KR20220005675A - 표시 패널 및 이를 제조하기 위한 마스크 - Google Patents

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KR20220005675A
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이승재
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Abstract

본 발명은 표시 패널에서 주변영역이 차지하는 면적을 최소화하기 위하여, 표시영역 및 표시영역의 외측에 위치하는 주변영역을 구비한 표시 패널에 있어서, 기판; 기판 상에 배치되며, 표시영역에 상호 이격되도록 배치된 복수의 화소전극들; 복수의 화소전극들 상에 배치되는 복수의 발광층들; 복수의 발광층들 상에 배치되며, 표시영역에 중첩하는 대향전극; 및 대향전극 상에 배치되며, 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;을 포함하고, 대향전극의 에지는 평면 상에서 주변영역으로부터 표시영역을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지 및 표시영역으로부터 주변영역을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지를 포함하는, 표시 패널을 제공한다.

Description

표시 패널 및 이를 제조하기 위한 마스크{Display panel and mask sheet for manufacturing the same}
본 발명은 표시 패널 및 이를 제조하기 위한 마스크에 관한 것으로서, 더 상세하게는 데드 스페이스를 축소시킨 표시 패널 및 이를 제조하기 위한 마스크에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 이미지를 표시하기 위한 표시 장치와 관련하여 다양한 형태의 표시 장치에 대한 요구가 증가하고 있다. 표시 장치 분야는 부피가 큰 음극선관(Cathode Ray Tube: CRT)을 대체하는, 얇고 가벼우며 대면적이 가능한 평판 표시 장치(Flat Panel Display Device: FPD)로 급속히 변화해 왔다. 평판 표시 장치에는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device: LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display Device: OLED), 그리고 전기 영동 표시 장치(Electrophoretic Display Device: EPD) 등이 있다.
표시 장치의 표시 패널은 이미지를 구현하는 표시영역 및 이미지를 구현하지 않는 주변영역, 즉 비표시영역을 포함할 수 있다. 최근에는 비표시영역의 면적, 즉 데드 스페이스(Dead space)을 줄여 표시영역을 확대하고자 하는 연구가 활발하게 진행되고 있다.
표시 패널은 유기물층을 포함한 박막봉지층으로 밀봉될 수 있는데, 비표시영역의 면적을 줄이기 위해서는 박막봉지층의 유기물층이 비표시영역에서 차지하는 면적을 줄이기 위한 노력이 필요하다. 본 발명은 상기와 같은 과제를 포함하여 여러 과제들을 해결하기 위한 것으로서, 데드 스페이스를 줄일 수 있는 표시 패널을 제공한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 표시영역 및 상기 표시영역의 외측에 위치하는 주변영역을 구비한 표시 패널에 있어서, 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 표시영역에 상호 이격되도록 배치된 복수의 화소전극들; 상기 복수의 화소전극들 상에 배치되는 복수의 발광층들; 상기 복수의 발광층들 상에 배치되며, 상기 표시영역에 중첩하는 대향전극; 및 상기 대향전극 상에 배치되며, 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;을 포함하고, 상기 대향전극의 에지는 평면 상에서 상기 주변영역으로부터 상기 표시영역을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지 및 상기 표시영역으로부터 상기 주변영역을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지를 포함하는, 표시 패널이 제공된다.
본 실시예에 따르면, 상기 주변영역에 배치되되 상호 이격된 복수의 배리어들;을 더 포함하며, 상기 복수의 배리어들 중 어느 하나의 배리어의 제1부분은 상기 대향전극에 중첩되고, 상기 어느 하나의 배리어의 제2부분은 상기 대향전극에 중첩하지 않을 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 무기봉지층은, 상기 어느 하나의 배리어의 상기 제2부분과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 주변영역에 배치되고, 복수의 홀들을 구비한 도전층;을 더 포함하며, 상기 복수의 배리어들은 상기 복수의 홀들과 중첩될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 주변영역에 배치되는 공통전원공급선;을 더 포함하고, 상기 대향전극과 상기 공통전원공급선은 상기 도전층에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 도전층은 상기 복수의 화소전극들과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 유기봉지층은, 상기 대향전극의 상기 오목한 에지와 중첩할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 대향전극의 상기 오목한 에지는, 평면 상에서 전체적으로 사각형의 형상, 사다리꼴의 형상, 삼각형의 형상, 원형의 일부의 형상, 또는 타원형의 일부의 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 복수의 화소전극들과 상기 대향전극 사이에 개재되는 공통층;을 더 포함하고, 상기 공통층의 에지는, 평면 상에서 상기 주변영역으로부터 상기 표시영역을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지 및 상기 표시영역으로부터 상기 주변영역을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 공통층의 에지는 평면 상에서 상기 대향전극의 에지와 동일한 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 공통층의 상기 오목한 에지와 상기 대향전극의 상기 오목한 에지가 각각 형성하는 오목한 영역들은 서로 중첩될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 대향전극과 상기 박막봉지층 사이에 개재되는 캡핑층;을 더 포함하고, 상기 캡핑층의 에지는, 평면 상에서 상기 주변영역으로부터 상기 표시영역을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지 및 상기 표시영역으로부터 상기 주변영역을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 캡핑층의 에지는 평면 상에서 상기 대향전극의 에지와 동일한 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 캡핑층의 상기 오목한 에지와 상기 대향전극의 상기 오목한 에지가 각각 형성하는 오목한 영역들은 서로 중첩될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 주변영역에 배치되되, 상기 복수의 배리어들의 외측에 배치된 격벽;을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 대향전극의 에지는 평면 상에서 상기 격벽과 상기 복수의 화소전극들 사이에 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 복수의 화소전극들 상에 배치되되, 상기 복수의 화소전극들 각각에 대응되는 개구를 포함하는 화소정의막;을 더 포함하고, 상기 복수의 배리어들은 화소정의막과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 에지는, 상기 복수의 배리어들 중 인접한 배리어들 사이에 위치할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 대향전극의 상기 볼록한 에지는 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 상기 에지 보다 상기 기판의 에지에 더 인접할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 대향전극의 상기 오목한 에지는 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 상기 에지 보다 상기 기판의 에지에서 더 멀 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점은 이하의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용, 청구범위 및 도면으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 유기봉지층의 형성하기 위한 액상의 유기물을 정확하게 제어할 수 있으므로, 표시 패널에서 주변영역이 차지하는 면적을 최소화할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 어느 발광요소에 연결된 화소회로의 등가회로도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 제조하기 위한 마스크 및 마스크의 일부분을 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 4b 내지 도 4f는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 패널을 제조하기 위한 마스크의 일부분을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 도 3의 표시 패널의 V 부분을 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 각각 도 5의 표시 패널의 A-A'선 및 B-B'선에 따른 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분을 발췌하여 나타낸 평면도이며, 도 7b는 비교예에 따른 표시 패널의 일부분을 나타낸 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 “A 및/또는 B”은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, “A 및 B 중 적어도 하나”는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 패널(1)은 기판(100)을 포함하며, 표시 패널(1)이 포함하는 구성요소들은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 표시 패널(1)은 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)의 외측에 위치하는 주변영역(SA)을 포함할 수 있다.
표시영역(DA)에는 복수의 화소(PX)들이 배치될 수 있고, 표시영역(DA)은 복수의 화소(PX)들에서 방출되는 빛을 통해 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 각 화소(PX)는 예컨대, 적색, 녹색, 청색의 빛을 방출할 수 있다. 또는, 각 화소(PX)는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)와 같은 발광요소를 포함할 수 있다.
각 화소(PX)는 제1방향(예컨대, x방향)으로 연장된 스캔선(SL) 및 제1방향과 교차하는 제2방향(예컨대, y방향)으로 연장된 데이터선(DL)에 연결될 수 있다. 데이터선(DL)은 스캔선(SL)과 교차할 수 있다.
주변영역(PA)은 표시영역(DA)을 전체적으로 또는 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 주변영역(PA)은 화소(PX)들이 배치되지 않은 영역으로, 이미지를 제공하지 않는 비표시영역에 해당할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 주변영역(PA) 상에는 스캔선(SL)에 스캔신호를 제공하는 스캔드라이버가 배치될 수 있으며, 데이터선(DL)에 데이터신호를 제공하는 데이터드라이버가 배치될 수 있다.
주변영역(PA)에는 구동전원공급선(10), 및 공통전원공급선(20)이 배치될 수 있다. 구동전원공급선(10)은 표시영역(DA)의 제1측변(E1)에 대응하도록 배치될 수 있으며, 공통전원공급선(20)은 표시영역(DA)의 제2 내지 제4측변(E2, E3, E4)과 대응하도록 배치될 수 있다. 구동전원공급선(10)은 표시영역(DA)의 제1측변(E1)과 패드부(30) 사이에 배치될 수 있고, 공통전원공급선(20)은 제1측변(E1)과 대응하는 영역이 개방된 루프 형상으로 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
구동전원공급선(10)은 표시영역(DA)의 제1측변(E1)을 따라 연장된 제1바디부(10a)를 포함한다. 제1바디부(10a)는 표시영역(DA)의 제1측변(E1)을 따라 x방향을 따라 연장될 수 있으며, 제1측변(E1)과 같거나 그보다 큰 길이를 가질 수 있다.
제1바디부(10a)는 제1바디부(10a)로부터 y방향으로 연장된 제1연결부(10b)와 일체로 형성될 수 있다. 제1연결부(10b)는 인입영역(POA)에서 패드부(30)를 향해 y방향을 따라 연장될 수 있다. 여기서, 인입영역(POA)은, 주변영역(PA) 중 패드부(30)와 인접한 표시영역(DA)의 제1측변(E1)과 기판(100)의 일 측변 사이의 영역으로서, 표시영역(DA)의 제1측변(E1)으로부터 패드부(30)까지의 영역일 수 있다. 제1연결부(10b)는 제1바디부(10a)로부터 기판(100)의 가장자리를 향해 연장되며, 패드부(30)의 제1단자(31)에 접속할 수 있다.
공통전원공급선(20)은 표시영역(DA)의 제2 내지 제4측변(E2, E3, E4)을 따라 연장된 제2바디부(20a)를 포함할 수 있다. 제2바디부(20a)는 표시영역(DA)의 제1측변(E1)을 제외한 제2 내지 제4측변(E2, E3, E4)을 따라 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 제2측변(E2)은 제1측변(E1)의 반대편에 위치하고, 제3 및 제4측변(E3, E4)은 제1측변(E1)과 제2측변(E2)을 연결하되 서로 반대편에 위치한다. 제2바디부(20a)는 표시영역(DA)을 둘러싸되, 제1바디부(10a)의 양 단부의 주위를 감쌀 수 있다.
제2바디부(20a)는 제2바디부(20a)로부터 y방향으로 연장된 제2연결부(20b)와 일체로 형성될 수 있다. 제2연결부(20b)는 인입영역(POA)에서 패드부(30)를 향해 y방향을 따라 연장될 수 있다. 제2연결부(20b)는 인입영역(POA)에서 제1연결부(10b)와 나란하게 연장될 수 있으며, 패드부(30)의 제2단자(32)에 접속할 수 있다.
패드부(30)는 기판(100)의 일 단부에 대응하며, 절연층 등에 의해 덮이지 않고 노출되어, 플렉서블 인쇄회로기판 등을 통해 제어부(미도시)와 연결될 수 있다. 제어부의 신호 또는 전원은 패드부(30)를 통해 화소(PX)로 제공될 수 있다.
구동전원공급선(10)은 각 화소(P)에 구동전원전압(ELVDD, 도 2 참조)을 제공하고, 공통전원공급선(20)은 각 화소(P)에 공통전원전압(ELVSS, 도 2 참조)을 제공할 수 있다. 구동전원전압(ELVDD)은 구동전원공급선(10)과 연결된 구동전압선(PL)을 통해 각 화소(PX)에 제공될 수 있다. 공통전원전압(ELVSS)은 예컨대, 유기발광다이오드의 대향전극에 제공될 수 있는데, 공통전원전압(ELVSS)의 전달을 위해 공통전원공급선(20)의 제2바디부(20a)와 유기발광다이오드의 대향전극은 주변영역(PA)에서 접속될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 포함된 어느 발광요소에 연결된 화소회로의 등가회로도이다.
도 2를 참조하면, 발광요소는 화소회로(PC)에 연결되며, 화소회로(PC)는 스캔선(SL), 데이터선(DL) 및/또는 구동전압선(PL)에 연결된 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 발광요소는 발광다이오드, 예컨대 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 포함할 수 있다.
화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cap)를 포함할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압(또는 스위칭 신호)에 기초하여 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터 전압(또는 데이터 신호)을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cap)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되고, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cap)는 적어도 두 개의 전극, 예컨대 하부 전극(CE1) 및 상부 전극(CE2)을 포함할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cap)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cap)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)은 공통전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 2에서는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 화소회로(PC)는 3개 이상의 박막트랜지스터 및/또는 2개 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 화소회로(PC)는 7개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함할 수도 있다. 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 디자인에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 다만, 이하 설명의 편의를 위해, 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우에 대해 설명하도록 한다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성을 개략적으로 나타내는 평면도로서, 대향전극과 그 주변의 구성을 도시하고 있다.
도 3a를 참조하면, 표시 패널(1)은 복수의 화소전극(210)들, 복수의 발광층(222), 및 대향전극(230)을 포함할 수 있다. 복수의 화소전극(210)들은 표시영역(DA)에 상호 이격되도록 배치되고, 복수의 발광층(222)들은 복수의 화소전극(210)들 상에 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 복수의 화소전극(210)들 및 복수의 발광층(222)들 상에 배치되며, 표시영역(DA)에 중첩할 수 있다. 대향전극(230)은 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)으로 연장되며, 대향전극(230)의 에지(230E)는 주변영역(PA)에 위치될 수 있다.
표시 패널(1)의 주변영역(PA)에는 배리어(400) 및 격벽(500)이 배치될 수 있다.
배리어(400) 및 격벽(500)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 배리어(400) 및/또는 격벽(500)은 공통전원공급선(20)과 일부 중첩될 수 있으며, 배리어(400)의 일부는 대향전극(230)과 중첩될 수 있다.
대향전극(230)은 표시영역(DA)과 중첩하도록 일체로(as a single body) 형성될 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)의 면적은 표시영역(DA)의 면적 보다 더 클 수 있으며, 대향전극(230)의 가장자리 부분은 주변영역(PA)에서 배리어(400)의 일부와 중첩할 수 있다.
대향전극(230)의 에지(230E)는 평면 상에서, 예컨대 기판(100)의 일 면에 수직한 방향으로 볼 때, 요철 패턴을 포함할 수 있다. 즉, 대향전극(230)의 에지는 평면 상에서 주변영역(PA)으로부터 표시영역(DA)을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지(230E1) 및 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지(230E2)를 포함할 수 있다. 대향전극(230)의 에지(230E)는 오목한 에지(230E1)와 볼록한 에지(230E2)가 반복적으로 배열된 요철 패턴을 포함할 수 있다.
대향전극(230)의 에지(230E)가 요철을 포함함으로써, 배리어(400)의 일 부분은 대향전극(230)과 중첩되고, 배리어(400)의 다른 부분은 대향전극(230)과 중첩되지 않을 수 있다. 구체적으로, 배리어(400)의 일 부분은 대향전극(230)의 볼록한 부분(230P)과 중첩될 수 있다. 반면에, 배리어(400)의 다른 부분은 대향전극(230)의 볼록한 부분(230P)들 사이에 위치한 오목한 영역(CA)에 위치하며, 따라서 전술한 배리어(400)의 다른 부분은 대향전극(230)에 중첩되지 않는다
표시 패널(1)의 주변영역(PA)의 면적, 즉 데드 스페이스(Dead space)를 줄이기 위해서, 유기봉지층(320)을 형성하기 위한 액상의 유기물의 흐름을 정확하게 제어하는 것이 요구될 수 있다. 배리어(400)는 유기봉지층(320)을 형성하기 위한 액상의 유기물이 기판(100)의 가장자리를 향해 흐르는 것을 억제할 뿐만 아니라, 액상의 유기물이 형성된 영역을 확인하는데 이용될 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)을 형성하기 위한 액상의 유기물은 분사(jetting) 방식으로 표시 패널(1) 상에 도포될 수 있는데, 이 때 표시 패널(1)을 촬영한 광학 이미지에서의 음영을 이용하여 액상의 유기물의 위치를 파악할 수 있다. 전술한 광학 이미지에서의 음영은 배리어(400)와 그 아래의 구조 또는/및 층들 간의 단차에 의해 야기될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 배리어(400)의 일부가 대향전극(230)과 중첩되지 않음으로써, 전술한 광학 이미지에서의 음영의 차이가 더욱 명확하게 보일 수 있고, 따라서 유기봉지층(320)을 형성하기 위한 액상의 유기물이 위치한 영역을 확인하는 것이 보다 용이해질 수 있다. 본 발명의 비교예로서, 배리어(400)가 전체적으로 대향전극(230)에 의해 커버되면, 전술한 광학 이미지에서의 음영의 차이를 구별하기 어려워 전술한 액상의 유기물의 위치 제어가 어려운 문제가 있으나, 본 발명의 실시예들에 따르면 대향전극(230)의 에지(230E)가 요철 구조를 가짐으로써 전술한 액상의 유기물을 더 정밀하게 제어할 수 있다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성을 개략적으로 나타내는 평면도로서, 화소전극들과 대향전극 사이에 개재되는 공통층과 그 주변의 구성을 도시하며, 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부 구성을 개략적으로 나타내는 평면도로서, 대향전극 상에 배치되는 캡핑층과 그 주변의 구성을 도시한다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 공통층(221, 223) 및 캡핑층(250)은 전술한 대향전극(230, 도 3c)와 실질적으로 동일 또는 유사한 평면 상의 형상 및 배치를 가질 수 있다. 즉, 공통층(221, 223) 및 캡핑층(250)의 에지들(221E, 223E, 250E)은 예컨대 기판(100)의 일 면에 수직한 방향으로 바라볼 때, 요철 패턴을 포함할 수 있다.
도 3a를 참조하여 설명한 대향전극(230), 도 3b를 참조하여 설명한 공통층(221, 223) 및/또는 도 3c를 참조하여 설명한 캡핑층(250)dms 표시영역(DA)에 대응하는 개구부(OP)를 갖는 마스크를 이용하여 형성될 수 있으며, 마스크에 대해서는 도 4a 내지 도 4f를 참조하여 설명한다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 제조하기 위한 마스크 및 마스크의 일부분을 개략적으로 나타내는 평면도이며, 도 4b 내지 도 4f는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 표시 패널을 제조하기 위한 마스크의 일부분을 개략적으로 나타내는 평면도이다.
도 4a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(1, 도 3a)을 제조하기 위한 마스크(50)는 몸체부(51) 및 몸체부(51)에 의해 둘러싸인 복수개의 개구부(OP)를 포함할 수 있다. 마스크(50)는 평판 형태를 가질 수 있다. 마스크(50)는 메탈시트인 마스크시트에 복수개의 개구부(OP)들이 형성된 것일 수 있다. 하나의 개구부(OP)는 하나의 표시 패널(1)에 대응될 수 있다.
이러한 마스크(50)는 기판(100, 도 3a)의 면적 대부분에 동일한 물질을 증착하고 패턴화하기 위한 박막 증착 공정에서 사용될 수 있다. 이러한 박막 증착 공정에서, 증착 물질은 마스크(50)의 개구부(OP)를 통과하여 마스크(50)와 인접하여 배치된 기판 상에 적층될 수 있다. 반면에, 증착 물질은 몸체부(51)를 통과하지 못하고 차단될 수 있다. 따라서, 마스크(50)의 개구부(OP)의 에지의 형상과 실질적으로 동일한 에지를 갖는 소정의 층이 기판 상에 증착될 수 있다.
마스크(50)는 몸체부(51)로부터 개구부(OP)의 중심을 향해 돌출된 돌출부(52)를 구비할 수 있다. 돌출부(52)는 개구부(OP)를 형성하는 몸체부(51)의 내측면을 따라 배치될 수 있고, 평면 상에서 몸체부(51)의 내측면의 에지(51E)와 돌출부(52)의 에지(52E)가 최종적으로 개구부(OP)의 에지를 형성하는 것으로 이해할 수 있다.
돌출부(52)의 에지(52E)는 대향전극(230, 도 3a)의 오목한 에지(230E1, 도 3a)에 대응할 수 있고, 몸체부(51)의 내측면의 에지(51E)는 대향전극(230)의 볼록한 에지(230E2, 도 3a)에 대응할 수 있다. 따라서, 이러한 마스크(50)를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(1)의 대향전극(230)을 형성할 수 있다.
또한, 돌출부(52)의 에지(52E)는 공통층(221, 223, 도 3b)의 오목한 에지(221E1, 223E1, 도 3b) 및 캡핑층(250, 도 3c)의 오목한 에지(250E1, 도 3c)에 대응할 수 있고, 몸체부(51)의 내측면의 에지(51E)는 공통층(221, 223)의 볼록한 에지(221E2, 223E2, 도 3b 및 캡핑층(250)의 볼록한 에지(250E2, 도 3c)에 대응할 수 있다. 따라서, 이러한 마스크(50)를 이용하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(1)의 공통층(221, 223) 및 캡핑층(250)을 형성할 수 있다.
도 4a 내지 도 4e를 참조하면, 마스크(50)의 돌출부(52)의 에지(52E)는 평면 상에서 전체적으로 사각형의 형상, 사다리꼴의 형상, 삼각형의 형상, 원형의 일부의 형상, 또는 타원형의 일부의 형상을 가질 수 있다. 일 예로, 도 4b에 도시된 바와 같이 돌출부(52)의 에지(52E)는 코너가 라운드진 사각형의 형상일 수 있다.
이를 통해, 평면 상에서 전체적으로 사각형의 형상, 사다리꼴의 형상, 삼각형의 형상, 원형의 일부의 형상, 또는 타원형의 일부의 형상을 갖는 오목한 에지를 구비한 대향전극(230), 공통층(221, 223) 및 캡핑층(250)을 포함하는 표시 패널(1)을 제조할 수 있다.
도 4f를 참조하면, 마스크(50)는 돌출부(52) 이외에도 오목부(53)를 포함할 수 있다. 오목부(53)는 개구부(OP)의 일부를 형성하며, 개구부(OP)의 중심으로부터 외측을 향하는 방향으로 마스크(50)의 내측면이 만입된 부분일 수 있다.
도 4a 내지 도 4f를 참조하여 설명한 바와 같이, 마스크(50)의 개구부(OP)의 에지는 평면 상에서 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이를 통해 평면 상에서 다양한 형상을 갖는 대향전극(230), 공통층(221, 223), 및 캡핑층(250)을 형성할 수 있다.
도 5는 도 3의 표시 패널의 V 부분을 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 5의 표시영역(DA)을 참조하면, 표시영역(DA)에는 복수의 화소전극(210)들이 배치될 수 있다. 복수의 화소전극(210)들 각각은 상호 이격되어 배치될 수 있다. 도 5는 복수의 화소전극(210)들이 펜타일(pentile) 타입으로 배치된 것으로 도시하나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 복수의 화소전극(210)들은 예컨대, 리얼 스트라이프(real stripe) 타입, s-스트라이프(s-stripe) 타입, 또는 다이아몬드 타입 등으로 배치될 수 있다. 도 5에는 도시되지 않았으나, 복수의 화소전극(210)들 상에 중첩되어 배치되는 복수의 발광층(222, 도 6a 및 도 6b)들이 배치될 수 있다.
복수의 화소전극(210)들 및 복수의 발광층(222) 상에는 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 표시영역(DA)에 중첩할 수 있고, 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)으로 연장될 수 있다. 대향전극(230)의 에지(230E)는 주변영역(PA)에 위치될 수 있다. 대향전극(230)의 에지(230E)는 기판(100)의 일 면에 수직한 방향으로 볼 때, 요철을 포함할 수 있다. 즉, 대향전극(230)의 에지는 평면 상에서 주변영역(PA)으로부터 표시영역(DA)을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지(230E1) 및 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지(230E2)를 포함할 수 있다.
배리어(400)는 주변영역(PA)에 배치되되, 하나 또는 복수의 배리어를 포함할 수 있다. 일 예로, 배리어(400)는 상호 이격되며, 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)을 향하는 방향을 따라 배열된 제1배리어(410), 제2배리어(420) 및 제3배리어(430)를 포함할 수 있다.
제1 내지 제3배리어(410, 420, 430) 중 어느 하나의 배리어의 일 부분은 대향전극(230)에 중첩되고, 상기 어느 하나의 배리어의 다른 부분은 대향전극(230)에 중첩하지 않을 수 있다. 예컨대, 제1배리어(410)의 일 부분은 대향전극(230)의 볼록한 부분(230P)과 중첩될 수 있다. 제1배리어(410)의 다른 부분은 오목한 영역(CA)에 위치할 수 있고, 따라서 제1배리어(410)의 상기 다른 부분은 대향전극(230)과 중첩되지 않을 수 있다. 즉, 대향전극(230)의 오목한 에지(230E1)는 제1배리어(410) 보다 기판(100)의 에지(100E)로부터 더 멀리 위치될 수 있다.
유사하게, 제2배리어(420)의 일 부분은 대향전극(230)의 볼록한 부분(230P)과 중첩될 수 있고, 제2배리어(420)의 다른 부분은 대향전극(230)과 중첩되지 않을 수 있다. 또한, 제3배리어(430)의 일 부분은 대향전극(230)의 볼록한 부분(230P)과 중첩될 수 있고, 제3배리어(430)의 다른 부분은 대향전극(230)과 중첩되지 않을 수 있다. 즉, 대향전극(230)의 오목한 에지(230E1)는 제2배리어(420) 및 제3배리어(430) 각각보다 기판(100)의 에지(100E)로부터 더 멀리 위치될 수 있다.
한편, 주변영역(PA)에는 공통전원공급선(20), 제1도전층(21), 및 제2도전층(22)이 배치될 수 있다. 공통전원공급선(20)은 제1도전층(21) 및 제2도전층(22)을 통해 대향전극(230)과 전기적으로 연결될 수 있다.
대향전극(230)은 제2도전층(22)의 일부와 중첩한 채, 제2도전층(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2도전층(22)의 다른 일부는 제1도전층(21)과 중첩되도록 배치되며, 제1도전층(21)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1도전층(21)의 일부는 공통전원공급선(20)과 중첩되도록 배치된 채, 공통전원공급선(20)과 전기적으로 연결될 수 있다. 전술한 구조와 같이, 대향전극(230)은 제2도전층(22) 및 제1도전층(21)을 통해 공통전원공급선(20)과 전기적으로 연결되고, 공통전원공급선(20)으로부터 공급되는 공통전원전압(ELVSS)을 제공받을 수 있다. 제2도전층(22)은 제1도전층(21) 보다 큰 폭을 가질 수 있으며, 제1도전층(21)은 공통전원공급선(20) 보다 큰 폭을 가질 수 있다.
제1도전층(21)은 복수의 제1홀(21h)들을 구비하고, 제2도전층(22)은 복수의 제2홀(22h)들을 구비할 수 있다. 복수의 제1홀(21h)들은 제1도전층(21) 아래에 있는 유기 절연층에 포함된 기체를 배출할 수 있는 경로를 제공할 수 있다. 마찬가지로, 복수의 제2홀(22h)들은 제2도전층(22) 아래에 있는 유기 절연층에 포함된 기체를 배출할 수 있는 경로를 제공할 수 있다. 도 5에는 복수의 제1홀(21h)들은 원형이고 복수의 제2홀(22h)들이 사각형인 경우를 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 복수의 제1홀(21h)들 및 복수의 제2홀(22h)들의 사이즈와 형상은 다양하게 변형될 수 있음은 물론이다.
제1 내지 제3배리어(410, 420, 430) 각각은 복수의 제2홀(22h)들과 중첩될 수 있다. 예컨대, 도 5에 도시된 바와 같이, 복수의 제2홀(22h)들은 기판(100)의 에지(100E)의 연장방향을 따라 3개의 열로 배열될 수 있고, 복수의 제2홀(22h)들의 각각의 열은 하나의 배리어에 의해 커버될 수 있다.
일 예로, 복수의 제1홀(21h)들은 복수의 제2홀(22h)들 사이에 배치될 수 있다. 복수의 제2홀(22h)들이 이루는 복수의 열들 사이에 복수의 제1홀(21h)들이 열을 이루어 배치될 수 있다. 도 5는 2개의 열로 배열된 복수의 제1홀(21h)들을 도시하고 있다.
대향전극(230)은 복수의 제1홀(21h)들의 일부 및 복수의 제2홀(22h)들의 일부와 중첩할 수 있고, 대향전극(230)은 복수의 제1홀(21h)들의 다른 일부 및 복수의 제2홀(22h)들의 다른 일부와 중첩하지 않을 수 있다. 구체적으로, 대향전극(230)의 볼록한 부분(230P)은 복수의 제1홀(21h)들의 일부 및 복수의 제2홀(22h)들의 일부와 중첩할 수 있다. 대향전극(230)은 복수의 제1홀(21h)들의 다른 일부 및 복수의 제2홀(22h)들의 다른 일부와 중첩하지 않으며, 상기 복수의 제1홀(21h)들의 다른 일부 및 상기 복수의 제2홀(22h)들의 다른 일부는 오목한 영역(CA)에 위치할 수 있다.
격벽(500)은 배리어(400), 대향전극(230) 및 복수의 화소전극(210)들 보다 기판(100)의 에지(100E)에 인접할 수 있다. 격벽(500)은 평면 상에서 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 격벽(500)은 공통전원공급선(20), 제1도전층(21), 및 제2도전층(22) 각각의 일부와 중첩될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 각각 도 5의 표시 패널의 A-A'선 및 B-B'선에 따른 단면도이다. A-A'선은 대향전극의 볼록한 부분을 지나고, B-B'선은 오목한 영역을 지난다.
도 6a의 표시영역(DA)을 참조하면, 표시 패널(1)은 기판(100)을 구비할 수 있다. 기판(100)은 글라스, 금속 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 만일 기판(100)이 플렉서블 또는 벤더블 특성을 갖는다면, 기판(100)은 예컨대 폴리에테르술폰(polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate)와 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 일 예로, 기판(100)은 각각 이와 같은 고분자 수지를 포함하는 두 개의 층들과 그 층들 사이에 개재된 무기물을 포함하는 배리어층을 포함하는 다층구조를 가질 수 있다. 예컨대, 배리어층은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 등의 무기물을 포함할 수 있다.
기판(100) 상에 버퍼층(101)이 형성될 수 있다. 버퍼층(101)은 기판(100)을 통하여 침투하는 이물 또는 습기를 차단할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(101)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx) 또는/및 산질화규소(SiON)와 같은 무기물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다.
기판(100) 상에는 표시영역(DA)과 대응되는 위치에 박막트랜지스터(TFT)들 및 스토리지 커패시터(Cap), 및 이들과 전기적으로 연결된 발광요소(200)인 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 반도체층(Act)의 채널영역과 중첩하는 게이트전극(GE), 및 반도체층(Act)의 소스영역 및 드레인영역에 각각 연결된 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 반도체층(Act)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크로뮴(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu) 및/또는 티타늄(Ti)과 같은 저저항의 도전 물질을 포함할 수 있으며, 전술한 물질로 이루어진 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다.
소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층 구조일 수 있다. 예컨대, 소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)은 티타늄층/알루미늄층/티타늄층의 3층 구조일 수 있다. 소스전극(SE) 또는 드레인전극(DE)은 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE)과의 절연성을 확보하기 위해, 게이트절연층(103)이 반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에 개재될 수 있다. 게이트절연층(103)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
스토리지 커패시터(Cap)는 제1층간절연층(105)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cap)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩할 수 있으며, 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cap)의 하부 전극(CE1)로서의 기능을 수행할 수 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cap)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cap)는 제2층간절연층(107)으로 커버될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cap)의 상부 전극(CE2)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
제1층간절연층(105) 및 제2층간절연층(107)은 게이트절연층(203) 상에 배치될 수 있고, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1층간절연층(105) 및 제2층간절연층(107)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
제2층간절연층(107) 상에는 제1유기절연층(111)이 배치될 수 있다. 제1유기절연층(111)은 유기절연물을 포함하며, 유기절연물은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1유기절연층(111)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제1유기절연층(111) 상에는 제2유기절연층(113)이 배치될 수 있다. 제2유기절연층(113)은 이미드계 고분자, Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2유기절연층(113)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
제2유기절연층(113) 상에는 화소전극(210)이 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 ITO, In2O3 또는 IZO 등의 투광성인 도전성 산화물로 형성된 투광성 도전층과, Al 또는 Ag 등과 같은 금속으로 형성된 반사층을 포함할 수 있다. 예컨대, 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO의 3층구조를 가질 수 있다. 화소전극(210)은 제2유기절연층(113)에 형성된 컨택홀을 통해 컨택메탈(CM)과 접속하고, 컨택메탈(CM)은 제1유기절연층(111)에 형성된 컨택홀을 통해 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE) 중 어느 하나와 컨택하여 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 화소전극(210)은 컨택메탈(CM)을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
화소전극(210) 상에는 화소정의막(120)이 배치되며, 화소정의막(120)은 각 화소에 대응하는 개구, 즉 적어도 화소전극(210)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구(120OP)를 가짐으로써 화소의 발광영역을 정의할 수 있다. 또한, 화소정의막(120)은 화소전극(210)의 가장자리와 대향전극(230) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 이들 사이에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 화소정의막(120)은 예컨대 폴리이미드 또는 HMDSO(hexamethyldisiloxane) 등과 같은 유기물로 형성될 수 있다.
화소정의막(120) 상에는 중간층(220)이 배치될 수 있다. 중간층(220)은 화소전극(210)과 대향전극(230) 사이에 배치될 수 있다.
중간층(220)은 화소전극(210)에 대응되도록 형성된 발광층(222)을 포함할 수 있다. 발광층(222)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물과 같은 유기 발광물질을 포함할 수 있다. 또는, 발광층(222)은 무기 발광물질을 포함하거나, 양자점을 포함할 수 있다.
발광층(222)의 아래와 위에는 각각 제1기능층(221) 및 제2기능층(223)이 배치될 수 있다. 제1기능층(221)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(221)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 또는, 제1기능층(221)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다. 제2기능층(223)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(223)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(220) 중 발광층(222)은 각 화소마다 배치되는데 반해, 제1기능층(221) 및 제2기능층(223)은 복수개의 화소들을 커버하도록 일체(一體)로 형성될 수 있다. 즉, 제1기능층(221) 및 제2기능층(223)은 공통층일 수 있다. 제1기능층(221) 및 제2기능층(223)은 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)으로 연장될 수 있다.
대향전극(230)은 중간층(220) 상에 배치되며, 표시영역(DA)을 덮도록 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 복수개의 화소들을 커버하도록 일체(一體)로 형성될 수 있다. 대향전극(230)은 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)으로 연장될 수 있다. 대향전극(230)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(230)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
화소전극(210), 중간층(220), 및 대향전극(230)의 적층 구조는 발광요소(200)로서 유기발광다이오드(OLED)를 형성할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 방출할 수 있다. 화소정의막(120)의 개구(120OP)가 발광영역의 크기 및/또는 폭을 정의할 수 있다.
대향전극(230) 상에는 캡핑층(250)이 형성될 수 있다. 캡핑층(250)은 유기 절연물을 포함하거나 그리고/또는 실리콘나이트라이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 캡핑층(250)은 생략될 수 있다. 캡핑층(250)은 표시영역(DA)을 덮으며, 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)까지 연장될 수 있다.
박막봉지층(300)은 발광요소(200)를 커버하며, 외부로부터의 수분이나 산소 등에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 박막봉지층(300)은 표시영역(DA)을 덮으며, 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)까지 연장될 수 있다. 이러한 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 도 6a에는 박막봉지층(300)이 제1무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2무기봉지층(330)을 포함하는 경우를 도시한다.
제1무기봉지층(310)은 대향전극(230)을 덮으며, 산화규소, 질화규소, 및/또는산질화규소 등을 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 그 하부의 구조물을 따라 형성되기에, 상면이 평탄하지 않게 된다. 유기봉지층(320)은 이러한 제1무기봉지층(310)을 덮으며, 제1무기봉지층(310)과 달리 그 상면이 대략 평탄하도록 할 수 있다. 구체적으로, 유기봉지층(320)은 표시영역(DA)에 대응하는 부분에서는 상면이 대략 평탄하도록 할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 아크릴계 수지는 예컨대 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 투명성을 가질 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320)을 덮으며, 산화규소, 질화규소, 및/또는 산질화규소 등을 포함할 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 화학기상증착법(CVD)에 의해 형성될 수 있으며, 유기봉지층(320)은 액상 형태의 유기물을 기판(100) 상에 도포한 후 경화하는 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 6a의 주변영역(PA)을 참조하면, 기판(100) 상에 무기절연층(110)이 배치되며, 무기절연층(110)은 앞서 설명한 버퍼층(101), 게이트절연층(103), 제1 및 제2층간절연층(105, 107)을 포함할 수 있다. 무기절연층(110) 상에는 공통전원공급선(20)이 배치될 수 있다. 공통전원공급선(20)은 소스전극(SE) 및/또는 드레인전극(DE)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
공통전원공급선(20)은 공통전원공급선(20) 상에 배치된 제1유기절연층(111)의 제1개구(111OP)에 의해 그 상면의 일부가 노출될 수 있다. 제1개구(111OP)를 통해 노출된 공통전원공급선(20)의 상면은 제1유기절연층(111) 상에 배치되는 제1도전층(21)과 직접 접촉할 수 있다. 제1도전층(21)은 제1유기절연층(111)의 제1개구(111OP)를 통해 공통전원공급선(20)과 직접 접촉할 수 있다.
공통전원공급선(20)의 에지 또는 측면은 보호층(109)에 의해 커버될 수 있다. 보호층(109)은 표시 패널(1)의 제조 공정에서 알루미늄과 같이 에천트에 의해 손상될 수 있는 금속을 포함하는 공통전원공급선(20)이 에칭 환경에 노출되는 것을 방지할 수 있다. 도 6a에 도시된 영역 이외의 주변영역(PA) 상에서, 공통전원공급선(20)은 제1유기절연층(111)에 의해 커버되지 않은 채 노출될 수 있으며, 노출된 공통전원공급선(20)은 공통전원공급선(20)이 형성된 이후의 공정에서 사용되는 에천트에 의해 측면부터 손상될 수 있다. 이를 방지하기 위해, 보호층(109)은 공통전원공급선(20)의 측면을 커버하여 보호할 수 있다.
보호층(109)은 표시영역(DA)에서 박막트랜지스터(TFT)를 커버할 수 있다. 보호층(109)은 예컨대, 질화규소(SiNx)를 포함할 수 있다. 질화규소에 포함된 수소는 박막트랜지스터의 반도체층의 댕글링 본드와 결합하면서 반도체층에 있던 결함 사이트(defect site)를 제거하여, 박막트랜지스터들의 특성을 향상시킬 수 있다.
제1도전층(21)은 제1유기절연층(111) 상에 배치되되, 제1개구(111OP)를 통해 공통전원공급선(20)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 제1도전층(21)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 도전성 물질을 포함할 수 있다.
제1도전층(21)은 복수의 제1홀(21h)들을 구비할 수 있다. 예컨대, 제1도전층(21) 중 제1유기절연층(111)과 중첩하는 부분은 복수의 제1홀(21h)들을 포함할 수 있고, 제1도전층(21) 중 공통전원공급선(20)과 직접 접촉하는 부분은 컨택 면적을 증가시키기 제1홀(21h)을 포함하지 않을 수 있다. 제1도전층(21)은 제2유기절연층(113)으로 커버되며, 제2유기절연층(113)의 제2개구(113OP)를 통해 그 상면의 일부가 노출될 수 있다. 노출된 제1도전층(21)의 상면은 제2도전층(22)과 접촉하며, 전기적으로 연결될 수 있다.
제2도전층(22)은 제2유기절연층(113) 상에 배치되되, 제2개구(113OP)를 통해 제1도전층(21)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 제2도전층(22)은 화소전극(210)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 예컨대, 제2도전층(22)은 ITO/Ag/ITO의 3층으로 형성될 수 있다.
제2도전층(22)은 복수의 제2홀(22h)들을 구비할 수 있다. 예컨대, 제2도전층(22) 중 제2유기절연층(113)과 중첩하는 부분은 복수의 제2홀(22h)들을 포함할 수 있고, 제2도전층(22) 중 제1도전층(21)과 직접 접촉하는 부분은 컨택 면적을 증가시키기 제2홀(22h)을 포함하지 않을 수 있다.
제1도전층(21)의 복수의 제1홀(21h)들 및 제2도전층(22)의 복수의 제2홀(22h)들은 각각 제1도전층(21) 및 제2도전층(22)의 아래에 있는 절연층(즉, 제1유기절연층 및 제2유기절연층)에 포함된 물질들이 기화되면서 외부로 배출되는 통로를 제공해줄 수 있다. 화소전극(210) 상에 화소정의막(120)을 형성한 이후에 열 공정(예컨대, curing 공정)이 진행되는데, 열 공정 중 가해지는 열에 의해 제2도전층(22)의 아래의 제2유기절연층(113) 또는 제1유기절연층(111)에 포함된 물질의 일부가 기화되면서 제1홀(21h) 및/또는 제2홀(22h)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 따라서, 제1홀(21h) 및 제2홀(22h)이 없는 경우에 유기절연층에서 발생된 기체가 발광요소(200)를 향해 이동하면서 표시영역(DA)의 가장자리에 배치된 일부 화소의 발광요소(200)에 영향을 주어 해당 발광요소(200)에서 빛이 방출되지 않는 문제를 방지할 수 있다.
제2도전층(22)의 가장자리는 화소정의막(120) 또는 화소정의막(120)과 동일한 물질을 포함하는 절연층으로 커버될 수 있다. 또한, 제2도전층(22)의 복수의 제2홀(22h)들 및 복수의 제2홀(22h)들을 각각 둘러싸는 제2홀(22h)의 에지는 제1 내지 제3배리어(410, 420, 430)로 커버될 수 있다. 제1 내지 제3배리어(410, 420, 430)는 화소정의막(120)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 동일한 마스크 공정에서 형성될 수 있다. 화소정의막(120)과 제1 내지 제3배리어(410, 420, 430)는 절연물질을 포함할 수 있다.
제2도전층(22)의 가장자리, 및 제2홀(22h)을 둘러싸는 에지가 모두 절연물질로 커버됨에 따라, 제2도전층(22)을 이루는 물질의 일부, 예컨대, 은(Ag)이 표시 패널의 제조 공정 중에서 전자를 공급받아 은으로 석출되는 문제를 방지할 수 있다. 따라서, 제2도전층(22)의 가장자리, 및 제2홀(22h)을 둘러싸는 에지가 노출되는 경우에, 제조 공정 중에서 은(Ag)이 석출되고, 석출된 은이 암점을 발생시키는 불량을 야기하는 문제를 방지할 수 있다.
제1 내지 제3배리어(410, 420, 430)는 상호 이격되어 배치될 수 있다. 제1 내지 제3배리어(410, 420, 430)는 각각 복수의 제2홀(22h)들과 중첩하게 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3배리어(410, 420, 430)는 도 5 및 도 6a에서 도시된 바와 같이 x방향을 따라 이격되어 배치되며, y방향을 따라 배열된 복수의 제2홀(22h)들과 중첩하도록 y방향을 따라 연장될 수 있다.
배리어(400)는 박막봉지층(300)의 유기봉지층(320)의 흐름을 제어하는 역할을 할 수 있다. 유기봉지층(320)의 형성 시, 유기봉지층(320)을 이루는 유기물이 기판(100)의 에지를 향해 흐를 수 있고, 예컨대 -x방향을 따라 흐를 수 있다. 이 때, 도 6a에 도시된 바와 같이 상호 이격된 복수의 배리어(2)들이 유기물의 흐름을 방해하므로, 표시 패널(1)에서 유기물의 단부의 위치, 즉 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치를 제어할 수 있다.
유기봉지층(320)은 배리어(400)들의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)의 에지(320E)는 도 6a에 도시된 바와 같이, 제3배리어(430) 상에 위치할 수 있다. 물론 이는 예시적인 것으로, 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치는 유기물의 종류, 배리어(400)의 개수, 배열, 간격 등에 따라 다른 위치에 있을 수 있다.
유기봉지층(320)은 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)에 인접한 주변영역(PA)에서 유기봉지층(320)이 소정의 두께를 확보하도록 형성될 수 있다. 박막봉지층(300) 상에는 터치전극들을 포함하는 입력감지부 및 입력감지부 상의 광학기능층 등이 배치될 수 있는데, 상기 입력감지부 및 광학기능층 등이 박막봉지층(300) 상에서 양호하게 형성되기 위해서는 박막봉지층(300)의 유기봉지층(320)이 미리 결정된 위치에 형성되어야 하며, 소정의 영역에서 충분한 두께를 균일하게 가져야 할 수 있다. 유기봉지층(320)의 두께는 유기봉지층(320)을 형성하는 공정에서 유기물의 위치에 의해 영향을 받을 수 있으며, 유기물의 위치, 예컨대, 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치가 미리 결정된 위치로부터 크게 벗어날 경우, 정량 도포된 유기봉지층(320)을 이루는 유기물이 소정의 영역에서 충분한 두께를 갖지 못하거나 균일한 두께를 갖지 못할 수 있다. 따라서, 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치의 정확하고 정밀한 제어가 요구되는데, 이를 위해 제1 내지 제3배리어(410, 420, 430)는 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치를 확인하는데 이용될 수 있다.
공통층(221, 223), 대향전극(230), 및 캡핑층(250)은 전술한 바와 같이 표시영역(DA)으로부터 주변영역(PA)으로 연장될 수 있고, 배리어(400) 중 적어도 일부를 커버할 수 있다. 공통층(221, 223)의 에지(221E, 223E), 대향전극(230)의 에지(230E), 및 캡핑층(250)의 에지(250E)는 각각 주변영역(PA)에 위치할 수 있고, 서로 중첩될 수 있다.
상기 에지들(221E, 223E, 230E, 250E) 각각의 일부분(즉, 볼록한 에지)은 배리어(400) 상에 위치할 수 있으며, 유기봉지층(320)의 에지(320E) 보다 기판(100)의 에지에 더 인접하여 위치할 수 있다. 도 6a는 상기 에지들(221E, 223E, 230E, 250E)이 제3배리어(430) 상에 위치하는 것을 도시하나, 이제 제한되지 않는다. 상기 에지들(221E, 223E, 230E, 250E)은 표시 패널(1)의 제조 공정에서 공정 오차에 따라 제1배리어(410) 또는 제2배리어(420) 상에 배치되거나, 배리어(400) 사이에 위치하거나, 배리어(400)보다 기판(100)의 에지에 인접하여 위치할 수 있다. 즉, 공통층(221, 223), 대향전극(230), 및 캡핑층(250)은 배리어(400) 중 어느 하나의 배리어와 적어도 부분적으로 중첩할 수 있다.
상기 에지들(221E, 223E, 230E, 250E)의 위치에 따라 배리어(400)를 이용하여 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치를 확인하는데 어려움이 생길 수 있다. 이러한 어려움을 해결하기 위해 본 발명이 제안될 수 있다. 이에 대해서는 도 7a 및 도 7b를 참조하여 후술하도록 한다.
한편, 배리어(400)의 외측, 기판(100)의 에지에 인접한 위치에는 격벽(500)이 배치될 수 있다. 격벽(500)은 전술한 유기봉지층(320)의 형성 시 유기물이 기판(100)의 에지로 진입하는 것을 차단하여, 유기봉지층(320)의 에지 테일이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 격벽(500)은 예컨대, 도 6a에 도시된 바와 같이 공통전원공급선(20)과 부분적으로 중첩될 수 있다.
격벽(500)은 도 5에 도시된 바와 같이, 제1층(501), 제2층(502), 및 제3층(503)을 포함할 수 있다. 제1층(501)은 제1유기절연층(111)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제2층(502)은 제2유기절연층(113)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 제3층(503)은 화소정의막(120)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 격벽(500)은 유기봉지층(320)의 에지 테일을 방지하기 위하여 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러싸도록 배치될 수 있다. 따라서, 격벽(500)은 표시영역(DA)을 둘러싸는 연속적인 고리형상일 수 있다.
제2도전층(22)의 일부는 무기층과 접촉할 수 있다. 예컨대, 제2도전층(22)의 아래에 배치된 유기절연층, 즉 제1 및 제2유기절연층(111, 113)에는 이들을 관통하는 밸리부(VP)가 형성되며, 밸리부(VP)를 통해 제2도전층(22)의 일부는 무기절연층, 예컨대 보호층(109)과 접촉할 수 있다.
밸리부(VP)에 의해 제1 및 제2유기절연층(111, 113)이 끊어지는 구조를 가지므로, 제1 및 제2유기절연층(111, 113)의 벌크를 통해 진행하는 불순물의 진행경로가 끊어지는 효과를 가질 수 있다. 예컨대, 표시 패널(1)의 제조 공정 중 발생한 불순물 또는 제조 이후에 침투한 불순물은, 제1 및 제2유기절연층(111, 113)의 벌크를 통해 표시영역(DA)을 향해 진행하여 표시영역(DA)의 화소(PX)를 열화시킬 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면 밸리부(VP)에 의해 불순물의 진행 경로가 끊어지므로, 불순물로부터 화소(PX)의 발광요소(200)를 보호할 수 있다.
공통전원공급선(20)과 밸리부(VP) 사이에는 제1구동회로(DC1)가 위치할 수 있고, 밸리부(VP)와 화소회로(PC) 사이에는 제2구동회로(DC2)가 위치할 수 있다. 제1구동회로(DC1) 및 제2구동회로(DC2)는 각각 발광제어신호, 스캔신호 등의 전기적 신호 생성하고 제어하는 드라이버 회로일 수 있다. 제1구동회로(DC1) 및 제2구동회로(DC2)는 박막트랜지스터(TFT)들, 스토리지 커패시터(Cap) 및 이와 연결된 다양한 배선들의 형성 공정에서 함께 형성될 수 있다.
기판(100)의 단부에는 무기절연층(110), 무기물을 포함하는 보호층(109) 및 박막봉지층(300)의 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)들이 적층되어 있으므로, 불순물이 기판(100)의 에지로부터 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
도 6b를 참조하면, 공통층(221, 223)의 에지(221E, 223E), 대향전극(230)의 에지(230E), 및 캡핑층(250)의 에지(250E) 각각의 일부분(즉, 오목한 에지)은 밸리부(VP) 상이 위치할 수 있고, 유기봉지층(320)의 에지(320E) 보다 기판(100)의 에지에서 더 멀리 위치할 수 있다. 따라서, 공통층(221, 223), 대향전극(230), 및 캡핑층(250)은 배리어(400)의 일부와 중첩하지 않을 수 있다. 박막봉지층(300) 중 적어도 하나의 무기봉지층(예컨대, 제1무기봉지층)은 배리어(400)의 상기 일부와 직접 접촉할 수 있다. 이를 통해, 후술하는 바와 같이 배리어(400)를 통해 유기봉지층(320)의 유기물이 형성된 영역을 확인하는 것이 보다 용이해질 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부분을 발췌하여 나타낸 평면도이며, 도 7b는 비교예에 따른 표시 패널의 일부분을 나타낸 평면도이다.
도 7a를 참조하면, 대향전극(230)의 에지(230E)가 오목한 에지(230E1)를 구비함으로써, 배리어(400)의 일 부분은 대향전극(230)과 중첩되나, 다른 부분은 대향전극(230)과 중첩하지 않을 수 있다. 대향전극(230)과 배리어(400)가 서로 중첩되지 않는 영역은 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치를 확인하기 위한 검사영역(IA)이 될 수 있다.
전술한 바와 같이 유기봉지층(320)의 위치 제어를 위하여, 표시 패널(1)의 제조 공정 중 광학 현미경을 이용하여 표시 패널(1)을 촬영할 수 있다. 예컨대, 촬영은 표시 패널(1)의 기판(100)의 일 면에 수직한 방향으로 수행될 수 있고, 따라서 표시 패널(1)의 평면 상의 이미지를 획득할 수 있다. 촬영된 표시 패널(1)의 광학 이미지 중 검사영역(IA)에 해당하는 부분은 비교적 뚜렷한 음영을 가질 수 있다. 검사영역(IA)은 오목한 영역(CA)에 대응될 수 있는데, 검사영역(IA)은 대향전극(230), 공통층(221, 223) 및/또는 캡핑층(250)의 요철 패턴에 의해 배리어(400)가 대향전극(230), 공통층(221, 223) 및/또는 캡핑층(250)과 중첩되지 않는 영역이기 때문이다.
유기봉지층(320)을 형성하는 공정에 의해 검사영역(IA) 상에 유기봉지층(320)의 유기물이 위치하는 경우 광학 현미경을 이용하여 촬영된 광학 이미지는, 유기봉지층(320)을 형성하기 전의 광학 이미지 보다 감소된 음영의 차이를 가질 수 있다. 이를 이용하여 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치를 확인할 수 있다.
일 실시예로, 유기봉지층(320)의 에지(320E)는 복수의 배리어(400)들 중 인접한 두 개의 배리어(400)들 사이에 위치할 수 있다. 이와 관련하여, 도 7은 유기봉지층(320)의 에지(320E)가 제3배리어(430)와 제2배리어(420) 사이에 위치하는 것을 도시한다.
유기봉지층(320)이 제1배리어(410)의 에지(410E)들, 및 제2배리어(420)의 에지(420E)들을 커버하므로, 제1배리어(410)의 에지(410E)들, 및 제2배리어(420)의 에지(420E)들의 음영은 광학 이미지 상에서 희미하게 보일 수 있다. 반면에, 제3배리어(430)의 에지(430E)들은 유기봉지층(320)에 의해 커버되지 않으므로, 제3배리어(430)의 에지(430E)들의 음영은 광학 이미지 상에서 선명하게 보일 수 있다. 이를 통해, 유기봉지층(320)의 에지(320E)가 제3배리어(430)와 제2배리어(420) 사이에 위치함을 확인할 수 있다.
도 7b를 참조하면, 비교예로서, 유기봉지층(320)의 유기물이 과도하게 도포되거나 유기물을 도포하는 위치에 오차가 생김으로 인해, 유기봉지층(320)의 유기물이 제3배리어(430)를 너머 흐른 경우가 발생할 수 있다. 이 경우, 유기봉지층(320)의 에지(320E)가 제3배리어(430)보다 기판의 에지에 인접하게 위치할 수 있다. 이 경우, 유기봉지층(320)은 복수의 배리어(400)들의 에지들(410E, 420E, 430E) 모두를 커버하므로, 복수의 배리어(400)들의 에지들(410E, 420E, 430E)의 음영 모두는 광학 이미지 상에서 다소 희미하게 보일 수 있다. 이를 통해, 유기봉지층(320)의 형성의 불량 여부를 판단할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 실시예들을 통해 박막봉지층(300)의 형성 시, 유기봉지층(320)의 에지(320E)의 위치를 보다 용이하게 확인할 수 있고, 유기봉지층(320)의 형성 위치를 정확하고 정밀하게 제어할 수 있다는 장점이 있다. 이를 통해, 주변영역(PA)의 면적을 최소화하는 것이 가능하고, 표시 패널(1)의 데드 스페이스를 줄일 수 있다.
지금까지는 표시 패널에 대해서만 주로 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이러한 표시 패널을 제조하기 위한 표시 패널의 제조방법 역시 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
1: 표시 장치
10: 구동전원공급선
20: 공통전원공급선
21: 제1도전층
22: 제2도전층
30: 패드부
100: 기판
210: 화소전극
220: 중간층
221, 223: 공통층
230: 대향전극
230E: 대향전극의 에지
230P: 대향전극의 볼록한 부분
250: 캡핑층
300: 박막봉지층
320: 유기봉지층
320E: 유기봉지층의 에지
400: 복수의 배리어들
500: 격벽
50: 마스크
CA: 대향전극의 오목한 영역
IA: 검사영역

Claims (20)

  1. 표시영역 및 상기 표시영역의 외측에 위치하는 주변영역을 구비한 표시 패널에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 배치되며, 상기 표시영역에 상호 이격되도록 배치된 복수의 화소전극들;
    상기 복수의 화소전극들 상에 배치되는 복수의 발광층들;
    상기 복수의 발광층들 상에 배치되며, 상기 표시영역에 중첩하는 대향전극; 및
    상기 대향전극 상에 배치되며, 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;을 포함하고,
    상기 대향전극의 에지는 평면 상에서 상기 주변영역으로부터 상기 표시영역을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지 및 상기 표시영역으로부터 상기 주변영역을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지를 포함하는, 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 주변영역에 배치되되 상호 이격된 복수의 배리어들;을 더 포함하며,
    상기 복수의 배리어들 중 어느 하나의 배리어의 제1부분은 상기 대향전극에 중첩되고, 상기 어느 하나의 배리어의 제2부분은 상기 대향전극에 중첩하지 않는, 표시 패널.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 무기봉지층은, 상기 어느 하나의 배리어의 상기 제2부분과 직접 접촉하는, 표시 패널.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 주변영역에 배치되고, 복수의 홀들을 구비한 도전층;을 더 포함하며,
    상기 복수의 배리어들은 상기 복수의 홀들과 중첩되는, 표시 패널.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 주변영역에 배치되는 공통전원공급선;을 더 포함하고,
    상기 대향전극과 상기 공통전원공급선은 상기 도전층에 의해 전기적으로 연결되는, 표시 패널.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 도전층은 상기 복수의 화소전극들과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기봉지층은, 상기 대향전극의 상기 오목한 에지와 중첩하는, 표시 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극의 상기 오목한 에지는, 평면 상에서 전체적으로 사각형의 형상, 사다리꼴의 형상, 삼각형의 형상, 원형의 일부의 형상, 또는 타원형의 일부의 형상을 갖는, 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소전극들과 상기 대향전극 사이에 개재되는 공통층;을 더 포함하고,
    상기 공통층의 에지는, 평면 상에서 상기 주변영역으로부터 상기 표시영역을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지 및 상기 표시영역으로부터 상기 주변영역을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지를 포함하는, 표시 패널.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 공통층의 에지는 평면 상에서 상기 대향전극의 에지와 동일한 형상을 갖는, 표시 패널.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 공통층의 상기 오목한 에지와 상기 대향전극의 상기 오목한 에지가 각각 형성하는 오목한 영역들은 서로 중첩되는, 표시 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 대향전극과 상기 박막봉지층 사이에 개재되는 캡핑층;을 더 포함하고,
    상기 캡핑층의 에지는, 평면 상에서 상기 주변영역으로부터 상기 표시영역을 향하는 방향으로 만입된 오목한 에지 및 상기 표시영역으로부터 상기 주변영역을 향하는 방향으로 돌출된 볼록한 에지를 포함하는, 표시 패널.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 캡핑층의 에지는 평면 상에서 상기 대향전극의 에지와 동일한 형상을 갖는, 표시 패널.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 캡핑층의 상기 오목한 에지와 상기 대향전극의 상기 오목한 에지가 각각 형성하는 오목한 영역들은 서로 중첩되는, 표시 패널.
  15. 제2항에 있어서,
    상기 주변영역에 배치되되, 상기 복수의 배리어들의 외측에 배치된 격벽;을 더 포함하는, 표시 패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 대향전극의 에지는 평면 상에서 상기 격벽과 상기 복수의 화소전극들 사이에 배치되는, 표시 패널.
  17. 제2항에 있어서,
    상기 복수의 화소전극들 상에 배치되되, 상기 복수의 화소전극들 각각에 대응되는 개구를 포함하는 화소정의막;을 더 포함하고,
    상기 복수의 배리어들은 화소정의막과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
  18. 제2항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기봉지층의 에지는, 상기 복수의 배리어들 중 인접한 배리어들 사이에 위치하는, 표시 패널.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 대향전극의 상기 볼록한 에지는 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 상기 에지 보다 상기 기판의 에지에 더 인접한, 표시 패널.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 대향전극의 상기 오목한 에지는 상기 적어도 하나의 유기봉지층의 상기 에지 보다 상기 기판의 에지에서 더 먼, 표시 패널.
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