JP2022058634A - 発光素子、表示装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】高輝度で、消費電力の低減及び色度制御性を向上する。
【解決手段】本開示の発光素子は、有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、を備える。
【選択図】図３

Description

本開示は、発光素子、表示装置及び電子機器に関する。

近年、表示装置に用いられる素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）が知られている。
有機ＥＬ素子は、自発光型の素子であり、消費電力が低く、コントラスト比も大きいため、照明装置が不要であり、薄型で低消費電力の高精細な表示装置を構成することが可能となっている。

特開２０１３－０４４８９０号公報

上記従来の有機ＥＬ素子を用いた表示装置においては、有機ＥＬ素子として構成された画素開口端の有機ＥＬ薄膜箇所における電流リークが原因となる発光電流効率低下及び異常発光が認められており、輝度の低下、消費電力の増加及び色度制御性が低下する虞があった。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、高輝度で、消費電力の低減及び色度制御性を向上することが可能な発光素子、表示装置及び電子機器に関する。

実施形態の発光素子は、有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、側壁部の有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うようにアノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、絶縁膜層及びアノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、を備える。

実施形態の表示装置の概要構成ブロック図である。 有機ＥＬ画素素子の駆動回路を２トランジスタ／１コンデンサ駆動回路として構成した場合の等価回路図である。 第１実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 実施形態の原理説明図である。 有機ＥＬ画素素子におけるアノード電極の製造工程の説明図である。 第２実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 第３実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 第４実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 第５実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 第６実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 第７実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 第８実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。 共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。 共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。 ディスプレイモジュールの外観説明図である。 実施形態の表示装置が適用されるディスプレイ装置の外観説明図である。 上記実施の形態の表示装置が適用されるディジタルカメラの外観説明図である。 実施形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観説明図である。 実施形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観説明図である。 実施形態の表示装置が適用されるヘッドマウントディスプレイの外観説明図である。

次に好適な実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、実施形態の表示装置の概要構成ブロック図である。
表示装置１０は、赤（Ｒ：波長６２０ｎｍ～７５０ｎｍ）の光をそれぞれ発生する複数の有機ＥＬ素子１１Ｒ、緑（Ｇ：波長４９５ｎｍ～５７０ｎｍ）の光をそれぞれ発生する複数の有機ＥＬ素子１１Ｇ、青（Ｂ：波長４５０ｎｍ～４９５ｎｍ）の光をそれぞれ発生する複数の有機ＥＬ素子１１Ｂが所定の順番でマトリックス状に配置されている。

また表示装置１０は、各有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂに接続された信号線ＤＴＬを駆動するための信号線駆動回路１２、各有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂに接続された走査線ＳＣＬを駆動するための走査線駆動回路１３及び電流供給線ＣＳＬを介して電流を供給する電流源１４を備えている。

上記構成において、全ての有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂを含む領域が表示領域１５を構成している。

図２は、有機ＥＬ画素素子の駆動回路を２トランジスタ／１コンデンサ駆動回路として構成した場合の等価回路図である。

この２トランジスタ／１コンデンサ駆動回路（以下、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路という）は、ゲート端子が対応する走査線ＳＣＬに接続され、走査線駆動回路１３により駆動される映像信号書込トランジスタＴＳｉｇと、映像信号書込トランジスタＴＳｉｇによりオン／オフ制御され、誘起ＥＬ素子の発光部ＥＬＰを駆動する駆動トランジスタＴＤｒｖ、と、容量部Ｃ１と、を備えている。

上記構成において、駆動トランジスタＴＤｒｖ及び映像信号書込みトランジスタＴＳｉｇは、具体的には、ＭＯＳＦＥＴとして構成されている。

駆動トランジスタＴＤｒｖにおいて、ドレイン端子Ｄは、電流供給線ＣＳＬに接続されており、ソース端子Ｓは、発光部ＥＬＰに接続され、且つ、容量部Ｃ１の一端に接続されており、第２ノードＮＤ_２を構成し、ゲート端子Ｇは、映像信号書込みトランジスタＴＳｉｇのソース端子Ｓに接続され、且つ、容量部Ｃ１の他端に接続されており、第１ノードＮＤ_１を構成している。

