KR20210095771A - 표시 장치 - Google Patents

표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20210095771A
KR20210095771A KR1020200009395A KR20200009395A KR20210095771A KR 20210095771 A KR20210095771 A KR 20210095771A KR 1020200009395 A KR1020200009395 A KR 1020200009395A KR 20200009395 A KR20200009395 A KR 20200009395A KR 20210095771 A KR20210095771 A KR 20210095771A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
area
disposed
sub
pixels
Prior art date
Application number
KR1020200009395A
Other languages
English (en)
Inventor
이재성
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020200009395A priority Critical patent/KR20210095771A/ko
Priority to US17/077,671 priority patent/US11552138B2/en
Priority to CN202110087567.7A priority patent/CN113161392A/zh
Publication of KR20210095771A publication Critical patent/KR20210095771A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H01L27/3218—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
    • H01L27/3216—
    • H01L27/3225—
    • H01L27/3244—
    • H01L51/52—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는, 표시영역, 제1화소그룹 및 제1투과부가 배치되는 제1컴포넌트영역, 및 제2화소그룹 및 상기 제1투과부의 면적과 상이한 면적의 제2투과부가 배치되는 제2컴포넌트영역을 포함하는 기판; 및 상기 표시영역 상에 배치된 메인부화소들 및 상기 제1화소그룹 상에 배치된 제1보조부화소들;을 포함하고, 인접한 상기 제1보조부화소들의 중심 간의 제1거리는 인접한 상기 메인부화소들의 중심 간의 제2거리와 상이한, 표시 장치를 개시한다.

Description

표시 장치{Display Apparatus}
본 발명의 실시예들은 표시 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 투과부를 구비한 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로, 이미지를 표시하면서 다양한 기능을 수행하는 영역을 갖는 표시 장치의 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 실시예들은 표시영역 및 컴포넌트영역을 가지는 표시 패널을 구비한 표시 장치를 제공하고자 한다. 특히, 상기 컴포넌트영역은 제1컴포넌트영역 및 상기 제1컴포넌트영역과 투과율이 상이한 제2컴포넌트영역을 포함할 수 있다. 따라서, 투과율 사양에 맞는 컴포넌트들이 각각 배치된 표시 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 실시예는, 표시영역, 제1화소그룹 및 제1투과부가 배치되는 제1컴포넌트영역, 및 제2화소그룹 및 상기 제1투과부의 면적과 상이한 면적의 제2투과부가 배치되는 제2컴포넌트영역을 포함하는 기판; 및 상기 표시영역 상에 배치된 메인부화소들 및 상기 제1화소그룹 상에 배치된 제1보조부화소들;을 포함하고, 인접한 상기 제1보조부화소들의 중심 간의 제1거리는 인접한 상기 메인부화소들의 중심 간의 제2거리와 상이한, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2투과부의 면적은 상기 제1투과부의 면적 보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1거리는 상기 제2거리 보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1컴포넌트영역 중 상기 제1투과부가 차지하는 비율은 상기 제2컴포넌트영역 중 상기 제2투과부가 차지하는 비율 보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1컴포넌트영역에 대응하여 제1컴포넌트가 배치되고, 상기 제2컴포넌트영역에 대응하여 상기 제1컴포넌트와 상이한 제2컴포넌트가 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1컴포넌트 및 상기 제2컴포넌트는 상기 기판의 하부에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1컴포넌트는 근접 센서(proximity sensor) 및 조도 센서(ambient light sensor) 중 적어도 하나일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2컴포넌트는 카메라, 적외선 카메라(IR camera), 도트 프로젝터(dot projector), 적외선 조명기(IR illuminator), 및 비과시간법 센서(ToF sensor) 중 적어도 하나일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 기판을 관통하는 관통홀이 배치되는 개구영역을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 하부에 상기 관통홀에 대응하여 제3컴포넌트를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 표시영역, 제1투과부가 배치되는 제1컴포넌트영역, 상기 제1투과부의 면적과 상이한 면적을 포함하는 제2투과부가 배치되는 제2컴포넌트영역을 포함하는 기판; 상기 제1컴포넌트영역에 대응하여 배치된 제1컴포넌트; 상기 제2컴포넌트영역에 대응하여 상기 제1컴포넌트와 상이한 제2컴포넌트; 및 상기 기판 상에 배치된 복수의 부화소들;을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1컴포넌트 및 상기 제2컴포넌트는 상기 기판의 하부에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1컴포넌트는 근접 센서(proximity sensor) 및 조도 센서(ambient light sensor) 중 적어도 하나일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2컴포넌트는 카메라, 적외선 카메라(IR camera), 도트 프로젝터(dot projector), 적외선 조명기(IR illuminator), 및 비과시간법 센서(ToF sensor) 중 적어도 하나일 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2투과부의 면적은 상기 제1투과부의 면적보다 클 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 복수의 부화소들은, 상기 제1컴포넌트영역에 배치된 제1보조부화소들 및 상기 표시영역에 배치된 메인부화소들을 포함하고, 인접한 상기 제1보조부화소들의 중심 간의 제1거리는 인접한 상기 메인부화소들의 중심 간의 제2거리와 상이할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1거리는 상기 제2거리 보다 작을 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 기판을 관통하는 관통홀이 배치되는 개구영역을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 하부에 상기 관통홀에 대응하여 상기 제1컴포넌트와 상이한 제3컴포넌트를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 기판 및 상기 복수의 부화소들 사이에 적어도 하나의 게이트절연층 및 적어도 하나의 평탄화층;이 배치되고, 상기 제1투과부에 대응하여 상기 적어도 하나의 평탄화층에 제1투과홀을 구비하고, 상기 제2투과부에 대응하여 상기 적어도 하나의 게이트절연층 및 상기 적어도 하나의 평탄화층에 제2투과홀을 구비할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 실시예들은 제1투과부가 배치된 제1컴포넌트영역 및 상기 제1투과부의 면적과 상이한 면적을 구비한 제2투과부가 배치된 제2컴포넌트영역을 포함하여, 제1컴포넌트영역 및 제2컴포넌트영역의 투과율이 상이할 수 있다.
또한, 필요한 투과율에 따라 제1컴포넌트영역에 제1컴포넌트를 배치하고, 제2컴포넌트영역에 제2컴포넌트를 배치하여 컴포넌트의 기능이 저하되지 않으면서 제1컴포넌트영역 및 제2컴포넌트영역에 이미지를 표시할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 1a의 제1컴포넌트영역 및 제2컴포넌트영역의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 복수의 부화소들을 나타낸 개략적인 배치도이다.
도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 복수의 부화소들을 나타낸 개략적인 배치도이다.
도 6은 도 1a의 C 부분 및 D 부분을 확대한 확대도이다.
도 7은 도 6의 E-E'선에 따른 개략적인 단면도이다.
도 8은 도 6의 F-F'선에 따른 개략적인 단면도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 제1마스크 내지 제3마스크의 일 예를 나타낸 평면도이다.
도 10a 내지 도 10c는 제1마스크 내지 제3마스크를 이용한 표시 장치의 제조방법을 나타낸 평면도이다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 12는 도 11의 G-G'선에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
표시 장치(1)는 화상을 표시하는 장치로서, 게임기, 멀티미디어기기, 초소형 PC와 같이 휴대가 가능한 모바일 기기일 수 있다. 후술할 표시 장치(1)는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 실시예들은 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1a를 참조하면, 표시 장치(1)는 이미지를 구현하는 표시영역(DA)과 이미지를 구현하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 메인화소그룹(Pgm)에서 방출되는 빛을 이용하여 메인 이미지를 제공할 수 있다. 구체적으로, 메인화소그룹(Pgm)은 복수의 메인부화소를 포함할 수 있으며, 복수의 메인부화소에서 빛을 방출할 수 있다. 한편, 표시영역(DA)에는 복수의 메인화소그룹(Pgm)이 배치될 수 있다.
표시 장치(1)는 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)을 포함할 수 있다. 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)은 도 2를 참조하여 후술할 바와 같이 그 하부에 적외선, 가시광선이나 음향 등을 이용하는 센서와 같은 컴포넌트가 배치되는 영역일 수 있다.
일 실시예에서, 제1컴포넌트영역(CA1)은 표시영역(DA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 또한, 제1컴포넌트영역(CA1)은 비표시영역(NDA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 도 1a에서는 제1컴포넌트영역(CA1)이 표시영역(DA)의 일측에 배치된 것을 도시하고 있지만 제1컴포넌트영역(CA1)의 배치는 비표시영역(NDA) 내부에서 다양하게 배치될 수 있다. 한편, 도 1a에서는 제1컴포넌트영역(CA1)이 제2컴포넌트영역(CA2)과 서로 적어도 일부 연결된 것을 도시하고 있으나, 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)은 서로 이격될 수 있다.
일 실시예에서, 제2컴포넌트영역(CA2)은 제1컴포넌트영역(CA1)과 유사하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2컴포넌트영역(CA2)은 표시영역(DA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 또한, 제2컴포넌트영역(CA2)은 비표시영역(NDA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 도 1a에서는 제2컴포넌트영역(CA2)이 표시영역(DA)의 일측에 배치된 것을 도시하고 있지만 제2컴포넌트영역(CA2)의 배치는 비표시영역(NDA) 내부에서 다양하게 배치될 수 있다. 한편, 도 1a에서는 제2컴포넌트영역(CA2)은 제1컴포넌트영역(CA1)과 서로 적어도 일부 연결된 것을 도시하고 있으나, 제2컴포넌트영역(CA2)은 제1컴포넌트영역(CA1)과 서로 이격될 수 있다.
제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)은 컴포넌트로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 컴포넌트를 향해 진행하는 빛 및/또는 음향이 투과할 수 있는 제1투과부(TA1) 및 제2투과부(TA2)를 각각 포함할 수 있다. 이 때, 제1투과부(TA1)를 통해 적외선이 투과하는 경우, 제1컴포넌트영역(CA1) 전체의 적외선 투과율은 약 15% 이상, 보다 바람직하게 20% 이상이거나, 25% 이상이거나, 85% 이상이거나, 90% 이상일 수 있다. 또한, 제2투과부(TA2)를 통해 적외선이 투과하는 경우, 제2컴포넌트영역(CA2) 전체의 적외선 투과율은 약 15% 이상, 보다 바람직하게 20% 이상이거나, 25% 이상이거나, 85% 이상이거나, 90% 이상일 수 있다.
본 실시예에서, 제1투과부(TA1)의 면적 및 제2투과부(TA2)의 면적은 서로 상이할 수 있다. 이 때, 제1투과부(TA1) 및 제2투과부(TA2)를 통해 각각 적외선이 투과하는 경우, 제1컴포넌트영역(CA1) 전체의 적외선 투과율은 제2컴포넌트영역(CA2) 전체의 적외선 투과율과 상이할 수 있다. 일 실시예에서, 제1투과부(TA1)의 면적은 제2투과부(TA2)의 면적 보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1투과부(TA1)의 x 방향의 폭은 제2투과부(TA2)의 x 방향 폭보다 작을 수 있다. 다른 예로, 제1투과부(TA1)의 y 방향의 폭은 제2투과부(TA2)의 y 방향의 폭 보다 작을 수 있다. 이 때, 제1컴포넌트영역(CA1)의 적외선 투과율은 제2컴포넌트영역(CA2)의 적외선 투과율 보다 작을 수 있다. 이하에서는, 제1투과부(TA1)의 x 방향의 폭이 제2투과부(TA2)의 y 방향 폭 보다 작은 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
본 실시예에서, 제1컴포넌트영역(CA1)에는 제1화소그룹(Pg1)이 배치될 수 있다. 이 때, 제1컴포넌트영역(CA1)에는 복수의 제1화소그룹(Pg1)들이 배치될 수 있다. 또한, 제1화소그룹(Pg1)은 각각 복수의 제1보조부화소들을 포함할 수 있다. 복수의 제1보조부화소들은 빛을 발광하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 한편, 제1컴포넌트영역(CA1)에서 제공되는 이미지는 보조 이미지로 표시영역(DA)에서 제공하는 이미지에 비해 해상도가 낮을 수 있다. 즉, 제1컴포넌트영역(CA1)은 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 제1투과부(TA1)를 구비하는 바, 제1컴포넌트영역(CA1)에서 제1화소그룹(Pg1)이 차지하는 비율이 표시영역(DA)에서 메인화소그룹(Pgm)은 차지하는 비율 보다 작을 수 있다.
본 실시예에서, 제2컴포넌트영역(CA2)에는 제2화소그룹(Pg2)이 배치될 수 있다. 이 때, 제2컴포넌트영역(CA2)에는 복수의 제2화소그룹(Pg2)들이 배치될 수 있다. 또한, 제2화소그룹(Pg2)은 각각 복수의 제2보조부화소들을 포함할 수 있다. 복수의 제2보조부화소들은 빛을 발광하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 제1컴포넌트영역(CA1)과 유사하게, 제2컴포넌트영역(CA2)에서 제공되는 이미지는 보조 이미지로 표시영역(DA)에서 제공하는 이미지에 비해 해상도가 낮을 수 있다. 즉, 제2컴포넌트영역(CA2)은 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 제2투과부(TA2)를 구비하는 바, 제2컴포넌트영역(CA2)에서 제2화소그룹(Pg2)은 차지하는 비율이 표시영역(DA)에서 메인화소그룹(Pgm)이 차지하는 비율 보다 작을 수 있다. 일부 실시예에서, 제2컴포넌트영역(CA2)에서 제공되는 이미지는 제1컴포넌트영역(CA1)에서 제공하는 이미지에 비해 해상도가 낮을 수 있다.
본 실시예에서, 제1컴포넌트영역(CA1) 중 제1투과부(TA1)가 차지하는 비율은 제2컴포넌트영역(CA2) 중 제2투과부(TA2)가 차지하는 비율 보다 작을 수 있다. 이 때, 제1컴포넌트영역(CA1) 중 제1투과부(TA1)가 차지하는 비율은 구체적으로, 제1컴포넌트영역(CA1)의 xy 평면 상 면적에 대한 제1투과부(TA1)의 xy 평면상 면적으로 정의할 수 있다. 이와 유사하게, 제2컴포넌트영역(CA2) 중 제2투과부(TA2)가 차지하는 비율은 제2컴포넌트영역(CA2)의 xy 평면 상 면적에 대한 제2투과부(TA2)의 xy 평면상 면적으로 정의할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)은 표시영역(DA)에 의해 전체적으로 둘러싸인 것을 도시하고 있다. 이 때, 제1컴포넌트영역(CA1)은 제2컴포넌트영역(CA2)과 서로 이격되어 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1컴포넌트영역(CA1)은 평면상 원 형상, 타원 형상일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1컴포넌트영역(CA1)은 평면상 사각형상 등 다각형 형상일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1컴포넌트영역(CA1)은 곡률부를 포함할 수 있다. 또한, 제1컴포넌트영역(CA1)의 위치 및 개수도 다양하게 변경될 수 있다.
일 실시예에서, 제2컴포넌트영역(CA2)은 평면상 원 형상, 타원 형상일 수 있다. 다른 실시예에서, 제2컴포넌트영역(CA2)은 평면상 사각형상 등 다각형 형상일 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제2컴포넌트영역(CA2)은 곡률부를 포함할 수 있다. 또한, 제2컴포넌트영역(CA2)의 위치 및 개수도 다양하게 변경될 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로, 도 1a의 A-A'선, B-B'선에 따른 단면에 대응할 수 있다. 도 2는 도 1a의 메인화소그룹(Pgm) 중 하나의 메인부화소(Pm), 도 1a의 제1화소그룹(Pg1) 중 하나의 제1보조부화소(Pa1), 도 1a의 제2화소그룹(Pg2) 중 제2보조부화소(Pa2)를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 요소를 포함하는 표시 패널(10), 제1컴포넌트영역(CA1)에 대응하는 제1컴포넌트(COM1), 및 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응하는 제2컴포넌트(COM2)를 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 배치된 표시요소층(200), 표시요소층(200)을 밀봉하는 박막봉지층(300)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널(10)은 기판(100)의 하부에 배치된 하부보호필름(175)을 더 포함할 수 있다.
기판(100)은 글라스이거나 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
표시요소층(200)은 박막트랜지스터(TFTm, TFTa1, TFTa2)를 포함하는 회로층, 표시요소로의 유기발광다이오드(OLEDm, OLEDa1, OLEDa2), 및 이들 사이의 절연층(IL, IL')을 포함할 수 있다.
제1컴포넌트영역(CA1)에는 제1보조 박막트랜지스터(TFTa1) 및 표시요소가 배치되지 않는 제1투과부(TA1)가 배치될 수 있다. 제1투과부(TA1)는 제1컴포넌트(COM1)로부터 방출되는 빛/신호 나 제1컴포넌트(COM1)로 입사되는 빛/신호가 투과(transmission)되는 영역일 수 있다.
제2컴포넌트영역(CA2)에는 제2보조 박막트랜지스터(TFTa2) 및 표시요소가 배치되지 않는 제2투과부(TA2)가 배치될 수 있다. 제2투과부(TA2)는 제2컴포넌트(COM2)로부터 방출되는 빛/신호 나 제2컴포넌트(COM2)로 입사되는 빛/신호가 투과(transmission)되는 영역일 수 있다.
본 실시예에서, 제1투과부(TA1)의 면적은 제2투과부(TA2)의 면적과 상이할 수 있다. 특히, 제1투과부(TA1)의 면적은 제2투과부(TA2)의 면적 보다 작을 수 있다. 이를 다시 말하면, 제1투과부(TA1)의 x 방향으로의 폭은 제2투과부(TA2)의 x 방향으로의 폭 보다 작을 수 있다.
하부금속층(BML)은 제1컴포넌트영역(CA1)에 배치될 수 있으며, 하부금속층(BML)은 제1보조부화소(Pa1)에 대응하여 배치될 수 있다. 즉, 하부금속층(BML)은 제1보조 박막트랜지스터(TFTa1)의 하부에 대응하도록 배치될 수 있다. 하부금속층(BML)이 외부광이 제1보조 박막트랜지스터(TFTa1) 등이 포함된 제1보조부화소(Pa1)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1컴포넌트(COM1)로부터 출사되는 광이 제1보조부화소(Pa1)에 도달하는 것을 방지할 수 있다. 한편, 하부금속층(BML)에는 정전압 또는 신호가 인가되어 정전기 방전에 의한 화소회로의 손상을 방지할 수 있다. 도 2에는 도시하지 않았으나, 일부 실시예에서, 하부금속층(BML)은 제2컴포넌트영역(CA2)에도 배치될 수 있다. 이 경우, 하부금속층(BML)은 제2보조부화소(Pa2)에 대응하여 배치될 수 있다.
하부보호필름(175)은 기판(100)의 하부에 부착되어 기판(100)을 지지하고 보호할 수 있다. 하부보호필름(175)은 제1컴포넌트영역(CA1)에 대응하는 제1개구(175OP1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응하는 제2개구(175OP2)를 구비할 수 있다. 따라서, 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 하부보호필름(175)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethylene terephthalate) 또는 폴리이미드(polyimide)를 포함하여 구비될 수 있다. 한편, 기판(100)이 글라스로 구비되는 경우, 하부보호필름(175)은 생략될 수 있다.
제1컴포넌트영역(CA1)의 면적은 제1컴포넌트(COM1)가 배치되는 면적에 비해 크게 구비될 수 있다. 이에 따라, 하부보호필름(175)에 구비된 제1개구(175OP1)의 면적은 제1컴포넌트영역(CA1)의 면적과 일치하지 않을 수 있다. 예를 들어, 제1개구(175OP1)의 면적은 제1컴포넌트영역(CA1)의 면적에 비해 작게 구비될 수 있다. 이와 유사하게, 제2컴포넌트영역(CA2)의 면적은 제2컴포넌트(COM2)가 배치되는 면적에 비해 크게 구비될 수 있다.
일 실시예에서, 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 2는 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)과 이들 사이의 유기봉지층(320)을 나타낸다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(320)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
다른 실시예에서, 박막봉지층(300)은 기판(100) 및 투명한 부재인 상부기판이 밀봉부재로 결합되어 기판(100)과 상부기판 사이의 내부공간이 밀봉되는 구조일 수 있다. 이 때 내부공간에는 흡습제나 충진재 등이 위치할 수 있다. 밀봉부재는 실런트 일 수 있으며, 다른 실시예에서, 밀봉부재는 레이저에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, 밀봉부재는 프릿(frit)일 수 있다. 구체적으로 밀봉부재는 유기 실런트인 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 또는 무기 실런트인 실리콘 등으로 이루어질 수 있다. 우레탄계 수지로서는, 예를 들어, 우레탄 아크릴레이트 등을 사용할 수 있다. 아크릴계 수지로는, 예를 들어, 부틸아크릴레이트, 에틸헬실아크레이트 등을 사용할 수 있다. 한편, 밀봉부재는 열에 의해서 경화되는 물질로 구성될 수 있다.
이하에서는 박막봉지층(300)이 제1무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2무기봉지층(330)을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
박막봉지층(300) 상에는 터치전극들을 포함하는 터치전극층(미도시)이 배치되고, 터치전극층 상에는 광학적 기능층(미도시)이 배치될 수 있다. 터치전극층은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 광학적 기능층은 외부로부터 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있고, 및/또는 표시 장치(1)에서 방출되는 빛의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 일 실시예로, 광학적 기능층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학적 기능층은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 장치의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 각각은 전술한 안료나 염료 외에 양자점을 더 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 중 일부는 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학적 기능층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
상기 터치전극층 및 광학적 기능층 사이에는 접착 부재가 배치될 수 있다. 상기 접착 부재는 당 기술분야에 알려진 일반적인 것을 제한 없이 채용할 수 있다. 상기 접착 부재는 감압성 접착제(pressure sensitive adhesive, PSA)일 수 있다.
제1컴포넌트(COM1)는 제1컴포넌트영역(CA1)에 대응하여 배치될 수 있다. 제1컴포넌트(COM1)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예를 들어, 제1컴포넌트(COM1)는 적외선 센서와 같이 광을 수광하여 이용하는 센서, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등일 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있음은 물론이다.
본 실시예에서, 제1컴포넌트(COM1)는 근접 센서(proximity sensor) 및 조도 센서(ambient light sensor) 중 적어도 하나일 수 있다. 이 때, 근접 센서는 대상물이 근접해 온 것을 검출하는 센서이다. 이 때, 근접 센서는 이동하는 대상물이 일정한 거리에 들어온 것을 알아낼 목적으로 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 근접 센서는 홀 소자와 영구 자석을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 근접 센서는 램프나 발광 다이오드와 광센서를 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 근접 센서는 정전 용량의 변화를 검출할 수 있다. 한편, 조도 센서는 조도를 추정하는 목적으로 사용될 수 있다. 일 실시예에서, 조도 센서는 감광 기전 효과를 이용하여 기전력을 발생시키는 반도체 소자를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1컴포넌트(COM1)는 표시 장치에 복수로 구비될 수 있다. 이 때, 제1컴포넌트(COM1)들은 각각 근접 센서, 조도 센서일 수 있다.
제2컴포넌트(COM2)는 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응하여 배치될 수 있다. 제2컴포넌트(COM2)는 제1컴포넌트와 유사하게 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다.
본 실시예에서, 제2컴포넌트(COM2)는 카메라, 적외선 카메라(IR camera), 도트 프로젝터(dot projector), 적외선 조명기(IR illuminator), 및 비과시간법 센서(ToF sensor, Time-of-Flight sensor) 중 적어도 하나일 수 있다. 일 실시예에서, 적외선 카메라는 적외선(예를 들어, 0.7㎛ 내지 100㎛의 파장을 갖는 빛)에 민감한 전하 결합 소자를 이용하여 적외선 영상을 촬영할 수 있다. 도트 프로젝터는 적외선 빛을 일정한 패턴으로 고르게 조사할 수 있다. 이 때, 도트 프로젝터는 적외선 빛이 방출되는 방출부와 상기 적외선 빛을 일정한 패턴으로 분산시키는 회절부를 포함할 수 있다. 적외선 조명기는 적외선 빛을 방출할 수 있다. 이 때, 적외선 조명기는 상기 도트 프로젝터와 유사하게 적외선 빛이 방출되는 방출부를 포함할 수 있다. 비과시간법 센서(ToF sensor)는 피사체에 광(예를 들어, 적외선)을 방사한 후, 상기 피사체에 반사되어 돌아오는 시간을 측정할 수 있다. 이 때, 비과시간법 센서(ToF sensor)는 상기 시간을 측정하여 피사체까지의 거리를 측정할 수 있다.
본 실시예에서, 제2컴포넌트(COM2)는 표시 장치에 복수로 구비될 수 있다. 이 때, 복수의 제2컴포넌트(COM2)는 각각 적외선 조명기, 도트 프로젝터, 적외선 카메라, 비과시간법 센서일 수 있다. 이 때, 상기 적외선 조명기에서 대상물로 방출될 수 있다. 또한, 상기 대상물에 의해 반사된 빛은 상기 적외선 카메라로 입사될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치되는 메인화소그룹(Pgm), 제1컴포넌트영역(CA1)에 포함된 제1화소그룹(Pg1), 제2컴포넌트영역(CA2)에 포함된 제2화소그룹(Pg2)을 포함할 수 있다.
메인화소그룹(Pgm)은 표시영역(DA)에 복수개로 배치될 수 있다. 메인화소그룹(Pgm)들은 각각 메인부화소를 포함할 수 있다. 각 메인화소그룹(Pgm)은 메인부화소를 통해 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 이 때, 메인부화소는 유기발광다이오드의 발광영역으로 정의될 수 있다.
제1화소그룹(Pg1)은 제1컴포넌트영역(CA1)에 복수개로 배치될 수 있으며, 제2화소그룹(Pg2)은 제2컴포넌트영역(CA2)에 복수개로 배치될 수 있다. 이 때, 제1화소그룹(Pg1)들 및 제2화소그룹(Pg2)들도 메인화소그룹(Pgm)들과 유사하게 각각 제1보조부화소 및 제2보조부화소를 포함할 수 있다. 본 명세서에서의 제1화소그룹(Pg1) 및 제2화소그룹(Pg2)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 부화소가 적어도 하나 이상 포함하는 화소그룹일 수 있다.
제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)은 각각 제1투과부(TA1) 및 제2투과부(TA2)를 구비하고 있는 바, 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)의 해상도는 표시영역(DA) 보다 작을 수 있다. 또한, 제2컴포넌트영역(CA2)의 해상도는 제1컴포넌트영역(CA1)의 해상도보다 작을 수 있다.
각 화소그룹(Pmg, Pg1, Pg2)의 부화소들은 각각 비표시영역(NDA)에 배치된 외곽회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 제1스캔구동회로(110), 제2스캔구동회로(120), 단자(140), 데이터구동회로(150), 제1전원공급배선(160), 및 제2전원공급배선(170)이 배치될 수 있다.
제1스캔구동회로(110)는 스캔라인(SL)을 통해 각 부화소에 스캔 신호를 제공할 수 있다. 제2스캔구동회로(120)는 표시영역(DA)을 사이에 두고 제1스캔구동회로(110)와 나란하게 배치될 수 있다. 표시영역(DA)에 배치된 메인부화소들 중 일부는 제1스캔구동회로(110)와 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지는 제2스캔구동회로(120)에 연결될 수 있다. 다른 실시예로, 제2스캔 구동회로(130)는 생략될 수 있다.
단자(140)는 기판(100)의 일 측에 배치될 수 있다. 단자(140)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄회로기판(PCB)과 전기적으로 연결될 수 있다.
인쇄회로기판(PCB)의 단자(PCB-P)는 표시 패널(10)의 단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄회로기판(PCB)은 제어부(미도시)의 신호 또는 전원을 표시 패널(10)로 전달한다. 제어부에서 생성된 제어 신호는 인쇄회로기판(PCB)을 통해 제1스캔구동회로(110) 및 제2스캔구동회로(120)에 각각 전달될 수 있다. 제어부는 제1연결배선(161) 및 제2연결배선(171)을 통해 제1전원공급배선(160) 및 제2전원공급배선(160, 170)에 각각 제1전원전압 및 제2전원전압을 제공할 수 있다. 제1전원전압은 제1전원공급배선(160)과 연결된 구동전압선(PL)을 통해 각 부화소에 제공되고, 제2전원전압은 제2전원공급배선(170)과 연결된 각 부화소의 대향전극에 제공될 수 있다.
데이터구동회로(150)는 데이터선(DL)에 전기적으로 연결된다. 데이터구동회로(150)의 데이터 신호는 단자(140)에 연결된 연결배선(151) 및 연결배선(151)과 연결된 데이터선(DL)을 통해 각 부화소에 제공될 수 있다. 도 3은 데이터구동회로(150)가 인쇄회로기판(PCB)에 배치된 것을 도시하지만, 다른 실시예로, 데이터구동회로(150)는 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 데이터구동회로(150)는 단자(140)와 제1전원공급배선(160) 사이에 배치될 수 있다.
제1전원공급배선(160)은 표시영역(DA)을 사이에 두고 x 방향을 따라 나란하게 연장된 제1서브배선(162) 및 제2서브배선(163)을 포함할 수 있다. 제2전원공급배선(170)은 일측이 개방된 루프 형상으로 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
도 4는 도 1a의 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제1컴포넌트영역(CA1)에는 제1화소그룹(Pg1)들 및 제1투과부(TA1)들이 배치될 수 있다. 이 때, 제1화소그룹(Pg1)들은 각각 제1보조부화소(Pa1)를 포함할 수 있다. 또한, 제2컴포넌트영역(CA2)에는 제2화소그룹(Pg2)들 및 제2투과부(TA2)들이 배치될 수 있다. 이 때, 제2화소그룹(Pg2)들은 각각 제2보조부화소(Pa2)를 포함할 수 있다. 이 경우, 제2투과부(TA2)의 면적은 제1투과부(TA1)의 면적 보다 클 수 있다.
본 실시예에서, 제1투과부(TA1)가 제1컴포넌트영역(CA1) 중 차지하는 비율은 제2투과부(TA2)가 제2컴포넌트영역(CA2) 중 차지하는 비율 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 동일한 단위 면적의 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)에서 제1투과부(TA1)의 면적은 제2투과부(TA2)의 면적보다 작을 수 있다.
제1화소그룹(Pg1)은 적어도 하나의 제1보조부화소(Pa1)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 4에 도시한 바와 같이 하나의 제1화소그룹(Pg1)에는 2열로 배치된 4개의 제1보조부화소(Pa1)가 배치될 수 있다. 그러나, 다른 실시예에서, 하나의 제1화소그룹(Pg1)에 포함되는 제1보조부화소(Pa1)의 개수 및 배치는 다양하게 변형될 수 있다.
제2화소그룹(Pg2)은 적어도 하나의 제2보조부화소(Pa2)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 4에 도시한 바와 같이 하나의 제2화소그룹(Pg2)에는 2개의 제2보조부화소(Pa2)가 배치될 수 있다. 이 경우, 제2화소그룹(Pg2)에 배치된 제2보조부화소(Pa2)의 개수는 제1화소그룹(Pg1)에 배치된 제1보조부화소(Pa1)의 개수와 동일하거나 그 이하일 수 있다. 따라서, 제2컴포넌트영역(CA2)의 해상도는 제1컴포넌트영역(CA1)의 해상도 보다 낮을 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 복수의 부화소들을 나타낸 개략적인 배치도이다. 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 복수의 부화소들을 나타낸 개략적인 배치도이다. 본 실시예에서, 적색 부화소(Pr), 녹색 부화소(Pg), 청색 부화소(Pb)라 함은 유기발광다이오드의 발광영역을 나타내며, 상기 발광영역은 후술할 화소정의막의 개구에 의해 정의될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 제1행(1N)에는 청색 부화소(Pb) 및 적색 부화소(Pr)가 x 방향을 따라 서로 교번하여 배치될 수 있다. 이와 마찬가지로 제2행(2N)에는 적색 부화소(Pr) 및 청색 부화소(Pb)가 x 방향을 따라 서로 교번하여 배치될 수 있다. 이 때, 제1행(1N) 및 제2행(2N) 사이에는 녹색 부화소(Pg)들이 x 방향을 따라 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다. 이와 같은 부화소 배치가 기 설정된 소정의 행까지 반복될 수 있다.
제1행(1N) 및 제2행(2N) 사이에 배치된 녹색 부화소(Pg)들은 제1행(1N) 및 제2행(2N)에 배치된 적색 부화소(Pr)들 및 청색 부화소(Pb)들과 서로 엇갈려 배치될 수 있다. 따라서, 제1열(1M) 및 제2열(2M)에는 청색 부화소(Pb) 및 적색 부화소(Pr)가 y 방향으로 교번하여 배치되고, 제1열(1M) 및 제2열(2M) 사이에는 녹색 부화소(Pg)가 y 방향으로 소정의 간격으로 이격하여 배치될 수 있다. 이와 같은 부화소의 화소 배치가 기 설정된 소정의 열까지 반복될 수 있다.
일 실시예에서, 청색 부화소(Pb)의 면적은 적색 부화소(Pr)의 면적 또는 녹색 부화소(Pg)의 면적 보다 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색 부화소(Pr) 또는 녹색 부화소(Pg)는 장변 및 단변을 포함하는 직사각형 형상이며, 청색 부화소(Pb)는 상기 장변으로 이루어진 정사각형 형상일 수 있다.
도 5b를 참조하면, 제1행(1N)에는 녹색 부화소(Pg)들이 x 방향으로 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있고, 제1행(1N)에 인접한 제2행(2N)에는 적색 부화소(Pr) 및 청색 부화소(Pb)가 x 방향으로 교번하여 배치될 수 있다. 이와 마찬가지로, 제3행(3N)에는 녹색 부화소(Pg)들이 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있으며, 제4행(4N)에는 적색 부화소(Pr) 및 청색 부화소(Pb)가 교번하여 배치될 수 있다. 이와 같은 화소 배치가 기 설정된 소정의 행까지 반복될 수 있다.
제1행(1N)에 배치되는 녹색 부화소(Pg)들은 제2행(2N)의 적색 부화소(Pr)들 및 청색 부화소(Pb)들과 서로 엇갈려서 배치될 수 있다. 따라서, 제1열(1M)에는 적색 부화소(Pr) 및 청색 부화소(Pb)가 y 방향으로 교번하여 배치되고, 제2열(2M)에는 녹색 부화소(Pg)가 y 방향으로 소정의 간격으로 이격하여 배치될 수 있다. 이와 같은 부화소 배치가 기 설정된 소정의 열까지 반복될 수 있다. 이 때, 청색 부화소(Pb) 및 적색 부화소(Pr)의 면적은 녹색 부화소(Pg)보다 크게 형성되어 있다. 또는, 청색 부화소(Pb)의 면적이 적색 부화소(Pr) 및 녹색 부화소(Pg) 보다 크게 형성될 수 있다.
이와 같은 화소 배치 구조를 다르게 표현하면, 가상의 사각형(VS)의 꼭지점중에 서로 마주보는 제1, 제3 꼭지점에는 녹색 부화소(Pg)가 배치되며, 나머지 꼭지점인 제2, 제4 꼭지점에 청색 부화소(Pb) 및 적색 부화소(Pr)가 배치되어 있다고 표현할 수 있다. 예를 들어, 가상의 사각형의 중심(VSC)을 중심을 기준으로 가상의 사각형 꼭지점에 녹색 부화소(Pg)가 마주보게 배치될 수 있다. 또한, 청색 부화소(Pb) 및 적색 부화소(Pr)가 가상의 사각형 꼭지점에 가상의 사각형의 중심(VSC)을 기준으로 마주보게 배치될 수 있다. 이 때, 가상의 사각형(VS)은 직사각형, 마름모, 정사각형 등 다양하게 변형될 수 있다.
가상의 사각형의 모서리들의 연장선들은 각각 x 방향 또는 y 방향과 상이한 방향으로 배치될 수 있다. 따라서 가상의 사각형은 x 방향 또는 y 방향에 대해서 틸팅된 채 배열되어 있다고 할 수 있다.
가상의 사각형(VS)의 꼭지점에 서로 다른 색을 발광하는 부화소들을 포함할 수 있으며, 이러한 부화소 배치 구조를 펜타일 매트릭스(PenTile Matrix) 구조라고 하며, 인접한 부화소를 공유하여 색상을 표현하는 렌더링(Rendering) 구동을 적용함으로써, 작은 수의 부화소로 고해상도를 구현할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예에 따른 부화소 배치 구조는 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 스트라이프(Strip) 배열, 모자익(Mosaic) 배열, 델타(Delta) 배열을 갖는 부화소 배치 구조에 적용될 수 있다. 또한, 본 발명은 백색광을 내는 백색 부화소를 더 포함하는 부화소 배치 구조에도 적용될 수 있다. 이하에서는 도 5a와 같은 부화소의 배치를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
도 6은 도 1a의 C 부분 및 D 부분을 확대한 확대도이다.
도 6을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA), 제1화소그룹(Pg1) 및 제1투과부(TA1)를 배치되는 제1컴포넌트영역(CA1), 및 제2화소그룹(Pg2) 및 제2투과부(TA2)를 배치되는 제2컴포넌트영역(CA2)을 포함하는 기판을 포함할 수 있다.
제1투과부(TA1)의 면적은 제2투과부(TA2)의 면적 보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1투과부(TA1)의 x 방향으로의 폭은 제2투과부(TA2)의 x 방향으로의 폭 보다 작을 수 있다.
표시영역(DA) 상에는 메인부화소(Pmr, Pmg, Pmb)들이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 메인부화소(Pmr, Pmg, Pmb)들은 상기 펜타일 매트릭스 구조 형태로 배치될 수 있다.
제1화소그룹(Pg1)에는 제1보조부화소(Par1, Pag1, Pab1)들이 배치될 수 있다. 이 때, 일 실시예에서, 제1보조부화소의 녹색부화소(Pag1)는 인접한 제1보조부화소의 적색부화소(Par1)들 사이 또는 인접한 제1보조부화소의 청색부화소(Pab1)들 사이에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1보조부화소(Par1, Pag1, Pab1)들은 상기 펜타일 매트릭스 구조 형태로 배치될 수 있다.
제2화소그룹(Pg2)에는 제2보조부화소(Par2, Pag2, Pab2)들이 배치될 수 있다. 이 때, 일 실시예에서, 제2보조부화소의 녹색부화소(Pag2)는 인접한 제2보조부화소의 적색부화소(Par2)들 사이 또는 인접한 제2보조부화소의 청색부화소(Pab2)들 사이에 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 제2보조부화소(Par2, Pag2, Pab2)들은 상기 펜타일 매트릭스 구조 형태로 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 인접한 제1보조부화소(Par1, Pag1, Pab1)들의 중심 간 제1거리는 인접한 메인부화소(Pmr, Pmg, Pmb)들의 중심 간 제2거리와 상이할 수 있다. 예를 들어, 인접한 제1보조부화소의 적색부화소(Par1) 및 제1보조부화소의 청색부화소(Pab1)의 중심 사이의 제1거리(d1)는 인접한 메인부화소의 적색부화소(Pmr) 및 메인부화소의 청색부화소(Pmb)의 중심 사이의 제2거리(d2)와 상이할 수 있다. 다른 예로, 인접한 제1보조부화소의 녹색부화소(Pag1)들의 제1거리(d3) 및 인접한 메인부화소의 녹색부화소(Pmg)들의 제2거리(d4)와 상이할 수 있다. 특히, 제1거리(d1, d3)는 제2거리(d2, d4) 보다 작을 수 있다. 따라서, 제1컴포넌트영역(CA1)에서 제1보조부화소(Par1, Pag1, Pab1)들은 표시영역(DA)에서 메인부화소(Pmr, Pmg, Pmb)들 보다 밀접하게 배치될 수 있다. 이는 제1컴포넌트영역(CA1)이 제1투과부(TA1)를 포함하면서 적절한 해상도를 구비하기 위함일 수 있다.
일 실시예에서, 인접한 제2보조부화소(Par2, Pag2, Pab2)들의 중심 간 거리는 인접한 메인부화소(Pmr, Pmg, Pmb)들의 중심 간 거리와 상이할 수 있다. 다른 실시예에서, 인접한 제2보조부화소(Par2, Pag2, Pab2)들의 중심 간 거리는 인접한 메인부화소(Pmr, Pmg, Pmb)들의 중심 간 거리는 동일할 수 있다.
도 7은 도 6의 E-E'선에 따른 개략적인 단면도이다. 도 8은 도 6의 F-F'선에 따른 개략적인 단면도이다. 도 7에서는 메인부화소의 청색부화소(Pmb), 제1보조부화소의 녹색부화소(Pag1) 및 제1투과부(TA1)가 배치된 것을 도시한 것이다. 도 8은 메인부화소의 청색부화소(Pmb) 및 제2투과부(TA2)가 배치된 것을 도시한 것이다.
도 7을 참조하면, 표시영역(DA) 상에 메인박막트랜지스터(TFT), 메인 스토리지 커패시터(Cst), 및 메인 청색 유기발광다이오드(OLEDmb)가 배치될 수 있다. 제1컴포넌트영역(CA1) 상에 제1박막트랜지스터(TFT'), 제1스토리지 커패시터(Cst'), 및 제1보조 녹색 유기발광다이오드(OLEDag1)가 배치될 수 있다.
제1컴포넌트영역(CA1)의 하부에는 제1컴포넌트(COM1)가 배치될 수 있다. 제1컴포넌트(COM1)는 적외선을 송/수신하는 적외선(IR, infra red) 센서일 수 있다. 특히 제1컴포넌트(COM1)는 근접 센서 또는 조도 센서일 수 있다. 제1컴포넌트영역(CA1)에는 제1투과부(TA1)가 배치되고 있는 바, 제1컴포넌트(COM1)로부터 송/수신되는 적외선 신호가 투과될 수 있다. 예를 들어, 제1컴포넌트(COM1)에서 방출되는 빛은 제1투과부(TA1)를 통해 z 방향을 따라 진행할 수 있고, 표시 장치 외부에서 발생하여 제1컴포넌트(COM1)로 입사되는 빛은 제1투과부(TA1)를 통해 -z 방향을 따라 진행할 수 있다.
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 표함된 구성들이 적층된 구조에 대해 설명하기로 한다.
버퍼층(111)은 기판(100) 상에 위치하여, 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 일부 실시예에서, 버퍼층(111)은 실리콘산화물(SiO2) 또는 실리콘질화물(SiNX)으로 구비될 수 있다. 버퍼층(111)은 제1버퍼층(111a) 및 제2버퍼층(111b)이 적층되도록 구비될 수 있다.
하부금속층(BML)은 제1컴포넌트영역(CA1)에서 제1버퍼층(111a)과 제2버퍼층(111b) 사이에는 배치될 수 있다. 다른 실시예로, 하부금속층(BML)은 기판(100)과 제1버퍼층(111a) 사이에 배치될 수도 있다. 하부금속층(BML)은 제1박막트랜지스터(TFT')의 하부에 배치되어, 제1컴포넌트(COM1) 등으로부터 방출되는 빛에 의해서 제1박막트랜지스터(TFT')의 특성이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 하부금속층(BML)은 다른 층에 배치된 배선(GCL)과 컨택홀을 통해 연결될 수 있다. 하부금속층(BML)은 상기 배선(GCL)으로부터 정전압 또는 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 하부금속층(BML)은 구동전압 또는 스캔 신호를 제공받을 수 있다. 하부금속층(BML)은 정전압 또는 신호를 제공받음에 따라 정전기 방전이 발생될 확률을 현저히 줄일 수 있다. 하부금속층(BML)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있다. 하부금속층(BML)은 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
상기 버퍼층(111) 상부에는 메인박막트랜지스터(TFT) 및 제1박막트랜지스터(TFT')가 배치될 수 있다. 메인박막트랜지스터(TFT)는 제1반도체층(A1), 제1게이트전극(G1), 제1소스전극(S1), 제1드레인전극(D1)을 포함하고, 제1박막트랜지스터(TFT')는 제2반도체층(A2), 제2게이트전극(G2), 제2소스전극(S2), 제2드레인전극(D2)을 포함한다. 메인박막트랜지스터(TFT)는 표시영역(DA)의 메인 청색 유기발광다이오드(OLEDmb)와 연결되어 메인 청색 유기발광다이오드(OLEDmb)를 구동할 수 있다. 제1박막트랜지스터(TFT')는 제1보조 녹색 유기발광다이오드(OLEDag1)와 연결되어 제1보조 녹색 유기발광다이오드(OLEDag1)를 구동할 수 있다.
제1반도체층(A1) 및 제2반도체층(A2)은 상기 버퍼층(111) 상에 배치되며, 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1반도체층(A1) 및 제2반도체층(A2)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1반도체층(A1) 및 제2반도체층(A2)은 인듐(In), 갈륨(Ga), 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 크롬(Cr), 티타늄(Ti) 및 아연(Zn)을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상의 물질의 산화물을 포함할 수 있다. 제1반도체층(A1) 및 제2반도체층(A2)은 채널영역과 불순물이 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역을 포함할 수 있다.
제1반도체층(A1)은 상기 제2버퍼층(111b)을 사이에 두고 하부금속층(BML)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에서, 제1반도체층(A1)의 폭은 하부금속층(BML)의 폭 보다 작게 형성될 수 있으며, 따라서 기판(100)에 수직한 방향에서 사영하였을 때 제1반도체층(A1)은 전체적으로 하부금속층(BML)과 중첩할 수 있다.
제1반도체층(A1) 및 제2반도체층(A2)을 덮도록 제1게이트절연층(112)이 구비될 수 있다. 제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1게이트절연층(112)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1게이트절연층(112) 상부에는 상기 제1반도체층(A1) 및 제2반도체층(A2)과 각각 중첩되도록 제1게이트전극(G1) 및 제2게이트전극(G2)이 배치될 수 있다. 제1게이트전극(G1) 및 제2게이트전극(G2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 제1게이트전극(G1) 및 제2게이트전극(G2)은 Mo의 단층일 수 있다.
제2게이트절연층(113)은 상기 제1게이트전극(G1) 및 제2게이트전극(G2)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
제2게이트절연층(113) 상부에는 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 제1상부 전극(CE2) 및 제1스토리지 커패시터(Cst')의 제2상부 전극(CE4)이 배치될 수 있다.
표시영역(DA)에서 제1상부 전극(CE2)은 그 아래의 제1게이트전극(G1)과 중첩할 수 있다. 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 제1게이트전극(G1) 및 제1상부 전극(CE2)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 제1게이트전극(G1)은 메인 스토리지 커패시터(Cst)의 제1하부 전극(CE1)일 수 있다.
제1컴포넌트영역(CA1)에서 제2상부 전극(CE4)은 그 아래의 제2게이트전극(G2)과 중첩할 수 있다. 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 제2게이트전극(G2) 및 제2상부 전극(CE4)은 제1스토리지 커패시터(Cst')를 이룰 수 있다. 제1게이트전극(G1)은 제1스토리지 커패시터(Cst')의 제2하부 전극(CE3)일 수 있다.
제1상부 전극(CE2) 및 제2상부 전극(CE4)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
제1층간절연층(115)은 상기 제1상부 전극(CE2) 및 제2상부 전극(CE4)을 덮도록 형성될 수 있다. 제1층간절연층(115)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다.
소스전극(S1, S2) 및 드레인전극(D1, D2)은 제1층간절연층(115) 상에 배치된다. 소스전극(S1, S2) 및 드레인전극(D1, D2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 소스전극(S1, S2)과 드레인전극(D1, D2)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
소스전극(S1, S2)과 드레인전극(D1, D2)를 덮도록 제2층간절연층(117)이 배치될 수 있다. 제2층간절연층(117)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다.
메인 연결금속(CM) 및 제1보조 연결금속(CM')은 제2층간절연층(117) 상에 배치될 수 있다. 메인 연결금속(CM) 및 제1보조 연결금속(CM')은 제2층간절연층(117)에 형성된 개구부를 통해 각각 메인박막트랜지스터(TFT)의 제1드레인전극(D1) 및 제1박막트랜지스터(TFT')의 제2드레인전극(D2)과 컨택하여 메인박막트랜지스터(TFT)와 제1박막트랜지스터(TFT')와 각각 전기적으로 연결될 수 있다.
제2층간절연층(117) 상에는 메인 연결금속(CM) 및 제1보조 연결금속(CM')과 이격되며, 동일한 물질로 구비된 배선(미도시)이 더 배치될 수 있다.
메인 연결금속(CM) 및 제1보조 연결금속(CM') 상에는 평탄화층(119)이 배치될 수 있다. 평탄화층(119)은 그 상부에 배치되는 메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다.
평탄화층(119)은 유기 물질 또는 무기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한, 평탄화층(119)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate나, Polystyrene과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 한편, 평탄화층(119)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 이 경우, 평탄화층(119)을 형성한 후, 평탄한 상면을 제공하기 위해서 화학적 기계적 폴리싱이 수행될 수 있다.
평탄화층(119)에는 메인 연결금속(CM) 및 제1보조 연결금속(CM')을 노출시키는 개구부가 존재하며, 메인 화소전극(221m)은 상기 개구부를 통해 메인 연결금속(CM)과 컨택하여 메인박막트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 평탄화층(119)에는 제1보조 연결금속(CM')을 노출시키는 개구부를 포함하여, 제1보조 화소전극(221a)은 상기 개구부를 통해 보조 연결금속(CM')과 컨택하여 제1박막트랜지스터(TFT')와 전기적으로 연결될 수 있다.
메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
화소정의막(121)은 메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a) 각각의 가장자리를 커버할 수 있다. 화소정의막(121)은 메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a) 각각에 중첩하며, 메인부화소의 청색부화소(Pmb) 및 제1보조부화소의 녹색부화소(Pag1)를 각각 정의하는 제1개구부(OP1) 및 제2개구부(OP2)를 포함할 수 있다. 화소정의막(121)은 화소전극(221m, 221a)의 가장자리와 화소전극(221m, 221a) 상부의 대향전극(223)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(221m, 221a)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(121)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
청색 발광층(222B) 및 녹색 발광층(222G)은 메인 화소전극(221m) 및 제1보조 화소전극(221a) 상에는 각각 대응되도록 배치될 수 있다. 청색 발광층(222B) 및 녹색 발광층(222G)은 고분자 물질 또는 저분자 물질을 포함할 수 있으며, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
대향전극(223)은 청색 발광층(222B) 및 녹색 발광층(222G) 상부에 배치될 수 있다. 대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 대향전극(223)은 표시영역(DA)과 제1컴포넌트영역(CA1)에 일체로 형성될 수 있다. 한편, 화소전극(221m, 222a) 및 발광층(222B, 222G) 사이 및/또는 발광층(222B, 222G) 및 대향전극(223) 사이에 기능층을 더 포함할 수 있다. 한편, 본 실시예에서, 대향전극(223)은 제1투과부(TA1) 상에는 배치되지 않을 수 있다. 이 때, 대향전극(223)은 제1투과부(TA1)에 대응하여 대향전극 개구부(223OP)를 포함할 수 있다.
표시영역(DA)에 형성된 메인 화소전극(221m)으로부터 대향전극(223)까지의 층들은 메인 청색 유기발광다이오드(OLEDmb)를 이룰 수 있다. 제1컴포넌트영역(CA1)에 형성된 제1보조 화소전극(221a)으로부터 대향전극(223)까지의 층들은 제1보조 녹색 유기발광다이오드(OLEDag1)를 이룰 수 있다.
상기 대향전극(223) 상에는 전술한 바와 같이 박막봉지층, 광학적 기능층 등이 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제2층간절연층(117), 평탄화층(119), 및 화소정의막(121) 중 적어도 하나는 제1투과부(TA1)에 대응하여 제1투과홀(TAH1)을 구비할 수 있다. 일 실시예에서, 제1투과홀(TAH1)은 제1층간절연층(115)의 상면을 노출하도록 형성될 수 있다. 제1투과홀(TAH1)은 화소정의막(121)의 제1홀(H1), 평탄화층(119)의 제2홀(H2), 및 제2층간절연층(117)의 제3홀(H3)이 중첩되어 형성될 수 있다. 제1홀(H1) 내지 제3홀(H3)은 별도의 공정을 통해 각각 형성되거나 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. 또는 제2홀(H2) 및 제3홀(H3)은 동시에 형성되고, 제1홀(H1)은 별도로 형성될 수 있다. 제1홀(H1) 내지 제3홀(H3)이 별도의 공정으로 형성되는 경우, 제1투과홀(TAH1)의 측면에는 단차가 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 제1투과홀(TAH1)은 제1홀(H1)만으로 구비되어 평탄화층(119)의 상면을 노출시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1투과홀(TAH1)은 제1투과부(TA1)에 대응하여 구비되지 않을 수 있다.
상기와 같은 경우, 기판(100) 상에 유기 및 무기 적층 구조를 생략하여 제1컴포넌트(COM1)의 신호 처리가 더욱 원할하고 정밀하게 수행될 수 있다.
도 8을 참조하면, 제2컴포넌트영역(CA2)의 하부에는 제2컴포넌트(COM2)가 배치될 수 있다. 제2컴포넌트(COM2)는 적외선을 송/수신하는 적외선(IR, infra red) 센서일 수 있다. 특히 제2컴포넌트(COM2)는 카메라, 적외선 카메라(IR camera), 도트 프로젝터(dot projector), 적외선 조명기(IR illuminator), 또는 비과시간법 센서(ToF sensor) 일 수 있다. 제2컴포넌트영역(CA2)에는 제2투과부(TA2)가 배치되고 있는 바, 제2컴포넌트(COM2)로부터 송/수신되는 적외선 신호가 투과될 수 있다. 예를 들어, 제2컴포넌트(COM2)에서 방출되는 빛은 제2투과부(TA2)를 통해 z 방향을 따라 진행할 수 있고, 표시 장치 외부에서 발생하여 제2컴포넌트(COM2)로 입사되는 빛은 제2투과부(TA2)를 통해 -z 방향을 따라 진행할 수 있다.
본 실시예에서, 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 제1층간절연층(115), 제2층간절연층(117), 평탄화층(119), 및 화소정의막(121) 중 적어도 하나는 제2투과부(TA2)에 대응하여 제2투과홀(TAH2)을 구비할 수 잇다. 제2투과홀(TAH2)은 버퍼층(111)의 상면을 노출하도록 형성될 수 있다. 제2투과홀(TAH2)은 화소정의막(121)의 제1홀(H1'), 평탄화층(119)의 제2홀(H2'), 제2층간절연층(117)의 제3홀(H3'), 제1층간절연층(115)의 제4홀(H4'), 제2게이트절연층(113)의 제5홀(H5'), 및 제1게이트절연층(112)의 제6홀(H6')이 중첩되어 형성될 수 있다. 이 때, 제1홀(H1') 내지 제6홀(H6')은 별도의 공정을 통해 각각 형성되거나 동일한 공정을 통해 동시에 형성될 수 있다. 또는 제2홀(H2') 내지 제6홀(H6')은 동시에 형성되고, 제1홀(H1')은 별도로 형성될 수 있다. 제1홀(H1') 내지 제6홀(H6')이 별도의 공정으로 형성되는 경우, 제2투과홀(TAH2)의 측면에는 단차가 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2투과홀(TAH2)은 제1홀(H1')만으로 구비되어 평탄화층(119)의 상면을 노출시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제2투과홀(TAH2)은 제1홀(H1') 및 제2홀(H2')로 구비되어 제2층간절연층(117)의 상면을 노출시킬 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1투과홀(TAH1)은 제1투과부(TA1)에 대응하여 구비되지 않을 수 있다.
상기와 같은 경우, 기판(100) 상에 유기 및 무기 적층 구조를 생략하여 제2컴포넌트(COM2)의 신호 처리가 더욱 원할하고 정밀하게 수행될 수 있다.
본 실시예에서 컴포넌트들은 각각 필요한 투과율이 상이할 수 있다. 예를 들어, 근접센서에 필요한 투과율과 적외선 카메라에 필요한 광투과율은 상이할 수 있다. 구체적으로, 근접센서 또는 조도센서가 적절한 기능을 수행하기 위해 필요한 광투과율보다 적외선 카메라, 도트 프로젝터, 또는 비과시간법 센서 등이 적절한 기능을 수행하기 위해 필요한 광투과율이 높을 수 있다. 이러한 경우, 컴포넌트 별로 필요한 광투과율을 만족시키면서 컴포넌트가 배치되는 영역에 부화소를 배치한다면, 이미지를 제공함과 동시에 컴포넌트의 기능을 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예는 제1투과부(TA1)가 배치된 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제1투과부(TA1)의 면적과 상이한 면적을 구비한 제2투과부(TA2)가 배치된 제2컴포넌트영역(CA2)을 구비할 수 있다. 이러한 경우, 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)은 투과율이 상이할 수 있다. 이 때, 제1컴포넌트(COM1)는 제1컴포넌트영역(CA1)에 대응하도록 배치되어 제1컴포넌트(COM1)에 필요한 투과율을 만족시키고, 제1컴포넌트(COM1)와 상이한 제2컴포넌트(COM2)는 제2컴포넌트영역(CA2)에 배치되어 제2컴포넌트(COM2)에 필요한 투과율을 만족시킬 수 있다. 따라서, 필요한 투과율에 따라 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)에 각각 제1컴포넌트(COM1) 및 제2컴포넌트(COM2)를 배치하여, 컴포넌트들의 기능이 저하되지 않으면서 컴포넌트영역들(CA1, CA2)에 이미지를 표시할 수 있는 최적화된 표시 장치를 구현할 수 있다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 실시예에 따른 표시 장치를 제조하는 제1마스크 내지 제3마스크의 일 예를 나타낸 평면도이다. 도 10a 내지 도 10c는 제1마스크 내지 제3마스크를 이용한 표시 장치의 제조방법을 나타낸 평면도이다.
도 9a를 참조하면, 제1마스크(Mr)는 제1상부마스크(Mr1) 및 제1하부마스크(Mr2)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1상부마스크(Mr1) 및 제1하부마스크(Mr2)는 서로 이격되어 각각 마스크프레임에 고정되는 마스크스틱일 수 있다. 다른 실시예에서, 제1상부마스크(Mr1) 및 제1하부마스크(Mr2)는 일체로 구비될 수 있다.
제1상부마스크(Mr1)는 제1상부마스크의 제1보조개구부(OPar1)들 및 제1상부마스크의 제2보조개구부(OPar2)들을 포함할 수 있다. 이 때, 제1상부마스크의 제1보조개구부(OPar1)들 및 제1상부마스크의 제2보조개구부(OPar2)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제1하부마스크(Mr2)는 제1하부마스크의 메인개구부(OPmr)를 포함할 수 있다. 제1하부마스크의 메인개구부(OPmr)는 일정한 간격으로 배치될 수 있다.
도 9b를 참조하면, 제2마스크(Mg)는 제2상부마스크(Mg1) 및 제2하부마스크(Mg2)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2상부마스크(Mg1) 및 제2하부마스크(Mg2)는 서로 이격되어 각각 마스크프레임에 고정되는 이격된 마스크스틱일 수 있다. 다른 실시예에서, 제2상부마스크(Mg1) 및 제2하부마스크(Mg2)는 일체로 구비될 수 있다.
제2상부마스크(Mg1)는 제2상부마스크의 제1보조개구부(OPag1)들 및 제2상부마스크의 제2보조개구부(OPag2)들을 포함할 수 있다. 이 때, 제2상부마스크의 제1보조개구부(OPag1)들 및 제2상부마스크의 제2보조개구부(OPag2)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제2하부마스크(Mg2)는 제2하부마스크(Mg2)의 메인개구부(OPmg)를 포함할 수 있다. 제2하부마스크의 메인개구부(OPmg)는 일정한 간격으로 배치될 수 있다. 이 때, 인접한 제2상부마스크(Mg1)의 제1보조개구부(OPag1)들 사이의 간격(OPd1)은 인접한 제2하부마스크의 메인개구부(OPmg)들 사이의 간격(OPd2) 보다 작을 수 있다.
도 9c를 참조하면, 제3마스크(Mb)는 서로 이격된 제3상부마스크(Mb1) 및 제3하부마스크(Mb2)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제3상부마스크(Mb1) 및 제3하부마스크(Mb2)는 서로 이격되어 각각 마스크프레임에 고정되는 이격된 마스크스틱일 수 있다. 다른 실시예에서, 제3상부마스크(Mb1) 및 제3하부마스크(Mb2)는 일체로 구비될 수 있다.
제3상부마스크(Mb1)는 제3상부마스크의 제1보조개구부(OPab1)들 및 제3상부마스크의 제2보조개구부(OPab2)들을 포함할 수 있다. 이 때, 제3상부마스크의 제1보조개구부(OPab1)들 및 제3상부마스크의 제2보조개구부(OPab2)들은 서로 이격되어 배치될 수 있다.
제3하부마스크(Mb2)는 제3하부마스크의 메인개구부(OPmb)를 포함할 수 있다. 제3하부마스크의 메인개구부(OPmb)는 일정한 간격으로 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제1마스크(Mr) 내지 제3마스크(Mb)는 발광층을 증착할 때 사용하는 마스크로 FMM(fine metal mask)일 수 있다. FMM은 금속판에 홀을 형성한 후 인장하는 방식으로 제조될 수 있다.
제1마스크(Mr)의 개구부들(OPar1, OPar2, OPmr)은 적색 발광층을 형성하기 위한 것으로 그 크기는 적색 발광층 보다 작거나 동일할 수 있다. 제2마스크(Mg)의 개구부들(OPag1, OPag2, OPmg)은 녹색 발광층을 형성하기 위한 것으로 그 크기는 녹색 발광층 보다 작거나 동일할 수 있다. 제3마스크(Mb)의 개구부들(OPab1, OPab2, OPmb)은 청색 발광층을 형성하기 위한 것으로 그 크기는 청색 발광층 보다 작거나 동일할 수 있다.
본 실시예에서, 발광층을 형성하기 위해서 제1마스크(Mr) 내지 제3마스크(Mb)를 이용하여 증착할 수 있다. 도 10a는 제1마스크(Mr)를 이용하여 적색 발광층(222R)을 형성하는 방법을 나타내고 있다. 도 10b는 제2마스크(Mg)를 이용하여 녹색 발광층(222G)을 형성하는 방법을 나타내고 있다. 도 10c는 제3마스크(Mb)를 이용하여 청색 발광층(222B)을 형성하는 방법을 나타내고 있다.
도 10a를 참조하면, 기판 상에 화소전극까지 형성한 후, 제1상부마스크(Mr1)가 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응되도록 배치될 수 있다. 또한, 제1하부마스크(Mr2)가 표시영역(DA)에 대응되도록 배치될 수 있다.
그 다음, 증착원(미도시)을 이용하여 적색 발광층(222R)로 형성될 증착 물질을 방출시켜 적색 발광층(222R)을 1차 증착한다. 이 때, 적색 발광층(222R)은 제1마스크(Mr)의 개구부들(OPar1, OPar2, OPmr)의 배치에 따라 일부만 형성된다.
그 다음, 도 10b와 같이, 제2상부마스크(Mg1)가 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응되도록 배치하고, 제2하부마스크(Mg2)가 표시영역(DA)에 대응되도록 배치한 후, 녹색 발광층(222G)을 2차 증착한다. 이 때, 녹색 발광층(222G)은 제2마스크(Mg)의 개구부들(OPag1, OPag2, OPmg)의 배치에 따라 일부만 형성된다.
그 다음, 도 10c와 같이, 제3상부마스크(Mb1)가 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응되도록 배치하고, 제3하부마스크(Mb2)가 표시영역(DA)에 대응되도록 배치한 후, 청색 발광층(222B)을 3차 증착한다. 이 때, 청색 발광층(222B)은 제3마스크(Mb)의 개구부들(OPab1, OPab2, OPmb)의 배치에 따라 일부만 형성된다.
따라서, 인접한 제1컴포넌트영역(CA1)의 부화소들의 중심 사이의 거리가 인접한 표시영역(DA)의 부화소들의 중심 사이의 거리가 상이할 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다. 도 11에 있어서, 도 1a와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 11을 참조하면, 표시 장치(1)는 메인화소그룹(Pgm)을 포함하는 표시영역(DA), 제1화소그룹(Pg1) 및 제1투과부(TA1)가 배치된 제1컴포넌트영역(CA1), 및 제2화소그룹(Pg2) 및 제2투과부(TA2)가 배치된 제2컴포넌트영역(CA2)을 포함할 수 있다. 이 때, 제1투과부(TA1)의 면적 및 제2투과부(TA2)의 면적은 상이할 수 있다.
메인화소그룹(Pgm)은 메인부화소들을 포함할 수 있고, 제1화소그룹(Pg1)은 제1보조부화소들을 포함할 수 있다. 이 때, 인접한 제1보조부화소들의 중심 간의 제1거리는 인접한 상기 메인부화소들의 중심간의 제2거리와 상이할 수 있다.
본 실시예에서, 표시 장치(1)는 기판을 관통하는 관통홀(PH)이 배치되는 개구영역(PA)을 더 포함할 수 있다. 이 때, 개구영역(PA)은 비표시영역(NDA) 내에 배치될 수 있으며, 제1컴포넌트영역(CA1) 또는 제2컴포넌트영역(CA2)과 인접하게 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 개구영역(PA)은 표시영역(DA)의 의해 적어도 일부 둘러싸일 수 있다.
도 11에 있어서, 개구영역(PA)은 제1컴포넌트영역(CA1) 및 제2컴포넌트영역(CA2) 사이에 배치된 것을 도시하였으나, 개구영역(PA), 제1컴포넌트영역(CA1), 및 제2컴포넌트영역(CA2)의 위치 및 개수는 다양하게 변경될 수 있다.
도 12는 도 11의 G-G'선에 따른 단면도이다. 도 12에 있어서, 도 2와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 12를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 요소를 포함하는 표시 패널(10), 제1컴포넌트영역(CA1)에 대응하는 제1컴포넌트(COM1), 및 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응하는 제2컴포넌트(COM2)를 포함할 수 있다. 이 때, 제1컴포넌트영역(CA1)에 대응하는 제1투과홀(TAH1)을 포함할 수 있으며, 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응하는 제2투과홀(TAH2)을 포함할 수 있다. 제1투과홀(TAH1)은 제1투과부(TA1)에 대응하여 절연층(IL)에 그루브로 구비될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 제1투과홀(TAH1)은 화소정의막, 평탄화층, 제2층간절연층에 배치되며 제1층간절연층의 상면을 노출하도록 구비될 수 있다. 제2투과홀(TAH2)은 제2투과부(TA2)에 대응하여 절연층(IL)에 구비될 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 제2투과홀(TAH2)은 화소정의막, 평탄화층, 제2층간절연층, 제1층간절연층, 제2게이트절연층, 및 제1게이트절연층에 배치되며, 버퍼층의 상면을 노출하도록 구비될 수 있다.
본 실시예에서, 표시 장치(1)는 기판(100)을 관통하는 관통홀(PH)이 배치되는 개구영역(PA)을 포함할 수 있다. 이 때, 하부보호필름(175), 기판(100), 표시요소층(200), 박막봉지층(300)은 관통홀(PH)에 대응하여 개구들을 구비할 수 있다.
본 실시예에서, 제3컴포넌트(COM3)는 기판(100) 하부에 관통홀(PH)에 대응하여 배치될 수 있다. 이 때, 개구영역(PA)의 면적은 제3컴포넌트(COM3)가 배치되는 면적에 비해 크게 구비될 수 있다.
본 실시예에서, 제3컴포넌트(COM3)는 제1컴포넌트(COM1)와 상이할 수 있다. 특히, 제3컴포넌트(COM3)는 카메라일 수 있다. 그러나, 일부 실시예에서, 제3컴포넌트(COM3)는 적외선 카메라(IR camera), 도트 프로젝터(dot projector), 적외선 조명기(IR illuminator), 및 비과시간법 센서(ToF sensor) 중 적어도 하나일 수 있다.
본 실시예에서, 하부보호필름(175)은 개구영역(PA)에 대응하는 제3개구(175OP3)를 더 포함할 수 있다. 따라서, 개구영역(PA)의 광투과율을 향상시킬 수 있다.
본 실시예는 투과율이 상이한 제1컴포넌트영역(CA1), 제2컴포넌트영역(CA2)을 포함하며, 특히, 투과율이 높은 개구영역(PA)을 포함할 수 있다. 이에 따라 예를 들어, 필요한 광투과율이 가장 높은 카메라는 개구영역(PA)에 대응하여 배치하고, 필요한 광투과율이 높은 적외선 카메라는 제2컴포넌트영역(CA2)에 대응하여 배치하며, 필요한 광투과율이 낮은 근접 센서 등은 제1컴포넌트영역(CA1)에 대응하여 배치할 수 있다. 따라서, 컴포넌트들의 기능이 저하되지 않는 표시 장치를 구현할 수 있다.
이와 같은 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
d1, d3: 제1거리
d2, d4: 제2거리
COM1, COM2, COM3: 제1컴포넌트, 제2컴포넌트, 제3컴포넌트
CA1, CA2: 제1컴포넌트영역, 제2컴포넌트영역
Pg1, Pg2: 제1화소그룹, 제2화소그룹
Par1, Pag1, Pab1: 제1보조부화소
Par2, Pag2, Pab2: 제2보조부화소
Pmr, Pmg, Pmb: 메인부화소
PA: 개구영역
PH: 관통홀
TA1, TA2: 제1투과부, 제2투과부
TAH1, TAH2: 제1투과홀, 제2투과홀
1: 표시 장치
100: 기판
111: 버퍼층
112: 제1게이트절연층
113: 제2게이트절연층
115: 제1층간절연층
117: 제2층간절연층
119: 평탄화층

Claims (20)

  1. 표시영역,
    제1화소그룹 및 제1투과부가 배치되는 제1컴포넌트영역, 및
    제2화소그룹 및 상기 제1투과부의 면적과 상이한 면적의 제2투과부가 배치되는 제2컴포넌트영역을 포함하는 기판; 및
    상기 표시영역 상에 배치된 메인부화소들 및 상기 제1화소그룹 상에 배치된 제1보조부화소들;을 포함하고,
    인접한 상기 제1보조부화소들의 중심 간의 제1거리는 인접한 상기 메인부화소들의 중심 간의 제2거리와 상이한, 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2투과부의 면적은 상기 제1투과부의 면적 보다 큰, 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1거리는 상기 제2거리 보다 작은, 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1컴포넌트영역 중 상기 제1투과부가 차지하는 비율은 상기 제2컴포넌트영역 중 상기 제2투과부가 차지하는 비율 보다 작은, 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1컴포넌트영역에 대응하여 제1컴포넌트가 배치되고,
    상기 제2컴포넌트영역에 대응하여 상기 제1컴포넌트와 상이한 제2컴포넌트가 배치되는, 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1컴포넌트 및 상기 제2컴포넌트는 상기 기판의 하부에 배치된, 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1컴포넌트는 근접 센서(proximity sensor) 및 조도 센서(ambient light sensor) 중 적어도 하나인, 표시 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제2컴포넌트는 카메라, 적외선 카메라(IR camera), 도트 프로젝터(dot projector), 적외선 조명기(IR illuminator), 및 비과시간법 센서(ToF sensor) 중 적어도 하나인, 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 상기 기판을 관통하는 관통홀이 배치되는 개구영역을 더 포함하는, 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 기판 하부에 상기 관통홀에 대응하여 제3컴포넌트를 더 포함하는, 표시 장치.
  11. 표시영역, 제1투과부가 배치되는 제1컴포넌트영역, 상기 제1투과부의 면적과 상이한 면적을 포함하는 제2투과부가 배치되는 제2컴포넌트영역을 포함하는 기판;
    상기 제1컴포넌트영역에 대응하여 배치된 제1컴포넌트;
    상기 제2컴포넌트영역에 대응하여 상기 제1컴포넌트와 상이한 제2컴포넌트; 및
    상기 기판 상에 배치된 복수의 부화소들;을 포함하는, 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1컴포넌트 및 상기 제2컴포넌트는 상기 기판의 하부에 배치된, 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1컴포넌트는 근접 센서(proximity sensor) 및 조도 센서(ambient light sensor) 중 적어도 하나인, 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2컴포넌트는 카메라, 적외선 카메라(IR camera), 도트 프로젝터(dot projector), 적외선 조명기(IR illuminator), 및 비과시간법 센서(ToF sensor) 중 적어도 하나인, 표시 장치.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제2투과부의 면적은 상기 제1투과부의 면적보다 큰, 표시 장치.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 부화소들은,
    상기 제1컴포넌트영역에 배치된 제1보조부화소들 및 상기 표시영역에 배치된 메인부화소들을 포함하고,
    인접한 상기 제1보조부화소들의 중심 간의 제1거리는 인접한 상기 메인부화소들의 중심 간의 제2거리와 상이한, 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1거리는 상기 제2거리 보다 작은, 표시 장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 기판은 상기 기판을 관통하는 관통홀이 배치되는 개구영역을 더 포함하는, 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 기판 하부에 상기 관통홀에 대응하여 상기 제1컴포넌트와 상이한 제3컴포넌트를 더 포함하는, 표시 장치.
  20. 제11항에 있어서,
    상기 기판 및 상기 복수의 부화소들 사이에 적어도 하나의 게이트절연층 및 적어도 하나의 평탄화층;이 배치되고,
    상기 제1투과부에 대응하여 상기 적어도 하나의 평탄화층에 제1투과홀을 구비하고,
    상기 제2투과부에 대응하여 상기 적어도 하나의 게이트절연층 및 상기 적어도 하나의 평탄화층에 제2투과홀을 구비한, 표시 장치.
KR1020200009395A 2020-01-23 2020-01-23 표시 장치 KR20210095771A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200009395A KR20210095771A (ko) 2020-01-23 2020-01-23 표시 장치
US17/077,671 US11552138B2 (en) 2020-01-23 2020-10-22 Display device including component areas with corresponding transmission areas
CN202110087567.7A CN113161392A (zh) 2020-01-23 2021-01-22 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200009395A KR20210095771A (ko) 2020-01-23 2020-01-23 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210095771A true KR20210095771A (ko) 2021-08-03

Family

ID=76878994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200009395A KR20210095771A (ko) 2020-01-23 2020-01-23 표시 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11552138B2 (ko)
KR (1) KR20210095771A (ko)
CN (1) CN113161392A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230116914A (ko) 2020-12-07 2023-08-04 오티아이 루미오닉스 인크. 핵 생성 억제 코팅 및 하부 금속 코팅을 사용한 전도성 증착 층의 패턴화
US11721001B2 (en) 2021-02-16 2023-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Multiple point spread function based image reconstruction for a camera behind a display
US11722796B2 (en) 2021-02-26 2023-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Self-regularizing inverse filter for image deblurring
KR20230036485A (ko) * 2021-09-07 2023-03-14 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 동작 방법
KR20230072180A (ko) 2021-11-17 2023-05-24 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 패널
WO2023230873A1 (zh) * 2022-05-31 2023-12-07 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150019145A (ko) * 2013-08-12 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102536628B1 (ko) * 2015-08-24 2023-05-26 엘지디스플레이 주식회사 투명표시장치
KR102435391B1 (ko) * 2015-09-25 2022-08-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102515963B1 (ko) * 2016-03-04 2023-03-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20170113066A (ko) 2016-03-24 2017-10-12 삼성전자주식회사 디스플레이를 가진 전자 장치 및 그의 이미지 표시 방법
KR102519420B1 (ko) * 2016-05-16 2023-04-10 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102561709B1 (ko) * 2016-07-25 2023-07-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102670056B1 (ko) * 2016-11-18 2024-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2019062221A1 (zh) 2017-09-30 2019-04-04 云谷（固安）科技有限公司 显示屏及显示装置
CN108269840B (zh) 2017-09-30 2021-08-13 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
KR20190066795A (ko) 2017-12-06 2019-06-14 삼성전자주식회사 디스플레이와 초음파 센서 사이에 디스플레이에서 발생된 노이즈를 차단하기 위한 도전성 부재가 배치된 전자 장치
KR102413113B1 (ko) 2018-01-08 2022-06-27 삼성전자주식회사 디스플레이에 형성된 개구를 통해 입사된 빛을 이용하여, 이미지 데이터를 생성하기 위한 센서를 포함하는 전자 장치
KR102516058B1 (ko) * 2018-08-17 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200037029A (ko) * 2018-09-28 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20200066505A (ko) * 2018-11-30 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR102651733B1 (ko) * 2018-12-20 2024-03-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200090299A (ko) * 2019-01-18 2020-07-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20200115888A (ko) * 2019-03-28 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109962092B (zh) 2019-03-29 2021-09-24 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11552138B2 (en) 2023-01-10
CN113161392A (zh) 2021-07-23
US20210233976A1 (en) 2021-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210095771A (ko) 표시 장치
US11849605B2 (en) Display device having pixel-defining layers
KR20210002283A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20210074447A (ko) 표시 장치
US11974481B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20210124596A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20210138211A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
US11749615B2 (en) Display device including alignment pattern
EP3955308A2 (en) Display panel and display apparatus including the same
KR20210094189A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치
CN113066823A (zh) 显示装置
KR20220019888A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN113809129A (zh) 显示设备
KR20210106616A (ko) 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US11800770B2 (en) Display device
CN113764471A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置
KR20210102559A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
CN116828901A (zh) 显示面板及电子设备以及显示面板的制造方法
KR20230054552A (ko) 마스크 조립체, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220036403A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220031795A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20220021082A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
CN217922277U (zh) 制造显示装置的装置
KR20220092732A (ko) 디스플레이 장치
KR20220045602A (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination