CN117881233A - 显示装置和制造其的方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示装置和制造其的方法。显示装置包括：数据导电层，包括第一电源线；具有暴露第一电源线的第一开孔的钝化层；具有与第一开孔部分重叠的第二开孔的通孔层；在通孔层上的像素电极；在第一开孔和第二开孔中的连接电极；具有与第二开孔重叠的开孔的像素限定膜；在像素限定膜、像素电极和连接电极上的发光层；以及连接到第一电源线的公共电极。数据导电层包括数据基底层、数据主金属层和数据封盖层，第一电源线包括电线连接结构，并且电线连接结构形成为数据主金属层从数据封盖层的侧面凹进，并且公共电极连接至电线连接结构中的数据主金属层。

Description

显示装置和制造其的方法

技术领域

本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术

随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。相应地，各种显示装置比如液晶显示(LCD)装置和有机发光二极管(OLED)显示装置等被广泛地用于各种领域。

自发光显示装置(其为一类显示装置)包括自发光元件比如OLED。自发光元件中的每一个可包括彼此相对的两个电极和插入两个电极之间的发射层。在其中自发光元件为OLED的情况下，来自两个电极的电子和空穴可在发射层中复合在一起以生成激子，并且可响应激子从激发态到基态的跃迁而发射光。

自发光显示装置可不包括任何独立的光源(比如背光单元)，并且可因此实施为低功率消耗、薄且轻质的显示装置，其具有高质量特性比如宽视角、高亮度和高对比度以及快速响应速度，从而作为下一代显示装置引起关注。

发明内容

本公开的实施方式提供了显示装置，显示装置包括电源线，电源线设置在显示区域中，供应电压，并且电连接至公共电极。

本公开的实施方式也提供了显示装置和制造显示装置的方法，显示装置能够在将电源线和公共电极彼此连接时防止对电源线的损坏。

然而，本公开的实施方式不限于在本文中陈述的那些。通过参考下面给出的本公开的详细描述，本公开的上面的和其他方面将对于本公开所属领域的普通技术人员变得更显而易见。

根据本公开的实施方式，显示装置包括：数据导电层，包括设置在基板上的第一电源线；钝化层，设置在数据导电层上，其中通过钝化层限定暴露第一电源线的至少一部分的第一开孔；保护层，设置在钝化层上；通孔层，设置在保护层上，其中通过通孔层限定与第一开孔部分重叠的第二开孔；像素电极，设置在通孔层上；连接电极，与像素电极间隔开并且至少部分设置在第一开孔和第二开孔中；像素限定膜，设置在像素电极和连接电极上，其中通过像素限定膜限定与第二开孔重叠的开孔；发光层，设置在像素限定膜上，并且至少部分设置在像素电极和连接电极上；以及公共电极，设置在发光层上并且电连接至第一电源线。在这种实施方式中，数据导电层包括数据基底层、设置在数据基底层上的数据主金属层以及设置在数据主金属层上的数据封盖层，第一电源线包括电线连接结构，并且电线连接结构形成为数据主金属层从数据封盖层的侧面凹进，并且公共电极电连接至电线连接结构中的数据主金属层。

在实施方式中，保护层可在通孔层下面从像素限定膜的限定第二开孔的侧壁部分凹进。

在实施方式中，保护层可包括硅氧化物、硅氮化物或硅氧氮化物。

在实施方式中，连接电极可至少部分设置在数据主金属层的侧面上。

在实施方式中，第一电源线可包括：第一侧壁，与第一开孔和第二开孔重叠，并且电线连接结构设置在第一侧壁上；第二侧壁，与第一开孔重叠并且不与第二开孔重叠，并且被钝化层覆盖；以及第三侧壁，不与第一开孔和第二开孔重叠，并且被通孔层覆盖。

在实施方式中，第一电源线的第二侧壁和第三侧壁可与数据主金属层的侧面和数据封盖层的侧面对齐。

在实施方式中，连接电极可设置为覆盖数据主金属层的侧面。

在实施方式中，电线开孔可限定为穿过第一电源线，并且第一开孔和第二开孔可设置为与电线开孔部分重叠。

在实施方式中，电线连接结构可设置在第一电源线的限定电线开孔，并且与第一开孔和第二开孔重叠的第一侧壁上。

在实施方式中，电线开孔的不与选自第一开孔和第二开孔中的至少一个重叠的侧壁可被钝化层或通孔层覆盖，并且与数据主金属层的侧面和数据封盖层的侧面对齐。

在实施方式中，显示装置可进一步包括：与第一电源线间隔开的第二电源线，其中第一开孔和第二开孔可与第一电源线的侧面重叠，并且可不与第二电源线重叠。

在实施方式中，电线连接结构可与暴露第一电源线的第一开孔和第二开孔重叠。

在实施方式中，第一电源线可包括第一子线和第二子线，第一子线和第二子线至少部分彼此间隔开，并且第一开孔和第二开孔可与第一子线的侧面重叠，并且可不与第二子线重叠。

在实施方式中，电线连接结构可设置在第一子线的与第一开孔和第二开孔重叠的部分上。

根据本公开的实施方式，显示装置包括：数据导电层，包括设置在基板上的第一电源线；钝化层，设置在数据导电层上，其中通过钝化层限定暴露第一电源线的至少一部分的第一开孔；保护层，设置在钝化层上；通孔层，设置在保护层上，通过通孔层限定与第一开孔部分重叠的第二开孔；像素电极，设置在通孔层上；像素限定膜，设置在像素电极上，通过像素限定膜限定与第二开孔重叠的开孔；发光层，设置在像素限定膜上，并且至少部分设置在像素电极上；以及公共电极，设置在发光层上并且电连接至第一电源线。在这种实施方式中，数据导电层包括数据基底层、设置在数据基底层上的数据主金属层以及设置在数据主金属层上的数据封盖层，保护层从像素限定膜的侧面凹进，第一电源线包括电线连接结构，并且电线连接结构形成为数据主金属层从数据封盖层的侧面凹进，并且公共电极电连接至电线连接结构中的数据主金属层。

根据本公开的实施方式，制造显示装置的方法包括：在基板上形成第一电源线，其中第一电源线包括数据基底层、设置在数据基底层上的数据主金属层以及设置在数据主金属层上的数据封盖层；在第一电源线上形成钝化层，其中通过钝化层形成部分暴露第一电源线的第一开孔；在钝化层上形成保护层，以覆盖由第一开孔暴露的第一电源线的部分；在保护层上形成通孔层，其中通过通孔层形成与第一开孔部分重叠，并且暴露保护层的第二开孔；通过蚀刻由第二开孔暴露的保护层的部分并且蚀刻由第一开孔暴露的第一电源线的部分形成电线连接结构，并且电线连接结构形成为数据主金属层从数据封盖层的侧面凹进；以及在通孔层上形成公共电极并且公共电极在第二开孔中至少部分电连接至电线连接结构的数据主金属层。

在实施方式中，保护层可包括硅氧化物、硅氮化物或硅氧氮化物。

在实施方式中，蚀刻保护层的部分可包括使用通孔层作为掩模进行各向同性的蚀刻工艺，并且保护层可形成为从通孔层的侧面部分凹进。

在实施方式中，方法在形成公共电极之前可进一步包括：在通孔层上并且至少部分在第二开孔中形成连接电极；以及在连接电极上形成发光层，其中连接电极的至少一部分可设置在数据主金属层的侧面上，并且公共电极可设置在连接电极上。

在实施方式中，方法在蚀刻保护层的部分之前可进一步包括：在通孔层上并且至少部分在第二开孔中形成像素限定膜，其中蚀刻保护层的部分可包括使用像素限定膜作为掩模进行各向同性的蚀刻工艺。

根据本公开的实施方式，提供了钝化层，能够在电源线的形成期间防止电源线的金属层被有机绝缘材料氧化。由于在形成与显示区域中的公共电极电连接的电源线期间，电源线的金属层被钝化层的保护，所以可有效防止公共电极和电源线之间的任何电连接缺陷。

在这种实施方式中，由于连接结构形成在显示区域中，所以可有效防止施加至公共电极的电势的电压降。

应当注意，本公开的效果不限于上述的那些，并且本公开的其他效果将从下述描述中显而易见。

附图说明

通过参考所附附图详细地描述本公开的实施方式，本公开的上述和其他特征将变得更显而易见，其中：

图1为根据本公开的实施方式的显示装置的透视图；

图2为沿着图1的线X1-X1’截取的横截面图；

图3为图1的显示装置的横截面图；

图4为图1的显示装置的像素的电路图；

图5为阐释图1的显示装置的显示基板的一部分的横截面图；

图6为阐释图1的显示装置的电源线的一部分的平面图；

图7为沿着图6的线VII-VII’截取的横截面图；

图8为阐释图7的部分A的放大的横截面图；

图9至图18为阐释制造图1的显示装置的方法的实施方式的平面图或横截面图；

图19为阐释根据本公开的可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的平面图；

图20为沿着图19的线XX-XX’截取的横截面图；

图21至图23为阐释制造图19的显示装置的方法的实施方式的横截面图；

图24为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的横截面图；

图25至图27为阐释制造图24的显示装置的方法的实施方式的横截面图；

图28为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的平面图；

图29为沿着图28的线N1-N1’截取的横截面图；

图30为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的平面图；

图31为沿着图30的线N2-N2’截取的横截面图；并且

图32为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电线连接结构的横截面图。

具体实施方式

现在将在下文中参考其中示出了本发明的各种实施方式的所附附图更充分地描述本发明。然而，本发明可具体化为不同的形式并且不应解释为限于在本文中陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式以便本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。

也将理解，当层称为“在”另一层或基板“上”时，其可直接在另一层或基板上，或也可存在居间层。遍及说明书相同的附图标记指示相同的组件。

将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。例如，在不背离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可称为第二元件。类似地，第二元件也可称为第一元件。

在本文中使用的术语仅用于描述特定的实施方式的目的，并且不旨在是限制性的。如在本文中使用的，“一个(a)”、“一个(an)”、“所述”和“至少一个”不表示数量的限制，并且旨在包括单数和复数二者，除非上下文另外清楚地指示。例如，除非上下文另外清楚地指示，否则“元件”与“至少一个元件”具有相同的含义。“至少一个”不解释为限于“一个(a)”或“一个(an)”。“或”意指“和/或”。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的列举项目的任何和所有组合。将进一步理解，当在本说明书中使用术语“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”或“包括(includes)”和/或“包括(including)”时，指出存在叙述的特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组，但是不排除存在或添加一个或多个其他特征、区、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组。

此外，比如“下”或“底部”以及“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述如图中阐释的一个元件与另一元件的关系。将理解，相对术语旨在囊括除了图中描绘的定向之外的装置的不同定向。例如，如果将一个图中的装置翻转，则描述为在其他元件的“下”侧上的元件将接着定向在其他元件的“上”侧上。所以，术语“下”可囊括“下”和“上”的两种定向，这取决于图的特定定向。类似地，如果将一个图中的装置翻转，则描述为在其他元件的“下面”或“之下”的元件将接着定向在其他元件的“上面”。所以，术语“下面”或“之下”可囊括上面和下面的两种定向。

除非以其他方式限定，否则在本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，术语，比如在常用的词典中限定的那些，应解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化的或过于正式的意义解释，除非在本文中明确地如此限定。

在本文中参考作为理想实施方式的示意性阐释的横截面阐释来描述实施方式。正因如此，应预期到由例如制造技术和/或公差造成的阐释的形状的变型。因此，在本文中描述的实施方式不应解释为限于如在本文中阐释的区的特定形状，而是包括由于例如制造造成的形状的偏差。例如，阐释或描述为平坦的区通常可具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，阐释的尖角可为圆形的。因此，图中阐释的区本质上是示意性的并且它们的形状不旨在阐释区的精确的形状并且不旨在限制本权利要求的范围。

下文中，将参考所附附图描述实施方式。

图1为根据本公开的实施方式的显示装置的透视图。图2为沿着图1的线X1-X1’截取的横截面图。

参考图1和图2，实施方式的显示装置1显示移动图像或静止图像。显示装置1可指提供显示屏的任何类型的电子装置。在实施方式中，显示装置1可包括例如电视(TV)、笔记本计算机、监视器、广告牌、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数字相机或摄像机。

在实施方式中，显示装置1可为例如无机发光二极管显示装置、有机发光二极管(OLED)显示装置、量子点发光显示装置、等离子体显示装置或场发射显示(FED)装置。显示装置1将在下文描述为例如OLED显示装置，但是本公开不限于此。可选地，显示装置1可适用于各种其他显示装置。

可改变或不同地修改显示装置1的形状。在实施方式中，例如，显示装置1可具有在水平方向上比在竖直方向上延伸得长的矩形形状、在竖直方向上比在水平方向上延伸得长的矩形形状、正方形形状、具有圆角的四角形形状、非四角形多边形形状或圆形形状。显示装置1的显示区域DA的形状可与显示装置1的形状类似。图1和图2阐释了其中显示装置1和显示区域DA二者都具有在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的矩形形状的实施方式。这里，垂直于第一方向DR1和第二方向DR2的第三方向DR3可为显示装置1的厚度方向。

显示装置1可包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可为其中设置显示屏的区域，并且非显示区域NDA可为其中未设置显示屏的区域。显示区域DA也可称为活动区域，并且非显示区域NDA也可称为非活动区域。显示区域DA可占据显示装置1的中间部分。

在实施方式中，如图1和图2中示出的，显示装置1可包括显示基板10以及与显示基板10相对的颜色转换基板20，并且可进一步包括密封部分50和填料构件70，密封部分50将显示基板10和颜色转换基板20彼此联接，填料构件70设置在显示基板10和颜色转换基板20之间。

显示基板10可包括用于显示图像的元件和电路(例如，像素电路，比如开关元件)、限定显示区域DA中的发光区域和非发光区域的像素限定膜以及自发光元件。自发光元件可包括有机发光二极管(OLED)、量子点发光二极管(LED)、包括无机材料的微LED和/或包括无机材料的纳米LED。为了方便起见，自发光元件将在下文中描述为OLED。

颜色转换基板20可放置在显示基板10上并且可面向显示基板10。在一些实施方式中，颜色转换基板20可包括能够转换入射光的波长的波长转换图案层。在一些实施方式中，颜色转换基板20可包括滤色器和/或波长转换图案层。在一些实施方式中，颜色转换基板20可包括滤色器和波长转换图案层二者。

密封部分50可放置在非显示区域NDA中的显示基板10和颜色转换基板20之间。在平面图中或在第三方向DR3上观察时，密封部分50可沿着显示基板10和颜色转换基板20中的每一个的边缘设置在非显示区域NDA中，以围绕显示区域DA。显示基板10和颜色转换基板20可经密封部分50联接在一起。

在一些实施方式中，密封部分50可包括有机材料或由有机材料形成。在实施方式中，例如，密封部分50可由环氧树脂形成，但是本公开不限于此。

在一些实施方式中，密封部分50可放置为与显示基板10的薄膜封装层ENC重叠。在这种实施方式中，密封部分50可放置在非显示区域NDA中的薄膜封装层ENC和颜色转换基板20之间。在一些实施方式中，密封部分50可直接接触薄膜封装层ENC。

填料构件70可放置在显示基板10和颜色转换基板20之间由密封部分50围绕的空间中。填料构件70可填充显示基板10和颜色转换基板20之间的空间。

在一些实施方式中，填料构件70可包括能够透射光的材料或由能够透射光的材料形成。在一些实施方式中，填料构件70可包括有机材料或由有机材料形成。在实施方式中，例如，填料构件70可包括硅酮类有机材料、环氧类有机材料或其混合物或由硅酮类有机材料、环氧类有机材料或其混合物形成。

在一些实施方式中，填料构件70可包括消光系数基本上为零的材料或由消光系数基本上为零的材料形成。折射率和消光系数之间存在相关性，并且折射率越小，消光系数越小。当折射率为1.7或更小时，消光系数基本上收敛于零。在一些实施方式中，填料构件70可包括折射率为1.7或更小的材料或由折射率为1.7或更小的材料形成，并且结果，可有效防止或基本上最小化自发光元件提供的光被填料构件70的吸收。在一些实施方式中，填料构件70可包括折射率为1.4至1.7的有机材料或由折射率为1.4至1.7的有机材料形成。

图3为图1的显示装置的横截面图。具体地，图3阐释了显示基板10和颜色转换基板20的横截面结构。

参考图3，显示装置1阐释为例如在从第一基板11至第二基板21的方向上而不是在从第二基板21至第一基板11的方向上发射光的顶部发射显示装置，但是本公开不限于此。

参考图3，实施方式的显示装置1可包括发光层EML、覆盖发光层EML的薄膜封装层ENC以及设置在薄膜封装层ENC上的波长转换层WCL和透光层TPL。显示装置1可包括显示基板10以及与显示基板10相对的颜色转换基板20。发光层EML、薄膜封装层ENC、波长转换层WCL和透光层TPL可包括在显示基板10和颜色转换基板20中的一个中。

在实施方式中，例如，显示基板10可包括第一基板11、设置在第一基板11的一个表面上的发光层EML以及设置在发光层EML上的薄膜封装层ENC，并且颜色转换基板20可包括第二基板21以及设置在第二基板21的面向第一基板11的表面上的波长转换层WCL和透光层TPL。

填料构件70可设置在薄膜封装层ENC和波长转换层WCL之间以及薄膜封装层ENC和透光层TPL之间。填料构件70可填充显示基板10和颜色转换基板20之间的空间，并且可将显示基板10和颜色转换基板20结合在一起。

显示基板10的第一基板11可为绝缘基板。第一基板11可包括透明材料。在实施方式中，例如，第一基板11可包括透明绝缘材料比如玻璃或石英。在实施方式中，第一基板11可为刚性基板，但是本公开不限于此。可选地，第一基板11可包括塑料材料比如聚酰亚胺，并且可为柔性(例如，可弯折的、可折叠的或可卷曲的)。

多个像素电极PXE可设置在第一基板11的表面上。多个像素电极PXE可设置在发射区域EMA中。多个像素电极PXE可在发射区域EMA之间彼此分开。电路层CCL可设置在第一基板11上。电路层CCL可设置在第一基板11和像素电极PXE之间。稍后将详细地描述电路层CCL。

像素电极PXE可为LED的第一电极(例如，阳极)。像素电极PXE可具有其中堆叠具有高功函的材料比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In₂O₃)的层和具有反射材料比如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、铅(Pb)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其混合物的层的结构。这里，具有高功函的材料的层可设置在具有反射材料的层的上面，靠近发光层EML。像素电极PXE可具有ITO/Mg、ITO/MgF₂、ITO/Ag或ITO/Ag/ITO的多层结构，但是本公开不限于此。

像素限定膜PDL可设置在第一基板11的表面上。像素限定膜PDL可设置在像素电极PXE上，并且可提供暴露像素电极PXE的开孔，即，通过像素限定膜PDL来限定暴露像素电极PXE的开孔。发射区域EMA和非发射区域NEM可由像素限定膜PDL和像素限定膜PDL的开孔限定。像素限定膜PDL可包括有机绝缘材料比如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。可选地，像素限定膜PDL可包括无机材料。

发光层EML可设置在像素限定膜PDL上。在像素限定膜PDL的开孔中，发光层EML可设置在像素电极PXE上，以覆盖像素限定膜PDL的顶表面。与像素电极PXE不同，发光层EML可不在发射区域EMA之间分开，并且可形成为公共层。在其中显示装置1为OLED显示装置的实施方式中，发光层EML可包括含有有机材料的有机层。有机层可包括有机发光层，并且可进一步包括空穴注入层/空穴传输层和/或电子注入层/电子传输层作为辅助层，用于辅助光的发射。可选地，在其中显示装置1为微LED显示装置或纳米LED显示装置的实施方式中，发光层EML可包括无机材料比如无机半导体。

在一些实施方式中，发光层EML可具有串联结构，包括在厚度方向上堆叠的多个有机发光层和设置在有机发光层之间的电荷生成层。有机发光层可发射彼此相同波长的光或者彼此不同波长的光。在实施方式中，不同像素的有机发光层中的至少一些可彼此分开(或分离)。

在实施方式中，例如，遍及像素由发光层EML发射的光的波长可为一致的。在实施方式中，例如，发光层EML可发射蓝光或紫外(UV)光，并且因为颜色转换基板20包括波长转换层WCL和透光层TPL，所以不同的发射区域EMA可显示不同的颜色。

在可选的实施方式中，例如，一个发射区域EMA的由发光层EML发射的光的波长可不同于另一发射区域EMA的由发光层EML发射的光的波长。在第一发射区域中发光层EML可发射第一颜色的光，在第二发射区域中发光层EML可发射第二颜色的光，并且在第三发射区域中发光层EML可发射第三颜色的光。在这种实施方式中，第一发射区域、第二发射区域和第三发射区域的发光层EML可彼此分开，并且可设置在像素限定膜PDL的开孔中。

公共电极CME可设置在发光层EML上。遍及发射区域EMA可连接或通常提供公共电极CME。公共电极CME可为遍及发射区域EMA设置在第一基板11的整个表面上的全电极。公共电极CME可对应于LED的第二电极(例如，阴极)。

公共电极CME可包括具有低功函的材料比如Li、Ca、氟化锂、Al、Mg、Ag、Pt、Pd、Ni、Au、Nd、Ir、氟化钡(BaF)、钡(Ba)或其化合物或混合物(例如，Ag和Mg的混合物)的层，或具有低功函的材料比如氟化锂/钙(LiF和Ca的堆叠结构)或氟化锂/铝(LiF和Al的堆叠结构)的层。公共电极CME可进一步在具有低功函的材料的层上包括具有透明金属氧化物的层。

像素电极PXE、发光层EML和公共电极CME可形成发光元件ED(例如，OLED)。由发光层EML发射的光可通过公共电极CME在向上的方向上发射。

薄膜封装层ENC可设置在公共电极CME上。薄膜封装层ENC可包括一个或多个薄膜封装层。在实施方式中，例如，薄膜封装层可包括第一无机膜ENC1、有机膜ENC2和第二无机膜ENC3。第一无机膜ENC1和第二无机膜ENC3可包括硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)或硅氧氮化物(SiO_xN_y)。有机膜ENC2可包括有机绝缘材料比如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯树脂、聚苯硫醚树脂或BCB。

颜色转换基板20可设置在薄膜封装层ENC上面以面向显示基板10。颜色转换基板20的第二基板21可包括透明材料。第二基板21可包括透明绝缘材料比如玻璃或石英。在实施方式中，第二基板21可为刚性基板。然而，本公开不限于此。可选地，第二基板21可包括塑料材料比如聚酰亚胺，并且可为柔性的(例如，可弯折的、可折叠的或可卷曲的)。

从材料、厚度和透射率的角度，第二基板21可与第一基板11相同或可与第一基板11不同。在实施方式中，例如，第二基板21可比第一基板11具有高的透射率。第二基板21可比第一基板11厚或薄。

阻光构件BM可沿着发射区域EMA中的每一个的边界设置在第二基板21的面向第一基板11的表面上。阻光构件BM可与显示基板10的像素限定膜PDL重叠，并且可设置在非发射区域NEM中。阻光构件BM可提供开孔，该开孔暴露第二基板21的与发射区域EMA重叠的表面的部分。在平面图中或当在第三方向DR3上观察时，阻光构件BM可形成为格子形状。

阻光构件BM可包括有机材料。阻光构件BM可吸收外部光，并且可从而减少可由外部光的反射造成的颜色扭曲。并且，阻光构件BM可防止由发光层EML发射的光在不同的发射区域EMA之间渗入。

在实施方式中，例如，阻光构件BM可吸收所有可见波长的光。阻光构件BM可包括光吸收材料。在实施方式中，例如，阻光构件BM可由可用作显示装置1的黑色基质的材料形成。

在可选的实施方式中，例如，阻光构件BM可吸收特定的可见波长的光，并且可透射另一特定的可见波长的光。阻光构件BM可包括与滤色器层CFL的材料相同的材料。在实施方式中，阻光构件BM可包括与第三滤色器层CFL3的材料相同的材料。在这种实施方式中，阻光构件BM可与第三滤色器层CFL3整体形成为单个一体并且不可分割的部分。在一些实施方式中，可不提供阻光构件BM。

滤色器层CFL可设置在第二基板21的其上设置阻光构件BM的表面上。滤色器层CFL可设置在第二基板21的由阻光构件BM的开孔暴露的表面的部分上。滤色器层CFL可均匀地设置在阻光构件BM上。

滤色器层CFL可包括设置在第一发射区域中的第一滤色器层CFL1、设置在第二发射区域中的第二滤色器层CFL2和设置在第三发射区域中的第三滤色器层CFL3。滤色器层CFL可包括着色剂，比如能够吸收除了特定标注的波长的光之外的所有波长的光的颜料或染料。第一滤色器层CFL1可为红色滤色器层，第二滤色器层CFL2可为绿色滤色器层，并且第三滤色器层CFL3可为蓝色滤色器层。在实施方式中，滤色器层CFL可设置在阻光构件BM上以彼此间隔开。可选地，滤色器层CFL可在阻光构件BM上至少部分彼此重叠。

第一封盖层22可设置在滤色器层CFL上。第一封盖层22可有效防止滤色器层CFL被来自外侧的杂质(比如水分或空气)损坏或污染。并且，第一封盖层22可防止滤色器层CFL的着色剂扩散至其他元件中。

第一封盖层22可直接接触滤色器层CFL的表面(例如，底表面)。第一封盖层22可包括无机材料或由无机材料形成。在实施方式中，例如，第一封盖层22可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物或硅氧氮化物。

隔离壁PTL可设置在第一封盖层22上。隔离壁PTL可设置在非发射区域NEM中。隔离壁PTL可设置为与阻光构件BM重叠。隔离壁PTL可包括暴露滤色器层CFL的开孔。隔离壁PTL可包括光敏有机材料，但是本公开不限于此。隔离壁PTL可进一步包括阻光材料。

波长转换层WCL和透光层TPL可设置在由隔离壁PTL的开孔暴露的空间中。波长转换层WCL和透光层TPL可使用隔离壁PTL作为堤挡通过喷墨印刷工艺来形成，但是本公开不限于此。

在其中发光层EML发射第三颜色的光的实施方式中，波长转换层WCL可包括分别设置在第一发射区域和第二发射区域中的第一波长转换图案WCL1和第二波长转换图案WCL2。透光层TPL可设置在第三发射区域中。

第一波长转换图案WCL1可包括第一基础树脂BRS1和设置在第一基础树脂BRS1中的第一波长转换材料WCP1。第二波长转换图案WCL2可包括第二基础树脂BRS2和设置在第二基础树脂BRS2中的第二波长转换材料WCP2。透光层TPL可包括第三基础树脂BRS3和设置在第三基础树脂BRS3中的散射体材料SCP。

第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可包括透明有机材料。在实施方式中，例如，第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂或酰亚胺树脂。第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可包括相同的材料，但是本公开不限于此。

散射体材料SCP可为金属氧化物或有机材料的颗粒。金属氧化物可为氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、In₂O₃、ZnO或氧化锡(SnO₂)，并且有机材料可为丙烯酸树脂或氨基甲酸乙酯树脂。

第一波长转换材料WCP1可为将第三颜色的光转换成第一颜色的光的材料，并且第二波长转换材料WCP2可为将第三颜色的光转换成第二颜色的光的材料。第一波长转换材料WCP1和第二波长转换材料WCP2可为量子点、量子棒或磷光体。量子点可包括第IV族纳米晶体、第II-VI族化合物纳米晶体、第III-V族化合物纳米晶体、第IV-VI族化合物纳米晶体或其组合。第一波长转换图案WCL1和第二波长转换图案WCL2可进一步包括散射体材料SCP。

设置在第三发射区域中的透光层TPL透射从发光层EML入射的第三颜色的光，同时保持入射光的波长。透光层TPL的散射体材料SCP可控制通过透光层TPL输出的光的路径。透光层TPL可不包括波长转换材料。

第二封盖层23设置在波长转换层WCL和透光层TPL上。第二封盖层23可包括无机材料或由无机材料形成。第二封盖层23可包括选自前述的用于形成第一封盖层22的材料中的材料。第二封盖层23可包括与第一封盖层22的材料相同的材料或由与第一封盖层22的材料相同的材料形成，但是本公开不限于此。

填料构件70可设置在显示基板10和颜色转换基板20之间。填料构件70可填充显示基板10和颜色转换基板20之间的空间，并且可将显示基板10和颜色转换基板20联接在一起。填料构件70可设置在薄膜封装层ENC和颜色转换基板20的第二封盖层23之间。填料构件70可包括硅(Si)类有机材料或环氧类有机材料或由硅(Si)类有机材料或环氧类有机材料形成，但是本公开不限于此。

图4为图1的显示装置的像素的电路图。

参考图4，实施方式的显示装置1可包括多个像素，各自包括发光元件ED、三个晶体管(即，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3)以及一个存储电容器Cst。

发光元件ED发射具有与经第一晶体管T1施加至发光元件ED的电流对应的亮度的光。发光元件ED包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的至少一个发光层。根据从第一电极和第二电极传输的电信号，发光层可发射特定的波长范围的光。

发光元件ED的第一端可连接至第一晶体管T1的源电极，并且发光元件ED的第二端可连接至第二电压线VSL，第二电压线VSL供应小于供应至第一电压线VDL的高电势电压(下文中，第一电源电压)的低电势电压。

根据第一晶体管T1的栅电极和源电极之间的电压差，第一晶体管T1控制从供应第一电源电压的第一电压线VDL流向发光元件ED的电流。在实施方式中，例如，第一晶体管T1可为用于驱动发光元件ED的晶体管。第一晶体管T1的栅电极可连接至第二晶体管T2的源电极，第一晶体管T1的源电极可连接至发光元件ED的第一电极，并且第一晶体管T1的漏电极可连接至供应第一电源电压的第一电压线VDL。

第二晶体管T2通过来自第一扫描线SL1的第一扫描信号导通，以将数据线DTL连接至第一晶体管T1的栅电极。第二晶体管T2的栅电极可连接至第一扫描线SL1，第二晶体管T2的源电极可连接至第一晶体管T1的栅电极，并且第二晶体管T2的漏电极可连接至数据线DTL。

第三晶体管T3通过来自第二扫描线SL2的第二扫描信号导通，以将初始化电压线VIL连接至发光元件ED的第一端。第三晶体管T3的栅电极可连接至第二扫描线SL2，第三晶体管T3的漏电极可连接至初始化电压线VIL，并且第三晶体管T3的源电极可连接至发光元件ED的第一端或第一晶体管T1的源电极。

第一晶体管T1至第三晶体管T3的源电极和漏电极不限于上面描述。第一晶体管T1至第三晶体管T3可形成为薄膜晶体管(TFT)。图4阐释了第一晶体管T1至第三晶体管T3形成为N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，但是本公开不限于此。即，可选地，第一晶体管T1至第三晶体管T3可都形成为P型MOSFET。仍可选地，第一晶体管T1至第三晶体管T3中的一些可形成为N型MOSFET，并且其他晶体管可形成为P型MOSFET。

存储电容器Cst连接在第一晶体管T1的栅电极和源电极之间。存储电容器Cst存储与第一晶体管T1的栅电极和源电极之间的电压差相对应的差分电压。

参考图4，第二晶体管T2的栅电极可连接至第一扫描线SL1，并且第三晶体管T3的栅电极可连接至第二扫描线SL2。第一扫描线SL1和第二扫描线SL2可为不同的扫描线，并且第二晶体管T2和第三晶体管T3可通过来自不同的扫描线的扫描信号导通。然而，本公开不限于此。

可选地，在一些实施方式中，第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅电极可连接至相同的扫描线。第二晶体管T2和第三晶体管T3可通过来自相同的扫描线的扫描信号同时导通。

图5为阐释图1的显示装置的显示基板的一部分的横截面图。具体地，图5阐释了图3中示出的显示基板10的发射区域EMA中的发光元件ED和电路层CCL的横截面结构。

参考图5，在显示装置的实施方式中，电路层CCL可包括设置在第一基板11上的半导体层150、多个导电层和多个绝缘层。半导体层150可包括氧化物半导体。多个导电层可包括下金属层120、栅导电层130、数据导电层140和像素电极PXE。多个绝缘层可包括缓冲层161、栅绝缘层162、夹层绝缘层163、钝化层164、保护层165和通孔层166。

下金属层120可设置在第一基板11上。下金属层120可为用于保护半导体层150免受外部光的影响的阻光层。下金属层120可被图案化或具有图案化的形状。下金属层120可设置在晶体管区TRR中。下金属层120可设置为从半导体层150下面覆盖半导体层150的至少沟道区或整个半导体层150。下金属层120可通过第一接触孔CNT1电连接至驱动晶体管的源电极SEL，以抑制驱动晶体管中的电压改变。下金属层120可形成为其中堆叠钛(Ti)层和铜(Cu)层的双层膜(或由其中堆叠钛(Ti)层和铜(Cu)层的双层膜限定)，但是本公开不限于此。

缓冲层161可设置在下金属层120上。缓冲层161可设置为覆盖第一基板11的其上形成下金属层120的整个表面。缓冲层161可包括硅氮化物、硅氧化物或硅氧氮化物。缓冲层161可包括SiN_x/SiO_x双层膜。

半导体层150可设置在缓冲层161上。半导体层150可设置在晶体管区TRR中，并且可形成驱动晶体管的沟道区。半导体层150可包括氧化物半导体。氧化物半导体可包括，例如，包括铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、Ti、Al、铪(Hf)、锆(Zr)和/或Mg的二元化合物(AB_x)、三元化合物(AB_xC_y)或四元化合物(AB_xC_yD_z)。在实施方式中，例如，半导体层150可包括氧化铟镓锌(IGZO)。

栅绝缘层162可设置在半导体层150上。栅绝缘层162与稍后将描述的栅导电层130可形成为相同的图案。栅绝缘层162的侧面可与栅导电层130的侧面对齐，但是本公开不限于此。栅绝缘层162可包括硅化合物或金属氧化物。在实施方式中，例如，栅绝缘层162可包括硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、铝氧化物、钽氧化物、铪氧化物、锆氧化物或钛氧化物。在实施方式中，例如，栅绝缘层162可包括SiO_x膜。

栅导电层130可设置在栅绝缘层162上。晶体管区TRR的栅电极GEL可由栅导电层130形成(或由栅导电层130的一部分限定)。栅导电层130阐释为具有单层结构，但是本公开不限于此。与稍后将描述的数据导电层140一样，栅导电层130可由一个或多个层形成或由一个或多个层限定。栅导电层130可包括Ti、钽(Ta)、Ca、Cr、Mg、Ni、Cu、钼(Mo)、Al、Ag、IZO、ITO或氧化铟锌锡(IZTO)。

夹层绝缘层163可设置在栅导电层130上。夹层绝缘层163可包括无机绝缘材料比如硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物或锌氧化物。在实施方式中，例如，夹层绝缘层163可包括SiO_xN_y。

数据导电层140可设置在夹层绝缘层163上。晶体管区TRR的源电极SEL和漏电极DEL可由数据导电层140形成。源电极SEL和漏电极DEL可通过第二接触孔CNT2连接至半导体层150。源电极SEL可通过第一接触孔CNT1连接至下金属层120，第一接触孔CNT1通过夹层绝缘层163和缓冲层161限定。

数据导电层140可包括数据导电金属层141和设置在数据导电金属层141上的数据封盖层142。数据导电金属层141可形成为单层膜或可形成为多层膜。在实施方式中，例如，数据导电金属层141可包括数据主金属层141a和设置在数据主金属层141a下面的数据基底层141b。数据基底层141b、数据主金属层141a和数据封盖层142可都包括导电材料或由导电材料形成。在数据导电层140的在厚度方向上彼此重叠的层之间可不插入绝缘层。数据基底层141b、数据主金属层141a和数据封盖层142可通过单个或相同的掩模工艺来图案化。数据导电层140中的每一个层的侧面可彼此对齐。在一些实施方式中，在数据导电层140中，每个下层的侧面可不从它们各自的上层的侧面向外突出。即，数据导电层140可不包括通过数据导电层140的突出超过它们各自的下层的每个上层形成的尖端。在该情况下，在数据导电层140中，每个下层的侧面可与它们各自的上层的侧面对齐，或从它们各自的上层的侧面向外突出。

在实施方式中，在非发射区域NEM中公共电极CME接触的数据导电层140的数据封盖层142可包括从数据主金属层141a的侧面突出的尖端。设置在整个显示区域DA中的公共电极CME可在显示区域DA的非发射区域NEM中接触数据导电层140，并且在数据封盖层142的尖端下面接触数据主金属层141a，并且这将稍后描述。

数据基底层141b可改善数据主金属层141a的特性，比如粘性或可有效防止来自夹层绝缘层163的反应物质渗透至数据主金属层141a中。数据基底层141b可包括透明电极，该透明电极包括金属材料比如Ti、Ta、Ca、Cr、Mg、Ni、In、Zn、Sn、Ga、Al或其合金。在实施方式中，例如，数据基底层141b可包括Ti，但是本公开不限于此。

数据主金属层141a可主要传输信号，并且可由低电阻材料形成。数据主金属层141a可比数据基底层141b和数据封盖层142厚，并且可包括比数据基底层141b和数据封盖层142的电阻低的电阻的材料或由比数据基底层141b和数据封盖层142的电阻低的电阻的材料形成。数据主金属层141a可包括材料比如Cu、Al、Ag或Mo，但是本公开不限于此。在实施方式中，例如，数据主金属层141a可包括Cu。

数据封盖层142通过从数据主金属层141a上面覆盖数据主金属层141a来保护数据主金属层141a。数据封盖层142可保护数据主金属层141a免受用于在数据导电层140上形成层或元件(例如，第三接触孔CNT3)的蚀刻剂或化学品的影响。并且，数据封盖层142可有效防止通孔层166直接接触数据主金属层141a并且被通孔层166的材料腐蚀。并且，数据封盖层142可有效防止数据主金属层141a的材料(例如，Cu)扩散至相邻的上膜中。数据封盖层142可直接接触数据主金属层141a。

数据封盖层142可包括透明材料比如ITO、IZO、IZTO、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化镓锌(GZO)或氧化镓锌锡(GZTO)。数据封盖层142也可包括Ti、Cu、Mo或其合金。在实施方式中，例如，数据封盖层142可形成为Ti/Mo/ITO的多层薄膜。在实施方式中，例如，数据导电层140可包括Ti/Cu/ITO的三层膜或Ti/Cu/Ti/Mo/ITO的堆叠体。

钝化层164可设置在数据导电层140上。钝化层164可覆盖并且保护数据导电层140。钝化层164可包括无机绝缘材料比如硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物、铪氧化物、铝氧化物、钛氧化物、钽氧化物或锌氧化物。

保护层165可设置在钝化层164上。保护层165可与钝化层164一起保护数据导电层140。

保护层165可有效防止在形成稍后将描述的电线连接结构期间由于数据导电层140接触通孔层166而形成氧化物。当形成与公共电极CME和数据导电层140接触的电线连接结构时，保护层165可设置为覆盖数据导电层140，并且可防止通孔层166的有机材料直接接触数据导电层140。保护层165可包括硅氧化物、硅氮化物或硅氧氮化物。在实施方式中，保护层165可形成为单层膜，但是本公开不限于此。可选地，保护层165可形成为双层膜或多层膜。

通孔层166可设置在保护层165上。通孔层166可包括有机绝缘材料，并且可使保护层165的顶部平坦化。通孔层166可包括有机绝缘材料比如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯树脂、聚苯硫醚树脂或BCB。通孔层166可进一步包括光敏材料，但是本公开不限于此。在实施方式中，例如，通孔层166可包括聚酰亚胺。

像素电极PXE可设置在通孔层166上。像素电极PXE的材料与上述参考图3描述的那些相同。在实施方式中，例如，像素电极PXE可包括ITO/Ag/ITO的三层膜。

像素电极PXE可设置在显示区域DA中，而不设置在非显示区域NDA中。像素电极PXE可与显示区域DA的晶体管区TRR和电容器区CPR重叠，但是本公开不限于此。像素电极PXE可通过第三接触孔CNT3连接至驱动晶体管的源电极SEL，该第三接触孔CNT3通过通孔层166、保护层165和钝化层164限定。

像素限定膜PDL可设置在像素电极PXE上。像素限定膜PDL的材料与上面参考图3描述的那些相同。在实施方式中，例如，像素限定膜PDL可包括聚酰亚胺。

像素限定膜PDL可设置在显示区域DA中，而不设置在非显示区域NDA中。像素限定膜PDL可设置为与像素电极PXE的边缘重叠。像素限定膜PDL可设置为与第三接触孔CNT3重叠。像素限定膜PDL可完全填充第三接触孔CNT3。像素限定膜PDL可设置在通孔层166的其上未形成像素电极PXE的部分上。

发光层EML和公共电极CME可设置在像素电极PXE和像素限定膜PDL上。发光层EML和公共电极CME可设置在整个显示区域DA中。发光层EML和公共电极CME可设置在发射区域EMA中的像素电极PXE和像素限定膜PDL上，并且设置在非发射区域NEM中的电线连接结构上。

在非显示区域NDA中，公共电极CME可电连接至外部电源线(未阐释)，并且低电势信号可施加至公共电极CME。在实施方式中，在显示区域DA中，公共电极CME可电连接至施加低电势信号的电源线，以防止施加至遍及整个显示区域DA的公共电极CME的信号的电压降。在显示区域DA的非发射区域NEM中，公共电极CME可连接至电路层CCL的电源线。在作为其中未设置发光元件ED的区域的非发射区域NEM中，设置在像素限定膜PDL上的公共电极CME可通过暴露电源线的一部分的开孔电连接至通孔层166下面的电源线。

图6为阐释图1的显示装置的电源线的一部分的平面图。图7为沿着图6的线VII-VII’截取的横截面图。具体地，图6为阐释在显示基板10的非发射区域NEM中公共电极CME和第一电源线VL1如何彼此重叠的平面图。

参考图6和图7，显示装置1可在显示区域DA中包括电线连接结构，显示区域DA中的公共电极CME电连接至该电线连接结构。数据导电层140的第一电源线VL1可包括电线连接结构，并且可因此电连接至公共电极CME。公共电极CME可在非显示区域NDA中连接至外部电源线。公共电极CME可在显示区域DA中连接至第一电源线VL1，并且可因此接收低电势信号。

第一电源线VL1可设置在显示区域DA的非发射区域NEM中。第一电源线VL1可设置在其中设置多个像素电极PXE的区域周围。第一电源线VL1可设置为延伸至非显示区域NDA。第一电源线VL1可连接至外部电源线，并且可因此接收低电势电压。图6和图7阐释了第一电源线VL1的在第一方向DR1上延伸的一部分，但是第一电源线VL1可设置为围绕其中设置像素电极PXE的区域。

第一电源线VL1可提供通过其限定的电线开孔S_CNT。电线开孔S_CNT可通过第一电源线VL1形成，并且电线连接结构可形成在电线开孔S_CNT的一个侧面上。钝化层164和通孔层166可设置在第一电源线VL1上，并且电线开孔S_CNT的一个侧面可被钝化层164的第一开孔P_CNT和通孔层166的第二开孔V_CNT暴露。电线连接结构可形成在电线开孔S_CNT的暴露的侧面上，并且这将稍后描述。

钝化层164可设置在数据导电层140上以覆盖第一电源线VL1。钝化层164可提供通过其限定的第一开孔P_CNT。第一开孔P_CNT在第一方向DR1上可比电线开孔S_CNT具有大的长度。第一开孔P_CNT可形成为与第一电源线VL1的电线开孔S_CNT部分重叠，并且可不完全暴露第一电源线VL1的电线开孔S_CNT。在实施方式中，例如，第一开孔P_CNT可形成为与限定电线开孔S_CNT的一个侧面重叠，并且暴露限定电线开孔S_CNT的一个侧面，而可不与限定电线开孔S_CNT的另一侧面重叠。第一开孔P_CNT可形成为不完全与电线开孔S_CNT重叠。第一电源线VL1可被钝化层164覆盖，而第一电源线VL1的靠近电线开孔S_CNT的一部分可被第一开孔P_CNT暴露。电线连接结构可形成在第一电源线VL1的被第一开孔P_CNT暴露的部分上。

保护层165可设置在钝化层164上。通孔层166的第二开孔V_CNT可限定为超过保护层165进一步延伸。可以使得保护层165的一部分可向内凹进至通孔层166中的方式蚀刻被通孔层166的第二开孔V_CNT暴露的保护层165的一部分。

通孔层166可设置在保护层165和钝化层164上。通孔层166可提供通过其限定的第二开孔V_CNT。在第一方向DR1上第二开孔V_CNT可比第一开孔P_CNT具有大的长度。第二开孔V_CNT可形成为与钝化层164的第一开孔P_CNT部分重叠，并且可不完全暴露第一开孔P_CNT。在实施方式中，例如，第二开孔V_CNT可形成为与第一开孔P_CNT的一个侧面重叠，并且暴露第一开孔P_CNT的一个侧面，而可不与第一开孔P_CNT的另一侧面重叠。第二开孔V_CNT可形成为不完全与第一开孔P_CNT重叠。钝化层164和第一电源线VL1可被通孔层166覆盖，而第一电源线VL1的靠近第一开孔P_CNT的一部分可被第二开孔V_CNT暴露。电线连接结构可形成在第一电源线VL1的被第二开孔V_CNT暴露的部分上。

第一电源线VL1可包括第一侧壁S1，其为限定与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT重叠的电线开孔S_CNT的侧壁(或侧壁的一部分)；第二侧壁S2，其为限定与第一开孔P_CNT重叠，而不与第二开孔V_CNT重叠的电线开孔S_CNT的侧壁(或侧壁的一部分)；以及第三侧壁S3，其为限定不与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT中的任何一个重叠的电线开孔S_CNT的侧壁。第一侧壁S1可为被第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT暴露的第一电线部分VL1a的侧壁(或侧壁的一部分)。第二侧壁S2和第三侧壁S3可为被钝化层164、保护层165或通孔层166覆盖的第二电线部分VL1b的侧壁(或侧壁的一部分)。

第一电源线VL1可包括被第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT暴露的作为第一电源线VL1的一部分的第一电线部分VL1a和被钝化层164、保护层165或通孔层166覆盖的作为第一电源线VL1的一部分的第二电线部分VL1b。第一电线部分VL1a和第二电线部分VL1b可为第一电源线VL1的一部分。第一电源线VL1可包括被第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT暴露的作为第一电源线VL1的一部分的第一电线部分VL1a和作为第一电源线VL1的剩余部分的第二电线部分VL1b。

连接电极PBR可设置在通孔层166上。连接电极PBR可设置在与像素电极PXE相同的层中，并且可包括与像素电极PXE的材料相同的材料。连接电极PBR可设置为与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT以及电线开孔S_CNT重叠。连接电极PBR可部分设置在通孔层166中，并且可部分设置在第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT以及电线开孔S_CNT中，以放置在第一电源线VL1、钝化层164和通孔层166的侧面上。连接电极PBR可接触数据导电层140或第一电源线VL1的电线连接结构。与保护层165一样，连接电极PBR可有效防止数据导电层140的数据主金属层141a的氧化。

像素限定膜PDL、发光层EML和公共电极CME可设置在连接电极PBR上。像素限定膜PDL可形成为不仅暴露像素电极PXE，而且也暴露第二开孔V_CNT。可选地，像素限定膜PDL可提供暴露第二开孔V_CNT的开孔。在其中发光层EML和公共电极CME设置在整个显示区域DA中的这种实施方式中，发光层EML和公共电极CME可设置在连接电极PBR上，该连接电极PBR由于其上不存在像素限定膜PDL而被暴露。

图8为阐释图7的部分A的放大的横截面图。

参考图8并且进一步参考图6和图7，实施方式的显示装置1可包括电线连接结构，该电线连接结构形成在数据导电层140或第一电源线VL1中，并且其中数据主金属层141a从数据封盖层142的侧面凹进。电线连接结构可包括由从数据主金属层141a的侧面凸出的数据封盖层142形成的尖端。由于数据封盖层142的尖端，连接电极PBR、发光层EML和公共电极CME可部分在第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT中各自分离。连接电极PBR、发光层EML和公共电极CME可部分设置在数据封盖层142的尖端上，并且可在数据封盖层142的尖端下面各自分离。连接电极PBR、发光层EML和公共电极CME可接触数据主金属层141a的暴露在数据封盖层142的尖端下面的侧面。公共电极CME可接触第一电源线VL1的第一电线部分的数据主金属层141a，并且可因此电连接至第一电源线VL1的第一电线部分的数据主金属层141a。公共电极CME可经第一电源线VL1接收低电势电压。公共电极CME可在显示区域DA中接收低电势电压，并且可因此有效防止电压降。

包括数据封盖层142的尖端的电线连接结构可仅形成在第一电源线VL1的第一电线部分VL1a中。电线连接结构可形成在第一电源线VL1的限定电线开孔S_CNT的被第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT暴露的第一侧壁S1上，而不形成在第一电源线VL1的限定电线开孔S_CNT的第二侧壁S2和第三侧壁S3上。即，尖端可仅形成在第一电源线VL1的包括限定电线开孔S_CNT的第一侧壁S1的第一电线部分VL1a中，并且第一电源线VL1的包括限定电线开孔S_CNT的第二侧壁S2和第三侧壁S3的第二电线部分VL1b可被钝化层164或通孔层166覆盖，并且可因此具有光滑的侧面。在第一电线部分VL1a中，可暴露数据主金属层141a的侧面，而在第二电线部分VL1b中，可不暴露数据主金属层141a的侧面。公共电极CME可部分通过形成在第一电源线VL1的第一侧壁S1上的尖端分离，并且可因此接触数据主金属层141a。如果尖端形成在电线开孔S_CNT的所有侧壁上，则公共电极CME的接触数据主金属层141a的部分可独立地设置在电线开孔S_CNT中，并且可不电连接至公共电极CME的包括在发光元件ED中的部分。相应地，在实施方式中，第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT的位置和尺寸可设计为使得尖端可仅形成在电线开孔S_CNT的第一侧壁S1上。

在实施方式中，由于显示装置1包括设置在数据导电层140上的保护层165，所以在形成电线连接结构期间，可有效防止数据导电层140的数据主金属层141a接触通孔层166或像素限定膜PDL。由于限定电线开孔S_CNT的第一侧壁S1被钝化层164的第一开孔P_CNT和通孔层166的第二开孔V_CNT暴露，并且数据主金属层141a比数据封盖层142进一步蚀刻，所以可在第一电源线VL1中形成电线连接结构。如果具有暴露的侧面的数据主金属层141a接触通孔层166或像素限定膜PDL，则氧化物可形成在数据主金属层141a的暴露的侧面上。在实施方式中，例如，其中数据主金属层141a包括Cu的情况下，当Cu接触有机绝缘材料时，可由于水分而生成铜氧化物(CuO_x)，并且结果，在公共电极CME和数据主金属层141a之间的电连接可劣化。

在实施方式中，显示装置1可包括覆盖数据导电层140或第一电源线VL1的暴露的侧面的保护层165，以防止在数据主金属层141a的暴露的侧面上形成氧化物。当形成包括第二开孔V_CNT的通孔层166时，保护层165可覆盖第一电源线VL1的被电线开孔S_CNT暴露的内侧。其后，当去除保护层165时，保护层165的一部分可向内凹进至通孔层166中，并且数据主金属层141a也可向内凹进至数据封盖层142中。结果，可形成电线连接结构。

在实施方式中，显示装置1可包括连接电极PBR，以防止数据主金属层141a被通孔层166之后形成的像素限定膜PDL氧化。可蚀刻保护层165以暴露数据主金属层141a的侧面，并且然后，可在形成像素限定膜PDL之前布置连接电极PBR。连接电极PBR可接触数据主金属层141a的侧面，并且可因此覆盖数据主金属层141a的侧面的至少一部分。并且，在形成像素限定膜PDL期间，连接电极PBR可防止数据主金属层141a的氧化。在实施方式中，连接电极PBR可仅覆盖数据主金属层141a的侧面的一部分，但是本公开不限于此。可选地，数据主金属层141a的侧面可被连接电极PBR完全覆盖。

在实施方式中，显示装置1包括用于公共电极CME在显示区域DA中接收低电势电压的电线连接结构，使得显示装置1可有效防止低电势电压的电压降。在这种实施方式中，由于显示装置1包括设置在数据导电层140上的保护层165，所以显示装置1可防止在形成连接至公共电极CME的电线连接结构期间损坏数据导电层140。

下文将描述制造显示装置1的方法的实施方式。

图9至图18为阐释制造图1的显示装置的方法的实施方式的平面图或横截面图。图9至图18阐释了形成显示装置1的电线连接结构的工艺。具体地，图9、图11、图13和图16为阐释形成显示装置1的电线连接结构的工艺的平面图，并且图10、图12、图14、图15、图17和图18为阐释形成显示装置1的电线连接结构的工艺的横截面图。

参考图9和图10，提供电线开孔S_CNT的第一电源线VL1形成在夹层绝缘层163上。第一电源线VL1可设置在显示区域DA的其中未设置像素电极PXE的非发射区域NEM中。电线开孔S_CNT可通过第一电源线VL1形成。

第一电源线VL1可包括在数据导电层140中，并且可包括数据导电金属层141和设置在数据导电金属层141上的数据封盖层142。数据导电层140的结构与上述那些相同。第一电源线VL1的数据主金属层141a的侧面可被电线开孔S_CNT暴露。

参考图11和图12，提供第一开孔P_CNT的钝化层164形成在第一电源线VL1上，并且保护层165形成在钝化层164上。第一开孔P_CNT可部分与电线开孔S_CNT重叠。与第一开孔P_CNT重叠的第一电源线VL1的部分可不被钝化层164覆盖，而不与第一开孔P_CNT重叠的第一电源线VL1的部分可被钝化层164覆盖。在第一电源线VL1的一部分中，数据主金属层141a的侧面可不被钝化层164覆盖，而在第一电源线VL1的另一部分中，数据主金属层141a的侧面可被钝化层164覆盖。

保护层165可设置在钝化层164、第一电源线VL1和夹层绝缘层163上。保护层165可形成为完全覆盖下面的层，而没有通过其限定的任何接触孔。与第一开孔P_CNT重叠的第一电源线VL1的部分可被保护层165覆盖。在实施方式中，例如，与第一开孔P_CNT重叠的第一电源线VL1的部分的内侧可被保护层165保护。

参考图13至图15，提供第二开孔V_CNT的通孔层166形成在保护层165上，并且通过蚀刻保护层165在第一电源线VL1中形成电线连接结构。

第二开孔V_CNT可与第一开孔P_CNT和电线开孔S_CNT部分重叠。与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT二者都重叠的第一电源线VL1的部分可不被钝化层164和通孔层166覆盖，而与第一开孔P_CNT重叠，并且不与第二开孔V_CNT重叠的第一电源线VL1的部分可被通孔层166覆盖。在第一电源线VL1的部分中，数据主金属层141a的侧面可不被钝化层164和通孔层166覆盖，而在第一电源线VL1的另一部分中，数据主金属层141a的侧面可被钝化层164和通孔层166中的至少一个覆盖。

由于通孔层166包括有机绝缘材料，所以在形成通孔层166期间数据导电层140可暴露于水分。尤其，第一电源线VL1的数据主金属层141a的侧面可被电线开孔S_CNT暴露。然而，由于显示装置1包括保护层165，该保护层165防止数据主金属层141a在形成通孔层166期间暴露于有机材料或水分，所以在形成通孔层166期间，显示装置1可有效防止数据主金属层141a的氧化。

一旦形成通孔层166，就使用通孔层166作为掩模来蚀刻保护层165，并且在第一电源线VL1中形成电线连接结构。这里，可通过各向同性的蚀刻工艺来蚀刻保护层165。在各向同性的蚀刻工艺期间，保护层165的一部分可从通孔层166的侧面凹进。并且，数据主金属层141a可从数据封盖层142的侧面凹进，并且可在数据导电层140中形成数据封盖层142的尖端。数据基底层141b可比数据主金属层141a蚀刻得慢，并且可突出超过数据主金属层141a的侧面。保护层165可包括可适当保护数据主金属层141a并且可被快速去除的材料。在实施方式中，例如，保护层165可包括材料比如硅氧化物、硅氮化物或硅氧氮化物。

由于对保护层165的蚀刻，可在第一电源线VL1的一部分中形成电线连接结构，该部分与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT二者都重叠，而不在第一电源线VL1的仅仅与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT中的一个重叠的一部分中。在实施方式中，例如，第一电源线VL1的一部分可变为其中数据主金属层141a从数据封盖层142的侧面凹进的第一电线部分VL1a，并且第一电源线VL1的另一部分可变为具有光滑的侧面的第二电线部分VL1b。第一电线部分VL1a的侧面可变为第一侧壁S1，并且第二电线部分VL1b的侧面可变为被钝化层164或通孔层166覆盖并且其中没有形成电线连接结构的第二侧壁S2和第三侧壁S3。

参考图16至图18，连接电极PBR形成在通孔层166上，并且在连接电极PBR上依次形成像素限定膜PDL、发光层EML和公共电极CME。

连接电极PBR可与像素电极PXE设置在同一层中，并且连接电极PBR可与像素电极PXE包括相同的材料。连接电极PBR可设置为覆盖第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT以及电线开孔S_CNT。连接电极PBR也可覆盖第一电源线VL1的通孔层166、钝化层164和第一电线部分VL1a中的每一个的侧面。连接电极PBR的一部分可设置在第一电线部分VL1a的数据主金属层141a的侧面上。在一些实施方式中，连接电极PBR可仅覆盖数据主金属层141a的侧面的一部分，并且可通过数据封盖层142的尖端分离，但是本公开不限于此。由于连接电极PBR覆盖数据主金属层141a的侧面的至少一部分，所以在形成设置在数据主金属层141a上的像素限定膜PDL期间，可防止数据主金属层141a被氧化。

设置在像素限定膜PDL上的发光层EML和公共电极CME可设置在整个显示区域DA中，并且可覆盖连接电极PBR。发光层EML和公共电极CME可部分设置在第一电线部分VL1a的数据主金属层141a的侧面上，并且也可通过数据封盖层142的尖端分离。

在其中连接电极PBR部分覆盖数据主金属层141a的侧面的实施方式中，发光层EML和公共电极CME的至少一部分可直接接触数据主金属层141a的侧面，但是本公开不限于此。在其中连接电极PBR全部覆盖数据主金属层141a的侧面的实施方式中，发光层EML和公共电极CME可不直接接触数据主金属层141a的侧面，并且公共电极CME可经连接电极PBR电连接至数据主金属层141a。

在实施方式中，由于公共电极CME被数据封盖层142的尖端分离，所以公共电极CME的一部分可保留在数据封盖层142的尖端上，并且公共电极CME的一部分可电连接至数据封盖层142的尖端下面的数据主金属层141a。在这种实施方式中，如上述，第一电源线VL1的限定电线开孔S_CNT的侧壁中的仅一些侧壁(或仅一些侧壁的一部分)可包括电线连接结构，并且第一电源线VL1的限定电线开孔S_CNT的一些侧壁(或一些侧壁的一部分)可被钝化层164或通孔层166覆盖。相应地，电线开孔S_CNT中的公共电极CME的一部分可不与像素限定膜PDL上的公共电极CME的一部分完全分开，并且可接收低电势电压。并且，由于限定电线开孔S_CNT的侧壁的一部分被钝化层164或通孔层166覆盖，所以可减轻由像素限定膜PDL和夹层绝缘层163之间的高度差造成的倾斜。相应地，可有效防止公共电极CME的材料由于放置为接触数据导电层140的数据主金属层141a而与像素限定膜PDL分离。

下文将描述根据本公开的可选的实施方式的显示装置。

图19为阐释根据本公开的可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的平面图。图20为沿着图19的线XX-XX’截取的横截面图。

参考图19和图20的显示装置1_1，在实施方式中，通过钝化层164_1和通孔层166_1来限定相同的开孔，即，开孔V_CNT。在形成通孔层166_1期间，可通过钝化层164_1形成开孔V_CNT，并且钝化层164_1的内侧可与通孔层166_1的内侧对齐。图19和图20的实施方式与图6的实施方式基本上相同，只是因为可减少形成开孔的工艺的数量，而因此可减少制造工艺的数量。

图21至图23为阐释制造图19的显示装置的方法的实施方式的横截面图。

参考图21和图22，制造显示装置1_1的方法的实施方式可包括在提供电线开孔S_CNT的第一电源线VL1上依次形成钝化层164_1、保护层165和通孔层166_1，并且形成通过钝化层164_1、保护层165和通孔层166_1形成的开孔V_CNT。第一电源线VL1的电线开孔S_CNT的侧壁可由钝化层164_1保护。可通过各向同性的蚀刻工艺来形成开孔V_CNT，并且保护层165可向内凹进至通孔层166_1中。在形成开孔V_CNT期间，数据主金属层141a可凹进至第一电源线VL1的与开孔V_CNT重叠的侧壁(或侧壁的一部分)中，并且结果，可形成电线连接结构。

其后，参考图23，连接电极PBR、发光层EML和公共电极CME形成在开孔V_CNT上面，以将公共电极CME与数据导电层140的第一电源线VL1电连接。相应地，可减少用于形成显示装置1_1中的接触孔的工艺的数量。

图24为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的横截面图。

参考图24的显示装置1_2，在实施方式中，可在形成像素限定膜PDL_2之后进行保护层165的蚀刻。像素限定膜PDL_2的一部分可设置在第二开孔V_CNT(见图25)中，并且通孔层166的内侧可被像素限定膜PDL_2覆盖。在蚀刻保护层165期间，像素限定膜PDL_2可用作掩模，并且像素限定膜PDL_2的一部分可直接设置在保护层165上。由于在形成像素限定膜PDL_2之后在第一电源线VL1中形成电线连接结构，所以可不提供连接电极PBR。侧面在第一电源线VL1中暴露的数据主金属层141a可直接接触发光层EML和公共电极CME。

图25至图27为阐释制造图24的显示装置的方法的实施方式的横截面图。

参考图25和图26的显示装置1_2，在实施方式中，形成分别提供第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT的钝化层164和通孔层166，并且在不蚀刻保护层165的情况下形成像素限定膜PDL_2。像素限定膜PDL_2的一部分可设置在第二开孔V_CNT中，并且可暴露第一开孔P_CNT和保护层165的一部分。由于在形成像素限定膜PDL_2期间第一电源线VL1的侧面被保护层165保护，所以可防止数据主金属层141a的氧化。

其后，参考图27，使用像素限定膜PDL_2作为掩模来蚀刻保护层165，并且在第一电源线VL1中形成电线连接结构。其后，可形成发光层EML和公共电极CME以电连接公共电极CME和第一电源线VL1。

由于在形成像素限定膜PDL_2之后形成电线连接结构，所以可不提供连接电极PBR。并且，由于像素限定膜PDL_2部分设置在第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT中，所以可减轻由像素限定膜PDL和夹层绝缘层163之间的高度差造成的倾斜。相应地，可防止公共电极CME的材料在像素限定膜PDL_2上分离。

在上述实施方式中，第一电源线VL1可提供电线开孔S_CNT，并且电线连接结构可形成在电线开孔S_CNT的侧壁上。在可选的实施方式中，只要公共电极CME可电连接至第一电源线VL1，可不通过电线开孔S_CNT形成电线连接结构。在实施方式中，例如，电线连接结构可形成在第一电源线VL1的在一个方向上延伸的侧面上。在可选的实施方式中，例如，第一电源线VL1可划分为两个子电源线，并且电线连接结构可形成在两个子电源线的侧面上。

图28为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的平面图，并且图29为沿着图28的线N1-N1’截取的横截面图。

参考图28和图29，实施方式的显示装置1_3可包括第一电源线VL1_3以及与第一电源线VL1_3间隔开的第二电源线VL2，并且电线连接结构可设置在第一电源线VL1_3的面向第二电源线VL2的侧面上。钝化层164的第一开孔P_CNT可与第一电源线VL1_3的侧面重叠，而可不与第二电源线VL2重叠。通孔层166的第二开孔V_CNT可与第一电源线VL1_3的侧面重叠，而可不与第二电源线VL2重叠。电线连接结构可形成在第一电源线VL1_3的与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT重叠的侧面上。在实施方式中，例如，第一电源线VL1_3的与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT重叠的一部分可为第一电线部分VL1a，并且第一电源线VL1_3的剩余的部分可为第二电线部分。在第一电源线VL1_3的侧面上，数据主金属层141a可部分凹进，并且可形成数据封盖层142的尖端。

钝化层164和通孔层166可设置为覆盖第二电源线VL2。第二电源线VL2可不被第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT暴露，并且由于没有在第二电源线VL2上形成电线连接结构，所以第二电源线VL2的侧面可为光滑的。即使公共电极CME设置在第二电源线VL2上，被钝化层164覆盖的第二电源线VL2可不电连接至公共电极CME。公共电极CME可经形成在第一电源线VL1_3的侧面上的电线连接结构电连接至第一电源线VL1_3，并且可因此接收低电势电压。

在显示装置1_3的实施方式中，第一电源线VL1_3可不提供电线开孔S_CNT，并且可在第一电源线VL1_3的面向数据导电层140中的另一电源线的侧面上包括电线连接结构。面向第一电源线VL1_3的另一电源线可为第二电源线VL2，但是本公开不限于此。即，第二电源线VL2只是示例性的，并且电线连接结构可形成在第一电源线VL1_3以及与第一电源线VL1_3一起设置在数据导电层140中的除电源线之外的另一元件(例如，导电图案或电极)之间。

图30为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电源线的一部分的平面图。图31为沿着图30的线N2-N2’截取的横截面图。

参考图30和图31，实施方式的显示装置1_4可包括被划分为彼此间隔开的多个第一子线SVL1和多个第二子线SVL2的第一电源线VL1_4，并且电线连接结构可形成在第一子线SVL1和第二子线SVL2中的一个的侧面上。

第一电源线VL1_4可包括第一子线SVL1和第二子线SVL2。第一子线SVL1和第二子线SVL2可为施加低电势电压的线。在实施方式中，第一电源线VL1_4可包括从非显示区域NDA延伸的第一子线SVL1和第二子线SVL2，但是本公开不限于此。可选地，可提供并且延伸一条第一电源线VL1_4，并且可分支成第一子线SVL1和第二子线SVL2。在这种实施方式中，第一子线SVL1和第二子线SVL2可在其中形成电线连接结构的区域中彼此间隔开，并且可在另一区域中彼此连接成或一起整合成第一电源线VL1_4。

电线连接结构可设置在第一子线SVL1的面向第二子线SVL2的侧面上。钝化层164的第一开孔P_CNT可与第一子线SVL1的侧面重叠，而可不与第二子线SVL2重叠。通孔层166的第二开孔V_CNT可与第一子线SVL1的侧面重叠，而可不与第二子线SVL2重叠。电线连接结构可形成在第一子线SVL1的与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT二者都重叠的一部分上。在实施方式中，例如，第一子线SVL1的与第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT二者都重叠的一部分可为第一电线部分VL1a，并且第一子线SVL1的其余的部分可为第二电线部分。在第一子线SVL1的侧面上，数据主金属层141a可部分凹进，并且可形成数据封盖层142的尖端。

钝化层164和通孔层166可设置为覆盖第二子线SVL2。第二子线SVL2可不被第一开孔P_CNT和第二开孔V_CNT暴露，并且由于没有在第二子线SVL2上形成电线连接结构，所以第二子线SVL2的侧面可为光滑的。即使公共电极CME设置在第二子线SVL2上，被钝化层164覆盖的第二子线SVL2可不电连接至公共电极CME。公共电极CME可经形成在第一子线SVL1的侧面上的电线连接结构电连接至第一电源线VL1_4，并且可因此接收低电势电压。

图32为阐释根据本公开的另一可选的实施方式的显示装置的电线连接结构的横截面图。具体地，图32为显示装置1_5的对应于图8的视图。

参考图32的显示装置1_5，在实施方式中，连接电极PBR可设置为完全覆盖数据导电层140的数据主金属层141a的侧面。在实施方式中，如上述，连接电极PBR的在数据主金属层141a的暴露的侧面上的区域可取决于如何形成连接电极PBR或在形成连接电极PBR期间的工艺分布而改变。在实施方式中，如图32中示出的，数据主金属层141a的暴露侧可被连接电极PBR完全覆盖和保护。公共电极CME和发光层EML可设置在数据主金属层141a的侧面上的连接电极PBR上。公共电极CME可经连接电极PBR电连接至数据主金属层141a和第一电源线VL1。

本发明不应解释为限于在本文中陈述的实施方式。相反，提供这些实施方式以便本公开将是透彻的和完整的，并且将充分地向本领域技术人员传递本发明的构思。

尽管已经参考本发明的实施方式具体地示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由权利要求限定的本发明的精神或范围的情况下，可在在形式和细节上进行各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

数据导电层，包括设置在基板上的第一电源线；

钝化层，设置在所述数据导电层上，其中通过所述钝化层限定暴露所述第一电源线的至少一部分的第一开孔；

保护层，设置在所述钝化层上；

通孔层，设置在所述保护层上，其中通过所述通孔层限定与所述第一开孔部分重叠的第二开孔；

像素电极，设置在所述通孔层上；

连接电极，与所述像素电极间隔开并且至少部分设置在所述第一开孔和所述第二开孔中；

像素限定膜，设置在所述像素电极和所述连接电极上，其中通过所述像素限定膜限定与所述第二开孔重叠的开孔；

发光层，设置在所述像素限定膜上，并且至少部分设置在所述像素电极和所述连接电极上；以及

公共电极，设置在所述发光层上并且电连接至所述第一电源线，

其中，

所述数据导电层包括数据基底层、设置在所述数据基底层上的数据主金属层以及设置在所述数据主金属层上的数据封盖层，

所述第一电源线包括电线连接结构，并且所述电线连接结构形成为所述数据主金属层从所述数据封盖层的侧面凹进，并且

所述公共电极电连接至所述电线连接结构中的所述数据主金属层。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述保护层在所述通孔层下面从所述像素限定膜的限定所述第二开孔的侧壁部分凹进。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述保护层包括硅氧化物、硅氮化物或硅氧氮化物。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述连接电极至少部分设置在所述数据主金属层的侧面上。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一电源线包括：

第一侧壁，与所述第一开孔和所述第二开孔重叠，并且所述电线连接结构设置在所述第一侧壁上；

第二侧壁，与所述第一开孔重叠并且不与所述第二开孔重叠，并且被所述钝化层覆盖；以及

第三侧壁，不与所述第一开孔和所述第二开孔重叠，并且被所述通孔层覆盖。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一电源线的所述第二侧壁和所述第三侧壁与所述数据主金属层的侧面和所述数据封盖层的侧面对齐。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述连接电极设置为覆盖所述数据主金属层的侧面。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

电线开孔限定为穿过所述第一电源线，并且

所述第一开孔和所述第二开孔设置为与所述电线开孔部分重叠。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述电线连接结构设置在所述第一电源线的限定所述电线开孔，并且与所述第一开孔和所述第二开孔重叠的第一侧壁上。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述电线开孔的不与选自所述第一开孔和所述第二开孔中的至少一个重叠的侧壁被所述钝化层或所述通孔层覆盖，并且与所述数据主金属层的侧面和所述数据封盖层的侧面对齐。

11.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：

与所述第一电源线间隔开的第二电源线，

其中所述第一开孔和所述第二开孔与所述第一电源线的侧面重叠，并且不与所述第二电源线重叠。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中所述电线连接结构与暴露所述第一电源线的所述第一开孔和所述第二开孔重叠。

13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一电源线包括第一子线和第二子线，所述第一子线和所述第二子线至少部分彼此间隔开，并且

所述第一开孔和所述第二开孔与所述第一子线的侧面重叠，并且不与所述第二子线重叠。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述电线连接结构设置在所述第一子线的与所述第一开孔和所述第二开孔重叠的部分上。

15.一种显示装置，包括：

数据导电层，包括设置在基板上的第一电源线；

钝化层，设置在所述数据导电层上，其中通过所述钝化层限定暴露所述第一电源线的至少一部分的第一开孔；

保护层，设置在所述钝化层上；

通孔层，设置在所述保护层上，其中通过所述通孔层限定与所述第一开孔部分重叠的第二开孔；

像素电极，设置在所述通孔层上；

像素限定膜，设置在所述像素电极上，其中通过所述像素限定膜限定与所述第二开孔重叠的开孔；

发光层，设置在所述像素限定膜上，并且至少部分设置在所述像素电极上；以及

公共电极，设置在所述发光层上并且电连接至第一电源线，

其中，

所述数据导电层包括数据基底层、设置在所述数据基底层上的数据主金属层以及设置在所述数据主金属层上的数据封盖层，

所述保护层从所述像素限定膜的侧面凹进，

所述第一电源线包括电线连接结构，并且所述电线连接结构形成为所述数据主金属层从所述数据封盖层的侧面凹进，并且

所述公共电极电连接至所述电线连接结构中的所述数据主金属层。

16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

在基板上形成第一电源线，其中所述第一电源线包括数据基底层、设置在所述数据基底层上的数据主金属层以及设置在所述数据主金属层上的数据封盖层；

在所述第一电源线上形成钝化层，其中通过所述钝化层形成部分暴露所述第一电源线的第一开孔；

在所述钝化层上形成保护层，以覆盖由所述第一开孔暴露的所述第一电源线的部分；

在所述保护层上形成通孔层，其中通过所述通孔层形成与所述第一开孔部分重叠，并且暴露所述保护层的第二开孔；

通过蚀刻由所述第二开孔暴露的所述保护层的部分并且蚀刻由所述第一开孔暴露的所述第一电源线的所述部分形成电线连接结构，并且所述电线连接结构形成为所述数据主金属层从所述数据封盖层的侧面凹进；以及

在所述通孔层上形成公共电极并且所述公共电极在所述第二开孔中至少部分电连接至所述电线连接结构的所述数据主金属层。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述保护层包括硅氧化物、硅氮化物或硅氧氮化物。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，

所述蚀刻所述保护层的所述部分包括使用所述通孔层作为掩模进行各向同性的蚀刻工艺，并且

所述保护层形成为从所述通孔层的侧面部分凹进。

19.根据权利要求16所述的方法，在所述形成所述公共电极之前进一步包括：

在所述通孔层上并且至少部分在所述第二开孔中形成连接电极；以及

在所述连接电极上形成发光层，

其中，

所述连接电极的至少一部分设置在所述数据主金属层的侧面上，并且，

所述公共电极设置在所述连接电极上。

20.根据权利要求17所述的方法，在所述蚀刻所述保护层的所述部分之前进一步包括：

在所述通孔层上并且至少部分在所述第二开孔中形成像素限定膜，

其中所述蚀刻所述保护层的所述部分包括使用所述像素限定膜作为掩模进行各向同性的蚀刻工艺。