KR20170129318A - 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 - Google Patents

투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20170129318A
KR20170129318A KR1020160059528A KR20160059528A KR20170129318A KR 20170129318 A KR20170129318 A KR 20170129318A KR 1020160059528 A KR1020160059528 A KR 1020160059528A KR 20160059528 A KR20160059528 A KR 20160059528A KR 20170129318 A KR20170129318 A KR 20170129318A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
electrode
pixel region
capping
pixel
Prior art date
Application number
KR1020160059528A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102519420B1 (ko
Inventor
정진구
문정우
박병희
최준호
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160059528A priority Critical patent/KR102519420B1/ko
Priority to US15/447,798 priority patent/US10074705B2/en
Priority to CN201710341831.9A priority patent/CN107394061B/zh
Publication of KR20170129318A publication Critical patent/KR20170129318A/ko
Priority to US16/101,149 priority patent/US10403699B2/en
Priority to US16/532,110 priority patent/US10957752B2/en
Priority to US17/182,273 priority patent/US20210175308A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102519420B1 publication Critical patent/KR102519420B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H01L51/5253—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H01L27/3211—
    • H01L51/0011—
    • H01L51/5262—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H01L2227/32—
    • H01L2251/558—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

투명 표시 장치의 제조 방법에 있어서, 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판을 제공할 수 있다. 기판 상의 화소 영역에 제1 전극을 형성할 수 있고, 제1 전극 상에 표시층을 형성할 수 있다. 표시층 상에 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 형성할 수 있고, 제2 전극 상에 제1 캡핑막 및 제2 캡핑막을 포함하는 캡핑 구조물을 형성할 수 있다. 개구를 갖는 마스크를 이용하여, 제2 전극 상의 화소 영역 및 투과 영역의 제1 영역에 제1 캡핑막을 형성할 수 있고, 마스크를 이동하여, 제2 전극 상의 화소 영역 및 투과 영역의 제2 영역에 제2 캡핑막을 형성할 수 있다.

Description

투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법{TRANSPARENT DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A TRANSPARENT DISPLAY DEVICE}
본 발명은 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 제1 캡핑막 및 제2 캡핑막을 포함하는 캡핑 구조물을 포함하는 투명 표시 장치 및 이러한 투명 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근, 유기 발광 표시(organic light emitting display; OLED) 장치와 같은 표시 장치에 있어서 투과성 또는 투명성을 구현하려는 연구가 지속되고 있다.
투명 표시 장치를 구현하기 위하여, 기판, 전극, 절연막, 캡핑막 등과 같은 다양한 재료들의 조성, 배치, 두께 등 다양한 변수들을 최적화하는 것이 필요하다. 예를 들면, 상기 유기 발광 표시 장치의 경우, 서로 다른 물질을 포함하는 다수의 도전막 및 절연막들이 적층되며, 이에 따라, 광학적 특성이 저하되어 원하는 투과성 또는 투명성을 획득하는 것이 용이하지 않다.
본 발명의 일 목적은 제조 시간 및 제조 비용이 절감된 투명 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 투과도 및 발광 효율이 향상된 투명 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적이 이와 같은 목적들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판을 준비할 수 있다. 상기 기판 상의 상기 화소 영역에 제1 전극을 형성할 수 있고, 상기 제1 전극 상에 표시층을 형성할 수 있다. 상기 표시층 상에 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 형성할 수 있고, 상기 제2 전극 상에 제1 캡핑막 및 제2 캡핑막을 포함하는 캡핑 구조물을 형성할 수 있다. 개구를 갖는 마스크를 이용하여, 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제1 영역에 상기 제1 캡핑막을 형성할 수 있고, 상기 마스크를 이동하여, 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제2 영역에 상기 제2 캡핑막을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 절반의 합과 실질적으로 동일할 수 있고, 상기 투과 영역에서 상기 제1 영역의 단부와 상기 제2 영역의 단부는 서로 접할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 절반의 합보다 실질적으로 크고, 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 합보다 작을 수 있고, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 적어도 일부가 중첩되는 제3 영역을 더 포함할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 투과 영역 중 상기 제3 영역에서 상기 제1 두께를 가질 수 있으며, 상기 투과 영역 중 나머지 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 화소 영역의 폭보다 실질적으로 크고, 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 절반의 합보다 실질적으로 작을 수 있고, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 제3 영역을 더 포함할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극에 상기 투과 영역의 적어도 일부에 중첩되는 개구부를 형성할 수 있다.
전술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 제1 화소 영역, 제1 투과 영역, 제2 화소 영역 및 제2 투과 영역을 포함하는 기판을 준비할 수 있다. 상기 기판 상의 상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역에 각기 제1 전극을 형성할 수 있고, 상기 제1 전극 상에 표시층을 형성할 수 있다. 상기 표시층 상에 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 형성할 수 있고, 상기 제2 전극 상에 제1 캡핑막 및 제2 캡핑막을 포함하는 캡핑 구조물을 형성할 수 있다. 개구를 갖는 마스크를 이용하여, 상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 화소 영역에 상기 제1 캡핑막을 형성할 수 있고, 상기 마스크를 이동하여, 상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역 및 상기 제2 투과 영역에 상기 제2 캡핑막을 형성할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 제1 화소 영역의 폭, 상기 제1 투과 영역의 폭 및 상기 제2 화소 영역의 폭의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치는 제1 방향으로 배열되는 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 화소 영역에 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 표시층, 상기 표시층을 사이에 두고 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극, 그리고 상기 제2 전극 상에 배치되는 캡핑 구조물을 포함할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제1 영역에 배치되는 제1 캡핑막 및 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제2 영역에 배치되는 제2 캡핑막을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제1 영역의 단부와 상기 제2 영역의 단부는 서로 접할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 적어도 일부가 중첩되는 제3 영역을 더 포함할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 투과 영역 중 상기 제3 영역에서 상기 제1 두께를 가질 수 있으며, 상기 투과 영역 중 나머지 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
또 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 제3 영역을 더 포함할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제1 캡핑막과 상기 제2 캡핑막은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 투명 표시 장치는 각기 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역을 포함하는 복수의 단위 화소들을 더 포함할 수 있고, 상기 복수의 단위 화소들은 상기 제1 방향에 실질적으로 수직하는 제2 방향으로 배열될 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 복수의 단위 화소들 중 적어도 하나의 화소 별로 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 복수의 화소들에 공통으로 제공될 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 각 단위 화소 별로 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 영역은 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 배열되는 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 투과 영역의 적어도 일부에 중첩되는 개구부를 포함할 수 있다.
전술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치는 제1 화소 영역, 제1 투과 영역, 제2 화소 영역 및 제2 투과 영역을 포함하는 기판, 상기 기판 상의 상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역에 각기 배치되는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치되는 표시층, 상기 표시층을 사이에 두고 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극, 그리고 상기 제2 전극 상에 배치되는 캡핑 구조물을 포함할 수 있다. 상기 캡핑 구조물은 상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 화소 영역에 배치되는 제1 캡핑막 및 상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역 및 상기 제2 투과 영역에 배치되는 제2 캡핑막을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역에서 제1 두께를 가질 수 있고, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법에 따르면, 하나의 마스크를 이동하여 서로 면적이 실질적으로 동일한 제1 캡핑막 및 제2 캡핑막을 형성함으로써, 발광 영역 및 투과 영역에서 서로 두께가 실질적으로 상이한 캡핑 구조물을 형성할 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치의 제조 시간 및 제조 비용이 절감될 수 있다. 또한, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치는 발광 영역 및 투과 영역에서 서로 두께가 실질적으로 상이한 캡핑 구조물을 포함할 수 있다. 이에 따라, 투명 표시 장치의 투과도 및 발광 효율이 향상될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과가 전술한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 투명 표시 장치의 I 영역을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 6 내지 도 8은 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 9 내지 도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 20은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 23은 도 1의 투명 표시 장치의 II 영역을 나타내는 평면도이다.
도 24는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 25 내지 도 31은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
도 32는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 33은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치들 및 상기 투명 표시 장치들의 제조 방법들을 보다 상세하게 설명한다. 첨부된 도면들 상의 동일한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 2는 도 1의 투명 표시 장치의 I 영역을 나타내는 평면도이다. 도 3은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 3은 도 2의 III-III' 라인을 따라 절단한 단면도일 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 투명 표시 장치는 복수의 단위 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 단위 화소들(PX)은 도 3에 도시된 기판(100)의 상면에 실질적으로 나란하면서, 직교하도록 교차되는 제1 방향 및 제2 방향을 따라 배열될 수 있다.
각 단위 화소(PX)는 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)을 포함할 수 있다. 화소 영역(10) 내에는 복수의 서브 화소 영역들이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 화소 영역(10)은 적색 서브 화소 영역(11), 녹색 서브 화소 영역(12) 및 청색 서브 화소 영역(13)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 서브 화소 영역들(11, 12, 13)은 상기 제2 방향으로 배열될 수 있다.
도 1 및 도 2에는 서브 화소 영역들(11, 12, 13)이 실질적으로 동일한 면적을 가지는 것으로 도시되었으나, 발광 효율 향상을 위해, 적색 서브 화소 영역(11), 녹색 서브 화소 영역(12) 및 청색 서브 화소 영역(13)은 다른 면적들을 가질 수도 있다.
투과 영역(20)은 적색 서브 화소 영역(11), 녹색 서브 화소 영역(12) 및 청색 서브 화소 영역(13)과 인접하며 연장될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)은 각 단위 화소(PX) 마다 독립적으로 제공될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)은, 예를 들면, 상기 제2 방향으로 연장될 수 있고, 인접하는 다른 단위 화소들(PX)에 대해 공통적으로 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 화소 영역(10)에는 영상 구현을 위한 화소 회로가 배치될 수 있다. 투과 영역(20)에서는 외광이 투과되어 외부 이미지가 관찰될 수 있다.
화소 영역(10)의 상기 각 서브 화소 영역에는 박막 트랜지스터와 같은 트랜지스터가 배치될 수 있고, 상기 트랜지스터는 데이터 라인(151) 및 스캔 라인(136)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 데이터 라인(151) 및 스캔 라인(136)은 서로 교차하도록 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 화소 회로는 데이터 라인(151), 스캔 라인(136), 상기 트랜지스터 등을 포함할 수 있다.
도 2에 도시되지는 않았으나, 상기 화소 회로는, 예를 들면, 데이터 라인(151)과 실질적으로 평행하게 배치되는 전원 라인을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 화소 회로는 상기 전원 라인 및 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 커패시터를 추가적으로 포함할 수도 있다.
도 2에는 상기 각 서브 화소 영역마다 하나의 트랜지스터만을 도시하였으나, 적어도 2 이상의 트랜지스터들이 상기 각 서브 화소 영역마다 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 각 서브 화소 영역마다 스위칭 트랜지스터 및 구동 트랜지스터가 배치될 수 있다. 상기 스위칭 트랜지스터 및 상기 구동 트랜지스터 사이에 상기 커패시터가 전기적으로 연결될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 트랜지스터는 기판(100) 상의 화소 영역(10)에 배치될 수 있다. 상기 트랜지스터는 액티브 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(135), 층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 포함할 수 있다. 상기 트랜지스터를 커버하는 비아 절연막(160)이 배치될 수 있고, 비아 절연막(160) 상에는, 예를 들면, 상기 트랜지스터의 드레인 전극(155)과 전기적으로 연결되는 제1 전극(170)이 배치될 수 있다.
기판(100)으로서 투명 절연 기판을 사용할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 유리, 또는 투명성 및 유연성을 갖는 폴리머를 포함할 수 있다. 기판(100)이 폴리머를 포함하는 경우, 상기 투명 표시 장치는 투명 플렉서블 표시 장치로 제공될 수 있다. 예를 들면, 기판(100)은 폴리이미드, 폴리실록산, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 고분자 물질을 포함할 수도 있다.
기판(100)은, 상술한 바와 같이, 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)으로 구분될 수 있다. 도 3에는 제1 단위 화소(PXa)에 포함되는 제1 화소 영역(10a)과 제1 투과 영역(20a), 그리고 제2 단위 화소(PXb)에 포함되는 제2 화소 영역(10b)과 제2 투과 영역(20b)이 도시되어있으나, 제1 단위 화소(PXa)와 제2 단위 화소(PXb)는 실질적으로 동일하므로 여기서 다르게 언급하지 않는 한, 제1 화소 영역(10a) 및 제2 화소 영역(10b)은 모두 화소 영역(10), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 투과 영역(20b)은 모두 투과 영역(20)으로 호칭한다.
버퍼막(110)은 기판(100)의 상면 상에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 버퍼막(110)은 기판(100)의 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 상에 공통으로 제공될 수 있다. 다른 실시예들에 있어서, 버퍼막(110)은 실질적으로 기판(100)의 화소 영역(10)에만 제공될 수도 있다. 버퍼막(110)에 의해 기판(100)을 통해 침투하는 수분이 차단될 수 있으며, 기판(100) 및 기판(100) 상에 배치된 구조물 사이의 불순물 확산이 차단될 수 있다. 예를 들면, 버퍼막(110)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 버퍼막(110)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수 있다.
액티브 패턴(120)은 화소 영역(10)의 버퍼막(110) 상에 배치될 수 있다. 액티브 패턴(120)은 폴리실리콘과 같은 실리콘 화합물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 액티브 패턴(120)의 양 단부에는 p형 혹은 n형 불순물을 포함하는 소스 영역 및 드레인 영역이 배치될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 액티브 패턴(120)은 인듐-갈륨-아연 산화물(Indium Gallium Zinc Oxide: IGZO), 아연-주석 산화물(Zinc Tin Oxide: ZTO), 또는 인듐-주석-아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide: ITZO)과 같은 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
게이트 절연막(130)은 버퍼막(110) 상에 배치되어 액티브 패턴(120)을 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(130)은 버퍼막(110)과 유사하게 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)에 위치할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130)은 실질적으로 화소 영역(10)에만 선택적으로 배치될 수도 있다.
게이트 절연막(130) 상에는 게이트 전극(135)이 배치될 수 있다. 게이트 전극(135)은 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 액티브 패턴(120)과 실질적으로 중첩될 수 있다.
게이트 전극(135)은 스캔 라인(136)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 도 2에 도시된 바와 같이, 게이트 전극(135)은 스캔 라인(136)으로부터 분기될 수 있다.
게이트 전극(135)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc) 등과 같은 금속 물질, 상기 금속들의 합금, 상기 금속들의 질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 게이트 전극(135)은 서로 다른 2 이상의 금속층들이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 게이트 전극(135)은 저저항화를 위해, Al/Mo 구조 혹은 Ti/Cu 구조와 같은 다층 구조를 가질 수 있다.
층간 절연막(140)은 게이트 절연막(130) 상에 형성되어 게이트 전극(135)을 커버할 수 있다. 층간 절연막(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 포함할 수 있다. 층간 절연막(140)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 포함하는 적층 구조를 가질 수도 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 층간 절연막(140)은 버퍼막(110)과 유사하게 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)에서 공통으로 연장될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 층간 절연막(140)은 실질적으로 화소 영역(10)에 선택적으로 배치될 수도 있다.
소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(130)을 관통하여 액티브 패턴(120)과 접촉할 수 있다. 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 각기 Ag, Mg, Al, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 금속 물질, 상기 금속들의 합금, 상기 금속들의 질화물 등을 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은, 예를 들면, 각기 Al 층 및 Mo 층과 같은 서로 다른 2 이상의 금속층들이 적층된 구조를 가질 수도 있다.
소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 각기 액티브 패턴(120)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역에 접촉될 수 있다. 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 사이의 액티브 패턴(120)의 일부는 전하가 이동하는 채널로서 제공될 수 있다.
소스 전극(150)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 데이터 라인(151)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(150)은 데이터 라인(151)으로부터 분기될 수 있다.
도 3에서는 게이트 전극(135)이 액티브 패턴(120) 상부에 배치되는 탑 게이트(top gate) 구조의 박막 트랜지스터가 도시되었으나, 상기 트랜지스터는 게이트 전극(135)이 액티브 패턴(120) 하부에 배치되는 바텀 게이트(bottom gate) 구조를 가질 수도 있다.
비아 절연막(160)은 층간 절연막(140) 상에 배치되어 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 커버할 수 있다. 비아 절연막(160)은 제1 전극(170)과 드레인 전극(155)을 전기적으로 연결시키는 비아(via) 구조를 수용할 수 있다. 또한, 비아 절연막(160)은 비아 절연막(160) 상에 배치된 구조물들을 위한 평탄화 막으로 제공될 수도 있다.
비아 절연막(160)은 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르 등과 같은 유기 물질을 포함할 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에 따르면, 비아 절연막(160)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 배치될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 비아 절연막(160)은 실질적으로 화소 영역(10)에 선택적으로 배치될 수도 있다.
제1 전극(170)은 비아 절연막(160) 상에 배치되며, 비아 절연막(160)을 관통하여 드레인 전극(155)과 접촉 혹은 전기적으로 연결되는 상기 비아 구조를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 전극(170)은 상기 각 서브 화소 영역마다 독립적으로 배치될 수 있다. 제1 전극(170)은 상기 투명 표시 장치의 화소 전극 또는 양극(anode)으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 전극(170)은 상대적으로 높은 일함수를 갖는 투명 도전성 물질을 포함할 수도 있다. 예를 들면, 제1 전극(170)은 인듐 주석 화합물(ITO), 인듐 아연 화합물(IZO), 아연 산화물 또는 인듐 산화물을 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 장치의 투과도가 보다 향상될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 전극(170)은 반사 전극으로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 전극(170)은 Ag, Mg, Al, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 전극(170)은 상기 투명 도전성 물질 및 상기 금속을 포함하는 다층 구조를 가질 수도 있다.
화소 정의막(180)은 비아 절연막(160) 상에 배치되어, 제1 전극(170)의 주변부를 커버할 수 있다. 화소 정의막(180)은 폴리이미드 수지 또는 아크릴 수지와 같은 투명 유기 물질을 포함할 수 있다.
화소 정의막(180)에 의해 화소 영역(10)에 포함된 상기 각 서브 화소 영역들이 노출될 수 있다. 화소 정의막(180)에 의해 커버되지 않은 제1 전극(170)의 면적이 실질적으로 상기 각 서브 화소 영역의 발광 영역의 면적에 해당될 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에 따르면, 화소 정의막(180)은 투과 영역(20)으로 연장될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 따르면, 화소 정의막(180)은 투과 영역(20)으로 연장되지 않고, 실질적으로 화소 영역(10)에 선택적으로 배치될 수 있다.
표시층(200)은 화소 정의막(180) 및 제1 전극(170) 상에 배치될 수 있다. 예를 들면, 표시층(200)은 화소 정의막(180)의 측벽 및 화소 정의막(180)에 의해 노출된 제1 전극(170)의 상면 상에 배치될 수 있다.
표시층(200)은 적색 서브 화소 영역(11), 녹색 서브 화소 영역(12) 및 청색 서브 화소 영역(13) 마다 독립적으로 패터닝되어 각 서브 화소 영역 별로 다른 색의 광들을 발생시키는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 상기 유기 발광층은 정공 및 전자에 의해 여기되는 호스트(host) 물질, 및 에너지의 흡수 및 방출을 통해 발광 효율을 증가시키는 도펀트(dopant) 물질을 포함할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 표시층(200)은 제1 전극(170) 및 상기 유기 발광층 사이에 배치되는 정공 수송층(hole transport layer: HTL)을 더 포함할 수 있다. 또한, 표시층(200)은 상기 유기 발광층 상에 배치되는 전자 수송층(electron transport layer: ETL)을 더 포함할 수 있다.
상기 정공 수송층은 예를 들면, 4,4＇-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐(NPB), 4,4＇-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]비페닐(TPD), N,N-디-1-나프틸-N,N-디페닐-1,1-비페닐-4,4-디아민(NPD), N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등과 같은 정공 수송 물질을 포함할 수 있다.
상기 전자 수송층은 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(Alq3), 2-(4-비페닐릴)-5-(4-터트-부틸페닐-1,3,4-옥시디아졸(PBD), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)-4-페닐페놀라토-알루미늄(BAlq), 바쏘쿠프로인(BCP), 트리아졸(TAZ), 페닐퀴노잘린(phenylquinozaline) 등과 같은 전자 수송 물질을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층과 다르게, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 각기 적색 서브 화소 영역(11), 녹색 서브 화소 영역(12) 및 청색 서브 화소 영역(13) 마다 패터닝되지 않고, 공통으로 제공될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층 중 적어도 하나는 서브 화소 영역 별로 패터닝되지 않고, 복수의 서브 화소 영역들에 공통으로 제공될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 복수의 서브 화소 영역들에 공통으로 제공되며, 각 서브 화소 영역 별 색상은 컬러 필터를 통해 구현할 수 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 장치는 W-OLED(white-OLED)로 기능할 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 표시층(200)은 상술한 유기 발광층 대신 액정층을 포함할 수도 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 장치는 액정 표시 장치로 제공될 수 있다.
제2 전극(210)은 화소 정의막(180) 및 표시층(200) 상에 배치될 수 있다. 제2 전극(210)은 표시층(200)을 사이에 두고 제1 전극(170)과 서로 마주보도록 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 전극(210)은 복수의 상기 서브 화소들에서 공통적으로 연장되는 공통 전극으로 제공될 수 있다. 또한, 제2 전극(210)은 상기 투명 표시 장치의 음극(cathode)으로 제공될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 전극(210)은 Ag, Mg, Al, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 상대적으로 낮은 일함수를 갖는 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 포함할 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(210)은 Ag, Mg 또는 이들의 합금(예를 들면, AgxMg1-x)을 포함할 수 있다.
제2 전극(210)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)에서 연속적으로 연장될 수 있다. 제2 전극(210)의 두께는 화소 영역(10)에서의 발광 효율 및 투과 영역(20)에서의 소정의 투과율 확보를 고려하여 결정될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제2 전극(210)은 투과 영역(20)에서는 실질적으로 제거될 수도 있다.
제2 전극(210) 상에는 캡핑 구조물(220)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 캡핑 구조물(220)은 실질적으로 제2 전극(210)의 상면을 커버하며, 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)에 공통으로 제공될 수 있다.
캡핑 구조물(220)은 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 포함할 수 있다. 제1 캡핑막(222)은 제2 전극(210) 상의 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)의 제1 영역(21)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)은 제2 전극(210)의 상면을 커버하고, 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)의 제1 영역(21)에 공통으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(21)은 제1 투과 영역(20a) 중 제1 화소 영역(10a)에 인접한 영역일 수 있다.
제2 캡핑막(224)은 제2 전극(210) 상의 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)의 제2 영역(22)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 캡핑막(224)은 제2 전극(210)의 상면 및 제1 캡핑막(222)의 상면을 커버하고, 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)의 제2 영역(22)에 공통으로 제공될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(22)은 제1 투과 영역(20a) 중 제1 화소 영역(10a)으로부터 이격된 영역일 수 있다. 다시 말해, 제2 영역(22)은 제2 화소 영역(10b)에 인접할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)에서 제1 영역(21)의 단부와 제2 영역(22)의 단부는 실질적으로 서로 접할 수 있다. 다시 말해, 제1 영역(21)과 제2 영역(22)은 중첩되지 않으면서, 서로 이격되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 영역(21)의 면적과 제2 영역(22)의 면적은 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(21)의 면적 및 제2 영역(22)의 면적은 각기 실질적으로 투과 영역(20)의 면적의 절반에 해당할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 제1 두께를 가지고, 투과 영역(20)에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께와 제2 캡핑막(224)의 두께의 합에 상응할 수 있고, 상기 제2 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께 또는 제2 캡핑막(224)의 두께에 상응할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 캡핑 구조물(220)은 투과 영역(20)에서 실질적으로 일정한 두께를 가질 수 있다.
제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 상대적으로 우수한 투과도를 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 상술한 정공 수송 물질과 실질적으로 동일하거나 유사한 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 양극으로 제공되는 제2 전극(210)에 의해 화소 영역(10)에서의 발광 특성이 교란되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 캡핑막(222)의 두께 및 제2 캡핑막(224)의 두께는 화소 영역(10)에서의 발광 효율 향상 또는 발광 효율 극대화 및 투과 영역(20)에서의 투과율 향상 또는 투과율 극대화를 고려하여 결정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 캡핑 구조물(220)이 화소 영역(10)에서 제1 캡핑막(222)의 두께와 제2 캡핑막(224)의 두께의 합과 실질적으로 동일한 상기 제1 두께를 가지고, 투과 영역(20)에서 제1 캡핑막(222)의 두께 또는 제2 캡핑막(224)의 두께와 실질적으로 동일한 상기 제2 두께를 가지는 경우, 화소 영역(10)에서 발광 효율이 향상되는 동시에 투과 영역(20)에서 투과율이 향상될 수 있다.
종래의 투명 표시 장치에 있어서, 제2 전극 상에 화소 영역 및 투과 영역에 공통으로 제공되고, 실질적으로 균일한 두께를 갖는 캡핑막이 배치될 수 있다. 그러나, 상기 캡핑막이 상대적으로 작은 두께를 가지는 경우에 상기 화소 영역에서의 발광 효율이 저하될 수 있고, 상기 캡핑막이 상대적으로 큰 두께를 가지는 경우에 상기 투과 영역에서의 투과율이 저하될 수 있다.
이에 비하여, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따르면, 캡핑 구조물(220)이 화소 영역(10)에서 상기 제1 두께를 가질 수 있고, 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 상기 제2 두께를 가질 수 있으므로, 화소 영역(10)에서 발광 효율을 향상시키면서도, 투과 영역(20)에서 투과율을 향상시킬 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 도 3에 도시된 바와 같이, 캡핑 구조물(220) 상부에 밀봉(encapsulation) 기판(250)이 배치될 수 있고, 캡핑 구조물(220) 및 밀봉 기판(250) 사이에는 충전층(240)이 개재될 수 있다. 또한, 도 3에 도시되지는 않았으나, 기판(100)의 주변부 및 밀봉 기판(250)의 주변부 사이에는 결합 부재가 배치되어 충전층(240)을 가두고, 기판(100) 및 밀봉 기판(250)을 결합할 수 있다.
밀봉 기판(250)으로서는, 예를 들면, 유리 재질 또는 폴리머 재질 기판을 사용할 수 있다. 충전층(240)은, 예를 들면, 실질적으로 투명성 또는 투과성을 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 밀봉 기판(250) 및 충전층(240) 대신 유/무기 복합층을 밀봉층으로 사용할 수도 있다. 이 경우, 기판(100) 및 밀봉 기판(250) 사이에 상기 결합 부재가 필요하지 않을 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4에 도시된 투명 표시 장치는 투과 영역(20)에서의 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)의 구조를 제외하고 도 3에 도시된 투명 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략되며, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 4를 참조하면, 투과 영역(20)은 제1 영역(21)과 제2 영역(22)의 적어도 일부가 중첩되는 제3 영역(23)을 더 포함할 수 있다. 다시 말해, 제1 캡핑막(222)이 배치되는 제1 영역(21)과 제2 캡핑막(224)이 배치되는 제2 영역(22)은 적어도 일부가 중첩될 수 있고, 이러한 중첩되는 영역이 제3 영역(23)으로 정의될 수 있다. 예를 들면, 제3 영역(23)에서, 화소 영역(10)과 유사하게, 제2 전극(210) 상에 제1 캡핑막(222)이 배치될 수 있고, 제1 캡핑막(222) 상에 제2 캡핑막(224)이 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 영역(21)의 면적과 제2 영역(22)의 면적은 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(21)의 면적 및 제2 영역(22)의 면적은 각기 실질적으로 투과 영역(20)의 면적의 절반보다 클 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 제1 두께를 가질 수 있고, 투과 영역(20) 중 제3 영역(23)에서 상기 제1 두께를 가질 수 있으며, 투과 영역(20) 중에서 제3 영역(23)을 제외한 나머지 영역에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께와 제2 캡핑막(224)의 두께의 합과 실질적으로 동일할 수 있고, 상기 제2 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께 또는 제2 캡핑막(224)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 캡핑 구조물(220)은 제3 영역(23)을 제외한 나머지 투과 영역(20)에서 실질적으로 일정한 두께를 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5에 도시된 투명 표시 장치는 투과 영역(20)에서의 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)의 구조를 제외하고 도 3 및 도 4에 도시된 투명 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략되며, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조부호들을 사용한다.
도 5를 참조하면, 투과 영역(20)은 제1 영역(21)과 제2 영역(22) 사이의 제3 영역(23)을 더 포함할 수 있다. 다시 말해, 제1 캡핑막(222)이 배치되는 제1 영역(21)과 제2 캡핑막(224)이 배치되는 제2 영역(22)은 서로 이격될 수 있고, 제1 영역(21)과 제2 영역(22) 사이의 제1 캡핑막(222) 또는 제2 캡핑막(224)이 배치되지 않는 영역이 제3 영역(23)으로 정의될 수 있다. 예를 들면, 제3 영역(23)에는 제1 캡핑막(222)의 측벽, 제2 캡핑막(224)의 측벽 및 제2 전극(210)의 노출된 상면으로 정의되는 개구가 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 영역(21)의 면적과 제2 영역(22)의 면적은 실질적으로 동일할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(21)의 면적 및 제2 영역(22)의 면적은 각기 투과 영역(20)의 면적의 절반보다 실질적으로 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 제1 두께를 가질 수 있고, 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)에서 상기 제1 두께보다 실질적으로 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께와 제2 캡핑막(224)의 두께의 합과 실질적으로 동일할 수 있고, 상기 제2 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께 또는 제2 캡핑막(224)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 캡핑 구조물(220)은 제3 영역(23)을 제외한 나머지 투과 영역(20)에서 실질적으로 일정한 두께를 가질 수 있다.
도 6 내지 도 8은 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도들이다.
도 6 내지 도 8에 도시된 투명 표시 장치들은 투과 영역(20)에서의 제2 전극(210), 화소 정의막(180), 비아 절연막(160), 층간 절연막(140), 게이트 절연막(130) 및/또는 버퍼막(110)의 구조를 제외하고 도 3에 도시된 투명 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략되며, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조부호들을 사용한다.
도 6을 참조하면, 제2 전극(210)은 투과 영역(20)의 적어도 일부와 중첩되는 개구부(215)를 포함할 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에 있어서, 개구부(215)는 실질적으로 투과 영역(20)의 전부와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(210)의 개구부(215)에 의해 노출된 화소 정의막(180)의 상면에 캡핑 구조물(220)이 배치될 수 있다. 제2 전극(210)이 개구부(215)를 포함함에 따라, 투과 영역(20)의 투과율이 향상될 수 있다.
도 7을 참조하면, 투과 영역(20)의 화소 정의막(180) 및 비아 절연막(160)은 실질적으로 제거될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)에서 층간 절연막(140)의 상면, 그리고 비아 절연막(160) 및 화소 정의막(180)의 측벽에 의해 투과창(260)이 정의될 수 있다. 이와 같이, 투과창(260)이 형성됨에 따라, 투과 영역(20)의 투과율이 더욱 향상될 수 있다. 이 경우, 캡핑 구조물(220)은 제2 전극(210)의 표면 및 투과창(260)의 표면을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 투과 영역(20)의 층간 절연막(140), 게이트 절연막(130) 및 버퍼막(110)은 실질적으로 제거될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)에서 기판(100)의 상면, 그리고 버퍼막(110), 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 비아 절연막(160) 및 화소 정의막(180)의 측벽에 의해 투과창(260)이 정의될 수 있다. 이와 같이, 투과창(260)이 형성됨에 따라, 투과 영역(20)의 투과율이 더욱 더 향상될 수 있다. 이 경우, 캡핑 구조물(220)은 제2 전극(210)의 표면 및 투과창(260)의 표면을 따라 컨포멀하게 형성될 수 있다.
도 6 내지 도 8에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 투과 영역(20)에서 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 서로 접하는 경우가 예시되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 아니하고, 도 4에 도시된 바와 같이, 투과 영역(20)에서 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 중첩되는 경우 또는, 도 5에 도시된 바와 같이, 투과 영역(20)에서 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 이격되는 경우에도 도 6 내지 도 8에 도시된 투명 영역(20)에서의 제2 전극(210)의 개구부(215) 및 투과창(260)들이 적용될 수 있다.
도 9 내지 도 15는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다. 예를 들면, 도 9 내지 도 15에는 도 3에 도시된 투명 표시 장치를 제조하는 방법이 예시된다.
도 9를 참조하면, 캐리어 기판(50) 상에 기판(100)을 제공한 후, 기판(100) 상에 버퍼막(110)을 형성할 수 있다.
캐리어 기판(50)은 상기 투명 표시 장치의 제조 공정이 진행되는 동안에 기판(100)을 지지하는 역할을 수행할 수 있다. 예를 들면, 캐리어 기판(50)으로서는 유리 기판 혹은 금속 기판을 사용할 수 있다.
기판(100)은 유리 기판을 사용하거나 또는 폴리이미드 계열 수지와 같은 투명 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 캐리어 기판(50) 상에 폴리이미드 전구체를 포함하는 전구체 조성물을 스핀 코팅(spin coating) 공정을 통해 도포하여 코팅막을 형성할 수 있다. 이후, 상기 코팅막을 열경화시켜 기판(100)을 수득할 수 있다. 여기서, 상기 폴리이미드 전구체는 디아민(diamine) 및 디무수물(dianhydride)을 포함할 수 있다. 상기 전구체 조성물은 상기 폴리이미드 전구체를 유기 용매에 용해시켜 제조될 수 있다. 상기 유기 용매는, 제한적이지 않은 예로서, N-메틸-2-피롤리돈(N-Methyl-2-Pyrrolidone: NMP), 디메틸포름아미드(DMF), 테트라하이드로퓨란(THF), 트리에틸아민(TEA), 에틸아세테이트(ethylacetate), 디메틸설폭사이드(DMSO) 또는 에틸렌글리콜 계열 에테르 용매를 포함할 수 있다. 이들은 단독으로 혹은 2 이상이 조합되어 사용될 수 있다.
상기 열 경화 공정에 의해 디아민 및 디무수물 사이의 중합이 유도되어 폴리아믹산이 형성되며, 폴리아믹산이 추가로 열경화되어 탈수 축합이 진행되면서 상기 폴리이미드 계열 수지가 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 기판(100)으로 유리 기판을 사용하는 경우에 캐리어 기판(50)을 사용하는 공정이 생략될 수도 있다.
기판(100)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)으로 구분될 수 있다. 도 9에는 제1 화소 영역(10a), 제1 투과 영역(20a), 제2 화소 영역(10b) 및 제2 투과 영역(20b)이 도시되지만, 제1 화소 영역(10a) 및 제1 투과 영역(20a)은 각기 제2 화소 영역(10b) 및 제2 투과 영역(20b)과 실질적으로 동일하므로, 다른 언급이 없는 한, 제1 화소 영역(10a) 및 제2 화소 영역(10b)은 모두 화소 영역(10), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 투과 영역(20b)은 모두 투과 영역(20)으로 호칭한다.
버퍼막(110)은 기판(100)의 상면을 전체적으로 커버하며, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 사용하여 형성될 수 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 버퍼막(110)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 버퍼막(110)은 화소 영역(10)에만 선택적으로 형성될 수도 있다.
도 10을 참조하면, 버퍼막(110) 상에 액티브 패턴(120), 게이트 전극(135), 소스 전극(150), 드레인 전극(155) 및 추가적인 절연막들을 형성할 수 있다.
액티브 패턴(120)은 화소 영역(10)의 버퍼막(110) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 버퍼막(110) 상에 비정질 실리콘 또는 폴리실리콘을 사용하여 반도체 층을 형성한 후, 상기 반도체 층을 패터닝하여 액티브 패턴(120)을 형성할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 반도체 층 형성 후, 저온 폴리실리콘(LTPS) 공정 또는 레이저 결정화 공정과 같은 결정화 공정을 수행할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 상기 반도체 층은 IGZO, ZTO, ITZO 등과 같은 산화물 반도체를 사용하여 형성될 수도 있다.
버퍼막(110) 상에 액티브 패턴(120)을 덮는 게이트 절연막(130)을 형성할 수 있다. 게이트 절연막(130)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 사용하여 형성될 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(130)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 게이트 절연막(130)은 화소 영역(10)에만 선택적으로 형성될 수도 있다.
게이트 절연막(130) 상에는 액티브 패턴(120)과 중첩되도록 게이트 전극(135)이 형성될 수 있다. 예를 들면, 게이트 절연막(130) 상에 제1 도전막을 형성한 후, 예를 들면, 사진 식각 공정을 통해 상기 제1 도전막을 패터닝함으로써 게이트 전극(135)을 형성할 수 있다. 상기 제1 도전막은 금속, 합금, 금속 질화물 등을 사용하여 형성될 수 있다. 상기 제1 도전막은 복수의 금속층들로 구성될 수도 있다.
게이트 전극(135)은 도 2를 참조하여 설명한 스캔 라인(136)과 실질적으로 동시에 형성될 수 있다, 예를 들면, 게이트 전극(135) 및 스캔 라인(136)은 상기 제1 도전막에 대해 실질적으로 동일한 식각 공정을 수행하여 형성될 수 있으며, 스캔 라인(136)은 게이트 전극(135)과 일체로 연결될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 게이트 전극(135)을 이온 주입 마스크로 사용하여 액티브 패턴(120)에 불순물을 주입함으로써, 액티브 패턴(120)의 양측부들에 각기 소스 영역 및 드레인 영역을 형성할 수 있다.
게이트 절연막(130) 상에 게이트 전극(135)을 덮는 층간 절연막(140)을 형성할 수 있다. 층간 절연막(140)은 액티브 패턴(120) 및 게이트 전극(135)의 프로파일에 따라 단차를 포함할 수 있다. 층간 절연막(140)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및/또는 실리콘 산질화물을 사용하여 형성될 수 있다.
층간 절연막(140)은, 도 10에 도시된 바와 같이, 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)에 형성된 층간 절연막(140)의 적어도 일부가 제거될 수도 있다.
층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(130)을, 예를 들면, 사진 식각 공정을 통해 부분적으로 제거하여 콘택 홀들을 형성할 수 있다. 상기 콘택 홀들은 각기 층간 절연막(140) 및 게이트 절연막(130)을 관통하며 액티브 패턴(120)의 일부들을 노출시킬 수 있다. 예를 들면, 상기 콘택 홀들을 통해 각기 액티브 패턴(120)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역이 각기 노출될 수 있다.
상기 콘택 홀들을 채우는 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 형성할 수 있다. 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)은 액티브 패턴(120)의 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉할 수 있다. 예를 들면, 층간 절연막(140) 상에 상기 콘택 홀들을 채우는 제2 도전막을 형성한 다음, 상기 제2 금속막을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 형성할 수 있다. 상기 제2 도전막은, 예를 들면, 금속, 금속 질화물, 합금 등을 사용하여 형성될 수 있다.
이에 따라, 액티브 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(135), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 포함하는, 예를 들면, 박막 트랜지스터 구조의 트랜지스터가 화소 영역(10)의 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 예를 들면, 화소 영역(10)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 서브 화소 영역들을 포함하며, 상기 각 서브 화소 영역마다 적어도 하나의 트랜지스터가 형성될 수 있다.
상기 트랜지스터의 형성에 따라, 상기 트랜지스터, 데이터 라인(151) 및 스캔 라인(136)을 포함하는 화소 회로가 기판(100) 상에 형성될 수 있다. 소스 전극(150)은 도 2에 도시된 데이터 라인(151)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들면, 소스 전극(150), 드레인 전극(155) 및 데이터 라인(151)은 상기 제2 도전막에 대해 동일한 사진 식각 공정을 수행하여 형성될 수 있다.
층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 커버하는 비아 절연막(160)을 형성할 수 있다. 비아 절연막(160)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 형성되며, 실질적으로 평탄한 상면을 가질 수 있다. 비아 절연막(160)은 상기 투명 표시 장치의 평탄화 막의 기능을 수행할 수도 있다.
비아 절연막(160)은, 예를 들면, 폴리이미드, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르와 같은 유기 물질을 사용하여 스핀 코팅 공정 또는 슬릿 코팅 공정을 통해 형성될 수 있다.
예를 들면, 사진 식각 공정을 통해 비아 절연막(160)을 부분적으로 제거하여 비아 홀을 형성할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 상기 비아 홀을 통해 드레인 전극(155)의 적어도 일부가 노출될 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 비아 절연막(160)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 비아 절연막(160)은 화소 영역(10)에만 선택적으로 형성될 수도 있다.
도 11을 참조하면, 비아 절연막(160) 상에 제1 전극(170) 및 화소 정의막(180)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 비아 절연막(160) 및 노출된 드레인 전극(155) 상에 상기 비아 홀을 채우는 제3 도전막을 형성하고, 이를 패터닝하여 제1 전극(170)을 형성할 수 있다. 제1 전극(170)은 상기 투명 표시 장치의 화소 전극 및/또는 양극으로 제공될 수 있다. 상기 제3 도전막은 Ag, Mg, Al, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 사용하여 형성될 수 있다.
한편, 상술한 버퍼막(110), 상기 반도체 층, 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140) 및 제1 내지 제3 도전막들은, 예를 들면, 화학 기상 증착(CVD) 공정, 플라즈마 증대 화학 기상 증착(PECVD) 공정, 고밀도 플라즈마-화학 기상 증착(HDP-CVD) 공정, 스퍼터링(sputtering) 공정, 물리 기상 증착(PVD), 원자층 증착(ALD), 열 증착 공정, 진공 증착 공정 또는 프린팅 공정들 중에서 적어도 하나의 공정을 통해 형성될 수 있다.
비아 절연막(160) 상에는 제1 전극(170)의 상면을 부분적으로 커버하는 화소 정의막(180)이 형성될 수 있다. 화소 정의막(180)은, 예를 들면, 폴리이미드 수지 또는 아크릴 수지와 같은 감광성 유기 물질을 도포한 후, 노광 및 현상 공정을 통해 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 화소 정의막(180)은 고분자 물질 또는 무기 물질을 사용하여 잉크젯 프린팅 공정과 같은 프린팅 공정을 통해 형성될 수도 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 화소 정의막(180)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 화소 정의막(180)은 화소 영역(10)에만 선택적으로 형성될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)에 형성된 화소 정의막(180) 및 비아 절연막(160)을 선택적으로 제거하여, 화소 정의막(180) 및 비아 절연막(160)을 화소 영역(10)에 선택적으로 배치할 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(20)에서의 투과율을 향상시킬 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 투과 영역(20)에 형성된 화소 정의막(180) 및 비아 절연막(160) 뿐만 아니라, 투과 영역(20)에 형성된 층간 절연막(140), 게이트 절연막(130) 및 버퍼막(110)을 선택적으로 제거하여, 층간 절연막(140), 게이트 절연막(130) 및 버퍼막(110)을 화소 영역(10)에 선택적으로 배치할 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(20)에서의 투과율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 12를 참조하면, 화소 정의막(180) 및 제1 전극(170) 상에 순차적으로 표시층(200) 및 제2 전극(210)을 형성할 수 있다.
표시층(200)은, 예를 들면, 적색, 녹색 또는 청색 발광을 위한 유기 발광 물질을 사용하여 화소 정의막(180)에 의해 노출된 제1 전극(170) 상에 각 서브 화소 영역 별로 형성될 수 있다. 예를 들면, 표시층(200)은 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역이 형성될 영역을 노출시키는 개구를 갖는 파인 메탈 마스크(Fine Metal Mask: FMM)를 사용하여 스핀 코팅 공정, 롤 프린팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정 등을 통해 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 각 서브 화소 영역 별로 상기 유기 발광 물질을 포함하는 유기 발광층이 형성될 수 있다.
상기 유기 발광층을 형성하기 전에 앞서 기술한 정공 수송 물질을 사용하여 정공 수송층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기 발광층 상에 상술한 전자 수송 물질을 사용하여 전자 수송층을 형성할 수 있다. 일부 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층과 다르게, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 각 서브 화소 별로 패터닝되지 않고, 공통으로 제공될 수 있다. 다른 예시적인 실시예들에 있어서, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층은 표시층(200)에 포함되어 각 서브 화소 별로 패터닝되거나 프린팅될 수 있다. 예를 들면, 도 12에 도시된 바와 같이 화소 정의막(180)의 측벽에 의해 상기 각 서브 화소의 표시층(200)이 한정될 수 있다.
일부 실시예들에 있어서, 상기 유기 발광층, 상기 정공 수송층 및 상기 전자 수송층 중에서 적어도 하나는 서브 화소 영역 별로 패터닝되지 않고, 복수의 서브 화소 영역들에 공통적으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 있어서, 상기 유기 발광층은 상기 복수의 서브 화소 영역들에 공통적으로 형성될 수 있으며, 각 서브 화소 영역 별 색상은 컬러 필터를 통해 구현될 수 있다. 이 경우, 상기 투명 표시 장치는 W-OLED(white-OLED)의 역할을 수행할 수 있다.
표시층(200) 상에는, 예를 들면, Ag, Mg, Al, W, Cu, Ni, Cr, Mo, Ti, Pt, Ta, Nd, Sc 등과 같은 상대적으로 일함수가 낮은 금속 물질 또는 이들 금속의 합금을 증착하여 제2 전극(210)을 형성할 수 있다. 제2 전극(210)은 상기 투명 표시 장치의 공통 전극 및/또는 음극으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 제2 전극(210)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)을 동시에 노출시키는 오픈 마스크를 사용하는 스퍼터링 공정을 통해 형성될 수 있다. 제2 전극(210)을 별도의 패터닝 공정이 없이 화소 영역(10) 및 투과 영역(20) 모두에 형성함에 따라, 제조 공정이 간소화될 수 있으며, 제2 전극(210)에 의한 저항을 감소시킬 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 전극(210)은 Ag, Mg, 이들의 합금 등을 사용하여 형성될 수 있다. 또한, 화소 영역(10)에서의 발광 효율 및 투과 영역(20)에서의 소정의 투과율 확보를 함께 만족하도록 제2 전극(210)의 두께를 결정할 수 있다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 제2 전극(210) 상에 캡핑 구조물(220)을 형성할 수 있다.
제1 캡핑막(222)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)의 제1 영역(21)에서 제2 전극(210) 상에 형성될 수 있다. 제2 캡핑막(224)은 제2 전극 상의 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)의 제2 영역(22)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 영역(21)은 제1 투과 영역(20a) 중에서 제1 화소 영역(10a)에 인접한 영역일 수 있고, 제2 영역(22)은 제1 투과 영역(20a) 중 제1 화소 영역(10a)으로부터 이격된 영역일 수 있다. 다시 말해, 제1 영역(21)은 제1 투과 영역(20a)에서 제1 화소 영역(10a)에 인접할 수 있고, 제2 영역(22)은 제2 화소 영역(10b)에 인접할 수 있다.
도 13에 도시된 바와 같이, 개구(315)를 갖는 마스크(310)를 이용하여, 화소 영역(10) 및 제1 영역(21)에 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(315)가 제1 화소 영역(10a) 및 제1 영역(21)에 대응되도록 마스크(310)를 위치시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 마스크(310)는 미세 금속 마스크(fine metal mask; FMM)일 수 있다.
이후, 도 14에 도시된 바와 같이, 마스크(310)를 이동하여 화소 영역(10) 및 제2 영역(22)에 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(315)가 제2 화소 영역(10b) 및 제2 영역(22)에 대응되도록 마스크(310)를 이동시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 캡핑막(224)은 제1 캡핑막(222)과 실질적으로 동일한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 도 14에는 마스크(310)가 상기 제1 방향으로 이동하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 아니하고, 마스크(310)는, 예를 들면, 상기 제1 방향과 실질적으로 반대 방향으로 이동할 수도 있다.
제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 형성하기 위하여 동일한 마스크(310)를 사용함에 따라, 제2 전극(210) 상에 형성되는 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 따라서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)을 포함하는 캡핑 구조물(220)이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 개구(315)의 폭은 화소 영역(10)의 폭과 투과 영역(20)의 폭의 절반의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 화소 영역(10)의 전면에서 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 중첩될 수 있다. 또한, 투과 영역(20)에서 제1 캡핑막(222)이 형성되는 제1 영역(21)의 단부와 제2 캡핑막(224)이 형성되는 제2 영역(22)의 단부는 실질적으로 서로 접할 수 있다. 다시 말해, 투과 영역(20)에는 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)이 중첩되거나 이격되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 제1 두께를 가질 수 있고, 투과 영역(20)에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 캡핑 구조물(220)은 투과 영역(20)에서 상기 제2 두께를 가질 수 있고, 화소 영역(10)에서 상기 제2 두께의 약 두 배 정도인 상기 제1 두께를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 하나의 마스크(310)를 이동하여 화소 영역(10)과 투과 영역(20)에서 두께가 서로 상이한 캡핑 구조물(220)을 형성함으로써, 캡핑 구조물(220)의 제조 시간 및 제조 비용이 절감하면서도, 발광 효율 및 투과율이 향상된 투명 표시 장치가 제조될 수 있다.
도 15를 참조하면, 캡핑 구조물(220) 상에 충전층(240) 및 밀봉 기판(250)을 적층할 수 있다. 또한, 캐리어 기판(50)을 기판(100)으로부터 분리할 수 있다. 예를 들면, 기판(100)이 플라스틱 기판인 경우, 캐리어 기판(50)은 레이저-리프팅(laser-lifting) 공정 또는 기계적 장력을 통해 기판(100)으로부터 박리될 수 있다.
도 16 및 도 17은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
예를 들면, 도 16 및 도 17은 도 4에 도시된 투명 표시 장치의 제조 방법을 도시하고 있다. 도 9 내지 도 15를 참조로 설명한 공정 및/또는 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
도 16 및 도 17을 참조하면, 제2 전극(210) 상에 캡핑 구조물(220)을 형성할 수 있다.
도 16에 도시된 바와 같이, 개구(325)를 갖는 마스크(320)를 이용하여, 화소 영역(10) 및 제1 영역(21)에 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(325)가 제1 화소 영역(10a) 및 제1 영역(21)에 대응되도록 마스크(320)를 위치시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 마스크(320)는 미세 금속 마스크(FMM)일 수 있다.
이후, 도 17에 도시된 바와 같이, 마스크(320)를 이동하여 화소 영역(10) 및 제2 영역(22)에 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(325)가 제2 화소 영역(10b) 및 제2 영역(22)에 대응되도록 마스크(320)를 이동시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 캡핑막(224)은 제1 캡핑막(222)과 실질적으로 동일한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 도 17에는 마스크(320)가 상기 제1 방향으로 이동하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 아니하고, 마스크(320)는, 예를 들면, 상기 제1 방향과 실질적으로 반대 방향으로 이동할 수도 있다.
제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 형성하기 위하여 동일한 마스크(320)를 사용함에 따라, 제2 전극(210) 상에 형성되는 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 따라서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)을 포함하는 캡핑 구조물(220)이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 개구(325)의 폭은 화소 영역(10)의 폭과 투과 영역(20)의 폭의 절반의 합보다 실질적으로 클 수 있다. 이에 따라, 화소 영역(10)의 전면에서 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 중첩될 수 있다. 또한, 투과 영역(20)의 적어도 일부에서 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)이 중첩될 수 있다. 다시 말해, 투과 영역(20)은 제1 캡핑막(222)이 형성되는 제1 영역(21)과 제2 캡핑막(224)이 형성되는 제2 영역(22)의 적어도 일부가 중첩되는 제3 영역(23)을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 제1 두께를 가질 수 있고, 투과 영역(20) 중 제3 영역(23)에서 상기 제1 두께를 가질 수 있으며, 투과 영역(20) 중 제3 영역(23)을 제외한 나머지 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 캡핑 구조물(220)은 투과 영역(20) 중 제3 영역(23)을 제외한 영역에서 상기 제2 두께를 가질 수 있고, 화소 영역(10) 및 제3 영역(23)에서 각기 상기 제2 두께의 약 두 배에 상응하는 상기 제1 두께를 가질 수 있다. 여기서, 제3 영역(23)이 상기 제1 두께를 가지는 경우, 제3 영역(23)에서의 투과율이 저하될 수 있으나, 투과 영역(20)에서 제3 영역(23)이 차지하는 면적을 최소화함으로써, 투과 영역(20)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 18 및 도 19는 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
예를 들면, 도 18 및 도 19는 도 5에 도시된 투명 표시 장치의 제조 방법을 도시하고 있다. 도 9 내지 도 15, 그리고 도 16 및 도 17을 참조로 설명한 공정 및/또는 재료들에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
도 18 및 도 19를 참조하면, 제2 전극(210) 상에 캡핑 구조물(220)을 형성할 수 있다.
도 18에 도시된 바와 같이, 개구(335)를 갖는 마스크(330)를 이용하여, 화소 영역(10) 및 제1 영역(21)에 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(335)가 제1 화소 영역(10a) 및 제1 영역(21)에 대응되도록 마스크(330)를 위치시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 마스크(330)는 미세 금속 마스크(fine metal mask; FMM)일 수 있다.
이후, 도 19에 도시된 바와 같이, 마스크(330)를 이동하여 화소 영역(10) 및 제2 영역(22)에 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(335)가 제2 화소 영역(10b) 및 제2 영역(22)에 대응되도록 마스크(330)를 이동시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 캡핑막(224)은 제1 캡핑막(222)과 실질적으로 동일한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 도 19에는 마스크(330)가 상기 제1 방향으로 이동하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 아니하고, 마스크(330)는, 예를 들면, 상기 제1 방향과 실질적으로 반대 방향으로 이동할 수도 있다.
제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 형성하기 위하여 동일한 마스크(330)를 사용함에 따라, 제2 전극(210) 상에 형성되는 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 따라서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)을 포함하는 캡핑 구조물(220)이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 개구(335)의 폭은 화소 영역(10)의 폭보다 실질적으로 클 수 있고, 화소 영역(10)의 폭과 투과 영역(20)의 폭의 절반의 합보다 실질적으로 작을 수 있다. 이에 따라, 화소 영역(10)의 전면에서 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 중첩될 수 있다. 또한, 투과 영역(20)의 적어도 일부에 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 형성되지 않을 수 있다. 다시 말해, 투과 영역(20)은 제1 캡핑막(222)이 형성되는 제1 영역(21)과 제2 캡핑막(224)이 형성되는 제2 영역(22) 사이에 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 형성되지 않는 제3 영역(23)을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 제1 두께를 가질 수 있고, 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 또한, 제3 영역(23)에는 제1 캡핑막(222)의 측벽, 제2 캡핑막(224)의 측벽 및 제2 전극(210)의 노출된 상면으로 정의되는 개구가 형성될 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 캡핑 구조물(220)은 투과 영역(20) 중 제1 영역(21) 및 제2 영역(22)에서 제2 두께를 가질 수 있고, 화소 영역(10)에서 상기 제2 두께의 약 두 배 정도인 상기 제1 두께를 가질 수 있다. 여기서, 제3 영역(23)에 상기 개구가 형성되는 경우, 제3 영역(23)에서의 투과율이 저하될 수 있으나, 투과 영역(20)에서 제3 영역(23)이 차지하는 면적을 최소화함으로써, 투과 영역(20)의 투과율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
도 20은 본 발명의 또 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도이다.
예를 들면, 도 20은 도 6에 도시된 투명 표시 장치의 제조 방법을 도시하고 있다. 도 9 내지 도 15를 참조로 설명한 공정 및/또는 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략하도록 한다.
도 20을 참조하면, 제2 전극(210)에 투과 영역(20)의 적어도 일부에 중첩되는 개구부(215)를 형성할 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 표시층(200) 및 화소 정의막(180) 상에 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)에 공통으로 형성된 제2 전극(210) 중 투과 영역(20)의 적어도 일부와 중첩되는 부분을 제거하여 개구부(215)를 형성할 수 있다. 제2 전극(210)에 개구부(215)를 형성함에 따라, 투과 영역(20)의 투과율이 향상될 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 개구부(215)는 실질적으로 투과 영역(20)의 전부와 중첩될 수 있다. 이 경우, 개구부(215)의 면적이 증가함에 따라, 투과 영역(20)의 투과율이 더욱 향상될 수 있다.
도 21은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 22는 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
예를 들면, 도 21 및 도 22는 도 3에 도시된 투명 표시 장치를 도시하고 있다. 다만, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 도 21 및 도 22는 도 4 내지 도 8에 도시된 투명 표시 장치에도 적용될 수 있다.
도 21 및 도 22를 참조하면, 상기 투명 표시 장치는 복수의 단위 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 단위 화소들(PX)은 실질적으로 직교하여 교차하는 제1 방향 및 제2 방향을 따라 배열될 수 있다. 예를 들면, 상기 투명 표시 장치에는 상기 제1 방향을 따라 N개의 화소 행들이 배치될 수 있고, 상기 제2 방향을 따라 M개의 화소 열이 배열될 수 있다. 여기서, N 및 M은 각기 양의 정수일 수 있다. 각 단위 화소(PX)는 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)을 포함할 수 있다.
캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)을 커버할 수 있다. 또한, 캡핑 구조물(220)은 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)은 k 번째 화소 행의 화소 영역(10) 및 k 번째 화소 행의 투과 영역(20) 중 k 번째 화소 행의 화소 영역(10)에 인접한 영역을 커버할 수 있다. 제2 캡핑막(224)은 k+1 번째 화소 행의 화소 영역(10) 및 k 번째 화소 행의 투과 영역(20) 중 k+1 번째 화소 행의 화소 영역(10)에 인접한 영역을 커버할 수 있다. 여기서, k는 1 내지 N-1의 각기 양의 정수들일 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 도 21에 도시된 바와 같이, 캡핑 구조물(220)은 상기 제2 방향을 따라 배열되는 단위 화소들(PX)에 공통으로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 스트라이프(stripe) 형태를 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도 22에 도시된 바와 같이, 캡핑 구조물(220)은 상기 제2 방향을 따라 배열되는 각 단위 화소들(PX) 마다 별도로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 아일랜드(island) 형태를 가질 수 있다.
도 23은 도 1의 투명 표시 장치의 II 영역을 나타내는 평면도이다. 도 24는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 단면도이다. 예를 들면, 도 24는 도 23의 IV-IV' 라인을 따라 절단한 단면도일 수 있다.
도 24에 도시된 투명 표시 장치는 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)의 구조를 제외하고 도 3 내지 도 5에 도시된 투명 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략되며, 동일하거나 유사한 구성에 대해서는 동일하거나 유사한 참조부호를 사용한다.
도 1, 도 23 및 도 24를 참조하면, 상기 투명 표시 장치는 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)을 포함할 수 있다. 도 24에는 제1 단위 화소(PXa)에 포함되는 제1 화소 영역(10a) 및 제1 투과 영역(20a), 제2 단위 화소(PXb)에 포함되는 제2 화소 영역(10b) 및 제2 투과 영역(20b), 그리고 제3 단위 화소(PXc)에 포함되는 제3 화소 영역(10c)이 도시되어있으나, 제1 단위 화소(PXa), 제2 단위 화소(PXb) 및 제3 단위 화소(PXc)는 실질적으로 동일하므로 다른 언급이 없는 한, 제1 화소 영역(10a), 제2 화소 영역(10b) 및 제3 화소 영역(10c)은 모두 화소 영역(10), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 투과 영역(20b)은 모두 투과 영역(20)으로 호칭한다.
제2 전극(210) 상에는 캡핑 구조물(220)이 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 캡핑 구조물(220)은 실질적으로 제2 전극(210)의 상면을 커버하며, 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)에 공통으로 제공될 수 있다.
캡핑 구조물(220)은 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 포함할 수 있다. 제1 캡핑막(222)은 제2 전극(210) 상의 제1 화소 영역(10a), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 화소 영역(10b)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)은 제2 전극(210)의 상면을 커버하고, 제1 화소 영역(10a), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 화소 영역(10b)에 공통으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 제1 투과 영역(20a)은 제1 화소 영역(10a)과 제2 화소 영역(10b) 사이에 배치될 수 있다.
제2 캡핑막(224)은 제2 전극(210) 상의 제1 화소 영역(10a), 제2 화소 영역(10b) 및 제2 투과 영역(20b)에 배치될 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제2 캡핑막(224)은 제2 전극(210)의 상면 및 제1 캡핑막(222)의 상면을 커버하고, 제1 화소 영역(10a), 제2 화소 영역(10b) 및 제2 투과 영역(20b)에 공통으로 제공될 수 있다. 예를 들면, 제2 투과 영역(20b)은 제2 화소 영역(10b)과 제3 화소 영역(10c) 사이에 배치될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 제1 두께를 가지고, 투과 영역(20)에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께와 제2 캡핑막(224)의 두께의 합과 실질적으로 동일할 수 있고, 상기 제2 두께는 제1 캡핑막(222)의 두께 또는 제2 캡핑막(224)의 두께와 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 캡핑 구조물(220)은 제1 투과 영역(20a) 및 제2 투과 영역(20b)에서 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다.
제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 상대적으로 우수한 투과도를 갖는 유기 물질을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 상술한 정공 수송 물질과 실질적으로 동일하거나 유사한 계열의 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 양극으로 제공되는 제2 전극(210)에 의해 화소 영역(10)에서의 발광 특성이 교란되지 않을 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 캡핑막(222)의 두께 및 제2 캡핑막(224)의 두께는 화소 영역(10)에서의 발광 효율 향상 또는 발광 효율 극대화 및 투과 영역(20)에서의 투과율 향상 또는 투과율 극대화를 고려하여 결정될 수 있다.
상술한 바와 같이, 캡핑 구조물(220)이 화소 영역(10)에서 제1 캡핑막(222)의 두께와 제2 캡핑막(224)의 두께의 합과 실질적으로 동일한 상기 제1 두께를 가지고, 투과 영역(20)에서 제1 캡핑막(222)의 두께 또는 제2 캡핑막(224)의 두께와 실질적으로 동일한 상기 제2 두께를 가지는 경우, 화소 영역(10)에서 발광 효율이 향상되는 동시에 투과 영역(20)에서 투과율이 향상될 수 있다.
도 25 내지 도 31은 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 단면도들이다.
예를 들면, 도 25 내지 도 31에는 도 24에 도시된 투명 표시 장치를 제조하는 방법이 예시되어 있다. 도 9 내지 도 15, 도 16, 도 17, 그리고 도 18, 도 19를 참조로 설명한 공정 및/또는 구성 요소들에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 25 내지 도 28을 참조하면, 도 9 내지 도 12를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들을 수행할 수 있다. 이에 따라, 캐리어 기판(50) 상에 기판(100) 및 버퍼막(110)을 형성할 수 있고, 액티브 패턴(120), 게이트 절연막(130), 게이트 전극(135), 층간 절연막(140), 소스 전극(150) 및 드레인 전극(155)을 포함하는 트랜지스터, 및 상기 트랜지스터를 커버하는 비아 절연막(160)을 형성할 수 있다. 또한, 제1 전극(170) 및 화소 정의막(180)을 형성할 수 있고, 표시층(200) 및 제2 전극(210)을 형성할 수 있다.
도 29 및 도 30을 참조하면, 제2 전극(210) 상에 캡핑 구조물(220)을 형성할 수 있다.
제1 캡핑막(222)은 제2 전극(210) 상의 제1 화소 영역(10a), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 화소 영역(10b)에 형성될 수 있다. 제2 캡핑막(224)은 제2 전극 상의 제1 화소 영역(10a), 제2 화소 영역(10b) 및 제2 투과 영역(20b)에 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 투과 영역(20a)은 제1 화소 영역(10a)과 제2 화소 영역(10b) 사이에 배치될 수 있고, 제2 투과 영역(20b)은 제2 화소 영역(10b)과 제3 화소 영역(10c) 사이에 배치될 수 있다.
도 29에 도시된 바와 같이, 개구(345)를 갖는 마스크(340)를 이용하여, 제1 화소 영역(10a), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 화소 영역(10b)에 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(345)가 제1 화소 영역(10a), 제1 투과 영역(20a) 및 제2 화소 영역(10b)에 대응되도록 마스크(340)를 위치시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제1 캡핑막(222)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 마스크(340)는 미세 금속 마스크(FMM)일 수 있다.
이후, 도 30에 도시된 바와 같이, 마스크(340)를 이동하여 제2 화소 영역(10b), 제2 투과 영역(20b) 및 제3 화소 영역(10c)에 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 상세하게는, 개구(345)가 제2 화소 영역(10b), 제2 투과 영역(20b) 및 제3 화소 영역(10c)에 대응되도록 마스크(340)를 이동시킨 후, 정공 수송 물질 계열의 유기 물질을 사용하여 제2 캡핑막(224)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 제2 캡핑막(224)은 제1 캡핑막(222)과 실질적으로 동일한 물질을 사용하여 형성될 수 있다. 도 30에는 마스크(340)가 상기 제1 방향으로 이동하는 것으로 도시되어 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 아니하고, 마스크(340)는, 예를 들면, 상기 제1 방향과 실질적으로 반대 방향으로 이동할 수도 있다.
제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 형성하기 위하여 동일한 마스크(340)를 사용함에 따라, 제2 전극(210) 상에 형성되는 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 면적을 가질 수 있다. 따라서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)을 포함하는 캡핑 구조물(220)이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 개구(345)의 폭은 제1 화소 영역(10a)의 폭, 제1 투과 영역(20a)의 폭 및 제2 화소 영역(10b)의 폭의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 다시 말해, 개구(345)의 폭은 화소 영역(10)의 폭의 두 배 및 투과 영역(20)의 폭의 합과 실질적으로 동일할 수 있다. 이에 따라, 화소 영역(10)의 전면에서 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)이 중첩될 수 있다. 또한, 투과 영역(20)에는 제1 캡핑막(222) 또는 제2 캡핑막(224)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 투과 영역(20a)에는 제1 캡핑막(222)만이 형성될 수 있고, 제2 투과 영역(20b)에는 제2 캡핑막(224)만이 형성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 있어서, 캡핑 구조물(220)은 제1 화소 영역(10a), 제2 화소 영역(10b) 및 제3 화소 영역(10c)에서 제1 두께를 가질 수 있고, 제1 투과 영역(20a) 및 제2 투과 영역(20b)에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가질 수 있다. 다시 말해, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10)에서 상기 제1 두께를 가질 수 있고, 투과 영역(20)에서 상기 제2 두께를 가질 수 있다. 일부 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)과 제2 캡핑막(224)은 실질적으로 동일한 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 캡핑 구조물(220)은 투과 영역(20)에서 상기 제2 두께를 가질 수 있고, 화소 영역(10)에서 상기 제2 두께의 약 두 배 정도인 상기 제1 두께를 가질 수 있다.
상술한 바와 같이, 하나의 마스크(340)를 이동하여 화소 영역(10)과 투과 영역(20)에서 두께가 서로 상이한 캡핑 구조물(220)을 형성함으로써, 캡핑 구조물(220)의 제조 시간 및 제조 비용을 절감하면서도, 발광 효율 및 투과율이 향상된 상기 투명 표시 장치가 제조될 수 있다. 또한, 투과 영역(20)에서 두께가 균일한 캡핑 구조물(220)이 형성될 수 있다.
도 31을 참조하면, 도 15를 참조로 설명한 공정들과 실질적으로 동일하거나 유사한 공정들을 수행할 수 있다. 이에 따라, 캡핑 구조물(220) 상에 충전층(240) 및 밀봉 기판(250)을 형성할 수 있고, 캐리어 기판(50)을 기판(100)으로부터 분리할 수 있다.
도 32는 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 도 33은 본 발명의 다른 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치를 나타내는 평면도이다. 예를 들면, 도 32 및 도 33은 도 24에 도시된 투명 표시 장치를 도시하고 있다.
도 32 및 도 33에 도시된 투명 표시 장치는 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)의 구조를 제외하고 도 21 및 도 22에 도시된 투명 표시 장치와 실질적으로 동일하거나 유사한 구성 및/또는 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 중복되는 구성 및/또는 구조에 대한 상세한 설명은 생략되며, 동일하거나 유사한 구성 요소들에 대해서는 동일하거나 유사한 참조 부호들을 사용한다.
도 32 및 도 33을 참조하면, 캡핑 구조물(220)은 화소 영역(10) 및 투과 영역(20)을 커버할 수 있다. 또한, 캡핑 구조물(220)은 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 있어서, 제1 캡핑막(222)은 2k-1 번째 화소 행의 화소 영역(10), 2k-1 번째 화소 행의 투과 영역(20) 및 2k 번째 화소 행의 화소 영역(10)을 커버할 수 있다. 제2 캡핑막(224)은 2k 번째 화소 행의 화소 영역(10), 2k 번째 화소 행의 투과 영역(20) 및 2k+1 번째 화소 행의 화소 영역(10)을 커버할 수 있다. 여기서, k는 1 내지 (N-1)/2의 양의 정수일 수 있다.
일부 예시적인 실시예들에 있어서, 도 32에 도시된 바와 같이, 캡핑 구조물(220)은 상기 제2 방향을 따라 배열되는 단위 화소들(PX)에 공통으로 제공될 수 있다. 이 경우, 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 스트라이프 형상을 가질 수 있다.
다른 예시적인 실시예들에 있어서, 도 33에 도시된 바와 같이, 캡핑 구조물(220)은 상기 제2 방향을 따라 배열되는 각 단위 화소들(PX) 마다 별도로 배치될 수 있다. 이 경우, 제1 캡핑막(222) 및 제2 캡핑막(224)은 각기 아일랜드 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치는 컴퓨터, 노트북, 휴대폰, 스마트폰, 스마트패드, 피엠피(PMP), 피디에이(PDA), MP3 플레이어 등의 전자 기기뿐만 아니라, 자동차용 내비게이션 또는 헤드 업(head up) 디스플레이 등과 같은 투과성이 향상된 표시 장치에 적용될 수 있다.
이상, 본 발명의 예시적인 실시예들에 따른 투명 표시 장치들 및 상기 투명 표시 장치들의 제조 방법들에 대하여 도면들을 참조하여 설명하였지만, 설시한 실시예들은 예시적인 것으로서 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 수정 및 변경될 수 있을 것이다.
10, 10a, 10b, 10c: 화소 영역 11: 적색 서브 화소 영역
12: 녹색 서브 화소 영역 13: 청색 서브 화소 영역
20, 20a, 20b: 투과 영역 21: 제1 영역
22: 제2 영역 23: 제3 영역
100: 기판 170: 제1 전극
200: 표시층 210: 제2 전극
215: 개구부 220: 캡핑 구조물
222: 제1 캡핑막 224: 제2 캡핑막
310, 320, 330, 340: 마스크 315, 325, 335, 345: 개구
PX, PXa, PXb, PXc: 단위 화소

Claims (26)

  1. 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    상기 화소 영역의 상기 기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 표시층을 형성하는 단계;
    상기 표시층 상에 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극 상에 제1 캡핑막 및 제2 캡핑막을 포함하는 캡핑 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 캡핑 구조물을 형성하는 단계는:
    개구를 갖는 마스크를 이용하여, 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제1 영역에 상기 제1 캡핑막을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크를 이동하여, 상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제2 영역에 상기 제2 캡핑막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 절반의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제1 영역의 단부와 상기 제2 영역의 단부는 서로 접하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 절반의 합보다 크고, 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 합보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 적어도 일부가 중첩되는 제3 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 투과 영역 중 상기 제3 영역에서 상기 제1 두께를 가지며, 상기 투과 영역 중 나머지 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 화소 영역의 폭보다 크고 상기 화소 영역의 폭과 상기 투과 영역의 폭의 절반의 합보다 작은 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 제3 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제2 전극에 상기 투과 영역의 적어도 일부에 중첩되는 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  12. 제1 화소 영역, 제1 투과 영역, 제2 화소 영역 및 제2 투과 영역을 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역의 상기 기판 상에 각기 제1 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 상에 표시층을 형성하는 단계;
    상기 표시층 상에 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 전극 상에 제1 캡핑막 및 제2 캡핑막을 포함하는 캡핑 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 캡핑 구조물을 형성하는 단계는:
    개구를 갖는 마스크를 이용하여, 상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 화소 영역에 상기 제1 캡핑막을 형성하는 단계; 및
    상기 마스크를 이동하여, 상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역 및 상기 제2 투과 영역에 상기 제2 캡핑막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 개구의 폭은 상기 제1 화소 영역의 폭, 상기 제1 투과 영역의 폭 및 상기 제2 화소 영역의 폭의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제1 방향으로 배열되는 화소 영역 및 투과 영역을 포함하는 기판;
    상기 화소 영역의 상기 기판 상에 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 표시층;
    상기 표시층을 개재하여 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 배치되는 캡핑 구조물을 포함하고,
    상기 캡핑 구조물은:
    상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제1 영역에 배치되는 제1 캡핑막; 및
    상기 제2 전극 상의 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역의 제2 영역에 배치되는 제2 캡핑막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 투과 영역에서 상기 제1 영역의 단부와 상기 제2 영역의 단부는 서로 접하고,
    상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  17. 제15항에 있어서, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 적어도 일부가 중첩되는 제3 영역을 더 포함하고,
    상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 투과 영역 중 상기 제3 영역에서 상기 제1 두께를 가지며, 상기 투과 영역 중 나머지 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  18. 제15항에 있어서, 상기 투과 영역은 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 제3 영역을 더 포함하고,
    상기 캡핑 구조물은 상기 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  19. 제15항에 있어서, 상기 제1 캡핑막과 상기 제2 캡핑막은 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  20. 제15항에 있어서, 각기 상기 화소 영역 및 상기 투과 영역을 포함하는 복수의 단위 화소들을 더 포함하고, 상기 복수의 단위 화소들은 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 배열되며,
    상기 캡핑 구조물은 상기 복수의 단위 화소들 중에서 적어도 하나의 단위 화소 별로 제공되는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  21. 제20항에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 복수의 단위 화소들에 공통으로 제공되는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  22. 제20항에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 각 단위 화소 별로 제공되는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  23. 제15항에 있어서, 상기 화소 영역은 상기 제1 방향에 수직하는 제2 방향으로 배열되는 적색 서브 화소 영역, 녹색 서브 화소 영역 및 청색 서브 화소 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  24. 제15항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 투과 영역의 적어도 일부에 중첩되는 개구부를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  25. 제1 화소 영역, 제1 투과 영역, 제2 화소 영역 및 제2 투과 영역을 포함하는 기판;
    상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역의 상기 기판 상에 각기 배치되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상에 배치되는 표시층;
    상기 표시층을 개재하여 상기 제1 전극에 대향하는 제2 전극; 및
    상기 제2 전극 상에 배치되는 캡핑 구조물을 포함하고,
    상기 캡핑 구조물은:
    상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 화소 영역에 배치되는 제1 캡핑막; 및
    상기 제2 전극 상의 상기 제1 화소 영역, 상기 제2 화소 영역 및 상기 제2 투과 영역에 배치되는 제2 캡핑막을 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 캡핑 구조물은 상기 제1 화소 영역 및 상기 제2 화소 영역에서 제1 두께를 가지고, 상기 제1 투과 영역 및 상기 제2 투과 영역에서 상기 제1 두께보다 작은 제2 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 투명 표시 장치.
KR1020160059528A 2016-05-16 2016-05-16 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 KR102519420B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160059528A KR102519420B1 (ko) 2016-05-16 2016-05-16 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
US15/447,798 US10074705B2 (en) 2016-05-16 2017-03-02 Transparent display device and method of manufacturing a transparent display device
CN201710341831.9A CN107394061B (zh) 2016-05-16 2017-05-16 透明显示装置和制造透明显示装置的方法
US16/101,149 US10403699B2 (en) 2016-05-16 2018-08-10 Transparent display device and method of manufacturing a transparent display device
US16/532,110 US10957752B2 (en) 2016-05-16 2019-08-05 Transparent display device and method of manufacturing a transparent display device
US17/182,273 US20210175308A1 (en) 2016-05-16 2021-02-23 Transparent display device and method of manufacturing a transparent display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160059528A KR102519420B1 (ko) 2016-05-16 2016-05-16 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170129318A true KR20170129318A (ko) 2017-11-27
KR102519420B1 KR102519420B1 (ko) 2023-04-10

Family

ID=60294813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160059528A KR102519420B1 (ko) 2016-05-16 2016-05-16 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (4) US10074705B2 (ko)
KR (1) KR102519420B1 (ko)
CN (1) CN107394061B (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190131635A (ko) * 2018-05-16 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11367761B2 (en) 2019-04-24 2022-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having a transmissive region with auxiliary layer
US11450726B2 (en) 2019-06-14 2022-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having improved light transmissivity and method of manufacturing the display
US11545653B2 (en) 2020-05-27 2023-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device and electronic apparatus including the same
US11609601B2 (en) 2019-06-28 2023-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
US11621306B2 (en) 2020-06-24 2023-04-04 Samsung Display Co., Ltd. Display panel having improved transmittance, display apparatus including the same
US11706952B2 (en) 2020-08-07 2023-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Display panel, display apparatus including the same, and method for manufacturing the display panel
US11871643B2 (en) 2020-05-26 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US11943957B2 (en) 2020-07-10 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having transmission area and pixel area, and method of manufacturing the same

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018049983A (ja) * 2016-09-23 2018-03-29 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP2018073567A (ja) * 2016-10-27 2018-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102573917B1 (ko) * 2018-06-14 2023-09-04 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200093737A (ko) * 2019-01-28 2020-08-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200131400A (ko) * 2019-05-13 2020-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
WO2020258867A1 (zh) * 2019-06-28 2020-12-30 昆山国显光电有限公司 显示装置及其显示基板、显示基板的制作方法
KR20210014813A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210028855A (ko) * 2019-09-05 2021-03-15 엘지디스플레이 주식회사 투과부와 발광부를 포함한 표시 장치
CN110649179B (zh) 2019-09-29 2023-05-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩膜板
CN110718580A (zh) * 2019-11-20 2020-01-21 Oppo广东移动通信有限公司 显示模组及电子设备
CN111192902B (zh) * 2019-12-16 2021-05-07 昆山国显光电有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
KR20210078650A (ko) * 2019-12-18 2021-06-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20210079792A (ko) * 2019-12-20 2021-06-30 엘지디스플레이 주식회사 카메라 투과부를 포함하는 표시 장치
KR20210095771A (ko) * 2020-01-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210101379A (ko) * 2020-02-07 2021-08-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 전자 기기
KR20210120177A (ko) * 2020-03-25 2021-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 구비한 전자 기기
KR20220097772A (ko) * 2020-12-31 2022-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법
JP2022147461A (ja) * 2021-03-23 2022-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130073721A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150019332A (ko) * 2013-08-13 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110181587A1 (en) * 2010-01-22 2011-07-28 Sony Corporation Image display device having imaging device
US9287339B2 (en) * 2010-10-28 2016-03-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR101407587B1 (ko) * 2011-06-02 2014-06-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
TWI501441B (zh) 2012-08-24 2015-09-21 Ind Tech Res Inst 非連續複合阻障層、其形成方法及包含其之封裝結構
KR102242078B1 (ko) * 2014-08-05 2021-04-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20160053001A (ko) * 2014-10-30 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102370035B1 (ko) * 2015-02-05 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130073721A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR20150019332A (ko) * 2013-08-13 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190131635A (ko) * 2018-05-16 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11367761B2 (en) 2019-04-24 2022-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having a transmissive region with auxiliary layer
US11450726B2 (en) 2019-06-14 2022-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having improved light transmissivity and method of manufacturing the display
US11609601B2 (en) 2019-06-28 2023-03-21 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and manufacturing method thereof
US11871643B2 (en) 2020-05-26 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US11545653B2 (en) 2020-05-27 2023-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Display device and electronic apparatus including the same
US11621306B2 (en) 2020-06-24 2023-04-04 Samsung Display Co., Ltd. Display panel having improved transmittance, display apparatus including the same
US11943957B2 (en) 2020-07-10 2024-03-26 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus having transmission area and pixel area, and method of manufacturing the same
US11706952B2 (en) 2020-08-07 2023-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Display panel, display apparatus including the same, and method for manufacturing the display panel

Also Published As

Publication number Publication date
US20190355798A1 (en) 2019-11-21
US10403699B2 (en) 2019-09-03
US10957752B2 (en) 2021-03-23
CN107394061A (zh) 2017-11-24
CN107394061B (zh) 2021-03-16
US10074705B2 (en) 2018-09-11
US20210175308A1 (en) 2021-06-10
KR102519420B1 (ko) 2023-04-10
US20170330923A1 (en) 2017-11-16
US20190006446A1 (en) 2019-01-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102519420B1 (ko) 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102370035B1 (ko) 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
US11011552B2 (en) Method for manufacturing a display substrate comprising interconnected first and second wirings
KR102416742B1 (ko) 투명 표시 장치
US9647045B2 (en) Transparent display substrates, transparent display devices and methods of manufacturing transparent display devices
US20170069871A1 (en) Transparent display devices and method of manufacturing the same
KR101901832B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102242078B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6073547B2 (ja) 有機発光ディスプレイ装置及びその製造方法
KR102435156B1 (ko) 투명 표시 기판 및 투명 표시 장치
KR102389622B1 (ko) 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
US8593058B2 (en) Organic light-emitting display device
US20170154934A1 (en) Display substrate, method of manufacturing display substrate, and display device including display substrate
CN102456849A (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
KR20130107883A (ko) 플렉서블 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
US20150102317A1 (en) Thin film transistor substrates, display devices and methods of manufacturing display devices
KR20160093749A (ko) 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
TW201423974A (zh) 有機發光顯示裝置及其製造方法
KR20150047743A (ko) 박막 트랜지스터 기판, 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 박막트랜지스터 기판을 포함하는 표시 장치
CN116456765A (zh) 显示装置
US20120028386A1 (en) Method of manufacturing organic light emitting display

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant