WO2022054843A1 - 表示装置、発光装置および電子機器 - Google Patents

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WO2022054843A1
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display device
layer
oxide
electrode
light emitting
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朋和 大地
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ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays

Definitions

  • This disclosure relates to display devices, light emitting devices and electronic devices.
  • organic EL (Electroluminescence) display devices (hereinafter simply referred to as “display devices”) have become widespread.
  • display devices those having various configurations have been proposed.
  • Patent Document 1 between a plurality of first electrodes, a second electrode, an organic layer provided between the plurality of first electrodes and the second electrode, and adjacent first electrodes.
  • a display device including a partition wall portion (insulating layer) provided is disclosed.
  • the plurality of first electrodes are formed by patterning a transparent conductive material layer such as an ITO layer by using a well-known patterning technique such as lithography and etching.
  • the display device described in Patent Document 1 since the transparent conductive material such as ITO constituting the first electrode is a material that is difficult to etch (so-called difficult-to-etch material), the display device described in Patent Document 1 has a pixel while ensuring a light emitting area. It is difficult to miniaturize the pitch.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device, a light emitting device, and an electronic device capable of miniaturizing a pixel pitch while securing a light emitting area.
  • the first disclosure is An oxide layer comprising a plurality of first electrodes and a separator that electrically separates between adjacent first electrodes.
  • a second electrode facing one surface of the oxide layer and It is a display device including an organic light emitting layer provided between the oxide layer and the second electrode.
  • the second disclosure is An oxide layer comprising a plurality of first electrodes and a separator that electrically separates between adjacent first electrodes.
  • the second electrode facing the oxide layer and It is a light emitting device including an organic light emitting layer provided between the oxide layer and the second electrode.
  • the third disclosure is an electronic device including the display device of the first disclosure or the light emitting device of the second disclosure.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the overall configuration of the display device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the configuration of the oxide layer.
  • 4A, 4B, 4C, and 4D are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present disclosure, respectively.
  • 5A, 5B, and 5C are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present disclosure, respectively.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 7A, 7B, and 7C are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to a second embodiment of the present disclosure, respectively.
  • 8A and 8B are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to a second embodiment of the present disclosure, respectively.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the third embodiment of the present disclosure.
  • 10A, 10B, and 10C are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to a third embodiment of the present disclosure, respectively.
  • 11A, 11B, and 11C are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to a third embodiment of the present disclosure, respectively.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the modified example.
  • FIG. 13 is a plan view showing an example of the schematic configuration of the module.
  • FIG. 14A is a front view showing an example of the appearance of a digital still camera.
  • FIG. 14B is a rear view showing an example of the appearance of the digital still camera.
  • FIG. 15 is a perspective view showing an example of the appearance of the head-mounted display.
  • FIG. 16 is a perspective view showing an example of the appearance of the television device.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of the overall configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 has a display area 110A and a peripheral area 110B provided on the peripheral edge of the display area 110A.
  • a plurality of sub-pixels 100R, 100G, and 100B are two-dimensionally arranged in a predetermined arrangement pattern such as a matrix.
  • the pixel pitch of the sub-pixel 100 is preferably 10 ⁇ m or less from the viewpoint of increasing the definition of the display device 10.
  • the sub-pixel 100R displays red
  • the sub-pixel 100G displays green
  • the sub-pixel 100B displays blue.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are not particularly distinguished, they are referred to as sub-pixel 100.
  • a combination of adjacent sub-pixels 100R, 100G, and 100B constitutes one pixel.
  • FIG. 1 shows an example in which a combination of three sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in the row direction (horizontal direction) constitutes one pixel.
  • the peripheral region 110B is provided with a signal line drive circuit 111 and a scanning line drive circuit 112, which are drivers for displaying images.
  • the signal line drive circuit 111 supplies the signal voltage of the video signal corresponding to the luminance information supplied from the signal supply source (not shown) to the sub-pixel 100 selected via the signal line 111A.
  • the scanning line drive circuit 112 is configured by a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) the start pulse in synchronization with the input clock pulse.
  • the scanning line drive circuit 112 scans the video signals in line units when writing the video signals to the sub-pixels 100, and sequentially supplies the scanning signals to the scanning lines 112A.
  • the display device 10 is an example of a light emitting device.
  • the display device 10 may be a microdisplay.
  • the display device 10 is suitable for use in a display device for VR (Virtual Reality), MR (Mixed Reality) or AR (Augmented Reality), an electronic viewfinder (EVF), a small projector, or the like. be.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present disclosure.
  • the display device 10 includes a drive substrate 11A, a first insulating layer 12A, a plurality of reflective layers 13, an insulating portion 13C, a second insulating layer 12B, an oxide layer 14, an organic layer 15, and a first.
  • the electrode 16 of No. 2, the protective layer 17, the color filter 18, the filled resin layer 19, and the facing substrate 11B are provided.
  • the oxide layer 14 includes a plurality of first electrodes 14A and a separation portion 14B.
  • the reflective layer 13 and the second electrode 16 may form a resonator structure.
  • the display device 10 is a top emission type display device.
  • the facing board 11B side is the top side (display surface side), and the drive board 11A side is the bottom side.
  • the surface on the top side of the display device 10 is referred to as a first surface
  • the surface on the bottom side of the display device 10 is referred to as a second surface.
  • the display device 10 includes a plurality of light emitting elements 10A.
  • the light emitting element 10A is composed of a first electrode 14A, an organic layer 15, and a second electrode 16.
  • the light emitting element 10A is a white OLED or a white Micro-OLED (MOLED).
  • a colorization method in the display device 10 a method using a white OLED and a color filter 18 is used. However, the colorization method is not limited to this, and an RGB coloring method or the like may be used.
  • the drive board 11A is a so-called backplane and drives a plurality of light emitting elements 10A.
  • a drive circuit and a power supply circuit are provided on the first surface of the drive board 11A.
  • the drive circuit includes a sampling transistor and a drive transistor that control the drive of the plurality of light emitting elements 10A.
  • the power supply circuit supplies electric power to the plurality of light emitting elements 10A.
  • the drive substrate 11A may be made of, for example, glass or resin having low permeability of water and oxygen, or may be made of a semiconductor such as a transistor which can be easily formed.
  • the drive substrate 11A may be a glass substrate, a semiconductor substrate, a resin substrate, or the like.
  • the glass substrate includes, for example, high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, quartz glass and the like.
  • the semiconductor substrate includes, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, single crystal silicon, and the like.
  • the resin substrate contains, for example, at least one selected from the group consisting of polymethylmethacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinylphenol, polyether sulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate and the like.
  • the first insulating layer 12A is provided on the first surface of the drive board 11A and covers the drive circuit, the power supply circuit, and the like.
  • the first insulating layer 12A includes a plurality of contact plugs 12A1.
  • Each contact plug 12A1 connects the light emitting element 10A and the reflective layer 13.
  • the first insulating layer 12A may further include a plurality of wirings (not shown).
  • the first insulating layer 12A contains, for example, an organic material or an inorganic material.
  • the organic material contains, for example, at least one selected from the group consisting of polyimide, acrylic resin and the like.
  • the inorganic material includes, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, aluminum oxide and the like.
  • the second insulating layer 12B is provided on the first surface of the plurality of reflective layers 13 and the insulating portion 13C, and covers the plurality of reflective layers 13. That is, the second insulating layer 12B is provided between the oxide layer 14 and the plurality of reflective layers 13.
  • the second insulating layer 12B includes a plurality of contact plugs 12B1. Each contact plug 12B1 connects the light emitting element 10A and the reflective layer 13.
  • the constituent material of the second insulating layer 12B the same material as the above-mentioned first insulating layer 12A can be exemplified.
  • the plurality of reflective layers 13 are provided on the first surface of the first insulating layer 12A. Each of the plurality of reflective layers 13 is provided at a position corresponding to the plurality of sub-pixels 100.
  • the plurality of reflective layers 13 face the second surface (the other surface) of the oxide layer 14 with the second insulating layer 12B interposed therebetween.
  • Each of the plurality of reflective layers 13 faces the plurality of first electrodes 14A.
  • the reflective layer 13 reflects the light emitted from the organic layer 15.
  • the reflective layer 13 includes a first metal layer 13A and a second metal layer 13B. However, the first metal layer 13A is provided as needed, and may not be provided.
  • a groove 13D is provided between the adjacent reflective layers 13.
  • the first metal layer 13A is provided on the first surface of the first insulating layer 12A.
  • the first metal layer 13A is a base layer for improving the crystal orientation of the second metal layer 13B at the time of film formation of the second metal layer 13B. By improving the crystal orientation of the second metal layer 13B, it is possible to reduce the uneven shape of the surface (first surface) of the second metal layer 13B.
  • the second surface of the first metal layer 13A is connected to the contact plug 12A1 provided in the first insulating layer 12A.
  • the first metal layer 13A contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of titanium (Ti) and tantalum (Ta).
  • the first metal layer 13A may contain at least one of the above metal elements as a constituent element of the alloy.
  • the second metal layer 13B is provided on the first surface of the first metal layer 13A.
  • the second metal layer 13B has a function as a reflective layer that reflects the light emitted from the organic layer 15.
  • the first surface of the second metal layer 13B is connected to the contact plug 12B1 provided in the second insulating layer 12B.
  • the second metal layer 13B is, for example, aluminum (Al), silver (Ag), chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), and the like. It contains at least one metallic element selected from the group consisting of magnesium (Mg), iron (Fe) and tungsten (W).
  • the second metal layer 13B may contain at least one of the above metal elements as a constituent element of the alloy.
  • alloys include aluminum alloys and silver alloys.
  • Specific examples of the aluminum alloy include, for example, AlNd or AlCu. From the viewpoint of improving the reflectance, the second metal layer 13B preferably contains at least one metal element selected from the group consisting of aluminum (Al) and silver (Ag) among the above metal elements. ..
  • the insulating portion 13C is provided in the groove 13D between the adjacent reflective layers 13 and fills the groove 13D.
  • the insulating portion 13C electrically separates the adjacent reflective layers 13 and spatially separates them.
  • the constituent material of the insulating portion 13C the same material as the above-mentioned first insulating layer 12A can be exemplified.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the configuration of the oxide layer 14.
  • the oxide layer 14 is provided on the first surface of the second insulating layer 12B.
  • the oxide layer 14 contains a metal oxide.
  • the metal oxide includes, for example, at least one selected from the group consisting of an oxide containing indium, an oxide containing tin, and an oxide containing zinc.
  • the oxide layer 14 includes a plurality of first electrodes 14A and a separation portion 14B.
  • the plurality of first electrodes 14A are two-dimensionally arranged on the first surface of the second insulating layer 12B in a predetermined arrangement pattern such as a matrix. Each first electrode 14A is provided in a portion corresponding to the sub-pixel 100.
  • the first electrode 14A is an anode. When a voltage is applied between the first electrode 14A and the second electrode 16, holes are injected from the first electrode 14A into the organic layer 15.
  • the first electrode 14A is a transparent electrode and transmits light emitted from the organic layer 15.
  • the second surface of the first electrode 14A is connected to the contact plug 12B1 provided in the second insulating layer 12B. It is preferable that the first electrode 14A is made of a material having a high work function and a high transmittance in order to increase the luminous efficiency.
  • the first electrode 14A contains the first oxide.
  • the first oxide is a transparent conductive oxide (TCO).
  • the transparent conductive oxide is, for example, a transparent conductive oxide containing indium (hereinafter referred to as “indium-based transparent conductive oxide”) and a transparent conductive oxide containing tin (hereinafter referred to as “tin-based transparent conductive oxide”). ”) And a transparent conductive oxide containing zinc (hereinafter referred to as“ zinc-based transparent conductive oxide ”).
  • the indium-based transparent conductive oxide includes, for example, indium tin oxide (ITO), indium tin oxide (IZO), indium gallium oxide (IGO) or indium gallium zinc oxide (IGZO) fluorine-doped indium oxide (IFO).
  • ITO indium tin oxide
  • ITO indium tin oxide
  • Tin-based transparent conductive oxides include, for example, tin oxide, antimony-doped tin oxide (ATO) or fluorine-doped tin oxide (FTO).
  • Zinc-based transparent conductive oxides include, for example, zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide (AZO), boron-doped zinc oxide or gallium-doped zinc oxide (GZO).
  • the separation portion 14B is provided between the first electrodes 14A adjacent to each other in the in-plane direction.
  • the separation portion 14B surrounds the entire circumference of the first electrode 14A.
  • the separation portion 14B has, for example, a grid pattern.
  • Each separation portion 14B electrically separates between the first electrodes 14A adjacent in the in-plane direction.
  • the in-plane direction means a direction along the first surface (display surface) of the display device 10 or the first surface of the drive board 11A.
  • the electrical resistance of the separation portion 14B is higher than the electrical resistance of the first electrode 14A.
  • the separation portion 14B is preferably an insulating portion.
  • Separation part 14B contains a second oxide which is an insulating material.
  • the second oxide is an insulating oxide.
  • the insulating oxide is, for example, an insulating oxide containing indium (hereinafter referred to as "indium-based insulating oxide"), an insulating oxide containing tin (hereinafter referred to as “tin-based insulating oxide”), and the like. It contains at least one selected from the group consisting of insulating oxides containing zinc (hereinafter referred to as "zinc-based insulating oxides").
  • the second oxide may be an insulating oxide in which an impurity (ion) is added to the first oxide. Impurities can change a transparent conductive oxide into an insulating oxide by addition. Specifically, for example, the impurity contains at least one selected from the group consisting of oxygen (O), sulfur (S) and nitrogen (N).
  • the constituent materials (constituent elements) of the first oxide contained in the first electrode 14A and the second oxide contained in the separation portion 14B are the same, and the first oxide and the second oxide are used.
  • the composition ratio of may be different.
  • some of the constituent materials of the first oxide contained in the first electrode 14A and the second oxide contained in the separation portion 14B may be the same, and the rest may be different.
  • the crystallinity of the first electrode 14A is higher than the crystallinity of the separating portion 14B.
  • the first electrode 14A and the separation portion 14B may have different optical characteristics such as transmittance.
  • the second electrode 16 corresponds to the first surface of the oxide layer 14 with the organic layer 15 interposed therebetween.
  • the second electrode 16 is provided as an electrode common to all sub-pixels 100 in the display area 110A.
  • the second electrode 16 is a cathode.
  • the second electrode 16 is a transparent electrode having transparency to the light generated in the organic layer 15.
  • the transparent electrode also includes a translucent reflective layer. It is preferable that the second electrode 16 is made of a material having as high a transparency as possible and a small work function in order to increase the luminous efficiency.
  • the second electrode 16 is composed of, for example, at least one of a metal layer and a transparent electrode. More specifically, the second electrode 16 is composed of a metal layer or a single-layer film of a transparent electrode, or a laminated film of a metal layer and a transparent electrode.
  • the metal layer may be provided on the organic layer 15 side or the transparent electrode may be provided on the organic layer 15 side, but it has a low work function. From the viewpoint of making the layer adjacent to the organic layer 15, it is preferable that the metal layer is provided on the organic layer 15 side.
  • the metal layer contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of magnesium (Mg), aluminum (Al), silver (Ag), calcium (Ca) and sodium (Na).
  • the metal layer may contain at least one of the above metal elements as a constituent element of the alloy. Specific examples of the alloy include MgAg alloy, MgAl alloy, AlLi alloy and the like.
  • the transparent electrode contains a transparent conductive oxide. As the transparent conductive oxide, the same material as the above-mentioned first electrode 14A can be exemplified.
  • the organic layer 15 is provided between the oxide layer 14 and the second electrode 16.
  • the organic layer 15 is provided as an organic layer common to all sub-pixels 100 in the display area 110A.
  • the organic layer 15 is configured to be capable of emitting white light.
  • the organic layer 15 has a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer are laminated in this order from the oxide layer 14 toward the second electrode 16.
  • the structure of the organic layer 15 is not limited to this, and layers other than the light emitting layer are provided as needed.
  • the hole injection layer is a buffer layer for increasing the hole injection efficiency into the light emitting layer and for suppressing leakage.
  • the hole transport layer is for increasing the hole transport efficiency to the light emitting layer. In the light emitting layer, when an electric field is applied, recombination of electrons and holes occurs, and light is generated.
  • the light emitting layer is an organic light emitting layer containing an organic light emitting material.
  • the electron transport layer is for increasing the electron transport efficiency to the light emitting layer.
  • An electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the second electrode 16. This electron injection layer is for increasing the electron injection efficiency.
  • the protective layer 17 is provided on the first surface of the second electrode 16 and covers the plurality of light emitting elements 10A.
  • the protective layer 17 blocks the light emitting element 10A from the outside air and suppresses the infiltration of moisture from the external environment into the inside of the light emitting element 10A.
  • the protective layer 17 may have a function of suppressing oxidation of the metal layer.
  • the protective layer 17 contains, for example, an inorganic material having low hygroscopicity.
  • the inorganic material contains, for example, at least one of silicon oxide (SiO), silicon nitride (SiN), silicon nitride (SiNO), titanium oxide (TIO) and aluminum oxide (AlO).
  • the protective layer 17 may have a single-layer structure or a multi-layer structure. In the case of the multi-layer structure, the internal stress in the protective layer 17 can be relaxed.
  • the protective layer 17 may be made of a polymer resin.
  • the polymer resin contains at least one selected from the group consisting of thermosetting resins, ultraviolet curable resins and the like.
  • the color filter 18 is provided on the first surface of the protective layer 17.
  • the color filter 18 is, for example, an on-chip color filter (OCCF).
  • the color filter 18 includes, for example, a red filter, a green filter, and a blue filter.
  • the red filter, the green filter, and the blue filter are provided facing the light emitting element 10A for the red sub-pixel 100R, the light emitting element 10A for the green sub pixel 100G, and the light emitting element 10A for the blue sub pixel 100B, respectively. There is. As a result, the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are configured.
  • the white light emitted from each of the light emitting elements 10A in the subpixels 100R, 100G, and 100B passes through the red filter, the green filter, and the blue filter, respectively, so that the red light, the green light, and the blue light are displayed on the display surface, respectively. Is emitted from. Further, a light-shielding layer (not shown) may be provided between the color filters of each color, that is, between the sub-pixels.
  • the color filter 18 is not limited to the on-chip color filter, and may be provided on one main surface of the facing substrate 11B.
  • the filling resin layer 19 is provided between the color filter 18 and the facing substrate 11B.
  • the filled resin layer 19 has a function as an adhesive layer for adhering the color filter 18 and the facing substrate 11B.
  • the packed resin layer 19 contains at least one selected from the group consisting of, for example, a thermosetting resin and an ultraviolet curable resin.
  • the facing board 11B is provided so as to face the drive board 11A. More specifically, the opposed substrate 11B is provided so that the second surface of the opposed substrate 11B and the first surface of the drive substrate 11A face each other.
  • the facing substrate 11B and the filled resin layer 19 seal the light emitting element 10A, the color filter 18, and the like.
  • the facing substrate 11B is made of a material such as glass that is transparent to each color light emitted from the color filter 18.
  • a drive circuit, a power supply circuit, and the like are formed on the first surface of the drive substrate 11A by using, for example, a thin film forming technique, a photolithography technique, an etching technique, and the like.
  • a CVD (Chemical Vapor Deposition) method a first insulating layer 12A is formed on the first surface of the drive substrate 11A so as to cover the drive circuit, the power supply circuit, and the like.
  • a plurality of contact plugs 12A1 are formed on the first insulating layer 12A.
  • the first metal layer 13A is formed on the first surface of the first insulating layer 12A by, for example, a sputtering method.
