JP7475998B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、装置及び方法に係り、さらに詳細には表示装置、表示装置の製造装置、及び表示装置の製造方法に関する。
最近、表示装置はその用途が多様化されている。また、表示装置の厚さが薄くなり、重さが軽く、その使用範囲が広範囲になっている。
表示装置が多様に活用されることにより、表示装置の形態設計に多様な方法が生じ、また表示装置に融和させたり連繋させたりすることができる機能が増加している。
本発明が解決しようとする課題は、表示装置に融和させたり連繋させたりすることができる機能を増加させる方法であり、表示領域の内側にセンサなどが配置されるセンサ領域を具備した表示装置、その製造装置、及びその製造方法を提供することである。しかし、そのような課題は、例示的なものであり、それらにより、本発明の範囲が限定されるものではない。
本発明の一実施形態は、第１画素領域、第２画素領域及び第１透過領域を含む第１表示領域、前記第１表示領域と隣接するように配置され、第３画素領域及び第４画素領域、第２透過領域及び第３透過領域を含む第２表示領域、並びに前記第２表示領域と隣接するように配置される第３表示領域を含む基板と、前記第１画素領域上に配置され、第１画素電極、第１対向電極、及び前記第１画素電極と前記第１対向電極との間に配置される第１中間層を含む第１画素と、前記第２画素領域上に配置され、第２画素電極、第２対向電極、及び前記第２画素電極と前記第２対向電極との間に配置される第２中間層を含む第２画素と、前記第３画素領域上に配置され、第３画素電極、第３対向電極、及び前記第３画素電極と前記第３対向電極との間に配置される第３中間層を含む第３画素と、前記第４画素領域上に配置され、第４画素電極、第４対向電極、及び前記第４画素電極と前記第４対向電極との間に配置される第４中間層を含む第４画素を含み、前記第３対向電極は、前記第１対向電極または前記第２対向電極と連結され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、互いに連結され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、平面上の面積が互いに異なる表示装置を開示する。
本実施形態において、前記第１画素領域、前記第２画素領域及び前記第１透過領域は、互いに交互に配置され、格子形態に配列されてもよい。
本実施形態において、前記第１透過領域は、互いに連結される前記第１画素領域と前記第２画素領域とによって定義されてもよい。
本実施形態において、前記第１対向電極と前記第２対向電極は、一部分が互いに面接触してもよい。
本実施形態において、互いに面接触する領域において、前記第２対向電極は、前記第１対向電極上に配置されてもよい。
本実施形態において、前記第１透過領域と前記第３透過領域は、互いに異なる形状を有してもよい。
本実施形態において、前記第１表示領域の光透過率は、前記第２表示領域及び前記第３表示領域のうち少なくとも一つの光透過率と互いに異なってもよい。
本実施形態において、前記第１表示領域において提供するイメージの解像度は、前記第２表示領域及び前記第３表示領域のうち少なくとも一つから提供するイメージの解像度よりも低くてもよい。
本実施形態において、前記第３表示領域は、前記第３表示領域上に配置され、メイン画素電極、メイン対向電極、及び前記メイン画素電極と前記メイン対向電極との間に配置されるメイン中間層を含むメイン画素を含み、前記メイン対向電極は、前記第３表示領域全面に配置されてもよい。
本実施形態において、前記メイン対向電極は、前記第２表示領域に配置された前記第４対向電極と連結されてもよい。
本実施形態において、前記メイン対向電極は、ストライブ状に形成された複数個を具備し、前記複数個のメイン対向電極は、互いに離隔されるように配置されてもよい。
本発明の他の実施形態は、第１画素領域、第２画素領域及び第１透過領域を含む第１表示領域、前記第１表示領域と隣接するように配置され、第３画素領域及び第４画素領域、第２透過領域及び第３透過領域を含む第２表示領域、並びに前記第２表示領域と隣接するように配置される第３表示領域を含む基板と、前記第１画素領域上に配置され、第１画素電極、第１対向電極、及び前記第１画素電極と前記第１対向電極との間に配置される第１中間層を含む第１画素と、前記第２画素領域上に配置され、第２画素電極、第２対向電極、及び前記第２画素電極と前記第２対向電極との間に配置される第２中間層を含む第２画素と、前記第３画素領域上に配置され、第３画素電極、第３対向電極、及び前記第３画素電極と前記第３対向電極との間に配置される第３中間層を含む第３画素と、前記第４画素領域上に配置され、第４画素電極、第４対向電極、及び前記第４画素電極と前記第４対向電極との間に配置される第４中間層を含む第４画素と、前記第１表示領域に対応するように、前記基板の一面に配置され、光を放出したり受光したりする電子要素を含むコンポーネントと、を含み、前記第３対向電極は、前記第１対向電極または前記第２対向電極と連結され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、互いに連結され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、平面上の面積が互いに異なる表示装置を開示する。
本実施形態において、前記コンポーネントは、前記第１透過領域を介して、光を放出したり受光したりしてもよく、前記第２表示領域及び前記第３表示領域の光透過率は、前記第１表示領域の光透過率よりも低くてもよい。
本発明のさらに他の実施形態は、一部が選択的に開閉されるチャンバと、前記チャンバ内部に配置され、基板が支持される第１支持部と、前記チャンバ内部に、前記基板と対向するように配置されるマスク組立体と、前記チャンバ内部に配置され、前記マスク組立体が支持される第２支持部と、前記チャンバに配置され、蒸着物質を前記基板に供給する蒸着ソースと、を含み、前記マスク組立体は、互いに交換可能な第１マスク組立体と第２マスク組立体とを含み、前記第２マスク組立体は、マスクフレームと、前記マスクフレームに載置されるマスクシートとを具備し、前記マスクシートは、第１開口部、前記第１開口部と異なる前記マスクシート部分に配置される第２開口部、並びに前記第１開口部及び前記第２開口部と異なる前記マスクシート部分に配置される第３開口部を含み、前記第２開口部と前記第３開口部は、互いに連結され、前記第１開口部は、前記第２開口部及び前記第３開口部と互いに分離され、前記第１開口部及び前記第２開口部の形状は、互いに異なっており、前記第１開口部の面積は、前記第２開口部の面積より狭い表示装置の製造装置を開示する。
本実施形態において、前記蒸着ソースは、前記チャンバのコーナー部分に配置されてもよい。
本実施形態において、前記第１開口部は、正方形であり、前記第２開口部は、長方形であってもよい。
本実施形態において、前記第１支持部と前記第２支持部とのうち少なくとも一つは、前記基板と前記第１マスク組立体との相対位置を調節することができる。
本実施形態において、前記第３開口部は、互いに離隔されるように複数個具備され、前記各第３開口部は、ライン状に形成されてもよい。
本発明のさらに他の実施形態は、基板と第１マスク組立体とをチャンバ内部に配置する段階と、蒸着ソースから供給された蒸着物質が、前記第１マスク組立体を通過し、第１対向電極を、それぞれ前記基板の第１表示領域と第２表示領域とに形成する段階と、前記基板及び前記第１マスク組立体のうち少なくとも一つの位置を可変させる段階と、前記蒸着ソースから供給された蒸着物質が、前記第１マスク組立体を通過し、前記第１表示領域と前記第２表示領域とに、それぞれ前記第１対向電極と少なくとも一部が重畳される第２対向電極を形成する段階と、前記第１マスク組立体を第２マスク組立体に交換した後、前記蒸着ソースから蒸着物質を前記基板に供給し、前記第２表示領域に、第３対向電極と第４対向電極とを形成し、前記基板の第３表示領域に、メイン対向電極を形成する段階と、を含み、前記第３対向電極は、前記第１対向電極または前記第２対向電極のうち一つと、前記第４対向電極とを連結し、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、平面上の面積が互いに異なる表示装置の製造方法を開示する。
本実施形態において、前記第１対向電極と前記第２対向電極との間には、第１透過領域が配置されてもよい。
本実施形態において、前記第１対向電極と前記第２対向電極は、一部分が互いに面接触してもよい。
本実施形態において、前記第１対向電極または前記第２対向電極のうち一つ、前記第３対向電極、及び前記第４対向電極の間には、第２透過領域が配置され、前記第１対向電極または前記第２対向電極のうち一つ、前記第３対向電極、前記第４対向電極、及びメイン対向電極の間には、第３透過領域が配置されてもよい。
本実施形態において、前記第２透過領域と前記第３透過領域は、形状が互いに異なってもよい。
本実施形態において、前記第１表示領域において提供するイメージの解像度は、前記第２表示領域及び前記第３表示領域のうち少なくとも一つから提供するイメージの解像度よりも低くてもよい。
本実施形態において、前記第１表示領域の光透過率は、前記第２表示領域及び前記第３表示領域のうち少なくとも一つの光透過率と互いに異なってもよい。
本実施形態において、前記第２表示領域の光透過率は、前記第１表示領域の光透過率よりは高く、前記第３表示領域の光透過率よりは低くてもよい。
前述のところ以外の他の側面、特徴、利点が、以下の図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。
そのような一般的であって具体的な側面が、システム、方法、コンピュータプログラム、あるいはいかなるシステム、方法、コンピュータプログラムの組み合わせを使用して実施されてもよい。
前述のようになる本発明の一実施形態によれば、コンポーネントが配置される領域においても、イメージ表現が可能になるように、表示領域が拡張されたディスプレイパネル、及びそれを含んだディスプレイ装置を実現することができる。ここで、そのような効果により、本発明の範囲が限定されるものではないということは言うまでもない。
本発明の一実施形態による表示装置を示す斜視図である。 本発明の一実施形態による表示装置を簡略に図示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルを概略的に示す平面図である。 図３の第１表示領域の一実施形態を拡大して示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの画素の等価回路図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの画素の等価回路図である。 本発明の一実施形態による画素の画素回路を概略的に示した配置図である。 図７のＩ－Ｉ’線及びＩＩ－ＩＩ’線に沿って切り取った断面図である。 本発明の一実施形態による第１表示領域の一部を示す平面図である。 本発明の一実施形態による第１表示領域の一部を示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造工程のうち一部を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造工程のうち一部を概略的に示す断面図である。 図９のＢ－Ｂ’線に沿って切り取った断面を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの対向電極の配置を示す平面図である。 図１４のＣ－Ｃ’線に沿って切り取った断面を概略的に示す断面図である。 図１４のＤ－Ｄ’線に沿って切り取った断面を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造装置を概略的に示す断面図である。 図１７に図示された第１マスク組立体を示す斜視図である。 図１７に図示された第１マスクシートの一実施形態の一部を示す平面図である。 図１７に図示された第２マスクシートの一実施形態の一部を示す平面図である。 本発明の他の実施形態による表示パネルの対向電極の配置を示す平面図である。 図１７に図示された第２マスクシートの他の実施形態の一部を示す平面図である。 本発明の他の実施形態による表示パネルの対向電極の配置を示す平面図である。 図１７に図示された第２マスクシートの他の実施形態の一部を示す平面図である。
本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態にも実現される。
以下、添付された図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明するが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は、省略する。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用されている。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」または「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴または構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴または構成要素が付加される可能性をあらかじめ排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上または上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面においては、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の三軸に限定されるものではなく、それを含む広い意味にも解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交することもできるが、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指すこともできる。
ある実施形態が他に実現可能である場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるようにも遂行される。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時にも遂行され、説明される順序と反対の順序にも進められる。