映像信号書込みトランジスタＴＳｉｇにおいて、ドレイン端子Ｄは、信号線ＤＴＬに接続され、ゲート端子Ｇは、走査線ＳＣＬに接続されている。

［１］第１実施形態
図３は、第１実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂは、同様の構成であるので、以下においては、有機ＥＬ画素素子１１Ｒを例として説明する。
有機ＥＬ画素素子１１Ｒは、第１絶縁膜層（半導体基板）２１と、第１絶縁膜層２１上に周縁部に凸状に形成された側壁部２２を有するアノード電極部２３と、電極部２３の側壁部２２の外側壁部２２Ａ、上面部２２Ｂ、内側壁部２２Ｃを覆うように形成された第２絶縁膜層２４と、第２絶縁膜層２４及び電極部２３の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層２５と、有機ＥＬ層２５の上面に積層され、透明電極として構成されたカソード電極部２６と、を備えている。
上記構成において、アノード電極部２３を構成する材料としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。
また、第２絶縁膜層２４を構成する材料としては、ＳｉＯｘ，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ，ＡｌＯｘ，ＴａＯｘ，ＨｆＯｘ，ポリイミド等が挙げられる。

ここで実施形態の動作原理について説明する。
まず、従来の問題点について説明する。
従来においては、有機ＥＬ薄膜箇所にリークパス（リーク電流流路）が形成されており、アノード電極から注入されたホールがリークパスを介して移動することによりリーク電流が流れることとなっていた。

このため、アノード電極から注入されてホールが有機ＥＬ層の発光に寄与しないこととなり、発光効率が低下することとなっていた。またリーク電流により有機ＥＬ層において発光を予定していない箇所で異常発光が生じ、色異常が発生する虞があった。

図４は、実施形態の原理説明図である。
このため、本第１実施形態においては、画素側壁、すなわち、側壁部２２の内側壁部２２Ｃを覆うように（第２）絶縁膜層２４を形成した。これにより、アノード電極部２３の側壁部２２からのホール注入を絶つことによりリーク電流を遮断する。

さらにアノード電極部２３の側壁部２２において発生する電界によりアノード電極部２３から有機ＥＬ層２５を介してカソード電極部２６に向かうホールの運動方向を有機ＥＬ層２５の発光面２５Ａ側に変更する。
この結果、画素側壁部において発生する発光を抑制して発色異常を抑制することが可能となるのである。

より詳細には、アノード電極部２３と絶縁膜層２４との境界上のある地点ＰＰからカソード電極部２６への最短距離（最短地点ＳＰ）で結ぶ直線ＳＬを引いたときに、この直線ＳＬとアノード電極部２３の上面とのなす角度をθとした場合に、アノード電極部２３とカソード電極部２６との間に、任意の電位差を印加したときに当該地点ＰＰにおいて形成される電界ベクトルＥとアノード電極部２３の上面とのなす角度がθ以下となるように側壁部２２の内側壁部２２Ｃに対向している絶縁膜層２４の厚さ（絶縁膜膜厚：図４（ａ）において、左右方向の厚さ）ｔｉｎｓを設定する。
これにより、電界ベクトルＥ＝（Ｅｘ，Ｅｙ）とすると、次式が成立するようにする。
ａｒｃｔａｎ（Ｅｙ／Ｅｘ）≦θ

この結果、ホールは、リークパスに向かうこと無く、有機ＥＬ層２５の本来の発光面２５Ａに向かうこととなり、発光効率の低下を抑制するとともに、発色異常を抑制することが可能となる。

次に有機ＥＬ画素素子におけるアノード電極の形成工程について簡単に説明する。
図５は、有機ＥＬ画素素子におけるアノード電極の製造工程の説明図である。
まず、第１絶縁膜層（半導体基板）２１上に結合層ＣＮＴを介しＰＶＤ（Plasma Vapor Deposition）法などによりアノード電極部２３を形成する（図５（ａ）参照）。

続いて、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより第２絶縁膜層２４を形成する（図５（ｂ）参照）。
さらにフォトリソグラフィーにより、第２絶縁膜層２４の一部にレジストマスクＭＳＫを形成する（図５（ｃ）参照）。

次にエッチングを行い、レジストマスクＭＳＫの形成されていない部分の第２絶縁膜層２４をエッチングにより除去し、さらに側壁部２２を形成するためにアノード電極部２３の一部をエッチングにより除去する（図５（ｄ）参照）。
これにより、アノード電極部２３の周縁部には、側壁部２２が凸状に形成される（図５（ｅ）参照）。

そして、側壁部２２の内側壁部２２Ｃを第２絶縁膜層２４により覆うように、再びＣＶＤ法などにより第２絶縁膜層２４を形成する（図５（ｆ）参照）。
続いて、全面エッチバックを行い、アノード電極部２３の上面側の第２絶縁膜層２４を除去してアノード電極部２３の側壁部２２を除く上面側を露出させる（図５（ｇ）参照）。

以上により、第１絶縁膜層（半導体基板）２１上には、側壁部２２を有するアノード電極部２３が形成されることとなる。

この後、真空蒸着法あるいはスピンコート法により有機ＥＬ層２５を形成し、さらにスプレー法、塗布法、ＣＶＤ法、真空蒸着法あるいはスパッタ法等により、透明電極としてのカソード電極部２６を形成して処理を終了する。

以上の説明のように、本第１実施形態の有機ＥＬ画素素子によれば、有機ＥＬ画素素子開口端における有機ＥＬ層２５の薄膜箇所における電流リークに起因する発光電流効率低下を抑制できるので、高輝度、低消費電力化を実現することができる。
また、電流リークに起因する異常発光を抑制できるため、色度制御性を向上することが可能となる。

［２］第２実施形態
図６は、第２実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
第２実施形態の有機ＥＬ画素素子が第１実施形態の有機ＥＬ画素素子と異なる点は、アノード電極部２３を構成している側壁部２２に代えて、アノード電極部２３の電極材料とは異なる電極材料で側壁部２２－１を形成して、アノード電極部２３を構成した点である。

この場合において、アノード電極部２３の本体部を形成する電極材料（電極材料Ｍ１とする）と、側壁部２２－１の電極材料（電極材料Ｍ２とする）と、の加工選択比を高くして、電極材料Ｍ１のみ加工されるようにし、側壁部２２－１の形状加工安定性の向上を図った点である。

ここで、アノード電極部２３を構成する電極材料Ｍ１としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。
また、アノード電極部２３の側壁部２２－１を構成する電極材料Ｍ２としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。

本第２実施形態によれば、第１実施形態の効果に加えて、側壁部２２－１の形状加工安定性が向上するため、有機ＥＬ画素素子開口端における有機ＥＬ層２５の薄膜箇所における電流リークをより確実に抑制でき、第１実施形態と同様の効果をより確実に得ることが可能となる。

［３］第３実施形態
図７は、第３実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
第３実施形態の有機ＥＬ画素素子が第１実施形態の有機ＥＬ画素素子と異なる点は、アノード電極部２３の上層に形成された電極部２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）及び側壁部２２をアノード電極部２３の本体２３Ａの電極材料とは異なる電極材料で形成して、アノード電極部２３を構成した点である。

この場合において、アノード電極部２３の本体２３Ａの電極材料（電極材料Ｍ１とする）を反射率の高い材料とし、アノード電極部２３の電極部２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）及び側壁部２２の電極材料（電極材料Ｍ３とする）を有機ＥＬ層２５へのキャリア注入性の高い材料として、有機ＥＬ画素素子の駆動電圧及び発光効率を担保する点である。

より具体的には、アノード電極部２３の本体２３Ａを構成する電極材料Ｍ１としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。
また、アノード電極部２３の上層部２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）及び側壁部２２を構成する電極材料Ｍ３としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等が挙げられる。

本第３実施形態によれば、第１実施形態の効果に加えて、有機ＥＬ画素素子の駆動電圧及び発光効率を担保することができる。

［４］第４実施形態
図８は、第４実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
第４実施形態の有機ＥＬ画素素子が第３実施形態の有機ＥＬ画素素子と異なる点は、側壁部２２に代えて、アノード電極部２３の電極部（第１特性層）２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）の電極材料とは異なる電極材料で側壁部２２－１を形成して、アノード電極部２３を構成した点である。

この場合において、アノード電極部２３の本体部２３Ａを形成する電極材料Ｍ１を反射率の高い材料とする。
また、アノード電極部２３の電極部２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）の電極材料Ｍ２を有機ＥＬ層２５へのキャリア注入性の高い材料とする。

さらに、側壁部２２－１の電極材料（電極材料Ｍ３とする）を、電極材料Ｍ２との加工選択比を高い材料として、電極材料Ｍ２のみ加工されるようにし、側壁部２２－１の形状加工安定性の向上を図った点である。
この場合において、アノード電極部２３を構成する電極材料Ｍ１としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。

また、アノード電極部２３の上層部２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）の電極材料Ｍ２としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等が挙げられる。

また、側壁部２２－１を構成する電極材料Ｍ３としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。

本第４実施形態によれば、第３実施形態の効果に加えて側壁部２２－１の形状加工安定性が向上するため、有機ＥＬ画素素子開口端における有機ＥＬ層２５の薄膜箇所における電流リークをより確実に抑制でき、第１実施形態と同様の効果をより確実に得ることが可能となる。

［５］第５実施形態
図９は、第５実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
第５実施形態の有機ＥＬ画素素子が第１実施形態の有機ＥＬ画素素子と異なる点は、アノード電極部２３の下層部２３Ｃ（アノード電極部２３／第１絶縁膜層２１接合部）を、アノード電極部２３の本体部２３Ｄの電極材料とは異なる電極材料で形成して、アノード電極部２３を構成した点である。

この場合において、アノード電極部２３の下層部２３Ｃ（アノード電極部２３／第１絶縁膜層２１接合部）を構成する電極材料（電極材料Ｍ４という）としては、側壁部２２を含むアノード電極部２３の本体部を形成する電極材料Ｍ１及び第１絶縁膜層２１との接着性が高い材料を用いる。

例えば、側壁部２２を含むアノード電極部２３の本体部を形成する電極材料Ｍ１としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。
また、アノード電極部２３の下層部２３Ｃ（アノード電極部２３／第１絶縁膜層２１接合部）を構成する電極材料Ｍ４）としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。

本第５実施形態によれば、第１実施形態の効果に加えて、側壁部２２を含むアノード電極部２３の本体部を形成する電極材料Ｍ１が第１絶縁層２１から剥離するのを抑制でき、より信頼性の高い有機ＥＬ画素素子を構成することが可能となる。

［６］第６実施形態
図１０は、第６実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
第６実施形態の有機ＥＬ画素素子が第１実施形態の有機ＥＬ画素素子と異なる点は、側壁部２２に代えて、アノード電極部２３の上層部２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）の電極材料とは異なる電極材料で側壁部２２－２を形成した点、アノード電極部２３の上層部２３Ｆ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）をアノード電極部２３の本体２３Ｅの電極材料とは異なる電極材料で形成した点、及び、アノード電極部２３の下層部２３Ｃ（アノード電極部２３／第１絶縁膜層２１接合部）を、アノード電極部２３の本体部２３Ｅの電極材料とは異なる電極材料で形成した点である。

この場合において、アノード電極部２３の本体部２３Ｅを形成する電極材料（電極材料Ｍ１とする）と、側壁部２２－２の電極材料（電極材料Ｍ２とする）と、の加工選択比を高くして、電極材料Ｍ１のみ加工されるようにし、側壁部２２－２の形状加工安定性の向上が図られている。

また、アノード電極部２３の上層部２３Ｆ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）の電極材料Ｍ３を有機ＥＬ層２５へのキャリア注入性の高い材料とする。
さらにアノード電極部２３の下層部２３Ｃ（アノード電極部２３／第１絶縁膜層２１接合部）を構成する電極材料（電極材料Ｍ４という）としては、アノード電極部２３の本体部２３Ｅを形成する電極材料Ｍ１及び第１絶縁膜層２１との接着性が高い材料を用いる。
例えば、アノード電極部２３の本体部２３Ｅを形成する電極材料Ｍ１としては、アルミ合金、銀合金等が挙げられる。

また、アノード電極部２３の上層部２３Ｂ（有機ＥＬ層２５／アノード電極部２３接合部）の電極材料Ｍ２としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物等が挙げられる。
また、側壁部２２－１を構成する電極材料Ｍ３としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。

さらにまた、アノード電極部２３の下層部２３Ｃ（アノード電極部２３／第１絶縁膜層２１接合部）を構成する電極材料Ｍ４）としては、インジウムスズ酸化物、インジウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物、チタン酸化物、チタン窒化物、チタン、タンタル窒化物、タンタル等が挙げられる。

本第６実施形態によれば、第１実施形態、第３実施形態、第４実施形態及び第５実施形態の効果を得ることが可能となる。

［７］第７実施形態
図１１は、第７実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
第７実施形態の有機ＥＬ画素素子が第１実施形態の有機ＥＬ画素素子と異なる点は、第１絶縁膜層２１に代えて、側壁部２２-３を形成するための凸部２１－ａを有する第１絶縁膜層２１－１を備え、第１絶縁層膜２１－１を上面から覆う形状を有するアノード電極部２３を形成した点である。

本第７実施形態によれば、第１実施形態の効果に加えて、比較的加工が容易な第１絶縁膜層２１－１に凸部２１－ａを形成し、この凸部２１－ａを被覆するように、アノード電極部２３を形成しているので、側壁部２２－３の加工性御性を向上することができる。