  • a second metal layer 13B is formed on the first surface of the first metal layer 13A by a sputtering method (see FIG. 4A).
  • a resist mask having a predetermined pattern is formed on the first surface of the second metal layer 13B, and then the first metal layer 13A and the second metal layer 13B are dry-etched through the resist mask.
  • a plurality of reflective layers 13 divided by the groove 13D are formed on the first surface of the first insulating layer 12A (see FIG. 4B).
  • an insulating layer is formed in the groove 13D between the adjacent reflective layers 13 and on the first surface of the plurality of reflective layers 13.
  • the insulating layer formed on the first surface of each reflective layer 13 is removed by, for example, an etch back method or a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method.
  • the insulating portion 13C is formed in the groove 13D between the adjacent reflective layers 13.
  • a second insulating layer 12B is formed on the first surface of the plurality of reflective layers 13 and the insulating portion 13C by a CVD method.
  • a plurality of contact plugs 12B1 are formed on the second insulating layer 12B.
  • the transparent conductive oxide layer 14C is formed on the first surface of the second insulating layer 12B by, for example, a sputtering method (see FIG. 4C).
  • a resist mask 51 having a predetermined pattern is formed on the first surface of the transparent conductive oxide layer 14C (see FIG. 4D).
  • the resist mask 51 one having an opening 51A in the corresponding portion between the adjacent sub-pixels 100 is used.
  • ions are injected into the transparent conductive oxide layer 14C through the opening 51A of the resist mask 51.
  • the portion of the transparent conductive oxide layer 14C into which ions are injected has high resistance.
  • the oxide layer 14 having the plurality of first electrodes 14A and the separation portion 14B is formed (see FIG. 5A).
  • the ion to be injected for example, at least one selected from the group consisting of oxygen (O), sulfur (S), nitrogen (N) and the like is used.
  • the resist mask 51 is removed from the first surface of the oxide layer 14.
  • the organic layer 15 is formed by laminating the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer on the first surface of the oxide layer 14 in this order, for example, by a vapor deposition method. (See FIG. 5B).
  • the second electrode 16 is formed on the first surface of the organic layer 15 by, for example, a thin film deposition method or a sputtering method. As a result, a plurality of light emitting elements 10A are formed on the first surface of the second insulating layer 12B (see FIG. 5C).
  • the color filter 18 is placed on the first surface of the protective layer 17 by, for example, photolithography. Form.
  • the flattening layer may be formed on both the upper, lower or upper and lower sides of the color filter 18.
  • ODF One Drop Fill
  • the drive substrate 11A and the facing substrate 11B are formed via the filling resin layer 19. Are pasted together. As a result, the display device 10 is sealed. As a result, the display device 10 shown in FIGS. 1 and 2 is obtained.
  • the display device 10 includes an oxide layer 14, and the oxide layer 14 is located between a plurality of first electrodes 14A and adjacent first electrodes 14A.
  • a separation unit 14B for electrically separating is provided.
  • the separation portion 14B can be formed by injecting ions into the transparent conductive oxide layer 14C through a resist mask. Therefore, the transparent conductive oxide, which is a difficult-to-etch material, can be electrically separated between the adjacent first electrodes 14A without etching. Therefore, the pixel pitch can be miniaturized (for example, miniaturized to 10 ⁇ m or less) while ensuring the light emitting area.
  • a partition wall portion (insulating layer) is provided between the adjacent first electrodes, whereas in the display device 10 according to the first embodiment, the partition wall portion (insulating layer) is provided.
  • a separation portion 14B is provided instead of the above. Therefore, in the display device 10 according to the first embodiment, the sub-pixel 100 can be miniaturized. Further, it is possible to eliminate the deterioration of characteristics (for example, edge leak, seizure, heat resistance) caused by the partition wall portion.
  • the transparent conductive oxide is a difficult-to-etch material, when the transparent conductive oxide layer is etched at the size of the limit of the resist resolution to prepare the first electrode, it is possible to obtain the first electrode between the adjacent first electrodes. There is a risk of short circuit. Therefore, in the conventional display device, it is necessary to etch the transparent conductive oxide layer with a size larger than the limit of the resist resolution.
  • the display device 10 according to the first embodiment by injecting ions into the transparent conductive oxide layer 14C through the resist mask, the adjacent first electrodes 14A can be separated from each other. .. Therefore, the transparent conductive oxide layer 14C can be processed at a size limited to the resist resolution. That is, it is possible to form the separation portion 14B having a size limit of the resist resolution.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 20 according to the second embodiment of the present disclosure.
  • the display device 20 includes an oxide layer 24 instead of the oxide layer 14 (see FIG. 2).
  • Each of the plurality of reflective layers 13 is adjacent to the second surface of the plurality of first electrodes 14A.
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the first embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the oxide layer 24 is provided on the first surface of the plurality of reflective layers 13 so as to follow the shape of the groove 13D.
  • the oxide layer 24 includes a separation section 24B instead of the separation section 14B (see FIG. 2).
  • the separating portion 24B has a recess 24B1 and a covering portion 24B2.
  • the configuration of the separating portion 24B is not limited to this, and the separating portion 24B may not have the covering portion 24B2.
  • the recess 24B1 has a recess with respect to the first surface of the first electrode 14A.
  • the first surface (main surface) of the reflective layer 13 faces the organic layer 15 with the first electrode 14A interposed therebetween.
  • the recess 24B1 is provided in the groove 13D between the adjacent reflective layers 13.
  • the recess 24B1 may follow the shape of the groove 13D.
  • An insulating portion 13C is provided in the recess 24B1.
  • the covering portion 24B2 covers the peripheral edge portion of the first surface (main surface) of the reflective layer 13.
  • the peripheral edge portion of the first surface of the reflective layer 13 refers to a region having a predetermined width from the peripheral edge of the first surface of the reflective layer 13 toward the inside.
  • the groove 13D preferably has a depth equal to or greater than the thickness of the reflective layer 13 from the viewpoint of improving the insulating property between the sub-pixels 100.
  • the separation unit 24B is the same as the separation unit 14B in the first embodiment except for the above.
  • the steps up to patterning of the first metal layer 13A and the second metal layer 13B are carried out in the same manner as the manufacturing method of the display device 10 according to the first embodiment.
  • a plurality of reflective layers 13 divided by the groove 13D are formed on the first surface of the first insulating layer 12A (see FIG. 4B).
  • a transparent conductive oxide layer 24C is formed on the first surface of the plurality of reflective layers 13 so as to follow the shape of the groove 13D between the adjacent reflective layers 13 (FIG. 7A). reference).
  • a resist mask 61 having a predetermined pattern is formed on the first surface of the transparent conductive oxide layer 24C (see FIG. 7B).
  • a mask having an opening 61A in the portion of the groove 13D is used as the resist mask 61.
  • the width W 1 of the opening 61A may be the same as the width W 2 of the groove 13D, or may be wider than the width W 2 of the groove 13D.
  • the separation portion 24B having the covering portion 24B2 is formed in the ion implantation step which is a later step.
  • the width W 1 of the opening 61A is equal to the width W 2 of the groove 13D
  • the separation portion 24B having no covering portion 24B2 is formed in the ion implantation step which is a later step.
  • ions are injected into the transparent conductive oxide layer 24C through the opening 61A of the resist mask (see FIG. 7B).
  • the portion of the transparent conductive oxide layer 14C into which ions are injected has high resistance.
  • the oxide layer 24 having the plurality of first electrodes 14A and the separation portion 24B is formed (see FIG. 7C).
  • the ion to be injected for example, at least one selected from the group consisting of oxygen (O), sulfur (S), nitrogen (N) and the like is used.
  • the resist mask 61 is removed from the first surface of the oxide layer 24.
  • an insulating layer is formed in the recess 24B1 between the adjacent reflective layers 13 and on the first surface of the plurality of reflective layers 13.
  • the insulating layer formed on the first surface of each reflective layer 13 is removed by, for example, an etchback method or a CMP method.
  • the insulating portion 13C is formed in the recess 24B1 between the adjacent reflective layers 13 (see FIG. 8A).
  • the organic layer 15 is formed by laminating the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer on the first surface of the oxide layer 24 in this order, for example, by a vapor deposition method. (See FIG. 8B).
  • the subsequent steps are carried out in the same manner as the manufacturing method of the display device 10 of the first embodiment. As a result, the display device 20 shown in FIG. 6 is obtained.
  • the display device 20 according to the second embodiment includes the oxide layer 24, and the oxide layer 24 includes a plurality of first electrodes 14A and a separation unit 24B. Therefore, the same effect as that of the display device 10 according to the first embodiment can be obtained.
  • the separation portion 24B has a recess 24B1 and a covering portion 24B2.
  • the recess 24B1 is provided in the groove 13D, and the covering portion 24B2 covers the peripheral edge of the first surface of the reflective layer 13. This makes it possible to increase the resistance of the recess 24B1 and its periphery.
  • the dry etching process of the transparent conductive oxide is not required, the amount of etching digging of the base can be reduced. Therefore, the step between the sub-pixels 100 can be reduced, and leakage between the first electrode 14A and the second electrode 16 via the organic layer 15 can be suppressed.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 30 according to the third embodiment of the present disclosure.
  • the display device 30 includes an oxide layer 34 instead of the oxide layer 24 (see FIG. 2).
  • the same reference numerals are given to the same parts as those in the second embodiment, and the description thereof will be omitted.
  • the oxide layer 34 is provided on the first surface of the plurality of reflective layers 13 so as to follow the shape of the groove 13D.
  • the oxide layer 34 includes a first electrode 34A and a separation portion 34B.
  • the first electrode 34A contains a third oxide.
  • the third oxide may be a transparent conductive oxide in which a first impurity (first ion) and a second impurity (second ion) are added to the first oxide. ..
  • the first impurity is capable of increasing the resistance of the transparent conductive oxide by addition and changing the transparent conductive oxide into an insulating oxide.
  • the first impurity contains at least one selected from the group consisting of oxygen (O), sulfur (S) and nitrogen (N).
  • the second impurity can reduce the resistance of the insulating oxide by addition and change the insulating oxide into a transparent conductive oxide.
  • the second impurity contains at least one selected from the group consisting of hydrogen (H), lithium (Li), magnesium (Mg) and cesium (Cs).
  • the first electrode 34A is the same as the first electrode 14A in the first embodiment except for the above.
  • the separation portion 34B is a recess.
  • the recess is the same as the recess 24B1 of the separation portion 24B in the second embodiment.
  • the steps up to the formation of the transparent conductive oxide layer 24C are carried out in the same manner as the manufacturing method of the display device 20 according to the second embodiment.
  • the transparent conductive oxide layer 24C is formed on the first surface of the plurality of reflective layers 13 so as to follow the shape of the groove 13D between the adjacent reflective layers 13 (see FIG. 7A).
  • the transparent conductive oxide layer 24C has a high resistance and becomes an insulating oxide layer 34C (see FIG. 10B).
  • the first ion to be injected at least one selected from the group consisting of, for example, oxygen (O), sulfur (S), nitrogen (N) and the like is used.
  • an insulating layer is formed in the groove 13D between the adjacent reflective layers 13 and on the first surface of the plurality of reflective layers 13.
  • the insulating layer formed on the first surface of each reflective layer 13 is removed by, for example, an etchback method or a CMP method.
  • the insulating portion 13C is formed in the groove 13D between the adjacent reflective layers 13 (see FIG. 10C).
  • ions are injected into the first surface (the surface on the side where the insulating oxide layer 34C and the insulating portion 13C are formed) of the laminate obtained as described above (see FIG. 11A).
  • ions are injected into the first portion of the insulating oxide layer 34C that covers the first surface of each first electrode 34A, and the first portion has low resistance and is transparent. It becomes a conductive oxide layer.
  • the second portion provided in the groove 13D is not ionized, and the second portion does not change from the insulating oxide layer 34C. Therefore, the oxide layer 34 including the plurality of first electrodes 34A and the separation portion 34B is formed (see FIG. 11B).
  • the second ion to be injected for example, at least one selected from the group consisting of hydrogen (H), lithium (Li), magnesium (Mg) and cesium (Cs) is used.
  • the organic layer 15 is formed by laminating the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, and the electron transport layer on the first surface of the oxide layer 34 in this order, for example, by a vapor deposition method. (See FIG. 11C).
  • the subsequent steps are carried out in the same manner as the manufacturing method of the display device 10 of the first embodiment. As a result, the display device 30 shown in FIG. 9 is obtained.
  • the display device 30 according to the third embodiment includes an oxide layer 34, and the oxide layer 34 includes a plurality of first electrodes 14A and a separation portion 34B. Therefore, the same effect as that of the display device 10 according to the first embodiment can be obtained.
  • Modification 1 In the second embodiment, an example in which the insulating portion 13C is provided in the recess 24B1 of the oxide layer 24 (see FIG. 6) has been described, but as shown in FIG. 12, the insulating portion 13C is provided in the recess 24B1. May not be provided.
  • the organic layer 15 and the second electrode 16 may be provided so as to follow the shape of the recess 24B1, and the protective layer 17 may fill the recess 24B1.
  • the organic layer 15 may be provided so as to follow the shape of the recess 24B1, and the second electrode 16 may fill the recess 24B1.
  • the insulating portion 13C may not be provided in the separating portion 34B which is a recess.
  • the organic layer 15 and the second electrode 16 may be provided so as to follow the shape of the separation portion 34B, and the protective layer 17 may fill the separation portion 34B.
  • the organic layer 15 may be provided so as to follow the shape of the separation portion 34B, and the second electrode 16 may fill the separation portion 34B.
  • Modification 2 In the first to third embodiments, an example in which the present disclosure is applied to a display device has been described, but the present disclosure is not limited to this, and it is possible to apply the present disclosure to a light emitting device other than the display device. ..
  • Examples of light emitting devices other than display devices include, but are not limited to, lighting devices. In this case, the number of light emitting elements included in the light emitting device such as a lighting device may be a plurality or a single light emitting device.
  • the display devices 10, 20, and 30 can be used for various electronic devices.
  • the display devices 10, 20, and 30 are incorporated into various electronic devices, for example, as modules as shown in FIG. In particular, it is suitable for those that require high resolution such as electronic viewfinders or head-mounted displays of video cameras and single-lens reflex cameras, and are used by enlarging them near the eyes.
  • This module has an exposed region 210 on one short side of the drive substrate 11A, which is not covered by the facing substrate 11B or the like, and the wiring of the signal line drive circuit 111 and the scanning line drive circuit 112 is connected to this region 210.
  • An external connection terminal (not shown) is formed by extending it.
  • a flexible printed circuit board (FPC) 220 for signal input / output may be connected to the external connection terminal.
  • FPC flexible printed circuit board
  • This digital still camera 310 is an interchangeable lens type single-lens reflex type, and has an interchangeable shooting lens unit (interchangeable lens) 312 in the center of the front of the camera body (camera body) 311 and on the left side of the front. It has a grip portion 313 for the photographer to grip.
  • interchangeable lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back of the camera body 311.
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided on the upper part of the monitor 314. By looking into the electronic viewfinder 315, the photographer can visually recognize the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the electronic viewfinder 315 any of the display devices 10, 20, and 30 can be used.
  • FIG. 15 shows an example of the appearance of the head-mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 for being worn on the user's head on both sides of the eyeglass-shaped display unit 321.
  • the display unit 321 any one of the display devices 10, 20, and 30 can be used.
  • FIG. 16 shows an example of the appearance of the television device 330.
  • the television device 330 has, for example, a video display screen unit 331 including a front panel 332 and a filter glass 333, and the video display screen unit 331 is composed of any of the display devices 10, 20, and 30. ing.
  • the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, etc. given in the above-mentioned first to third embodiments and modifications thereof are merely examples, and different configurations, methods, and the like are required.
  • the process, shape, material, numerical value, etc. may be used.
  • the present disclosure may also adopt the following configuration.
  • An oxide layer including a plurality of first electrodes and a separation portion for electrically separating between the adjacent first electrodes.
  • a second electrode facing one surface of the oxide layer and
  • a plurality of reflective layers facing the other surface of the oxide layer are further provided.
  • the display device according to (1), wherein the plurality of reflective layers each face a plurality of the first electrodes.
  • the display device according to (2), wherein the plurality of reflective layers are adjacent to each of the plurality of first electrodes.
  • the reflective layer has a main surface facing the organic light emitting layer with the first electrode interposed therebetween.
  • the separation portion has a concave recess with respect to the main surface.
  • the separation portion further includes a covering portion that covers the peripheral edge portion of the main surface.
  • the groove has a depth equal to or greater than the thickness of the reflective layer.
  • the display device according to any one of (1) to (9), wherein the electric resistance of the separation portion is higher than the electric resistance of the first electrode.
  • the display device according to any one of (1) to (10), wherein the separation portion is an insulating portion.
  • the first electrode contains a transparent conductive oxide.
  • the transparent conductive oxide contains at least one selected from the group consisting of a transparent conductive oxide containing indium, a transparent conductive oxide containing tin, and a transparent conductive oxide containing zinc (12). The display device described.
  • the display device according to any one of (1) to (13), wherein the first electrode is a transparent electrode.
  • the first electrode contains a transparent conductive oxide and contains.
  • the display device according to any one of (1) to (11), wherein the separation unit contains an insulating oxide.
  • the first electrode contains the first oxide and contains the first oxide.
  • the display device according to any one of (1) to (11), wherein the separation unit contains a second oxide in which an impurity is added to the first oxide.
  • the first electrode contains the first oxide and contains the first oxide.
  • the separation contains a second oxide and contains The display device according to any one of (1) to (11), wherein the composition ratio of the first oxide and the second oxide is different.
  • the display device according to any one of (1) to (17), wherein the crystallinity of the first electrode is higher than the crystallinity of the separation portion.
  • An oxide layer including a plurality of first electrodes and a separation portion for electrically separating between the adjacent first electrodes.
  • the second electrode facing the oxide layer and
  • a light emitting device including an organic light emitting layer provided between the oxide layer and the second electrode.
  • An electronic device provided with the display device according to any one of (1) to (19).
  • Display device (light emitting device) 10A Light emitting element 11A Drive board 11B Opposing board 12A First insulating layer 12A Second insulating layer 13 Reflecting layer 13A First metal layer 13B Second metal layer 13C Insulation part 13D Groove 14, 24, 34 Oxide layer 14A , 34A First electrode 14B, 24B, 34B Separation part 24B1 Recessed part 24B2 Coating part 15 Organic layer 16 Second electrode 17 Protective layer 18 Color filter 19 Filled resin layer 100R, 100G, 100B Subpixel 110A Display area 110B Peripheral area 111 Signal line drive circuit 111A Signal line 112 Scan line drive circuit 112A Scan line 310 Digital still camera (electronic equipment) 320 Head-mounted display (electronic device) 330 Television equipment (electronic equipment)

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Abstract

発光面積を確保しつつ、画素ピッチを微細化することができる表示装置を提供する。　表示装置は、複数の第１の電極と、隣接する第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、酸化物層と第２の電極との間に設けられた有機発光層とを備える。

Description

表示装置、発光装置および電子機器
　本開示は、表示装置、発光装置および電子機器に関する。
　近年、有機ＥＬ（Electroluminescence）表示装置（以下単に「表示装置」という。）は、広く普及している。この表示装置としては、種々の構成を有するものが提案されている。特許文献１では、複数の第１の電極と、第２の電極と、複数の第１の電極と第２の電極との間に設けられた有機層と、隣接する第１の電極の間に設けられた隔壁部（絶縁層）とを備える表示装置が開示されている。また、複数の第１の電極は、リソグラフィーとエッチング等による周知のパターニング技術を用いてＩＴＯ層等の透明導電材料層をパターニングすることにより形成されることが開示されている。
国際公開第２０２０／１０５４３３号パンフレット
　しかしながら、第１の電極を構成するＩＴＯ等の透明導電材料は、エッチングが困難な材料（いわゆる難エッチング材料）であるため、特許文献１に記載の表示装置では、発光面積を確保しつつ、画素ピッチを微細化することは困難である。
　本開示の目的は、発光面積を確保しつつ、画素ピッチを微細化することができる表示装置、発光装置および電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の開示は、
　複数の第１の電極と、隣接する第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
　酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
　酸化物層と第２の電極との間に設けられた有機発光層と
　を備える表示装置である。
　第２の開示は、
　複数の第１の電極と、隣接する第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
　酸化物層に対向する第２の電極と、
　酸化物層と第２の電極の間に設けられた有機発光層と
　を備える発光装置である。
　第３の開示は、第１の開示の表示装置または第２の開示の発光装置を備える電子機器である。
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３は、酸化物層の構成の一例を示す平面図である。 図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ、図４Ｄはそれぞれ、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃはそれぞれ、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図６は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃはそれぞれ、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図８Ａ、図８Ｂはそれぞれ、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図９は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃはそれぞれ、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃはそれぞれ、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明するための工程図である。 図１２は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１３は、モジュールの概略構成の一例を表す平面図である。 図１４Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図１４Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図１５は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図１６は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。
　本開示の実施形態について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　１　第１の実施形態
　　１．１　表示装置の構成
　　１．２　表示装置の製造方法
　　１．３　作用効果
　２　第２の実施形態
　　２．１　表示装置の構成
　　２．２　表示装置の製造方法
　　２．３　作用効果
　３　第３の実施形態
　　３．１　表示装置の構成
　　３．２　表示装置の製造方法
　　３．３　作用効果
　４　変形例
　５　応用例
＜１　第１の実施形態＞
［１．１　表示装置の構成］
　図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の全体構成の一例を示す概略図である。表示装置１０は、表示領域１１０Ａと、表示領域１１０Ａの周縁に設けられた周辺領域１１０Ｂとを有している。表示領域１１０Ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。サブ画素１００の画素ピッチは、表示装置１０の高精細化の観点から、１０μｍ以下であることが好ましい。
　サブ画素１００Ｒは赤色を表示し、サブ画素１００Ｇは緑色を表示し、サブ画素１００Ｂは青色を表示する。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別しない場合には、サブ画素１００という。隣接するサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。図１では、行方向（水平方向）に並ぶ３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素を構成している例が示されている。
　周辺領域１１０Ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２が設けられている。信号線駆動回路１１１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１１１Ａを介して選択されたサブ画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１１２は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１１２は、各サブ画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１１２Ａに走査信号を順次供給するものである。
　表示装置１０は、発光装置の一例である。表示装置１０は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０は、ＶＲ（Virtual Reality）用、ＭＲ（Mixed Reality）用もしくはＡＲ（Augmented Reality）用の表示装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に用いて好適なものである。
　図２は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置１０は、駆動基板１１Ａと、第１の絶縁層１２Ａと、複数の反射層１３と、絶縁部１３Ｃと、第２の絶縁層１２Ｂと、酸化物層１４と、有機層１５と、第２の電極１６と、保護層１７と、カラーフィルタ１８と、充填樹脂層１９と、対向基板１１Ｂとを備える。酸化物層１４は、複数の第１の電極１４Ａと、分離部１４Ｂとを備える。反射層１３と第２の電極１６が、共振器構造を構成していてもよい。
　表示装置１０は、トップエミッション方式の表示装置である。対向基板１１Ｂ側がトップ側（表示面側）となり、駆動基板１１Ａ側がボトム側となる。以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０のトップ側となる面を第１の面といい、表示装置１０のボトム側となる面を第２の面という。
　表示装置１０は、複数の発光素子１０Ａを備えている。発光素子１０Ａは、第１の電極１４Ａと有機層１５と第２の電極１６とにより構成されている。発光素子１０Ａは、白色ＯＬＥＤまたは白色Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）である。表示装置１０におけるカラー化の方式としては、白色ＯＬＥＤとカラーフィルタ１８とを用いる方式が用いられる。但し、カラー化の方式はこれに限定されるものではなく、ＲＧＢの塗り分け方式等を用いてもよい。
（駆動基板）
　駆動基板１１Ａは、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子１０Ａを駆動する。駆動基板１１Ａの第１の面上には、駆動回路および電源回路（いずれも図示せず）が設けられている。駆動回路は、複数の発光素子１０Ａの駆動を制御するサンプリング用トランジスタと駆動用トランジスタを含む。電源回路は、複数の発光素子１０Ａに電力を供給する。
　駆動基板１１Ａは、例えば、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよく、トランジスタ等の形成が容易な半導体で形成されてもよい。具体的には、駆動基板１１Ａは、ガラス基板、半導体基板または樹脂基板等であってもよい。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（第１の絶縁層）
　第１の絶縁層１２Ａは、駆動基板１１Ａの第１の面上に設けられ、駆動回路および電源回路等を覆っている。第１の絶縁層１２Ａは、複数のコンタクトプラグ１２Ａ１を備える。各コンタクトプラグ１２Ａ１は、発光素子１０Ａと反射層１３とを接続する。第１の絶縁層１２Ａは、複数の配線（図示せず）をさらに備えていてもよい。
　第１の絶縁層１２Ａは、例えば、有機材料または無機材料を含む。有機材料は、例えば、ポリイミドおよびアクリル樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンおよび酸化アルミニウム等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（第２の絶縁層）
　第２の絶縁層１２Ｂは、複数の反射層１３および絶縁部１３Ｃの第１の面上に設けられ、複数の反射層１３を覆っている。すなわち、第２の絶縁層１２Ｂは、酸化物層１４と複数の反射層１３との間に設けられている。第２の絶縁層１２Ｂは、複数のコンタクトプラグ１２Ｂ１を備える。各コンタクトプラグ１２Ｂ１は、発光素子１０Ａと反射層１３とを接続する。第２の絶縁層１２Ｂの構成材料としては、上述の第１の絶縁層１２Ａと同様の材料を例示することができる。
（反射層）
　複数の反射層１３は、第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に設けられている。複数の反射層１３はそれぞれ、複数のサブ画素１００に対応する位置に設けられている。複数の反射層１３は、第２の絶縁層１２Ｂを間に挟んで酸化物層１４の第２の面（他方の面）に対向する。複数の反射層１３はそれぞれ、複数の第１の電極１４Ａに対向している。反射層１３は、有機層１５から出射された光を反射する。反射層１３は、第１の金属層１３Ａと、第２の金属層１３Ｂとを備える。但し、第１の金属層１３Ａは、必要に応じて備えられるものであり、備えられていなくてもよい。隣接する反射層１３の間には溝１３Ｄが設けられている。
（第１の金属層）
　第１の金属層１３Ａは、第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に設けられている。第１の金属層１３Ａは、第２の金属層１３Ｂの成膜時に、第２の金属層１３Ｂの結晶配向性を向上するための下地層である。第２の金属層１３Ｂの結晶配向性の向上により、第２の金属層１３Ｂの表面（第１の面）の凹凸形状を低減することができる。第１の金属層１３Ａの第２の面は、第１の絶縁層１２Ａに備えられたコンタクトプラグ１２Ａ１に接続されている。
　第１の金属層１３Ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。第１の金属層１３Ａは、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。
（第２の金属層）
　第２の金属層１３Ｂは、第１の金属層１３Ａの第１の面上に設けられている。第２の金属層１３Ｂは、有機層１５から放射された光を反射する反射層としての機能を有する。第２の金属層１３Ｂの第１の面は、第２の絶縁層１２Ｂに備えられたコンタクトプラグ１２Ｂ１に接続されている。
　第２の金属層１３Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。第２の金属層１３Ｂは、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。第２の金属層１３Ｂは、反射率の向上の観点から、上記金属元素のうちでも、アルミニウム（Ａｌ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含むことが好ましい。
（絶縁部）
　絶縁部１３Ｃは、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄに設けられ、溝１３Ｄを埋めている。絶縁部１３Ｃは、隣接する反射層１３の間を電気的に分離すると共に、空間的に離隔する。絶縁部１３Ｃの構成材料としては、上述の第１の絶縁層１２Ａと同様の材料を例示することができる。
（酸化物層）
　図３は、酸化物層１４の構成の一例を示す平面図である。酸化物層１４は、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上に設けられている。酸化物層１４は、金属酸化物を含む。金属酸化物は、例えば、インジウムを含む酸化物、錫を含む酸化物および亜鉛を含む酸化物からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。酸化物層１４は、上述のように、複数の第１の電極１４Ａと、分離部１４Ｂとを備える。
（第１の電極）
　複数の第１の電極１４Ａは、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上にマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。各第１の電極１４Ａは、サブ画素１００に対応する部分に設けられている。第１の電極１４Ａは、アノードである。第１の電極１４Ａと第２の電極１６の間に電圧が加えられると、第１の電極１４Ａから有機層１５にホールが注入される。第１の電極１４Ａは、透明電極であり、有機層１５から出射された光を透過する。第１の電極１４Ａの第２の面は、第２の絶縁層１２Ｂに備えられたコンタクトプラグ１２Ｂ１に接続されている。第１の電極１４Ａは、仕事関数が高く、かつ、透過率の高い材料で構成されていることが、発光効率を高める上で好ましい。
　第１の電極１４Ａは、第１の酸化物を含む。第１の酸化物は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）である。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）および亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）または酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）フッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的に有機層１５へのホール注入障壁が特に低いため、表示装置１０の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。
（分離部）
　分離部１４Ｂは、面内方向に隣接する第１の電極１４Ａの間に設けられている。分離部１４Ｂは、第１の電極１４Ａの全周囲を取り囲んでいる。分離部１４Ｂは、例えば、格子状を有している。各分離部１４Ｂは、面内方向に隣接する第１の電極１４Ａの間を電気的に分離する。本明細書において面内方向とは、表示装置１０の第１の面（表示面）または駆動基板１１Ａの第１の面に沿った方向を意味する。分離部１４Ｂの電気抵抗は、第１の電極１４Ａの電気抵抗に比べて高い。分離部１４Ｂは、絶縁部であることが好ましい。
　分離部１４Ｂは、絶縁材料である第２の酸化物を含む。第２の酸化物は、絶縁性酸化物である。絶縁性酸化物は、例えば、インジウムを含む絶縁性酸化物（以下「インジウム系絶縁性酸化物」という。）、錫を含む絶縁性酸化物（以下「錫系絶縁性酸化物」という。）および亜鉛を含む絶縁性酸化物（以下「亜鉛系絶縁性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第２の酸化物は、第１の酸化物に対して不純物（イオン）が添加された絶縁性酸化物であってもよい。不純物は、添加により透明導電性酸化物を絶縁性酸化物に変化可能なものである。具体的には例えば、不純物は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　第１の電極１４Ａに含まれる第１の酸化物と分離部１４Ｂに含まれる第２の酸化物との構成材料（構成元素）が同一であり、第１の酸化物と第２の酸化物との組成比が異なっていてもよい。あるいは、第１の電極１４Ａに含まれる第１の酸化物と分離部１４Ｂに含まれる第２の酸化物との構成材料の一部は同一であり、残りが異なっていてもよい。第１の電極１４Ａの電気抵抗を分離部１４Ｂの電気抵抗に比べて低くするためには、第１の電極１４Ａの結晶性は、分離部１４Ｂの結晶性に比べて高いことが好ましい。第１の電極１４Ａと分離部１４Ｂとは、透過率等の光学特性が異なっていてもよい。
（第２の電極）
　第２の電極１６は、有機層１５を間に挟んで酸化物層１４の第１の面に対応する。第２の電極１６は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の電極として設けられている。第２の電極１６は、カソードである。第１の電極１４Ａと第２の電極１６の間に電圧が加えられると、第２の電極１６から有機層１５に電子が注入される。第２の電極１６は、有機層１５で発生した光に対して透過性を有する透明電極である。ここで、透明電極には、半透過性反射層も含まれるものとする。第２の電極１６は、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。
　第２の電極１６は、例えば、金属層および透明電極のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２の電極１６は、金属層もしくは透明電極の単層膜、または金属層と透明電極の積層膜により構成されている。第２の電極１６が積層膜により構成されている場合、金属層が有機層１５側に設けられてもよいし、透明電極が有機層１５側に設けられてもよいが、低い仕事関数を有する層を有機層１５に隣接させる観点からすると、金属層が有機層１５側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。透明電極は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物としては、上述の第１の電極１４Ａと同様の材料を例示することができる。
（有機層）
　有機層１５は、酸化物層１４と第２の電極１６の間に設けられている。有機層１５は、表示領域１１０Ａ内においてすべてのサブ画素１００に共通の有機層として設けられている。有機層１５は、白色光を発光可能に構成されている。
　有機層１５は、酸化物層１４から第２の電極１６に向かって正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層がこの順序で積層された構成を有する。なお、有機層１５の構成はこれに限定されるものではなく、発光層以外の層は必要に応じて設けられるものである。
　正孔注入層は、発光層への正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを抑制するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。発光層は、有機発光材料を含む有機発光層である。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層と第２の電極１６との間には、電子注入層を設けてもよい。この電子注入層は、電子注入効率を高めるためのものである。
（保護層）
　保護層１７は、第２の電極１６の第１の面上に設けられ、複数の発光素子１０Ａを覆う。保護層１７は、発光素子１０Ａを外気と遮断し、外部環境から発光素子１０Ａ内部への水分浸入を抑制する。また、第２の電極１６が金属層により構成されている場合には、保護層１７は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　保護層１７は、例えば、吸湿性が低い無機材料を含む。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＮＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯ）のうちの少なくとも１種を含む。保護層１７は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。多層構造の場合、保護層１７における内部応力を緩和することができる。保護層１７が、高分子樹脂により構成されていてもよい。高分子樹脂は、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（カラーフィルタ）
　カラーフィルタ１８は、保護層１７の第１の面上に設けられている。カラーフィルタ１８は、例えば、オンチップカラーフィルタ（On Chip Color Filter：ＯＣＣＦ）である。カラーフィルタ１８は、例えば、赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを備える。赤色フィルタ、緑色フィルタ、青色フィルタはそれぞれ、赤色のサブ画素１００Ｒ用の発光素子１０Ａ、緑色のサブ画素１００Ｇ用の発光素子１０Ａ、青色のサブ画素１００Ｂ用の発光素子１０Ａに対向して設けられている。これにより、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが構成されている。
　サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ内の各発光素子１０Ａから発せられた白色光がそれぞれ、上記の赤色フィルタ、緑色フィルタおよび青色フィルタを透過することによって、赤色光、緑色光、青色光がそれぞれ表示面から出射される。また、各色のカラーフィルタ間、すなわちサブ画素間の領域には、遮光層（図示せず）が設けられていてもよい。なお、カラーフィルタ１８は、オンチップカラーフィルタに限定されるものではなく、対向基板１１Ｂの一主面に設けられたものであってもよい。
（充填樹脂層）
　充填樹脂層１９は、カラーフィルタ１８と対向基板１１Ｂの間に設けられている。充填樹脂層１９は、カラーフィルタ１８と対向基板１１Ｂとを接着する接着層としての機能を有している。充填樹脂層１９は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（対向基板）
　対向基板１１Ｂは、駆動基板１１Ａに対向して設けられている。より具体的には、対向基板１１Ｂは、対向基板１１Ｂの第２の面と駆動基板１１Ａの第１の面とが対向するように設けられている。対向基板１１Ｂおよび充填樹脂層１９は、発光素子１０Ａおよびカラーフィルタ１８等を封止する。対向基板１１Ｂは、カラーフィルタ１８からから出射される各色光に対して透明なガラス等の材料により構成される。
［１．２　表示装置の製造方法］
　以下、図４Ａ～図４Ｄ、図５Ａ～図５Ｃを参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法の一例について説明する。
　まず、例えば薄膜形成技術、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術等を用いて、駆動基板１１Ａの第１の面上に駆動回路および電源回路等を形成する。次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、駆動回路および電源回路等を覆うように第１の絶縁層１２Ａを駆動基板１１Ａの第１の面上に形成する。この際、第１の絶縁層１２Ａに複数のコンタクトプラグ１２Ａ１を形成する。
　次に、例えばスパッタリング法により、第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に第１の金属層１３Ａを形成する。続いて、例えばスパッタリング法により、第１の金属層１３Ａの第１の面上に第２の金属層１３Ｂを形成する（図４Ａ参照）。次に、第２の金属層１３Ｂの第１の面上に所定のパターンのレジストマスクを形成した後、レジストマスクを介して第１の金属層１３Ａおよび第２の金属層１３Ｂをドライエッチングする。これにより、溝１３Ｄにより分断された複数の反射層１３が第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に形成される（図４Ｂ参照）。
　次に、例えばＣＶＤ法により、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内、および複数の反射層１３の第１の面上に絶縁層を形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、各反射層１３の第１の面上に形成された絶縁層を除去する。これにより、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内に絶縁部１３Ｃが形成される。次に、例えばＣＶＤ法により、複数の反射層１３および絶縁部１３Ｃの第１の面上に第２の絶縁層１２Ｂを形成する。この際、第２の絶縁層１２Ｂに複数のコンタクトプラグ１２Ｂ１を形成する。
　次に、例えばスパッタリング法により、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上に、透明導電性酸化物層１４Ｃを形成する（図４Ｃ参照）。次に、所定パターンのレジストマスク５１を透明導電性酸化物層１４Ｃの第１の面上に形成する（図４Ｄ参照）。レジストマスク５１としては、隣接するサブ画素１００の間に対応する部分に開口５１Ａを有するものが用いられる。次に、レジストマスク５１の開口５１Ａを介して透明導電性酸化物層１４Ｃにイオンを注入する。透明導電性酸化物層１４Ｃのうちイオンが注入された部分は高抵抗化する。これにより、複数の第１の電極１４Ａおよび分離部１４Ｂを有する酸化物層１４が形成される（図５Ａ参照）。注入するイオンとしては、例えば酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。次に、レジストマスク５１を酸化物層１４の第１の面上から除去する。
　次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を酸化物層１４の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１５を形成する（図５Ｂ参照）。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第２の電極１６を有機層１５の第１の面上に形成する。これにより、第２の絶縁層１２Ｂの第１の面上に複数の発光素子１０Ａが形成される（図５Ｃ参照）。
　次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、保護層１７を第２の電極１６の第１の面上に形成した後、例えばフォトリソグラフィにより、保護層１７の第１の面上にカラーフィルタ１８を形成する。なお、保護層１７の段差やカラーフィルタ１８自体の膜厚差による段差を平坦化するために、カラーフィルタ１８の上、下または上下両方に平坦化層を形成してもよい。次に、例えばＯＤＦ（One Drop Fill）方式を用いて、充填樹脂層１９によりカラーフィルタ１８を覆った後、対向基板１１Ｂを充填樹脂層１９上に載置する。次に、例えば充填樹脂層１９に熱を加えるか、または充填樹脂層１９に紫外線を照射し、充填樹脂層１９を硬化させることにより、充填樹脂層１９を介して駆動基板１１Ａと対向基板１１Ｂとを貼り合せる。これにより、表示装置１０が封止される。以上により、図１、図２に示す表示装置１０が得られる。
［１．３　作用効果］
　上述したように、第１の実施形態に係る表示装置１０は、酸化物層１４を備え、当該酸化物層１４は、複数の第１の電極１４Ａと、隣接する第１の電極１４Ａの間を電気的に分離する分離部１４Ｂとを備える。分離部１４Ｂは、透明導電性酸化物層１４Ｃにレジストマスク越しにイオンを注入することにより形成することが可能である。このため、難エッチング材料である透明導電性酸化物をエッチング加工せずに、隣接する第１の電極１４Ａの間を電気的に分離することができる。したがって、発光面積を確保しつつ、画素ピッチを微細化（例えば１０μｍ以下に微細化）することができる。
　従来の表示装置では、隣接する第１の電極の間に隔壁部（絶縁層）が設けられていたのに対して、第１の実施形態に係る表示装置１０では、上記隔壁部（絶縁層）に代えて分離部１４Ｂが設けられている。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１０では、サブ画素１００を微細化することが可能である。また、上記隔壁部に起因する特性劣化（例えばエッジリーク、焼き付き、耐熱性）を解消することができる。
　透明導電性酸化物は難エッチング材料であるため、レジスト解像度の限界のサイズで透明導電性酸化物層をエッチング加工し、第１の電極を作製しようとすると、隣接する第１の電極の間でショートが発生する虞がある。このため、従来の表示装置では、レジスト解像度の限界よりも大きいサイズで透明導電性酸化物層をエッチング加工する必要があった。これに対して、第１の実施形態に係る表示装置１０では、透明導電性酸化物層１４Ｃにレジストマスク越しにイオンを注入することにより、隣接する第１の電極１４Ａ間を分離することができる。このため、レジスト解像度の限界のサイズで透明導電性酸化物層１４Ｃを加工することができる。すなわち、レジスト解像度の限界のサイズの分離部１４Ｂを形成することができる。
＜２　第２の実施形態＞
［２．１　表示装置の構成］
　図６は、本開示の第２の実施形態に係る表示装置２０の構成の一例を示す断面図である。表示装置２０は、酸化物層１４（図２参照）に代えて、酸化物層２４を備える。複数の反射層１３はそれぞれ、複数の第１の電極１４Ａの第２の面に隣接している。なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
（酸化物層）
　酸化物層２４は、溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に設けられている。酸化物層２４は、分離部１４Ｂ（図２参照）に代えて、分離部２４Ｂを備える。
（分離部）
　分離部２４Ｂは、凹部２４Ｂ１と被覆部２４Ｂ２とを有する。但し、分離部２４Ｂの構成はこれに限定されるものではなく、分離部２４Ｂが被覆部２４Ｂ２を有していなくてもよい。凹部２４Ｂ１は、第１の電極１４Ａの第１の面に対して凹状を有する。第２の実施形態においては、反射層１３の第１の面（主面）は、第１の電極１４Ａを間に挟んで有機層１５と対向する。凹部２４Ｂ１は、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内に設けられている。凹部２４Ｂ１は、溝１３Ｄの形状に倣っていてもよい。凹部２４Ｂ１内には、絶縁部１３Ｃが設けられている。
　被覆部２４Ｂ２は、反射層１３の第１の面（主面）の周縁部を覆う。ここで、反射層１３の第１の面の周縁部とは、反射層１３の第１の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。分離部２４Ｂが被覆部２４Ｂ２を有する場合には、サブ画素１００間の絶縁性をさらに向上することができる。溝１３Ｄは、サブ画素１００間の絶縁性の向上の観点から、反射層１３の厚さ以上の深さを有していることが好ましい。
　分離部２４Ｂは、上記以外の点においては、第１の実施形態における分離部１４Ｂと同様である。
［２．２　表示装置の製造方法］
　以下、図４Ｂ、図７Ａ～図７Ｃ、図８Ａ、図８Ｂを参照して、本開示の第２の実施形態に係る表示装置２０の製造方法の一例について説明する。
　まず、第１の金属層１３Ａおよび第２の金属層１３Ｂのパターニングまでの工程を第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法と同様に実施する。これにより、溝１３Ｄにより分断された複数の反射層１３が第１の絶縁層１２Ａの第１の面上に形成される（図４Ｂ参照）。
　次に、例えばスパッタリング法により、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に透明導電性酸化物層２４Ｃを形成する（図７Ａ参照）。次に、所定パターンのレジストマスク６１を透明導電性酸化物層２４Ｃの第１の面上に形成する（図７Ｂ参照）。レジストマスク６１としては、溝１３Ｄの部分に開口６１Ａを有するものが用いられる。開口６１Ａの幅Ｗ１は、溝１３Ｄの幅Ｗ２と同一であってもよいし、溝１３Ｄの幅Ｗ２よりも広くてもよい。開口６１Ａの幅Ｗ１が溝１３Ｄの幅Ｗ２よりも広い場合には、後の工程であるイオン注入工程において、被覆部２４Ｂ２を有する分離部２４Ｂが形成される。一方、開口６１Ａの幅Ｗ１が溝１３Ｄの幅Ｗ２と等しい場合には、後の工程であるイオン注入工程において、被覆部２４Ｂ２を有していない分離部２４Ｂが形成される。
　次に、レジストマスクの開口６１Ａを介して透明導電性酸化物層２４Ｃにイオンを注入する（図７Ｂ参照）。透明導電性酸化物層１４Ｃのうちイオンが注入された部分は高抵抗化する。これにより、複数の第１の電極１４Ａおよび分離部２４Ｂを有する酸化物層２４が形成される（図７Ｃ参照）。注入するイオンとしては、例えば酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。次に、レジストマスク６１を酸化物層２４の第１の面上から除去する。
　次に、例えばＣＶＤ法により、隣接する反射層１３の間の凹部２４Ｂ１内、および複数の反射層１３の第１の面上に絶縁層を形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ法により、各反射層１３の第１の面上に形成された絶縁層を除去する。これにより、隣接する反射層１３の間の凹部２４Ｂ１内に絶縁部１３Ｃが形成される（図８Ａ参照）。次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を酸化物層２４の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１５を形成する（図８Ｂ参照）。
　これ以降の工程を第１の実施形態の表示装置１０の製造方法と同様に実施する。以上により、図６に示す表示装置２０が得られる。
［２．３　作用効果］
　上述したように、第２の実施形態に係る表示装置２０は、酸化物層２４を備え、当該酸化物層２４は、複数の第１の電極１４Ａと分離部２４Ｂとを備える。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１０と同様の作用効果を得ることができる。
　分離部２４Ｂは凹部２４Ｂ１と被覆部２４Ｂ２とを有する。凹部２４Ｂ１は溝１３Ｄ内に設けられ、被覆部２４Ｂ２は反射層１３の第１の面の周縁部を覆っている。これにより、凹部２４Ｂ１およびその周辺を高抵抗化することが可能となる。
　透明導電性酸化物のドライエッチング加工が不要となるため、下地のエッチング掘れ量を低減することができる。したがって、サブ画素１００間の段差を低減することができ、有機層１５を介した第１の電極１４Ａと第２の電極１６の間のリークを抑制することができる。
＜３　第３の実施形態＞
［３．１　表示装置の構成］
　図９は、本開示の第３の実施形態に係る表示装置３０の構成の一例を示す断面図である。
表示装置３０は、酸化物層２４（図２参照）に代えて、酸化物層３４を備える。なお、第３の実施形態において、第２の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。
（酸化物層）
　酸化物層３４は、溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に設けられている。酸化物層３４は、第１の電極３４Ａと分離部３４Ｂとを備える。
　第１の電極３４Ａは、第３の酸化物を含む。第３の酸化物は、第１の酸化物に対して第１の不純物（第１のイオン）および第２の不純物（第２のイオン）が添加された透明導電性酸化物であってもよい。第１の不純物は、添加により透明導電性酸化物を高抵抗化し、透明導電性酸化物を絶縁性酸化物に変化可能なものである。具体的には例えば、第１の不純物は、酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第２の不純物は、添加により絶縁性酸化物を低抵抗化し、絶縁性酸化物を透明導電性酸化物に変化可能なものである。具体的には例えば、第２の不純物は、水素（Ｈ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）およびセシウム（Ｃｓ）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。第１の電極３４Ａは、上記以外の点においては、第１の実施形態における第１の電極１４Ａと同様である。
　分離部３４Ｂは、凹部である。当該凹部は、第２の実施形態における分離部２４Ｂの凹部２４Ｂ１と同様である。
［３．２　表示装置の製造方法］
　以下、図７Ａ、図１０Ａ～図１０Ｃ、図１１Ａ～図１１Ｃを参照して、本開示の第３の実施形態に係る表示装置３０の製造方法の一例について説明する。
　まず、透明導電性酸化物層２４Ｃの形成までの工程を第２の実施形態に係る表示装置２０の製造方法と同様に実施する。これにより、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄの形状に倣うように、複数の反射層１３の第１の面上に透明導電性酸化物層２４Ｃが形成される（図７Ａ参照）。
　次に、透明導電性酸化物層２４Ｃにイオンを注入する（図１０Ａ参照）。これにより、透明導電性酸化物層２４Ｃが高抵抗化し、絶縁性酸化物層３４Ｃとなる（図１０Ｂ参照）。注入する第１のイオンとしては、例えば酸素（Ｏ）、硫黄（Ｓ）および窒素（Ｎ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。
　次に、例えばＣＶＤ法により、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内、および複数の反射層１３の第１の面上に絶縁層を形成する。次に、例えばエッチバック法またはＣＭＰ法により、各反射層１３の第１の面上に形成された絶縁層を除去する。これにより、隣接する反射層１３の間の溝１３Ｄ内に絶縁部１３Ｃが形成される（図１０Ｃ参照）。
　次に、上述のようにして得られた積層体の第１の面（絶縁性酸化物層３４Ｃおよび絶縁部１３Ｃが形成されている側の面）にイオンを注入する（図１１Ａ参照）。これにより、絶縁性酸化物層３４Ｃのうち、各第１の電極３４Ａの第１の面を覆っている第１の部分にはイオンが注入され、当該第１の部分は低抵抗化され、透明導電性酸化物層となる。一方、絶縁性酸化物層３４Ｃのうち、溝１３Ｄ内に設けられている第２の部分にはイオンされず、当該第２の部分は絶縁性酸化物層３４Ｃから変化しない。したがって、複数の第１の電極３４Ａと分離部３４Ｂとを備える酸化物層３４が形成される（図１１Ｂ参照）。注入する第２のイオンとしては、例えば水素（Ｈ）、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）およびセシウム（Ｃｓ）からなる群より選ばれた少なくとも１種が用いられる。
　次に、例えば蒸着法により、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を酸化物層３４の第１の面上にこの順序で積層することにより、有機層１５を形成する（図１１Ｃ参照）。
　これ以降の工程を第１の実施形態の表示装置１０の製造方法と同様に実施する。以上により、図９に示す表示装置３０が得られる。
［３．３　作用効果］
　上述したように、第３の実施形態に係る表示装置３０は、酸化物層３４を備え、当該酸化物層３４は、複数の第１の電極１４Ａと分離部３４Ｂとを備える。したがって、第１の実施形態に係る表示装置１０と同様の作用効果を得ることができる。
＜４　変形例＞
（変形例１）
　第２の実施形態では、酸化物層２４が有する凹部２４Ｂ１内に絶縁部１３Ｃが設けられている例（図６参照）について説明したが、図１２に示すように、凹部２４Ｂ１内に絶縁部１３Ｃが設けられていなくてもよい。この場合、有機層１５および第２の電極１６が凹部２４Ｂ１の形状に倣うように設けられ、保護層１７が凹部２４Ｂ１を埋めていてもよい。あるいは、有機層１５が凹部２４Ｂ１の形状に倣うように設けられ、第２の電極１６が凹部２４Ｂ１を埋めていてもよい。
　第３の実施形態においても同様に、凹部である分離部３４Ｂ内に絶縁部１３Ｃが設けられていなくてもよい。この場合、有機層１５および第２の電極１６が分離部３４Ｂの形状に倣うように設けられ、保護層１７が分離部３４Ｂを埋めていてもよい。あるいは、有機層１５が分離部３４Ｂの形状に倣うように設けられ、第２の電極１６が分離部３４Ｂを埋めていてもよい。
（変形例２）
　第１～第３の実施形態では、本開示を表示装置に適用した例について説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、表示装置以外の発光装置に適用することは可能である。表示装置以外の発光装置の例としては、照明装置が挙げられるが、これに限定されるものではない。この場合、照明装置等の発光装置が備える発光素子の数は、複数であってもよいし、単数であってもよい。
＜　５　応用例＞
（電子機器）
　上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置１０、２０、３０は、各種の電子機器に用いることが可能である。表示装置１０、２０、３０は、例えば、図１３に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、駆動基板１１Ａの一方の短辺側に、対向基板１１Ｂ等により覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されている。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）２２０が接続されていてもよい。
（具体例１）
　図１４Ａ、図１４Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５としては、表示装置１０、２０、３０のいずれかを用いることができる。
（具体例２）
　図１５は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１としては、表示装置１０、２０、３０のいずれかを用いることができる。
（具体例３）
　図１６は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１０、２０、３０のいずれかにより構成されている。
　以上、本開示の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　上述の第１～第３の実施形態およびそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　複数の第１の電極と、隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
　前記酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
　前記酸化物層と前記第２の電極との間に設けられた有機発光層と
　を備える表示装置。
（２）
　前記酸化物層の他方の面に対向する複数の反射層をさらに備え、
　複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に対向している（１）に記載の表示装置。
（３）
　複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に隣接している（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記反射層は、前記第１の電極を間に挟んで前記有機発光層と対向する主面を有し、
　前記分離部は、前記主面に対して凹状の凹部を有し、
　隣接する前記反射層の間に溝が設けられ、前記凹部は前記溝内に設けられている（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）
　前記分離部は、前記主面の周縁部を覆う被覆部をさらに有する（４）に記載の表示装置。
（６）
　前記溝は、前記反射層の厚さ以上の深さを有する（４）または（５）に記載の表示装置。
（７）
　前記凹部内に設けられた絶縁部をさらに備える（４）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（８）
　前記有機発光層は、前記凹部に倣っている（４）から（６）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
　前記酸化物層と複数の前記反射層との間に設けられた絶縁層をさらに備える（２）に記載の表示装置。
（１０）
　前記分離部の電気抵抗は、前記第１の電極の電気抵抗に比べて高い（１）から（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
　前記分離部は、絶縁部である（１）から（１０）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）
　前記第１の電極は、透明導電性酸化物を含む（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１３）
　前記透明導電性酸化物は、インジウムを含む透明導電性酸化物、錫を含む透明導電性酸化物および亜鉛を含む透明導電性酸化物からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む（１２）に記載の表示装置。
（１４）
　前記第１の電極は、透明電極である（１）から（１３）のいずれかに記載の表示装置。
（１５）
　前記第１の電極は、透明導電性酸化物を含み、
　前記分離部は、絶縁性酸化物を含む（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１６）
　前記第１の電極は、第１の酸化物を含み、
　前記分離部は、前記第１の酸化物に不純物が添加された第２の酸化物を含む（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１７）
　前記第１の電極は、第１の酸化物を含み、
　前記分離部は、第２の酸化物を含み、
　前記第１の酸化物と前記第２の酸化物との組成比が異なる（１）から（１１）のいずれかに記載の表示装置。
（１８）
　前記第１の電極の結晶性は、前記分離部の結晶性に比べて高い（１）から（１７）のいずれかに記載の表示装置。
（１９）
　複数の第１の電極と、隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
　前記酸化物層に対向する第２の電極と、
　前記酸化物層と前記第２の電極の間に設けられた有機発光層と
　を備える発光装置。
（２０）
　（１）から（１９）のいずれかに記載の表示装置を備える電子機器。
　１０、２０、３０　表示装置（発光装置）
　１０Ａ　　発光素子
　１１Ａ　　駆動基板
　１１Ｂ　　対向基板
　１２Ａ　　第１の絶縁層
　１２Ａ　　第２の絶縁層
　１３　　反射層
　１３Ａ　　第１の金属層
　１３Ｂ　　第２の金属層
　１３Ｃ　　絶縁部
　１３Ｄ　　溝
　１４、２４、３４　　酸化物層
　１４Ａ、３４Ａ　　第１の電極
　１４Ｂ、２４Ｂ、３４Ｂ　　分離部
　２４Ｂ１　　凹部
　２４Ｂ２　　被覆部
　１５　　有機層
　１６　　第２の電極
　１７　　保護層
　１８　　カラーフィルタ
　１９　　充填樹脂層
　１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ　　サブ画素
　１１０Ａ　　表示領域
　１１０Ｂ　　周辺領域
　１１１　　信号線駆動回路
　１１１Ａ　　信号線
　１１２　　走査線駆動回路
　１１２Ａ　　走査線
　３１０　　デジタルスチルカメラ（電子機器）
　３２０　　ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
　３３０　　テレビジョン装置（電子機器）

Claims (20)

  1. 　複数の第１の電極と、隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
    　前記酸化物層の一方の面に対向する第２の電極と、
    　前記酸化物層と前記第２の電極との間に設けられた有機発光層と
    　を備える表示装置。
  2. 　前記酸化物層の他方の面に対向する複数の反射層をさらに備え、
    　複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に対向している請求項１に記載の表示装置。
  3. 　複数の前記反射層はそれぞれ、複数の前記第１の電極に隣接している請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記反射層は、前記第１の電極を間に挟んで前記有機発光層と対向する主面を有し、
    　前記分離部は、前記主面に対して凹状の凹部を有し、
    　隣接する前記反射層の間に溝が設けられ、前記凹部は前記溝内に設けられている請求項２に記載の表示装置。
  5. 　前記分離部は、前記主面の周縁部を覆う被覆部をさらに有する請求項４に記載の表示装置。
  6. 　前記溝は、前記反射層の厚さ以上の深さを有する請求項４に記載の表示装置。
  7. 　前記凹部内に設けられた絶縁部をさらに備える請求項４に記載の表示装置。
  8. 　前記有機発光層は、前記凹部に倣っている請求項４に記載の表示装置。
  9. 　前記酸化物層と複数の前記反射層との間に設けられた絶縁層をさらに備える請求項２に記載の表示装置。
  10. 　前記分離部の電気抵抗は、前記第１の電極の電気抵抗に比べて高い請求項１に記載の表示装置。
  11. 　前記分離部は、絶縁部である請求項１に記載の表示装置。
  12. 　前記第１の電極は、透明導電性酸化物を含む請求項１に記載の表示装置。
  13. 　前記透明導電性酸化物は、インジウムを含む透明導電性酸化物、錫を含む透明導電性酸化物および亜鉛を含む透明導電性酸化物からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む請求項１２に記載の表示装置。
  14. 　前記第１の電極は、透明電極である請求項１に記載の表示装置。
  15. 　前記第１の電極は、透明導電性酸化物を含み、
    　前記分離部は、絶縁性酸化物を含む請求項１に記載の表示装置。
  16. 　前記第１の電極は、第１の酸化物を含み、
    　前記分離部は、前記第１の酸化物に不純物が添加された第２の酸化物を含む請求項１に記載の表示装置。
  17. 　前記第１の電極は、第１の酸化物を含み、
    　前記分離部は、第２の酸化物を含み、
    　前記第１の酸化物と前記第２の酸化物との組成比が異なる請求項１に記載の表示装置。
  18. 　前記第１の電極の結晶性は、前記分離部の結晶性に比べて高い請求項１に記載の表示装置。
  19. 　複数の第１の電極と、隣接する前記第１の電極の間を電気的に分離する分離部とを備える酸化物層と、
    　前記酸化物層に対向する第２の電極と、
    　前記酸化物層と前記第２の電極の間に設けられた有機発光層と
    　を備える発光装置。
  20. 　請求項１に記載の表示装置を備える電子機器。
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