図１は、本発明の一実施形態による表示装置を示す斜視図である。
図１を参照すれば、表示装置１は、イメージを表示する表示領域ＤＡと、イメージを表示しない非表示領域ＮＤＡを含む。表示領域ＤＡは、第１表示領域ＤＡ１、第２表示領域ＤＡ２及び第３表示領域ＤＡ３を含む。表示装置１は、第３表示領域ＤＡ３に配置された複数のメイン画素ＰＸｍから放出される光を利用し、メインイメージを提供することができる。
第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２のうち少なくとも一つは、図２を参照して後述するように、その下部に、赤外線、可視光線や音などを利用するセンサのようなコンポーネントが配置される領域であってもよい。以下においては、説明の便宜のために、コンポーネントは、第１表示領域ＤＡ１に配置される場合を中心に詳細に説明する。
第１表示領域ＤＡ１は、コンポーネントから外部に出力されるか、あるいは外部からコンポーネントに向けて進む光または／及び音が透過することができる第１透過領域ＴＡ１を含んでもよい。本発明の一実施形態において、第１表示領域ＤＡ１を介して、赤外線が透過する場合、光透過率は、約１０％以上、さらに望ましくは、２０％以上であるか、２５％以上であるか、５０％以上であるか、８５％以上であるか、９０％以上であってもよい。
前述のような第１表示領域ＤＡ１の光透過率は、第２表示領域ＤＡ２の光透過率、及び第３表示領域ＤＡ３の光透過率のうち少なくとも一つと異なってもよい。例えば、第１表示領域ＤＡ１の光透過率は、第２表示領域ＤＡ２の光透過率、または第３表示領域ＤＡ３の光透過率よりも高い。他の実施形態として、第１表示領域ＤＡ１の光透過率は、第２表示領域ＤＡ２の光透過率、及び第３表示領域ＤＡ３の光透過率よりも高くてもよい。そのような場合、第２表示領域ＤＡ２の光透過率は、第３表示領域ＤＡ３の光透過率よりも高い。特に、第２表示領域ＤＡ２の光透過率は、第１表示領域ＤＡ１の光透過率と、第３表示領域ＤＡ３の光透過率との和の算術平均とほぼ等しい。
本実施形態において、第１表示領域ＤＡ１には、複数の補助画素ＰＸａが配置されてもよく、複数の補助画素ＰＸａから放出される光を利用し、所定のイメージを提供することができる。第１表示領域ＤＡ１から提供されるイメージは、補助イメージであり、第２表示領域ＤＡ２及び第３表示領域ＤＡ３のうち少なくとも一つから提供するイメージに比べ、解像度が低くなる。すなわち、第１表示領域ＤＡ１は、光または／及び音が透過することができる第１透過領域ＴＡ１を具備するが、単位面積当たり配置される補助画素ＰＸａの数が、第２表示領域ＤＡ２に単位面積当たり配置される連結画素ＰＸｃの数、または第３表示領域ＤＡ３に単位面積当たり配置されるメイン画素ＰＸｍの数に比べて少なくてもよい。他の実施形態として、第１表示領域ＤＡ１の単位面積当たり配置される補助画素ＰＸａの数は、第２表示領域ＤＡ２の単位面積当たり配置される連結画素ＰＸｃの数、及び第３表示領域ＤＡ３の単位面積当たり配置されるメイン画素ＰＸｍの数に比べて少なくてもよい。そのような場合、第２表示領域ＤＡ２の単位面積当たり配置される連結画素ＰＸｃの数は、第３表示領域ＤＡ３の単位面積当たり配置されるメイン画素ＰＸｍの数に比べて少なくてもよい。
以下では、本発明の一実施形態による表示装置１として、有機発光表示装置を例にして説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではない。他の実施形態として、無機ＥＬディスプレイ（inorganic electroluminescence display）、量子ドット発光ディスプレイ（quantum dot light emitting display）のように、多様な方式の表示装置が使用されてもよい。
図１においては、第１表示領域ＤＡ１が四角形である第２表示領域ＤＡ２の一側に配置されているように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。第２表示領域ＤＡ２の形状は、円形、楕円形、または三角形や五角形のような多角形でもあり、第１表示領域ＤＡ１の位置及び個数も、多様に変更してもよい。
図２は、本発明の一実施形態による表示装置を簡略に図示した断面図である。図２は、図１のＡ－Ａ’線に沿って切り取った断面に対応する。
図２を参照すれば、表示装置１は、表示素子を含む表示パネル１０、及び表示パネル１０の下部に位置し、第１表示領域ＤＡ１に対応するコンポーネント２０を含んでもよい。
表示パネル１０は、基板１００、基板１００上に配置された表示素子層２００、表示素子層２００を密封する密封部材として、薄膜封止層３００を含んでもよい。また、表示パネル１０は、基板１００下部に配置された下部保護フィルム１７５をさらに含んでもよい。
基板１００は、ガラスまたは高分子樹脂を含んでもよい。該高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン（polyethersulfone）、ポリアクリレート（polyacrylate）、ポリエーテルイミド（polyetherimide）、ポリエチレンナフタレート（polyethylene naphthalate）、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate）、ポリフェニレンスルフィド（polyphenylene sulfide）、ポリアリレート（polyarylate）、ポリイミド（polyimide）、ポリカーボネート（polycarbonate）またはセルロースアセテートプロピオネート（cellulose acetate propionate）のような高分子樹脂を含んでもよい。該高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブルまたはベンダブルな特性を有することができる。基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造であってもよい。
表示素子層２００は、薄膜トランジスタＴＦＴを含む回路層、表示素子としての有機発光ダイオードＯＬＥＤ、及びそれら間の絶縁層ＩＬを含んでもよい。
第３表示領域ＤＡ３には、薄膜トランジスタＴＦＴ、及びそれと接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含むメイン画素ＰＸｍが配置され、第２表示領域ＤＡ２には、薄膜トランジスタＴＦＴ、及びそれと接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む接続画素ＰＸｃが配置され、第１表示領域ＤＡ１には、薄膜トランジスタＴＦＴ、及びそれと接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む補助画素ＰＸａ配置され、メイン画素ＰＸｍ、接続画素ＰＸｃ及び補助画素ＰＸａと電気的に接続された配線（図示せず）が配置されてもよい。
また、第１表示領域ＤＡ１には、薄膜トランジスタＴＦＴ、及び画素が配置されない第１透過領域ＴＡ１が配置されてもよい。第１透過領域ＴＡ１は、コンポーネント２０から放出される光／信号や、コンポーネント２０に入射される光／信号が透過（transmission）される領域と理解することができる。第２表示領域ＤＡ２には、第１表示領域ＤＡ１と類似し、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３が配置されてもよい。
コンポーネント２０は、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２に位置することができる。望ましくは、コンポーネント２０は、第１表示領域ＤＡ１に配置される。コンポーネント２０は、光や音を利用する電子要素であってもよい。例えば、コンポーネント２０は、赤外線センサのように、光を受光して利用するセンサ、光や音を出力して感知し、距離を測定するか、あるいは指紋などを認識するセンサ、光を出力する小型ランプ、音を出力するスピーカなどであってもよい。光を利用する電子素子の場合、可視光、赤外線光、紫外線光のような、多様な波長帯域の光を利用することができるということは言うまでもない。第１表示領域ＤＡ１に配置されたコンポーネント２０の数は、複数具備されてもよい。例えば、コンポーネント２０として、発光素子及び受光素子が１つの第１表示領域ＤＡ１に共に具備されてもよい。または、１つのコンポーネント２０に、発光部及び受光部が同時に具備されてもよい。
薄膜封止層３００は、少なくとも１層の無機封止層と、少なくとも１層の有機封止層とを含んでもよい。例えば、図２は、第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０と、それら間の有機封止層３２０とを示す。
第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイド、亜鉛オキサイド、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドのうち１以上の無機絶縁物を含んでもよい。有機封止層３２０は、ポリマー系の物質を含んでもよい。ポリマー系の素材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、またはその任意の組み合わせを含んでもよい。
下部保護フィルム１７５は、基板１００の下部に付着され、基板１００を支持して保護する役割を行うことができる。下部保護フィルム１７５は、第１表示領域ＤＡ１に対応する開口１７５ＯＰを具備することができる。下部保護フィルム１７５に開口１７５ＯＰを具備することにより、第１表示領域ＤＡ１の光透過率を向上させることができる。下部保護フィルム１７５は、ポリエチレンテレフタレートまたはポリイミドを含んで具備されてもよい。
第１表示領域ＤＡ１の面積は、コンポーネント２０が配置される面積に比べ、大きく具備されてもよい。図２においては、第１表示領域ＤＡ１と開口１７５ＯＰとの面積が同一であるように図示されるが、下部保護フィルム１７５に具備された開口１７５ＯＰの面積は、第１表示領域ＤＡ１の面積と一致しなくてもよい。例えば、開口１７５ＯＰの面積は、第１表示領域ＤＡ１の面積に比べて狭く具備されてもよい。
図示されていないが、表示パネル１０上には、タッチ入力を感知する入力感知部材、偏光子（polarizer）及び遅延子（retarder）、またはカラーフィルタ及びブラックマトリックスを含む反射防止部材、及び透明なウィンドウのような構成要素がさらに配置されてもよい。
一方、本実施形態において、表示素子層２００を封止する封止部材として、薄膜封止層３００を利用しているように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。例えば、表示素子層２００を密封する部材として、シーラントまたはフリットにより、基板１００と合着される密封基板を利用することもできる。
図３は、本発明の一実施形態による表示パネルを概略的に示す平面図である。図４は、図３の第１表示領域の一実施形態を拡大して示す平面図である。
図３及び図４を参照すれば、表示パネル１０をなす各種構成要素は、基板１００上に配置される。基板１００は、表示領域、及び表示領域を取り囲む非表示領域ＮＤＡを含む。該表示領域は、メインイメージが表示される第２表示領域ＤＡ２及び第３表示領域ＤＡ３、並びに内部に第１透過領域ＴＡ１を具備し、補助イメージが表示される第１表示領域ＤＡ１を含む。
第３表示領域ＤＡ３には、複数のメイン画素ＰＸｍが配置される。メイン画素ＰＸｍは、それぞれ有機発光素子ＯＬＥＤのような表示素子を含んでもよい。各メイン画素ＰＸｍは、有機発光素子ＯＬＥＤを介して、例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。本明細書でのメイン画素ＰＸｍというのは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色のうちいずれか１つの色相の光を放出する画素と理解することができる。第２表示領域ＤＡ２は、先に図２を参照して説明した封止部材によってカバーされ、外気または水分などから保護されてもよい。
第１表示領域ＤＡ１は、第２表示領域ＤＡ２の内側に配置されることができるし、第１表示領域ＤＡ１には、複数の補助画素ＰＸａが配置される。補助画素ＰＸａは、それぞれ有機発光ダイオードのような表示素子を含んでもよい。各補助画素ＰＸａは、有機発光ダイオードを介して、例えば、赤色、緑色、青色または白色の光を放出することができる。本明細書での補助画素ＰＸａというのは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色のうちいずれか１つの色相の光を放出する画素と理解することができる。一方、第１表示領域ＤＡ１には、補助画素ＰＸａ間に配置される第１透過領域ＴＡ１が具備される。
第１表示領域ＤＡ１は、第１透過領域ＴＡ１を具備しているが、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２よりも低い。例えば、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２の約１／２であってもよい。一部実施形態において、第２表示領域ＤＡ２の解像度は、４００ｐｐｉ以上であり、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、約２００ｐｐｉであってもよい。
図４を参照し、第１表示領域ＤＡ１について説明する。
第１表示領域ＤＡ１は、少なくとも１以上の補助画素ＰＸａを含む補助画素領域ＰＡ１と、第１透過領域ＴＡ１とを具備することができる。補助画素領域ＰＡ１と第１透過領域ＴＡ１は、第１方向ＤＲ１と第２方向ＤＲ２とに沿って交互に配置され、例えば、格子形状に配置されてもよい。
補助画素領域ＰＡ１は、赤色に発光する補助画素Ｐｒ、緑色に発光する補助画素Ｐｇ及び青色に発光する補助画素Ｐｂを含んでもよい。図４においては、ペンタイル型（pentile type）の補助画素ＰＸａを図示するが、補助画素ＰＸａは、ストライプ型、または多様な形状に形成されるということは言うまでもない。また、図４においては、補助画素領域ＰＡ１に、８個の補助画素ＰＸａが具備されているように図示されるが、補助画素ＰＸａの個数は、第１表示領域ＤＡ１の解像度によって変形設計されてもよい。
一実施形態において、１つのメイン画素ＰＸｍ、１つの接続画素ＰＸｃ、及び１つの補助画素ＰＸａは、同一画素回路を含んでもよい。しかし、本発明は、それに限定されるものではない。メイン画素ＰＸｍに含まれる画素回路、接続画素ＰＸｃに含まれる画素回路、及び補助画素ＰＸａに含まれる画素回路は、互いに異なるということは言うまでもない。
第１透過領域ＴＡ１には、補助画素ＰＸａが配置されなくてもよい。補助画素ＰＸａが配置されないというのは、補助画素ＰＸａが有機発光素子ＯＬＥＤのような表示素子を含まないということを意味する。すなわち、第１透過領域ＴＡ１には、有機発光素子ＯＬＥＤを構成する画素電極、中間層、対向電極、及びそれに電気的に接続された画素回路が配置されないと理解されてもよい。ここで、補助画素領域ＰＡ１に位置した補助画素ＰＸａに信号を供給するために接続された信号線ＰＬ，ＤＬ，ＳＬ，ＥＬの一部は、第１透過領域ＴＡ１を横切って位置することができる。ただし、その場合にも、第１透過領域ＴＡ１の透過率を高めるために、信号線ＰＬ，ＤＬ，ＳＬ，ＥＬは、第１透過領域ＴＡ１の中央部を迂回して配置されてもよい。
図示されていないが、第１表示領域ＤＡ１の補助画素領域ＰＡ１に対応し、基板１００上に導電層（図示せず）が配置されてもよい。該導電層は、補助画素ＰＸａの下部に配置され、例えば、補助画素ＰＸａの薄膜トランジスタと基板との間に配置されてもよい。該導電層は、コンポーネント２０から出射された光が補助画素ＰＸａの画素回路ＰＣ（図５）に入射されることを遮断し、影響を与えることを防止することができる。そのような導電層には、定電圧または信号が印加され、静電気放電による画素回路ＰＣの損傷を防止することができる。該導電層は、第１表示領域ＤＡ１内に複数個具備されてもよく、場合によっては、各導電層は、互いに異なる電圧を提供されてもよい。
第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３も、第１透過領域ＴＡ１と類似して形成される。すなわち、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３にも、接続画素ＰＸｃが配置されなくてもよい。このとき、接続画素ＰＸｃが配置されないということの意味は、前述の補助画素ＰＸａが配置されないということの意味と対応するので、詳細な説明は、省略する。
再び図３を参照すれば、各画素ＰＸｍ，ＰＸｃ，ＰＸａは、非表示領域ＮＤＡに配置された外郭回路とも電気的に接続される。非表示領域ＮＤＡには、第１スキャン駆動回路１１０、第２スキャン駆動回路１２０、端子１４０、データ駆動回路１５０、第１電源供給配線１６０及び第２電源供給配線１７０が配置されてもよい。
第１スキャン駆動回路１１０は、スキャン線ＳＬを介して、各画素ＰＸｍ，ＰＸｃ，ＰＸａにスキャン信号を提供することができる。第１スキャン駆動回路１１０は、発光制御線ＥＬを介して、各画素に発光制御信号を提供することができる。第２スキャン駆動回路１２０は、表示領域ＤＡを挟み、第１スキャン駆動回路１１０と平行に配置されてもよい。表示領域ＤＡに配置された画素ＰＸｍ，ＰＸｃ，ＰＸａのうち一部は、第１スキャン駆動回路１１０と電気的に接続されてもよく、残りは、第２スキャン駆動回路１２０に接続されてもよい。他の実施形態において、第２スキャン駆動回路１２０は、省略されてもよい。
端子１４０は、基板１００の一側に配置されてもよい。端子１４０は、絶縁層によって覆われずに露出され、印刷回路基板ＰＣＢとも電気的に接続される。印刷回路基板ＰＣＢの端子ＰＣＢ－Ｐは、表示パネル１０の端子１４０とも電気的に接続される。印刷回路基板ＰＣＢは、制御部（図示せず）の信号または電源を表示パネル１０に伝達する。制御部で生成された制御信号は、印刷回路基板ＰＣＢを介して、第１スキャン駆動回路１１０及び第２スキャン駆動回路１２０にそれぞれ伝達される。該制御部は、第１接続配線１６１及び第２接続配線１７１を介して、第１電源供給配線１６０及び第２電源供給配線１７０に、それぞれ第１電源ＥＬＶＤＤ及び第２電源ＥＬＶＳＳ（図５、図６）を提供することができる。第１電源電圧ＥＬＶＤＤは、第１電源供給配線１６０と接続された駆動電圧線ＰＬを介して、各画素ＰＸｍ，ＰＸａに提供され、第２電源電圧ＥＬＶＳＳは、第２電源供給配線１７０と接続された各画素ＰＸｍ，ＰＸａの対向電極に提供されてもよい。
データ駆動回路１５０は、データ線ＤＬに電気的に接続される。データ駆動回路１５０のデータ信号は、端子１４０に接続された接続配線１５１、及び接続配線１５１と接続されたデータ線ＤＬを介して、各画素ＰＸｍ，ＰＸａにも提供される。図３は、データ駆動回路１５０が印刷回路基板ＰＣＢに配置されたところを図示するが、他の実施形態において、データ駆動回路１５０は、基板１００上に配置されてもよい。例えば、データ駆動回路１５０は、端子１４０と第１電源供給配線１６０との間に配置されてもよい。
第１電源供給配線１６０は、表示領域ＤＡを挟み、ｘ方向に沿って平行に延長された第１サブ配線１６２及び第２サブ配線１６３を含んでもよい。第２電源供給配線１７０は、一側が開放されたルーフ形状であり、表示領域ＤＡを部分的に取り囲むことができる。
図５及び図６は、本発明の一実施形態による表示パネルの画素の等価回路図である。
図５及び図６を参照すれば、各画素ＰＸｍ，ＰＸｃ，ＰＸａは、スキャンラインＳＬ及びデータ線ＤＬに接続された画素回路ＰＣ及び画素回路ＰＣに接続された有機発光素子ＯＬＥＤを含む。
画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬ及びデータ線ＤＬに接続され、スキャンラインＳＬを介して入力されるスキャン信号Ｓｎにより、データ線ＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを駆動薄膜トランジスタＴ１に伝達する。
ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び駆動電圧線ＰＬに接続され、スイッチング薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧ＥＬＶＤＤ（または、駆動電圧）との差に対応する電圧を保存する。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに接続され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧線ＰＬから有機発光素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御することができる。有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動電流により、所定の輝度を有する光を放出することができる。
図５では、画素回路ＰＣが２個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージキャパシタを含む場合について説明したが、本発明は、それに限定されるものではない。図６に図示されているように、画素回路ＰＣは、７個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージキャパシタを含んでもよい。図６においては、１個のストレージキャパシタを含んでいるように図示されているが、画素回路ＰＣは、２個以上のストレージキャパシタを含んでもよい。
図６を参照すれば、各画素ＰＸｍ，ＰＸｃ，ＰＸａは、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。画素回路ＰＣは、複数の薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタを含んでもよい。当該の薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタは、信号線ＳＬ，ＳＬ－１，ＥＬ，ＤＬ、初期化電圧線ＶＬ及び駆動電圧線ＰＬに接続されてもよい。
図６においては、画素ＰＸｍ，ＰＸｃ，ＰＸａが信号線ＳＬ，ＳＬ－１，ＥＬ，ＤＬ、初期化電圧線ＶＬ及び駆動電圧線ＰＬに接続されているように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、信号線ＳＬ，ＳＬ－１，ＥＬ，ＤＬのうち少なくともいずれか１本、初期化電圧線ＶＬや駆動電圧線ＰＬは、隣接する画素で共有されてもよい。
該信号線は、スキャン信号Ｓｎを伝達するスキャン線ＳＬ、第１初期化薄膜トランジスタＴ４と第２初期化薄膜トランジスタＴ７とに、以前スキャン信号Ｓｎ－１を伝達する以前スキャン線ＳＬ－１、動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６に、発光制御信号Ｅｎを伝達する発光制御線ＥＬ、スキャン線ＳＬと交差し、データ信号Ｄｍを伝達するデータ線ＤＬを含む。駆動電圧線ＰＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１に駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達し、初期化電圧線ＶＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１及び画素電極を初期化する初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達する。
駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１に接続されており、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１は、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、下部駆動電圧線ＰＬに接続されており、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１は、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、メイン有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と電気的に接続されている。駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作により、データ信号Ｄｍを伝達され、メイン有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流ＩＯＬＥＤを供給する。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングゲート電極Ｇ２は、スキャン線ＳＬに接続されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングソース電極Ｓ２は、データ線ＤＬに接続されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、下部駆動電圧線ＰＬに接続されている。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線ＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、データ線ＤＬに伝達されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に伝達するスイッチング動作を遂行する。
補償薄膜トランジスタＴ３の補償ゲート電極Ｇ３は、スキャン線ＳＬに接続されており、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１に接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と接続されており、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。補償薄膜トランジスタＴ３は、スキャン線ＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と、駆動ドレイン電極Ｄ１とを電気的に接続し、駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード接続させる。
第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ゲート電極Ｇ４は、以前スキャン線ＳＬ－１に接続されており、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７と、初期化電圧線ＶＬとに接続されており、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャン線ＳＬ－１を介して伝達された以前スキャン信号Ｓｎ－１によってターンオンされ、初期化電圧Ｖｉｎｔを駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に伝達し、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１の電圧を初期化させる初期化動作を遂行する。
動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ゲート電極Ｇ５は、発光制御線ＥＬに接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ソース電極Ｓ５は、下部駆動電圧線ＰＬと接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ドレイン電極Ｄ５は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１、及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２と接続されている。
発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ゲート電極Ｇ６は、発光制御線ＥＬに接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ソース電極Ｓ６は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１、及び補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３に接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７、及び有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極に電気的に接続されている。
動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御線ＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電圧ＥＬＶＤＤがメイン有機発光素子ＯＬＥＤに伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流ＩＯＬＥＤが流れるようにする。
第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ゲート電極Ｇ７は、以前スキャン線ＳＬ－１に接続されており、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７は、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６、及びメイン有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極に接続されており、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７は、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４、及び初期化電圧線ＶＬに接続されている。第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、以前スキャン線ＳＬ－１を介して伝達された以前スキャン信号Ｓｎ－１によってターンオンされ、メイン有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極を初期化させる。
図６においては、第１初期化薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７が以前スキャン線ＳＬ－１に接続されている場合が図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。他の実施形態として、第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャン線ＳＬ－１に接続され、以前スキャン信号Ｓｎ－１によって駆動し、第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、別途の信号線（例えば、以後スキャン線）に接続され、信号線に伝達される信号によって駆動されてもよい。
ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、駆動電圧線ＰＬに接続されており、有機発光素子ＯＬＥＤの対向電極は、共通電圧ＥＬＶＳＳに接続されている。それにより、有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流ＩＯＬＥＤを伝達されて発光することにより、画像を表示することができる。
図６においては、補償薄膜トランジスタＴ３と第１初期化薄膜トランジスタＴ４とがデュアルゲート電極を有するように図示されているが、補償薄膜トランジスタＴ３と第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、１つのゲート電極を有することができる。
図７は、本発明の一実施形態による画素の画素回路を概略的に示した配置図である。図８は、図７のＩ－Ｉ’線及びＩＩ－ＩＩ’線に沿って切り取った断面図である。
図７及び図８を参照すれば、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、半導体層１１３０に沿って配置される。
半導体層１１３０は、無機絶縁物質であるバッファ層が形成された基板上に配置される。本実施形態において、半導体層１１３０は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ－ｓｉｌｉｃｏｎ）を含んでもよい。ポリシリコン物質は、電子移動度が高く（１００ｃｍ2／Ｖｓ以上）、エネルギー消費電力が低く、信頼性にすぐれるので、表示装置において、薄膜トランジスタの半導体層として利用されてもよい。ただし、本発明は、それに限定されるものではなく、他の実施形態において、半導体層１１３０は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）及び／または酸化物半導体によっても形成され、複数の薄膜トランジスタのうち一部半導体層は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）によって形成され、他の一部半導体層は、非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）及び／または酸化物半導体によって形成されてもよい。
半導体層１１３０の一部領域は、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７の半導体層に該当する。言い換えれば、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７の半導体層は、互いに接続され、多様な形状に屈曲されていると理解することができる。
半導体層１１３０は、チャネル領域、並びにチャネル領域両側のソース領域及びドレイン領域を含むが、ソース領域及びドレイン領域は、当該薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と理解されてもよい。以下においては、便宜上、ソース領域及びドレイン領域を、それぞれソース電極及びドレイン電極と呼ぶ。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動チャネル領域に重畳される駆動ゲート電極Ｇ１、並びに駆動チャネル領域両側の駆動ソース電極Ｓ１及び駆動ドレイン電極Ｄ１を含む。駆動ゲート電極Ｇ１と重畳する駆動チャネル領域は、オメガ状のように折り曲げられた形状を有することにより、狭い空間内に長いチャネル長を形成することができる。駆動チャネル領域の長さが長い場合、ゲート電圧の駆動範囲（ｄｒｉｖｉｎｇ ｒａｎｇｅ）が広くなり、有機発光ダイオードＯＬＥＤから放出される光の階調をさらに精巧に制御することができ、表示品質を向上させることができる。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スイッチングチャネル領域に重畳されるスイッチングゲート電極Ｇ２、並びにスイッチングチャネル領域両側のスイッチングソース電極Ｓ２及びスイッチングドレイン電極Ｄ２を含む。スイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動ソース電極Ｓ１とも接続される。
補償薄膜トランジスタＴ３は、デュアル薄膜トランジスタであり、２個の補償チャネル領域に重畳される補償ゲート電極Ｇ３を具備することができ、両側に配置された補償ソース電極Ｓ３及び補償ドレイン電極Ｄ３を含んでもよい。補償薄膜トランジスタＴ３は、後述するノード接続線１１７４を介して、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と接続されてもよい。
第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、デュアル薄膜トランジスタであり、２個の第１初期化チャネル領域に重畳される第１初期化ゲート電極Ｇ４を具備し、両側に配置された第１初期化ソース電極Ｓ４及び第１初期化ドレイン電極Ｄ４を含んでもよい。
動作制御薄膜トランジスタＴ５は、動作制御チャネル領域に重畳される動作制御ゲート電極Ｇ５、並びに両側に位置する動作制御ソース電極Ｓ４及び動作制御ドレイン電極Ｄ５を含んでもよい。動作制御ドレイン電極Ｄ５は、駆動ソース電極Ｓ１と接続されてもよい。
発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御チャネル領域に重畳される発光制御ゲート電極Ｇ６、並びに両側に位置する発光制御ソース電極Ｓ６及び発光制御ドレイン電極Ｄ６を含んでもよい。発光制御ソース電極Ｓ６は、駆動ドレイン電極Ｄ１と接続されてもよい。
第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、第２初期化チャネル領域に重畳される第２初期化ゲート電極Ｇ７、並びに両側に位置する第２初期化ソース電極Ｓ７及び第２初期化ドレイン電極Ｄ７を含んでもよい。
前述の薄膜トランジスタは、信号線ＳＬ，ＳＬ－１，ＥＬ，ＤＬ、初期化電圧ラインＶＬ及び駆動電圧ラインＰＬに接続されてもよい。
前述の半導体層１１３０上には、絶縁層を挟み、スキャン線ＳＬ、以前スキャン線ＳＬ－１、発光制御ラインＥＬ及び駆動ゲート電極Ｇ１が配置されてもよい。
スキャン線ＳＬは、第１方向ＤＲ１に沿っても延長される。スキャン線ＳＬの一領域は、スイッチングゲート電極Ｇ２及び補償ゲート電極Ｇ３に該当する。例えば、スキャン線ＳＬにおいて、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び補償薄膜トランジスタＴ３のチャネル領域と重畳する領域が、それぞれスイッチングゲート電極Ｇ２及び補償ゲート電極Ｇ３であってもよい。
以前スキャン線ＳＬ－１は、第１方向ＤＲ１に沿って延長されるが、一部領域は、それぞれ第１初期化ゲート電極Ｇ４及び第２初期化ゲート電極Ｇ７に該当する。例えば、以前スキャン線ＳＬ－１において、第１初期化駆動薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化駆動薄膜トランジスタＴ７のチャネル領域と重畳する領域が、それぞれ第１初期化ゲート電極Ｇ４及び第２初期化ゲート電極Ｇ７であってもよい。
発光制御ラインＥＬは、第１方向ＤＲ１に沿って延長される。発光制御ラインＥＬの一領域は、それぞれ動作制御ゲート電極Ｇ５及び発光制御ゲート電極Ｇ６に該当する。例えば、発光制御ラインＥＬにおいて、動作制御駆動薄膜トランジスタＴ６及び発光制御駆動薄膜トランジスタＴ７のチャネル領域と重畳する領域が、それぞれ動作制御ゲート電極Ｇ５及び発光制御ゲート電極Ｇ６であってもよい。
駆動ゲート電極Ｇ１は、フローティング電極であり、前述のノード接続線１１７４を介して、補償薄膜トランジスタＴ３と接続されてもよい。
前述のスキャン線ＳＬ、以前スキャン線ＳＬ－１、発光制御ラインＥＬ及び駆動ゲート電極Ｇ１の上には、絶縁層を挟み、電極電圧ラインＨＬが配置されてもよい。
電極電圧ラインＨＬは、データラインＤＬ及び駆動電圧ラインＰＬと交差するように、第１方向ＤＲ１に沿って延長されてもよい。電極電圧ラインＨＬの一部は、駆動ゲート電極Ｇ１の少なくとも一部をカバーし、駆動ゲート電極Ｇ１と共に、ストレージキャパシタＣｓｔを形成することができる。例えば、駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１になり、電極電圧ラインＨＬの一部は、ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２になってもよい。
ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、駆動電圧ラインＰＬと電気的に接続される。それに係わり、電極電圧ラインＨＬは、電極電圧ラインＨＬ上に配置された駆動電圧ラインＰＬと、コンタクトホールＣＮＴを介して接続されてもよい。従って、電極電圧ラインＨＬは、駆動電圧ラインＰＬと同一電圧レベル（定電圧）を有することができる。例えば、電極電圧ラインＨＬは、＋５Ｖの定電圧を有することができる。電極電圧ラインＨＬは、横方向駆動電圧ラインと理解することができる。
駆動電圧ラインＰＬは、第２方向ＤＲ２に沿って延長され、駆動電圧ラインＰＬと電気的に接続された電極電圧ラインＨＬは、第２方向ＤＲ２に交差する第１方向ＤＲ１に沿って延長されるので、表示領域において、複数の駆動電圧ラインＰＬと電極電圧ラインＨＬは、網構造（ｍｅｓｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）をなすことができる。
電極電圧ラインＨＬ上には、絶縁層を挟み、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、初期化接続線１１７３及びノード接続線１１７４が配置されてもよい。
データラインＤＬは、第２方向ＤＲ２に延長され、コンタクトホール１１５４を介して、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングソース電極Ｓ２に接続されてもよい。データラインＤＬの一部は、スイッチングソース電極と理解されてもよい。
駆動電圧ラインＰＬは、第２方向ＤＲ２に延長され、前述のように、コンタクトホールＣＮＴを介して、電極電圧ラインＨＬに接続される。また、コンタクトホール１１５５を介して、動作制御薄膜トランジスタＴ５に接続されてもよい。駆動電圧ラインＰＬは、コンタクトホール１１５５を介して、動作制御ドレイン電極Ｄ５にも接続される。
初期化接続線１１７３の一端は、コンタクトホール１１５２を介して、第１初期化薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７に接続され、他端は、コンタクトホール１１５１を介して、後述する初期化電圧ラインＶＬと接続されてもよい。
ノード接続線１１７４の一端は、コンタクトホール１１５６を介して、補償ドレイン電極Ｄ３に接続され、他端は、コンタクトホール１１５７を介して、駆動ゲート電極Ｇ１に接続される。
データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、初期化接続線１１７３及びノード接続線１１７４の上には、絶縁層を挟み、初期化電圧ラインＶＬが配置されてもよい。
初期化電圧ラインＶＬは、第１方向ＤＲ１に延長される。初期化電圧ラインＶＬは、初期化接続線１１７３を介して、第１初期化駆動薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化駆動薄膜トランジスタＴ７に接続されてもよい。初期化電圧ラインＶＬは、定電圧（例えば、－２Ｖなど）を有することができる。
初期化電圧ラインＶＬは、有機発光ダイオードＯＬＥＤ（図８）の画素電極２１０と同一層上に配置され、同一物質を含んでもよい。画素電極２１０は、発光制御薄膜トランジスタＴ６に接続されてもよい。画素電極２１０は、コンタクトホール１１６３を介して、接続メタル１１７５に接続され、接続メタル１１７５は、コンタクトホール１１５３を介して、発光制御ドレイン電極Ｄ６に接続される。
図７においては、初期化電圧ラインＶＬが画素電極２１０と同一層上に配置されているところについて説明したが、他の実施形態において、初期化電圧ラインＶＬは、電極電圧ラインＨＬと同一層上に配置されてもよい。
以下、図８を参照し、本発明の一実施形態による表示パネルに含まれた構成の積層された構造について説明する。
基板１００は、ガラスまたは高分子樹脂を含んでもよい。該高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネートまたはセルロースアセテートプロピオネートのような高分子樹脂を含んでもよい。該高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブルまたはベンダブルな特性を有することができる。基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造であってもよい。
バッファ層１１１は、基板１００上に位置し、基板１００の下部から、異物、湿気または外気の浸透を減少させたり遮断させたりすることができ、基板１００上に、平坦面を提供することができる。バッファ層１１１は、酸化物または窒化物のような無機物、または有機物、あるいは有機／無機複合物を含んでもよいし、無機物と有機物との単層構造または多層構造によってもなる。基板１００とバッファ層１１１との間には、外気の浸透を遮断するバリア層（図示せず）がさらに含まれてもよい。
半導体層Ａ１，Ａ６上には、第１ゲート絶縁層１１２を挟み、ゲート電極Ｇ１，Ｇ６が配置される。ゲート電極Ｇ１，Ｇ６は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層または多層であってもよい。一例として、ゲート電極Ｇ１，Ｇ６は、Ｍｏの単層であってもよい。スキャン線ＳＬ（図７）、以前スキャン線ＳＬ－１及び発光制御ラインＥＬは、ゲート電極Ｇ１，Ｇ６と同一層に形成されてもよい。すなわち、ゲート電極Ｇ１，Ｇ６、スキャン線ＳＬ（図７）、以前スキャン線ＳＬ－１及び発光制御ラインＥＬは、第１ゲート絶縁層１１２上に配置されてもよい。
第１ゲート絶縁層１１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）、チタン酸化物（ＴｉＯ2）、タンタル酸化物（Ｔａ2Ｏ5）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ2）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ2）などを含んでもよい。
ゲート電極Ｇ１，Ｇ６を覆うように、第２ゲート絶縁層１１３が具備されてもよい。第２ゲート絶縁層１１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）、チタン酸化物（ＴｉＯ2）、タンタル酸化物（Ｔａ2Ｏ5）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ2）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ2）などを含んでもよい。
ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１は、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１と一体に形成されてもよい。例えば、駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１での機能を遂行することができる。
ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、第２ゲート絶縁層１１３を挟み、下部電極ＣＥ１と重畳する。その場合、第２ゲート絶縁層１１３は、ストレージキャパシタＣｓｔの誘電体層の機能を行うことができる。上部電極ＣＥ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含んでもよく、前述の材料を含む多層または単層に形成されてもよい。一例として、上部電極ＣＥ２は、Ｍｏの単層であるか、あるいはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層であってもよい。
図面において、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴ１と重畳するように図示されているが、本発明は、それに限定されるものではない。ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴ１と重畳しないように配置されてもよいというように、多様な変形が可能である。
上部電極ＣＥ２は、電極電圧ラインＨＬとして機能することができる。例えば、電極電圧ラインＨＬの一部は、ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２になってもよい。
上部電極ＣＥ２を覆うように、層間絶縁層１１５が具備されてもよい。層間絶縁層１１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）、チタン酸化物（ＴｉＯ2）、タンタル酸化物（Ｔａ2Ｏ5）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ2）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ2）などを含んでもよい。図８において、層間絶縁層１１５が単層であるように図示されるが、一実施形態において、層間絶縁層１１５は、多層構造に形成されてもよい。
層間絶縁層１１５上には、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ及び接続メタル１１７５が配置されてもよい。データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ及び接続メタル１１７５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含んでもよく、前述の材料を含む多層または単層に形成されてもよい。一例として、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ及び接続メタル１１７５は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造からなってもよい。
ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、駆動電圧ラインＰＬと、層間絶縁層１１５に定義されたコンタクトホールＣＮＴとを介して接続されてもよい。それは、電極電圧ラインＨＬが、駆動電圧ラインＰＬとコンタクトホールＣＮＴとを介して接続されることを意味する。従って、電極電圧ラインＨＬは、駆動電圧ラインＰＬと同一電圧レベル（定電圧）を有することができる。
接続メタル１１７５は、層間絶縁層１１５、第２ゲート絶縁層１１３及び第１ゲート絶縁層１１２を貫通するコンタクトホール１１５３を介して、発光制御薄膜トランジスタＴ６の半導体層Ａ６と接続される。接続メタル１１７５を介して、発光制御薄膜トランジスタＴ６は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極２１０と電気的に接続されてもよい。
データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ及び接続メタル１１７５の上には、平坦化層１１７が位置し、平坦化層１１７上に、有機発光ダイオードＯＬＥＤが位置することができる。
平坦化層１１７は、画素電極２１０が平坦に形成されるように平坦な上面を有してもよい。平坦化層１１７は、有機物質からなる膜が単層または多層に形成されてもよい。平坦化層１１７は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）・ポリイミド・ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）・ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）・ポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ－キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドなどを含んでもよい。平坦化層１１７は、無機物質を含んでもよい。そのような平坦化層１１７は、シリコン酸化物（ＳｉＯ2）、シリコン窒化物（ＳｉＮx）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ2Ｏ3）、チタン酸化物（ＴｉＯ2）、タンタル酸化物（Ｔａ2Ｏ5）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ2）または亜鉛酸化物（ＺｎＯ2）などを含んでもよい。平坦化層１１７が無機物質によって具備される場合、場合により、化学的平坦化研磨を進めることができる。一方、平坦化層１１７は、有機物質及び無機物質をいずれも含んでもよい。
画素電極２１０は、（半）透光性電極または反射電極であってもよい。一部実施形態において、画素電極２１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及び、それらの化合物などによって形成された反射膜と、反射膜上に形成された透明または半透明の電極層とを具備することができる。透明または半透明の電極層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ2Ｏ3）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）及びアルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）を含むグループのうちから選択された少なくとも１以上を具備することができる。一部実施形態において、画素電極２１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯによって積層された構造によって具備されてもよい。
平坦化層１１７上には、画素定義膜１１９が配置されてもよく、画素定義膜１１９は、画素電極３１０の中央部を露出させる開口部１１９ＯＰを有することにより、画素の発光領域を定義する役割を行うことができる。また、画素定義膜１１９は、画素電極３１０のエッジと、画素電極２１０上部の対向電極２３０との距離を増やすことにより、画素電極２１０のエッジにおいて、アークなどが発生することを防止する役割を行うことができる。画素定義膜１１９は、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）及びフェノール樹脂のような有機絶縁物質であり、スピンコーティングなどの方法によって形成されてもよい。
有機発光ダイオードＯＬＥＤの中間層２２０は、有機発光層を含んでもよい。有機発光層は、赤色、緑色、青色または白色の光を放出する蛍光またはリン光の物質を含む有機物を含んでもよい。該有機発光層は、低分子有機物または高分子有機物でもあり、該有機発光層の上下には、ホール輸送層（ＨＴＬ）、ホール注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）及び電子注入層（ＥＩＬ）のような機能層が選択的にさらに配置されてもよい。中間層２２０は、複数の画素電極２１０それぞれに対応して配置されてもよい。しかし、それに限定されるものではない。中間層２２０は、複数の画素電極２１０にわたって一体である層を含んでもよいというように、多様な変形が可能である。
対向電極２３０は、透光性電極または反射電極であってもよい。一部実施形態において、対向電極２３０は、透明または半透明の電極でもあり、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ及び、それらの化合物を含む仕事関数が小さい金属薄膜によって形成されてもよい。また、金属薄膜の上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ2Ｏ3のようなＴＣＯ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）膜がさらに配置されてもよい。
画素電極２１０、反射電極、および対向電極２３０が透光性電極によって具備される場合、中間層２２０から放出される光は、対向電極２３０側に放出され、該表示装置は、前面発光型にもなる。画素電極２１０が透明または半透明の電極によって構成され、対向電極２３０が反射電極によって構成される場合、中間層２２０から放出された光は、基板１００側に放出され、該表示装置は、背面発光型にもなる。しかし、本実施形態はそれらに限定されるものではない。本実施形態の表示装置は、前面及び背面の両方向に光を放出する両面発光型であってもよい。
本実施形態において、対向電極２３０は、第１表示領域ＤＡ１上に位置した補助画素ＰＸａに具備されてもよい。ただし、第１表示領域ＤＡ１は、補助画素ＰＸａが位置した補助画素領域ＰＡ１及び第１透過領域ＴＡ１を含むが、対向電極２３０の一部は、第１透過領域ＴＡ１に対応する一部領域に具備されない。ここで、前面発光型表示装置の場合、対向電極２３０側に光が放出されるが、対向電極２３０により、透過率が一部低下してしまう。従って、第１透過領域ＴＡ１に対応する領域において、対向電極２３０を具備しないことにより、第１透過領域ＴＡ１の透過率を向上させることができる。
そのために、第１表示領域ＤＡ１上に配置された対向電極２３０は、補助画素領域ＰＡ１別にパターニングされた形状に具備されてもよい。第１表示領域ＤＡ１に位置した対向電極２３０は、第１透過領域ＴＡ１に対応する一部領域をレーザリフトオフ（ｌａｓｅｒ ｌｉｆｔ ｏｆｆ）を介して除去して形成することもでき、ＦＭＭ（ｆｉｎｅ ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）パターニングを介して形成することもできる。以下、本実施形態においては、ＦＭＭパターニングを介して、第１表示領域ＤＡ１上に対向電極２３０を形成することを前提とする。
対向電極２３０は、第２表示領域ＤＡ２上に位置した接続画素ＰＸｃに具備されてもよい。ただし、第２表示領域ＤＡ２は、接続画素ＰＸｃが位置した接続画素領域ＰＡ２、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３を含むが、対向電極２３０の一部は、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３に対応する一部領域に具備されない。ここで、前面発光型表示装置の場合、対向電極２３０側に光が放出されるが、対向電極２３０により、透過率が一部低下してしまうということは言うまでもない。従って、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３に対応する領域において、対向電極２３０を具備しないことにより、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３の透過率を向上させることができる。
そのために、第２表示領域ＤＡ２上に配置された対向電極２３０は、接続画素領域ＰＡ２別にパターニングされた形状に具備されてもよい。第２表示領域ＤＡ２に位置した対向電極２３０は、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３に対応する一部領域を、レーザリフトオフを介して除去して形成することもでき、ＦＭＭパターニングを介して形成することもできる。以下、本実施形態においては、ＦＭＭパターニングを介して、第２表示領域ＤＡ１上に、対向電極２３０を形成することを前提とする。
対向電極２３０は、第３表示領域ＤＡ３全面にわたって配置され、エッジの一部は、非表示領域ＮＤＡに位置することができる。対向電極２３０は、第３表示領域ＤＡ３上に位置したメイン画素ＰＸｍ、すなわち、複数の有機発光ダイオードＯＬＥＤにおいて一体に形成され、複数の画素電極２１０に対応する。
図９及び図１０は、本発明の一実施形態による第１表示領域の一部を示す平面図である。
図９及び図１０を参照すれば、前述のように、第１表示領域ＤＡ１は、補助画素領域ＰＡ１及び第１透過領域ＴＡ１を含み、補助画素領域ＰＡ１には、補助画素ＰＸａが配置される。補助画素領域ＰＡ１は、図９のように、第１画素領域ＰＡ１－１及び第２画素領域ＰＡ１－２を含み、第１画素領域ＰＡ１－１には、複数の第１画素ＰＸａ１が配置され、第２画素領域ＰＡ１－２には、複数の第２画素ＰＸａ２が配置される。
本実施形態において、第１画素領域ＰＡ１－１上には、第１対向電極２３０ａが具備され、第２画素領域ＰＡ１－２上には、第２対向電極２３０ｂが具備される。第１対向電極２３０ａは、第１画素領域ＰＡ１－１に対応して配置され、第２対向電極２３０ｂは、第２画素領域ＰＡ１－２に対応して配置されてもよい。また、第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂは、一部領域で互いに接触する。このとき、第１対向電極２３０ａの形状と、第２対向電極２３０ｂの形状は、互いに同一であってもよい。
図１０を参照すれば、第１画素領域ＰＡ１－１上には、複数の第１画素ＰＸａ１が配置される。複数の第１画素ＰＸａ１は、それぞれにスキャン信号を供給されるスキャン線、及びデータ信号を供給されるデータ線を含む。スキャン線は、第１方向ＤＲ１に沿って延長され、データ線は、第１方向ＤＲ１と交差、例えば、直交する第２方向ＤＲ２に沿っても延長される。このとき、第１画素領域ＰＡ１－１上には、それ以外の他の信号線ＰＬ，ＥＬ，ＳＬ－１，ＶＬ（図７）も共に具備されるということは言うまでもない。
データ線及びスキャン線の一部は、第１透過領域ＴＡ１上に位置することができる。その場合にも、例えば、スキャン線は、第１透過領域ＴＡ１の透過率向上のために、第１透過領域ＴＡ１のエッジで迂回して配置された迂回領域を有することができる。そのような迂回領域は、それ以外の他の信号線ＰＬ，ＥＬ，ＳＬ－１，ＶＬ（図７）にも適用される。
第１画素領域ＰＡ１－１上に配置された複数の第１画素ＰＸａ１は、１個の第１画素領域ＰＡ１－１上に一体に形成された第１対向電極２３０ａを具備することができる。
第２画素領域ＰＡ１－２上に配置された複数の第２画素ＰＸａ２は、１個の第２画素領域ＰＡ１－２上に一体に形成された第２対向電極２３０ｂを具備することができる。
第１画素領域ＰＡ１－１と第２画素領域ＰＡ１－２は、互いに異なるラインに配列されてもよい。そのような場合、第１画素領域ＰＡ１－１と第２画素領域ＰＡ１－２は、第１透過領域ＴＡ１を取り囲むように配列されてもよい。すなわち、第１画素領域ＰＡ１－１と第２画素領域ＰＡ１－２は、ジグザグ形態に配列されてもよい。
第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂは、それぞれ第１画素領域ＰＡ１－１と第２画素領域ＰＡ１－２とに対応して配置されるが、一部領域において、互いに接触する。第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂは、第１画素領域ＰＡ１－１と第２画素領域ＰＡ１－２とが隣接した領域で互いに接触する第１コンタクト領域ＣＴＡ１を有し、それを介して、互いに電気的に接続されてもよい。
前述のような場合、第１コンタクト領域ＣＴＡ１を介して、第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂとが互いに接続されることにより、第１表示領域ＤＡ１上に配置された対向電極２３０ａ，２３０ｂにおける抵抗が増大することを改善させることができる。
図１１及び図１２は、本発明の一実施形態による表示パネルの製造工程のうち一部を概略的に示す断面図である。図１３は、図９のＢ－Ｂ’線に沿って切り取った断面を概略的に示す断面図である。
図１１～図１３を参照すれば、基板１００上に、画素回路ＰＣが位置した絶縁層ＩＬを形成し、画素回路ＰＣと電気的に接続された第１画素電極２１０ａ及び第２画素電極２１０ｂを形成する。第１画素電極２１０ａは、第１画素領域ＰＡ１－１上に配置され、第２画素電極２１０ｂは、第２画素領域ＰＡ１－２上に配置される。
第１画素電極２１０ａ及び第２画素電極２１０ｂの上には、それらの中央部を露出させる開口を有する画素定義膜１１９を形成する。画素定義膜１１９の開口を介して露出された第１画素電極２１０ａ上には、第１中間層２２０ａを形成し、第２画素電極２１０ｂ上には、第２中間層２２０ｂを形成する。第１中間層２２０ａと第２中間層２２０ｂは、図８で説明した中間層２２０と同一物質であると理解されてもよい。
その後、第１中間層２２０ａ及び第２中間層２２０ｂの上には、第１対向電極２３０ａ及び第２対向電極２３０ｂが形成されてもよい。本実施形態において、第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂは、互いに異なる工程を介して形成されてもよい。そのとき、第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂとを形成するために、後述する同一第１マスク組立体の第１マスクシート４２２Ａを使用することができる。すなわち、第１対向電極２３０ａを形成した後、第１マスク組立体と基板１００とのうち少なくとも一つを、初期位置と異なる位置に移動させた後、基板１００に第２対向電極２３０ｂを形成することができる。他の実施形態として、第１対向電極２３０ａは、第２対向電極２３０ｂを形成した後、マスク組立体と基板１００とのうち少なくとも一つを、初期位置と異なる位置に移動させた後、基板１００に形成することも可能である。以下では、説明の便宜のために、第１対向電極２３０ａの形成後、基板１００の位置を移動させ、第２対向電極２３０ｂを形成する場合を中心に詳細に説明する。
具体的には、図１１のように、第１中間層２２０ａ上に、第１対向電極２３０ａを形成する。第１対向電極２３０ａは、第１マスクシート４２２Ａの第１開口部４２２Ａ－１を通過した蒸着物質が基板１００に蒸着されて形成されてもよい。その後、図１２のように、基板１００を図１１の左側に移動させ、第２中間層２２０ｂ上に、第２対向電極２３０ｂを形成する。第２対向電極２３０ｂは、第１マスクシート４２２Ａの第１開口部４２２Ａ－１を介して製造されてもよい。
図１３を共に参照すれば、前述のように形成された第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂは、第１コンタクト領域ＣＴＡ１で互いに面接触する。第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂとが面接触するというのは、第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂとの間に、いかなる層も介在されるものではなく、第１対向電極２３０ａ上に、第２対向電極２３０ｂが積層されることにより、互いに接触すると理解される。
第１コンタクト領域ＣＴＡ１において第２対向電極２３０ｂは、第１対向電極２３０ａ上に配置される。それは、第２対向電極２３０ｂが第１対向電極２３０ａよりも後の工程によって形成されることを意味する。他の実施形態として、第２対向電極２３０ｂが第１対向電極２３０ａより後の工程によって形成される場合、第１コンタクト領域ＣＴＡ１において、第１対向電極２３０ａは、第２対向電極２３０ｂ上に配置されてもよい。第１コンタクト領域ＣＴＡ１は、第１対向電極２３０ａと第２対向電極２３０ｂとが面接触することにより、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂのみが配置された領域より、およそ２倍以下の厚みに形成されてもよい。また、第１コンタクト領域ＣＴＡ１は、第１画素ＰＸａ１及び第２画素ＰＸａ２の発光領域上に配置されないことが望ましい。そのとき、第１画素と第２画素の「発光領域」は、画素定義膜１１９に形成され、それぞれが第１画素電極２１０ａと第２画素電極２１０ｂとの中央部を露出させる第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２として定義されてもよい。すなわち、第１コンタクト領域ＣＴＡ１は、画素定義膜１１９に形成された第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２とは、重畳されないように具備されてもよい。
第１コンタクト領域ＣＴＡ１の面積が広いほど、第１対向電極２３０ａ及び第２対向電極２３０ｂの抵抗を低くすることが有利である。しかし、前述のところのように、第１コンタクト領域ＣＴＡ１の面積を一定以上広くすれば、画素ＰＸａ１，ＰＸａ２の発光領域と重畳され、それは、画素ＰＸａ１，ＰＸａ２の発光品質を低下させる原因になる。
従って、第１コンタクト領域ＣＴＡ１の面積は、第１開口ＯＰ１及び第２開口ＯＰ２を遮蔽しない程度に形成されてもよい。
図１１及び図１３を共に参照すれば、第１透過領域ＴＡ１は、第１画素領域ＰＡ１－１に比べ、有機発光素子ＯＬＥＤのような表示素子、及びそれに電気的に接続された画素回路ＰＣを含まない。さらに、そのような第１透過領域ＴＡ１は、基板１００上に配置された層の一部が除去された領域と定義されてもよい。
図１４は、本発明の一実施形態による表示パネルの対向電極の配置を示す平面図である。図１５は、図１４のＣ－Ｃ’線に沿って切り取った断面を概略的に示す断面図である。図１６は、図１４のＤ－Ｄ’線に沿って切り取った断面を概略的に示す断面図である。
図１４～図１６を参照すれば、前述のように、第１表示領域ＤＡ１は、第１画素領域ＰＡ１－１、第２画素領域ＰＡ１－２及び第１透過領域ＴＡ１を含んでもよい。そのとき、第１画素領域ＰＡ１－１には、第１対向電極２３０ａが配置され、第２画素領域ＰＡ１－２には、第２対向電極２３０ｂが配置されてもよい。
第２表示領域ＤＡ２は、第３画素領域ＰＡ２－１、第４画素領域ＰＡ２－２、第２透過領域ＴＡ２及び第３透過領域ＴＡ３を含んでもよい。そのとき、第３画素領域ＰＡ２－１には、第３対向電極２３０ｃが配置され、第４画素領域ＰＡ２－２には、第４対向電極２３０ｄが配置されてもよい。
前述のような場合、第３対向電極２３０ｃと第４対向電極２３０ｄは、形状が互いに異なってもよい。例えば、第３対向電極２３０ｃは、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂと同一であり、第４対向電極２３０ｄは、第３対向電極２３０ｃと同一ではない。特に、第３対向電極２３０ｃは、正方形であり、第４対向電極２３０ｄは、長方形の形態であってもよい。また、第４対向電極２３０ｄは、少なくとも２個以上の第３対向電極２３０ｃを接続したところと同一であるか、あるいはそれより大きくてもよい。
第３表示領域ＤＡ３は、メイン画素領域ＰＡ３を含んでもよく、メイン画素領域ＰＡ３には、メイン対向電極２３０ｅが配置されてもよい。
前述のような場合、第３対向電極２３０ｃ及び第４対向電極２３０ｄは、メイン対向電極２３０ｅが形成されるとき、同時に形成されてもよい。
第３対向電極２３０ｃ及び第４対向電極２３０ｄは、それぞれ複数個具備されてもよい。複数個の第３対向電極２３０ｃは、互いに離隔されるように配置されてもよい。また、複数個の第４対向電極２３０ｄは、互いに離隔されるように配置されてもよい。そのような場合、複数個の第３対向電極２３０ｃ、及び複数個の第４対向電極２３０ｄのそれぞれは、図１４のＸ方向に一列に配列されてもよい。また、各第３対向電極２３０ｃと各第４対向電極２３０ｄは、図１４のＹ方向に配列され、互いに接続されてもよい。
第３対向電極２３０ｃは、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂと接続されてもよい。そのとき、第３対向電極２３０ｃは、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂと重畳される第２コンタクト領域ＣＴＡ２を含んでもよい。そのような場合、第２コンタクト領域ＣＴＡ２において第３対向電極２３０ｃは、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂと面接触する。また、第２コンタクト領域ＣＴＡ２において第３対向電極２３０ｃは、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂの上側に配置されるか、あるいは第３対向電極２３０ｃは、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂの下側に配置されてもよい。以下では、説明の便宜のために、第２コンタクト領域ＣＴＡ２において、第３対向電極２３０ｃが第２対向電極２３０ｂの上側に配置される場合を中心に詳細に説明する。
前述のような場合、第２コンタクト領域ＣＴＡ２の厚みは、第２対向電極２３０ｂまたは第３対向電極２３０ｃの厚みより厚くてもよい。例えば、第２コンタクト領域ＣＴＡ２の厚みは、第２対向電極２３０ｂの厚み、または第３対向電極２３０ｃの厚みの約２倍になってもよい。
前述のような場合、互いに接続される第３対向電極２３０ｃと第４対向電極２３０ｄは、互いに重畳される第３コンタクト領域ＣＴＡ３を含んでもよい。そのような場合、第３コンタクト領域ＣＴＡ３の厚みは、前述のところのように、第３対向電極２３０ｃの厚み、または第４対向電極２３０ｄの厚みのうち一つと同一であるか、あるいは類似している。すなわち、第３コンタクト領域ＣＴＡ３においては、第３対向電極２３０ｃと第４対向電極２３０ｄとが同時に形成されるので、第３対向電極２３０ｃまたは第４対向電極２３０ｄのうち一つが、第３対向電極２３０ｃまたは第４対向電極２３０ｄのうち他の１つの上面に直接接触する。そのような場合、第３対向電極２３０ｃと第４対向電極２３０ｄは、互いに面接触する。以下では、説明の便宜のために、図１５に図示されているように、第４対向電極２３０ｄが第３対向電極２３０ｃ上に配置される場合を中心に詳細に説明する。
第４対向電極２３０ｄは、メイン対向電極２３０ｅとも接続される。そのとき、第４対向電極２３０ｄは、メイン対向電極２３０ｅと、一部が互いに離隔され、他の一部がメイン対向電極２３０ｅと直接接続されてもよい。そのとき、第４対向電極２３０ｄは、「Ｔ」字形に形成され、メイン対向電極２３０ｅと接続されてもよい。すなわち、第４対向電極２３０ｄの一部は、メイン対向電極２３０ｅ側に突出するように形成されてもよく、第４対向電極２３０ｄの他の一部は、第４対向電極２３０ｄの一部と垂直した方向に突出する。
前述のような、第１対向電極２３０ａ、第２対向電極２３０ｂ及び第３対向電極２３０ｃの間には、第２透過領域ＴＡ２が配置されてもよい。そのとき、第２透過領域ＴＡ２は、第１透過領域ＴＡ１と、形状及び大きさが同一であってもよい。
第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂのうち一つ、第３対向電極２３０ｃ、及び第４対向電極２３０ｄの間には、第３透過領域ＴＡ３が配置されてもよい。そのとき、第３透過領域ＴＡ３は、第２透過領域ＴＡ２と形状が異なってもよい。
前述のような第１画素領域ＰＡ１－１、第２画素領域ＰＡ１－２、第３画素領域ＰＡ２－１及び第４画素領域ＰＡ２－２のそれぞれには、少なくとも１以上の画素が配置されてもよい。例えば、第１画素領域ＰＡ１－１には、第１画素ＰＸａ１が配置され、第２画素領域ＰＡ１－２には、第２画素ＰＸａ２が配置されてもよい。また、第３画素領域ＰＡ２－１には、第３画素ＰＸｃ１が配置され、第４画素領域ＰＡ２－２には、第４画素ＰＸｃ２が配置されてもよい。また、メイン画素領域ＰＡ３には、メイン画素ＰＸｍが配置されてもよい。そのような画素は、前述のところと同一であるか、あるいは類似している。
図１７は、本発明の一実施形態による表示装置の製造装置を概略的に示す断面図である。図１８は、図１７に図示された第１マスク組立体を示す斜視図である。図１９は、図１７に図示された第１マスクシートの一実施形態の一部を示す平面図である。図２０は、図１７に図示された第２マスクシートの一実施形態の一部を示す平面図である。
図１７～図２０を参照すれば、表示装置１の表示パネル（図示せず）は、表示装置の製造装置４００を介して製造されてもよい。
表示装置の製造装置４００は、チャンバ４１０、第１マスク組立体４２０Ａ、第２マスク組立体４２０Ｂ、第１支持部４３０、第２支持部４４０、蒸着ソース４５０、磁力生成部４６０、ビジョン部４７０及び圧力調節部４８０を含んでもよい。
チャンバ４１０は、内部に空間が形成されてもよく、チャンバ４１０の一部は、開口されるように形成されてもよい。そのとき、チャンバ４１０の開口された部分には、開閉可能になるように、ゲート弁４１１が配置されてもよい。
第１マスク組立体４２０Ａは、チャンバ４１０内部に選択的に配置されてもよい。そのとき、第１マスク組立体４２０Ａは、第１マスクフレーム４２１Ａと第１マスクシート４２２Ａとを含んでもよい。第１マスクフレーム４２１Ａは、複数個のフレームが互いに接続されて形成され、内部に開口部を含んでもよい。そのとき、第１マスクフレーム４２１Ａは、１つの開口部を含むか、あるいは互いに区分される複数個の第１開口部４２２Ａ－１を含んでもよい。そのような場合、第１マスクフレーム４２１Ａは、窓枠のように格子状に形成されてもよい。第１マスクシート４２２Ａは、第１マスクフレーム４２１Ａに引っ張られた状態に固定されてもよい。そのとき、第１マスクシート４２２Ａは、蒸着物質が通過するように、第１開口部が配置されてもよい。
第１マスクシート４２２Ａは、蒸着物質が通過し、前述の第１対向電極（図示せず）または第２対向電極（図示せず）を形成する第１開口部４２２Ａ－１を含んでもよい。
第１開口部４２２Ａ－１の形状は、第１画素領域ＰＡ１－１または第２画素領域ＰＡ１－２に対応するように形成されてもよい。例えば、第１開口部４２２Ａ－１の形状は、長方形、正方形または菱形を含んでもよい。前述のような場合、第１開口部４２２Ａ－１を通過した蒸着物質は、基板１００に蒸着され、第１対向電極または第２対向電極を形成することができる。そのような場合、第１開口部４２２Ａ－１が複数個具備される場合、複数個の第１開口部４２２Ａ－１は、各第１開口部４２２Ａ－１を通過した蒸着物質が基板１００に蒸着された後、互いに接続されないように、十分に離隔されるように配置されてもよい。
前述のような第１開口部４２２Ａ－１は、基板１００の第１表示領域ＤＡ１に対応する領域に、対向電極を形成するように配置されてもよい。特に、第１開口部４２２Ａ－１は、第１マスクシート４２２Ａの第１領域ＡＲ１－１にだけ配置されてもよい。そのような場合、第１マスクシート４２２Ａの第２領域ＡＲ１－２には、別途の開口部が配置されない状態であってもよい。特に、第１領域ＡＲ１－１は、基板１００の第１表示領域ＤＡ１に対応し、第２領域ＡＲ１－２は、基板１００の第２表示領域ＤＡ２及び第３表示領域ＤＡ３に対応する。
図１７に示すように、第２マスク組立体４２０Ｂは、第１マスク組立体４２０Ａと交換されてもよい。すなわち、第２マスク組立体４２０Ｂは、第１マスク組立体４２０Ａでもって、第１表示領域ＤＡ１に第１対向電極及び第２対向電極を形成した後、第２表示領域ＤＡ２と第３表示領域ＤＡ３とに、第３対向電極（図示せず）、第４対向電極（図示せず）及びメイン対向電極（図示せず）を形成するために使用されてもよい。
第２マスク組立体４２０Ｂは、第２マスクフレーム４２１Ｂと第２マスクシート４２２Ｂを含んでもよい。このとき、第２マスクフレーム４２１Ｂは、第１マスクフレーム４２１Ａと同一であるか、あるいは類似しているので、詳細な説明は、省略する。
図２０に示すように、第２マスクシート４２２Ｂは、前述の第３対向電極、第４対向電極及びメイン対向電極を形成する第２開口部４２２Ｂ－１、第３開口部４２２Ｂ－２及び第４開口部４２２Ｂ－３を含んでもよい。
前述のような場合、第２開口部４２２Ｂ－１は、第１開口部４２２Ａ－１と形状がほぼ同一であってもよい。第３開口部４２２Ｂ－２は、第２開口部４２２Ｂ－１と異なるように形成されてもよい。例えば、第３開口部４２２Ｂ－２は、第２開口部４２２Ｂ－１よりも大きく形成される。そのような場合、第３開口部４２２Ｂ－２は、少なくとも２個以上の第２開口部４２２Ｂ－１と対応するように形成されてもよい。第２開口部４２２Ｂ－１は、第３開口部４２２Ｂ－２と互いに分離されるように配置されてもよい。そのとき、第２開口部４２２Ｂ－１と第３開口部４２２Ｂ－２との間に配置される第２マスクシート４２２Ｂの第１幅Ｗ１は、非常に狭く形成されることにより、第２開口部４２２Ｂ－１と第３開口部４２２Ｂ－２とをそれぞれ通過して蒸着される蒸着物質が基板１００においても互いに接続される。
第４開口部４２２Ｂ－３は、第３開口部４２２Ｂ－２と接続されてもよい。そのとき、第４開口部４２２Ｂ－３と第３開口部４２２Ｂ－２との間に配置される第２マスクシート４２２Ｂの第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１より広く形成されることにより、第４対向電極の一部だけがメイン対向電極と接続されてもよい。そのような場合、第２開口部４２２Ｂ－１と第３開口部４２２Ｂ－２との間、及び第３開口部４２２Ｂ－２と第４開口部４２２Ｂ－３との間に配置される第２マスクシート４２２Ｂ部分により、第２マスクシート４２２Ｂの引っ張り時、第２マスクシート４２２Ｂの強度をある程度確保することが可能である。
前述のような第２開口部４２２Ｂ－１～第４開口部４２２Ｂ－３は、第１マスクシート４２２Ａの第２領域ＡＲ１－２に対応する第２マスクシート４２２Ｂの第３領域ＡＲ２－１に配置されてもよい。一方、第１マスクシート４２２Ａの第１領域ＡＲ１－１に対応する第２マスクシート４２２Ｂの第４領域ＡＲ２－２には、別途の開口部が形成されていない状態であってもよい。
第１支持部４３０は、基板１００が載置される。そのとき、第１支持部４３０は、基板１００の位置を調節することができる。例えば、第１支持部４３０は、ＵＶＷステージを含んでもよい。
第２支持部４４０は、第１マスク組立体４２０Ａまたは第２マスク組立体４２０Ｂが載置される。そのとき、第２支持部４４０は、第１支持部４３０と類似し、第１マスク組立体４２０Ａまたは第２マスク組立体４２０Ｂの位置を調節することが可能である。
蒸着ソース４５０は、蒸着物質が収納された後、蒸着物質を気化させるか、あるいは昇華させ、チャンバ４１０に供給することができる。そのとき、蒸着ソース４５０は、内部にヒータを含んでもよく、ヒータの作動により、蒸着ソース４５０内部の蒸着物質を加熱することにより、蒸着物質を溶融させるか、あるいは昇華させることができる。前述のような場合、蒸着ソース４５０は、チャンバ４１０の中央またはコーナーに配置されてもよい。以下においては、説明の便宜のために、蒸着ソース４５０がチャンバ４１０のコーナーに配置される場合を中心に詳細に説明する。
磁力生成部４６０は、チャンバ４１０に配置され、基板１００及び第１マスク組立体４２０Ａ、または基板１００及び第２マスク組立体４２０Ｂを密着させることができる。そのとき、磁力生成部４６０は、磁力を生成する電磁石または永久磁石などを含んでもよい。
ビジョン部４７０は、チャンバ４１０に配置され、第１マスク組立体４２０Ａ及び基板１００の位置、または第２マスク組立体４２０Ｂ及び基板１００の位置を撮影することができる。そのとき、ビジョン部４７０は、第１マスク組立体４２０Ａ、第２マスク組立体４２０Ｂ及び基板１００のうち少なくとも１つのアラインマークなどを撮影することができる。
圧力調節部４８０は、チャンバ４１０と接続され、チャンバ４１０内部圧力を調節することができる。そのとき、圧力調節部４８０は、チャンバ４１０と接続される接続配管４８１、及び接続配管４８１に配置されるポンプ４８２を含んでもよい。
表示装置の製造装置４００によって、表示装置１を製造することができる。そのとき、表示装置の製造装置４００は、前述の実施形態だけではなく、下記で説明する実施形態による表示装置１を製造することができる。ただし、以下においては、説明の便宜のために、表示装置の製造装置４００が、図１４に図示された表示パネル（図示せず）の画素領域を製造する場合を中心に詳細に説明する。以下において、図１４と同一の図面符号は、同一部材を示す。
具体的には、絶縁層（図示せず）が形成された基板１００、及び第１マスク組立体４２０Ａをチャンバ４１０内部に配置することができる。そのとき、薄膜トランジスタ（図示せず）と有機発光素子（図示せず）とにおいて、画素電極（図示せず）及び有機発光層（図示せず）が形成された状態であってもよい。
基板１００と第１マスク組立体４２０Ａとを、それぞれ第１支持部４３０と第２支持部４４０とに載置した後、ビジョン部４７０を介して、基板１００及び第１マスク組立体４２０Ａを撮影することができる。その後、基板１００と第１マスク組立体４２０Ａとを整列させることができる。
蒸着ソース４５０が作動して蒸着物質を供給すれば、該蒸着物質は、第１マスクシート４２２Ａの第１開口部４２２Ａ－１を通過し、基板１００の有機発光層及び画素定義膜の上に蒸着されてもよい。そのとき、第１開口部４２２Ａ－１を通過した蒸着物質は、前述のところのように、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂを形成することができる。以下においては、説明の便宜のために、第１対向電極２３０ａを形成する場合を中心に詳細に説明する。
前述のところのように蒸着される場合、第１対向電極２３０ａは、一列に配列されてもよい。そのような列は、複数列具備され、互いに離隔されるように配置されてもよい。
前述の過程が完了すれば、基板１００及び第１マスク組立体４２０Ａのうち少なくとも１つの位置を可変させることができる。例えば、第１マスク組立体４２０Ａの位置を固定させた後、基板１００の位置を可変させることができる。他の実施形態として、基板１００の位置を固定させた後、第１マスク組立体４２０Ａの位置を可変させることも可能である。さらに他の実施形態として、基板１００の位置、及び第１マスク組立体４２０Ａの位置をいずれも可変させることも可能である。以下においては、説明の便宜のために、第１マスク組立体４２０Ａの位置は、固定させた後、基板１００の位置を可変させる場合を中心に詳細に説明する。
基板１００の位置を可変させる場合、第１開口部４２２Ａは、第１対向電極２３０ａが形成されていない基板１００部分に対応するように配置されてもよい。すなわち、第１開口部４２２Ａ－１は、互いに隣接する第１対向電極２３０ａ間に配置されてもよい。
基板１００の位置を可変させた後、蒸着ソース４５０から蒸着物質を供給すれば、蒸着物質は、第１開口部４２２Ａ－１を通過し、基板１００にも蒸着される。そのとき、第１開口部４２２Ａ－１を通過した蒸着物質は、基板１００に蒸着され、第２対向電極２３０ｂを形成することができる。第２対向電極２３０ｂは、第１対向電極２３０ａ間に配置され、第１コンタクト領域ＣＴＡ１を介して接続されてもよい。
前述の過程が完了すれば、蒸着ソース４５０の作動を中止するか、あるいは蒸着ソース４５０から蒸着物質を供給することができないようにした後、圧力調節部４８０を介して、チャンバ４１０内部の圧力を大気圧状態に維持することができる。
ゲート弁４１１を開放した後、第１マスク組立体４２０Ａをチャンバ４１０内部のからチャンバ４１０の外部に引き出し、第２マスク組立体４２０Ｂをチャンバ４１０の外部からチャンバ４１０の内部に供給することができる。第２マスク組立体４２０Ｂが第２支持部４４０に載置されれば、第２マスク組立体４２０Ｂと基板１００とを整列させることができる。また、圧力調節部４８０は、チャンバ４１０内部の圧力をほぼ真空と近い状態に維持することができる。蒸着ソース４５０は、蒸着物質を基板１００に供給し、第３対向電極２３０ｃ、第４対向電極２３０ｄ及びメイン対向電極２３０ｅを、基板１００に形成することができる。
具体的には、第３対向電極２３０ｃが基板１００に形成される場合、第３対向電極２３０ｃは、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂのうち一つと接続されてもよい。具体的には、第３対向電極２３０ｃが形成される場合、第３対向電極２３０ｃと、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂとのうち一つとの間には、第２コンタクト領域ＣＴＡ２が形成される。そのとき、第２コンタクト領域ＣＴＡ２においては、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂのうち１つの上面に、第３対向電極２３０ｃが配置されてもよい。他の実施形態として、第３対向電極２３０ｃ、第４対向電極２３０ｄ及びメイン対向電極２３０ｅを基板１００にまず形成し、第１対向電極２３０ａ及び第２対向電極２３０ｂを順次に形成する場合、第３対向電極２３０ｃの上面には、第１対向電極２３０ａまたは第２対向電極２３０ｂのうち一つが配置されることも可能である。
前述のように、第３対向電極２３０ｃと第４対向電極２３０ｄとが形成される場合、第２開口部４２２Ｂ－１と第３開口部４２２Ｂ－２との間の第２マスクシート４２２Ｂの第１幅Ｗ１が十分に狭いことにより、基板１００に形成される第３対向電極２３０ｃと第４対向電極２３０ｄは、互いに重畳されて接続されてもよい。
従って、基板１００上に配置される対向電極は、各コンタクト領域を介して、互いに接続されてもよい。
また、表示装置の製造装置４００は、表示領域ＤＡに配置される対向電極を互いに接続することにより、各表示領域の画素が発光しないことを防止することができる。
図２１は、本発明の他の実施形態による表示パネルの対向電極の配置を示す平面図である。図２２は、図１７に図示された第２マスクシートの他の実施形態の一部を示す平面図である。
図２１及び図２２を参照すれば、表示装置１は、図１～図１４で説明したところと類似する。以下においては、説明の便宜のために、図１４に図示された対向電極の配列と異なる部分を中心に詳細に説明する。
第１対向電極２３０ａ、第２対向電極２３０ｂ、第３対向電極２３０ｃ及び第４対向電極２３０ｄは、前述の図１４で説明したところと同一であってもよい。メイン対向電極２３０ｅは、互いに離隔されるように、複数個具備されてもよい。そのとき、複数個のメイン対向電極２３０ｅは、図２１のＹ方向に配列されてもよい。そのような場合、各メイン対向電極２３０ｅは、互いに接続されず、複数個のメイン対向電極２３０ｅのうち一つが、複数個の第４対向電極２３０ｄと接続されてもよい。そのとき、各メイン対向電極２３０ｅは、基板１００の側面に配置された各配線と接続されてもよい。
前述のようなメイン対向電極２３０ｅを形成するために、第２マスクシート４２２Ｂには、互いに離隔されるように形成された第４開口部４２２Ｂ－３を含んでもよい。そのとき、第４開口部４２２Ｂ－３は、複数個具備されてもよく、複数個の第４開口部４２２Ｂ－３は、互いに離隔されるように一方向に配列されてもよい。互いに隣接する第４開口部４２２Ｂ－３を区分するために、第２マスクシート４２２Ｂは、互いに隣接する第４開口部４２２Ｂ－３の間に部分的に配置される。
前述のような場合、第４開口部４２２Ｂ－３を通過した蒸着物質は、第３表示領域ＤＡ３に、メイン対向電極２３０ｅを形成することができ、前述のように、互いに異なる第４開口部４２２Ｂ－３を通過した蒸着物質は、基板１００の互いに異なる領域に蒸着され、互いに異なるメイン対向電極２３０ｅを形成することができる。
図２３は、本発明の他の実施形態による表示パネルの対向電極の配置を示す平面図である。図２４は、図１７に図示された第２マスクシートの他の実施形態の一部を示す平面図である。
図２３及び図２４を参照すれば、表示装置１は、図１～図１４で説明したところと類似する。以下においては、説明の便宜のために、図１４に図示された対向電極の配列と異なる部分を中心に詳細に説明する。
第１対向電極２３０ａ、第２対向電極２３０ｂ、第３対向電極２３０ｃ及び第４対向電極２３０ｄは、前述の図１４で説明したところと同一であってもよい。メイン対向電極２３０ｅは、互いに離隔されるように、複数個具備されてもよい。そのとき、複数個のメイン対向電極２３０ｅは、図２３のＹ方向に配列されてもよい。特に、２個のメイン対向電極２３０ｅは、図２３のＸ方向に配列されてもよい。そのような場合、２個のメイン対向電極２３０ｅは、互いに接続されずに分離されてもよい。前述のような各メイン対向電極２３０ｅは、互いに接続されず、複数個のメイン対向電極２３０ｅのうち一部は、それぞれ第４対向電極２３０ｄと接続されてもよい。そのとき、各メイン対向電極２３０ｅは、基板１００の側面に配置された各配線と接続されてもよい。
前述のようなメイン対向電極２３０ｅを形成するために、第２マスクシート４２２Ｂには、互いに離隔されるように形成された第４開口部４２２Ｂ－３を含んでもよい。そのとき、第４開口部４２２Ｂ－３は、複数個具備されてもよく、複数個の第４開口部４２２Ｂ－３は、一方向と、一方向と異なる他の方向に互いに離隔されるように配列されてもよい。互いに隣接する第４開口部４２２Ｂ－３間には、第２マスクシート４２２Ｂの一部が配置され、互いに隣接する第４開口部４２２Ｂ－３を区分することができる。すなわち、複数個の第４開口部４２２Ｂ－３は、２個が１列に配列され、２個の第４開口部４２２Ｂ－３が行方向に複数個配列される。
前述のような場合、第４開口部４２２Ｂ－３を通過した蒸着物質は、第３表示領域ＤＡ３に、メイン対向電極２３０ｅを形成することができ、前述のところのように、互いに異なる第４開口部４２２Ｂ－３を通過した蒸着物質は、基板１００の互いに異なる領域に蒸着され、互いに異なるメイン対向電極２３０ｅを形成することができる。
以上のように、本発明は、図面に図示された一実施形態を参照して説明したが、それらは、例示的なものに過ぎず、当該分野において当業者であるならば、それらから多様な変形、及び実施形態の変形が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるものである。
１０・・・表示パネル
２０・・・コンポーネント
１００・・・基板
１１０・・・第１スキャン駆動回路
１１１・・・バッファ層
１１２・・・第１ゲート絶縁層
１１３・・・第２ゲート絶縁層
１１５・・・層間絶縁層
１１７・・・平坦化層
１１９・・・画素定義膜
１２０・・・第２スキャン駆動回路
１３０・・・第２スキャン駆動回路
１４０・・・端子
１５０・・・データ駆動回路
１５１・・・接続配線
１６０・・・第１電源供給配線
１６２・・・第１サブ配線
１６３・・・第２サブ配線
１７０・・・第２電源供給配線
１７５・・・下部保護フィルム
２００・・・表示素子層
２１０・・・画素電極
２２０・・・中間層
２３０・・・対向電極
２３０ａ・・・第１対向電極
２３０ｂ・・・第２対向電極
２３０ｃ・・・第３対向電極
２３０ｄ・・・第４対向電極
３００・・・薄膜封止層
３１０・・・画素電極
３２０・・・有機封止層
４００・・・表示装置の製造装置
４１０・・・チャンバ
４２０Ａ・・・第１マスク組立体
４２０Ｂ・・・第２マスク組立体
４２１Ａ・・・第１マスクフレーム
４２１Ｂ・・・第２マスクフレーム
４２２Ａ・・・第１マスクシート
４２２Ｂ・・・第２マスクシート
４３０・・・第１支持部
４４０・・・第２支持部
４５０・・・蒸着ソース
４６０・・・磁力生成部
４７０・・・ビジョン部
４８０・・・圧力調節部
１１３０・・・半導体層
１１７３・・・初期化接続線
１１７４・・・ノード接続線
１１７５・・・接続メタル
１１５１，１１５２，１１５３，１１５４，１１５５，１１５６，１１５７，１１６３・・・コンタクトホール

Claims (13)

  1. 第１画素領域、第２画素領域及び第１透過領域を含む第１表示領域、前記第１表示領域と隣接するように配置され、第３画素領域及び第４画素領域、第２透過領域及び第３透過領域を含む第２表示領域、並びに前記第２表示領域と隣接するように配置される第３表示領域を含む基板と、
    前記第１画素領域上に配置され、第１画素電極、第１対向電極、及び前記第１画素電極と前記第１対向電極との間に配置される第１中間層を含む第１画素と、
    前記第２画素領域上に配置され、第２画素電極、第２対向電極、及び前記第２画素電極と前記第２対向電極との間に配置される第２中間層を含む第２画素と、
    前記第３画素領域上に配置され、第３画素電極、第３対向電極、及び前記第３画素電極と前記第３対向電極との間に配置される第３中間層を含む第３画素と、
    前記第４画素領域上に配置され、第４画素電極、第４対向電極、及び前記第４画素電極と前記第４対向電極との間に配置される第４中間層を含む第４画素と、を含み、
    前記第３対向電極は、前記第１対向電極または前記第２対向電極と接続され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、互いに接続され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、平面上の面積が互いに異なり、
    前記第１画素領域及び／又は前記第２画素領域に対応して前記第１画素領域及び／又は前記第２画素領域の下部に導電層が配置される表示装置。
  2. 前記第１画素領域、前記第２画素領域及び前記第１透過領域は、互いに交互に配置され、格子状に配列されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第１透過領域は、互いに接続される前記第１画素領域と前記第２画素領域とによって定義されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記第１対向電極と前記第２対向電極は、一部分が互いに面接触することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  5. 互いに面接触する領域において、前記第２対向電極は、前記第１対向電極上に配置されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
  6. 前記第１透過領域と前記第３透過領域は、互いに異なる形状を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  7. 前記第１表示領域の光透過率は、前記第２表示領域及び前記第３表示領域のうち少なくとも１つの光透過率と互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記第１表示領域において提供するイメージの解像度は、前記第２表示領域及び前記第３表示領域のうち少なくとも一つから提供するイメージの解像度より低いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記第３表示領域は、前記第３表示領域上に配置され、メイン画素電極、メイン対向電極、及び前記メイン画素電極と前記メイン対向電極との間に配置されるメイン中間層を含むメイン画素と、を含み、
    前記メイン対向電極は、前記第３表示領域全面に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記メイン対向電極は、前記第２表示領域に配置された前記第４対向電極と接続されることを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  11. 前記メイン対向電極は、ストライプ状に形成された複数個を具備し、
    前記複数個のメイン対向電極は、互いに離隔されるように配置されたことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
  12. 第１画素領域、第２画素領域及び第１透過領域を含む第１表示領域、前記第１表示領域と隣接するように配置され、第３画素領域及び第４画素領域、第２透過領域及び第３透過領域を含む第２表示領域、並びに前記第２表示領域と隣接するように配置される第３表示領域を含む基板と、
    前記第１画素領域上に配置され、第１画素電極、第１対向電極、及び前記第１画素電極と前記第１対向電極との間に配置される第１中間層を含む第１画素と、
    前記第２画素領域上に配置され、第２画素電極、第２対向電極、及び前記第２画素電極と前記第２対向電極との間に配置される第２中間層を含む第２画素と、
    前記第３画素領域上に配置され、第３画素電極、第３対向電極、及び前記第３画素電極と前記第３対向電極との間に配置される第３中間層を含む第３画素と、
    前記第４画素領域上に配置され、第４画素電極、第４対向電極、及び前記第４画素電極と前記第４対向電極との間に配置される第４中間層を含む第４画素と、
    前記第１表示領域に対応するように、前記基板の一面に配置され、光を放出したり受光したりする電子要素を含むコンポーネントと、を含み、
    前記第３対向電極は、前記第１対向電極または前記第２対向電極と接続され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、互いに接続され、前記第３対向電極と前記第４対向電極は、平面上の面積が互いに異なり、
    前記第１画素領域及び／又は前記第２画素領域に対応して前記第１画素領域及び／又は前記第２画素領域の下部に導電層が配置される表示装置。
  13. 前記コンポーネントは、前記第１透過領域を介して、光を放出または受光し、
    前記第２表示領域及び前記第３表示領域の光透過率は、前記第１表示領域の光透過率より低いことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
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