CN108630824A - 电致发光装置 - Google Patents
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- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 149
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 43
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 36
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 31
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 16
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 12
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 8
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 3
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 238000000205 computational method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N molecular nitrogen;molecular oxygen Chemical compound N#N.O=O DOTMOQHOJINYBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000006839 xylylene group Chemical group 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
提供了一种电致发光装置,所述电致发光装置包括下结构和柔性封装多层。下结构可具有发射区和围绕发射区的外围区。柔性封装多层可设置在发射区和外围区上。外围区可包括无机表面部,无机表面部具有连续地围绕显示区的封闭形状并且包括一种或更多种无机材料。柔性封装多层可包括下表面,下表面仅包括一种或更多种无机材料。柔性封装多层的下表面可与无机表面部直接接触。
Description
本申请要求于2017年3月20日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0034772号申请的优先权和权益,所述韩国申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的示例实施例的一个或更多个方面涉及一种电致发光装置。
背景技术
有机发光显示器包括电致发光单元,其中,电致发光单元包括空穴注入电极、电子注入电极以及形成在空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发光层。有机发光显示器是自发射型显示装置,通过从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子的结合而从有机发光层产生激子,自发射型显示装置在激子从激发态跃迁到基态时发光。
因为作为自发射型显示装置的有机发光显示装置不需要额外光源,所以它可在低压下驱动、可为轻薄型显示装置并且可具有诸如宽视角、高对比度和快响应速度的高质量特性。因此,有机发光显示装置作为下一代显示装置正在吸引极大关注。然而,因为电致发光单元会被外部湿气和/或氧劣化,所以期望防止或阻挡外部湿气和/或氧等渗透到电致发光单元中。
在该背景技术部分中公开的上述信息是为了用于增强对本发明的背景的理解,因此,它可包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的一个或更多个方面针对一种具有改善的封装特性的电致发光装置。
根据本发明的一个或更多个方面,一种电致发光装置可包括下结构和柔性封装多层。下结构可具有发射区和围绕发射区的外围区。下结构可包括无机绝缘膜、绝缘膜和电致发光单元。柔性封装多层可设置在发射区和外围区上。外围区可包括基本围绕发射区并且仅包括一种或更多种无机材料的无机表面部。柔性封装多层可包括下表面,下表面仅包括一种或更多种无机材料。整个无机表面部可直接接触柔性封装多层的下表面。下结构可包括下封装无机膜,下封装无机膜在下结构的表面下方水平地延伸成与发射区和外围区垂直对应。下结构的设置在下封装无机膜与全部的无机表面部之间的部分可仅包括一种或更多种无机材料。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部可包括具有第一平均宽度的第一区和具有第二平均宽度的第二区,第一平均宽度和第二平均宽度可基本彼此不同。
在一个或更多个示例实施例中,第一区和第二区可位于下结构的相同侧处。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部的第一区可与下结构的第一侧完全对应,无机表面部的第二区可与下结构的第二侧完全对应,下结构的第一侧与第二侧不同。
在一个或更多个示例实施例中,第一区可具有第一部和第二部,第一部具有比第一平均宽度相对较小的第三平均宽度,第二部具有比第一平均宽度相对较大的第四平均宽度。
在一个或更多个示例实施例中,绝缘膜可位于无机绝缘膜上,电致发光单元可具有设置在绝缘膜上的下电极、设置在下电极上的中间膜以及设置在中间膜上的上电极。无机表面部在平面图可位于上电极外部。下电极可直接设置在绝缘膜的顶表面上,整个无机表面部可设置为相对较低于绝缘膜的顶表面。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部可具有包括彼此分隔开的多个无机表面分支的至少一个区域。外围区可包括设置在无机表面分支之间的有机表面部。有机表面部可包括有机材料并且可基本围绕发射区。有机表面部可在平面图被柔性封装多层的下表面与无机表面部直接接触的界面基本上围绕。无机表面分支可包括外无机表面分支和内无机表面分支,外无机表面分支位于比有机表面部相对更靠外,内无机表面分支位于比有机表面部相对更靠内。下结构还可包括总线布线和辅助上电极,总线布线在无机绝缘膜的顶表面上沿发射区的外围延伸,辅助上电极在绝缘膜的侧表面和顶表面上沿发射区的外围延伸以电接触总线布线的顶表面和上电极的底表面两者。内无机表面分支可包括辅助上电极的顶表面的至少一部分因而具有比外无机表面分支的高度相对较大的高度。总线布线的表面的一部分可直接接触柔性封装多层的下表面,总线布线的所述表面的所述一部分可比有机表面部距离发射区相对较远。
在一个或更多个示例实施例中,电致发光装置可能够被终端用户进行折曲、弯曲、折叠、卷绕或拉伸。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部可包括均包括无机绝缘膜的顶表面部、总线布线的侧表面部和总线布线的顶表面部的至少两个台阶表面部。总线布线可具有外边缘部和与外边缘部相对的内边缘部。总线布线的外边缘部可比总线布线的内边缘部距离发射区相对较远,总线布线的外边缘部可位于柔性封装多层的下表面下方。总线布线的外边缘部可不与柔性封装多层的下表面直接接触。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部还可包括均包括无机绝缘膜的顶表面部、辅助上电极的侧表面部和辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部。辅助上电极可具有外边缘部和与外边缘部相对的内边缘部。辅助上电极的外边缘部可比辅助上电极的内边缘部距离发射区相对较远,输助上电极的外边缘部可位于柔性封装多层的下表面下方。辅助上电极的外边缘部可不与柔性封装多层的下表面直接接触。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部还可包括均包括总线布线的顶表面部、辅助上电极的侧表面部和辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部。辅助上电极可具有外边缘部和与外边缘部相对的内边缘部。辅助上电极的外边缘部可比辅助上电极的内边缘部距离发射区相对较远。辅助上电极的外边缘部可位于柔性封装多层的下表面下方并且可不与柔性封装多层的下表面直接接触。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部还可包括均包括无机绝缘膜的顶表面部、辅助上电极的侧表面部和辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部。无机表面部还可包括均包括总线布线的顶表面部、辅助上电极的侧表面部和辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部。辅助上电极可具有外边缘部和与外边缘部相对的内边缘部。辅助上电极的外边缘部可比辅助上电极的内边缘部距离发射区相对较远。辅助上电极的外边缘部可位于柔性封装多层的下表面下方并且可不与柔性封装多层的下表面直接接触。
在一个或更多个示例实施例中,总线布线的所述表面的直接接触柔性封装多层的下表面的所述一部分可包括在外无机表面分支中。
在一个或更多个示例实施例中,有机表面部可具有被开口敞开的形状以间断地围绕发射区。无机表面部的第一区可与下结构的设置有开口的第一侧完全对应。无机表面部的第二区可与下结构的未设置有开口的第二侧完全对应。第一区的第一平均宽度可相对较大于第二区的第二平均宽度。
在一个或更多个示例实施例中,外围区可包括无机结构,无机结构具有边缘,所述边缘具有侧表面和上表面。无机表面部可包括所述边缘的侧表面和上表面。所述边缘的侧表面和上表面可直接接触柔性封装多层。所述边缘可从无机表面部的外边缘延伸到无机边缘部的内边缘,无机表面部的内边缘位于与外边缘相对的位置。所述边缘的侧表面可包括从由凸部、凹部、成角部、倒圆部以及基本沿着无机表面部延伸所沿的方向延伸的部分组成的组中独立选择的至少两个。
在一个或更多个示例实施例中,无机结构可包括第一无机膜和设置在第一无机膜上的第二无机膜。第二无机膜的硬度可相对较大于第一无机膜的硬度。
在一个或更多个示例实施例中,外围区可包括导电膜,导电膜向电致发光单元提供电信号并且具有穿透导电膜的孔,导电膜位于从无机表面部的内边缘向内的位置并且是对准标记。导电膜可以是沿发射区的外围延伸的辅助上电极,并且电接触电致发光单元的上电极。
在一个或更多个示例实施例中,无机表面部可具有至少一个凹进。凹进可以是穿过第二无机层上的第一无机层而形成的孔,使得第二无机层的顶表面通过孔暴露并且变成凹进的底表面。第一无机层可仅包括一个或更多个无机膜,第二无机层可仅包括一个或更多个无机膜。
在一个或更多个示例实施例中,凹进可具有突起,突起具有不超过凹进的深度的高度。
在一个或更多个示例实施例中,凹进中的至少两个可在平面图中具有基本不同的形状。
附图说明
通过下面参照附图对示例实施例的详细描述,本发明的上述和其它方面和特征对于本领域技术人员来说将变得更明显,在附图中:
图1是示出根据本发明的示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图2是沿图1的线A1-A1'截取的剖视图;
图3是示出图2的显示装置中的柔性封装多层的修改示例的剖视图;
图4是示出图2的显示装置中的柔性封装多层的另一修改示例的剖视图;
图5是图1的区域S的放大图;
图6是沿图5的线A2-A2'截取的剖视图;
图7是示出图6的修改示例的剖视图;
图8是示出图6的另一修改示例的剖视图;
图9是沿图5的线A3-A3'截取的剖视图;
图10是沿图1的线A4-A4'截取的剖视图;
图11是示出图5的修改示例的图;
图12是示出图5的另一修改示例的图;
图13是示出根据本发明的另一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图14是沿图13的线A5-A5'截取的剖视图;
图15是示出图14的修改示例的剖视图;
图16是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图17是沿图16的线A6-A6'截取的剖视图;
图18是示出图17的修改示例的剖视图;
图19是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图20是沿图19的线A7-A7'截取的剖视图;
图21是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图22是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图23是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图24是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图25是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图26是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图27是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图28是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图29是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图30是图29的区域T的放大图;
图31是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图32是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图;
图33是示出根据本发明的又一示例实施例的显示装置的示意性平面图。
具体实施方式
以下,将参照附图更详细地描述示例实施例,在附图中,同样的附图标记始终表示同样的元件。然而,本发明可以以各种不同的形式来实施并且不应该被解释为局限于仅在这里示出的示例实施例。相反,提供这些示例实施例作为示例使得本公开将是彻底的和完整的,并将向本领域技术人员充分地传达本发明的方面和特征。因此,为了完整地理解本发明的方面和特征而对于本领域普通技术人员而言不必要的工艺、元件和技术可不描述。除非另有说明,否则同样的附图标记贯穿附图和书面描述表示同样的元件,因此,可不重复它们的描述。
在附图中,为了清楚起见,可对元件、层和区域的相对尺寸进行夸大和/或简化。为了便于解释,诸如“在……之下”、“在……下面”、“下”、“在……下方”、“在……上面”和“上”等的空间相对术语可在这里使用以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。将理解的是,除了在附图中描绘的方位之外,空间相对术语还意图包括装置在使用中或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”或“下方”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上面”。因此,示例术语“在……下面”和“在……下方”可包括上面和下面两种方位。装置可被另外定位(例如,旋转90度或在其它方位),并应相应地解释这里使用的空间相对描述符。
将理解的是,尽管这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,下面描述的第一元件、组件、区域、层或部分可被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
将理解的是,当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时,它可直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层,或者可存在一个或更多个中间的元件或层。另外,也将理解的是,当元件或层被称为在两个元件或层“之间”时,它可以是所述两个元件或层之间的唯一的元件或层,或者也可存在一个或更多个中间的元件或层。
这里所使用的术语出于描述具体示例实施例的目的,而不意图限制本发明。除非上下文另外清楚地表示,否则如这里使用的单数形式的“一个”、“一种(者)”和“该(所述)”也意图包括复数形式。还将理解的是,当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”和“具有”时,说明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后时,修饰整列元件而不修饰所述列的单个元件。
如在这里使用的,术语“基本”、“大约”以及类似术语被用作近似的术语而非程度的术语,并意在说明本领域普通技术人员将认识到测量值或计算值中的固有偏差。此外,当描述本发明的示例实施例时使用“可以”表示“本发明的一个或更多个示例实施例”。如这里使用的,术语“使用”可被认为与术语“利用”同义。另外,术语“示例性”意图表示示例或举例说明。
除非另有定义,否则在这里所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是,除非这里明确地这样定义,否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与相关领域的背景和/或本说明书中的它们的意思一致的意思,并且将不应以理想化或过于形式化的意义来解释。
“它仅包括无机材料”的表述所表示的是,它仅包括一种或更多种无机材料,而不表示它仅包括一种无机材料。此外,“它仅包括有机材料”的表述所表示的是,它仅包括一种或更多种有机材料,而不表示它仅包括一种有机材料。术语“‘元件’部分”表示整个“元件”的至少一部分。例如,术语“无机表面部”表示的是整个无机表面的至少一部分。当“元件”部分在平面图中彼此分离时可计算“元件”部分的数量,从而不可将多个“元件”部分合并成一个“元件”部分。
以下,将参照附图描述本发明的示例实施例。
图1是示出根据本发明的示例实施例的显示装置的示意性平面图。图2是沿着图1的线A1-A1'截取的剖视图,其中,下结构和柔性封装多层彼此分离。图3是示出图2的显示装置中的柔性封装多层的修改示例的剖视图。图4是示出图2的显示装置中的柔性封装多层的另一个修改示例的剖视图。图5是图1的区域S的放大图。图6是沿着图5的线A2-A2'截取的剖视图。图7是示出图6的修改示例的剖视图。图8是示出图6的另一个修改示例的剖视图。图9是沿着图5的线A3-A3'截取的剖视图。图10是沿着图1的线A4-A4'截取的剖视图。
参照图1至图4,如图1和图2所示,根据本发明的示例实施例的显示装置1000包括下结构100和设置在下结构100上的柔性封装多层210。
下结构100是包括诸如电致发光单元的用于实现(或者显示)图像的元件(或者组件)的显示基底,并包括用于显示图像的显示区DA和围绕显示区DA(例如,位于显示区DA周围)的外围区PA。这里,也可以把显示区称为发射区。在一个或更多个示例实施例中,下结构100可以是可弯曲的显示基底、可折叠的显示基底、可卷绕的显示基底、可拉伸的显示基底和柔性显示基底中的任何一种。
下结构100的外围区PA包括无机表面部30。无机表面部30表示下结构100的面对柔性封装多层210的表面的一部分,所述一部分位于外围区PA处并且仅包括一种或更多种无机材料。
无机表面部30可包括无机绝缘膜的表面、导电无机布线(例如,金属布线)的表面或者两者都包括。包括在外围区PA中的无机表面部30可具有围绕(例如,连续围绕)整个显示区DA的封闭形状。说明性地,参照图1,假设下结构100的左下角是起点,则无机表面部30可包括沿逆时针方向按顺序布置的沿第一方向x1延伸的一部分、沿第二方向y1延伸的一部分、沿第一方向x1的相反方向x2延伸的一部分以及沿第二方向y1的相反方向y2延伸的一部分,并且所有的部分可以是连续的。
柔性封装多层210形成在下结构100的表面(例如,整个表面)上以覆盖显示区DA和外围区PA两者。可选择地,柔性封装多层210可形成在下结构100上以覆盖外围区PA的至少一局部(或部分)和整个显示区DA。柔性封装多层210保护显示区DA的电致发光元件免受外部湿气和/或氧影响。柔性封装多层210可具有至少一个有机膜设置在至少两个无机膜之间的至少一种三明治结构。在示例性示例实施例中,如图2所示,柔性封装多层210可包括第一无机膜211、设置在第一无机膜211上的第二无机膜215以及设置在第一无机膜211与第二无机膜215之间的有机膜213。第二无机膜215可完全覆盖有机膜213,并且可不覆盖第一无机膜211的侧表面。
第一无机膜211和第二无机膜215包括无机材料。所述无机材料可以是金属氧化物和/或金属氮化物。例如,所述无机材料可包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)或它们的组合。有机膜213包括有机材料。所述有机材料的示例可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯树脂、环氧树脂、尿烷树脂、纤维素树脂、二萘嵌苯树脂或它们的组合。
然而,柔性封装多层210的结构不限于此。
图3和图4示出图2的柔性封装多层210的修改示例。如图3所示,柔性封装多层220可包括第一无机膜221、设置在第一无机膜221上的第一有机膜223、设置在第一有机膜223上以完全覆盖第一有机膜223的第二无机膜225、设置在第二无机膜225上的第二有机膜227以及设置在第二有机膜227上以完全覆盖第二有机膜227的第三无机膜229。如图3所示,第二无机膜225可不覆盖第一无机膜221的侧表面,第三无机膜229可不覆盖第一无机膜221的侧表面和第二无机膜225的侧表面。然而,本发明不限于此,在另一示例实施例中,第三无机膜229可覆盖第一无机膜221的侧表面和第二无机膜225的侧表面。
如图4所示,柔性封装多层230可包括第一无机膜231、设置在第一无机膜231上的有机膜233以及设置在有机膜233上的第二无机膜235。第二无机膜235可全部覆盖有机膜233,并且可覆盖第一无机膜231的侧表面。
参照图2至图4描述的所有的柔性封装多层210、220和230具有多层结构,面对下结构100的下表面是第一无机膜211、221和231的下表面。也就是说,所有的柔性封装多层210、220和230的下表面仅包括一种或更多种无机材料。柔性封装多层210、220和230中的每个的仅包括一种或更多种无机材料的下表面与以上描述的下结构100的无机表面部30直接接触以形成无机-无机结。换句话说,柔性封装多层210、220和230中的每个的下表面与下结构100的无机表面部30直接接触以形成密封区,密封区仅通过一种或更多种无机材料形成。
当密封区中存在有机材料时,难以防止或者基本上防止湿气渗透。另一方面,在显示装置1000的情况下,因为密封区仅通过一种或更多种无机材料形成,所以可改善封装性能。
以下,为了便于解释,将作为示例更详细地描述显示装置1000包括图2所示的柔性封装多层210的情况。
参照图5至图10,如图5和图6所示,下结构100的外围区PA可包括基底101、设置在基底101上的第一下无机膜111、设置在第一下无机膜111上的第二下无机膜113以及设置在第二下无机膜113上的无机结构40。
基底101可支撑整个显示装置1000并保持刚性。基底101可具有平坦或基本平坦的上表面,并且可包括透明绝缘材料。例如,基底101可包括诸如聚醚砜(PES)和聚丙烯酸酯(PAR)的塑性材料的柔性材料。另一方面,基底101可包括诸如金属和碳纤维的不透明材料。为实现柔性显示装置,基底101也可包括诸如聚酰亚胺(PI)膜的塑性材料。然而,本发明不限于此,基底101可包括玻璃或任何适合的材料。
第一下无机膜111形成在基底101上。第一下无机膜111至少与显示区DA叠置。例如,第一下无机膜111可形成在设置在显示区DA中的诸如电致发光单元的显示元件下方,可形成为与显示元件相邻,或者可形成为与设置在显示元件中的任何一个构件(或组件)相邻。
第一下无机膜111形成在显示区DA中,并且可延伸到外围区PA的一局部(或部分)。第一下无机膜111可包括缓冲膜、栅极绝缘膜和/或层间绝缘膜中的任何一个,这将在下面更详细地描述,但本发明不限于此。另外,第一下无机膜111可以是金属布线。
第二下无机膜113可形成在第一下无机膜111上。与第一下无机膜111相似,第二下无机膜113可形成在显示区DA中,并且可延伸到外围区PA的一局部(或部分)。在一个或更多个示例实施例中,第二下无机膜113可包括各种无机膜,只要其位于第一下无机膜111上即可。说明性地,当第一下无机膜111是随后将更详细地描述的缓冲膜时,第二下无机膜113可以是随后将更详细地描述的栅极绝缘膜和层间绝缘膜中的任何一个。然而,本发明不限于此,第二下无机膜113可包括包含无机材料的各种结构,例如,各种金属布线。
无机结构40可以是无机绝缘膜或导电无机布线(例如,金属布线)。
无机结构40可与柔性封装多层210的第一无机膜211直接接触。
当从平面图观察时,无机结构40的边缘可包括从无机表面部30的外边缘OE延伸到无机表面部30的内边缘IE的部分。此外,无机结构40的所述边缘的所述部分可包括凸部40a1和凹部40a2中的至少一个。如上所述,无机结构40与柔性封装多层210的第一无机膜211直接接触,由无机结构产生台阶,使得在第一无机膜211与无机结构40之间会形成空洞Vo。
当无机结构40以直线的形状延伸时,在许多情况下,空洞Vo也线性地生长。在这种情况下,湿气和/或氧等会穿过空洞Vo而从外部渗透到显示装置1000中。
另一方面,在显示装置1000的情况下,无机结构40的边缘包括凸部40a1和凹部40a2中的至少一个。因此,即使空洞Vo在无机结构40的沿第一方向x1延伸的边缘周围形成并生长时,凸部40a1或凹部40a2的侧边处也减少或消除了空洞Vo。具体地,当形成多个凸部40a1或多个凹部40a2时,更可靠地减少或消除了空洞Vo。因此,可改善外围区PA中的封装可靠性。
无机结构40可如图6所示具有单层结构,但本发明不限于此。
图7和图8示出图6的无机结构40的修改示例。
说明性地,如图7所示,无机结构41可包括设置在第二下无机膜113上的第一无机膜411和设置在第一无机膜411上的第二无机膜413。
在一个或更多个示例实施例中,第一无机膜411的侧壁411a可具有相对于第二无机膜413的侧壁413a向内凹进的形状。例如,当为了形成无机结构41而将第一无机膜411和第二无机膜413图案化时,在第一无机膜411的蚀刻速率与在湿法蚀刻中使用的蚀刻溶液对应而相对快于第二无机膜413的蚀刻速率的情况下,第一无机膜411的侧壁411a可相对于第二无机膜413的侧壁413a向内凹进。
可选择地,例如,当为了形成无机结构41而通过干法蚀刻将第一无机膜411和第二无机膜413图案化时,在第一无机膜411的硬度相对低于第二无机膜413的硬度的情况下,第一无机膜411的侧壁411a可相对于第二无机膜413的侧壁413a向内凹进。
此外,如图8所示,无机结构42可包括设置在第二下无机膜113上的第一无机膜421、设置在第一无机膜421上的第二无机膜423以及设置在第二无机膜423上的第三无机膜425。
在一个或更多个示例实施例中,第二无机膜423的侧壁423a可具有相对于第一无机膜421的侧壁421a和/或第三无机膜425的侧壁425a向内凹进的形状。当在形成无机结构42的工艺中执行湿法蚀刻时,可在第二无机膜423的蚀刻速率与蚀刻溶液(例如,蚀刻液体)对应而相对快于第一无机膜421的蚀刻速率和/或第三无机膜425的蚀刻速率时形成无机结构42的形状。
此外,当在形成无机结构42的工艺中执行干法蚀刻时,当第二无机膜423的硬度相对于低于第一无机膜421的硬度和/或第三无机膜425的硬度时可实现无机结构42的上述形状。
图9是沿着图5的线A3-A3'截取的剖视图,图10是沿着图1的线A4-A4'截取的剖视图。
参照图9,第一增加粘合凹进50a可形成在外围区PA中。在一个或更多个示例实施例中,可通过去除无机结构40的一局部(或部分)来形成第一增加粘合凹进50a。因此,被第一增加粘合凹进50a暴露的表面(例如,整个表面)包括无机材料,并且包括在无机表面部30中。更具体地,因为第一增加粘合凹进50a的侧表面包括与无机结构40的材料相同的材料,所以该侧表面和无机结构40两者都仅包括一种或更多种无机材料。因为第一增加粘合凹进50a的底表面与第二下无机膜113的被部分暴露的顶表面对应,所以该底表面和该顶表面两者都包括无机材料。因此,无机表面部30与柔性封装多层210的第一无机膜211接触的面积增大,由此进一步改善了封装可靠性。
在一个或更多个示例实施例中,多个第一增加粘合凹进50a可形成在无机结构40中,并且可以以均匀或基本均匀的间隔来设置。这里,短语“基本均匀的间隔”表示的是第一增加粘合凹进50a以近似均匀的间隔来设置,而不表示第一增加粘合凹进50a以完全相等的间隔来设置。另外,在一个或更多个示例实施例中,外围区PA的局部(或部分)中可不存在第一增加粘合凹进50a。
参照图10,第二增加粘合凹进50b可形成在外围区PA中。在一个或更多个示例实施例中,可通过去除第二下无机膜113的一局部(或部分)来形成第二增加粘合凹进50b。因此,被第二增加粘合凹进50b暴露的表面(例如,整个表面)包括无机材料,并且包括在无机表面部30中。更具体地,因为第二增加粘合凹进50b的侧表面包括与第二下无机膜113的材料相同的材料,所以该侧表面和第二下无机膜113两者都仅包括一种或更多种的无机材料。因为第二增加粘合凹进50b的底表面与第一下无机膜111的被部分暴露的顶表面对应,所以该底表面和该顶表面两者都仅包括一种或更多种的无机材料。因此,无机表面部30与柔性封装多层210的第一无机膜211接触的面积增大,由此进一步改善了封装可靠性。
在一个或更多个示例实施例中,可形成多个第二增加粘合凹进50b,并且可按照均匀或基本均匀的间隔来设置所述多个第二增加粘合凹进50b。这里,术语“基本均匀的间隔”表示的是第二增加粘合凹进50b以近似均匀的间隔来设置,而不表示第二增加粘合凹进50b以完全相等的间隔来设置。另外,在一个或更多个示例实施例中,外围区PA的局部(或部分)中可不存在第二增加粘合凹进50b。
图11是示出图5的修改示例的图,图12是示出图5的另一个修改示例的图。
参照图11,与图5中所示不同,无机结构43的边缘可包括成角部。例如,无机结构43的边缘,如图11中所示,可包括沿第一方向x1延伸的第一部、从第一部沿第二方向y1的相反方向y2延伸的第二部以及从第二部沿第一方向x1延伸的第三部。这里,第一部和第二部可在它们之间形成角度(例如,预定角度),类似地,第二部和第三部可在它们之间形成角度(例如,预定角度)。即使如图11所示以这种方式把无机结构43设置为具有成角部,也产生与上面参照图6描述的效果相似的效果。
参照图12,与图11中所示不同,无机结构44的边缘可包括倒圆部。例如,无机结构44的边缘,如图12中所示,可包括沿第一方向x1延伸的第一部、从第一部沿第二方向y1的相反方向y2延伸的第二部以及从第二部沿第一方向x1延伸的第三部,位于第一部与第二部之间的倒圆的第一连接部以及位于第二部与第三部之间的倒圆的第二连接部。即使如图12所示把无机结构44设置为具有倒圆部,也产生与上面参照图6描述的效果相似的效果。
图13是示出根据本发明的另一个示例实施例的显示装置的示意性平面图,图14是沿着图13的线A5-A5'截取的剖视图,图15是示出图14的修改示例的剖视图。
参照图13和图14,显示装置1001在外围区PA中包括第一增加粘合凹进50b1和第二增加粘合凹进50b2。第一增加粘合凹进50b1可具有沿无机表面部30的边缘延伸的形状。此第一增加粘合凹进50b1可形成为多个。
与第一增加粘合凹进50b1相比,第二增加粘合凹进50b2可位于更靠近显示区DA的位置(例如,与显示区DA相邻),并且可具有连续围绕显示区DA的形状。虽然未在附图中示出,但是第二增加粘合凹进50b2可形成为多个。虽然第一增加粘合凹进50b1和第二增加粘合凹进50b2两者都示出为被形成在显示装置1001的外围区PA中,但是这仅是一个示例。即,在一个或更多个示例实施例中,可省略第一增加粘合凹进50b1和第二增加粘合凹进50b2中的任何一个。
第一增加粘合凹进50b1的延伸方向与湿气和/或氧从显示装置1001的外部朝着显示装置1001的中心渗透的方向垂直或者基本垂直。类似地,当第二增加粘合凹进50b2具有连续围绕显示区DA的形状时,第二增加粘合凹进50b2的延伸方向与湿气和/或氧从显示装置1001的外部朝着显示装置1001的中心渗透的方向垂直或者基本垂直。因此,湿气和/或氧不会渗透到显示装置1001中。
参照图14,可通过去除无机结构40的一局部(或部分)以及第二下无机膜113的一局部(或部分)来形成第一增加粘合凹进50b1和第二增加粘合凹进50b2中的每个。因此,可有效地增加无机表面部30的面积,因此,可增加无机表面部30与柔性封装多层210的下表面之间的接触面积和/或无机表面部30与第一无机膜211的下表面之间的接触面积。
在一个或更多个示例实施例中,可在第一增加粘合凹进50b1的底表面和第二增加粘合凹进50b2的底表面上形成台阶表面。台阶表面可以是突起70的表面。突起70可以是第二下无机膜113的一局部(或部分),因此,可进一步增加无机表面部30的面积。
突起70的基于第一下无机膜111的上表面测量的高度相对小于第一增加粘合凹进50b1的深度。虽然未在附图中示出,但是可多样地形成突起70的平面形状,诸如十字形形状和/或条纹形状等。然而,突起70具有在与无机表面部30的边缘延伸所沿的方向相同或基本相同的方向上延伸的部分,不管突起70具有十字形形状还是直线形状,因为允许了突起70的至少所述部分与湿气和/或氧从显示装置的侧面朝着显示装置的中心渗透的方向垂直或者基本垂直,所以突起70可在防止或减少湿气和/或氧的渗透上更有效。
在一个或更多个示例实施例中,如图15所示,突起70a还可设置在突起70上。突起70a可以是无机结构40的一局部(或部分)。
突起70a的基于第一下无机膜111的上表面测量的高度可等于或者基本等于基于第一下无机膜111的上表面测量的无机结构40的高度。在这种情况下,参照图14描述的第一增加粘合凹进50b1可划分成第一子增加粘合凹进50b1a和50b1b,参照图14描述的第二增加粘合凹进50b2可划分成第二子增加粘合凹进50b2a和50b2b。突起70a的形状的详细描述以及由于突起70a带来的效果的详细描述将因为它们与上面参照图13和图14描述的突起70的那些相同或相似而省略。
图16是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图,图17是沿着图16的线A6-A6'截取的剖视图,图18是示出图17的修改示例的剖视图。
参照图16至图18,当从平面图观察时,在显示装置1002中,显示装置1002的在无机表面部30中的长侧或者沿着y1-y2方向延伸的部分(以下,被称为“第一延伸部”)的宽度与显示装置1002的在无机表面部30中的短侧或者沿着x1-x2方向延伸的部分(以下,被称为“第二延伸部”)的宽度彼此不同。更详细地,在无机表面部30中的第一延伸部处沿x1-x2方向测量的第一宽度W1相对大于在无机表面部30中的第二延伸部处沿y1-y2方向测量的第二宽度W2。
当显示装置1002实现为具有柔性的柔性显示装置时,显示装置1002可被弯曲和伸直(例如,展开)多次。在这种情况下,施加到显示装置1002的长侧的应力会相对大于施加到显示装置1002的短侧的应力。因此,柔性封装多层210与下结构100之间的空洞Vo会在显示装置1002的长侧处产生。因此,通过使无机表面部30的第一延伸部的第一宽度W1相对大于无机表面部30的第二延伸部的第二宽度W2,可改善封装性能。
因为无机表面部30的侧可具有多个弯曲部,所以可期望将第一宽度W1计算为平均宽度。即,通过将无机表面部30的第一延伸部的面积SA除以在第一延伸部处沿y1-y2方向测量的长度L1而得到的值可确定第一延伸部的第一宽度W1。这里,第一延伸部的面积SA表示从平面图观察的面积。
显示装置1002的下结构100包括下封装无机膜,下封装无机膜在下结构100的表面部下方水平地延伸以与显示区DA和外围区PA垂直对应。因为在显示装置1002的无机表面部30与下封装无机膜之间的部分中没有插置包括有机材料的结构,所以显示装置1002的无机表面部30与下封装无机膜之间的部分仅包括一种或更多种无机材料。这里,下封装无机膜可以是从无机膜111、113和112中选择的任何一个。这里,至少一种无机材料可包括用于改善封装性能的SiN和/或SiON。
以下,将更详细地描述显示装置1002的构造,并将简化或省略与上述描述重复的描述。
显示装置1002包括基底101、形成在基底101上的薄膜晶体管TFT、连接到薄膜晶体管TFT的电致发光单元EU以及用于封装电致发光单元EU的柔性封装多层210。
如上所述,显示装置1002被划分成显示区DA以及围绕显示区DA(例如,位于显示区DA周围)的外围区PA。显示区DA设置在基底101的中心处(或附近),并且是显示图像的区域。外围区PA设置在基底101的边缘处以围绕显示区DA,并且是不显示图像的区域。
基底101可支撑显示装置(例如,整个显示装置)1002并且可保持或基本保持刚性。基底101可包括透明绝缘材料,并且可具有柔性。
发射用于显示图像的光的多个电致发光单元EU针对每个像素而设置在基底101的与显示区DA对应的部分上。用于将电信号或电力施加到设置在显示区DA中的电致发光单元EU的上电极125的上电极电力供应布线901设置在外围区PA中。上电极电力供应布线901包括总线布线109b和辅助上电极106c。以下,将按照从基底101起的层叠顺序来描述设置在显示区DA和外围区PA中的组件。
缓冲膜111形成在基底101上。缓冲膜111使基底101的上表面平滑并且阻挡或减少杂质的渗透。缓冲膜111可以是多层或单层并且可包括无机材料,诸如氧化硅(SiOx)、氮氧化硅和/或氮化硅(SiNx)。可通过各种沉积方法来形成缓冲膜111。如需要,可省略缓冲膜111。
像素电路C1形成在缓冲膜111上。像素电路C1包括至少一个薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT被电连接到电致发光单元EU以驱动电致发光单元EU。虽然未在附图中示出,但是像素电路C1还可包括至少一个电容器。
薄膜晶体管TFT可以是按顺序包括有源层102、栅电极103、源电极105和漏电极107的顶栅型薄膜晶体管。然而,这仅是一个示例,薄膜晶体管TFT可形成为各种适合的类型,诸如底栅型。以下,作为示例,将更详细地描述薄膜晶体管TFT是顶栅型薄膜晶体管的情况。
有源层102形成在缓冲膜111上。有源层102可包含例如非晶硅或多晶硅的半导体材料。然而,本发明不限于此,有源层102可包含氧化物半导体材料,例如,G-I-Z-O[(In2O3)a(Ga2O3)b(ZnO)c](其中,a、b和c分别是满足条件a≥0,b≥0和c>0的实数)。有源层102可以是包含从12族、13族和14族金属元素当中选择的任何一种金属元素的氧化物。该氧化物所包含的金属元素的示例可包括锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)、铪(Hf)或它们的组合。有源层102包括与源电极105接触的源区、与漏电极107接触的漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区。当有源层102包含非晶硅或多晶硅时,如需要,源区和漏区可掺杂有杂质。
栅极绝缘膜112形成在有源层102上,并可以是多层或单层并且可包括无机材料,诸如氧化硅(SiOx)、氮氧化硅和/或氮化硅(SiNx)。栅极绝缘膜112可使有源层102与栅电极103绝缘。
栅电极103形成在栅极绝缘膜112上。栅电极103连接到用于将导通/截止信号施加到薄膜晶体管TFT的栅极线。栅电极103可包括低电阻金属材料。栅电极103可以是多层或单层并且可包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的导电材料。
层间绝缘膜113形成在栅电极103上。层间绝缘膜113可使源电极105和漏电极107与栅电极103绝缘。层间绝缘膜113可以是多层或单层并且可包括无机材料,诸如金属氧化物和金属氮化物。例如,所述无机材料可包括氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锆(ZrO2)或它们的组合。
源电极105和漏电极107形成在层间绝缘膜113上。源电极105和漏电极107通过形成在层间绝缘膜113和栅极绝缘膜112中的接触孔分别与有源层102的源区和漏区接触。平坦化膜115形成在以这种方式形成的薄膜晶体管TFT上。平坦化膜115可以是单层或多层并且可包括有机材料,诸如通用聚合物。有机材料的示例可包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟聚合物、对二甲苯聚合物和/或乙烯醇聚合物。平坦化膜115可消除或减小由薄膜晶体管(TFT)阵列导致的顶表面上的台阶并且可使其顶表面平坦,由此防止或减少由于电致发光单元EU下面的层的不平坦而造成的在电致发光单元EU中发生缺陷。
电致发光单元EU形成在平坦化膜115的上表面的一部分处,所述一部分与显示区DA对应。电致发光单元EU包括下电极121、面对下电极121的上电极125以及设置在下电极121与上电极125之间的电致发光层123。下电极121可设置在平坦化膜115上并且可穿透平坦化膜115以连接到漏电极107。
电致发光层123可包含有机材料。显示装置可根据电致发光单元EU的发射方向而分类为底发射型、顶发射型或者双发射型。在底发射型显示装置中,下电极121设置为透明或半透明电极,上电极125设置为反射电极。在顶发射型显示装置中,下电极121设置为反射电极,上电极125设置为透明或半透明电极。在双发射型显示装置中,下电极121和上电极125两者都可设置为透明或半透明电极。
当下电极121用作为阳极时,该下电极121可包含具有高功函数的导电材料。所述导电材料的示例可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(InO3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)或它们的组合。下电极121可与每个像素对应地以岛形状来图案化。此外,下电极121可连接到薄膜晶体管TFT的漏电极107以接收电流。
用于覆盖下电极121的一部分(例如,边缘部分)的像素限定层(PDL)117可形成在下电极121上。像素限定层117可包括一种或更多种有机绝缘材料。所述一种或更多种有机绝缘材料的示例可包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、酚醛树脂或它们的组合。像素限定层117可通过旋转涂覆法等来形成。用于限定像素的开口(例如,预定开口)形成在像素限定层117中。电致发光层123至少形成在由该开口限定的区域中。在本发明的一些示例实施例中,像素限定层117被用来通过诸如喷墨印刷和喷嘴印刷等的溶液技术来形成发光层,并且可用作具有相对高的高度的阻挡件。
电致发光层123可包含可发射红光、绿光或蓝光的低分子有机材料和/或高分子有机材料。虽然未在附图中示出,但空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)可设置在电致发光层123与下电极121之间。此外,虽然未在附图中示出,但电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)可设置在电致发光层123与上电极125之间。当然,根据需要可层叠除了空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层之外的各种层。
同时,在上面的描述中,已经作为示例描述了针对每个像素单独形成电致发光层123的情况。在这种情况下,对于每个像素可分别发射红光、绿光和/或蓝光,发射红光、绿光和蓝光的像素组可形成一个单元像素。然而,本发明不限于此,有机发光层可公共地形成在整个像素上方。例如,可将发射红光、绿光和蓝光的多个有机发光层垂直层叠或混合以发射白光。然而,发射白光的颜色组合不限于此。在这种情况下,可设置用于将发射的白光转换成一种颜色(例如,预定颜色)的颜色转换层或滤色器。
上电极125可包括导电无机材料。当上电极125用作阴极时,例如,它可包括具有低功函数的Al、Mg或Ag等。上电极125可在显示有图像的显示区(例如,整个显示区DA)上方形成为共电极。在这种情况下,可通过不损坏电致发光层123的蒸发工艺来形成上电极125。同时,下电极121的极性和上电极125的极性可彼此相反。
上电极125被连接到设置在外围区PA中的上电极电力供应布线901以接收电信号或电力。上电极电力供应布线901包括总线布线109b和辅助上电极106c。
总线布线109b将外部施加的电信号或电力施加到上电极125。因此,总线布线109b包括可充分传导电流的导电无机材料。例如,总线布线109b可以是单层或多层并且可包括一种或更多种金属。所述一种或更多种金属的示例可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)或它们的组合。总线布线109b被形成在层间绝缘膜113上。总线布线109b可在形成像素薄膜晶体管TFT的源电极105和漏电极107时同步地(例如,同时)形成。在这种情况下,总线布线109b可包括与源电极105和漏电极107的导电无机材料相同的导电无机材料。
总线布线109b应电连接到上电极125。然而,总线布线109b和上电极125因为它们形成在彼此不同的层上而彼此分隔开。因此,还包括使总线布线109b和上电极125电连接的辅助上电极106c。
辅助上电极106c与总线布线109b和上电极125每者接触以将从总线布线109b供应的电信号或电力传输到上电极125。辅助上电极106c用作桥或链路。因此,辅助上电极106c包括可传导充足电流的导电无机材料。例如,辅助上电极106c可以是单层或多层并且可包括一种或更多种金属。所述一种或更多种金属的示例可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)或它们的组合。同时,平坦化膜115的侧表面部设置在外围区PA中,辅助上电极106c沿着平坦化膜15的侧表面和上表面设置。根据本发明的示例实施例,辅助上电极106c可由与下电极121的材料相同或基本上相同的材料形成,并且可与下电极121同步地(例如,一起)形成。
辅助上电极106c可在外围区PA中具有沿着显示区DA的外围延伸的形状。更详细地,当从平面图观察时,辅助上电极106c在外围区PA中具有围绕或基本围绕显示区DA的形状,由此防止或减小上电极125的IR压降。关于辅助上电极106c的形状,术语“围绕显示区DA的形状”或“基本围绕显示区DA的形状”包括部分围绕显示区DA的形状和完全围绕显示区DA的形状,只要存在防止或较小IR压降的效果即可。为了增加辅助上电极106c与总线布线109b之间的接触区域的面积,总线布线109b可在外围区PA中具有沿着显示区DA的外围延伸的形状。更详细地,总线布线109b也可在外围区PA中具有围绕或基本围绕显示区DA的形状。
柔性封装多层210形成在基底(例如,整个基底)101上以覆盖显示区DA和外围区PA两者。可选择地,柔性封装多层210可形成在基底101上以覆盖外围区PA的至少一局部(或至少一部分)以及显示区(例如,整个显示区)DA。柔性封装多层210保护电致发光单元EU免受外部湿气和/或氧等的影响。柔性封装多层210可包括第一无机膜211、设置在第一无机膜211上的有机膜213以及设置在有机膜213上的第二无机膜215。这里,有机膜213允许第二无机膜215的表面具有平坦或基本平坦的区域。
另外,柔性封装多层210可具有各种结构。说明性地,柔性封装多层210可从电致发光单元EU的顶部顺序地包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。可选择地,柔性封装多层210可从有机发光元件的顶部顺序地包括第一无机层、第一有机层、第二无机层、第二有机层、第三无机层、第三有机层和第四无机层。这里,第一有机层可具有相对小于第二无机层的面积,第二有机层可具有相对小于第三无机层的面积。此外,第一有机层可被第二无机层完全覆盖,第二有机层可被第三无机层完全覆盖。此外,因为第三无机层的面积相对大于第一无机层、第一有机层、第二无机层和第二有机层的面积,所以第三无机层可覆盖第一无机层、第一有机层、第二无机层和第二有机层的边缘。如上所述,柔性封装多层210可具有各种结构,但是柔性封装多层210的下表面可仅包括一种或更多种无机材料。
即使当柔性封装多层210单独对下结构100进行封装时,柔性封装多层210也可保护包括在显示区DA中的电致发光单元EU免受外部湿气和/或氧影响。即,通过允许柔性封装多层210单独封装电致发光单元EU而不使用可防止或减少湿气和/或氧的渗透的另一附加封装构件,可实现能够可靠地抵抗外部湿气和/或氧的渗透的显示装置。柔性封装多层210可包括多个膜。然而,本发明不限于此,术语“柔性封装多层210”也可表示具有优异封装能力的单层,并且包括在本发明的范围中。
外围区PA具有围绕(例如,连续地围绕)显示区DA的封闭形状的无机表面部30。无机表面部30与柔性封装多层210的下表面直接接触。因为无机表面部30仅包含一种或更多种无机材料并且柔性封装多层210的下表面仅包含一种或更多种无机材料,所以无机表面部30和柔性封装多层210的下表面的直接结合形成了无机-无机直接结合。
下结构100具有下封装无机膜,所述下封装无机膜在下结构100的表面部下方延伸以与显示区DA和外围区PA垂直对应,下结构100的设置在无机表面部30与下封装无机膜之间的部分可仅包含一种或更多种无机材料。下封装无机膜可包括例如,缓冲膜111、栅极绝缘膜112和/或层间绝缘膜113。这里,下封装无机膜可包含具有相对低的湿气和/或氧渗透性的氮化硅和/或氮氧化硅。下封装无机膜可包含至少一个孔,所述至少一个孔填充有与下封装无机膜中包含的无机材料不同的无机材料。
通过柔性封装多层210对显示装置的上部进行封装,通过诸如缓冲膜111、栅极绝缘膜112和/或层间绝缘膜113的下封装无机膜对显示装置的下部进行封装,通过仅包含一种或更多种无机材料并设置在无机表面部30与诸如缓冲膜111、栅极绝缘膜112和/或层间绝缘膜113的下封装无机膜之间的部分对显示装置的侧部进行封装,由此实现完整的封装结构。
如上所述,平坦化膜115可包括有机材料。与通过诸如旋转涂覆和喷墨涂覆等的溶液工艺而形成的有机膜相比,通过诸如化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)等的沉积工艺而形成的无机膜难以实现平坦化的上表面。因此,当通过使用无机膜形成平坦化膜115时,存在以下问题:平坦化膜115的高度会因层叠相对大数量的无机层而增加,或者即使层叠单个无机膜也会使平坦化膜115的高度增加。因此,优选的是平坦化膜115包括有机材料。因此,在辅助上电极106c与诸如缓冲膜111、栅极绝缘膜112和层间绝缘膜113的下封装无机膜之间插置有机材料。因此,无机表面部30可不形成在形成平坦化膜115的区域中。结果,根据本发明的示例实施例,无机表面部30位于比平坦化膜115的上表面相对较低的位置。这里,术语“位于比基底101相对较低的位置”包括术语“位于相对较靠近基底101的位置”。
图18是示出图17的修改示例的剖视图。图18的结构与图17的结构基本不同之处在于图18的结构还包括无机膜114。然而,图18中示出的其它特征与图17的其它特征相同或基本相同,因此,可省略重复的描述。
总线布线109b与无机表面部30叠置。在本说明书中,“叠置”的意思不仅包括如图17所示的总线布线109b被包括在无机表面部30中以与柔性封装多层210的底表面接触的情况,而且包括如图18所示的总线布线109b与无机表面部30垂直对应而不与柔性封装多层210的底表面接触的情况。即,术语“叠置”包括总线布线109b位于无机表面部30之下的情况。
图19是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图,图20是沿着图19的线A7-A7'截取的剖视图。参照图19和图20,除了有机表面部Os以外,根据这个示例实施例的显示装置1003与上述的显示装置(例如,图16和图17所示的1002)相同或基本相同。
参照图19,无机表面部30在下结构100的第一侧处被划分成第一无机表面分支SA1和第二无机表面分支SA2。说明性地,当在平面图中观察时,第一侧表示下结构100的左侧,即,在x2方向上的一侧。
这里,无机表面部30在第一侧处的宽度W1可通过将第一无机表面分支SA1的面积和第二无机表面分支SA2的面积的总和除以无机表面部30在第一侧处的长度L1来得到。当如图19所示地制造装置时,宽度W1也可计算为第一无机表面分支SA1的宽度W1a和第二无机表面分支SA2的宽度W2a的总和。这种计算方法可应用于上面参照图16描述的示例实施例,并且也可应用于随后将参照图21至图26描述的一个或更多个示例实施例。
虽然图19中示出的是第一无机表面分支SA1在y1-y2方向上的长度和第二无机表面分支SA2在y1-y2方向上的长度各自等于或基本等于无机表面部30在第一侧处的长度L1,但是第一无机表面分支SA1在y1-y2方向上的长度和第二无机表面分支SA2在y1-y2方向上的长度各自可比无机表面部30在第一侧处的长度L1相对较短。此外,有机表面部Os的形状可以在平面图中是与圆形相同或基本相同的形状。
无机表面部30可具有分叉成彼此分隔开的多个无机表面分支SA1和SA2的区域。外围区PA可包括设置在无机表面分支SA1和SA2之间的有机表面部Os。
有机表面部Os可具有向上突出的形状。因为有机表面部Os与柔性封装多层210的有机膜213叠置同时具有向上突出的形状,所以有机表面部Os可在柔性封装多层210的边缘处增大与下结构100的结合力。此外,当有机表面部Os的高度相对高时,有机表面部Os可用作坝以防止或减小有机膜213被施加到柔性封装多层210的有机膜213的热应力或物理应力推到外部。
图21是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图21,显示装置1004被构造为使得无机表面部30在长度相对长的第一侧(或x2方向侧)处具有第一宽度W1,并在长度相对短的第二侧(或y2方向侧)处具有相对大于第一宽度W1的第二宽度W2。当显示装置1004实现为柔性显示装置时,如需要,则在长侧处弯曲和伸直(例如,伸展)的程度可以相对小于在短侧处弯曲和伸直(例如,伸展)的程度。在这种情况下,因为与长侧处相比,在短侧处会更容易发生氧和/或湿气在柔性封装多层与下结构之间的通过,所以可通过将无机表面部30形成为在短侧处具有较大的宽度来实现有效的封装。因为显示装置1004的其它描述与上面参照图16和图17描述的那些基本相同,所以将省略这些描述。
图22是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图22,显示装置1005与图16和图17中示出的显示装置1002有所不同,不同之处在于无机表面部30的第二侧(或y2方向侧)被刚性构件RM固定。其它构造相同或基本相同,因此,可省略重复的描述。
刚性构件RM是显示装置的手柄等,并且可如图22所示仅设置在显示装置1005的一侧(例如,y2方向侧)上。虽然未在附图中示出,但是两个或更多个刚性构件RM可设置并且固定在显示装置1005的两侧(例如,y1方向侧和y2方向侧)处。通常,因为在固定侧处刚性构件RM的弯曲和伸直(例如,伸展)的程度相对较低于在其它侧处的弯曲和伸直(例如,伸展)的程度,所以相对地可防止或减少湿气和/或氧的通过,因此,无机表面部30在被刚性构件RM固定的一侧处的宽度W2相对小于无机表面部30在未被刚性构件RM固定的其它侧(例如,x1方向侧或x2方向侧)处的宽度W1,由此得到有效的封装。
图23是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图23,显示装置1006与图22中示出的显示装置1004不同,不同之处在于无机表面部30在被刚性构件RM固定的第二侧(或y2方向侧)处的宽度W2相对大于无机表面部30在未被刚性构件RM固定的侧(例如,x1方向侧或x2方向侧)处的宽度W1。其它构造相同或基本相同,因此,可省略重复的描述。
为了增大显示区DA的面积,无机表面部30在其上未固定刚性构件RM的一侧处的宽度的增大会存在限制。然而,因为无机表面部30可在其上固定有刚性构件RM的一侧处被插入到刚性构件RM中,所以显示区DA的宽度可增大。在某些情况下,由于由刚性构件RM和/或刚性构件RM的内部结构造成的压力、刚性构件RM的内部湿气和/或氧气氛、和/或刚性构件RM的内部温度会导致发生湿气和/或氧的通过。在这种情况下,可期望无机表面部30在被刚性构件RM固定的一侧处的宽度W2相对大于无机表面部30在未被刚性构件RM固定的一侧处的宽度W1。
图24是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图24,显示装置1007被构造为使得与外部电气元件,诸如柔性印刷电路板(即,FPCB),相连接的至少一个焊盘被形成在无机表面部30的一侧(例如,y2方向侧)上。在这种情况下,该无机表面部30的与位于显示装置1007的一侧(例如,y2方向侧)处的焊盘相邻的部分的宽度W2相对小于无机表面部30的其它部分的宽度W1,由此确保设置焊盘的区域,而不对显示区DA进行不必要的或者过度的减小。
图25是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图25,显示装置1008被构造为使得与外部电气元件,诸如柔性电路板,相连接的至少一个焊盘被形成在无机表面部30的一侧(例如,y2方向侧)上。在一些情况下,多条布线在与无机表面部30叠置的同时穿过无机表面部30。这些布线可把位于比无机表面部30的内边缘IE相对更靠内的多个电路结构连接到位于比无机表面部30的外边缘OE相对更靠外的焊盘。可期望进一步阻挡会从这些布线引入的湿气、氧和/或杂质等,并且这些布线在显示装置的操作期间传输电信号,从而会发生热膨胀或热收缩,这会成为使湿气和/或氧的通过增加的因素。因此,可通过相对于其它部分的宽度W1而增大无机表面部30与焊盘相邻的部分的宽度W2来实现有效的封装。
图26是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图26,显示装置1009被构造成使得无机表面部30包括位于下结构100的相同侧(例如,x2方向侧)处的第一区S1和第二区S2,第一区S1沿x1-x2方向具有第一宽度Wa,第二区S2具有相对小于第一宽度Wa的第二宽度Wb。当通过弯曲和拉伸显示装置1009若干次而使其反复挠曲时,第一区S1与沿水平方向(例如,x1-x2方向)平分显示装置1009的弯曲轴相邻,比施加到第二区S2的应力相对较大的应力会施加到第一区S1。因此,接收了更多应力的第一区S1的第一宽度Wa可比第二区S2的第二宽度Wb相对较宽,由此有效地防止或减少湿气和/或氧的流入。可根据应力(例如,应力的量和/或应力的位置)来调整无机表面部30的位于显示装置1009的相同侧处的每个区域的宽度。另外,除了考虑到应力的情况之外,还能够考虑到设计需求而改变无机表面部30的各个区域的宽度。
图21至图26描述的示例实施例难以通过由激光辐照密封区来实现。当尝试由激光密封法来实现图21至图26中描述的示例实施例时,为了调整无机表面部30的宽度以及无机表面部30与柔性封装多层的下表面之间的接触面积,应该改变激光束的宽度。因为激光辐照装置和激光辐照工艺也应该改变,所以激光束的宽度改变造成损失。此外,如图26所示,无机表面部30的针对显示装置1009的一侧处的每个区域的宽度的改变更难以实现。通过使用宽度基本相同的激光束来形成宽度彼此不同的密封部的一种方法是从区域到区域改变激光辐照时间。在这种情况下,为了使密封部的一局部的宽度更宽,应该用激光对所述一局部辐照相对较长的时间。因此,热损坏会施加到与宽度相对大的密封部相邻的电路、布线和绝缘膜,所以这不是优选的。
如上所述,当通过单激光束辐照来改变密封部的宽度时,不可把第一宽度Wa形成在第二宽度Wb的大约110%或更大的水平。另外,因为在工艺中会把损坏施加到外围电路、布线和/或绝缘膜,所以会使显示装置的可靠性劣化。
另一方面,根据本发明的一个或更多个示例实施例,可在不进行激光束辐照的情况下使第一宽度Wa增大到第二宽度Wb的大约110%或更大的水平。在这种情况下,因为未使用激光束辐照工艺,所以不会在外围结构中发生热损坏。
更详细地,虽然未在附图中示出,但是可以在图21至图26中的具有相对宽的宽度的部分中选择性地或较集中地形成图1至图15中描述的增加粘合凹进。术语“选择性地”表示仅在那个部分中形成增加粘合凹进,术语“更集中地”表示虽然也可以在其它部分中形成增加粘合凹进,但是在那个部分中以高密度形成增加粘合凹进。换句话说,在密集地形成增加粘合凹进的区域处,增加粘合凹进之间的间隙相对窄,在较不密集地形成增加粘合凹进的区域处,增加粘合凹进之间的间隙相对宽。此外,在一些情况下,可将角部的宽度制作得较大或较窄,可仅在角部处形成增加粘合凹进,并且可在角部处较密集或较不密集地形成增加粘合凹进。
图27是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。图28是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图,图28是示出图27的修改结构的平面图。
参照图27,显示装置1010包括对准标记AM1或AM2。对准标记AM1或AM2关于无机表面部30的外边缘位于相对朝内的位置。在平面图,对准标记AM1或AM2设置成与无机表面部30叠置。因此,与对准标记AM1或AM2关于无机表面部30的外边缘设置在相对朝外的位置时相比,可有效地减小外围区PA的面积。
对准标记AM1或AM2可以是具有光反射性的无机材料图案,例如,金属图案。因此,易于光学地辨别对准标记AM1或AM2。然而,对准标记AM1或AM2不被具体限制,只要它可光学地左右辨别即可,并且可在一些示例实施例中是十字形形状的。
对准标记AM1或AM2可以是第一对准标记AM1或者第二对准标记AM2。第一对准标记AM1可以是穿过金属膜而形成的孔,第二对准标记AM2是不具有孔的金属图案。显示装置1010可包括第一对准标记AM1和第二对准标记AM2两者。可选择地,显示装置1010可包括第一对准标记AM1和第二对准标记AM2中的一个。
当在显示装置1010中使用第一对准标记AM1时,第一对准标记AM1可以是穿过虚设金属膜而形成的孔。可选择地,所述孔也可通过对诸如传输用于驱动电致发光单元EU的电信号的布线的金属膜进行钻孔来形成。在对单独的布线等进行钻孔来形成第一对准标记AM1的情况下,与形成单独的虚设金属膜的情况相比可有利地节省空间。
例如,第一对准标记AM1可以穿过图17和图20的总线布线109b而形成。在这种情况下,图1所示的增加粘合凹进50a也可穿过总线布线109b而形成。也就是说,虽然穿过总线布线109b形成了多个孔,但是一些孔可用作增加粘合凹进50a,其它孔可用作第一对准标记AM1。这里,用作第一对准标记AM1的孔和用作增加粘合凹进50a的孔可改善粘合。在这种情况下,增加粘合凹进50a的平面形状和第一对准标记AM1的平面形状可彼此不同。
第一对准标记AM1的上表面或侧表面可包括在无机表面部30中以与柔性封装多层210的底表面接触。在这种情况下,第一对准标记AM1起到一种不平坦的作用,以增大与柔性封装多层210的粘合。
当穿过如图18所示的总线布线109b形成第一对准标记AM1时,第一对准标记AM1可形成在无机表面部30下方。在这种情况下,第一对准标记AM1不会在形成柔性封装多层210的工艺中被损坏。即使在这种情况下,也可在总线布线109b中附加形成增加粘合凹进50a。即使增加粘合凹进50a不与无机表面部30直接接触,它也位于无机表面部30下方,使得无机表面部30可间接地设置为不平坦。即,参照图18,由于穿过总线布线109b形成的增加粘合凹进50a,可使无机膜114的包括在无机表面部30中的表面设置为不平坦。
图28是示出图27的修改结构的平面图。如图28所示,与图27中示出的显示装置1010不同,显示装置1011被构造为使得对准标记AM1或AM2关于无机表面部30的内边缘IE朝内设置(例如,更朝向显示装置1011的中心设置),内边缘IE与无机表面部30的外边缘OE相对。
因为显示装置1011被构造为使得对准标记AM1或AM2设置为更靠近显示区DA,所以在用于形成显示区DA所必需的对准工艺中,可实现更精确的对准。
将不再重复对准标记AM1或AM2的细节,因为它们基本相同或与参照图27描述的那些基本相同。
图29是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图,图30是图29的区域T的放大图。
参照图17、图29和图30,显示装置1011包括电连接到电致发光单元EU的上电极125以将电信号施加到上电极125的上电极电力供应布线901以及电连接到电致发光单元EU的下电极121以将电信号施加到下电极121的下电极电力供应布线902。这里,上电极电力供应布线901可包括总线布线109b和辅助上电极106c。
上电极电力供应端子901t和下电极电力供应端子902t分别位于上电极电力供应布线901和下电极电力供应布线902的端部处。
上电极电力供应端子901t和下电极电力供应端子902t可沿着一个方向设置(例如,沿着x1-x2方向设置)。此外,上电极电力供应端子901t和下电极电力供应端子902t可电连接到一个外部电路板。这里,外部电路板的示例可以是柔性电路板。
外围区PA可以具有可弯曲区BA。例如,可弯曲区BA可以设置在下电极电力供应端子902t和上电极电力供应端子901t中的至少一个与显示区DA之间。
当可弯曲区BA被弯曲时,与下电极电力供应端子902t和上电极电力供应端子901t中的至少一个相连接的外部电路板可被固定在显示装置1011的背面上。
下电极电力供应布线902和上电极电力供应布线901可包括导电桥902b和导电桥901b。导电桥902b和901b可具有接触件Cnt并且与可弯曲区BA交叉。导电桥902b可与相邻下电极电力供应布线902的一部分位于不同的层上。相似地,导电桥901b可与相邻上电极电力供应布线901的一部分位于不同的层上。当使用导电桥902b和901b时,可更容易弯曲可弯曲区BA。
虽然未在附图中具体示出,但是绝缘层的在可弯曲区BA中的厚度的总和被制作得相对小于绝缘层的在与可弯曲区BA相邻的外围区PA中的厚度的总和,以更容易弯曲可弯曲区BA。
外围区PA具有围绕(例如,连续围绕)显示区DA的封闭形状的无机表面部30。
无机表面部30具有被分支成多个无机表面分支Br1、Br2、Br3、Br4和Br5的区域,这些无机表面分支彼此分隔开。
外围区PA可包括有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4,它们位于无机表面部30的无机表面分支Br1、Br2、Br3、Br4和Br5之间。这里,有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4通过柔性封装多层210的下表面与无机表面部30之间的无机-无机直接结合而被围绕(例如,完全被围绕)。这些有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4吸收可沿柔性封装多层210的下表面与无机表面部30之间的界面移动的杂质,然后保持容纳这些杂质,由此降低存在于柔性封装多层210的下表面与无机表面部30之间的界面处的杂质的浓度。因此,可使无机-无机直接结合的可靠性增大。
当有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4距离可存在于柔性封装多层210的下表面和无机表面部30进行无机-无机直接结合的界面处的杂质相对远的时候,杂质会在杂质移动到有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4之前集中在界面的某个局部处。因此,无机-无机直接结合的结合力减小。另外,这些杂质在杂质移动到有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4之前移动到显示区DA。因此,使位于显示区DA中的电致发光单元EU中包括的中间层劣化。
当显示区DA具有柔性部并且柔性部被重复地弯曲然后伸直(例如,拉伸)或者重复地折叠然后拉伸时,更频繁地出现杂质集中在界面的一局部(或部分)处或者杂质移动到显示区DA。
这里,显示区DA具有柔性部的情况是指:下结构100可用作可弯曲的显示基底、可折叠的显示基底、可卷绕的显示基底、可拉伸的显示基底和柔性显示基底中的任何一种。然而,本发明不限于此,本发明的一个或更多个示例实施例甚至可应用于采用了柔性封装多层210同时不具有柔性部的显示装置。说明性地,本发明的示例实施例甚至可应用于具有柔性封装多层并且固定到平坦的刚性窗的平坦显示装置以及具有柔性封装多层并且固定到弯曲的刚性窗的弯曲显示装置。
为了减小有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4与位于通过无机-无机直接结合形成的界面处的杂质之间的距离,有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4可具有围绕或基本围绕显示区DA的形状。
这里,短语有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4“围绕或基本围绕显示区DA”的意思不仅包括图29所示的有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4、图32所示的有机表面部Os4以及图33所示的有机表面部Os4连续围绕显示区DA的情况,而且包括图31所示的有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4、图32所示的有机表面部Os1、Os2和Os3以及图33所示的有机表面部Os1、Os2和Os3间断围绕显示区DA的情况。
当显示区DA具有诸如圆形、椭圆形和半圆形的具备两个或更少的外侧的形状时,例如,有机表面部Os连续地或间断地围绕显示区DA的情况指有机表面部Os连续地或间断地延伸以与显示区DA的整个外周的1/4或更多对应。此外,当显示区DA的形状是三角形时,例如,有机表面部Os连续地或间断地围绕显示区DA的情况指有机表面部Os连续地或间断地延伸以与显示区DA的至少一个外侧对应。此外,当显示区DA的形状是正方形、五边形或六边形等时,有机表面部Os连续地或间断地围绕显示区DA的情况指有机表面部Os连续地或间断地延伸以与显示区DA的至少两个外侧对应。
因为有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4在平面图被无机-无机直接结合所围绕(例如,完全被围绕),所以它们不与显示装置1011的外部通信。因此,湿气或杂质不会透过有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4而从显示装置的外部供应到通过无机-无机直接结合形成的界面。
有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4每者可具有向上突出的剖面形状。此外,有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4每者可具有诸如以岛形状和沿着无机表面部30延伸的方向延伸的形状等为例的各种形状。
有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4的高度可与像素限定层117的高度相同或基本相同。虽然未示出,但是像素限定层117的高度可包括从像素限定层117的顶部向上突出的间隔件的高度。
当有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4的高度可与像素限定层117的高度基本相同时,有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4可用作间隔件,该间隔件可在形成电致发光单元EU的中间层的真空蒸发工艺中与蒸发掩模接触。更详细地,包括在中间层中的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子注入层(EIL)和电子传输层(ETL)可形成为公共层。在这种情况下,有机表面部可用作敞开的蒸发掩模的间隔件。
如上所述,有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4可具有围绕(例如,连续地围绕)显示区DA的闭环形状。在这种情况下,因为沉积掩模的整个边缘可与有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4对应,所以经过蒸发掩模的有机材料不会在蒸发工艺期间从由下结构100的沉积目标区、蒸发掩模和有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4限定的空间逃逸。
图31是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。参照图31,因为有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4的形状不同,所以显示装置1012与图29和图30的显示装置1011不同。更详细地,显示装置1012的有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4可具有开环形状。例如,有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4可被开口Op1、Op2、Op3和Op4中的至少一个敞开以间断围绕显示区DA。无机表面部30的无机表面分支Br1、Br2、Br3、Br4和Br5彼此不连接时,当过度的物理应力施加到显示装置1012,无机表面部30的无机表面分支Br1、Br2、Br3、Br4和Br5中的至少一个会从柔性封装多层210的下表面独立地脱离。然而,根据本发明的示例实施例,因为无机表面部30的无机表面分支Br1、Br2、Br3、Br4和Br5彼此连接,所以无机-无机直接结合可以是有效的。
当有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4具有开环形状时,在无机表面部30的与所述开口Op1、Op2、Op3和Op4对应的区域中,不存在有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4。因此,在无机表面部30的与开口Op1、Op2、Op3和Op4对应的区域中位于结合界面处的杂质会容易地集中在界面的某个局部上。因此,无机表面部30的结合力会比不存在开口Op1、Op2、Op3和Op4的情况要相对较低。因此,在下结构100的设置有开口Op1、Op2、Op3和Op4的第一侧(说明性地,在y2方向侧上)处无机表面部30的宽度可相对大于在下结构100的未设置有开口Op1、Op2、Op3和Op4的第二侧(说明性地,在x2方向侧上)处无机表面部30的宽度。因此,可提高下结构100的第一侧(例如,y2方向侧)处的结合力。
图32是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。参照图32,因为有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4的形状不同,所以显示装置1013与图31的显示装置1012不同。
参照图32,显示装置1013的下结构100可包括均具有开环形状的有机表面部Os1、Os2和Os3以及具有闭环形状的有机表面部Os4。
图33是示出根据本发明的又一个示例实施例的显示装置的示意性平面图。参照图33,因为有机表面部Os4的形状不同,所以显示装置1014与图32的显示装置1013不同。
参照图33,当有机表面部Os1、Os2、Os3和Os4中的一些有机表面部Os1、Os2和Os3在平面图通过柔性封装多层210的下表面与无机表面部30之间的直接结合而被围绕(例如,完全被围绕)时,余下的有机表面部Os4可与显示装置1014的外部通信。
更详细地,下结构100可包括与外部通信的具有闭环形状的第一有机表面部Os4以及设置在第一有机表面部Os4与显示区DA之间的第二有机表面部Os1、Os2和Os3。第二有机表面部Os1、Os2和Os3可具有开环形状并且可在平面图通过柔性封装多层210的下表面与无机表面部30之间的直接结合而被围绕(例如,完全被围绕)。
在这种情况下,第一有机表面部Os4的高度与像素限定层117的高度相同或基本相同,因此其可用作用于蒸发掩模的间隔件。可通过使第二有机表面部Os1、Os2和Os3的高度相对较低于第一有机表面部Os4的高度来有效降低第二有机表面部Os1、Os2和Os3的宽度。因此,可使外围区PA的宽度变窄。
有机表面部Os1和Os2可延伸以覆盖布线的侧面。所述布线可以是导电多层。因为导电多层的侧部由于多个界面被暴露而易受腐蚀,所以有机表面部Os1和Os2可通过覆盖导电多层的侧面而防止或减少导电多层的腐蚀。另外,有机表面部Os1和Os2可吸收可从暴露在导电多层的侧面处的界面排出的诸如湿气和氧等的杂质,并且可容纳这些杂质。
作为示例,导电多层可以是与电致发光单元EU的下电极121为同一膜的辅助上电极106c,辅助上电极106c的侧面可被有机表面部Os1覆盖。在这种情况下,辅助上电极106c可包括第一导电氧化铟锡膜、位于第一导电氧化铟锡膜上的银(Ag)膜以及位于银膜上的第二导电氧化铟锡膜。
作为另一示例,导电多层可以是与薄膜晶体管TFT的源电极105或漏电极107为同一膜的总线布线109b,总线布线109b的侧面可被有机表面部Os2覆盖。总线布线109b可以与薄膜晶体管(PC-TFT)的源电极105或漏电极107是同一膜。在这种情况下,总线布线109b可包括第一钛(Ti)膜、形成在第一钛膜上的铝(Al)膜以及形成在铝膜上的第二钛膜,或者可包括第一钼(Mo)膜、第一钼膜上的铝膜以及铝膜上的第二钼膜。作为又一示例,导电多层可以与位于显示区DA中的薄膜晶体管的栅电极103是同一膜。
如上所述,根据本发明的一个或更多个示例实施例,可提供具有改善的封装特性的显示装置。
虽然已经参照示例实施例描述了本发明,但是本领域技术人员将认识到的是,在都不脱离本发明的精神和范围的情况下,可执行对描述的示例实施例的各种改变和修改。而且,各领域技术人员将认识到的是,在这里描述的本发明将向其它任务提供解决方案并且适用于其它应用。在都不脱离本发明的精神和范围的情况下,申请人意图通过在这里的权利要求来覆盖本发明的所有这样的使用以及出于公开的目的而在这里选择的可对本发明的示例实施例做出的这些改变和修改。因此,在本发明的精神和范围通过所附权利要求以及它们的等同物来指示的情况下,本发明的示例实施例应当在各方面考虑为说明性的并且不是限制性的。
Claims (20)
1.一种电致发光装置,所述电致发光装置包括:
下结构,具有发射区和围绕所述发射区的外围区,所述下结构包括无机绝缘膜、绝缘膜和电致发光单元,
柔性封装多层,设置在所述发射区和所述外围区上,
其中,所述外围区包括无机表面部,所述无机表面部基本围绕所述发射区并且仅包括一种或更多种无机材料,
其中,所述柔性封装多层包括下表面,所述下表面仅包括一种或更多种无机材料,
其中,整个无机表面部直接接触所述柔性封装多层的所述下表面,
其中,所述下结构包括下封装无机膜,所述下封装无机膜在所述下结构的表面下方水平地延伸以与所述发射区和所述外围区垂直对应,所述下结构的设置在所述下封装无机膜与所述整个无机表面部之间的部分仅包括一种或更多种无机材料。
2.如权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部包括具有第一平均宽度的第一区和具有第二平均宽度的第二区,所述第一平均宽度和所述第二平均宽度彼此基本不同。
3.如权利要求2所述的电致发光装置,
其中,所述第一区和所述第二区位于所述下结构的相同侧处。
4.如权利要求2所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部的所述第一区与所述下结构的第一侧完全对应,所述无机表面部的所述第二区与所述下结构的第二侧完全对应,所述下结构的所述第一侧与所述第二侧不同。
5.如权利要求4所述的电致发光装置,
其中,所述第一区具有第一部和第二部,所述第一部具有相对较小于所述第一平均宽度的第三平均宽度,所述第二部具有相对较大于所述第一平均宽度的第四平均宽度。
6.如权利要求2所述的电致发光装置,其中,所述绝缘膜位于所述无机绝缘膜上,所述电致发光单元具有设置在所述绝缘膜上的下电极、设置在所述下电极上的中间膜以及设置在所述中间膜上的上电极,
其中,所述无机表面部在平面图位于所述上电极外部,
其中,所述下电极直接设置在所述绝缘膜的顶表面上,所述整个无机表面部设置为相对较低于所述绝缘膜的所述顶表面。
7.如权利要求6所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部具有至少一个区域,所述至少一个区域包括彼此分隔开的多个无机表面分支,
其中,所述外围区包括有机表面部,所述有机表面部设置在所述多个无机表面分支之间、包括有机材料、基本围绕所述发射区并且在平面图被所述柔性封装多层的所述下表面与所述无机表面部直接接触的界面基本围绕,
其中,所述多个无机表面分支包括位于比所述有机表面部相对更靠外的外无机表面分支和位于比所述有机表面部相对更靠内的内无机表面分支,
其中,所述下结构还包括总线布线和辅助上电极,所述总线布线在所述无机绝缘膜的顶表面上沿着所述发射区的外围延伸,所述辅助上电极在所述绝缘膜的侧表面和顶表面上沿着所述发射区的所述外围延伸以电接触所述总线布线的顶表面和所述上电极的底表面两者,
其中,所述内无机表面分支包括所述辅助上电极的顶表面的至少一部分从而具有比所述外无机表面分支的高度相对较大的高度,
其中,所述总线布线的表面的一部分直接接触所述柔性封装多层的所述下表面,所述总线布线的所述表面的所述一部分比所述有机表面部距离所述发射区相对较远。
8.如权利要求7所述的电致发光装置,
其中,所述电致发光装置能够被终端用户所折曲、弯曲、折叠、卷绕或拉伸。
9.如权利要求7所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部包括均包括所述无机绝缘膜的顶表面部、所述总线布线的侧表面部和所述总线布线的顶表面部的至少两个台阶表面部,
其中,所述总线布线具有外边缘部和与所述外边缘部相对的内边缘部,所述总线布线的所述外边缘部比所述总线布线的所述内边缘部距离所述发射区相对较远,所述总线布线的所述外边缘部位于所述柔性封装多层的所述下表面下方,所述总线布线的所述外边缘部不与所述柔性封装多层的所述下表面直接接触。
10.如权利要求9所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部还包括均包括所述无机绝缘膜的顶表面部、所述辅助上电极的侧表面部和所述辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部,
其中,所述辅助上电极具有外边缘部和与所述外边缘部相对的内边缘部,所述辅助上电极的所述外边缘部比所述辅助上电极的所述内边缘部距离所述发射区相对较远,所述辅助上电极的所述外边缘部位于所述柔性封装多层的所述下表面下方,所述辅助上电极的所述外边缘部不与所述柔性封装多层的所述下表面直接接触。
11.如权利要求9所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部还包括均包括所述总线布线的顶表面部、所述辅助上电极的侧表面部和所述辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部,
其中,所述辅助上电极具有外边缘部和与所述外边缘部相对的内边缘部,所述辅助上电极的所述外边缘部比所述辅助上电极的所述内边缘部距离所述发射区相对较远,所述辅助上电极的所述外边缘部位于所述柔性封装多层的所述下表面下方,所述辅助上电极的所述外边缘部不与所述柔性封装多层的所述下表面直接接触。
12.如权利要求9所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部还包括均包括所述无机绝缘膜的顶表面部、所述辅助上电极的侧表面部和所述辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部,
其中,所述无机表面部还包括均包括所述总线布线的顶表面部、所述辅助上电极的侧表面部和所述辅助上电极的顶表面部的至少两个台阶表面部,
其中,所述辅助上电极具有外边缘部和与所述外边缘部相对的内边缘部,所述辅助上电极的所述外边缘部比所述辅助上电极的所述内边缘部距离所述发射区相对较远,所述辅助上电极的所述外边缘部位于所述柔性封装多层的所述下表面下方,所述辅助上电极的所述外边缘部不与所述柔性封装多层的所述下表面直接接触。
13.如权利要求7所述的电致发光装置,其中,所述总线布线的所述表面的直接接触所述柔性封装多层的所述下表面的所述一部分包括在所述外无机表面分支中。
14.如权利要求7所述的电致发光装置,
其中,所述有机表面部具有被开口敞开的形状以间断围绕所述发射区,
其中,所述无机表面部的所述第一区与所述下结构的设置有所述开口的第一侧完全对应,
其中,所述无机表面部的所述第二区与所述下结构的未设置所述开口的第二侧完全对应,
其中,所述第一区的所述第一平均宽度相对较大于所述第二区的所述第二平均宽度。
15.如权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述外围区包括无机结构,所述无机结构具有边缘,所述边缘具有侧表面和上表面,
其中,所述无机表面部包括所述边缘的所述侧表面和所述上表面,
其中,所述边缘的所述侧表面和所述上表面直接接触所述柔性封装多层,
其中,所述边缘从所述无机表面部的外边缘延伸到所述无机表面部的内边缘,所述内边缘位于与所述无机表面部的所述外边缘相对的位置,
其中,所述边缘的所述侧表面包括从由凸部、凹部、成角部、倒圆部以及基本沿着所述无机表面部延伸所沿的方向延伸的部分组成的组中独立选择的至少两个。
16.如权利要求15所述的电致发光装置,
其中,所述无机结构包括第一无机膜和设置在所述第一无机膜上的第二无机膜,
其中,所述第二无机膜的硬度相对较大于所述第一无机膜的硬度。
17.如权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述外围区包括导电膜,所述导电膜向所述电致发光单元提供电信号并且具有穿透所述导电膜的孔,所述导电膜位于从所述无机表面部的内边缘向内的位置并且是对准标记,
其中,所述导电膜是沿着所述发射区的外围延伸的辅助上电极,并且电接触所述电致发光单元的上电极。
18.如权利要求1所述的电致发光装置,
其中,所述无机表面部具有至少一个凹进,
其中,所述凹进是穿过第二无机层上的第一无机层而形成的孔,使得所述第二无机层的顶表面通过所述孔暴露并且变成所述凹进的底表面,
其中,所述第一无机层仅包括一个或更多个无机膜,所述第二无机层仅包括一个或更多个无机膜。
19.如权利要求18所述的电致发光装置,
其中,所述凹进具有突起,所述突起具有不超过所述凹进的深度的高度。
20.如权利要求18所述的电致发光装置,
其中,所述凹进中的至少两个在平面图中具有基本不同的形状。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170034772A KR102320938B1 (ko) | 2017-03-20 | 2017-03-20 | 표시 장치 |
KR10-2017-0034772 | 2017-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108630824A true CN108630824A (zh) | 2018-10-09 |
CN108630824B CN108630824B (zh) | 2022-12-09 |
Family
ID=63520699
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810223370.XA Active CN108630824B (zh) | 2017-03-20 | 2018-03-19 | 电致发光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10340476B2 (zh) |
KR (1) | KR102320938B1 (zh) |
CN (1) | CN108630824B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109493736A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-03-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其显示装置 |
CN110047895A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-07-23 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
WO2023070721A1 (zh) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6815215B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-01-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6843710B2 (ja) * | 2017-07-12 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の製造方法 |
KR102370639B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2022-03-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP7068800B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN110021640A (zh) | 2018-01-08 | 2019-07-16 | 三星显示有限公司 | 电致发光装置 |
KR102572136B1 (ko) | 2018-01-08 | 2023-08-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 윈도우를 갖는 전계 발광 장치 |
KR102522591B1 (ko) * | 2018-02-05 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110323350B (zh) * | 2018-03-29 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜封装方法、薄膜封装结构、显示装置 |
KR102547854B1 (ko) | 2018-05-04 | 2023-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 및 폴더블 표시 장치의 제조 방법 |
KR102546667B1 (ko) | 2018-05-15 | 2023-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴더블 표시 장치 |
EP3890223B1 (en) * | 2019-02-22 | 2023-10-25 | LG Electronics Inc. | Method and apparatus for data link-based sidelink communication in nr v2x |
KR20200131940A (ko) * | 2019-05-14 | 2020-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110504290B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-09-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法和显示面板 |
US11374185B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-06-28 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologies Co., Ltd. | Flexible display panel, flexible display device, and manufacturing method of flexible display panel |
CN110993655B (zh) * | 2019-11-26 | 2021-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示装置及柔性显示面板的制作方法 |
KR102659331B1 (ko) | 2019-12-31 | 2024-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20210116754A (ko) * | 2020-03-13 | 2021-09-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20220005675A (ko) * | 2020-07-06 | 2022-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 제조하기 위한 마스크 |
KR20220068302A (ko) | 2020-11-18 | 2022-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140032268A (ko) * | 2012-09-06 | 2014-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20140145155A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-05-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and organic luminescent display device |
WO2014199673A1 (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-18 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
CN104425550A (zh) * | 2013-08-30 | 2015-03-18 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机电致发光装置及其制造方法 |
US20170077447A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display apparatus |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018686A (ja) | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
JP2011160729A (ja) | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Airtech Japan Ltd | ガス条件を任意に変更可能とした組織培養装置 |
KR101667800B1 (ko) | 2014-08-29 | 2016-10-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102404577B1 (ko) | 2015-03-27 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2017
- 2017-03-20 KR KR1020170034772A patent/KR102320938B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-01-05 US US15/863,621 patent/US10340476B2/en active Active
- 2018-03-19 CN CN201810223370.XA patent/CN108630824B/zh active Active
-
2019
- 2019-04-29 US US16/397,201 patent/US10505149B2/en active Active
- 2019-11-11 US US16/680,270 patent/US10833291B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140032268A (ko) * | 2012-09-06 | 2014-03-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20140145155A1 (en) * | 2012-11-29 | 2014-05-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and organic luminescent display device |
WO2014199673A1 (ja) * | 2013-06-11 | 2014-12-18 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
CN104425550A (zh) * | 2013-08-30 | 2015-03-18 | 乐金显示有限公司 | 柔性有机电致发光装置及其制造方法 |
US20170077447A1 (en) * | 2015-09-15 | 2017-03-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Flexible display apparatus |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109493736A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-03-19 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及其显示装置 |
CN110047895A (zh) * | 2019-04-24 | 2019-07-23 | 上海天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
WO2023070721A1 (zh) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180269427A1 (en) | 2018-09-20 |
US20190259974A1 (en) | 2019-08-22 |
CN108630824B (zh) | 2022-12-09 |
US10340476B2 (en) | 2019-07-02 |
KR102320938B1 (ko) | 2021-11-03 |
US10505149B2 (en) | 2019-12-10 |
US20200083479A1 (en) | 2020-03-12 |
US10833291B2 (en) | 2020-11-10 |
KR20180107414A (ko) | 2018-10-02 |
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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