b’。在此情况下，其中第四感光膜图案170a’和第五感光膜图案170b’没有保留的第一透射区域(I)和第二透射区域(II)基本上是指形成第一接触孔140’、第二接触孔以及孔(H)的区域，以及ECB控制像素的像素区域的周围区域。
之后，如图6F所示，利用第四感光膜图案170a’和第五感光膜图案170b’作为掩模，通过第二干蚀刻工艺去除ECB控制像素的第二绝缘层的全部以及第一绝缘层的厚度的一部分。
接着，随着其部分被去除，第一和第二绝缘层最终变为栅绝缘层115a和钝化层115b，并且对ECB控制像素的像素区域的附近进行构图以保留栅绝缘层115a的厚度的一部分，由此对应于单元间隙的增大而减小了在ECB控制像素的像素区域附近、栅绝缘层115a和阵列基板110之间的台阶覆盖。结果，能够防止ECB控制区域的像素区域附近的光泄漏。
因此，不同于RGB彩色像素，根据本发明示例性实施方式的ECB控制像素具有多单元间隙。
之后，如图4D和5D所示，在形成有第一接触孔140a和140a’、第二接触孔140b以及孔(H)的钝化层115b上形成第三导电膜，然后通过光刻工艺(第四掩模工艺)选择性地构图以形成在RGB彩色像素的像素区域交替布置以产生面内场的公共电极108和像素电极118，并且还形成与ECB控制像素的像素区域的上ITO电极一起产生垂直场的像素电极118’。
另外，通过第四掩模工艺形成由第三导电膜形成的像素电极线118L，其基本上与选通线116平行。
在此情况下，第三导电膜包含诸如ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)的具有良好透射率的透明导电材料，以形成公共电极108、像素电极118和118’、以及像素电极线118L。
在此，像素电极线118L经由第一接触孔140a和140a’连接到漏极123，RGB彩色像素的连接线108a经由第二接触孔140b连接到公共电极108。
ECB控制像素的像素电极118’形成在打开ECB控制像素的像素区域的孔(H)内。
可以通过把密封剂施加到图像显示部的外边缘，以彼此相对的方式把根据本发明的第一到第三实施方式的阵列基板与滤色器基板接合。在此情况下，滤色器基板包括用于防止光泄漏到TFT、选通线和数据线的黑底、以及用于实现红色、绿色和蓝色的滤色器。
滤色器基板和阵列基板的接合是通过形成在滤色器基板或阵列基板上的接合标记进行的。
除了可应用于LCD装置之外，本发明还可应用于利用TFT制造的不同的显示设备，例如OLED(有机发光二极管)显示设备，其中OLED连接到驱动晶体管。
在不脱离本发明的精神或实质特性的情况下，本发明可通过多种形式来实现，还应当理解，上述实施方式不受限于上述描述的任何细节，除非另有规定，而应在所附权利要求限定的精神和范围内进行宽泛地解释。因此，所有落入权利要求的边界和范围内的变化和修改，或者所述边界和范围的等同物都应被所附权利要求包含。

Claims (10)

1.一种液晶显示LCD装置的制造方法，所述方法包括：
提供包含4种子像素的第一基板和第二基板，所述4种子像素包括RGB彩色像素和电控双折射ECB控制像素；
第一掩模工艺，用于在所述第一基板上形成栅极和选通线；
在所述栅极和所述选通线上形成栅绝缘层；
第二掩模工艺，包括：
在所述栅绝缘层上形成有源图案和欧姆接触层，
在所述有源图案上形成源极和漏极，以及形成与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线；
第三掩模工艺，包括：
在所述有源图案、所述源极和漏极、以及所述数据线上形成钝化层，
通过半色调掩模去除所述钝化层的一部分以形成曝露出所述漏极的一部分的第一接触孔，以及去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和钝化层以形成打开所述ECB控制像素的像素区域的孔，
通过半色调掩模选择性地去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和钝化层以在所述ECB控制像素的像素区域附近保留栅绝缘层的厚度的一部分；
第四掩模工艺，用于形成像素电极RGB、公共电极以及像素电极ECB，该第四掩模工艺包括：
形成RGB彩色像素的像素区域内的像素电极，使得该像素电极通过所述第一接触孔连接到漏极，以及形成与所述像素电极交替布置以产生面内场的公共电极，
形成打开ECB控制像素的像素区域的孔内的像素电极，使得该像素电极经由所述第一接触孔连接到所述漏极；以及
接合所述第一基板和第二基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩模工艺还包括：
在与所述选通线平行的方向上形成公共线，以及在与所述数据线平行的方向上形成连接线。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第三掩模工艺还包括：
通过利用半色调掩模去除所述RGB像素的栅绝缘层和钝化层的一部分以形成第二接触孔，该第二接触孔曝露出所述公共线的一部分。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述RGB彩色像素的公共电极通过所述第二接触孔连接到所述公共线。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过半色调掩模选择性地去除所述钝化层的全部和所述ECB控制像素的栅绝缘层的厚度的一部分，以在该ECB控制像素的像素区域的附近保留所述栅绝缘层的厚度的一部分。
6.一种液晶显示LCD装置，其包括：
包含4种子像素的第一基板和第二基板，所述4种子像素包括RGB彩色像素和电控双折射ECB控制像素；
在所述第一基板上形成的栅极和选通线；
在所述栅极和选通线上形成的栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成的有源图案和欧姆接触层；
在所述有源图案上形成的源极和漏极，以及在所述有源图案上形成并与所述选通线交叉以限定像素区域的数据线；
形成在所述有源图案、所述源极和漏极以及所述数据线上的钝化层，其具有第一接触孔，该第一接触孔是通过去除所述钝化层的一部分而形成的并且曝露出所述漏极的一部分；
形成在RGB彩色像素的像素区域内的像素电极，该像素电极通过所述第一接触孔连接到所述漏极，以及在所述RGB彩色像素的像素区域内形成的公共电极，该公共电极与所述像素电极交替布置以产生面内场；以及
形成在打开ECB控制像素的像素区域的孔内的像素电极，该像素电极经由所述第一接触孔连接到所述漏极，
当选择性地去除所述ECB控制像素的栅绝缘层和钝化层时，在所述ECB控制像素的像素区域的附近保留所述栅绝缘层的厚度的一部分。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，该液晶显示装置还包括：
利用构成所述栅极和选通线的第一导电膜在与所述选通线平行的方向上形成的公共线，以及在与所述数据线平行的方向上形成的连接线。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，该液晶显示装置还包括：
通过去除所述RGB像素的栅绝缘层和钝化层的一部分而形成的第二接触孔，该第二接触孔曝露出所述公共线的一部分。
9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，所述RGB彩色像素的公共电极经由所述第二接触孔连接到所述公共线。
10.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中，选择性地去除所述ECB控制像素的钝化层的全部和栅绝缘层的厚度的一部分，以在该ECB控制像素的像素区域的附近保留所述栅绝缘层的厚度的一部分。
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