CN112951881A - 有机发光显示装置 - Google Patents

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金原奭
朴锺德
边湖连
申靖勋
吴爱利
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Abstract

有机发光显示装置可以包括：下部基板，包括显示区域和周边区域，在周边区域的外廓部具有第一倾斜面；像素结构物，配置在下部基板上的显示区域；上部基板，配置在像素结构物上；焊盘电极，在下部基板与上部基板之间的周边区域配置在下部基板上且一直延伸到第一倾斜面上；和侧面电极，配置在下部基板和上部基板的一侧面，且与焊盘电极接触。由此，可以降低焊盘电极与侧面电极的接触电阻。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置和有机发光显示装置的制造方法。更详细而言，本发明涉及包括侧面电极的有机发光显示装置和包括侧面电极的有机发光显示装置的制造方法。
背景技术
平板显示装置因重量轻和薄型等特性，被用作代替阴极射线管显示装置的显示装置。作为这种平板显示装置的代表性的例，存在液晶显示装置和有机发光显示装置。
有机发光显示装置可以包括上部基板和下部基板，在下部基板可以配置与外部装置连接的多个焊盘电极。在此，所述外部装置可以生成多个信号，可以通过所述多个焊盘电极向所述有机发光显示装置提供所述多个信号。为了使所述多个焊盘电极与所述外部装置直接接触，所述下部基板的长度可以大于所述上部基板的长度。换言之，所述下部基板可以在一方向上比所述上部基板更突出，在所述下部基板的突出的部分(例如，焊盘区域)可以配置所述多个焊盘电极。即，因所述下部基板的所述焊盘区域，所述有机发光显示装置具备相对多的不发光区域(例如，无效空间)。为了减少所述有机发光显示装置的无效空间，正在开发去除所述下部基板的突出的部分来仅使所述多个焊盘电极各自的侧面向外部露出的有机发光显示装置。但是，随着仅使所述多个焊盘电极各自的侧面向外部露出，所述多个焊盘电极各自露出的面积相对减少，产生了所述多个焊盘电极的电阻增加的问题。
发明内容
本发明的一目的在于提供一种包括侧面电极的有机发光显示装置。
本发明的其他目的在于提供一种包括侧面电极的有机发光显示装置的制造方法。
但是，本发明并不限于上述的目的，可以在不超出本发明的思想以及领域的范围内进行各种扩展。
为了达成前述的本发明的一目的，本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置可以包括：下部基板，包括显示区域和周边区域，在所述周边区域的外廓部具有第一倾斜面；像素结构物，配置在所述下部基板上的所述显示区域；上部基板，配置在所述像素结构物上；焊盘电极，在所述下部基板与所述上部基板之间的所述周边区域配置在所述下部基板上且一直延伸到所述第一倾斜面上；和侧面电极，配置在所述下部基板和所述上部基板的一侧面，且与所述焊盘电极接触。
在各例示性实施例中，可以是，所述侧面电极与所述下部基板的所述第一倾斜面重叠。
在各例示性实施例中，可以是，所述下部基板的大小和所述上部基板的大小相同，所述下部基板和所述上部基板被设置成彼此重叠。
在各例示性实施例中，可以是，所述焊盘电极在所述下部基板上的所述第一倾斜面沿着从所述周边区域朝向所述显示区域的方向延伸，且与所述像素结构物电连接。
在各例示性实施例中，可以是，所述有机发光显示装置还包括：密封部件，配置在所述下部基板与所述上部基板之间的所述周边区域。
在各例示性实施例中，可以是，所述密封部件覆盖所述焊盘电极的一部分。
在各例示性实施例中，可以是，所述密封部件不与所述下部基板的所述第一倾斜面重叠。
在各例示性实施例中，可以是，所述密封部件和所述侧面电极接触。
在各例示性实施例中，可以是，在所述周边区域，在由所述上部基板、所述密封部件和所述焊盘电极定义的空间配置所述侧面电极。
在各例示性实施例中，可以是，所述上部基板具有与所述第一倾斜面相向地形成的第二倾斜面。
在各例示性实施例中，可以是，所述侧面电极与所述上部基板的所述第二倾斜面重叠。
为了达成前述的本发明的其他目的，本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的制造方法可以包括：提供包括显示区域、周边区域和虚设区域的下部基板的步骤；在与所述周边区域和所述虚设区域重叠的所述下部基板的第一部分形成槽的步骤；在所述下部基板上以与位于所述周边区域的所述槽重叠的方式形成焊盘电极的步骤；在所述下部基板上的所述显示区域形成像素结构物的步骤；去除所述下部基板的所述虚设区域，在所述下部基板的所述周边区域形成倾斜面的步骤；和形成与所述焊盘电极接触的侧面电极的步骤。
在各例示性实施例中，可以是，所述有机发光显示装置的制造方法还包括：在所述下部基板上以与所述周边区域重叠的方式形成密封部件的步骤；在所述像素结构物和所述密封部件上形成上部基板的步骤；和结合形成有所述密封部件的所述上部基板和所述下部基板的步骤。
在各例示性实施例中，可以是，所述侧面电极与所述上部基板、所述下部基板、所述焊盘电极和所述密封部件接触。
在各例示性实施例中，可以是，所述焊盘电极在所述下部基板上的所述倾斜面沿着从所述周边区域朝向所述显示区域的方向延伸，所述密封部件覆盖所述焊盘电极的至少一部分。
在各例示性实施例中，可以是，去除所述下部基板的所述虚设区域之后，所述下部基板的大小和所述上部基板的大小相同，所述上部基板和所述下部基板被设置成彼此重叠。
在各例示性实施例中，可以是，在所述周边区域，在由所述上部基板、所述密封部件和所述焊盘电极定义的空间形成所述侧面电极。
在各例示性实施例中，可以是，所述密封部件不与所述下部基板的所述倾斜面重叠。
在各例示性实施例中，可以是，所述有机发光显示装置的制造方法还包括：在所述下部基板与所述像素结构物之间的显示区域形成半导体元件的步骤，形成所述半导体元件的步骤包括：在所述下部基板上形成有源层的步骤；在所述有源层上形成栅极绝缘层的步骤；在所述栅极绝缘层上形成栅电极的步骤；在所述栅电极上形成层间绝缘层的步骤；和在所述层间绝缘层上形成源电极和漏电极的步骤。
在各例示性实施例中，可以是，使用相同的物质来同时形成所述焊盘电极和所述源电极及所述漏电极。
(发明效果)
本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置包括具有倾斜面的下部基板，从而可以相对增加焊盘电极与侧面电极的接触面积，由此可以降低焊盘电极与侧面电极的接触电阻。
此外，通过不去除位于周边区域的上部基板的一部分和密封部件的一部分，从而可以沿着空间的轮廓配置侧面电极。由此，在有机发光显示装置为了与外部装置电连接而在侧面电极上配置柔性电路基板的情况下，可以增加所述柔性电路基板与侧面电极的接触面积来提高所述柔性电路基板与侧面电极的粘接特性。
在本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的制造方法中，对下部基板利用激光来形成槽，并去除位于虚设区域的下部基板，从而可以容易在下部基板形成倾斜面。
但是，本发明的效果并不限于上述的效果，在不超出本发明的思想和领域的范围内可以进行各种扩展。
附图说明
图1是表示本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的平面图。
图2是用于说明与图1的有机发光显示装置电连接的外部装置的框图。
图3是用于说明图1的有机发光显示装置所包括的有机发光二极管和晶体管的说明电路图。
图4是沿着图1的I-I′线截取的剖视图。
图5至图10是表示本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的制造方法的剖视图。
图11是表示本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的剖视图。
(符号说明)
10：显示区域；20：周边区域；30：像素区域；50：虚设区域；100、500：有机发光显示装置；101：外部装置；110：下部基板；130：有源层；150：栅极绝缘层；170：栅电极；190：层间绝缘层；200：像素结构物；210：源电极；230：漏电极；250：半导体元件；270：平坦化层；290：下部电极；310：像素定义膜；330：发光层；340：上部电极；390：密封部件；391：空间；410：上部基板；430：焊盘电极；470：侧面电极；E1：倾斜面；E2：第二倾斜面。
具体实施方式
以下，参照附图，详细说明本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置和有机发光显示装置的制造方法。在附图中，对相同或类似的构成要素使用相同或类似的符号。
图1是表示本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的平面图，图2是用于说明与图1的有机发光显示装置电连接的外部装置的框图。
参照图1和图2，有机发光显示装置100可以包括多个焊盘电极430、多个侧面电极470等，可以具有显示区域10和周边区域20。在此，周边区域20可以实质上包围显示区域10。
显示区域10可以包括多个像素区域30。多个像素区域30以矩阵形态排列在整个显示区域10。例如，在多个像素区域30的每一个中可以配置如图3所示的像素电路(PIXELCIRCUIT)PC(例如，图4所示的半导体元件250)，在像素电路PC上可以配置有机发光二极管OLED(例如，图4所示的像素结构物200)。通过像素电路PC和有机发光二极管OLED可以在显示区域10显示图像。
例如，在各像素区域30可以配置第一像素电路、第二像素电路和第三像素电路。所述第一像素电路可以与能够发射红色光的第一有机发光二极管连接，所述第二像素电路可以与能够发射绿色光的第二有机发光二极管连接，所述第三像素电路可以与能够发射蓝色光的第三有机发光二极管连接。
所述第一有机发光二极管可以与第一像素电路重叠地配置，所述第二有机发光二极管可以与第二像素电路重叠地配置，所述第三有机发光二极管可以与第三像素电路重叠地配置。可选择地，也可以是，所述第一有机发光二极管与所述第一像素电路的一部分以及不同于所述第一像素电路的像素电路的一部分重叠地配置，所述第二有机发光二极管与所述第二像素电路的一部分以及不同于所述第二像素电路的像素电路的一部分重叠地配置，所述第三有机发光二极管与所述第三像素电路的一部分以及不同于所述第三像素电路的像素电路的一部分重叠地配置。例如，对于所述第一有机发光二极管至所述第三有机发光二极管，可以利用相同大小的矩形依次被排列的RGB条纹(RGB stripe)方式、包括具有相对宽的面积的蓝色有机发光二极管的S-条纹(s-stripe)方式、还包括白色有机发光二极管的WRGB方式、以RG-GB的反复形态排列的PenTile方式等来进行排列。
此外，在多个像素区域30的每一个中，可以配置至少一个驱动晶体管、至少一个开关晶体管和至少一个电容器等。在各例示性实施例中，在多个像素区域30的每一个中，可以配置一个驱动晶体管(例如，图3的第一晶体管TR1)和六个开关晶体管(例如，图3的第二晶体管TR2至第七晶体管TR7)和一个储能电容器(例如，图3的储能电容器CST)等。
虽然说明了本发明的显示区域10、像素区域30和周边区域20各自的形状具有方形的平面形状，但是所述的形状并不限于此。例如，显示区域10、像素区域30和周边区域20各自的形状也可以具有三角形的平面形状、棱形的平面形状、多边形的平面形状、圆形的平面形状、轨道形的平面形状或椭圆形的平面形状。
在周边区域20可以配置多个布线。例如，所述多个布线可以包括数据信号布线、栅极信号布线、发光控制信号布线、栅极初始化信号布线、初始化电压布线、电源电压布线等。所述多个布线可以从周边区域20延伸至显示区域10而与像素电路PC及有机发光二极管OLED电连接。
在周边区域20的一侧(例如，显示区域10的右侧)可以配置多个焊盘电极430，在将在下面说明的下部基板和上部基板各自的侧面和多个焊盘电极430的一部分上可以配置多个侧面电极470。
多个焊盘电极430可以介于所述下部基板与所述上部基板之间，可以使多个焊盘电极430各自的一部分露出(参照图10)。此外，多个焊盘电极430分别可以在从周边区域20朝向显示区域10的方向上延伸，且可以与多个像素结构物200电连接。换言之，焊盘电极430可以与配置在所述显示区域10的所述多个布线连接。
此外，多个侧面电极470可以分别与多个焊盘电极430各自的所述一部分直接接触。换言之，多个侧面电极470可以分别进行完全的覆盖使得多个焊盘电极430各自的所述一部分不会露出，同时可以配置在所述下部基板和所述上部基板的所述一侧面上。
例如，多个焊盘电极430可以包括第一焊盘电极至第n焊盘电极(其中，n是1以上的整数)，所述第一焊盘电极至所述第n焊盘电极可以彼此被隔开并在周边区域20中沿着与第一方向D1正交的第二方向D2被排列。此外，多个侧面电极470可以包括第一侧面电极至第m侧面电极(其中，m是1以上的整数)，所述第一侧面电极至所述第m侧面电极可以分别与所述第一焊盘电极至第n焊盘电极直接接触。
多个侧面电极470可以与外部装置101电连接。例如，外部装置101可以生成栅极信号、数据信号、初始化信号、初始化电压、发光控制信号、电源电压等。外部装置101可以通过多个侧面电极470、多个焊盘电极430、所述多个布线、柔性印刷电路基板而与有机发光显示装置100电连接，可以将所述栅极信号、所述数据信号、所述初始化信号、所述初始化电压、所述发光控制信号、所述电源电压等通过所述柔性印刷电路基板、多个侧面电极470、多个焊盘电极430、所述多个布线而提供至有机发光显示装置100所包括的半导体元件250和像素结构物200。例如，可以是所述柔性印刷电路基板的第一部分与多个侧面电极470直接接触，与所述柔性印刷电路基板的第一部分对置的第二部分与外部装置101直接接触。此外，在所述柔性印刷电路基板可以安装驱动集成电路。
虽然如图1所示那样说明了仅在有机发光显示装置100的周边区域20的右侧配置多个焊盘电极430和多个侧面电极470的情况，但是本发明的构成并不限于此。例如，有机发光显示装置100也可以在周边区域20的左侧、上侧或下侧也配置多个焊盘电极430和多个侧面电极470。
图1所示的显示区域10和周边区域20各自的形状具有方形的平面形状，但是显示区域10和周边区域20的形状并不限于此。例如，显示区域10和周边区域20各自的形状也可以具有三角形的平面形状、棱形的平面形状、多边形的平面形状、圆形的平面形状、轨道形的平面形状或椭圆形的平面形状。
图3是用于说明图1的有机发光显示装置所包括的有机发光二极管和晶体管的电路图。
参照图3，在有机发光显示装置100的多个像素区域30的每一个中可以配置像素电路PC和有机发光二极管OLED，一个像素电路PC可以包括有机发光二极管OLED(例如，图4的像素结构物200)、第一晶体管TR1至第七晶体管TR7、储能电容器CST、高电源电压ELVDD布线、低电源电压ELVSS布线、初始化电压VINT布线、数据信号DATA布线、栅极信号GW布线、栅极初始化信号GI布线、发光控制信号EM布线、二极管初始化信号GB布线等。第一晶体管TR1可以相当于驱动晶体管，第二晶体管TR2至第七晶体管TR7可以相当于开关晶体管。第一晶体管TR1至第七晶体管TR7分别可以包括第一端子、第二端子、沟道和栅极端子。在各例示性实施例中，可以是，所述第一端子为源极端子，所述第二端子为漏极端子。可选择地，也可以是，所述第一端子为漏极端子，所述第二端子为源极端子。
有机发光二极管OLED可以基于驱动电流ID来输出光。有机发光二极管OLED可以包括第一端子和第二端子。在各例示性实施例中，有机发光二极管OLED的第二端子可以接受低电源电压ELVSS的供给，有机发光二极管OLED的第一端子可以接受高电源电压ELVDD的供给。例如，可以是，有机发光二极管OLED的第一端子为阳极端子，有机发光二极管OLED的第二端子为阴极端子。可选择地，也可以是，有机发光二极管OLED的第一端子为阴极端子，有机发光二极管OLED的第二端子为阳极端子。在各例示性实施例中，有机发光二极管OLED的所述阳极端子可以相当于图4的下部电极290，有机发光二极管OLED的所述阴极端子可以相当于图4的上部电极340。
第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。在各例示性实施例中，第一晶体管TR1可以在饱和区域工作。在该情况下，第一晶体管TR1可以基于所述栅极端子与所述源极端子之间的电压差来生成驱动电流ID。此外，可以基于供给至有机发光二极管OLED的驱动电流ID的大小来表现出灰度。可选择地，第一晶体管TR1也可以在线性区域工作。在该情况下，在一帧内，可以基于向有机发光二极管OLED供给驱动电流ID的时间之和来表现出灰度。
第二晶体管TR2的栅极端子可以接受栅极信号GW的供给。第二晶体管TR2的第一端子可以接受数据信号DATA的供给。第二晶体管TR2的第二端子可以与第一晶体管TR1的第一端子连接。第二晶体管TR2可以在栅极信号GW的有效区间的期间内将数据信号DATA供给至第一晶体管TR1的第一端子。在该情况下，第二晶体管TR2可以在线性区域工作。
第三晶体管TR3的栅极端子可以接受栅极信号GW的供给。第三晶体管TR3的第一端子可以与第一晶体管TR1的栅极端子连接。第三晶体管TR3的第二端子可以与第一晶体管TR1的第二端子连接。第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的有效区间的期间内连接第一晶体管TR1的栅极端子和第一晶体管TR1的第二端子。在该情况下，第三晶体管TR3可以在线性区域工作。即，第三晶体管TR3可以在栅极信号GW的有效区间的期间内对第一晶体管TR1进行二极管连接。
提供初始化电压VINT的初始化电压布线的输入端可以与第四晶体管TR4的第一端子和第七晶体管TR7的第一端子连接，所述初始化电压布线的输出端可以与第四晶体管TR4的第二端子及储能电容器CST的第一端子连接。
第四晶体管TR4的栅极端子可以接受栅极初始化信号GI的供给。第四晶体管TR4的第一端子可以接受初始化电压VINT的供给。第四晶体管TR4的第二端子可以与第一晶体管TR1的栅极端子连接。
第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的有效区间的期间内将初始化电压VINT供给至第一晶体管TR1的栅极端子。在该情况下，第四晶体管TR4可以在线性区域工作。即，第四晶体管TR4可以在栅极初始化信号GI的有效区间的期间内利用初始化电压VINT使第一晶体管TR1的栅极端子初始化。在各例示性实施例中，初始化电压VINT的电压电平可以具有比在之前帧由储能电容器CST维持的数据信号DATA的电压电平充分低的电压电平，所述初始化电压VINT可以被供给至第一晶体管TR1的栅极端子。在其他各例示性实施例中，初始化电压的电压电平可以具有比在之前帧由储能电容器CST维持的数据信号DATA的电压电平充分高的电压电平，所述初始化电压可以被供给至第一晶体管的栅极端子。
第五晶体管TR5的栅极端子可以接受发光控制信号EM。第五晶体管TR5的第一端子可以与高电源电压ELVDD布线连接。第五晶体管TR5的第二端子可以与第一晶体管TR1的第一端子连接。第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的有效区间的期间内向第一晶体管TR1的第一端子供给高电源电压ELVDD。与此相反地，第五晶体管TR5可以在发光控制信号EM的非有效区间的期间内阻断高电源电压ELVDD的供给。在该情况下，第五晶体管TR5可以在线性区域工作。通过第五晶体管TR5在发光控制信号EM的有效区间的期间内向第一晶体管TR1的第一端子供给高电源电压ELVDD，从而第一晶体管TR1可以生成驱动电流ID。此外，通过第五晶体管TR5在发光控制信号EM的非有效区间的期间内阻断高电源电压ELVDD的供给，从而供给至第一晶体管TR1的第一端子的数据信号DATA可以被供给至第一晶体管TR1的栅极端子。
第六晶体管TR6(例如，图4的半导体元件250)的栅极端子可以接受发光控制信号EM的供给。第六晶体管TR6的第一端子可以与第一晶体管TR1的第二端子连接。第六晶体管TR6的第二端子可以与有机发光二极管OLED的第一端子连接。第六晶体管TR6可以在发光控制信号EM的有效区间的期间内向有机发光二极管OLED供给第一晶体管TR1生成的驱动电流ID。在该情况下，第六晶体管TR6可以在线性区域工作。即，通过第六晶体管TR6在发光控制信号EM的有效区间的期间内将由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID供给至有机发光二极管OLED，从而有机发光二极管OLED可以输出光。此外，通过第六晶体管TR6在发光控制信号EM的非有效区间的期间内使第一晶体管TR1和有机发光二极管OLED彼此电分离，从而可以将供给至第一晶体管TR1的第二端子的数据信号DATA(准确来说是补偿了阈值电压的数据信号)供给至第一晶体管TR1的栅极端子。
第七晶体管TR7的栅极端子可以接受二极管初始化信号GB的供给。第七晶体管TR7的第一端子可以接受初始化电压VINT的供给。第七晶体管TR7的第二端子可以与有机发光二极管OLED的第一端子连接。第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的有效区间的期间内向有机发光二极管OLED的第一端子供给初始化电压VINT。在该情况下，第七晶体管TR7可以在线性区域工作。即，第七晶体管TR7可以在二极管初始化信号GB的有效区间的期间内利用初始化电压VINT使有机发光二极管OLED的第一端子初始化。
储能电容器CST可以包括第一端子和第二端子。储能电容器CST可以连接在高电源电压ELVDD布线与第一晶体管TR1的栅极端子之间。例如，储能电容器CST的第一端子可以与第一晶体管TR1的栅极端子连接，储能电容器CST的第二端子可以与高电源电压ELVDD布线连接。储能电容器CST可以在栅极信号GW的非有效区间的期间内维持第一晶体管TR1的栅极端子的电压电平。栅极信号GW的非有效区间可以包括发光控制信号EM的有效区间，在发光控制信号EM的有效区间的期间内由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID可以被供给至有机发光二极管OLED。因此，可以基于储能电容器CST所维持的电压电平，向有机发光二极管OLED供给由第一晶体管TR1生成的驱动电流ID。
虽然说明了本发明的像素电路PC包括七个晶体管和一个储能电容器的情况，但是本发明的构成并不限于此。例如，像素电路PC也可以具有包括至少一个晶体管和至少一个储能电容器的构成。
图4是沿着图1的I-I′线截取的剖视图。
参照图4，有机发光显示装置100可以包括下部基板110、半导体元件250、焊盘电极430、平坦化层270、像素定义膜310、像素结构物200、上部基板410、密封部件390和侧面电极470等。在此，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230，像素结构物200可以包括下部电极290、发光层330和上部电极340。
如上所述，有机发光显示装置100可以包括显示区域10和周边区域20。例如，在显示区域10可以通过像素结构物200和半导体元件250显示图像，在周边区域20可以通过密封部件390密封结合下部基板110和上部基板410。
可以提供包括透明或不透明的材料的下部基板110。下部基板110可以包括石英(quartz)基板、合成石英(synthetic quartz)基板、氟化钙(calcium fluoride)基板、掺杂了氟的石英(F-doped quartz)基板、钠钙(sodalime)玻璃基板、无碱(non-alkali)玻璃基板等。在各例示性实施例中，在周边区域20的外廓部，下部基板110可以具有倾斜面E1。此外，随着有机发光显示装置100具有显示区域10和周边区域20，下部基板110也可以被区分为显示区域10和周边区域20。例如，图4所示的周边区域20可以相当于图1所示的周边区域20之中位于显示区域10的右侧的周边区域20。
在下部基板110上也可以配置缓冲层(未图示)。所述缓冲层可以配置在整个下部基板110上。所述缓冲层可以防止金属原子或杂质从下部基板110扩散至半导体元件250和像素结构物200的现象，在用于形成有源层130的结晶化工序期间可以调节热的传递速度来获取实质上均匀的有源层130。此外，在下部基板110的表面不均匀的情况下，所述缓冲层可以执行提高下部基板110的表面的平坦度的作用。可以根据下部基板110的类型，在下部基板110上提供两个以上的缓冲层或者不配置所述缓冲层。例如，所述缓冲层可以包括有机物质或无机物质。
有源层130可以配置在下部基板110上的显示区域10，可以包括金属氧化物半导体、无机物半导体(例如，非晶硅(amorphous silicon)、多晶硅(poly silicon))或有机物半导体等。半导体元件250可以具有源极区域、漏极区域和位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。
在有源层130上可以配置栅极绝缘层150。栅极绝缘层150可以在下部基板110上的显示区域10覆盖有源层130，可以在下部基板110上的整个显示区域10配置栅极绝缘层150。在各例示性实施例中，栅极绝缘层150可以不配置在下部基板110上的周边区域20。在其他各例示性实施例中，栅极绝缘层150也可以配置在下部基板110上的显示区域10和周边区域20的全部。栅极绝缘层150可以在下部基板110上充分覆盖有源层130，可以在不会在有源层130的周围产生高低差的情况下具有实质上平坦的上表面。可选择地，栅极绝缘层150也可以在下部基板110上覆盖有源层130，且以均匀的厚度沿着有源层130的轮廓配置。栅极绝缘层150可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，栅极绝缘层150可以包括硅氧化物(SiO)、硅氮化物(SiN)、硅氮氧化物(SiON)、硅碳氧化物(SiOC)、硅碳氮化物(SiCN)、铝氧化物(AlO)、铝氮化物(AlN)、钽氧化物(TaO)、铪氧化物(HfO)、锆氧化物(ZrO)、钛氧化物(TiO)等。在其他各例示性实施例中，栅极绝缘层150也可以具有包括多个绝缘层的多层结构。所述多个绝缘层可以具有彼此不同的物质和彼此不同的厚度。
在栅极绝缘层150上的显示区域10可以配置栅电极170。换言之，栅电极170可以配置在栅极绝缘层150中下部设有有源层130的所述沟道区域的部分上。栅电极170可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或彼此组合来使用这些物质。在其他各例示性实施例中，栅电极170也可以具有包括多个金属层的多层结构。所述多个金属层可以具有彼此不同的物质和彼此不同的厚度。
在栅电极170上可以配置层间绝缘层190。层间绝缘层190在栅极绝缘层150上的显示区域10可以覆盖栅电极170，可以在整个栅极绝缘层150上配置层间绝缘层190。在各例示性实施例中，层间绝缘层190也可以不配置在下部基板110上的周边区域20。在其他各例示性实施例中，层间绝缘层190也可以配置在下部基板110上的显示区域10和周边区域20的全部。层间绝缘层190在栅极绝缘层150上可以充分覆盖栅电极170，可以在不会在栅电极170的周围产生高低差的情况下具有实质上平坦的上表面。可选择地，层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上覆盖栅电极170，可以以均匀的厚度沿着栅电极170的轮廓配置层间绝缘层190。层间绝缘层190可以包括硅化合物、金属氧化物等。
在层间绝缘层190上的显示区域10，可以配置源电极210和漏电极230。源电极210可以通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分形成的第一接触孔而与有源层130的所述源极区域连接，漏电极230可以通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分形成的第二接触孔而与有源层130的漏极区域连接。源电极210和漏电极230分别可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或彼此组合来使用这些物质。在其他各例示性实施例中，源电极210和漏电极230也可以分别具有包括多个金属层的多层结构。所述多个金属层可以具有彼此不同的物质和彼此不同的厚度。
由此，配置包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
虽然说明了有机发光显示装置100具有包括一个晶体管(例如，半导体元件250)的构成的情况下，但是本发明的构成并不限于此。例如，有机发光显示装置100也可以具有包括至少两个晶体管和至少一个电容器的构成。
此外，说明了半导体元件250具有顶栅结构的情况，但是本发明的构成并不限于此。例如，半导体元件250也可以具有底栅结构和/或双栅结构。
在下部基板110上的周边区域20可以配置焊盘电极430。在各例示性实施例中，焊盘电极430可以在下部基板110与上部基板410之间的周边区域20配置在下部基板110的倾斜面E1上。此外，焊盘电极430可以在下部基板110上从密封部件390沿着第一方向D1突出，其中，第一方向D1是从显示区域10朝向周边区域20的方向。进一步地，焊盘电极430可以在下部基板110上的倾斜面E1沿着从周边区域20朝向显示区域10的方向延伸，且可以与半导体元件250或像素结构物200电连接。中
此外，焊盘电极430的第一端部可以与有机发光显示装置100的最外廓面(例如，下部基板110的侧面)对齐。进一步地，焊盘电极430中与所述第一端部相反的第二端部可以与栅极信号布线、数据信号布线、电源电压布线、初始化信号布线、初始化电压布线和发光控制信号布线之中的一个连接。即，从外部装置101生成的栅极信号、数据信号、电源电压、初始化信号、初始化电压和发光控制信号之中的一个可以通过柔性印刷电路基板和侧面电极470被传递至像素结构物200。
焊盘电极430可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。焊盘电极430可以包括含有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含铝合金、铝氮化物(AlN)、含银合金、钨氮化物(WN)、含铜合金、含钼合金、钛氮化物(TiN)、铬氮化物(CrN)、钽氮化物(TaN)、锶钌氧化物(SrRuO)、锌氧化物(ZnO)、铟锡氧化物(ITO)、锡氧化物(SnO)、铟氧化物(InO)、镓氧化物(GaO)、铟锌氧化物(IZO)等。可以单独或彼此组合来使用这些物质。在各例示性实施例中，可以使用相同的物质同时形成焊盘电极430和源电极210及漏电极230。可选择地，也可以在焊盘电极430的下方进一步配置与焊盘电极430电连接的导电布线，所述导电布线可以使用与栅电极170相同的物质来与栅电极170同时形成。在其他各例示性实施例中，焊盘电极430也可以具有包括多个金属层的多层结构。所述多个金属层可以具有彼此不同的物质和彼此不同的厚度。
在层间绝缘层190、源电极210和漏电极230上的显示区域10可以配置平坦化层270。例如，平坦化层270可以以相对厚的厚度被配置成在层间绝缘层190上充分覆盖源电极210和漏电极230，在该情况下，平坦化层270可以具有实质上平坦的上表面，为了实现这种平坦化层270的平坦的上表面，可以对平坦化层270追加进行平坦化工序。通过去除平坦化层270的一部分而形成的接触孔，漏电极230的上表面的一部分可以露出。平坦化层270可以包括有机物质或无机物质等。在各例示性实施例中，平坦化层270可以包括有机物质。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂(photoresist)、聚丙烯酸系树脂(polyacryl-basedresin)、聚酰亚胺系树脂(polyimide-based resin)、聚酰胺系树脂(polyamide-basedresin)、硅氧烷系树脂(siloxane-based resin)、丙烯酸系树脂(acryl-based resin)、环氧树脂(epoxy-based resin)等。
下部电极290可以配置在平坦化层270上的显示区域10。下部电极290可以贯通平坦化层270的接触孔而与漏电极230连接。此外，下部电极290可以与半导体元件250电连接。下部电极290可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或彼此组合来使用这些物质。在其他各例示性实施例中，下部电极290也可以具有包括多个金属层的多层结构。所述多个金属层可以具有彼此不同的物质和彼此不同的厚度。
像素定义膜310可以配置在下部电极290的一部分和平坦化层270上的显示区域10。像素定义膜310可以覆盖下部电极290的两侧部，并可以使下部电极290的上表面的一部分露出。像素定义膜310可以由有机物质或无机物质构成。在各例示性实施例中，像素定义膜310可以包括有机物质。
发光层330可以配置在被像素定义膜310露出的下部电极290上的显示区域10。发光层330可以根据像素结构物而使用可发射不同颜色的光(即，红色光、绿色光、蓝色光等)的发光物质中的至少一种来形成。与此不同地，发光层330可以层叠可发射红色光、绿色光、蓝色光等不同颜色的光的多种发光物质来整体发射白色光。在该情况下，也可以在发光层330上配置滤色器(例如，在上部基板410的底面或上表面与发光层330重叠地配置)。所述滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器中的至少一种。可选择地，所述滤色器也可以包括黄色(Yellow)滤色器、青色(Cyan)滤色器和品红色(Magenta)滤色器。所述滤色器可以包括感光性树脂或彩色光致抗蚀剂。
上部电极340可以配置在像素定义膜310和发光层330上的显示区域10。上部电极340可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。可以单独或彼此组合来使用这些物质。在其他各例示性实施例中，上部电极340也可以具有包括多个金属层的多层结构。所述多个金属层可以具有彼此不同的物质和彼此不同的厚度。
由此，可以配置包括下部电极290、发光层330和上部电极340的像素结构物200。
在焊盘电极430上的周边区域20可以配置密封部件390。换言之，密封部件390可以沿着下部基板110与上部基板410之间的周边区域20配置，可以具有实质上内空的方形形状。密封部件390的上表面可以与上部基板410的底面直接接触，密封部件390的底面可以与焊盘电极430的一部分直接接触。在各例示性实施例中，密封部件390可以覆盖焊盘电极430的一部分，可以不与焊盘电极430的所述第一端部重叠。换言之，密封部件390可以不与下部基板110的倾斜面E1重叠。密封部件390可以包括玻璃料(frit)等。此外，密封部件390可以进一步包括光固化性物质。例如，密封部件390可以包括有机物质和光固化性物质的混合物，可以向所述混合物照射紫外线(UV)、激光、可见光等使其固化来获得密封部件390。密封部件390所包括的所述光固化性物质可以包括环氧丙烯酸酯(epoxy acrylate)系树脂、聚酯丙烯酸酯(polyester acrylate)系树脂、氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)系树脂、聚丁二烯丙烯酸酯(polybutadine acrylate)系树脂、丙烯酸硅酯(silicon acrylate)系树脂、丙烯酸烷基酯(alkyl acrylate)系树脂等。
例如，可以向所述有机物质和光固化性物质的混合物照射激光。通过这种激光的照射，所述混合物可以从固体状态变化成液体状态，经过预定的时间之后，液体状态的所述混合物可以再次固化为固体状态。根据所述混合物的状态变化，上部基板410可以相对于下部基板110被密封的同时与其结合。
虽然图示了图4的密封部件390具有上表面的宽度小于底面的宽度的梯形形状的情况，但是本发明的构成并不限于此。例如，密封部件390也可以具有上表面的宽度大于底面的宽度的梯形形状、矩形形状、正方形形状等。
在密封部件390和上部电极340(例如，像素结构物200)上可以配置上部基板410。在各例示性实施例中，下部基板110的大小和上部基板410的大小可以相同，可以被设置成彼此重叠。上部基板410实质上可以包括与下部基板110相同的材料。例如，上部基板410可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺杂了氟的石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等。
在有机发光显示装置100的最外廓面可以配置侧面电极470。例如，下部基板110的侧面、上部基板410的侧面、焊盘电极430的所述第一端部的侧面、焊盘电极430的所述第一端部的上表面和密封部件390的侧面可以被定义为有机发光显示装置100的所述最外廓面，侧面电极470可以与所述最外廓面接触。换言之，所述最外廓面可以在周边区域20相当于由上部基板410、密封部件390和焊盘电极430定义的空间391(参照图10)，由于在倾斜面E1的内侧将密封部件390配置成不与倾斜面E1重叠，因此可以形成空间391。可以沿着空间391的轮廓配置侧面电极470。在各例示性实施例中，侧面电极470可以与焊盘电极430的所述第一端部的侧面和所述第一端部的上表面直接接触或者电连接，可以与倾斜面E1重叠。
可选择地，侧面电极470也可以与下部基板110的侧面的一部分、上部基板410的侧面的一部分、焊盘电极430的所述第一端部的侧面、焊盘电极430的所述第一端部的上表面和密封部件390的侧面的一部分接触。
侧面电极470可以包括具有相对高的金属粘接力的金属。例如，侧面电极470可以包括Ti、Mo、Ni、Ta、Nd等。在其他各例示性实施例中，侧面电极470可以由Au、Ag、Cu、Al等这样的具有相对低的电阻的金属构成，或者可以由Ti、Mo、含钛合金、含钼合金等这样的具有相对高的强度的金属或者合金构成(例如，摩氏硬度在5以上的金属)。此外，侧面电极470也可以具有包括多个金属层的多层结构。所述多个金属层可以具有彼此不同的物质和彼此不同的厚度。
由此，可以提供图1至图4所示的有机发光显示装置100。
例如，在现有的有机发光显示装置中，为了使焊盘电极430与侧面电极470接触，可以去除位于周边区域20的上部基板410的一部分、密封部件390的一部分、焊盘电极430的一部分和下部基板110的一部分来使上部基板410、密封部件390、焊盘电极430和下部基板110各自的侧面对齐。在所述的侧面上可以配置侧面电极470，侧面电极470和焊盘电极430可以接触或者电连接。在该情况下，向外部露出的焊盘电极430的截面相对小，因此焊盘电极430的所述截面和侧面电极470接触的接触面积可能会相对小，可能会增加接触电阻。
本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置100包括具有倾斜面E1的下部基板110，从而可以相对增加焊盘电极430与侧面电极470的接触面积，由此可以降低焊盘电极430与侧面电极470的接触电阻。
此外，通过不去除位于周边区域20的上部基板410的一部分和密封部件390的一部分，可以沿着空间391的轮廓配置侧面电极470。由此，在有机发光显示装置100为了与外部装置101电连接而在侧面电极470上配置柔性电路基板的情况下，所述柔性电路基板与侧面电极470的接触面积增加，从而可以提高所述柔性电路基板与侧面电极470的粘接特性。
图5至图10是表示本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的制造方法的剖视图。
参照图5，可以提供包括透明或不透明的材料的下部基板110。下部基板110可以被区分为显示区域10、周边区域20和虚设区域50。例如，周边区域20可以实质上包围显示区域10，虚设区域50可以位于周边区域20的一侧。下部基板110可以使用石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺杂氟的石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板等来形成。在提供下部基板110之后，可以向周边区域20的一部分和虚设区域50的一部分照射激光。
参照图6，可以照射所述激光来在周边区域20的一部分和虚设区域50的一部分形成槽，在所述槽的内侧可以形成多个倾斜面。例如，将所述多个倾斜面之中位于周边区域20的倾斜面定义为倾斜面E1。
有源层130可以形成在下部基板110上的显示区域10，可以使用金属氧化物半导体、无机物半导体或有机物半导体等来形成。半导体元件250可以具有源极区域、漏极区域和位于所述源极区域与所述漏极区域之间的沟道区域。
在有源层130上可以形成栅极绝缘层150。在下部基板110上的显示区域10，栅极绝缘层150可以覆盖有源层130，可以在下部基板110上的整个显示区域10形成栅极绝缘层150。栅极绝缘层150可以利用硅化合物、金属氧化物等来形成。例如，栅极绝缘层150可以包括SiO、SiN、SiON、SiOC、SiCN、AlO、AlN、TaO、HfO、ZrO、TiO等。
在栅极绝缘层150上的显示区域10可以形成栅电极170。换言之，栅电极170可以形成在栅极绝缘层150中在下部设有有源层130的所述沟道区域的部分上。栅电极170可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。可以单独或彼此组合来使用这些物质。
在栅电极170上可以形成层间绝缘层190。层间绝缘层190可以在栅极绝缘层150上的显示区域10覆盖栅电极170，可以在整个栅极绝缘层150上配置层间绝缘层190。层间绝缘层190可以使用硅化合物、金属氧化物等来形成。
在层间绝缘层190上的显示区域10，可以形成源电极210和漏电极230。源电极210可以通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第一部分形成的第一接触孔而与有源层130的所述源极区域连接，漏电极230可以通过去除栅极绝缘层150和层间绝缘层190的第二部分形成的第二接触孔而与有源层130的漏极区域连接。
由此，可以形成包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230的半导体元件250。
在下部基板110上的周边区域20可以以与所述槽重叠的方式形成焊盘电极430。在各例示性实施例中，焊盘电极430在下部基板110上的周边区域20与倾斜面E1重叠地形成，可以在从周边区域20朝向显示区域10的方向上延伸。此外，焊盘电极430可以使用与源电极210和漏电极230相同的物质来与源电极210和漏电极230同时形成。例如，可以在显示区域10的层间绝缘层190和周边区域20的下部基板110上的整体上形成预电极层之后，将所述预电极层的一部分蚀刻来同时形成焊盘电极430、源电极210和漏电极230。焊盘电极430、源电极210和漏电极230分别可以包括金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等。例如，焊盘电极430、源电极210和漏电极230分别可以包括Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、含铝合金、AlNx、含银合金、WNx、含铜合金、含钼合金、TiN、CrN、TaN、SrRuO、ZnO、ITO、SnO、InO、GaO、IZO等。可以单独或彼此组合来使用这些物质。
参照图8，在层间绝缘层190、源电极210和漏电极230上的显示区域10，可以形成平坦化层270。例如，平坦化层270可以在层间绝缘层190上具有相对厚的厚度，以便充分覆盖源电极210和漏电极230。通过去除平坦化层270的一部分形成的接触孔，漏电极230的上表面的一部分可以露出。平坦化层270可以使用有机物质来形成。例如，平坦化层270可以包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚酰胺系树脂、硅氧烷系树脂、丙烯酸系树脂、环氧树脂等。
下部电极290可以形成在平坦化层270上的显示区域10。下部电极290可以贯通平坦化层270的接触孔而与漏电极230连接。下部电极290可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。可以单独或彼此组合来使用这些物质。
像素定义膜310可以形成在下部电极290的一部分和平坦化层270上的显示区域10。像素定义膜310可以覆盖下部电极290的两侧部，并使下部电极290的上表面的一部分露出。像素定义膜310可以使用有机物质来形成。
发光层330可以形成在被像素定义膜310露出的下部电极290上的显示区域10。发光层330可以根据像素结构物，使用可发射不同颜色的光(即，红色光、绿色光、蓝色光等)的多种发光物质之中的至少一种来形成。与此不同地，发光层330可以层叠能够发射红色光、绿色光、蓝色光等不同颜色的光的多种发光物质来整体上发射白色光。
上部电极340可以形成在像素定义膜310和发光层330上的显示区域10。上部电极340可以使用金属、合金、金属氮化物、导电性金属氧化物、透明导电性物质等来形成。可以单独或彼此组合来使用这些物质。
由此，可以形成包括下部电极290、发光层330和上部电极340的像素结构物200。
参照图9，在焊盘电极430上的周边区域20，可以形成密封部件390。换言之，密封部件390可以沿着下部基板110上的周边区域20配置，实质上可以具有内空的方形形状。密封部件390可以覆盖焊盘电极430的一部分，且不与下部基板110的倾斜面E1重叠。密封部件390可以使用玻璃料等来形成。此外，密封部件390可以进一步包括光固化性物质。例如，密封部件390可以包括有机物质和光固化性物质的混合物。密封部件390所包括的所述光固化性物质可以使用环氧丙烯酸酯系树脂、聚酯丙烯酸酯系树脂、氨酯丙烯酸酯系树脂、聚丁二烯丙烯酸酯系树脂、丙烯酸硅酯系树脂、丙烯酸烷基酯系树脂等来形成。
在密封部件390和像素结构物200上可以形成上部基板410。上部基板410可以使用实质上与下部基板110相同的材料来形成。例如，上部基板410可以包括石英基板、合成石英基板、氟化钙基板、掺杂氟的石英基板、钠钙玻璃基板、无碱玻璃基板。
形成上部基板410之后，可以向密封部件390上照射激光。通过这种激光照射，密封部件390可以从固体状态变化成液体状态，经过预定的时间之后，液体状态的密封部件390可以再次固化为固体状态。根据密封部件390的状态变化，上部基板410可以相对于下部基板110被密封的同时结合。在其他各例示性实施例中，也可以在上部基板410的底面上形成密封部件390之后使形成有密封部件390的上部基板410与下部基板110结合。
将上部基板410和下部基板110密封结合后，可以沿着图9所示的II-II'线，去除位于虚设区域50的下部基板110和上部基板410。在该情况下，下部基板110的大小和上部基板410的大小可以相同，上部基板410和下部基板110可以被设置成彼此重叠。可选择地，在焊盘电极430形成在下部基板110上的虚设区域50的情况下，也可以去除焊盘电极430的一部分。
参照图10，去除位于虚设区域50的下部基板110和上部基板410之后，倾斜面E1可以仅形成在下部基板110的周边区域20。
此外，在周边区域20可以形成由上部基板410、密封部件390和焊盘电极430定义的空间391。例如，在倾斜面E1的内侧密封部件390被配置成不与倾斜面E1重叠，因此可以形成空间391。
参照图4，侧面电极470可以形成在位于周边区域20的下部基板110的侧面、上部基板410的侧面、焊盘电极430的第一端部的侧面、焊盘电极430的第一端部的上表面和密封部件390的侧面上。换言之，侧面电极470可以沿着空间391的轮廓形成，即，侧面电极470可以形成在空间391中。侧面电极470可以与焊盘电极430的所述第一端部的侧面和所述第一端部的上表面直接接触或电连接，可以与倾斜面E1重叠。
侧面电极470可以使用具有相对高的金属粘接力的金属来形成。例如，侧面电极470可以包括Ti、Mo、Ni、Ta、Nd等。在其他各例示性实施例中，侧面电极470可以由如Au、Ag、Cu、Al等这样的具有相对低的电阻的金属构成，或者可以由如Ti、Mo、含钛合金、含钼合金等这样的具有相对高的强度的金属或合金构成。
由此，可以制造图4所示的有机发光显示装置100。
在本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的制造方法中，在下部基板110利用激光来形成槽，并去除位于虚设区域50的下部基板110，从而可以容易在下部基板110形成倾斜面E1。
图11是表示本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置的剖视图。图11例示的有机发光显示装置500除了形成在上部基板410的第二倾斜面E2外，可以具有与参照图1至图4说明的有机发光显示装置100实质上相同或类似的构成。在图11中，对于与参照图1至图4说明的构成要素实质上相同或类似的构成要素，省略重复的说明。
参照图1至图3以及图11，有机发光显示装置500可以包括下部基板110、半导体元件250、焊盘电极430、平坦化层270、像素定义膜310、像素结构物200、上部基板410、密封部件390、侧面电极470等。在此，半导体元件250可以包括有源层130、栅极绝缘层150、栅电极170、层间绝缘层190、源电极210和漏电极230，像素结构物200可以包括下部电极290、发光层330和上部电极340。
在密封部件390和上部电极340上可以配置上部基板410。在各例示性实施例中，下部基板110的大小和上部基板410的大小可以相同，可以被设置成彼此重叠。此外，在周边区域20的外廓部，上部基板410可以具有第二倾斜面E2。第二倾斜面E2可以与倾斜面E1相向。
在有机发光显示装置500的最外廓面可以配置侧面电极470。例如，下部基板110的侧面、上部基板410的侧面、焊盘电极430的所述第一端部的侧面、焊盘电极430的所述第一端部的上表面和密封部件390的侧面可以被定义为有机发光显示装置500的所述最外廓面，侧面电极470可以与所述最外廓面接触。换言之，所述最外廓面可以在周边区域20相当于由上部基板410、密封部件390和焊盘电极430定义的空间，在倾斜面E1和第二倾斜面E2的内侧密封部件390被配置成不与倾斜面E1重叠，因此可以形成所述空间。可以沿着所述空间的轮廓配置侧面电极470。在各例示性实施例中，侧面电极470可以与焊盘电极430的所述第一端部的侧面和所述第一端部的上表面直接接触或电连接，可以与倾斜面E1和第二倾斜面E2重叠。
本发明的各例示性实施例涉及的有机发光显示装置500包括具有第二倾斜面E2的上部基板410，从而在有机发光显示装置500为了与外部装置101电连接而在侧面电极470上配置柔性电路基板的情况下，所述柔性电路基板与侧面电极470的接触面积相对增加，由此可以进一步提高所述柔性电路基板与侧面电极470的粘接特性。
如上所述，参照本发明的各例示性实施例进行了说明，但是本领域技术人员应当能够理解在不超出权利要求书记载的本发明的思想以及领域的范围内可对本发明进行各种修正以及变更。
(工业上的可利用性)
本发明可以适用于具备有机发光显示装置的各种显示设备。例如，本发明可以适用于车辆用、船舶用和航空器用的显示装置、便携式通信装置、展示用或信息传递用的显示装置、医疗用显示装置等各种显示设备。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置，包括：
下部基板，包括显示区域和周边区域，在所述周边区域的外廓部具有第一倾斜面；
像素结构物，配置在所述下部基板上的所述显示区域；
上部基板，配置在所述像素结构物上；
焊盘电极，在所述下部基板与所述上部基板之间的所述周边区域配置在所述下部基板上且一直延伸到所述第一倾斜面上；和
侧面电极，配置在所述下部基板和所述上部基板的一侧面，且与所述焊盘电极接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述侧面电极与所述下部基板的所述第一倾斜面重叠。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述下部基板的大小和所述上部基板的大小相同，所述下部基板和所述上部基板被设置成彼此重叠。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述焊盘电极在所述下部基板上的所述第一倾斜面沿着从所述周边区域朝向所述显示区域的方向延伸，且与所述像素结构物电连接。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，还包括：
密封部件，配置在所述下部基板与所述上部基板之间的所述周边区域。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述密封部件覆盖所述焊盘电极的一部分。
7.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述密封部件不与所述下部基板的所述第一倾斜面重叠。
8.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述密封部件和所述侧面电极接触。
9.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，
在所述周边区域，在由所述上部基板、所述密封部件和所述焊盘电极定义的空间配置所述侧面电极。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，
所述上部基板具有与所述第一倾斜面相向地形成的第二倾斜面。
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