JP2017146374A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】反射層43は、表示領域16内で画素ごとに行方向(X方向)および列方向(Y方向)に所定の間隔で配置すると共に、表示領域16の周囲の周辺領域18においても表示領域16に続いて行方向(X方向)および列方向(Y方向)に同様に所定の間隔で配置する。第1電極E1と第1光路調整層60aおよび第2光路調整層60bは、表示領域16内で画素ごとに配置すると共に、周辺領域18においても反射層43のそれぞれに対応して配置し、反射層43のそれぞれは、周辺領域18内にて一部で連結し、陰極電位の第2電極E2に電気的に接続する。
【選択図】図4
Description
図3は、第1領域12の平面図である。図3から理解される通り、第1領域12は、表示領域16と周辺領域18とに区分される。上述したように、表示領域16には、表示画素PEが行列状に配置される。表示領域16においては、各画素PEの駆動により実際に画像が表示される。周辺領域18には、各画素PEに構造は類似するが実際には画像の表示に寄与しないダミー画素PDが配置される。図4および図5は、図3に示す領域αを拡大した平面図であり、一部を破断線を用いて省略している。図5は、理解を容易にするために、図4からエッチング停止層を除いた図である。
また、図10は、図4におけるV−V’線を含む断面に対応した断面図である。図11は、図4におけるVI−VI’線を含む断面に対応した断面図である。図12は、図4におけるVII−VII’線を含む断面に対応した断面図である。図13は、図4におけるVIII−VIII’線を含む断面に対応した断面図である。
能動領域にはイオンが注入される。表示画素PEおよびダミー画素PDの各トランジスターT(TDR,TEL,TSL)のアクティブ層はソース領域とドレイン領域との間に存在し、能動領域とは別種類のイオンが注入される。
能動領域が形成された基板10の表面はゲート絶縁膜で被覆され、各トランジスターTのゲートG(GDR,GEL,GSL)が絶縁膜の面上に形成される。各トランジスターTのゲートGは、絶縁膜を挟んでアクティブ層に対向する。
但し、列方向(Y方向)においては間隙は形成されておらず、反射層43は、図4の領域R1で示すように連結されている。周辺領域18における反射層43の連結した状態は、図10ないし図13からも理解され得る。
本実施形態では、周辺領域18における反射層43は、第3の導電層としての第2電極E2と電気的に接続される。つまり、周辺領域18における反射層43は、陰極電位と同電位に設定される。
ストッパー層44は、周辺領域18における反射層43の連結された部分に対応する位置では、図10ないし図13に示すように、表示領域16のような凹部は形成されない。しかし、図4に示すX−X’線を含む部分では、表示領域16と同様に凹部が形成され、当該凹部には埋め込み酸化層51が埋め込まれる。
なお、以上の説明では表示領域16に着目したが、周辺領域18内の各ダミー画素PDについても表示領域16内と同様の構成の第1光路調整層60aおよび第2光路調整層60bが形成される。
本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に述べる各種の変形が可能である。また、各実施形態及び各変形例を適宜組み合わせてもよいことは勿論である。
この発明は、各種の電子機器に利用され得る。図14ないし図16は、この発明の適用対象となる電子機器の具体的な形態を例示するものである。
Claims (6)
- 表示領域と、前記表示領域の周囲の領域である周辺領域と、の両方の領域に配列された光反射性の第1の導電層と、
前記表示領域と前記周辺領域との両方の領域に、前記第1の導電層と重なるように電極が配列された第2の導電層と、
前記第2の導電層と重なるように配置された第3の導電層と、
前記第1の導電層と前記第2の導電層との間に配置された絶縁層と、
前記第2の導電層と前記第3の導電層との間に配置された発光機能層と、を備え、
前記周辺領域に配置された前記第1の導電層は、前記第1の導電層と同じ層に配置された接続部で互いに電気的に接続され、前記周辺領域に配置された第1の導電層には陰極電位または接地電位が印加されている、
ことを特徴とする電気光学装置。 - 前記周辺領域に配置された前記第2の導電層は、前記周辺領域の少なくとも一部の前記発光機能層が形成されない部分で前記第3の導電層と電気的に接続され、
前記第3の導電層は、前記表示領域と重なる部分に陰極電位が印加され、前記周辺領域に配置された前記第1の導電層と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - 接地電位が印加された第4の導電層をさらに備え、当該第4の導電層は、前記周辺領域に配置された前記第1の導電層と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 - 前記絶縁層と前記第3の導電層との間には、エッチング停止層を備え、
前記エッチング停止層は、前記の絶縁層の端部と平面視において重なる、
ことを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか一に記載の電気光学装置。 - 表示領域と、前記表示領域の周囲の領域である周辺領域と、の両方の領域に光反射性の電極である第1の導電層を配列する工程と、
前記第1の導電層に絶縁層を形成する工程と、
前記表示領域と前記周辺領域との両方の領域に、前記第1の導電層と重なるように第2の導電層を配列する工程と、
前記第2の導電層に発光機能層を形成する工程と、
前記第2の導電層と重なるように第3の導電層を形成る工程と、を備え、
前記周辺領域に配置された前記第1の導電層は、前記第1の導電層と同じ層に配置された接続部で互いに電気的に接続し、陰極電位または接地電位の供給部と電気的に接続されている、
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項1から請求項4の何れかの電気発光装置を具備する電子機器。
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