KR20210073649A - 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20210073649A
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김원석
박종덕
변호연
신정훈
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Abstract

유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하고, 주변 영역의 외곽부에서 제1 경사면을 갖는 하부 기판, 하부 기판의 상의 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 화소 구조물 상에 배치되는 상부 기판, 하부 기판과 상부 기판 사이의 주변 영역에서 하부 기판의 제1 경사면 상에 배치되는 패드 전극 및 하부 및 상부 기판들의 일 측면에 배치되고, 패드 전극과 접촉하는 측면 전극을 포함할 수 있다. 이에 따라, 패드 전극과 측면 전극의 접촉 저항이 낮아질 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 측면 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 측면 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치는 경량 및 박형 등의 특성으로 인하여, 음극선관 표시 장치를 대체하는 표시 장치로써 사용되고 있다. 이러한 평판 표시 장치의 대표적인 예로서 액정 표시 장치와 유기 발광 표시 장치가 있다.
유기 발광 표시 장치는 상부 기판 및 하부 기판을 포함할 수 있고, 하부 기판에는 외부 장치와 연결되는 복수의 패드 전극들이 배치될 수 있다. 여기서, 상기 외부 장치는 복수의 신호들을 생성할 수 있고, 상기 신호들이 상기 패드 전극들을 통해 상기 유기 발광 표시 장치에 제공될 수 있다. 상기 패드 전극들이 상기 외부 장치와 직접적으로 접촉하기 위해, 상기 하부 기판의 길이는 상기 상부 기판의 길이보다 길 수 있다. 다시 말하면, 상기 하부 기판은 상기 상부 기판보다 일 방향으로 돌출될 수 있고, 상기 하부 기판의 돌출된 부분(예를 들어, 패드 영역)에 상기 패드 전극들이 배치될 수 있다. 즉, 상기 하부 기판의 상기 패드 영역 때문에 상기 유기 발광 표시 장치는 상대적으로 많은 비발광 영역(예를 들어, 데드 스페이스)을 갖는다. 상기 유기 발광 표시 장치의 데드 스페이스를 줄이기 위해 상기 하부 기판의 돌출된 부분을 제거하여 상기 패드 전극들 각각의 측면만 외부로 노출되는 유기 발광 표시 장치가 개발되고 있다. 다만, 상기 패드 적극들 각각의 측면만 외부로 노출됨에 따라 상기 패드 전극들 각각이 노출되는 면적이 상대적으로 줄어들어서 상기 패드 전극들의 저항이 증가되는 문제점이 발생하고 있다.
본 발명의 일 목적은 측면 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 측면 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 상술한 목적에 의해 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 영역 및 주변 영역을 포함하고, 상기 주변 영역의 외곽부에서 제1 경사면을 갖는 하부 기판, 상기 하부 기판의 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 구조물, 상기 화소 구조물 상에 배치되는 상부 기판, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 상기 주변 영역에서 상기 하부 기판의 제1 경사면 상에 배치되는 패드 전극 및 상기 하부 및 상부 기판들의 일 측면에 배치되고, 상기 패드 전극과 접촉하는 측면 전극을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 측면 전극은 상기 하부 기판의 상기 제1 경사면과 중첩할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판의 크기와 상기 상부 기판의 크기는 동일하고, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판은 서로 중첩하여 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패드 전극은 상기 하부 기판 상의 상기 제1 경사면에서 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물과 전기적으로 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 상기 주변 영역에 배치되는 실링 부재를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 실링 부재는 상기 패드 전극의 일부를 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 실링 부재는 상기 하부 기판의 상기 제1 경사면과 중첩하지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 실링 부재와 상기 측면 전극은 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주변 영역에서 상기 상부 기판, 상기 실링 부재 및 상기 패드 전극으로 정의된 공간에 상기 측면 전극이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 상부 기판은 상기 제1 경사면과 마주보도록 형성된 제2 경사면을 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 측면 전극은 상기 상부 기판의 상기 제2 경사면과 중첩할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은 표시 영역, 주변 영역 및 더미 영역을 갖는 하부 기판을 제공하는 단계, 상기 주변 영역 및 상기 더미 영역과 중첩하는 상기 하부 기판의 제1 부분에 그루브를 형성하는 단계, 상기 하부 기판 상에서 상기 주변 영역에 위치하는 상기 그루브와 중첩하도록 패드 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 기판 상의 상기 표시 영역에 화소 구조물을 형성하는 단계, 상기 하부 기판의 상기 더미 영역을 제거하여 상기 하부 기판의 상기 주변 영역에 경사면을 형성하는 단계 및 상기 패드 전극과 접촉하는 측면 전극을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판의 상에서 상기 주변 영역과 중첩하도록 실링 부재를 형성하는 단계, 상기 화소 구조물 및 상기 실링 부재 상에 상부 기판을 형성하는 단계 및 상기 실링 부재가 형성된 상기 상부 기판과 상기 하부 기판을 결합하는 단계를 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 측면 전극은 상기 상부 기판, 상기 하부 기판, 상기 패드 전극 및 상기 실링 부재와 접촉할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패드 전극은 상기 하부 기판 상의 상기 경사면에서 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 실링 부재는 상기 패드 전극의 적어도 일부를 덮을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판의 상기 더미 영역이 제거된 후, 상기 하부 기판의 크기와 상기 상부 기판의 크기는 동일하고, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판은 서로 중첩하여 위치할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 주변 영역에서 상기 상부 기판, 상기 실링 부재 및 상기 패드 전극으로 정의되는 공간에 상기 측면 전극이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 실링 부재는 상기 하부 기판의 상기 경사면과 중첩하지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 하부 기판과 상기 화소 구조물 사이의 표시 영역에 반도체 소자를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 반도체 소자를 형성하는 단계는 상기 하부 기판 상에 액티브층을 형성하는 단계, 상기 액티브층 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계, 상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계, 상기 게이트 전극 상에 층간 절연층을 형성하는 단계 및 상기 층간 절연층 상에 소스 및 드레인 전극들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 패드 전극과 상기 소스 및 드레인 전극들은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 경사면을 갖는 하부 기판을 포함함으로써 패드 전극과 측면 전극의 접촉 면적이 상대적으로 증가할 수 있고, 이에 따라, 패드 전극과 측면 전극의 접촉 저항이 낮아질 수 있다.
또한, 주변 영역에 위치하는 상부 기판의 일부 및 실링 부재의 일부를 제거하지 않음으로써 공간의 프로파일을 따라 측면 전극이 배치될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치가 외부 장치와 전기적으로 연결되기 위해 연성 회로 기판이 측면 전극 상에 배치될 경우, 상기 연성 회로 기판과 측면 전극의 접촉 면적이 증가되어 상기 연성 회로 기판과 측면 전극의 접착 특성이 향상될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 하부 기판에 레이저를 이용하여 그루브를 형성하고 더미 영역에 위치하는 하부 기판을 제거함으로써 하부 기판에 경사면이 용이하게 형성될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치와 전기적으로 연결된 외부 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 유기 발광 다이오드 및 트랜지스터들을 설명하기 위한 회로도이다.
도 4는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치들 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 첨부한 도면들에 있어서, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 유기 발광 표시 장치와 전기적으로 연결된 외부 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1, 및 2를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 패드 전극들(430), 측면 전극들(470) 등을 포함할 수 있고, 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 가질 수 있다. 여기서, 주변 영역(20)은 표시 영역(10)을 실질적으로 둘러쌀 수 있다.
표시 영역(10)은 복수의 화소 영역들(30)을 포함할 수 있다. 복수의 화소 영역들(30)은 매트릭스 형태로 표시 영역(10)에 전체적으로 배열될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역들(30) 각각에는 도 3에 도시된 화소 회로(PIXEL CIRCUIT: PC)(예를 들어, 도 4에 도시된 반도체 소자(250))가 배치될 수 있고, 화소 회로(PC) 상에 유기 발광 다이오드(OLED)(예를 들어, 도 4에 도시된 화소 구조물(200))가 배치될 수 있다. 화소 회로(PC) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 통해 표시 영역(10)에 영상이 표시될 수 있다.
예를 들면, 화소 영역들(30)에는 제1, 제2 및 제3 화소 회로들이 배치될 수 있다. 상기 제1 화소 회로는 적색광을 방출할 수 있는 제1 유기 발광 다이오드와 연결될 수 있고, 상기 제2 화소 회로는 녹색광을 방출할 수 있는 제2 유기 발광 다이오드와 연결될 수 있으며, 상기 제3 화소 회로는 청색 광을 방출할 수 있는 제3 유기 발광 다이오드와 연결될 수 있다.
상기 제1 유기 발광 다이오드는 제1 화소 회로와 중첩하여 배치될 수 있고, 상기 제2 유기 발광 다이오드는 제2 화소 회로와 중첩하여 배치될 수 있으며, 상기 제3 유기 발광 다이오드는 제3 화소 회로와 중첩하여 배치될 수 있다. 선택적으로, 상기 제1 유기 발광 다이오드가 상기 제1 화소 회로의 일부 및 상기 제1 화소 회로와 다른 화소 회로의 일부와 중첩하여 배치될 수도 있고, 상기 제2 유기 발광 다이오드가 상기 제2 화소 회로의 일부 및 상기 제2 화소 회로와 다른 화소 회로의 일부와 중첩하여 배치될 수도 있으며, 상기 제3 유기 발광 다이오드가 상기 제3 화소 회로의 일부 및 상기 제3 화소 회로와 다른 화소 회로의 일부와 중첩하여 배치될 수도 있다. 예를 들면, 상기 제1 내지 제3 유기 발광 다이오드들은 같은 크기의 직사각형이 차례로 배열되는 RGB 스트라이프(RGB stripe) 방식, 상대적으로 넓은 면적을 갖는 청색 유기 발광 다이오드를 포함하는 S-스트라이프(s-stripe) 방식, 백색 유기 발광 다이오드를 더 포함하는 WRGB 방식, RG-GB 반복 형태로 나열된 펜타일 방식 등을 이용하여 배열될 수 있다.
또한, 복수의 화소 영역들(30) 각각에는 적어도 하나의 구동 트랜지스터, 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터, 적어도 하나의 커패시터 등이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 영역들(30) 각각에 하나의 구동 트랜지스터(예를 들어, 도 3의 제1 트랜지스터(TR1)) 및 6개의 스위칭 트랜지스터들(예를 들어, 도 3의 제2 내지 제7 트랜지스터들(TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7)), 하나의 스토리지 커패시터(예를 들어, 도 3의 스토리지 커패시터(CST)) 등이 배치될 수 있다.
다만, 본 발명의 표시 영역(10), 화소 영역(30) 및 주변 영역(20) 각각의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖는 것으로 설명하였지만, 상기 형상이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 영역(10), 화소 영역(30) 및 주변 영역(20) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수도 있다.
주변 영역(20)에는 복수의 배선들이 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 배선들은 데이터 신호 배선, 게이트 신호 배선, 발광 제어 신호 배선, 게이트 초기화 신호 배선, 초기화 전압 배선, 전원 전압 배선 등을 포함할 수 있다. 상기 배선들은 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로 연장되어 화소 회로(PC) 및 유기 발광 다이오드(OLED)와 전기적으로 연결될 수 있다.
주변 영역(20)의 일측(예를 들어, 표시 영역(10)의 우측)에는 복수의 패드 전극들(430)이 배치될 수 있고, 아래에서 설명될 하부 기판 및 상기 기판 각각의 측면 및 패드 전극들(430)의 일부 상에 복수의 측면 전극들(470)이 배치될 수 있다.
패드 전극들(430)은 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 개재될 수 있고, 패드 전극들(430) 각각의 일부가 노출될 수 있다(도 10 참조). 또한, 패드 전극들(430) 각각은 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로의 방향으로 연장될 수 있고, 화소 구조물들(200)과 전기적으로 연결될 수 있다. 다시 말하면, 패드 전극(430)은 상기 표시 영역(10)에 배치된 상기 배선들과 연결될 수 있다.
또한, 측면 전극들(470) 각각은 패드 전극들(430) 각각의 상기 일부와 직접적으로 접촉할 수 있다. 다시 말하면, 측면 전극들(470) 각각은 패드 전극들(430) 각각의 상기 일부가 노출되지 않도록 완전히 커버하면서, 상기 하부 및 상부 기판들의 상기 일 측면 상에 배치될 수 있다.
예를 들면, 패드 전극들(430)은 제1 내지 제n 패드 전극들을 포함할 수 있고(단, n은 1 이상의 정수), 상기 제1 내지 제n 패드 전극들은 서로 이격하여 주변 영역(20)에서 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다. 또한, 측면 전극들(470)은 제1 내지 제m 측면 전극들을 포함할 수 있고(단, m은 1 이상의 정수), 상기 제1 내지 제m 측면 전극들 각각은 상기 제1 내지 제n 패드 전극들 각각과 직접적으로 접촉할 수 있다.
측면 전극들(470)은 외부 장치(101)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 외부 장치(101)는 게이트 신호, 데이터 신호, 초기화 신호, 초기화 전압, 발광 제어 신호, 전원 전압 등을 생성할 수 있다. 외부 장치(101)는 측면 전극들(470), 패드 전극들(430), 상기 배선들, 연성 인쇄 회로 기판을 통해 유기 발광 표시 장치(100)와 전기적으로 연결될 수 있고, 상기 게이트 신호, 상기 데이터 신호, 상기 초기화 신호, 상기 초기화 전압, 상기 발광 제어 신호, 상기 전원 전압 등이 상기 연성 인쇄 회로 기판, 측면 전극들(470), 패드 전극들(430), 상기 배선들을 통해 유기 발광 표시 장치(100)에 포함된 반도체 소자 및 화소 구조물에 제공될 수 있다. 예를 들면, 상기 연성 인쇄 회로 기판의 제1 부분이 측면 전극들(470)과 직접적으로 접촉할 수 있고, 상기 연성 인쇄 회로 기판의 제1 부분과 대향하는 제2 부분이 외부 장치(101)와 직접적으로 접촉할 수 있다. 또한, 상기 연성 인쇄 회로 기판에는 구동 집적 회로가 실장될 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)의 주변 영역(20)의 우측에만 패드 전극들(430) 및 측면 전극들(470)이 배치되는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(100)는 주변 영역(20)의 좌측, 상측 또는 하측에도 패드 전극들(430) 및 측면 전극들(470)이 배치될 수도 있다.
도 1에 도시된 표시 영역(10) 및 주변 영역(20) 각각의 형상이 사각형의 평면 형상을 갖지만 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)의 형상이 그것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 표시 영역(10) 및 주변 영역(20) 각각의 형상은 삼각형의 평면 형상, 마름모의 평면 형상, 다각형의 평면 형상, 원형의 평면 형상, 트랙형의 평면 형상 또는 타원형의 평면 형상을 가질 수 있다.
도 3은 도 1의 유기 발광 표시 장치에 포함된 유기 발광 다이오드 및 트랜지스터들을 설명하기 위한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)의 화소 영역들(30) 각각에는 화소 회로(PC) 및 유기 발광 다이오드(OLED)가 배치될 수 있고, 하나의 화소 회로(PC)는 유기 발광 다이오드(OLED)(예를 들어, 도 4의 화소 구조물(200)), 제1 내지 제7 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7) 및 스토리지 커패시터(CST), 고전원 전압(ELVDD) 배선, 저전원 전압(ELVSS) 배선, 초기화 전압(VINT) 배선, 데이터 신호(DATA) 배선, 게이트 신호(GW) 배선, 게이트 초기화 신호(GI) 배선, 발광 제어 신호(EM) 배선, 다이오드 초기화 신호(GB) 배선 등을 포함할 수 있다. 제1 트랜지스터(TR1)는 구동 트랜지스터에 해당될 수 있고, 제2 내지 제7 트랜지스터들(TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7)은 스위칭 트랜지스터에 해당될 수 있다. 제1 내지 제7 트랜지스터들(TR1, TR2, TR3, TR4, TR5, TR6, TR7) 각각은 제1 단자, 제2 단자, 채널 및 게이트 단자를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 단자가 소스 단자이고 상기 제2 단자가 드레인 단자일 수 있다. 선택적으로, 상기 제1 단자가 드레인 단자일 수 있고, 상기 제2 단자가 소스 단자일 수도 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 전류(ID)에 기초하여 광을 출력할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 단자 및 제2 단자를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제2 단자는 저전원 전압(ELVSS)을 공급받을 수 있고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 단자는 고전원 전압(ELVDD)을 공급받을 수 있다. 예를 들면, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 단자는 애노드 단자이고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제2 단자는 캐소드 단자일 수 있다. 선택적으로, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 단자는 캐소드 단자이고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 제2 단자는 애노드 단자일 수도 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 유기 발광 다이오드(OLED)의 상기 애노드 단자는 도 4의 하부 전극(290)에 해당될 수 있고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 상기 캐소드 단자는 도 4의 상부 전극(340)에 해당될 수 있다.
제1 트랜지스터(TR1)는 구동 전류(ID)를 생성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 트랜지스터(TR1)는 포화 영역에서 동작할 수 있다. 이러한 경우, 제1 트랜지스터(TR1)는 상기 게이트 단자와 상기 소스 단자 사이의 전압차에 기초하여 구동 전류(ID)를 생성할 수 있다. 또한, 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급되는 구동 전류(ID)의 크기에 기초하여 계조가 표현될 수 있다. 선택적으로, 제1 트랜지스터(TR1)는 선형 영역에서 동작할 수도 있다. 이러한 경우, 일 프레임 내에서 유기 발광 다이오드(OLED)에 구동 전류가 공급되는 시간의 합에 기초하여 계조가 표현될 수 있다.
제2 트랜지스터(TR2)의 게이트 단자는 게이트 신호(GW)를 공급받을 수 있다. 제2 트랜지스터(TR2)의 제1 단자는 데이터 신호(DATA)를 공급받을 수 있다. 제2 트랜지스터(TR2)의 제2 단자는 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 단자에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(TR2)는 게이트 신호(GW)의 활성화 구간 동안 데이터 신호(DATA)를 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 단자로 공급할 수 있다. 이러한 경우, 제2 트랜지스터(TR2)는 선형 영역에서 동작할 수 있다.
제3 트랜지스터(TR3)의 게이트 단자는 게이트 신호(GW)를 공급받을 수 있다. 제3 트랜지스터(TR3)의 제1 단자는 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(TR3)의 제2 단자는 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 단자에 연결될 수 있다. 제3 트랜지스터(TR3)는 게이트 신호(GW)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자와 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 단자를 연결할 수 있다. 이러한 경우, 제3 트랜지스터(TR3)는 선형 영역에서 동작할 수 있다. 즉, 제3 트랜지스터(TR3)는 게이트 신호(GW)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)를 다이오드 연결시킬 수 있다.
초기화 전압(VINT)이 제공되는 초기화 전압 배선의 입력단은 제4 트랜지스터(TR4)의 제1 단자 및 제7 트랜지스터(TR7)의 제1 단자와 연결될 수 있고, 상기 초기화 전압 배선의 출력단은 제4 트랜지스터(TR4)의 제2 단자 및 스토리지 커패시터(CST)의 제1 단자와 연결될 수 있다.
제4 트랜지스터(TR4)의 게이트 단자는 게이트 초기화 신호(GI)를 공급받을 수 있다. 제4 트랜지스터(TR4)의 제1 단자는 초기화 전압(VINT)을 공급받을 수 있다. 제4 트랜지스터(TR4)의 제2 단자는 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자에 연결될 수 있다.
제4 트랜지스터(TR4)는 게이트 초기화 신호(GI)의 활성화 구간 동안 초기화 전압(VINT)을 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자에 공급할 수 있다. 이러한 경우, 제4 트랜지스터(TR4)는 선형 영역에서 동작할 수 있다. 즉, 제4 트랜지스터(TR4)는 게이트 초기화 신호(GI)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자를 초기화 전압(VINT)으로 초기화시킬 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 초기화 전압(VINT)의 전압 레벨은 이전 프레임에서 스토리지 커패시터(CST)에 의해 유지된 데이터 신호(DATA)의 전압 레벨보다 충분히 낮은 전압 레벨을 가질 수 있고, 상기 초기화 전압(VINT)이 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자에 공급될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 초기화 전압의 전압 레벨은 이전 프레임에서 스토리지 커패시터에 의해 유지된 데이터 신호의 전압 레벨보다 충분히 높은 전압 레벨을 가질 수 있고, 상기 초기화 전압이 제1 트랜지스터의 게이트 단자에 공급될 수 있다.
제5 트랜지스터(TR5)의 게이트 단자는 발광 제어 신호(EM)를 공급받을 수 있다. 제5 트랜지스터(TR5)의 제1 단자는 고전원 전압(ELVDD) 배선에 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(TR5)의 제2 단자는 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 단자에 연결될 수 있다. 제5 트랜지스터(TR5)는 발광 제어 신호(EM)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 단자에 고전원 전압(ELVDD)을 공급할 수 있다. 이와 반대로, 제5 트랜지스터(TR5)는 발광 제어 신호(EM)의 비활성화 구간 동안 고전원 전압(ELVDD)의 공급을 차단시킬 수 있다. 이러한 경우, 제5 트랜지스터(TR5)는 선형 영역에서 동작할 수 있다. 제5 트랜지스터(TR5)가 발광 제어 신호(EM)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 단자에 고전원 전압(ELVDD)을 공급함으로써, 제1 트랜지스터(TR1)는 구동 전류(ID)를 생성할 수 있다. 또한, 제5 트랜지스터(TR5)가 발광 제어 신호(EM)의 비활성화 구간 동안 고전원 전압(ELVDD)의 공급을 차단함으로써, 제1 트랜지스터(TR1)의 제1 단자에 공급된 데이터 신호(DATA)가 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자로 공급될 수 있다.
제6 트랜지스터(TR6)(예를 들어, 도 4의 반도체 소자(250))의 게이트 단자는 발광 제어 신호(EM)를 공급받을 수 있다. 제6 트랜지스터(TR6)의 제1 단자는 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 단자에 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(TR6)의 제2 단자는 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 단자에 연결될 수 있다. 제6 트랜지스터(TR6)는 발광 제어 신호(EM)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)가 생성한 구동 전류(ID)를 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급할 수 있다. 이러한 경우, 제6 트랜지스터(TR6)는 선형 영역에서 동작할 수 있다. 즉, 제6 트랜지스터(TR6)가 발광 제어 신호(EM)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)가 생성한 구동 전류(ID)를 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급함으로써, 유기 발광 다이오드(OLED)는 광을 출력할 수 있다. 또한, 제6 트랜지스터(TR6)가 발광 제어 신호(EM)의 비활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)와 유기 발광 다이오드(OLED)를 전기적으로 서로 분리시킴으로써, 제1 트랜지스터(TR1)의 제2 단자에 공급된 데이터 신호(DATA)(정확히 말하면, 문턱 전압 보상이 된 데이터 신호)가 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자로 공급될 수 있다.
제7 트랜지스터(TR7)의 게이트 단자는 다이오드 초기화 신호(GB)를 공급받을 수 있다. 제7 트랜지스터(TR7)의 제1 단자는 초기화 전압(VINT)을 공급받을 수 있다. 제7 트랜지스터(TR7)의 제2 단자는 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 단자에 연결될 수 있다. 제7 트랜지스터(TR7)는 다이오드 초기화 신호(GB)의 활성화 구간 동안 초기화 전압(VINT)을 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 단자에 공급할 수 있다. 이러한 경우, 제7 트랜지스터(TR7)는 선형 영역에서 동작할 수 있다. 즉, 제7 트랜지스터(TR7)는 다이오드 초기화 신호(GB)의 활성화 구간 동안 유기 발광 다이오드(OLED)의 제1 단자를 초기화 전압(VINT)으로 초기화시킬 수 있다.
스토리지 커패시터(CST)(예를 들어, 도 8의 스토리지 커패시터(180))는 제1 단자 및 제2 단자를 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(CST)는 고전원 전압(ELVDD) 배선과 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자 사이에 연결될 수 있다. 예를 들면, 스토리지 커패시터(CST)의 제1 단자는 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자에 연결될 수 있고, 스토리지 커패시터(CST)의 제2 단자는 고전원 전압(ELVDD) 배선에 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(CST)는 게이트 신호(GW)의 비활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)의 게이트 단자의 전압 레벨을 유지할 수 있다. 게이트 신호(GW)의 비활성화 구간은 발광 제어 신호(EM)의 활성화 구간을 포함할 수 있고, 발광 제어 신호(EM)의 활성화 구간 동안 제1 트랜지스터(TR1)가 생성한 구동 전류(ID)는 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급될 수 있다. 따라서, 스토리지 커패시터(CST)가 유지하는 전압 레벨에 기초하여 제1 트랜지스터(TR1)가 생성한 구동 전류(ID)가 유기 발광 다이오드(OLED)에 공급될 수 있다.
다만, 본 발명의 화소 회로(PC)가 7개의 트랜지스터들 및 하나의 스토리지 커패시터를 포함하는 것으로 설명하였지만, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것을 아니다. 예를 들면, 화소 회로(PC)는 적어도 하나의 트랜지스터 및 적어도 하나의 스토리지 커패시터를 포함하는 구성을 가질 수도 있다.
도 4는 도 1의 I-I'라인을 따라 절단한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 하부 기판(110), 반도체 소자(250), 패드 전극(430), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 화소 구조물(200), 상부 기판(410), 실링 부재(390), 측면 전극(470) 등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 화소 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다.
전술한 바와 같이, 유기 발광 표시 장치(100)가 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(10)에서는 화소 구조물(200) 및 반도체 소자(250)를 통해 화상이 표시될 수 있고, 주변 영역(20)에는 실링 부재(390)를 통해 하부 기판(110)과 상부 기판(410)이 밀봉 결합될 수 있다.
투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 하부 기판(110)이 제공될 수 있다. 하부 기판(110)은 석영(quartz) 기판, 합성 석영(synthetic quartz) 기판, 불화칼슘(calcium fluoride) 기판, 불소가 도핑된 석영(F-doped quartz) 기판, 소다라임(sodalime) 유리 기판, 무알칼리(non-alkali) 유리 기판 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 주변 영역(20)의 외곽부에서 하부 기판(110)은 경사면(E1)을 가질 수 있다. 또한, 유기 발광 표시 장치(100)가 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)을 가짐에 따라, 하부 기판(110)도 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)으로 구분될 수 있다. 예를 들면, 도 4에 도시된 주변 영역(20)은 도 1에 도시된 주변 영역(20) 중 표시 영역(10)의 우측에 위치하는 주변 영역(20)에 해당될 수 있다.
하부 기판(110) 상에 버퍼층(도시되지 않음)이 배치될 수도 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110) 상에 전체적으로 배치될 수 있다. 상기 버퍼층은 하부 기판(110)으로부터 금속 원자들이나 불순물들이 반도체 소자(250) 및 화소 구조물(200)로 확산되는 현상을 방지할 수 있으며, 액티브층(130)을 형성하기 위한 결정화 공정 동안 열의 전달 속도를 조절하여 실질적으로 균일한 액티브층(130)을 수득하게 할 수 있다. 또한, 상기 버퍼층은 하부 기판(110)의 표면이 균일하지 않을 경우, 하부 기판(110)의 표면의 평탄도를 향상시키는 역할을 수행할 수 있다. 하부 기판(110)의 유형에 따라 하부 기판(110) 상에 두 개 이상의 버퍼층이 제공될 수 있거나 상기 버퍼층이 배치되지 않을 수 있다. 예를 들면, 상기 버퍼층은 유기 물질 또는 무기 물질을 포함할 수 있다.
액티브층(130)은 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있고, 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체(예를 들면, 아몰퍼스 실리콘(amorphous silicon), 폴리 실리콘(poly silicon)) 또는 유기물 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체 소자(250)는 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 가질 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)이 하부 기판(110) 상의 주변 영역(20)에 배치되지 않을 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)이 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에 전체적으로 배치될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 액티브층(130)을 충분히 덮을 수 있으며, 액티브층(130)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상에서 액티브층(130)을 덮으며, 균일한 두께로 액티브층(130)의 프로파일을 따라 배치될 수도 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 실리콘 산화물(SiO), 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산질화물(SiON), 실리콘 산탄화물(SiOC), 실리콘 탄질화물(SiCN), 알루미늄 산화물(AlO), 알루미늄 질화물(AlN), 탄탈륨 산화물(TaO), 하프늄 산화물(HfO), 지르코늄 산화물(ZrO), 티타늄 산화물(TiO) 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)은 복수의 절연층들 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 상기 절연층들은 서로 다른 물질 및 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 게이트 전극(170)이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)의 상기 채널 영역이 위치하는 부분 상에 배치될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 전극(170)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 상기 금속층들은 서로 다른 물질 및 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 층간 절연층(190)이 하부 기판(110) 상의 주변 영역(20)에 배치되지 않을 수도 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연층(150)이 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10) 및 주변 영역(20)에 전체적으로 배치될 수도 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 충분히 덮을 수 있으며, 게이트 전극(170)의 주위에 단차를 생성시키지 않고 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 선택적으로, 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상에서 게이트 전극(170)을 덮으며, 균일한 두께로 게이트 전극(170)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 배치될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 제1 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 제2 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 드레인 영역에 접속될 수 있다. 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 각기 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 소스 전극(210)및 드레인 전극(230)각각은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 상기 금속층들은 서로 다른 물질 및 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170),층간 절연층(190),소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 배치될 수 있다.
다만, 유기 발광 표시 장치(100)가 하나의 트랜지스터(예를 들어, 반도체 소자(250))를 포함하는 구성을 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유기 발광 표시 장치(100)는 적어도 2개의 트랜지스터들 및 적어도 하나의 커패시터를 포함하는 구성을 가질 수도 있다.
또한, 반도체 소자(250)가 상부 게이트 구조를 갖는 것으로 설명하였으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 반도체 소자(250)는 하부 게이트 구조 및/또는 더블 게이트 구조를 가질 수도 있다.
하부 기판(110) 상의 주변 영역(20)에 패드 전극(430)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 패드 전극(430)은 하부 기판(110)과 상부 기판(410) 사이의 주변 영역(20)에서 하부 기판(110)의 경사면(E1) 상에 배치될 수 있다. 또한, 패드 전극(430)은 하부 기판(110) 상에서 실링 부재(390)로부터 표시 영역(10)으로부터 주변 영역(20)으로의 방향인 제1 방향(D1)으로 돌출될 수 있다. 더욱이, 패드 전극(430)은 하부 기판(110) 상의 경사면(E1)에서 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로의 방향으로 연장될 수 있고, 반도체 소자(250) 또는 화소 구조물(200)과 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 패드 전극(430)의 제1 단부는 유기 발광 표시 장치(100)의 최외곽 면(예를 들어, 하부 기판(110)의 측면)에 얼라인될 수 있다. 더욱이, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부에 반대되는 제2 단부가 게이트 신호 배선, 데이터 신호 배선, 전원 전압 배선, 초기화 신호 배선, 초기화 전압 배선 및 발광 제어 신호 배선 중 하나와 연결될 수 있다. 즉, 외부 장치(101)로부터 생성된 게이트 신호, 데이터 신호, 전원 전압, 초기화 신호, 초기화 전압 및 발광 제어 신호 중 하나가 연성 인쇄 회로 기판 및 측면 전극(470)을 통해 화소 구조물(200)에 전달될 수 있다.
패드 전극(430)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 패드 전극(430)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 리튬(Li), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브데늄(Mo), 스칸듐(Sc), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 알루미늄을 함유하는 합금, 알루미늄 질화물(AlN), 은을 함유하는 합금, 텅스텐 질화물(WN), 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, 티타늄 질화물(TiN), 크롬 질화물(CrN), 탄탈륨 질화물(TaN), 스트론튬 루테늄 산화물(SrRuO), 아연 산화물(ZnO), 인듐 주석 산화물(ITO), 주석 산화물(SnO), 인듐 산화물(InO), 갈륨 산화물(GaO), 인듐 아연 산화물(IZO) 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 패드 전극 패턴(430)과 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 선택적으로, 패드 전극(430) 아래에 패드 전극(430)과 전기적으로 연결된 도전 배선이 추가적으로 배치될 수도 있고, 상기 도전 배선은 게이트 전극(170)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 패드 전극(430)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 상기 금속층들은 서로 다른 물질 및 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상의 표시 영역(10)에 평탄화층(270)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 소스 및 드레인 전극들(210, 230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 배치될 수 있고, 이러한 경우, 평탄화층(270)은 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있으며, 이와 같은 평탄화층(270)의 평탄한 상면을 구현하기 위하여 평탄화층(270)에 대해 평탄화 공정이 추가될 수 있다. 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)의 상면의 일부가 노출될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질 또는 무기 물질 등을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 평탄화층(270)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 포토레지스트(photoresist), 폴리아크릴계 수지(polyacryl-based resin), 폴리이미드계 수지(polyimide-based resin), 폴리아미드계 수지(polyamide-based resin), 실록산계 수지(siloxane-based resin), 아크릴계 수지(acryl-based resin), 에폭시계 수지(epoxy-based resin) 등을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 콘택홀을 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 또한, 하부 전극(290)은 반도체 소자(250)와 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 전극(290)은 복수의 층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 상기 금속층들은 서로 다른 물질 및 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 일부 및 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 하부 전극(290)의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어질 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 정의막(310)은 유기 물질을 포함할 수 있다.
발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 노출된 하부 전극(290) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 발광층(330)은 화소 구조물들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다. 이러한 경우, 발광층(330) 상에 컬러 필터가 배치(예를 들어, 상부 기판(410)의 저면 또는 상면에 발광층(330)과 중첩되도록 배치)될 수도 있다. 상기 컬러 필터는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 청색 컬러 필터 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 선택적으로, 상기 컬러 필터는 황색(Yellow) 컬러 필터, 청남색(Cyan) 컬러 필터 및 자주색(Magenta) 컬러 필터를 포함할 수도 있다. 상기 컬러 필터는 감광성 수지 또는 컬러 포토레지스트를 포함할 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상의 표시 영역(10)에 배치될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 전극(340)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 상기 금속층들은 서로 다른 물질 및 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(200)이 배치될 수 있다.
패드 전극(430) 상의 주변 영역(20)에 실링 부재(390)가 배치될 수 있다. 다시 말하면, 실링 부재(390)는 하부 기판(110)과 상부 기판(410) 사이의 주변 영역(20)을 따라 배치될 수 있고, 실질적으로 속이 빈 사각형의 형상을 가질 수 있다. 실링 부재(390)의 상면은 상부 기판(410)의 저면과 직접적으로 접촉할 수 있고, 실링 부재(390)의 저면은 패드 전극(430)의 일부와 직접적으로 접촉할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 실링 부재(390)는 패드 전극(430)의 일부를 덮을 수 있고, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부와 중첩하지 않을 수 있다. 다시 말하면, 실링 부재(390)는 하부 기판(110)의 경사면(E1)과 중첩하지 않을 수 있다. 실링 부재(390)는 프릿(frit) 등을 포함할 수 있다. 또한, 실링 부재(390)는 광 경화성 물질을 추가적으로 포함할 수 있다. 예를 들면, 실링 부재(390)는 유기 물질 및 광 경화성 물질의 혼합물을 포함할 수 있으며, 상기 혼합물에 자외선(UV), 레이저 광, 가시광선 등을 조사하여 경화시켜 실링 부재(390)를 수득할 수 있다.실링 부재(390)에 포함되는 상기 광 경화성 물질은 에폭시 아크릴레이트(epoxy acrylate)계 수지, 폴리에스테르 아크릴레이트(polyester acrylate)계 수지, 우레탄 아크릴레이트(urethane acrylate)계 수지, 폴리부타디엔 아크릴레이트(polybutadine acrylate)계 수지, 실리콘 아크릴레이트(silicon acrylate)계 수지, 알킬 아크릴레이트(alkyl acrylate)계 수지 등을 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 유기 물질 및 광 경화성 물질의 혼합물에 레이저 광이 조사될 수 있다. 이러한 레이저 광의 조사에 따라, 상기 혼합물이 고체 상태에서 액체 상태로 변화될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 상기 혼합물은 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 상기 혼합물의 상태 변화에 따라 상부 기판(410)이 하부 기판(110)에 대해 밀봉되면서 결합될 수 있다.
다만, 도 4의 실링 부재(390)가 상면의 폭이 저면의 폭보다 작은 사다리꼴의 형상을 갖는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 구성이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 실링 부재(390)는 상면의 폭이 저면의 폭보다 큰 사다리꼴의 형상, 직사각형의 형상, 정사각형의 형상 등을 가질 수도 있다.
실링 부재(390) 및 상부 전극(340)(예를 들어, 화소 구조물(200)) 상에 상부 기판(410)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 기판(110)의 크기와 상부 기판(410)의 크기는 동일할 수 있고, 서로 중첩하여 위치할 수 있다. 상부 기판(410)은 실질적으로 하부 기판(110)과 동일한 재료를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상부 기판(410)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)의 최외곽 면에 측면 전극(470)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 기판(110)의 측면, 상부 기판(410)의 측면, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 측면, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 상면 및 실링 부재(390)의 측면이 유기 발광 표시 장치(100)의 상기 최외곽 면으로 정의될 수 있고, 측면 전극(470)이 상기 최외곽 면과 접촉할 수 있다. 다시 말하면, 상기 최외곽 면은 주변 영역(20)에서 상부 기판(410), 실링 부재(390) 및 패드 전극(430)으로 정의된 공간(391)(도 10 참조)에 해당될 수 있고, 실링 부재(390)가 경사면(E1)과 중첩하지 않도록 경사면(E1)의 내측에 배치되기 때문에 공간(391)이 형성될 수 있다. 측면 전극(470)이 공간(391)의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 측면 전극(470)은 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 측면 및 상기 제1 단부의 상면과 직접적으로 접촉 또는 전기적으로 연결될 수 있고, 경사면(E1)과 중첩할 수 있다.
선택적으로, 측면 전극(470)이 하부 기판(110)의 측면의 일부, 상부 기판(410)의 측면의 일부, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 측면, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 상면 및 실링 부재(390)의 측면의 일부와 접촉할 수도 있다.
측면 전극(470)은 상대적으로 높은 금속 접착력을 갖는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들면, 측면 전극(470)은 Ti, Mo, Ni, Ta, Nd 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 측면 전극(470)은Au, Ag, Cu, Al 등과 같은 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속으로 구성되거나 Ti, Mo, 티타늄을 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금 등과 같은 상대적으로 높은 강도를 갖는 금속 또는 합금으로 구성될 수 있다(예를 들어, 모스 경도가 5 이상인 금속). 또한, 측면 전극(470)은 복수의 금속층들을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다. 상기 금속층들은 서로 다른 물질 및 서로 다른 두께를 가질 수 있다.
이에 따라, 도 1 내지 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제공될 수 있다.
예를 들면, 종래의 유기 발광 표시 장치에서는 패드 전극(430)과 측면 전극(470)을 접촉시키기 위해 주변 영역(20)에 위치하는 상부 기판(410)의 일부, 실링 부재(390)의 일부, 패드 전극(430)의 일부 및 하부 기판(110)의 일부를 제거하여 상부 기판(410), 실링 부재(390), 패드 전극(430) 및 하부 기판(110)각각의 측면을 얼라인시킬 수 있다. 상기 측면 상에 측면 전극(470)이 배치될 수 있고, 측면 전극(470)과 패드 전극(430)은 접촉 또는 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 경우, 외부로 노출된 패드 전극(430)의 단면이 상대적으로 작기 때문에 패드 전극(430)의 상기 단면과 측면 전극(470)이 접촉하는 접촉 면적이 상대적으로 작을 수 있고, 접촉 저항이 증가될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(100)는 경사면(E1)을 갖는 하부 기판(110)을 포함함으로써 패드 전극(430)과 측면 전극(470)의 접촉 면적이 상대적으로 증가할 수 있고, 이에 따라, 패드 전극(430)과 측면 전극(470)의 접촉 저항이 낮아질 수 있다.
또한, 주변 영역(20)에 위치하는 상부 기판(410)의 일부 및 실링 부재(390)의 일부를 제거하지 않음으로써 공간(391)의 프로파일을 따라 측면 전극(470)이 배치될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)가 외부 장치(101)와 전기적으로 연결되기 위해 연성 회로 기판이 측면 전극(470) 상에 배치될 경우, 상기 연성 회로 기판과 측면 전극(470)의 접촉 면적이 증가되어 상기 연성 회로 기판과 측면 전극(470)의 접착 특성이 향상될 수 있다.
도 5 내지 도 10은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 5를 참조하면, 투명한 또는 불투명한 재료를 포함하는 하부 기판(110)이 제공될 수 있다. 하부 기판(110)은 표시 영역(10), 주변 영역(20) 및 더미 영역(50)으로 구분될 수 있다. 예를 들면, 주변 영역(20)이 표시 영역(10)을 실질적으로 둘러쌀 수 있고, 주변 영역(20)의 일측에 더미 영역(50)이 위치할 수 있다. 하부 기판(110)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 사용하여 형성될 수 있다. 하부 기판(110)이 제공된 후, 주변 영역(20)의 일부 및 더미 영역(50)의 일부에 레이저가 조사될 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 레이저를 조사하여 주변 영역(20)의 일부 및 더미 영역(50)의 일부에 그루브가 형성될 수 있고, 상기 그루브의 내측에는 경사면들이 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 경사면들 중 주변 영역(20)에 위치하는 경사면을 경사면(E1)으로 정의할 수 있다.
액티브층(130)은 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있고, 금속 산화물 반도체, 무기물 반도체 또는 유기물 반도체 등을 사용하여 형성될 수 있다. 반도체 소자(250)는 소스 영역, 드레인 영역 및 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 가질 수 있다.
액티브층(130) 상에는 게이트 절연층(150)이 형성될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에서 액티브층(130)을 덮을 수 있으며, 하부 기판(110) 상의 표시 영역(10)에 전체적으로 형성될 수 있다. 게이트 절연층(150)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연층(150)은 SiO, SiN, SiON, SiOC, SiCN, AlO, AlN, TaO, HfO, ZrO, TiO 등을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에 게이트 전극(170)이 형성될 수 있다. 다시 말하면, 게이트 전극(170)은 게이트 절연층(150) 중에서 하부에 액티브층(130)의 상기 채널 영역이 위치하는 부분 상에 형성될 수 있다. 게이트 전극(170)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
게이트 전극(170) 상에는 층간 절연층(190)이 형성될 수 있다. 층간 절연층(190)은 게이트 절연층(150) 상의 표시 영역(10)에서 게이트 전극(170)을 덮을 수 있으며, 게이트 절연층(150) 상에서 전체적으로 배치될 수 있다. 층간 절연층(190)은 실리콘 화합물, 금속 산화물 등을 사용하여 형성될 수 있다.
층간 절연층(190) 상의 표시 영역(10)에는 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 형성될 수 있다. 소스 전극(210)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제1 부분을 제거하여 형성된 제1 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 상기 소스 영역에 접속될 수 있고, 드레인 전극(230)은 게이트 절연층(150) 및 층간 절연층(190)의 제2 부분을 제거하여 형성된 제2 콘택홀을 통해 액티브층(130)의 드레인 영역에 접속될 수 있다.
이에 따라, 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함하는 반도체 소자(250)가 형성될 수 있다.
하부 기판(110) 상의 주변 영역(20)에 상기 그루브와 중첩하도록 패드 전극(430)이 형성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 패드 전극(430)은 하부 기판(110)상의 주변 영역(20)에서 경사면(E1)과 중첩하여 형성될 수 있고, 주변 영역(20)으로부터 표시 영역(10)으로의 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 패드 전극(430)은 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)과 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성될 수 있다. 예를 들면, 표시 영역(10)에서 층간 절연층(190) 및 주변 영역(20)에서 하부 기판(110) 상에 예비 전극층이 전체적으로 형성된 후, 상기 예비 전극층을 부분적으로 식각하여 패드 전극(430), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)이 동시에 형성될 수 있다. 패드 전극(430), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 포함할 수 있다. 예를 들면, 패드 전극(430), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 각각은 Au, Ag, Al, Pt, Ni, Ti, Pd, Mg, Ca, Li, Cr, Ta, W, Cu, Mo, Sc, Nd, Ir, 알루미늄을 함유하는 합금, AlNx, 은을 함유하는 합금, WNx, 구리를 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금, TiN, CrN, TaN, SrRuO, ZnO, ITO, SnO, InO, GaO, IZO 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
도 8을 참조하면, 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230) 상의 표시 영역(10)에 평탄화층(270)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 층간 절연층(190) 상에서 소스 및 드레인 전극들(210, 230)을 충분히 덮도록 상대적으로 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 평탄화층(270)의 일부를 제거하여 형성된 콘택홀을 통해 드레인 전극(230)의 상면의 일부가 노출될 수 있다. 평탄화층(270)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 평탄화층(270)은 포토레지스트, 폴리아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 실록산계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등을 포함할 수 있다.
하부 전극(290)은 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 하부 전극(290)은 평탄화층(270)의 콘택홀을 관통하여 드레인 전극(230)에 접속될 수 있다. 하부 전극(290)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 일부 및 평탄화층(270) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 화소 정의막(310)은 하부 전극(290)의 양측부를 덮을 수 있고, 하부 전극(290)의 상면의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(310)은 유기 물질을 사용하여 형성될 수 있다.
발광층(330)은 화소 정의막(310)에 의해 노출된 하부 전극(290) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 발광층(330)은 화소 구조물들에 따라 상이한 색광들(즉, 적색광, 녹색광, 청색광 등)을 방출시킬 수 있는 발광 물질들 중 적어도 하나를 사용하여 형성될 수 있다. 이와는 달리, 발광층(330)은 적색광, 녹색광, 청색광 등의 다른 색광들을 발생시킬 수 있는 복수의 발광 물질들을 적층하여 전체적으로 백색광을 방출할 수 있다.
상부 전극(340)은 화소 정의막(310) 및 발광층(330) 상의 표시 영역(10)에 형성될 수 있다. 상부 전극(340)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 도전성 물질 등을 사용하여 형성될 수 있다. 이들은 단독으로 또는 서로 조합되어 사용될 수 있다.
이에 따라, 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함하는 화소 구조물(200)이 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 패드 전극(430) 상의 주변 영역(20)에 실링 부재(390)가 형성될 수 있다. 다시 말하면, 실링 부재(390)는 하부 기판(110) 상의 주변 영역(20)을 따라 배치될 수 있고, 실질적으로 속이 빈 사각형의 형상을 가질 수 있다. 실링 부재(390)는 패드 전극(430)의 일부를 덮을 수 있고, 하부 기판(110)의 경사면(E1)과 중첩하지 않을 수 있다. 실링 부재(390)는 프릿 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 실링 부재(390)는 광 경화성 물질을 추가적으로 포함할 수 있다. 예를 들면, 실링 부재(390)는 유기 물질 및 광 경화성 물질의 혼합물을 포함할 수 있다.실링 부재(390)에 포함되는 상기 광 경화성 물질은 에폭시 아크릴레이트계 수지, 폴리에스테르 아크릴레이트계 수지, 우레탄 아크릴레이트계 수지, 폴리부타디엔 아크릴레이트계 수지, 실리콘 아크릴레이트계 수지, 알킬 아크릴레이트계 수지 등을 사용하여 형성될 수 있다.
실링 부재(390) 및 화소 구조물(200) 상에 상부 기판(410)이 형성될 수 있다. 상부 기판(410)은 실질적으로 하부 기판(110)과 동일한 재료를 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 상부 기판(410)은 석영 기판, 합성 석영 기판, 불화칼슘 기판, 불소가 도핑된 석영 기판, 소다 라임 유리 기판, 무알칼리 유리 기판 등을 포함할 수 있다.
상부 기판(410)이 형성된 후, 실링 부재(390) 상에 레이저 광이 조사될 수 있다. 이러한 레이저 광의 조사에 따라, 실링 부재(390)가 고체 상태에서 액체 상태로 변화될 수 있고, 소정의 시간이 후에 액체 상태의 실링 부재(390)는 다시 고체 상태로 경화될 수 있다. 실링 부재(390)의 상태 변화에 따라 상부 기판(410)이 하부 기판(110)에 대해 밀봉되면서 결합될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상부 기판(410)의 저면 상에 실링 부재(390)가 형성된 후, 실링 부재(390)가 형성된 상부 기판(410)이 하부 기판(110)과 결합될 수도 있다.
상부 기판(410)과 하부 기판(110)이 밀봉 결합된 후, 도 9에 도시된 II-II'라인을 따라 더미 영역(50)에 위치하는 하부 기판(110) 및 상부 기판(410)이 제거될 수 있다. 이러한 경우, 하부 기판(110)의 크기와 상부 기판(410)의 크기는 동일할 수 있고, 상부 기판(410)과 하부 기판(110)은 서로 중첩하여 위치할 수 있다. 선택적으로 패드 전극(430)이 하부 기판(110) 상의 더미 영역(50)에 형성되는 경우, 패드 전극(430)의 일부도 제거될 수 있다.
도 10을 참조하면, 더미 영역(50)에 위치하는 하부 기판(110) 및 상부 기판(410)이 제거된 후, 하부 기판(110)의 주변 영역(20)에는 경사면(E1)만 형성될 수 있다.
또한, 주변 영역(20)에서 상부 기판(410), 실링 부재(390) 및 패드 전극(430)으로 정의된 공간(391)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 실링 부재(390)가 경사면(E1)과 중첩하지 않도록 경사면(E1)의 내측에 배치되기 때문에 공간(391)이 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 측면 전극(470)이 주변 영역(20)에 위치하는 하부 기판(110)의 측면, 상부 기판(410)의 측면, 패드 전극(430)의 말단부의 측면, 패드 전극(430)의 말단부의 상면 및 실링 부재(390)의 측면 상에 형성될 수 있다. 다시 말하면, 측면 전극(470)이 공간(391)의 프로파일을 따라 형성될 수 있고, 즉, 측면 전극(470)은 공간(391)에 형성될 수 있다. 패드 전극(430)의 상기 말단부의 측면 및 상기 말단부의 상면과 직접적으로 접촉 또는 전기적으로 연결될 수 있으며, 경사면(E1)과 중첩할 수 있다.
측면 전극(470)은 상대적으로 높은 금속 접착력을 갖는 금속을 사용하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 측면 전극(470)은 Ti, Mo, Ni, Ta, Nd 등을 포함할 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 측면 전극(470)은 Au, Ag, Cu, Al 등과 같은 상대적으로 낮은 저항을 갖는 금속으로 구성되거나 Ti, Mo, 티타늄을 함유하는 합금, 몰리브데늄을 함유하는 합금 등과 같은 상대적으로 높은 강도를 갖는 금속 또는 합금으로 구성될 수 있다.
이에 따라, 도 4에 도시된 유기 발광 표시 장치(100)가 제조될 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 하부 기판(110)에 레이저를 이용하여 그루브를 형성하고 더미 영역(50)에 위치하는 하부 기판(110)을 제거함으로써 하부 기판(110)에 경사면(E1)이 용이하게 형성될 수 있다.
도 11은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 도 11에 예시한 유기 발광 표시 장치(500)는 상부 기판(410)에 형성된 제2 경사면(E2)을 제외하면 도 1 내지 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치(100)와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성을 가질 수 있다. 도 11에 있어서, 도 1 내지 4를 참조하여 설명한 구성 요소들과 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해 중복되는 설명은 생략한다.
도 1 내지 3 및 11을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 하부 기판(110), 반도체 소자(250), 패드 전극(430), 평탄화층(270), 화소 정의막(310), 화소 구조물(200), 상부 기판(410), 실링 부재(390), 측면 전극(470)등을 포함할 수 있다. 여기서, 반도체 소자(250)는 액티브층(130), 게이트 절연층(150), 게이트 전극(170), 층간 절연층(190), 소스 전극(210) 및 드레인 전극(230)을 포함할 수 있고, 화소 구조물(200)은 하부 전극(290), 발광층(330) 및 상부 전극(340)을 포함할 수 있다.
실링 부재(390) 및 상부 전극(340) 상에 상부 기판(410)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 하부 기판(110)의 크기와 상부 기판(410)의 크기는 동일할 수 있고, 서로 중첩하여 위치할 수 있다. 또한, 주변 영역(20)의 외곽부에서 상부 기판(410)은 제2 경사면(E2)을 가질 수 있다. 제2 경사면(E2)은 경사면(E1)과 마주볼 수 있다.
유기 발광 표시 장치(500)의 최외곽 면에 측면 전극(470)이 배치될 수 있다. 예를 들면, 하부 기판(110)의 측면, 상부 기판(410)의 측면, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 측면, 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 상면 및 실링 부재(390)의 측면이 유기 발광 표시 장치(500)의 상기 최외곽 면으로 정의될 수 있고, 측면 전극(470)이 상기 최외곽 면과 접촉할 수 있다. 다시 말하면, 상기 최외곽 면은 주변 영역(20)에서 상부 기판(410), 실링 부재(390) 및 패드 전극(430)으로 정의된 공간에 해당될 수 있고, 실링 부재(390)가 경사면(E1)과 중첩하지 않도록 경사면(E1) 및 제2 경사면(E2)의 내측에 배치되기 때문에 상기 공간이 형성될 수 있다. 측면 전극(470)이 상기 공간의 프로파일을 따라 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 측면 전극(470)은 패드 전극(430)의 상기 제1 단부의 측면 및 상기 제1 단부의 상면과 직접적으로 접촉 또는 전기적으로 연결될 수 있고, 경사면(E1)및 제2 경사면(E2)과 중첩할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치(500)는 제2 경사면(E2)을 갖는 상부 기판(410)을 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치(500)가 외부 장치(101)와 전기적으로 연결되기 위해 연성 회로 기판이 측면 전극(470) 상에 배치될 경우, 상기 연성 회로 기판과 측면 전극(470)의 접촉 면적이 상대적으로 증가되어 상기 연성 회로 기판과 측면 전극(470)의 접착 특성이 더욱 향상될 수 있다.
상술한 바에서는, 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 것이다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치를 구비할 수 있는 다양한 디스플레이 기기들에 적용될 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 차량용, 선박용 및 항공기용 디스플레이 장치들, 휴대용 통신 장치들, 전시용 또는 정보 전달용 디스플레이 장치들, 의료용 디스플레이 장치들 등과 같은 수많은 디스플레이 기기들에 적용 가능하다.
10: 표시 영역 20: 주변 영역
30: 화소 영역 50: 더미 영역
100, 500: 유기 발광 표시 장치 101: 외부 장치
110: 하부 기판 130: 액티브층
150: 게이트 절연층 170: 게이트 전극
190: 층간 절연층 200: 화소 구조물
210: 소스 전극 230: 드레인 전극
250: 반도체 소자 270: 평탄화층
290: 하부 전극 310: 화소 정의막
330: 발광층 340: 상부 전극
390: 실링 부재 391: 공간
410: 상부 기판 430: 패드 전극
470: 측면 전극 E1: 제1 경사면
E2: 제2 경사면

Claims (20)

  1. 표시 영역 및 주변 영역을 포함하고, 상기 주변 영역의 외곽부에서 제1 경사면을 갖는 하부 기판;
    상기 하부 기판의 상의 상기 표시 영역에 배치되는 화소 구조물;
    상기 화소 구조물 상에 배치되는 상부 기판;
    상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 상기 주변 영역에서 상기 하부 기판의 제1 경사면 상에 배치되는 패드 전극; 및
    상기 하부 및 상부 기판들의 일 측면에 배치되고, 상기 패드 전극과 접촉하는 측면 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 측면 전극은 상기 하부 기판의 상기 제1 경사면과 중첩하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 하부 기판의 크기와 상기 상부 기판의 크기는 동일하고, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판은 서로 중첩하여 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 패드 전극은 상기 하부 기판 상의 상기 제1 경사면에서 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 화소 구조물과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 상기 주변 영역에 배치되는 실링 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 실링 부재는 상기 패드 전극의 일부를 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 실링 부재는 상기 하부 기판의 상기 제1 경사면과 중첩하지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 실링 부재와 상기 측면 전극은 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  9. 제 5 항에 있어서, 상기 주변 영역에서 상기 상부 기판, 상기 실링 부재 및 상기 패드 전극으로 정의된 공간에 상기 측면 전극이 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 상부 기판은 상기 제1 경사면과 마주보도록 형성된 제2 경사면을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 측면 전극은 상기 상부 기판의 상기 제2 경사면과 중첩하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 표시 영역, 주변 영역 및 더미 영역을 갖는 하부 기판을 제공하는 단계;
    상기 주변 영역 및 상기 더미 영역과 중첩하는 상기 하부 기판의 제1 부분에 그루브를 형성하는 단계;
    상기 하부 기판 상에서 상기 주변 영역에 위치하는 상기 그루브와 중첩하도록 패드 전극을 형성하는 단계;
    상기 하부 기판 상의 상기 표시 영역에 화소 구조물을 형성하는 단계;
    상기 하부 기판의 상기 더미 영역을 제거하여 상기 하부 기판의 상기 주변 영역에 경사면을 형성하는 단계; 및
    상기 패드 전극과 접촉하는 측면 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 하부 기판의 상에서 상기 주변 영역과 중첩하도록 실링 부재를 형성하는 단계;
    상기 화소 구조물 및 상기 실링 부재 상에 상부 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 실링 부재가 형성된 상기 상부 기판과 상기 하부 기판을 결합하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 측면 전극은 상기 상부 기판, 상기 하부 기판, 상기 패드 전극 및 상기 실링 부재와 접촉하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 패드 전극은 상기 하부 기판 상의 상기 경사면에서 상기 주변 영역으로부터 상기 표시 영역으로의 방향으로 연장되고, 상기 실링 부재는 상기 패드 전극의 적어도 일부를 덮는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 13 항에 있어서, 상기 하부 기판의 상기 더미 영역이 제거된 후, 상기 하부 기판의 크기와 상기 상부 기판의 크기는 동일하고, 상기 상부 기판과 상기 하부 기판은 서로 중첩하여 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 13 항에 있어서, 상기 주변 영역에서 상기 상부 기판, 상기 실링 부재 및 상기 패드 전극으로 정의되는 공간에 상기 측면 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제 13 항에 있어서, 상기 실링 부재는 상기 하부 기판의 상기 경사면과 중첩하지 않는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 하부 기판과 상기 화소 구조물 사이의 표시 영역에 반도체 소자를 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 반도체 소자를 형성하는 단계는,
    상기 하부 기판 상에 액티브층을 형성하는 단계;
    상기 액티브층 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계;
    상기 게이트 절연층 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;
    상기 게이트 전극 상에 층간 절연층을 형성하는 단계; 및
    상기 층간 절연층 상에 소스 및 드레인 전극들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법,
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 패드 전극과 상기 소스 및 드레인 전극들은 동일한 물질을 사용하여 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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