CN114551516A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 253
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 224
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 77
- 241000283014 Dama Species 0.000 description 38
- JNSGIVNNHKGGRU-JYRVWZFOSA-N diethoxyphosphinothioyl (2z)-2-(2-amino-1,3-thiazol-4-yl)-2-methoxyiminoacetate Chemical compound CCOP(=S)(OCC)OC(=O)C(=N/OC)\C1=CSC(N)=N1 JNSGIVNNHKGGRU-JYRVWZFOSA-N 0.000 description 38
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 37
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 33
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 31
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 21
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 20
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 101150049521 NDA1 gene Proteins 0.000 description 19
- 101100290413 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) mcm2 gene Proteins 0.000 description 19
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 19
- 102000001133 Fertilins Human genes 0.000 description 14
- 108010069446 Fertilins Proteins 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 101000837845 Homo sapiens Transcription factor E3 Proteins 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 102100028507 Transcription factor E3 Human genes 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 102000029791 ADAM Human genes 0.000 description 8
- 108091022885 ADAM Proteins 0.000 description 8
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N Adamantane Natural products C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 7
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 101000642431 Homo sapiens Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Proteins 0.000 description 5
- 102100036347 Pre-mRNA-splicing factor SPF27 Human genes 0.000 description 5
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 101150104968 NDA2 gene Proteins 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000780280 Rattus norvegicus Disintegrin and metalloproteinase domain-containing protein 1 Proteins 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- QLSCNQCATINUIJ-UHFFFAOYSA-N 3-(9,10-dimethoxy-2-oxo-1,3,4,6,7,11b-hexahydrobenzo[a]quinolizin-3-yl)propanenitrile Chemical compound C1CN2CC(CCC#N)C(=O)CC2C2=C1C=C(OC)C(OC)=C2 QLSCNQCATINUIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 101100229953 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SCT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100194362 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) res1 gene Proteins 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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Abstract
提供了一种显示装置,所述显示装置包括具有显示区域和非显示区域的基底、像素电极、有机发射层、共电极、第一无机封装层、有机封装层、第二无机封装层、坝、设置为比坝靠近基底的外围边缘的堤、无机封装区域以及第一电压供应线,其中,第一无机封装层在无机封装区域中接触第二无机封装层,第一电压供应线在设置有坝的坝区域中、设置有堤的堤区域中以及无机封装区域中。第一电压供应线包括多个防潮图案,多个防潮图案从第一子电压供应线的一侧突出并且在无机封装区域中具有分别不同于堤区域中的多个防潮图案的长度和宽度中的至少一者的长度和宽度中的至少一者。
Description
技术领域
发明的实施例总体上涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息化社会的发展,针对显示装置的各种需求正不断增大。例如,各种电子装置(诸如智能电话、数码相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视)正采用显示装置。
显示装置可以包括诸如液晶显示装置、场发射显示装置和发光显示装置的平板显示装置。发光显示装置包括包含有机发光元件的有机发光显示装置、包含诸如无机半导体的无机发光元件的无机发光显示装置以及包含超小型发光元件的微型发光显示装置。
近来,为了增大其中布置有用于显示图像的发射区域的显示区域,已经减小了边框区域或除了显示区域之外的非显示区域。对于包括有机发光元件的有机发光显示装置,用于封装发射区域的有机发光元件的无机封装区域可以设置在非显示区域中。然而,随着边框区域或非显示区域减小,无机封装区域的宽度可以减小。因此,当在无机封装区域中产生气隙时,空气或湿气沿着其渗透的路径变得较短,因此与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件更可能被空气或湿气损坏。一旦发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏,它们可能看起来像显示区域中的黑点(black spot,也被称为暗斑)。
在该背景技术部分中公开的上面的信息仅用于理解发明构思的背景技术,因此,它可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
根据发明的实施方式/实施例构造的装置能够降低由于空气或湿气对设置在具有尺寸减小的非显示区域的显示装置上的发光元件造成损坏的可能性。
即使无机封装区域的宽度减小,根据发明的一个或更多个实施例构造的显示装置也能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。
发明构思的附加特征将在以下描述中阐述,并且部分地将通过描述而明显,或者可以通过发明构思的实践而获知。
根据实施例的显示装置包括:基底,具有显示区域和非显示区域;像素电极,设置在基底的显示区域中;有机发射层,设置在像素电极上;共电极,设置在有机发射层上;第一无机封装层,设置在共电极上;有机封装层,设置在第一无机封装层上;第二无机封装层,设置在有机封装层上;坝,设置在基底的非显示区域中;堤,设置在基底的非显示区域中并且设置为比坝靠近基底的外围边缘;无机封装区域,在基底的非显示区域中位于坝与堤之间,其中,第一无机封装层在无机封装区域中与第二无机封装层接触;以及第一电压供应线,在基底的非显示区域中设置在设置有坝的坝区域中、设置有堤的堤区域中以及无机封装区域中。第一电压供应线包括:第一子电压供应线;以及多个防潮图案,从第一子电压供应线的一侧突出并设置在无机封装区域中。无机封装区域中的多个防潮图案的长度和/或宽度分别不同于堤区域中的多个防潮图案的长度和/或宽度。
根据实施例的显示装置包括:基底,具有显示区域和非显示区域;像素电极,设置在基底的显示区域中;有机发射层,设置在像素电极上;共电极,设置在有机发射层上;第一无机封装层,设置在共电极上;有机封装层,设置在第一无机封装层上;第二无机封装层,设置在有机封装层上;坝,设置在基底的非显示区域中;堤,设置在基底的非显示区域中并且设置为比坝靠近基底的外围边缘;无机封装区域,在基底的非显示区域中位于坝与堤之间,其中,第一无机封装层在无机封装区域中与第二无机封装层接触;以及第一电压供应线,在基底的非显示区域中设置在设置有坝的坝区域中、设置有堤的堤区域中以及无机封装区域中。第一电压供应线包括:第一子电压供应线;以及多个第一防潮图案,从第一子电压供应线的一侧凹入并设置在无机封装区域中。
根据实施例的显示装置包括:基底,包括显示区域和非显示区域;像素电极,设置在基底的显示区域中;有机发射层,设置在像素电极上;共电极,设置在有机发射层上;第一无机封装层,设置在共电极上;有机封装层,设置在第一无机封装层上;第二无机封装层,设置在有机封装层上;坝,设置在基底的非显示区域中;无机封装区域,在非显示区域中设置在坝的外侧上,其中,第一无机封装层在无机封装区域中与第二无机封装层接触;以及第一电压供应线,在基底的非显示区域中设置在设置有坝的坝区域中、在显示区域与坝区域之间的第一非显示区域中以及无机封装区域中,并且包括多个防潮图案。多个防潮图案包括设置在第一非显示区域中的第一防潮图案和设置在无机封装区域中的第二防潮图案。当从显示装置上方观看时,第一防潮图案的形状不同于第二防潮图案的形状。
将理解的是,前面的一般性描述和以下的详细描述都是说明性的和解释性的,并且旨在提供对如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
附图被包括以提供发明的进一步理解,并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分,附图示出了发明的实施例,并且与描述一起用于解释发明构思。
图1是根据发明的原理构造的根据实施例的显示装置的透视图。
图2和图3是示出根据实施例的显示装置的平面图。
图4是示出根据实施例的显示装置的侧视图。
图5A是示出根据实施例的在显示面板的显示区域中的像素的电路图。
图5B是示出根据又一实施例的在显示面板的显示区域中的像素的电路图。
图5C是示出根据实施例的显示面板的显示区域的布局图。
图6是示出沿着图5C的线A-A'截取的显示面板的示例的剖视图。
图7A是示出根据实施例的显示面板的非显示区域的布局图。
图7B是详细示出根据实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
图8是示出在图7B的无机封装区域中的第一电压供应线的布局图。
图9是示出在图7B的堤区域中的第一电压供应线的布局图。
图10是示出沿着图7B的线B-B'截取的显示面板的示例的剖视图。
图11是示出沿着图7B的线C-C'截取的显示面板的示例的剖视图。
图12A是示出沿着图7B的线E-E'截取的显示面板的示例的剖视图。
图12B是示出沿着图8的线D-D'截取的显示面板的示例的剖视图。
图12C是图12B的区域H的放大图。
图13是示出沿着图9的线G-G'截取的显示面板的示例的剖视图。
