KR20220068302A

KR20220068302A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20220068302A
Application number: KR1020200154492A
Authority: KR
Inventors: 김은혜; 방기호; 정은애
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2020-11-18
Filing date: 2020-11-18
Publication date: 2022-05-26
Also published as: US11856812B2; CN114551516A; US20220158126A1

Abstract

본 발명은 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역 상에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극, 상기 공통 전극 상에 배치되는 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막, 상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막, 상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되는 댐, 상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되며 상기 댐보다 외곽에 배치되는 뱅크, 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐과 상기 뱅크 사이에 배치되는 무기 봉지 영역, 및 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐이 배치되는 댐 영역, 상기 뱅크가 배치되는 뱅크 영역, 및 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제1 전원 배선을 구비한다. 상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선, 및 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출되며 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들을 포함한다. 상기 무기 봉지 영역에서 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이는 상기 뱅크 영역에서 상기 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이와 상이하다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 표시 장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 예를 들어, 표시 장치는 스마트폰, 디지털 카메라, 노트북 컴퓨터, 네비게이션, 및 스마트 텔레비전과 같이 다양한 전자기기에 적용되고 있다.

표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display Device), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display Device), 발광 표시 장치(Light Emitting Display Device) 등과 같은 평판 표시 장치일 수 있다. 발광 표시 장치는 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 무기 반도체와 같은 무기 발광 소자를 포함하는 무기 발광 표시 장치, 및 초고형 발광 소자를 포함하는 초소형 발광 표시 장치를 포함한다.

최근에 표시 장치는 화상을 표시하는 발광부들이 배치되는 표시 영역을 넓히기 위해, 표시 영역을 제외한 베젤 영역(bezel area) 또는 비표시 영역은 최소화된다. 표시 장치가 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 표시 장치인 경우, 발광부들의 유기 발광 소자들을 봉지하기 위한 무기 봉지 영역이 비표시 영역에 배치될 수 있다. 하지만, 베젤 영역 또는 비표시 영역이 최소화됨에 따라, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들 수 있다. 이로 인해, 무기 봉지 영역에 공극이 발생하는 경우, 공기 또는 수분의 투습 경로가 짧아지므로, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되기 쉽다. 공기 또는 수분에 의해 손상된 발광부들의 유기 발광 소자들은 흑점으로 표시될 수 있다.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역 상에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극, 상기 공통 전극 상에 배치되는 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막, 상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막, 상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되는 댐, 상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되며 상기 댐보다 외곽에 배치되는 뱅크, 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐과 상기 뱅크 사이에 배치되는 무기 봉지 영역, 및 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐이 배치되는 댐 영역, 상기 뱅크가 배치되는 뱅크 영역, 및 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제1 전원 배선을 구비한다. 상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선, 및 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출되며 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들을 포함한다. 상기 무기 봉지 영역에서 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이는 상기 뱅크 영역에서 상기 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이와 상이하다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 원, 타원, 또는 다각형의 평면 형태를 갖는다.

상기 무기 봉지 영역에 배치되는 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 둘레의 총 길이는 540㎛ 이상이다.

상기 제1 전원 배선은 일 방향으로 연장되며, 상기 복수의 투습 방지 패턴들 각각의 상기 일 방향의 길이는 상기 일 방향과 교차하는 타 방향의 길이와 동일하다.

상기 제1 전원 배선은 일 방향으로 연장되며, 상기 복수의 투습 방지 패턴들 각각의 상기 일 방향의 길이는 상기 일 방향과 교차하는 타 방향의 길이보다 작다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 뱅크 영역에 배치된다.

상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기는 상기 뱅크 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기와 다르다.

상기 뱅크는 상기 기판 상에 배치되는 제1 뱅크, 상기 제1 뱅크 상에 배치되는 제2 뱅크, 상기 제2 뱅크 상에 배치되는 제3 뱅크, 및 상기 제3 뱅크 상에 배치되는 제4 뱅크를 포함한다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제1 뱅크 상에 배치된다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제2 뱅크, 상기 제3 뱅크, 및 상기 제4 뱅크와 중첩하지 않는다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제1 뱅크, 상기 제2 뱅크, 상기 제3 뱅크, 및 상기 제4 뱅크와 중첩하지 않는다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 댐 영역에 배치된다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 댐과 상기 표시 영역 사이의 제1 비표시 영역에 배치된다.

상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기는 상기 제1 비표시 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기와 다르다.

상기 무기 봉지 영역에서 상기 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이는 상기 제1 비표시 영역에서 상기 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이와 상이하다.

상기 제1 전원 배선은 상기 제1 비표시 영역에서 제1 전원 콘택홀을 통해 상기 제1 서브 전원 배선에 연결되는 제2 서브 전원 배선을 더 포함한다.

상기 제1 전원 콘택홀은 상기 댐 영역에 배치된다.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역 상에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극, 상기 공통 전극 상에 배치되는 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막, 상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막, 상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되는 댐, 상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되며 상기 댐보다 외곽에 배치되는 뱅크, 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐과 상기 뱅크 사이에 배치되는 무기 봉지 영역, 및 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐이 배치되는 댐 영역, 상기 뱅크가 배치되는 뱅크 영역, 및 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제1 전원 배선을 구비한다. 상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선, 및 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 만입되며 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 제1 투습 방지 패턴들을 포함한다.

상기 무기 봉지 영역에 배치되는 상기 복수의 제1 투습 방지 패턴의 둘레의 총 길이는 540㎛ 이상이다.

상기 제1 전원 배선은 일 방향으로 연장되며, 상기 복수의 제1 투습 방지 패턴들 각각의 상기 일 방향의 길이는 상기 일 방향과 교차하는 타 방향의 길이보다 작다.

상기 제1 전원 배선은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출되며, 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 제2 투습 방지 패턴들을 포함한다.

상기 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역 상에 배치되는 화소 전극, 상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층, 상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극, 상기 공통 전극 상에 배치되는 제1 봉지 무기막, 상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막, 상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막, 상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되는 댐, 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐의 바깥쪽에 배치되며, 상기 제1 봉지 무기막과 상기 제2 봉지 무기막이 접촉하는 무기 봉지 영역, 및 상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐이 배치되는 댐 영역, 상기 표시 영역과 상기 댐 영역 사이에 배치되는 제1 비표시 영역, 및 상기 무기 봉지 영역에 배치되며, 복수의 투습 방지 패턴들을 포함하는 제1 전원 배선을 구비한다. 상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제1 비표시 영역에 배치되는 제1 투습 방지 패턴과 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제2 투습 방지 패턴을 포함한다. 상기 제1 투습 방지 패턴의 평면 형태는 상기 제2 투습 방지 패턴의 평면 형태와 다르다.

상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선을 더 포함하고, 상기 제2 투습 방지 패턴은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 만입된다.

상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선을 더 포함하고, 상기 제1 투습 방지 패턴은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출된다.

상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제3 투습 방지 패턴을 더 포함하며, 상기 제3 투습 방지 패턴의 평면 형태는 상기 제2 투습 방지 패턴의 평면 형태와 다르다.

상기 제3 투습 방지 패턴의 평면 형태는 상기 제1 투습 방지 패턴의 평면 형태와 동일하다.

상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선을 더 포함하고, 상기 제3 투습 방지 패턴은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출된다.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, 무기 봉지 영역에서 전원 배선은 복수의 투습 방지 패턴들을 포함하므로, 전원 배선의 측면을 따라 공극이 형성되더라도, 공극을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로는 길어질 수 있다. 따라서, 복수의 투습 방지 패턴들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

실시예들에 따른 표시 장치에 의하면, 투습 방지 패턴의 개수, 및 투습 방지 패턴의 일 방향의 길이와 타 방향의 길이를 조정함으로써, 무기 봉지 영역에서 복수의 투습 방지 패턴들의 총 둘레를 제어할 수 있다. 즉, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어든 만큼 투습 방지 패턴의 개수가 줄어들지만, 제1 투습 방지 패턴들 각각의 일 방향의 길이 및/또는 타 방향의 길이를 늘리는 경우, 무기 봉지 영역에서 공극을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로는 540㎛ 이상으로 유지될 수 있다. 그러므로, 표시 영역의 확장에 따라 비표시 영역이 줄어들어 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 복수의 투습 방지 패턴들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다. 따라서, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

실시예들에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2와 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다.
도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 일 측면도이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역의 화소를 보여주는 회로도이다.
도 5b는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역의 화소를 보여주는 회로도이다.
도 5c는 일 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역을 보여주는 레이아웃 도이다.
도 6은 도 5c의 A-A’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 7a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 비표시 영역을 보여주는 레이아웃 도이다.
도 7b는 일 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.
도 8은 도 7b의 무기 봉지 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다.
도 9는 도 7b의 뱅크 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다.
도 10은 도 7b의 B-B’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 11은 도 7b의 C-C’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 12a는 도 7b의 G-G’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 12b는 도 8의 D-D’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 12c는 도 12b의 H 영역의 확대도이다.
도 13은 도 9의 E-E’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 9의 E-E’를 따라 절단한 표시 패널의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 9의 E-E’를 따라 절단한 표시 패널의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 16은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.
도 17은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.
도 18은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.
도 19는 도 18의 뱅크 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다.
도 20은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.
도 21은 도 20의 무기 봉지 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다.
도 22는 도 21의 F-F’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 23은 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.
도 24는 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 실시예들을 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다.

비록 제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있음은 물론이다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 구체적인 실시예들에 대해 설명한다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다.

도 1을 참조하면, 표시 장치(10)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 및 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다.

표시 장치(10)는 유기 발광 다이오드를 이용하는 유기 발광 표시 장치, 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 표시 장치, 무기 반도체를 포함하는 무기 발광 표시 장치, 및 초소형 발광 다이오드(micro or nano light emitting diode(micro LED or nano LED))를 이용하는 초소형 발광 표시 장치와 같은 발광 표시 장치일 수 있다. 이하에서는, 표시 장치(10)가 유기 발광 표시 장치인 것을 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되지 않는다.

표시 장치(10)는 표시 패널(100), 표시 구동 회로(200), 및 회로 보드(300)를 포함한다.

표시 패널(100)은 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제1 방향(X축 방향)과 교차하는 제2 방향(Y축 방향)의 장변을 갖는 직사각형 형태의 평면으로 형성될 수 있다. 제1 방향(X축 방향)의 단변과 제2 방향(Y축 방향)의 장변이 만나는 코너(corner)는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성되거나 직각으로 형성될 수 있다. 표시 패널(100)의 평면 형태는 사각형에 한정되지 않고, 다른 다각형, 원형 또는 타원형으로 형성될 수 있다. 표시 패널(100)은 평탄하게 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 좌우측 끝단에 형성되며, 일정한 곡률을 갖거나 변화하는 곡률을 갖는 곡면부를 포함할 수 있다. 이외에, 표시 패널(100)은 구부러지거나, 휘어지거나, 벤딩되거나, 접히거나, 말릴 수 있도록 유연하게 형성될 수 있다.

표시 패널(100)은 메인 영역(MA)과 서브 영역(SBA)을 포함할 수 있다.

메인 영역(MA)은 영상을 표시하는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 주변 영역인 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 화상을 표시하는 화소(도 5a 및 도 5b의 PX)들을 포함할 수 있다. 서브 영역(SBA)은 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 제2 방향(Y축 방향)으로 돌출될 수 있다.

도 1에서는 서브 영역(SBA)이 펼쳐진 것을 예시하였으나, 서브 영역(SBA)은 구부러질 수 있으며, 이 경우 표시 패널(100)의 하면 상에 배치될 수 있다. 서브 영역(SBA)이 구부러지는 경우, 기판(SUB)의 두께 방향(Z축 방향)에서 메인 영역(MA)과 중첩할 수 있다. 서브 영역(SBA)에는 표시 구동 회로(200)가 배치될 수 있다.

표시 구동 회로(200)는 표시 패널(100)을 구동하기 위한 신호들과 전압들을 생성할 수 있다. 표시 구동 회로(200)는 집적회로(integrated circuit, IC)로 형성되어 COG(chip on glass) 방식, COP(chip on plastic) 방식, 또는 초음파 접합 방식으로 표시 패널(100) 상에 부착될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시 구동 회로(200)는 COF(chip on film) 방식으로 회로 보드(300) 상에 부착될 수 있다.

회로 보드(300)는 표시 패널(100)의 서브 영역(SBA)의 일 단에 부착될 수 있다. 이로 인해, 회로 보드(300)는 표시 패널(100) 및 표시 구동 회로(200)와 전기적으로 연결될 수 있다. 표시 패널(100)과 표시 구동 회로(200)는 회로 보드(300)를 통해 디지털 비디오 데이터와, 타이밍 신호들, 및 구동 전압들을 입력 받을 수 있다. 회로 보드(300)는 연성 인쇄 회로 보드(flexible printed circuit board), 인쇄 회로 보드(printed circuit board) 또는 칩온 필름(chip on film)과 같은 연성 필름(flexible film)일 수 있다.

도 2와 도 3은 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 평면도이다. 도 4는 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 일 측면도이다.

도 2에는 서브 영역(SBA)이 구부러지지 않고 펼쳐진 것을 예시하였다. 도 3과 도 4에는 서브 영역(SBA)이 구부러진 것을 예시하였다.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 표시 패널(100)은 메인 영역(MA)과 서브 영역(SBA)을 포함할 수 있다.

메인 영역(MA)은 화상을 표시하는 표시 영역(DA)과 표시 영역(DA)의 주변 영역인 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(DA)은 메인 영역(MA)의 대부분의 영역을 차지할 수 있다. 표시 영역(DA)은 메인 영역(MA)의 중앙에 배치될 수 있다.

비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)에 이웃하여 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 바깥쪽 영역일 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 표시 패널(100)의 가장자리 영역일 수 있다.

비표시 영역(NDA)은 댐 영역(DAMA)을 포함할 수 있다. 댐 영역(DAMA)은 표시 영역(DA)을 둘러싸도록 배치될 수 있다. 댐 영역(DAMA)은 표시 영역(DA)의 발광 소자들을 봉지하기 위한 봉지층(도 6의 TFEL)의 봉지 유기막(TFE2)이 넘치는 것을 방지하기 위한 댐(도 10의 DAM)이 배치되는 영역일 수 있다.

비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)과 댐 영역(DAMA) 사이에 배치되는 제1 비표시 영역(NDA1)과 댐 영역(DAMA)의 외곽에 배치되는 제2 비표시 영역(NDA2)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 비표시 영역(NDA1)은 댐 영역(DAMA)의 내측에 배치되고, 제2 비표시 영역(NDA2)은 댐 영역(DAMA)의 외측에 배치될 수 있다.

서브 영역(SBA)은 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 제2 방향(Y축 방향)으로 돌출될 수 있다. 서브 영역(SBA)의 제2 방향(Y축 방향)의 길이는 메인 영역(MA)의 제2 방향(Y축 방향)의 길이보다 작을 수 있다. 서브 영역(SBA)의 제1 방향(X축 방향)의 길이는 메인 영역(MA)의 제1 방향(X축 방향)의 길이보다 작거나 메인 영역(MA)의 제1 방향(X축 방향)의 길이와 실질적으로 동일할 수 있다. 서브 영역(SBA)은 구부러질 수 있으며, 표시 패널(100)의 배면 상에 배치될 수 있다. 이 경우, 서브 영역(SBA)은 제3 방향(Z축 방향)에서 메인 영역(MA)과 중첩할 수 있다.

서브 영역(SBA)은 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 및 벤딩 영역(BA)을 포함할 수 있다.

제1 영역(A1)은 메인 영역(MA)의 일 측으로부터 제2 방향(Y축 방향)으로 돌출된 영역이다. 제1 영역(A1)의 일 측은 메인 영역(MA)의 비표시 영역(NDA)과 접하며, 제1 영역(A1)의 타 측은 벤딩 영역(BA)에 접할 수 있다.

제2 영역(A2)은 표시 패드(DP)들과 표시 구동 회로(200)가 배치되는 영역이다. 표시 구동 회로(200)는 이방성 도전 필름(anisotropic conductive film)이나 SAP(Self Assembly Anisotropic Conductive Paste)과 같은 저저항(低抵抗) 고신뢰성 소재를 이용하여 제2 영역(A2)의 구동 패드들에 부착될 수 있다. 회로 보드(300)는 이방성 도전 필름이나 SAP과 같은 저저항(低抵抗) 고신뢰성 소재를 이용하여 제2 영역(A2)의 표시 패드(DP)들에 부착될 수 있다. 제2 영역(A2)의 일 측은 벤딩 영역(BA)과 접할 수 있다.

벤딩 영역(BA)은 구부러지는 영역이다. 벤딩 영역(BA)이 구부러지는 경우, 제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)의 하부와 메인 영역(MA)의 하부에 배치될 수 있다. 벤딩 영역(BA)은 제1 영역(A1)과 제2 영역(A2) 사이에 배치될 수 있다. 벤딩 영역(BA)의 일 측은 제1 영역(A1)과 접하며, 벤딩 영역(BA)의 타 측은 제2 영역(A2)과 접할 수 있다.

도 5a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역의 화소를 보여주는 회로도이다.

도 5a를 참조하면, 화소(PX)들 각각은 스캔 배선(SL)들 중 어느 두 개, 발광 배선(EL)들 중 어느 하나, 및 데이터 배선들 중 어느 하나에 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 5a와 같이 화소(PX)는 기입 스캔 배선(GWL), 초기화 스캔 배선(GIL), 제어 스캔 배선(GCL), 발광 배선(EL), 및 데이터 배선(DL)에 접속될 수 있다.

화소(PX)는 도 5a와 같이 구동 트랜지스터(transistor)(DT), 발광 소자(Light Emitting Element, LE), 스위치 소자들, 및 커패시터(C1)를 포함한다. 스위치 소자들은 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6)을 포함한다.

구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극, 제1 전극, 및 제2 전극을 포함한다. 구동 트랜지스터(DT)는 게이트 전극에 인가되는 데이터 전압에 따라 제1 전극과 제2 전극 사이에 흐르는 드레인-소스간 전류(Ids, 이하 “구동 전류”라 칭함)를 제어한다.

발광 소자(LEL)는 구동 전류(Ids)에 따라 발광한다. 발광 소자(LEL)의 발광량은 구동 전류(Ids)에 비례할 수 있다.

발광 소자(LEL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 다이오드일 수 있다. 또는, 발광 소자(LEL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 무기 반도체를 포함하는 무기 발광 소자일 수 있다. 또는, 발광 소자(LEL)는 애노드 전극, 캐소드 전극, 및 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 배치된 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광 소자일 수 있다. 또는, 발광 소자(LEL)는 마이크로 발광 다이오드(micro light emitting diode)일 수 있다.

발광 소자(LEL)의 애노드 전극은 제4 트랜지스터(ST4)의 제1 전극과 제6 트랜지스터(ST6)의 제2 전극에 접속되며, 캐소드 전극은 제1 전원 배선(VSL)에 접속될 수 있다. 발광 소자(LEL)의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에는 기생 용량(Cel)이 형성될 수 있다.

커패시터(C1)는 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극과 제2 전원 배선(VSL) 사이에 형성된다. 커패시터(C1)의 일 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 제2 전극에 접속되고, 타 전극은 제2 전원 배선(VSL)에 접속될 수 있다.

제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 제1 전극이 소스 전극인 경우, 제2 전극은 드레인 전극일 수 있다. 또는, 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 제1 전극이 드레인 전극인 경우, 제2 전극은 소스 전극일 수 있다.

제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 액티브층은 폴리 실리콘(Poly Silicon), 아몰포스 실리콘, 및 산화물 반도체 중 어느 하나로 형성될 수도 있다. 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT) 각각의 반도체층이 폴리 실리콘으로 형성되는 경우, 그를 형성하기 위한 공정은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly Silicon: LTPS) 공정일 수 있다.

또한, 도 5a에서는 제1 내지 제6 트랜지스터들(ST1, ST2, ST3, ST4, ST5, ST6), 및 구동 트랜지스터(DT)가 P 타입 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)으로 형성된 것을 중심으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않으며, N 타입 MOSFET으로 형성될 수도 있다.

나아가, 제1 전원 배선(VSL)의 제1 전원 전압, 제2 전원 배선(VSL)의 제2 전원 전압, 및 제3 전원 배선(VIL)의 제3 전원 전압은 구동 트랜지스터(DT)의 특성, 발광 소자(LEL)의 특성 등을 고려하여 설정될 수 있다.

도 5b는 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역의 화소를 보여주는 회로도이다.

도 5b의 실시예는 구동 트랜지스터(DT), 제2 트랜지스터(ST2), 제4 트랜지스터(ST4), 제5 트랜지스터(ST5), 및 제6 트랜지스터(ST6)가 P 타입 MOSFET으로 형성되고, 제1 트랜지스터(ST1)와 제3 트랜지스터(ST3)가 N 타입 MOSFET으로 형성되는 것에서 도 5a의 실시예와 차이가 있다.

도 5b를 참조하면, P 타입 MOSFET으로 형성되는 구동 트랜지스터(DT), 제2 트랜지스터(ST2), 제4 트랜지스터(ST4), 제5 트랜지스터(ST5), 및 제6 트랜지스터(ST6) 각각의 액티브층은 폴리 실리콘으로 형성되고, N 타입 MOSFET으로 형성되는 제1 트랜지스터(ST1)와 제3 트랜지스터(ST3) 각각의 액티브층은 산화물 반도체로 형성될 수 있다. 이 경우, 폴리 실리콘으로 형성되는 트랜지스터들과 산화물 반도체로 형성되는 트랜지스터들이 서로 다른 층에 배치될 수 있으므로, 화소(PX)의 면적이 줄어들 수 있다.

도 5b에서는 제2 트랜지스터(ST2)의 게이트 전극과 제4 트랜지스터(ST4)의 게이트 전극이 기입 스캔 배선(GWL)에 연결되고, 제1 트랜지스터(ST1)의 게이트 전극이 제어 스캔 배선(GCL)에 연결되는 것에서 도 6a의 실시예와 차이점이 있다. 또한, 도5b에서는 제1 트랜지스터(ST1)와 제3 트랜지스터(ST3)가 N 타입 MOSFET으로 형성되므로, 제어 스캔 배선(GCL)과 초기화 스캔 배선(GIL)에는 게이트 하이 전압의 스캔 신호가 인가될 수 있다. 이에 비해, 제2 트랜지스터(ST2), 제4 트랜지스터(ST4), 제5 트랜지스터(ST5), 및 제6 트랜지스터(ST6)가 P 타입 MOSFET으로 형성되므로, 기입 스캔 배선(GWL)과 발광 배선(EL)에는 게이트 로우 전압의 스캔 신호가 인가될 수 있다.

도 5c는 일 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역을 보여주는 레이아웃 도이다.

도 5c에서는 표시 영역(DA)의 제1 내지 제4 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4), 구동 전극(TE)들, 및 감지 전극(RE)들을 도시하였다. 도 5c에서는 터치 구동 방식이 사용자의 터치를 감지하기 위해 두 종류의 센서 전극들, 즉 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들을 포함하는 상호 용량 방식인 것을 중심으로 설명하였다. 도 5c에서는 설명의 편의를 위해 제1 방향(X축 방향)으로 인접한 두 개의 감지 전극(RE)들과 제2 방향(Y축 방향)으로 인접한 두 개의 구동 전극(TE)들 도시하였다.

도 5c를 참조하면, 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들은 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들은 동일한 층에 형성되므로 서로 떨어져 배치될 수 있다. 구동 전극(TE)과 감지 전극(RE) 사이에는 갭(gap)이 형성될 수 있다.

감지 전극(RE)들은 제1 방향(X축 방향)으로 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 전극(TE)들은 제2 방향(Y축 방향)으로 전기적으로 연결될 수 있다. 감지 전극(RE)들과 구동 전극(TE)들이 그들의 교차부들에서 전기적으로 분리되기 위해, 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 구동 전극(TE)들은 제1 연결부(BE1)들을 통해 연결될 수 있다. 감지 전극(RE)들은 감지 배선들에 연결되고, 구동 전극(TE)들은 구동 배선들에 연결될 수 있다. 감지 배선들과 구동 배선들은 터치 배선(도 10 및 도 11의 TL)들로 통칭될 수 있다.

제1 연결부(BE1)들은 구동 전극(TE)들 및 감지 전극(RE)들과 상이한 층에 형성되며, 제1 센서 콘택홀(TCNT1)들을 통해 구동 전극(TE)들과 접속될 수 있다. 제1 연결부(BE1)들 각각의 일 단은 제1 센서 콘택홀(TCNT1)들을 통해 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 구동 전극(TE)들 중 어느 한 구동 전극(TE)에 접속될 수 있다. 제1 연결부(BE1)들 각각의 타 단은 제1 센서 콘택홀(TCNT1)들을 통해 제2 방향(Y축 방향)으로 서로 인접한 구동 전극(TE)들 중 다른 구동 전극(TE)에 접속될 수 있다. 제1 연결부(BE1)들은 제3 방향(Z축 방향)에서 감지 전극(RE)과 중첩할 수 있다. 제1 연결부(BE1)들은 구동 전극(TE)들 및 감지 전극(RE)들과 상이한 층에 형성되므로, 제3 방향(Z축 방향)에서 감지 전극(RE)과 중첩하더라도, 감지 전극(RE)과 전기적으로 분리될 수 있다.

도 5c도 5a 및 도 5b의 LEL도 5a 및 도 5b의 LEL도 5a 및 도 5b의 LEL표시 영역(DA)은 화상을 표시하기 위한 복수의 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4)을 포함할 수 있다. 복수의 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4) 각각은 도 5a 및 도 5b의 발광 소자(LEL)가 광을 발광하는 영역으로 정의될 수 있다.

예를 들어, 표시 영역(DA)은 제1 내지 제4 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4)을 포함할 수 있다. 이 경우, 제1 발광부(EA1)는 제1 광을 발광하는 발광 소자(도 5a 및 도 5b의 LEL)의 발광부를 가리키고, 제2 발광부(EA2)는 제2 광을 발광하는 발광 소자(도 5a 및 도 5b의 LEL)의 영역을 가리킬 수 있다. 또한, 제3 발광부(EA3)는 제3 광을 발광하는 발광 소자(도 5a 및 도 5b의 LEL)의 영역을 가리키고, 제4 발광부(EA4)는 제4 광을 발광하는 발광 소자(도 5a 및 도 5b의 LEL)의 영역을 가리킬 수 있다.

제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4)는 서로 다른 색을 발광할 수 있다. 또는, 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4) 중 어느 두 개는 동일한 색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광부(EA1)는 적색 광을 발광하고, 제2 발광부(EA2)과 제4 발광부(EA4)는 녹색 광을 발광하며, 제3 발광부(EA3)는 청색 광을 발광할 수 있다.

제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4) 각각은 마름모와 같이 사각형의 평면 형태를 갖는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4)는 사각형 이외에 다른 다각형, 원형 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다. 또한, 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4) 중에서 제3 발광부(EA3)의 크기가 가장 크고, 제1 발광부(EA1)의 크기가 두 번째로 크며, 제2 발광부(EA2)과 제4 발광부(EA4)의 크기가 가장 작은 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다.

구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 및 연결부(BE1)들이 평면 상 메쉬 구조 또는 그물망 구조로 형성되므로, 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4)은 제3 방향(Z축 방향)에서 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 및 연결부(BE1)들과 중첩하지 않을 수 있다. 따라서, 발광부(EA)들로부터 발광된 광이 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 및 연결부(BE1)들에 의해 차단됨으로써, 광의 휘도가 감소되는 것을 방지하거나 줄일 수 있다.

도 6은 도 5c의 A-A’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.

도 6을 참조하면, 기판(SUB)은 고분자 수지, 유리 등의 절연 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 기판(SUB)은 폴리이미드(polyimide)를 포함할 수 있다. 이 경우, 기판(SUB)은 벤딩(bending), 폴딩(folding), 롤링(rolling) 등이 가능한 플렉서블(flexible) 기판일 수 있다.

기판(SUB) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)들을 포함하는 박막 트랜지스터층(TFTL)이 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터층(TFTL)은 박막 트랜지스터(TFT), 커패시터(C1), 제1 애노드 연결 전극(ANDE1), 제2 애노드 연결 전극(ANDE2), 버퍼막(BF), 게이트 절연막(130), 제1 층간 절연막(141), 제2 층간 절연막(142), 제1 유기막(160), 및 제2 유기막(161)을 포함할 수 있다.

기판(SUB) 상에는 버퍼막(BF)이 배치될 수 있다. 버퍼막(BF)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.

버퍼막(BF) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)가 배치될 수 있다. 박막 트랜지스터(TFT)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(G), 소스 전극(S), 및 드레인 전극(D)을 포함할 수 있다.

버퍼막(BF) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)의 액티브층(ACT), 소스 전극(S), 및 드레인 전극(D)이 배치될 수 있다. 액티브층(ACT)은 다결정 실리콘, 단결정 실리콘, 저온 다결정 실리콘, 비정질 실리콘과 같은 실리콘 반도체를 포함할 수 있다. 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 실리콘 반도체에 이온 또는 불순물이 도핑되어 도전성을 가질 수 있다. 액티브층(ACT)은 기판(SUB)의 두께 방향인 제3 방향(Z축 방향)에서 게이트 전극(G)과 중첩하며, 소스 전극(S)과 드레인 전극(D)은 제3 방향(Z축 방향)에서 게이트 전극(G)과 중첩하지 않을 수 있다.

박막 트랜지스터(TFT)의 액티브층(ACT), 소스 전극(S), 및 드레인 전극(D) 상에는 게이트 절연막(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(130)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.

게이트 절연막(130) 상에는 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 전극(G)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(G)은 제3 방향(Z축 방향)에서 액티브층(ACT)과 중첩할 수 있다. 게이트 전극(G)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

게이트 전극(G) 상에는 제1 층간 절연막(141)이 배치될 수 있다. 제1 층간 절연막(141)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다.

제1 층간 절연막(141) 상에는 커패시터 전극(CAE)이 배치될 수 있다. 커패시터 전극(CAE)은 제3 방향(Z축 방향)에서 게이트 전극(G)과 중첩할 수 있다. 제1 층간 절연막(141)이 소정의 유전율을 가지므로, 커패시터 전극(CAE), 게이트 전극(G), 및 커패시터 전극(CAE)과 게이트 전극(G) 사이에 배치된 제1 층간 절연막(141)에 의해 커패시터가 형성될 수 있다. 커패시터 전극(CAE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

커패시터 전극(CAE) 상에는 제2 층간 절연막(142)이 배치될 수 있다. 제2 층간 절연막(142)은 무기막, 예를 들어 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층으로 형성될 수 있다. 제2 층간 절연막(142)은 복수의 무기막을 포함할 수 있으며, 제2 층간 절연막(142)의 제3 방향(Z축 방향)의 두께는 제1 층간 절연막(141)의 제3 방향(Z축 방향)의 두께보다 클 수 있다.

제2 층간 절연막(142) 상에는 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)이 배치될 수 있다. 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)은 제1 층간 절연막(141)과 제2 층간 절연막(142)을 관통하여 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(D)을 노출하는 제1 애노드 콘택홀(ANCT1)을 통해 드레인 전극(D)에 연결될 수 있다. 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

제1 애노드 연결 전극(ANDE1) 상에는 평탄화를 위한 제1 유기막(160)이 배치될 수 있다. 제1 유기막(160)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

제1 유기막(160) 상에는 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)이 배치될 수 있다. 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)은 제1 유기막(160)을 관통하여 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)을 노출하는 제2 애노드 콘택홀(ANCT2)을 통해 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)에 연결될 수 있다. 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu) 중 어느 하나 또는 이들의 합금으로 이루어진 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.

제2 애노드 연결 전극(ANDE2) 상에는 제2 유기막(161)이 배치될 수 있다. 제2 유기막(161)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

도 6에서는 박막 트랜지스터(TFT)가 게이트 전극이 액티브층의 상부에 위치하는 상부 게이트(탑 게이트, top gate) 방식으로 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않음에 주의하여야 한다. 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 전극이 액티브층의 하부에 위치하는 하부 게이트(보텀 게이트, bottom gate) 방식 또는 게이트 전극이 액티브층의 상부와 하부에 모두 위치하는 더블 게이트(double gate) 방식으로 형성될 수 있다.

제2 유기막(161) 상에는 발광 소자층(EML)이 배치될 수 있다. 발광 소자층(EML)은 발광 소자(LEL)들과 발광부 정의막(180)을 포함할 수 있다. 발광 소자(LEL)들 각각은 화소 전극(171), 발광층(172), 및 공통 전극(173)을 포함한다. 공통 전극(173)은 복수의 발광 소자(LEL)들에 공통적으로 연결될 수 있다.

화소 전극(171)은 제2 유기막(161) 상에 형성될 수 있다. 화소 전극(171)은 제2 유기막(161)을 관통하여 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)을 노출하는 제3 애노드 콘택홀(ANCT3)을 통해 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)에 연결될 수 있다.

발광층(172)을 기준으로 공통 전극(173) 방향으로 발광하는 상부 발광(top emission) 구조에서 화소 전극(171)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)와 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. APC 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)의 합금이다.

발광부 정의막(180)은 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4)을 정의하는 역할을 하기 위해 제2 유기막(161) 상에서 화소 전극(171)을 구획하도록 형성될 수 있다. 발광부 정의막(180)은 화소 전극(171)의 가장자리를 덮도록 형성될 수 있다. 발광부 정의막(180)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4) 각각은 화소 전극(171), 발광층(172), 및 공통 전극(173)이 순차적으로 적층되어 화소 전극(171)으로부터의 정공과 공통 전극(173)으로부터의 전자가 발광층(172)에서 서로 결합되어 발광하는 영역을 나타낸다.

화소 전극(171)과 발광부 정의막(180) 상에는 발광층(172)이 형성된다. 발광층(172)은 유기 물질을 포함하여 소정의 색을 발광할 수 있다. 예를 들어, 발광층(172)은 정공 수송층(hole transporting layer), 유기 물질층, 및 전자 수송층(electron transporting layer)을 포함한다.

공통 전극(173)은 발광층(172) 상에 형성된다. 공통 전극(173)은 발광층(172)을 덮도록 형성될 수 있다. 공통 전극(173)은 모든 발광부들(EA1, EA2, EA3, EA4)에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다. 공통 전극(173) 상에는 캡핑층(capping layer)이 형성될 수 있다.

상부 발광 구조에서 공통 전극(173)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO(Induim Tin Oxide) 및 IZO(Induim Zinc Oxide)와 같은 투명한 도전성 산화물(TCO, Transparent Conductive Oxide), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 공통 전극(173)이 반투과 금속물질로 형성되는 경우, 마이크로 캐비티(micro cavity)에 의해 출광 효율이 높아질 수 있다.

공통 전극(173) 상에는 봉지층(TFEL)이 배치될 수 있다. 봉지층(TFEL)은 발광 소자층(EML)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하기 위해 적어도 하나의 무기막을 포함한다. 또한, 봉지층(TFEL)은 먼지와 같은 이물질로부터 발광 소자층(EML)을 보호하기 위해 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 예를 들어, 봉지층(TFEL)은 제1 봉지 무기막(TFE1), 봉지 유기막(TFE2), 및 제2 봉지 무기막(TFE3)을 포함할 수 있다.

제1 봉지 무기막(TFE1)은 공통 전극(173) 상에 배치되고, 봉지 유기막(TFE2)은 제1 봉지 무기막(TFE1) 상에 배치되며, 제2 봉지 무기막(TFE3)은 봉지 유기막(TFE2) 상에 배치될 수 있다. 제1 봉지 무기막(TFE1)과 제2 봉지 무기막(TFE3)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 봉지 유기막(TFE2)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수 있다.

봉지층(TFEL) 상에는 센서 전극층(SENL)이 배치될 수 있다. 센서 전극층(SENL)은 구동 전극(TE)들, 감지 전극(RE)들, 및 연결부(BE1)을 포함할 수 있다.

제2 봉지 무기막(TFE3) 상에는 제1 센서 절연막(TINS1)이 배치될 수 있다. 제1 센서 절연막(TINS1)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 또는, 제1 센서 절연막(TINS1)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

제1 센서 절연막(TINS1) 상에는 연결부(BE1)이 배치될 수 있다. 연결부(BE1)은 제3 방향(Z축 방향)에서 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4)과 중첩하지 않을 수 있다. 연결부(BE1)은 제3 방향(Z축 방향)에서 발광부 정의막(180)과 중첩할 수 있다. 연결부(BE1)은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al)의 단일층으로 형성되거나, 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있다.

연결부(BE1) 상에는 제2 센서 절연막(TINS2)이 배치될 수 있다. 제2 센서 절연막(TINS2)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 및 알루미늄옥사이드층 중 하나 이상의 무기막이 교번하여 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 또는, 제2 센서 절연막(TINS2)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

제2 센서 절연막(TINS2) 상에는 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들이 배치될 수 있다. 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들은 제3 방향(Z축 방향)에서 제1 발광부(EA1), 제2 발광부(EA2), 제3 발광부(EA3), 및 제4 발광부(EA4)과 중첩하지 않을 수 있다. 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들은 제3 방향(Z축 방향)에서 발광부 정의막(180)과 중첩할 수 있다. 구동 전극(TE)은 제2 센서 절연막(TINS2)을 관통하는 제1 센서 콘택홀(TCNT1)을 통해 제1 연결부(BE1)에 연결될 수 있다. 구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 알루미늄(Al)의 단일층으로 형성되거나, 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), APC 합금, 및 APC 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/APC/ITO)로 형성될 수 있다.

구동 전극(TE)들과 감지 전극(RE)들 상에는 제3 센서 절연막(TINS3)이 배치될 수 있다. 제3 센서 절연막(TINS3)은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기막으로 형성될 수 있다.

도 7a는 일 실시예에 따른 표시 패널의 비표시 영역을 보여주는 레이아웃 도이다. 도 7a는 도 2의 A 영역의 일 예를 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.

도 7a에서는 설명의 편의를 위해 스캔 구동부(SDU), 스캔 제어 배선(SCL)들, 제1 전원 배선(VSL), 제1 전원 패드 배선(VSPL), 및 제1 전원 벤딩 배선(VSBL), 제2 전원 배선(VDL), 제2 전원 패드 배선(VDPL), 및 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)을 예시하였다.

도 7a를 참조하면, 스캔 구동부(SDU)는 표시 영역(DA)의 좌측에 배치될 수 있다. 스캔 구동부(SDU)는 스캔 제어 배선(SCL)들을 통해 표시 구동 회로(200)에 연결될 수 있다. 스캔 구동부(SDU)는 스캔 제어 배선(SCL)들을 통해 표시 구동 회로(200)로부터 스캔 타이밍 신호를 입력 받을 수 있다. 스캔 구동부(SDU)는 스캔 타이밍 신호에 따라 스캔 신호들을 생성할 수 있다. 스캔 구동부(SDU)는 스캔 신호들을 표시 영역(DA)의 스캔 배선들(GWL, GIL, GCL)에 출력할 수 있다.

스캔 제어 배선(SCL)들 각각은 스캔 팬 아웃 배선(SFL), 스캔 패드 배선(SPL), 및 스캔 벤딩 배선(SBL)을 포함할 수 있다.

스캔 팬 아웃 배선(SFL)은 비표시 영역(NDA)과 서브 영역(SBA)의 제1 영역(A1)에 배치될 수 있다. 스캔 팬 아웃 배선(SFL)은 스캔 구동부(SDU)와 스캔 벤딩 배선(SBL) 사이에 배치될 수 있다. 스캔 팬 아웃 배선(SFL)의 일 단은 스캔 구동부(SDU)에 연결되고, 타 단은 제2 스캔 콘택홀(SCH2)을 통해 스캔 벤딩 배선(SBL)에 연결될 수 있다. 스캔 팬 아웃 배선(SFL)은 댐 영역(DAMA)과 중첩할 수 있다.

스캔 벤딩 배선(SBL)은 서브 영역(SBA)의 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 및 벤딩 영역(BA)에 배치될 수 있다. 스캔 벤딩 배선(SBL)은 스캔 팬 아웃 배선(SFL)과 스캔 패드 배선(SPL) 사이에 배치될 수 있다. 스캔 벤딩 배선(SBL)의 일 단은 제1 영역(A1)에서 제2 스캔 콘택홀(SCH2)을 통해 스캔 팬 아웃 배선(SFL)에 연결되고, 타 단은 제2 영역(A2)에서 제1 스캔 콘택홀(SCT1)을 통해 스캔 패드 배선(SPL)에 연결될 수 있다.

스캔 패드 배선(SPL)은 제2 영역(A2)에 배치될 수 있다. 스캔 패드 배선(SPL)은 스캔 벤딩 배선(SBL)과 표시 구동 회로(200) 사이에 배치될 수 있다. 스캔 패드 배선(SPL)의 일 단은 제1 스캔 콘택홀(SCT1)을 통해 스캔 벤딩 배선(SBL)에 연결되고, 타 단은 표시 구동 회로(200)에 연결될 수 있다.

한편, 도 7a에서는 설명의 편의를 위해 표시 영역(DA)의 데이터 배선(DL)들과 표시 구동 회로(200) 사이에 배치되는 데이터 연결 배선들(미도시)을 생략하였으나, 데이터 연결 배선들(미도시)은 스캔 제어 배선(SCL)들과 유사하게 될 수 있다. 데이터 배선(DL)들은 데이터 연결 배선들을 통해 표시 구동 회로(200)로부터 데이터 전압들을 입력 받을 수 있다. 데이터 연결 배선들(미도시) 각각은 데이터 팬 아웃 배선(미도시), 데이터 패드 배선(미도시), 및 데이터 벤딩 배선(미도시)을 포함할 수 있다. 데이터 팬 아웃 배선(미도시)은 스캔 팬 아웃 배선(SFL)과 실질적으로 동일하고, 데이터 패드 배선(미도시)은 스캔 패드 배선(SPL)과 실질적으로 동일하며, 데이터 벤딩 배선(미도시)은 스캔 벤딩 배선(SBL)과 실질적으로 동일할 수 있다.

또한, 도 7a에서는 설명의 편의를 위해 터치 배선들(도 10 및 도 11의 TL)을 생략하였으나, 터치 배선들(도 10 및 도 11의 TL) 각각은 벤딩 영역(BA)에 배치되는 터치 벤딩 배선(미도시)들 중 그에 대응되는 터치 벤딩 배선에 연결될 수 있다.

제1 전원 배선(VSL)은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 제1 전원 배선(VSL)은 댐 영역(DAMA)과 중첩할 수 있다. 제1 전원 배선(VSL)은 스캔 팬 아웃 배선(SFL)들과 중첩할 수 있다. 제1 전원 배선(VSL)은 스캔 구동부(SDU)와 표시 영역(DA) 사이에 배치될 수 있다. 또는, 제1 전원 배선(VSL)은 스캔 구동부(SDU)와 중첩할 수 있다.

제1 전원 벤딩 배선(VSBL)들은 서브 영역(SBA)의 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 및 벤딩 영역(BA)에 배치될 수 있다. 제1 전원 벤딩 배선(VSBL)들 각각은 제1 전원 배선(VSL)과 그에 대응하는 제1 전원 패드 배선(VSPL) 사이에 배치될 수 있다. 제1 전원 벤딩 배선(VSBL)들은 제1 전원 배선(VSL)으로부터 연장될 수 있다. 제1 전원 벤딩 배선(VSBL)들은 제1 전원 배선(VSL)과 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제1 전원 벤딩 배선(VSBL)들은 제1 전원 배선(VSL)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제1 전원 벤딩 배선(VSBL)들 각각은 제1 전원 콘택홀(VSH)을 통해 그에 대응하는 제1 전원 패드 배선(VSPL)에 연결될 수 있다.

제1 전원 패드 배선(VSPL)들은 제2 영역(A2)에 배치될 수 있다. 제1 전원 패드 배선(VSPL)들 각각은 그에 대응하는 제1 전원 벤딩 배선(VSBL)과 표시 구동 회로(200) 사이에 배치될 수 있다. 제1 전원 패드 배선(VSPL)들 각각의 일 단은 그에 대응하는 제1 전원 콘택홀(VSH)을 통해 그에 대응하는 제1 전원 벤딩 배선(VSBL)에 연결되고, 타 단은 표시 구동 회로(200)에 연결될 수 있다.

제2 전원 배선(VDL)은 비표시 영역(NDA)에 배치될 수 있다. 제2 전원 배선(VDL)은 댐 영역(DAMA)과 중첩할 수 있다. 제2 전원 배선(VDL)은 데이터 연결 배선들(미도시)과 중첩할 수 있다.

제2 전원 벤딩 배선(VDBL)들은 서브 영역(SBA)의 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 및 벤딩 영역(BA)에 배치될 수 있다. 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)들 각각은 제2 전원 배선(VDL)과 그에 대응하는 제2 전원 패드 배선(VDPL) 사이에 배치될 수 있다. 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)들은 제2 전원 배선(VDL)으로부터 연장될 수 있다. 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)들은 제2 전원 배선(VDL)과 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)들은 제2 전원 배선(VDL)과 동일한 물질로 형성될 수 있다. 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)들 각각은 제2 전원 콘택홀(VDH)을 통해 그에 대응하는 제2 전원 패드 배선(VDPL)에 연결될 수 있다.

제2 전원 패드 배선(VDPL)들은 제2 영역(A2)에 배치될 수 있다. 제2 전원 패드 배선(VDPL)들 각각은 그에 대응하는 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)과 표시 구동 회로(200) 사이에 배치될 수 있다. 제2 전원 패드 배선(VDPL)들 각각의 일 단은 그에 대응하는 제2 전원 콘택홀(VDH)을 통해 그에 대응하는 제2 전원 벤딩 배선(VDBL)에 연결되고, 타 단은 표시 구동 회로(200)에 연결될 수 있다.

도 7b는 일 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다. 도 8은 도 7b의 무기 봉지 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다. 도 9는 도 7b의 뱅크 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다. 도 7b에는 도 7a의 B 영역을 상세히 보여주는 확대 레이아웃 도가 나타나 있다. 도

도 7b, 도 8, 및 도 9를 참조하면, 비표시 영역(NDA)은 제1 비표시 영역(NDA1), 댐 영역(DAMA), 무기 봉지 영역(CVD), 및 뱅크 영역(BNKA)을 포함할 수 있다.

댐 영역(DAMA)은 표시 영역(DA)의 발광 소자들을 봉지하기 위한 봉지층(도 6의 TFEL)의 봉지 유기막(TFE2)이 넘치는 것을 방지하기 위한 댐(도 10의 DAM)이 배치되는 영역일 수 있다. 댐 영역(DAMA)은 표시 영역(DA)의 하측에 배치된 비표시 영역(NDA)에서 제1 방향(X축 방향)으로 배치될 수 있다. 댐(도 10의 DAM)에 대한 자세한 설명은 도 10을 결부하여 후술한다.

뱅크 영역(BNKA)은 표시 패널(100)을 제조할 때 마스크를 지지하기 위한 뱅크(도 10의 BANK)가 배치되는 영역일 수 있다. 뱅크 영역(BNKA)은 표시 영역(DA)의 하측에 배치된 비표시 영역(NDA)에서 제1 방향(X축 방향)으로 배치될 수 있다. 뱅크(도 10의 BANK)에 대한 자세한 설명은 도 10을 결부하여 상세히 후술한다.

제1 비표시 영역(NDA1)은 도 2와 같이 비표시 영역(NDA)에서 댐 영역(DAMA)과 표시 영역(DA) 사이에 배치된 영역일 수 있다. 제1 비표시 영역(NDA1)은 댐 영역(DAMA)의 내측에 배치되고, 제2 비표시 영역(NDA2)은 댐 영역(DAMA)의 외측에 배치될 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)은 댐 영역(DAMA)과 뱅크 영역(BNKA) 사이에 배치될 수 있다. 무기 봉지 영역(CVD)은 표시 패널(100)을 봉지하기 위해 봉지층(도 6의 TFEL)의 제1 봉지 무기막(TFE1)과 제2 봉지 무기막(TFE2)이 서로 접촉하는 영역일 수 있다. 무기 봉지 영역(CVD)은 무기막만이 배치되고, 유기막이 배치되지 않는 영역일 수 있다. 무기 봉지 영역(CVD)은 표시 영역(DA)의 하측에 배치된 비표시 영역(NDA)에서 제1 방향(X축 방향)으로 배치될 수 있다.

비표시 영역(NDA)에는 공통 전극(도 6의 173)에 제1 전원 전압을 공급하기 위한 제1 전원 배선(VSL)이 배치될 수 있다. 제1 전원 배선(VSL)은 제1 서브 전원 배선(VSL1), 제2 서브 전원 배선(도 10의 VSL2), 및 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함할 수 있다. 제2 서브 전원 배선(도 10의 VSL2)은 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 하부에 배치되므로, 도 7b에서는 제2 서브 전원 배선(도 10의 VSL2)의 도시를 생략하였다.

제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제2 방향(Y축 방향)으로 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제1 비표시 영역(NDA1), 댐 영역(DAMA), 무기 봉지 영역(CVD), 및 뱅크 영역(BNKA)에 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제1 전원 콘택홀(VSCT1)을 통해 제2 서브 전원 배선(VSL2)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 제1 전원 배선(VSL)의 저항은 낮아질 수 있으므로, 표시 영역(DA)에 배치되는 발광부들(도 5c의 EA1, EA2, EA3, EA4)의 위치에 상관없이 보다 균일한 제1 전원 전압을 공급할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)에서는 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면의 경사로 인하여, 제1 서브 전원 배선(VSL1)이 제1 봉지 무기막(TFE1) 및 제2 봉지 무기막(TFE2)에 의해 제대로 덮이지 않을 수 있다. 즉, 무기 봉지 영역(CVD)에서는 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면의 경사로 인하여, 제1 봉지 무기막(TFE1) 및 제2 봉지 무기막(TFE2)에 공극(도 12c의 OP)이 발생할 수 있다. 공극(도 12c의 OP)은 외부의 공기 또는 수분의 투습 통로가 될 수 있다.

복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 일 측으로부터 제1 방향(X축 방향)으로 돌출될 수 있다. 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제2 방향(Y축 방향)으로 배치될 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)은 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함하는 경우, 제1 전원 배선(VSL)의 측면의 길이는 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 둘레의 길이의 합을 포함할 수 있다. 그러므로, 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함하는 경우 제1 전원 배선(VSL)의 측면의 길이는 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함하지 않는 경우보다 길어질 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들로 인하여, 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 길어질 수 있다. 따라서, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 무기 봉지 영역(CVD)에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제1 비표시 영역(NDA1), 댐 영역(DAMA), 및 뱅크 영역(BNKA)에 배치될 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제1 비표시 영역(NDA1), 댐 영역(DAMA), 및 뱅크 영역(BNKA) 중 적어도 어느 한 영역에서 생략될 수도 있다.

복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각은 도 8과 같이 타원의 평면 형태를 가질 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각은 원형 또는 삼각형 및 사각형과 같은 다각형의 평면 형태를 가질 수도 있다.

복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)와 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 길어질수록 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 둘레의 길이는 길어질 수 있다. 최근에는 표시 영역(DA)을 넓히기 위해 비표시 영역(NDA)이 줄어들고 있으며, 이로 인해 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어들고 있다. 하지만, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어든 만큼 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수가 줄어들지만, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a) 및/또는 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 늘리는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 줄어들지 않을 수 있다. 한편, 발명자들에 의한 실험에 따르면, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상인 경우, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있었다.

표 1에는 무기 봉지 영역(CVD)의 폭, 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수, 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)와 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b), 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 둘레, 및 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레가 나타나 있다.

	1	2	3	4	5
무기 봉지 영역(CVD)의 폭	125㎛	88㎛	50㎛	50㎛	25㎛
제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수(n)	5개	3.5개	2개	2개	1개
제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)	25㎛	25㎛	25㎛	63㎛	150㎛
제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)	25㎛	25㎛	25㎛	25㎛	25㎛
제1 투습 방지 패턴(TP1)의 둘레(s)	157㎛	157㎛	157㎛	276.3㎛	549.5㎛
무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레	785㎛	549.5㎛	314㎛	552.6㎛	549.5㎛

표 1에서, 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 둘레는 “π×(a+b)”로 정의되고, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 “s×n”으로 정의될 수 있다.

표 1을 참조하면, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 125㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 25㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 25㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 5개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 785㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 88㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 25㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 25㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 3.5개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 549.5㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 50㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 25㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 25㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 2개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 314㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛보다 작으므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지하기 어렵다. 그러므로, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 50㎛인 경우, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a) 또는 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 늘릴 필요가 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 50㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 63㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 25㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 2개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 552.6㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 25㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 150㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 25㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 1개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 549.5㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

표 1과 같이, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어들더라도, 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수, 및 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)와 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 조정함으로써, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레를 제어할 수 있다. 예를 들어, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어든 만큼 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수가 줄어들지만, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a) 및/또는 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 늘리는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 540㎛ 이상일 수 있다. 그러므로, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다. 따라서, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각은 도 8과 같이 제1 연결 패턴(CP1)에 의해 제1 서브 전원 배선(VSL1)에 연결될 수 있다. 제1 연결 패턴(CP1)은 제1 투습 방지 패턴(TP1)과 제1 서브 전원 배선(VSL1) 사이에 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1), 복수의 제1 연결 패턴(CP1)들, 및 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 일체로 형성될 수 있다.

한편, 도 9에 도시된 뱅크 영역(BNKA)에 배치된 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 도 8에 도시된 무기 봉지 영역(CVD)에 배치된 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들과 실질적으로 동일하므로, 도 9에 도시된 뱅크 영역(BNKA)에 배치된 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들에 대한 설명은 생략한다.

제2 전원 배선(VDL)은 제1 전원 배선(VSL)과 이격되어 배치될 수 있다. 제2 전원 배선(VDL)은 표시 영역(DA)에 제1 전원 전압보다 높은 전위를 갖는 제2 전원 전압을 공급할 수 있다. 제2 전원 배선(VDL)은 제3 서브 전원 배선(VDL1), 제4 서브 전원 배선(VDL2), 및 제5 서브 전원 배선(VDL3), 및 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들을 포함할 수 있다.

제3 서브 전원 배선(VDL1)과 제4 서브 전원 배선(VDL2)은 제2 방향(Y축 방향)으로 배치될 수 있다. 제3 서브 전원 배선(VDL1)은 댐 영역(DAMA), 무기 봉지 영역(CVD), 및 뱅크 영역(BNKA)에 배치될 수 있다. 제4 서브 전원 배선(VDL2)은 제1 비표시 영역(NDA1)과 댐 영역(DAMA)에 배치될 수 있다. 제3 서브 전원 배선(VDL1)은 제2 전원 콘택홀(VDCT1)을 통해 제4 서브 전원 배선(VDL2)에 연결될 수 있다.

제5 서브 전원 배선(VDL3)은 제1 비표시 영역(NDA1)에 배치될 수 있다. 제5 서브 전원 배선(VDL3)은 제3 전원 콘택홀(VDCT2)을 통해 제4 서브 전원 배선(VDL2)에 연결될 수 있다. 이로 인해, 제2 전원 배선(VDL)의 저항은 낮아질 수 있으므로, 표시 영역(DA)에 배치되는 발광부들(도 5c의 EA1, EA2, EA3, EA4)의 위치에 상관없이 보다 균일한 제2 전원 전압을 공급할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)에서는 제3 서브 전원 배선(VDL1)의 측면의 경사로 인하여, 제3 서브 전원 배선(VDL1)이 제1 봉지 무기막(TFE1) 및 제2 봉지 무기막(TFE2)에 의해 제대로 덮이지 않을 수 있다. 즉, 무기 봉지 영역(CVD)에서는 제3 서브 전원 배선(VDL1)의 측면의 경사로 인하여, 제1 봉지 무기막(TFE1) 및 제2 봉지 무기막(TFE2)에 공극이 발생할 수 있다. 공극은 외부의 공기 또는 수분의 투습 통로가 될 수 있다.

복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 제3 전원 배선(VDL1)의 일 측으로부터 제1 방향(X축 방향)으로 돌출될 수 있다. 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 제2 방향(Y축 방향)으로 배치될 수 있다. 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들과 마주보도록 배치될 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)에서 공극은 제3 서브 전원 배선(VDL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP2)는 제3 서브 전원 배선(VDL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 제2 전원 배선(VDL)이 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들을 포함하는 경우, 제2 전원 배선(VDL)의 측면의 길이는 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들의 둘레의 길이의 합을 포함할 수 있다. 그러므로, 제2 전원 배선(VDL)이 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들을 포함하는 경우 제2 전원 배선(VDL)의 측면의 길이는 제2 전원 배선(VDL)이 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들을 포함하지 않는 경우보다 길어질 수 있다. 이에 따라, 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들로 인하여, 공극을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP2)는 길어질 수 있다. 따라서, 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 무기 봉지 영역(CVD)에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 댐 영역(DAMA)과 뱅크 영역(BNKA)에 배치될 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 댐 영역(DAMA), 및 뱅크 영역(BNKA) 중 적어도 어느 한 영역에서 생략될 수도 있다.

도 7b, 도 8, 및 도 9와 같이, 무기 봉지 영역(CVD)에서 제1 전원 배선(VSL)은 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함하고, 제2 전원 배선(VDL)은 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들을 포함한다. 이로 인해, 무기 봉지 영역(CVD)에서 제1 전원 배선(VSL)의 측면을 따라 공극이 형성되더라도, 공극을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 길어질 수 있다. 또한, 무기 봉지 영역(CVD)에서 제2 전원 배선(VDL)의 측면을 따라 공극이 형성되더라도, 공극을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP2)는 길어질 수 있다. 따라서, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들과 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

또한, 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수, 및 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)와 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 조정함으로써, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레를 제어할 수 있다. 예를 들어, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어든 만큼 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수가 줄어들지만, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a) 및/또는 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 늘리는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 540㎛ 이상으로 유지될 수 있다. 그러므로, 표시 영역(DA)의 확장에 따라 비표시 영역(NDA)이 줄어들어 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어들더라도, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다. 따라서, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

도 10은 도 7b의 B-B’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.

도 10을 참조하면, 제1 전원 배선(VSL)은 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 제2 서브 전원 배선(VSL2)을 포함할 수 있다. 댐(DAM)은 제1 서브 댐(DAM1), 제2 서브 댐(DAM2), 제3 서브 댐(DAM3), 및 제4 서브 댐(DAM4)을 포함할 수 있다. 댐(DAM)은 댐 영역(DAMA)에 배치될 수 있다. 도 10에서는 댐 영역(DAMA)에 하나의 댐(DAM)이 배치되는 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 댐 영역(DAMA)에는 복수의 댐(DAM)이 배치될 수 있다. 밸리 구조물(ADAM)은 밸리 구조물(ADAM)과 제1 유기막(160) 사이에 밸리(VAL)를 형성하기 위한 구조물이며, 제1 비표시 영역(NDA1)에 배치될 수 있다. 밸리 구조물(ADAM)은 제1 밸리 구조물(ADAM1)과 제2 밸리 구조물(ADAM2)을 포함할 수 있다. 뱅크(BNK)는 제1 서브 뱅크(BNK1), 제2 서브 뱅크(BNK2), 제3 서브 뱅크(BNK3), 및 제4 서브 뱅크(BNK4)를 포함할 수 있다.

제2 서브 전원 배선(VSL2)은 제2 층간 절연막(142) 상에 배치될 수 있다. 제2 서브 전원 배선(VSL2)은 제1 비표시 영역(NDA1)과 댐 영역(DAMA)에 배치될 수 있다. 제2 서브 전원 배선(VSL2)은 제3 방향(Z축 방향)에서 댐(DAM) 및 밸리 구조물(ADAM)과 중첩할 수 있다. 제2 서브 전원 배선(VSL2)은 제1 애노드 연결 전극(ANDE1)과 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

제2 서브 전원 배선(VSL2) 상에는 제1 서브 댐(DAM1)이 배치될 수 있다. 제1 서브 뱅크(BNK1)는 층간 절연막(142) 상에 배치될 수 있다. 제1 서브 댐(DAM1)과 제1 서브 뱅크(BNK1)는 제1 유기막(160)과 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제1 유기막(160), 제1 서브 댐(DAM1), 및 제1 서브 뱅크(BNK1) 상에 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제1 전원 콘택홀(VSCT)을 통해 제2 서브 전원 배선(VSL2)에 연결될 수 있다. 제1 전원 콘택홀(VSCT)은 댐 영역(DAMA)과 제1 비표시 영역(NDA1)에 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제2 애노드 연결 전극(ANDE2)과 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

제1 서브 전원 배선(VSL1) 상에는 제2 유기막(161), 제2 서브 댐(DAM2), 제1 밸리 구조물(ADAM1), 및 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치될 수 있다. 제2 서브 댐(DAM2), 제1 밸리 구조물(ADAM1), 및 제2 서브 뱅크(BNK2)는 제2 유기막(161)과 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

제2 서브 댐(DAM2)의 두께 및 제2 서브 뱅크(BNK2)의 두께는 제1 밸리 구조물(ADAM1) 및 제2 유기막(161)의 두께보다 작을 수 있다. 제1 밸리 구조물(ADAM1)과 제2 유기막(161)은 연결될 수 있다. 제1 밸리 구조물(ADAM1)과 제2 유기막(161)을 연결하는 연결부의 두께는 제1 밸리 구조물(ADAM1) 및 제2 유기막(161)의 두께보다 작을 수 있다.

제2 서브 댐(DAM2) 상에는 제3 서브 댐(DAM3)이 배치되고, 제1 밸리 구조물(ADAM1) 상에는 제2 밸리 구조물(ADAM2)이 배치되며, 제2 서브 뱅크(BNK2) 상에는 제3 서브 뱅크(BNK3)가 배치될 수 있다. 제3 서브 댐(DAM3), 제2 밸리 구조물(ADAM2), 및 제3 서브 뱅크(BNK3)는 발광부 정의막(180)과 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

제3 서브 댐(DAM3)은 제2 서브 댐(DAM2)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 댐(DAM3)은 제2 서브 댐(DAM2)의 상면과 측면들 상에 배치될 수 있다. 또한, 제2 밸리 구조물(ADAM2)은 제1 밸리 구조물(ADAM1)을 덮을 수 있다. 예를 들어, 제2 밸리 구조물(ADAM2)은 제1 밸리 구조물(ADAM1)의 상면과 측면들 상에 배치될 수 있다. 또한, 제3 서브 뱅크(BNK3)는 제2 서브 뱅크(BNK2)를 덮을 수 있다. 예를 들어, 제3 서브 뱅크(BNK3)는 제2 서브 뱅크(BNK2)의 상면과 측면들 상에 배치될 수 있다.

제3 서브 댐(DAM3) 상에는 제4 서브 댐(DAM4)이 배치되고, 제3 서브 뱅크(BNK3) 상에는 제4 서브 뱅크(BNK4)가 배치될 수 있다. 제4 서브 댐(DAM4)과 제4 서브 뱅크(BNK4)는 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다. 제4 서브 댐(DAM4)과 제4 서브 뱅크(BNK4)는 표시 패널(100)을 제조할 때 마스크를 지지하기 위한 구조물일 수 있다. 제4 서브 댐(DAM4)과 제4 서브 뱅크(BNK4)로 인해, 마스크는 처짐 없이 안정적으로 지지될 수 있다. 제4 서브 댐(DAM4)은 생략될 수 있다.

제1 봉지 무기막(TFE1)은 제1 비표시 영역(NDA1), 댐 영역(DAMA), 무기 봉지 영역(CVD), 및 뱅크 영역(BNKA)에 배치될 수 있다. 제1 봉지 무기막(TFE1)은 발광부 정의막(180), 밸리 구조물(ADAM), 댐(DAM), 제1 서브 전원 배선(VSL1), 및 뱅크(BNK) 상에 배치될 수 있다. 봉지 유기막(TFE2)은 제1 비표시 영역(NDA1)과 댐 영역(DAMA)에 배치될 수 있다. 봉지 유기막(TFE2)은 댐(DAM)과 밸리 구조물(ADAM)을 넘지 못하므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서는 제1 봉지 무기막(TFE1)과 제2 봉지 무기막(TFE3)이 서로 접촉할 수 있다. 이로 인해, 무기 봉지 영역(CVD)에서 무기 봉지 구조가 형성될 수 있다. 제2 봉지 무기막(TFE3)은 제1 비표시 영역(NDA1), 댐 영역(DAMA), 무기 봉지 영역(CVD), 및 뱅크 영역(BNKA)에 배치될 수 있다.

도 11은 도 7b의 C-C’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.

도 11을 참조하면, 제2 전원 배선(VDL)은 제3 서브 전원 배선(VDL1), 제4 서브 전원 배선(VDL2), 및 제5 서브 전원 배선(VDL3)을 포함할 수 있다.

제4 서브 전원 배선(VDL2)은 제2 층간 절연막(142) 상에 배치될 수 있다. 제4 서브 전원 배선(VDL2)은 제1 비표시 영역(NDA1)과 댐 영역(DAMA)에 배치될 수 있다. 제4 서브 전원 배선(VDL2)은 제3 방향(Z축 방향)에서 댐(DAM) 및 밸리 구조물(ADAM)과 중첩할 수 있다. 제4 서브 전원 배선(VDL2)은 제2 서브 전원 배선(VSL2)과 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

제3 서브 전원 배선(VDL1)은 제1 서브 댐(DAM1) 및 제1 서브 뱅크(BNK1) 상에 배치될 수 있다. 제3 서브 전원 배선(VDL1)은 제2 전원 콘택홀(VDCT1)을 통해 제4 서브 전원 배선(VDL2)에 연결될 수 있다. 제2 전원 콘택홀(VDCT1)은 댐 영역(DAMA)에 배치될 수 있다.

제5 서브 전원 배선(VDL3)은 제1 서브 댐(DAM1) 및 제1 유기막(160) 상에 배치될 수 있다. 제5 서브 전원 배선(VDL3)은 제3 전원 콘택홀(VDCT2)을 통해 제4 서브 전원 배선(VDL2)에 연결될 수 있다. 제3 전원 콘택홀(VDCT2)은 제1 비표시 영역(NDA1)에 배치될 수 있다.

제3 서브 전원 배선(VDL1)과 제5 서브 전원 배선(VDL3)은 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

제3 서브 전원 배선(VDL1) 상에는 제2 서브 댐(DAM2)과 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치될 수 있다. 제5 서브 전원 배선(VDL3) 상에는 제1 밸리 구조물(ADAM1)과 제2 유기막(161)이 배치될 수 있다.

그 외에, 댐(DAM), 밸리 구조물(ADAM), 뱅크(BNK), 및 봉지층(TFEL)에 대한 설명은 도 11을 결부하여 설명한 바와 실질적으로 동일하므로, 이들에 대한 설명은 생략한다.

도 12a는 도 7b의 G-G’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.

도 12a를 참조하면, 뱅크 영역(BNKA)의 일부 영역에서 제3 서브 뱅크(BNK3)는 생략될 수 있다. 예를 들어, 뱅크 영역(BNKA)에서 제1 전원 배선(VSL)의 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제3 서브 뱅크(BNK3)와 중첩하는 반면에, 제2 전원 배선(VDL)의 제3 서브 전원 배선(VDL1)은 제3 서브 뱅크(BNK3)와 중첩하지 않을 수 있다. 제3 서브 뱅크(BNK3)가 생략되는 경우, 제2 봉지 무기막(TFE3) 상에 배치되는 터치 배선(도 10 및 도 11의 TL)들이 벤딩 영역(BA)에 배치되는 터치 벤딩 배선들(미도시)에 연결되기 위한 콘택홀의 높이가 낮아질 수 있다. 그러므로, 터치 배선(도 10 및 도 11의 TL)들과 터치 벤딩 배선들(미도시)을 연결하기 위한 콘택홀의 형성이 보다 용이할 수 있다.

도 12b는 도 8의 D-D’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 12c는 도 12b의 H 영역의 확대도이다.

도 12b 및 도 12c를 참조하면, 무기 봉지 영역(CVD)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제2 층간 절연막(142) 상에 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

한편, 도 12c와 같이, 무기 봉지 영역(CVD)에는 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 제1 봉지 무기막(TFE1) 사이에 유기막이 배치되지 않는다. 제1 봉지 무기막(TFE1)과 제2 봉지 무기막(TFE2)의 스텝 커버리지(step coverage)가 좋지 않기 때문에, 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면의 경사가 큰 경우, 제1 서브 전원 배선(VSL1)이 제1 봉지 무기막(TFE1) 및 제2 봉지 무기막(TFE2)에 의해 제대로 덮이지 않을 수 있다. 즉, 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면의 경사로 인하여, 제1 봉지 무기막(TFE1) 및 제2 봉지 무기막(TFE2)에 공극(OP)이 발생할 수 있다. 스텝 커버리지는 소정의 증착 방법에 의해 형성된 막이 단차가 형성된 부분에서 끊어지지 않고 이어지도록 형성되는 것을 가리킨다.

이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(OP)은 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함하는 경우, 제1 전원 배선(VSL)의 측면의 길이는 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 둘레의 길이의 합을 포함할 수 있다. 그러므로, 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함하는 경우 제1 전원 배선(VSL)의 측면의 길이는 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들을 포함하지 않는 경우보다 길어질 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들로 인하여, 공극(OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 길어질 수 있다. 따라서, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

도 13은 도 9의 E-E’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.

도 13을 참조하면, 뱅크 영역(BNKA)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 유기막인 제1 서브 뱅크(BNK1) 상에 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 동일한 물질로 형성되며, 동일한 층에 배치될 수 있다.

한편, 제1 비표시 영역(NDA1)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 유기막인 제1 유기막(160) 상에 배치되는 것에서 뱅크 영역(BNKA)과 차이가 있을 뿐이므로, 이에 대한 설명은 생략한다.

도 14는 도 9의 E-E’를 따라 절단한 표시 패널의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.

도 14의 실시예는 뱅크 영역(BNKA)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1) 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치되나, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치되지 않는 것에서 도 13의 실시예와 차이가 있다.

도 14를 참조하면, 뱅크 영역(BNKA)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제1 서브 뱅크(BNK1) 상에 배치되고, 제1 서브 전원 배선(VSL1) 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치될 수 있다. 이에 비해, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제2 층간 절연막(142) 상에 배치되고, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치되지 않을 수 있다. 즉, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 뱅크(BNK)와 중첩하지 않을 수 있다. 이로 인해, 무기 봉지 영역(CVD)의 공극(OP)이 투습 경로가 되는 유기막인 제2 서브 뱅크(BNK2)와 연결되지 않으므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습이 더욱 지연되거나 방지될 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 뱅크(BNK)가 제거된 영역은 삼각형 및 사각형과 같은 다각형, 원형, 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다.

도 15는 도 9의 E-E’를 따라 절단한 표시 패널의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.

도 15의 실시예는 뱅크 영역(BNKA)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1) 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치되나, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치되지 않는 것에서 도 13의 실시예와 차이가 있다.

도 15를 참조하면, 뱅크 영역(BNKA)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1)과 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제1 서브 뱅크(BNK1) 상에 배치될 수 있다. 이때, 뱅크 영역(BNKA)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1) 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치되나, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 상에는 제2 서브 뱅크(BNK2)가 배치되지 않을 수 있다. 즉, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들은 제2 서브 뱅크(BNK2), 제3 서브 뱅크(BNK3), 및 제4 서브 뱅크(BNK4)와 중첩하지 않을 수 있다. 이로 인해, 무기 봉지 영역(CVD)의 공극(OP)이 투습 경로가 되는 유기막인 제2 서브 뱅크(BNK2)와 연결되지 않으므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습이 더욱 지연되거나 방지될 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 제2 서브 뱅크(BNK2), 제3 서브 뱅크(BNK3), 및 제4 서브 뱅크(BNK4)가 제거된 영역은 삼각형 및 사각형과 같은 다각형, 원형, 또는 타원형의 평면 형태를 가질 수 있다.

도 16은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.

도 16의 실시예는 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들과 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들이 삼각형의 평면 형태를 갖는 것에서 도 7b의 실시예와 차이가 있을 뿐이므로, 도 16에 대한 설명은 생략한다.

도 17은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.

도 17의 실시예는 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들과 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들이 사각형의 평면 형태를 갖는 것에서 도 7b의 실시예와 차이가 있을 뿐이므로, 도 17에 대한 설명은 생략한다.

한편, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들과 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 도 8에서 타원의 평면 형태를 갖는 것을 예시하였고, 도 16에서 삼각형의 평면 형태를 갖는 것을 예시하였으며, 도 17에서 사각형의 평면 형태를 갖는 것을 예시하였으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 즉, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들과 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들은 삼각형과 사각형 이외의 다른 다각형, 원형, 또는 비정형의 평면 형태를 가질 수도 있다.

도 18은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다. 도 19는 도 18의 뱅크 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다.

도 18 및 도 19의 실시예는 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기가 뱅크 영역(BNKA)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기와 상이한 것에서 도 7b 및 도 9의 실시예와 차이가 있다. 도 18 및 도 19에서는 도 7b 및 도 9의 실시예와 차이점 위주로 설명한다.

도 18 및 도 19를 참조하면, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기는 뱅크 영역(BNKA)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기보다 클 수 있다. 예를 들어, 도 8과 같이 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)는 도 19와 같이 뱅크 영역(BNKA)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(c)보다 길 수 있다. 또한, 도 8과 같이 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)는 도 19와 같이 뱅크 영역(BNKA)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 제2 방향(Y축 방향)의 길이(d)보다 길 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기는 뱅크 영역(BNKA)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기와 상이하므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 단위 면적당 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 길이는 뱅크 영역(BNKA)에서 단위 면적당 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들의 길이와 상이할 수 있다. 또한, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기는 제1 비표시 영역(NDA1)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기와 상이하므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 단위 면적당 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 길이는 제1 비표시 영역(NDA1)에서 단위 면적당 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들의 길이와 상이할 수 있다. 단위 면적은 사전에 미리 결정되는 소정의 면적일 수 있으며, 예를 들어 제1 방향(X축 방향)에서 x㎛, 제2 방향(Y축 방향)에서 y㎛에 해당하는 면적일 수 있다.

표시 영역(DA)의 확장에 따라 비표시 영역(NDA)이 줄어들어 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어드는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 크기를 늘림으로써, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)는 540㎛ 이상일 수 있다. 즉, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기는 무기 봉지 영역(CVD)의 폭에 따라 달라지지만, 뱅크 영역(BNKA)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기는 그렇지 않아도 무방하다. 그러므로, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기는 뱅크 영역(BNKA)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기보다 클 수 있다.

또한, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들 각각의 크기는 댐 영역(DAMA)과 비표시 영역(NDA1)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기보다 클 수 있다. 이때, 댐 영역(DAMA)과 비표시 영역(NDA1)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기는 뱅크 영역(BNKA)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기와 실질적으로 동일할 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다.

나아가, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들 각각의 크기는 뱅크 영역(BNKA)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2”)들 각각의 크기보다 클 수 있다. 또한, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들 각각의 크기는 댐 영역(DAMA)과 비표시 영역(NDA1)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2”)들 각각의 크기보다 클 수 있다. 이때, 댐 영역(DAMA)과 비표시 영역(NDA1)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP1”)들 각각의 크기는 뱅크 영역(BNKA)에서 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2”)들 각각의 크기와 실질적으로 동일할 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다.

이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들 각각의 크기는 뱅크 영역(BNKA)의 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP2”)들 각각의 크기와 상이하므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 단위 면적당 제2 투습 방지 패턴(TP2)들의 길이는 뱅크 영역(BNKA)에서 단위 면적당 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2”)들의 길이와 상이할 수 있다. 또한, 무기 봉지 영역(CVD)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2)들 각각의 크기는 제1 비표시 영역(NDA1)의 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2”)들 각각의 크기와 상이하므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 단위 면적당 제2 투습 방지 패턴(TP2)들의 길이는 제1 비표시 영역(NDA1)에서 단위 면적당 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2”)들의 길이와 상이할 수 있다. 단위 면적은 사전에 미리 결정되는 소정의 면적일 수 있으며, 예를 들어 제1 방향(X축 방향)에서 x㎛, 제2 방향(Y축 방향)에서 y㎛에 해당하는 면적일 수 있다.

도 20은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다. 도 21은 도 20의 무기 봉지 영역의 제1 전원 배선을 보여주는 레이아웃 도이다.

도 20 및 도 21의 실시예는 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들 각각이 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 일 측으로부터 만입된 것에서 도 7b 및 도 8의 실시예와 차이가 있다. 도 20 및 도 21에서는 도 7b 및 도 8의 실시예와 차이점 위주로 설명한다.

도 20 및 도 21을 참조하면, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들 각각은 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 일 측으로부터 제1 방향(X축 방향)으로 만입된 홈과 같은 형태를 가질 수 있다. 상기 홈은 사각형의 평면 형태를 가질 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 상기 홈은 사각형 이외에 삼각형과 같은 다른 다각형, 원 또는 타원의 평면 형태를 가질 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)은 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP3)는 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 측면을 따라 형성될 수 있다. 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들을 포함하는 경우, 제1 전원 배선(VSL)의 측면의 길이는 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들의 둘레의 길이의 합을 포함할 수 있다. 그러므로, 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들을 포함하는 경우 제1 전원 배선(VSL)의 측면의 길이는 제1 전원 배선(VSL)이 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들을 포함하지 않는 경우보다 길어질 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들로 인하여, 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP3)는 길어질 수 있다. 따라서, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다. 그러므로, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(e)는 제2 방향(Y축 방향)의 길이(f)보다 길 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(e)와 제2 방향(Y축 방향)의 길이(f)가 길어질수록 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들 각각의 둘레의 길이는 길어질 수 있다. 최근에는 표시 영역(DA)을 넓히기 위해 비표시 영역(NDA)이 줄어들고 있으며, 이로 인해 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어들고 있다. 하지만, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어든 만큼 제1 투습 방지 패턴(TP1’)의 개수가 줄어들지만, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(e) 및/또는 제2 방향(Y축 방향)의 길이(f)를 늘리는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP3)는 줄어들지 않을 수 있다. 한편, 발명자들에 의한 실험에 따르면, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상인 경우, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있었다.

표 2에는 무기 봉지 영역(CVD)의 폭, 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수, 제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)와 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b), 및 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레가 나타나 있다.

	1	2	3	4
무기 봉지 영역(CVD)의 폭	50㎛	25㎛	50㎛	25㎛
제1 투습 방지 패턴(TP1)의 개수(n)	2개	2개	2개	2개
제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)	125㎛	132㎛	135㎛	137㎛
제1 투습 방지 패턴(TP1)의 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)	20㎛	10㎛	10㎛	5㎛
무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레	540㎛	548㎛	560㎛	558㎛

표 2에서, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 “2(a+b)×n”으로 정의될 수 있다.

표 2를 참조하면, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 50㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 125㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 20㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 2개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 540㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 25㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 132㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 10㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 2개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 548㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 50㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 135㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 10㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 2개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 560㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 25㎛이며, 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)가 137㎛이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)가 5㎛인 제1 투습 방지 패턴(TP1)이 2개 배치되는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1)들의 총 둘레는 대략 558㎛일 수 있다. 이 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP1)가 540㎛ 이상이므로, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다.

표 2와 같이, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어들더라도, 제1 투습 방지 패턴(TP1’)의 개수, 및 제1 투습 방지 패턴(TP1’)의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a)와 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 조정함으로써, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들의 총 둘레를 제어할 수 있다. 예를 들어, 무기 봉지 영역(CVD)의 폭이 줄어든 만큼 제1 투습 방지 패턴(TP1’)의 개수가 줄어들지만, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(a) 및/또는 제2 방향(Y축 방향)의 길이(b)를 늘리는 경우, 무기 봉지 영역(CVD)에서 공극(도 12c의 OP)을 통한 외부의 공기 또는 수분의 투습 경로(MP3)는 540㎛ 이상일 수 있다. 그러므로, 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들로 인하여, 외부의 공기 또는 수분의 투습을 지연하거나 방지할 수 있다. 따라서, 무기 봉지 영역의 폭이 줄어들더라도, 무기 봉지 영역에 인접한 발광부들의 유기 발광 소자들이 공기 또는 수분에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.

나아가, 무기 봉지 영역(CVD)에서 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2’)들 각각은 제3 서브 전원 배선(VDL1)의 일 측으로부터 제1 방향(X축 방향)으로 만입된 홈과 같은 형태를 가질 수 있다. 상기 홈은 사각형의 평면 형태를 가질 수 있으나, 본 명세서의 실시예는 이에 한정되지 않는다. 상기 홈은 사각형 이외에 삼각형과 같은 다른 다각형, 원 또는 타원의 평면 형태를 가질 수 있다. 그 외에, 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2’)은 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들과 실질적으로 동일하므로, 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2’)에 대한 설명은 생략한다.

도 22는 도 21의 F-F’를 따라 절단한 표시 패널의 일 예를 보여주는 단면도이다.

도 22를 참조하면, 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제1 서브 뱅크(BNK1) 상에 배치될 수 있다. 제1 서브 전원 배선(VSL1)은 제1 투습 방지 패턴(TP1’)에 의해 제1 투습 방지 패턴(TP1’)의 제2 방향(Y축 방향)의 길이(f)만큼 이격될 수 있다.

도 23은 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.

도 23의 실시예는 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들과 복수의 제2 투습 방지 패턴(TP2’)들에 의해 형성되는 홈이 삼각형의 평면 형태를 갖는 것에서 도 20의 실시예와 차이가 있을 뿐이므로, 도 23에 대한 설명은 생략한다.

도 24는 또 다른 실시예에 따른 댐 영역, 무기 봉지 영역, 및 뱅크 영역을 상세히 보여주는 레이아웃 도이다.

도 24의 실시예는 무기 봉지 영역(CVD)에서 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 일 측으로부터 만입된 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP1’)들뿐만 아니라, 복수의 제1 서브 전원 배선(VSL1)의 일 측으로부터 돌출된 복수의 제1 투습 방지 패턴(TP)들이 배치되는 것에서 도 7b의 실시예와 차이가 있을 뿐이므로, 도 24에 대한 설명은 생략한다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

10: 표시 장치 100: 표시 패널
200: 표시 구동 회로 300: 회로 보드

Claims

표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 표시 영역 상에 배치되는 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극;
상기 공통 전극 상에 배치되는 제1 봉지 무기막;
상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막;
상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막;
상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되는 댐;
상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되며, 상기 댐보다 외곽에 배치되는 뱅크;
상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐과 상기 뱅크 사이에 배치되며, 상기 제1 봉지 무기막과 상기 제2 봉지 무기막이 접촉하는 무기 봉지 영역; 및
상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐이 배치되는 댐 영역, 상기 뱅크가 배치되는 뱅크 영역, 및 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제1 전원 배선을 구비하고,
상기 제1 전원 배선은,
제1 서브 전원 배선; 및
상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출되며, 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들을 포함하고,
상기 무기 봉지 영역에서 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이는 상기 뱅크 영역에서 상기 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이와 상이한 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 원, 타원, 또는 다각형의 평면 형태를 갖는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 무기 봉지 영역에 배치되는 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 둘레의 총 길이는 540㎛ 이상인 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 일 방향으로 연장되며,
상기 복수의 투습 방지 패턴들 각각의 상기 일 방향의 길이는 상기 일 방향과 교차하는 타 방향의 길이와 동일한 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 일 방향으로 연장되며,
상기 복수의 투습 방지 패턴들 각각의 상기 일 방향의 길이는 상기 일 방향과 교차하는 타 방향의 길이보다 작은 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 뱅크 영역에 배치되는 표시 장치.
제6 항에 있어서,
상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기는 상기 뱅크 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기와 다른 표시 장치.
제7 항에 있어서,
상기 뱅크는,
상기 기판 상에 배치되는 제1 뱅크;
상기 제1 뱅크 상에 배치되는 제2 뱅크;
상기 제2 뱅크 상에 배치되는 제3 뱅크; 및
상기 제3 뱅크 상에 배치되는 제4 뱅크를 포함하는 표시 장치.
제8 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제1 뱅크 상에 배치되는 표시 장치.
제8 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제2 뱅크, 상기 제3 뱅크, 및 상기 제4 뱅크와 중첩하지 않는 표시 장치.
제8 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제1 뱅크, 상기 제2 뱅크, 상기 제3 뱅크, 및 상기 제4 뱅크와 중첩하지 않는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 댐 영역에 배치되는 표시 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 댐과 상기 표시 영역 사이의 제1 비표시 영역에 배치되는 표시 장치.
제13 항에 있어서,
상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기는 상기 제1 비표시 영역에 배치되는 복수의 투습 방지 패턴들 중 어느 하나의 크기와 다른 표시 장치.
제13 항에 있어서,
상기 무기 봉지 영역에서 상기 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이는 상기 제1 비표시 영역에서 상기 단위 면적당 상기 복수의 투습 방지 패턴들의 길이와 상이한 표시 장치.
제13 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 상기 제1 비표시 영역에서 제1 전원 콘택홀을 통해 상기 제1 서브 전원 배선에 연결되는 제2 서브 전원 배선을 더 포함하는 표시 장치.
제15 항에 있어서,
상기 제1 전원 콘택홀은 상기 댐 영역에 배치되는 표시 장치.
표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 표시 영역 상에 배치되는 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극;
상기 공통 전극 상에 배치되는 제1 봉지 무기막;
상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막;
상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막;
상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되는 댐;
상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되며, 상기 댐보다 외곽에 배치되는 뱅크;
상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐과 상기 뱅크 사이에 배치되며, 상기 제1 봉지 무기막과 상기 제2 봉지 무기막이 접촉하는 무기 봉지 영역; 및
상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐이 배치되는 댐 영역, 상기 뱅크가 배치되는 뱅크 영역, 및 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제1 전원 배선을 구비하고,
상기 제1 전원 배선은,
제1 서브 전원 배선; 및
상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 만입되며, 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 제1 투습 방지 패턴들을 포함하는 표시 장치.
제18 항에 있어서,
상기 무기 봉지 영역에 배치되는 상기 복수의 제1 투습 방지 패턴의 둘레의 총 길이는 540㎛ 이상인 표시 장치.
제18 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 일 방향으로 연장되며,
상기 복수의 제1 투습 방지 패턴들 각각의 상기 일 방향의 길이는 상기 일 방향과 교차하는 타 방향의 길이보다 작은 표시 장치.
제18 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출되며, 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 복수의 제2 투습 방지 패턴들을 포함하는 표시 장치.
표시 영역과 비표시 영역을 포함하는 기판;
상기 기판의 표시 영역 상에 배치되는 화소 전극;
상기 화소 전극 상에 배치되는 유기 발광층;
상기 유기 발광층 상에 배치되는 공통 전극;
상기 공통 전극 상에 배치되는 제1 봉지 무기막;
상기 제1 봉지 무기막 상에 배치되는 봉지 유기막;
상기 봉지 유기막 상에 배치되는 제2 봉지 무기막;
상기 기판의 비표시 영역 상에 배치되는 댐;
상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐의 바깥쪽에 배치되며, 상기 제1 봉지 무기막과 상기 제2 봉지 무기막이 접촉하는 무기 봉지 영역; 및
상기 기판의 비표시 영역에서 상기 댐이 배치되는 댐 영역, 상기 표시 영역과 상기 댐 영역 사이에 배치되는 제1 비표시 영역, 및 상기 무기 봉지 영역에 배치되며, 복수의 투습 방지 패턴들을 포함하는 제1 전원 배선을 구비하고,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 제1 비표시 영역에 배치되는 제1 투습 방지 패턴과 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제2 투습 방지 패턴을 포함하며,
상기 제1 투습 방지 패턴의 평면 형태는 상기 제2 투습 방지 패턴의 평면 형태와 다른 표시 장치.
제22 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선을 더 포함하고,
상기 제2 투습 방지 패턴은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 만입되는 표시 장치.
제22 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선을 더 포함하고,
상기 제1 투습 방지 패턴은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출되는 표시 장치.
제22 항에 있어서,
상기 복수의 투습 방지 패턴들은 상기 무기 봉지 영역에 배치되는 제3 투습 방지 패턴을 더 포함하며,
상기 제3 투습 방지 패턴의 평면 형태는 상기 제2 투습 방지 패턴의 평면 형태와 다른 표시 장치.
제25 항에 있어서,
상기 제3 투습 방지 패턴의 평면 형태는 상기 제1 투습 방지 패턴의 평면 형태와 동일한 표시 장치.
제25 항에 있어서,
상기 제1 전원 배선은 제1 서브 전원 배선을 더 포함하고,
상기 제3 투습 방지 패턴은 상기 제1 서브 전원 배선의 일 측으로부터 돌출되는 표시 장치.