JP2007164161A - 表示装置及びカメラ - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置の額縁面積を大きくすることなく、有機ＥＬ層の熱劣化を防止し、表示装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】表示装置は、基板上に、表示領域６、回路及び配線領域３、画素回路用電力供給線１、コンタクトホール２、外部接続端子５、接着領域４を有する。表示領域６には、ＥＬ素子及び画素回路がマトリクス状に配置される。コンタクトホール２は、ＥＬ素子の出力に接続された透明電極と共通電位線を接続させる。外部接続端子５には、映像信号、制御信号、電力が外部より供給される。コンタクトホール２及び共通電位線は、表示領域６の周囲を囲んで配置される。画素回路用電力供給線１は、外部接続端子５より電力が供給される。電力供給線１は、表示装置の外部接続端子５が配置される側で、表示領域６に対してコンタクトホール２及び共通電位線よりも外側に配置される。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板上に、発光素子と前記発光素子に流す電流を制御する素子制御回路とを備えた構成要素が複数個配置された表示領域を有する表示装置及びカメラに係わる。そして本発明は、特に電流を流して発光するエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子をマトリクス状に配置した表示装置に好適に用いられるものである。

近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置がＣＲＴ（Cathode Ray Tube）やＬＣＤ（liquid crystal Display）に替わる表示装置として注目されている。その中でも、素子に流れる電流によって発光輝度が制御される電流制御型の発光素子である有機ＥＬ素子の応用開発が活発に行われている。とくに、周辺回路を含んだ有機ＥＬ表示装置では、表示領域に限らず、周辺回路においても薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が用いられている。

有機ＥＬ表示パネルでは、ＥＬ素子に水分が進入してしまうと、その画素が滅点欠陥となる。それだけでなく、画素に進入した水分が隣接する画素に次々と影響して非発光領域となるダークスポットが増え、最終的に１つのパネルすべてが表示できなくなる。このため、ＥＬ素子と外気及び水分の遮断が求められている。例えば特許文献１には、無機材料から成る水分遮断構造物で平面的に画素領域を取り囲んで、水分を遮断する技術が開示されている。

また、有機ＥＬ素子を構成している発光材料や正孔注入材料及び電子注入材料である有機固体は熱により分解したり、結晶化したりすることで有機ＥＬ素子の性能劣化を招いてしまう。したがって、信頼性の高い有機ＥＬ素子や有機ＥＬデバイスを得るためには有機固体を熱による性能劣化から防ぐ必要がある。特許文献２には、有機ＥＬ素子の損傷を受けることを防止すると共に、また放熱性を向上して、温度上昇による素子特性の劣化を防止することを目的として、有機ＥＬ素子のカソード層と乾燥剤との間に熱伝導性スペーサを設ける構成が開示されている。

表示装置の外部接続端子が配置される辺においては、電流が集中するためにジュール発熱が問題となる。配線の抵抗や、コンタクトホールがあるときにはそこでの接触抵抗などが発熱の原因である。

表示領域近くにコンタクトホールや大電流の流れる配線があると、その周りが局所的に加熱され、有機ＥＬ素子の劣化が早まる。表示装置の一部が他の部分と比べて劣化が早まると、輝度ムラや色ムラとなって顕著に目に見えてしまう。
特開２００５−１５８２９２号公報 特開２００４−０４７４５８号公報

本発明は、表示装置の額縁面積を大きくすることなく、有機ＥＬ層の熱劣化を防止し、表示装置の信頼性を向上させることを課題とする。

本発明の表示装置は、基板上に、発光素子及び前記発光素子に流す電流を制御する素子制御回路が行方向及び列方向に配列して設けられた表示領域を有し、
前記発光素子は前記基板に対して下層の第１電極と上層の第２電極との間に設けられ、
前記第１電極は、各々の発光素子について設けられ、該発光素子の前記素子制御回路に接続された電極であり、
前記第２電極は全発光素子に共通の電極であり、前記表示領域の周囲に延長して配置され、
前記表示領域の辺に沿って配置され、前記表示領域に設けられた電力線を介して前記素子制御回路に電力を供給する第１配線と、
前記表示領域の辺に沿って配置され、絶縁層を挟んで延長された前記第２電極と重なる領域で前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを介して前記延長された第２電極に接続されている第２配線と、
前記表示領域のいずれかの辺に前記第１配線と前記第２配線を挟んで対向して配置され、前記第１配線と前記第２配線にそれぞれ接続された外部接続端子と、を含む表示装置であって、
前記第１配線は、前記外部接続端子が配置される辺で、前記第２配線よりも前記表示領域に対して外側に配置されることを特徴とする。

本発明によれば、装置の額縁面積を大きくすることなく、発光素子の熱劣化を防止し、装置の信頼性を向上させることができる。

以下、本発明に係る表示装置を実施するための最良の形態について、図面を参照して具体的に説明する。

本実施形態の表示装置において、発光素子は下層の第１電極と上層の第２電極との間に設けられる素子であればよく、特に有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等の電流駆動型発光素子が好適に用いられる。

電流駆動型発光素子とスイッチ素子とを組み合わせた構成要素を一次元状又は二次元状（行方向及び列方向）に配列して表示装置を構成することができる。

表示装置としては、画像情報を表示する線状表示装置，アクティブマトリクス型表示装置等がある。画像情報を示す線状表示装置はスキャナとして感光体と組み合わせて光プリンタ、複写機等の画像記録装置を構成することができる。アクティブマトリクス型表示装置は平面型テレビ、デジタルカメラ，デジタルビデオカメラ等に用いられるビューア、携帯電話機の表示部等に用いることができる。

素子制御回路は上記電流駆動型の発光素子に流す電流を制御する回路であり、最も簡単な構成は１つのトランジスタである。後述する実施形態においては、素子制御回路は発光素子に電流を流すトランジスタの制御電極（ゲート等）に予め流す電流値をプログラミングする回路構成となっている。そして、発光素子に電流を流すトランジスタと、その制御電極（ゲート等）に電流を書き込むためのトランジスタとを含んでいる。

本実施の好適な形態は、入力された電流により発光輝度が制御される電流駆動型発光素子となるＥＬ素子を用いたアクティブマトリクス型表示装置に適用される。すなわち、この表示装置は、ＥＬ素子と、ＥＬ素子に入力される電流を制御するためのＴＦＴ素子から構成された画素回路（素子制御回路となる）とを含む画素（セル）が行方向及び列方向に（マトリクス状に）配列された表示領域を有する。また、表示領域の外側に配置される周辺回路として、各列の画素毎に配置され、画素回路に入力される電流を制御するデータ信号をデータ線に出力する列制御回路と、画素回路に入力される走査信号を走査線に出力する走査線駆動回路（コラムシフトレジスタ及びロウシフトレジスタ）と、を有する。

また、表示領域及び周辺回路に対して映像信号や制御信号、電力等を外部より供給するための外部接続端子と、各画素のＥＬ素子と接続された透明導電材から成る透明電極（第２電極となる）と、を有する。また、画素回路に電力を供給する画素回路用電力供給線（第１配線となる）と、画素回路の共通電位線（第２配線となる）と、周辺回路内のデジタル回路に電力を供給するデジタル回路用電力供給線とを有する。ＥＬ素子は基板に対して下層の第１電極となる画素電極と上層の第２電極となる透明電極の間に設けられる。

このうち、画素回路用電力供給線、及び共通電位線、デジタル回路用電力供給線は、外部接続端子に接続される。共通電位線は、コンタクトホールを介して透明電極と接続される。コンタクトホール及び共通電位線は、表示領域を囲むように配置される。透明電極は、表示領域及びコンタクトホールを覆うように形成される。

以下、さらに本発明について実施例に基づいてより詳細に説明する。

本実施例の表示装置について、図１〜図３を参照して説明する。

図１は、本実施例の表示装置の概略図である。

基板１１の上に、ＥＬ素子及び素子制御回路となる画素回路（後述の図２参照）からなる画素（単位画素）が行方向及び列方向に（Ｘ−Ｙマトリクス状に）複数配列され、矩形状の外形をもつ表示領域６を形成している。

表示領域６の外側には、各列の画素毎に画素回路に入力される電流を制御する列制御回路、コラムシフトレジスタ、ロウシフトレジスタ等の周辺回路及び配線（後述参照）が配置される周辺領域（回路及び配線領域）３が形成される。

周辺領域３にはまた、外部の定電圧源（不図示）に接続されて、表示領域６に電流を供給する画素回路用電力供給線１と、電流を回収する共通電位線２１が配置される。これらの電源供給のための配線は、ＥＬ素子に流れる全電流が集中するため、幅広いパターンで形成される。また、シート抵抗も低くなければならないので、画素回路と周辺回路のＴＦＴのソース電極とドレイン電極、もしくはゲート電極と同じ金属で、それらと同時に成膜されパターンニングされる。

ＥＬ素子は画素回路の上に画素回路から絶縁されて形成される。そのため、ＥＬ素子の上下２枚の電極は、画素回路と周辺回路を覆う絶縁膜（後述する平坦化膜２８、図１では不図示）の上に形成されて、それらの回路から絶縁されている。

画素回路用電力供給線１からは、表示領域６内に複数本の電源線９が延びていて、各画素回路に電流を供給する。画素回路を経てＥＬ素子に流れた電流は、ＥＬ素子の陰極に流れ出る。陰極は、全画素に共通の基準電位が維持されるように、表示領域全体を覆う連続の導電膜２４（図１では一点鎖線の矩形で表されている）で形成される。光が基板上方に発射されるトップエミッション型のＥＬ装置では、陰極は透明な導電膜２４で形成される。

陰極の導電膜２４は表示領域６の外側の周辺領域３にも延長して形成されて、周辺領域３で共通電位線２１と重なっている。陰極と共通電位線２１が重なった領域で、絶縁膜すなわち平坦化膜２８にコンタクトホール２が開けられ、陰極と共通電位線２１が接触して接続される。コンタクトホール２は共通電位線２１より少し狭い幅で、共通電位線２１とともに矩形状の表示領域６の外形に沿ってその全周を囲んで配置される。

周辺領域３のさらに外側には、映像信号や制御信号、電力が外部より供給される外部接続端子５と、封止基板を固着させる接着領域４とが配置される。

外部接続端子５は、図１の例では、表示領域６の下辺外側の中央に設けられている。画素回路用電力供給線１は、引き出し配線８ａによって外部接続端子５と接続される。共通電位線２１は、２本の引き出し配線８ｂによって外部接続端子５と接続される。画素回路用電力供給線１と共通電位線２１とは、外部接続端子５よりそれぞれ一定の電圧が供給される。外部接続端子５は表示領域６の辺に、画素回路用電力供給線１と共通電位線２１とを挟んで対向配置される。

画素回路用電力供給線１は、表示領域６の下辺で引き出し線８ａを介して外部接続端子５に連続している。画素回路用電力供給線１は、外部接続端子５が共通電位線２１の周縁に達するところから始まって、左右２つの分岐が、表示領域６から見て共通電位線２１の外側を逆向きに延びる。下辺の左右両端に達すると、そこからは共通電位線２１の内側に入り、表示領域６の下辺に隣接する辺、すなわち左辺及び右辺に沿って縦方向に延びる。このように、画素回路用電力供給線１は、分岐部を挟んで、表示領域６の下辺外側の左側半分から左辺外側に位置する配線部分と、下辺外側の右側半分から右辺外側に位置する配線部分とが互いに線対称になるように配置される構造となっている。

表示領域６の行ごとに設けられた複数の電力線９は、表示領域６の左右の辺で画素回路用電力供給線１に共通に接続される。ここでは、電力線９と画素回路用電力供給線１とは、はしご状に接続され、画素回路用電力供給線１はＵ字状になっている。

上述したように、画素回路用電力供給線１は、外部接続端子５が配置される下辺では、表示領域６に対してコンタクトホール２及び共通電位線２１よりも外側に配置される。

この配置では、下辺の画素回路用電力供給線１と共通電位線２１の引き出し配線部８ｂとに立体交差が生じる。立体交差箇所には、導電層となる下層配線１’（破線で囲まれた部分）とコンタクトホール７ａが設けられ、立体的に交差する。コンタクトホール７ａは、ＴＦＴのゲート絶縁膜と層間絶縁膜を貫通して開けられ、下層配線１’はゲート電極と同じ金属の配線である。

コンタクトホール７ａは、コンタクトホール２とは違って小さな面積なので、そこに接触抵抗があると発熱が局所的に生じる。これは周りの領域に局所的な温度上昇を生じて、それが表示領域に及ぶと、表示特性に異常となって現れる。
しかし、図１の配置ではコンタクトホール７ａは共通電位線２１によって表示領域６と隔てられている。その結果、コンタクトホール７ａの接触抵抗によって生じる局所的な発熱が表示領域に及んで、ＥＬ素子の発光特性が変化するのを防ぐことができる。

画素回路用電力供給線１は、外部接続端子５が配置されない左辺及び右辺では、コンタクトホール２及び共通電位線２１よりも内側に配置される。これは、表示領域６の電力線９を直接接続するためである。そのため、下辺左右の端（コーナー）に生じる画素回路用電力供給線１と共通電位線２１との立体交差箇所にもコンタクトホール７ｂを設けなければならないが、これは左右２ヶ所に分離されているので、表示領域６への影響も小さくてすむ。立体交差箇所には、導電層となる下層配線（破線で囲まれた部分）とコンタクトホール７ｂが設けられ、立体的に交差する。コンタクトホール７ｂは、ＴＦＴのゲート絶縁膜と層間絶縁膜を貫通して開けられ、下層配線はゲート電極と同じ金属の配線である。

図１では、電力供給線１の引き出し配線８ａが単線で、その両側に共通電位線２１の引き出し配線８ｂが２本配置されている。共通電位線２１の引き出し配線８ｂを電力供給線１の引き出し配線８ａの片側に１本だけ設けてもよい。その場合、コンタクトホール７ａは２つだけになり、発熱もその分軽減される。

なお、表示領域６と共通電位線２１の間には、コラムシフトレジスタ、ロウシフトレジスタなどの周辺領域３内のデジタル回路に対し、電力を供給するデジタル回路用電力供給線が配置される。デジタル回路用電力供給線等の配線は、外部接続端子５に接続される。

その他、表示領域６と共通電位線２１の間には、外部接続端子５を介して外部から入力される映像信号を列制御回路に伝送する映像信号用配線、おなじく外部から入力される各種制御信号を周辺回路に伝送する制御用信号配線が配置される。また、外部から入力される信号のレベルを異なるレベルに変換して出力する入力回路等の回路及び配線も配置される。

入力回路には、外部接続端子５から入力された制御信号を表示装置の動作電圧レベルに変化させるものも含まれる。例えば、外部より水平走査制御信号を入力する入力回路、外部より垂直走査制御信号を入力する入力回路等が含まれる。外部接続端子５から入力された制御信号を表示装置の動作電圧レベルに変化させる回路は、表示領域の外部接続端子が配置される辺で、共通電位線２１（第２配線）と表示領域との間に設けられることが望ましい。なお、図中の外部接続端子５に接続される配線は、画素回路用電力供給線１に接続される配線以外は全て省略している。
図２にＥＬ素子を含む電流設定方式の画素回路（素子制御回路となる）を示す。図２の例では、Ｐ１及びＰ２がロウシフトレジスタから供給される走査信号であり、列制御回路により映像信号の電圧値に応じて電流値に変換されたデータ信号として電流データ（Ｉｄａｔａ）が入力される。ＥＬ素子の陽極（アノード）はＴＦＴ（Ｍ４）のドレイン端子に接続されており、陰極（カソード）は接地電位ＣＧＮＤに接続されている。また、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ４がＰ型ＴＦＴであり、Ｍ３がＮ型ＴＦＴである。ＴＦＴ Ｍ１のソース端子が電源電位ＶＣＣに接続されている。図２の例では、接地電位ＣＧＮＤの配線が共通電位線に接続され、電源電位ＶＣＣの配線が画素回路用電力供給線１に接続される。以下、回路動作の概要を説明する。

まず、Ｉｄａｔａが入力される時は、走査信号Ｐ１としてＨｉｇｈレベルの信号が、走査信号Ｐ２としてＬｏｗレベルの信号が入力され、ＴＦＴ Ｍ２、Ｍ３がＯＮ、ＴＦＴ Ｍ４がＯＦＦとなる。このとき、ＴＦＴ Ｍ４は導通状態ではないため、ＥＬ素子には電流が流れない。よって、ＥＬ素子は発光しない。この間、ＩｄａｔａによりＴＦＴ Ｍ１の電流駆動能力に応じた電圧が、ＴＦＴ Ｍ１のゲート端子と電源電位ＶＣＣの間に配置された容量Ｃ１に生じる。

次いで、ＥＬ素子に電流を供給する時は、走査信号Ｐ１としてＬｏｗレベルの信号、走査信号Ｐ２としてＨｉｇｈレベルの信号が入力され、ＴＦＴ Ｍ４がＯＮ、ＴＦＴ Ｍ２、Ｍ３がＯＦＦとなる。このとき、ＴＦＴ Ｍ４は導通状態であるため、容量Ｃ１に生じた電圧により、ＴＦＴ Ｍ１の電流駆動能力に応じた電流がＥＬ素子に供給される。よって、ＥＬ素子がその供給された電流に応じた輝度で発光する。
なお、本実施例では、画素回路としては図２の構成を一例に挙げたが、これに限るものではなく、その他の電流設定方式の画素回路や電圧設定方式の画素回路も適用できる。

図３は、図１中のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図３において、表示領域６側の基板１１上に、ＴＦＴの活性層（チャネル層）を形成するポリシリコン等の半導体薄膜１２が形成される。その上面に、ＴＦＴのゲート絶縁膜を形成する層間絶縁膜１３、ゲート電極１４、ドレイン電極１５、ソース電極１６が形成される。これにより、画素回路のＴＦＴ素子が形成されている（図３の例ではＴＦＴ素子は１つ例示されている）。

本実施例では、画素回路のＴＦＴ素子が形成された基板１１側からでなく、基板１１と反対側からＥＬ素子の発光を取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例にしている。すなわち、画素回路の駆動ＴＦＴの出力に、ＥＬ素子を挟む一方の電極であり、光の反射層を兼ねた画素電極（第１電極）２２が接続される。この画素電極２２の上には、順に、ＥＬ素子を形成する有機層２３と、ＥＬ素子を挟む他方の電極（第２電極）であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材からなる導電膜２４とが形成される。

導電膜２４の上面には、ＥＬ素子を保護するためのパッシベーション膜２５が設けられる。透明電極２４は、コンタクトホール２の開けられた領域（エリア）で、画素電極２２と同じ材料で形成されたメタル層２９を介して共通電位線２１に接続される。また、コンタクトホール２の両端に周辺領域３が分割して配置される。また、表示領域６と共通電位線２１の間の領域には、分割された周辺領域３の一方に配置される周辺回路及びこの周辺回路に電力を供給する電源線を含む配線３１と、画素電極２２表面の平坦化のための絶縁膜（絶縁層）２８と、素子分離膜２６とが形成される。

有機ＥＬ表示装置において、ＥＬ素子は水分に弱く、水分侵入によりＥＬ素子の劣化を招く。外部の水分の侵入からＥＬ素子を保護する必要があるため、パッシベーション膜２５は表示領域６全域に覆われる。このパッシベーション膜２５をある所定の厚さで形成することにより、表示領域６は、図３中で縦の向きに対する水分侵入を遮断することができる。

次に、図３中の横の向きに対する水分侵入からＥＬ素子を保護する手段について、以下に述べる。図３に示すように、共通電位線２１と透明電極２４は、コンタクトホール２と画素電極２２と同じ材料のメタル層２９を介して接続される。図１に示したように、コンタクトホール２で表示領域６の周囲を囲むことによって、コンタクトホール２とメタル層２９により、平坦化絶縁膜（絶縁層）２８が分断され、平坦化絶縁膜２８を通って横方向から侵入する水分が遮断される。このようにして表示領域６への水分浸入が遮断される。

また、前述したように完全に外部からの水分を遮断するには、コンタクトホール２上でパッシベーション膜２５はある所定の厚さで形成することが求められる。パッシベーション膜２５は、その形成プロセス上、パッシベーション膜２５の端の厚さは薄く、端から徐々に厚くなってくる。よって、コンタクトホール２で囲まれた領域と、コンタクトホール２上である所定の厚さにするためには、表示領域６から見てコンタクトホール２の外側にある所定の距離が求められる。このパッシベーション膜２５の厚さが薄い領域に、画素回路用電力供給線１が配置される。

一方、有機層２３を形成する際に、表示領域６とコンタクトホール２との間の距離にマージン領域３０を確保することが求められる。このマージン領域３０は、有機層２３の形成プロセスの上で確保が求められる領域である。表示装置の額縁面積を大きくしないためには、マージン領域３０の幅をプロセスルールの最小値に固定することが望ましい。このマージン領域３０に、前述した周辺回路及び配線３１が配置される。

従って、上記構成により、本実施例では、次のような作用効果が得られる。

まず、外部接続端子５が配置される下辺側で、表示領域６に対して画素回路用電力供給線１を共通電位線２１より外側に配置されている。そのため、本実施例では、熱発生源である画素回路用電力供給線１のコンタクトホール７ａと表示領域６との距離が大きくなる。よって、有機ＥＬ素子にコンタクトホール７ａより発生した熱が伝わりにくくなり、有機ＥＬ素子の性能劣化を低減でき、表示装置の信頼性の向上が可能である。

また、外部接続端子５が配置される下辺の画素回路用電力供給線１には、表示領域６の左側と右側の画素回路に必要な電流が集中して流れるため、配線抵抗により熱を発生する。これは、陰極全体に分散して発熱する共通配線２１の発熱より大きい。表示領域６に対して内側に共通配線２１を配置し、外側に画素回路用電力供給線１を配置することによって、発熱が表示領域６の有機ＥＬ素子に及ぶ効果を低減できる。

本実施例の表示装置では、下辺すなわち外部接続端子５のある辺で、画素回路用電力供給線１を表示領域６に対して外側に配置することによって、表示領域６の下辺と共通配線２１との間に空き領域３０が形成される。この空き領域３０に、前述した消費電力の小さいデジタル回路用電力供給線、映像信号用配線、制御信号用配線などの配線３０と、入力回路が配置できる。

また、表示領域６下辺で、画素回路用電力供給源１は前述のパッシベーション膜２５が薄い領域に配置される。これはもともと必要な領域であるから、表示装置の額縁面積を大きくする要因にはならない。

また、本実施例では、図１に示すように表示領域６の左右の辺では、画素回路用電力供給線１は共通電位線２１内側に配置されているが、外側に配置する構成でも良い。このとき、コーナーでのコンタクトホール７ｂはなくすことができる。しかし、画素回路用電力供給線１と電力線９との分岐点では分岐点ごとにコンタクトホールを設けなければならない。この配置は、電力供給線１がソース/ドレイン電極と同じ金属配線で形成され、電力線９がゲート電極で形成される構成に適している。そのばあいは、もともと画素回路用電力供給線１と電力線９との分岐点ごとにコンタクトホールが必要なので、それが共通電位線の外側に配置されることになって、発熱の表示領域６への影響を軽減できる。

また、画素回路用電力供給線１と共通電位線２１の交差は、それらの配線よりも下層の配線を経由してもよいが、上層の配線層を経由してもよい。画素回路用電力供給線１と共通電位線２１がソース／ドレイン配線と同じ金属で形成されているときは、下層のゲート配線層を経由することもできるし、上層のＥＬ素子の陽極を形成する金属を交差配線としてもよい。

また、本実施例では、画素回路用電力供給線１は分岐部を挟んで、線対称になるように配置される構造を例示しているが、本発明はそれに限定されない。例えば画素回路用電力供給線１は外部接続端子５の端にあっても良い。

次に、本発明の第２の実施例について、図４を参照して説明する。

図４は、本実施例の表示装置の概略図である。

図４に示す表示装置は、共通電位線２１に連続する引き出し部８ｂが外部接続端子５の中央部分に接続され、その両側２箇所の外部接続端子に画素回路用電力供給線１の引き出し配線８ａが接続されている。

表示領域６の左辺と右辺とに配置される画素回路用電力供給線１は、表示領域６の電源線９を通して画素回路に電力を供給する。図４では２つの画素回路用電力供給線１は独立して画素回路に電力を供給するが、共通電位線２１の引き出し部８ｂの下層に配線を設け、図１のコンタクトホール７ａと同様の構造で交差配線を形成して互いに接続されていてもよい。その場合は、コンタクトホール７ａが設けられるが、その位置も共通配線の外側になるので、実施例１とおなじく、熱の影響が軽減される。

その他の構成については、前述の図１〜図３と同様である。

この表示装置でも、前述同様に、コンタクトホール７ｂ及び電力供給線自身の発する熱が表示領域に及ぶ影響を軽減しており、有機ＥＬ素子の熱による劣化を防ぐことができる。

表示領域６下辺で、表示領域６と共通電位線２１の間に空き領域３０が形成されることも実施例１と同様である。

（比較例）
図５は本発明の効果を比較するための例である。

図５の表示装置は、実施例１，２と異なり、表示領域６の下辺において、画素回路用電力供給線１が共通電位線２１よりも表示領域６に近く設けられている。その他は、実施例１及び図１と同じである。

図５の比較例においては、外部接続端子５のある表示領域６の辺（下辺）で、画素回路用電力供給線１は、コンタクトホール７ａと下層配線１’を介して外部接続端子５に接続されている。このときコンタクトホール７ａの一方は画素回路用電力供給線１の中に設けられるので、このコンタクト抵抗による発熱は、直接表示領域６に伝わり、表示領域の一部４２が加熱されて温度が上昇し、ＥＬ表示の特性が変化してしまう場合がある。

発生した熱の影響を受ける領域４２の有機ＥＬ素子の劣化は、他の領域の有機ＥＬ素子と比較して顕著に表れ、表示装置の信頼性の低下を招く。また、画素回路用電力供給線１には、全画素回路に供給される電流が流れるため、画素回路用電力供給線１自身の配線抵抗により熱を発生する。画素回路用電力供給線１が共通電位線２よりも内側に配置されているため、この発熱も直接表示領域に影響を及ぼす。これもＥＬ素子の部分的な劣化を早める。

以上の各実施例で述べたように、本発明の表示装置を用いることによって有機ＥＬ素子の熱による劣化を低減できる。また、表示領域６の大面積化や高精彩化が進むと、表示装置に供給される電力も増加するため、本発明の表示装置を用いることによって有機ＥＬ素子の熱による劣化を低減できる。

なお、上記の各実施例の表示装置では、有機ＥＬ素子を用いた例を挙げたが、これに限るものではなく、電流による局所的な発熱が生じ得る表示装置であれば本発明が適用できる。

上記の各実施例では、外部接続端子５を表示領域６の下辺に１つ設けている。しかし、本発明は必ずしもこれに限定されるものではなく、外部接続端子５を、表示領域の他の辺（例えば左辺又は右辺）に１つ設けた場合や、同じ辺に複数設けた場合、あるいは複数の辺に複数設けた場合等でも適用可能である。

また、上記の各実施例の表示装置では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を適用しているが、画素回路が形成された透明基板側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置でも適用可能である。この場合、基板に対して下層の第１電極となる画素電極は透明な導電膜が用いられる。上層の第２電極は透明電極であってもよいが、反射光を用いる場合にはアルミ等の金属の電極が用いられる。

また各実施例において、電力供給線から電流の制御を行う画素回路を構成するトランジスタを介してＥＬ素子に電流を流し、共通電位線を介して電流を流出するものとした。しかし、共通電位線からＥＬ素子に電流を流し、その電流を制御を行う画素回路を構成するトランジスタを介して電力供給線に電流を流してもよい。例えば、図２の画素回路において、トランジスタＭ１はここではＰＭＯＳトランジスタを用いている。しかし、ＮＭＯＳトランジスタを用い、ＥＬ素子の陰極（Ｋ）側をトランジスタＭ４に接続し、陽極（Ａ）側を電位ＶＣＣとされた共通電位線に接続し、トランジスタＭ１を接地された電力供給線に接続してもよい。

上述した実施例１及び実施例２の表示装置は情報表示装置を構成できる。この情報表示装置は携帯電話、携帯コンピュータ、スチルカメラもしくはビデオカメラ等、もしくはそれらの各機能の複数を実現する装置である。情報表示装置は情報入力部を備えている。例えば、携帯電話の場合には情報入力部はアンテナを含んで構成される。ＰＤＡや携帯パソコンの場合には情報入力部はネットワークに対するインターフェース部を含んで構成される。スチルカメラやムービーカメラの場合には情報入力部はＣＣＤやＣＭＯＳなどによるセンサ部を含んで構成される。

以下本発明の実施例として、上述した本実施例１又は２に記載の表示装置を用いたデジタルカメラについて説明する。

図６はデジタルスチルカメラの一例のブロック図である。図中、１２９はシステム全体、１２３は被写体を撮像する撮像部、１２４は映像信号処理回路（映像信号処理部）、１２５は表示パネル、１２６はメモリ、１２７はＣＰＵ、１２８は操作部を示す。撮像部１２３で撮影した映像又は、メモリ１２６に記録された映像を、映像信号処理回路１２４で信号処理し、表示パネル１２５で見ることができる。ＣＰＵ１２７では、操作部１２８からの入力によって、撮影部１２３、メモリ１２６、映像信号処理回路１２４などを制御して、状況に適した撮影、記録、再生、表示を行う。

本発明の表示装置は表示素子としては例えば有機ＥＬ素子に代表されるＥＬ素子（電流駆動型発光素子となる）を用いることができ、これらを用いて表示装置を構成することができる。

本発明の実施例１に係る表示装置を説明する図である。 ＥＬ素子を含んだ電流設定方式の画素回路の例である。 図１のＡ−Ａ’に沿った断面図である。 本発明の実施例２に係る表示装置を説明する図である。 本発明の比較例に係る表示装置を説明する図である。 デジタルスチルカメラの一例のブロック図である。

符号の説明

１ 画素回路用電力供給線
２ コンタクトホール
３ 周辺領域
４ 接着領域
５ 外部接続端子
６ 表示領域
７ａ コンタクトホール
８ａ，８ｂ 引き出し配線
９ 電源線
１１ 基板
２１ 共通電位線
２８ 絶縁膜（平坦化膜）
２４ 導電膜

Claims (7)

1. 基板上に、発光素子及び前記発光素子に流す電流を制御する素子制御回路が行方向及び列方向に配列して設けられた表示領域を有し、
   前記発光素子は前記基板に対して下層の第１電極と上層の第２電極との間に設けられ、
   前記第１電極は、各々の発光素子について設けられ、該発光素子の前記素子制御回路に接続された電極であり、
   前記第２電極は全発光素子に共通の電極であり、前記表示領域の周囲に延長して配置され、
   前記表示領域の辺に沿って配置され、前記表示領域に設けられた電力線を介して前記素子制御回路に電力を供給する第１配線と、
   前記表示領域の辺に沿って配置され、絶縁層を挟んで延長された前記第２電極と重なる領域で前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを介して前記延長された第２電極に接続されている第２配線と、
   前記表示領域のいずれかの辺に前記第１配線と前記第２配線を挟んで対向して配置され、前記第１配線と前記第２配線にそれぞれ接続された外部接続端子と、を含む表示装置であって、
   前記第１配線は、前記外部接続端子が配置される辺で、前記第２配線よりも前記表示領域に対して外側に配置されることを特徴とする表示装置。
2. 前記第１配線は、前記外部接続端子が配置される辺の端部で前記第２配線と立体交差し、前記電力線が接続される辺で、前記第２配線よりも表示領域に対して内側に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１配線と前記第２配線は、それぞれの引き出し配線によって前記外部接続端子に接続され、前記外部接続端子が配置される辺で、前記第１配線が前記第２配線の引き出し配線と立体交差していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１配線は、絶縁層を挟んで前記第２配線と絶縁された導電層に、前記絶縁層に開けられたコンタクトホールを通して接続されることにより、前記第２配線と立体交差することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記外部接続端子が配置される表示領域の辺で、前記第２配線と前記表示領域の間に、前記表示領域の周辺に配置される回路に電力を供給する電源線が配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記表示領域の前記外部接続端子が配置される辺で、前記第２配線と前記表示領域との間に、前記外部接続端子から入力された制御信号を前記表示装置の動作電圧を有する信号に変換する回路が配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の表示装置と、被写体を撮像する撮像部と、前記撮像部で撮像された信号を処理する映像信号処理部と、を備え、前記映像信号処理部で信号処理された映像信号を前記表示装置で表示することを特徴とするカメラ。