KR102320938B1

KR102320938B1 - 표시 장치

Info

Publication number: KR102320938B1
Application number: KR1020170034772A
Authority: KR
Inventors: 박명서
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2017-03-20
Filing date: 2017-03-20
Publication date: 2021-11-03
Also published as: US20200083479A1; US10833291B2; CN108630824A; CN108630824B; US10340476B2; US20180269427A1; KR20180107414A; US10505149B2; US20190259974A1

Abstract

표시 장치가 제공된다. 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 하부 구조물 및 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하는 봉지 다층막을 포함하고, 상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 형상을 갖고 하나 이상의 무기물로만 이루어진 무기 표면부를 포함하고, 상기 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물로만 이루어진 하면을 포함하고, 상기 봉지 다층막의 상기 하면은 상기 무기 표면부와 직접 접촉한다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 구비한 전계발광유닛을 포함하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exiton)이 여기 상태(exited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.

자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트(contrast) 및 빠른 응답 속도 등의 고품위 특성으로 인해 차세대 표시 장치로 주목 받고 있다. 다만, 전계발광유닛은 외부의 수분이나 산소 등에 의해 열화 되는 특성을 가지므로, 외부의 수분이나 산소 등이 전계발광유닛으로 침투하는 것을 차단할 필요가 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 봉지 특성이 향상된 표시 장치를 제공하는 데 있다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치는, 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖는 하부 구조물 및 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하는 봉지 다층막을 포함하고, 상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 형상을 갖고 하나 이상의 무기물로만 이루어진 무기 표면부를 포함하고, 상기 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물로만 이루어진 하면을 포함하고, 상기 봉지 다층막의 상기 하면은 상기 무기 표면부와 직접 접촉한다.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 주변 영역은 측면 및 상면을 갖는 엣지를 갖고 무기물로 이루어진 무기 구조물을 포함하고, 상기 무기 표면부는 상기 엣지의 상기 측면 및 상기 엣지의 상기 상면을 포함하고, 상기 엣지의 상기 측면 및 상기 상면은 상기 봉지 다층막과 직접 접하고, 상기 엣지는 상기 무기 표면부의 외측으로부터 상기 외측의 반대편에 위치하는 내측까지 연장하고, 상기 엣지의 상기 측면은 상기 무기 표면부의 상기 외측과 상기 내측 사이에 위치하는 적어도 하나의 볼록부, 적어도 하나의 오목부, 적어도 하나의 각진 부분, 및 적어도 하나의 커브진 부분 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 무기 구조물은 제1 무기막 및 상기 제1 무기막 상에 위치하는 제2 무기막을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기막의 측부는 상기 제2 무기막의 측부에 비하여 함몰될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 소정의 식각액에 대한 상기 제1 무기막의 식각률은 상기 식각액에 대한 상기 제2 무기막의 식각률보다 클 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 무기막의 강도는 상기 제2 무기막의 강도보다 작을 수 있다.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 표시영역 및 상기 주변 영역은 무기막을 포함하고, 상기 하부 구조물 중 상기 무기 표면부와 상기 무기막 사이에 위치하는 부분은 무기물로만 이루어질 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역은 절연막의 바로 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 위치하는 중간막, 상기 중간막 상에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하고, 상기 무기 표면부는 상기 절연막의 상면보다 낮게 위치하고, 상기 무기 표면부는 서로 이격된 다수의 가지들로 분기된 영역을 가질 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 가지들 사이에 위치하고 유기물로 이루어진 유기 표면부를 포함하고, 상기 유기 표면부는 상기 봉지 다층막의 상기 하면과 상기 무기 표면부가 직접 접촉하는 부분에 의해 완전하게 둘러싸일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 하부구조물은 벤더블 표시 기판, 폴더블 표시 기판, 롤러블 표시 기판, 스트레쳐블 표시 기판 및 플렉서블 표시 기판 중 어느 하나일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 유기 표면부는 상기 표시 영역을 둘러쌀 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 유기 표면부는 상기 표시 영역을 불연속적으로 둘러싸도록 개구에 의해 열린 형상을 가질 수 잇다.

본 실시예에 있어서, 상기 봉지 다층막은 제1 무기막, 상기 제1 무기막 상의 유기막, 및 상기 유기막 상의 제2 무기막을 갖고, 상기 유기막은 상기 유기 표면부와 오버랩할 수 있다.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 주변 영역에는 접착 증대 홀이 형성되고, 상기 무기 표면부는 상기 접착 증대 홀의 측면 및 바닥면 포함하고, 상기 접착 증대 홀의 상기 측면 및 상기 접착 증대 홀의 상기 바닥면은 상기 봉지 다층막과 직접 접하고, 상기 접착 증대 홀의 상기 바닥면은 상기 하부 구조물에 포함된 무기막의 상면을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 접착 증대 홀의 바닥면은 돌출부를 가질 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 표시영역 및 상기 주변 영역은 무기막을 포함하고, 상기 하부 구조물 중 상기 무기 표면부와 상기 무기막 사이에 위치하는 부분은 무기물로만 이루어질 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역은 절연막의 바로 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 위치하는 중간막, 상기 중간막 상에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하고, 상기 무기 표면부는 상기 절연막의 상면보다 낮게 위치하고, 상기 무기 표면부는 서로 이격된 다수의 가지들로 분기된 영역을 가질 수 잇다.

본 실시예에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 가지들 사이에 위치하고 유기물로 이루어진 유기 표면부를 포함하고, 상기 유기 표면부는, 상기 봉지 다층막의 상기 하면과 상기 무기 표면부가 직접 접촉하는 부분에 의해 완전하게 둘러싸일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 무기 표면부는 제1폭을 갖는 제1영역 및 제2폭을 갖는 제2영역을 포함하고, 상기 제1폭과 상기 제2폭은 서로 다를 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 무기 표면부의 상기 제1 영역은 상기 하부 구조물의 제1측에 위치하고, 상기 무기 표면부의 상기 제2 영역은 상기 하부 구조물의 제1 측과 다른 제2측에 위치할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1영역 및 상기 제2영역은 상기 하부 구조물의 같은 측에 위치할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역은 절연막의 바로 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 위치하는 중간막, 상기 중간막 상에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하고, 상기 무기 표면부는 상기 절연막의 상면보다 낮게 위치하고, 상기 무기 표면부는 서로 이격된 다수의 가지들로 분기된 영역을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 무기 표면부의 상기 제1 영역은 상기 개구가 위치하는 상기 하부 구조물의 제1측에 위치하고, 상기 무기 표면부의 상기 제2 영역은 상기 개구가 위치하지 않는 상기 하부 구조물의 제2측에 위치할 수 있다.

상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 한 예시적인 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 무기 표면부의 외측보다 안쪽에 위치하는 얼라인 마크를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 상기 무기 표면부와 오버랩할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 상기 무기 표면부의 내측보다 안쪽에 위치할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 상기 봉지 다층막과 직접 접할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 상기 무기 표면부의 아래쪽에 위치할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 금속막을 관통하는 홀일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 금속막은 더미막일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 금속막은 상기 표시 영역에 포함된 전계발광유닛에 전기 신호를 공급하도록 구성될수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 금속막은 상기 표시 영역을 둘러쌀 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 얼라인 마크는 홀을 갖지 않는 금속 패턴일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역은 무기막을 포함하고, 상기 하부 구조물 중 상기 무기 표면부와 상기 무기막 사이에 위치하는 부분은 무기물로만 이루어질 수 있다.

본 실시예에 있어서, 주변 영역은 상기 가지들 사이에 위치하고 유기물로 이루어진 유기 표면부를 포함하고, 상기 유기 표면부는, 상기 봉지 다층막의 상기 하면과 상기 무기 표면부가 직접 접촉하는 부분에 의해 완전하게 둘러싸일 수 있다.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 둘러싸는 버스 와이어를 포함하고, 상기 버스 와이어는 상기 무기 표면부와 오버랩할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 버스 와이어는 적어도 일부가 상기 봉지 다층막과 직접 접할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 버스 와이어는 상기 무기 표면부의 아래쪽에 위치할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 표시 영역은 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 위치하는 중간막, 상기 중간막 상에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하고, 상기 버스 와이어는 상기 상부 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 주변 영역은 상기 표시 영역을 둘러싸는 보조 상부 전극을 포함하고, 상기 보조 상부 전극은 상기 버스 와이어 및 상기 상부 전극과 연결될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 버스 와이어는 상기 표시 영역에 포함되는 박막 트랜지스터의 소스 및 드레인 전극들과 동일막으로 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 버스 와이어는 상기 표시 영역에 포함되는 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동일막으로 형성될 수 있다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 봉지 특성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.

본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 A1-A1'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 표시 장치에서 봉지다층막의 변형예를 도시한 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 표시 장치에서 봉지다층막의 다른 변형예를 도시한 도면이다.
도 5는 도 1의 S를 확대한 도면이다.
도 6은 도 5의 A2-A2'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다
도 7은 도 6의 변형예를 도시한 도면이다.
도 8은 도 6의 다른 변형예를 도시한 도면이다.
도 9는 도 1의 A3-A3'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 10은 도 1의 A4-A4'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.
도 11은 도 5의 변형예를 도시한 도면이다.
도 12는 도 5의 다른 변형예를 도시한 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 14는 도 13의 A5-A5'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 15는 도 14의 변형예를 도시한 도면이다.
도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 17은 도 16의 A6-A6'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 18은 도 17의 변형예를 도시한 도면이다.
도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 20은 도 19의 A7-A7'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 30은 도 29의 T부분을 확대한 도면이다.
도 31은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 32는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 33은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위(on)" 또는 "상(on)"에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다. 반면, "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 부분이 개재되지 않는 것을 나타낸다.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "위(on)", "상(on)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 구성 요소와 다른 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는다.

"무기물 만으로 이루어진다" 로 표현되는 경우 하나 이상의 무기물만으로 이루어진다는 의미이지 하나의 무기물 만으로 이루어진다는 의미는 아니다. 또한, "유기물 만으로 이루어진다"로 표현되는 경우 하나 이상의 유기물만으로 이루어진다는 의미이지 하나의 유기물 만으로 이루어진다는 의미는 아니다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

명세서 전체를 통하여 동일하거나 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용한다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 2는 도 1의 A1-A1'선을 따라 절단한 개략적 단면도로서 하부 구조물과 봉지 다층막을 분리하여 도시한 단면도, 도 3은 도 2에 도시된 표시 장치에서 봉지다층막의 변형예를 도시한 도면, 도 4는 도 2에 도시된 표시 장치에서 봉지다층막의 다른 변형예를 도시한 도면, 도 5는 도 1의 S를 확대한 도면, 도 6은 도 5의 A2-A2'선을 따라 절단한 개략적 단면도, 도 7은 도 6의 변형예를 도시한 도면, 도 8은 도 6의 다른 변형예를 도시한 도면, 도 9는 도 1의 A3-A3'선을 따라 절단한 개략적 단면도, 도 10은 도 1의 A4-A4'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.

도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1000)는, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 하부 구조물(100) 및 하부 구조물(100) 상에 위치하는 봉지 다층막(210)을 포함한다.

하부 구조물(100)은 화상을 구현하기 위한 소자들, 예컨대 전계발광유닛 등을 포함하는 표시 기판으로서, 화상을 표시하는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(PA)을 포함한다. 몇몇 실시예에서 하부 구조물(100)은 벤더블 표시 기판, 폴더블 표시 기판, 롤러블 표시 기판, 스트레쳐블 표시 기판 및 플렉서블 표시 기판 중 어느 하나일 수 있다.

하부 구조물(100) 중 주변 영역(PA)은 무기 표면부(30)를 포함한다. 무기 표면부(30)는 봉지다층막(210)과 마주보는 하부 구조물(100)의 표면 중 주변 영역(PA)에 포함되고 하나 이상의 무기 물질로만 이루어진 부분을 의미한다.

무기 표면부(30)는 무기 절연막의 표면, 도전성 무기 배선(예컨대 메탈 배선)의 표면 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 주변 영역(PA)이 포함하는 무기 표면부(30)는 표시 영역(DA) 전체를 연속적으로 둘러싸는 폐쇄된(closed) 형상일 수 있다. 예시적으로 도 1을 기준으로 하부 구조물(100)의 좌측 하단 모서리 부분을 시작점이라고 가정시, 무기 표면부(30)는 반시계 방향을 따라 순차적으로 제1 방향(x1)을 따라 연장된 부분, 제2 방향(y1)을 따라 연장된 부분, 제1 방향(x1)의 반대 방향(x2)을 따라 연장된 부분, 제2 방향(y1)의 반대 방향(Y2)을 따라 연장된 부분을 포함할 수 있으며, 상기 부분들은 모두 연속할 수 있다.

봉지 다층막(210)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 모두 덮도록 하부 구조물(100) 상에 전면적으로 형성된다. 이와 다르게, 봉지 다층막(210)은 표시 영역(DA)의 전부 및 주변 영역(PA)의 적어도 일부를 덮도록 하부 구조물(100) 상에 형성될 수 있다. 봉지 다층막(200)은 외부의 수분이나 산소 등으로부터 표시 영역(DA)의 전계 발광 소자를 보호하기 위해 형성된다. 봉지 다층막(200)은 적어도 2개의 무기막 사이에 적어도 하나의 유기막이 삽입된 샌드위치 구조를 적어도 하나 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서 봉지 다층막(200)은 도 2에 도시된 바와 같이 제1 무기막(211), 제1 무기막(211) 상의 제2 무기막(215) 및 제1 무기막(211)과 제2 무기막(215) 사이의 유기막(213)을 포함할 수 있다. 제2 무기막(215)은 유기막(213)을 완전히 덮을 수 있으며, 제1 무기막(211)의 측면은 덮지 않을 수 있다.

제1 무기막(211) 및 제2 무기막(215)은 무기물질로 이루어진다. 상기 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다. 유기막(213)은 유기물질로 이루어지며, 상기 유기물질은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지 및 페릴렌계 수지 등 일 수 있다.

다만 봉지 다층막(210)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다.

도 3 및 도 4는 도 2의 봉지 다층막(210)의 변형예들을 도시한 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이 봉지 다층막(220)은 제1 무기막(221), 제1 무기막(221) 상의 제1 유기막(223), 제1 유기막(223) 상에 위치하고 제1 유기막(223)을 완전히 덮는 제2 무기막(225), 제2 무기막(225) 상의 제2 유기막(227), 제2 유기막(227) 상에 위치하고 제2 유기막(227)을 완전히 덮는 제3무기막(229)를 포함할 수도 있다. 도면에 도시된 바와 같이 제2 무기막(225)은 제1 무기막(221)의 측면은 덮지 않을 수 있으며, 제3무기막(229)은 제1 무기막(221)의 측면 및 제2 무기막(225)의 측면은 덮지 않을 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며 다른 실시예에서 제3무기막(229)은 제1 무기막(221) 및 제2 무기막(225)의 측면을 덮을 수도 있다.

또는 도 4에 도시된 바와 같이 봉지 다층막(230)은 제1 무기막(231), 제1 무기막(231) 상의 유기막(233) 및 유기막(233) 상에 위치하는 제2 무기막(235)를 포함할 수 있다, 제2 무기막(235)은 유기막(233)을 완전히 덮고, 제1 무기막(231)의 측면을 덮을 수 있다.

도 2 내지 도 4의 설명에서 상술한 봉지 다층막(210, 220, 230)은 모두 다층구조로 이루어지며, 하부 구조물(100)과 마주보는 하면은 제1 무기막(211, 221, 231)의 하면이다. 즉, 봉지 다층막(210, 220, 230)의 하면은 모두 무기물만을 포함한다. 그리고 무기물로만 이루어진 봉지 다층막(210, 220, 230)의 하면은 앞서 설명한 하부 구조물(100)의 무기 표면부(30)와 직접 접촉하여 무기-무기 접합을 할 수 있다. 바꾸어 말하면 봉지 다층막(210, 220, 230)의 하면과 하부 구조물(100)의 무기 표면부(30)가 직접 접촉하여 밀봉영역을 형성하며 상기 밀봉영역은 하나 이상의 무기 물질에 의해서만 형성된다.

밀봉영역에 유기물질이 존재하는 경우, 수분침투를 거의 막을 수 없다. 반면 본 실시예에 따른 표시 장치(1000)의 경우 밀봉영역이 하나 이상의 무기물질에 의해서만 형성되는 바 밀봉특성이 향상되는 이점을 갖는다.

이하에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(1000)가 도 2에 도시된 봉지 다층막(210)을 포함하는 경우를 예시로 설명한다.

도 5 내지 도 10을 참조하면, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 하부 구조물(100)의 주변 영역(PA)은 기판(101), 기판(101) 상에 위치하는 제1 하부 무기막(111), 제1 하부 무기막(111) 상에 위치하는 제2 하부 무기막(113) 및 제2 하부 무기막(113) 상에 위치하는 무기 구조물(40)을 포함할 수 있다.

기판(101)은 표시 장치(1000)의 전체를 지지하고 강성을 유지시키는 역할을 한다. 기판(101)은 상면이 평탄하며 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 기판(101)은 유연성을 갖는 재질, 예컨대, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate)와 같은 플라스틱 재질로 이루어질 수도 있다. 한편, 기판(101)은 예컨대 금속, 탄소 섬유와 같은 불투명한 재질로 이루어 질 수도 있으며, 플렉서블 표시 장치를 구현하기 위해 기판(101)은 예컨대 폴리이미드(PI) 필름과 같은 가요성 재질의 플라스틱으로 이루어 질 수도 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(101)은, 유리(glass)로 이루어질 수도 있다.

제1 하부 무기막(111)은 기판(101)상에 형성된다. 제1 하부 무기막(111)은 적어도 표시 영역(DA)상에 형성된다. 예를 들면 표시 영역 무기막(11)은 표시 영역(DA)에 구비되는 전계발광유닛 등의 표시 소자(도면 미도시) 하부에 형성되거나 표시 소자(미도시)와 인접하도록 형성되거나 표시 소자(미도시)에 구비된 복수의 부재들 중 어느 하나와 인접하도록 형성될 수 있다.

제1 하부 무기막(111)은 표시 영역(DA)에 형성되고 주변 영역(PA)의 일 영역에까지 연장되도록 형성된다. 제1 하부 무기막(111)은 후술할 버퍼막, 게이트 절연막, 층간 절연막 중 어느 하나를 포함할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 이외에도 제1 하부 무기막(111)은 금속배선일 수도 있다.

제2 하부 무기막(113)은 제1 하부 무기막(111) 상에 형성될 수 있으며, 제1 하부 무기막(111)과 마찬가지로 표시 영역(DA)에 형성되고 주변 영역(PA)의 일 영역에까지 연장되도록 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 하부 무기막(113)은 제1 하부 무기막(111) 상에 위치하는 한도 내에서 다양한 무기막일 수 있다. 예시적으로 제1 하부 무기막(111)이 후술할 버퍼막인 경우, 제2 하부 무기막(113)은 후술할 게이트 절연막, 층간 절연막 중 어느 하나일 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 하부 무기막(113)은 이외에도 무기물질로 이루어진 다양한 구성, 예컨대 금속배선 등일 수도 있다.

무기 구조물(40)은 무기 절연막 또는 도전성 무기 배선(예컨대 메탈배선)일 수 있다.

무기 구조물(40)은 봉지 다층막(210)의 제1 무기막(211)과 직접 접촉할 수 있다.

평면 시점에서 바라볼 때 무기 구조물(40)의 에지는 무기 표면부(30)의 외부에서 내부로 이어지는 부분을 포함할 수 있다. 그리고 무기 구조물(40)의 에지는 볼록부(40a1)와 오목부(40a2) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 무기 구조물(40)은 봉지 다층막(210)의 제1 무기막(211)과 직접 접촉할 수 있으며, 무기 구조물(40)에 의해 단차가 발생하는 바, 제1 무기막(211)과 무기 구조물(40) 사이에는 보이드(Vo)가 발생할 수 있다.

무기 구조물(40)이 직선 형상으로 연장된 경우 보이드(Vo) 또한 직선형으로 성장하는 경우가 많으며, 이러한 경우 보이드(Vo)를 통해 외부에서 수분, 가스 등이 표시 장치(1000) 내부로 침투할 수 있다.

반면 본 실시예에 따른 표시 장치(1000)의 경우 무기 구조물(40)의 에지가 볼록부(40a1)와 오목부(40a2) 중 적어도 하나를 포함한다, 이에 따라 제1 방향(x1)을 따라 연장된 무기 구조물(40)의 에지 주변에서 보이드(Vo)가 발생하여 상장하더라도 볼록부(40a1) 또는 오목부(40a2) 측에서는 보이드(Vo)가 소실된다. 특히 볼록부(40a1) 또는 오목부(40a2)를 복수개 형성하는 경우 보이드(Vo)는 보다 확실하게 소실된다. 이에 따라 주변 영역(PA)에서 밀봉 신뢰성이 향상될 수 있다.

무기 구조물(40)은 도 6에 도시된 바와 같이 단일층 구조로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.

도 7 및 도 8은 도 6의 무기 구조물(40)의 변형예들을 도시한 것이다.

예시적으로 도 7에 도시된 바와 같이, 무기 구조물(41)은 제2 하부 무기막(113) 상에 위치하는 제1 무기막(411) 및 제1 무기막(411) 상에 위치하는 제2 무기막(413)을 포함할 수 있다.

몇몇 실시예에서 제1 무기막(411)의 측벽(411a)은 제2 무기막(413)의 측벽(413)에 비해 상대적으로 내측으로 함몰된 형상으로 이루어질 수 있다. 무기 구조물(41)을 형성하기 위해 제1 무기막(411)와 제2 무기막(413)을 패터닝하는 경우, 습식 식각에서 사용되는 식각액에 의해 제1 무기막(411)의 식각 속도가 제2 무기막(413)의 식각 속도보다 빠른 경우, 제1 무기막(411)의 측벽(411a)은 제2 무기막(413)의 측벽(413)에 비해 상대적으로 내측으로 함몰될 수 있다.

또는, 무기 구조물(41)을 형성하기 위해 제1 무기막(411)와 제2 무기막(413)을 건식 식각을 통해 패터닝하는 경우, 제1 무기막(411)이 제2 무기막(413)보다 강도가 낮으면, 제1 무기막(411)의 측벽(411a)은 제2 무기막(413)의 측벽(413)에 비해 상대적으로 내측으로 함몰될 수 있다.

또는 도 8에 도시된 바와 같이, 무기 구조물(42)은 제2 하부 무기막(113) 상에 위치하는 제1 무기막(421), 제1 무기막(421) 상에 위치하는 제2 무기막(423) 및 제2 무기막(423) 상에 위치하는 제3무기막(425)을 포함할 수 있다.

몇몇 실시예에서 제2 무기막(423)의 측벽(423a)은 제1 무기막(421)의 측벽(421a) 또는 제3무기막(425)의 측벽(425a)에 비해 상대적으로 내측으로 함몰된 형상으로 이루어질 수 있다. 이와 같은 무기 구조물(42)의 형상은, 무기 구조물(42) 형성 과정에서 습식 식각을 진행하는 경우, 소정 식각액에 의한 제2 무기막(423)의 식각 속도가 제1 무기막(421)의 식각 속도 및 제3무기막(425)의 식각 속도보다 빠른 경우 발생할 수 있다.

또는, 무기 구조물(42) 형성과정에서 건식 식각을 진행하는 경우, 제2 무기막(423)의 강도가 제1 무기막(421)의 강도 및 제3무기막(425)의 강도보다 낮은 경우에도 상술한 무기 구조물(42)의 형상이 구현될 수 있다.

도 9는 도 5의 A3-A3'선을 따라 절단한 개략적 단면도, 도 10은 도 1의 A4-A4'선을 따라 절단한 개략적 단면도이다.

도 9를 참조하면, 주변 영역(PA)에는 제1 접착력 증대 리세스(50a)가 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제1 접착력 증대 리세스(50a)는 무기 구조물(40)의 일부를 제거하여 형성될 수 있다. 따라서 제1 접착력 증대 리세스(50a)에 의해 노출된 표면은 모두 무기물로 이루어지며 무기 표면부(30)에 포함된다. 보다 구체적으로 제1 접착력 증대 리세스(50a)의 측면은 무기 구조물(40)과 동일한 물질인 바, 모두 무기물로 이루어진다. 또한 제1 접착력 증대 리세스(50a)의 바닥면은 부분적으로 노출된 제2 하부 무기막(113)의 상면에 해당하는 바, 무기물로 이루어진다. 따라서 봉지 다층막(210)의 제1 무기막(211)과 접촉하는 무기 표면부(30)의 면적이 증가하는 바, 밀봉 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.

몇몇 실시예에서 제1 접착력 증대 리세스(50a)는 무기 구조물(40)에 복수개 형성될 수 있으며, 실질적으로 균일한 간격으로 배치될 수 있다. 여기서 균일하게 배치된다 함은 전체적으로 보았을 때 균일함을 의미하는 것이지 제1 접착력 증대 리세스(50a)들의 간격이 완전히 동일하여야 함은 아니다. 또한, 부분적으로 제1 접착력 증대 리세스(50a)가 없을 수도 있음을 포함하는 개념이다.

도 10을 참조하면, 주변 영역(PA)에는 제2 접착력 증대 리세스(50b)가 형성될 수 있다. 몇몇 실시예에서 제2 접착력 증대 리세스(50b)은 제2 하부 무기막(113)의 일부를 제거하여 형성될 수 있다. 따라서 제2 접착력 증대 리세스(50b)에 의해 노출된 표면은 모두 무기물로 이루어지며 무기 표면부(30)에 포함된다. 보다 구체적으로 제2 접착력 증대 리세스(50b)의 측면은 제2 하부 무기막(113)와 동일한 물질인 바, 무기물로 이루어진다. 또한 제2 접착력 증대 리세스(50b)의 바닥면은 부분적으로 노출된 제1 하부 무기막(111)의 상면에 해당하는 바, 무기물로 이루어진다. 따라서 봉지 다층막(210)의 제1 무기막(211)과 접촉하는 무기 표면부(30)의 면적이 증가하는 바, 밀봉 신뢰성을 더욱 향상시킬 수 있다.

제2 접착력 증대 리세스(50b)은 복수개 형성될 수 있으며, 실질적으로 균일한 간격으로 배치될 수 있다. 여기서 균일하게 배치된다 함은 전체적으로 보았을 때 균일함을 의미하는 것이지 제2 접착력 증대 리세스(50b)들의 간격이 완전히 동일하여야 함은 아니다. 또한, 부분적으로 제2 접착력 증대 리세스(50b)들이 없을 수도 있음을 포함하는 개념이다.

도 11은 도 5의 변형예를 도시한 도면, 도 12는 도 5의 다른 변형예를 도시한 도면이다.

도 11을 참조하면, 무기 구조물(43)의 에지는 도 6에 도시된 바와는 달리, 각진 부분을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 무기 구조물(43)의 에지는 도 11에 도시된 바와 같이 제1 방향(x1)을 따라 연장된 제1 부분, 상기 제1 부분과 연결되고 제2 방향(y1)의 반대 방향(y2)으로 연장된 제2 부분, 상기 제2 부분과 연결되고 제1 방향(x1)을 따라 연장된 제3부분을 포함할 수 있다. 그리고 상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 소정 각도를 형성할 수 있고, 유사하게 상기 제2 부분과 상기 제3부분은 소정 각도를 형성할 수 있다. 이와 같이 무기 구조물(43)에 각진 부분을 형성하더라도, 도 6의 설명에서 상술한 바와 유사한 효과가 발생한다.

또는 도 12를 참조하면, 무기 구조물(44)의 에지는 도 11에 도시된 바와는 달리, 라운드된 부분을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로 무기 구조물(44)의 에지는 도 11에 도시된 바와 같이 제1 방향(x1)을 따라 연장된 제1 부분, 제2 방향(y1)의 반대 방향(y2)으로 연장된 제2 부분, 제1 방향(x1)을 따라 연장된 제3부분, 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하고 라운드된 제1 연결부분, 상기 제2 부분과 상기 제3부분을 연결하고 라운드된 제2 연결부분을 포함할 수도 있다. 이와 같이 무기 구조물(44)에 라운드된 부분을 형성하더라도, 도 6의 설명에서 상술한 바와 유사한 효과가 발생한다.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 14는 도 13의 A5-A5'선을 따라 절단한 단면도, 도 15는 도 14의 변형예를 도시한 도면이다.

도 13 및 도 14를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1001)는 주변 영역(PA)에 제1 접착력 증대 리세스(50b1) 및 제2 접착력 증대홀(50b2)을 포함한다. 제1 접착력 증대 리세스(50b1)은 무기 표면부(30)의 가장자리를 따라 연장하는 형상을 가질 수 있고, 이러한 제1 접착력 증대 리세스(50b1)은 복수개일 수 있다.

제2 접착력 증대 리세스(50b2)은 제1 접착력 증대 리세스(50b1) 보다 상대적으로 표시 영역(DA)에 인접하여 위치할 수 있으며, 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 도면에는 미도시하였으나, 제2 접착력 증대 리세스(50b2)은 복수개일 수 있다. 도면에는 표시 장치(1001)의 주변 영역(PA)에 제1 접착력 증대 리세스(50b1) 및 제2 접착력 증대홀(50b2)이 모두 형성된 경우를 도시하였으나, 이는 하나의 예시일 뿐이다. 즉, 제1 접착력 증대 리세스(50b1)과 제2 접착력 증대홀(50b2) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.

제1 접착력 증대 리세스(50b1)의 연장 방향은, 표시 장치(1001)의 외측으로부터 표시 장치(1001)의 중앙부로의 수분 또는 산소의 침투방향과 실질적으로 수직을 이룬다. 유사하게, 제2 접착력 증대홀(50b2)이 표시영역(DA)를 연속적으로 둘러싸는 형상을 가지는 경우, 제2 접착력 증대홀(50b2)은 표시 장치(1001)의 외측으로부터 표시 장치(1001)의 중앙부로의 수분 또는 산소의 침투방향과 실질적으로 수직을 이룬다. 따라서 표시 장치(1001)의 내부로 수분 또는 산소가 침투하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.

도 14를 참조하면, 제1 접착력 증대 리세스(50b1) 및 제2 접착력 증대 리세스(50b2) 각각은 무기 구조물(40) 및 제2 하부 무기막(113)의 일부를 제거하여 형성될 수 있다. 이에 따라 무기 표면부(30)의 면적을 효과적으로 증가시킬 수 있으며, 최종적으로 무기 표면부(30)와 봉지 다층막(210)의 하면, 또는 제1 무기막(211)의 하면간의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다.

몇몇 실시예에서 제1 접착력 증대 리세스(50b1) 및 제2 접착력 증대 리세스(50b2)의 바닥면에는 단차면이 형성될 수 있다. 상기 단차면은 돌출부(70)의 표면일 수 있다. 돌출부(70)는 제2 하부 무기막(113)의 일부일 수 있으며, 이에 따라 무기 표면부(30)의 면적을 보다 증가시킬 수 있다.

제1 하부 무기막(111)의 상면을 기준으로 측정한 돌출부(70)의 높이는 제1 접착력 증대 리세스(50b1)의 깊이보다 실질적으로 적다. 비록 도면에 도시하지는 않았지만, 돌출부(70)의 평면 형상은 십자형상, 스트라이프 형상 등 다양하게 구현될 수 있다. 다만, 십자형이든 일자형이든 돌출부(70)는 무기 표면부(30)의 가장자리와 동일한 방향으로 연장하는 부분을 갖는 것이 바람직한데, 이는 표시 장치의 측면으로부터 중앙부로의 수분 또는 산소의 침투방향과 실질적으로 수직을 이루도록 하기 위함이다.

몇몇 실시예에서 도 15에 도시된 바와 같이 돌출부(70) 상에는 돌출부(70a)가 더 위치할 수도 있다. 돌출부(70a)는 무기 구조물(40)의 일부일 수 있다.

몇몇 실시예에서 제1 하부 무기막(111)의 상면을 기준으로 측정한 제1 하부 무기막(111)의 상면을 기준으로 측정한 돌출부(70a)의 높이는, 제1 하부 무기막(111)의 상면을 기준으로 측정한 무기 구조물(40)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 이러한 경우, 도 14의 설명에서 상술한 제1 접착력 증대 리세스(50b1)은 서브 접착력 증대 리세스(50b1a, 50b1b)로 나누어지고, 제2 접착력 증대 리세스(50b2)도 서브 접착력 증대 리세스(50b2a, 50b2b)로 나누어질 수 있다. 이외 돌출부(70a)의 형상 및 돌출부(70a)로 인한 효과는 도 13 및 도 14의 설명에서 상술한 돌출부(70)과 유사한 바, 생략한다.

도 16은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 17은 도 16의 A6-A6'선을 따라 절단한 단면도, 도 18은 도 17의 변형예를 도시한 도면이다.

도 16 내지 도 18을 참조하면, 평면 시점에서 바라볼 때, 본 실시예에 따른 표시 장치(1002)는 무기 표면부(30) 중 표시 장치(1002)의 장변 또는 y1-y2을 따라 연장된 부분(이하 '제1 연장부분')과 무기 표면부(30) 중 표시 장치(1002)의 단변 또는 x1-x2을 따라 연장된 부분(이하 '제2 연장부분)의 폭이 서로 다르다. 보다 구체적으로 무기 표면부(30) 중 상기 제1 연장부분의 x1-x2방향으로의 제1 폭(W1)은 무기 표면부(30) 중 상기 제2 연장부분의 y1-y2방향으로의 제2 폭(W2)보다 상대적으로 크다.

표시 장치(1002)가 유연성을 갖는 플렉서블 표시 장치로 구현되는 경우, 표시 장치(1002)는 다수 번 구부러졌다가 펴질 수 있으며, 이러한 경우 표시 장치(1002)의 장변 쪽에 가해지는 스트레스가 단변 쪽에 가해지는 스트레스보다 클 수 있다. 따라서 봉지 다층막(210)과 하부 구조물(100) 사이의 보이드(Vo)는 표시 장치(1002)의 장변 측에서 발생할 가능성이 높다. 따라서 무기 표면부(30)의 상기 제1 연장부분의 제1 폭(W1)을 무기 표면부(30)의 상기 제2 연장부분의 제2 폭(W2)보다 크게 형성함으로써 밀봉 특성을 향상시킬 수 있다.

무기 표면부(30)의 측부는 다수의 굴곡부들을 가질 수 있으므로, 제1 폭(W1)은 평균 폭으로 계산되는 것이 바람직하다. 즉, 무기 표면부(30)의 상기 제1 연장부분의 면적(SA)을 상기 제1 연장부분의 y1-y2방향으로의 길이(L1)으로 나눈 값이 상기 제1 연장부분의 제1 폭(W1)이 될 수 있다. 여기서 제1 연장부분의 면적(SA)은 평면 시점에서 바라볼 때의 면적을 의미한다.

표시 장치(1002)의 하부 구조물(100)은 하부 구조물(100)의 표면부 아래에서 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)과 실질적으로 수직하게 대응하면서 연장하는 하부 무기 봉지막을 포함한다. 표시 장치(1002)의 무기 표면부(30)와 상기 하부 봉지 무기막 사이의 부분에는 유기 물질로 이루어진 구성이 개재되지 않아 적어도 하나의 무기물로만 이루어진다. 여기서 하부 봉지 무기막은 무기막들(111, 113, 115) 중 선택된 어느 하나일 수 있다. 여기서, 적어도 하나의 무기물은 밀봉 특성 향상을 위해 SiN 및/또는 SiON을 포함할 수 있다.

이하 표시 장치(1002)의 구성에 대해 구체적으로 설명하며, 앞서 설명한 내용과 중복되는 설명은 간략히 하거나 생략한다.

표시 장치(1002)는 기판(101), 기판(101) 상에 형성된 박막 트랜지스터(TFT), 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된 전계발광유닛(EU) 및 전계발광유닛(EU)를 밀봉하는 봉지 다층막(210)을 포함한다.

앞서 설명한 바와 같이 표시 장치(1002)는 표시 영역(DA) 및 표시 영역(DA) 주변의 주변 영역(PA)으로 구획된다. 표시 영역(DA)은 기판(101)의 중앙부에 배치되며, 화상이 표시되는 영역이다. 주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 기판(101)의 가장자리에 배치되며, 화상이 표시되지 않는 영역이다.

기판(101)은 표시 장치의 전체를 지지하고 강성을 유지시키는 역할을 한다. 기판(101)은 투명한 절연 물질로 이루어질 수 있으며 유연성을 가질 수 있다.
기판(101)의 표시 영역(DA)과 대응하는 부분에는 화상을 표시하는 광을 방출하는 복수의 전계발광 유닛(electroluminescent unit)(EU)이 화소 별로 배치된다. 주변 영역(PA)에는 표시 영역(DA)에 배치된 전계발광유닛(EU)의 상부 전극(125)로 전기적인 신호 또는 전원을 인가하기 위한 상부 전극 전원 와이어(901)이 위치한다. 상부 전극 전원 와이어(901)는 버스 와이어(109b) 및 보조 상부 전극(106c)을 포함한다. 이하에서는 기판(101)에서부터 적층된 순서대로 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)에 배치된 구성 요소에 대해 살펴본다.

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기판(101) 상에는 버퍼막(111)이 형성된다. 버퍼막(111)은 상면을 평활하게 하며 불순물의 침투를 차단한다. 버퍼막(111)은 실리콘산화물(SiOx), 실리콘산질화물 및/또는 실리콘질화물(SiNx) 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있으며, 다양한 증착 방법을 통해 형성할 수 있다. 버퍼막(111)은 필요에 따라 생략할 수 있다.

버퍼막(111) 상에는 화소 회로(C1)가 형성된다. 화소 회로(C1)는 적어도 하나의 박막 트랜지스터(TFT)를 포함한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 전계발광유닛(EU)과 전기적으로 연결되어 전계발광유닛(EU)을 구동한다. 도시되지 않았지만, 화소 회로(C1)는 적어도 하나의 커패시터를 더 포함할 수 있다.

박막 트랜지스터(PC-TFT)는 활성층(102), 게이트 전극(103), 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)을 순차적으로 포함하는 탑 게이트 타입(top gate type)으로 이루어질 수 있다. 다만 이는 하나의 예시일 뿐이며, 박막 트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입(bottom gate type) 등 다양한 타입으로 이루어질 수 있다. 이하에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 탑 게이트 타입인 경우를 예시로 설명한다.

활성층(102)은 버퍼막(111) 상에 형성된다. 활성층(102)은 반도체 물질을 포함하며, 예컨대 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않고 활성층(102)이 예컨대, G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](a, b, c는 각각 a≥0, b≥0, c＞0의 조건을 만족시키는 실수)와 같은 산화물 반도체 물질을 포함할 수 있다. 활성층(102)은 GIZO 외에도 예를 들어, 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 또는 하프늄(Hf) 과 같은 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 활성층(102)은 소스 전극(105)이 접촉하는 소스 영역, 드레인 전극(107)이 접촉하는 드레인 영역, 상기 소스 영역과 상기 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역을 포함한다. 활성층(102)이 비정질 실리콘 또는 다결정 실리콘을 포함하는 경우, 필요에 따라 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에는 불순물이 도핑될 수 있다.

게이트 절연막(112)은 활성층(102) 상에 형성되며, 실리콘산화물, 실리콘산질화물 및/또는 실리콘질화물 등의 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 게이트 절연막(112)은 활성층(102)과 게이트 전극(103)을 절연하는 역할을 한다.

게이트 전극(103)은 게이트 절연막(112)의 상부에 형성된다. 게이트 전극(103)은 박막 트랜지스터(TFT)에 온/오프 신호를 인가하는 게이트 라인(미도시)와 연결되어 있다. 게이트 전극(103)은 저저항 금속 물질로 이루어질 수 있으며, 예컨대 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.

게이트 전극(103) 상에는 층간 절연막(113)이 형성된다. 층간 절연막(113)은 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)과 게이트 전극(103)을 절연하는 역할을 한다. 층간 절연막(113)은 무기 물질로 이루어진 막이 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 예컨대 무기 물질은 금속 산화물 또는 금속 질화물일 수 있으며, 구체적으로 무기 물질은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 지르코늄산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.

소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)은 층간 절연막(115) 상에 형성된다. 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)은 층간 절연막(113)과 게이트 절연막(113)에 형성된 컨택홀을 통해 활성층(102)의 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 접촉한다. 이렇게 형성된 박막 트랜지스터(TFT) 상에는 평탄화막(115)이 형성된다. 평탄화막(115)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 유기 물질은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 평탄화막(115)은 박막 트랜지스터(TFT) 어레이로부터 비롯된 단차를 해소하고 상면을 평탄하게 하여, 하부 요철에 의해 전계발광유닛(EU)에 불량이 발생하는 것을 방지한다.

평탄화막(115)의 상부 중 표시 영역(DA)에 대응하는 부분에는 전계발광유닛(EU)이 형성된다. 전계발광유닛(EU)은 평탄화막(115) 상에 위치하고 평탄화막(115)을 관통하여 드레인 전극(1070과 연결된 하부 전극(121), 이에 대향 되는 상부 전극(125) 및 양 전극 사이에 개재되는 전계 발광층(123)을 포함한다. 전계 발광층(123)은 유기물질을 포함할 수 있다. 전계발광유닛(EU)의 발광 방향에 따라, 표시 장치는 배면 발광 타입(bottom emisSiON type), 전면 발광 타입(top emisSiON type) 및 양면 발광 타입(dual emisSiON type) 등으로 구별되는데, 배면 발광 타입에서는 하부 전극(121)이 투명 또는 반투명 전극으로 구비되고 상부 전극(125)은 반사 전극으로 구비된다. 전면 발광 타입에서는 하부 전극(121)이 반사 전극으로 구비되고 상부 전극(125)이 투명 또는 반투명 전극으로 구비된다. 양면 발광 타입에서는 하부 전극(121) 및 상부 전극(125)이 모두 투명 또는 반투명 전극으로 구비될 수 있다.

하부 전극(121)이 애노드로 기능하는 경우, 일함수가 높은 인듐주석산화물(indium tin oxide: ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide: IZO), 아연산화물(zinc oxide: ZnO), 인듐산화물(indium oxide: In2O3), 인듐갈륨산화물(indium gallium oxide: IGO), 및 알루미늄아연산화물(aluminum zinc oxide: AZO)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 하부 전극(121)은 각 화소에 대응하는 아일랜드 형태로 패터닝되어 형성될 수 있다. 또한 하부 전극(121)은 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(107)과 연결되어 전류를 인가 받을 수 있다.

한편, 하부 전극(121) 상에는 이를 덮는 절연물인 화소 정의막(117)(pixel define layer: PDL)이 형성된다. 화소 정의막(117)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐 및 페놀 수지로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유기 절연 물질로 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 화소 정의막(117) 상에는 화소를 정의하는 소정의 개구부가 형성된다. 적어도 이 개구부로 한정된 영역에는 전계 발광층(123)이 형성된다. 본 발명의 실시예들에서 화소 정의막(117)은 잉크젯 또는 노즐 프린팅법 등의 솔루션 기법으로 발광층을 형성할 때 사용되며 상대적으로 높은 높이를 갖는 격벽을 포함하는 개념이다.

전계 발광층(123)은 적색, 녹색 또는 청색 광을 방출하는 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다. 비록 도시하지는 않았지만, 전계 발광층(123)과 하부 전극(121) 사이에 수송층(hole transport layer: HTL) 및/또는 홀 주입층(hole injection layer: HIL)이 위치할 수 있다. 또한, 도시하지는 않았지만, 전계 발광층(123)과 상부 전극(125) 사이에 전자 수송층(electron transport layer: ETL) 및/또는 전자 주입층(electron injection layer: EIL)이 위치할 수 있다. 물론, 이들 홀 주입층, 홀 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층 외에도 다양한 층들이 필요에 따라 적층되어 형성될 수 있다.

한편, 상술한 실시예에서는 각 화소 별로 별도의 전계 발광층(123)이 형성된 경우를 예로 설명하였다. 이 경우에는 화소 별로 적색, 녹색 및 청색의 광을 각각 방출할 수 있으며, 적색, 녹색 및 청색의 광을 방출하는 화소 그룹이 하나의 단위 화소를 이룰 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 유기 발광층이 화소 전체에 공통으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색, 녹색, 및 청색의 광을 방출하는 복수의 유기 발광층이 수직으로 적층되거나 혼합되어 형성되어 백색광을 방출할 수 있다. 물론, 백색광을 방출하기 위한 색의 조합은 상술한 바에 한정되지 않는다. 한편, 이 경우 방출된 백색광을 소정의 컬러로 변환하는 색변환층이나 컬러필터가 별도로 구비될 수 있다.

상부 전극(125)은 도전성 무기 물질로 이루어질 수 있다. 상부 전극(125)이 캐소드로 기능하는 경우 일함수가 작은 Al, Mg, Ag 등으로 형성할 수 있다. 상부 전극(125)은 화상이 구현되는 표시 영역(DA) 전체에 걸쳐 공통 전극으로 형성될 수 있다. 이 때, 상부 전극(125)은 전계 발광층(123)에 손상을 가하지 않는 증발(evaporation) 공정으로 형성할 수 있다. 한편, 하부 전극(121)과 상부 전극(125)은 그 극성이 서로 반대가 되어도 무방하다.

이와 같은 상부 전극(125)은 주변 영역(PA)에 위치하는 상부 전극 전원 와이어(901)와 연결되어 전기적 신호 또는 전원을 인가 받을 수 있다. 상부 전극 전원 와이어(901)는 버스 와이어(106c) 및 보조 상부 전극(109b)를 포함한다.

버스 와이어(106c)는 외부로부터 인가 받은 전기적 신호 또는 전원을 상부 전극(125)으로 인가한다. 따라서, 버스 와이어(106c)는 전류를 잘 통할 수 있는 도전성 무기 물질로 이루어지며, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 버스 와이어(106c)은 층간 절연막(113) 상에 형성된다. 버스 와이어(106c)은 화소 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)을 형성할 때 동시에 형성될 수 있다. 이 경우 버스 와이어(106c)은 소스 전극(105) 및 드레인 전극(107)과 동일한 도전성 무기 물질로 이루어질 수 있다.

버스 와이어(106c)는 상부 전극(125)과 전기적으로 연결되어야 하는데, 버스 와이어(106c)와 상부 전극(125)은 형성된 층이 달라 서로 떨어져 있다. 따라서, 버스 와이어(106c)와 상부 전극(125)을 전기적으로 연결하는 보조 상부 전극(109b)가 필요하다.

보조 상부 전극(109b)은 버스 와이어(106c)으로부터 인가 받은 전기적 신호 또는 전원을 상부 전극(125)으로 전달하기 위해서 버스 와이어(106c) 및 상부 전극(125)와 접촉한다. 보조 상부 전극(109b)는 브리지 또는 링크 역할을 한다. 따라서, 보조 상부 전극(109b)는 전류를 잘 통할 수 있는 도전성 무기 물질로 이루어지며, 예컨대 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 가운데 선택된 하나 이상의 금속으로 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 한편, 전술한 평탄화막(115)의 측면부는 주변 영역(PA)에 배치되는데, 보조 상부 전극(109b)은 평탄화막(115)의 측면 및 상면을 따라 배치된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 보조 상부 전극(109b)는 하부 전극(121)과 동일한 물질로 하부 전극(121)과 함께 형성될 수 있다.

보조 상부 전극(109b)은 주변 영역(PA)에서 표시 영역(DA)의 주변을 따라 연장하는 형상을 가질 수 있다. 구체적으로 보조 상부 전극(109b)은 주변 영역(PA)에서 표시 영역(DA)을 평면 시점에서 둘러싸거나 실질적으로 둘러싸는 형상을 가져 상부 전극(125)의 IR 드롭 (IR Drop)을 방지하는 역할을 한다. 보조 상부 전극(109b)의 형상과 관련하여 "둘러싸는 형상" 또는 "실질적으로 둘러싸는 형상"은 완전히 둘러싸는 것뿐만 아니라 IR 드롭 방지 효과가 있다면 부분적으로 둘러싸는 것도 포함한다. 또한, 보조 상부 전극(109b)과 버스 와이어(106c) 사이의 컨택 영역의 면적을 증가시키기 위해서 버스 와이어(106c)는 주변 영역(PA)에서 표시 영역(DA)의 주변을 따라 연장하는 형상을 가질 수 있다. 구체적으로 버스 와이어 (106c) 역시 주변 영역(PA)에서 표시 영역(DA)를 둘러싸거나 실질적으로 둘러싸는 형상을 가질 수 있다.

봉지 다층막(210)은 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)을 모두 덮도록 기판(101)에 전면적으로 형성된다. 이와 다르게 봉지 다층막(210)은 표시 영역(DA)의 전부와 주변 영역(PA)의 적어도 일부를 덮도록 기판(101)에 형성될 수 있다. 봉지 다층막(210)은 외부의 수분이나 산소 등으로부터 전계발광유닛(EU)를 보호하기 위해 형성된다. 봉지 다층막(210)은 제1 무기층(211), 제1 무기층(211) 상의 유기층(213), 및 유기층(213) 상의 제2 무기층(215)를 포함할 수 있다. 여기서 유기층(213)은 제2 무기층(215)의 표면부가 실질적으로 평탄한 영역(FA: flat area:)을 갖도록 한다.

이외에도 봉지 다층막(210)은 다양한 구조로 이루어질 수 있다. 예시적으로 봉지 다층막(210)은 전계발광유닛(EU)의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층을 포함할 수 있다. 또는 봉지 다층막(210)은 유기 발광 소자의 상부로부터 순차적으로 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층, 제2 유기층, 제3 무기층, 제3 유기층, 제4 무기층을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층 보다 면적이 좁은 것을 특징으로 하며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층 보다 면적이 좁을 수 있다. 또한, 상기 제1 유기층은 상기 제2 무기층에 의해 완전히 뒤덮이는 것을 특징으로 하며, 상기 제2 유기층도 상기 제3 무기층에 의해 완전히 뒤덮일 수 있다. 또한, 제3 무기층의 면적은 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층 및 제2 유기층의 면적들보다 넓어서 제1 무기층, 제1 유기층, 제2 무기층 및 제2 유기층의 엣지들을 커버할 수 있다. 상술한 바와 같이 봉지 다층막(210)은 다양한 구조를 가질 수 있으나, 봉지 다층막(210)의 하면은 적어도 하나의 무기물로만 이루어진다.

봉지 다층막(210)은 단독으로 하부 구조물(100)을 봉지하더라도 표시 영역(DA)에 포함된 전계발광유닛(EU)을 외부의 수분 및/또는 산소로부터 보호할 수 있는 능력을 지닌다. 즉, 봉지 다층막(210) 외에 수분 및/또는 산소 침투를 방지할 수 있는 다른 추가 봉지 부재를 사용할 필요 없이 봉지 다층막(210) 단독으로도 전계발광유닛(EU)을 봉지하여 외부의 수분 및/또는 산소의 침투에 대하여 신뢰성 있는 표시 소자를 구현할 수 있다. 봉지 다층막(210)은 복수의 막들을 포함할 수 있다. 그러나, 봉지 다층막(210)이란 용어는 우수한 봉지 능력을 지니는 단일막을 지칭하는 용어로도 사용될 수 있으며 본 발명의 권리 범위에 포함된다.

주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 형상의 무기 표면부(30)를 갖는다. 무기 표면부(30)는 봉지 다층막(210)의 하면과 직접 접한다. 무기 표면부(30)는 하나 이상의 무기물만을 포함하고 봉지 다층막(210)의 하면도 하나 이상의 무기물만을 포함하므로 무기 표면부(30)와 봉지 다층막(210)의 하면의 직접 접합은 무기-무기 직접 접합을 이룬다.

하부 구조물(100)은 하부 구조물(100)의 표면부 아래에서 표시 영역(DA) 및 주변 영역(PA)과 수직하게 대응하도록 연장하는 하부 봉지 무기막을 갖고, 무기 표면부(30)와 상기 하부 봉지 무기막 사이에 위치하는 하부 구조물(100)의 부분은 적어도 하나의 무기물만을 포함할 수 있다. 상기 하부 봉지 무기막은, 예를 들어, 버퍼막(111), 게이트 절연막(112) 또는 층간 절연막(113)일 수 있다. 여기서 상기 하부 봉지 무기막은 수분 및 산소 투과율이 상대적으로 낮은 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 상기 하부 봉지 무기막은 상기 하부 봉지 무기막에 포함된 무기 물질과 다른 무기 물질로 채워진 적어도 하나의 홀을 포함할 수 있다.

표시 장치의 상부는 봉지 다층막(210)에 의해서 봉지되고, 표시 장치의 하부는 버퍼막(111), 게이트 절연막(112) 또는 층간 절연막(113)과 같은 하부 봉지 무기막에 의해서 봉지되고, 표시 장치의 측부는 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 형상의 무기 표면부(30)와 버퍼막(111), 게이트 절연막(112) 또는 층간 절연막(113)과 같은 하부 봉지 무기막 사이에 위치하는 적어도 하나의 무기물만을 포함하는 부분에 의해서 봉지되므로 완전한 무기 봉지 구조를 달성할 수 있다.

상술한 바와 같이, 평탄화막(115)은 유기 물질로 형성될 수 있다. 화학 기상 증착법(CVD: chemical vapor deposition), 물리 기상 증착법 (PVD: physical vapor deposition)법 등의 공정에 의해서 형성되는 무기막은 스핀 코팅법 (Spin coating), 잉크젯 코팅법 (inkjet coating) 등의 용액(solution) 공정에 의해서 형성되는 유기막에 비해서 평탄화한 상면을 구현하기가 어렵다. 따라서, 무기막으로 평탄화막(115)을 구현하기 위해서는 상대적으로 많은 수의 무기층들을 적층하여 평탄화막(115)의 높이가 높아지거나 단일막으로도 평탄화막(115)의 높이를 상대적으로 높게 해야 한다는 문제점이 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들에 따르면, 평탄화막(115)을 유기 물질로 형성한다. 따라서, 보조 상부 전극(106b)의 무기 표면과 버퍼막(111), 게이트 절연막(112) 또는 층간 절연막(113) 사이에 유기 물질이 개재된다. 따라서 평탄화막(115)이 형성되는 영역에는 무기 표면부(30)는 형성될 수 없다. 결과적으로, 본 발명의 실시예들에 따르면, 무기 표면부(30)는 평탄화막(115)의 상면보다 상대적으로 낮게 위치하게 된다. 여기서 상대적으로 낮게 위치한다는 의미는, 상대적으로 기판(101)에 더 가깝다는 의미를 포함한다.

도 18은 도 17의 변형예를 도시한 도면으로서, 도 17의 구조 대비 무기막(114)를 더 포함하는 점이 가장 큰 차이점이며 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다. 따라서 중복되는 내용은 생략한다.

버스 와이어(106c)는 무기표면부(30)과 겹친다. 본 명세서에서 겹친다는 의미는 도 17에 도시된 것처럼, 버스 와이어(106c)가 무기 표면부(30)에 포함되어 봉지 다층막(210)의 바텀면과 접촉하는 경우뿐만 아니라 도 18에 도시된 것처럼, 버스 와이어(106c)가 봉지 다층막(210)의 바텀면과 접촉하지 않으면서 무기 표면부(30)와 수직적으로 대응하는 경우, 즉 아래에 위치하는 경우를 포함한다.

도 19는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 20은 도 19의 A7-A7'선을 따라 절단한 단면도이다. 도 19 및 도 20을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1003)는 유기 표면부(Os)을 제외하고 도 16 및 도 17의 설명에서 상술한 표시 장치(도 16 및 도 17의 1002)와 실질적으로 동일하다.

도 19를 참조하면, 하부 구조물(100)에 포함된 유기 표면부(Os)에 의해서 무기 표면부(30)은 제1 측에서 제1 무기 표면 가지(SA1) 및 제2 무기 표면 가지(SA1)로 나뉘게 된다. 예시적으로 상기 제1 측은 하부 구조물(100)의 좌측, 즉 x2방향측을 의미할 수 있다.

여기서 무기 표면부(30)의 제1 측에서의 폭(W1)은 제1 무기 표면 가지(SA1)의 면적과 제2 무기 표면 가지(SA2)의 면적의 합을 무기 표면부(30)의 제1 측에서의 길이(L1)으로 나누어서 구할 수 있다. 이상적으로 도 19와 같이 소자가 제조되는 경우라면, 폭(W1)은 제1 무기 표면 가지(SA1)의 폭(W1a)과 제2 무기 표면 가지(SA2)의 폭(W2a)의 합으로도 계산될 수 있다. 이러한 계산법은 상술한 도 16에 따른 실시예, 후술할 도 21 내지 도 26에 따른 실시예들에 적용될 수도 있다.

도 19에는 제1 무기 표면 가지(SA1)의 y1-y2방향 길이 및 제2 무기 표면 가지(SA2)의 y1-y2방향 길이가 무기 표면부(30)의 제1 측에서의 길이(L1)와 실질적으로 동일한 것으로 도시하였으나, 제1 무기 표면 가지(SA1)의 y1-y2방향 길이 및 제2 무기 표면 가지(SA2)의 y1-y2방향 길이는 무기 표면부(30)의 제1 측에서의 길이(L1)보다 작을 수도 있으며, 유기 표면부(Os)의 형상은 어느 일 방향으로 연장한다고 보기 어려운 원과 같은 형상일 수도 있다.

무기 표면부(30)는 서로 이격된 다수의 무기 표면 무기 표면 가지들(SA1, SA2)로 분기된 영역을 가질 수 있다. 그리고, 주변 영역(PA)은 무기 표면 무기 표면 가지들(SA1, SA2) 사이에 위치하는 유기 표면부(Os)를 포함할 수 있다.

유기 표면부(Os)는 상향으로 돌출된 형태를 가질 수 있다. 유기 표면부(Os)는 상향으로 돌출된 형태를 가지면서 봉지 다층막(210)의 유기층(213)와 겹치기 때문에 봉지 다층막(210)의 엣지부에서 하부 구조물(100)과의 결합력을 증가시키는 역할을 한다. 또한, 유기 표면부(Os)의 높이가 상대적으로 높은 경우, 봉지 다층막(210)의 유기층(213)에 가해지는 열적 혹은 물리적 스트레스에 의해서 유기층(213)이 외부로 밀리는 것을 방지하는 댐(dam)역할을 할 수 있다. 유기 표면부(Os) 및 무기 표면부(30)에 대해서는 유기 표면부(Os) 및 무기 표면부(30)들은 본 발명의 모든 실시예에 적용될 수 있다.

도 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 21을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1004)는 무기 표면부(30)는 길이가 상대적으로 긴 제1 측(또는 x2방향 측)에서 제1 폭(W1)을 가지며, 길이가 상대적으로 짧은 제2 측(또는 y2방향 측)에서 제1 폭(W1)보다 상대적으로 큰 제2 폭(W2)을 갖는다. 표시 장치(1004)가 플렉서블 표시 장치로 구현되는 경우, 필요에 따라서 장변쪽의 구부러졌다가 펴짐의 정도가 단변 쪽의 구부러졌다가 펴짐의 정도보다 작을 수 있다. 이 경우는 단변쪽에서 박막봉지와 하부구조물 사이에 산소와 수분의 패스가 장변쪽에서 더 잘 일어나기 때문에 장변쪽에서 무기 표면부(30)의 폭을 더 작게 형성함으로써 효과적인 봉지를 이룰 수 있다. 이외 표시 장치(1004)에 대한 설명은 도 16 및 도 17의 설명에서 상술한 바와 동일한 바, 생략한다.

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도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 22를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1005)는, 무기 표면부(30)의 제2 측(또는 y2방향 측)이 경성부재(Rigid member, RM)에 의해서 고정되는 점에서 도 16 및 도 17의 설명에서 상술한 표시 장치(도 16의 1002)와 차이점이 존재하며 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다.
경성부재(RM)는 표시 장치의 손잡이 등이며 도 22에 도시된 바와 같이 표시 장치(1005)의 일측(y2방향 측)에만 배치될 수 있다. 또는 도면에는 미도시하였으나, 경성부재(RM)는 둘 이상이 구비되어 표시 장치(1005)의 양측(y1방향 측 및 y2방향 측)에 고정될 수도 있다. 일반적으로 고정되는 측에서는 굽혀졌다가 펴짐의 정도가 다른 측보다 적으므로 상대적으로 수분 및 산소의 패스가 잘 일어나지 않으므로, 경성부재(RM)에 의해 고정되는 측(y2방향 측)에서 무기 표면부(30)의 폭을 경성부재(RM)가 고정되지 않는 측(x1방향측 또는 x2방향 측)의 무기 표면부(30) 폭보다 더 작게 형성함으로써 효과적인 봉지를 이룰 수 있다.

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도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 23을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1006)는, 경성부재(Rigid member, RM)가 고정된 무기 표면부(30)의 제2 측(또는 y2방향 측)의 폭(W2)이 경성부재(RM)가 고정되지 않는 측(x1방향측 또는 x2방향 측)의 무기 표면부(30) 폭(W1)보다 크게 형성된 점에서 도 22의 설명에서 상술한 표시 장치(도 22의 1004)와 차이점이 존재하며 이외의 구성은 실질적으로 동일하거나 유사하다.

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표시 영역(DA)의 면적을 넓히는 것이 필요한데, 이 경우 경성부재(RM)가 고정되지 않는 측의 폭은 넓힐 수 있는 한계가 있다. 그러나 경성부재(RM)가 고정되는 측은 무기 표면부(30)가 경성부재(RM)의 안쪽으로 일정 폭 삽입될 수 있기 때문에, 표시 영역(DA)의 폭을 넓히는 것이 가능하다. 경우에 따라 경성부재(RM)로 인한 가압 혹은 경성부재(RM)의 내부 구조물, 경성부재(RM)의 내부 수분 또는 산소 분위기, 또는 경성부재(RM)의 내부 온도로 인해서 수분 내지 산소 패스가 더 잘 생길 수 있다. 이 경우 경성부재(RM)에 의해서 고정되는 쪽의 무기 표면부(30)의 폭(W2)을 경성부재(RM)가 고정되지 않는 쪽의 무기 표면부(30)의 폭(W1)보다 더 넓게 형성하는 것이 유리할 수 있다.

도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 24를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1007)는 무기 표면부(30)의 일측(y2방향 측)에 FPCB등과 같은 외부 전기적 요소와 연결되는 적어도 하나의 패드(Pad)가 형성된다. 이 경우 패드(Pad)와 인접한 무기 표면부(30) 일측(y2방향 측)의 폭(W2)을 무기 표면부(30)의 타 부분의 폭(W1)보다 상대적으로 작게 형성함으로써 표시 영역(DA)의 과도한 축소 없이 패드(Pad)가 배치되는 영역을 확보할 수 있다.

도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 25를 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1008)는 무기 표면부(30)의 일측(y2방향 측)에 FPCB등과 같은 외부 전기적 요소와 연결되는 적어도 하나의 패드(Pad)가 형성된다. 경우에 따라서 다수의 배선들이 무기 표면부(30)와 겹치면서 무기 표면부(30)를 통과하게 된다. 상기 배선들은 패드(Pad)를 무기 표면부(30) 안쪽에 위치하는 다수의 회로 구조물들을 연결할 수 있다. 이러한 배선들에서 나올 수 있는 수분, 산소, 불순물 등을 추가적으로 차단할 필요가 있으며, 배선들은 실제 표시 장치의 동작과정에서 전기적인 신호를 전달하므로 열 팽창 내지 수축이 발생할 수 있는데 이는 수분 또는 산소의 패스를 증가시키는 요소로 작용할 수 있다. 따라서 무기 표면부(30) 중 패드(Pad)와 인접한 부분의 폭(W2)을 그 이외 부분들의 폭(W1)보다 상대적으로 증가시킴으로써 효과적인 봉지를 이룰 수 있다.

도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.

도 26을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1009)는 하부 구조물(100)의 동일 측(x2방향 측)에 위치하는 무기 표면부(30)가 x1-x2방향을 따라 제1 폭(Wa)을 갖는 제1 영역(S1) 및 제1 폭(Wa)보다 작은 제2 폭(Wb)을 갖는 제2 영역(S1)을 포함한다. 표시 장치(1009)를 다수 번 구부렸다 폈다는 반복하는 플렉싱(flexing)을 하는 경우 표시 장치(1009)를 가로방향(x1-x2방향)을 따라 이등분하는 벤딩축과 인접한 제1 영역(S1)에는 제2 영역(S2)보다 상대적으로 큰 큰 스트레스가 가해질 수 있다. 따라서 스트레스를 더 많이 받는 제1 영역(S1)의 제1 폭(Wa)을 제2 영역(S2)의 제2 폭(Wb) 보다 더 넓게 형성함으로써 수분 및 산소의 유입을 효과적으로 방지할 수 있다. 스트레스에 대응하여 표시 장치(1009)의 동일측에 위치하는 무기 표면부(30)의 각 영역폭을 조절할 수 있다. 또한, 무기 표면부(30)의 각 영역의 폭 변화는 스트레스에 대응하는 경우뿐만 아니라 설계적 요구에 의해서도 가능하다.

도 21 내지 도 26에 기재된 기술은 실런트 영역에 레이저를 조사하는 기술로는 구현하는데 어려움이 있다. 무기 표면부(30)의 폭 및 무기 표면부(30)와 봉지 다층막의 하면과의 접촉영역을 조절하기 위해서는 레이저의 폭도 변화시켜야 하는데 이는 레이저 장비 및 레이저 조사 공정으로 인한 로스를 야기한다. 또한, 도 26에 도시된 것과 같이 표시 장치(1009)의 일측에서의 무기 표면부(30) 영역별 폭 변화는 사실상 구현하기 어렵다. 또한 동일 폭의 조사영역을 갖는 레이저를 이용하여 서로 상이한 폭을 갖는 실런트를 형성하기 위해서는 레이저 조사시간을 조절하야 한다. 이렇게 되면, 상대적으로 넓은 폭을 갖는 실런트 부분과 인접하는 회로, 배선, 절연막 등에 열손상(thermal damage)을 가할 수 있어 바람직하지 않다.

상술한 것처럼, 단일 레이저 빔 조사를 통해서 실런트의 폭을 변화시키는 경우 제2 폭(Wb)의 110% 수준에서 제1 폭(Wa)을 형설할 수 없다. 또한 공정상 주변 회로, 배선, 절연막 등에 손상(Damage)을 가해지기 때문에 표시 장치의 신뢰도를 현저히 저하시킨다.

반면, 본 발명의 실시예들에 따르면, 레이저 빔 조사 없이 제1 폭(Wa)을 제2 폭(Wb)의 110%이상 수준으로 증가시킬 수 있으며, 레이저 빔 조사공정을 사용하지 않는 바 주변 구성에 열손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

구체적으로 도시되지는 않았지만, 도1 내지 도 15 등에서 설명된 접착력 증대 리세스들은 도 21 내지 26에서 비교적 넓은 폭이 요구되는 부분에 선택적으로 또는 보다 집중적으로 형성될 수 있다. 선택적으로라 함은 그 부분에만 형성된다는 의미이고 보다 집중적으로라 함은 다른 부분도 형성되는데 그 부분에 밀도가 높게 형성된다는 의미이다. 다시 말해, 촘촘해서 접착력 증대 리세스들 간 간격이 비교적 좁은 영역과 비교적 덜 촘촘해서 접착력 증대 리세스들간 간격이 비교적 큰 영역이 형성된다는 의미이다. 또한, 경우에 따라서 모서리 부분에 두께를 더 넓게 가져가거나 좁게 가져갈 수 있으며, 가해지는 스트레스에 따라 모서리 부분에만 접착력 증대 리세스들을 형성할 수도 있고, 접착력 증대 리세스들을 모서리 부분에 더 촘촘하게 혹은 덜 촘촘하게 형성할 수도 있다.

도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도로서 도 27의 변형구조를 도시한 평면도이다.

도 27을 참조하면, 표시 장치(1010)는 얼라인 마크(AM1, AM2)를 포함한다. 얼라인 마크(AM1, AM2)는 무기 표면부(30)의 외측 가장자리보다 상대적으로 내측에 위치한다. 평면 시점에서 얼라인 마크(AM1, AM2)는 무기 표면부(30)와 중첩되어 배치된다. 이에 따라 무기 표면부(30)의 외각에 얼라인 마크(AM1, AM2)를 배치할 때보다 주변 영역(PA)의 면적을 효과적으로 줄일 수 있다.

얼라인 마크(AM1, AM2)는 광학적으로 반사성을 갖는 무기물 즉, 메탈패턴일 수 있다. 이는 광학적으로 식별이 용이하기 때문이다. 얼라인 마크(AM1, AM2)은 광학적으로 좌우 식별이 가능하면 특별한 제한이 없으며, 몇몇 실시예에서 십자 형상일 수 있다.

얼라인 마크(AM1, AM2)는 두 가지 종류, 예컨대 제1 얼라인 마크(AM1) 및 제2 얼라인 마크(AM2)를 포함할 수 있다. 제1 얼라인 마크(AM1)는 금속막에 홀을 형성하여 이 홀을 기준으로 얼라인하는 것이고, 제2 얼라인 마크(AM2)는 홀을 갖지 않는 금속 패턴을 형성하는 것이다.얼라인 마크(AM1, AM2)는 제1 얼라인 마크(AM1)와 제2 얼라인 마크(AM2)를 모두 포함할 수 있으며, 또는 제1 얼라인 마크(AM1)와 제2 얼라인 마크(AM2) 중 어느 하나만을 포함할 수도 있다.

얼라인 마크(AM1, AM2)로서 제1 얼라인 마크(AM1)를 채용하는 경우, 더미 금속막에 홀을 형성할 수 있다. 또는, 실제 전계발광유닛(EU)의 구동에 필요한 전기적 신호전달을 하는 와이어 같은 금속막에 홀을 뚫어 사용할 수 있다. 별도 와이어 등에 홀을 뚫어 제1 얼라인 마크(AM1)을 형성하는 경우, 별도의 더미 금속막을 형성하는 경우에 비해 공간을 세이브할 수 있는 이점이 존재한다.

일 예로, 도 17, 도 20 등의 버스 와이어(106c)에 제1 얼라인 마크(AM1)가 형성될 수 있다. 이 경우 버스 와이어(106c)에는 도 1에 도시된 접착력 증대 리세스(50a)도 형성될 수 있다. 즉, 버스 와이어(106c)에 다수의 홀들을 형성하되 일부는 접착력을 향상시키는 접착력 증대 리세스(50a)로 사용되고, 일부는 접착력을 향상시키는 동시에 제1 얼라인 마크(AM1)로도 사용되는 것이다. 이 경우 접착력 증대 리세스(50a)와 제1 얼라인 마크(AM1)의 평면 형상은 다른 것이 바람직하다.

또한, 제1 얼라인 마크(AM1)의 상면이나 측면은 무기 표면부(30)에 포함되어 봉지 다층막(210)의 바텀면과 접촉할 수 있다. 이 경우 제1 얼라인 마크(AM1)가 일종의 요철 역할을 하여 봉지 다층막(210)과의 접착력을 높이는 역할을 한다.

또는 도 18에 도시된 버스 와이어(106c)에 제1 얼라인 마크(AM1)가 형성되는 경우라면, 제1 얼라인 마크(AM1)가 무기 표면부(30)의 아래에 형성될 수도 있다. 이 경우 봉지 다층막(210) 형성 과정에서 제1 얼라인 마크(AM1)에 손상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이 경우라도, 버스 와이어(106c)에 접착력 증대 리세스(50a)을 추가로 형성할 수 있다. 접착력 증대 리세스(50a)이 직접 무기 표면부(30)와 접하지는 않더라도 무기 표면부(30)의 아래에 위치하므로 무기 표면부(30)에 간접적으로 요철을 부여할 수 있다. 즉, 도 18을 참조하면, 버스 와이어(106c)에 형성된 접착력 증대 리세스(50a)로 인해서 무기 표면부(30)에 포함되는 무기막(114)의 표면에 요철이 부여될 수 있다.

도 28은 도 27의 변형구조를 도시한 평면도이다. 도 28에 도시된 바와 같이 표시 장치(1011)는 도 27에 도시된 표시 장치(1010)와는 달리,

얼라인 마크(AM1, AM2)가 무기 표면부(30)의 안쪽(inside)에 배치된다. 여기서 무기 표면부(30)의 "안쪽(inside)"에 위치한다 함은 무기 표면부(30)를 기준으로 표시 장치의 중심을 향하는 쪽에 위치한다는 의미이고 "바깥쪽(outside)"에 위치한다 함은 무기 표면부 (30)를 기준으로 표시 장치의 외부를 향하여 위치한다는 의미이다.

본 실시예에 따른 표시 장치(1011)는 표시 영역(DA)과 보다 가까이 얼라인 마크(AM1, AM2)가 배치되는 바, 표시 영역(DA) 형성에 필요한 얼라인 공정에서 보다 정밀한 얼라인이 가능하다.

얼라인 마크(AM1, AM2)에 대한 구체적 설명은 도 27의 설명에서 상술한 바와 동일한 바 생략한다.

도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도, 도 30은 도 29의 T부분을 확대한 도면이다.

도 17, 도 29 및 도 30을 참조하면, 표시 장치(1011)는 전계발광유닛(EU)의 상부 전극(125)과 전기적으로 연결되어 상부 전극(125)에 전기적인 신호를 인가하는 상부 전극 전원 와이어(901) 및 전계발광유닛(EU)의 하부 전극(121)과 전기적으로 연결되어 하부 전극(121)에 전기적인 신호를 인가하는 하부 전극 전원 와이어(902)를 포함한다. 여기서, 상부 전극 전원 와이어(901)는 버스 와이어(106c) 및 보조 상부 전극(109b)를 포함할 수 있다.

상부 전극 전원 와이어(901)의 단부 및 하부 전극 전원 와이어(902)의 단부에는 상부 전극 전원 터미널(901t) 및 하부 전극 전원 터미널(902t) 각각 위치한다. 필요에 따라 다른 종류의 터미널들이 하부 전극 전원 터미널(902t)과 상부 전극 전원 터미널(901t) 사이에 위치할 수 있다.

상부 전극 전원 터미널(901t) 및 하부 전극 전원 터미널(902t)은 일 방향(x1-x2방향)을 따라 배열될 수 있다. 또한, 하부 전극 전원 터미널(902t) 및 상부 전극 전원 터미널(901t)은 하나의 외부 회로 보드와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서 외부 회로 보드의 예로 연성 인쇄 회로 기판(FPCB: Flexible printed circuit board)을 들 수 있다.

주변 영역(PA)은 굽힘 가능 영역(BA: bendable area)을 가질 수 있다. 예를 들어, 하부 전극 전원 터미널(902t) 및 상부 전극 전원 터미널(901t)과 표시 영역(DA) 사이에 굽힘 가능 영역(BA)을 가질 수 있다.

굽힘 가능 영역(BA)을 굽혀서 적어도 하나의 하부 전극 전원 터미널(902t) 및 상부 전극 전원 터미널(901t)과 연결되는 외부 회로 보드를 표시 장치(1011)의 배면에 고정시킬 수 있다.

하부 전극 전원 와이어(902) 및 상부 전극 전원 와이어(901) 는 굽힘 가능 영역(BA)을 통과하기 위해 컨택(Cnt)으로 연결되는 도전성 브릿지들(902b, 901b)을 포함할 수 있다. 도전성 브릿지(902b)는 인접하는 하부 전극 전원 와이어(902)의 부분과 서로 다른 층에 위치할 수 있다. 유사하게 도전성 브릿지(901b)는 인접한 상부 전극 전원 와이어(901)의 부분과 서로 다른 층에 위치할 수 있다. 도전성 브릿지(902b, 901b)를 채용하는 경우 굽힘 가능 영역(BA)을 보다 쉽게 굽힐 수 있다.

비록 구체적으로 도시하지는 않았지만, 굽힘 가능 영역(BA)에서 절연층들의 두께들의 합은 굽힘 가능 영역(BA)과 인접하는 주변 영역(PA)의 부분에서 절연층들의 두께들의 합보다 작게 함으로써 굽힘 가능 영역(BA)을 보다 쉽게 굽힐 수 있다.

주변 영역(PA)은 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 형상의 무기 표면부(30)를 갖는다.

무기 표면부(30)는 서로 이격된 다수의 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5)로 분기된 영역을 갖는다.

주변 영역(PA)은 무기 표면부(30)의 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5) 사이에 위치하는 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4)을 포함할 수 있다. 여기서, 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 봉지 다층막(210)의 하면과 무기 표면부(30) 사이의 무기-무기 직접 접합에 의해서 완전하게 둘러싸인다. 이러한 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 봉지 다층막(210)의 하면과 무기 표면부(30) 사이의 계면을 따라 이동하는 불순물들을 흡수 한 후 고정함으로써 봉지 다층막(210)의 하면과 무기 표면부(30) 사이의 계면에 존재하는 불순물들의 농도를 줄이는 역할을 한다. 따라서 상기 무기-무기 직접 접합의 접합력을 증가시킬 수 있다.

상기 무기-무기 직접 접합으로 형성된 봉지 다층막(210)의 하면과 무기 표면부(30) 사이의 계면에 위치하는 불순물들과, 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)가 상대적으로 멀리 떨어진 경우 불순물들은, 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)로 이동하기 전에 상기 계면의 일부에 집중되어 상기 무기-무기 직접 접합의 접합력을 저하시킬 수 있다. 또는 상기 불순물들은 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)로 이동하기 전에 표시 영역(DA)으로 이동하여 표시 영역(DA)에 위치하는 전계발광유닛(EU)에 포함된 중간층을 열화시킬 수 있다.

표시 영역(DA)이 연성부를 가져서 연성부에서 구부렸다가 펴지는 동작 또는 접혔다가 펴지는 동작이 반복되는 경우, 불순물들이 계면 일 부분에 집중되거나 불순물들이 표시 영역(DA)으로 이동하는 경우가 더욱 빈번히 일어난다.

여기서 표시 영역(DA)이 연성부를 갖는다는 것은 하부 구조물(100)이 벤더블(bendable) 표시기판, 폴더블(foldable) 표시기판, 롤러블(rollable) 표시기판, 스트레쳐블(stretchable) 표시기판 및 플렉서블(flexible) 표시 기판 중 어느 하나로 사용될 수 있다는 것을 의미한다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예들은 표시 영역(DA)이 연성부를 갖지 않으나 봉지 다층막(210)을 채용하는 표시 장치에도 적용될 수 있다. 예시적으로, 본 발명의 실시예들은 봉지 다층막(210)이 평탄하고 단단한 윈도우에 고정되는 플랫(flat) 표시 장치 및 봉지 다층막(210)이 커브지고 단단한 윈도우에 고정되는 커브드 (curved) 표시장치에도 적용 가능하다.

상기 무기-무기 직접 접합에 의해 형성된 계면에 위치하는 불순물들과 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)의 거리를 가깝게 하기 위해서, 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 표시 영역(DA)을 둘러싸는 또는 실질적으로 둘러싸는 형상을 가지는 것이 바람직하다.

여기서, 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)가 표시 영역을 둘러싼다 혹은 실질적으로 둘러싼다는 것은 도 29의 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4), 도 32의 유기 표면부(Os4) 및 도 33의 유기 표면부(Os4)와 같이 표시 영역(DA)를 연속적으로 둘러싸는 경우뿐만 아니라, 도 31의 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4), 도 32의 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3), 및 도 33의 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3)과 같이 표시 영역을 불연속적으로 둘러싸는 경우도 포함한다.

표시 영역(DA)이 원 (circle), 타원 (ellipse), 또는 반원(semicircle)과 같이 2개 이하의 외변(side)을 갖는 경우, 유기 표면부(Os)가 표시 영역(DA)을 연속적으로 또는 불연속적으로 둘러싼다는 것은 유기 표면부(Os)가 표시 영역의 전 외곽의 1/4 이상과 대응하도록 연속적 또는 불연속적으로 연장하는 것을 의미한다. 그리고, 표시 영역(DA)이 삼각형인 경우, 유기 표면부(Os)가 표시 영역(DA)을 연속적으로 또는 불연속적으로 둘러싼다는 것은 유기 표면부(Os)가 표시 영역(DA)의 적어도 1개의 외변과 대응하도록 연속적 또는 불연속적으로 연장하는 것을 의미한다. 그리고, 표시 영역(DA)의 사각형, 오각형, 육각형 등인 경우, 유기 표면부(Os)가 표시 영역(DA)을 연속적으로 또는 불연속적으로 둘러싼다는 것은 유기 표면부(Os)가 표시 영역(DA)의 적어도 2개의 외변과 대응하도록 연속적 또는 불연속적으로 연장하는 것을 의미한다.

유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 무기-무기 직접 접합에 의해서 평면 시점에서 완전히 둘러싸이므로 표시 장치(1011)의 외부와 연통(communicate)하지 않게 된다. 따라서 표시 장치의 외부로부터 수분이나 불순물들이 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)를 통해서 무기-무기 직접 접합에 의해 형성된 상기 계면으로 공급되는 것을 방지할 수 있다.

유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 상향으로 돌출된 형태의 단면을 가질 수 있다. 또한, 평면적으로는 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 섬(island) 형상, 무기 표면부(30)가 연장하는 방향을 따라 연장하는 형상 등의 다양한 형상을 가질 수 있다.

유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)의 높이는 화소 정의막(117)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 비록 도시하지는 않았지만 화소 정의막(117)의 높이는 화소 정의막(117)의 상부에서 상향으로 돌출되는 스페이서의 높이를 포함할 수 있다.

유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)의 높이를 화소 정의막(117)의 높이와 실질적으로 동일하게 함으로써 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)를 전계발광유닛(EU)의 중간층을 형성하기 위한 진공 증착 (vacuum evaporation) 공정에서 증착 마스크(evaporation mask)와 접촉할 수 있는 스페이서로 사용할 수 있다. 구체적으로 중간층에 포함된 홀주입층(HIL), 홀수송층(HTL), 전자주입층(EIL), 전자수송층(ETL) 등을 공통층으로 형성할 수 있다. 이 경우, 유기 표면부는 오픈 증착 마스크(open evaporation mask)의 스페이서로 사용될 수 있다.

상술한 바와 같이 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)가 표시 영역(DA)을 연속적으로 둘러싸는 닫힌 루프 형상을 가질 수 있는데, 이 경우 증착 마스크의 가장자리 전체가 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)와 대응할 수 있기 때문에 증착(evaporation) 공정시 증착 마스크를 통과한 유기물들이 하부 구조물(100)의 증착 영역, 유기 구조물 및 증착 마스크에 의해서 한정되는 공간으로부터 외부로 이탈하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다.

도 31은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 31을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1012)는 도 29 및 도 30의 표시 장치(도 29의 1011)와는 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4) 형태가 일부 상이하다. 구체적으로 표시 장치(1012)의 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 개방된 루프 (opened loop)형태를 가질 수 있다. 예컨대, 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)는 표시 영역(DA)을 불연속적으로 둘러싸기 위해서 적어도 하나의 개구(Op1, Op2, Op3, Op4)에 의해 개방될 수 있다. 무기 표면부(30)의 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5)이 서로 연결되지 않았을 경우, 표시 장치(1012)에 과도하게 물리적인 스트레스가 가해진다면, 무기 표면부(30)의 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5) 중 일부에서 무기 표면부(30)와 봉지 다층막(200)의 하면 사이의 무기-무기 직접 접합이 전부 떨어지는 현상이 일어날 수 있다. 그러나 본 발명의 실시예들에 따르면, 무기 표면부(30)의 무기 표면 가지들(Br1, Br2, Br3, Br4, Br5)이 서로 연결되기 때문에 상술한 문제를 해결할 수 있다.

유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)가 개방된 루프 형태를 가지는 경우, 무기 표면부(30) 중 개구(Op1, Op2, Op3, Op4)에 대응하는 부분에는 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4)가 없다. 따라서 무기 표면부(30) 중 개구(Op1, Op2, Op3, Op4)에 대응하는 부분에서는 불순물이 접합 계면에 집중되어 상기 무기-무기 직접 접합으로 형성된 계면에 위치하는 불순물이 상기 계면의 일부에 집중되어 무기 표면부(30) 중 개구(Op1, Op2, Op3, Op4)가 없는 부분 대비 접합력이 낮아질 수 있다. 따라서, 개구(Os1, Os2, Os3, Os4)가 형성되는 하부 구조물(100)의 제1 측(y2방향 측)에서의 무기 표면부(30)의 폭은 개구(Os1, Os2, Os3, Os4)가 형성되지 않는 하부 구조물(100)의 제2 측(예시적으로 x2방향 측)에서의 무기 표면부(30)의 폭보다 넓을 수 있다. 이에 따라 하부 구조물(100)의 제1 측(y2방향 측) 에서의 접합력을 강화할 수 있다.

도 32는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 32을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1013)는 도 31의 표시 장치(도 31의 1012)와는 유기 표면부(Os1, Os2, Os3, Os4) 형태가 일부 상이하다.

도 32를 참조하면, 표시 장치(1013)의 하부 구조물(100)은 적어도 하나의 열린 루프 형상을 갖는 유기 표면부(Os1, Os2, Os3)와 적어도 하나의 닫힌 루프 형상을 갖는 유기 표면부(Os4)를 포함할 수도 있다.

도 33은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 평면도이다. 도 33을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시 장치(1014)는 도 32의 표시 장치(도 32의 1013)와는 유기 표면부(Os4) 형태가 일부 상이하다.

도 33을 참조하면, 복수의 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3, Os4) 중 적어도 일부(Os1, Os2, Os3)를 봉지 다층막(210)의 하면과 무기 표면부(30) 사이의 직접 접합에 의해서 평면 시점에서 완전히 둘러싸이게 구현하는 경우, 나머지 유기 표면부(Os4)는 표시 소자의 외부와 연통될 수 있다.

구체적으로 하부 구조물(100)은 외부와 연통하는 닫힌 루프 형상을 갖는 제1 유기 표면부(Os4)와 제1 유기 표면부(Os4)와 표시 영역(DA) 사이에 위치하고 열린 루프 형상을 갖고 봉지 다층막(200)의 하면과 무기 표면부(30) 사이의 직접 접합에 의해 평면 시점에서 완전히 둘러싸이는 제2 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3)을 가질 수 있다.

이 경우, 제1 유기 표면부(Os4)의 높이는 화소 정의막(117)과 실질적으로 동일하여 증착 마스크에 대한 스페이서의 역할을 할 수 있다. 제2 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3)의 높이는 제1 유기 표면부(Os4)보다 낮게 함으로써 제2 유기 표면부들(Os1, Os2, Os3)의 폭들을 효과적으로 낮추어 최종적으로 주변 영역(PA)의 폭을 좁힐 수 있다.

유기 표면부(Os1, Os2)는 배선들의 측부를 커버하도록 연장할 수 있다. 배선들은 도전성 다층막으로 이루어질 수 있다. 상기 도전성 다층막의 측부는 다수의 계면들이 노출되기 때문에 부식에 취약하므로 유기 표면부(Os1, Os2)는 상기 도전성 다층막의 측부를 커버함으로써 도전성 다층막의 부식을 방지하는 역할을 수행한다. 또한, 상기 도전성 다층막의 측부에 노출되는 계면들로부터 유출될 수 있는 수분, 산소 등의 불순물들을 흡수한 후 잡아둘 수 있다.

일 예로, 도전성 다층막은 전계발광유닛(EU)의 하부 전극(121)과 동일한 막으로 형성되는 보조 상부 전극(109b)이고 보조 상부 전극(109b)의 측부를 유기 표면부(Os1)가 커버할 수 있다. 이 경우, 보조 상부 전극(109b)은 제1 도전성 인듐 주석 산화물막, 상기 제1 도전성 인듐 주석 산화물막 상의 은(Ag)막, 상기 은막 상의 제2 도전서 인듐 주석 산화물막을 포함할 수 있다.

다른 예로, 도전성 다층막은 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 전극(105) 또는 드레인 전극(107)과 동일한 막으로 형성되는 버스 와이어(106c)이고, 버스 와이어(106c)의 측부를 유기 표면부(Os2)가 커버할 수 있다. 버스 와이어(106c)는 박막 트랜지스터(PC-TFT)의 소스 전극(105) 또는 드레인 전극(107) 동일한 막으로 형성될 수 있다. 이 경우, 버스 와이어(106b)는 제1 티타늄(Ti)막, 상기 제1 티타늄막 상의 알루미늄(Al)막, 상기 알루미늄막 상의 제2 티타늄막을 포함하거나 제1 몰리브데늄(Mo)막, 상기 제1 몰리브데늄막 상의 알루미늄막, 상기 알루미늄막 상의 제2 몰리브데늄막을 포함할 수 있다. 또 다른 예로, 도전성 다층막은 표시 영역(DA)에 위치하는 박막 트랜지스터의 게이트 전극(103)와 동일한 막으로 형성될 수 있다.

이상에서 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims

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발광 영역 및 상기 발광 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 상기 발광 영역을 둘러싸고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 하나 이상의 무기물만을 포함하는 무기 표면부를 갖고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 상기 하부 구조물의 표면 아래에서 수평적으로 연장하는 하부 봉지 무기층을 포함하고, 상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 하나 이상의 무기물만을 포함하고,
상기 무기 표면부는 제1 평균 폭을 갖는 제1 영역 및 제2 평균 폭을 갖는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 평균 폭과 상기 제2 평균 폭은 서로 다른 전계발광장치.
제77항에 있어서, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 상기 하부 구조물의 동일 측에 위치하는 전계발광장치.
제77항에 있어서, 상기 무기 표면부의 상기 제1 영역은 상기 하부 구조물의 제1 측과 전체적으로 대응하고, 상기 무기 표면부의 상기 제2 영역은 상기 하부 구조물의 상기 제1 측과 다른 상기 하부 구조물의 제2 측과 전체적으로 대응하는 전계발광장치.
제79항에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 제1 평균 폭보다 작은 제3 평균 폭을 갖는 제1 부분 및 상기 제1 평균 폭보다 큰 제4 평균 폭을 갖는 제2 부분을 포함하는 전계발광장치.
제77항에 있어서, 상기 하부 전극은 상기 절연층 바로 위에 위치하고, 상기 무기 표면부 전체는 상기 절연층의 상면보다 낮게 위치하고,
상기 무기 표면부는 서로 이격된 다수의 무기 표면 가지들을 포함하는 적어도 하나의 영역을 갖고,
상기 주변 영역은 상기 무기 표면 가지들 사이에 위치하고, 유기물을 포함하고, 상기 발광 영역을 둘러싸고, 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 상기 무기 표면부가 직접 접하는 계면에 의해서 평면에서 보아 둘러싸이는 유기 표면부를 포함하고,
상기 무기 표면 가지들은 상기 유기 표면부보다 외측에 위치하는 외측 무기 표면 가지 및 상기 유기 표면부보다 내측에 위치하는 내측 무기 표면 가지를 포함하고,
상기 하부 구조물은 상기 무기 절연층의 상면 상에서 상기 발광 영역의 주변을 따라 연장하는 버스 와이어 및 상기 절연층의 상기 상면 및 상기 절연층의 측면 상에서 상기 발광 영역의 주변을 따라 연장하고 상기 버스 와이어의 상면과 전기적으로 소통하도록 상기 버스 와이어의 상기 상면과 전기적으로 마주하는 하면 및 상기 하부 전극의 하면과 전기적으로 소통하도록 상기 하부 전극의 상기 하면과 전기적으로 마주하는 상면을 갖는 보조 상부 전극을 포함하는 전계발광장치.
제81항에 있어서, 상기 전계발광장치는 최종 사용자에 의하여 휘어지거나, 굽혀지거나, 접히거나, 말리거나, 늘어날 수 있는 전계발광장치.
제81항에 있어서,
상기 무기 표면부는 각각 상기 무기 절연층의 상기 상면, 상기 버스 와이어의 측면, 및 상기 버스 와이어의 상기 상면을 포함하는 적어도 둘의 단차진 표면부를 포함하고,
상기 버스 와이어는 외측 엣지부 및 상기 외측 엣지부의 반대편에 위치하는 내측 엣지부를 포함하고, 상기 버스 와이어의 상기 외측 엣지부는 상기 발광 영역으로부터 상기 버스 와이어의 상기 내측 엣지부보다 멀리 위치하고, 상기 버스 와이어의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면의 아래에 위치하고, 상기 버스 와이어의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하지 않는 전계발광장치.
제83항에 있어서, 상기 무기 표면부는 각각 상기 무기 절연층의 상기 상면, 상기 보조 상부 전극의 측면, 및 상기 보조 상부 전극의 상기 상면을 포함하는 적어도 둘의 단차진 표면부를 포함하고,
상기 보조 상부 전극은 외측 엣지부 및 상기 외측 엣지부의 반대편에 위치하는 내측 엣지부를 포함하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 발광 영역으로부터 상기 보조 상부 전극의 상기 내측 엣지부보다 멀리 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면의 아래에 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하지 않는 전계발광장치.
제83항에 있어서,
상기 무기 표면부는 각각 상기 버스 와이어의 상기 상면, 상기 보조 상부 전극의 측면, 및 상기 보조 상부 전극의 상기 상면을 포함하는 적어도 둘의 단차진 표면부를 포함하고,
상기 보조 상부 전극은 외측 엣지부 및 상기 외측 엣지부의 반대편에 위치하는 내측 엣지부를 포함하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 발광 영역으로부터 상기 보조 상부 전극의 상기 내측 엣지부보다 멀리 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면의 아래에 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하지 않는 전계발광장치.
제83항에 있어서,
상기 무기 표면부는 각각 상기 무기 절연층의 상기 상면, 상기 보조 상부 전극의 측면, 및 상기 보조 상부 전극의 상기 상면을 포함하는 적어도 둘의 단차진 표면부를 포함하고,
상기 무기 표면부는 각각 상기 버스 와이어의 상기 상면, 상기 보조 상부 전극의 상기 측면, 및 상기 보조 상부 전극의 상기 상면을 포함하는 적어도 둘의 단차진 표면부를 포함하고,
상기 보조 상부 전극은 외측 엣지부 및 상기 외측 엣지부의 반대편에 위치하는 내측 엣지부를 포함하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 발광 영역으로부터 상기 보조 상부 전극의 상기 내측 엣지부보다 멀리 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면의 아래에 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하지 않는 전계발광장치.
삭제
제81항에 있어서,
상기 유기 표면부는 상기 발광 영역을 불연속적으로 둘러싸도록 개구에 의해서 개방된 형태를 갖고,
상기 무기 표면부의 상기 제1 영역은 상기 개구가 위치하는 상기 하부 구조물의 제1 측과 전체적으로 대응하고,
상기 무기 표면부의 상기 제2 영역은 상기 개구가 위치하지 않는 상기 하부 구조물의 제2 측과 전체적으로 대응하고,
상기 제1 영역의 상기 제1 평균 폭은 상기 제2 영역의 상기 제2 평균 폭보다 큰 전계발광장치.
발광 영역 및 상기 발광 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 상기 발광 영역을 둘러싸고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 하나 이상의 무기물만을 포함하는 무기 표면부를 갖고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 상기 하부 구조물의 표면 아래에서 수평적으로 연장하는 하부 봉지 무기층을 포함하고, 상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 하나 이상의 무기물만을 포함하고,
상기 주변 영역은 측면과 상면을 갖는 엣지를 갖는 무기 구조물을 포함하고,
상기 무기 표면부는 상기 엣지의 상기 측면과 상기 상면을 포함하고,
상기 엣지의 상기 측면과 상기 상면은 상기 연성 봉지 다층막과 직접 접하고,
상기 엣지는 상기 무기 표면부의 외측 엣지로부터 상기 외측 엣지의 반대편에 위치하는 상기 무기 표면부의 내측 엣지까지 연장하고,
상기 엣지의 상기 측면은 볼록부, 오목부, 각진 부분, 커브진 부분, 및 상기 무기 표면부가 연장하는 방향으로 연장하는 부분으로 이루어지는 그룹에서 독립적으로 선택된 적어도 둘을 포함하는 전계발광장치.
제89항에 있어서, 상기 무기 구조물은 제1 무기층 및 상기 제1 무기층 위에 위치하는 제2 무기층을 포함하고, 상기 제2 무기층의 강도는 상기 제1 무기층의 강도보다 큰 전계발광장치.
발광 영역 및 상기 발광 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 상기 발광 영역을 둘러싸고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 하나 이상의 무기물만을 포함하는 무기 표면부를 갖고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 상기 하부 구조물의 표면 아래에서 수평적으로 연장하는 하부 봉지 무기층을 포함하고, 상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 하나 이상의 무기물만을 포함하고,
상기 주변 영역은 상기 전계발광유닛에 전기적 신호를 공급하는 도전층을 포함하고, 상기 도전층은 상기 도전층을 관통하고, 상기 무기 표면부의 내측 엣지로부터 내측에 위치하고, 배열 마크인 홀을 갖고,
상기 도전층은 상기 발광 영역의 주변을 따라 연장하고 상기 상부 전극의 하면과 전기적으로 소통하도록 상기 상부 전극의 상기 하면과 전기적으로 마주하는 상면을 갖는 보조 상부 전극인 전계발광장치.
발광 영역 및 상기 발광 영역을 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 상기 발광 영역을 둘러싸고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 하나 이상의 무기물만을 포함하는 무기 표면부를 갖고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 상기 하부 구조물의 표면 아래에서 수평적으로 연장하는 하부 봉지 무기층을 포함하고, 상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 하나 이상의 무기물만을 포함하고,
상기 무기 표면부는 적어도 하나의 리세스를 포함하고,
상기 리세스는 제2 무기 절연막 위의 제1 무기 절연막을 상기 제2 무기 절연막의 상면이 노출되어 상기 리세스의 바닦면이 되도록 관통하는 홀이고,
상기 제1 무기 절연막은 하나 이상의 무기 절연층만을 포함하고, 상기 제2 무기 절연막은 하나 이상의 무기 절연층만을 포함하는 전계발광장치.
제92항에 있어서, 상기 리세스는 상기 리세스의 깊이 이하의 높이를 갖는 돌출부를 포함하는 전계발광장치.
제92항에 있어서, 적어도 둘의 상기 리세스들은 평면에서 보아 다른 형상을 갖는 전계발광장치.
제81항에 있어서, 상기 내측 무기 표면 가지는 상기 보조 상부 전극의 상기 상면의 적어도 일부를 포함하여 상기 외측 무기 표면 가지의 높이보다 높은 높이를 갖고,
상기 버스 와이어의 표면의 일부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고, 상기 버스 와이어의 상기 표면의 상기 일부는 상기 발광 영역으로부터 상기 유기 표면부보다 멀리 위치하는 전계발광장치.
제95항에 있어서, 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하는 상기 버스 와이어의 상기 표면의 상기 일부는 상기 외측 무기 표면 가지에 포함되는 전계발광장치.
제81항에 있어서, 상기 무기 표면부는 각각 상기 무기 절연층의 상기 상면, 상기 보조 상부 전극의 측면, 및 상기 보조 상부 전극의 상기 상면을 포함하는 적어도 둘의 단차진 표면부를 포함하고,
상기 보조 상부 전극은 외측 엣지부 및 상기 외측 엣지부의 반대편에 위치하는 내측 엣지부를 포함하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 발광 영역으로부터 상기 보조 상부 전극의 상기 내측 엣지부보다 멀리 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면의 아래에 위치하고, 상기 보조 상부 전극의 상기 외측 엣지부는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하지 않는 전계발광장치.
삭제
발광 영역 및 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 하나 이상의 무기물만을 포함하고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 제1 무기 표면 가지를 갖는 무기 표면부를 포함하고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 수평적으로 연장하며 상기 하부 구조물의 상부 표면보다 높지 않게 위치하는 하부 봉지 무기층을 포함하고,
상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층의 하부 표면 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 유기물을 포함하지 않고,
상기 주변 영역은 평면에서 보아 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸고, 평면에서 보아 상기 무기 표면부에 의해서 완전히 둘러싸이고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하는 제1 유기 표면부를 포함하고,
상기 주변 영역은 평면에서 보아 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸지는 않도록 상기 주변 영역을 따라 연장하고, 평면에서 보아 상기 무기 표면부에 의해서 완전히 둘러싸이고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하는 제2 유기 표면부를 포함하고,
상기 제1 및 2 유기 표면부들은 평면에서 보아 서로 이격하고,
상기 제1 유기 표면부는 엣지를 갖고,
상기 제1 유기 표면부의 상기 엣지 전체는 평면에서 보아 상기 무기 표면부와 직접 접하고,
상기 제2 유기 표면부는 엣지를 갖고,
상기 제2 유기 표면부의 상기 엣지 전체는 평면에서 보아 상기 무기 표면부와 직접 접하는 전계발광장치.
제99항에 있어서, 상기 제2 유기 표면부는 평면에서 보아 상기 발광 영역을 부분적으로 둘러싸는 전계발광장치.
제100항에 있어서, 상기 제2 유기 표면부는 평면에서 보아 상기 발광 영역을 불연속적으로 둘러싸도록 단 하나의 개구를 갖는 전계발광장치.
발광 영역 및 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 하나 이상의 무기물만을 포함하고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 제1 무기 표면 가지를 갖는 무기 표면부를 포함하고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 수평적으로 연장하며 상기 하부 구조물의 상부 표면보다 높지 않게 위치하는 하부 봉지 무기층을 포함하고,
상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층의 하부 표면 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 유기물을 포함하지 않고,
상기 주변 영역은 평면에서 보아 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하는 유기 표면부를 포함하고,
상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면은 상기 유기 표면부가 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면에 의해서 부분적으로 덮이도록 상기 유기 표면부와 직접 접하고,
상기 유기 표면부는 평면에서 보아 상기 무기 표면부와 직접 접하는 적어도 일부를 갖는 내측 엣지를 갖고,
상기 유기 표면부는 평면에서 보아 상기 무기 표면부와 직접 접하는 제1 부분 및 평면에서 보아 상기 무기 표면부와 직접 접하지 않는 제2 부분을 갖는 전계발광장치.
제102항에 있어서, 상기 무기 표면부는 평면에서 보아 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸지는 않도록 상기 주변 영역을 따라 연장하는 제2 무기 표면 가지를 포함하고,
상기 제2 무기 표면 가지는 내측 엣지를 갖고, 상기 제2 무기 표면 가지의 상기 내측 엣지는 평면에서 보아 상기 유기 표면부의 외측 엣지와 직접 접하고,
상기 제2 무기 표면 가지는 평면에서 보아 상기 제1 무기 표면 가지와 이격하는 전계발광장치.
제103항에 있어서, 상기 제2 무기 표면 가지는 평면에서 보아 상기 발광 영역을 부분적으로 둘러싸는 전계발광장치.
제102항에 있어서, 상기 주변 영역은 측면과 상면을 갖는 엣지를 갖는 무기 구조물을 포함하고,
상기 무기 표면부는 상기 엣지의 상기 측면 및 상기 상면을 포함하고,
상기 엣지의 상기 측면 및 상기 상면은 상기 연성 봉지 다층막과 직접 접하고,
상기 엣지는 상기 무기 표면부의 외측 엣지로부터 상기 무기 표면부의 상기 외측 엣지의 반대편에 위치하는 상기 무기 표면부의 내측 엣지까지 연장하고,
상기 엣지의 상기 측면은 볼록부, 오목부, 각진 부분, 커브진 부분, 및 상기 무기 표면부가 연장하는 방향으로 연장하는 부분으로 이루어지는 그룹에서 독립적으로 선택된 적어도 둘을 포함하는 전계발광장치.
제105항에 있어서, 상기 무기 구조물은 제1 무기층 및 상기 제1 무기층 위에 위치하는 제2 무기층을 포함하고, 상기 제2 무기층의 강도는 상기 제1 무기층의 강도보다 큰 전계발광장치.
제102항에 있어서, 상기 무기 표면부는 제1 평균 폭을 갖는 제1 영역 및 제2 평균 폭을 갖는 제2 영역을 포함하고, 상기 제1 평균 폭과 상기 제2 평균 폭은 서로 다른 전계발광장치.
제107항에 있어서, 상기 제1 영역과 상기 제2 영역은 상기 하부 구조물의 동일 측에 위치하는 전계발광장치.
제107항에 있어서, 상기 무기 표면부의 상기 제1 영역은 상기 하부 구조물의 제1 측과 전체적으로 대응하고, 상기 무기 표면부의 상기 제2 영역은 상기 하부 구조물의 제2 측과 전체적으로 대응하고,
상기 하부 구조물의 상기 제1 측과 상기 하부 구조물의 상기 제2 측은 서로 다른 측인 전계발광장치.
제109항에 있어서, 상기 제1 영역은 상기 제1 평균 폭보다 작은 제3 평균 폭을 갖는 제1 부분 및 상기 제1 평균 폭보다 큰 제4 평균 폭을 갖는 제2 부분을 포함하는 전계발광장치.
제102항에 있어서, 상기 유기 표면부의 상기 내측 엣지 전체는 평면에서 보아 상기 무기 표면부와 직접 접하는 전계발광장치.
제102항에 있어서, 상기 제1 무기 표면 가지는 평면에서 보아 상기 유기 표면부 보다 안쪽에 위치하는 전계발광장치.
발광 영역 및 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 하나 이상의 무기물만을 포함하고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 제1 무기 표면 가지를 갖는 무기 표면부를 포함하고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 수평적으로 연장하며 상기 하부 구조물의 상부 표면보다 높지 않게 위치하는 하부 봉지 무기층을 포함하고,
상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층의 하부 표면 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 유기물을 포함하지 않고,
상기 주변 영역은 배열 마크를 포함하고,
상기 배열 마크의 상면 또는 상기 배열 마크의 측면은 상기 무기 표면부에 포함되는 전계발광장치.
발광 영역 및 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 주변 영역을 갖고, 무기 절연층, 상기 무기 절연층 위에 위치하는 절연층, 및 상기 절연층 위에 위치하는 하부 전극, 상기 하부 전극 위에 위치하는 중간층, 및 상기 중간층 위에 위치하는 상부 전극을 포함하는 전계발광유닛을 포함하는 하부 구조물, 및
상기 발광 영역 및 상기 주변 영역 상에 위치하고, 적어도 세 개의 막들을 포함하는 연성 봉지 다층막을 포함하고,
상기 주변 영역은 하나 이상의 무기물만을 포함하고, 평면에서 보아 상기 상부 전극의 바깥에 위치하고, 상기 발광 영역을 완전히 둘러싸는 제1 무기 표면 가지를 갖는 무기 표면부를 포함하고,
상기 연성 봉지 다층막은 하나 이상의 무기물만을 포함하는 하부 표면을 갖고,
상기 무기 표면부 전체는 상기 연성 봉지 다층막의 상기 하부 표면과 직접 접하고,
상기 하부 구조물은 상기 발광 영역 및 상기 주변 영역과 수직적으로 대응하도록 수평적으로 연장하며 상기 하부 구조물의 상부 표면보다 높지 않게 위치하는 하부 봉지 무기층을 포함하고,
상기 무기 표면부 전체와 상기 하부 봉지 무기층의 하부 표면 사이에 위치하는 상기 하부 구조물의 부분은 유기물을 포함하지 않고,
상기 주변 영역은 상기 무기 표면부와 수직하도록 연장하는 제1 부분, 상기 제1 부분과 연결되고 상기 무기 표면부를 따라 연장하는 제2 부분, 상기 제2 부분과 연결되고 상기 무기 표면부와 수직하도록 연장하는 제3 부분을 포함하고, 높이를 갖는 무기 구조물을 포함하고,
상기 제1 및 3 부분들은 각각 상기 제2 부분의 제1 및 2 단부들과 연결되고, 상기 제1 단부는 상기 제2 단부의 반대편에 위치하고, 상기 무기 구조물은 상기 제1 부분으로부터 상기 제3 부분까지의 방향을 따라 상기 무기 표면부를 지나고,
상기 무기 표면부는 상기 제2 부분의 적어도 일부를 포함하는 전계발광장치.
제114항에 있어서, 상기 무기 구조물은 제1 무기층 및 상기 제1 무기층 위에 위치하는 제2 무기층을 포함하고, 상기 제2 무기층의 강도는 상기 제1 무기층의 강도보다 큰 전계발광장치.