CN217922277U - 制造显示装置的装置 - Google Patents

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金相勳
文在晳
朴钟圣
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Abstract

本申请涉及用于制造显示装置的装置。用于制造显示装置的装置包括：掩模组件；以及第一磁体和第二磁体，掩模组件包括：掩模框架；以及掩模片，设置在掩模框架上，掩模片包括：第一主体部分，包括第一开口；以及第二主体部分，连接到第一主体部分并且包括第二开口，并且第二主体部分与第一磁体和第二磁体中的每一个的至少一部分重叠。

Description

制造显示装置的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年4月21日在韩国知识产权局提交的第 10-2021-0051828号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及制造显示装置的装置。
背景技术
移动电子装置被广泛使用。除了诸如移动电话的小型化电子装置之外，作为移动电子装置的平板个人计算机(PC)近来已经被广泛使用。
为了支持各种功能，移动电子装置包括向用户提供诸如图像的可视信息的显示装置。近来，因为驱动显示装置的部件被小型化，所以电子装置中的显示装置的比例逐渐增加，并且还正在研发可从平坦状态弯曲成一定角度的结构。
应当理解，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分还可以包括在本文中所公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域的技术人员已知或理解的部分的思想、构思或认识。
实用新型内容
通常，为了在制造显示装置的同时沉积精确的图案，例如，可以通过使用磁体将显示衬底紧密附接到包括掩模片的掩模组件。由于在掩模片内存在有效体积差，可以由于磁力而产生排斥力，并且可以由于排斥力而降低沉积精度。
因此，一个或多个实施方式包括具有改善的制造装置的沉积精度的掩模组件以及制造显示装置的装置。然而，这种技术问题是示例，并且本公开不限于此。
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实施本公开来习得。
根据一个或多个实施方式，用于制造显示装置的装置可以包括：掩模组件；以及第一磁体和第二磁体，其中掩模组件可以包括：掩模框架；以及掩模片，设置在掩模框架上，掩模片可以包括：第一主体部分，包括第一开口；以及第二主体部分，连接到第一主体部分并且包括第二开口，并且第二主体部分与第一磁体和第二磁体中的每一个的至少一部分重叠。
第一磁体可以在掩模片的长度方向上与第二磁体间隔开。
掩模组件可以包括在与掩模片的长度方向相交的方向上延伸并且支承掩模片的支承框架。
在平面图中，第二主体部分可以与支承框架的至少一部分重叠。
平面图中，第一开口的面积可以与第二开口的面积不同。
第一主体部分的上表面的每单位面积的第一主体部分的第一开口的数量可以大于第二主体部分的上表面的每单位面积的第二主体部分的第二开口的数量。
掩模片可以包括连接到第一主体部分并且包括第三开口的第三主体部分。
第三主体部分可以不与支承框架重叠。
第三主体部分的上表面的每单位面积的第三主体部分的第三开口的数量可以等于第二主体部分的上表面的每单位面积的第二主体部分的第二开口的数量。
第二主体部分可以在掩模片的长度方向上具有第一宽度，并且第三主体部分可以在掩模片的长度方向上具有小于第二主体部分的第一宽度的第二宽度。
根据实施方式的以下描述和附图，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解。
附图说明
从以下结合附图的描述中，本公开的实施方式的以上和其它方面、特征和优点将变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施方式的显示装置的示意性立体图；
图2是沿着图1的线I-I'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图3是根据实施方式的布置或设置在显示装置的第一显示区域和第二显示区域中的子像素和透射区域的配置的示意性平面图；
图4是沿着图3的线II-II'和线III-III'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图5是根据实施方式的用于制造显示装置的装置的示意性剖视图；
图6是图5中所示的掩模组件的示意性立体图；
图7是图6中所示的掩模片的示意性平面图；
图8是与图7的区域A对应的根据实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的一部分的放大图；
图9是与图7的区域B对应的根据实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的一部分的放大图；
图10是与图7的区域C对应的根据实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的一部分的放大图；以及
图11是根据实施方式的用于制造显示装置的装置的示意性平面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，附图中示出了实施方式的示例，其中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在这一点上，实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方式，以解释说明书的方面。
在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，术语“和/ 或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B或A和B”。术语“和”和“或”可以以结合或分离的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b 两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
由于本公开允许各种变化和多个实施方式，因此将在附图中示出并在书面描述中描述实施方式。将参考在下面参照附图详细描述的实施方式来阐明本公开的效果和特征。然而，本公开不限于以下实施方式，并且可以以各种形式来实现。
应当理解，尽管术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语所限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
如本文中所使用的，单数形式“一(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
应当理解，如本文中所使用的，术语“包括(comprise)”、“包括 (comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(inlcuding)”及其变化指定所述特征或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征或组件的添加。
将进一步理解，当层、区域或组件被称为在另一层、区域或组件“上”时，其可直接或间接地在另一层、区域或组件上。例如，可以存在居间层、区域或组件。
应当理解，在说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”另一元件时，它可以直接设置在上述另一元件上、直接连接到或直接联接到上述另一元件，或者可以在它们之间设置居间元件。
应当理解，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理连接或电连接或者物理联接或电联接。
为了便于描述，可以在本文中使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。应当理解，除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括设备在使用或操作中的不同定向。例如，在附图中所示的设备被翻转的情况下，位于另一设备“下方”或“下面”的设备可以放置在另一设备“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下位置和上位置两者。设备还可以在其它方向上定向，并且因此空间相对术语可以根据定向而被不同地解释。
术语“重叠(overlap)”或“重叠(overlapped)”意味着第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，且反之亦然。另外，术语“重叠(overlap)”可以包括分层、堆叠、面对(face)或面对(facing)、在…之上延伸、覆盖或部分覆盖或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的术语。
当元件被描述为“不重叠(not overlapping)”或“不重叠(to not overlap)”另一元件时，这可包括元件彼此间隔开、彼此偏移或彼此分开或者如将由本领域普通技术人员领会和理解的任何其它合适的术语。
术语“面对(face)”和“面对(facing)”意味着第一元件可以与第二元件直接相对或间接相对。在第三元件插入在第一元件和第二元件之间的情况下，第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对，但是仍然彼此面对。
为了便于解释，可以放大或缩小附图中的元件的尺寸。例如，由于可以为了便于解释而任意地示出附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
在说明书中，“A和/或B”是指A或B、或者A和B。在说明书和权利要求中，出于其含义和解释的目的，“…中的至少一个”旨在包括“从由…的群组中选择的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为是指“A、B或A和B”。
如本文中所使用的，当布线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，这意味着布线不仅在第一方向或第二方向上以直线形状延伸，而且还在第一方向或第二方向上以锯齿形或曲线延伸。
如本文中所使用的，“在平面图中”意味着从上方观察对象部分，并且“在剖视图中”意味着从横向侧观察对象部分的被竖直切割的截面。如本文中所使用的，“重叠”还可以包括“在平面图中”重叠和“在剖视图中”重叠。
如本文中所使用的，“约”或“近似”包括所述值以及如由本领域普通技术人员在考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差 (即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可表示在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应理解的是，术语，诸如在常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地如此定义，否则将不以理想化或过于形式化的含义进行解释。
在下文中，将参考附图详细描述实施方式。当参考附图进行描述时，相同的附图标记用于相同或相应的元件。
图1是根据实施方式的显示装置1的示意性立体图。
显示装置1可以包括用于显示运动图像或静止图像的装置，并且可以用作各种产品的显示屏，产品包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌、物联网(IOT)以及便携式电子装置，便携式电子装置包括移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子记事簿、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超移动个人计算机(UMPC)。显示装置1可以用于可穿戴装置中，可穿戴装置包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)。显示装置1可以用作汽车的仪表盘、汽车的中央仪表板或者布置或设置在仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧镜的车内镜显示器以及布置或设置在前座椅的背面上作为汽车的后座椅的娱乐的显示器。为了便于描述，图1示出了显示装置1用作智能电话。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和在显示区域DA 外部或附近的非显示区域NDA。显示装置1可以通过二维布置或设置在显示区域DA中的像素阵列来显示图像。
非显示区域NDA是不显示图像的区域，并且可以完全围绕或者可以邻近显示区域DA。例如，驱动器可以布置或设置在非显示区域 NDA中以向布置或设置在显示区域DA中的显示元件提供电信号或电力。焊盘可以布置或设置在非显示区域NDA中，焊盘是电子元件或印刷电路板可以电连接到的组件。
显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。主子像素Pm可以布置或设置在第一显示区域DA1中，并且辅助子像素Pa可以布置或设置在第二显示区域DA2中。显示装置1可以通过使用从布置或设置在第一显示区域DA1中的主子像素Pm发射的光来显示图像，并且通过使用从布置或设置在第二显示区域DA2中的辅助子像素Pa发射的光来显示辅助图像。
如下面参考图2所描述的，第二显示区域DA2可以是这样的区域，在该区域中可以布置或设置有诸如例如使用红外线、可见光或声音的传感器的组件20(参见图2)。第二显示区域DA2可以包括透射区域 TA，从组件20输出到外部的光和/或声音或者从外部朝向组件20行进的光和/或声音可以穿过透射区域TA。在实施方式中，在光穿过第二显示区域DA2的情况下，透光率可以是约30％或更多，例如约50％或更多、约75％或更多、约80％或更多、约85％或更多或者约90％或更多。
由第二显示区域DA2显示的图像的分辨率可以小于由第一显示区域DA1显示的图像的分辨率。例如，因为第二显示区域DA2可以包括光和/或声音可以穿过的透射区域TA，所以第二显示区域DA2的每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于第一显示区域DA1的每单位面积的主子像素Pm的数量。
在实施方式中，第二显示区域DA2可以布置或设置在第一显示区域DA1的一侧上。图1中示出了第二显示区域DA2布置或设置在第一显示区域DA1的上部中央上，使得第二显示区域DA2被第一显示区域DA1部分地围绕。然而，实施方式不限于此。第二显示区域DA2 可以布置或设置在第一显示区域DA1的左侧上，使得第二显示区域 DA2布置或设置在非显示区域NDA和第一显示区域DA1之间。
在下文中，尽管有机发光显示装置被描述为根据实施方式的显示装置1的示例，但是实施方式不限于此。在实施方式中，可以使用各种显示装置，诸如无机发光显示装置和量子点发光显示装置。
图2是沿着图1的线I-I'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10和组件20，显示面板 10包括显示元件，并且组件20与显示面板10重叠。组件20可以布置或设置在显示面板10下方，并且布置或设置在第二显示区域DA2 中。
显示面板10可以包括衬底100、薄膜晶体管TFT和TFT'、显示元件(例如，有机发光二极管OLED和OLED')以及封装层300，薄膜晶体管TFT和TFT'布置或设置在衬底100上，显示元件电连接到薄膜晶体管TFT和TFT'，并且封装层300覆盖或重叠显示元件。显示面板10还可以包括布置或设置在衬底100之下或下方的下部保护膜PB。
衬底100可以包括玻璃或聚合物树脂。包括聚合物树脂的衬底100 可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。衬底100可以具有多层结构，多层结构包括含有聚合物树脂的层和无机层(未示出)。
薄膜晶体管(例如，主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT') 以及有机发光二极管(例如，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED')可以布置或设置在衬底100之上，主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'分别是显示元件并且电连接到主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'。主有机发光二极管OLED 和辅助有机发光二极管OLED'可以各自发射红光、绿光或蓝光。
主子像素Pm可以布置或设置在第一显示区域DA1中，主子像素 Pm包括主薄膜晶体管TFT和连接到主薄膜晶体管TFT的主有机发光二极管OLED。辅助子像素Pa可以布置或设置在第二显示区域DA2 中，辅助子像素Pa包括辅助薄膜晶体管TFT'和连接到辅助薄膜晶体管TFT'的辅助有机发光二极管OLED'。
透射区域TA可以布置或设置在第二显示区域DA2中。透射区域 TA可以是从组件20发射的光和/或朝向组件20行进的光可以穿过的区域。在显示面板10中，透射区域TA的透射率可以是约30％或更大、约40％或更大、约50％或更大、约60％或更大、约70％或更大、约75％或更大、约80％或更大、约85％或更大或者约90％或更大。
组件20可以包括诸如接近传感器、照度传感器、虹膜传感器、面部识别传感器以及相机(或图像传感器)的传感器。组件20可以使用光。作为示例，组件20可以发射和/或接收红外波段的光、紫外波段的光和可见光波段的光。使用红外线的接近传感器可以检测布置或设置成靠近显示装置1的上表面的对象。照度传感器可以检测入射到显示装置1的上表面的光的亮度。虹膜传感器可以拍摄在显示装置1的上表面之上的人的虹膜，并且相机可以接收来自显示装置1的上表面之上的对象的光。
在实施方式中，缓冲层111和绝缘层IL可以布置或设置在衬底 100与主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'之间。绝缘层IL可以包括无机绝缘层和/或有机绝缘层。
为了防止布置或设置在第二显示区域DA2中的辅助薄膜晶体管 TFT'的功能由于穿过透射区域TA的光而劣化，底部电极层BSM可以布置或设置在衬底100和缓冲层111之间。底部电极层BSM可以布置或设置成与辅助薄膜晶体管TFT'的下部部分对应。例如，底部电极层 BSM可以阻挡到达包括辅助薄膜晶体管TFT'的辅助子像素Pa的外部光。作为示例，底部电极层BSM可以阻挡到达辅助子像素Pa的、从组件20发射的光。在实施方式中，恒定电压或信号可以施加到底部电极层BSM，并且可以防止由于静电放电而对像素电路造成损坏。
底部电极层BSM可以布置或设置在第二显示区域DA2中，并且可以包括与透射区域TA重叠的开口。因此，底部电极层BSM可以不布置或设置在透射区域TA中。底部电极层BSM可以不布置或设置在第一显示区域DA1中。
封装层300可以覆盖或重叠主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'。封装层300可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在实施方式中，封装层300可以包括第一无机层310、第二无机层330和在它们之间的有机层320。
第一无机层310和第二无机层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机绝缘材料。有机层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
下部保护膜PB可以附接到衬底100的下表面以支承和保护衬底 100。下部保护膜PB可包括对应于第二显示区域DA2的开口PB-OP。因为下部保护膜PB可以包括开口PB-OP，所以可以改善第二显示区域DA2的透光率。下部保护膜PB可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
第二显示区域DA2的面积可以大于其中可以布置或设置组件20 的区域的面积。因此，下部保护膜PB的开口PB-OP的面积可以与第二显示区域DA2的面积不一致。例如，开口PB-OP的面积可以小于第二显示区域DA2的面积。
组件20可以布置或设置在第二显示区域DA2中。组件20可以执行不同的功能。作为示例，组件20中的一个可以是相机，并且另一个可以是红外传感器。
尽管未示出，但是还可以在显示面板10上布置或设置诸如输入感测构件、抗反射构件或滤色器和黑矩阵以及透明窗的元件，作为示例，输入感测构件感测触摸输入，抗反射构件包括偏振器和延迟器。
尽管在图2中示出封装层300用作密封主有机发光二极管OLED 和辅助有机发光二极管OLED'的封装构件，但实施方式不限于此。作为示例，作为密封主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管 OLED'的封装构件，可以使用可以通过密封剂或玻璃料附接到衬底100 的密封衬底。
图3是根据实施方式的布置或设置在显示装置1的第一显示区域 DA1和第二显示区域DA2中的子像素和透射区域TA的配置的示意性平面图。
参照图3，主子像素(例如，第一主子像素Pm1、第二主子像素Pm2和第三主子像素Pm3)可以布置或设置在根据实施方式的显示装置1的第一显示区域DA1中。包括辅助子像素(例如，第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3)的像素组Pg和透射区域TA可以布置或设置在第二显示区域DA2中。
在实施方式中，布置或设置在第一显示区域DA1中的主子像素 (例如，第一主子像素Pm1、第二主子像素Pm2和第三主子像素Pm3) 可以布置或设置成与布置或设置在第二显示区域DA2中的辅助子像素(例如，第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3)的结构不同的结构。在本说明书中，基于每个子像素的发射区域来描述像素的配置结构。子像素的发射区域可以由下面描述的像素限定层的开口限定。
如图3中所示，布置或设置在第一显示区域DA1中的主子像素(例如，第一主子像素Pm1、第二主子像素Pm2和第三主子像素Pm3)可以布置或设置成PENTILETM结构。第一主子像素Pm1、第二主子像素 Pm2和第三主子像素Pm3可以实现不同的颜色。作为示例，第一主子像素Pm1、第二主子像素Pm2和第三主子像素Pm3可以分别实现红色、绿色和蓝色。
第一主子像素Pm1和第三主子像素Pm3可以交替地布置或设置在第一行1N上，第二主子像素Pm2可以在与第一行1N相邻的第二行2N上彼此隔开预定间隔，第三主子像素Pm3和第一主子像素Pm1 可以交替地布置或设置在与第二行2N相邻的第三行3N上，并且第二主子像素Pm2可以在与第三行3N相邻的第四行4N上彼此隔开。像素的这种配置重复直到第N行。第三主子像素Pm3和第一主子像素 Pm1的尺寸可以大于第二主子像素Pm2的尺寸。
布置或设置在第一行1N上的第一主子像素Pm1和第三主子像素 Pm3可以与布置或设置在第二行2N上的第二主子像素Pm2交替地布置或设置。因此，第一主子像素Pm1和第三主子像素Pm3可以交替地布置或设置在第一列1M上，第二主子像素Pm2可以在与第一列1M相邻的第二列2M上彼此隔开预定间隔，第三主子像素Pm3和第一主子像素Pm1可以交替地布置或设置在与第二列2M相邻的第三列3M 上，并且第二主子像素Pm2可以在与第三列3M相邻的第四列4M上彼此隔开。像素的这种配置重复直到第M列。
这种像素配置结构可以这样的表示，其中：第一主子像素Pm1分别布置或设置在虚拟四边形VS的顶点中的第一顶点和第三顶点上，且第二主子像素Pm2居中在四边形的中心处，并且第三主子像素Pm3 分别布置或设置在作为剩余顶点的第二顶点和第四顶点上。虚拟四边形VS的形状可以被各种修改，诸如矩形、菱形和正方形。
像素配置结构被称为PENTILETM矩阵结构。通过应用其中通过共享像素的相邻像素的颜色来表现像素的颜色的渲染操作，可以经由少量像素来获得高分辨率。
布置或设置在第二显示区域DA2中的辅助子像素(例如，第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3)可以布置或设置成与主子像素(例如，第一主子像素Pm1、第二主子像素Pm2 和第三主子像素Pm3)的结构和形状不同的结构和形状。第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3可以分别实现不同的颜色。作为示例，第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2 和第三辅助子像素Pa3可以分别实现红色、绿色和蓝色。
第一辅助子像素Pa1和第三辅助子像素Pa3可以在第一列1l上依次布置或设置在一条线上，第二辅助子像素Pa2可以在与第一列1l相邻的第二列2l上依次布置或设置在一条线上，并且第三辅助子像素 Pa3和第一辅助子像素Pa1可以在与第二列2l相邻的第三列3l上依次布置或设置在一条线上。第一列1l中的第一辅助子像素Pa1可以与第三列3l中的第三辅助子像素Pa3相对。
第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3 可以构成像素组Pg。尽管在图3中示出一个像素组Pg可以包括八个辅助子像素(例如，第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3)，但是实施方式不限于此，并且辅助子像素(例如，第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3)的数量可以不同地改变。
透射区域TA是其中没有布置或设置显示元件的区域，并且因此具有高透光率。透射区域TA可以提供或设置在第二显示区域DA2中。透射区域TA可以在X方向和Y方向上与像素组Pg交替地布置或设置。作为示例，透射区域TA可以围绕像素组Pg。
其中可以限定有像素组Pg和透射区域TA的基本单元U的配置可以在第二显示区域DA2中重复地布置或设置在X方向和Y方向上。
在图3中，基本单元U可以具有将一个像素组Pg和其周围的透射区域TA约束为大致四边形形状的形状。基本单元U限定重复的形状，并不意味着配置的断开。作为示例，包括在一个基本单元U中的透射区域TA可以与包括在可以与该一个基本单元U相邻的基本单元 U中的另一透射区域TA形成为一体。
在实施方式中，在基本单元U中，像素组Pg的面积可以小于透射区域TA的面积。例如，像素组Pg的面积可以是透射区域TA的面积的约1/3。换句话说，像素组Pg的面积可以是基本单元U的面积的约1/4，并且透射区域TA的面积可以是基本单元U的面积的约3/4。
相应单元U'可以设置在第一显示区域DA1中，相应单元U'具有与基本单元U的面积相同的面积。主子像素(例如，第一主子像素Pm1、第二主子像素Pm2和第三主子像素Pm3)的数量可以大于包括在基本单元U中的辅助子像素(例如，第一辅助子像素Pa1、第二辅助子像素Pa2和第三辅助子像素Pa3)的数量。
图4是沿着图3的线II-II'和线III-III'截取的根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
参照图4，第三主子像素Pm3可以布置或设置在第一显示区域 DA1中，并且第三辅助子像素Pa3和透射区域TA可以布置或设置在第二显示区域DA2中。第三主子像素Pm3和第三辅助子像素Pa3可以是实现相同颜色的子像素。作为示例，第三主子像素Pm3和第三辅助子像素Pa3可以实现蓝色。
主子像素Pm可以包括主薄膜晶体管TFT、主存储电容器Cst和主有机发光二极管OLED。辅助子像素Pa可以包括辅助薄膜晶体管 TFT'、辅助存储电容器Cst'和辅助有机发光二极管OLED'。透射区域 TA可以包括开口区域TAH。
组件20可以布置或设置在第二显示区域DA2中。组件20可以是捕获图像的相机或者发射或接收红外线的红外(IR)传感器。
因为透射区域TA设置在第二显示区域DA2中，所以从组件20 发射或入射到组件20的光可以穿过第二显示区域DA2。作为示例，从组件20发射的光可以在+Z方向上前进通过透射区域TA，并且从显示装置1的外部产生并且入射到组件20的光可以在(-)Z方向上前进通过透射区域TA。在实施方式中，组件20可以包括图像传感器，其中一个图像传感器可以对应于一个透射区域TA。
在下文中，描述其中根据实施方式的显示装置1的元件可以彼此堆叠的结构。
衬底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的衬底100是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。衬底100可以具有多层结构，多层结构包括含有聚合物树脂的层和无机层(未示出)。
缓冲层111可以布置或设置在衬底100上，以减少或阻止杂质、湿气或外部空气从衬底100下方的渗透，并且可以在衬底100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括无机材料(包括氧化物或氮化物)、有机材料或有机和无机复合材料，并且具有无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。阻挡层(未示出)可以进一步设置在衬底100和缓冲层111之间，阻挡层阻挡外部空气的渗透。在实施方式中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。缓冲层111可以包括可以彼此堆叠的第一缓冲层111a和第二缓冲层111b。
底部电极层BSM可以在第二显示区域DA2中布置或设置在第一缓冲层111a和第二缓冲层111b之间。在实施方式中，底部电极层BSM 可以布置或设置在衬底100和第一缓冲层111a之间。底部电极层BSM 可以布置或设置在辅助薄膜晶体管TFT'下方，以防止辅助薄膜晶体管 TFT'的特性由于从组件20发射的光而劣化。
底部电极层BSM可以通过接触孔连接到布线GCL，布线GCL布置或设置在与其上可以布置或设置底部电极层BSM的层不同的层上，并且底部电极层BSM可以从布线GCL接收恒定电压或信号。作为示例，底部电极层BSM可以接收驱动电压或扫描信号。因为底部电极层BSM接收恒定电压或信号，所以可以显著降低发生静电放电的可能性。底部电极层BSM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部电极层 BSM可以具有单层结构或多层结构。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以布置或设置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT可以包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1。辅助薄膜晶体管TFT'可以包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可以连接到第一显示区域DA1的主有机发光二极管OLED以驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管 TFT'可以连接到第二显示区域DA2的辅助有机发光二极管OLED'以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可以布置或设置在缓冲层 111上，并且可以包括多晶硅。在实施方式中，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括非晶硅。作为示例，第一半导体层A1和第二半导体层A2可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可以各自包括沟道区域、源区域和漏区域，源区域和漏区域掺杂有杂质。
辅助薄膜晶体管TFT'的第二半导体层A2可以与底部电极层BSM 重叠，且第二缓冲层111b位于底部电极层BSM与第二半导体层A2 之间。在实施方式中，第二半导体层A2的宽度可以小于底部电极层 BSM的宽度，并且因此，当在垂直于衬底100的方向上投影时，第二半导体层A2可以与底部电极层BSM完全重叠。
第一栅极绝缘层112可以覆盖或重叠第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一栅极绝缘层112可包括无机绝缘材料，无机绝缘材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以包括一氧化锌(ZnO)和/或二氧化锌(ZnO2)。第一栅极绝缘层112可以包括具有无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可以布置或设置在第一栅极绝缘层112上，以与第一半导体层A1和第二半导体层A2重叠。第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛 (Ti)中的至少一种，并且具有包括上述材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，第一栅电极G1和第二栅电极G2可以包括单个Mo层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖或重叠第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二栅极绝缘层113可包括无机绝缘材料，无机绝缘材料包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。第二栅极绝缘层113可以包括具有无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一上部电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上部电极CE2'可以布置或设置在第二栅极绝缘层113上。
在第一显示区域DA1中，第一上部电极CE2可以与其下方的第一栅电极G1重叠。彼此重叠的第一栅电极G1和第一上部电极CE2 与其之间的第二栅极绝缘层113可以构成主存储电容器Cst。例如，第一栅电极G1可以用作主存储电容器Cst的第一下部电极CE1。然而，实施方式不限于此。第一下部电极CE1可以设置为与第一栅电极G1 分开的单独元件。
在第二显示区域DA2中，第二上部电极CE2'可以与其下方的第二栅电极G2重叠。彼此重叠的第二栅电极G2和第二上部电极CE2' 与其之间的第二栅极绝缘层113可以构成辅助存储电容器Cst'。例如，第二栅电极G2可以用作辅助存储电容器Cst'的第二下部电极CE1'。然而，实施方式不限于此。第二下部电极CE1'可以设置为与第二栅电极G2分开的单独元件。
第一上部电极CE2和第二上部电极CE2'可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)并且包括含有上述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以覆盖或重叠第一上部电极CE2和第二上部电极CE2'。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnOx)。氧化锌(ZnOx)可以包括一氧化锌(ZnO)和/或二氧化锌(ZnO2)。
假设第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115 统称为无机绝缘层IL，其中无机绝缘层IL可以彼此堆叠的结构可以具有相对于红外波长的约90％或更高的透射率。作为示例，穿过衬底 100和无机绝缘层IL的、在约900nm至约1100nm的范围内的波长带中的光可以具有约90％的透射率。
源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)以及漏电极(例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)可以布置或设置在层间绝缘层 115上。源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)以及漏电极 (例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)可以包括导电材料(包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti))，并且包括含有上述材料的单层或多层。在实施方式中，源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)以及漏电极(例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层117可以覆盖或重叠源电极(例如，第一源电极S1和第二源电极S2)以及漏电极(例如，第一漏电极D1和第二漏电极D2)。平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得其上的主像素电极221和辅助像素电极221'形成为平坦的。
平坦化层117可以包括含有有机材料的单层或多层。平坦化层117 可以包括通用聚合物(诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其共混物。
平坦化层117可以包括暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1 和第一漏电极D1中的一个的通孔。主像素电极221可通过通孔接触第一源电极S1或第一漏电极D1而电连接到主薄膜晶体管TFT。
平坦化层117可以包括暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2 和第二漏电极D2中的一个的通孔。辅助像素电极221'可以通过通孔接触第二源电极S2或第二漏电极D2而电连接到辅助薄膜晶体管 TFT'。
主像素电极221和辅助像素电极221'可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在实施方式中，主像素电极221 和辅助像素电极221'可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。作为示例，主像素电极221和辅助像素电极221' 还可以包括在反射层上或者在反射层之下或下方的层，该层包括ITO、 IZO、ZnO或In2O3。作为示例，主像素电极221和辅助像素电极221' 可以具有可以彼此堆叠的ITO/Ag/ITO结构。
像素限定层119可以覆盖或重叠主像素电极221和辅助像素电极 221'中的每一个的边缘。像素限定层119可以包括分别与主像素电极 221和辅助像素电极221'重叠并且限定子像素的发射区域的第一开口 OP1和第二开口OP2。例如，通过增加主像素电极221和辅助像素电极221'的边缘与主像素电极221和辅助像素电极221'之上的相对电极 223之间的距离，像素限定层119可以防止在主像素电极221和辅助像素电极221'的边缘处出现电弧。像素限定层119可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和酚醛树脂，并且可以通过旋涂形成。
平坦化层117和像素限定层119可以具有相对于具有红外波长的光的约90％或更高的透射率。作为示例，穿过平坦化层117和像素限定层119的、在约900nm至约1100nm的范围内的波长带中的光可以具有约90％的透射率。
主中间层(未示出)和辅助中间层(未示出)可以布置或设置在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2中，主中间层和辅助中间层分别对应于主像素电极221和辅助像素电极221'。主中间层可以包括主发射层222b，并且辅助中间层可以包括辅助发射层222b'。主发射层222b和辅助发射层222b'可以包括聚合物材料或低分子量材料并且发射红光、绿光、蓝光或白光。
主中间层和/或辅助中间层可以包括在主发射层222b和辅助发射层222b'上和/或在主发射层222b和辅助发射层222b'之下或下方的有机功能层222e。有机功能层222e可以包括第一功能层222a和/或第二功能层222c。可以省略第一功能层222a和/或第二功能层222c。
第一功能层222a可以布置或设置在主发射层222b和辅助发射层 222b'之下或下方。在实施方式中，类似于主发射层222b和辅助发射层222b'，第一功能层222a可以被图案化成对应于第一开口OP1和第二开口OP2，并且布置或设置在第一开口OP1和第二开口OP2中。作为示例，第一功能层222a可以布置或设置成完全覆盖或重叠第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。作为示例，第一功能层222a可以被图案化成对应于第一开口OP1和第二开口OP2，布置或设置在第一开口OP1和第二开口OP2中，并且可以不布置或设置在透射区域TA中。作为示例，第一功能层222a可以布置或设置成完全遮挡第一显示区域 DA1并且遮挡除了透射区域TA之外的第二显示区域DA2。在下文中，为了便于描述，详细描述了第一功能层222a布置或设置成完全覆盖或重叠第一显示区域DA1并且覆盖或重叠除了透射区域TA之外的第二显示区域DA2的情况。
第一功能层222a可以包括含有有机材料的单层或多层。第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。作为示例，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层222a 可以形成为一个主体，以对应于分别布置或设置在第一显示区域DA1 和第二显示区域DA2中的主子像素Pm和辅助子像素Pa。因此，第一功能层222a可以具有对应于透射区域TA的开口。
第二功能层222c可以布置或设置在主发射层222b和辅助发射层222b'上。与主发射层222b和辅助发射层222b'类似，第二功能层222c 可以被图案化成对应于第一开口OP1和第二开口OP2，并且布置或设置在第一开口OP1和第二开口OP2中。作为示例，第二功能层222c 可以布置或设置成覆盖或重叠第一显示区域DA1和第二显示区域 DA2。作为示例，第二功能层222c可以被图案化成对应于第一开口 OP1和第二开口OP2，布置或设置在第一开口OP1和第二开口OP2 中并且可以不布置或设置在透射区域TA中。作为示例，第二功能层222c可以布置或设置成完全遮挡第一显示区域DA1并且遮挡除了透射区域TA之外的第二显示区域DA2。在下文中，为了便于描述，详细描述了第二功能层222c布置或设置成完全覆盖或重叠第一显示区域DA1并且覆盖或重叠除了透射区域TA之外的第二显示区域DA2 的情况。
第二功能层222c可以包括含有有机材料的单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层222c可以形成为一个主体，以对应于分别布置或设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的主子像素Pm和辅助子像素Pa。因此，第二功能层222c可以具有对应于透射区域TA的开口。
相对电极223可以布置或设置在第二功能层222c上。相对电极 223可以具有拥有小功函数的导电材料。作为示例，相对电极223可以包括(半)透明层，(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金。作为示例，相对电极223还可包括在(半) 透明层上或者在(半)透明层之下或下方的层，该层包括ITO、IZO、 ZnO或In2O3。相对电极223可以形成为一个主体，以对应于分别布置或设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的主子像素Pm 和辅助子像素Pa。
第一显示区域DA1中的从主像素电极221到相对电极223的层可以构成主有机发光二极管OLED。第二显示区域DA2中的从辅助像素电极221'到相对电极223的层可以构成辅助有机发光二极管OLED'。
上部层250可以形成在相对电极223上，上部层250包括有机材料。上部层250可以是制备成保护相对电极223并提高光提取效率的层。上部层250可以包括具有比相对电极223的折射率更高的折射率的有机材料。作为示例，上部层250可以包括具有不同折射率的叠层。作为示例，上部层250可以包括可以彼此堆叠的高折射率层/低折射率层/高折射率层。高折射率层的折射率可以是1.7或更大，并且低折射率层的折射率可以是1.3或更小。
上部层250可以另外包括氟化锂(LiF)。作为示例，上部层250 可以另外包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)和氮化硅(SiNx)。作为示例，上部层250可以包括无机材料。
在实施方式中，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极 223和上部层250可以包括对应于透射区域TA的开口区域TAH。例如，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和上部层250 可以分别包括对应于透射区域TA的开口。第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和上部层250的开口可以通过激光形成。在实施方式中，构成开口区域TAH的开口的宽度可以基本上彼此相同。作为示例，相对电极223的开口的宽度可以与开口区域TAH的宽度基本上相同。
在实施方式中，可以省略第一功能层222a、第二功能层222c、上部层250。相对电极223的开口可以是开口区域TAH。在实施方式中，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极223和上部层250中的至少一个可以布置或设置在透射区域TA内。
在实施方式中，无机绝缘层IL、平坦化层117和像素限定层119 可以分别包括第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3。
在开口区域TAH对应于透射区域TA的情况下，这意味着开口区域TAH与透射区域TA重叠。开口区域TAH的面积可以小于形成在无机绝缘层IL中的第一孔H1的面积。为此目的，在图4中示出开口区域TAH的宽度Wt小于第一孔H1的宽度W1。这里，开口区域TAH 的面积和第一孔H1的面积可以限定为最小区域的开口的面积。此外，第一孔H1的宽度W1可以小于第二孔H2的宽度W2。
在实施方式中，第一功能层222a、第二功能层222c、相对电极 223和上部层250可以布置或设置在第一孔H1、第二孔H2和第三孔 H3的侧表面上。在实施方式中，第一孔H1、第二孔H2和第三孔H3 的侧表面相对于衬底100的上表面的斜率可以比开口区域TAH的侧表面相对于衬底100的上表面的斜率更平缓。
在形成开口区域TAH的情况下，这意味着例如从透射区域TA去除诸如相对电极223的构件。因此，透射区域TA的透光率可以显著增加。
主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以通过封装层300密封。封装层300可以布置或设置在上部层250上。封装层300可以防止外部湿气或杂质渗入主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'中。
封装层300可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。图4示出了其中第一无机层310、有机层320和第二无机层330可以彼此堆叠的结构。在实施方式中，有机层的数量和无机层的数量以及堆叠顺序可以不同地改变或修改。
第一无机层310和第二无机层330可以包括至少一种无机绝缘材料，无机绝缘材料包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅，并且可以通过化学气相沉积(CVD)形成。有机层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
第一无机层310、有机层320和第二无机层330可以形成为一个主体以覆盖或重叠第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。因此，第一无机层310、有机层320和第二无机层330可以布置或设置在开口区域TAH内。
作为示例，有机层320可以形成为一个主体以覆盖或重叠第一显示区域DA1和第二显示区域DA2，并且可以不形成在透射区域TA中。换言之，有机层320可以包括对应于透射区域TA的开口。第一无机层310可以在开口区域TAH内接触第二无机层330。
图5是根据实施方式的用于制造显示装置的装置的示意性剖视图，图6是图5中所示的掩模组件的示意性立体图，并且图7是图6 中所示的掩模片的示意性平面图。
参照图5至图7，可以通过用于制造显示装置的装置400来制造显示装置1。
用于制造显示装置的装置400可以包括室410、掩模组件420、第一支承件430、第二支承件440、沉积源450、磁力产生器460、视觉单元470和压力调节器480。
室410可以在其中包括空间。室410的一部分可以是开口的。闸阀411可以布置或设置在室410的开口部分上以打开或关闭。
掩模组件420可以布置或设置在室410内。掩模组件420可包括掩模框架421、掩模片422和支承框架423。
掩模框架421可以包括彼此连接的多个框架，并且在其中包括开口。掩模框架421可以包括彼此分开的一个或多个开口。掩模框架421 可以形成为大致栅格的形状，诸如窗框架。在下文中，为了便于描述，详细描述了掩模框架421可以在其中心包括一个开口的情况。
掩模片422可以在掩模片422张紧的同时固定到掩模框架421或设置在掩模框架421上。掩模片422可包括沉积材料穿过的开口424。可以设置一个掩模片422或者可以设置多个掩模片422。在设置一个掩模片422的情况下，掩模片422可以布置或设置在掩模框架421上以遮挡掩模框架421的开口。在实施方式中，在设置多个掩模片422 的情况下，多个掩模片422可以沿着掩模框架421的一侧彼此相邻，以遮挡掩模框架421的开口。在下文中，为了便于描述，详细描述了设置多个掩模片422的情况。
掩模片422可以包括开口424。开口424可以包括第一开口424a、第二开口424b和第三开口424c。
掩模片422可包括第一主体部分422a、第二主体部分422b和第三主体部分422c。在实施方式中，第二主体部分422b可以连接到第一主体部分422a，并且第三主体部分422c可以连接到第一主体部分 422a。例如，第一主体部分422a、第二主体部分422b和第三主体部分422c可以设置为一个主体。
在实施方式中，第一主体部分422a可以包括第一开口424a，第二主体部分422b可以包括第二开口424b，并且第三主体部分422c可以包括第三开口424c。
在实施方式中，第三主体部分422c的形状可以基本上对应于第二显示区域DA2(参见图1)的形状。作为示例，在第二显示区域DA2 设置为大致四边形形状的情况下，第三主体部分422c也可以设置为大致四边形形状。然而，实施方式不限于此。作为示例，在第二显示区域DA2设置为大致圆形形状的情况下，第三主体部分422c也可以设置为大致圆形形状。作为示例，在第二显示区域DA2设置为大致多边形形状的情况下，第三主体部分422c也可以设置为大致多边形形状。在下文中，为了便于描述，描述了第二显示区域DA2和第三主体部分422c的形状是四边形的情况。
第二主体部分422b的形状可以基本上对应于第三主体部分422c 的形状。然而，第二主体部分422b可设置成在掩模片422的长度方向 (例如，Y方向)上延伸的大致四边形形状，其与第三主体部分422c 的形状不同。然而，实施方式不限于此。
图8是与图7的区域A对应的根据实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的一部分的放大图，图9是与图7的区域B对应的根据实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的一部分的放大图，并且图10是与图7的区域C对应的根据实施方式的用于制造显示装置的装置的掩模片的一部分的放大图。
参照图8至图10，在实施方式中，第一主体部分422a可以包括第一开口424a，第二主体部分422b可以包括第二开口424b，并且第三主体部分422c可以包括第三开口424c。
在实施方式中，第一开口424a的形状可以不同于第二开口424b 的形状。作为示例，第一开口424a的平面形状或大致平面形状可以是大致菱形形状，并且第二开口424b的平面形状或大致平面形状可以是大致矩形或大致正方形。然而，实施方式不限于此。第一开口424a 的平面形状或大致平面形状以及第二开口424b的平面形状或大致平面形状可以不同地设置。
在实施方式中，第二开口424b的形状可以与第三开口424c的形状相同或基本上相同。作为示例，第二开口424b的平面形状或大致平面形状以及第三开口424c的平面形状或大致平面形状可以是矩形或正方形。然而，实施方式不限于此。第二开口424b的平面形状或大致平面形状以及第三开口424c的平面形状或大致平面形状可以不同地设置。
在实施方式中，一个第一开口424a的平面面积可以与一个第二开口424b的平面面积不同。作为示例，一个第一开口424a的平面面积可以小于一个第二开口424b的平面面积。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，一个第一开口424a的平面面积可以与一个第三开口424c的平面面积不同。作为示例，一个第一开口424a的平面面积可以小于一个第三开口424c的平面面积。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，一个第二开口424b的平面面积可以与一个第三开口424c的平面面积相同。然而，实施方式不限于此。
因为沉积材料穿过掩模片422的第一主体部分422a形成在显示装置的第一显示区域DA1(见图1)中，沉积材料通过掩模片422的第二主体部分422b形成在显示装置的第二显示区域DA2(见图1)中，所以第一主体部分422a的第一开口424a可以对应于第一显示区域DA1的主子像素Pm，并且第二主体部分422b的第二开口424b可以对应于第二显示区域DA2的辅助子像素Pa。然而，如下所述，因为第二主体部分422b的至少一部分与支承框架423重叠，所以设置在第二主体部分422b的不与支承框架423重叠的部分中的第二开口424b 可以对应于第二显示区域DA2的辅助子像素Pa。
因为沉积材料通过掩模片422的第三主体部分422c形成在第二显示区域DA2中，所以第三主体部分422c的第三开口424c可以对应于第二显示区域DA2的辅助子像素Pa。
在实施方式中，第一主体部分422a的上表面的每单位面积的第一开口424a的数量可以大于第二主体部分422b的上表面的每单位面积的第二开口424b的数量。例如，在相同的面积中，第一开口424a的数量可以大于第二开口424b的数量。然而，实施方式不限于此。
单位面积可以是用于将第一主体部分422a的上表面的第一开口 424a的数量与第二主体部分422b的上表面的第二开口424b的数量进行比较的参考面积。例如，可以在第一主体部分422a的上表面和第二主体部分422b的上表面中设置相同的面积(单位面积)，并且可以将第一主体部分422a的上表面的第一开口424a的数量与第二主体部分 422b的上表面的第二开口424b的数量进行比较。
在实施方式中，第一主体部分422a的上表面的每单位面积的第一开口424a的整体面积可以大于第二主体部分422b的上表面的每单位面积的第二开口424b的整体面积。例如，在相同的面积中，第一开口 424a的整体面积可以大于第二开口424b的整体面积。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，第一主体部分422a的上表面的每单位面积的第一开口424a的数量可以大于第三主体部分422c的上表面的每单位面积的第三开口424c的数量。例如，在相同的面积中，第一开口424a的数量可以大于第三开口424c的数量。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，第一主体部分422a的上表面的每单位面积的第一开口424a的整体面积可以大于第三主体部分422c的上表面的每单位面积的第三开口424c的整体面积。例如，在相同的面积中，第一开口 424a的整体面积可以大于第三开口424c的整体面积。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，第二主体部分422b的上表面的每单位面积的第二开口424b的数量可以与第三主体部分422c的上表面的每单位面积的第三开口424c的数量相同。例如，在相同的面积中，第二开口424b 的数量可以与第三开口424c的数量相同。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，第二主体部分422b的上表面的每单位面积的第二开口424b的整体面积可以与第三主体部分422c的上表面的每单位面积的第三开口424c的整体面积相同。例如，在相同的面积中，第二开口424b的整体面积可以等于第三开口424c的整体面积。然而，实施方式不限于此。
在实施方式中，第二主体部分422b可以在掩模片422的长度方向 (例如，Y方向)上具有第一宽度w1，并且第三主体部分422c可以在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上具有第二宽度w2。第一宽度w1可以大于第二宽度w2。作为示例，第二主体部分422b的至少一部分可以在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上延伸。
参照图5至图7，第二主体部分422b和第三主体部分422c可以相对于在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上延伸的中心线CL 布置或设置在直线上。然而，实施方式不限于此。
尽管在图7中示出了设置一个第二主体部分422b和两个第三主体部分422c，但是实施方式不限于此。第二主体部分422b和第三主体部分422c可以设置成多个。
第二主体部分422b可以在掩模片422的长度方向(例如，Y方向) 上彼此分开，并且第三主体部分422c可以在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上彼此分开。第二主体部分422b可以在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上与第三主体部分422c分开。
支承框架423可以布置或设置在掩模框架421的开口中，可以遮挡在彼此相邻的掩模片422之间，或者在与掩模片422的长度方向交叉或相交的方向(例如，X方向)上延伸。
布置或设置在与掩模片422的长度方向交叉或相交的方向(例如， X方向)上的支承框架423可以与第二主体部分422b的至少一部分重叠。例如，支承框架423可以遮挡第二主体部分422b的至少一部分。因此，在第二主体部分422b中，因为布置或设置在第二主体部分422b 与支承框架423重叠的部分处的第二开口424b被支承框架423遮挡，所以沉积材料可以不穿过布置或设置在第二主体部分422b与支承框架423重叠的部分处的第二开口424b。
在实施方式中，支承框架423可以与第一主体部分422a的一部分重叠。因此，在第一主体部分422a中，因为布置或设置在第一主体部分422a与支承框架423重叠的部分处的第一开口424a被支承框架423 遮挡，所以沉积材料可以不穿过布置或设置在第一主体部分422a与支承框架423重叠的部分处的第一开口424a。
在掩模片422内部存在其中设置有开口的区域和其中没有设置开口的区域的情况下，可以在其中设置有开口的区域和其中没有设置开口的区域之间的界面处产生由于磁力而引起的排斥力。作为示例，由于其中设置有开口的区域和其中没有设置开口的区域之间的有效体积阶跃差，可在其中设置有开口的区域和其中没有设置开口的区域之间的界面处产生由于磁力而引起的排斥力。
在实施方式中，因为开口设置在掩模片422内的单元之间，所以可以防止或减少在其中设置有开口的区域和其中没有设置开口的区域之间的界面处出现由于磁力而引起的排斥力。因此，可以改善沉积精度。开口可以形成在掩模片422内的单元之间，并且形成在单元之间的开口被支承框架423遮挡。因此，沉积材料可不穿过形成在单元之间的开口。
在实施方式中，支承框架423可以不与第三主体部分422c重叠。
掩模组件420可以通过将掩模片422和支承框架423联接或连接在掩模框架421上来制造。掩模片422可以在掩模片422张紧的同时通过焊接固定到掩模框架421或设置在掩模框架421上。
显示衬底D可以安置在第一支承件430上。第一支承件430可调整显示衬底D的位置。作为示例，第一支承件430可包括UVW平台。
掩模组件420可以安置在第二支承件440上。与第一支承件430 类似，第二支承件440可调节掩模组件420的位置。
第一支承件430和第二支承件440中的至少一个可以在室410内升高或降低。第一支承件430和第二支承件440中的至少一个可调整显示衬底D与掩模框架421之间的间隔。
沉积材料容纳在沉积源450中，并且沉积源450可蒸发或升华沉积材料以将沉积材料供应到室410。沉积源450可以在其中包括加热器，并且通过在加热器的操作期间加热沉积源450内的沉积材料来蒸发或升华沉积材料。沉积源450可以布置或设置在室410的中央或边缘处。沉积源450可以设置成多个。
在下文中，为了便于描述，详细描述了一个沉积源450布置或设置在室410的中央处的情况。
磁力产生器460可以布置或设置在室410中，以将显示衬底D紧密地附接到掩模组件420。磁力产生器460可以包括例如产生磁力的电磁铁或永磁体。如下所述，磁力产生器460可以包括磁体。这将参考图11进行描述。
视觉单元470可以布置或设置在室410中以拍摄掩模组件420和显示衬底D的位置。视觉单元470可以拍摄例如掩模组件420和显示衬底D中的至少一个的对准标记。
压力调节器480可以连接到室410以调节室410的内部压力。压力调节器480可以包括连接管481和泵482，连接管481连接到室410，并且泵482布置或设置在连接管481上。
在用于制造显示装置的装置400的操作中，可以将显示衬底D和掩模组件420装载到室410中。显示衬底D可以是其中从缓冲层111 到第一功能层222a的层可以堆叠在图4中的衬底100上的结构。
视觉单元470可以拍摄显示衬底D和掩模组件420的位置，并且基于拍摄的图像调整显示衬底D和掩模组件420中的至少一个的位置，从而对准显示衬底D和掩模组件420的位置。磁力产生器460可以将掩模组件420紧密地附接到显示衬底D。
在沉积源450提供沉积材料的情况下，沉积材料可以穿过掩模组件420并沉积在显示衬底D上。沉积材料可以沉积在显示衬底D上以形成主发射层222b(参见图4)和辅助发射层222b'(参见图4)。压力调节器480可以将室410内的气体排放到外部。
可以在用于制造显示装置的装置400中顺序地执行以上工艺，以形成蓝色发射层、红色发射层和绿色发射层。可以根据每个发射层使用不同的掩模组件420。作为示例，为了在显示衬底D上布置或设置蓝色发射层，可以使用包括第一掩模片(未示出)的掩模组件，并且为了在显示衬底D上布置或设置红色发射层，可以使用包括第二掩模片(未示出)的掩模组件。为了在显示衬底D上布置或设置绿色发射层，可以使用包括第三掩模片(未示出)的掩模组件。
如上所述形成发射层，并且可以依次形成第二功能层222c(参见图4)、相对电极223(参见图4)和封装层300(参见图4)，并且因此可以制造显示装置1。
图11是根据实施方式的用于制造显示装置的装置的示意性平面图。图11是示出其中磁力产生器460布置或设置在图7的掩模片422 上的结构的示意性平面图。在图11中，与图7的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，并且因此，省略了重复的描述。尽管显示衬底 D布置或设置在掩模片422和磁力产生器460之间，但是为了便于描述和说明，可以省略显示衬底D。
参照图11，磁力产生器460可以包括磁体。磁体可以在X方向和/或Y方向上以预定间隔彼此分开。在实施方式中，彼此相邻的磁体可以具有不同的极性。然而，实施方式不限于此。
尽管在图11中示出磁力产生器460可以包括八个磁体，但是实施方式不限于此。磁力产生器460的数量可以不同地改变。
在实施方式中，掩模片422可以与磁力产生器460的磁体中的至少一些重叠。例如，掩模片422的第一主体部分422a、第二主体部分 422b和第三主体部分422c可以与磁力产生器460的磁体中的至少一些重叠。
在实施方式中，用于制造显示装置的装置400可以包括面对掩模组件420的第一磁体461和第二磁体462。第一磁体461和第二磁体 462可以在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上以预定间隔彼此分开。第一磁体461和第二磁体462可以是在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上彼此相邻的磁体。在实施方式中，第一磁体461 和第二磁体462可以具有不同的极性。作为示例，第一磁体461可以具有S极性，并且第二磁体462可以具有N极性。然而，实施方式不限于此。第一磁体461可以具有N极性，并且第二磁体462可以具有 S极性。
掩模片422的第二主体部分422b可以与两个磁体的至少一部分重叠。例如，掩模片422的第二主体部分422b可以与第一磁体461和第二磁体462中的每一个的至少一部分重叠。例如，第二主体部分422b 可以与第一磁体461的至少一部分重叠并且与第二磁体462的至少一部分重叠。
在平面图中，在第二主体部分422b的上部部分422ba布置或设置成与磁体的边缘相邻的情况下，可以由于第二主体部分422b与邻近第二主体部分422b的上部部分422ba的第一主体部分422a之间的有效体积阶跃差而产生由磁力引起的排斥力。由于这种排斥力，可降低沉积精度。
在实施方式中，因为第二主体部分422b的至少一部分在掩模片 422的长度方向(例如，Y方向)上延伸，所以可以防止或减少第二主体部分422b的上部部分422ba布置或设置成与磁体的边缘相邻。因为防止或减少了第二主体部分422b的上部部分422ba布置或设置成与磁体的边缘相邻，所以可以防止或减少由磁力引起的排斥力的发生，并且因此，可以在制造显示装置的同时改善沉积精度。例如，因为第二主体部分422b的至少一部分在掩模片422的长度方向(例如，Y方向)上延伸，并且第二主体部分422b与至少两个磁体(例如，第一磁体461和第二磁体462)重叠，所以可以防止或减少第二主体部分422b 的上部部分422ba布置或设置成与磁体的边缘相邻，并且因此，发射层222b和222b'可以以精确的图案形成在显示衬底D上。
在实施方式中，第一磁体461和/或第二磁体462可以与支承框架 423的至少一部分重叠。
在实施方式中，掩模片422的第三主体部分422c可以与一个磁体的至少一部分重叠。例如，第三主体部分422c可以与一个磁体的至少一部分重叠。
根据实施方式，可以制造具有精确图案的显示装置。然而，本公开的范围不受该效果的限制。
应该理解，本文中描述的实施方式应该被认为仅仅是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离本公开以及如所附权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.制造显示装置的装置，其特征在于，所述装置包括：
掩模组件；以及
第一磁体和第二磁体，
所述掩模组件包括：
掩模框架；以及
掩模片，设置在所述掩模框架上，
所述掩模片包括：
第一主体部分，包括第一开口；以及
第二主体部分，连接到所述第一主体部分并且包括第二开口，以及
所述第二主体部分与所述第一磁体和所述第二磁体中的每一个的至少一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的制造显示装置的装置，其特征在于，所述第一磁体在所述掩模片的长度方向上与所述第二磁体间隔开。
3.根据权利要求2所述的制造显示装置的装置，其特征在于，所述掩模组件包括在与所述掩模片的所述长度方向相交的方向上延伸的支承框架，所述支承框架支承所述掩模片。
4.根据权利要求3所述的制造显示装置的装置，其特征在于，在平面图中，所述第二主体部分与所述支承框架的至少一部分重叠。
5.根据权利要求4所述的制造显示装置的装置，其特征在于，在平面图中，所述第一开口的面积与所述第二开口的面积不同。
6.根据权利要求5所述的制造显示装置的装置，其特征在于，所述第一主体部分的上表面的每单位面积的所述第一主体部分的所述第一开口的数量大于所述第二主体部分的上表面的每单位面积的所述第二主体部分的所述第二开口的数量。
7.根据权利要求4所述的制造显示装置的装置，其特征在于，所述掩模片包括连接到所述第一主体部分并且包括第三开口的第三主体部分。
8.根据权利要求7所述的制造显示装置的装置，其特征在于，所述第三主体部分不与所述支承框架重叠。
9.根据权利要求7所述的制造显示装置的装置，其特征在于，所述第三主体部分的上表面的每单位面积的所述第三主体部分的所述第三开口的数量等于所述第二主体部分的上表面的每单位面积的所述第二主体部分的所述第二开口的数量。
10.根据权利要求7所述的制造显示装置的装置，其特征在于，
所述第二主体部分在所述掩模片的所述长度方向上具有第一宽度，以及
所述第三主体部分在所述掩模片的所述长度方向上具有小于所述第二主体部分的所述第一宽度的第二宽度。
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