CN113293348A - 制造显示装置的设备和方法以及制造掩模组件的方法 - Google Patents

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CN113293348A CN202110185153.8A CN202110185153A CN113293348A CN 113293348 A CN113293348 A CN 113293348A CN 202110185153 A CN202110185153 A CN 202110185153A CN 113293348 A CN113293348 A CN 113293348A
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金仁培
宋昇勇
李德重
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Abstract

本申请公开了用于制造显示装置的设备、制造掩模组件的方法和制造显示装置的方法。用于制造显示装置的设备包括：掩模组件，其中掩模组件包括：掩模框架，包括开口区域；第一掩模，被设置在掩模框架上，第一掩模包括至少一个开口；第二掩模，被设置在第一掩模上，第二掩模包括具有网格形状的网格部分和屏蔽网格部分的一部分的阻挡构件；以及第一支撑，用于将显示基板支撑在第二掩模上并且将显示基板与第二掩模分开，其中，阻挡构件与开口重叠。

Description

制造显示装置的设备和方法以及制造掩模组件的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年2月21日提交的韩国专利申请第10-2020-0021769号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用在此并入，如同本文充分阐述的那样。
技术领域
本发明的示例性实施方式一般涉及显示装置，并且更具体地，涉及用于制造显示装置的设备、制造掩模组件的方法和制造显示装置的方法。
背景技术
近年来，显示装置的用途已经多样化。另外，随着显示装置的厚度和重量已经减小，它们的用途已经扩大。
随着增加这种显示装置中的显示区域，已经开发了用于将其他装置连接或链接到显示装置的各种功能。作为在增加显示区域时用于添加各种功能的方法，已经对具有用于添加各种功能的区域的显示装置以及显示区域内的图像显示进行了研究。
作为显示装置的示例的有机发光显示装置可以包括像素电极和相对电极。可以以多种方式形成相对电极，其中一种是将沉积材料沉积在表面上。在该沉积方法中，可以通过使用公共掩模将沉积材料沉积在基板的整个表面上来形成相对电极。被提供以屏蔽公共掩模中的开口空间的屏蔽部分可以用于形成某些特征，例如用于相机和传感器等的开口。
在背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，并且因此，它可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
申请人发现，当屏蔽部分通过肋状物等固定时，由于肋状物沉积材料没有沉积在整个显示基板上。因此，必须使用另一掩模组件将沉积材料重新沉积，并且用于将沉积材料沉积在显示基板上的处理时间可能增加。
根据本发明的原理和示例性实施方式构造的用于制造显示装置的设备以及制造掩模组件和显示装置的方法能够在显示区域内部的透射区域中提供高透射率。例如，具有屏蔽部分的掩模的网格部分可以固定到没有任何支撑肋状物等的网格部分。因此，可以通过单个沉积工艺在基本上整个显示基板之上实现均匀沉积，并且可以提高制造显示装置的方法的效率。
本发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地从该描述中将变得显而易见，或者可以通过实践本发明构思来了解。
根据本发明的一方面，用于制造显示装置的设备包括：掩模组件，其中，掩模组件包括：掩模框架，包括开口区域；第一掩模，被设置在掩模框架上，第一掩模包括至少一个开口；第二掩模，被设置在第一掩模上，第二掩模包括具有网格形状的网格部分和屏蔽网格部分的一部分的阻挡构件；以及第一支撑，用于将显示基板支撑在第二掩模上，并且将显示基板与第二掩模分开，其中，阻挡构件与开口重叠。
掩模框架的厚度可以大于第一掩模的厚度或第二掩模的厚度，并且第一支撑可以将第二掩模耦接到掩模框架。
第一支撑、第二掩模和掩模框架可以彼此耦接。
第一支撑可以包括至少部分地直接耦接到掩模框架的基板支撑件。
第一支撑可以沿着掩模框架设置。
第一支撑可以包括第一基板支撑件和第二基板支撑件，其中，第一基板支撑件可以与开口区域间隔开并可以沿着掩模框架设置，并且第二基板支撑件可以与开口区域相交。
网格部分可以包括在第一方向上延伸的多条第一导线和在与第一方向相交的第二方向上延伸的多条第二导线，其中，多条第一导线和多条第二导线可以限定多个网孔，其中，阻挡构件可以完全屏蔽多个网孔中的至少一个。
阻挡构件可以包括在平面图中具有一般圆形的形状的屏蔽部分。
设备可以进一步包括：腔室，掩模组件可以布置在该腔室中；和沉积源，可以布置在腔室中，该沉积源被配置成将沉积材料供给到腔室中；其中，掩模组件可以被定向成面对沉积源，以使沉积材料穿过掩模组件到达显示基板。
根据本发明的另一方面，制造用于生产显示装置的掩模组件的方法包括以下步骤：将包括开口的第一掩模固定到包括开口区域的掩模框架；在第一掩模上布置第二掩模，第二掩模包括具有网格形状的网格部分；将第一支撑耦接在第二掩模上；以及形成屏蔽网格部分的一部分的阻挡构件。
掩模框架的厚度可以大于第一掩模的厚度或第二掩模的厚度，其中，耦接第一支撑的步骤可以包括将第一支撑、第二掩模和掩模框架彼此耦接。
耦接第一支撑的步骤可以包括通过焊接将第一支撑、第二掩模和掩模框架耦接。
第一支撑可以包括多个基板支撑件，其中，多个基板支撑件中的一个可以与开口区域相交。
阻挡构件通过电铸方法来形成。
阻挡构件可以包括通过以下方式形成的屏蔽部分：在第二掩模上形成光刻胶；将暴露掩模与第二掩模重叠以暴露光刻胶的至少一部分；以及显影光刻胶。
暴露掩模可以包括暴露开口，其中，当暴露掩模与第二掩模重叠时，可以与暴露开口重叠的光刻胶的一部分可以被暴露。
根据本发明的又一方面，制造显示装置的方法包括以下步骤：将显示基板布置在腔室内；从腔室中的沉积源将沉积材料供给到腔室中；以及通过使沉积材料穿过被布置成面对沉积源的掩模组件，将沉积材料沉积在显示基板上，其中掩模组件包括：掩模，包括具有网格形状的网格部分和屏蔽网格部分的一部分的阻挡构件；和第一支撑，用于将显示基板支撑在掩模上并且将显示基板与掩模分开。该方法进一步包括形成相对电极的步骤和重叠部件的步骤。
形成相对电极的步骤可以在显示基板上具有相对电极孔。
相对电极孔可以形成在显示基板上彼此间隔开的第一像素与第二像素之间。
重叠部件的步骤可以是与相对电极孔重叠。
应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
所附附图被包括以提供对本发明的进一步理解且被并入在本说明书中并构成本说明书的一部分，所附附图图示本发明的示例性实施方式，并且与描述一起用于解释本发明构思。
图1是根据本发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的示例性实施方式的截面图。
图2是根据本发明的原理构造的掩模组件的示例性实施方式的分解透视图。
图3是图2的掩模组件的俯视平面图。
图4是根据显示基板与第二掩模之间的间隙的相对电极沉积图案的示例性实验示例的图画表。
图5是根据本发明的原理构造的掩模组件的另一示例性实施方式的平面图。
图6、图7和图8A是图示根据本发明的原理制造掩模组件的方法的示例性实施方式的平面图。
图8B是沿着图8A的线A-A’截取的掩模组件的截面图。
图9A至图9E是掩模组件的一部分的示例性实施方式的平面图，用于图示根据本发明的原理制造屏蔽部分的方法。
图10是图示根据本发明的原理制造掩模组件的方法的示例性实施方式的平面图。
图11是使用图1的设备制造的显示装置的示例性实施方式的透视图。
图12是沿着图11的线B-B’截取的显示装置的简化截面图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本公开的各种示例性实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中使用的，“实施方式”与“实现方式”是采用本文中公开的本发明构思中的一个或多个的设备或方法的非限制性示例的可互换词。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或具有一个或多个等效布置的情况下来实践各种示例性实施方式。在其他实例中，以框图形式示出了公知的结构和设备，以避免不必要地混淆各种示例性实施方式。此外，各种示例性实施方式可以不同，但不必是排他性的。例如，在不脱离本发明构思的情况下，一个示例性实施方式的具体形状、配置和特性可以在另一示例性实施方式中加以使用或实现。
除非另有指定，否则图示的示例性实施方式应当被理解为提供本发明构思可以在实践中被实现的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另有指定，否则在不脱离本发明构思的情况下，各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文分别或统称为“元件”)可以以其他方式组合、分离、互换和/或重新布置。
在附图中交叉影线和/或阴影的使用通常被提供用以使邻近元件之间的边界清晰。因此，除非指定，否则无论是交叉影线或阴影的存在还是不存在均不传达或者指示对特定材料、材料性质、尺寸、比例、示出元件之间的共性和/或元件的任何其他特征、属性、性质等的任何偏好或需求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性目的，元件的尺寸和相对尺寸可能被夸大。当示例性实施方式可以以不同方式实现时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的工艺可以被大致上同时地执行或者以与所描述的顺序相反的顺序来执行。此外，相同的附图标记指代相同的元件。不管图号如何，相同或以基本上相同的方式起作用的那些部件具有相同的附图标记，并且省略了对其的冗余描述以避免冗余。
当诸如层、区或部件的元件被称为在另一元件、层、区或部件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层、区或部件时，该元件可以直接位于另一元件、层、区或部件上、直接连接到或耦接到另一元件、层、区或部件，或者可以存在中间元件、层、区或部件。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指使用或不使用中间元件的物理连接、电气连接和/或流体连接。此外，D1轴、D2轴和D3轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如，x轴、y轴和z轴)，而是可以以更广泛的意义解释。例如，D1轴、D2轴和D3轴可以是相互垂直的，或者可表示相互不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择出的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有的组合。
尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，以下所讨论的第一元件可以被称为第二元件。
为了描述性目的，在本文中可以使用诸如“下方”、“下面”、“之下”、“下部”、“上面”、“上部”、“之上”、“高于”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等空间相对术语，并且由此来描述如图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件随之将会被定向为在其他元件或特征“上面”。因此，示例性术语“下面”可以涵盖上方和下方两种方位。此外，装置可以被另外定向(例如，旋转90度或以其他方位)，并且因此，本文所使用的空间相对描述符应被相应地解释。
本文所使用的术语仅是用于描述特定实施方式的目的，而并不旨在进行限制。除非上下文另有明确指示，否则如本文所使用的单数形式的“一”、“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，当在此说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组，但并不排除存在或添加一个或多个其他的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。还应注意的是，如本文所使用的，术语“大致上”、“约”和其他类似的术语被用作近似的术语而不作为程度的术语，并且因此被用于包含本领域的普通技术人员公认的在测量的、计算的和/或提供的值中的固有偏差。
本文参考截面图和/或分解图来描述各种示例性实施方式，截面图和/或分解图是理想化的示例性实施方式和/或中间结构的示意图。因此，应预期到由于例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方式不应该一定被解释为限于特定示出的区域的形状，而是包括由例如制造引起的形状偏差。以此方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可能不反映设备的区域的实际形状，并且因此，不一定旨在进行限制。
除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开作为其一部分的本领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如那些在常用词典中所定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的背景中的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的意义来解释，除非本文中明确地如此定义。
图1是根据本发明的原理构造的用于制造显示装置的设备的示例性实施方式的截面图。图2是根据本发明的原理构造的掩模组件的示例性实施方式的分解透视图。图3是图2的掩模组件的俯视平面图。
参见图1至图3，用于制造显示装置的设备1000可以包括腔室1100、掩模支撑件1200、沉积源1300、压力调节器1400、磁力部分1500、视觉部分1600以及掩模组件M。
腔室1100可以具有在其中形成的空间，并且腔室1100的一侧可以被打开以允许将显示基板DS拉出或收纳。包括闸阀等的打开和关闭部分1110可以被布置在腔室1100的一部分中，以选择性地打开和关闭腔室1100。
显示基板DS可以是正在制造的显示装置。显示基板DS可以包括玻璃或聚合物树脂(比如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素等)。
掩模组件M可以被安装在掩模支撑件1200上。掩模支撑件1200可以被布置在腔室1100中。掩模支撑件1200可以精细地调节掩模组件M的位置。掩模支撑件1200可以包括驱动部分和对准部分，以移动掩模组件M。
沉积源1300可以被布置成面对掩模组件M。沉积源1300可以含有沉积材料，并且可以通过将热量施加到沉积材料来蒸发或升华沉积材料。因此，沉积源1300可以供给沉积材料。
压力调节器1400可以包括连接到腔室1100的连接管1410和被安装在连接管1410中的泵1420。取决于泵1420的操作，可以通过连接管1410引入外部空气，或者可以通过连接管1410将腔室1100内部的气体引导到外部。
在掩模组件M的基础上，磁力部分1500可以与沉积源1300相对地布置。磁力部分1500可以将磁力施加到掩模组件M，以将掩模组件M推向显示基板DS。磁力部分1500不仅可以防止掩模组件M的下垂，而且还可以允许掩模组件M靠近显示基板DS。另外，磁力部分1500可以在Z方向上均匀地保持掩模组件M与显示基板DS之间的间隙。
视觉部分1600可以被布置在腔室1100中，并且可以拍摄显示基板DS和掩模组件M的位置。视觉部分1600可以包括相机，相机拍摄显示基板DS和掩模组件M。可以基于由视觉部分1600摄取的图像来确定显示基板DS和掩模组件M的位置，并且可以基于图像精细地调节掩模组件M在掩模支撑件1200上的位置。
掩模组件M可以由掩模支撑件1200支撑。掩模组件M可以包括掩模框架MF、第一掩模M1、第二掩模M2和第一支撑，第一支撑可以是基板支撑件DSS的形式。
掩模框架MF可以包括开口区域OA。因此，沉积材料可以穿过开口区域OA。在示例性实施方式中，掩模框架MF可以包括围绕开口区域OA的多个框架。多个框架可以在X方向或Y方向上延伸。
掩模框架MF可以包括具有高硬度的金属，该金属是很少变形的材料。而且，掩模框架MF的厚度MFt可以大于第一掩模M1的厚度M1t或第二掩模M2的厚度M2t。因此，当第一掩模M1或第二掩模M2被固定时，掩模框架MF的变形可以很小。
第一掩模M1可以被布置在掩模框架MF中。在这种情况下，第一掩模M1可以一体地被安装到掩模框架MF。例如，第一掩模M1可以以张紧状态被固定到掩模框架MF。
第一掩模M1可以包括开口OP。在示例性实施方式中，第一掩模M1可以包括至少一个开口OP。开口OP可以与掩模框架MF的开口区域OA重叠。在另一示例性实施方式中，第一掩模M1可以包括多个开口OP。在这种情况下，多个开口OP可以彼此间隔开。多个开口OP可以与掩模框架MF的开口区域OA重叠。第一掩模M1可以包括不锈钢、由卢森堡的Aperam以商标名INVAR出售的64FeNi合金(在下文中被称为“INVAR合金”)、镍(Ni)、钴(Co)、Ni合金或Ni-Co合金等。
第二掩模M2可以被布置在第一掩模M1上。在这种情况下，第二掩模M2可以被布置成连接到掩模框架MF。也就是，第二掩模M2的平面尺寸可以大于第一掩模M1的平面尺寸。因此，第二掩模M2的中心部分可以与第一掩模M1的中心部分重叠，并且第二掩模M2的端部可以被布置在掩模框架MF上。第二掩模M2可以包括网格部分MP和阻挡构件，阻挡构件可以是屏蔽部分SP的形式。
网格部分MP可以具有一般网格的形状或板栅的形状。在示例性实施方式中，网格部分MP可以被布置成使得在X方向上延伸的多条第一导线W1与在与X方向相交的Y方向上延伸的多条第二导线W2相交。因此，多条第一导线W1和多条第二导线W2可以限定多个网孔MH。多条第一导线W1和多条第二导线W2可以各自包括不锈钢、INVAR合金、Ni、Co、Ni合金或Ni-Co合金等。
多个网孔MH中的每一个的形状可以变化。例如，多个网孔MH中的每一个可以具有一般矩形的形状。作为另一示例，多个网孔MH中的每一个可以具有一般平行四边形的形状或一般菱形的形状。作为另一示例，多个网孔MH中的每一个可以具有一般多边形的形状。
屏蔽部分SP可以屏蔽网格部分MP的一部分。屏蔽部分SP可以与开口OP重叠。当第一掩模M1包括多个开口OP时，也可以提供多个屏蔽部分SP。因此，多个屏蔽部分SP可以分别被布置在对应于多个开口OP中的一个的位置中。
屏蔽部分SP可以屏蔽网孔MH。在示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以完全屏蔽多个网孔MH中的至少一个，并且可以至少部分地屏蔽多个网孔MH中的另一个。在另一示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以完全屏蔽多个邻近的网孔MH。另外，屏蔽部分SP可以连接到多条第一导线W1和多条第二导线W2。因此，屏蔽部分SP可以由多条第一导线W1和多条第二导线W2稳定地支撑。
屏蔽部分SP的形状可以变化。例如，屏蔽部分SP在平面图上可以具有一般圆形的形状或一般椭圆形的形状。作为另一示例，屏蔽部分SP在平面图上可以具有一般多边形的形状。然而，在下文中，将主要详细描述屏蔽部分SP具有一般圆形的形状的情况。
屏蔽部分SP可以包括不锈钢、INVAR合金、Ni、Co、Ni合金或Ni-Co合金等。在示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以与网格部分MP包括相同的材料。在另一示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以与网格部分MP包括不同的材料。例如，网格部分MP可以包括不锈钢、INVAR合金、Ni、Co、Ni合金和Ni-Co合金中的一种，并且屏蔽部分SP可以包括不锈钢、INVAR合金、Ni、Co、Ni合金以及Ni-Co合金中的另一种。如在下文中所描述的，屏蔽部分SP可以通过电铸方法来形成。
基板支撑件DSS可以将显示基板DS支撑在第二掩模M2上。可以提供多个基板支撑件DSS。例如，多个基板支撑件DSS可以被布置在掩模框架MF上并且彼此间隔开。因此，多个基板支撑件DSS可以稳定地支撑显示基板DS。
在图示的示例性实施方式中，基板支撑件DSS可以将显示基板DS与第二掩模M2分开。在这种情况下，基板支撑件DSS的高度d可以是约600μm或更多。因此，显示基板DS与第二掩模M2之间的间隙可以是约600μm或更多。基板支撑件DSS的最大高度可以根据屏蔽部分SP的尺寸而改变。
基板支撑件DSS可以将第二掩模M2固定到掩模框架MF。因为第二掩模M2包括网格部分MP，所以即使当第二掩模M2被张紧并固定到掩模框架MF时，第二掩模M2的结合强度也可能降低。在图示的示例性实施方式中，因为第二掩模M2被布置成固定在基板支撑件DSS与掩模框架MF之间，所以第二掩模M2和掩模框架MF的结合强度可以增加。在示例性实施方式中，基板支撑件DSS、第二掩模M2和掩模框架MF可以通过焊接彼此连接。例如，在基板支撑件DSS被布置在第二掩模M2上之后，可以使基板支撑件DSS的一部分熔化。在这种情况下，基板支撑件DSS的熔化部分可以将基板支撑件DSS、第二掩模M2和掩模框架MF彼此连接。
在示例性实施方式中，基板支撑件DSS可以沿着掩模框架MF布置。例如，基板支撑件DSS可以与开口区域OA间隔开并且沿着掩模框架MF在X方向和Y方向中的至少一个上延伸。在下文中，将详细描述沿着掩模框架MF在Y方向上延伸的基板支撑件DSS。
在示例性实施方式中，基板支撑件DSS的长度可以大于第二掩模M2的宽度。例如，基板支撑件DSS在Y方向上的延伸长度可以大于第二掩模M2在Y方向上的宽度。因此，基板支撑件DSS的至少一部分可以直接连接到掩模框架MF。
基板支撑件DSS、第二掩模M2和掩模框架MF可以彼此连接。例如，基板支撑件DSS和第二掩模M2可以彼此连接，第二掩模M2和掩模框架MF可以彼此连接，并且基板支撑件DSS和掩模框架MF也可以彼此连接。在这种情况下，因为掩模框架MF、第二掩模M2和基板支撑件DSS中的一个固定了掩模框架MF、第二掩模M2和基板支撑件DSS中的另一个，所以可以确保强的结合强度。
如以上所描述的，一些示例性实施方式的掩模组件M可以包括第二掩模M2，第二掩模M2包括网格部分MP和屏蔽部分SP。因此，第二掩模M2的屏蔽部分SP可以由网格部分MP稳定地支撑。另外，屏蔽部分SP可以防止沉积材料沉积在显示基板DS上。例如，当包括相对电极孔的相对电极形成在显示基板DS上时，屏蔽部分SP可以防止形成对应于相对电极孔的相对电极的沉积材料被沉积。因此，根据示例性实施方式制造的显示装置可以在显示图像的显示区域中包括与相对电极孔对应的透射区域，并且在透射区域中可以提高光透射率。
一些示例性实施方式的掩模组件M可以支撑显示基板DS，并且可以包括将显示基板DS与第二掩模M2分开的基板支撑件DSS。与图示的示例性实施方式不同，当屏蔽部分SP由在第一掩模M1的开口OP中延伸的肋状物等固定时，并且当第二掩模M2和基板支撑件DSS被省略时，由于肋状物，沉积材料可能不能均匀地沉积在显示基板DS上。因此，在由包括肋状物的制造设备制造的显示装置中，在显示图像的显示区域中可能识别出暗线。在图示的示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以被固定到网格部分MP，并且可以提供将显示基板DS与第二掩模M2分开的基板支撑件DSS。在这种情况下，即使沉积材料被网格部分MP的第一导线W1和第二导线W2部分地屏蔽，由于阴影现象，沉积材料也可以均匀地沉积在显示基板DS中的显示图像的显示区域上。
图4是根据显示基板与第二掩模之间的间隙的相对电极沉积图案的示例性实验示例的图画表。
图3和图4示出了当第一导线W1的厚度和/或第二导线W2的厚度是约11.4μm至约29.1μm并且网孔MH的最大宽度是约56.8μm时，根据显示基板DS与第二掩模M2之间的间隙的相对电极沉积图案。
当显示基板与第二掩模M2之间的间隙是约600μm时，由于网格部分MP而导致的网格图案未被识别，并且形成相对电极的沉积材料基本上均匀地沉积在显示基板的整个表面上。在这种情况下，当相对电极是透明层或半透明层时，形成相对电极的沉积材料基本上均匀地沉积在显示基板的整个表面上。
考虑到阴影现象，屏蔽部分SP的尺寸(例如，直径)需要大于未沉积沉积材料的透射区域，并且还需要考虑屏蔽部分SP的尺寸来设置第二掩模M2与显示基板之间的最大间隙。
图5是根据本发明的原理构造的掩模组件的另一示例性实施方式的平面图。
参见图5，掩模组件M-1可以包括掩模框架MF-1、第一掩模M1-1、第二掩模M2-1和基板支撑件DSS-1。掩模框架MF-1可以包括开口区域OA-1，并且第一掩模M1-1可以被布置在掩模框架MF-1中并且包括开口(参见图2中的OP)。第二掩模M2-1可以被布置在第一掩模M1-1上，并且包括具有网格形状的网格部分MP-1和屏蔽网格部分MP-1的一部分的屏蔽部分SP-1，并且基板支撑件DSS-1可以将显示基板支撑在第二掩模M2-1上，并且将显示基板与第二掩模M2-1分开。掩模框架MF-1、第一掩模M1-1、第二掩模M2-1、网格部分MP-1和屏蔽部分SP-1与图3的掩模框架MF、第一掩模M1、第二掩模M2、网格部分MP和屏蔽部分SP基本上相同，并且因此，将省略其详细描述以避免冗余。
基板支撑件DSS-1可以将第二掩模M2-1固定到掩模框架MF-1。因为第二掩模M2-1被布置成固定在基板支撑件DSS-1与掩模框架MF-1之间，所以第二掩模M2-1和掩模框架MF-1的结合强度可以增加。
在图示的实施方式中，基板支撑件DSS-1可以包括第一基板支撑件DSSa和第二基板支撑件DSSb。在这种情况下，第一基板支撑件DSSa可以与开口区域OA-1间隔开并且沿着掩模框架MF-1布置，并且第二基板支撑件DSSb可以与开口区域OA-1相交。第二基板支撑件DSSb可以在X方向和Y方向中的至少一个上延伸以与开口区域OA-1相交。在下文中，将详细描述在Y方向上延伸的第二基板支撑件DSSb。
在示例性实施方式中，可以提供多个第一基板支撑件DSSa，并且多个第一基板支撑件DSSa可以彼此间隔开并且沿着掩模框架MF-1布置。在这种情况下，第二基板支撑件DSSb可以被布置在多个第一基板支撑件DSSa之间。因此，可以防止由于显示基板的自重导致的翘曲。
在下文中，将详细描述制造以上描述的掩模组件M的方法。
图6、图7和图8A是图示根据本发明的原理制造掩模组件的方法的示例性实施方式的平面图。图8B是沿着图8A的线A-A’截取的掩模组件的截面图。图9A至图9E是掩模组件的一部分的示例性实施方式的平面图，用于图示根据本发明的原理制造屏蔽部分的方法。图10是图示根据本发明的原理制造掩模组件的方法的示例性实施方式的平面图。在图6至图10中，与图1至图3相同的附图标记指相同的构件，并且因此，将省略重复的描述以避免冗余。
参见图6，包括开口OP的第一掩模M1可以被固定到包括开口区域(参见图8B中的OA)的掩模框架MF。在这种情况下，第一掩模M1可以被张紧并固定到掩模框架MF。
接下来，参见图7，包括具有一般网格的形状的网格部分MP的第二掩模M2可以被布置在第一掩模M1上。在示例性实施方式中，第二掩模M2可以被固定到掩模框架MF。例如，第二掩模M2可以被张紧并固定到掩模框架MF。在另一示例性实施方式中，第二掩模M2可以与基板支撑件DSS一起被固定到掩模框架MF。
接下来，参见图8A和图8B，基板支撑件DSS可以被固定在第二掩模M2上。掩模框架MF的厚度MFt可以大于第一掩模M1的厚度M1t或第二掩模M2的厚度M2t。
基板支撑件DSS可以对应于掩模框架MF被固定。在示例性实施方式中，基板支撑件DSS可以与掩模框架MF的开口区域OA间隔开并且被固定在掩模框架MF上。在另一示例性实施方式中，可以提供多个基板支撑件DSS，并且多个基板支撑件DSS中的一个可以被固定跨越掩模框架MF的开口区域OA。
在示例性实施方式中，基板支撑件DSS的长度可以大于第二掩模M2的宽度。例如，基板支撑件DSS在Y方向上的延伸长度可以大于第二掩模M2在Y方向上的宽度。因此，基板支撑件DSS的至少一部分可以直接连接到掩模框架MF。
在示例性实施方式中，基板支撑件DSS、第二掩模M2和掩模框架MF可以彼此连接。例如，基板支撑件DSS和第二掩模M2可以彼此连接，第二掩模M2和掩模框架MF可以彼此连接，并且基板支撑件DSS和掩模框架MF也可以彼此连接。在这种情况下，因为掩模框架MF、第二掩模M2和基板支撑件DSS中的一个固定了掩模框架MF、第二掩模M2和基板支撑件DSS中的另一个，所以提供了强的结合强度。
在示例性实施方式中，基板支撑件DSS、第二掩模M2和掩模框架MF可以通过焊接固定。例如，在基板支撑件DSS被布置在第二掩模M2上之后，可以使基板支撑件DSS的一部分熔化。在这种情况下，基板支撑件DSS的熔化部分可以将基板支撑件DSS、第二掩模M2和掩模框架MF彼此连接。
接下来，可以形成屏蔽网格部分MP的一部分的屏蔽部分SP。在示例性实施方式中，可以将正在制造的掩模组件M倒置。例如，第二掩模M2的上表面UM2可以从面向+Z方向改变为面向-Z方向，并且第二掩模M2的下表面DM2可以从面向-Z方向改变为面向+Z方向。
接下来，在示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以通过电铸方法来形成。电铸方法是通过使用电镀原理形成金属形状的技术。
参见图9A，首先，光刻胶PR可以形成在第二掩模M2上。光刻胶PR可以是正型光刻胶或负型光刻胶，并且第二掩模M2可以涂覆有光刻胶PR。具体地，在正型光刻胶中，在随后的显影工艺中曝光区域被蚀刻。相反，在负型光刻胶中，除了曝光区域之外的其余区域被蚀刻。在下文中，将主要详细描述光刻胶PR是正型光刻胶的情况。
可以通过比如旋涂、喷涂或浸渍的各种方法将光刻胶溶液施加到第二掩模M2来形成光刻胶PR。
另外，在光刻胶PR被涂覆在第二掩模M2上之前，可以额外地执行抛光要被光刻胶PR涂覆的第二掩模M2的顶表面的工艺。
接下来，参见图9B，暴露掩模PM可以与第二掩模M2重叠以暴露光刻胶PR的至少一部分。暴露掩模PM可以包括暴露开口PMOP，并且光刻胶PR的与暴露开口PMOP对应的一部分可以被暴露。在这种情况下，与暴露开口PMOP对应的部分可以是形成屏蔽部分的部分。
接下来，参见图9C，可以显影光刻胶PR。因此，可以去除光刻胶PR的一部分。光刻胶PR是使用正型光刻胶溶液的光刻胶，并且当执行显影工艺时，可以去除光刻胶PR的暴露区域。因此，可以形成光刻胶开口PROP。
接下来，参见图9D，可以使用电铸方法来形成屏蔽部分SP。屏蔽部分SP可以包括不锈钢、INVAR合金、Ni、Co、Ni合金或Ni-Co合金等。在示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以与网格部分MP包括相同的材料。在另一示例性实施方式中，屏蔽部分SP可以与网格部分MP包括不同的材料。例如，网格部分MP可以包括不锈钢、INVAR合金、Ni、Co、Ni合金和Ni-Co合金中的一种，并且屏蔽部分SP可以包括不锈钢、INVAR合金、Ni、Co、Ni合金和Ni-Co合金中的另一种。
接下来，参见图9E，可以去除光刻胶PR的剩余部分。因此，参见图10，可以形成包括屏蔽部分SP的掩模组件M，屏蔽部分SP屏蔽网格部分MP的一部分。
在另一示例性实施方式中，可以通过将激光照射到第二掩模M2的激光图案化方法来形成网格部分MP和屏蔽部分SP。具体地，可以通过将激光照射到与网格部分MP对应的区域并且不将激光照射到与屏蔽部分SP对应的区域来形成掩模组件M。
可以使用用于制造显示装置的设备1000来制造图11的显示装置1。首先，将详细描述由设备1000制造的显示装置1，并且然后将描述制造显示装置1的方法。
显示装置1是显示图像的装置，并且可以是可被携带的移动装置，比如游戏机、多媒体装置或微型个人计算机(PC)。稍后要描述的显示装置1可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机电致发光显示器(即，无机发光显示器)、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、量子点显示器、等离子显示器或阴极射线显示器等。在下文中，作为根据示例性实施方式的显示装置1，将描述作为示例的有机发光显示器。然而，示例性实施方式可以包括如上所描述的各种类型的显示装置1。
图11是使用图1的设备制造的显示装置的示例性实施方式的透视图。
参见图11，显示装置1可以包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。
第一区域A1可以是其中布置能够向显示装置1提供各种功能的部件的区域。例如，当部件包括使用光的传感器或相机等时，第一区域A1与可以通过其透射来自传感器的光或穿过相机传播的光的透射区域对应。
第二区域A2可以完全围绕第一区域A1。第二区域A2可以包括多个像素，例如，像素的阵列，并且第二区域A2可以通过像素的阵列显示图像。第二区域A2与能够显示图像的显示区域对应。
第三区域A3可以被布置成围绕第二区域A2。第三区域A3是其中未布置像素的非显示区域，并且各种类型的布线和内部电路可以被布置在第三区域A3中。
图11图示了第一区域A1被布置在显示装置1的右上侧上。然而，在另一示例性实施方式中，第一区域A1可以在显示装置1的宽度方向(例如，±X方向)上被布置在第二区域A2的中心部分中，或者可以被布置在第二区域A2的左上侧上。而且，第一区域A1可以在显示装置1的长度方向(例如，±Y方向)上被布置在比如上侧上、中部中或下侧上的各种位置处。
图11图示了显示装置1包括一个第一区域A1，但是在另一示例性实施方式中，显示装置1可以包括多个第一区域A1。
图12是沿着图11的线B-B’截取的显示装置的简化截面图。
参见图12，显示装置1可以包括部件COMP、基板100、缓冲层111、多个像素(即，第一像素P1和第二像素P2)以及绝缘层IL。绝缘层IL可以包括无机绝缘层IIL和平坦化层117。
部件COMP可以被布置成与第一区域A1对应。部件COMP可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是测量距离的传感器(比如，接近传感器)、识别用户的身体的一部分(例如，指纹、虹膜和面部)的传感器、输出光的小灯或者捕获图像的图像传感器(例如，相机)。使用光的电子元件可以使用各种波长带的光，比如可见光、红外光和紫外光。使用声音的电子元件可以使用超声或其他频带的声音。
在一些示例性实施方式中，部件COMP可以包括比如发光部分和光接收部分的子部件。发光部分和光接收部分可以彼此集成在一起或在物理上彼此分离，并且由发光部分和光接收部分形成的一对可以形成一个部件COMP。
基板100可以包括：包含聚合物树脂的基底层；以及包含无机绝缘材料的阻挡层。例如，基板100可以包括依次堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。第一基底层101和第二基底层103中的每一个可以包括聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)或乙酸丙酸纤维素等。第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每一个可以包括比如氧化硅、氧氮化硅和/或氮化硅的无机绝缘材料。在另一示例性实施方式中，基板100可以包括玻璃。
缓冲层111可以被布置在基板100上。缓冲层111可以减少或阻止异物、湿气或外部空气从基板100的底部渗透。缓冲层111可以包括无机材料(比如氧化物或氮化物)、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
多个像素，即，第一像素P1和第二像素P2，可以被布置在第二区域A2中。例如，第一像素P1和第二像素P2可以被布置在第二区域A2中，并且第一区域A1在第一像素P1和第二像素P2之间。第一像素P1和第二像素P2可以各自包括像素电路PC和有机发光二极管OLED。第一像素P1和第二像素P2基本上相同，并且因此将参照第一像素P1进行详细描述。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被布置在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act1、与半导体层Act1的沟道区重叠的栅电极G1以及分别连接到半导体层Act1的源区和漏区的源电极S1和漏电极D1。栅绝缘层112可以插入在半导体层Act1与栅电极G1之间，并且第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115可以被布置在栅电极G1与源电极S1之间或栅电极G1与漏电极D1之间。
存储电容器Cst可以被布置成与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以包括彼此重叠的第一电容器板CE1和第二电容器板CE2。在一些示例性实施方式中，薄膜晶体管TFT的栅电极G1可以包括存储电容器Cst的第一电容器板CE1。第一层间绝缘层113可以被布置在第一电容器板CE1与第二电容器板CE2之间。
半导体层Act1可以包括多晶硅。在一些示例性实施方式中，半导体层Act1可以包括非晶硅。在一些示例性实施方式中，半导体层Act1可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种材料的氧化物。半导体层Act1可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
栅绝缘层112可以包括比如氧化硅、氧氮化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
栅电极G1或第一电容器板CE1可以包括比如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻导电材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第一层间绝缘层113可以包括比如氧化硅、氧氮化硅或氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第二电容器板CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
第二层间绝缘层115可以包括比如氧化硅、氧氮化硅和氮化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
源电极S1或漏电极D1可以包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Nd、Ir、Cr、Ni、Ca、Mo、Ti、W和/或Cu，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。例如，源电极S1或漏电极D1可以具有钛层/铝层/钛层的三层结构。
平坦化层117可以与布置在其下方的至少一个无机绝缘层(例如，栅绝缘层112、第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层115)包括不同的材料。平坦化层117可以包括有机绝缘材料。平坦化层117可以包括有机绝缘材料，比如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)等。平坦化层117的有机绝缘材料可以是光敏有机绝缘材料。
像素电极221可以被布置在平坦化层117上。像素电极221可以通过形成在平坦化层117中的接触孔电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极221可以包括反射层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物。像素电极221可以包括：包含上述材料的反射层；以及被布置在反射层上面和/或下面的透明导电层。透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)等。在示例性实施方式中，像素电极221可以具有其中ITO层、Ag层和ITO层依次堆叠的三层结构。
像素限定层119可以被布置在像素电极221上。像素限定层119可以覆盖像素电极221的边缘并且包括与像素电极221的中心部分重叠的开口119OP。像素限定层119可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口119OP可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发射区域。
中间层222包括与像素电极221重叠的发射层222b。发射层222b可以包括有机材料。发射层222b可以包括发射某种颜色的光的聚合物有机材料或低分子有机材料。如上所描述的，可以通过使用掩模的沉积工艺来形成发射层222b。
第一功能层222a和第二功能层222c可以被布置在发射层222b的下面和/或上面。第一功能层222a可以包括单层或多层。例如，当第一功能层222a包括聚合物材料时，第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺。当第一功能层222a包括低分子材料时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二功能层222c可以是任选的。例如，当第一功能层222a和发射层222b各自包括聚合物材料时，可能期望形成第二功能层222c。第二功能层222c可以具有单层或多层。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
相对电极223可以包括具有相对低的功函的导电材料。例如，相对电极223可以包括(半)透明层，(半)透明层包括Ag、Mg、Al、Ni、Cr、Li、Ca或其合金。可替代地，相对电极223可以在包括上述材料的(半)透明层上进一步包括包含比如ITO、IZO、ZnO或In2O3的材料的层。在示例性实施方式中，相对电极223可以包括Ag和Mg。
像素电极221、中间层222和相对电极223依次堆叠的堆叠结构可以形成发光二极管，例如，有机发光二极管OLED。
封盖层224可以被布置在相对电极223上。另外，光提取层225可以被布置在封盖层224上。封盖层224和光提取层225可以是用于提高从有机发光二极管OLED发射的光的提取的层。封盖层224可包括选自三-8-羟基喹啉铝(Alq3)、ZnSe、2,5-双(6'-(2',2”-联吡啶))-1,1'-二甲基-3,4-二苯基噻咯、4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯(α-NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(TPD)和1,1'-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)中的至少一种。光提取层225可以包括选自CaF2、NaF、Na3AlF6、SiOX(X>0)、AlF3、LiF、MgF2和IF3中的至少一种。
封装层(未示出)可以被布置在相对电极223上。在示例性实施方式中，封装层可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。
至少一个无机封装层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅中的一种或多种无机材料。至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在示例性实施方式中，有机封装层可以包括丙烯酸酯。
在另一示例性实施方式中，封装层可以具有如下结构：其中基板100和作为透明构件的上基板经由密封构件彼此耦接，并且因此，基板100与上基板之间的内部空间被密封。在这种情况下，吸湿剂或填充材料等可以位于内部空间中。密封构件可以是密封剂。在另一示例性实施方式中，密封构件可以包括通过激光固化的材料。例如，密封构件可以是玻璃料。详细地，密封构件可以包括作为有机密封剂的氨基甲酸酯类树脂、环氧类树脂或丙烯酸类树脂或作为无机密封剂的硅酮。例如，氨基甲酸酯丙烯酸酯可以用作氨基甲酸酯类树脂。例如，丙烯酸丁酯或丙烯酸乙基己酯可以用作丙烯酸类树脂。密封构件可以包括通过加热固化的材料。
包括触摸电极的触摸电极层(未示出)可以位于封装层上，并且光学功能层(未示出)可以位于触摸电极层上。触摸电极层可以根据外部输入(例如，触摸事件)获得坐标信息。光学功能层可以降低从外部入射到显示装置1上的光(外部光)的反射率和/或可以增加从显示装置1发射的光的色纯度。在示例性实施方式中，光学功能层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器也可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括伸长型合成树脂膜，并且液晶涂覆型可以包括以预定布置方式布置的液晶。延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。
在另一示例性实施方式中，光学功能层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑从显示装置1的每个像素发射的光的颜色来布置滤色器。滤色器中的每一个可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。可替代地，滤色器中的每一个除了以上描述的颜料或染料之外可以进一步包括量子点。可替代地，一些滤色器可以不包括以上描述的颜料或染料，并且可以包括比如氧化钛的分散颗粒。
在另一示例性实施方式中，光学功能层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括位于不同层上的第一反射层和第二反射层。从第一反射层和第二反射层分别反射的第一反射光和第二反射光可以被相消干涉。因此，可以降低外部光的反射率。
粘合构件(未示出)可以位于触摸电极层与光学功能层之间。可以无限制地使用本领域中公知的普通粘合构件作为粘合构件。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。
在示例性实施方式中，缓冲层111、无机绝缘层IIL、平坦化层117和像素限定层119中的至少一个可以包括与第一区域A1对应的孔。在示例性实施方式中，缓冲层111的第一孔111H、无机绝缘层IIL的第二孔IILH、平坦化层117的第三孔117H以及像素限定层119的第四孔119H可以被布置成与第一区域A1对应。另外，第一孔111H至第四孔119H可以彼此重叠并且彼此连接。在另一示例性实施方式中，缓冲层111不包括孔，并且连续地被布置在第一区域A1中，并且第二孔IILH、第三孔117H和第四孔119H可以被布置成与第一区域A1对应。然而，各种修改是可能的。作为另一示例，缓冲层111、无机绝缘层IIL和平坦化层117可以连续地被布置在第一区域A1中，并且第四孔119H可以被布置在第一区域A1中。
在一些示例性实施方式中，在没有孔的情况下，缓冲层111、无机绝缘层IIL、平坦化层117和像素限定层119可以连续地被布置在第一区域A1中。
在图示的实施方式中，使用设备1000制造的显示装置1可以包括第一功能层孔222aH、第二功能层孔222cH、相对电极孔223H、封盖层孔224H和光提取层孔225H中的至少一个。例如，显示装置1可以包括第一功能层孔222aH、第二功能层孔222cH、相对电极孔223H、封盖层孔224H和光提取层孔225H。在这种情况下，第一功能层孔222aH、第二功能层孔222cH、相对电极孔223H、封盖层孔224H和光提取层孔225H中的每一个可以被布置成与第一区域A1对应。因此，可以提高部件COMP的光透射率。
在下文中，将详细描述制造包括第一功能层孔222aH、第二功能层孔222cH、相对电极孔223H、封盖层孔224H和光提取层孔225H的显示装置1的方法。具体地，将详细描述制造包括相对电极孔223H的显示装置1的方法。
参见图1至图3和图12，首先，显示基板DS可以被布置在图1的腔室1100中。具体地，显示基板DS可以被安装在基板支撑件DSS上。在这种情况下，显示基板DS可以是正在制造的显示装置，并且可以处于其中已经形成第二功能层222c的状态。
接下来，可以通过布置在腔室1100中的沉积源1300将沉积材料供给到腔室1100中。沉积材料可以是含有用作用于相对电极223的原材料的成分的气体。
随后，可以通过布置成面对沉积源1300的掩模组件M将沉积材料沉积在显示基板DS上。因此，除了显示基板DS的与屏蔽部分SP对应的一部分之外，沉积材料可以均匀地沉积在显示基板DS上。
因此，具有相对电极孔223H的相对电极223可以形成在显示基板DS上。在这种情况下，相对电极孔223H可以形成在第一像素P1与第二像素P2之间。
接下来，部件COMP可以与相对电极孔223H重叠。因为相对电极223没有连续地被布置在其中布置有部件COMP的第一区域A1中，所以可以提高进入或离开部件COMP的光的透射率。
另外，以与上述基本上相同的方式，可以改变沉积材料以形成第一功能层孔222aH、第二功能层孔222cH、封盖层孔224H和光提取层孔225H。
与示例性实施方式不同，当屏蔽部分SP由在第一掩模M1的开口OP中延伸的肋状物等固定时，并且当第二掩模M2和基板支撑件DSS被省略时，可能存在其中由于肋状物而在显示基板DS上未将沉积材料沉积的区域。在这种情况下，因为必须通过使用与掩模组件M不同的掩模组件来将沉积材料重新沉积在由于肋状物而未将沉积材料沉积的区域上，所以可能会增加用于在显示基板DS上将沉积材料沉积的处理时间。在示例性实施方式中，可以提供网格部分MP，并且可以将屏蔽部分SP固定到网格部分MP。因此，可以通过单个沉积工艺将相对电极223等均匀地沉积在显示基板DS上，并且可以提高制造显示装置的方法的效率。
根据本发明的原理和一些示例性实施方式的用于制造显示装置的设备包括：第二掩模，包括具有网格形状的网格部分和屏蔽网格部分的一部分的屏蔽部分；以及基板支撑件，用于将显示基板与第二掩模分开。以这种方式，该设备可以生产在透射区域中具有高透射率的显示装置。另外，根据一些示例性实施方式，可以提高用于制造显示装置的设备的效率和制造显示装置的方法的效率。
尽管在本文中已经描述了某些示例性实施方式和实现方式，但是根据该描述，其他实施方式和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这样的实施方式，而是限于所附权利要求的较宽范围以及对本领域普通技术人员显而易见的各种明显的修改和等效排列。

Claims (10)

1.一种用于制造显示装置的设备，所述设备包括：掩模组件，
其中，所述掩模组件包括：
掩模框架，包括开口区域；
第一掩模，被设置在所述掩模框架上，所述第一掩模包括至少一个开口；
第二掩模，被设置在所述第一掩模上，所述第二掩模包括具有网格形状的网格部分和屏蔽所述网格部分的一部分的阻挡构件；以及
第一支撑，用于将显示基板支撑在所述第二掩模上，并且将所述显示基板与所述第二掩模分开，
其中，所述阻挡构件与所述开口重叠。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述掩模框架的厚度大于所述第一掩模的厚度或所述第二掩模的厚度，
所述第一支撑将所述第二掩模耦接到所述掩模框架，并且
所述第一支撑、所述第二掩模和所述掩模框架彼此耦接。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一支撑沿着所述掩模框架设置。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一支撑包括第一基板支撑件和第二基板支撑件，
其中，所述第一基板支撑件与所述开口区域间隔开并沿着所述掩模框架设置，并且
所述第二基板支撑件与所述开口区域相交。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述网格部分包括在第一方向上延伸的多条第一导线和在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的多条第二导线，
其中，所述多条第一导线和所述多条第二导线限定多个网孔，
其中，所述阻挡构件完全屏蔽所述多个网孔中的至少一个。
6.一种制造用于生产显示装置的掩模组件的方法，所述方法包括以下步骤：
将包括开口的第一掩模固定到包括开口区域的掩模框架；
在所述第一掩模上布置第二掩模，所述第二掩模包括具有网格形状的网格部分；
将第一支撑耦接在所述第二掩模上；以及
形成屏蔽所述网格部分的一部分的阻挡构件。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述掩模框架的厚度大于所述第一掩模的厚度或所述第二掩模的厚度，
其中，耦接所述第一支撑的所述步骤包括将所述第一支撑、所述第二掩模和所述掩模框架彼此耦接。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述阻挡构件通过电铸方法来形成。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述阻挡构件包括通过以下形成的屏蔽部分：
在所述第二掩模上形成光刻胶；
将暴露掩模与所述第二掩模重叠以暴露所述光刻胶的至少一部分；以及
显影所述光刻胶。
10.一种制造显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：
将显示基板布置在腔室内；
从所述腔室中的沉积源将沉积材料供给到所述腔室中；以及
通过使所述沉积材料穿过被布置成面对所述沉积源的掩模组件，将所述沉积材料沉积在所述显示基板上，
其中，所述掩模组件包括：
掩模，包括具有网格形状的网格部分和屏蔽所述网格部分的一部分的阻挡构件；和
第一支撑，用于将所述显示基板支撑在所述掩模上并且将所述显示基板与所述掩模分开。
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