图14是示出沿着图9的线G-G'截取的显示面板的另一示例的剖视图。
图15是示出沿着图9的线G-G'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图16是详细示出根据另一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
图17是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
图18是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
图19是示出在图18的无机封装区域中的第一电压供应线的布局图。
图20是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
图21是示出在图20的无机封装区域中的第一电压供应线的布局图。
图22是示出沿着图21的线F-F'截取的显示面板的示例的剖视图。
图23是详细示出坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
图24是详细示出坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
具体实施方式
在以下描述中,出于解释的目的,阐述了许多特定细节以提供发明的各种实施例或实现方式的透彻理解。如在此所使用的“实施例”和“实现方式”是可互换的词语,其是采用在此公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例。然而,明显的是,可以在没有这些特定细节或具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其它实例中,以框图形式示出了公知的结构和装置,以避免使各种实施例不必要地模糊。此外,各种实施例可以是不同的,但不必是排它性的。例如,在不脱离发明构思的情况下,可以在另一实施例中使用或实现实施例的特定形状、构造和特性。
除非另外说明,否则所示出的实施例将被理解为提供发明构思可以以其在实践中实现的一些方式的变化细节的说明性特征。因此,除非另外说明,否则在不脱离发明构思的情况下,各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中,单独或统称为“元件”)可以另外结合、分离、互换和/或重新布置。
附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供以阐明相邻元件之间的边界。如此,除非说明,否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或指示对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏好或需求。此外,在附图中,为了清楚和/或描述性的目的,可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时,可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如,可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外,同样的附图标记表示同样的元件。
当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、连接到或结合到所述另一元件或层,或者可以存在居间元件或层。然而,当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时,不存在居间元件或层。为此,术语“连接”可以指具有或不具有居间元件的物理连接、电连接和/或流体连接。出于本公开的目的,“X、Y和Z中的至少一个(种/者)”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个(种/者)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z,或者X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合,诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例。如在此所使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件,但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不脱离公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。
诸如“在……之下”、“在……下方”、“在……下面”、“下”、“在……上方”、“上”、“在……之上”、“较高”、“侧”(例如,如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在此用于描述性目的,并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一(另一些)元件的关系。除了附图中描绘的方位之外,空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的不同的方位。例如,如果附图中的设备被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此,说明性术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两种方位。此外,设备可以另外定向(例如,旋转90度或在其它方位处),并且如此,在此所使用的空间相对描述语被相应地解释。如在此所使用的“在平面图中”意味着如从正交于基底的平面的位置观看。
在此所使用的术语是为了描述具体实施例的目的,而不旨在成为限制。如在此所使用的,除非上下文另外清楚地指示,否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外,术语“包含”及其变型、“包括”和/或其变型当用在本说明书中时,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。还注意的是,如在此所使用的,术语“基本上”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语,并且如此用于解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
在此参照作为理想化实施例和/或中间结构的示意图的剖面和/或分解图描述了各种实施例。如此,将预期由例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此,在此公开的实施例不应该被必须地解释为限于区域的具体示出形状,而是将包括由例如制造引起的形状的偏差。以这种方式,附图中所示的区域本质上可以是示意性的,并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状,并且如此不必旨在成为限制。
除非另外定义,否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不应该以理想化或过于形式化的意义来解释,除非在此明确地如此定义。
图1是根据发明的原理构造的根据实施例的显示装置的透视图。
参照图1,显示装置10用于显示运动图像或静止图像。显示装置10可以用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(平板PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超移动PC(UMPC)的便携式电子装置的显示屏幕以及诸如电视、笔记本、监视器、广告牌和物联网(IoT)的各种产品的显示屏幕。
显示装置10可以是发光显示装置,诸如使用有机发光二极管的有机发光显示装置、包括量子点发光层的量子点发光显示装置、包括无机半导体的无机发光显示装置以及使用微米或纳米发光二极管(微米LED或纳米LED)的超小型发光显示装置。在以下描述中,有机发光显示装置被描述为显示装置10的示例。然而,将理解的是,本公开不限于此。
显示装置10包括显示面板100、显示驱动器电路200和电路板300。
显示面板100可以以矩形平面形成,该矩形平面在第一方向(X轴方向)上具有较短边并且在与第一方向(X轴方向)相交的第二方向(Y轴方向)上具有较长边。在第一方向(X轴方向)上的较短边与在第二方向(Y轴方向)上的较长边相遇的角部中的每个可以以预定曲率倒圆或者可以是直角。当从顶部观看时,显示面板100的形状不限于四边形,而可以以不同的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状形成。显示面板100可以形成为平坦的,但不限于此。例如,显示面板100可以形成为在左端和右端处包括具有恒定曲率或变化曲率的弯折部分。此外,显示面板100可以形成为柔性的,使得显示面板100可以弯折、弯曲、折叠或卷曲。
显示面板100的基底SUB(见图6)可以包括主区域MA和子(subsidiary,也被称为辅助)区域SBA。
主区域MA可以包括显示图像的显示区域DA和在显示区域DA周围的非显示区域NDA。显示区域DA可以包括显示图像的像素PX(见图5A和图5B)。子区域SBA可以从主区域MA的在第二方向(Y轴方向)上的一侧突出,诸如如图2中所示地从显示面板100的底部突出。
尽管在图1中所示的示例中子区域SBA展开,但是子区域SBA可以弯曲并且可以设置在显示面板100的下表面上。当子区域SBA弯曲时,子区域SBA可以在基底SUB的厚度方向(Z轴方向)上与主区域MA叠置。显示驱动器电路200可以设置在子区域SBA中。
显示驱动器电路200可以产生用于驱动显示面板100的信号和电压。显示驱动器电路200可以被实现为集成电路(IC),可以通过玻璃上芯片(COG)技术、塑料上芯片(COP)技术或超声波接合将显示驱动器电路200附着到显示面板100。然而,将理解的是,本公开不限于此。例如,显示驱动器电路200可以通过膜上芯片(COF)技术附着在电路板300上。
电路板300可以附着到显示面板100的子区域SBA的一端。因此,电路板300可以电连接到显示面板100和显示驱动器电路200。显示面板100和显示驱动器电路200可以通过电路板300接收数字视频数据、时序信号和驱动电压。电路板300可以是柔性印刷电路板、印刷电路板或柔性膜(诸如膜上芯片)。
图2和图3是示出根据实施例的显示装置的平面图。图4是示出根据实施例的显示装置的侧视图。
图2示出了子区域SBA展开而未弯曲。图3和图4示出了子区域SBA弯曲。
参照图2至图4,显示面板100可以包括主区域MA和子区域SBA。
主区域MA可以包括显示图像的显示区域DA和在显示区域DA周围的非显示区域NDA。显示区域DA可以占据主区域MA的大部分。显示区域DA可以设置在主区域MA的中心处。
非显示区域NDA可以设置为与显示区域DA相邻。非显示区域NDA可以设置在显示区域DA的外侧上。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。非显示区域NDA可以被限定为显示面板100的边界。
非显示区域NDA可以包括坝区域DAMA。坝区域DAMA可以设置为围绕显示区域DA。在坝区域DAMA中,可以设置用于防止用于封装显示区域DA中的发光元件的封装层TFEL(见图6)的有机封装层TFE2(见图6)的溢出的坝DAM(见图10)。
非显示区域NDA可以包括设置在显示区域DA与坝区域DAMA之间的第一非显示区域NDA1以及设置在坝区域DAMA外部的第二非显示区域NDA2。换句话说,第一非显示区域NDA1可以设置在坝区域DAMA的内侧上,并且第二非显示区域NDA2可以设置在坝区域DAMA的外侧上。
子区域SBA可以从主区域MA的一侧在第二方向(Y轴方向)上突出。子区域SBA在第二方向(Y轴方向)上的长度可以小于主区域MA在第二方向(Y轴方向)上的长度。子区域SBA在第一方向(X轴方向)上的长度可以基本上等于或小于主区域MA在第一方向(X轴方向)上的长度。子区域SBA可以弯曲并且可以设置在显示面板100的后侧上。在这种情况下,子区域SBA可以在第三方向(Z轴方向)上与主区域MA叠置。
子区域SBA可以包括第一区域A1、第二区域A2和弯曲区域BA。
第一区域A1从主区域MA的一侧在第二方向(Y轴方向)上突出。第一区域A1的一侧可以与主区域MA的非显示区域NDA接触,并且第一区域A1的相对侧可以与弯曲区域BA接触。
在第二区域A2中,设置有显示垫(“pad”,又被称为“焊盘”或“焊垫”)DP和显示驱动器电路200。显示驱动器电路200可以使用诸如各向异性导电膜和自组装各向异性导电膏(SAP)的低电阻、高可靠性材料附着在第二区域A2的驱动器垫上。电路板300可以使用诸如各向异性导电膜和SAP的低电阻、高可靠性材料附着在第二区域A2的显示垫DP上。第二区域A2的一侧可以与弯曲区域BA接触。
弯曲区域BA是显示面板100的可弯曲的部分。当弯曲区域BA弯曲时,第二区域A2可以设置在第一区域A1下面和主区域MA下面。弯曲区域BA可以设置在第一区域A1与第二区域A2之间。弯曲区域BA的一侧可以与第一区域A1接触,并且弯曲区域BA的相对侧可以与第二区域A2接触。
图5A是示出根据实施例的在显示面板的显示区域中的像素的电路图。
参照图5A,像素PX中的每个可以连接到扫描线SL中的两条扫描线、发射线EL中的一条发射线和数据线DL中的一条数据线。例如,如图5A中所示,像素PX中的每个可以连接到写入扫描线GWL、初始化扫描线GIL、控制扫描线GCL、发射线EL和数据线DL。
如图5A中所示,像素PX包括驱动晶体管DT、发光元件LEL、开关元件和电容器C1。开关元件包括第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6。
驱动晶体管DT包括栅电极、第一电极和第二电极。根据施加到栅电极的数据电压来控制在第一电极与第二电极之间流动的驱动晶体管DT的漏极-源极电流Ids(在下文中,被称为“驱动电流”)。
当驱动电流Ids在发光元件LEL中流动时,发光元件LEL发射光。从发光元件LEL发射的光的量可以与驱动电流Ids成比例。
发光元件LEL可以是包括阳极电极、阴极电极和设置在阳极电极与阴极电极之间的有机发射层的有机发光二极管。可选择地,发光元件LEL可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。可选择地,发光元件LEL可以是包括阳极电极、阴极电极和设置在阳极电极与阴极电极之间的量子点发射层的量子点发光元件。可选择地,发光元件LEL可以是微型发光二极管。
发光元件LEL的阳极电极可以连接到第四晶体管ST4的第一电极和第六晶体管ST6的第二电极,而发光元件LEL的阴极电极可以连接到第一电压供应线VSL。寄生电容Cel可以形成在发光元件LEL的阳极电极与阴极电极之间。
电容器C1形成在驱动晶体管DT的栅电极与第二电压供应线VDL之间。电容器C1的一个电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极,而电容器C1的另一电极可以连接到第二电压供应线VDL。
当第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的第一电极是源电极时,其第二电极可以是漏电极。可选择地,当第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的第一电极是漏电极时,其第二电极可以是源电极。
第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的一种制成。当第一晶体管ST1至第六晶体管ST6和驱动晶体管DT中的每个的有源层由多晶硅制成时,可以采用低温多晶硅(LTPS)工艺。
尽管第一晶体管ST1、第二晶体管ST2、第三晶体管ST3、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6以及驱动晶体管DT是图5A中的p型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),但这仅是说明性的。它们可以是n型MOSFET。
此外,可以基于驱动晶体管DT的特性、发光元件LEL的特性等来确定来自第一电压供应线VSL的第一电源电压、来自第二电压供应线VDL的第二电源电压和来自第三电压供应线VIL的第三电源电压。
图5B是示出根据又一实施例的在显示面板的显示区域中的像素的电路图。
图5B的实施例与图5A的实施例的不同之处在于:驱动晶体管DT、第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6被实现为p型MOSFET,而第一晶体管ST1和第三晶体管ST3被实现为n型MOSFET。
参照图5B,实现为p型MOSFET的驱动晶体管DT、第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个的有源层可以由多晶硅制成,并且实现为n型MOSFET的第一晶体管ST1和第三晶体管ST3的有源层可以由氧化物半导体制成。在这种情况下,由于由多晶硅形成的晶体管和由氧化物半导体形成的晶体管可以设置在不同的层上,因此可以减小像素PX的面积。
图5B的实施例与图5A的实施例的不同之处在于:第二晶体管ST2的栅电极和第四晶体管ST4的栅电极连接到写入扫描线GWL,并且第一晶体管ST1的栅电极连接到控制扫描线GCL。此外,在图5B中,由于第一晶体管ST1和第三晶体管ST3由n型MOSFET形成,因此栅极高电压的扫描信号可以施加到控制扫描线GCL和初始化扫描线GIL。相反,由于第二晶体管ST2、第四晶体管ST4、第五晶体管ST5和第六晶体管ST6由p型MOSFET形成,因此栅极低电压的扫描信号可以施加到写入扫描线GWL和发射线EL。
图5C是示出根据实施例的显示面板的显示区域的布局图。
图5C示出了显示区域DA中的第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4、驱动电极TE和感测电极RE。在图5C中所示的示例中,通过使用两种类型的传感器电极(即,驱动电极TE和感测电极RE)通过互电容感测来感测用户的触摸。为了便于说明,图5C仅示出了在第一方向(X轴方向)上彼此相邻的两个感测电极RE和在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的两个驱动电极TE。
参照图5C,驱动电极TE可以与感测电极RE电分离。驱动电极TE和感测电极RE形成在同一层上,因此它们可以彼此间隔开。在驱动电极TE与感测电极RE之间可以存在间隙。
感测电极RE可以在第一方向(X轴方向)上彼此电连接。驱动电极TE可以在第二方向(Y轴方向)上彼此电连接。为了在感测电极RE与驱动电极TE的相交处将感测电极RE与驱动电极TE电分离,在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE可以通过第一桥接部分BE1连接。感测电极RE可以连接到感测线,并且驱动电极TE可以连接到驱动线。感测线和驱动线可以统称为触摸线TL(见图10和图11)。
第一桥接部分BE1可以与驱动电极TE和感测电极RE形成在不同的层上,并且可以通过第一传感器接触孔TCNT1连接到驱动电极TE。第一桥接部分BE1中的每个的一端可以通过第一传感器接触孔TCNT1连接到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的一个。第一桥接部分BE1中的每个的另一端可以通过第一传感器接触孔TCNT1连接到在第二方向(Y轴方向)上彼此相邻的驱动电极TE中的另一个。第一桥接部分BE1可以在第三方向(Z轴方向)上与感测电极RE叠置。由于第一桥接部分BE1与驱动电极TE和感测电极RE形成在不同的层上,因此即使第一桥接部分BE1在第三方向(Z轴方向)上与感测电极RE叠置,第一桥接部分BE1也可以与感测电极RE电分离。
显示区域DA可以包括用于显示图像的多个发射区域EA1、EA2、EA3和EA4。多个发射区域EA1、EA2、EA3和EA4中的每个可以被限定为其中图5A和图5B的发光元件LEL发射光的区域。
例如,显示区域DA可以包括第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4。在这种情况下,第一发射区域EA1可以指发光元件LEL(见图5A和图5B)的发射第一光的发射区域,并且第二发射区域EA2可以指发光元件LEL(见图5A和图5B)的发射第二光的发射区域。此外,第三发射区域EA3可以指发光元件LEL(见图5A和图5B)的发射第三光的发射区域,并且第四发射区域EA4可以指发光元件LEL(见图5A和图5B)的发射第四光的发射区域。
第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4可以发射不同颜色的光。可选择地,第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4中的两个可以发射相同颜色的光。例如,第一发射区域EA1可以发射红色的光,第二发射区域EA2和第四发射区域EA4可以发射绿色的光,并且第三发射区域EA3可以发射蓝色的光。当从顶部观看时,第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4中的每个可以具有但不限于四边形形状(诸如菱形)。例如,当从顶部观看时,第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4可以具有除了四边形形状之外的其它多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。在图5C中所示的示例中,第三发射区域EA3具有最大的面积,第一发射区域EA1具有第二最大的面积,并且第二发射区域EA2和第四发射区域EA4具有最小的面积。然而,将理解的是,在此描述的实施例不限于此。
由于当从顶部观看时驱动电极TE、感测电极RE和桥接部分BE1以网格结构形成,因此发射区域EA1、EA2、EA3和EA4可以不在第三方向(Z轴方向)上与驱动电极TE、感测电极RE和桥接部分BE1叠置。因此,从发射区域EA1、EA2、EA3和EA4发射的光不被驱动电极TE、感测电极RE和桥接部分BE1阻挡,因此能够避免或降低光的亮度被降低。
图6是示出沿着图5C的线A-A'截取的显示面板的示例的剖视图。
参照图6,基底SUB可以由诸如聚合物树脂和玻璃的绝缘材料制成。例如,基底SUB可以包括聚酰亚胺。在这种情况下,基底SUB可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。
包括薄膜晶体管TFT的薄膜晶体管层TFTL可以设置在基底SUB上。薄膜晶体管层TFTL可以包括薄膜晶体管TFT、电容器C1、第一阳极连接电极ANDE1、第二阳极连接电极ANDE2、缓冲膜BF、栅极绝缘层130、第一层间介电层141、第二层间介电层142、第一有机层160和第二有机层161。
缓冲膜BF可以设置在基底SUB上。缓冲膜BF可以由氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层形成。
薄膜晶体管TFT可以设置在缓冲膜BF上。薄膜晶体管TFT可以包括有源层ACT、栅电极G、源电极S和漏电极D。
薄膜晶体管TFT的有源层ACT、源电极S和漏电极D可以设置在缓冲膜BF上。有源层ACT可以包括硅半导体,诸如多晶硅、单晶硅、低温多晶硅和非晶硅。源电极S和漏电极D可以通过用离子或杂质掺杂硅半导体而具有导电性。有源层ACT可以在作为基底SUB的厚度方向的第三方向(Z轴方向)上与栅电极G叠置,并且源电极S和漏电极D可以不在第三方向(Z轴方向)上与栅电极G叠置。
栅极绝缘层130可以设置在薄膜晶体管TFT的有源层ACT、源电极S和漏电极D上。栅极绝缘层130可以由无机层(例如,氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
薄膜晶体管TFT的栅电极G可以设置在栅极绝缘层130上。栅电极G可以在第三方向(Z轴方向)上与有源层ACT叠置。栅电极G可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层组成。
第一层间介电层141可以设置在栅电极G上。第一层间介电层141可以由无机层(例如,氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
电容器电极CAE可以设置在第一层间介电层141上。电容器电极CAE可以在第三方向(Z轴方向)上与栅电极G叠置。由于第一层间介电层141具有预定的介电常数,电容器可以由电容器电极CAE、栅电极G和设置在电容器电极CAE与栅电极G之间的第一层间介电层141形成。电容器电极CAE可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层组成。
第二层间介电层142可以设置在电容器电极CAE之上。第二层间介电层142可以由无机层(例如,氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。第二层间介电层142可以包括多个无机层,并且第二层间介电层142的在第三方向(Z轴方向)上的厚度可以大于第一层间介电层141的在第三方向(Z轴方向)上的厚度。
第一阳极连接电极ANDE1可以设置在第二层间介电层142上。第一阳极连接电极ANDE1可以通过第一阳极接触孔ANCT1连接到薄膜晶体管TFT的漏电极D,第一阳极接触孔ANCT1穿透栅极绝缘层130、第一层间介电层141和第二层间介电层142以暴露漏电极D。第一阳极连接电极ANDE1可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层组成。
第一有机层160可以设置在第一阳极连接电极ANDE1上以进行平坦化。第一有机层160可以形成为诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层。
第二阳极连接电极ANDE2可以设置在第一有机层160上。第二阳极连接电极ANDE2可以通过第二阳极接触孔ANCT2连接到第一阳极连接电极ANDE1,第二阳极接触孔ANCT2穿透第一有机层160以暴露第一阳极连接电极ANDE1。第二阳极连接电极ANDE2可以由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的一种或其合金的单层或多层组成。
第二有机层161可以设置在第二阳极连接电极ANDE2上。第二有机层161可以形成为诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机层。
在图6中,薄膜晶体管TFT被实现为其中栅电极位于有源层上方的顶栅晶体管。然而,将理解的是,本公开不限于此。薄膜晶体管TFT可以被实现为其中栅电极位于有源层下方的底栅晶体管,或者被实现为其中栅电极分别设置在有源层上方和下方的双栅晶体管。
发射材料层EML可以设置在第二有机层161上。发射材料层EML可以包括发光元件LEL和发射区域限定层180。发光元件LEL中的每个包括像素电极171、发射层172和共电极173。共电极173可以公共地设置在多个发射层172上。
像素电极171可以形成在第二有机层161上。像素电极171可以通过第三阳极接触孔ANCT3连接到第二阳极连接电极ANDE2,第三阳极接触孔ANCT3穿透第二有机层161以暴露第二阳极连接电极ANDE2。
在其中光从发射层172朝向共电极173出射的顶部发射结构中,像素电极171可以由具有高反射率的金属材料(诸如铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO))制成。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
发射区域限定层180可以在第二有机层161上分隔像素电极171以限定发射区域EA1、EA2、EA3和EA4。发射区域限定层180可以形成为覆盖像素电极171的边缘。发射区域限定层180可以由有机层(诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂)形成。
在发射区域EA1、EA2、EA3和EA4中的每个中,像素电极171、发射层172和共电极173彼此顺序地堆叠,使得来自像素电极171的空穴和来自共电极173的电子在发射层172中彼此结合以发射光。
发射层172形成在像素电极171上。发射层172可以包括有机材料以发射特定颜色的光。例如,发射层172可以包括空穴传输层、有机材料层和电子传输层。
共电极173形成在发射层172上。共电极173可以形成为覆盖发射层172。共电极173可以是横跨所有发射区域EA1、EA2、EA3和EA4形成的公共层。盖层可以形成在共电极173上。
在顶部发射结构中,共电极173可以由可以透射光的诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)以及镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料形成。当共电极173由半透射导电材料形成时,可以通过使用微腔来增大光提取效率。
封装层TFEL可以设置在共电极173上。封装层TFEL包括至少一个无机层,以防止氧或湿气渗透到发射材料层EML中。此外,封装层TFEL包括至少一个有机层,以保护发射材料层EML免受诸如灰尘的异物的影响。例如,封装层TFEL可以包括第一无机封装层TFE1、有机封装层TFE2和第二无机封装层TFE3。
第一无机封装层TFE1可以设置在共电极173上,有机封装层TFE2可以设置在第一无机封装层TFE1上,并且第二无机封装层TFE3可以设置在有机封装层TFE2上。第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3可以由多个层组成,在多个层中,氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层彼此交替地堆叠。有机封装层TFE2可以由丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等形成。
传感器电极层SENL可以设置在封装层TFEL上。传感器电极层SENL可以包括驱动电极TE、感测电极RE和桥接部分BE1。
第一传感器绝缘层TINS1可以设置在第二无机封装层TFE3上。第一传感器绝缘层TINS1可以由多个层组成,在多个层中,氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层彼此交替地堆叠。可选择地,第一传感器绝缘层TINS1可以由有机层(诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂)形成。
桥接部分BE1可以设置在第一传感器绝缘层TINS1上。桥接部分BE1可以不在第三方向(Z轴方向)上与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4叠置。桥接部分BE1可以在第三方向(Z轴方向)上与发射区域限定层180叠置。桥接部分BE1可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层组成,或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)组成。
第二传感器绝缘层TINS2可以设置在第一桥接部分BE1上。第二传感器绝缘层TINS2可以由多个层组成,在多个层中,氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层彼此交替地堆叠。可选择地,第二传感器绝缘层TINS2可以由有机层(诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂)形成。
驱动电极TE和感测电极RE可以设置在第二传感器绝缘层TINS2上。驱动电极TE和感测电极RE可以不在第三方向(Z轴方向)上与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2、第三发射区域EA3和第四发射区域EA4叠置。驱动电极TE和感测电极RE可以在第三方向(Z轴方向)上与发射区域限定层180叠置。驱动电极TE可以通过穿透第二传感器绝缘层TINS2的第一传感器接触孔TCNT1连接到第一桥接部分BE1。驱动电极TE和感测电极RE可以由钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)或铝(Al)的单层组成,或者可以由铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金或者APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)组成。
第三传感器绝缘层TINS3可以设置在驱动电极TE和感测电极RE上。第三传感器绝缘层TINS3可以由有机层(诸如丙烯酰树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂)形成。
图7A是示出根据实施例的显示面板的非显示区域的布局图。图7A是详细示出图2的区域A的示例的布局图。
为了便于说明,图7A示出了扫描驱动单元SDU、扫描控制线SCL、第一电压供应线VSL、第一电压供应垫线VSPL、第一电压供应弯曲线VSBL、第二电压供应线VDL、第二电压供应垫线VDPL和第二电压供应弯曲线VDBL。
参照图7A,扫描驱动单元SDU可以设置在显示区域DA的左侧上。扫描驱动单元SDU可以通过扫描控制线SCL连接到显示驱动器电路200。扫描驱动单元SDU可以通过扫描控制线SCL从显示驱动器电路200接收扫描时序信号。扫描驱动单元SDU可以根据扫描时序信号产生扫描信号。扫描驱动单元SDU可以将扫描信号输出到显示区域DA的扫描线GWL、GIL和GCL。
扫描控制线SCL可以包括扫描扇出线SFL、扫描垫线SPL和扫描弯曲线SBL。
扫描扇出线SFL可以设置在非显示区域NDA中和在子区域SBA的第一区域A1中。扫描扇出线SFL可以设置在扫描驱动单元SDU与扫描弯曲线SBL之间。扫描扇出线SFL的一端可以连接到扫描驱动单元SDU,并且其另一端可以通过第二扫描接触孔SCT2连接到扫描弯曲线SBL。扫描扇出线SFL可以与坝区域DAMA叠置。
扫描弯曲线SBL可以设置在子区域SBA的第一区域A1、第二区域A2和弯曲区域BA中。扫描弯曲线SBL可以设置在扫描扇出线SFL与扫描垫线SPL之间。扫描弯曲线SBL的一端可以通过第一区域A1中的第二扫描接触孔SCT2连接到扫描扇出线SFL,并且其另一端可以通过第一扫描接触孔SCT1连接到第二区域A2中的扫描垫线SPL。
扫描垫线SPL可以设置在第二区域A2中。扫描垫线SPL可以设置在扫描弯曲线SBL与显示驱动器电路200之间。扫描垫线SPL的一端可以通过第一扫描接触孔SCT1连接到扫描弯曲线SBL,并且其另一端可以连接到显示驱动器电路200。
尽管为了便于说明,在图7A中未描绘设置在显示区域DA的数据线DL与显示驱动器电路200之间的数据连接线,但是数据连接线可以与扫描控制线SCL类似。数据线DL可以通过数据连接线从显示驱动器电路200接收数据电压。数据连接线中的每条可以包括数据扇出线、数据垫线和数据弯曲线。数据扇出线可以与扫描扇出线SFL基本上相同,数据垫线可以与扫描垫线SPL基本上相同,并且数据弯曲线可以与扫描弯曲线SBL基本上相同。
此外,尽管为了便于说明,在图7A中未描绘触摸线TL(见图10和图11),但是触摸线TL(见图10和图11)中的每条可以连接到设置在弯曲区域BA中的触摸弯曲线中的相应一条。
第一电压供应线VSL可以设置在非显示区域NDA中。第一电压供应线VSL可以与坝区域DAMA叠置。第一电压供应线VSL可以与扫描扇出线SFL叠置。第一电压供应线VSL可以设置在扫描驱动单元SDU与显示区域DA之间。可选择地,第一电压供应线VSL可以与扫描驱动单元SDU叠置。
第一电压供应弯曲线VSBL可以设置在子区域SBA的第一区域A1、第二区域A2和弯曲区域BA中。第一电压供应弯曲线VSBL中的每条可以设置在第一电压供应线VSL与相应的第一电压供应垫线VSPL之间。第一电压供应弯曲线VSBL可以从第一电压供应线VSL延伸。第一电压供应弯曲线VSBL可以与第一电压供应线VSL一体地形成。也就是说,第一电压供应弯曲线VSBL可以由与第一电压供应线VSL的材料相同的材料制成。第一电压供应弯曲线VSBL中的每条可以通过第一电压供应接触孔VSH连接到相应的第一电压供应垫线VSPL。
第一电压供应垫线VSPL可以设置在第二区域A2中。第一电压供应垫线VSPL中的每条可以设置在相应的第一电压供应弯曲线VSBL与显示驱动器电路200之间。第一电压供应垫线VSPL中的每条的一端可以通过相应的第一电压供应接触孔VSH连接到相应的第一电压供应弯曲线VSBL,并且其另一端可以连接到显示驱动器电路200。
第二电压供应线VDL可以设置在非显示区域NDA中。第二电压供应线VDL可以与坝区域DAMA叠置。第二电压供应线VDL可以与数据连接线(未示出)叠置。
第二电压供应弯曲线VDBL可以设置在子区域SBA的第一区域A1、第二区域A2和弯曲区域BA中。第二电压供应弯曲线VDBL中的每条可以设置在第二电压供应线VDL与相应的第二电压供应垫线VDPL之间。第二电压供应弯曲线VDBL可以从第二电压供应线VDL延伸。第二电压供应弯曲线VDBL可以与第二电压供应线VDL一体地形成。也就是说,第二电压供应弯曲线VDBL可以由与第二电压供应线VDL的材料相同的材料制成。第二电压供应弯曲线VDBL中的每条可以通过第二电压供应接触孔VDH连接到相应的第二电压供应垫线VDPL。
第二电压供应垫线VDPL可以设置在第二区域A2中。第二电压供应垫线VDPL中的每条可以设置在相应的第二电压供应弯曲线VDBL与显示驱动器电路200之间。第二电压供应垫线VDPL中的每条的一端可以通过相应的第二电压供应接触孔VDH连接到相应的第二电压供应弯曲线VDBL,并且其另一端可以连接到显示驱动器电路200。
图7B是详细示出根据实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。图8是示出在图7B的无机封装区域中的第一电压供应线的布局图。图9是示出在图7B的堤区域中的第一电压供应线的布局图。图7B是详细示出图7A的区域B的放大布局图。
参照图7B、图8和图9,非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1、坝区域DAMA、无机封装区域CVD和堤区域BNKA。
在坝区域DAMA中,可以设置用于防止用于封装显示区域DA中的发光元件的封装层TFEL(见图6)的有机封装层TFE2的溢出的坝DAM(见图10)。坝区域DAMA可以在设置在显示区域DA的下侧上的非显示区域NDA中在第一方向(X轴方向)上延伸。稍后将参照图10详细描述坝DAM(见图10)。
在堤区域BNKA中,可以在制造显示面板100的工艺期间设置用于支撑掩模的堤BNK(见图10)。堤区域BNKA可以在设置在显示区域DA的下侧上的非显示区域NDA中在第一方向(X轴方向)上延伸。稍后将参照图10详细描述堤BNK(见图10)。
如图2中所示,第一非显示区域NDA1可以指非显示区域NDA的在坝区域DAMA与显示区域DA之间的部分。第一非显示区域NDA1可以设置在坝区域DAMA的内侧上,并且第二非显示区域NDA2可以设置在坝区域DAMA的外侧上。
无机封装区域CVD可以设置在坝区域DAMA与堤区域BNKA之间。在无机封装区域CVD中,用于封装显示面板100的封装层TFEL(见图6)的第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3可以彼此接触。在无机封装区域CVD中,可以仅设置无机层,而可以不设置有机层。无机封装区域CVD可以在设置在显示区域DA的下侧上的非显示区域NDA中在第一方向(X轴方向)上延伸。
在非显示区域NDA中,可以设置用于向共电极173(见图6)供应第一电源电压的第一电压供应线VSL。第一电压供应线VSL可以包括第一子电压供应线VSL1、第二子电压供应线VSL2(见图10)和多个第一防潮图案TP1。由于第二子电压供应线VSL2(见图10)设置在第一子电压供应线VSL1下面,所以第二子电压供应线VSL2(见图10)在图7B中未示出。
第一子电压供应线VSL1可以在第二方向(Y轴方向)上延伸。第一子电压供应线VSL1可以设置在第一非显示区域NDA1、坝区域DAMA、无机封装区域CVD和堤区域BNKA中。第一子电压供应线VSL1可以通过第一子电压供应接触孔VSCT连接到第二子电压供应线VSL2。因此,由于可以降低第一电压供应线VSL的电阻,所以可以更均匀地施加第一电源电压,而不管图5C中设置在显示区域DA中的发射区域EA1、EA2、EA3和EA4的位置如何。
在无机封装区域CVD中,由于第一子电压供应线VSL1的侧表面的倾斜,第一子电压供应线VSL1可能没有被第一无机封装层TFE1或第二无机封装层TFE3适当地覆盖。具体地,在无机封装区域CVD中,由于第一子电压供应线VSL1的侧表面的倾斜,可以在第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3中产生气隙OP(见图12C)。气隙OP(见图12C)可以是空气或湿气可以从外部沿着其渗透的路径。
多个第一防潮图案TP1可以从第一子电压供应线VSL1的一侧在第一方向(X轴方向)上突出。多个第一防潮图案TP1可以在第二方向(Y轴方向)上布置。
在无机封装区域CVD中,可以沿着第一子电压供应线VSL1的侧表面形成气隙OP(见图12C)。因此,在无机封装区域CVD中,可以沿着第一子电压供应线VSL1的侧表面形成路径MP1,空气或湿气从外部通过气隙OP(见图12C)沿着路径MP1渗透。当第一电压供应线VSL包括多个第一防潮图案TP1时,第一电压供应线VSL的侧表面的长度可以包括多个第一防潮图案TP1的圆周的长度之和。因此,当第一电压供应线VSL包括多个第一防潮图案TP1时,与没有多个第一防潮图案TP1的第一电压供应线VSL相比,第一电压供应线VSL的侧表面的长度可以变得较长。因此,外部空气或湿气通过气隙OP(见图12C)的路径MP1可以由于多个第一防潮图案TP1而变得较长。结果,由于多个第一防潮图案TP1,能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,即使无机封装区域的宽度减小,也能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。
多个第一防潮图案TP1可以设置在无机封装区域CVD中。此外,尽管多个第一防潮图案TP1可以设置在第一非显示区域NDA1、坝区域DAMA和堤区域BNKA中,但是在此所描述的实施例不限于此。可以在第一非显示区域NDA1、坝区域DAMA和堤区域BNKA中的至少一个中除去多个第一防潮图案TP1。
尽管如图8中所示,当从顶部观看时,多个第一防潮图案TP1中的每个具有椭圆形形状,但是在此所描述的实施例不限于此。当从顶部观看时,多个第一防潮图案TP1中的每个可以具有圆形形状或诸如三角形和正方形的多边形形状。
随着多个第一防潮图案TP1中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度a和在第二方向(Y轴方向)上的长度b增大,多个第一防潮图案TP1中的每个的圆周可以变得较长。近来,为了加宽显示区域DA,减小了非显示区域NDA。因此,无机封装区域CVD的宽度减小。尽管第一防潮图案TP1的数量随着无机封装区域CVD的宽度减小而减少,但是当多个第一防潮图案TP1中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度a和/或在第二方向(Y轴方向)上的长度b增大时,外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1可以不减小。根据由申请的发明人进行的实验,如果外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1为540μm或更大,则能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
表1示出了无机封装区域CVD的宽度、第一防潮图案TP1的数量、第一防潮图案TP1的在第一方向(X轴方向)上的长度a和在第二方向(Y轴方向)上的长度b、第一防潮图案TP1中的每个的周长以及在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长。
[表1]
在表1中,第一防潮图案TP1中的每个的周长可以被限定为“π×(a+b)”,并且在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长可以被限定为“s×n”。
参照表1,当无机封装区域CVD的宽度为125μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有25μm的长度a和在第二方向(Y轴方向)上具有25μm的长度b的五个第一防潮图案TP1时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长可以为大约785μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
当无机封装区域CVD的宽度为88μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有25μm的长度a和在第二方向(Y轴方向)上具有25μm的长度b的三个半第一防潮图案TP1时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长可以为大约549.5μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
当无机封装区域CVD的宽度为50μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有25μm的长度a和在第二方向(Y轴方向)上具有25μm的长度b的两个第一防潮图案TP1时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长可以为大约314μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1小于540μm,所以难以延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,如果无机封装区域CVD的宽度为50μm,则需要增大第一防潮图案TP1的在第一方向(X轴方向)上的长度a或在第二方向(Y轴方向)上的长度b。
当无机封装区域CVD的宽度为50μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有63μm的长度a和在第二方向(Y轴方向)上具有25μm的长度b的两个第一防潮图案TP1时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长可以为大约552.6μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
当无机封装区域CVD的宽度为25μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有150μm的长度a和在第二方向(Y轴方向)上具有25μm的长度b的一个第一防潮图案TP1时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长可以为大约549.5μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
正如从表1可以看出的,即使无机封装区域CVD的宽度减小,也能够通过调节第一防潮图案TP1的数量以及第一防潮图案TP1的在第一方向(X轴方向)上的长度a和在第二方向(Y轴方向)上的长度b来控制无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长。例如,尽管第一防潮图案TP1的数量随着无机封装区域CVD的宽度减小而减少,但是通过增大多个第一防潮图案TP1中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度a和/或在第二方向(Y轴方向)上的长度b,外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1可以等于或大于540μm。因此,由于多个第一防潮图案TP1,能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,即使无机封装区域的宽度减小,也能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。
如图8中所示,多个第一防潮图案TP1可以分别通过第一连接图案CP1连接到第一子电压供应线VSL1。第一连接图案CP1可以设置在第一防潮图案TP1与第一子电压供应线VSL1之间。第一子电压供应线VSL1、多个第一连接图案CP1和多个第一防潮图案TP1可以一体地形成。
在图9中所示的设置在堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1与在图8中所示的设置在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1基本上相同,因此,将不描述在图9中所示的设置在堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1。
第二电压供应线VDL可以与第一电压供应线VSL间隔开。第二电压供应线VDL可以将具有比第一电源电压的电平高的电平的第二电源电压供应到显示区域DA。第二电压供应线VDL可以包括第三子电压供应线VDL1、第四子电压供应线VDL2、第五子电压供应线VDL3和多个第二防潮图案TP2。
第三子电压供应线VDL1和第四子电压供应线VDL2可以在第二方向(Y轴方向)上设置。第三子电压供应线VDL1可以设置在坝区域DAMA、无机封装区域CVD和堤区域BNKA中。第四子电压供应线VDL2可以设置在第一非显示区域NDA1和坝区域DAMA中。第三子电压供应线VDL1可以通过第二子电压供应接触孔VDCT1连接到第四子电压供应线VDL2。
第五子电压供应线VDL3可以设置在第一非显示区域NDA1中。第五子电压供应线VDL3可以通过第三子电压供应接触孔VDCT2连接到第四子电压供应线VDL2。因此,由于可以降低第二电压供应线VDL的电阻,所以可以更均匀地施加第二电源电压,而不管图5C中设置在显示区域DA中的发射区域EA1、EA2、EA3和EA4的位置如何。
在无机封装区域CVD中,由于第三子电压供应线VDL1的侧表面的倾斜,第三子电压供应线VDL1可能没有被第一无机封装层TFE1或第二无机封装层TFE3适当地覆盖。具体地,在无机封装区域CVD中,由于第三子电压供应线VDL1的侧表面的倾斜,可以在第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3中产生气隙。气隙可以用作空气或湿气从外部沿着其渗透的路径。
多个第二防潮图案TP2可以从第三子电压供应线VDL1的一侧在第一方向(X轴方向)上突出。多个第二防潮图案TP2可以在第二方向(Y轴方向)上布置。多个第二防潮图案TP2可以面对多个第一防潮图案TP1。
在无机封装区域CVD中,可以沿着第三子电压供应线VDL1的侧表面产生气隙。因此,在无机封装区域CVD中,可以沿着第三子电压供应线VDL1的侧表面形成路径MP2,空气或湿气从外部通过气隙沿着路径MP2渗透。当第二电压供应线VDL包括多个第二防潮图案TP2时,第二电压供应线VDL的侧表面的长度可以包括多个第二防潮图案TP2的圆周的长度之和。因此,当第二电压供应线VDL包括多个第二防潮图案TP2时,与没有多个第二防潮图案TP2的第二电压供应线VDL相比,第二电压供应线VDL的侧表面的长度可以变得较长。因此,由于多个第二防潮图案TP2,所以空气或湿气从外部通过气隙沿着其渗透的路径MP2可以变得较长。结果,由于多个第二防潮图案TP2,能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
多个第二防潮图案TP2可以设置在无机封装区域CVD中。此外,尽管多个第二防潮图案TP2可以设置在坝区域DAMA和堤区域BNKA中,但是在此所描述的实施例不限于此。可以在坝区域DAMA和堤区域BNKA中的至少一个中除去多个第二防潮图案TP2。
如图7B、图8和图9中所示,在无机封装区域CVD中,第一电压供应线VSL包括多个第一防潮图案TP1,并且第二电压供应线VDL包括多个第二防潮图案TP2。因此,即使在无机封装区域CVD中沿着第一电压供应线VSL的侧表面产生气隙,空气或湿气从外部通过气隙沿着其渗透的路径MP1也可以变得较长。此外,即使在无机封装区域CVD中沿着第二电压供应线VDL的侧表面产生气隙,空气或湿气从外部通过气隙沿着其渗透的路径MP2也可以变得较长。结果,由于多个第一防潮图案TP1和多个第二防潮图案TP2,能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
此外,能够通过调节第一防潮图案TP1的数量以及第一防潮图案TP1的在第一方向(X轴方向)上的长度a和在第二方向(Y轴方向)上的长度b来控制无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1的总周长。例如,尽管第一防潮图案TP1的数量随着无机封装区域CVD的宽度减小而减少,但是通过增大多个第一防潮图案TP1中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度a和/或在第二方向(Y轴方向)上的长度b,外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1可以保持在540μm或更大。因此,即使无机封装区域CVD的宽度随着显示区域DA扩大同时非显示区域NDA减小而减小,由于多个第一防潮图案TP1,也能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,即使无机封装区域的宽度减小,也能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。
图10是示出沿着图7B的线B-B'截取的显示面板的示例的剖视图。
参照图10,第一电压供应线VSL可以包括第一子电压供应线VSL1和第二子电压供应线VSL2。坝DAM可以包括第一子坝DAM1、第二子坝DAM2、第三子坝DAM3和第四子坝DAM4。坝DAM可以设置在坝区域DAMA中。尽管在图10中所示的示例中,在坝区域DAMA中设置了一个坝DAM,但是本公开不限于此。多个坝DAM可以设置在坝区域DAMA中。谷结构ADAM是用于在谷结构ADAM与第一有机层160之间形成谷VAL的结构,并且可以设置在第一非显示区域NDA1中。谷结构ADAM可以包括第一谷结构ADAM1和第二谷结构ADAM2。堤BNK可以包括第一子堤BNK1、第二子堤BNK2、第三子堤BNK3和第四子堤BNK4。
第二子电压供应线VSL2可以设置在第二层间介电层142上。第二子电压供应线VSL2可以设置在第一非显示区域NDA1和坝区域DAMA中。第二子电压供应线VSL2可以在第三方向(Z轴方向)上与坝DAM和谷结构ADAM叠置。第二子电压供应线VSL2可以由与第一阳极连接电极ANDE1的材料相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
第一子坝DAM1可以设置在第二子电压供应线VSL2上。第一子堤BNK1可以设置在第二层间介电层142上。第一子坝DAM1和第一子堤BNK1可以由与第一有机层160的材料相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
第一子电压供应线VSL1可以设置在第一有机层160、第一子坝DAM1和第一子堤BNK1上。第一子电压供应线VSL1可以通过第一子电压供应接触孔VSCT连接到第二子电压供应线VSL2。第一子电压供应接触孔VSCT可以位于坝区域DAMA和第一非显示区域NDA1中。第一子电压供应线VSL1可以由与第二阳极连接电极ANDE2的材料相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
第二有机层161、第二子坝DAM2、第一谷结构ADAM1和第二子堤BNK2可以设置在第一子电压供应线VSL1上。第二子坝DAM2、第一谷结构ADAM1和第二子堤BNK2可以由与第二有机层161的材料相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
第二子坝DAM2的厚度和第二子堤BNK2的厚度可以小于第一谷结构ADAM1和第二有机层161的厚度。第一谷结构ADAM1和第二有机层161可以彼此连接。连接在第一谷结构ADAM1与第二有机层161之间的连接部分的厚度可以小于第一谷结构ADAM1和第二有机层161的厚度。
第三子坝DAM3可以设置在第二子坝DAM2上,第二谷结构ADAM2可以设置在第一谷结构ADAM1上,并且第三子堤BNK3可以设置在第二子堤BNK2上。第三子坝DAM3、第二谷结构ADAM2和第三子堤BNK3可以由与发射区域限定层180的材料相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
第三子坝DAM3可以覆盖第二子坝DAM2。例如,第三子坝DAM3可以设置在第二子坝DAM2的上表面和侧表面上。此外,第二谷结构ADAM2可以覆盖第一谷结构ADAM1。例如,第二谷结构ADAM2可以设置在第一谷结构ADAM1的上表面和侧表面上。此外,第三子堤BNK3可以覆盖第二子堤BNK2。例如,第三子堤BNK3可以设置在第二子堤BNK2的上表面和侧表面上。
第四子坝DAM4可以设置在第三子坝DAM3上,并且第四子堤BNK4可以设置在第三子堤BNK3上。第四子坝DAM4和第四子堤BNK4可以由相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。第四子坝DAM4和第四子堤BNK4可以是在制造显示面板100的工艺期间用于支撑掩模的结构。由于第四子坝DAM4和第四子堤BNK4,掩模可以被稳定地支撑而不下垂。可以除去第四子坝DAM4。
第一无机封装层TFE1可以设置在第一非显示区域NDA1、坝区域DAMA、无机封装区域CVD和堤区域BNKA中。第一无机封装层TFE1可以设置在发射区域限定层180、谷结构ADAM、坝DAM、第一子电压供应线VSL1和堤BNK上。有机封装层TFE2可以设置在第一非显示区域NDA1和坝区域DAMA中。由于有机封装层TFE2不能流过坝DAM和谷结构ADAM,因此第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3可以在无机封装区域CVD中彼此接触。结果,可以在无机封装区域CVD中形成无机封装结构。第二无机封装层TFE3可以设置在第一非显示区域NDA1、坝区域DAMA、无机封装区域CVD和堤区域BNKA中。
图11是示出沿着图7B的线C-C'截取的显示面板的示例的剖视图。
参照图11,第二电压供应线VDL可以包括第三子电压供应线VDL1、第四子电压供应线VDL2和第五子电压供应线VDL3。
第四子电压供应线VDL2可以设置在第二层间介电层142上。第四子电压供应线VDL2可以设置在第一非显示区域NDA1和坝区域DAMA中。第四子电压供应线VDL2可以在第三方向(Z轴方向)上与坝DAM和谷结构ADAM叠置。第四子电压供应线VDL2可以由与第二子电压供应线VSL2的材料相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
第三子电压供应线VDL1可以设置在第一子坝DAM1和第一子堤BNK1上。第三子电压供应线VDL1可以通过第二子电压供应接触孔VDCT1连接到第四子电压供应线VDL2。第二子电压供应接触孔VDCT1可以位于坝区域DAMA中。
第五子电压供应线VDL3可以设置在第一子坝DAM1和第一有机层160上。第五子电压供应线VDL3可以通过第三子电压供应接触孔VDCT2连接到第四子电压供应线VDL2。第三子电压供应接触孔VDCT2可以位于第一非显示区域NDA1中。
第三子电压供应线VDL1和第五子电压供应线VDL3可以由与第一子电压供应线VSL1的材料相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
第二子坝DAM2和第二子堤BNK2可以设置在第三子电压供应线VDL1上。第一谷结构ADAM1和第二有机层161可以设置在第五子电压供应线VDL3上。
此外,坝DAM、谷结构ADAM、堤BNK和封装层TFEL与上面参照图10描述的坝DAM、谷结构ADAM、堤BNK和封装层TFEL基本上相同,因此,将省略冗余的描述。
图12A是示出沿着图7B的线E-E'截取的显示面板的示例的剖视图。
参照图12A,可以在堤区域BNKA的一部分中除去第三子堤BNK3。例如,在堤区域BNKA中,第一电压供应线VSL的第一子电压供应线VSL1可以与第三子堤BNK3叠置,而第二电压供应线VDL的第三子电压供应线VDL1可以不与第三子堤BNK3叠置。当除去第三子堤BNK3时,可以降低用于将设置在第二无机封装层TFE3上的触摸线TL(见图10和图11)与设置在弯曲区域BA中的触摸弯曲线(未示出)连接的接触孔的高度。因此,可以更容易地形成用于将触摸线TL(见图10和图11)与触摸弯曲线(未示出)连接的接触孔。
图12B是示出沿着图8的线D-D'截取的显示面板的示例的剖视图。图12C是图12B的区域H的放大图。
参照图12B和图12C,第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1可以在无机封装区域CVD中设置在第二层间介电层142上。第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1可以一体地形成。也就是说,第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1可以由相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
如图12C中所示,在无机封装区域CVD中,在第一子电压供应线VSL1与第一无机封装层TFE1之间未设置有机层。由于第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3的台阶覆盖不好,所以如果第一子电压供应线VSL1的侧表面的倾斜大,则第一子电压供应线VSL1可能不被第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3适当地覆盖。也就是说,在无机封装区域CVD中,由于第一子电压供应线VSL1的侧表面的倾斜,可能在第一无机封装层TFE1和第二无机封装层TFE3中产生气隙OP(见图12C)。如在此所使用的,台阶覆盖指后续层均匀地覆盖已经存在于基底上的水平差而不断开的能力。
在这种情况下,在无机封装区域CVD中,可以沿着第一子电压供应线VSL1的侧表面产生气隙OP。因此,在无机封装区域CVD中,可以沿着第一子电压供应线VSL1的侧表面形成空气或湿气从外部通过气隙OP沿着其渗透的路径MP1。当第一电压供应线VSL包括多个第一防潮图案TP1时,第一电压供应线VSL的侧表面的长度可以包括多个第一防潮图案TP1的圆周的长度之和。因此,当第一电压供应线VSL包括多个第一防潮图案TP1时,与没有多个第一防潮图案TP1的第一电压供应线VSL相比,第一电压供应线VSL的侧表面的长度可以变得较长。因此,外部空气或湿气通过气隙OP的路径MP1可以由于多个第一防潮图案TP1而变得较长。结果,由于多个第一防潮图案TP1,能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,即使无机封装区域的宽度减小,也能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。
图13是示出沿着图9的线G-G'截取的显示面板的示例的剖视图。
参照图13,在堤区域BNKA中,第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1可以设置在作为有机层的第一子堤BNK1上。第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1可以一体地形成。也就是说,第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1可以由相同的材料制成,并且可以设置在同一层上。
另一方面,在第一非显示区域NDA1中,与堤区域BNKA不同,第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1设置在作为有机层的第一有机层160上。将省略冗余的描述。
图14是示出沿着图9的线G-G'截取的显示面板的另一示例的剖视图。
图14的实施例与图13的实施例的不同之处在于:在堤区域BNKA中,第二子堤BNK2设置在第一子电压供应线VSL1上,但是第二子堤BNK2不设置在多个第一防潮图案TP1上。
参照图14,在堤区域BNKA中,第一子电压供应线VSL1可以设置在第一子堤BNK1上,并且第二子堤BNK2可以设置在第一子电压供应线VSL1上。相反,多个第一防潮图案TP1可以设置在第二层间介电层142上,并且第二子堤BNK2可以不设置在多个第一防潮图案TP1上。也就是说,多个第一防潮图案TP1可以不与堤BNK叠置。因此,由于无机封装区域CVD的气隙OP不连接到作为有机层且用作渗透路径的第二子堤BNK2,因此能够进一步延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。在这种情况下,当从顶部观看时,已经从其去除了堤BNK的区域可以具有多边形形状(诸如三角形、正方形)、圆形或椭圆形形状。
图15是示出沿着图9的线G-G'截取的显示面板的又一示例的剖视图。
图15的实施例与图13的实施例的不同之处在于:在堤区域BNKA中,第二子堤BNK2设置在第一子电压供应线VSL1上,但是第二子堤BNK2不设置在多个第一防潮图案TP1上。
参照图15,在堤区域BNKA中,第一子电压供应线VSL1和多个第一防潮图案TP1可以设置在第一子堤BNK1上。在堤区域BNKA中,第二子堤BNK2可以设置在第一子电压供应线VSL1上,而第二子堤BNK2可以不设置在多个第一防潮图案TP1上。也就是说,多个第一防潮图案TP1可以不与第二子堤BNK2、第三子堤BNK3和第四子堤BNK4叠置。因此,由于无机封装区域CVD的气隙OP不连接到作为有机层且用作渗透路径的第二子堤BNK2,因此能够进一步延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。在这种情况下,当从顶部观看时,已经从其去除了第二子堤BNK2、第三子堤BNK3和第四子堤BNK4的区域可以具有多边形(诸如三角形和正方形)、圆形或椭圆形形状。
图16是详细示出根据另一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
除了当从顶部观看时多个第一防潮图案TP1和多个第二防潮图案TP2中的每者具有三角形形状之外,图16的实施例与图7B的实施例基本上相同,因此,为了便于解释图16,将省略冗余的描述。
图17是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
除了当从顶部观看时多个第一防潮图案TP1和多个第二防潮图案TP2中的每者具有矩形形状之外,图17的实施例与图7B的实施例基本上相同,因此,为了便于解释图17,将省略冗余的描述。
尽管当从顶部观看时,多个第一防潮图案TP1和多个第二防潮图案TP2中的每个在图8中所示的示例中具有椭圆形形状,在图16中所示的示例中具有三角形形状,并且在图17中所示的示例中具有矩形形状,但是将理解的是,在此描述的实施例不限于此。当从顶部观看时,多个第一防潮图案TP1和多个第二防潮图案TP2可以具有除了三角形或矩形之外的多边形形状、圆形形状或不规则形状。
图18是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。图19是示出在图18的无机封装区域中的第一电压供应线的布局图。
图18和图19的实施例与图7B和图8的实施例的不同之处在于:无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸不同于堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸。以下描述将集中于差异。
参照图9、图18和图19,无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”中的每个的尺寸可以大于堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸。例如,如图18中所示的无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”中的每个在第一方向(X轴方向)上的长度c可以大于如图18中所示的堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个在第一方向(X轴方向)上的长度a。此外,如图18中所示的无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”中的每个在第二方向(Y轴方向)上的长度d可以大于如图18中所示的堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个在第二方向(Y轴方向)上的长度b(还请见图19)。
由于无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”中的每个的尺寸不同于堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸,因此无机封装区域CVD中的第一防潮图案TP1”的长度和/或宽度可以不同于堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1的长度和/或宽度。此外,由于无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”中的每个的尺寸不同于第一非显示区域NDA1中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸,因此无机封装区域CVD中的第一防潮图案TP1”的长度和/或宽度可以不同于第一非显示区域NDA1中的多个第一防潮图案TP1的长度和/或宽度。防潮图案的尺寸差异可以以“单位面积”为参考,其中,单位面积可以是预定面积。例如,单位面积可以等于由第一方向(X轴方向)上的xμm和第二方向(Y轴方向)上的yμm限定的面积。
当无机封装区域CVD的宽度随着显示区域DA扩大同时非显示区域NDA减小而减小时,通过增大无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”的尺寸,外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP1可以等于或大于540μm。也就是说,无机封装区域CVD的多个第一防潮图案TP1”中的每个的尺寸根据无机封装区域CVD的宽度而变化,但是堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸可以不必如此。因此,无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”中的每个的尺寸可以大于堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸。
此外,无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1”中的每个的尺寸可以大于坝区域DAMA和第一非显示区域NDA1中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸。在这种情况下,坝区域DAMA和第一非显示区域NDA1中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸可以与堤区域BNKA中的多个第一防潮图案TP1中的每个的尺寸基本上相同。然而,将理解的是,在此描述的实施例不限于此。
此外,无机封装区域CVD中的多个第二防潮图案TP2”中的每个的尺寸可以大于堤区域BNKA中的多个第二防潮图案TP2中的每个的尺寸。此外,无机封装区域CVD中的多个第二防潮图案TP2”中的每个的尺寸可以大于坝区域DAMA和第一非显示区域NDA1中的多个第二防潮图案TP2中的每个的尺寸。在这种情况下,坝区域DAMA和第一非显示区域NDA1中的多个第二防潮图案TP2中的每个的尺寸可以与堤区域BNKA中的多个第二防潮图案TP2中的每个的尺寸基本上相同。然而,将理解的是,在此描述的实施例不限于此。
在这种情况下,由于无机封装区域CVD中的多个第二防潮图案TP2”中的每个的尺寸不同于堤区域BNKA中的多个第二防潮图案TP2中的每个的尺寸,因此无机封装区域CVD中的第二防潮图案TP2”的长度和/或宽度可以不同于堤区域BNKA中的多个第二防潮图案TP2的长度和/或宽度。此外,由于无机封装区域CVD中的多个第二防潮图案TP2”中的每个的尺寸不同于第一非显示区域NDA1中的多个第二防潮图案TP2中的每个的尺寸,因此无机封装区域CVD中的第二防潮图案TP2”的长度和/或宽度可以不同于第一非显示区域NDA1中的多个第二防潮图案TP2的长度和/或宽度。防潮图案的尺寸差异可以以“单位面积”为参考,其中,单位面积可以是预定面积。例如,单位面积可以等于由第一方向(X轴方向)上的xμm和第二方向(Y轴方向)上的yμm限定的面积。
图20是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。图21是示出在图20的无机封装区域中的第一电压供应线的布局图。
图20和图21的实施例与图7B和图8的实施例的不同之处在于:无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'中的每个从第一子电压供应线VSL1的一侧凹入。以下描述将集中于差异。
参照图20和图21,无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'中的每个可以具有诸如从第一子电压供应线VSL1的一侧在第一方向(X轴方向)上凹入的凹槽的形状。当从顶部观看时,凹槽可以具有矩形形状,但是在此描述的实施例不限于此。当从顶部观看时,凹槽可以具有除了矩形之外的多边形形状(诸如三角形、圆形或椭圆形)。
在无机封装区域CVD中,可以沿着第一子电压供应线VSL1的侧表面形成气隙OP(见图12C)。因此,在无机封装区域CVD中,可以沿着第一子电压供应线VSL1的侧表面形成路径MP3,空气或湿气从外部通过气隙OP(见图12C)沿着路径MP3渗透。当第一电压供应线VSL包括多个第一防潮图案TP1'时,第一电压供应线VSL的侧表面的长度可以包括多个第一防潮图案TP1'的外缘的长度之和。因此,当第一电压供应线VSL包括多个第一防潮图案TP1'时,与没有多个第一防潮图案TP1'的第一电压供应线VSL相比,第一电压供应线VSL的侧表面的长度可以变得较长。因此,由于多个第一防潮图案TP1',外部空气或湿气通过气隙OP(见图12C)的路径MP3可以变得较长。结果,由于多个第一防潮图案TP1',能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,即使无机封装区域的宽度减小,也能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。
多个第一防潮图案TP1'中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度e可以大于在第二方向(Y轴方向)上的长度f,但是在此描述的实施例不限于此。随着多个第一防潮图案TP1'中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度e和在第二方向(Y轴方向)上的长度f增大,多个第一防潮图案TP1'中的每个的外缘可以变得较长。近来,为了加宽显示区域DA,减小了非显示区域NDA。因此,无机封装区域CVD的宽度减小。尽管第一防潮图案TP1'的数量随着无机封装区域CVD的宽度减小而减少,但是当多个第一防潮图案TP1'中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度e和/或在第二方向(Y轴方向)上的长度f增大时,外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP3可以不减小。根据由申请的发明人进行的实验,如果外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP3为540μm或更大,则能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
表2示出了无机封装区域CVD的宽度、第一防潮图案TP1'的数量、第一防潮图案TP1'的在第一方向(X轴方向)上的长度e和在第二方向(Y轴方向)上的长度f以及在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'的总周长。
[表2]
在表2中,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'的总周长可以被限定为“2(e+f)×n”。
参照表2,当无机封装区域CVD的宽度为50μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有125μm的长度e和在第二方向(Y轴方向)上具有20μm的长度f的两个第一防潮图案TP1'时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'的总周长可以为大约580μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP3等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
当无机封装区域CVD的宽度为25μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有132μm的长度e和在第二方向(Y轴方向)上具有10μm的长度f的两个第一防潮图案TP1'时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'的总周长可以为大约568μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP3等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
当无机封装区域CVD的宽度为50μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有135μm的长度e和在第二方向(Y轴方向)上具有10μm的长度f的两个第一防潮图案TP1'时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'的总周长可以为大约580μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP3等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
当无机封装区域CVD的宽度为25μm并且设置了在第一方向(X轴方向)上具有137μm的长度e和在第二方向(Y轴方向)上具有5μm的长度f的两个第一防潮图案TP1'时,在无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'的总周长可以为大约568μm。在这种情况下,因为外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP3等于或大于540μm,所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。
正如从表2可以看出的,即使无机封装区域CVD的宽度减小,也能够通过调节第一防潮图案TP1'的数量以及第一防潮图案TP1'的在第一方向(X轴方向)上的长度e和在第二方向(Y轴方向)上的长度f来控制无机封装区域CVD中的多个第一防潮图案TP1'的总周长。例如,尽管第一防潮图案TP1'的数量随着无机封装区域CVD的宽度减小而减少,但是通过增大多个第一防潮图案TP1'中的每个的在第一方向(X轴方向)上的长度e和/或在第二方向(Y轴方向)上的长度f,外部空气或湿气通过无机封装区域CVD中的气隙OP(见图12C)的路径MP3可以等于或大于540μm。因此,由于多个第一防潮图案TP1',所以能够延迟或防止外部空气或湿气的渗透。因此,即使无机封装区域的宽度减小,也能够防止与无机封装区域相邻的发射区域的有机发光元件被空气或湿气损坏。
此外,在无机封装区域CVD中的多个第二防潮图案TP2'中的每个可以具有诸如从第三子电压供应线VDL1的一侧在第一方向(X轴方向)上凹入的凹槽的形状。当从顶部观看时,凹槽可以具有矩形形状,但是在此描述的实施例不限于此。当从顶部观看时,凹槽可以具有除了矩形之外的多边形形状(如三角形)、圆形或椭圆形的形状。此外,多个第二防潮图案TP2'与多个第一防潮图案TP1'基本上相同,因此,将省略冗余的描述。
图22是示出沿着图21的线F-F'截取的显示面板的示例的剖视图。
参照图22,第一子电压供应线VSL1可以设置在第一子堤BNK1上。第一子电压供应线VSL1可以在第二方向(Y轴方向)上彼此间隔开第一防潮图案TP1'的长度f。
图23是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
除了当从顶部观看时由多个第一防潮图案TP1'和多个第二防潮图案TP2'形成的凹槽中的每个具有三角形形状之外,图23的实施例与图20的实施例基本上相同,因此,为了便于解释图23,将省略冗余的描述。
图24是详细示出根据又一实施例的坝区域、无机封装区域和堤区域的布局图。
除了以下方面之外,图24的实施例与图7B的实施例基本上相同,所述方面在于:在无机封装区域CVD中设置了从第一子电压供应线VSL1的一侧突出的多个第一防潮图案TP1以及从第一子电压供应线VSL1的所述一侧凹入的多个第一防潮图案TP1',因此,为了便于解释图24,将省略冗余的描述。
尽管在此已经描述了某些实施例和实施方式,但是根据该描述,其它实施例和修改将是明显的。因此,发明构思不限于这些实施例,而是限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员而言将是明显的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。
Claims (10)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
基底,包括显示区域和非显示区域;
像素电极,设置在所述基底的所述显示区域中;
有机发射层,设置在所述像素电极上;
共电极,设置在所述有机发射层上;
第一无机封装层,设置在所述共电极上;
有机封装层,设置在所述第一无机封装层上;
第二无机封装层,设置在所述有机封装层上;
坝,设置在所述基底的所述非显示区域中;
堤,设置在所述基底的所述非显示区域中并且设置为比所述坝靠近所述基底的外围边缘;
无机封装区域,在所述基底的所述非显示区域中位于所述坝与所述堤之间,其中,所述第一无机封装层在所述无机封装区域中与所述第二无机封装层接触;以及
第一电压供应线,在所述基底的所述非显示区域中设置在设置有所述坝的坝区域中、设置有所述堤的堤区域中以及所述无机封装区域中,
其中,所述第一电压供应线包括:第一子电压供应线;以及多个防潮图案,从所述第一子电压供应线的一侧突出并设置在所述无机封装区域中。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个防潮图案在平面图中具有圆形、椭圆形和多边形形状中的一种或更多种,并且
其中,设置在所述无机封装区域中的所述多个防潮图案的总周长等于或大于540μm。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一电压供应线在第一方向上延伸,并且
其中,所述多个防潮图案中的每个在所述第一方向上的尺寸等于所述多个防潮图案中的每个在与所述第一方向交叉的第二方向上的尺寸,或者小于所述多个防潮图案中的每个在与所述第一方向交叉的所述第二方向上的尺寸。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个防潮图案还设置在所述堤区域中,并且
其中,设置在所述无机封装区域中的所述多个防潮图案中的一个的尺寸不同于设置在所述堤区域中的所述多个防潮图案中的一个的尺寸。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,所述堤包括:
第一堤,设置在所述基底上;
第二堤,设置在所述第一堤上;
第三堤,设置在所述第二堤上;以及
第四堤,设置在所述第三堤上。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个防潮图案设置在所述第一堤上。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述多个防潮图案不与所述第二堤、所述第三堤和所述第四堤叠置。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个防潮图案还设置在所述堤区域中,并且
其中,所述无机封装区域中的所述多个防潮图案的长度和宽度中的至少一者分别不同于所述堤区域中的所述多个防潮图案的长度和宽度。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个防潮图案还设置在所述坝区域与所述显示区域之间的第一非显示区域中,并且
其中,设置在所述无机封装区域中的所述多个防潮图案中的一个的尺寸不同于设置在所述第一非显示区域中的所述多个防潮图案中的一个的尺寸。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第一电压供应线还包括:第二子电压供应线,通过所述第一非显示区域中的第一子电压供应接触孔连接到所述第一子电压供应线,并且
其中,所述第一子电压供应接触孔位于所述坝区域中。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020200154492A KR20220068302A (ko) | 2020-11-18 | 2020-11-18 | 표시 장치 |
KR10-2020-0154492 | 2020-11-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114551516A true CN114551516A (zh) | 2022-05-27 |
Family
ID=81587962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111299561.2A Pending CN114551516A (zh) | 2020-11-18 | 2021-11-04 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11856812B2 (zh) |
KR (1) | KR20220068302A (zh) |
CN (1) | CN114551516A (zh) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102314470B1 (ko) | 2015-03-09 | 2021-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102399574B1 (ko) * | 2015-04-03 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI568053B (zh) | 2015-09-17 | 2017-01-21 | 群創光電股份有限公司 | 有機發光二極體顯示裝置 |
KR102555323B1 (ko) * | 2016-09-28 | 2023-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102631989B1 (ko) * | 2016-10-31 | 2024-01-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102320938B1 (ko) | 2017-03-20 | 2021-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102354977B1 (ko) * | 2017-07-03 | 2022-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20200062445A (ko) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102617275B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2023-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20200072890A (ko) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광표시장치 |
-
2020
- 2020-11-18 KR KR1020200154492A patent/KR20220068302A/ko active Search and Examination
-
2021
- 2021-06-01 US US17/335,071 patent/US11856812B2/en active Active
- 2021-11-04 CN CN202111299561.2A patent/CN114551516A/zh active Pending
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220068302A (ko) | 2022-05-26 |
US11856812B2 (en) | 2023-12-26 |
US20220158126A1 (en) | 2022-05-19 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination |