JP2014235959A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】画素ごとに共振波長の光を精度よく取り出すことができる光共振構造を備えた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０の基材１０ｓ上に形成された発光画素２０Ｂ，２０Ｇを有し、発光画素２０Ｂ，２０Ｇは、光反射性を有する反射層としての電源線１４と、絶縁層２８と、発光層を含む機能層３２と、光反射性及び光透過性を有する対向電極３３とを含み、絶縁層２８は、第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７を含み、第２絶縁層２６に第１開口２６ａが設けられ、発光画素２０Ｂの画素電極３１Ｂは、第１開口２６ａにおいて第１絶縁層２５上に設けられ、第３絶縁層２７に第１開口２６ａを含む第２開口２７ａが設けられ、発光画素２０Ｇの画素電極３１Ｇは、第２開口２７ａにおいて、第２絶縁層２６上に設けられている。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気光学装置、該電気光学装置の製造方法、電子機器に関する。
電気光学装置として、互いに異なる波長の光を出射する、第１画素、第２画素、第３画
素を有し、第１画素、第２画素、第３画素のそれぞれにおける光学距離調整層の膜厚が、
第１画素＞第２画素＞第３画素の関係を満たす光共振構造を備えた電気光学装置とその製
造方法が開示されている（特許文献１）。
特許文献１の電気光学装置の製造方法によれば、上記光学距離調整層を構成するための
透光膜を形成し、該透光膜上に膜厚が第１画素＞第２画素＞第３画素の関係を満たすマス
クを形成する。その後に、膜厚が異なるマスクを段階的にアッシングして除去する工程と
、アッシングにより露出した透光膜をエッチングする工程とを組み合わせることにより、
膜厚が第１画素＞第２画素＞第３画素の関係を満たす上記光学距離調整層を形成する例が
示されている。
特開２００９−１３４０６７号公報
第１画素、第２画素、第３画素のそれぞれにおいて所望の共振波長の光を取り出すには
、光学距離調整層の膜厚を第１画素、第２画素、第３画素のそれぞれにおいて精度よく実
現することが求められる。しかしながら、上記特許文献１の電気光学装置の製造方法では
、透光膜を精度よくエッチングすることが難しいという課題があった。その理由として、
例えば、上記段階的なアッシングにおいて適正なアッシング量に対して過不足が生ずれば
、アッシング後のマスクの膜厚にばらつきが生じ、透光膜を所望の範囲に亘って適正なエ
ッチング量でエッチングできないことが挙げられる。また、例えば、安定したエッチング
条件（エッチング速度など）を実現することが難しく、エッチング後の透光膜の膜厚がば
らつきやすいということが挙げられる。
加えて、画素間の段差を極力小さくして、画素間の段差を跨ぐ配線や電極における電気
抵抗の上昇を抑えたいという課題があった。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
［適用例］本適用例に係わる電気光学装置は、基板と、前記基板上に形成された第１の
画素と、前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、前記第１の画素は、光反射性
を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と前記対向電
極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層とを含み、前記
第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に設け
られた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、前記絶縁層は、前記反射
層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含み、前記第２絶縁層に
第１開口が設けられ、前記第１画素電極は、前記第１開口において前記第１絶縁層上に設
けられ、前記第３絶縁層に前記第１開口を含む第２開口が設けられ、前記第２画素電極は
、前記第２開口において、前記第１画素電極と隣り合って前記第２絶縁層上に設けられて
いることを特徴とする。
本適用例の構成によれば、反射層と第１画素電極との間には第１絶縁層が存在し、反射
層と第２画素電極との間には第１絶縁層と第２絶縁層とが存在する。また、隣り合う第１
画素電極と第２画素電極との間には第１絶縁層と第２絶縁層とが存在する。したがって、
反射層と第１画素電極との間の前記絶縁層の第１の膜厚と、反射層と第２画素電極との間
の前記絶縁層の第２の膜厚とが異なると共に、第１画素電極と第２画素電極との間の領域
の前記絶縁層の第３の膜厚は、前記第２の膜厚と略同じになる。
ゆえに、特許文献１のように透光膜を段階的にエッチングして光学距離調整層における
光学距離を画素ごとに異ならせる場合に比べて、第１絶縁層をエッチングすることなく、
第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層の形成時にそれぞれが所望の膜厚となるようにすれ
ばよい。すなわち、画素ごとの光共振構造における光学距離を精度よく調整でき、第１の
画素と第２の画素とにおいて、それぞれ所望の共振波長の光を取り出すことが可能な電気
光学装置を提供できる。
［適用例］本適用例に係わる他の電気光学装置は、基板と、前記基板上に形成された第
１の画素と、前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、前記第１の画素は、光反
射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と前記対
向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層とを含み、
前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間に
設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、前記絶縁層は、前記
反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含み、前記第２絶縁
層に第１開口が設けられ、前記第１画素電極は、前記第１開口において前記第１絶縁層上
に設けられ、前記第３絶縁層が前記第１開口の一部を覆うことにより、前記第３絶縁層に
前記第１画素電極上に開口する第２開口が設けられ、前記第２画素電極は、前記第１開口
において前記第３絶縁層上に設けられていることを特徴とする。
本適用例の構成によれば、反射層と第１画素電極との間には第１絶縁層が存在し、反射
層と第２画素電極との間には第１絶縁層と第３絶縁層とが存在する。また、隣り合う第１
画素電極と第２画素電極との間には第１絶縁層と第３絶縁層とが存在する。したがって、
反射層と第１画素電極との間の前記絶縁層の第１の膜厚と、反射層と第２画素電極との間
の前記絶縁層の第２の膜厚とが異なると共に、第１画素電極と第２画素電極との間の領域
の前記絶縁層の第３の膜厚は、前記第２の膜厚と略同じになる。
ゆえに、特許文献１のように透光膜を段階的にエッチングして光学距離調整層における
光学距離を画素ごとに異ならせる場合に比べて、第１絶縁層をエッチングすることなく、
第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層の形成時にそれぞれが所望の膜厚となるようにすれ
ばよい。すなわち、画素ごとの光共振構造における光学距離を精度よく調整でき、第１の
画素と第２の画素とにおいて、それぞれ所望の共振波長の光を取り出すことが可能な電気
光学装置を提供できる。
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第２の画素に隣り合う第３の画素を有
し、前記第３の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との
間に設けられた、前記絶縁層と、第３画素電極と、前記機能層とを含み、前記第３画素電
極は、前記第３絶縁層上に設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、第１の画素、第２の画素、第３の画素のそれぞれにおける反射層と
画素電極との間の絶縁層の膜厚は、第１の画素＜第２の画素＜第３の画素となる。つまり
、第１の画素、第２の画素、第３の画素のそれぞれにおいて所望の共振波長の光を取り出
すことが可能な電気光学装置を提供できる。
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第２画素電極と前記第３画素電極との
間の領域の前記絶縁層の膜厚は、前記反射層と前記第２画素電極との間の前記絶縁層の膜
厚と同じであることが好ましい。
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第３絶縁層は、前記第３画素電極に対
応した位置に島状に設けられてなるとしてもよい。
これらの構成によれば、第１画素電極と第２画素電極との間には、第２絶縁層の膜厚に
相当する段差が生ずるだけなので、第１画素電極と第２画素電極の間の段差を小さくする
ことができる。また、第２画素電極と第３画素電極との間には、第３絶縁層の膜厚に相当
する段差が生ずるだけなので、第２画素電極と第３画素電極の段差を小さくすることがで
きる。
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第２画素電極と前記第３画素電極との
間の領域の前記絶縁層の膜厚は、前記反射層と前記第３画素電極の間の前記絶縁層の膜厚
と同じであることが好ましい。
上記適用例に係わる電気光学装置において、前記第３絶縁層は、前記第３画素電極に対
応した位置から前記第２画素電極に対応した位置に亘って島状に設けられているとしても
よい。
これらの構成によれば、第１画素電極と第２画素電極との間、及び第２画素電極と第３
画素電極との間には、第３絶縁層の膜厚に相当する段差が生ずるだけなので、第１画素電
極と第２画素電極の間、及び第２画素電極と第３画素電極の間の段差を小さくすることが
できる。
また、これらの構成により、画素電極間の段差が小さくなれば、それぞれの画素電極上
に設けられる機能層、対向電極、封止膜などの表面をそれぞれ平坦にし易い。つまり、該
段差を跨ぐ対向電極や配線などの断線を防止することができる。また、対向電極を覆う封
止膜の封止性能を向上させることができる。
［適用例］本適用例に係わる電気光学装置の製造方法は、基板と、前記基板上に形成さ
れた第１の画素と、前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、前記第１の画素は
、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射層と
前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層とを
含み、前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極と
の間に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、前記絶縁層は
、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含む、電気光
学装置の製造方法であって、前記第１の画素及び前記第２の画素に亘って前記第１絶縁層
を形成する工程と、前記第１画素電極に対応した位置に第１開口を有する前記第２絶縁層
を形成する工程と、前記第２絶縁層を覆い、前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対
応した位置に第２開口を有する前記第３絶縁層を形成する工程と、前記第１開口において
前記第１絶縁層上に前記第１画素電極を形成すると共に、前記第２開口において前記第２
絶縁層上に前記第２画素電極を形成する工程と、前記第１画素電極と前記第２画素電極と
に接する前記機能層を形成する工程と、前記機能層を覆う前記対向電極を形成する工程と
、を備えたことを特徴とする。
本適用例の方法によれば、反射層と第１画素電極との間には第１絶縁層が形成され、反
射層と第２画素電極との間には第１絶縁層と第２絶縁層とが形成される。また、隣り合う
第１画素電極と第２画素電極との間には第１絶縁層と第２絶縁層とが形成される。したが
って、反射層と第１画素電極との間の前記絶縁層の第１の膜厚と、反射層と第２画素電極
との間の前記絶縁層の第２の膜厚とが異なると共に、第１画素電極と第２画素電極との間
の領域の前記絶縁層の第３の膜厚は、前記第２の膜厚と略同じになる。
ゆえに、特許文献１のように透光膜を段階的にエッチングして光学距離調整層における
光学距離を画素ごとに異ならせる場合に比べて、第１絶縁層をエッチングすることなく、
第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層のそれぞれを所望の膜厚となるように形成すればよ
い。すなわち、画素ごとの光共振構造における光学距離を精度よく調整でき、第１の画素
と第２の画素とにおいて、それぞれ所望の共振波長の光を取り出すことが可能な電気光学
装置を製造できる。
［適用例］本適用例に係わる他の電気光学装置の製造方法は、基板と、前記基板上に形
成された第１の画素と、前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、前記第１の画
素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電極と、前記反射
層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光層を含む機能層
とを含み、前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電
極との間に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、前記絶縁
層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層を含む、電
気光学装置の製造方法であって、前記第１の画素及び前記第２の画素に亘って前記第１絶
縁層を形成する工程と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対応した位置に第１開
口を有する前記第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層を覆い、前記第１画素電極
に対応した位置に第２開口を有する前記第３絶縁層を形成する工程と、前記第２開口にお
いて前記第１絶縁層上に前記第１画素電極を形成すると共に、前記第１開口において前記
第２絶縁層上に前記第２画素電極を形成する工程と、前記第１画素電極と前記第２画素電
極とに接する前記機能層を形成する工程と、前記機能層を覆う前記対向電極を形成する工
程と、を備えたことを特徴とする。
本適用例の方法によれば、反射層と第１画素電極との間には第１絶縁層が形成され、反
射層と第２画素電極との間には第１絶縁層と第３絶縁層とが形成される。また、隣り合う
第１画素電極と第２画素電極との間には第１絶縁層と第３絶縁層とが形成される。したが
って、反射層と第１画素電極との間の前記絶縁層の第１の膜厚と、反射層と第２画素電極
との間の前記絶縁層の第２の膜厚とが異なると共に、第１画素電極と第２画素電極との間
の領域の前記絶縁層の第３の膜厚は、前記第２の膜厚と略同じになる。
ゆえに、特許文献１のように透光膜を段階的にエッチングして光学距離調整層における
光学距離を画素ごとに異ならせる場合に比べて、第１絶縁層をエッチングすることなく、
第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層のそれぞれを所望の膜厚となるように形成すればよ
い。すなわち、画素ごとの光共振構造における光学距離を精度よく調整でき、第１の画素
と第２の画素とにおいて、それぞれ所望の共振波長の光を取り出すことが可能な電気光学
装置を提供できる。
上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記第２の画素に隣り合う第３
の画素をさらに有し、前記第３の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と
前記対向電極との間に設けられた、前記絶縁層と、第３画素電極と、前記機能層とを含み
、前記第３画素電極は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を形成する工程で、前記
第３絶縁層上に形成されることが好ましい。
この方法によれば、第１の画素、第２の画素、第３の画素のそれぞれにおいて、光共振
構造における光学距離が異なると共に精度よく調整され、所望の共振波長の光を取り出す
ことが可能な電気光学装置を製造できる。
上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記第３絶縁層を形成する工程
では、前記第３画素電極に対応した位置に島状に前記第３絶縁層を形成することが好まし
い。
上記適用例に係わる電気光学装置の製造方法において、前記第３絶縁層を形成する工程
では、前記第３画素電極に対応した位置から前記第２画素電極に対応した位置に亘って島
状に前記第３絶縁層を形成することが好ましい。
これらの方法によれば、第１画素電極と第２画素電極との間、第２画素電極と第３画素
電極との間には、それぞれの光共振構造における絶縁層の膜厚の差に相当する段差が生ず
るだけなので、画素電極間の段差を小さくすることができる。
また、これらの方法により、画素電極間の段差が小さくなれば、それぞれの画素電極上
に形成される機能層、対向電極、封止膜などの表面をそれぞれ平坦にし易い。つまり、該
段差を跨ぐ対向電極や配線などの断線を防止することができる。また、対向電極を覆う封
止膜の封止性能を向上させることができる。
［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えたこ
とを特徴とする。
［適用例］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置の製造方法
を用いて形成された電気光学装置を備えたことを特徴とする。
これらの適用例によれば、画素ごとに所望の共振波長の光を取り出すことができ、優れ
た光学特性を有する電子機器を提供できる。
第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 発光画素の電気的な構成を示す等価回路図。 発光画素の構成を示す概略平面図。 発光画素をＸ方向に沿って切ったときの構造を示す概略断面図。 発光画素をＹ方向に沿って切ったときの構造を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｆ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す概略平面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素のＸ方向における構造を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素のＹ方向における構造を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｆ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図。 変形例１の有機ＥＬ装置における第３絶縁層の配置を示す概略平面図。 変形例２の有機ＥＬ装置における第３絶縁層の配置を示す概略平面図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図
面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大又は縮小して表示している
。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接する
ように配置される場合、又は基板の上に他の構成物を介して配置される場合、又は基板の
上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すもの
とする。
（第１実施形態）
＜電気光学装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置の一例として、有機エレクトロルミネッセンス装置（
以下、有機ＥＬ装置と呼ぶ）を挙げ、図１〜図３を参照して説明する。
図１は第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図
２は発光画素の電気的な構成を示す等価回路図、図３は発光画素の構成を示す概略平面図
である。
図１に示すように、本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００は、基板と
しての素子基板１０と、素子基板１０の表示領域Ｅにマトリックス状に配置された複数の
発光画素２０と、複数の発光画素２０を駆動制御する周辺回路であるデータ線駆動回路１
０１及び走査線駆動回路１０２と、外部回路との電気的な接続を図るための複数の外部接
続用端子１０３とを備えている。
発光画素２０は、青色（Ｂ）の発光が得られる発光画素２０Ｂと、緑色（Ｇ）の発光が
得られる発光画素２０Ｇと、赤色（Ｒ）の発光が得られる発光画素２０Ｒとがある。また
、同色の発光が得られる発光画素２０が図面上において縦方向に配列し、異なる色の発光
が得られる発光画素２０が、図面上において横方向にＢ，Ｇ，Ｒの順に繰り返して配置さ
れている。このような発光画素２０の配置は、ストライプ方式と呼ばれるものであるが、
これに限定されるものではない。例えば、異なる色の発光が得られる発光画素２０の横方
向における配置は、Ｂ，Ｇ，Ｒの順でなくてもよく、例えば、Ｒ，Ｇ，Ｂの順としてもよ
い。
以降、同色の発光が得られる発光画素２０が配列した縦方向をＹ方向とし、Ｙ方向に直
交する方向をＸ方向として説明する。
発光画素２０の詳しい構成については後述するが、本実施形態における発光画素２０Ｂ
，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子（以
下、有機ＥＬ素子と呼ぶ）と、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応するカラーフィルターとを備え、
有機ＥＬ素子からの発光をＢ，Ｇ，Ｒの各色に変換してフルカラー表示を可能とするもの
である。また、有機ＥＬ素子からの発光波長範囲のうち特定の波長の輝度を向上させる光
共振構造が発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに構築されている。
有機ＥＬ装置１００において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒは、サブ画素として機
能するものであり、Ｂ，Ｇ，Ｒに対応する発光が得られる３つの発光画素２０Ｂ，２０Ｇ
，２０Ｒにより、画像表示における１つの画素単位が構成されている。なお、画素単位の
構成はこれに限定されず、Ｂ，Ｇ，Ｒ以外の発光色（白色を含む）が得られる発光画素２
０が画素単位に含まれていてもよい。
素子基板１０の第１辺部に沿って、複数の外部接続用端子１０３がＸ方向に配列して設
けられている。また、Ｙ方向において外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間にデータ
線駆動回路１０１が配置され、Ｘ方向に延在している。また、Ｘ方向において表示領域Ｅ
を挟んで互いに対向するように一対の走査線駆動回路１０２が設けられている。
前述したように表示領域Ｅには、複数の発光画素２０がマトリックス状に設けられてお
り、素子基板１０には、図２に示すように、発光画素２０に対応する信号線として、走査
線１１、データ線１２、点灯制御線１３、電源線１４が設けられている。
本実施形態では、走査線１１と点灯制御線１３とがＸ方向に並行して延びており、デー
タ線１２と電源線１４とがＹ方向に並行して延びている。
表示領域Ｅには、マトリックス状に配置された複数の発光画素２０におけるＭ行に対応
して複数の走査線１１と複数の点灯制御線１３とが設けられ、図１に示した一対の走査線
駆動回路１０２のそれぞれに接続されている。また、マトリックス状に配置された複数の
発光画素２０におけるＮ列に対応して複数のデータ線１２と複数の電源線１４とが設けら
れ、複数のデータ線１２は、図１に示したデータ線駆動回路１０１に接続され、複数の電
源線１４は複数の外部接続用端子１０３のうちいずれかと接続されている。
走査線１１とデータ線１２との交差部付近に、発光画素２０の画素回路を構成する第１
トランジスター２１、第２トランジスター２２、第３トランジスター２３、蓄積容量２４
、そして発光素子である有機ＥＬ素子３０が設けられている。
有機ＥＬ素子３０は、陽極である画素電極３１と、陰極である対向電極３３と、これら
の電極間に挟まれた、発光層を含む機能層３２とを有している。対向電極３３は、複数の
発光画素２０に跨って共通に設けられた電極であり、例えば、電源線１４に与えられる電
源電圧Ｖｄｄに対して、低位の基準電位ＶｓｓやＧＮＤの電位が与えられる。
第１トランジスター２１及び第３トランジスター２３は、例えばｎチャネル型のトラン
ジスターである。第２トランジスター２２は、例えばｐチャネル型のトランジスターであ
る。
第１トランジスター２１のゲート電極は走査線１１に接続され、一方の電流端はデータ
線１２に接続され、他方の電流端は第２トランジスター２２のゲート電極と、蓄積容量２
４の一方の電極とに接続されている。
第２トランジスター２２の一方の電流端は、電源線１４に接続されると共に蓄積容量２
４の他方の電極に接続されている。第２トランジスター２２の他方の電流端は、第３トラ
ンジスター２３の一方の電流端に接続されている。言い換えれば、第２トランジスター２
２と第３トランジスター２３とは一対の電流端のうち１つの電流端を共有している。
第３トランジスター２３のゲート電極は点灯制御線１３に接続され、他方の電流端は有
機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続されている。
第１トランジスター２１、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３のそれ
ぞれにおける一対の電流端は、一方がソースであり、他方がドレインである。
このような画素回路において、走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査
信号Ｙｉの電圧水準がＨｉレベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオ
ン状態（ＯＮ）となる。オン状態（ＯＮ）の第１トランジスター２１を介してデータ線１
２と蓄積容量２４とが電気的に接続される。そして、データ線駆動回路１０１からデータ
線１２にデータ信号が供給されると、データ信号の電圧水準Ｖｄａｔａと電源線１４に与
えられた電源電圧Ｖｄｄとの電位差が蓄積容量２４に蓄積される。
走査線駆動回路１０２から走査線１１に供給される走査信号Ｙｉの電圧水準がＬｏｗレ
ベルになると、ｎチェネル型の第１トランジスター２１がオフ状態（ＯＦＦ）となり、第
２トランジスター２２のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓは、電圧水準Ｖｄａｔａが与えられ
たときの電圧に保持される。また、走査信号ＹｉがＬｏｗレベルになった後に、点灯制御
線１３に供給される点灯制御信号Ｖｇｉの電圧水準がＨｉレベルとなり、第３トランジス
ター２３がオン状態（ＯＮ）となる。そうすると、第２トランジスター２２のソース・ド
レイン間には、第２トランジスター２２のゲート・ソース電圧Ｖｇｓに応じた電流が流れ
る。この電流は、具体的には、電源線１４から第２トランジスター２２及び第３トランジ
スター２３を経由して、有機ＥＬ素子３０に至る経路で流れる。
有機ＥＬ素子３０は、有機ＥＬ素子３０を流れる電流の大きさに応じて発光する。有機
ＥＬ素子３０を流れる電流は、第２トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓ
で設定される第２トランジスター２２と有機ＥＬ素子３０の動作点によって定まる。第２
トランジスター２２のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓは、走査信号ＹｉがＨｉレベルのと
きに、データ線１２の電圧水準Ｖｄａｔａと電源電圧Ｖｄｄとの電位差によって蓄積容量
２４に保持された電圧である。このように、発光画素２０は、データ信号における電圧水
準Ｖｄａｔａ及び第３トランジスター２３がオン状態になる期間の長さによって発光輝度
が規定される。つまり、データ信号における電圧水準Ｖｄａｔａの値により、発光画素２
０において画像情報に応じた輝度の階調性を与えることができ、フルカラー表示を可能と
している。
なお、本実施形態において、発光画素２０の画素回路は、３つのトランジスター２１，
２２，２３を有することに限定されず、スイッチング用トランジスターと駆動用トランジ
スターとを有する構成としてもよい。また画素回路を構成するトランジスターは、ｎチャ
ネル型のトランジスターでもよいし、ｐチャネル型のトランジスターでもよいし、ｎチャ
ネル型のトランジスター及びｐチャネル型のトランジスターの双方を備えるものであって
もよい。また、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターは、半導体基板にアク
ティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターであってもよいし、薄膜トランジスターであっ
てもよいし、電界効果トランジスターであってもよい。
また、走査線１１、データ線１２以外の信号線である点灯制御線１３、電源線１４の配
置は、トランジスターや蓄積容量２４の配置により左右され、これに限定されるものでは
ない。
本実施形態では、発光画素２０の画素回路を構成するトランジスターとして、半導体基
板にアクティブ層を有するＭＯＳ型トランジスターを採用した例について、以降説明する
。
＜発光画素の構成＞
発光画素２０の具体的な構成について図３を参照して説明する。図３に示すように、発
光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、平面視で矩形状となっており、長手方向が
Ｙ方向に沿って配置されている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれには、図２
に示した等価回路の有機ＥＬ素子３０が設けられている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０
Ｒごとに設けられた有機ＥＬ素子３０を区別するため、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３
０Ｒとして説明することもある。また、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１を発光画素２０
Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに区別するため、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとして説明す
ることもある。
発光画素２０Ｂには画素電極３１Ｂと、画素電極３１Ｂと第３トランジスター２３とを
電気的に接続させるコンタクト部３１Ｂｃとが設けられている。同様に、発光画素２０Ｇ
には画素電極３１Ｇと、画素電極３１Ｇと第３トランジスター２３とを電気的に接続させ
るコンタクト部３１Ｇｃとが設けられている。発光画素２０Ｒには画素電極３１Ｒと、画
素電極３１Ｒと第３トランジスター２３とを電気的に接続させるコンタクト部３１Ｒｃと
が設けられている。
各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒも平面視で略矩形状であり、長手方向の上方側に各
コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃがそれぞれ配置されている。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、隣り合う画素電極３１同士を電気的に
絶縁すると共に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層３２（図４参照）と接する
領域を規定する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成された絶縁構造を有している。
なお、本実施形態において、発光画素２０Ｂが本発明の第１の画素に相当するものであ
り、発光画素２０Ｇが本発明の第２の画素に相当するものであり、発光画素２０Ｒが本発
明の第３の画素に相当するものである。したがって、画素電極３１Ｂが本発明の第１画素
電極に相当し、画素電極３１Ｇが本発明の第２画素電極に相当し、画素電極３１Ｒが本発
明の第３画素電極に相当するものである。
また、有機ＥＬ素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒの機能層３２に対して電荷を注入する画素
電極３１Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒとして実質的に機能するのは、上記絶縁構造における開口２
９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒによって規定され、それぞれ機能層３２と接する部分である。した
がって、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれにおいて、後述する第４絶縁層２９
（図４、図５参照）で覆われる部分は、上記各コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒ
ｃを経由して、第３トランジスター２３に電気的に接続される配線部分である。すなわち
、機能層３２と接する画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの部分が、本発明における第１画
素電極、第２画素電極、第３画素電極に相当するものであると言い換えることもできる。
次に、発光画素２０の構造について、図４及び図５を参照して説明する。図４は発光画
素をＸ方向に沿って切ったときの構造を示す概略断面図、図５は発光画素をＹ方向に沿っ
て切ったときの構造を示す概略断面図である。なお、図４では画素回路のうち、第１トラ
ンジスター２１及び第２トランジスター２２と、第１トランジスター２１及び第２トラン
ジスター２２に関連する配線などを示し、第３トランジスター２３の図示を省略している
。図５では画素回路のうち、第２トランジスター２２及び第３トランジスター２３と、第
２トランジスター２２及び第３トランジスター２３に関連する配線などを示し、第１トラ
ンジスター２１の図示を省略している。また、図５は発光画素２０ＧをＹ方向に沿って切
ったときの構造を示すものである。
図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ、カラー
フィルター５０などが形成された素子基板１０と、透光性の封止基板７０とを備えている
。素子基板１０と封止基板７０とは、接着性と透明性とを兼ね備えた樹脂層６０によって
貼り合わされている。カラーフィルター５０は、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色に対応したフィルター
層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを有している。各フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは、素
子基板１０において、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれに対応して配置されて
いる。機能層３２から発せられた光は、対応するフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの
いずれかを透過して封止基板７０側から射出される。つまり、有機ＥＬ装置１００は、ト
ップエミッション構造となっている。
素子基板１０の基材１０ｓは、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であるこ
とから、透明なガラス基板だけでなく、不透明なセラミック基板や半導体基板を用いるこ
とができる。
本実施形態では、基材１０ｓとして半導体基板を用いている。半導体基板は例えばシリ
コン基板である。
基材１０ｓには、半導体基板にイオンを注入することによって形成されたウェル部１０
ｗと、ウェル部１０ｗとは異なる種類のイオンをウェル部１０ｗに注入することにより形
成されたアクティブ層であるイオン注入部１０ｄとが設けられている。ウェル部１０ｗは
、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のチャネルとして機能し、イオ
ン注入部１０ｄは、発光画素２０におけるトランジスター２１，２２，２３のソース・ド
レインや配線の一部として機能するものである。
次に、イオン注入部１０ｄやウェル部１０ｗが形成された基材１０ｓの表面を覆う絶縁
膜１０ａが形成される。絶縁膜１０ａはゲート絶縁膜として機能するものである。絶縁膜
１０ａ上に例えばポリシリコンなどの導電膜が成膜され、これをパターニングしてゲート
電極２２ｇが形成される。ゲート電極２２ｇは、第２トランジスター２２のチャネルとし
て機能するウェル部１０ｗに対向するように配置されている。他の第１トランジスター２
１や第３トランジスター２３に置いても同様にゲート電極が配置されている。
次に、ゲート電極２２ｇを覆う第１層間絶縁膜１５が形成される。そして、第１層間絶
縁膜１５を貫通して、例えば第１トランジスター２１のドレインや第２トランジスター２
２のゲート電極２２ｇに至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を
少なくとも被覆し、第１層間絶縁膜１５の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニ
ングすることにより、例えば、第１トランジスター２１のドレイン電極２１ｄと第２トラ
ンジスター２２のゲート電極２２ｇとに接続される配線が形成される。
次に、第１層間絶縁膜１５上の各種配線を覆う第２層間絶縁膜１６が形成される。そし
て、第２層間絶縁膜１６を貫通して、第１層間絶縁膜１５上に形成された配線に至るコン
タクトホールが形成される。このコンタクトホール内を少なくとも被覆し、第２層間絶縁
膜１６の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、例えば、蓄
積容量２４の一方の電極２４ａと第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇとを電気的
に接続させるコンタクト部が形成される。また、一方の電極２４ａと同層にデータ線１２
が形成される。データ線１２は、図４では図示省略された配線によって、第１トランジス
ター２１のソースに接続されている。
次に、少なくとも一方の電極２４ａを覆う誘電体層（図４では図示を省略している）が
形成される。また、誘電体層を挟んで一方の電極２４ａに対向する位置に蓄積容量２４の
他方の電極２４ｂが形成される。これにより、一対の電極２４ａ，２４ｂ間に誘電体層を
有する蓄積容量２４が形成される。
次に、データ線１２及び蓄積容量２４を覆う第３層間絶縁膜１７が形成される。第３層
間絶縁膜１７を貫通して、例えば、蓄積容量２４の他方の電極２４ｂや第２層間絶縁膜１
６上に形成された配線に至るコンタクトホールが形成される。このコンタクトホール内を
少なくとも被覆し、第３層間絶縁膜１７の表面を覆う導電膜が成膜され、これをパターニ
ングすることにより、電源線１４や電源線１４と他方の電極２４ｂとを接続させるコンタ
クト部が形成される。本実施形態では、電源線１４は光反射性と導電性とを兼ね備えた、
例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）などの金属、あるいはこれらの金属の合金を用
いて形成される。また、電源線１４は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのコンタクト部
３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１Ｒｃ（図３参照）と重なる部分を除いて、画素電極３１Ｂ，３
１Ｇ，３１Ｒと対向し、表示領域Ｅに亘る平面を構成するように形成される。電源線１４
の画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと対向する部分が反射層として機能する。
なお、導電性を有する材料で電源線１４を形成し、電源線１４と画素電極３１Ｂ，３１
Ｇ，３１Ｒとの間に反射層を設ける構成としてもよい。
ここで、図５を参照して、発光画素２０（発光画素２０Ｇ）におけるＹ方向の断面構造
について説明する。図５に示すように、基材１０ｓには、第２トランジスター２２と第３
トランジスター２３とが共用するウェル部１０ｗが設けられている。当該ウェル部１０ｗ
には、３つのイオン注入部１０ｄが設けられている。３つのイオン注入部１０ｄのうち中
央側に位置するイオン注入部１０ｄは、第２トランジスター２２と第３トランジスター２
３とが共用するドレイン２２ｄ（２３ｄ）として機能するものである。当該ウェル部１０
ｗを覆う絶縁膜１０ａが設けられる。そして、絶縁膜１０ａを覆って例えばポリシリコン
などの導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングすることによって、絶縁膜１０ａ上
に、第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇ及び第３トランジスター２３のゲート電
極２３ｇが形成される。ゲート電極２２ｇ，２３ｇのそれぞれは、中央側のイオン注入部
１０ｄと端側のイオン注入部１０ｄとの間のウェル部１０ｗにおけるチャネルとして機能
する部分に対向するように配置されている。
次に、第２トランジスター２２のゲート電極２２ｇは、第１層間絶縁膜１５と第２層間
絶縁膜１６とを貫通するコンタクトホールによって、第２層間絶縁膜１６上に設けられた
蓄積容量２４の一方の電極２４ａに接続されている。第２トランジスター２２のソース電
極２２ｓは、第２層間絶縁膜１６及び第３層間絶縁膜１７を貫通するコンタクトホールに
よって、第３層間絶縁膜１７上に設けられた電源線１４に接続されている。
第３トランジスター２３のゲート電極２３ｇは、第１層間絶縁膜１５を貫通するコンタ
クトホールによって、第１層間絶縁膜１５上に設けられた点灯制御線１３に接続されてい
る。第１層間絶縁膜１５上には、点灯制御線１３以外に走査線１１が設けられている。走
査線１１は、図５には図示されていないコンタクトホールを経由して、第１トランジスタ
ー２１のゲートに接続されている。
第３トランジスター２３のソース電極２３ｓは、第２層間絶縁膜１６及び第３層間絶縁
膜１７、さらに絶縁層２８を貫通するコンタクトホールによって、絶縁層２８（第３絶縁
層２７）上に設けられた配線１０６に接続されている。配線１０６は、発光画素２０Ｇの
コンタクト部３１Ｇｃに対応して設けられたものであり、当該コンタクト部３１Ｇｃにお
いて配線１０６と画素電極３１Ｇとが接することにより、電気的な接続が図られている。
発光画素２０Ｂ，２０Ｒの画素電極３１Ｂ，３１Ｒのそれぞれと対応する第３トランジ
スター２３のソース電極２３ｓとの電気的な接続は、発光画素２０Ｇと同様にコンタクト
部３１Ｂｃ、コンタクト部３１Ｒｃを介して行われている（図３参照）。
有機ＥＬ素子３０は、反射層として機能する電源線１４上に設けられている。また、発
光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異なる共振波長の光を取り出すことができる光共振
構造が電源線１４上に構築されている。電源線１４は、平面視で発光画素２０Ｂ，２０Ｇ
，２０Ｒが設けられた表示領域Ｅに亘って第３層間絶縁膜１７の表面を覆うように形成さ
れている。また、電源線１４は、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれと対応する
第３トランジスター２３との電気的な接続を図る上記コンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ、
３１Ｒｃが設けられる部分を除いてパターニングされている。したがって、電源線１４よ
りも下層に設けられた画素回路の構成による凹凸が、電源線１４よりも上層に設けられる
光共振構造に影響を及ぼし難い構造となっている。
電源線１４よりも上層に設けられる光共振構造は、本発明の特徴部分に相当するので、
以降、本実施形態の電気光学装置の製造方法として、図６、図７を参照して具体的に説明
する。図６は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）
〜（ｆ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、図７
は図４における発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０ＲのＸ方向の概略断面図に相当するもので
あって、基材１０ｓにおける電源線１４よりも下層に設けられた画素回路や配線の図示を
省略している。
＜電気光学装置の製造方法＞
本実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置１００の製造方法は、図６に示すよう
に、第１絶縁層の形成工程（ステップＳ１）、第２絶縁層の形成工程（ステップＳ２）、
第３絶縁層の形成工程（ステップＳ３）、第２開口の形成工程（ステップＳ４）、第１開
口の形成工程（ステップＳ５）、画素電極の形成工程（ステップＳ６）、第４絶縁層の形
成工程（ステップＳ７）、機能層の形成工程（ステップＳ８）、対向電極の形成工程（ス
テップＳ９）を含んでいる。
図６のステップＳ１〜ステップＳ３では、図７（ａ）に示すように、電源線１４を覆う
ように第１絶縁層２５を形成する。続いて、第１絶縁層２５に第２絶縁層２６、第３絶縁
層２７を積層形成する。本実施形態では、第１絶縁層２５を形成する絶縁材料として窒化
シリコン（ＳｉＮ）が用いられている。第２絶縁層２６、第３絶縁層２７を形成する絶縁
材料として酸化シリコン（ＳｉＯ2）が用いられている。このように、異なる絶縁材料が
用いられているのは、この後に行われる第２絶縁層２６及び第３絶縁層２７のパターニン
グにおいて、第１絶縁層２５に対してエッチング選択比を持たせるためである。積層され
た第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７を総称して絶縁層２８と呼ぶ。そし
て、ステップＳ４へ進む。
次に、図６のステップＳ４では、図７（ｂ）に示すように、絶縁層２８を覆う感光性レ
ジスト層を形成し、露光・現像することによりレジストパターン８１を形成する。レジス
トパターン８１には第２開口２７ａ（図７（ｃ）参照）に対応した開口８１ａが形成され
る。そして、開口８１ａに露出した第３絶縁層２７を部分的にエッチングして、図３及び
図７（ｃ）に示すように、平面視で発光画素２０Ｂの画素電極３１Ｂと発光画素２０Ｇの
画素電極３１Ｇとが後に配置される第２開口２７ａを形成する。酸化シリコンを用いて形
成された第３絶縁層２７のエッチング方法としては、例えばＣＦ4、Ｃ2Ｆ8などのフッ素
を含む処理ガスを用いたドライエッチング法を用いることが好ましい。そして、ステップ
Ｓ５へ進む。
図６のステップＳ５では、図７（ｄ）に示すように、絶縁層２８を覆う感光性レジスト
層を形成し、露光・現像することによりレジストパターン８２を形成する。レジストパタ
ーン８２には第１開口２６ａに対応した開口８２ａが形成される。レジストパターン８２
は、開口８２ａの一方の端が第３絶縁層２７の第２開口２７ａの一方の端と同じ位置にあ
り、第２開口２７ａ内に露出した第２絶縁層２６の面積うち、ほぼ半分が露出するように
第２開口２７ａを覆って形成されている。さらに、第２開口２７ａ内に露出させた第２絶
縁層２６を部分的にエッチングして、図３及び図７（ｅ）に示すように、平面視で発光画
素２０Ｂの画素電極３１Ｂが後に配置される第１開口２６ａを第２開口２７ａ内に形成す
る。第２絶縁層２６のエッチングも第３絶縁層２７と同様にドライエッチング法を用いる
。そして、ステップＳ６へ進む。
図６のステップＳ６では、図７（ｆ）に示すように、第１開口２６ａ及び第２開口２７
ａを被覆すると共に、第３絶縁層２７を覆う透明導電膜を成膜し、これをパターニングす
ることにより、第１開口２６ａ内に画素電極３１Ｂを形成し、第２開口２７ａ内に画素電
極３１Ｇを形成し、第３絶縁層２７上に画素電極３１Ｒを形成する。透明導電膜は例えば
ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜である。画素電極
３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚は、およそ１００ｎｍである。これにより、電源線１４と
画素電極３１Ｂとの間には第１絶縁層２５が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間
には第１絶縁層２５と第２絶縁層２６とが存在し、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間に
は第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７が存在することになる。以降、電源
線１４と画素電極３１との間に配置された絶縁層の層数に係わらず、これを絶縁層２８と
呼ぶこととする。第１絶縁層２５の平均膜厚をｄ１とし、第２絶縁層２６の平均膜厚をｄ
２とし、第３絶縁層２７の平均膜厚をｄ３とすると、画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇと
の間の絶縁層２８の膜厚は、ｄ１にｄ２を加えたｄ４となる。また、画素電極３１Ｇと画
素電極３１Ｒとの間の絶縁層２８の膜厚は、ｄ１にｄ２とｄ３とを加えたｄ５となる。言
い換えれば、Ｘ方向における画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇとの間には、ｄ２に相当す
る段差が生ずる。また、Ｘ方向における画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとの間には、ｄ
３に相当する段差が生ずる。そして、ステップＳ７へ進む。
図６のステップＳ７では、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒを覆う第４絶縁層２９が形
成される。第４絶縁層２９は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）を用いて形成される。そし
て、この後に形成される機能層３２と各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒとが接する領域
を規定するために、第４絶縁層２９を部分的にエッチングして、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ
，３１Ｒ上に開口する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを形成する（図３及び図４参照）。第
４絶縁層２９の膜厚はおよそ６０ｎｍである。第４絶縁層２９のエッチングも第３絶縁層
２７と同様にドライエッチング法を用いることが好ましい。そして、ステップＳ８へ進む
。
図６のステップＳ８では、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒが配置された表示領域Ｅに
亘って、上記開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒを埋めるように機能層３２を形成する（図４参
照）。
機能層３２は、発光材料として有機半導体材料が用いられた発光層を含んでおり、例え
ば、画素電極３１側から順に積層された、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層
、電子注入層などを含んで構成される。機能層３２の構成は、特に限定されるものではな
く、公知の構成を適用することができる。例えば、機能層３２は、Ｂ（青），Ｇ（緑），
Ｒ（赤）の各発光色が得られる発光層を含んで白色発光を実現するものや、Ｂ（青）と橙
の発光色が得られる発光層を含んで擬似白色を実現するものでもよい。また、発光効率な
どを改善する目的で、発光層に注入されるキャリアとしての正孔や電子の移動を助けたり
、妨げたりする中間層を含む構成としてもよい。
機能層３２を構成する各層の形成方法についても特に限定されるものではなく、例えば
、真空蒸着法などの気相プロセスやインクジェット法などの液相プロセスを用いることが
できる。あるいは気相プロセスと液相プロセスの両方を組み合わせて機能層３２を形成し
てもよい。そして、ステップＳ９へ進む。
図６のステップＳ９では、少なくとも表示領域Ｅに跨って機能層３２を覆うように共通
の陰極である対向電極３３を形成する。本実施形態では、対向電極３３は、光反射性と光
透過性とを有するように、例えば、Ａｇを含む合金（ＭｇＡｇなど）を用い膜厚を制御し
て形成する。対向電極３３は、水分や熱などによる機能層３２の損傷を考慮して、真空蒸
着法などの気相プロセスを用いて形成することが好ましい。これにより、発光画素２０Ｂ
，２０Ｇ，２０Ｒごとに有機ＥＬ素子３０が形成される（図４参照）。
次に、表示領域Ｅに形成された複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層４０を形成する。
本実施形態では、封止層４０は、対向電極３３の表面を覆う第１封止膜４１と、緩衝層４
２と、緩衝層４２を覆う第２封止膜４３とにより構成されている。
第１封止膜４１は、水分や酸素などのガスを透過し難く（ガスバリア性）、且つ透明性
が得られる、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化チタンなどの
金属酸化物などの無機化合物を用いて形成する。形成方法としては、低温で緻密な膜を形
成可能な気相プロセスを用いることが好ましく、例えば、プラズマＣＶＤ法やＥＣＲプラ
ズマスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法や、真空蒸着法、イオンプレーティング法を
挙げることができる。第１封止膜４１の膜厚はおよそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。
第１封止膜４１の表面は、下層に設けられた有機ＥＬ素子３０などの構造体の影響を受
けて凹凸が生ずる。本実施形態では、該凹凸や異物の付着などに起因する第２封止膜４３
の封止機能の低下を防止するために、第１封止膜４１の表面のうち少なくとも表示領域Ｅ
を覆い、少なくとも表示領域Ｅにおける該凹凸を緩和して平坦化する緩衝層４２を形成す
る。
緩衝層４２は、例えば、透明性を有する有機樹脂を溶媒に溶解させた溶液を用い、印刷
法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより形成された有機樹脂層である
。有機樹脂としては、エポキシ樹脂などを挙げることができる。第１封止膜４１の表面の
該凹凸を緩和したり、第１封止膜４１に付着した異物を覆って平坦化することから、その
膜厚は、１μｍ〜５μｍが好ましく、本実施形態では、エポキシ樹脂を用いて膜厚がおよ
そ３μｍの緩衝層４２を形成した。緩衝層４２は、平面視で少なくとも機能層３２を覆う
ように形成され、且つ対向電極３３を覆うように形成されることが好ましい。緩衝層４２
を少なくとも機能層３２を覆うように形成することで、機能層３２の端部での凹凸を緩和
することができる。なお、緩衝層４２は、表示領域Ｅに加えて、周辺回路（データ線駆動
回路１０１及び一対の走査線駆動回路１０２）の表示領域Ｅ側の少なくとも一部を覆うよ
うに形成してもよい（図１参照）。
次に、緩衝層４２を覆う第２封止膜４３を形成する。第２封止膜４３は、第１封止膜４
１と同様に、透明性とガスバリア性とを兼ね備え、耐水性、耐熱性に優れた無機化合物を
用いて形成される。無機化合物としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン
が挙げられる。第２封止膜４３は、第１封止膜４１と同じ方法を用いて形成することがで
きる。第２封止膜４３の膜厚は、成膜時にクラックが生じないように、２００ｎｍ〜７０
０ｎｍの範囲で成膜されることが好ましく、３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲で成膜するこ
とがより好ましい。これにより、少なくとも表示領域Ｅにおいて、緩衝層４２を挟んで第
１封止膜４１と第２封止膜４３とが積層された封止層４０ができあがる（図４及び図５参
照）。封止層４０のうちの緩衝層４２を対向電極３３を覆うように形成すれば、第１封止
膜４１とこれに直接積層した第２封止膜４３により、対向電極３３の端部を覆うことがで
きる。
周辺回路（データ線駆動回路１０１及び一対の走査線駆動回路１０２）と素子基板１０
の端面との間の領域では、第１封止膜４１と第２封止膜４３とが接して積層されている。
素子基板１０の第１辺部側において、第１封止膜４１、第２封止膜４３を貫通する開口が
設けられ、開口内に外部接続用端子１０３が位置している（図１参照）。
次に、図４及び図５に示すように、封止層４０上にカラーフィルター５０を形成する。
カラーフィルター５０は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応したフィルター層５０
Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを有するものである。フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒのそれぞ
れは、例えば、染料や顔料などの色材が溶解あるいは分散された感光性樹脂材料を含む溶
液を塗布して乾燥することにより得られた感光性樹脂層を露光・現像することにより形成
される。したがって、３色のフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを形成する場合、少な
くとも３回の露光・現像が行われる。図４では、フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒの
膜厚が同じであるように示されているが、実際には、有機ＥＬ素子３０からの発光が各フ
ィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを透過したときに、適正な色度やホワイトバランスな
どの光学特性が得られるように、１．０μｍ〜２．０μｍの範囲内でフィルター層５０Ｂ
，５０Ｇ，５０Ｒの膜厚がそれぞれ調整される。
また、フィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒは平面視でそれぞれ対応する画素電極３１
Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと重なり合うように露光・現像されている。さらに、隣り合うフィル
ター層の境界は、画素電極間に位置して、一方のフィルター層に対して他方のフィルター
層の一部が重なるように露光・現像されていてもよい。
基材１０ｓ上に形成された、画素回路、有機ＥＬ素子３０、封止層４０、カラーフィル
ター５０を含む素子基板１０は、接着性と透明性とを兼ね備えた樹脂層６０を介して封止
基板７０と貼り合わされる（図４及び図５参照）。樹脂層６０は、例えば、熱硬化型や光
硬化型のエポキシ樹脂材料などを用いることができる。該樹脂材料を素子基板１０に塗布
した後に、封止基板７０を素子基板１０に押圧して、該樹脂材料を所定の範囲に押し広げ
た後に硬化させる。これにより、有機ＥＬ装置１００ができあがる。
本実施形態では、有機ＥＬ素子３０から発せられた光がカラーフィルター５０を透過す
ることで、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに所望の発光色が得られる構成となって
いる。加えて、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに反射層として機能する電源線１４
と対向電極３３との間で光共振構造が構築されており、Ｂ，Ｇ，Ｒの各発光色に対応した
共振波長において輝度が強調された発光が得られる。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの共振波長は、反射層としての電源線１４と対向
電極３３との間の光学的な距離（光路長とも言う）によって決まる。
具体的には、反射層から対向電極３３までの光学的な距離をＤ、反射層での反射におけ
る位相シフトをφＬ、対向電極３３での反射における位相シフトをφＵ、定在波のピーク
波長をλ、整数をｍとすると、光学的な距離Ｄは、下記の数式（１）を満たす構造となっ
ている。
Ｄ＝{（２πｍ＋φＬ＋φＵ）／４π}λ・・・（１）
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの光共振構造における光学的な距離Ｄは、Ｂ，Ｇ，Ｒ
の順に大きくなり、電源線１４と画素電極３１との間に配置された絶縁層２８の膜厚を異
ならせることによって調整されている。具体的には、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間
には第１絶縁層２５が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間には第１絶縁層２５及
び第２絶縁層２６が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間には絶縁層２８（第１絶
縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７）が存在することで該光学的な距離Ｄが発光
画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとに異なっている。絶縁層２８の光学的な距離は、光が透
過する絶縁層２８の膜厚（ｔ）と屈折率（ｎ）との積で表すことができる。
例えば、発光画素２０Ｂにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、４７０ｎｍに設定
されている。同じく、発光画素２０Ｇにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、５４０
ｎｍに設定され、発光画素２０Ｒにおける輝度のピーク波長（共振波長）は、６１０ｎｍ
に設定されている。
上記ピーク波長を実現するため、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなる画素電極３
１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚を前述したようにおよそ１００ｎｍとし、機能層３２の膜厚
をおよそ１１０ｎｍとして、上記数式（１）において、ｍ＝１として、反射層と対向電極
３３との間の絶縁層２８の膜厚を算出すると、発光画素２０Ｂでは５０ｎｍ、発光画素２
０Ｇでは１１５ｎｍ、発光画素２０Ｒでは１７０ｎｍの値が得られる。したがって、窒化
シリコン（ＳｉＮ）からなる第１絶縁層２５の膜厚の範囲を４０ｎｍ〜１００ｎｍとし、
酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる第２絶縁層２６の膜厚の範囲を４０ｎｍ〜５０ｎｍと
し、酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる第３絶縁層２７の膜厚の範囲を４０ｎｍ〜７０ｎ
ｍとすることができる。
なお、上記ピーク波長を精度よく実現するため、光学的な距離Ｄを発光画素２０ごとに
調整する絶縁層２８の膜厚は、絶縁層２８を構成する第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、
第３絶縁層２７のそれぞれの屈折率、画素電極３１及び機能層３２の膜厚及び屈折率、反
射層としての電源線１４及び対向電極３３の膜厚及び屈折率並びに消衰係数を鑑み、設定
される。また、光が透過する層の屈折率は透過する光の波長に依存する。
上記第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）発光画素２０Ｂの反射層として機能する電源線１４と画素電極３１Ｂとの間には
第１絶縁層２５が配置されている。発光画素２０Ｇの電源線１４と画素電極３１Ｇとの間
には第１絶縁層２５及び第２絶縁層２６が配置されている。発光画素２０Ｒの電源線１４
と画素電極３１Ｒとの間には第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７が配置さ
れている。このような光共振構造によれば、第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁
層２７を形成する際に、それぞれの膜厚を所定の範囲で制御すれば、有機ＥＬ素子３０Ｂ
，３０Ｇ，３０Ｒのそれぞれから所望のピーク波長の光を取り出すことができる。すなわ
ち、透光膜を段階的にエッチングして発光画素ごとに光学的な距離を異ならせる光学距離
調整層を構成又は形成する場合に比べて、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの光共振
構造における光学的な距離を精度よく調整でき、それぞれに所望の光学特性を有する発光
画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを備えた有機ＥＬ装置１００を提供又は製造することができ
る。
（２）画素電極３１Ｂは、第２絶縁層２６に形成された第１開口２６ａに露出した第１
絶縁層２５上に配置されている。Ｘ方向において画素電極３１Ｂに隣り合う画素電極３１
Ｇは、第３絶縁層２７に形成された第２開口２７ａに露出した第２絶縁層２６上に配置さ
れている。また、Ｘ方向において画素電極３１Ｇに隣り合う画素電極３１Ｒは、第３絶縁
層２７上に配置されている。第１絶縁層２５は発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って
共通に形成され、第２絶縁層２６は発光画素２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成されてい
る。したがって、Ｘ方向に隣り合う画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇとの間の段差は、第
２絶縁層２６の平均膜厚ｄ２に相当する。また、Ｘ方向に隣り合う画素電極３１Ｇと画素
電極３１Ｒとの間の段差は、第３絶縁層２７の平均膜厚ｄ３に相当する。それゆえに、発
光画素ごとに反射層と画素電極との間に膜厚が異なる絶縁層を島状に配置する場合に比べ
て、画素電極間に生ずる段差を小さくすることができる。よって、当該段差を跨いで形成
される機能層３２、対向電極３３、封止層４０が当該段差の影響を受け難い。つまり、当
該段差を跨ぐ対向電極３３や配線などの断線を防止することができる。また、対向電極３
３を覆う第１封止膜４１の封止性能を向上させることができる。また、例えば、第２絶縁
層２６と第３絶縁層２７の平均膜厚をほぼ同じにすれば、画素電極間の段差のばらつきを
小さくできる。
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置について、図８〜図１０を参
照して説明する。図８は第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す概略平面図
、図９は第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素のＸ方向における構造を示す概略断面図
、図１０は第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素のＹ方向における構造を示す概略断面
図である。第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置は、上記第１実施形態の有
機ＥＬ装置１００に対して発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒにおける光共振構造を異なら
せたものである。したがって、有機ＥＬ装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細
な説明は省略する。また、図９は第１実施形態における図４に対応する概略断面図であり
、図１０は第１実施形態における図５に対応する概略断面図である。
図８に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００における発光画素２０Ｂ，２０Ｇ
，２０Ｒのそれぞれは、第１実施形態と同様に平面視で矩形状となっており、長手方向が
Ｙ方向に沿って配置されている。発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応して、有機ＥＬ
素子３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒが設けられている。
発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒも平面視で略矩
形状であり、長手方向の上方側に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれと第３ト
ランジスター２３との電気的に接続を図るためのコンタクト部３１Ｂｃ，３１Ｇｃ，３１
Ｒｃが配置されている。
詳しくは後述するが、Ｘ方向において隣り合う画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇとに対
応した第１開口２６ｂが第２絶縁層２６に設けられている。また、画素電極３１Ｂに対応
した第２開口２７ｂが第３絶縁層２７に設けられている。
加えて、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒのそれぞれは、隣り合う画素電極３１同士を
電気的に絶縁すると共に、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に機能層３２と接する領域
を規定する開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成された絶縁構造を有している。
次に、図９及び図１０を参照して、本実施形態における発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０
Ｒの構造について説明する。なお、素子基板１０の電源線１４よりも下層における画素回
路の構造は、第１実施形態と同じであるため、第１実施形態に対して異なる電源線１４よ
りも上層の光共振構造について説明する。
図９に示すように、電源線１４を覆って第１絶縁層２５が形成されている。第１絶縁層
２５は、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共通に形成されている。
第１絶縁層２５に第２絶縁層２６が積層されている。第２絶縁層２６には、Ｘ方向にお
いて隣り合う画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇとに対応した第１開口２６ｂが形成されて
いる。画素電極３１Ｂは第１開口２６ｂにおいて第１絶縁層２５上に形成されている。
第２絶縁層２６に第３絶縁層２７が積層されている。詳しくは、第３絶縁層２７は、第
１開口２６ｂのほぼ半分を埋めるように、第２絶縁層２６に積層されている。これによっ
て、第３絶縁層２７には、画素電極３１Ｂに対応した第２開口２７ｂが形成される。画素
電極３１Ｇは第１開口２６ｂにおいて第３絶縁層２７上に形成されている。また、画素電
極３１Ｒは第２絶縁層２６を覆う第３絶縁層２７上に形成されている。言い換えれば、第
３絶縁層２７は、Ｘ方向において隣り合う画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとに対応して
形成されている。
各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って第４絶縁層２９が形成される。これ
により、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒが互いに絶縁状態となり、画素電極３１Ｂ，３
１Ｇ，３１Ｒのそれぞれの上に開口２９Ｂ，２９Ｇ，２９Ｒが形成される。
機能層３２は、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒに接し、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，
２０Ｒに共通して形成されている。対向電極３３は機能層３２を覆って形成されている。
第１封止膜４１は対向電極３３を覆って形成されている。緩衝層４２は少なくとも表示領
域Ｅに亘って第１封止膜４１を覆うように形成されている。第２封止膜４３は、緩衝層４
２を覆って形成されている。また、図９では図示を省略しているが、第２封止膜４３は、
緩衝層４２で覆われていない第１封止膜４１の部分を覆って形成されている。
緩衝層４２によって平坦化された第２封止膜４３上、つまり封止層４０上に、発光画素
２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに対応したフィルター層５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ（カラーフィル
ター５０）が形成されている。
次に、図１０を参照して、発光画素２０（発光画素２０Ｇ）のＹ方向における光共振構
造について説明する。図１０に示すように、Ｙ方向に隣り合う画素電極３１Ｇは、第２絶
縁層２６の第１開口２６ｂを埋めた第３絶縁層２７上に形成されている。また、画素電極
３１Ｇは、第３トランジスター２３のソース電極２３ｓに電気的に接続されるコンタクト
ホール１０７と接するように、第３絶縁層２７上に形成されている。コンタクトホール１
０７は、絶縁層２８（第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７）を貫通して形
成されており、コンタクトホール１０７と画素電極３１Ｇとが接した部分がコンタクト部
３１Ｇｃである。他の発光画素２０Ｂ，２０Ｒにおける画素電極３１Ｂ，３１Ｒと対応す
る第３トランジスター２３のソース電極２３ｓとの電気的な接続は、発光画素２０Ｇのコ
ンタクト部３１Ｇｃと同様な構造のコンタクト部３１Ｂｃ、３１Ｒｃによって実現されて
いる。
基材１０ｓ上に形成された、画素回路、光共振構造を含む有機ＥＬ素子３０、封止層４
０、カラーフィルター５０を含む素子基板１０は、樹脂層６０を介して封止基板７０と貼
り合わされている。つまり、有機ＥＬ装置２００もまたトップエミッション型の発光装置
である。
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、本実施形態の電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置２００の製造方法に
ついて、図１１及び図１２を参照して説明する。図１１は第２実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示すフローチャート、図１２（ａ）〜（ｆ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の
製造方法を示す概略断面図である。
本実施形態の有機ＥＬ装置２００の製造方法は、図１１に示すように、第１絶縁層の形
成工程（ステップＳ１１）、第２絶縁層の形成工程（ステップＳ１２）、第１開口の形成
工程（ステップＳ１３）、第３絶縁層の形成工程（ステップＳ１４）、第２開口の形成工
程（ステップＳ１５）、画素電極の形成工程（ステップＳ１６）、第４絶縁層の形成工程
（ステップＳ１７）、機能層の形成工程（ステップＳ１８）、対向電極の形成工程（ステ
ップＳ１９）を含んでいる。
図１１のステップＳ１１〜ステップＳ１２では、図１２（ａ）に示すように、電源線１
４を覆うように第１絶縁層２５を形成する。続いて、第１絶縁層２５に第２絶縁層２６を
積層形成する。本実施形態では、第１絶縁層２５を形成する絶縁材料として窒化シリコン
（ＳｉＮ）が用いられている。第２絶縁層２６を形成する絶縁材料として酸化シリコン（
ＳｉＯ2）が用いられている。このように、異なる絶縁材料が用いられているのは、この
後に行われる第２絶縁層２６及び第３絶縁層２７のパターニングにおいて、第１絶縁層２
５に対してエッチング選択比を持たせるためである。そして、ステップＳ１３へ進む。
図１１のステップＳ１３では、図１２（ｂ）に示すように、第２絶縁層２６を覆う感光
性レジスト層を形成し、露光・現像することによりレジストパターン８３を形成する。レ
ジストパターン８３には第１開口２６ｂ（図１２（ｃ）参照）に対応した開口８３ａが形
成される。そして、開口８３ａに露出した第２絶縁層２６を部分的にエッチングして、図
８及び図１２（ｃ）に示すように、平面視で発光画素２０Ｂの画素電極３１Ｂと発光画素
２０Ｇの画素電極３１Ｇとが後に配置される第１開口２６ｂを形成する。酸化シリコンを
用いて形成された第２絶縁層２６のエッチング方法としては、例えばＣＦ4、Ｃ2Ｆ8など
のフッ素を含む処理ガスを用いたドライエッチング法を用いることが好ましい。そして、
ステップＳ１４へ進む。
図１１のステップＳ１４〜ステップＳ１５では、図１２（ｄ）に示すように、まず、第
２絶縁層２６に形成された第１開口２６ｂを埋めると共に、第２絶縁層２６を覆う第３絶
縁層２７を形成する。第３絶縁層２７を形成する絶縁材料として酸化シリコン（ＳｉＯ2
）が用いられている。そして、第３絶縁層２７を覆う感光性レジスト層を形成し、露光・
現像することによりレジストパターン８４を形成する。レジストパターン８４には第２開
口２７ｂ（図１２（ｅ）参照）に対応した開口８４ａが形成される。レジストパターン８
４は、開口８４ａの一方の端が第２絶縁層２６の第１開口２６ｂの一方の端と同じ位置に
あり、第１開口２６ｂを埋めた第３絶縁層２７の面積うち、ほぼ半分が露出するように第
３絶縁層２７を覆って形成されている。さらに、開口８４ａ内に露出させた第３絶縁層２
７を部分的にエッチングして、図８及び図１２（ｅ）に示すように、平面視で発光画素２
０Ｂの画素電極３１Ｂが後に配置される第２開口２７ｂを第１開口２６ｂ内に形成する。
第３絶縁層２７のエッチングも第２絶縁層２６と同様にドライエッチング法を用いる。そ
して、ステップＳ１６へ進む。
図１１のステップＳ１６では、第２開口２７ｂを被覆すると共に、第３絶縁層２７を覆
う透明導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、図１２（ｆ）に示すように
、第２開口２７ｂ内に画素電極３１Ｂを形成し、第１開口２６ｂを埋めた第３絶縁層２７
上に画素電極３１Ｇを形成する。また同時に、第２絶縁層２６を覆う第３絶縁層２７上に
画素電極３１Ｒを形成する。透明導電膜は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、ＩＺ
Ｏ（Indium Zinc Oxide）膜である。画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚は、およ
そ１００ｎｍである。これにより、電源線１４と画素電極３１Ｂとの間には第１絶縁層２
５が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｇとの間には第１絶縁層２５と第３絶縁層２７と
が存在し、電源線１４と画素電極３１Ｒとの間には第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第
３絶縁層２７が存在することになる。第１絶縁層２５の平均膜厚をｄ１とし、第２絶縁層
２６の平均膜厚をｄ２とし、第３絶縁層２７の平均膜厚をｄ３とすると、Ｘ方向において
隣り合う画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇとの間の絶縁層２８の膜厚は、ｄ１にｄ３を加
えたｄ４となる。また、Ｘ方向に隣り合う画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとの間の絶縁
層２８の膜厚は、ｄ１にｄ２とｄ３とを加えたｄ５となる。言い換えれば、Ｘ方向におけ
る画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇとの間にはｄ３に相当する段差が生ずる。また、Ｘ方
向における画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとの間には、ｄ２に相当する段差が生ずる。
上記第２実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）発光画素２０Ｂの反射層として機能する電源線１４と画素電極３１Ｂとの間には
第１絶縁層２５が配置されている。発光画素２０Ｇの電源線１４と画素電極３１Ｇとの間
には第１絶縁層２５及び第３絶縁層２７が配置されている。発光画素２０Ｒの電源線１４
と画素電極３１Ｒとの間には第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁層２７が配置さ
れている。このような光共振構造によれば、第１絶縁層２５、第２絶縁層２６、第３絶縁
層２７を形成する際に、それぞれの膜厚を所定の範囲で制御すれば、有機ＥＬ素子３０Ｂ
，３０Ｇ，３０Ｒのそれぞれから所望のピーク波長の光を取り出すことができる。すなわ
ち、透光膜を段階的にエッチングして発光画素ごとに光学的な距離を異ならせる光学距離
調整層を構成又は形成する場合に比べて、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒごとの光共振
構造における光学的な距離を精度よく調整でき、それぞれに所望の光学特性を有する発光
画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを備えた有機ＥＬ装置２００を提供又は製造することができ
る。
（２）画素電極３１Ｂは、第２絶縁層２６に形成された第１開口２６ｂに露出した第１
絶縁層２５上に配置されている。Ｘ方向において画素電極３１Ｂに隣り合う画素電極３１
Ｇは、第１開口２６ｂを埋めた第３絶縁層２７上に配置されている。また、Ｘ方向におい
て画素電極３１Ｇに隣り合う画素電極３１Ｒは、第２絶縁層２６に積層された第３絶縁層
２７上に配置されている。第１絶縁層２５は発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒに亘って共
通に形成され、第２絶縁層２６は発光画素２０Ｒに対応して形成されている。第３絶縁層
２７は、画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとに対応して形成されている。したがって、Ｘ
方向に隣り合う画素電極３１Ｂと画素電極３１Ｇとの間の段差は、第３絶縁層２７の平均
膜厚ｄ３に相当する。また、Ｘ方向に隣り合う画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとの間の
段差は、第２絶縁層２６の平均膜厚ｄ２に相当する。それゆえに、発光画素ごとに反射層
と画素電極との間に膜厚が異なる絶縁層を島状に配置する場合に比べて、画素電極間に生
ずる段差を小さくすることができる。よって、当該段差を跨いで形成される機能層３２、
対向電極３３、封止層４０が当該段差の影響を受け難い。つまり、当該段差を跨ぐ対向電
極３３や配線などの断線を防止することができる。また、対向電極３３を覆う第１封止膜
４１の封止性能を向上させることができる。また、例えば、第２絶縁層２６と第３絶縁層
２７の平均膜厚をほぼ同じにすれば、画素電極間の段差のばらつきを小さくできる。
（第３実施形態）
次に、第３実施形態としての電子機器について、図１３を参照して説明する。図１３は
電子機器の一例としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略図である。
図１３に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ（Ｈ
ＭＤ）１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。
観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することによ
り、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表
示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともでき
る。
表示部１００１には、上記第１実施形態の自発光型の表示装置である有機ＥＬ装置１０
０（又は上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００）が搭載されている。したがって、所望
の光学特性が得られ、優れた表示品質を有する軽量なヘッドマウントディスプレイ１００
０を提供することができる。
ヘッドマウントディスプレイ１０００は、観察者Ｍが表示部１００１の表示内容を直接
見る構成に限定されず、ミラーなどによって間接的に表示内容を見る構成としてもよい。
また、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに
限定されず、左右の目のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成として
もよい。
なお、上記有機ＥＬ装置１００又は上記有機ＥＬ装置２００が搭載される電子機器は、
ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレ
イや、デジタルカメラのＥＶＦ（電子ビューファー）、携帯型情報端末、ナビゲーターな
どの表示部を有する電子機器が挙げられる。また、表示部に限定されず、本発明を照明装
置や露光装置にも適用することができる。
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から
読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変
更を伴う電気光学及び該電気光学の製造方法ならびに該電気光学を適用する電子機器もま
た本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考え
られる。以下、変形例を挙げて説明する。
（変形例１）上記有機ＥＬ装置１００における第３絶縁層２７の配置は、これに限定さ
れない。図１４は変形例１の有機ＥＬ装置における第３絶縁層の配置を示す概略平面図で
ある。例えば、図１４に示すように、変形例１の有機ＥＬ装置１５０は、画素電極３１Ｂ
に対応して第２絶縁層２６に設けられた第１開口２６ａを有する。第１開口２６ａに露出
した第１絶縁層２５上に画素電極３１Ｂが配置される。Ｘ方向において画素電極３１Ｂに
隣り合う画素電極３１Ｇは、第１絶縁層２５に積層された第２絶縁層２６上に配置される
。また、Ｘ方向において画素電極３１Ｇに隣り合う画素電極３１Ｒは、画素電極３１Ｒに
対応して第２絶縁層２６上に島状に設けられた第３絶縁層２７上に配置されている。これ
によれば、画素電極３１Ｇの周辺部、特にコンタクト部３１Ｇｃの周辺には、第３絶縁層
２７が配置されないので、段差を跨ぐ画素電極３１Ｇや他の配線における抵抗上昇などを
低減できる。同様に、発光画素２０Ｒのコタクト部３１Ｒｃの周辺部にも第３絶縁層２７
が配置されないので、同様な効果が得られる。
（変形例２）上記有機ＥＬ装置２００における第３絶縁層２７の配置は、これに限定さ
れない。図１５は変形例２の有機ＥＬ装置における第３絶縁層の配置を示す概略平面図で
ある。例えば、図１５に示すように、変形例２の有機ＥＬ装置２５０は、画素電極３１Ｂ
と画素電極３１Ｇとに対応して第２絶縁層２６に設けられた第１開口２６ｂを有する。第
１開口２６ｂに露出した第１絶縁層２５上に画素電極３１Ｂが配置される。Ｘ方向におい
て画素電極３１Ｂに隣り合う画素電極３１Ｇは、第１開口２６ｂを埋めると共に、画素電
極３１Ｇと画素電極３１Ｒとに対応して島状に配置された第３絶縁層２７上に配置される
。また、Ｘ方向において画素電極３１Ｇに隣り合う画素電極３１Ｒは、上記島状に配置さ
れた第３絶縁層２７上に配置されている。これによれば、画素電極３１Ｇ及び画素電極３
１Ｒの周辺部、特にコンタクト部３１Ｇｃ，３１Ｒｃ側には、第３絶縁層２７が配置され
ないので、段差を跨ぐ画素電極３１Ｇ，３１Ｒや他の配線における抵抗上昇などを低減で
きる。また、Ｘ方向における画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとの間の領域を平坦化でき
る。つまり、Ｘ方向における画素電極３１Ｇと画素電極３１Ｒとの間において段差が生ず
ることを低減できる。
（変形例３）上記有機ＥＬ装置１００又は有機ＥＬ装置２００において、発光画素２０
Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの構成は、これに限定されない。例えば、カラーフィルター５０は、
素子基板１０側に形成されることに限定されず、封止基板７０側に形成されていてもよい
。さらには、カラーフィルター５０は必須ではなく、発光画素２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒの
それぞれにおいて有機ＥＬ素子３０から所望の色の発光が得られる構成としてもよい。
１０…基板としての素子基板、１４…反射層としての電源線、２０Ｂ…第１の画素とし
ての発光画素、２０Ｇ…第２の画素としての発光画素、２０Ｒ…第３の画素としての発光
画素、２５…第１絶縁層、２６…第２絶縁層、２６ａ，２６ｂ…第２絶縁層の第１開口、
２７…第３絶縁層、２７ａ，２７ｂ…第３絶縁層の第２開口、２８…絶縁層、３０，３０
Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ…有機ＥＬ素子、３１Ｂ…第１画素電極としての画素電極、３１Ｇ…
第２画素電極としての画素電極、３１Ｒ…第３画素電極としての画素電極、３２…機能層
、３３…対向電極、１００，１５０，２００，２５０…電気光学装置としての有機ＥＬ装
置、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ。

Claims (14)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された第１の画素と、
    前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
    前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電
    極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光
    層を含む機能層とを含み、
    前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間
    に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
    前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層
    を含み、
    前記第２絶縁層に第１開口が設けられ、
    前記第１画素電極は、前記第１開口において前記第１絶縁層上に設けられ、
    前記第３絶縁層に前記第１開口を含む第２開口が設けられ、
    前記第２画素電極は、前記第２開口において、前記第１画素電極と隣り合って前記第２
    絶縁層上に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
  2. 基板と、
    前記基板上に形成された第１の画素と、
    前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
    前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電
    極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光
    層を含む機能層とを含み、
    前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間
    に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
    前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層
    を含み、
    前記第２絶縁層に第１開口が設けられ、
    前記第１画素電極は、前記第１開口において前記第１絶縁層上に設けられ、
    前記第３絶縁層が前記第１開口の一部を覆うことにより、前記第３絶縁層に前記第１画
    素電極上に開口する第２開口が設けられ、
    前記第２画素電極は、前記第１開口において前記第３絶縁層上に設けられていることを
    特徴とする電気光学装置。
  3. 前記第２の画素に隣り合う第３の画素を有し、
    前記第３の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間
    に設けられた、前記絶縁層と、第３画素電極と、前記機能層とを含み、
    前記第３画素電極は、前記第３絶縁層上に設けられていることを特徴とする請求項１又
    は２に記載の電気光学装置。
  4. 前記第２画素電極と前記第３画素電極との間の領域の前記絶縁層の膜厚は、前記反射層
    と前記第２画素電極との間の前記絶縁層の膜厚と同じであることを特徴とする請求項３に
    記載の電気光学装置。
  5. 前記第３絶縁層は、前記第３画素電極に対応した位置に島状に設けられてなることを特
    徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
  6. 前記第２画素電極と前記第３画素電極との間の領域の前記絶縁層の膜厚は、前記反射層
    と前記第３画素電極との間の前記絶縁層の膜厚と同じであることを特徴とする請求項３に
    記載の電気光学装置。
  7. 前記第３絶縁層は、前記第３画素電極に対応した位置から前記第２画素電極に対応した
    位置に亘って島状に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
  8. 基板と、
    前記基板上に形成された第１の画素と、
    前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
    前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電
    極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光
    層を含む機能層とを含み、
    前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間
    に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
    前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層
    を含む、電気光学装置の製造方法であって、
    前記第１の画素及び前記第２の画素に亘って前記第１絶縁層を形成する工程と、
    前記第１画素電極に対応した位置に第１開口を有する前記第２絶縁層を形成する工程と
    、
    前記第２絶縁層を覆い、前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対応した位置に第２
    開口を有する前記第３絶縁層を形成する工程と、
    前記第１開口において前記第１絶縁層上に前記第１画素電極を形成すると共に、前記第
    ２開口において前記第２絶縁層上に前記第２画素電極を形成する工程と、
    前記第１画素電極と前記第２画素電極とに接する前記機能層を形成する工程と、
    前記機能層を覆う前記対向電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学
    装置の製造方法。
  9. 基板と、
    前記基板上に形成された第１の画素と、
    前記第１の画素に隣り合う第２の画素と、を有し、
    前記第１の画素は、光反射性を有する反射層と、光反射性及び光透過性を有する対向電
    極と、前記反射層と前記対向電極との間に設けられた、絶縁層と、第１画素電極と、発光
    層を含む機能層とを含み、
    前記第２の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間
    に設けられた、前記絶縁層と、第２画素電極と、前記機能層とを含み、
    前記絶縁層は、前記反射層側から順に積層された第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層
    を含む、電気光学装置の製造方法であって、
    前記第１の画素及び前記第２の画素に亘って前記第１絶縁層を形成する工程と、
    前記第１画素電極及び前記第２画素電極に対応した位置に第１開口を有する前記第２絶
    縁層を形成する工程と、
    前記第２絶縁層を覆い、前記第１画素電極に対応した位置に第２開口を有する前記第３
    絶縁層を形成する工程と、
    前記第２開口において前記第１絶縁層上に前記第１画素電極を形成すると共に、前記第
    １開口において前記第２絶縁層上に前記第２画素電極を形成する工程と、
    前記第１画素電極と前記第２画素電極とに接する前記機能層を形成する工程と、
    前記機能層を覆う前記対向電極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする電気光学
    装置の製造方法。
  10. 前記第２の画素に隣り合う第３の画素をさらに有し、
    前記第３の画素は、前記反射層と、前記対向電極と、前記反射層と前記対向電極との間
    に設けられた、前記絶縁層と、第３画素電極と、前記機能層とを含み、
    前記第３画素電極は、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を形成する工程で、前記
    第３絶縁層上に形成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置の製造
    方法。
  11. 前記第３絶縁層を形成する工程では、前記第３画素電極に対応した位置に島状に前記第
    ３絶縁層を形成することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
  12. 前記第３絶縁層を形成する工程では、前記第３画素電極に対応した位置から前記第２画
    素電極に対応した位置に亘って島状に前記第３絶縁層を形成することを特徴とする請求項
    ９に記載の電気光学装置の製造方法。
  13. 請求項１乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機
    器。
  14. 請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法を用いて形成された
    電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
JP2013118567A 2013-06-05 2013-06-05 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 Active JP6119437B2 (ja)

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US14/991,569 US9634067B2 (en) 2013-06-05 2016-01-08 Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device
US15/460,888 US10115778B2 (en) 2013-06-05 2017-03-16 Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device
US16/144,633 US10541289B2 (en) 2013-06-05 2018-09-27 Electro-optical apparatus, manufacturing method for electro-optical apparatus, and electronic device
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016122138A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器
JP2016122613A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US20170229676A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic equipment
JP2017146374A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
JP2018107143A (ja) * 2018-03-19 2018-07-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
CN108376528A (zh) * 2017-02-01 2018-08-07 精工爱普生株式会社 电光装置、电子设备及头戴显示器
JP2018124540A (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ
US10431775B2 (en) 2016-06-06 2019-10-01 Seiko Epson Corporation Organic EL device, method for manufacturing organic EL device, and electronic instrument
JP2020009645A (ja) * 2018-07-09 2020-01-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法、並びに有機ｅｌ表示装置、電子機器
JP2020155339A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 キヤノン株式会社 有機デバイス、表示装置、撮像装置、照明装置および移動体

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6286941B2 (ja) 2013-08-27 2018-03-07 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器
JP6426402B2 (ja) * 2013-08-30 2018-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6512833B2 (ja) 2015-01-16 2019-05-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6701781B2 (ja) * 2016-02-15 2020-05-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
CN108461643A (zh) * 2017-02-22 2018-08-28 Tcl集团股份有限公司 一种顶发射白光量子点场效应晶体管器件及其制备方法
JP6648737B2 (ja) * 2017-06-30 2020-02-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
CN109659349B (zh) * 2019-01-11 2021-02-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
TWI742339B (zh) * 2019-01-28 2021-10-11 友達光電股份有限公司 顯示面板
JP7475180B2 (ja) 2020-03-27 2024-04-26 キヤノン株式会社 発光装置、表示装置、撮像装置、電子機器、照明装置及び移動体
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
KR20220005675A (ko) * 2020-07-06 2022-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 제조하기 위한 마스크
KR20220030361A (ko) * 2020-08-28 2022-03-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
CN113140608B (zh) * 2021-04-20 2023-07-04 合肥京东方光电科技有限公司 一种显示基板、显示装置和显示装置的驱动方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093401A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置
JP2007026849A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器
KR20090003590A (ko) * 2007-07-03 2009-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2010056016A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Fujifilm Corp カラー表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001071558A (ja) 1999-09-03 2001-03-21 Futaba Corp Ｅｌプリンタ及びｅｌ素子
JP4232415B2 (ja) * 2002-08-30 2009-03-04 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器
EP3413369A1 (en) * 2003-09-19 2018-12-12 Sony Corporation Organic light emitting display
JP4475942B2 (ja) 2003-12-26 2010-06-09 三洋電機株式会社 表示装置及びその製造方法
EP1722604A1 (en) * 2004-03-05 2006-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device
TWI367686B (en) * 2004-04-07 2012-07-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, electronic device, and television device
US7129634B2 (en) * 2004-04-07 2006-10-31 Eastman Kodak Company Color OLED with added color gamut pixels
JP4742639B2 (ja) * 2005-03-25 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置
US8102111B2 (en) * 2005-07-15 2012-01-24 Seiko Epson Corporation Electroluminescence device, method of manufacturing electroluminescence device, and electronic apparatus
JP4742717B2 (ja) 2005-07-20 2011-08-10 セイコーエプソン株式会社 発光装置、その製造方法および電子機器
JP4462155B2 (ja) * 2005-09-27 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
JP4655942B2 (ja) * 2006-01-16 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
JP2007234301A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP5207645B2 (ja) * 2006-03-29 2013-06-12 キヤノン株式会社 多色有機発光装置
JP2008135373A (ja) * 2006-10-24 2008-06-12 Canon Inc 有機発光装置及びその製造方法
JP4254856B2 (ja) * 2006-12-22 2009-04-15 ソニー株式会社 有機電界発光素子および表示装置
US7855508B2 (en) 2007-09-17 2010-12-21 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US7948172B2 (en) 2007-09-28 2011-05-24 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
US7741770B2 (en) 2007-10-05 2010-06-22 Global Oled Technology Llc LED device having improved light output
JP2009129604A (ja) 2007-11-21 2009-06-11 Seiko Epson Corp 表示装置及び有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置及び電子機器
JP2009134067A (ja) 2007-11-30 2009-06-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、および電気光学装置
JP5024059B2 (ja) * 2008-01-09 2012-09-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2009186876A (ja) 2008-02-08 2009-08-20 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US20100051973A1 (en) * 2008-08-28 2010-03-04 Seiko Epson Corporation Light-emitting device, electronic equipment, and process of producing light-emitting device
JP5117326B2 (ja) 2008-08-29 2013-01-16 富士フイルム株式会社 カラー表示装置及びその製造方法
JP2010056015A (ja) 2008-08-29 2010-03-11 Fujifilm Corp 表示装置及びその製造方法
JP5052464B2 (ja) 2008-09-11 2012-10-17 富士フイルム株式会社 有機電界発光表示装置の製造方法
JP2010066646A (ja) 2008-09-12 2010-03-25 Seiko Epson Corp 液晶装置および電子機器
JP2010140787A (ja) * 2008-12-12 2010-06-24 Seiko Epson Corp 発光装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP2010232163A (ja) * 2009-03-03 2010-10-14 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
JP2010211984A (ja) 2009-03-09 2010-09-24 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器
JP5195593B2 (ja) 2009-04-01 2013-05-08 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器
JP2010251095A (ja) 2009-04-15 2010-11-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および有機ｅｌ装置の製造方法、ならびに電子機器
JP5418144B2 (ja) * 2009-10-23 2014-02-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置及び電子機器
JP6012135B2 (ja) 2010-01-06 2016-10-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光装置及びその製造方法、並びに有機電界発光ディスプレイ
JP2011139995A (ja) 2010-01-07 2011-07-21 Fujifilm Corp 樹脂膜の製造方法及び有機電界発光表示装置
KR101349143B1 (ko) * 2010-03-30 2014-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US8334545B2 (en) * 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
KR101659953B1 (ko) * 2010-03-30 2016-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JP5678487B2 (ja) * 2010-04-09 2015-03-04 ソニー株式会社 有機ｅｌ表示装置
JP5617700B2 (ja) * 2011-03-07 2014-11-05 セイコーエプソン株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP5919807B2 (ja) * 2011-03-30 2016-05-18 ソニー株式会社 有機発光素子、有機発光素子の製造方法および表示装置
JP5803232B2 (ja) 2011-04-18 2015-11-04 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、および電子機器
JP5741221B2 (ja) 2011-05-31 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093401A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp 有機発光装置およびその製造方法、ならびに表示装置
JP2007026849A (ja) * 2005-07-15 2007-02-01 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および電子機器
KR20090003590A (ko) * 2007-07-03 2009-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2010056016A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Fujifilm Corp カラー表示装置及びその製造方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016122613A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2016122138A (ja) * 2014-12-25 2016-07-07 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、電子機器
US11201315B2 (en) 2016-02-10 2021-12-14 Seiko Epson Corporation Electro-optical device with a luminance adjustment layer
US20170229676A1 (en) * 2016-02-10 2017-08-10 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic equipment
US10263218B2 (en) 2016-02-10 2019-04-16 Seiko Epson Corportion Electro-optical device with a luminance adjustment layer
US10658620B2 (en) 2016-02-10 2020-05-19 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic equipment
JP2017146374A (ja) * 2016-02-15 2017-08-24 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、および電子機器
US10431775B2 (en) 2016-06-06 2019-10-01 Seiko Epson Corporation Organic EL device, method for manufacturing organic EL device, and electronic instrument
CN108376528A (zh) * 2017-02-01 2018-08-07 精工爱普生株式会社 电光装置、电子设备及头戴显示器
JP2018124540A (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ
JP7059574B2 (ja) 2017-02-01 2022-04-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、ヘッドマウントディスプレイ
JP2018107143A (ja) * 2018-03-19 2018-07-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2020009645A (ja) * 2018-07-09 2020-01-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法、並びに有機ｅｌ表示装置、電子機器
US10930891B2 (en) 2019-03-20 2021-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Organic device, display apparatus, image capturing apparatus, illumination apparatus, and moving body
JP2020155339A (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 キヤノン株式会社 有機デバイス、表示装置、撮像装置、照明装置および移動体
JP7245088B2 (ja) 2019-03-20 2023-03-23 キヤノン株式会社 有機デバイス、表示装置、撮像装置、照明装置および移動体

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