CN112913325A - 发光元件、显示装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

发光元件设置有：阳极电极部，其中沿着有机EL像素的周缘部形成有凸形的侧壁部；绝缘膜层，覆盖阳极电极部的外缘部，以便以规定膜厚度覆盖有机EL像素的发光部侧上的侧壁部中的侧壁；有机EL层，层叠为覆盖阳极电极部和绝缘膜层的上表面；以及阴极电极部，层叠在有机EL层的上表面上。

Description

发光元件、显示装置和电子设备
技术领域
本公开涉及一种发光元件、显示装置和电子设备。
背景技术
近年来，作为用于显示装置的元件，已知的是有机电致发光元件(在下文中，简称为“有机EL元件”)。
有机EL元件是具有低功耗和大对比度的自发光型元件。因而，有机EL元件不需要使用照明装置，从而能够实现低功耗的又薄又高清的显示装置的配置。
[引用列表]
[专利文献]
[专利文献1]
日本专利特开第2013-044890号
发明内容
技术问题
在上述使用有机EL元件的常规显示装置中，已经认识到，由于在被配置为有机EL元件的像素中的开口端处的有机EL层的较薄部处产生的电流泄漏，导致发光电流的效率降低和异常发光，这导致亮度降低、功耗增加和色度可控性降低。
本发明已经考虑了上述情况并且涉及一种发光元件、显示装置和电子设备，具有高亮度且能够降低功耗并提高色度的可控性。
问题的解决方案
根据实施方式的发光元件包括：阳极电极部，具有沿着有机EL像素的周缘部形成的突出形状的侧壁部；绝缘膜层，被配置为覆盖阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖有机EL像素的发光单元侧上的侧壁部中的侧壁；有机EL层，层叠为覆盖绝缘膜层以及阳极电极部的上表面；以及阴极电极部，层叠在有机EL层的上表面上方。
附图说明
图1是示出了根据实施方式的显示装置的示意配置的框图。
图2是示出了有机EL像素元件的驱动电路被配置为双晶体管/单电容器驱动电路的情况下的等效电路的示图。
图3是示出了根据第一实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图4描述了示出实施方式的原理的说明图。
图5描述了示出有机EL像素元件中的阳极电极的制造过程的说明图。
图6是示出了根据第二实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图7是示出了根据第三实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图8是示出了根据第四实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图9是示出了根据第五实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图10是示出了根据第六实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图11是示出了根据第七实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图12是示出了根据第八实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
图13是用于说明共振器结构的第一实例的示意性截面图。
图14是用于说明共振器结构的第二实例的示意性截面图。
图15是用于说明共振器结构的第三实例的示意性截面图。
图16是用于说明共振器结构的第四实例的示意性截面图。
图17是用于说明共振器结构的第五实例的示意性截面图。
图18是用于说明共振器结构的第六实例的示意性截面图。
图19是用于说明共振器结构的第七实例的示意性截面图。
图20是显示模块的外观的说明视图。
图21是应用了根据实施方式的显示装置的显示器的外观的说明视图。
图22描述应用了根据实施方式的显示装置的数码相机的外观的说明视图。
图23是应用了根据实施方式的显示装置的膝上型个人计算机的外观的说明视图。
图24是应用了根据实施方式的显示装置的摄像机的外观的说明视图。
图25是应用了根据实施方式的显示装置的头戴式显示器的外观的说明视图。
具体实施方式
现将参考附图描述优选实施方式。
图1是示出了根据实施方式的显示装置的示意配置的框图。
在显示装置10中，多个有机EL元件11R、多个有机EL元件11G和多个有机EL元件11B以预定顺序排列成矩阵，其中，多个有机EL元件11R中的每一个产生红光(R：620nm至750nm的波长)，多个有机EL元件11G中的每一个产生绿光(G：495nm至570nm的波长)，并且多个有机EL元件11B中的每一个产生蓝光(B：450nm至495nm的波长)。
此外，显示装置10包括：信号线驱动电路12，用于驱动连接至有机EL像素元件11R、11G和11B中的每一个的信号线DTL；扫描线驱动电路13，用于驱动连接至有机EL像素元件11R、11G和11B中的每一个的扫描线SCL；以及电流源14，通过电流供应线CSL供应电流。
在上述配置中，包括所有的有机EL像素元件11R、11G和11B的区域构成显示区域15。
图2是示出了有机EL像素元件的驱动电路被配置为双晶体管/单电容器驱动电路的情况下的等效电路的示图。
双晶体管/单电容器驱动电路(在下文中，称为2Tr/1C驱动电路)包括：视频信号写入晶体管TSig，该视频信号写入晶体管的栅极端子连接至扫描线SCL中的对应扫描线并且由扫描线驱动电路13驱动；驱动晶体管TDrv，由视频信号写入晶体管TSig接通/断开并且驱动感应EL元件的发光单元ELP；以及电容单元C1。
在上述配置中，驱动晶体管TDrv和视频信号写入晶体管TSig具体配置为MOSFET。
在驱动晶体管TDrv中，漏极端子D连接至电流供应线CSL，并且源极端子S连接至发光单元ELP并且还连接至电容单元C1的一端以构成第二节点ND2。驱动晶体管TDrv的栅极端子G连接至视频信号写入晶体管TSig的源极端子S并且还连接至电容单元C1的另一端以构成第一节点ND1。
在视频信号写入晶体管TSig中，漏极端子D连接至信号线DTL，并且栅极端子G连接至扫描线SCL。
(1)第一实施方式
图3是示出了根据第一实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
有机EL像素元件11R、11G和11B各自具有相似的配置，因而下面将通过实例描述有机EL像素元件11R。
有机EL像素元件11R包括：第一绝缘膜层(半导体基板)21；阳极电极部23，具有形成在第一绝缘膜层21上的阳极电极部23的周端处的具有突出形状的侧壁部；第二绝缘膜层24形成为覆盖电极部23的侧壁部22中的外侧壁部22A、上表面部22B、内侧壁部22C；有机EL层25，层叠为覆盖第二绝缘膜层24和电极部23的上表面；以及阴极电极部26，层叠在有机EL层25的上表面上方并且配置为透明电极。
在上述配置中，形成阳极电极部23的材料的实例包括铝合金、银合金等。
另外，形成第二绝缘膜层24的材料的实例包括SiOx、SiON、SiN、Al0x、TaOx、HfOx、聚酰亚胺等。
在此，将描述实施方式的操作原理。
首先，将描述常规问题。
在常规技术中，在有机EL层的较薄部形成泄漏路径(泄漏电流流动路径)，并且从阳极电极注入的空穴移动通过泄漏路径，从而导致泄漏电流流动。
因此，从阳极电极注入的空穴对有机EL层的发光没有贡献，发光效率降低。此外，泄漏电流在有机EL层中不期望发光的部分引起异常发光，引起颜色异常。
图4描述了示出实施方式的原理的说明图。
为了解决上述问题，在第一实施方式中，(第二)绝缘膜层24形成为覆盖像素侧壁，即，侧壁部22的内侧壁部22C。绝缘膜层24的形成防止空穴从阳极电极部23的侧壁部22注入，从而切断泄漏电流。
此外，在阳极电极部23的侧壁部22中产生的电场将空穴从阳极电极部23通过有机EL层25朝向阴极电极部26移动的移动方向改变至有机EL层25的发光面25A侧。
因此，可以抑制在像素侧壁部中发生的发光以防止颜色异常。
更具体地，在以最短距离(最短点SP)绘制从阳极电极部23与绝缘膜层24之间的边界上的点PP连接到阴极电极部26的直线SL时，在将直线SL与阳极电极部23的上表面之间形成的角度设置为θ的情况下，与侧壁部22的内侧壁部22C相对的绝缘膜层24的厚度tins(绝缘膜的膜厚度：图4的(a)中横向方向上的厚度)被设置为使得当阳极电极部23和阴极电极部26之间施加给定电位差时在阳极电极部23的上表面和在点PP中形成的电场矢量E之间形成的角度等于或小于θ。
由此，当假定电场矢量E＝(Ex，Ey)时，满足以下表达式。
arctan(Ey/Ex)≤θ
因此，空穴不朝向泄
漏路径移动，而是朝向主要期望发光的有机EL层25的发光面25A移动，因而能够抑制发光效率降低并且还能够防止颜色异常。
接下来，将简单描述有机EL像素元件的阳极电极的形成过程。
图5描述了示出有机EL像素元件中的阳极电极的制造过程的说明图。
首先，通过PVD(等离子体气相沉积)法等通过连接层CNT在第一绝缘膜层(半导体基板)21上形成阳极电极部23(参见图5的(a))。
随后，通过CVD(化学气相沉积)法等在阳极电极部23上形成第二绝缘膜层24(参见图5的(b))。
此外，通过光刻法在第二绝缘膜层24的一些部分上形成抗蚀剂掩模MSK(参见图5的(c))。
接下来，进行蚀刻，并且通过蚀刻去除其上未形成有抗蚀剂掩模MSK的第二绝缘膜层24的其他部分，并且进一步通过蚀刻去除阳极电极部23的一部分以形成侧壁部22(参见图5的(d))。
因此，阳极电极部23的周端具有形成在其上的突出形状的侧壁部22(参见图5的(e))。
然后，再次通过CVD法等形成第二绝缘膜层24，以覆盖侧壁部22中的内侧壁部22C(参考图5的(f))。
随后，这样形成的第二绝缘膜层24的整个表面被回蚀刻以去除阳极电极部23的上表面侧上的第二绝缘膜层24，并且因而，暴露阳极电极部23的除侧壁部22之外的上表面侧(参见图5的(g))。
如上所述，具有侧壁部22的阳极电极部23形成在第一绝缘膜层(半导体基板)21上方。
之后，通过真空气相沉积或旋涂形成有机EL层25，并且通过喷涂法、涂覆法、CVD法、真空气相沉积、溅射等在有机EL层25上进一步形成作为透明电极的阴极电极部26。然后，该过程结束。
如上所述，根据第一实施方式的有机EL像素元件，能够抑制有机EL像素元件的开口端处的有机EL层25的较薄部的电流泄漏引起的发光电流效率的降低，因而可以实现高亮度和低功耗。
此外，由于可以抑制因电流泄漏引起的异常发光，因此可以提高色度的可控性。
(2)第二实施方式
图6是示出了根据第二实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
第二实施方式中的有机EL像素元件与第一实施方式中的有机EL像素元件的不同之处在于，代替构成阳极电极部23的侧壁部22，形成包括与阳极电极部23的电极材料不同的电极材料的侧壁部22-1，从而构成阳极电极部23。
在这种情况下，与第一实施方式的不同之处在于，形成阳极电极部23的主体的电极材料(称为电极材料M1)相对侧壁部22-1的电极材料(称为电极材料M2)的处理选择性更高，以仅使电极材料M1被处理的方式，从而提高侧壁部22-1的成型稳定性。
在此，构成阳极电极部23的电极材料M1的实例包括铝合金、银合金等。
另外，构成阳极电极部23的侧壁部22-1的电极材料M2的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌、氧化钛、氮化钛、钛、氮化钽、钽等。
根据第二实施方式，除了第一实施方式的有利效果之外，还提高了侧壁部22-1的成型稳定性，因而能够更可靠地抑制有机EL像素元件的开口端处的有机EL层25的较薄部处的电流泄漏，使得能够更可靠地得到与第一实施方式类似的有利效果。
(3)第三实施方式
图7是示出了根据第三实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
第三实施方式中的有机EL像素元件与第一实施方式中的有机EL像素元件的不同之处在于，形成在阳极电极部23的上层上的电极部23B(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)和侧壁部22包括与阳极电极部23的主体23A的电极材料不同的电极材料，以构成阳极电极部23。
在这种情况下，与第一实施方式的不同之处在于，阳极电极部23的主体23A的电极材料(称为电极材料M1)采用具有高反射率的材料，并且阳极部23的电极部23B与侧壁部22(有机EL层25和阳极部23的接合部)的电极材料(称为电极材料M3)采用对有机EL层25具有载流子注入性高的材料，从而确保有机EL像素元件的驱动电压和发光效率。
更具体地，构成阳极电极部23的主体23A的电极材料M1的实例包括铝合金、银合金等。
另外，构成阳极电极部23(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)的上层部23B和侧壁部22的电极材料M3的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌等。
根据第三实施方式，除了第一实施方式的有利效果之外，可以确保有机EL像素元件的驱动电压和发光效率。
(4)第四实施方式
图8是示出了根据第四实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
第四实施方式中的有机EL像素元件与第三实施方式中的有机EL像素元件的不同之处在于，代替侧壁部22，形成侧壁部22-1，该侧壁部22-1包括与阳极电极部23的电极部(第一特性层)23B(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)的电极材料不同的电极材料，由此构成阳极电极部23。
在这种情况下，形成阳极电极部23的主体23A的电极材料M1采用具有高反射率的材料。
另外，阳极电极部23的电极部23B(有机EL层25和阳极部23的接合部)的电极材料M2采用对有机EL层25具有载流子注入性高的材料。
此外，与第三实施方式的不同之处在于，侧壁部22-1的电极材料(称为电极材料M3)采用电极材料M2相对电极材料M3具有高处理选择性的材料，使得仅电极材料M2被处理，从而提高侧壁部22-1的成型稳定性。
在这种情况下，阳极电极部23的电极材料M1的实例包括铝合金、银合金等。
另外，阳极电极部23的上层部23B(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)的电极材料M2的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌等。
另外，构成侧壁部22-1的电极材料M3的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌、氧化钛、氮化钛、钛、氮化钽、钽等。
根据第四实施方式，除了第三实施方式的有利效果之外，还提高了侧壁部22-1的成型稳定性，因而能够更可靠地抑制有机EL像素元件的开口端处的有机EL层25的较薄部处的电流泄漏，使得能够更可靠地得到与第一实施方式类似的有利效果。
(5)第五实施方式
图9是示出了根据第五实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
第五实施方式中的有机EL像素元件与第一实施方式中的有机EL像素元件的不同之处在于，阳极电极部23的下层部23C(阳极电极部23和第一绝缘膜层21的接合部)包括与阳极电极部23的主体23D的电极材料不同的电极材料，以构成阳极电极部23。
在这种情况下，构成阳极电极部23的下层部23C(阳极电极部23和第一绝缘膜层21的接合部)的电极材料(称为电极材料M4)采用对形成包括侧壁部22的阳极电极部23的主体的电极材料M1和第一绝缘膜层21具有高粘附性的材料。
例如，形成包括侧壁部22的阳极电极部23的主体的电极材料M1的实例包括铝合金、银合金等。
另外，形成阳极电极部23的下层部23C(阳极电极部23和第一绝缘膜层21的接合部)的电极材料M4的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌、氧化钛、氮化钛、钛、氮化钽、钽等。
根据第五实施方式，除了第一实施方式的有利效果之外，能够抑制形成包括侧壁部22的阳极电极部23的主体的电极材料M1与第一绝缘层21分离，使得可以配置具有更高可靠性的有机EL像素元件。
(6)第六实施方式
图10是示出了根据第六实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
第六实施方式中的有机EL像素元件与第一实施方式中的有机EL像素元件的不同之处在于，代替侧壁部22，形成侧壁部22-2，该侧壁部22-2包括与阳极电极部23的上层部23B(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)的电极材料不同的电极材料，在于阳极电极部23的上层部23F(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)包括与阳极电极部23的主体部23E的电极材料不同的电极材料，并且在于阳极电极部23的下层部23C(阳极电极部23和第一绝缘膜层21的接合部)包括与阳极电极部23的主体部23E的电极材料不同的电极材料。
在这种情况下，阳极电极部23的主体23E的电极材料(称为电极材料M1)相对侧壁部22-2的电极材料(称为电极材料M2)的处理选择性变高，以仅使电极材料M1被处理的方式，从而提高了侧壁部22-2的成型稳定性。
此外，阳极电极部23的上层部23F(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)的电极材料M3采用对有机EL层25具有高载流子注入性的材料。
此外，形成阳极电极部23的下层部23C(阳极电极部23和第一绝缘膜层21的接合部)的电极材料(称为电极材料M4)采用对形成阳极电极部23的主体23E的电极材料M1和第一绝缘膜层21具有高粘附性的材料。
例如，形成阳极电极部23的主体23E的电极材料M1的实例包括铝合金、银合金等。
此外，阳极电极部23的上层部23B(有机EL层25和阳极电极部23的接合部)的电极材料M2的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌等。
此外，形成侧壁部22-1的电极材料M3的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌、氧化钛、氮化钛、钛、氮化钽、钽等。
进一步地，形成阳极电极部23的下层部23C(阳极电极部23和第一绝缘膜层21的接合部)的电极材料M4的实例包括氧化铟锡、氧化铟、氧化铟镓锌、氧化钛、氮化钛、钛、氮化钽、钽等。
根据第六实施方式，可以获得第一、第三、第四和第五实施方式的有利效果。
(7)第七实施方式
图11是示出了根据第七实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
第七实施方式中的有机EL像素元件与第一实施方式中的有机EL像素元件的不同之处在于，代替第一绝缘膜层21，设置具有用于形成侧壁部22-3的突出部21-a的第一绝缘膜层21-1，并且形成具有覆盖第一绝缘膜层21-1的上表面的形状的阳极电极部23。
根据第七实施方式，除了第一实施方式的有利效果之外，由于突出部21-a形成在相对易于处理的第一绝缘膜层21-1中并且阳极电极部23形成为覆盖突出部21-a，因此能够提高侧壁部22-3的处理可控性。
(8)第八实施方式
图12是示出了根据第八实施方式的有机EL像素元件的基本配置的说明图。
第八实施方式中的有机EL像素元件与第一实施方式中的有机EL像素元件的不同之处在于，代替第一绝缘膜层21，设置具有用于形成侧壁部22-3的凹部的第一绝缘膜层21-2，并且形成具有覆盖第一绝缘膜层21-1的上表面的形状的阳极电极部23。
根据第八实施方式，除了第一实施方式的有利效果之外，在相对易于处理的第一绝缘膜层21-1中形成凹部，并且阳极电极部23形成为覆盖凹部和凹部的周边，因而与第七实施方式的情况相比，更能提高侧壁部22-4的处理可控性。
(9)应用于各实施方式的共振器结构的实例
在根据上述本公开的显示设备中使用的有机EL像素元件可以具有提供使发光单元ELP中产生的光共振的共振器结构的配置。在下文中，将参考附图描述共振器结构。
(共振器结构：第一实例)
图13是用于说明共振器结构的第一实例的示意性截面图。
在第一实例中，有机EL像素元件11R、11G和11B中的相应的第一电极(阳极电极部)31以彼此相同的膜厚度形成。这同样适用于第二电极(阴极电极部)61。
在有机EL像素元件11R、11G和11B中的第一电极31下面，各个反射板71布置有介于其间的光学调整层72(＝72R、72G和72B)。使有机层40(＝40R、40G或40B)中产生的光共振的共振器结构形成在每个反射板71与每个第二电极61之间。
反射板71以彼此相同的膜厚度形成在各个发光单元50中。光学调整层72的膜厚度根据在每个像素中要显示的颜色而彼此不同。由于光学调整层72R、72G和72B各自具有不同的膜厚度，所以可以设置根据要显示的颜色产生最适合于光的波长的共振的光学距离。
在图中所示的实例中，有机EL像素元件11R、11G和11B中的反射板71的上表面布置成对齐的(uniform)。如上所述，光学调整层72R、72G和72B的膜厚度根据要显示的颜色而彼此不同，并且因而，第二电极61的上表面的位置根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型而彼此不同。
反射板71可包括诸如铝(Al)、银(Ag)或铜(Cu)的金属或包含这些金属作为主要成分的合金。
光学调整层72R、72G和72B可包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的无机绝缘材料或者诸如丙烯酸树脂或聚酰亚胺树脂的有机树脂材料。光学调整层72可以是单层，或者可以是包括这些多种材料的分层膜。可替换地，光学调整层72的层数可根据发光单元50的类型而变化。
第一电极31可包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)的透明导电材料。
第二电极61需要起到半透射反射膜的作用。第二电极61可包括镁(Mg)、银(Ag)、包含这些材料作为主要成分的镁-银合金(MgAg)、以及包含碱金属或碱土金属的合金等。
(共振器结构：第二实例)
图14是用于说明共振器结构的第二实例的示意性截面图。
同样在第二实例中，第一电极31形成为在发光单元50中具有共同膜厚度。这同样适用于第二电极61。
此外，同样在第二实例中，反射板71布置在发光单元50的第一电极31下方，光学调整层72介于反射板71与发光单元50的第一电极31之间。使在有机层40中产生的光共振的共振器结构形成在反射板71和第二电极61之间。与第一实例类似，在每个发光单元50中以共同的膜厚度形成反射板71，并且光学调整层72的膜厚度根据在每个像素中要显示的颜色而改变。
在图13所示的第一实例中，有机EL像素元件11R、11G和11B中的反射板71的上表面被布置成对齐的，并且第二电极61的上表面的位置根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型而彼此不同。
相反，在图14所示的第二实例中，第二电极61的上表面布置为在发光部50R、50G和50B中是对齐的。为了使第二电极61的上表面对齐，反射板71的上表面被布置为在有机EL像素元件11R、11G和11B中根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型彼此不同。由此，反射板71的每个下表面(换言之，在图中由参考标号73表示的基层73的表面)根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型变成阶梯形状。
构成反射板71、光学调整层72、第一电极31和第二电极61等的材料与在第一实例中描述的细节相似，并且省略其描述。
(共振器结构：第三实例)
图15是用于说明共振器结构的第三实例的示意性截面图。
同样在第三实例中，第一电极31形成为在有机EL像素元件11R、11G和11B中具有共同的膜厚度。这同样适用于第二电极61。
此外，同样在第三实例中，反射板71(＝71R、71G和或71B)布置在有机EL像素元件11R、11G和11B中的每一个的第一电极31下方，光学调整层72(＝72R、72G或72B)介于其间。使有机层40(＝40R、40G或40B)中产生的光共振的共振器结构形成在反射板71和第二电极61之间。与第一和第二实例类似，光学调整层72R、72G和72B的膜厚度根据在每个像素中要显示的颜色而改变。然后，与第二实例相似，第二电极61的上表面的位置被布置为在有机EL像素元件11R、11G和11B中是对齐的。
在图14所示的第二实例中，为了使第二电极61的上表面对齐，根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型，反射板71的下表面是阶梯形状。
相反，在图15所示的第三实例中，反射板71(71R、71G和71B)的膜厚度被设置为根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型彼此不同。更具体地，每个反射板71的膜厚度被设置为使得反射板71R、71G和71B的下表面是对准的。
配置反射板71、光学调整层72、第一电极31和第二电极61等的材料与在第一实例中描述的细节相似，并且省略其描述。
(共振器结构：第四实例)
图16是用于说明共振器结构的第四实例的示意性截面图。
在图13所示的第一实例中，第一电极31形成为在有机EL像素元件11R、11G和11B中具有共同的膜厚度，并且这同样适用于第二电极61。反射板71布置在有机EL像素元件11R、11G和11B的第一电极31下方，其中光学调整层72介于其间。
相反，在图16所示的第四实例中，省略了光学调整层72，并且第一电极31的膜厚度被设置为根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型而彼此不同。
反射板71形成为在有机EL像素元件11R、11G和11B中具有共同的膜厚度。第一电极31R、31G和31B的膜厚度根据在每个像素中要显示的颜色而彼此不同。由于第一电极31R、31G和31B具有不同的膜厚度，所以可以设置根据要显示的颜色产生最适于光的波长的共振的光学距离。
配置反射板71、光学调整层72、第一电极31和第二电极61等的材料与在第一实例中描述的细节相似，并且省略其描述。
(共振器结构：第五实例)
图17是用于说明共振器结构的第五实例的示意性截面图。
在图13所示的第一实例中，第一电极31形成为在发光单元50中具有共同的膜厚度，并且这同样适用于第二电极61。反射板71布置在有机EL像素元件11R、11G和11B中的每一个的第一电极31下方，光学调整层72(＝72R、72G或72B)介于其间。
相反，在图17所示的第五实例中，省略了光学调整层72(＝72R、72G和72B)，取而代之，在反射板71的前表面上方形成氧化膜74(＝74R、74G和74B)。氧化膜74R、74G和74B的膜厚度被设置为根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型而彼此不同。
氧化膜74的膜厚度根据在每个像素中要显示的颜色而不同。由于氧化膜74R、74G和74B具有不同的膜厚度，所以可以设置根据要显示的颜色产生最适于光的波长的共振的光学距离。
氧化膜74是通过氧化反射板71的前表面获得的膜，并且包括例如氧化铝、氧化钽、氧化钛、氧化镁、氧化锆等。氧化膜74用作调整反射板71和第二电极61之间的光路长度(光学距离)的绝缘膜。
例如，可如下形成根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型具有不同膜厚度的氧化膜74。
首先，将电解液填充到容器中，并且将形成有反射板71的基板浸入电解液中。此外，电极被布置成与反射板71相对。
然后，以电极为基准对反射板71施加正电压，并对反射板71进行阳极氧化处理。通过阳极氧化获得的氧化膜的膜厚度与施加到电极的电压值成比例。鉴于此，在其中根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型的电压被施加到反射板71R、71G和71B中的每一个的状态下进行阳极氧化。因而，能够一并形成具有不同膜厚度的氧化膜74R、74G和74B。
配置反射板71、第一电极31和第二电极61等的材料与第一实例中描述的细节类似，并且省略其描述。
(共振器结构：第六实例)
图18是用于说明共振器结构的第六实例的示意性截面图。
在第六实例中，有机EL像素元件11R、11G和11B各自以层叠第一电极31、有机层40和第二电极61的方式配置。应注意，在第六实例中，第一电极31形成为用作电极和反射板这两者。因而，第一电极(也用作反射板)31(＝31R、31G或31B)包括具有根据有机EL像素元件11R、11G或11B的类型选择的光学常数的材料。由第一电极(也用作反射板)31导致的相移不同，因而可以设置根据要显示的颜色产生最适于光的波长的共振的光学距离。
第一电极(也用作反射板)31可包括诸如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)或铜(Cu)的金属或包含这些金属作为主要成分的合金。例如，有机EL像素元件11R中的第一电极(也用作反射板)31R可包括铜(Cu)，而有机EL像素元件11G中的第一电极(也用作反射板)31G和有机EL像素元件11B中的第一电极(也用作反射板)31B可包括铝。
第二电极61的材料等与第一实例中描述的细节类似，因而省略其描述。
(共振器结构：第七实例)
图19是用于说明共振器结构的第七实例的示意性截面图。
在第七实例中，基本上，有机EL像素元件11R和11G采用与第六实例中相同的配置，并且有机EL像素元件11B采用与第一实例中相同的配置。同样在该配置中，可以根据要显示的颜色来设置产生最适于光的波长的共振的光学距离。
在有机EL像素元件11R和11G中要使用的第一电极(也用作反射板)31R和31G可包括诸如铝(Al)、银(Ag)、金(Au)或铜(Cu)的金属或包含这些金属作为主要成分的合金。
有机EL像素元件11B中要使用的反射板71B、光学调整层72B和第一电极31B等的材料与在第一实例中描述的细节相似，因而省略其描述。
图20是显示模块的外观的说明视图。
例如，上述实施方式中的每一个的显示装置10作为图20中描述的显示模块30而结合于诸如随后描述的应用例1至5中的各种电子设备中。显示模块30适用于摄像机和单镜头反光相机、头戴式显示器或需要高分辨率并且用于在靠近眼睛的位置处放大图像的其他装置的取景器。
例如，显示模块30具有外部连接端子(未示出)，该外部连接端子通过延伸显示装置10的信号线驱动电路12和扫描线驱动电路13的配线而形成在密封基板21的一端处，以具有用于输入/输出提供至外部连接端子的信号的柔性印刷电路(FPC)31。应注意，显示模块30可被配置为在不设置柔性印刷电路31的情况下将配线布线到设置在密封基板21的一端处的外部连接端子。
(应用例1)
图21是应用了根据实施方式的显示装置的显示器的外观的说明视图。
例如，显示器(包括电视机)具有包括前面板41和滤光玻璃42的视频显示屏部分43，并且视频显示屏部分43包括根据各个实施方式的显示装置10。
(应用例2)
图22描述应用了根据实施方式的显示装置的数码相机的外观的说明视图。
数码相机50具有例如快门按钮51、闪光灯用发光单元52、显示装置10、菜单开关53。
(应用例3)
图19是应用了根据实施方式的显示装置的膝上型个人计算机的外观的说明视图。
膝上型个人计算机60具有例如显示部分61、用于输入字符等的操作的键盘62以及主体部分63，并且显示部分61包括根据各个实施方式的显示装置10。
(应用例4)
图24是应用了根据实施方式的显示装置的摄像机的外观的说明视图。
摄像机70具有例如显示部分71、开始/停止开关72、透镜73和主体部分74，并且显示部分71包括根据各个实施方式的显示装置10。
(应用例5)
图25是应用了根据实施方式的显示装置的头戴式显示器的外观的说明视图。
头戴式显示器80包括例如眼镜形显示部分81、设置在显示部分81的两侧并且用于将头戴式显示器80安装在用户的头部上的耳挂构件82和83、以及用于将显示信号输入到头戴式显示器80的线缆部分84。
在上述配置中，根据实施方式的显示装置10用作显示部分81。
在上文中，尽管已经作为实例描述了本技术的优选实施方式和变形，但是本技术不限于上述实施方式等，并且可以进行各种改变。
应注意，在本说明书中所描述的有利效果仅是说明性的而不是限制性的。此外，本技术可以提供除了本说明书中描述的那些效果以外的有利效果。
应注意，本技术还可以采用以下配置。
(1)一种发光元件，包括：
阳极电极部，具有沿着有机EL像素的周缘部形成的突出形状的侧壁部；
绝缘膜层，被配置为覆盖阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖有机EL像素的发光单元侧上的侧壁部中的侧壁；
有机EL层，层叠为覆盖绝缘膜层以及阳极电极部的上表面；以及
阴极电极部，层叠在有机EL层的上表面上方。
(2)根据上述(1)的发光元件，其中，
阳极电极部包括阳极电极主体和侧壁部，该侧壁部包括与阳极电极主体的电极材料不同的电极材料。
(3)根据上述(2)的发光元件，其中，
构成阳极电极主体的电极材料采用处理选择性高于侧壁部的电极材料的材料。
(4)根据上述(1)的发光元件，其中，
阳极电极部包括阳极电极主体和电极部，该电极部具有侧壁部，侧壁部包括与阳极电极主体的电极材料不同的电极材料，并且电极部层叠在阳极电极主体的上层上。
(5)根据上述(4)的发光元件，其中，
阳极电极部包括层叠在阳极电极主体的上层上方的第一特性层。
(6)根据上述(5)的发光元件，其中，
阳极电极主体包括具有比预定反射率高的反射率的材料，并且
第一特性层包括具有的载流子注入性比预定的载流子注入性更高的材料。
(7)根据上述(1)的发光元件，其中，
阳极电极部包括：阳极电极主体；侧壁部，包括与阳极电极主体的电极材料不同的电极材料；以及第二特性层，层叠在阳极电极主体下方。
(8)根据上述(7)的发光元件，其中，
第二特性层采用对其上层叠有阳极电极部的第二绝缘膜具有高粘附性的材料。
(9)一种发光元件，包括：
第一绝缘膜层，具有沿着有机EL像素的周缘部的突出部；
阳极电极部，被配置为覆盖第一绝缘膜层并且具有沿着突出部形成的突出形状的侧壁部；
第二绝缘膜层，被配置为覆盖阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖有机EL像素的发光单元侧上的侧壁部中的侧壁；
有机EL层，层叠为覆盖绝缘膜层以及阳极电极部的上表面；以及
阴极电极部，层叠在有机EL层的上表面上方。
(10)一种发光元件，包括：
第一绝缘膜层，具有沿着有机EL像素的周缘部的凹部；
阳极电极部，被配置为覆盖第一绝缘膜层并且具有沿着凹部的外周部形成的突出形状的侧壁部；
第二绝缘膜层，被配置为覆盖阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖有机EL像素的发光单元侧上的侧壁部中的侧壁；
有机EL层，层叠为覆盖绝缘膜层以及阳极电极部的上表面；以及
阴极电极部，层叠在有机EL层的上表面上方。
(11)根据(1)至(10)的发光元件，其中，
在以最短距离绘制从阳极电极部与第二绝缘膜层之间的边界上的点连接到阴极电极部的直线时，直线与阳极电极部23的上表面之间形成的角度被设置为θ，以及与侧壁部的内侧壁部相对的第二绝缘膜层的厚度被设置成使得当在阳极电极部和阴极电极部之间施加给定电位差时，在阳极电极部的上表面和在边界上的点中形成的电场矢量之间形成的角等于或小于θ。
(12)一种显示装置，包括：
多个发光元件，排列成矩阵状，并且分别与信号线和扫描线连接；
信号线驱动电路，被配置为驱动信号线；
扫描线驱动电路，被配置为驱动扫描线；以及
电流源，被配置为将电流供应至发光元件，
其中，发光元件各自包括：阳极电极部，具有沿着有机EL像素的周缘部分形成的突出形状的侧壁部；绝缘膜层，覆盖阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖有机EL像素的发光单元侧上的侧壁部中的侧壁；有机EL层，层叠为覆盖绝缘膜层以及阳极电极部的上表面；以及阴极电极部，层叠在有机EL层的上表面上方。
(13)根据(12)的显示装置，其中，
有机EL像素包括使发光单元中产生的光共振的共振器结构。
(14)一种电子设备，包括：
根据(12)的显示装置。
[参考符号列表]
10：显示装置
11R、11G、11B：有机EL像素元件
12：信号线驱动电路
13：扫描线驱动电路
14：电流源
21：第一绝缘膜层
22：侧壁部
22A：外侧壁
22C：内侧壁部
23：阳极电极部
24：第二绝缘膜层
25：有机EL层
26：阴极电极部
31、31R、31G、31B：第一电极
40、40R、40G、40B：有机层
61：第二电极
71、71R、71G、71B：反射板
72R、72G、72B：光学调整层
73：基层的表面
74R、74G、74B：氧化膜

Claims (14)

1.一种发光元件，包括：
阳极电极部，具有沿着有机EL像素的周缘部形成的突出形状的侧壁部；
绝缘膜层，被配置为覆盖所述阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖所述有机EL像素的发光单元侧上的所述侧壁部中的侧壁；
有机EL层，层叠为覆盖所述绝缘膜层以及所述阳极电极部的上表面；以及
阴极电极部，层叠在所述有机EL层的上表面。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述阳极电极部包括阳极电极主体和侧壁部，所述侧壁部由与所述阳极电极主体的电极材料不同的电极材料构成。
3.根据权利要求2所述的发光元件，其中，
构成所述阳极电极主体的电极材料采用处理选择性高于所述侧壁部的电极材料的材料。
4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述阳极电极部包括阳极电极主体和电极部，所述电极部具有侧壁部，所述侧壁部由与所述阳极电极主体的电极材料不同的电极材料构成，并且所述电极部层叠在所述阳极电极主体的上层上。
5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，
所述阳极电极部包括层叠在所述阳极电极主体的上层上的第一特性层。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，
所述阳极电极主体由具有比预定反射率更高的反射率的材料形成，并且
所述第一特性层由载流子注入性比预定的载流子注入性高的材料形成。
7.根据权利要求1所述的发光元件，其中，
所述阳极电极部包括：阳极电极主体；侧壁部，由与所述阳极电极主体的电极材料不同的电极材料形成；以及第二特性层，层叠在所述阳极电极主体下方。
8.根据权利要求7所述的发光元件，其中，
所述第二特性层采用对其上层叠有所述阳极电极部的第二绝缘膜具有高粘附性的材料。
9.一种发光元件，包括：
第一绝缘膜层，具有沿着有机EL像素的周缘部的突出部；
阳极电极部，被配置为覆盖所述第一绝缘膜层并且具有沿着所述突出部形成的突出形状的侧壁部；
第二绝缘膜层，被配置为覆盖所述阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖所述有机EL像素的发光单元侧上的所述侧壁部中的侧壁；
有机EL层，层叠为覆盖绝缘膜层以及所述阳极电极部的上表面；以及
阴极电极部，层叠在所述有机EL层的上表面。
10.一种发光元件，包括：
第一绝缘膜层，具有沿着有机EL像素的周缘部的凹部；
阳极电极部，被配置为覆盖所述第一绝缘膜层并且具有沿着所述凹部的外周部形成的突出形状的侧壁部；
第二绝缘膜层，被配置为覆盖所述阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖所述有机EL像素的发光单元侧上的所述侧壁部中的侧壁；
有机EL层，层叠为覆盖所述绝缘膜层以及所述阳极电极部的上表面；以及
阴极电极部，层叠在所述有机EL层的上表面。
11.根据权利要求10所述的发光元件，其中，
在以最短距离绘制从所述阳极电极部与所述第二绝缘膜层之间的边界上的点连接到所述阴极电极部的直线时，在所述直线与所述阳极电极部的所述上表面之间形成的角度被设置为θ，以及与所述侧壁部的内侧壁部相对的所述第二绝缘膜层的厚度被设置成使得当在所述阳极电极部和所述阴极电极部之间施加给定电位差时，在所述阳极电极部的所述上表面和在所述边界上的所述点中形成的电场矢量之间形成的角等于或小于θ。
12.一种显示装置，包括：
多个发光元件，排列成矩阵状，并且分别与信号线和扫描线连接；
信号线驱动电路，被配置为驱动所述信号线；
扫描线驱动电路，被配置为驱动所述扫描线；以及
电流源，被配置为将电流供应至所述发光元件，
其中，所述发光元件各自包括：阳极电极部，具有沿着有机EL像素的周缘部形成的突出形状的侧壁部；绝缘膜层，被配置为覆盖所述阳极电极部的外缘部，以便以预定膜厚度覆盖所述有机EL像素的发光单元侧上的所述侧壁部中的侧壁；有机EL层，层叠为覆盖所述绝缘膜层以及所述阳极电极部的上表面；以及阴极电极部，层叠在所述有机EL层的上表面。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述有机EL像素包括使发光单元中产生的光共振的共振器结构。
14.一种电子设备，包括：
根据权利要求12所述的显示装置。
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