［８］第８実施形態
図１２は、第８実施形態の有機ＥＬ画素素子の基本構成の説明図である。
第８施形態の有機ＥＬ画素素子が第１実施形態の有機ＥＬ画素素子と異なる点は、第１絶縁膜層２１に代えて、側壁部２２-３を形成するための凹部を有する第１絶縁膜層２１－２を備え、第１絶縁層膜２１－１を上面から覆う形状を有するアノード電極部２３を形成した点である。

本第８実施形態によれば、第１実施形態の効果に加えて、比較的加工が容易な第１絶縁膜層２１－１に凹部を形成し、この凹部及び凹部周囲を被覆するように、アノード電極部２３を形成しているので、第７実施形態の場合と比較してより一層、側壁部２２－４の加工性御性を向上することができる。

［９］各実施形態に適用される共振器構造の例
上述した本開示に係る表示装置に用いられる有機ＥＬ画素素子は、発光部ＥＬＰで発生した光を共振させる共振器構造を備えている構成とすることができる。以下、図を参照して、共振器構造について説明する。

（共振器構造：第１例）
図１３は、共振器構造の第１例を説明するための模式的な断面図である。

第１例において、第１電極（アノード電極部）３１は、各有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂにおいて共通の膜厚で形成されている。第２電極（カソード電極部）６１においても同様である。

有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの第１電極３１の下に、光学調整層７２（＝７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂ）を挟んだ状態で、反射板７１がそれぞれ配されている。反射板７１と第２電極６１との間に有機層４０（＝４０_Ｒ，４０_Ｇ，４０_Ｂ）が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。

反射板７１は、各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。光学調整層７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

図に示す例では、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置されている。上述したように、光学調整層７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂの膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっているので、第２電極６１の上面の位置は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて相違する。

反射板７１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属、あるいは、これらを主成分とする合金を用いて形成することができる。

光学調整層７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂは、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）などの無機絶縁材料や、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂などといった有機樹脂材料を用いてから構成することができる。光学調整層７２は単層でも良いし、これら複数の材料の積層膜であってもよい。また、発光部５０の種類に応じて積層数が異なっても良い。

第１電極３１は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）などの透明導電材料を用いて形成することができる。

第２電極６１は、半透過反射膜として機能する必要がある。第２電極６１は、マグネシウム（Ｍｇ）や銀（Ａｇ）、またはこれらを主成分とするマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）、さらには、アルカリ金属やアルカリ土類金属を含んだ合金などを用いて形成することができる。

（共振器構造：第２例）
図１４は、共振器構造の第２例を説明するための模式的な断面図である。

第２例においても、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されている。

そして、第２例においても、発光部５０の第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配される。反射板７１と第２電極６１との間に有機層４０が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例と同様に、反射板７１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されており、光学調整層７２の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。

図１３に示す第１例においては、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂにおける反射板７１の上面は揃うように配置され、第２電極６１の上面の位置は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて相違していた。

これに対し、図１４に示す第２例において、第２電極６１の上面は、発光部５０_Ｒ，５０_Ｇ，５０_Ｂで揃うように配置されている。第２電極６１の上面を揃えるために、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂにおいて反射板７１の上面は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて異なるように配置されている。このため、反射板７１の下面（換言すれば、図に符号７３に示す下地７３の面）は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じた階段形状となる。

反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第３例）
図１５は、共振器構造の第３例を説明するための模式的な断面図である。

第３例においても、第１電極３１や第２電極６１は各有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂにおいて共通の膜厚で形成されている。

そして、第３例においても、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの第１電極３１の下に、光学調整層７２（＝７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂ）を挟んだ状態で、反射板７１（＝７１_Ｒ，７１_Ｇ，７１_Ｂ）が配される。反射板７１と第２電極６１との間に、有機層４０（＝４０_Ｒ，４０_Ｇ，４０_Ｂ）が発生する光を共振させる共振器構造が形成される。第１例や第２例と同様に、光学調整層７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂの膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。そして、第２例と同様に、第２電極６１の上面の位置は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂは揃うように配置されている。

図１４に示す第２例にあっては、第２電極６１の上面を揃えるために、反射板７１の下面は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じた階段形状であった。

これに対し、図１５に示す第３例において、反射板７１（＝７１_Ｒ，７１_Ｇ，７１_Ｂ）の膜厚は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて異なるように設定されている。より具体的には、反射板７１_Ｒ，７１_Ｇ，７１_Ｂの下面が揃うように膜厚が設定されている。

反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第４例）
図１６は、共振器構造の第４例を説明するための模式的な断面図である。

図１３に示す第１例において、各有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの第１電極３１や第２電極６１は、共通の膜厚で形成されおり、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの第１電極３１の下に、光学調整層７２を挟んだ状態で、反射板７１が配されていた。

これに対し、図１６に示す第４例では、光学調整層７２を省略し、第１電極３１の膜厚を、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて異なるように設定した。

反射板７１は各有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂにおいて共通の膜厚で形成されている。第１電極３１_Ｒ，３１_Ｇ，３１_Ｂの膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。第１電極３１_Ｒ，３１_Ｇ，３１_Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

反射板７１、光学調整層７２、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第５例）
図１７は、共振器構造の第５例を説明するための模式的な断面図である。

図１３に示す第１例においては、第１電極３１や第２電極６１は各発光部５０において共通の膜厚で形成されており、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの第１電極３１の下に、光学調整層７２（＝７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂ）を挟んだ状態で、反射板７１が配されていた。

これに対し、図１７に示す第５例にあっては、光学調整層７２（＝７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂ）を省略し、代わりに、反射板７１の表面に酸化膜７４（＝７４_Ｒ，７４_Ｇ，７４_Ｂ）を形成した。酸化膜７４_Ｒ，７４_Ｇ，７４_Ｂの膜厚は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて異なるように設定した。

酸化膜７４の膜厚は、画素が表示すべき色に応じて異なっている。酸化膜７４_Ｒ，７４_Ｇ，７４_Ｂが異なる膜厚を有することにより、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

酸化膜７４は、反射板７１の表面を酸化した膜であって、例えば、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、マグネシウム酸化物、ジルコニウム酸化物などから構成される。酸化膜７４は、反射板７１と第２電極６１との間の光路長（光学的距離）を調整するための絶縁膜として機能する。

有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて膜厚が異なる酸化膜７４は、例えば、以下のようにして形成することができる。

先ず、容器の中に電解液を充填し、反射板７１が形成された基板を電解液の中に浸漬する。また、反射板７１と対向するように電極を配置する。

そして、電極を基準として正電圧を反射板７１に印加して、反射板７１を陽極酸化する。陽極酸化による酸化膜の膜厚は、電極に対する電圧値に比例する。そこで、反射板７１_Ｒ、７１_Ｇ、７１_Ｂのそれぞれに有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じた電圧を印加した状態で陽極酸化を行う。これによって、膜厚の異なる酸化膜７４_Ｒ，７４_Ｇ，７４_Ｂを一括して形成することができる。

反射板７１、第１電極３１および第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第６例）
図１８は、共振器構造の第６例を説明するための模式的な断面図である。

第６例において、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂは、第１電極３１と有機層４０と第２電極６１とが積層されて構成されている。但し、第６例において、第１電極３１は、電極と反射板の機能を兼ねるように形成されている。このため、第１電極（兼反射板）３１（＝３１_Ｒ，３１_Ｇ，３１_Ｂ）は、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂの種類に応じて選択された光学定数を有する材料によって形成されている。第１電極（兼反射板）３１による位相シフトが異なることによって、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

第１電極（兼反射板）３１は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。例えば、有機ＥＬ画素素子１１Ｒの第１電極（兼反射板）３１_Ｒを銅（Ｃｕ）で形成し、有機ＥＬ画素素子１１Ｇの第１電極（兼反射板）３１_Ｇと有機ＥＬ画素素子１１Ｂの第１電極（兼反射板）３１_Ｂとをアルミニウムで形成するといった構成とすることができる。

第２電極６１を構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

（共振器構造：第７例）
図１９は、共振器構造の第７例を説明するための模式的な断面図である。

第７例は、基本的には、有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇについては第６例と同構成を適用し、有機ＥＬ画素素子１１Ｂについては第１例と同構成を適用したといった構成である。この構成においても、表示すべき色に応じた光の波長に最適な共振を生ずる光学的距離を設定することができる。

有機ＥＬ画素素子１１Ｒ、１１Ｇに用いられる第１電極（兼反射板）３１_Ｒ，３１_Ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）などの単体金属や、これらを主成分とする合金から構成することができる。

有機ＥＬ画素素子１１Ｂに用いられる、反射板７１_Ｂ、光学調整層７２_Ｂおよび第１電極３１_Ｂを構成する材料などについては、第１例において説明した内容と同様であるので、説明を省略する。

図２０は、ディスプレイモジュールの外観説明図である。
上記各実施形態の表示装置１０は、例えば、図２０に示すようなディスプレイモジュール３０として、後述する適用例１～５などの種々の電子機器に組み込まれる。このディスプレイモジュール３０は、特にビデオカメラや一眼レフカメラのビューファインダーあるいはヘッドマウント型ディスプレイなど高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。

このディスプレイモジュール３０は、例えば、封止用基板２１の一端側に、表示装置１０の信号線駆動回路１２および走査線駆動回路１３の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成し、外部接続端子に、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）３１を設けたものである。なお、フレキシブルプリント配線基板３１を設けずに封止用基板２１の一端側に設けた外部接続端子に配線を行うようにすることも可能である。

（適用例１）
図２１は、実施形態の表示装置が適用されるディスプレイ装置の外観説明図である。
ディスプレイ装置（テレビジョン装置を含む）４０は、例えば、フロントパネル４１およびフィルターガラス４２を含む映像表示画面部４３を有しており、この映像表示画面部４３は、各実施形態に係る表示装置１０により構成されている。

（適用例２）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるディジタルカメラの外観説明図である。
ディジタルカメラ５０は、例えば、シャッターボタン５１、フラッシュ用の発光部５２、表示装置１０及びメニュースイッチ５３を有している。

（適用例３）
図１９は、実施形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観説明図である。
ノート型パーソナルコンピュータ６０は、例えば、表示部６１、文字等の入力操作のためのキーボード６２および本体部６３を有しており、その表示部６１としては、各実施形態に係る表示装置１０を備えて構成されている。

（適用例４）
図２４は、実施形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観説明図である。
ビデオカメラ７０は、例えば、表示部７１、スタート／ストップスイッチ７２、レンズ７３及び本体部７４を有しており、その表示部７１としては、各実施形態に係る表示装置１０を備えて構成されている。

（適用例５）
図２５は、実施形態の表示装置が適用されるヘッドマウントディスプレイの外観説明図である。
ヘッドマウントディスプレイ８０は、例えば、眼鏡型の表示部８１と、この表示部８１の両側に設けられ、ヘッドマウントディスプレイ８０を使用者の頭部に装着するための耳かけ部材８２、８３と、ヘッドマウントディスプレイ８０に表示信号を入力するためのケーブル部８４とを備えている。
上記構成において、表示部８１として、実施形態の表示装置１０を用いている。

以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。

なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。

なお、本技術は以下のような構成も採ることができる。
（１）
有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、
前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、
を備えた発光素子。
（２）
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成されている側壁部と、
を備えた（１）記載の発光素子。
（３）
前記アノード電極本体部を構成している電極材料は、前記側壁部の電極材料よりも加工選択比が高い材料とされている、
（２）記載の発光素子。
（４）
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部を有し、前記アノード電極本体部の上層に積層された電極部と、
を備えた（１）記載の発光素子。
（５）
前記アノード電極部は、前記アノード電極本体部の上層に積層された第１特性層を備えた（４）記載の発光素子。
（６）
前記アノード電極本体部は、反射率が所定の反射率よりも高い反射率を有する材料で形成され、
前記第１特性層は、キャリア注入性が所定のキャリア注入性の高い材料で形成されている、
（５）記載の発光素子。
（７）
前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部と、前記アノード電極本体部の下層に積層された第２特性層と、
を備えた（１）記載の発光素子。
（８）
前記第２特性層は、前記アノード電極部が積層される第２絶縁膜との接着性が高い材料が用いられている、
（７）記載の発光素子。
（９）
有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸部を有する第１の絶縁膜層と、
前記第１の絶縁膜層を覆い、前記凸部に沿って、凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う第２の絶縁膜層と、
前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、
を備えた発光素子。
（１０）
有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凹部を有する第１の絶縁膜層と、
前記第１の絶縁膜層を覆い、前記凹部の外周部に沿って、凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う第２の絶縁膜層と、
前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、
を備えた発光素子。
（１１）
前記アノード電極部と前記第２絶縁膜層との境界上の地点から前記カソード電極部への最短距離で結ぶ直線を引いたときに、前記直線とアノード電極部２３の上面とのなす角度をθとし、前記アノード電極部と前記カソード電極部との間に、任意の電位差を印加したときに前記境界上の地点において形成される電界ベクトルと前記アノード電極部の上面とのなす角度がθ以下となるように前記側壁部の内側壁部に対向している前記第２絶縁膜層の厚さが設定されている、
（１）～（１０）記載の発光素子。
（１２）
マトリックス状に配置され、それぞれ信号線及び走査線が接続された複数の発光素子と、
前記信号線を駆動する信号線駆動回路と、
前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、
前記発光素子に電流を供給する電流源と、
を備え、
前記発光素子は、有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、を備えた、
表示装置。
（１３）
有機ＥＬ画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
（１２）に記載の表示装置。
（１４）
（１２）記載の表示装置を備えた電子機器。

１０ 表示装置
１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ 有機ＥＬ画素素子
１２ 信号線駆動回路
１３ 走査線駆動回路
１４ 電流源
２１ 第１絶縁膜層
２２ 側壁部
２２Ａ 外側壁部
２２Ｃ 内側壁部
２３ アノード電極部
２４ 第２絶縁膜層
２５ 有機ＥＬ層
２６ カソード電極部
３１，３１_Ｒ，３１_Ｇ，３１_Ｂ 第１電極
４０，４０_Ｒ，４０_Ｇ，４０_Ｂ 有機層
６１ 第２電極
７１，７１_Ｒ，７１_Ｇ，７１_Ｂ 反射板
７２_Ｒ，７２_Ｇ，７２_Ｂ 光学調整層
７３ 下地の面
７４_Ｒ，７４_Ｇ，７４_Ｂ 酸化膜

Claims (14)

1. 有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
   前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、
   前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、
   前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、
   を備えた発光素子。
2. 前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成されている側壁部と、
   を備えた請求項１記載の発光素子。
3. 前記アノード電極本体部を構成している電極材料は、前記側壁部の電極材料よりも加工選択比が高い材料とされている、
   請求項２記載の発光素子。
4. 前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部を有し、前記アノード電極本体部の上層に積層された電極部と、
   を備えた請求項１記載の発光素子。
5. 前記アノード電極部は、前記アノード電極本体部の上層に積層された第１特性層を備えた請求項４記載の発光素子。
6. 前記アノード電極本体部は、反射率が所定の反射率よりも高い反射率を有する材料で形成され、
   前記第１特性層は、キャリア注入性が所定のキャリア注入性の高い材料で形成されている、
   請求項５記載の発光素子。
7. 前記アノード電極部は、アノード電極本体部と、前記アノード電極本体部とは異なる電極材料で形成された側壁部と、前記アノード電極本体部の下層に積層された第２特性層と、
   を備えた請求項１記載の発光素子。
8. 前記第２特性層は、前記アノード電極部が積層される第２絶縁膜との接着性が高い材料が用いられている、
   請求項７記載の発光素子。
9. 有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸部を有する第１の絶縁膜層と、
   前記第１の絶縁膜層を覆い、前記凸部に沿って、凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
   前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う第２の絶縁膜層と、
   前記第１の絶縁膜層、前記第２の絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、
   前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、
   を備えた発光素子。
10. 有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凹部を有する第１の絶縁膜層と、
    前記第１の絶縁膜層を覆い、前記凹部の外周部に沿って、凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、
    前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う第２の絶縁膜層と、
    前記第１の絶縁膜層、前記第２の絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、
    を備えた発光素子。
11. 前記アノード電極部と前記第２の絶縁膜層との境界上の地点から前記カソード電極部への最短距離で結ぶ直線を引いたときに、前記直線とアノード電極部の上面とのなす角度をθとし、前記アノード電極部と前記カソード電極部との間に、任意の電位差を印加したときに前記境界上の地点において形成される電界ベクトルと前記アノード電極部の上面とのなす角度がθ以下となるように前記側壁部の内側壁部に対向している前記第２の絶縁膜層の厚さが設定されている、
    請求項１０記載の発光素子。
12. マトリックス状に配置され、それぞれ信号線及び走査線が接続された複数の発光素子と、
    前記信号線を駆動する信号線駆動回路と、
    前記走査線を駆動する走査線駆動回路と、
    前記発光素子に電流を供給する電流源と、
    を備え、
    前記発光素子は、有機ＥＬ画素の周縁部に沿って凸状の側壁部が形成されたアノード電極部と、前記側壁部の前記有機ＥＬ画素の発光部側の側壁を所定の膜厚で覆うように前記アノード電極部の外縁部を覆う絶縁膜層と、前記絶縁膜層及び前記アノード電極部の上面を覆うように積層された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層の上面に積層されたカソード電極部と、を備えた、
    表示装置。
13. 有機ＥＬ画素は、発光部で発生した光を共振させる共振器構造を備えている、
    請求項１２に記載の表示装置。
14. 請求項１２記載の表示装置を備えた電子機器。

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