CN218812023U - 掩模组件和用于制造显示装置的设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种掩模组件。所述掩模组件包括：第一掩模区域，包括第一开口区域；以及第二掩模区域，包括第二开口区域、半蚀刻区域和非蚀刻区域，非蚀刻区域围绕第二开口区域和半蚀刻区域。第二开口区域中的每个包括基体部和从基体部突出的至少一个突出部。因此，掩模组件能够通过使掩模工艺中的掩模组件和工艺对象之间的排斥力的产生最小化来防止在掩模工艺中可能发生的缺陷。

Description

掩模组件和用于制造显示装置的设备
本申请基于并要求于2021年5月11日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0060743号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
公开涉及一种掩模组件和一种用于制造显示装置的设备，并且更具体地，涉及一种能够防止在掩模工艺中可能发生的缺陷的掩模组件和用于制造显示装置的设备。
背景技术
显示装置已经用于各种目的，并且它们在各种领域中的普及已经增长。此外，已经存在更薄和更轻的显示装置的趋势和需求。
随着显示装置的显示区域增大，各种功能与显示装置组合或相关联。为了添加各种功能并增大显示装置的显示区域，用于具有各种功能并在显示区域的内部显示图像的显示装置的技术已经引起了许多年的关注。
将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解该技术的有用背景。然而该背景技术部分还可以包括在这里公开的主题的对应的有效申请日期之前不是相关领域技术人员已知或理解的内容的部分的想法、构思或认知。
实用新型内容
这里的实施例涉及防止由掩模组件和用于制造显示装置的设备的掩模工艺中的掩模组件和工艺对象之间产生的排斥力引起的缺陷，本实用新型的目的是为了提供能够防止可能在掩模工艺中发生的缺陷的掩模组件和用于制造显示装置的设备。然而，这些问题仅仅是示例，并且公开的范围不限于此。
另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践给出的实施例来获悉。
根据实施例，掩模组件可以包括：第一掩模区域，包括第一开口区域；以及第二掩模区域，包括：第二开口区域；半蚀刻区域；以及非蚀刻区域，围绕第二开口区域和半蚀刻区域，其中，第二开口区域中的每个包括基体部和从基体部突出的至少一个突出部。
根据实施例，所述至少一个突出部可以包括：上突出部，在第一方向上从基体部的上侧突出；以及下突出部，在与第一方向相反的方向上从基体部的下侧突出。
根据实施例，第二开口区域中的每个在第一方向上的最大长度可以大于第二开口区域中的每个在与第一方向相交的第二方向上的最大长度。
根据实施例，所述至少一个突出部可以包括：左突出部，在第二方向上从基体部的左侧突出；以及右突出部，在与第二方向相反的方向上从基体部的右侧突出。
根据实施例，第二开口区域中的每个在第二方向上的最大长度可以大于第二开口区域中的每个在与第二方向相交的第一方向上的最大长度。
根据实施例，所述至少一个突出部可以包括：上突出部，在第一方向上从基体部的上侧突出；下突出部，在与第一方向相反的方向上从基体部的下侧突出；左突出部，在与第一方向相交的第二方向上从基体部的左侧突出；以及右突出部，在与第二方向相反的方向上从基体部的右侧突出。
根据实施例，第二开口区域中的每个在第一方向上的最大长度可以等于第二开口区域中的每个在第二方向上的最大长度。
根据实施例，第二掩模区域的有效厚度可以大于第一掩模区域的有效厚度。
根据实施例，第一掩模区域的有效厚度与第二掩模区域的有效厚度之间的差可以为3μm或更小。
根据实施例，第二开口区域中的相邻第二开口区域之间的间隔可以大于第一开口区域中的相邻第一开口区域之间的间隔。
根据一个或更多个实施例，掩模组件可以包括：第一掩模区域，包括第一开口区域；以及第二掩模区域，包括第二开口区域、半蚀刻区域和非蚀刻区域。第二开口区域的中心可以定位在沿行方向和列方向的虚拟矩形的顶点处。半蚀刻区域的中心可以定位在虚拟矩形的中心处。非蚀刻区域可以围绕第二开口区域和半蚀刻区域。第二开口区域中的每个可以包括基体部和从基体部突出的至少一个突出部。
根据实施例，至少一个突出部可以包括从基体部的上侧突出的上突出部和从基体部的下侧突出的下突出部。
根据实施例，虚拟矩形中的每个可以具有在行方向上的边和在列方向上的边，并且在行方向上的边的长度可以小于在列方向上的边的长度。
根据实施例，至少一个突出部可以包括从基体部的左侧突出的左突出部和从基体部的右侧突出的右突出部。
根据实施例，虚拟矩形中的每个可以具有在行方向上的边和在列方向上的边，并且在行方向上的边的长度可以大于在列方向上的边的长度。
根据实施例，至少一个突出部可以包括从基体部的上侧突出的上突出部、从基体部的下侧突出的下突出部、从基体部的左侧突出的左突出部和从基体部的右侧突出的右突出部。
根据实施例，虚拟矩形(虚拟正方形)中的每个可以具有在行方向上的边和在列方向上的边，并且在行方向上的边的长度可以等于在列方向上的边的长度。
根据实施例，第二掩模区域的有效厚度可以大于第一掩模区域的有效厚度。
根据实施例，第一掩模区域的有效厚度与第二掩模区域的有效厚度之间的差可以是约3μm或更小。
根据实施例，第二开口区域中的相邻第二开口区域之间的间隔可以大于第一开口区域中的相邻第一开口区域之间的间隔。
根据实施例，第二开口区域中的每个的直径可以大于第一开口区域中的每个的直径。
根据一个或更多个实施例，用于制造显示装置的设备可以包括：腔室，基底布置在腔室中；以及掩模组件，在基底之上形成发射层，显示装置包括其中设置有第一子像素的第一显示区域和其中设置有第二子像素的第二显示区域。掩模组件可以包括：第一掩模区域，包括第一开口区域；以及第二掩模区域，包括第二开口区域、半蚀刻区域和非蚀刻区域，第二开口区域具有定位在沿行方向和列方向的虚拟矩形的顶点处的中心，半蚀刻区域具有定位在虚拟矩形的中心处的中心，非蚀刻区域围绕第二开口区域和半蚀刻区域。第二开口区域中的每个可以包括基体部和从基体部突出的至少一个突出部。第一子像素中的每个的发射层可以具有与第一开口区域的形状对应的形状，并且第二子像素中的每个的发射层可以具有与第二开口区域的形状对应的形状。
根据实施例，至少一个突出部可以包括从基体部的上侧突出的上突出部和从基体部的下侧突出的下突出部。
根据实施例，第二子像素中的每个的发射层的上侧和下侧可以在平面图中突出。
根据实施例，至少一个突出部可以包括从基体部的左侧突出的左突出部和从基体部的右侧突出的右突出部。
根据实施例，第二子像素中的每个的发射层的左侧和右侧可以在平面图中突出。
根据实施例，至少一个突出部可以包括从基体部的上侧突出的上突出部、从基体部的下侧突出的下突出部、从基体部的左侧突出的左突出部和从基体部的右侧突出的右突出部。
根据实施例，第二子像素中的每个的发射层的上侧、下侧、左侧和右侧可以在平面图中突出。
根据实施例，第二掩模区域的有效厚度可以大于第一掩模区域的有效厚度，并且第一掩模区域的有效厚度与第二掩模区域的有效厚度之间的差可以为约3μm或更小。
根据实施例，第二开口区域中的相邻第二开口区域之间的间隔可以大于第一开口区域中的相邻第一开口区域之间的间隔，第二开口区域中的每个的直径可以大于第一开口区域中的每个的直径，第二子像素中的相邻第二子像素的发射层之间的间隔可以大于第一子像素中的相邻第一子像素的发射层之间的间隔，并且第二子像素中的每个的发射层的直径可以大于第一子像素中的每个的发射层的直径。
根据本实用新型，可以能够实现一种掩模组件，该掩模组件能够通过使掩模工艺中的掩模组件和工艺对象之间的排斥力的产生最小化来防止在掩模工艺中可能发生的缺陷。
通过以下详细描述、所附权利要求和附图，除了上述内容之外的其他方面、特征和优点将变得明显。
附图说明
通过以下结合附图的描述，某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更明显，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的平面图；
图2是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的沿着图1的线I-I'截取的剖视图；
图3是示意性地示出根据实施例的包括在显示装置中的子像素和透射区域的布置的平面图；
图4是示意性地示出根据实施例的沿着图3的线II-II'和III-III'截取的显示装置的一部分的剖视图；
图5是示意性地示出根据实施例的用于制造显示装置的设备的剖视图；
图6是示意性地示出根据实施例的掩模组件的一部分的透视图；
图7是示意性地示出根据实施例的掩模组件的一部分的平面图；
图8是示意性地示出根据实施例的掩模组件的排斥力和有效厚度差之间的关系的曲线图；
图9是示意性地示出根据实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图；
图10是示意性地示出根据其他实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图；
图11是示意性地示出根据其他实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图；以及
图12是示意性地示出根据其他实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图。
具体实施方式
下面参照附图描述实施例。虽然在附图中示出了实施例并且将在说明书中主要描述实施例，但是实施例可以以各种方式修改并且具有附加实施例。然而，实用新型的范围不限于附图和说明书中的实施例，并且应被解释为包括在实用新型的精神和范围中的所有改变、等同物和替换。
附图和描述本质上将被认为仅是说明性的，因此不限制在这里描述和要求保护的实施例。为了描述实施例，可以不提供多个部分(部件)中的与描述不相关的一些部分(部件)，并且贯穿说明书，同样的附图标记指同样的元件。贯穿公开，“a、b和c中的至少一个(种/者)”的表述可以指示或包括仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
在附图中，元件的尺寸和厚度为了清楚及其描述的情况可以被放大，或者为了便于描述可以被夸大。换句话说，因为为了便于描述而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，所以公开不限于此。在附图中，为了清楚，可以夸大层、膜、面板、区和其他元件的厚度。在附图中，为了更好地理解和易于描述，可以夸大一些层和区域的厚度。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”是指从上方观看对象部分，短语“在剖视图中”是指从侧面观看通过竖直地切割对象部分而取得的剖面。
当层、膜、区、基底或区域被称为“在”另一层、膜、区、基底或区域“上”时，该层、膜、区、基底或区域可以直接在所述另一层、膜、区、基底或区域上，或者其间可以存在中间层、膜、区、基底或区域。相反，当层、膜、区、基底或区域被称为“直接在”另一层、膜、区、基底或区域“上”时，其间不会存在中间层、膜、区、基底或区域。此外，当层、膜、区、基底或区域被称为“在”另一层、膜、区、基底或区域“下面”时，该层、膜、区、基底或区域可以直接在所述另一层、膜、区、基底或区域下面，或者其间可以存在中间层、膜、区、基底或区域。相反，当层、膜、区、基底或区域被称为“直接在”另一层、膜、区、基底或区域“下面”时，其间不会存在中间层、膜、区、基底或区域。此外，“在……之上”或“在……上”可以包括位于对象上或下面，并且不一定暗示基于重力的方向。
为了易于描述，这里可以使用空间相对术语“在……下面”、“在……之下”、“下”、“在……上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在将附图中所示的装置翻转的情况下，位于另一装置“下面”或“之下”的装置可以被放置“在”另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下面”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其他方向上定向，因此可以根据方位不同地解释空间相对术语。
贯穿说明书，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件可以“直接连接”到所述另一元件，或者“电连接”到所述另一元件且一个或更多个中间元件置于其间。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”、“包括”和/或其变型时，它们或它可以说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其任何组合。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开，或者用于方便对其进行描述和解释。例如，当在描述中讨论“第一元件”时，其可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以以类似的方式被称呼，而不脱离这里的教导。例如，第一滤色器可以是红色、绿色和蓝色滤色器中的任一种。第二滤色器可以是红色、绿色和蓝色滤色器中的任一种。第三滤色器可以是红色、绿色和蓝色滤色器中的任一种。关于光阻挡构件的第一和第二可以在说明书中互换使用。
考虑到所讨论的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，如这里所使用的“约”或“近似”包括所陈述的值，并是指在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以是指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本实用新型所属领域的技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的背景下的意思一致的意思，并且将不以理想化或过于形式化的含义解释，除非在说明书中明确定义。
当可以不同地实现某实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
X轴、Y轴和Z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义解释。例如，X轴、Y轴和Z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的一部分的平面图。
参照图1，根据实施例的显示装置1可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA可以包括其中布置有第一子像素Pm的第一显示区域DA1和其中布置有第二子像素Pa的第二显示区域DA2。此外，第二显示区域DA2可以包括其中未设置第二子像素Pa的透射区域TA。第一显示区域DA1可以围绕第二显示区域DA2的至少一部分。在实施例中，第一显示区域DA1可以完全围绕第二显示区域DA2。第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以分别地显示图像或者一起显示一个图像。
在非显示区域NDA中不设置显示元件，并且在非显示区域NDA中不显示图像。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA的至少一部分。在实施例中，非显示区域NDA可以完全围绕显示区域DA。
显示装置1包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和非显示区域NDA。此外，可以理解的是，显示装置1的基底100(参照图2)包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和非显示区域NDA。
尽管在图1中示出了包括在平面图中设置在第一显示区域DA1的上部(+Y方向)中心处的具有正方形形状的一个第二显示区域DA2的显示装置1，但是公开不限于此。例如，第二显示区域DA2可以设置在第一显示区域DA1中，并且第二显示区域DA2可以完全被第一显示区域DA1围绕。第二显示区域DA2可以设置在第一显示区域DA1中的右上侧或左上侧处。第二显示区域DA2可以以诸如条型、凹口型和其他合适类型的各种形状设置在显示装置1的一侧处。此外，显示装置1可以包括第二显示区域DA2。第二显示区域DA2的形状和尺寸可以彼此不同。例如，在平面图中，第二显示区域DA2可以具有各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、诸如四边形形状的多边形形状、星形形状、菱形形状和其他合适的形状。
显示装置1可以包括布置在第一显示区域DA1中的第一子像素Pm和布置在第二显示区域DA2中的第二子像素Pa。第一子像素Pm和第二子像素Pa可以发射光以提供图像。在实施例中，在第二显示区域DA2中显示的图像可以具有比在第一显示区域DA1中显示的图像的分辨率低的分辨率。第二显示区域DA2可以包括通过其可以透射光和/或声音的透射区域TA。子像素可以不设置在透射区域TA中。因此，每单位面积布置在第二显示区域DA2中的第二子像素Pa的数量可以小于每单位面积设置在第一显示区域DA1中的第一子像素Pm的数量。
在下文中，将描述有机发光显示装置作为显示装置1的示例。然而，应当注意的是，公开的显示装置不限于此。例如，公开的显示装置1可以是其他显示装置，诸如无机发光显示装置、量子点发光显示装置和其他合适的显示装置。例如，显示装置1的显示元件的发射层可以包括有机材料或无机材料。此外，显示装置1可以仅包括量子点、有机材料和量子点的混合物、无机材料和量子点的混合物以及其他合适的成分。
图2是示意性地示出了根据实施例的沿着图1的线I-I'截取的显示装置的一部分的剖视图。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10和组件40。组件40设置在显示面板10下方并且与显示面板10叠置。此外，显示装置1还可以包括设置在显示面板10上以保护显示面板10的覆盖窗(未示出)。
组件40可以是在第二显示区域DA2中设置在显示面板10下方的电子装置。在实施例中，组件40可以是使用光和/或声音的电子装置。例如，组件40可以是用于测量距离的传感器(诸如接近传感器)，或者是用于识别用户身体的一部分(诸如指纹、虹膜和面部)的传感器。此外，组件40可以是发射光的小灯或捕获图像的图像传感器(诸如相机)。
当组件40包括使用光的电子装置时，组件40可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光。组件40还可以包括使用超声波或其他频带的声音的电子装置。在实施例中，组件40可以包括诸如光发射器和光接收器的子组件。光发射器和光接收器可以一体地形成。光发射器和光接收器也可以是物理上可分离的，并且一对光发射器和光接收器可以形成一个组件40。第二显示区域DA2可以包括光和/或声音通过其透射的透射区域TA。例如，光和/或声音可以从组件40输出或者通过透射区域TA入射到组件40中。因此，应当注意的是，组件40的功能不受以上解释的内容的限制。
显示面板10可以包括与组件40叠置的第二显示区域DA2和围绕第二显示区域DA2的至少一部分的第一显示区域DA1。显示面板10可以包括基底100、设置在基底100上的显示层DISL、设置在显示层DISL上的功能层以及设置在基底100下方的面板保护构件PB。在图2中，示出了触摸屏层TSL和光学功能层OFL作为功能层的示例。然而，应当注意的是，公开不限于此，显示面板10可以根据显示面板10的设计包括各种功能层。此外，可以省略功能层。
显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层EDL和封装构件ENCM。电路层PCL可以包括薄膜晶体管。例如，电路层PCL可以包括设置在第一显示区域DA1中的至少一个第一薄膜晶体管TFTm和设置在第二显示区域DA2中的至少一个第二薄膜晶体管TFTa。显示元件层EDL可以包括作为显示元件的发光元件。例如，显示元件层EDL可以包括设置在第一显示区域DA1中的至少一个第一发光元件EDm和设置在第二显示区域DA2中的至少一个第二发光元件EDa。封装构件ENCM可以包括封装层300和/或封装基底(未示出)。绝缘层IL可以设置在显示层DISL等内部。
基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英、聚合物树脂和其他合适的材料。基底100可以包括刚性基底。在实施例中，基底100可以包括能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
第一子像素Pm可以在第一显示区域DA1中设置在基底100上。包括在第一子像素Pm中的第一发光元件EDm和与其电连接的第一像素电路PCm可以在第一显示区域DA1中设置在基底100上。第一像素电路PCm可以包括至少一个第一薄膜晶体管TFTm，并且可以控制第一发光元件EDm的操作。
第二子像素Pa可以在第二显示区域DA2中设置在基底100上。包括在第二子像素Pa中的第二发光元件EDa和与其电连接的第二像素电路PCa可以在第二显示区域DA2中布置在基底100之上。第二像素电路PCa可以包括至少一个第二薄膜晶体管TFTa，并且可以控制第二发光元件EDa的操作。
第二显示区域DA2的不具有第二发光元件EDa的部分可以被定义为透射区域TA。
透射区域TA可以透射从组件40输出的光和/或信号或者入射到在显示面板10下方设置在第二显示区域DA2中的组件40中的光和/或信号。图2中示出了布置在第二显示区域DA2中的一个第二像素电路PCa、一个第二发光元件EDa和一个透射区域TA。然而，应当注意的是，第二像素电路PCa、第二发光元件EDa和透射区域TA的数量不限于此。第二像素电路PCa、第二发光元件EDa和透射区域TA可以布置在第二显示区域DA2中。在实施例中，第二发光元件EDa和透射区域TA可以交替地布置在第二显示区域DA2中。例如，第二发光元件EDa中的每个可以在第二显示区域DA2中设置在透射区域TA中的相邻透射区域TA之间。
作为封装构件ENCM的封装层300可以设置在显示元件层EDL上。在实施例中，封装层300可以包括都覆盖显示元件层EDL的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。例如，如图2中所示，封装层300可以包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和设置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或更多种无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnOx)和其他合适的无机材料，氧化锌(ZnOx)可以是ZnO和/或ZnO2。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以通过化学气相沉积(CVD)等形成。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酰类树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯和其他合适的聚合物类材料。第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330可以一体地形成为覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
触摸屏层TSL可以被构造为根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可以通过使用自电容方法、互电容方法和其他合适的方法来感测外部输入。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以被构造为减少从外部入射到显示装置1中的光的反射率。例如，光学功能层OFL可以包括偏振膜。在实施例中，光学功能层OFL可以在透射区域TA中包括开口OFL_OP。光学功能层OFL的开口OFL_OP可以具有与透射区域TA的形状和尺寸相同的形状和尺寸。因此，通过穿过光学功能层OFL形成的开口OFL_OP，可以显著提高透射区域TA中的透光率。开口OFL_OP可以填充有诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料。在其他实施例中，光学功能层OFL可以用例如包括黑矩阵和滤色器的滤光片来实现。
面板保护构件PB可以附着在基底100下方以支撑并保护基底100。面板保护构件PB可以在第二显示区域DA2中包括开口PB_OP。面板保护构件PB的开口PB_OP可以具有与第二显示区域DA2的形状和尺寸相同的形状和尺寸。面板保护构件PB的开口PB_OP可以在第二显示区域DA2中透射光，因此可以改善第二显示区域DA2中的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺和其他合适的聚合物树脂。在其他实施例中，面板保护构件PB可以不包括开口PB_OP。此外，可以省略面板保护构件PB。
第二显示区域DA2和组件40可以具有各种尺寸，并且应当注意的是，第二显示区域DA2和组件40的尺寸可以改变。例如，第二显示区域DA2的面积可以大于或小于其中设置有组件40的区域的面积，或者第二显示区域DA2的面积可以等于其中设置有组件40的区域的面积。面板保护构件PB的开口PB_OP的面积可以与第二显示区域DA2的面积大小相同。面板保护构件PB的开口PB_OP的面积可以具有与第二显示区域DA2的面积的大小不同的大小。此外，尽管图2中所示的组件40在显示面板10的一侧上与显示面板10间隔开，但是组件40的至少一部分可以插入到面板保护构件PB的开口PB_OP中。
此外，组件40可以布置在第二显示区域DA2中。设置在第二显示区域DA2中的组件40可以具有不同的功能。例如，组件40可以包括相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器、虹膜传感器和其他合适的元件中的至少两种元件。
上述显示面板10可以设置在诸如移动电话、平板PC、笔记本计算机或智能手表的各种电子装置中。
图3是示意性地示出根据实施例的包括在显示装置中的子像素和透射区域的布置的平面图。
参照图3，显示装置1可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一子像素Pm可以布置在第一显示区域DA1中，并且第二子像素Pa可以布置在第二显示区域DA2中。此外，第二显示区域DA2可以包括透射区域TA。
布置在第一显示区域DA1中的第一子像素Pm中的每个可以用例如诸如有机发光二极管的显示元件来实现。用于驱动第一子像素Pm的第一像素电路PCm(参照图2)可以布置在第一显示区域DA1中，并且第一像素电路PCm(参照图2)可以设置为与第一子像素Pm叠置。第一子像素Pm中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。封装构件ENCM(参照图2)可以覆盖第一显示区域DA1，以保护设置在第一显示区域DA1中的元件免受外部空气、杂质或湿气的影响。
布置在第二显示区域DA2中的第二子像素Pa每个可以用例如诸如有机发光二极管的显示元件来实现。用于驱动第二子像素Pa的第二像素电路PCa(参照图2)可以布置在第二显示区域DA2中，并且第二像素电路PCa可以以设置为与第二子像素Pa叠置。每个第二子像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。封装构件ENCM(参照图2)可以覆盖第二显示区域DA2连同第一显示区域DA1，以保护设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的元件免受外部空气、杂质或湿气的影响。
在实施例中，布置在第一显示区域DA1中的第一子像素Pm可以具有与布置在第二显示区域DA2中的第二子像素Pa的布置不同的布置。例如，布置在第二显示区域DA2中的第二子像素Pa中的相邻第二子像素Pa之间的间隔可以大于布置在第一显示区域DA1中的第一子像素Pm中的相邻第一子像素Pm之间的间隔。此外，在平面图中，布置在第二显示区域DA2中的每个第二子像素Pa的直径(或第二子像素Pa的发射区域的直径)可以大于布置在第一显示区域DA1中的每个第一子像素Pm的直径(或第一子像素Pm的发射区域的直径)。例如，布置在第二显示区域DA2中的第二子像素Pa可以以比布置在第一显示区域DA1中的第一子像素Pm的密度低的密度布置，并且每个第二子像素Pa的发射区域的尺寸可以大于每个第一子像素Pm的发射区域的尺寸。
第二显示区域DA2可以包括透射区域TA。透射区域TA可以被定义为第二子像素Pa中的相邻第二子像素Pa之间的不具有任何子像素的区域。如上所述，第二子像素Pa以相对低的密度布置在第二显示区域DA2中，因此，可以增大第二子像素Pa中的相邻第二子像素Pa之间的中间空间的尺寸，例如，每个透射区域TA的尺寸。因此，可以改善第二显示区域DA2的透光率。
应当注意的是，透射区域TA的布置不限于图3中所示的布置。例如，透射区域TA可以设置为围绕第二子像素Pa。在其他实施例中，透射区域TA可以与第二子像素Pa交替地布置以形成网格形状。由于第二显示区域DA2包括透射区域TA，因此第二显示区域DA2的分辨率可以小于第一显示区域DA1的分辨率。例如，第二显示区域DA2的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。
布置在第一显示区域DA1中的第一子像素Pm、布置在第二显示区域DA2中的第二子像素Pa和布置在第二显示区域DA2中的透射区域TA可以通过掩模工艺被图案化。下面参照图5至图12详细地提供通过掩模工艺的图案化。
图4是示意性地示出了根据实施例的沿着图3的线II-II'和III-III'截取的显示装置的一部分的剖视图。
参照图4，基底100可以包括上述各种材料，并且可以具有多层结构。在实施例中，基底100可以包括第一基体层101、设置在第一基体层101上的第一阻挡层102、设置在第一阻挡层102上的第二基体层103以及设置在第二基体层103上的第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103可以包括聚合物树脂。用于第一基体层101和第二基体层103的聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素和其他合适的聚合物树脂。聚合树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104可以用阻挡层实现，该阻挡层防止外部物质或杂质的渗透。第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每个可以包括单层或多层，所述单层或多层包含无机材料，诸如氮化硅、氮氧化硅、氧化硅的无机材料和其他合适的无机材料。
缓冲层111可以设置在基底100上。缓冲层111可以减少或阻挡外部物质、湿气、杂质或外部空气从基底100的底部渗透，并且缓冲层111还可以使基底100的上表面平坦化。缓冲层111可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和其他合适的无机材料。缓冲层111可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。在其他实施例中，可以省略缓冲层111。
包括薄膜晶体管(TFT)和存储电容器Cst的像素电路可以设置在基底100上。第一像素电路PCm可以在第一显示区域DA1中设置在基底100上，并且第二像素电路PCa可以在第二显示区域DA2中设置在基底100上。第一显示区域DA1的第一像素电路PCm可以具有与第二显示区域DA2的第二像素电路PCa的结构相同的结构。
设置在第一显示区域DA1中的第一像素电路PCm的第一薄膜晶体管TFTm可以包括第一半导体层A1、与第一半导体层A1的沟道区叠置的第一栅电极G1、连接到第一半导体层A1的源区的第一源电极S1以及连接到第一半导体层A1的漏区的第一漏电极D1。栅极绝缘层112可以设置在第一半导体层A1与第一栅电极G1之间。第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以设置在第一栅电极G1与第一源电极S1之间或者第一栅电极G1与第一漏电极D1之间。
存储电容器Cst可以设置为与第一薄膜晶体管TFTm叠置。存储电容器Cst可以包括彼此叠置的下电极CE1和上电极CE2。在实施例中，第一薄膜晶体管TFTm的第一栅电极G1可以与存储电容器Cst的下电极CE1一体地形成。第一层间绝缘层113可以设置在下电极CE1与上电极CE2之间。
第一半导体层A1可以包括多晶硅。在实施例中，第一半导体层A1可以包括非晶硅。在实施例中，第一半导体层A1可以包括从由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种金属的氧化物。第一半导体层A1可以包括沟道区、源区和漏区，且源区和漏区可以掺杂有掺杂剂。
栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和其他合适的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上提及的材料的单层或多层结构。
第一栅电极G1和/或下电极CE1可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)及其合金的低电阻导电材料。第一栅电极G1和/或下电极CE1可以具有包括以上提及的材料的单层或多层结构。例如，第一栅电极G1可以具有钼层/铝层/钼层的三层结构。
第一层间绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和其他合适的无机绝缘材料。第一层间绝缘层113可以具有包括以上提及的材料的单层或多层结构。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)及其合金。并且上电极CE2可以具有包括以上提及的材料的单层或多层结构。
第二层间绝缘层115可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和其他合适的无机绝缘材料。第二层间绝缘层115可以具有包括以上提及的材料的单层或多层结构。
第一源电极S1和/或第一漏电极D1可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)及其合金。第一源电极S1和/或第一漏电极D1可以具有包括以上提及的材料的单层或多层结构。例如，第一源电极S1和/或第一漏电极D1可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
包括第一薄膜晶体管TFTm和存储电容器Cst的第一像素电路PCm可以在第一显示区域DA1中电连接到设置在基底100上的第一像素电极221m。例如，如图4中所示，第一像素电路PCm可以通过作为第一像素电路PCm与第一像素电极221m之间的连接线的接触金属CM电连接到第一像素电极221m。
接触金属CM可以设置在第一平坦化层117上。接触金属CM可以通过穿过第一平坦化层117形成的接触孔连接到第一像素电路PCm。接触金属CM可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)及其合金。接触金属CM可以具有包括以上提及的材料的单层或多层结构。
第一平坦化层117可以包括有机绝缘材料。例如，第一平坦化层117可以包括有机绝缘材料，诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和其他合适的有机绝缘材料。第一平坦化层117的有机绝缘材料可以包括光敏有机绝缘材料。
第二平坦化层118可以设置在接触金属CM上。第二平坦化层118可以包括有机绝缘材料。第二平坦化层118可以包括有机绝缘材料，诸如亚克力、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和其他合适的有机绝缘材料。第二平坦化层118的有机绝缘材料可以包括光敏有机绝缘材料。
第一像素电极221m可以设置在第二平坦化层118上。第一像素电极221m可以通过穿过第二平坦化层118形成的接触孔连接到接触金属CM。
第一像素电极221m可以包括反射层，反射层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)及其合金。第一像素电极221m可以具有包括包含以上提及的材料的反射层和设置在反射层上的透明导电层的双层结构。第一像素电极221m也可以具有包括反射层和设置在反射层下方的透明导电层的双层结构。第一像素电极221m的透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、氧化铝锌(AZO)和其他合适的透明导电材料。在实施例中，第一像素电极221m可以具有顺序地堆叠的ITO层/Ag层/ITO层的三层结构。
尽管以上描述了其中第一像素电路PCm和第一像素电极221m设置在第一显示区域DA1中的构造，但是设置在第二显示区域DA2中的第二像素电路PCa和第二像素电极221a也可以具有相同的结构。例如，设置在第二显示区域DA2中的第二像素电路PCa的第二薄膜晶体管TFTa可以具有与第一像素电路PCm的第一薄膜晶体管TFTm的结构相同/相似的结构，并且设置在第二显示区域DA2中的第二像素电极221a可以具有与第一像素电极221m的结构相同/相似的结构。在根据图4中所示的实施例的显示装置1中，第二像素电极221a通过作为连接线的接触金属CM'电连接到包括第二半导体层和第二栅电极的第二薄膜晶体管TFTa。设置在第二显示区域DA2中的接触金属CM'具有与设置在第一显示区域DA1中的接触金属CM的结构相同/相似的结构，因此，将省略对设置在第二显示区域DA2中的接触金属CM'的任何重复说明。
像素限定层119可以设置在第一像素电极221m和第二像素电极221a上。像素限定层119可以覆盖第一像素电极221m的边缘和第二像素电极221a的边缘。像素限定层119可以包括与第一像素电极221m和第二像素电极221a中的每个的中心部分叠置的开口119op。像素限定层119可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、酚醛树脂和其他合适的有机材料。
第一功能层222a和第二功能层222c可以设置在像素限定层119、第一像素电极221m和第二像素电极221a上。第一功能层222a和第二功能层222c中的每个可以完全覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。在其他实施例中，第一功能层222a和第二功能层222c可以具有设置在透射区域TA中的开口。第一功能层222a和第二功能层222c的开口可以具有与透射区域TA的形状和尺寸相同的形状和尺寸。
第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，第一功能层222a可以用例如具有单层结构的空穴传输层(HTL)实现，并且可以包括高分子量材料，诸如聚(3,4)-乙撑-二氧噻吩(PEDOT)、聚苯胺和其他合适的高分子量材料。当第一功能层222a由低分子量材料制成时，第一功能层222a可以用例如空穴注入层(HIL)和HTL来实现。
第二功能层222c可以根据显示装置1的设计来选择性地实现。例如，当第一功能层222a等由高分子量材料形成时，第二功能层222c可以设置在第一功能层222a上。第二功能层222c可以包括单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
第一发射层222mb可以设置在第一功能层222a上或第一功能层222a与第二功能层222c之间。第二发射层222ab也可以设置在第一功能层222a上或第一功能层222a与第二功能层222c之间。第一发射层222mb可以被图案化为具有与第一像素电极221m的形状对应的形状，并且第二发射层222ab可以被图案化为具有与第二像素电极221a的形状对应的形状。第一发射层222mb和第二发射层222ab可以分别具有与第一像素电极221m和第二像素电极221a的形状和尺寸相同的形状和尺寸。第一发射层222mb和第二发射层222ab可以包括有机材料。第一发射层222mb和第二发射层222ab可以包括可以发射预定颜色的光的高分子量有机材料或低分子量有机材料。
与第二像素电极221a叠置的第二对电极223a可以设置在第二发射层222ab上，并且与第一像素电极221m叠置的第一对电极223m可以设置在第一发射层222mb上。第二对电极223a可以与第一对电极223m一体地形成。第二对电极223a和第一对电极223m可以包括具有相对低逸出功的导电材料。例如，第二对电极223a和第一对电极223m可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)及其合金的透明层或半透明层。在其他实施例中，第二对电极223a和第一对电极223m还可以包括另一层，所述另一层包括氧化物(诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3和其他合适的氧化物)，所述另一层设置在包括以上提及的材料的透明层或半透明层上。在实施例中，第二对电极223a和第一对电极223m可以包括银(Ag)和镁(Mg)。此外，第二对电极223a和第一对电极223m可以包括银(Ag)和镁(Mg)的合金。
第一像素电极221m、第一发射层222mb和第一对电极223m可以顺序地堆叠以形成堆叠结构。第一像素电极221m、第一发射层222mb和第一对电极223m的堆叠结构可以形成发光二极管，例如，有机发光二极管。第二像素电极221a、第二发射层222ab和第二对电极223a也可以顺序地堆叠以形成堆叠结构。第二像素电极221a、第二发射层222ab和第二对电极223a的堆叠结构也可以形成发光二极管，例如，有机发光二极管。有机发光二极管可以发射红光、绿光或蓝光，并且每个有机发光二极管的发射区域可以用像素来实现。例如，设置在第一显示区域DA1中的有机发光二极管的发射区域可以用第一子像素Pm(参照图3)来实现，并且设置在第二显示区域DA2中的有机发光二极管的发射区域可以用第二子像素Pa(参照图3)来实现。由于像素限定层119的开口119op限定发射区域的尺寸和/或宽度，因此第一子像素Pm(参照图3)和第二子像素Pa(参照图3)的尺寸和/或宽度可以取决于像素限定层119的开口119op。
如上所述，第一无机封装层310、第二无机封装层330和设置在第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320可以覆盖有机发光二极管。
开口可以在透射区域TA中穿过设置在基底100上的绝缘层IL形成。例如，缓冲层111可以置于绝缘层IL与基底100之间。穿过绝缘层IL形成的开口可以具有与透射区域TA的尺寸和/或宽度相同的尺寸和/或宽度。例如，开口(图4中未示出)可以在透射区域TA中穿过栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层115、第一平坦化层117、第二平坦化层118和/或像素限定层119形成，并且可以彼此叠置。穿过栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层115、第一平坦化层117、第二平坦化层118和/或像素限定层119形成的开口(图4中未示出)可以具有与透射区域TA的尺寸和/或宽度相同的尺寸和/或宽度。
图5是示意性地示出根据实施例的用于制造显示装置的设备的剖视图。
参照图5，可以使用用于制造显示装置的设备400来执行用于制造显示装置的工艺的至少一部分。在实施例中，用于制造显示装置的设备400可以是用于沉积有机材料以形成包括在显示装置中的有机层(例如，发射层)的设备。此外，用于制造显示装置的设备400可以通过使用掩模沉积图案化层的掩模工艺沉积有机材料。应当注意的是，由用于制造显示装置的设备400执行的沉积工艺的类型不限于掩模工艺。例如，用于制造显示装置的设备400可以执行诸如真空沉积、离子镀、溅射的物理气相沉积(PVD)、通过气体反应的化学气相沉积(CVD)以及其他合适的沉积工艺。
此外，根据实施例的制造显示装置的方法可以包括将掩模组件和基底布置在腔室中，并且通过使用掩模组件在基底之上形成发射层。在这种情况下，在平面图中，第一子像素Pm(参照图3)或第一子像素Pm(参照图3)的第一发射层222mb(参照图4)可以具有与第一开口区域OA1(参照图6)的形状对应的形状，并且第二子像素Pa(参照图3)或第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)可以具有与第二开口区域OA2(参照图6)的形状对应的形状。第一子像素Pm(参照图3)或第一子像素Pm(参照图3)的第一发射层222mb(参照图4)可以具有与第一开口区域OA1(参照图6)的形状相同的形状，并且第二子像素Pa(参照图3)或第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)可以具有与第二开口区域OA2(参照图6)的形状相同的形状。
根据实施例的用于制造显示装置的设备400可以包括腔室410、沉积源420、支撑单元430和磁力产生器440。掩模组件500可以设置在腔室410中。
腔室410可以在其内部具有用于执行沉积工艺的空间。例如，腔室410可以是其中包括预定反应空间的反应腔室。在实施例中，腔室410的内部可以保持在低真空状态或高真空状态。泵送单元(未示出)可以设置在腔室410的一侧处。泵送单元(未示出)可以将空气从腔室410的内部朝向腔室410的外部排放，以在腔室410的反应空间中形成或保持低真空状态或高真空状态。
用于制造显示装置的设备400还可以在沉积工艺中使用的腔室410的空间中包括各种元件。例如，支撑单元430和沉积源420可以设置在腔室410中。工艺对象S可以由支撑单元430装载并支撑。沉积源420设置为在腔室410中面对支撑单元430，以将沉积材料供应到腔室410的反应空间中。
工艺对象S可以是其上将被沉积层或图案化层的其上不具有任何元件或层的基底100(参照图4)上或其上形成有一些元件和/或层的基底100(参照图4)。
沉积源420可以将沉积材料供应到腔室410的反应空间中。沉积源420可以储存并保持沉积材料，并且可以朝向工艺对象S喷射沉积材料。在实施例中，沉积源420可以包括能够朝向腔室410的反应空间中的工艺对象S喷射沉积材料的喷嘴(未示出)。
工艺对象S可以设置在支撑单元430的表面上，并且支撑单元430可以支撑并固定工艺对象S。支撑单元430可以保持工艺对象S。在实施例中，支撑单元430可以在腔室410中上下移动。支撑单元430可以在装载时、卸载时或在对工艺对象S执行沉积工艺时上下移动。根据实施例，支撑单元430可以包括加热构件(未示出)，以将设置在支撑单元430上的工艺对象S加热并保持在预定温度。在其他实施例中，支撑单元430可以连接到设置在支撑单元430的外部的加热构件(未示出)，以将设置在支撑单元430上的工艺对象S加热并保持在预定温度。
磁力产生器440可以设置在腔室410中以保持工艺对象S和掩模组件500。工艺对象S可以通过磁力产生器440紧密地接触掩模组件500。例如，磁力产生器440可以在沉积工艺中将预定磁力施加至掩模组件500以将掩模组件500粘附到工艺对象S。磁力产生器440可以包括产生磁力的磁体445。磁体445可以设置在磁力产生器440中。磁体445可以是电磁体或永磁体，但是不限于此，并且可以由任何合适的磁体代替。此外，磁力产生器440的磁体445的数量不受限制。例如，磁力产生器440可以包括一个磁体445。磁力产生器440可以包括两个或更多个磁体445。
工艺对象S可以固定到支撑单元430，并且工艺对象S的一个表面可以面对沉积源420。可用于对沉积层进行图案化的掩模组件500可以设置在工艺对象S与沉积源420之间。例如，在沉积工艺中，掩模组件500可以设置在工艺对象S的一个表面上，并且磁力产生器440可以设置在工艺对象S的另一表面上。
掩模组件500可以包括框架510和掩模片520。框架510可以支撑掩模片520。掩模片520可以包括包含一个或更多个开口区域的图案。在沉积工艺中，从沉积源420喷射的沉积材料可以穿过掩模片520的开口区域，并且在掩模片520的开口区域中沉积在工艺对象S上。因此，沉积材料可以以与掩模的图案对应的图案沉积在工艺对象S上。沉积的沉积材料的图案可以具有与掩模片520的开口区域的形状和尺寸相同的形状和尺寸。下面参照图6至图12详细地提供掩模组件500的掩模工艺和结构。
图6是示意性地示出根据实施例的掩模组件的一部分的透视图，图7是示意性地示出根据实施例的掩模组件的一部分的平面图，并且图8是示意性地示出根据实施例的掩模组件的排斥力和有效厚度差之间的关系的曲线图。
参照图6和图7，根据实施例的掩模组件500(参照图5)可以包括第一掩模区域MA1和第二掩模区域MA2。与第一显示区域DA1(参照图3)中的图案对应的掩模图案形成在第一掩模区域MA1中。掩模组件500(参照图5)的第一掩模区域MA1中的掩模图案具有与沉积在第一显示区域DA1(参照图3)中的层的图案的形状和尺寸相同的形状和尺寸。与第二显示区域DA2(参照图3)中的图案对应的掩模图案形成在第二掩模区域MA2中。掩模组件500(参照图5)的第二掩模区域MA2中的掩模图案具有与沉积在第二显示区域DA2(参照图3)中的层的图案的形状和尺寸相同的形状和尺寸。掩模组件500可以包括多样的图案。例如，掩模组件500的第一掩模区域MA1中的图案可以与第二掩模区域MA2中的图案不同。
第一掩模区域MA1可以包括第一开口区域OA1。第一开口区域OA1可设置为与第一显示区域DA1(参照图3)的第一子像素Pm(参照图3)对应。第一掩模区域MA1的第一开口区域OA1可以具有与第一显示区域DA1的第一子像素Pm(参照图3)的形状和尺寸相同的形状和尺寸。例如，当掩模组件500(参照图5)设置在基底100(参照图4)上用于沉积层时，第一开口区域OA1可以与第一显示区域DA1(参照图3)的第一子像素Pm的发射区域叠置。例如，第一开口区域OA1可以与其中将要沉积第一显示区域DA1(参照图3)中的第一子像素Pm(参照图3)的第一发射层222mb(参照图4)的区域叠置。
第二掩模区域MA2可以包括第二开口区域OA2。第二开口区域OA2可设置为与第二显示区域DA2(参照图3)的第二子像素Pa(参照图3)对应。第二掩模区域MA2的第二开口区域OA2可以具有与第二显示区域DA2的第二子像素Pa(参照图3)的形状和尺寸相同的形状和尺寸。例如，当掩模组件500(参照图5)设置在基底100(参照图4)上用于沉积层时，第二开口区域OA2可以与第二显示区域DA2(参照图3)的第二子像素Pa(参照图3)的发射区域叠置。例如，第二开口区域OA2可以与其中将要沉积第二显示区域DA2(参照图3)的第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)的区域叠置。
沉积材料可以不穿过第一掩模区域MA1的其中未设置第一开口区域OA1的部分和第二掩模区域MA2的其中未设置第二开口区域OA2的部分。例如，沉积材料可以不穿过第一掩模区域MA1的不具有第一开口区域OA1的剩余部分和第二掩模区域MA2的不具有第二开口区域OA2的剩余部分。当掩模组件500(参照图5)设置在基底100(参照图4)上用于沉积层时，沉积材料可以不沉积在基底100(参照图4)的不与第一开口区域OA1或第二开口区域OA2叠置的区域中。例如，沉积材料可以不在第一掩模区域MA1的不具有第一开口区域OA1的剩余部分和第二掩模区域MA2的不具有第二开口区域OA2的剩余部分中沉积在基底100(参照图4)上。在实施例中，基底100(参照图4)的与第二掩模区域MA2的不具有第二开口区域OA2的剩余部分叠置的部分可以设置在上述透射区域TA(参照图3)中。
在实施例中，在平面图中，第二开口区域OA2的直径可以大于第一开口区域OA1的直径。因此，形成在第二显示区域DA2(参照图3)中的第二子像素Pa(参照图3)的直径或第二发射层222ab(参照图4)的直径可以大于形成在第一显示区域DA1(参照图3)中的第一子像素Pm(参照图3)的直径或第一发射层222mb(参照图4)的直径。
在实施例中，第一掩模区域MA1的第一开口区域OA1和第二掩模区域MA2的第二开口区域OA2可以以网格形状布置。在这种情况下，第二开口区域OA2中的相邻第二开口区域OA2之间的间隔可以大于第一开口区域OA1中的相邻第一开口区域OA1之间的间隔。例如，第二开口区域OA2的密度可以小于第一开口区域OA1的密度。因此，形成在第二显示区域DA2(参照图3)中的第二子像素Pa(参照图3)中的相邻第二子像素Pa之间的间隔或第二发射层222ab(参照图4)中的相邻第二发射层222ab之间的间隔可以大于形成在第一显示区域DA1(参照图3)中的第一子像素Pm中的相邻第一子像素Pm之间的间隔或第一发射层222mb(参照图4)中的相邻第一发射层222mb之间的间隔。
因此，可以确保形成在基底100(参照图4)的与第二掩模区域MA2叠置的第二显示区域DA2(参照图3)中的透射区域TA(参照图3)。例如，可以增大透射区域TA(参照图3)的尺寸。
由于第二开口区域OA2中的相邻第二开口区域OA2之间的间隔在第二掩模区域MA2中相对宽，因此第二掩模区域MA2的有效体积和有效厚度会大于第一掩模区域MA1的有效体积和有效厚度。这里，“有效体积”可以指掩模片520(参照图5)的与母材的原始体积相比的剩余体积，并且“有效体积”与母材的原始体积的比例被称为“有效比例”。“有效厚度”可以指通过基于有效体积将剩余体积转换为与母材的原始厚度相比的有效厚度而获得的计算厚度(例如，“有效厚度”可以指将母材的有效体积除以母材的原始面积而获得的计算厚度)。例如，可以通过将原始厚度乘以有效比例来简单地计算“有效厚度”，但是“有效厚度”的计算不受以上提及的方法限制，并且可以使用各种等式或经验公式来计算有效厚度。例如，掩模片520(参照图5)的有效体积和有效厚度可以随着从母材去除的被去除部分的体积增大而减小。例如，掩模片520(参照图5)的有效体积和有效厚度可以随着每单位面积的开口区域的总尺寸增大而减小。
当第二开口区域OA2中的相邻第二开口区域OA2之间的间隔大于第一开口区域OA1中的相邻第一开口区域OA1之间的间隔以便在第二显示区域DA2(参照图3)中形成透射区域TA(参照图3)时，第二掩模区域MA2中的掩模片520(参照图5)的有效体积和有效厚度会大于第一掩模区域MA1中的掩模片520的有效体积和有效厚度。当第一掩模区域MA1中的有效体积和有效厚度与第二掩模区域MA2中的有效体积和有效厚度不同时，在制造工艺中会导致缺陷。例如，当第一掩模区域MA1和第二掩模区域MA2中的有效体积和有效厚度的差增大时，磁力不会均匀地施加到掩模组件500(参照图5)，因此，会在掩模组件500(参照图5)与工艺对象S(参照图5)之间产生排斥力。排斥力会防止掩模组件500(参照图5)紧密地粘附到工艺对象S(参照图5)，因此沉积工艺的质量会劣化。
为了防止以上提及的问题，根据实施例的掩模组件500(参照图5)可以具有能够使第一掩模区域MA1中的有效体积和有效厚度与第二掩模区域MA2中的有效体积和有效厚度之间的差最小化的结构。此外，在根据实施例的掩模组件500(参照图5)中，第一掩模区域MA1的有效厚度与第二掩模区域MA2的有效厚度之间的差可以被控制在预定范围内。
图8是示出掩模组件500(参见图5)的排斥力和有效厚度差之间的关系的曲线图。在图8中，“有效厚度差”可以指第一掩模区域MA1的有效厚度与第二掩模区域MA2的有效厚度之间的差。“排斥力”可以指在沉积工艺中在掩模组件500(参照图5)与工艺对象S(参照图5)之间产生的排斥力。
参照图8，当有效厚度差超过约3μm时产生排斥力，并且所产生的排斥力的强度随着有效厚度差的增大而增大。因此，在根据实施例的掩模组件500(参照图5)中，有效厚度差(例如，第一掩模区域MA1的有效厚度与第二掩模区域MA2的有效厚度之间的差)被控制为约3μm或更小。
在下文中，参照附图提供能够减小第二掩模区域MA2中的有效体积和有效厚度的实施例。
图9是示意性地示出根据实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图。
参照图9，根据实施例的掩模组件500(参照图5)的第二掩模区域MA2可以包括第二开口区域OA2、半蚀刻区域HEA和非蚀刻区域NEA。
在实施例中，第二掩模区域MA2可以包括相对于在第二掩模区域MA2的行方向和列方向上布置的虚拟矩形VS布置的第二开口区域OA2、半蚀刻区域HEA和非蚀刻区域NEA。第二开口区域OA2的中心设置在虚拟矩形VS的顶点处。例如，相邻四个第二开口区域OA2的中心限定虚拟矩形VS中的每个。半蚀刻区域HEA的中心设置在虚拟矩形VS的中心处。非蚀刻区域NEA围绕第二开口区域OA2和半蚀刻区域HEA。这里，非蚀刻区域NEA可以设置在彼此相邻的第二开口区域OA2之间、第二开口区域OA2中的一个和与所述第二开口区域OA2相邻的半蚀刻区域HEA中的一个之间以及彼此相邻的半蚀刻区域HEA之间。
掩模片520(参照图5)可以通过蚀刻母材来制造。第二开口区域OA2、半蚀刻区域HEA和非蚀刻区域NEA可以基于蚀刻程度由掩模片520(参照图5)形成。母材的在第二开口区域OA2中的部分被完全蚀刻以形成开口。母材的在非蚀刻区域NEA中的部分未被蚀刻或以可忽略的量被蚀刻，因此母材中的全部或大部分保留在非蚀刻区域NEA中，并且母材的厚度类似于非蚀刻区域NEA中的母材的原始厚度。母材的在半蚀刻区域HEA中的部分被部分地蚀刻，并且半蚀刻区域HEA中的蚀刻量在第二开口区域OA2的蚀刻量与非蚀刻区域NEA的蚀刻量之间。半蚀刻区域HEA中的母材的剩余部分具有比母材的原始厚度小的厚度。
当掩模片520(参照图5)在第二掩模区域MA2中包括第二开口区域OA2、半蚀刻区域HEA和非蚀刻区域NEA时，第二掩模区域MA2的有效体积和有效厚度可以小于在第二掩模区域MA2中仅包括第二开口区域OA2和非蚀刻区域NEA的掩模片520的第二掩模区域MA2的有效体积和有效厚度。因此，可以减小第一掩模区域MA1的有效体积和有效厚度与第二掩模区域MA2的有效体积和有效厚度之间的差。
图10是示意性地示出根据其他实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图，图11是示意性地示出根据其他实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图，并且图12是示意性地示出根据其他实施例的掩模组件的第二掩模区域的一部分的平面图。
在下文中，附图中同样的附图标记表示同样的元件，因此，将省略关于上述内容的冗余描述，并且将主要描述与图9的不同之处。
参照图10至图12，根据实施例的掩模组件500(参照图5)的第二掩模区域MA2可以包括相对于在第二掩模区域MA2的行方向和列方向上布置的虚拟矩形VS布置的第二开口区域OA2、半蚀刻区域HEA和非蚀刻区域NEA。第二开口区域OA2的中心设置在虚拟矩形VS的顶点处。半蚀刻区域HEA的中心设置在虚拟矩形VS的中心处。非蚀刻区域NEA围绕第二开口区域OA2和半蚀刻区域HEA。这里，非蚀刻区域NEA可以设置在彼此相邻的第二开口区域OA2之间、第二开口区域OA2中的一个和与所述第二开口区域OA2相邻的半蚀刻区域HEA中的一个之间以及彼此相邻的半蚀刻区域HEA之间。
为了最小化第二掩模区域MA2的有效体积及有效厚度，可以最大化第二开口区域OA2的直径(或面积)。例如，当第二开口区域OA2的尺寸增大时，可以减小设置在第二开口区域OA2和与第二开口区域OA2相邻的半蚀刻区域HEA之间的非蚀刻区域NEA的尺寸。因此，可以通过减小设置在第二开口区域OA2与半蚀刻区域HEA之间的非蚀刻区域NEA的面积大小来增大第二掩模区域MA2的有效体积和有效厚度。
第二开口区域OA2中的每个可以包括基体部BP和从基体部BP突出的至少一个突出部。基体部BP可以包括第二开口区域OA2的中心部分和与其相邻的部分。突出部可以是从基体部BP的一侧在一个方向上突出的部分。
在实施例中，如图10中所示，第二开口区域OA2中的在行方向(例如，X轴方向)上相邻的第二开口区域OA2之间的间隔可以小于第二开口区域OA2中的在列方向(例如，Y轴方向)上相邻的第二开口区域OA2之间的间隔。例如，虚拟矩形VS的在行方向上的长度可以小于虚拟矩形VS的在列方向上的长度。虚拟矩形VS中的每个由相邻的四个第二开口区域OA2的中心限定。因此，非蚀刻区域NEA的设置在第二开口区域OA2的上侧和下侧上的部分可以大于非蚀刻区域NEA的设置在第二开口区域OA2的左侧和右侧上的部分。尽管第二开口区域OA2在第二掩模区域MA2中在上下方向上扩展，但是可以保持掩模组件500(参照图5)的结构稳定性。
因此，设置在第二开口区域OA2中的突出部可以包括从基体部BP的上侧突出的上突出部PR1和从基体部BP的下侧突出的下突出部PR2。因此，在平面图中，第二子像素Pa(参照图3)或第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)也可以具有从其每个中心部分的上侧和下侧突出的突出部。第二子像素Pa(参照图3)或第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)可以具有与具有基体部BP、上突出部PR1和下突出部PR2的第二开口区域OA2的形状和尺寸相同的形状和尺寸。
例如，当第一掩模区域MA1的有效厚度为7.18μm时，图9中所示的第二掩模区域MA2的有效厚度可以为11.22μm。然而，图10中所示的第二掩模区域MA2的有效厚度可以减小到7.99μm。因此，第一掩模区域MA1和第二掩模区域MA2中的有效厚度的差可以从4.04μm减小到0.81μm。应当理解的是，实施例不受示例的数值的限制。
在另一实施例中，如图11中所示，第二开口区域OA2中的在行方向(例如，X轴方向)上相邻的第二开口区域OA2之间间隔可以大于第二开口区域OA2中的在列方向(例如，Y轴方向)上相邻的第二开口区域OA2之间的间隔。例如，虚拟矩形VS的在行方向上的长度可以大于虚拟矩形VS的在列方向上的长度。虚拟矩形VS中的每个由相邻的四个第二开口区域OA2的中心限定。因此，非蚀刻区域NEA的设置在第二开口区域OA2的左侧和右侧上的部分可以大于非蚀刻区域NEA的设置在第二开口区域OA2的上侧和下侧上的部分。尽管第二开口区域OA2在第二掩模区域MA2中在左右方向上扩展，但是可以保持其掩模组件500(参照图5)的结构稳定性。第二开口区域OA2中的每个可以包括基体部BP和从基体部BP突出的两个突出部PR3和PR4。
因此，设置在第二开口区域OA2中的突出部PR3和PR4可以包括从基体部BP的左侧突出的左突出部PR3和从基体部BP的右侧突出的右突出部PR4。因此，在平面图中，第二子像素Pa(参照图3)或第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)也可以具有从其每个中心部分的左侧和右侧突出的两个突出部。第二子像素Pa(参照图3)或第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)可以具有与具有基体部BP、左突出部PR3和右突出部PR4的第二开口区域OA2的形状和尺寸相同的形状和尺寸。
在另一实施例中，如图12中所示，与图10和图11中所示的第二开口区域OA2中的在行方向(例如，X轴方向)和列方向(例如，Y轴方向)上相邻的第二开口区域OA2之间的间隔相比，第二开口区域OA2中的在行方向(例如，X轴方向)和列方向(例如，Y轴方向)上相邻的第二开口区域OA2之间的间隔可以足够大。因此，可以充分地增大透射区域TA(参照图3)的尺寸。第二开口区域OA2可以布置为具有在行方向和列方向上的各种间隔。第二开口区域OA2的间隔可以在行方向和列方向上具有各种关系。例如，第二开口区域OA2的在行方向上的间隔可以小于或大于第二开口区域OA2的在列方向上的间隔。此外，第二开口区域OA2的在行方向上的间隔可以与第二开口区域OA2的在列方向上的间隔相同。例如，虚拟矩形VS的在行方向上的长度可以小于或大于虚拟矩形VS的在列方向上的长度。虚拟矩形VS中的每个由相邻的四个第二开口区域OA2的中心限定。此外，虚拟矩形(虚拟正方形)VS的在行方向上的长度可以与虚拟矩形(虚拟正方形)VS的在列方向上的长度相同。尽管第二开口区域OA2在第二掩模区域MA2中在上、下、左和右方向上扩展，但是可以保持掩模组件500(参照图5)的结构稳定性。第二开口区域OA2中的每个可以包括基体部BP和从基体部BP突出的四个突出部PR1、PR2、PR3和PR4。
因此，设置在第二开口区域OA2中的突出部PR1、PR2、PR3和PR4可以包括从基体部BP的上侧突出的上突出部PR1、从基体部BP的下侧突出的下突出部PR2、从基体部BP的左侧突出的左突出部PR3以及从基体部BP的右侧突出的右突出部PR4。因此，在平面图中，第二子像素Pa(参见图3)或第二子像素Pa(参见图3)的第二发射层222ab(参见图4)也可以具有从其每个中心部分的上侧、下侧、左侧和右侧突出的四个突出部。第二子像素Pa(参照图3)或第二子像素Pa(参照图3)的第二发射层222ab(参照图4)可以具有与具有基体部BP、上突出部PR1、下突出部PR2、左突出部PR3和右突出部PR4的第二开口区域OA2的形状和尺寸相同的形状和尺寸。
尽管以上仅主要描述了掩模组件和用于制造显示装置的设备，但是实用新型和实施例不限于此。其他修改是可行的并且在实用新型的精神和范围内。例如，使用掩模组件制造显示装置的设备也将在实用新型的精神和范围内。
如上所述，可以能够实现一种掩模组件和一种用于制造显示装置的设备，该掩模组件能够通过使掩模工艺中的掩模组件和工艺对象之间的排斥力的产生最小化来防止在掩模工艺中可能发生的缺陷。然而，公开的范围不限于这些效果。
应当理解的是，这里描述的实施例应当仅以描述性意义考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.一种掩模组件，其特征在于，所述掩模组件包括：
第一掩模区域，包括第一开口区域；以及
第二掩模区域，包括：第二开口区域；半蚀刻区域；以及非蚀刻区域，围绕所述第二开口区域和所述半蚀刻区域，
其中，所述第二开口区域中的每个包括基体部和从所述基体部朝向与其相邻的第二开口区域中的至少一个突出的至少一个突出部。
2.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，所述至少一个突出部包括：
上突出部，在第一方向上从所述基体部的上侧突出；以及
下突出部，在与所述第一方向相反的方向上从所述基体部的下侧突出。
3.根据权利要求2所述的掩模组件，其特征在于，
所述第二开口区域中的每个在所述第一方向上的最大长度大于所述第二开口区域中的每个在与所述第一方向相交的第二方向上的最大长度。
4.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，所述至少一个突出部包括：
左突出部，在第二方向上从所述基体部的左侧突出；以及
右突出部，在与所述第二方向相反的方向上从所述基体部的右侧突出。
5.根据权利要求4所述的掩模组件，其特征在于，
所述第二开口区域中的每个在所述第二方向上的最大长度大于所述第二开口区域中的每个在与所述第二方向相交的第一方向上的最大长度。
6.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，所述至少一个突出部包括：
上突出部，在第一方向上从所述基体部的上侧突出；
下突出部，在与所述第一方向相反的方向上从所述基体部的下侧突出；
左突出部，在与所述第一方向相交的第二方向上从所述基体部的左侧突出；以及
右突出部，在与所述第二方向相反的方向上从所述基体部的右侧突出。
7.根据权利要求6所述的掩模组件，其特征在于，
所述第二开口区域中的每个在所述第一方向上的最大长度等于所述第二开口区域中的每个在所述第二方向上的最大长度。
8.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，所述第二掩模区域的有效厚度大于所述第一掩模区域的有效厚度。
9.根据权利要求8所述的掩模组件，其特征在于，所述第一掩模区域的所述有效厚度与所述第二掩模区域的所述有效厚度之间的差为3μm或更小。
10.根据权利要求1所述的掩模组件，其特征在于，所述第二开口区域中的相邻第二开口区域之间的间隔大于所述第一开口区域中的相邻第一开口区域之间的间隔。
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