CN112825326A - 显示设备及其制造装置和方法、掩模组件及其制造方法 - Google Patents

显示设备及其制造装置和方法、掩模组件及其制造方法 Download PDF

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Abstract

提供了显示设备及其制造装置和方法、掩模组件及其制造方法，具体提供了一种显示设备、掩模组件、制造该掩模组件的方法、用于制造该显示设备的装置以及制造该显示设备的方法。本公开包括一种具有图案孔的掩模片，该图案孔具有不同的形状、不同的尺寸以及相邻图案孔之间的不同的距离中的至少一个，并且通过使用该掩模片来制造显示设备。

Description

显示设备及其制造装置和方法、掩模组件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年11月21日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0150484号韩国专利申请、于2020年4月29日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0052893号 韩国专利申请以及于2020年8月14日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0102708 号韩国专利申请的优先权和利益，这些专利申请中的每一个的公开内容通过引用整体 并入本文。
技术领域
一个或多个示例实施例的方面涉及显示设备、掩模组件、制造该掩模组件的方法、用于制造该显示设备的装置以及制造该显示设备的方法。
背景技术
移动电子设备被广泛地使用。近年来，除了诸如移动电话的小型电子设备以外，平板个人计算机(PC)作为移动电子设备已经被广泛地使用。
为了支持各种功能，这种移动电子设备通常包括用于向用户提供诸如图像或视频的视觉信息的显示设备。近年来，随着用于驱动这种显示设备的部件已经被小型化， 显示设备在电子设备中所占的面积已经逐渐增加。而且，已经开发出一种可以被弯曲 以相对于平面具有预设角度的结构。
这种显示设备包括像素，其中各个部分具有不同的分辨率。显示设备的性能可能会取决于被用来在这些像素上沉积有机材料的掩模组件的类型。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此，在本背景技术部分中所讨论的信息并不一定构成现有技术。
发明内容
一般而言，为了制造包括具有不同的分辨率的显示区域的显示设备，可以单独制造并使用与每个显示区域相对应的掩模组件。在如以上所描述地单独制造掩模组件时， 制造成本可能相对更高，并且每个掩模组件与基板之间的精确对准可能是困难的，并 且因此，可能难以制造出所需质量的显示设备。一个或多个示例实施例的方面包括具 有精确的像素图案的显示设备、具有精确图案以通过使用一个掩模组件来制造显示设 备的掩模组件、制造该掩模组件的方法、用于制造该显示设备的装置以及制造该显示 设备的方法。
另外的方面和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且将部分地从该描述中变得更显而易见，或者可以通过对本公开所呈现的示例实施例的实践来习得。
根据一个或多个示例实施例，显示设备包括：基板，包括第一显示区域和第二显示区域，第一显示区域包括透射区域，并且第二显示区域被布置为包围第一显示区域 的至少一部分；第一像素，布置在第一显示区域中，并且包括第一像素电极、第一中 间层和第一对电极；以及第二像素，布置在第二显示区域中，并且包括第二像素电极、 第二中间层和第二对电极，其中，第一中间层和第二中间层中的每一个包括在其处厚 度是恒定的分段以及在其处厚度是可变的分段，并且在其处第一中间层的厚度是可变 的分段和在其处第二中间层的厚度是可变的分段中的一个的第一长度不同于在其处第 一中间层的厚度是可变的分段和在其处第二中间层的厚度是可变的分段中的另一个的 第二长度。
根据一些示例实施例，第一长度和第二长度中的一个可以小于第一长度和第二长度中的另一个。
根据一些示例实施例，由第一显示区域提供的图像的分辨率可以不同于由第二显示区域提供的图像的分辨率。
根据一些示例实施例，显示设备可以进一步包括：部件，布置在基板的一个表面上以与第一显示区域相对应，并且包括发射或接收光的电子元件。
根据一些示例实施例，第一显示区域的透光率可以不同于第二显示区域的透光率。
根据一些示例实施例，第一中间层的平面形状的尺寸可以大于或等于第二中间层的平面形状的尺寸。
根据一个或多个示例实施例，一种掩模组件包括掩模片，其中，掩模片包括：第 一区域，包括至少一个第一图案孔；第二区域，包括至少一个第二图案孔；以及突出 部分，布置在第一图案孔的内表面或第二图案孔的内表面上，并且突出到第一图案孔 和第二图案孔中的一个中，其中，第一图案孔的内表面不同于第二图案孔的内表面。
根据一些示例实施例，突出部分可以包括：第一突出部分，从第一图案孔的内表面突出到第一图案孔中。
根据一些示例实施例，第一区域的厚度和第二区域的厚度可以彼此相等或不同。
根据一些示例实施例，在第二区域的一个表面上形成的第二图案孔的平面尺寸可以大于或等于在第一区域的从第二区域的该一个表面延伸的一个表面上形成的第一图 案孔的平面尺寸。
根据一些示例实施例，多个基准孔在第二区域的边缘处形成在掩模片中。
根据一些示例实施例，第一图案孔和第二图案孔在与掩模片的一个表面平行的平面上形状可以彼此不同。
根据一个或多个示例实施例，一种制造掩模组件的方法包括：布置第一光致抗蚀剂以在基材的第一表面上具有第一开口；布置第二光致抗蚀剂以在基材的第二表面上 具有第二开口和第三开口；通过将蚀刻溶液喷涂到第一开口中，对基材的第一表面的 一部分进行蚀刻；并且经由通过将蚀刻溶液喷涂到第二开口和第三开口中来对基材的 第二表面的一部分进行蚀刻，形成穿透基材的第一图案孔和第二图案孔。
根据一些示例实施例，第二开口的宽度可以大于第一开口的宽度。
根据一些示例实施例，在第二图案孔内部的从第二图案孔的内表面突出的突出部分可以被布置在第一图案孔内部。
根据一些示例实施例，从第一表面到突出部分的距离可以不同于从第二表面到突出部分的距离。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括：去除第一光致抗蚀剂。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括：去除第二光致抗蚀剂。
根据一个或多个示例实施例，一种制造掩模组件的方法包括：在基材的第一表面上布置第一光致抗蚀剂，该第一光致抗蚀剂具有位于基材的第一区域中的第一开口； 在基材的第二表面上布置第二光致抗蚀剂，该第二光致抗蚀剂具有与第一开口相对应 的第二开口；通过将蚀刻溶液喷涂到第一开口中，对基材的第一表面的一部分进行蚀 刻；通过将蚀刻溶液喷涂到第二开口中，形成穿透基材的第一图案孔；并且通过将激 光束照射到基材的第二表面中的与第一区域相邻的第二区域，形成穿透基材的第二图 案孔。
根据一些示例实施例，第一图案孔和第二图案孔在与第一表面或第二表面平行的平面上的形状可以彼此不同。
根据一些示例实施例，在与第一表面或第二表面平行的平面上，第一图案孔的面积和第二图案孔的面积可以彼此不同。
根据一些示例实施例，每相等面积的第一图案孔的数量和第二图案孔的数量可以彼此不同。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括：去除第一光致抗蚀剂。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括：去除第二光致抗蚀剂。
根据一些示例实施例，第二图案孔的形成可以包括：形成第二图案孔，使得第二图案孔在与基材的厚度方向垂直的方向上的宽度从第一表面到第二表面逐渐增加。
根据一些示例实施例，第二光致抗蚀剂可以进一步包括：第三开口，被形成为与整个第二区域相对应，其中，该方法进一步包括：通过将蚀刻溶液喷涂到第三开口中， 对基材的第二表面的一部分进行蚀刻。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括：通过将激光束照射到被形成为与基材的第二表面上的第三开口相对应的蚀刻表面上，形成穿透基材的第二图案孔。
根据一些示例实施例，第二光致抗蚀剂可以位于第二区域中，并且可以进一步包括彼此间隔开的至少一个第四开口，并且该方法进一步包括：通过将蚀刻溶液喷涂到 至少一个第四开口中，对基材的第二表面的一部分进行蚀刻。
根据一些示例实施例，第二图案孔的形成可以包括：通过将激光束照射到被形成为与基材的第二表面上的至少一个第四开口相对应的蚀刻表面，形成穿透基材的第二 图案孔。
根据一些示例实施例，第二光致抗蚀剂可以进一步包括：多个第五开口，位于第二区域的边缘处，并且该方法进一步包括：经由通过将蚀刻溶液喷涂到多个第五开口 中来对基材的第二表面的一部分进行蚀刻，形成至少两个基准孔。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括：在照射激光束之前，通过使用基准孔来对准基材。
根据一个或多个示例实施例，一种用于制造显示设备的装置包括：腔室；掩模组件，布置在腔室内部；以及沉积源，用于将沉积材料供给到与掩模组件相对布置的显 示基板，其中，掩模组件包括掩模片，从沉积源供给的沉积材料穿过掩模片，其中， 该掩模片包括：第一区域，包括至少一个第一图案孔；第二区域，包括至少一个第二 图案孔；以及突出部分，布置在第一图案孔和第二图案孔中的一个的内表面上，并且 突出到第一图案孔和第二图案孔中的一个中，并且第一图案孔的内表面和第二图案孔 的内表面彼此不同。
根据一些示例实施例，突出部分可以包括：第一突出部分，从第一图案孔的内表面突出到第一图案孔中。
根据一些实施例，第一区域的厚度和第二区域的厚度可以彼此相等或不同。
根据一些示例实施例，在第二区域的一个表面上形成的第二图案孔的平面尺寸可以大于或等于在第一区域的从第二区域的该一个表面延伸的一个表面上形成的第一图 案孔的平面尺寸。
根据一些示例实施例，该装置可以进一步包括：多个基准孔，位于第一区域的边缘或第二区域的边缘处。
根据一些示例实施例，掩模片的在第二图案孔周围的区域中的厚度可以小于掩模片的在第一区域中的厚度，并且掩模片的在彼此相邻的第二图案孔之间的区域中的厚 度可以等于掩模片的在第一区域中的厚度。
根据一些示例实施例，第二图案孔的沿着与掩模片的厚度方向垂直的方向上的宽度可以被形成为从掩模片的一个表面到另一表面逐渐增加。
根据一些示例实施例，第一图案孔和第二图案孔在与掩模片的一个表面平行的平面上的形状可以彼此不同。
根据一些示例实施例，第一图案孔和第二图案孔在与掩模片的一个表面平行的平面上的面积可以彼此不同。
根据一些示例实施例，每相等面积的第一图案孔的数量和第二图案孔的数量可以彼此不同。
根据一些示例实施例，在掩模片中，多个基准孔形成在第二区域的边缘处。
根据一个或多个示例实施例，一种制造显示设备的方法包括：在腔室内部布置并对准显示基板和掩模组件；并且通过使沉积材料穿过掩模组件来将沉积材料从沉积源 供给到显示基板，其中，掩模组件包括掩模片，从沉积源供给的沉积材料穿过该掩模 片，其中，该掩模片包括：第一区域，包括至少一个第一图案孔；第二区域，包括至 少一个第二图案孔；以及突出部分，布置在第一图案孔的内表面或第二图案孔的内表 面上，并且突出到第一图案孔和第二图案孔中的一个中，其中，第一图案孔的内表面 不同于第二图案孔的内表面。
根据一些示例实施例，突出部分可以包括：第一突出部分，从第一图案孔的内表面突出到第一图案孔中。
根据一些示例实施例，第一区域的厚度和第二区域的厚度可以彼此相等或不同。
根据一些示例实施例，在第二区域的一个表面上形成的第二图案孔的入口部分的平面尺寸可以大于或等于在第一区域的从第二区域的该一个表面延伸的一个表面上形 成的第一图案孔的入口部分的平面尺寸。
根据一些示例实施例，在掩模片中，多个基准孔形成在第二区域的边缘处。
根据一个或多个示例实施例，一种制造显示设备的方法包括：在显示基板的第一显示区域上形成第一中间层；并且在显示基板的第二显示区域上形成第二中间层，其 中，第一中间层和第二中间层中的每一个包括在其处其厚度是恒定的分段以及在其处 其厚度是可变的分段，并且在其处第一中间层的厚度是可变的分段和在其处第二中间 层的厚度是可变的分段中的一个的第一长度不同于在其处第一中间层的厚度是可变的 分段和在其处第二中间层的厚度是可变的分段中的另一个的第二长度。
根据一些示例实施例，第一长度和第二长度中的一个可以小于第一长度和第二长度中的另一个。
根据一些示例实施例，由第一显示区域提供的图像的分辨率可以不同于由第二显示区域提供的图像的分辨率。
根据一些示例实施例，该方法可以进一步包括：将部件放置在基板的一个表面上以与第一显示区域相对应，并且该部件包括发射或接收光的电子元件。
根据一些示例实施例，第一显示区域的透光率可以不同于第二显示区域的透光率。
根据一些示例实施例，第一中间层的平面形状的尺寸可以大于或等于第二中间层的平面形状的尺寸。
根据一些示例实施例，第一中间层的具有恒定厚度的分段的厚度和第二中间层的具有恒定厚度的分段的厚度可以彼此相等。
从以下附图、权利要求和本公开的详细描述中，除以上描述的那些之外的其它的方面、特征和特性将变得更显而易见。
该一般和特定方面可以通过使用系统、方法、计算机程序或者系统、方法和计算机程序的任何组合来实现。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述，本公开的特定示例实施例的以上以及其它的方面、特征和特性将变得更显而易见，在附图中：
图1是图示根据一些示例实施例的显示设备的透视图；
图2是简要地图示根据一些示例实施例的显示设备的截面图；
图3是示意性地图示根据一些示例实施例的显示面板的平面图；
图4和图5是根据一些示例实施例的显示面板的像素的等效电路图；
图6是示意性地图示根据一些示例实施例的像素的像素电路的布局图；
图7是沿着图6的线I-I’和线II-II’截取的图6的像素的截面图；
图8是图示根据一些示例实施例的用于制造显示设备的装置的截面图；
图9是图示图8中所示的掩模组件的透视图；
图10A和图10B是分别示意性地图示根据一些示例实施例的掩模片的一部分和掩模组件的支撑框架的平面图；
图11A是图示根据一些示例实施例的显示设备的像素布置的平面图；
图11B是图示在制造图11A中所示的第一主像素和第一辅助像素中所使用的第一掩模片的一部分的平面图；
图11C是图示在制造图11A中所示的第二主像素和第二辅助像素中所使用的第二掩模片的一部分的平面图；
图11D是图示在制造图11A中所示的第三主像素和第三辅助像素中所使用的第 三掩模片的一部分的平面图；
图12是图示根据一些示例实施例的显示设备的像素布置的平面图；
图13是图示根据一些示例实施例的显示设备的像素布置的平面图；
图14是图示根据一些示例实施例的显示设备的像素布置的平面图；
图15A至图15F是示意性地图示根据一些示例实施例的用于制造掩模片的过程的截面图；
图16A至图16F是示意性地图示根据一些示例实施例的用于制造掩模片的过程的截面图；
图17A至图17G是示意性地图示根据一些示例实施例的用于制造掩模片的过程 的截面图；
图18A至图18F是示意性地图示根据一些示例实施例的用于制造掩模片的过程的截面图；
图19是示意性地图示根据一些示例实施例的激光处理装置的截面图；
图20A至图20F是示意性地图示根据一些示例实施例的用于制造掩模片的过程的截面图；以及
图21是根据一些示例实施例的显示设备的透视图。
具体实施方式
现在将更详细地参考在附图中图示的一些示例实施例的方面，其中相同的附图标记自始至终指代相同的元件。关于这一点，本示例实施例可以具有不同的形式，并且 不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面仅通过参考附图来描述示例实 施例，以解释本说明书的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相 关所列项目的任何以及所有的组合。遍及本公开，措辞“a、b和c中的至少一个”指 示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其 变型。
由于实施例允许各种改变及诸多实施方案，因此示例实施例将在附图中被图示并且在书面描述中被更详细地描述。参考下面更详细地描述的实施例和附图，本公开的 效果和特征以及用于实现这些效果和特征的方法将是显而易见的。然而，本公开可以 以多种不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文中所阐述的示例实施例。
在下文中，将参考附图来更全面地描述本公开的示例实施例。附图中的相同附图标记指代相同的元件，并且因此，将省略其描述。
将理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以被用于描述各种部件，但 是这些部件不应受这些术语的限制。这些部件仅被用于将一个部件与另一个部件区分 开来。
如本文中所使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文 另外明确指示。
将进一步理解，本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或 部件的存在，但是不排除一个或多个其它的特征或部件的存在或添加。
将理解，在层、区或部件被称为“形成”在另一层、区或部件“上”时，该层、 区或部件可以直接或间接地形成在另一层、区或部件上。也就是说，例如，可以存在 中间层、中间区或中间部件。
为了便于说明，附图中的部件的尺寸可以被夸大。换言之，因为为了便于说明而任意地图示了附图中的元件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以从更 广泛的意义上加以解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此互 不垂直的不同的方向。
在某个实施例可以被不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行特定的处理顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时地执行或者可以以与所描述的顺序 相反的顺序来执行。
图1是根据一些示例实施例的显示设备DD的透视图。
参考图1，显示设备DD包括用于实现图像的显示区域DA和不用于实现图像的 外围区域PA。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2，第一 显示区域DA1和第二显示区域DA2彼此相邻地布置并且具有不同的分辨率。例如， 第一显示区域DA1的分辨率可以低于第二显示区域DA2的分辨率。根据一些示例实 施例，第一显示区域DA1的分辨率可以低于第二显示区域DA2的分辨率。此时，每 个显示区域的分辨率可以在显示区域中的每一个中设置，并且可以通过彼此相邻的像 素的中心之间的间隔、像素尺寸、每个显示区域的每单位面积的像素的总面积和/或每 个显示区域的每单位面积的像素数量来确定。也就是说，显示区域的具有更低的分辨 率的显示区域的彼此相邻的像素的中心之间的距离可以大于具有更高的分辨率的显示 区域的彼此相邻的像素的中心之间的距离，或者具有更低的分辨率的显示区域与具有 更高的分辨率的显示区域相比，每单位面积(或相等面积)布置的像素的数量可以更 少。可替代地，具有更低的分辨率的显示区域的每单位面积(或相等面积)的像素的 总面积可以小于另一个显示区域的每单位面积(或相等面积)的像素的总面积。为了 便于说明，现在将聚焦于其中第一显示区域DA1的分辨率低于第二显示区域DA2的 分辨率的情况来进行更详细地描述。
第一显示区域DA1的透光率可以不同于第二显示区域DA2的透光率。例如，第 一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的一个显示区域的透光率可以大于第一显示 区域DA1和第二显示区域DA2中的另一个显示区域的透光率。为了便于说明，现在 将聚焦于其中第一显示区域DA1的透光率大于第二显示区域DA2的透光率的情况来 进行更详细的描述。
如以上所描述的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以以各种形式来布置。例如，第一显示区域DA1的边界的一部分可以被布置在第二显示区域DA2内部，并 且第一显示区域DA1的边界的另一部分可以与外围区域PA相交。根据一些示例实施 例，第一显示区域DA1可以以第一显示区域DA1的边界被第二显示区域DA2包裹的 方式布置在第二显示区域DA2内部。为了便于说明，现在将聚焦于其中第一显示区域 DA1位于第二显示区域DA2内部的情况，并对该情况进行更详细的描述。
如稍后参考图2所描述的，第一显示区域DA1和/或第二显示区域DA2可以是在 其下方布置有诸如使用红外线、可见光或声音的传感器的部件的区域。为了便于说明， 现在将聚焦于其中在第一显示区域DA1中布置有部件的情况来进行更详细的描述。
多个主像素PXm被布置在第二显示区域DA2中并且可以发射光，并且主图像可 以通过这种光被提供。第一显示区域DA1可以包括从部件输出到外部的光和/或声音 或者从外部朝向部件行进的光和/或声音可以穿过其的透射区域TA。根据一些示例实 施例，在红外光透射通过第一显示区域DA1时，透光率可以是大约10％或更多，例如， 大约20％或更多、大约25％或更多、大约50％或更多、大约85％或更多或者大约90％ 或更多。
根据一些示例实施例，多个辅助像素PXa可以被布置在第一显示区域DA1中， 并且特定图像可以通过使用从多个辅助像素PXa发射的光被提供。由第一显示区域 DA1提供的图像是辅助图像，该辅助图像的分辨率低于由第二显示区域DA2提供的 图像的分辨率。也就是说，因为第一显示区域DA1具有光和/或声音可以穿过其的透 射区域TA，所以每单位面积可以布置的辅助像素PXa的数量可以小于第二显示区域 DA2中的每单位面积布置的主像素PXm的数量。根据一些示例实施例，第一显示区 域DA1的每单位面积布置的辅助像素PXa的总面积可以小于第二显示区域DA2的每 单位面积布置的主像素PXm的总面积。根据一些示例实施例，第一显示区域DA1中 的彼此相邻的辅助像素PXa的中心之间的距离可以大于第二显示区域DA2中的彼此 相邻的主像素PXm的中心之间的距离。在这种情况下，其分辨率被相互比较的辅助像 素PXa和主像素PXm可以发射相同颜色的光。
现在将描述根据一些示例实施例的显示设备DD是有机发光显示设备，但是根据本公开的实施例的显示设备DD不限于此。根据一些示例实施例，可以使用诸如无机 发光显示器和量子点发光显示器的各种类型的显示设备DD。
图1示出了第一显示区域DA1被布置在是矩形的第二显示区域DA2的一侧(右 上方)处，但是根据本公开的实施例不限于此。第二显示区域DA2可以具有例如圆形、 椭圆形或者诸如三角形或五边形等的多边形的形状，并且第一显示区域DA1的位置以 及第一显示区域DA1的数量可以以各种方式来修改。
图2是简要地图示根据一些示例实施例的显示设备DD的截面图。图2可以对应 于沿着图1中的线A-A’截取的图1的显示设备DD的截面图。
参考图2，显示设备DD可以包括包含显示元件的显示面板2和布置在显示面板 2下方并且与第一显示区域DA1相对应的部件3。
显示面板2可以包括基板100、布置在基板100上方的显示元件层200和作为用 于对显示元件层200进行密封的密封构件的薄膜封装层300。另外，显示面板2可以 进一步包括基板100下方的下保护膜175。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳 酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100 可以是柔性的、可卷起的或可弯曲的。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括 包含以上描述的聚合物树脂的层和无机层。
显示元件层200可以包括包含薄膜晶体管TFT的电路层、作为显示元件的有机发光二极管OLED以及电路层与有机发光二极管OLED之间的绝缘层IL。
包括薄膜晶体管TFT以及与薄膜晶体管TFT相连接的有机发光二极管OLED的 主像素PXm被布置在第二显示区域DA2中，包括薄膜晶体管TFT以及与薄膜晶体管 TFT相连接的有机发光二极管OLED的辅助像素PXa被布置在第一显示区域DA1中， 并且电连接到主像素PXm和辅助像素PXa的线可以被布置。
另外，其中既没有布置薄膜晶体管TFT也没有布置像素的透射区域TA可以被布 置在第一显示区域DA1中。透射区域TA可以被理解为从部件3发射的光/信号或者入 射到部件3的光/信号透射通过其的区域。
部件3可以被放置在第一显示区域DA1中。部件3可以是使用光或声音的电子 元件。例如，部件3可以是诸如红外传感器的接收并使用光的传感器、识别指纹或者 输出并感测光或声音以测量距离的传感器、输出光的小灯或者输出声音的扬声器。对 于使用光的电子元件，可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波长带的光。布 置在第一显示区域DA1中的部件3的数量可以为多个。例如，光发射器件和光接收器 件可以分别作为部件3而被一起提供在一个第一显示区域DA1中。可替代地，光发射 器件和光接收器件两者可以被提供在一个部件3中。
薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于这一点，图2图示了第一无机封装层310和第二无机封装层330以及它们之间的有机封装 层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、 氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。有机封 装层320可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚 萘甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚丙烯酸、六甲基二 硅氧烷和丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸等)，或者它们的任意组 合。
下保护膜175可以附着在基板100下方以支撑并保护基板100。下保护膜175可 以具有与第一显示区域DA1相对应的开口175OP。通过在下保护膜175中提供开口 175OP，第一显示区域DA1的透光率可以被提高。下保护膜175可以包括聚对苯二甲 酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
第一显示区域DA1的面积可以大于在其处布置有部件3的区域的面积。尽管图2 示出了第一显示区域DA1的面积与开口175OP相等，但是提供在下保护膜175中的 开口175OP的面积可以不与第一显示区域DA1的面积相对应。例如，开口175OP的 面积可以小于第一显示区域DA1的面积。
根据一些示例实施例，诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或者滤色器和黑矩阵的防反射构件以及透明窗的部件可以被进一步布置在显示面 板2上方。
同时，在本实施例中图示了薄膜封装层300被用作用于对显示元件层200进行密封的封装构件，但是根据本公开的实施例不限于此。例如，通过密封剂或玻璃料被粘 结到基板100上的密封基板可以被用作用于对显示元件层200进行密封的构件。
图3是示意性地图示根据一些示例实施例的显示面板2的平面图。
参考图3，显示面板2中包括的各种部件被布置在基板100上。基板100包括显 示区域DA以及包围该显示区域DA的外围区域PA。显示区域DA包括显示主图像的 第二显示区域DA2和在其中包括透射区域TA并且显示辅助图像的第一显示区域 DA1。
多个主像素PXm被布置在第二显示区域DA2中。主像素PXm中的每一个可以 包括诸如有机发光器件(OLED)的显示元件。多个主像素PXm中的每一个可以通过 OLED来发射例如红色光、绿色光、蓝色光或白色光。如以上所描述的，本说明书中 的主像素PXm可以被理解为发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的任何一种的像 素。第二显示区域DA2可以被以上参考图2所描述的密封构件覆盖，并且可以被保护 免受湿气或环境中的空气等的影响。
第一显示区域DA1可以在第二显示区域DA2内部，并且多个辅助像素PXa可以 在第一显示区域DA1中。多个辅助像素PXa中的每一个可以包括诸如OLED的显示 元件。多个辅助像素PXa中的每一个可以通过OLED来发射例如红色光、绿色光、蓝 色光或白色光。如以上所描述的，本说明书中的辅助像素PXa可以被理解为发射红色 光、绿色光、蓝色光和白色光中的任何一种的像素。同时，布置在辅助像素PXa之间 的透射区域TA可以被提供在第一显示区域DA1中。
因为第一显示区域DA1包括透射区域TA，所以第一显示区域DA1的分辨率可 以低于第二显示区域DA2的分辨率。例如，第一显示区域DA1的分辨率可以是第二 显示区域DA2的分辨率的大约1/2。根据一些示例实施例，第二显示区域DA2的分辨 率可以是400ppi或更多，并且第一显示区域DA1的分辨率可以是大约200ppi。
主像素PXm和辅助像素PXa可以电连接到外部电路。第一扫描驱动电路110、 第二扫描驱动电路120、端子140、数据驱动电路150、第一电源配线160和第二电源 配线170可以位于或设置在外围区域PA中。
第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL将扫描信号施加到主像素PXm和辅助 像素PXa中的每一个。第一扫描驱动电路110可以通过发射控制线EL将发射控制信 号施加到每个像素。第二扫描驱动电路120可以平行于第一扫描驱动电路110，并且 在它们之间具有显示区域DA。位于或设置在显示区域DA中的主像素PXm和辅助像 素PXa中的一些像素可以电连接到第一扫描驱动电路110，而其它的像素可以连接到 第二扫描驱动电路120。在实施例中，可以省略第二扫描驱动电路120。
端子140可以位于或设置在基板100的一侧。端子140可以通过不被绝缘层覆盖 而暴露，并且可以电连接到印刷电路板(PCB)。PCB的端子PCB-P可以电连接到显 示面板10的端子140。PCB将控制器(未示出)的信号或电力传送到显示面板10。 由控制器生成的控制信号可以通过PCB被传送到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱 动电路120。控制器可以分别向第一电源配线160和第二电源配线170供给第一电力 ELVDD和第二电力ELVSS(参见图5和图6)。第一电力ELVDD可以通过连接到 第一电源配线160的驱动电压线PL被供给到主像素PXm和辅助像素PXa中的每一个， 并且第二电力ELVSS可以被供给到主像素PXm和辅助像素PXa中的每一个的连接到 第二电源配线170的对电极。
数据驱动电路150电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过 连接到端子140的连接配线151和连接到连接配线151的数据线DL被施加到主像素 PXm和辅助像素PXa中的每一个。尽管在图3中数据驱动电路150位于或设置在PCB 上，但在实施例中，数据驱动电路150可以位于或设置在基板100上。例如，数据驱 动电路150可以位于或设置在端子140与第一电源配线160之间。
第一电源配线160可以位于或设置在第二显示区域DA2与端子140之间，并且 可以包括在x方向上彼此平行地延伸的第一子配线162和第二子配线163。第二电源 配线170可以以具有一个开口侧的环形形状部分地围绕显示区域DA。
图4和图5是根据一些示例实施例的显示面板2的像素的等效电路图。
参考图4和图5，像素PXm和PXa中的每一个包括连接到扫描线SL和数据线 DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光器件(例如，有机发光二极管) OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开 关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且被配置为根据通过扫描线SL 输入的扫描信号Sn来将通过数据线DL输入的数据信号Dm发送到驱动薄膜晶体管 T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储和从开关 薄膜晶体管T2接收到的电压与供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD(或电力电 压)之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以控制从驱 动电压线PL流向有机发光器件OLED的驱动电流，以与存储电容器Cst中存储的电 压值相对应。有机发光器件OLED通过驱动电流可以发射具有一定亮度的光。
图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器Cst，但是根据本公开的实施例不限于此。如图5中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一 个存储电容器Cst。尽管图5示出了像素电路PC包括一个存储电容器Cst，但是像素 电路PC可以包括两个或更多个存储电容器Cst。
参考图5，像素PXm和PXa中的每一个包括像素电路PC和连接到像素电路PC 的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括存储电容器Cst和多个薄膜晶体管。 薄膜晶体管和存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线 VL以及驱动电压线PL。
尽管图5示出了像素PXm和PXa连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电 压线VL以及驱动电压线PL，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些示例实施 例，信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL等中的至少 一条可以被邻近的像素共享。
信号线包括用于发送扫描信号Sn的扫描线SL、用于将前一扫描信号Sn-1发送到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7的前一扫描线SL-1、用于将发 射控制信号En发送到操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的发射控制 线EL以及与扫描线SL交叉并且发送数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL被 配置为将驱动电压ELVDD发送到驱动薄膜晶体管T1，并且初始化电压线VL被配置 为发送用于初始化驱动薄膜晶体管T1和像素电极的初始化电压Vint。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1连接到存储电容器Cst的底电极CE1，驱动 薄膜晶体管T1的驱动源电极S1经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL， 并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机 发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1根据开关薄膜晶体管T2的开关操 作来接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供给到有机发光器件OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅电极G2连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开 关源电极S2连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏电极D2连接到驱动 薄膜晶体管T1的驱动源电极S1并且通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线 PL。开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL接收到的扫描信号Sn而导通，并且执 行用于将被发送给数据线DL的数据信号Dm发送到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极 S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅电极G3连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补 偿源电极S3连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1并且经由发射控制薄膜晶体 管T6连接到有机发光器件OLED的像素电极，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏电极 D3连接到存储电容器Cst的底电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏 电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描 线SL接收到的扫描信号Sn而导通，并且将驱动栅电极G1电连接到驱动薄膜晶体管 T1的驱动漏电极D1，以二极管连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第 一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化薄膜晶体管T7的 第二初始化漏电极D7以及初始化电压线VL，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一 初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的底电极CE1、补偿薄膜晶体管T3的补偿漏 电极D3以及驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4根据通 过前一扫描线SL-1接收到的前一扫描信号Sn-1而导通，并且将初始化电压Vint发送 到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1，以初始化驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极 G1的电压。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅电极G5连接到发射控制线EL，操作控制 薄膜晶体管T5的操作控制源电极S5连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体 管T5的操作控制漏电极D5连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源电极S1和开关薄膜晶 体管T2的开关漏电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅电极G6连接到发射控制线EL，发射控制 薄膜晶体管T6的发射控制源电极S6连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏电极D1和补 偿薄膜晶体管T3的补偿源电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏电极 D6电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7和有机发光器件OLED 的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6根据通过发射控制线EL接收 到的发射控制信号En而同时导通，并且驱动电压ELVDD以驱动电流IOLED流过主要 的有机发光器件OLED的方式被发送到有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1，第 二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源电极S7连接到发射控制薄膜晶体管T6的发 射控制漏电极D6和有机发光器件OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7 的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源电极S4和 初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7根据通过前一扫描线SL-1接收到的前 一扫描信号Sn-1而导通，并且初始化有机发光器件OLED的像素电极。
在图5中，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一扫 描线SL-1，但是根据本公开的实施例不限于此。根据一些示例实施例，第一初始化薄 膜晶体管T4可以连接到前一扫描线SL-1并且可以根据前一扫描信号Sn-1而被驱动， 并且第二初始化薄膜晶体管T7可以连接到单独的信号线(例如，下一扫描线)，并 且可以根据发送到该信号线的信号而被驱动。
存储电容器Cst的上电极CE2连接到驱动电压线PL，并且有机发光器件OLED 的对电极连接到公共电压ELVSS。相应地，有机发光器件OLED可以接收来自驱动薄 膜晶体管T1的驱动电流IOLED，并且可以发射光从而显示图像。
图5示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅电极。然而，补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅电极。
图6是示意性地图示根据一些示例实施例的像素的像素电路的布局图。图7是沿着图6的线I-I’和线II-II’截取的图6的像素的截面图。
参考图6和图7，驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、 第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6以及第 二初始化薄膜晶体管T7沿着半导体层1130布置。
半导体层1130被布置在基板100上，该基板100上形成有是无机绝缘材料的缓 冲层。根据一些示例实施例，半导体层1130可以包括低温多晶硅(LTPS)。因为多 晶硅材料具有高电子迁移率(大于100cm2/Vs)，所以半导体层1130具有低能耗和优 异的可靠性，并且因此可以被用于显示设备DD的薄膜晶体管。然而，根据本公开的 实施例不限于此。根据一些示例实施例，半导体层1130可以由非晶硅(a-Si)和/或氧 化物半导体形成，并且多个薄膜晶体管的一些半导体层可以由LTPS形成，并且其它 的半导体层也可以由非晶硅(a-Si)和/或氧化物半导体形成。
半导体层1130的一些区域对应于驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿 薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜 晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层。换言之，驱动薄膜晶体管T1、 开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜 晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7可以被理解为彼此 连接并且以各种形状弯曲。
半导体层1130包括沟道区以及在沟道区的两侧上的源极区和漏极区，并且源极区和漏极区可以分别被理解为对应的薄膜晶体管的源电极和漏电极。为了方便起见， 源极区和漏极区现在将分别被称为源电极和漏电极。
驱动薄膜晶体管T1包括与驱动沟道区重叠的驱动栅电极G1，并且包括在驱动沟道区的两侧上的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道 区具有诸如Ω形状的弯曲形状，并且从而长的沟道长度可以在狭窄的空间中形成。在 驱动沟道区是长的时，栅电压的驱动范围被拓宽，并且因此，从有机发光二极管OLED 发射的光的灰度可以被更精确地控制。因此，显示质量可以被提高。
开关薄膜晶体管T2包括与开关沟道区重叠的开关栅电极G2，并且包括在开关沟道区的两侧上的开关源电极S2和开关漏电极D2。开关漏电极D2可以连接到驱动源 电极S1。
补偿薄膜晶体管T3是双薄膜晶体管，补偿薄膜晶体管T3可以包括分别与两个补偿沟道区重叠的补偿栅电极G3，并且可以包括布置在补偿源电极S3的两侧上的补偿 源电极S3和补偿漏电极D3。补偿薄膜晶体管T3可以通过将在下面稍后描述的节点 连接线1174而被连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1。
第一初始化薄膜晶体管T4是双薄膜晶体管，第一初始化薄膜晶体管T4可以包括与两个第一初始化沟道区重叠的第一初始化栅电极G4，并且可以包括布置在第一初始 化栅电极G4的两侧上的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。
操作控制薄膜晶体管T5可以包括与操作控制沟道区重叠的操作控制栅电极G5，并且可以包括布置在操作控制栅电极G5的两侧上的操作控制源电极S5和操作控制漏 电极D5。操作控制漏电极D5可以连接到驱动源电极S1。
发射控制薄膜晶体管T6可以包括与发射控制沟道区重叠的发射控制栅电极G6，并且可以包括布置在发射控制栅电极G6的两侧上的发射控制源电极S6和发射控制漏 电极D6。发射控制源电极S6可以连接到驱动漏电极D1。
第二初始化薄膜晶体管T7可以包括与第二初始化沟道区重叠的第二初始化栅电极G7，并且可以包括布置在第二初始化栅电极G7的两侧上的第二初始化源电极S7 和第二初始化漏电极D7。
以上描述的薄膜晶体管可以连接到信号线SL、SL-1、EL和DL、初始化电压线 VL以及驱动电压线PL。
扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1可以被布置在半 导体层1130上，扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱动栅电极G1与 半导体层1130之间具有一个或多个绝缘层。
扫描线SL可以沿着第一方向DR1延伸。扫描线SL的至少一个区域可以与开关 栅电极G2和补偿栅电极G3相对应。例如，扫描线SL的分别与开关薄膜晶体管T2 和补偿薄膜晶体管T3的沟道区重叠的区域可以分别是开关栅电极G2和补偿栅电极 G3。
前一扫描线SL-1沿着第一方向DR1延伸，但是一些区域可以分别与第一初始化 栅电极G4和第二初始化栅电极G7相对应。例如，前一扫描线SL-1的分别与第一初 始化驱动薄膜晶体管T4和第二初始化驱动薄膜晶体管T7的沟道区重叠的区域可以分 别是第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。
发射控制线EL沿着第一方向DR1延伸。发射控制线EL的一个或多个区域可以 分别与操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6相对应。例如，发射控制线EL的分 别与操作控制驱动薄膜晶体管T6和发射控制驱动薄膜晶体管T7的沟道区重叠的区域 可以分别是操作控制栅电极G5和发射控制栅电极G6。
驱动栅电极G1是浮置电极，驱动栅电极G1可以通过以上描述的节点连接线1174连接到补偿薄膜晶体管T3。
电极电压线HL可以被布置在扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和驱 动栅电极G1上，电极电压线HL与扫描线SL、前一扫描线SL-1、发射控制线EL和 驱动栅电极G1之间具有一个或多个绝缘层。
电极电压线HL可以沿着第一方向DR1延伸，并且与数据线DL和驱动电压线PL 交叉。电极电压线HL的一部分覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，并且可以与驱动栅 电极G1一起形成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可以是存储电容器Cst的底 电极CE1，并且电极电压线HL的一部分可以是存储电容器Cst的上电极CE2。
存储电容器Cst的上电极CE2电连接到驱动电压线PL。关于这一点，电极电压 线HL可以通过接触孔CNT被连接到布置在电极电压线HL上的驱动电压线PL。因 此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒定电压)。例如， 电极电压线HL可以具有+5V的恒定电压。电极电压线HL可以被理解为横向的驱动 电压线。
驱动电压线PL沿着第二方向DR2延伸，并且电连接到驱动电压线PL的电极电 压线HL沿着与第二方向DR2交叉的第一方向DR1延伸。因此，至少一个驱动电压 线PL和至少一个电极电压线HL可以在显示区域中形成网状结构。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以被布置 在电极电压线HL上，数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线 1174与电极电压线HL之间具有一个或多个绝缘层。
数据线DL在第二方向DR2上延伸，并且可以通过接触孔1154被连接到开关薄 膜晶体管T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以被理解为开关源电极。
驱动电压线PL在第二方向DR2上延伸，并且通过接触孔CNT被连接到电极电 压线HL，如以上所描述的。另外，驱动电压线PL可以通过接触孔1155被连接到操 作控制薄膜晶体管T5。驱动电压线PL可以通过接触孔1155被连接到操作控制漏电极 D5。
初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152被连接到第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7中的每一个，并且另一端可以通过接触孔1151被连接 到将在下面稍后描述的初始化电压线VL。
节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156被连接到补偿漏电极D3，并且另 一端可以通过接触孔1157被连接到驱动栅电极G1。
初始化电压线VL可以被布置在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173 和节点连接线1174上，初始化电压线VL与数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接 线1173和节点连接线1174之间具有一个或多个绝缘层。
初始化电压线VL在第一方向DR1上延伸。初始化电压线VL可以通过初始化连 接线1173被连接到第一初始化驱动薄膜晶体管T4和第二初始化驱动薄膜晶体管T7 中的每一个。初始化电压线VL可以具有恒定电压(例如，-2V等)。
初始化电压线VL(参见图6)被布置在与有机发光二极管OLED的像素电极210 相同的层上(在图7中)，并且可以包括与像素电极210相同的材料。像素电极210 可以连接到发射控制薄膜晶体管T6。像素电极210可以通过接触孔1163被连接到连 接金属1175，并且连接金属1175可以通过接触孔1153被连接到发射控制漏电极D6 (参见图6)。
在图6中，初始化电压线VL被布置在与像素电极210相同的层上，但是根据一 些示例实施例，初始化电压线VL可以被布置在与电极电压线HL相同的层上。
在下文中，将参考图7对根据一些示例实施例的包括在显示面板2中的部件的堆叠结构进行描述。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳 酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100 可以是柔性的、可卷起的或可弯曲的。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括 包含以上描述的聚合物树脂的层和无机层。
缓冲层111可以被布置在基板100上以减少或阻止异物、湿气或环境中的空气渗透到基板100的底部，并且可以在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括 诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有包括 无机材料或有机材料的单层结构或多层结构。在基板100与缓冲层111之间可以进一 步包括用于阻止环境中的空气的渗透的阻挡层。
多个栅电极G1和G6被分别布置在多个半导体层A1和A6上，多个栅电极G1 和G6与多个半导体层A1和A6之间具有第一栅绝缘层112。栅电极G1可以包括钼 (Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等，并且可以由单层或多层形成。例如，栅 电极G1和G6可以是Mo的单层。扫描线SL(参见图6)、前一扫描线SL-1和发射 控制线EL可以形成在与栅电极G1和G6相同的层上。也就是说，栅电极G1和G6、 扫描线SL(参见图6)、前一扫描线SL-1以及发射控制线EL可以在第一栅绝缘层 112上方。
第一栅绝缘层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、 氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO2)。
第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极G1和G6。第二栅绝缘层113可以包括SiO2、 SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
存储电容器Cst的底电极CE1可以与驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1一体 地形成。例如，驱动薄膜晶体管T1的驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的底电 极CE1。
存储电容器Cst的上电极CE2可以与底电极CE1重叠，上电极CE2与底电极CE1 之间具有第二栅绝缘层113。在这种情况下，第二栅绝缘层113可以被用作存储电容 器Cst的介质层。上电极CE2可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料，并且可 以由包括以上材料的多层或单层形成。例如，上电极CE2可以是Mo的单层或 Mo/Al/Mo的多层。
在附图中，存储电容器Cst与驱动薄膜晶体管T1重叠，但是根据本公开的实施 例不限于此。各种修改是可能的，例如，存储电容器Cst可以被布置为不与驱动薄膜 晶体管T1重叠。
上电极CE2可以用作电极电压线HL。例如，电极电压线HL的一部分可以是存 储电容器Cst的上电极CE2。
层间绝缘层115可以被提供以覆盖上电极CE2。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。图7示出了层间绝缘层115是单 层，但是根据一些示例实施例，层间绝缘层115可以以多层结构形成。
数据线DL、驱动电压线PL和连接金属1175可以被布置在层间绝缘层115上方。 数据线DL、驱动电压线PL和连接金属1175可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导 电材料，并且可以被形成为包括以上描述的材料的单层或多层。例如，数据线DL、 驱动电压线PL和连接金属1175可以以Ti/Al/Ti的多层结构形成。
存储电容器Cst的上电极CE2可以通过在层间绝缘层115中定义的接触孔CNT 被连接到驱动电压线PL。这可以意味着电极电压线HL通过接触孔CNT被连接到驱 动电压线PL。因此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒 定电压)。
连接金属1175通过接触孔1153被连接到发射控制薄膜晶体管T6的半导体层A6，接触孔1153穿过层间绝缘层115、第二栅绝缘层113和第一栅绝缘层112。发射控制 薄膜晶体管T6可以通过连接金属1175被电连接到有机发光二极管OLED的像素电极 210。
平坦化层117可以被布置在数据线DL、驱动电压线PL和连接金属1175上，并 且有机发光二极管OLED可以被布置在平坦化层117上。
平坦化层117可以具有平坦的上表面，使得像素电极210可以被形成为平坦的。 平坦化层117可以由有机材料的单层或多层来形成。平坦化层117可以包括诸如苯并 环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚(甲基丙烯酸甲 酯)(PXMMA)和聚苯乙烯(PS)的普通聚合物、包括酚基基团的聚合物衍生物、 丙烯酸类聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚聚合物、酰胺聚合物、氟基聚合物、对二甲 苯基聚合物、乙烯醇聚合物或其混合物。平坦化层117可以包括无机材料。平坦化层 117可以包括SiO2、SiNX、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。在平坦化层 117由无机材料制成时，在某些情况下，化学平坦化抛光可以被执行。同时，平坦化 层117可以包括有机材料和无机材料两者。
像素电极210可以是透明或半透明电极或反射电极。在一些示例实施例中，像素电极210可以包括反射膜以及形成在反射膜上的透明或半透明电极层，该反射膜包括 银(Ag)、镁(Mg)、铝、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、 铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物等。透明或半透明电极层可以包括从由铟锡氧化物(ITO)、 氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌 (AZO)构成的组中选择出的至少一种。在一些示例实施例中，像素电极210可以被 提供在ITO/Ag/ITO的堆叠结构中。
像素限定层119可以被布置在平坦化层117上方，并且可以具有暴露像素电极210的中心部分的开口119OP，从而限定像素的发射区域。另外，像素限定层119可以通 过增加像素电极210的边缘与像素电极210上方的对电极230之间的距离来防止或减 少在像素电极210的边缘处发生电弧等。像素限定层119可以包括诸如PI、聚酰胺、 丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和酚醛树脂的有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等来形 成。
有机发光二极管OLED的中间层220可以包括有机发射层。有机发射层可以包括 有机材料，该有机材料包括发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光的荧光材料或磷光 材料。有机发射层可以是低分子有机材料或高分子有机材料，并且诸如空穴传输层 (HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)等的功能 层可以被选择性地进一步布置在有机发射层下方和上方。中间层220可以被布置为与 至少一个像素电极210中的每一个相对应。然而，根据本公开的实施例不限于此。各 种修改是可能的，例如，中间层220可以包括在至少一个像素电极210上方的整体层。
在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中，发射相同颜色的光的至少一个中 间层220的尺寸可以彼此不同。例如，主像素PXm的至少一个中间层220之中的至少 一个层的平面上的面积可以不同于辅助像素PXa的至少一个中间层220之中的至少一 个层的平面上的面积。例如，主像素PXm的至少一个中间层220之中的至少一个层的 平面上的面积可以小于辅助像素PXa的至少一个中间层220之中的至少一个层的平面 上的面积。例如，主像素PXm的至少一个中间层220之中的HIL的平面上的面积可 以小于辅助像素PXa的至少一个中间层220之中的HIL的平面上的面积。
根据一些示例实施例，主像素PXm的至少一个中间层220之中的有机发射层的 平面上的面积可以小于辅助像素PXa的至少一个中间层220之中的有机发射层的平面 上的面积。根据一些示例实施例，主像素PXm的至少一个中间层220之中的HIL以 及有机发射层的平面上的面积可以小于辅助像素PXa的至少一个中间层220之中的 HIL以及有机发射层的平面上的面积。在这种情况下，以上关系不限于此，并且可以 被应用于像素电极210、HTL、ETL和EIL等。
另外，主像素PXm的中间层220的厚度和辅助像素PXa的中间层220的厚度在 一些分段(section)中可以为均匀的，而在其它分段中可以为可变的。例如，布置在 每个像素的像素电极210上方的中间层220可以具有恒定厚度，而布置在像素限定层 119的开口119OP的内表面上的中间层220可以不具有恒定厚度。在这种情况下，随 着距像素电极210的距离增加，布置在像素限定层119的开口119OP的内表面上的中 间层220的厚度可以减小。
根据一些示例实施例，布置在每个像素的像素电极210的一部分中的中间层220的厚度可以是恒定的，并且从在其处中间层220的厚度是恒定的部分的端部朝向中间 层220的端部，中间层220的厚度可以减小。在这种情况下，可以在从与中间层220 直接接触的像素电极210的表面或像素限定层119的表面到中间层220的与对电极230 接触的表面的垂直方向上对中间层220的厚度进行测量。为了便于说明，现在将聚焦 于其中中间层220的厚度为可变的分段仅被布置在像素限定层119的开口119OP的内 表面上的情况，并对其进行更详细的描述。
在上面的情况下，主像素PXm的中间层220的恒定厚度部分中的中间层220的 厚度可以与辅助像素PXa的中间层220的恒定厚度部分中的中间层220的厚度相同。 另外，其中主像素PXm的中间层220的厚度为可变的分段的第一长度LXm可以不同 于其中辅助像素PXa的中间层220的厚度为可变的分段的第二长度LXa。例如，第一 长度LXm和第二长度LXa中的一个可以大于第一长度LXm和第二长度LXa中的另 一个。例如，第一长度LXm可以大于第二长度LXa，或者第二长度LXa可以大于第 一长度LXm。此时，在第二显示区域DA2的分辨率高于第一显示区域DA1的分辨率 时，第一长度LXm可以大于第二长度LXa。根据一些示例实施例，在第二显示区域 DA2的分辨率低于第一显示区域DA1的分辨率时，第一长度LXm可以小于第二长度 LXa。
在这种情况下，其中每个像素的中间层220的厚度为可变的分段被缩短，并且从而可以在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的至少一个中实现清晰的图像。 例如，在第二长度LXa小于第一长度LXm时，透射区域TA可以被尽可能地确保， 并且因此，在对布置在第一显示区域DA1中的部件进行操作时，可以防止或减少故障 或者操作性能的劣化。为了便于说明，现在将聚焦于其中第二长度LXa小于第一长度 LXm的情况，并对其进行更详细的描述。
对电极230可以是透明电极或反射电极。在一些示例实施例中，对电极230可以 是透明或半透明电极，并且可以包括具有小的功函数的金属薄膜，该金属薄膜包括锂 (Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Ag、Mg及其化合物。此外，诸如ITO、 IZO、ZnO或In2O3等的透明导电氧化物(TCO)薄膜可以被进一步布置在金属薄膜上。
在像素电极210被提供为反射电极并且对电极230被提供为透光电极时，从中间层220发射的光被发射到对电极230侧，并且显示设备DD可以为前发射型。在像素 电极210被配置为透明或半透明电极并且对电极230被配置为反射电极时，从中间层 220发射的光被发射到基板100侧，并且因此显示设备DD可以为后发射型。然而， 根据本公开的实施例不限于此。本公开的实施例的显示设备DD可以是在前后两个方 向上发射光的双面发射型。
根据一些示例实施例，对电极230被布置在第二显示区域DA2的整个前表面上 方，并且边缘的一部分可以被布置在外围区域PA中。对电极230可以与布置在第二 显示区域DA2上的主像素PXm(也就是说，多个有机发光二极管OLED)一体地形 成，并且可以分别对应于多个像素电极210。
同时，对电极230也被提供在布置在第一显示区域DA1上方的辅助像素PXa中。 然而，因为第一显示区域DA1包括布置在辅助像素PXa之间的透射区域TA，所以对 电极230的一部分可以不被提供在与透射区域TA相对应的一些区域中。在前发射型 的显示设备DD中，光可以被发射到对电极230侧，但是透射率可以被对电极230部 分地降低。因此，通过在与透射区域TA相对应的区域中不具备对电极230，透射区 域TA的透射率可以被提高。此时，在第一显示区域DA1中彼此间隔开的至少一个对 电极230可以至少部分地与由单独的电桥连接的对电极230或者与该对电极230相邻 的对电极230重叠。如以上所描述的主像素PXm和辅助像素PXa中的每一个可以包 括以上所描述的像素电极210、中间层220和对电极230。根据一些示例实施例，辅助 像素PXa可以包括第一像素电极、第一中间层和第一对电极，并且主像素PXm可以 包括第二像素电极、第二中间层和第二对电极。
图8是根据一些示例实施例的用于制造显示设备DD的装置的截面图。图9是图 示图8中所示的掩模组件的透视图。
参考图8和图9，显示设备DD可以由用于制造显示设备1的装置来制造。
用于制造显示设备1的装置可以包括腔室10、掩模组件20、第一支撑部分30、 第二支撑部分40、沉积源50、磁力产生部分60、视觉部分70和压力控制部分80。
腔室10可以在其中具有空间，并且可以被部分地打开。此时，闸阀11可以被布 置为使得开口部分可以被打开和关闭。
掩模组件20可以被选择性地放置在腔室10内部。掩模组件20可以包括掩模框 架21和掩模片22。掩模片22可以在张紧状态下被固定到掩模框架21。掩模片22可 以包括至少一个第一图案孔PH1和至少一个第二图案孔PH2。第一图案孔PH1和第 二图案孔PH2可以是使沉积材料穿过掩模片22的通孔。
掩模组件20可以包括掩模框架21和掩模片22。掩模框架21通过将多个框架彼 此连接而形成，并且可以在其中包括开口。掩模框架21可以包括一个开口或者彼此分 开的多个开口。在这种情况下，掩模框架21可以被形成为诸如窗框架等的网格形状。
掩模片22可以在张紧状态下被固定到掩模框架21。掩模片22可以被提供为单个或者多个。在一个掩模片22被提供时，该掩模片22被布置在掩模框架21上，并且可 以遮蔽掩模框架21的开口。根据一些示例实施例，在掩模片22被提供为多个时，该 至少一个掩模片22还可以沿着掩模框架21的一侧(例如，X方向或Y方向)而彼此 相邻地布置，以遮蔽掩模框架21的开口。为了便于说明，现在将聚焦于其中掩模片 22被提供为多个的情况，并对其进行更详细的描述。
掩模组件20可以进一步包括用于支撑掩模片22的支撑框架23。掩模片22可以 被设置在支撑框架23上方。支撑框架23可以被布置在掩模框架21的开口中，并且可 以被提供为多个。支撑框架23可以被布置为在与掩模片22的长度方向(例如，Y方 向)平行或垂直的方向上彼此间隔开。
基板100可以被安装在第一支撑部分30上方。第一支撑部分30可以调节基板100的位置。例如，第一支撑部分30可以包括UVW台。
掩模组件20可以被安装在第二支撑部分40上。与第一支撑部分30类似，第二 支撑部分40能够调节掩模组件20的位置。
第一支撑部分30和第二支撑部分40中的至少一个可以在腔室10内部被升高和/或被降低。在这种情况下，第一支撑部分30和第二支撑部分40中的至少一个可以调 节基板100与掩模框架21之间的宽度。
可以通过储存沉积材料并且然后将沉积材料气化并升华来将沉积源50内部的沉积材料供给到腔室10。沉积源50可以包括加热器，该加热器可以通过加热沉积材料 来将沉积源50内部的沉积材料熔化或升华。在这种情况下，沉积源50可以被布置在 腔室10的中心或侧面处。
磁力产生部分60以基板100与掩模组件20紧密接触的方式而被布置在腔室10 中。此时，磁力产生部分60可以包括用于产生磁力的电磁铁或永磁铁等。
视觉部分70可以被布置在腔室10中并且捕获掩模组件20和基板100的位置的 图像。此时，视觉部分70可以捕获掩模组件20和基板100中的至少一个的对准标记 等的图像。
压力控制部分80可以连接到腔室10并且控制腔室10内部的压力。此时，压力 控制部分80可以包括连接到腔室10的连接管81和布置在连接管81中的泵82。
参考如以上所描述的用于制造显示设备1的装置的操作，基板100和掩模组件20可以通过在压力控制部分80将腔室10内部的压力维持在等于或类似于大气压力的状 态下打开闸阀11而被插入到腔室10中。此时，基板100和掩模组件20中的至少一个 可以通过腔室10外部的单独的机械臂或者插入进腔室10或从腔室10中撤出的摆梭来 移动。在这种情况下，基板100可以具有例如，如图7中所示的布置在像素限定层119 下方的层中的每一层、像素限定层119以及形成在其中的像素电极210。
在掩模框架21和基板100被分别布置在第二支撑部分40和第一支撑部分30上 之后，掩模框架21和基板100的位置可以用视觉部分70来检测并被对准。之后，使 基板100和掩模框架21彼此靠近，并且然后掩模框架21和基板100可以通过使用磁 力产生部分60而使彼此紧密接触。
在从沉积源50释放沉积材料时，该沉积材料可以通过掩模片22的第一图案孔 PH1和第二图案孔PH2被沉积在基板100上，并且从而图案被形成。此时，沉积材料 可以被沉积在基板100上，并且可以形成例如中间层220(参见图7)或者中间层220 (参见图7)之中的至少一层(例如，有机发射层和功能层中的至少一个)。
在上面的过程被完成时，基板100可以被带至腔室10外部或者被移动到腔室10 中的另一位置，并且从而另一层可以在基板100上方形成。
以上操作可以在各个层中单独执行。例如，通过穿过掩模组件20来形成像素电 极210，并且将基板100传送到另一显示设备制造装置，功能层之中的HTL和HIL中 的至少一个可以在像素电极210上方形成。有机发射层可以通过将基板100传送到另 一显示设备制造装置而在功能层上方形成，并且基板100可以被传送到另一显示设备 制造装置。因此，功能层之中的ETL和EIL可以在有机发射层上方形成。在这种情况 下，对于用于实现不同颜色的每个有机发射层，有机发射层可以通过在单独的显示设 备制造装置中使用不同的掩模组件20来在基板100上形成。
在上面的过程被完成时，对电极230和薄膜封装层300可以在另一显示设备制造装置中的功能层上方顺序地形成。
在这种情况下，像素电极210、功能层和有机发射层中的至少一个可以形成在与图9中所示的用于制造显示设备1的装置相同或类似的显示设备制造装置中的基板 100上。
图10A和图10B是分别示意性地图示根据一些示例实施例的掩模片22的一部分 和掩模组件20的支撑框架23的平面图。
首先参考图10A，掩模片22的一部分可以与支撑框架23重叠。掩模片22的图 案孔之中的位于与支撑框架23重叠的区域中的图案孔可以被支撑框架23遮蔽。也就 是说，沉积材料不能穿过布置在在其处支撑框架23与掩模片22重叠的区域中的图案 孔。因此，彼此间隔开的至少一个支撑框架23之间的区域可以被定义为沉积区域A。 沉积区域A可以根据支撑框架23的形状和布置而具有诸如多边形(诸如矩形、正方 形或三角形等)、椭圆形、圆形的形状。沉积区域A可以包括第一区域A1和第二区 域A2，第二区域A2的至少一侧在平面上被第一区域A1包围。图10A图示了第二区 域A2被提供为单个。然而，根据本公开的实施例不限于此，并且可以包括至少两个 第二区域A2。
掩模片22可以以使沉积材料在其中穿过的方式而包括第一图案孔PH1和第二图案孔PH2。第一图案孔PH1和第二图案孔PH2可以是在掩模片22的厚度方向上穿透 的孔。第一图案孔PH1可以被布置在沉积区域A的第一区域A1中，并且第二图案孔 PH2可以被布置在沉积区域A的第二区域A2中。
第一图案孔PH1和第二图案孔PH2中的每一个的形状可以是矩形或正方形，或 者可以是各种形状，例如，诸如三角形的多边形、圆形或椭圆形等。这里，第一图案 孔PH1和第二图案孔PH2中的每一个的形状可以是，例如与掩模片22的面向沉积源 50的一个表面平行的平面上的形状。在图10A中，第一图案孔PH1和第二图案孔PH2 都具有矩形形状，但不限于此。第一图案孔PH1和第二图案孔PH2的形状可以彼此不 同。
另外，第一图案孔PH1和第二图案孔PH2的面积可以彼此不同。这里，第一图 案孔PH1和第二图案孔PH2的面积可以是第一图案孔PH1和第二图案孔PH2在平面 上的形状的尺寸。例如，第一图案孔PH1在平面上的形状的尺寸(例如，第一图案孔 PH1的入口部分的平面尺寸)可以小于第二图案孔PH2在平面上的形状的尺寸(例如， 第二图案孔PH2的入口部分的平面尺寸)。在图10A中，第一图案孔PH1和第二图 案孔PH2的形状的尺寸相同，但不限于此。
至少一个第一图案孔PH1和至少一个第二图案孔PH2的每相等面积的数量(即， 密度)可以彼此不同。根据一些示例实施例，每相等面积中，至少一个第一图案孔PH1 的数量可以大于至少一个第二图案孔PH2的数量。由此，显示设备DD可以以如下方 式制造，即，显示设备DD的分别与掩模片22的第一区域A1和第二区域A2相对应 的第一显示区域DA1和第二显示区域DA2具有彼此不同的分辨率。图10A示出了四 个第二图案孔PH2被布置在第二区域A2中，但是这是示例，并且实施例不限于此。
同时，第一区域A1中的掩模片22的厚度可以不同于第二区域A2中的掩模片22 的厚度。例如，第二区域A2中的掩模片22的厚度可以小于第一区域A1中的掩模片 22的厚度，并且第二区域A2中的掩模片22的厚度可以是第一区域A1中的掩模片22 的厚度的50％、或40％、或30％、或20％或者更小。下面稍后将参考图16F来更详细 地描述这一点。
参考图10B，基准孔RH可以被另外布置在掩模片22的第二区域A2中。基准孔 RH可以是通孔。至少两个基准孔RH可以被布置在第二区域A2的拐角处。例如，在 第二区域A2具有矩形形状时，可以与第二区域A2的四个角之中的彼此成对角线布置 的两个角分别相邻地布置两个基准孔RH。可替代地，如图10B中所示，分别与第二 区域A2的四个角相邻的四个基准孔RH可以被布置。另外，在第二区域A2具有圆形 形状时，可以沿着第二区域A2的圆周在该圆周的边缘处布置至少两个基准孔RH。
如参考图19更详细地描述的，在使用激光束的处理过程中，可以利用基准孔RH 来对准掩模片22的材料(基材)。由此，可以通过将激光束照射到掩模片22的材料 上的精确位置来形成精细的图案孔。
图11A是图示根据一些示例实施例的显示设备DD的像素布置的平面图。
参考图11A，布置在第一显示区域DA1中的辅助像素PXa可以包括第一辅助像 素PXa1、第二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3。此时，第一辅助像素PXa1、第 二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3可以发射不同颜色的光。而且，第一辅助像素 PXa1、第二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3的形状以及平面上的面积可以彼此 相同或不同地形成。
布置在第二显示区域DA2中的主像素PXm可以包括第一主像素PXm1、第二主 像素PXm2和第三主像素PXm3。此时，第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第 三主像素PXm3可以发射不同颜色的光，并且第一主像素PXm1、第二主像素PXm2 和第三主像素PXm3的形状以及平面上的面积可以彼此相同或不同地形成。
第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3可以分别发射与第一 辅助像素PXa1、第二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3相同颜色的光。
如以上所描述的辅助像素PXa和主像素PXm可以具有各种形式。例如，主像素 PXm可以以S条纹类型来布置。此时，关于S条纹类型，第一主像素PXm1、第二主 像素PXm2和第三主像素PXm3中的一个可以是矩形的形式，并且第一主像素PXm1、 第二主像素PXm2和第三主像素PXm3中的另外两个可以是正方形的形式。在这种情 况下，可以与第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3中的一个相 对应地布置图11A中所示的第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3 中的其余两个。
辅助像素PXa可以以具有菱形结构的蜂窝(PenTile)类型来布置。在这种情况下，关于第一辅助像素PXa1、第二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3，可以基于第一 辅助像素PXa1、第二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3中的一个来径向地布置第 一辅助像素PXa1、第二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3中的其它两个。
在这种情况下，第一显示区域DA1的分辨率可以低于第二显示区域DA2的分辨 率。
例如，根据一些示例实施例，辅助像素PXa的平面上的面积与主像素PXm的平 面上的面积可以彼此不同，其中，辅助像素PXa和主像素Pxm发射相同颜色的光。例 如，辅助像素PXa的平面上的面积可以小于主像素PXm的平面上的面积，其中，辅 助像素PXa和主像素PXm发射相同颜色的光。
根据一些示例实施例，彼此相邻并发射相同颜色的光的主像素PXm的中心之间 的距离可以小于彼此相邻并发射相同颜色的光的辅助像素PXa的中心之间的距离。
根据一些示例实施例，布置在第一显示区域DA1的单位面积(例如，第一显示 区域DA1的1cm2)中的辅助像素PXa的数量可以小于布置在第二显示区域DA2的单 位面积(例如，第二显示区域DA2的1cm2)中的主像素PXm的数量。可替代地，每 相等面积中，辅助像素PXa的数量可以小于主像素PXm的数量，其中，辅助像素PXa 和主像素PXm被分别布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中。在这种情况 下，相应像素的数量可以是发射相同颜色的光的像素的数量。
图11B是图示在制造图11A中所示的第一主像素PXm1和第一辅助像素PXa1中 所使用的第一掩模片22-1的一部分的平面图。
参考图11A和图11B，通过使用掩模片22的第一图案孔PH1而制造的显示设备 DD的像素可以以S条纹形状来布置，并且通过使用第二图案孔PH2而制造的显示设 备DD的像素可以以菱形类型的PenTile结构来布置。
一个图案孔可以对应于显示设备DD的一个像素。例如，通过一个图案孔而沉积 在基板100上的沉积材料可以形成显示设备DD的一个像素的中间层220(参见图7)。 相应像素意味着发射不同颜色的光的发射区域，并且可以是例如红色(R)像素、绿 色(G)像素和蓝色(B)像素中的一种。
在通过图9中所示的用于制造显示设备1的装置来形成第一辅助像素PXa1和第 一主像素PXm1时，可以使用第一掩模片22-1。此时，第一掩模片22-1可以具有形成 在其中的第一-第一图案孔PH1-1和第二-第一图案孔PH2-1。已经穿过第一-第一图案 孔PH1-1和第二-第一图案孔PH2-1的沉积材料可以被沉积在基板100上，并且可以在 第一辅助像素PXa1和第一主像素PXm1中的每一个上形成诸如源电极、有机发射层 和功能层的一部分的具有恒定图案的层。
如以上所描述的第一-第一图案孔PH1-1和第二-第一图案孔PH2-1可以分别被形成为与第一辅助像素PXa1和第一主像素PXm1的尺寸和形状相对应。在这种情况下， 第一-第一图案孔PH1-1和第二-第一图案孔PH2-1可以被布置在第一掩模片22-1上， 以分别与第一辅助像素PXa1和第一主像素PXm1的位置相对应。
在这种情况下，第一-第一图案孔PH1-1和第二-第一图案孔PH2-1之间的关系可以与第一辅助像素PXa1和第一主像素PXm1之间的关系相同或相似。例如，第一掩 模片22-1的第一区域A1中的每单位面积的第一-第一图案孔PH1-1的数量可以大于第 一掩模片22-1的第二区域A2中的每单位面积的第二-第一图案孔PH2-1的数量。例如， 图11B中所示的第一区域A1和第二区域A2的面积是相同的，并且针对相等的面积， 可以在第一区域A1中布置24个第一-第一图案孔PH1-1，并且可以在第二区域A2中 布置4个第二-第一图案孔PH2-1。由此，可以制造具有带有不同的分辨率的显示区域 的显示设备DD。每相等面积的第一-第一图案孔PH1-1和第二-第一图案孔PH2-1的 数量可以根据所设计的分辨率而改变。同时，其中第二区域A2中未布置有第二-第一 图案孔PH2-1的区域可以与显示设备DD的透射区域TA相对应。
在这种情况下，彼此相邻的第一-第一图案孔PH1-1之间的第一宽度W1可以不同于彼此相邻的第二-第一图案孔PH2-1之间的第二宽度W2。在这种情况下，图案孔之 间的宽度可以被定义为彼此相邻的图案孔的中心之间的距离以及彼此相邻布置的边缘 之中的被布置在同一位置处的边缘之间的距离等。然而，现在将在假设图案孔之间的 距离意味着彼此相邻的图案孔的中心之间的距离的情况下进行更详细的描述。
在这种情况下，第一宽度W1可以小于第二宽度W2。由此，形成在显示设备DD 上的彼此相邻的第一主像素PXm1之间的宽度可以小于彼此相邻的第一辅助像素 PXa1之间的宽度。
在这种情况下，第一辅助像素PXa1和第一主像素PXm1可以发射红色光、绿色 光和蓝色光中的一种。在下文中，为了便于说明，将聚焦于其中第一辅助像素PXa1 和第一主像素PXm1发射红色光的情况，并对其进行更详细的描述。
图11C是图示在制造图11A中所示的第二主像素PXm2和第二辅助像素PXa2中 所使用的第二掩模片22-2的一部分的平面图。
参考图11A和图11C，在通过图9中所示的用于制造显示设备1的装置来形成第 二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2时，可以使用第二掩模片22-2。此时，第一-第 二图案孔PH1-2和第二-第二图案孔PH2-2可以形成在第二掩模片22-2中。已经穿过 第一-第二图案孔PH1-2和第二-第二图案孔PH2-2的沉积材料被沉积在基板100上， 并且可以在第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2中的每一个上形成诸如源电极、 有机发射层或功能层的一部分的具有恒定图案的层。
如以上所描述的第一-第二图案孔PH1-2和第二-第二图案孔PH2-2可以分别被形成为与第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2的尺寸和形状相对应。在这种情况下， 第一-第二图案孔PH1-2和第二-第二图案孔PH2-2可以被布置在第二掩模片22-2上， 以分别与第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2的位置相对应。在这种情况下，第 一-第二图案孔PH1-2和第二-第二图案孔PH2-2之间的关系可以与图11B中所示的第 一-第一第一图案孔PH1-1和第二-第一图案孔PH2-1之间的关系相同或相似。另外， 第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2之间的关系可以与以上描述的第一辅助像素 PXa1和第一主像素PXm1之间的关系相同或相似。
在这种情况下，第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2可以发射红色光、绿色 光和蓝色光中的一种。在下文中，为了便于说明，将聚焦于其中第二辅助像素PXa2 和第二主像素PXm2发射绿色光的情况，并对其进行更详细的描述。
图11D是图示在制造图11A中所示的第三主像素PXm3和第三辅助像素PXa3中 所使用的第三掩模片22-3的一部分的平面图。
参考图11A和图11D，在通过图9中所示的用于制造显示设备1的装置来形成第 三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3时，可以使用第三掩模片22-3。此时，第三掩 模片22-3可以具有形成在其中的第一-第三图案孔PH1-3和第二-第三图案孔PH2-3。 已经穿过第一-第三图案孔PH1-3和第二-第三图案孔PH2-3的沉积材料被沉积在基板 100上，并且可以在与第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3中相对应的位置处形成 诸如源电极、有机发射层或功能层的一部分的具有恒定图案的层。
如以上所描述的第一-第三图案孔PH1-3和第二-第三图案孔PH2-3可以分别被形成为与第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3的尺寸和形状相对应。在这种情况下， 第一-第三图案孔PH1-3和第二-第三图案孔PH2-3可以被布置在第三掩模片22-3上， 以分别与第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3的位置相对应。在这种情况下，第 一-第三图案孔PH1-3和第二-第三图案孔PH2-3可以具有不同的形状。在这种情况下， 第二-第三图案孔PH2-3的尺寸可以小于第一-第三图案孔PH1-3的尺寸。每单位面积 的第一-第三图案孔PH1-3的数量可以大于每单位面积的第二-第三图案孔PH2-3的数 量，并且彼此相邻的第二-第三图案孔PH2-3之间的距离可以大于彼此相邻的第一-第 三图案孔PH1-3之间的距离。此时，第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3之间的 关系可以与以上描述的第一-第三图案孔PH1-3和第二-第三图案孔PH2-3之间的关系 相同或相似。
在这种情况下，第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3可以发射红色光、绿色 光和蓝色光中的一种。在下文中，为了便于说明，将聚焦于其中第三辅助像素PXa3 和第三主像素PXm3发射蓝色光的情况，并对其进行更详细的描述。
另一方面，在形成像素电极或以图案形式来形成功能层的所有像素共用的层时，可以使用图11B至图11D中所示的掩模片，或者根据一些示例实施例，可以使用一个 掩模片。在通过使用一个掩模片来形成所有像素共用的层时，可以使用其中形成有第 一图案孔PH1和第二图案孔PH2的掩模片22，以对应于如图11A中所图示的所有像 素。在这种情况下，图11B至图11D的图案孔可以以使图案孔彼此互不重叠的方式布 置在一个掩模片上。
图12是图示根据一些示例实施例的显示设备DD的像素布置的平面图。
参考图12，主像素PXm可以是六边形结构，并且辅助像素PXa可以是S条纹结 构。此时，在六边形结构中，第一主像素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3 可以在平面上具有六边形形状，并且可以以规则的间隔来布置。另外，第一辅助像素 PXa1、第二辅助像素PXa2和第三辅助像素PXa3可以以与图11A中所示的第一主像 素PXm1、第二主像素PXm2和第三主像素PXm3相同的形式来布置。然而，在这种 情况下，彼此相邻的第一辅助像素PXa1之间的距离、彼此相邻的第二辅助像素PXa2 之间的距离以及彼此相邻的第三辅助像素PXa3之间的距离可以分别不同于彼此相邻 的第一主像素PXm1之间的距离、彼此相邻的第二主像素PXm2之间的距离以及彼此 相邻的第三主像素PXm3之间的距离。
如以上所描述的辅助像素PXa和主像素PXm中的每一个可以通过具有与图11B 至图11D中所示的形状类似的形状的掩模片来制造。也就是说，图11B至图11D中 所示的图案孔中的每一个可以被形成为与图12中所示的辅助像素PXa和主像素PXm 相对应。在这种情况下，可以在基板上同时形成第一辅助像素PXa1和第一主像素 PXm1，并且可以在基板上同时形成第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2。另外， 可以在基板上同时形成第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3。
图13是图示根据一些示例实施例的显示设备DD的像素布置的平面图。
参考图13，辅助像素PXa可以以条纹形状来布置，并且主像素PXm可以在平面 上具有圆形形状并且以PenTile结构来布置。此时，第一辅助像素PXa1、第二辅助像 素PXa2和第三辅助像素PXa3的平面形状可以是线性的。此外，第一主像素PXm1、 第二主像素PXm2和第三主像素PXm3的平面形状可以是圆形的。
在这种情况下，在相同面积或每单位面积中，布置在第一显示区域DA1中的第 一辅助像素PXal的面积可以小于布置在第二显示区域DA2中的第一主像素PXm1的 面积。在相同面积或每单位面积中，布置在第一显示区域DA1中的第二辅助像素PXa2 的面积可以小于布置在第二显示区域DA2中的第二主像素PXm2的面积。在相同面积 或每单位面积中，布置在第一显示区域DA1中的第三辅助像素PXa3的面积可以小于 布置在第二显示区域DA2中的第三主像素PXm3的面积。
如以上所描述的辅助像素PXa和主像素PXm可以通过具有与图11B至图11D中 所示的形状中的每一个类似的形状的掩模片来制造。也就是说，图11B至图11D中所 示的图案孔中的每一个可以被形成为与图12中所示的辅助像素PXa和主像素PXm相 对应。在这种情况下，可以在基板上同时形成第一辅助像素PXa1和第一主像素PXm1， 并且可以在基板上同时形成第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2。另外，可以在基 板上同时形成第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3。
图14是图示根据一些示例实施例的显示设备DD的像素布置的平面图。
参考图14，辅助像素PXa和主像素PXm中的每一个可以被形成为菱形形状并且 以PenTile结构来布置。在这种情况下，辅助像素PXa的平面上的面积和主像素PXm 的平面上的面积可以彼此不同，其中，辅助像素PXa和主像素Pxm发射相同颜色的光。 例如，主像素PXm的平面上的面积可以小于辅助像素PXa的平面上的面积，其中， 辅助像素PXa和主像素Pxm发射相同颜色的光。例如，第一主像素PXm1的平面上 的面积可以小于第一辅助像素PXa1的平面上的面积，第二主像素PXm2的平面上的 面积可以小于第二辅助像素PXa2的平面上的面积，并且第三主像素PXm3的平面上 的面积可以小于第三辅助像素PXa3的平面上的面积。在上面的情况下，相同颜色的 光被发射，并且每单位面积，主像素PXm的数量可以大于辅助像素PXa的数量。根 据一些示例实施例，单位面积中包括的主像素PXm的总面积可以大于单位面积中包括 的辅助像素PXa的总面积，其中，主像素PXm和辅助像素PXa发射相同颜色的光。 可替代地，彼此相邻并发射相同颜色的光的辅助像素PXa之间的距离可以大于彼此相 邻并发射相同颜色的光的主像素PXm之间的距离。在这种情况下，第一显示区域DA1 的分辨率可以低于第二显示区域DA2的分辨率。在第一显示区域DA1的分辨率大于 第二显示区域DA2的分辨率时，以上描述的主像素PXm与辅助像素PXa之间的关系 可以被反转。
如以上所描述的辅助像素PXa和主像素PXm中的每一个可以通过具有与图11B 至图11D中所示的形状类似的形状的掩模片来制造。也就是说，图11B至图11D中 所示的图案孔可以被形成为与图12中所示的辅助像素PXa和主像素PXm中的每一个 相对应。在这种情况下，可以在基板上同时形成第一辅助像素PXa1和第一主像素 PXm1，并且可以在基板上同时形成第二辅助像素PXa2和第二主像素PXm2。另外， 可以在基板上同时形成第三辅助像素PXa3和第三主像素PXm3。
主像素PXm的形状和像素布置以及辅助像素PXa的形状和像素布置不限于以上 情况。例如，每个像素可以具有S条纹形状，并且具有矩形形状的像素可以被布置在 X方向上。根据一些示例实施例，相应像素中的全部都可以具有条纹形式也是可能的。
在上面的情况下，主像素PXm和辅助像素PXa的形状和像素布置不限于以上情 况，并且可以包括允许第一显示区域DA1具有与第二显示区域DA2的分辨率不同的 分辨率的任何形状和像素布置。
图15A至图15F是示意性地图示根据一些示例实施例的掩模片22的制造过程的 截面图。
参考图15A，可以准备基材M以制造掩模片22。基材M可以处于通过抛光处理 或洗涤处理等去除了吸附在每个表面上的异物的状态下。基材M可以是薄板，并且可 以包括不锈钢、殷钢、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍钴合金等。
在准备好基材M之后，第一光致抗蚀剂PR1和第二光致抗蚀剂PR2可以分别被 布置在基材M的第一表面M1和第二表面M2上。此时，第一光致抗蚀剂PR1和第二 光致抗蚀剂PR2可以被顺序地放置在基材M上或者被同时地放置在基材M上。
此后，可以通过对第一区域A1的第一光致抗蚀剂PR1进行曝光并执行显影处理 来形成第一开口OP1，并且可以通过对第一区域A1的第二光致抗蚀剂PR2进行曝光 并显影来形成第二开口OP2。第二开口OP2的位置可以与第一开口OP1的位置相对 应。此时，通过对光致抗蚀剂进行曝光来形成光致抗蚀剂开口的方法可以根据光致抗 蚀剂的性质是负性方法还是正性方法而改变。也就是说，在光致抗蚀剂被曝光并且随 后用显影剂处理之后，当光致抗蚀剂为负性方法时，可以去除未被曝光的光致抗蚀剂 部分，但是当光致抗蚀剂为正性方法时，可以去除被曝光的光致抗蚀剂部分。
通过上面的过程，具有位于基材M的第一区域A1中的第一开口OP1的第一光致 抗蚀剂PR1可以形成在基材M的第一表面M1上，并且具有与第一开口OP1相对应 的第二开口OP2的第二光致抗蚀剂PR2可以形成在基材M的第二表面M2上。
同时，如图9中所图示的，在包括掩模片22的掩模组件20被布置在腔室10中 时，第一表面M1可以与掩模片22的面向基板100的一个表面相对应，并且第二表面 可以与掩模片22的面向沉积源50的另一侧相对应。
参考图15B，在上面的过程被完成之后，可以将蚀刻溶液喷涂在第一开口OP1上。此时，可以将基材M的在其上布置有第一光致抗蚀剂PR1的第一表面M1向下布置， 并且可以将蚀刻溶液从第一光致抗蚀剂PR1的底部朝向第一表面M1喷涂。在蚀刻溶 液被喷涂在第一开口OP1上时，基材M的第一表面M1可以在与第一开口OP1相对 应的位置处被部分地蚀刻。由此，可以在第一表面M1中生成与第一开口OP1相对应 的凹槽。因为第一开口OP1仅位于第一区域A1中，所以可以不在第二区域A2中通 过蚀刻溶液来形成凹槽。
参考图15C，可以从基材M的第一表面M1去除第一光致抗蚀剂PR1。在另一示 例中，如下面稍后所描述的，可以在去除第二光致抗蚀剂PR2时将第一光致抗蚀剂PR1 一起去除。
参考图15D，可以将蚀刻溶液喷涂在第二开口OP2上。此时，可以将蚀刻溶液从 第二光致抗蚀剂PR2的顶部朝向基材M的第二表面M2喷涂。在蚀刻溶液被喷涂在第 二开口OP2上时，基材M的第二表面M2可以在与第二开口OP2相对应的位置处被 蚀刻，并且因此，可以在基材M中形成穿过基材M的第一图案孔PH1。因为第二开 口OP2仅位于第一区域A1中，所以可以不在第二区域A2中形成孔。
参考图15E，可以从基材M的第二表面M2去除第二光致抗蚀剂PR2。
参考图15F，在上面的过程被完成之后，可以通过利用激光处理设备从基材M的 第二区域A2中的预设位置向基材M的第二表面M2照射激光束来形成第二图案孔 PH2。此时，可以形成第二图案孔PH2，使得第二图案孔PH2的内表面的宽度从第一 表面M1至第二表面M2逐渐增加。此时，宽度可以是第二图案孔PH2的内表面之间 沿着与基材M的厚度方向垂直的方向的距离。作为另一示例，可以在通过向基材M 照射激光束来形成第二图案孔PH2之后，去除第二光致抗蚀剂PR2。
根据一些示例实施例，可以通过改变诸如激光束的聚焦深度和处理区域等的激光处理条件来重复多次处理，以执行通过激光束来形成第二图案孔PH2的过程。通过将 激光束照射到基材M的第二表面M2上，可以从第二表面M2沿着基材M的厚度方向 去除基材M。此时，可以在改变激光束在基材M的厚度方向上的聚焦深度的同时，形 成第二图案孔PH2的内表面的轮廓。
为了提高利用激光束的处理精度，可以通过使用扫描仪或声光偏转器(AOD)来 对聚焦深度、入射角、形状、位置、激光束的数量等进行控制。现在将参考图19来更 详细地描述激光处理装置。
显示设备DD具有多个显示区域，并且显示区域之间可能会需要诸如布置在显示区域中的像素的形状、像素布置、尺寸和分辨率的特性上的差异。为了制造这样的显 示设备DD，掩模片22也可能会需要诸如在与多个显示区域相对应的区域之间的图案 孔的形状、布置、尺寸和密度的特性上的差异。根据本公开的一些示例实施例，当如 以上所描述的在一个掩模片22上形成具有不同的特性的两个或更多个图案孔时，可以 制造出具有改善的质量的掩模片22。
作为比较示例，在掩模片22的第一区域A1的第一图案孔PH1和第二区域A2的 第二图案孔PH2具有不同的特性的情况下，当通过施加一种处理条件来进行蚀刻时， 图案孔之间的处理差异可以增加，并且掩模片22的处理质量可以劣化。例如，可使用 的基材M的厚度通常根据将要形成的图案孔的尺寸(面积)而不同。然而，在比较示 例中未能考虑到这一点，并且因此，图案孔的处理质量可以劣化。
然而，根据本公开的一些示例实施例，在第一图案孔PH1被布置在掩模片22的 第一区域A1中的情况下，在通过考虑诸如第一图案孔PH1的形状、像素布置、尺寸 和密度的特征而确定的处理条件下执行蚀刻，并且因此，可以获得一致的质量。此外， 第二区域A2的第二图案孔PH2可以通过激光束来单独地形成，并且从而可以提高处 理精度。由此，可以获得具有改善的整体质量的掩模片22。
此外，第二图案孔PH2可以以如下方式形成，即，通过使用激光束，使得第二图 案孔PH2的内表面的宽度从第一表面M1到第二表面M2逐渐增加。这样，可以不在 第二图案孔PH2的内表面的中间形成突出部分。在通过使用第二图案孔PH2来进行沉 积时，可以减少阴影现象，并且可以提高显示设备DD的制造质量。
另外，因为通过使用激光束来对第二图案孔PH2进行处理，所以可以在不限制第二图案孔PH2的各种形状的情况下而进行精确处理。
图16A至图16F是示意性地图示根据一些示例实施例的掩模片22的制造过程的 截面图。将省略与上面参考图15A至图15F所描述的制造过程相同的内容，并且下面 将主要对差异进行描述。
参考图16A，第一光致抗蚀剂PR1和第二光致抗蚀剂PR2可以分别被布置在基 材M的第一表面M1和第二表面M2上。此后，第一光致抗蚀剂PR1可以被曝光并用 显影剂处理，并且可以形成布置在第一区域A1中的第一开口OP1。可以通过对第二 光致抗蚀剂PR2进行曝光并显影，形成布置在第一区域A1中的第二开口OP2和布置 在第二区域A2中的第三开口OP3。第二开口OP2可以被形成为与第一开口OP1相对 应，并且第三开口OP3可以被形成为与整个第二区域A2相对应。
通过上面的过程，可以在基材M的第一表面M1上形成具有位于基材M的第一 区域A1中的第一开口OP1的第一光致抗蚀剂PR1，并且可以在基材M的第二表面 M2上形成具有与第一开口OP1相对应的第二开口OP2以及被形成为与基材M的整 个第二区域A2相对应的第三开口OP3的第二光致抗蚀剂PR2。
参考图16B，在上面的过程被完成之后，基材M的第一表面M1可以通过将蚀刻 溶液喷涂在第一开口OP1上而在与第一开口OP1相对应的位置处被部分地蚀刻。由此， 可以在第一表面M1中生成与第一开口OP1相对应的凹槽。
参考图16C，可以从基材M的第一表面M1去除第一光致抗蚀剂PR1。
参考图16D，可以将蚀刻溶液喷涂在第二开口OP2和第三开口OP3上。在蚀刻 溶液被喷涂在第二开口OP2上时，基材M的第二表面M2可以在与第二开口OP2相 对应的位置处被蚀刻，并且因此，可以在基材M中形成穿透基材M的第一图案孔PH1。 在蚀刻溶液被喷涂在第三开口OP3上时，基材M的第二表面M2可以在与第三开口 OP3相对应的位置处被部分地蚀刻，并且因此，可以在基材M的第二区域A2中形成 宽的蚀刻表面。此时，蚀刻深度可以为基材M的原始厚度的50％或更多、60％或更多、 70％或更多或者80％或更多。
参考图16E，可以从基材M的第二表面M2去除第二光致抗蚀剂PR2。
参考图16F，在上面的过程被完成之后，可以通过利用激光处理设备从基材M的 第二区域A2中的预设位置向被形成为与基材M的第二区域A2中的第三开口OP3相 对应的蚀刻表面照射激光束，形成第二图案孔PH2。由此，可以制造出掩模片22。
这里，第一区域A1中的掩模片22的厚度可以不同于第二区域A2中的掩模片22 的厚度。例如，在掩模片22的厚度之中，第一区域A1中的厚度t1可以小于第二区域 A2中的厚度t2。第二区域A2中的厚度t2可以为第一区域A1中的厚度t1的50％、 或40％、或30％、或20％或者更少。
根据以上描述的本公开的一些示例实施例，因为第二区域A2的第二表面M2在 形成第二图案孔PH2之前被部分地蚀刻，所以可以减少激光束的处理量。由此，可以 改善激光束的处理性能，并且显著减少激光处理期间产生的粉尘量。
图17A至图17G是示意性地图示根据一些示例实施例的掩模片22的制造过程的 截面图。将省略与上面参考图15A至图15F所描述的制造过程相同的内容，并且下面 将主要对差异进行描述。
参考图17A，第一光致抗蚀剂PR1和第二光致抗蚀剂PR2可以分别被布置在基 材M的第一表面M1和第二表面M2上。此后，第一光致抗蚀剂PR1可以被曝光并用 显影剂处理，并且可以形成布置在第一区域A1中的第一开口OP1。第二光致抗蚀剂 PR2可以被曝光并显影，并且可以形成布置在第一区域A1中的第二开口OP2以及布 置在第二区域A2中的彼此间隔开的多个第四开口OP4。第二开口OP2可以与第一开 口OP1相对应，并且至少一个第四开口OP4可以与在其处将要形成第二图案孔PH2 的预设位置相对应。因此，至少一个第四开口OP4的数量可以与将要形成的第二图案 孔PH2的数量相同。
通过上面的过程，可以在基材M的第一表面M1上形成具有位于基材M的第一 区域A1中的第一开口OP1的第一光致抗蚀剂PR1，并且可以在第二表面M2上形成 具有与第一开口OP1相对应的第二开口OP2以及布置在基材M的第二区域A2中的 多个第四开口OP4的第二光致抗蚀剂PR2，其中，多个第四开口OP4彼此间隔开。
参考图17B，在上面的过程被完成之后，基材M的第一表面M1的一部分可以通 过将蚀刻溶液喷涂在第一开口OP1上而在与第一开口OP1相对应的位置处被蚀刻。由 此，可以在第一表面M1中生成与第一开口OP1相对应的凹槽。
参考图17C，可从基材M的第一表面M1去除第一光致抗蚀剂PR1。
参考图17D，可以将蚀刻溶液喷涂在第二开口OP2和第四开口OP4上。在蚀刻 溶液被喷涂在第二开口OP2上时，基材M的第二表面M2可以在与第二开口OP2相 对应的位置处被蚀刻，并且因此，可以在基材M中形成穿透基材M的第一图案孔PH1。 在蚀刻溶液被喷涂在第四开口OP4上时，基材M的第二表面M2可以在与第四开口 OP4相对应的位置处被部分地蚀刻。此时，蚀刻深度可以为基材M的原始厚度的50％ 或更多、60％或更多、70％或更多或者80％或更多。在与第四开口OP4相对应的位置 处形成的孔的尺寸(面积)可以小于第二图案孔PH2的尺寸。
参考图17E，可以从基材M的第二表面M2去除第二光致抗蚀剂PR2。
参考图17F，在上面的过程被完成之后，可以通过利用激光处理设备从基材M的 第二区域A2中的预设位置向被形成为与基材M的第二区域A2中的第四开口OP4相 对应的蚀刻表面照射激光束，形成第二图案孔PH2。由此，可以制造出掩模片22。
根据本公开的以上描述的实施例，在形成第二图案孔PH2之前，基材M的第二 表面M2可以在在其处将要形成第二图案孔PH2的位置处被部分地预蚀刻，并且因此 可以减少激光处理量，并且可以相对容易地识别出在其处将要形成第二图案孔PH2的 位置。因此，如有必要，可以手动地进行激光处理。
参考图17G，根据一些示例实施例，基材M的一些蚀刻部分可以通过蚀刻溶液而 保留在第二图案孔PH2的周围。在第四开口OP4的宽度大于第二图案孔PH2的宽度 时，可以形成该结构。在这种情况下，掩模片22的在第二区域A2中的厚度t2之中的 与第二图案孔PH2相邻的周围区域中的厚度t2-1可以小于第一区域A1中的厚度t1， 并且彼此相邻的第二图案孔PH2之间的区域中的厚度t2-2可以与第一区域A1中的厚 度t1基本上相同。在形成第二图案孔PH2之前，基材M的第二表面M2的一部分在 在其处将要形成第二图案孔PH2的位置处被充分地预蚀刻，并且因此，可以减少激光 处理量，并且可以容易地识别出在其处将要形成第二图案孔PH2的位置。
图18A至图18F是示意性地图示根据一些示例实施例的掩模片22的制造过程的 截面图。
参考图18A，第一光致抗蚀剂PR1和第二光致抗蚀剂PR2可以分别被布置在基 材M的第一表面M1和第二表面M2上。此后，第一光致抗蚀剂PR1可以被曝光并用 显影剂处理，并且可以形成布置在第一区域A1中的第一开口OP1。可以通过对第二 光致抗蚀剂PR2进行曝光并显影，形成布置在第一区域A1中的第二开口OP2和形成 在第二区域A2的边缘处的多个第五开口OP5。第二开口OP2可以与第一开口OP1相 对应。
在第二区域A2的边缘处可以形成至少两个第五开口OP5。例如，在第二区域A2 具有矩形形状时，第五开口OP5可以与四个角之中的位于彼此对角线的角相邻地布置。 可替代地，四个第五开口OP5可以与四个角相邻地布置。另外，在第二区域A2具有 圆形形状时，可以沿着圆周的边缘布置至少两个第五开口OP5。
通过上面的过程，可以在基材M的第一表面M1上形成具有位于基材M的第一 区域A1中的第一开口OP1的第一光致抗蚀剂PR1，并且可以在第二表面M2上形成 具有与第一开口OP1相对应的第二开口OP2以及在基材M的第二区域A2的边缘处 形成的多个第五开口OP5的第二光致抗蚀剂PR2。
参考图18B，在上面的过程被完成之后，基材M的第一表面M1可以通过将蚀刻 溶液喷涂在第一开口OP1上而在与第一开口OP1相对应的位置处被部分地蚀刻。由此， 可以在第一表面M1中生成与第一开口OP1相对应的凹槽。
参考图18C，可以从基材M的第一表面M1去除第一光致抗蚀剂PR1。
参考图18D，可以将蚀刻溶液喷涂在第二开口OP2和第五开口OP5上。在蚀刻 溶液被喷涂在第二开口OP2上时，基材M的第二表面M2可以在与第二开口OP2相 对应的位置处被蚀刻，并且因此，可以在基材M中形成穿透基材M的第一图案孔PH1。 在蚀刻溶液被喷涂在第五开口OP5上时，基材M的第二表面M2可以在与第五开口 OP5相对应的位置处被部分地蚀刻。此时，蚀刻深度可以为基材M的原始厚度的10％ 或更多、20％或更多、30％或更多、40％或更多或者50％或更多。由此，可以在与第 五开口OP5相对应的位置处形成至少两个基准孔RH。如参考图9更详细地描述的， 基准孔RH可以被用于在使用激光束的处理步骤中对准基材M。
参考图18E，可以从基材M的第二表面M2去除第二光致抗蚀剂PR2。
参考图18F，在上面的过程被完成之后，可以通过利用激光处理设备从基材M的 第二区域A2中的预设位置向基材M的第二表面M2照射激光束，形成第二图案孔 PH2。由此，可以制造出掩模片22。
图19是示意性地图示根据实施例的激光处理装置90的截面图。
参考图19，激光处理装置90可以包括激光振荡器91、光学系统92、扫描仪93、 台94和检查器95。
激光振荡器91可以发射脉冲激光束以在基材M中形成图案孔。激光振荡器91 可以包括紫外(UV)激光器和二氧化碳(CO2)激光器等。
光学系统92可以接收从激光振荡器91发射的激光束，以调整条件来使其最适于形成图案孔。例如，可以精细地调整激光束强度、光斑尺寸、辐射角度和辐射数量。 例如，激光束的光斑尺寸可以是20μm或更小，但实施例不限于此，并且激光束的光 斑尺寸也可以根据基于显示设备DD的分辨率的掩模片22的设计变更而改变。此外， 作为示例，可以通过使用数十飞秒至数百皮秒之间的超短脉冲激光，抑制在掩模片22 的表面上产生毛刺。
扫描仪93可以确定从激光振荡器91发射的激光束的位置，例如待处理的基材M 的第二表面M2上的激光束的位置。扫描仪93可以包括扫描器，该扫描器通过改变激 光束的路径来将激光束照射到基材M的第二表面M2上。
台94可以支撑待处理的基材M。基材M可以被布置在台94上方，并且可以由 静电卡盘等固定。另外，台94可以在平面上精确地移动，以通过驱动器在所需位置处 对基材M进行处理。
检查器95可以包括三维(3D)成像模块，该三维成像模块能够检查基材M的处 理区域并检查处理是否被执行。此外，检查器95可以包括对准照相机，该对准照相机 捕获基材M的特定点的图像。在比较从对准照相机获得的图像数据和预设数据并且确 定基材M的对准程度之后，台94可以通过反映对准程度来经由驱动器移动。由此， 基材M可以以这样的方式被对准，即，使待处理的基材M的处理位置对应于扫描仪 93的由激光束照射的位置。
根据本公开的一些示例实施例，基准孔RH可以被用于对准基材M。对准照相机 可以捕获基材M的第二区域A2的图像，并且可以获得布置在第二区域A2中的基准 孔RH的位置信息，该第二区域A2是将被激光束处理的区域。通过参考，可以确定 基材M的对准度，并且可以移动台94，并且可以基于第二图案孔PH2的预设位置信 息来对准基材M。由此，可以将激光束照射到基材M的第二表面M2上的正确位置， 并且从而可以形成第二图案孔PH2。
图20A至图20F是示意性地图示根据一些示例实施例的掩模片22的制造过程的 截面图。
参考图20A，可以准备基材M以制造掩模片22。基材M可以处于通过抛光处理 或清洗处理等去除了吸附在每个表面上的异物的状态下。
参考图20B，在准备好基材M之后，第一光致抗蚀剂PR1和第二光致抗蚀剂PR2 可以分别被布置在基材M的第一表面M1和第二表面M2上。此时，第一光致抗蚀剂 PR1和第二光致抗蚀剂PR2可以被顺序地放置在基材M上或者被同时地放置在基材 M上。此后，第一光致抗蚀剂PR1可以被曝光并用显影剂处理，以形成第一开口OP1， 并且第二光致抗蚀剂PR2可以被曝光并显影，以形成第二开口OP2和第三开口OP3。 此时，通过对光致抗蚀剂进行曝光来形成光致抗蚀剂开口的方法可以根据光致抗蚀剂 的性质是负性方法还是正性方法而改变。也就是说，在光致抗蚀剂被曝光并且随后用 显影剂处理之后，当光致抗蚀剂为负性方法时，可以出去未被曝光的光致抗蚀剂部分， 但是当光致抗蚀剂为正性方法时，可以去除被曝光的光致抗蚀剂部分。
参考图20C，在第一光致抗蚀剂PR1和第二光致抗蚀剂PR2如以上所描述的被布 置在基材M上时，平面上的第二开口OP2和第三开口OP3的尺寸可以彼此不同。例 如，在第二开口OP2的形状和第三开口OP3的形状相同时，平面上的第二开口OP2 的面积可以小于第三开口OP3的面积。此时，多个第二开口OP2的数量可以大于每单 位面积或每相等面积布置的第三开口OP3的数量。
在这种情况下，第二开口OP2可以对应于第一图案孔PH1，并且第三开口OP3 可以对应于第二图案孔PH2。当在完成下面稍后将要描述的过程之后形成第一图案孔 PH1和第二图案孔PH2时，第一图案孔PH1与第二图案孔PH2之间的关系可以类似 于第二开口OP2与第三开口OP3之间的关系。也就是说，布置在掩模片22的一个表 面上的第二图案孔PH2的平面尺寸可以大于或等于布置在同一掩模片22的一个表面 上的第一图案孔PH1的平面尺寸。然而，第一图案孔PH1的数量可以大于每相等面积 的第二图案孔PH2的数量。
上面的关系可被应用于本公开的实施例中的全部。另外，上面的关系可以通过第一图案孔PH1和第二中间层来形成，并且可以同样地被应用在具有布置在第二显示区 域DA2中的第一中间层的关系上，该第一图案孔PH1可以通过布置在第一显示区域 DA1中的第二中间层来形成。
参考图20D，在上面的过程被完成之后，可以将蚀刻溶液喷涂在第一开口OP1上。此时，可以将基材M的在其上布置有第一光致抗蚀剂PR1的第一表面M1与下表面相 对布置，并且可以将蚀刻溶液从第一光致抗蚀剂PR1的底部朝向上表面喷涂。
在蚀刻溶液如以上所描述的被喷涂在第一开口OP1上时，可以在基材M中形成 第一凹槽M1-1，以对应于第一开口OP1。此后，可以从基材M的第一表面M1去除 第一光致抗蚀剂PR1。
参考图20E，在上面的过程被完成之后，可以将蚀刻溶液喷涂在第二开口OP2和 第三开口OP3上。此时，可以从基材M上方在基材M的第二表面M2的方向上喷涂 蚀刻溶液。
在上面的过程被完成之后，蚀刻溶液可以穿过第二开口OP2和第三开口OP3，并 且可以去除基材M的一部分。此时，可以通过在基材M的厚度方向上从基材M的第 二表面M2到基材M的第一表面M1去除基材M，将已经穿过第二开口OP2的蚀刻 溶液连接至第一表面M1的被形成为与第一开口OP1相对应的第一凹槽M1-1，从而 可以形成第一图案孔PH1。另外，可以从基材M的第二表面M2到第一表面M1去除 已经穿过第三开口OP3的蚀刻溶液，以从而形成第二图案孔PH2。
在这种情况下，由于第二开口OP2的宽度(或在平面上的面积)与第一开口OP1 的宽度(或在平面上的面积)之间的差异，可以调整蚀刻溶液对基材M的蚀刻程度。 第二开口OP2的宽度(或在平面上的面积)被形成为大于第一开口OP1的宽度(或在 平面上的面积)，并且因此，即使在同时喷涂相同的蚀刻溶液时，也可以调整在基材 M的厚度方向上所蚀刻的距离(参见图20C)。换言之，在这种情况下，在其处基材 M被穿过第二开口OP2的蚀刻溶液蚀刻的厚度可以大于在其处基材M被穿过第一开 口OP1的蚀刻溶液蚀刻的厚度。
在上面的情况下，在第二图案孔PH2内部没有布置第二突出部分PH2-a，而在第 一图案孔PH1内部可以布置第一突出部分PH1-a。也就是说，第二突出部分PH2-a可 以被设置在第二图案孔PH2的端部，并且第一突出部分PH1-a可以突出到第一图案孔 PH1中。
在这种情况下，第一表面M1与第一突出部分PH1-a之间的第一距离L1可以不 同于第二表面M2与第一突出部分PH1-a之间的第二距离L2。第一表面M1与第一突 出部分PH1-a之间的第一距离L1可以小于第二表面M2与第一突出部分PH1-a之间 的第二距离L2。在这种情况下，在掩模片22被布置在图11中所示的用于制造显示设 备1的装置上时，第一表面M1可以是面向基板100的表面。
因此，在制造该显示设备DD的方法中，在形成第一显示区域DA1的中间层时所 使用的第二图案孔PH2部分中可以不形成第二突出部分PH2-a。另外，在该显示设备 DD的制造方法中，能够在显示面板2的制造期间形成具有精确图案的中间层，并且 通过形成其中中间层的厚度可变的分段，中间层可以被沉积，以使中间层的面积几乎 等于设计值。
图21是图示根据一些示例实施例的显示设备DD的透视图。
参考图21，显示设备DD可以与图1中所示的显示设备DD类似。此时，显示设 备DD可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和外围区域PA。
与图1中不同，第一显示区域DA1可以是显示设备DD的恒定区域。此时，第一 显示区域DA1可以具有与第二显示区域DA2的形状类似的形状。例如，第一显示区 域DA1可以在X轴方向上形成为长的。第一显示区域DA1的透光率可以高于第二显 示区域DA2的透光率，并且第一显示区域DA1的分辨率可以低于第二显示区域DA2 的分辨率。如以上所描述的，辅助像素PXa可以被布置在第一显示区域DA1中，并 且主像素PXm可以被布置在第二显示区域DA2中。另外，第一显示区域DA1可以包 括其中未布置有辅助像素PXa的透射区域TA。
如以上所描述的，部件可以被布置在第一显示区域DA1中的不同位置中。此时， 至少一个部件可以被布置在第一显示区域DA1中。
如以上所描述的，辅助像素PXa和透射区域TA可以被布置在第一显示区域DA1 中。此时，可以提供至少一个辅助像素PXa以形成一个像素区域，并且该像素区域可 以被布置为在第一显示区域DA1中彼此间隔开。在这种情况下，透射区域TA可以被 布置在彼此间隔开的像素区域之间。例如，像素区域可以以晶格形式布置，并且透射 区域TA可以被布置在像素区域之间。
与第一显示区域DA1中不同，第二显示区域DA2可以不具备单独的透射区域。 此时，多个主像素PXm可以被布置在第二显示区域DA2中。
在根据本公开的实施例的显示设备中，可以实现精确图像。
在根据本公开的实施例的掩模组件、用于制造显示设备的装置以及用于制造显示设备的方法中，沉积材料可以以精确图案沉积在基板上。
另外，在根据本公开的实施例的掩模组件、用于制造显示设备的装置以及用于制造显示设备的方法中，可以制造包括具有不同的分辨率的显示区域的显示设备。
在根据本公开的实施例的制造掩模组件的方法中，可以在一个掩模片上形成具有不同的尺寸和形状的图案孔。
在根据本公开的实施例的制造掩模组件的方法中，即使当在一个掩模片上形成具有不同的尺寸和形状的图案孔时，也可以减小掩模片的变形，并且可以精确地制造每 个图案孔的形状。
应理解，本文中所描述的实施例应仅在描述性意义上被考虑，而不是为了限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述通常应被视为可用于其它实施例中的其它 类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域的普通技 术人员将理解，可以在其中对形式和细节进行各种修改而不脱离由所附权利要求及其 等同物定义的精神和范围。

Claims (54)

1.一种显示设备，包括：
基板，包括第一显示区域和第二显示区域，所述第一显示区域包括透射区域，并且所述第二显示区域被布置为包围所述第一显示区域的至少一部分；
第一像素，在所述第一显示区域中，并且包括第一像素电极、第一中间层和第一对电极；以及
第二像素，在所述第二显示区域中，并且包括第二像素电极、第二中间层和第二对电极，
其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的每一个包括在其处其厚度是恒定的分段以及在其处其所述厚度是可变的分段，并且在其处所述第一中间层的所述厚度是可变的分段和在其处所述第二中间层的所述厚度是可变的分段中的一个的第一长度不同于在其处所述第一中间层的所述厚度是可变的所述分段和在其处所述第二中间层的所述厚度是可变的所述分段中的另一个的第二长度。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一长度和所述第二长度中的一个小于所述第一长度和所述第二长度中的另一个。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
由所述第一显示区域提供的图像的分辨率不同于由所述第二显示区域提供的图像的分辨率。
4.根据权利要求1所述的显示设备，进一步包括：
部件，在所述基板的一个表面上以与所述第一显示区域相对应，并且包括发射或接收光的电子元件。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一显示区域的透光率不同于所述第二显示区域的透光率。
6.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述第一中间层的平面形状的尺寸大于或等于所述第二中间层的平面形状的尺寸。
7.一种包括掩模片的掩模组件，其中，所述掩模片包括：
第一区域，包括至少一个第一图案孔；
第二区域，包括至少一个第二图案孔；以及
突出部分，在所述第一图案孔的内表面或所述第二图案孔的内表面上，并且突出到所述第一图案孔和所述第二图案孔中的一个中，其中，所述第一图案孔的所述内表面不同于所述第二图案孔的所述内表面。
8.根据权利要求7所述的掩模组件，其中，所述突出部分包括：
第一突出部分，从所述第一图案孔的所述内表面突出到所述第一图案孔中。
9.根据权利要求7所述的掩模组件，其中，
所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度彼此相等或不同。
10.根据权利要求7所述的掩模组件，其中，
在所述第二区域的一个表面上形成的所述第二图案孔的平面尺寸大于或等于在所述第一区域的从所述第二区域的所述一个表面延伸的一个表面上形成的所述第一图案孔的平面尺寸。
11.根据权利要求7所述的掩模组件，其中，
多个基准孔在所述第二区域的边缘处形成在所述掩模片中。
12.根据权利要求7所述的掩模组件，其中，
所述第一图案孔和所述第二图案孔在与所述掩模片的一个表面平行的平面上的形状彼此不同。
13.一种制造掩模组件的方法，所述方法包括：
布置第一光致抗蚀剂以在基材的第一表面上具有第一开口；
布置第二光致抗蚀剂以在所述基材的第二表面上具有第二开口和第三开口；
通过将蚀刻溶液喷涂到所述第一开口中，对所述基材的所述第一表面的一部分进行蚀刻；并且
经由通过将蚀刻溶液喷涂到所述第二开口和所述第三开口中来对所述基材的所述第二表面的一部分进行蚀刻，形成穿透所述基材的第一图案孔和第二图案孔。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述第二开口的宽度大于所述第一开口的宽度。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，
在所述第二图案孔内部的从所述第二图案孔的内表面突出的突出部分在所述第一图案孔内部。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，
从所述第一表面到所述突出部分的距离不同于从所述第二表面到所述突出部分的距离。
17.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
去除所述第一光致抗蚀剂。
18.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
去除所述第二光致抗蚀剂。
19.一种制造掩模组件的方法，所述方法包括：
在基材的第一表面上布置第一光致抗蚀剂，所述第一光致抗蚀剂具有位于所述基材的第一区域中的第一开口；
在所述基材的第二表面上布置第二光致抗蚀剂，所述第二光致抗蚀剂具有与所述第一开口相对应的第二开口；
通过将蚀刻溶液喷涂到所述第一开口中，对所述基材的所述第一表面的一部分进行蚀刻；
通过将蚀刻溶液喷涂到所述第二开口中，形成穿透所述基材的第一图案孔；并且
通过将激光束照射到所述基材的所述第二表面中的与所述第一区域相邻的第二区域，形成穿透所述基材的第二图案孔。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，
所述第一图案孔和所述第二图案孔在与所述第一表面或所述第二表面平行的平面上的形状彼此不同。
21.根据权利要求19所述的方法，其中，
在与所述第一表面或所述第二表面平行的平面上，所述第一图案孔的面积和所述第二图案孔的面积彼此不同。
22.根据权利要求19所述的方法，其中，
每相等面积的所述第一图案孔的数量和所述第二图案孔的数量彼此不同。
23.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：
去除所述第一光致抗蚀剂。
24.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：
去除所述第二光致抗蚀剂。
25.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二图案孔的形成包括：
形成所述第二图案孔，使得所述第二图案孔在与所述基材的厚度方向垂直的方向上的宽度从所述第一表面到所述第二表面逐渐增加。
26.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二光致抗蚀剂进一步包括：
第三开口，被形成为与整个所述第二区域相对应，
其中，所述方法进一步包括：通过将蚀刻溶液喷涂到所述第三开口中，对所述基材的所述第二表面的一部分进行蚀刻。
27.根据权利要求26所述的方法，进一步包括：
通过将激光束照射到被形成为与所述基材的所述第二表面上的所述第三开口相对应的蚀刻表面上，形成穿透所述基材的所述第二图案孔。
28.根据权利要求19所述的方法，其中，
所述第二光致抗蚀剂位于所述第二区域中，并且进一步包括彼此间隔开的至少一个第四开口，
其中，所述方法进一步包括：通过将蚀刻溶液喷涂到所述至少一个第四开口中，对所述基材的所述第二表面的一部分进行蚀刻。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，所述第二图案孔的形成包括：
通过将激光束照射到与被形成为与所述基材的所述第二表面上的所述至少一个第四开口相对应的蚀刻表面，形成穿透所述基材的所述第二图案孔。
30.根据权利要求19所述的方法，其中，所述第二光致抗蚀剂进一步包括：
多个第五开口，位于所述第二区域的边缘处，并且
所述方法进一步包括：经由通过将蚀刻溶液喷涂到所述多个第五开口中来对所述基材的所述第二表面的一部分进行蚀刻，形成至少两个基准孔。
31.根据权利要求30所述的方法，进一步包括：
在照射所述激光束之前，通过使用所述基准孔来对准所述基材。
32.一种用于制造显示设备的装置，所述装置包括：
腔室；
掩模组件，在所述腔室内部；以及
沉积源，被配置为将沉积材料供给到与所述掩模组件相对布置的显示基板，
其中，所述掩模组件包括掩模片，所述掩模片被配置为使从所述沉积源供给的沉积材料能够穿过，
其中，所述掩模片包括：
第一区域，包括至少一个第一图案孔；
第二区域，包括至少一个第二图案孔；以及
突出部分，在所述第一图案孔和所述第二图案孔中的一个的内表面上，并且突出到所述第一图案孔和所述第二图案孔中的一个中，并且
所述第一图案孔的内表面和所述第二图案孔的内表面彼此不同。
33.根据权利要求32所述的装置，其中，所述突出部分包括：
第一突出部分，从所述第一图案孔的所述内表面突出到所述第一图案孔中。
34.根据权利要求32所述的装置，其中，
所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度彼此相等或不同。
35.根据权利要求32所述的装置，其中，
在所述第二区域的一个表面上的所述第二图案孔的入口部分的平面尺寸大于或等于在所述第一区域的从所述第二区域的所述一个表面延伸的一个表面上的所述第一图案孔的入口部分的平面尺寸。
36.根据权利要求32所述的装置，进一步包括：
多个基准孔，位于所述第一区域的边缘或所述第二区域的边缘处。
37.根据权利要求32所述的装置，其中，
所述掩模片的在所述第二图案孔周围的区域中的厚度小于所述掩模片的在所述第一区域中的厚度，并且
所述掩模片的在彼此相邻的所述第二图案孔之间的区域中的厚度等于所述掩模片的在所述第一区域中的厚度。
38.根据权利要求32所述的装置，其中，
所述第二图案孔的沿着与所述掩模片的厚度方向垂直的方向上的宽度被形成为从所述掩模片的一个表面到另一表面逐渐增加。
39.根据权利要求32所述的装置，其中，
所述第一图案孔和所述第二图案孔在与所述掩模片的一个表面平行的平面上的形状彼此不同。
40.根据权利要求32所述的装置，其中，
所述第一图案孔和所述第二图案孔在与所述掩模片的一个表面平行的平面上的面积彼此不同。
41.根据权利要求32所述的装置，其中，
每相等面积的所述第一图案孔的数量和所述第二图案孔的数量彼此不同。
42.根据权利要求32所述的装置，其中，
在所述掩模片中，多个基准孔位于所述第二区域的边缘处。
43.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在腔室内部布置并对准显示基板和掩模组件；并且
通过使沉积材料穿过所述掩模组件来将所述沉积材料从沉积源供给到所述显示基板，
其中，所述掩模组件包括：掩模片，从所述沉积源供给的沉积材料穿过所述掩模片，
其中，所述掩模片包括：
第一区域，包括至少一个第一图案孔；
第二区域，包括至少一个第二图案孔；以及
突出部分，在所述第一图案孔的内表面或所述第二图案孔的内表面上，并且突出到所述第一图案孔和所述第二图案孔中的一个中，其中，所述第一图案孔的所述内表面不同于所述第二图案孔的所述内表面。
44.根据权利要求43所述的方法，其中，所述突出部分包括：
第一突出部分，从所述第一图案孔的所述内表面突出到所述第一图案孔中。
45.根据权利要求43所述的方法，其中，
所述第一区域的厚度和所述第二区域的厚度彼此相等或不同。
46.根据权利要求43所述的方法，其中，
在所述第二区域的一个表面上形成的所述第二图案孔的入口部分的平面尺寸大于或等于在所述第一区域的从所述第二区域的所述一个表面延伸的一个表面上形成的所述第一图案孔的入口部分的平面尺寸。
47.根据权利要求43所述的方法，其中，
在所述掩模片中，多个基准孔形成在所述第二区域的边缘处。
48.一种制造显示设备的方法，所述方法包括：
在显示基板的第一显示区域上形成第一中间层；并且
在所述显示基板的第二显示区域上形成第二中间层，
其中，所述第一中间层和所述第二中间层中的每一个包括在其处其厚度是恒定的分段以及在其处其所述厚度是可变的分段，并且在其处所述第一中间层的厚度是可变的分段和在其处所述第二中间层的厚度是可变的分段中的一个的第一长度不同于在其处所述第一中间层的所述厚度是可变的所述分段和在其处所述第二中间层的所述厚度是可变的所述分段中的另一个的第二长度。
49.根据权利要求48所述的方法，其中，
所述第一长度和所述第二长度中的一个小于所述第一长度和所述第二长度中的另一个。
50.根据权利要求48所述的方法，其中，
由所述第一显示区域提供的图像的分辨率不同于由所述第二显示区域提供的图像的分辨率。
51.根据权利要求48所述的方法，进一步包括：
将部件放置在所述基板的一个表面上以与所述第一显示区域相对应，并且所述部件包括发射或接收光的电子元件。
52.根据权利要求48所述的方法，其中，
所述第一显示区域的透光率不同于所述第二显示区域的透光率。
53.根据权利要求48所述的方法，其中，
所述第一中间层的平面形状的尺寸大于或等于所述第二中间层的平面形状的尺寸。
54.根据权利要求53所述的方法，其中，
所述第一中间层的具有恒定厚度的分段的厚度和所述第二中间层的具有恒定厚度的分段的厚度彼此相等。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111430427A (zh) * 2020-04-08 2020-07-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
KR20210155428A (ko) * 2020-06-15 2021-12-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체
US20230200172A1 (en) * 2021-12-20 2023-06-22 Google Llc Triad sub-pixel arrangements for under display sensors
KR20230097288A (ko) * 2021-12-23 2023-07-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리 및 이를 포함한 증착 설비

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4440523B2 (ja) * 2002-09-19 2010-03-24 大日本印刷株式会社 インクジェット法による有機ｅｌ表示装置及びカラーフィルターの製造方法、製造装置
JP4459521B2 (ja) * 2002-10-17 2010-04-28 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2007200735A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Canon Inc 有機化合物の蒸着方法および装置
KR20070120266A (ko) 2006-06-19 2007-12-24 삼성전자주식회사 표시 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
US9093399B2 (en) * 2009-05-28 2015-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same
JP2011034681A (ja) 2009-07-29 2011-02-17 Hitachi Displays Ltd 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機ｅｌ表示装置製造方法
KR20210046847A (ko) 2012-01-12 2021-04-28 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 수지판을 구비한 금속 마스크, 증착 마스크, 증착 마스크 장치의 제조 방법, 및 유기 반도체 소자의 제조 방법
JP5780350B2 (ja) 2013-11-14 2015-09-16 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、及び有機半導体素子の製造方法
KR101674499B1 (ko) 2015-08-10 2016-11-10 에이피시스템 주식회사 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크
WO2017026741A1 (ko) 2015-08-10 2017-02-16 에이피시스템 주식회사 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크
KR101900281B1 (ko) 2016-07-26 2018-09-20 에이피시스템 주식회사 복합 가공 방법을 이용한 섀도우 마스크의 제조방법 및 이에 의해 제조된 섀도우 마스크
KR20170059526A (ko) 2015-11-20 2017-05-31 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 마스크 프레임 조립체 제조 방법 및 표시 장치 제조 방법
KR102541449B1 (ko) * 2015-12-22 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 어셈블리
KR20220104846A (ko) 2016-10-07 2022-07-26 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크의 제조 방법, 증착 마스크가 배치된 중간 제품 및 증착 마스크
JP6428903B2 (ja) 2017-01-17 2018-11-28 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2018147599A (ja) * 2017-03-01 2018-09-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機電界発光素子、有機電界発光パネルおよび発光装置
KR20190116379A (ko) 2017-03-06 2019-10-14 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 기술적 마스크를 제조하기 위한 방법
CN107093616B (zh) 2017-04-27 2019-07-12 武汉华星光电技术有限公司 有源矩阵有机发光二极管面板及制作其的方法
US10790338B2 (en) * 2017-07-05 2020-09-29 Sakai Display Products Corporation Organic EL display apparatus and method of manufacturing organic EL display apparatus
KR102520710B1 (ko) * 2017-09-05 2023-04-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102358039B1 (ko) 2017-09-07 2022-02-04 엘지이노텍 주식회사 Oled 화소 증착을 위한 금속재의 증착용 마스크
WO2019087749A1 (ja) 2017-11-01 2019-05-09 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置
KR102490895B1 (ko) 2017-12-14 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102461138B1 (ko) 2017-12-29 2022-10-28 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR102587116B1 (ko) * 2018-05-31 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102342737B1 (ko) 2018-07-10 2021-12-28 주식회사 오럼머티리얼 마스크의 제조 방법
KR102640196B1 (ko) * 2018-10-12 2024-02-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN109207920B (zh) 2018-11-12 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 掩模版
CN114823812A (zh) * 2019-01-15 2022-07-29 武汉天马微电子有限公司 显示面板以及显示装置
CN109801950B (zh) 2019-01-31 2021-02-26 厦门天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
KR101984112B1 (ko) 2019-03-18 2019-05-31 (주)세우인코퍼레이션 투 스텝 에칭 방식에 의한 갭 마스크 제조방법
CN109962092B (zh) 2019-03-29 2021-09-24 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
CN110391254A (zh) 2019-07-16 2019-10-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN110783485B (zh) * 2019-09-24 2021-06-18 昆山国显光电有限公司 透光显示面板、显示面板、制作方法、显示装置

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