KR20210028806A - 표시모듈 - Google Patents

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KR20210028806A
KR20210028806A KR1020190109655A KR20190109655A KR20210028806A KR 20210028806 A KR20210028806 A KR 20210028806A KR 1020190109655 A KR1020190109655 A KR 1020190109655A KR 20190109655 A KR20190109655 A KR 20190109655A KR 20210028806 A KR20210028806 A KR 20210028806A
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layer
disposed
insulating layer
electrode
display panel
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KR1020190109655A
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이승훈
김상민
성병훈
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈은 베이스층, 회로절연층, 제1 전극 및 발광층을 포함한다. 회로절연층은 제1 두께를 가지는 제1 부분, 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 제2 부분, 및 제2 두께보다 큰 제3 두께를 가지는 제3 부분을 포함한다. 제1 전극은 제1 부분 상에 배치되는 제1 전극 부분, 제1 전극 부분에서 연장되고, 제2 부분 상에 배치되는 제2 전극 부분을 포함한다. 발광층은 제1 전극 부분 상에 배치되는 제1 발광 부분, 제1 발광 부분에서 연장되고, 제2 전극 부분 상에 배치되는 제2 발광 부분을 포함한다.

Description

표시모듈 {DISPLAY MODULE}
본 발명은 표시모듈에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광 효율이 향상된 표시모듈에 관한 것이다.
스마트폰, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 내비게이션, 게임기 등과 같은 다양한 표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 표시장치는 사용자가 표시패널의 이미지를 올바르게 인식할 수 있도록 외부의 광이 표시패널에서 반사되는 것을 차단한다.
표시장치 내부의 컬러필터는 표시패널로 입사한 외광을 흡수할 수 있다. 그러나 컬러필터에서 흡수된 외광 중 일부가 표시패널로 반사될 수 있다. 반사된 외광은 표시패널에 색띠를 재현시킬 수 있다.
본 발명은 광 효율이 향상된 표시모듈을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈은 표시패널을 포함하고, 상기 표시패널은 베이스층, 상기 베이스층 상에 배치되고, 제1 두께를 가지는 제1 부분, 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 제2 부분, 및 상기 제2 두께보다 큰 제3 두께를 가지는 제3 부분을 포함하는 회로절연층, 상기 제1 부분 상에 배치되는 제1 전극 부분, 상기 제1 전극 부분에서 연장되고, 상기 제2 부분 상에 배치되는 제2 전극 부분을 포함하는 제1 전극 및 상기 제1 전극 부분 상에 배치되는 제1 발광 부분, 상기 제1 발광 부분에서 연장되고, 상기 제2 전극 부분 상에 배치되는 제2 발광 부분을 포함하는 발광층을 포함한다.
일 실시예예서, 상기 제1 두께는 일정하고, 상기 제2 두께는 상기 제1 부분에서 상기 제3 부분 방향으로 갈수록 커지며, 상기 제3 두께는 일정하다.
일 실시예예서, 상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고, 상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 개구부의 폭들 중 가장 작은 값은 상기 제1 부분의 길이와 같다.
일 실시예예서, 상기 제2 부분은 경사면을 포함하고, 상기 경사면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제1 경사각이고, 상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며, 상기 제1 경사각과 상기 제2 경사각의 합은 실질적으로 90도이다.
일 실시예예서, 상기 표시패널상에 배치되는 입력감지회로를 더 포함하고, 상기 입력감지회로는 상기 표시패널 상에 배치되는 연결패턴, 상기 연결패턴 중 적어도 일부분을 노출시키는 컨택홀이 정의되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 적어도 어느 하나가 상기 연결패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 센서들, 제1 굴절률을 가지며, 상기 복수의 센서들을 커버하는 제2 절연층 및 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는 제3 절연층을 포함한다.
일 실시예예서, 상기 표시패널 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고, 상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 제2 절연층은 상기 개구부에 중첩하는 터치 개구부를 정의하는 제2 내측면을 포함하고, 상기 제2 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각은 상기 제1 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각인 제2 경사각보다 크다.
일 실시예예서, 상기 제1 두께는 일정하고, 상기 제2 두께는 상기 제1 부분에서 멀어질수록 커지고, 상기 제3 두께는 상기 제2 부분에서 멀어질수록 커지며, 상기 제1 전극은 상기 제2 전극 부분에서 연장되고, 상기 제3 부분 상에 배치되는 제3 전극 부분을 더 포함하며, 상기 발광층은 상기 제2 발광 부분에서 연장되고, 상기 제3 전극 부분 상에 배치되는 제3 발광 부분을 더 포함한다.
일 실시예예서, 상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고, 상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 개구부의 최단폭은 상기 제1 부분의 길이와 같다.
일 실시예예서, 상기 제2 부분은 상기 베이스층과 이루는 예각이 제1 경사각인 제1 경사면을 포함하고, 상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며, 상기 제3 부분은 상기 베이스층과 이루는 예각이 제3 경사각인 제2 경사면을 포함하며, 상기 제1 경사각 및 상기 제3 경사각의 합은 실질적으로 90도이다.
일 실시예예서, 상기 제3 경사각은 상기 제1 경사각보다 크다.
일 실시예예서, 상기 표시패널상에 배치되는 입력감지회로를 더 포함하고, 상기 입력감지회로는, 상기 표시패널 상에 배치되는 연결패턴, 상기 연결패턴 중 적어도 일부분을 노출시키는 컨택홀이 정의되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 적어도 어느 하나가 상기 연결패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 센서들, 제1 굴절률을 가지며 상기 복수의 센서들을 커버하는 제2 절연층 및 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는 제3 절연층을 포함한다.
일 실시예예서, 상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고, 상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 제2 절연층은 상기 개구부에 중첩하는 터치 개구부를 정의하는 제2 내측면을 포함하고, 상기 제2 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각은 상기 제1 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각인 제2 경사각보다 크다.
일 실시예예서, 제1 부분 내지 제3 부분은 일체의 형상을 가진다.
본 발명의 다른 일 실시예예 따른 표시모듈은, 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치되는 입력감지회로를 포함하고, 상기 표시패널은, 베이스층, 상기 베이스층 상에 배치되는 제1 서브층 및 상기 제1 서브층 상에 배치되고 제1 경사면을 포함하는 제2 서브층을 포함하고, 상기 제1 경사면은 상기 베이스층과 제1 경사각을 이루는 회로절연층, 상기 제1 서브층 상에 배치되는 제1 전극 부분 및 상기 제2 서브층 상에 배치되는 제2 전극 부분을 포함하는 제1 전극 및 상기 제1 전극 부분 상에 배치되는 제1 발광 부분 및 상기 제2 전극 부분 상에 배치되는 제2 발광 부분을 포함하는 발광층을 포함한다.
일 실시예예서, 상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고, 상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 개구부의 최단폭은 상기 제2 서브층에 의해 노출되는 상기 제1 서브층의 길이와 같다.
일 실시예예서, 상기 제1 경사면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제1 경사각이고, 상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며, 상기 제1 경사각과 상기 제2 경사각의 합은 실질적으로 90도이다.
일 실시예예서, 상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 제2 전극 상에 배치되는 봉지층을 더 포함하고, 상기 입력감지회로는, 상기 봉지층 상에 배치되는 연결패턴, 상기 연결패턴 중 적어도 일부분을 노출시키는 컨택홀이 정의되는 제1 절연층, 상기 제1 절연층 상에 배치되고, 적어도 어느 하나가 상기 연결패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 센서들, 제1 굴절률을 가지고 상기 복수의 센서들을 커버하는 제2 절연층 및 상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는 제3 절연층을 포함한다.
일 실시예예서, 상기 회로절연층은 상기 제2 서브층에서 연장되고, 제2 경사면을 포함하는 제3 서브층을 더 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 제3 서브층 상에 배치되는 제3 전극 부분을 더 포함하고, 상기 발광층은 상기 제3 전극 부분 상에 배치되는 제3 발광 부분을 더 포함하며, 상기 제2 경사면은 상기 베이스층과 이루는 예각이 제3 경사각이다.
일 실시예예서, 상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고, 상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며, 상기 개구부의 최단폭은 상기 제2 서브층에 의해 노출되는 상기 제1 서브층의 길이와 같다.
일 실시예예서, 상기 제1 경사면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제1 경사각이고, 상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며, 상기 제2 경사면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제3 경사각이고, 상기 제2 경사각과 상기 제3 경사각의 합은 실질적으로 90도이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈은 외광의 반사율을 감소시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈은 정면 출사광을 증가시켜 광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시장치의 일부 구성을 도시한 단면도이다.
도 2b는 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지회로의 평면도이다.
도 5는 도 4의 AA영역을 확대하여 도시한 것이다.
도 6 내지 도 8 각각은 도 5의 AA영역을 층 별로 도시한 것이다.
도 9 내지 도 13는 일 실시예에 따른 표시모듈의 일부에 대한 단면도이다.
도 14는 일 실시예에 따른 화소 이미지이다.
도 15 및 도 16는 일 실시예에 따른 발광층을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의되어야 한다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 "실질적으로" 라는 의미는 당 기술 분야의 공정 상에서 발생할 수 있는 통상적인 오차 범위를 포함하는 의미로 이해되어야 한다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈에 대하여 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 사시도이다. 도 1에는 표시장치(DD)가 스마트폰인 것을 예시적으로 도시하였다. 그러나, 이에 제한되지 않으며, 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터 등과 같은 대형 전자장치를 비롯하여, 휴대 전화, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 스마트 와치 등과 같은 중소형 전자장치 등 일 수 있다.
표시장치(DD)에는 이미지영역(DA) 및 베젤영역(NDA)이 정의될 수 있다.
이미지(IM)가 표시되는 이미지영역(DA)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 정의하는 면과 평행한다. 이미지영역(DA)의 법선 방향, 즉 표시장치(DD)의 두께 방향은 제3 방향(DR3)이 지시한다. 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)에 의해 구분된다. 그러나, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
도 1에 도시된 이미지영역(DA)의 형상은 예시적인 것으로, 이미지영역(DA)의 형상은 필요에 따라 제한없이 변경될 수 있다.
베젤영역(NDA)는 이미지영역(DA)에 인접한 영역으로, 이미지(IM)가 표시되지 않는 영역이다. 베젤영역(NDA)에 의해 표시장치(DD)의 베젤영역이 정의될 수 있다.
베젤영역(NDA)은 이미지영역(DA)을 에워싸을 수 있다. 다만, 이에 제한되지 않고, 이미지영역(DA)의 형상과 베젤영역(NDA)의 형상은 상대적으로 디자인될 수 있다.
도 2a는 일 실시예에 따른 표시장치(DD)의 일부 구성을 도시한 단면도이다. 도 2b는 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 단면도이다.
도 2a는 제2 방향(DR2)과 제3 방향(DR3)이 정의하는 단면을 도시하였다. 또한, 표시장치(DD)를 구성하는 기능성 패널 및/또는 기능성 부재들의 적층 관계를 설명하기 위해 단순하게 도시되었다. 일 실시예의 표시장치(DD)는 윈도우유닛(WP) 및 표시모듈(DM)을 포함할 수 있다. 일 실시예의 표시모듈(DM)은 표시패널(DP) 및 입력감지회로(ISC)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 윈도우유닛(WP)은 유리 및/또는 합성수지를 포함할 수 있다. 윈도우유닛(WP)은 단층으로 제한되지 않는다. 윈도우유닛(WP)은 접착부재로 결합된 두 개 이상의 필름들을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 입력감지회로(ISC)는 표시패널(DP)에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "직접배치 된다"는 것은 두 개의 구성 사이에 별도의 접착층/접착부재이 배치되지 않는 것을 의미한다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
입력감지회로(ISC)는 외부입력(예컨대, 터치 이벤트 또는 인가되는 압력)의 좌표정보를 획득한다. 예를 들어, 입력감지회로(ISC)는 사용자의 터치를 감지하는 터치감지회로이거나, 사용자 손가락의 지문 정보를 감지하는 지문감지회로일 수 있다. 다만 이에 한정되지 않는다.
도 2b를 참조하면 표시패널(DP)은 베이스층(BS), 베이스층(BS) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 박막 봉지층(TFE), 및 반사방지층(RPP)을 포함한다. 표시패널(DP)은 이미지를 생성한다. 표시패널(DP)은 이미지가 생성되는 표시영역(DP-DA)과 이미지가 생성되지 않는 비표시영역(DP-NDA)이 정의될 수 있다. 표시영역(DP-DA)은 도 1에 도시된 이미지영역(DA)에 대응될 수 있다. 비표시영역(DP-NDA)은 도 1에 도시된 베젤영역(NDA)에 대응될 수 있다. 본 실시예에서 영역과 영역이 대응한다는 것은 서로 중첩한다는 것을 의미하고 동일한 면적/형상을 갖는 것으로 제한되지 않는다.
베이스층(BS)은 적어도 하나의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 베이스층(BS)은 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.
회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로 소자(미도시)를 포함한다. 일 실시예의 회로 소자층(DP-CL)은 회로절연층(CI), 중간절연층(CI-U)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함한다. 회로 소자는 신호라인, 화소의 구동회로 등을 포함한다. 코팅, 증착 등에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층 형성공정과 포토리소그래피 공정에 의한 절연층, 반도체층 및 도전층층의 패터닝 공정을 통해 회로 소자층(DP-CL)이 형성될 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자(LD)를 포함한다. 표시 소자층(DP-OLED)은 유기발광 다이오드들을 포함할 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 화소정의막(PDL)과 같은 유기막을 더 포함할 수 있다.
박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-OLED)을 밀봉한다. 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 절연층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 무기막(이하, 봉지 무기막)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막(이하, 봉지 유기막) 및 적어도 하나의 봉지 무기막을 포함할 수 있다.
봉지 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호하고, 봉지 유기막은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호한다. 봉지 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다. 봉지 유기막은 아크릴 계열 유기막을 포함할 수 있고, 특별히 제한되지 않는다.
반사방지층(RPP)은 윈도우유닛(WP)의 상측으로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킨다. 본 발명의 일 실시예에 따른 반사방지층(RPP)은 격벽(BM) 및 유기층(OL)을 포함할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다. 도시하지는 않았지만 일 실시예예 따른 반사방지층(RPP)은 상쇄 간섭 구조층을 더 포함할 수 있다. 예컨대, 상쇄 간섭 구조층은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 각각 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭을 일으킬 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)은 표시패널(DP)의 하면에 배치된 보호부재를 더 포함할 수 있다. 보호부재와 표시패널(DP)은 접착부재를 통해 결합될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)은 발광형 표시패널일 수 있다. 예컨대, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널, 퀀텀닷 발광 표시패널일 수 있다. 유기발광 표시패널의 발광층은 유기발광물질을 포함할 수 있다. 퀀텀닷 발광 표시패널의 발광층은 퀀텀닷 및 퀀텀로드 등을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널(DP)의 평면도이다.
표시패널(DP)은 평면상에서 표시영역(DP-DA)과 비표시영역(DP-NDA)을 포함한다. 본 실시예에서 비표시영역(DP-NDA)은 표시영역(DP-DA)의 테두리를 따라 정의될 수 있다. 표시패널(DP)의 표시영역(DP-DA) 및 비표시영역(DP-NDA)은 도 1에 도시된 표시장치(DD)의 이미지영역(DA) 및 베젤영역(NDA)에 각각 대응될 수 있다.
표시패널(DP)은 주사 구동부(100), 데이터 구동부(200), 복수 개의 스캔 라인들(SL), 복수 개의 발광제어 라인들(ECL), 복수 개의 데이터 라인들(DL), 복수 개의 전원 라인들(PL), 제1 전원전극(PE1), 제2 전원전극(PE2) 및 복수 개의 화소들(PX, 이하 화소들)을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 표시영역(DP-DA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 발광층과 그에 연결된 화소회로를 포함한다.
주사 구동부(100)는 스캔 구동부 및 발광제어 구동부를 포함할 수 있다.
스캔 구동부는 스캔신호들을 생성하고, 생성된 스캔신호들을 스캔 라인들(SL)에 순차적으로 출력한다. 발광제어 구동부는 발광제어 신호들을 생성하고, 생성된 발광제어 신호들을 발광제어 라인들(ECL)에 출력한다.
본 발명의 다른 실시예에서, 주사 구동부(100) 내에서 스캔 구동부 및 발광제어 구동부가 구분되지 않고, 하나의 회로로 구성될 수 있다.
주사 구동부(100)는 화소들(PX)의 구동회로와 동일한 공정, 예컨대 LTPS(Low Temperature Polycrystaline Silicon) 공정 또는 LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide) 공정을 통해 형성된 복수 개의 박막 트랜지스터들을 포함할 수 있다.
데이터 구동부(200)는 데이터 신호들을 데이터 라인들(DL)에 출력한다. 데이터 신호들은 영상 데이터들의 계조값에 대응하는 아날로그 전압들이다.
본 발명의 일 실시예에서, 데이터 구동부(200)는 인쇄회로기판(FPCB)에 실장되고, 인쇄회로기판(FPCB)이 데이터 라인들(DL)의 일단에 배치된 패드들과 연결될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니고, 데이터 구동부(200)는 표시패널(DP)에 직접적으로 실장될 수 있다.
스캔 라인들(SL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 나열될 수 있다.
발광제어 라인들(ECL)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 제2 방향(DR2)으로 나열될 수 있다. 즉, 발광제어 라인들(ECL) 각각은 스캔 라인들(SL) 중 대응하는 스캔 라인에 나란하게 배열될 수 있다.
데이터 라인들(DL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)으로 나열된다. 데이터 라인들(DL)은 데이터 신호들을 대응하는 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
전원 라인들(PL)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 제1 방향(DR1)으로 나열된다. 전원 라인들(PL)은 제1 전원전극(PE1)으로부터 제공받은 제1 전원(ELVDD, 도 4 참조)을 대응하는 화소들(PX)에 제공할 수 있다.
제1 전원전극(PE1)은 제1 전원(미도시)을 화소(PX)에 전달하기 위한 전극이고, 제2 전원전극(PE2)은 제2 전원(미도시)을 화소(PX)에 전달하기 위한 전극일 수 있다.
복수 개의 화소들(PX) 각각은 스캔 라인들(SL) 중 대응하는 스캔 라인, 발광제어 라인들(ECL) 중 대응하는 발광제어 라인, 데이터 라인들(DL) 중 대응하는 데이터 라인, 및 전원 라인들(PL) 중 대응하는 전원 라인에 접속된다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지회로(ISC)의 평면도이다.
입력감지회로(ISC)에는 외부의 입력을 감지할 수 있는 영역인 입력감지영역(SA)이 정의될 수 있다.
입력감지회로(ISC)는 제1 센서그룹들(IEG1), 제2 센서그룹들(IEG2), 제1 신호라인들(SSL1), 제2 신호라인들(SSL2), 신호 패드들(PD-S1, PD-S2), 인쇄회로기판(FPCB-T), 및 입력감지 구동부(300)를 포함할 수 있다.
제1 센서그룹들(IEG1) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장되며, 제1 센서그룹들(IEG1)은 제2 방향(DR2)으로 나열될 수 있다. 제1 센서그룹들(IEG1) 각각은 복수의 제1 센서패턴들(IE1, 이하 제1 센서)을 포함할 수 있다. 예를들어, 제1 센서(IE1)는 Rx 센서 일 수 있다.
제2 센서그룹들(IEG2) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장되며, 제2 센서그룹들(IEG2)은 제1 방향(DR1)으로 나열될 수 있다. 제2 센서그룹들(IEG2) 각각은 복수의 제2 센서패턴들(IE2, 이하 제2 센서)을 포함할 수 있다. 예를들어, 제2 센서(IE2)는 Tx센서 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 센서그룹(IEG1)를 제1 방향(DR1)으로 측정한 길이는 제2 센서그룹(IEG2)를 제2 방향(DR2)으로 측정한 길이보다 짧을 수 있다. 단, 이에 제한되지는 않는다.
본 발명의 일 실시예에서, 제1 센서들(IE1) 각각은 제2 센서들(IE2) 중 인접한 제2 센서들(IE2)과 정전결합하여, 정전용량을 형성할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 센서들(IE1) 및 제2 센서들(IE2) 각각은 외부의 물체(예를들어, 사람의 손가락)과 정전결합하여, 정전용량을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 입력감지회로(ISC)는 제1 센서들(IE1)과 제2 센서들(IE2) 사이에 형성된 정전용량의 변화를 감지하여, 외부로부터 입력이 인가되었는지 여부를 판단할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 입력감지회로(ISC)는 제1 센서들(IE1) 및 제2 센서들(IE2)과 외부의 물체 사이에 형성된 정전용량의 변화를 감지하여, 외부로부터 입력이 인가되었는지 여부를 판단할 수 있다.
제1 신호라인들(SSL1)은 제1 센서그룹들(IEG1)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제1 신호라인들(SSL1)은 제1 센서그룹들(IEG1)에 싱글 라우팅(single routing) 구조로 연결될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 신호라인들(SSL2)은 제2 센서그룹들(IEG2)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 제2 신호라인들(SSL2)은 제2 센서그룹들(IEG2)에 더블 라우팅(double routing) 구조로 연결될 수 있다. 단, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명의 다른 실시예에서, 제2 신호라인들(SSL2)은 제2 센서그룹들(IEG2)에 싱글 라우팅(single routing) 구조로 연결될 수 있다.
제1 신호 패드들(PD-S1)은 제1 신호라인들(SSL1)과 연결될 수 있다. 제2 신호 패드들(PD-S2)은 제2 신호라인들(SSL2)과 연결될 수 있다.
인쇄회로기판(FPCB-T)은 신호 패드들(PD-S1, PD-S2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
입력감지 구동부(300)는 인쇄회로기판(FPCB-T)에 실장될 수 있다. 입력감지 구동부(300)는 입력감지영역(SA)에 사용자의 터치가 발생했는지 여부 및 압력이 인가되었는지 여부를 판단하기 위한 전기적 신호를 송/수신하거나 연산할 수 있다.
도 5는 도 4의 AA영역을 확대하여 도시한 것이다. 도 6, 도 7, 도 8 각각은 AA영역을 레이어 별로 도시한 것이다.
도 6의 AAa영역은 제1 도전패턴(ISC-CP1) 중 AA영역에 대응하는 부분을 도시한 것이다. 도 7의 AAb영역은 제1 절연층(ISC-IL1) 중 AA영역에 대응하는 부분을 도시한 것이다. 도 8의 AAc영역은 제2 도전패턴(ISC-CP2) 중 AA영역에 대응하는 부분을 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)의 사이 방향은 제4 방향(DR4)로 정의될 수 있다. 제5 방향(DR5)은 제4 방향(DR4)과 직교하는 방향으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제4 방향(DR4)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각과 45도를 이룰 수 있다. 제5 방향(DR5)은 제1 방향(DR1)과 45도를 이루고, 제2 방향(DR2)과 135도를 이룰 수 있다. AA영역 내에서 제1 도전패턴(ISC-CP1) 및 제2 도전패턴(ISC-CP2)을 구성하는 배선들은 제4 방향(DR4) 또는 제5 방향(DR5)과 나란한 방향으로 연장될 수 있다.도 4 내지 도 8에서는 제1 도전패턴(ISC-CP1)이 제2 도전패턴(ISC-CP2)보다 하부에 배치되는 실시예에 대해서 도시하였으나, 이에 제한되지 않는다. 본 발명의 다른 실시예에서, 제2 도전패턴(ISC-CP2)이 제1 도전패턴(ISC-CP1) 보다 하부에 배치될 수 있다.
제2 도전패턴(ISC-CP2)은 제1 센서들(IE1-1, IE1-2), 제2 센서들(IE2-1, IE2-2), 및 제1 연결패턴(CNP1)을 포함할 수 있다. 제1 도전패턴(ISC-CP1)은 제2 연결패턴(CNP2)을 포함할 수 있다. 제2 연결패턴(CNP2)은 실리콘-버퍼층(ISC-BF) 상에 배치될 수 있다. 제2 연결패턴(CNP2)은 제2 센서들(IE2, 도 8 참조) 중 인접한 두 개를 연결하기 위한 패턴이다.
제1 절연층(ISC-IL1)에는 복수의 컨택홀들(CTH, 이하 컨택홀들)이 정의될 수 있다. 컨택홀들(CTH)은 제2 연결패턴(CNP2)의 일부분을 노출시킬 수 있다. 구체적으로, 컨택홀들(CTH)은 제2 연결패턴(CNP2)의 양 단을 노출시킬 수 있다. 컨택홀들(CTH)의 개수는 필요에 따라서 변경될 수 있다.
제1 센서들(IE1-1, IE1-2), 제2 센서들(IE2-1, IE2-2), 및 제1 연결패턴(CNP1)은 제1 절연층(ISC-IL1) 상에 배치될 수 있다. 도 8을 참조하면, 좌측 제1 센서(IE1-1) 및 우측 제1 센서(IE1-2)는 제1 연결패턴(CNP1)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다. 상부 제2 센서(IE2-1) 및 하부 제2 센서(IE2-2)는 제1 절연층(ISC-IL1)의 컨택홀들(CTH)을 통해 제2 연결패턴(CNP2)에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 상부 제2 센서(IE2-1) 및 하부 제2 센서(IE2-2)는 제2 연결패턴(CNP2)에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 연결패턴(CNP1)은 상부 제2 센서(IE2-1) 및 하부 제2 센서(IE2-2) 사이에 배치될 수 있다. 제1 연결패턴(CNP1)은 상부 제2 센서(IE2-1) 및 하부 제2 센서(IE2-2)로부터 절연될 수 있다.
AA영역 내에서, 제1 도전패턴(ISC-CP1) 및 제2 도전패턴(ISC-CP2)을 구성하는 배선들 사이에는 복수의 터치 개구부(OP-ISC, 도 5 참조)들이 정의될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 터치 개구부(OP-ISC)들은 화소들(PX, 도 3 참조)에 각각 대응할 수 있다.
터치 개구부(OP-ISC)들 각각은 화소(PX, 도 3 참조)의 발광층(EML)이 생성한 광을 통과 시킬 수 있다. 즉, 터치 개구부(OP-ISC)는 제1 전극(EL1)에 중첩할 수 있다. 이에 따라, 발광층(EML)에서 생성되는 광은 터치 개구부(OP-ISC)를 통해 외부로 방출될 수 있다.
도 9 내지 도 13는 일 실시예에 따른 표시모듈(DM, DM-1, DM-2, DM-3, DM-4)의 일부에 대한 단면도를 도시한 것이다.
본 발명의 일 실시예에서, 표시모듈(DM)은 표시패널(DP) 및 입력감지회로(ISC)를 포함할 수 있다.
일 실시예의 표시패널(DP)은 베이스층(BS), 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 박막 봉지층(TFE), 및 반사방지층(RPP)을 포함할 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 2b에서 전술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.베이스층(BS)은 도시하지는 않았으나, 배리어층, 버퍼층 및 게이트 절연층, 트랜지스터들 및 층간 절연층을 포함할 수 있다. 배리어층 및 버퍼층은 베이스층(BS)에 존재하는 불순물이 화소(PX)에 유입되는 것을 방지한다. 또한, 외부로부터 화소(PX)로 유입되는 수분을 차단한다.
게이트 절연층은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 게이트 절연층은 복수 개의 무기 박막들을 포함할 수 있다. 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다. 게이트 절연층상에 트랜지스터들 각각을 구성하는 제어전극들이 배치된다. 게이트 절연층상에 스캔 라인들(SL, 도 3 참조) 및 발광제어 라인들(ECL, 도 3 참조) 중 적어도 일부분이 배치될 수 있다.
게이트 절연층상에 제어전극을 커버하는 층간 절연층이 배치된다. 층간 절연층은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 층간 절연층은 복수 개의 무기 박막들 또는 유기 박막들을 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 무기 박막들은 실리콘 나이트라이드층 및 실리콘 옥사이드층을 포함할 수 있다.
베이스층(BS) 상에 회로 소자층(DP-CL)이 배치된다. 도 9에서는 회로 소자층(DP-CL)의 회로절연층(CI) 및 중간절연층(CI-U)만을 도시하였다. 회로절연층(CI)은 유기막 및/또는 무기막을 포함한다. 예를 들어, 회로절연층(CI)은 유기막일 수 있다. 회로절연층(CI)은 표시 소자층(DP-OLED)에 평탄면을 제공하는 것일 수 있다.
중간절연층(CI-U)은 회로절연층(CI)과 베이스층(BS) 사이에 배치될 수 있다. 회로절연층(CI)은 적어도 하나의 중간 무기막과 적어도 하나의 중간 유기막을 포함한다. 예를 들어, 무기막일 수 있다. 무기막 및 유기막의 재료는 특별히 제한되지 않는다. 이하, 도 10부터는 회로 소자층(DP-CL) 중 회로절연층(CI) 및 중간절연층(CI-U)만을 도시하였고, 베이스층(BS)은 생략하여 도시하였다.
도 9의 표시모듈(DM)을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 회로절연층(CI)은 제1 부분(PT1), 제2 부분(PT2) 및 제3 부분(PT3)을 포함할 수 있다. 제1 부분(PT1)은 제1 두께(WD1)를 가질 수 있다. 제1 두께(WD1)는 베이스층(BS)에 접촉하는 회로절연층(CI)의 일 면에서 제3 방향(DR3) 방향으로 제1 부분(PT1)까지의 높이를 측정한 값이다. 제1 두께(WD1)는 일정한 값을 가질 수 있다.
제2 부분(PT2)은 제1 부분(PT1)에서 연장될 수 있다. 제2 부분(PT2)은 제2 두께(WD2)를 가진다. 제2 두께(WD2)는 베이스층(BS)에 접촉하는 회로절연층(CI)의 일 면에서 제3 방향(DR3) 방향으로 제2 부분(PT2)까지의 높이를 측정한 값이다. 제2 두께(WD2)는 제1 부분(PT1)에서 제3 부분(PT3) 방향으로 갈수록 점진적으로 증가할 수 있다. 구체적으로, 제2 두께(WD2)는 제1 두께(wD1)에서 시작하여 점차 증가하여 제3 두께(WD3)의 값을 가질 수 있다. 즉, 제2 부분(PT2)은 제1 부분(PT1)과 제3 부분(PT3)을 연결하는 경사면(SF)을 포함할 수 있다. 경사면(SF)은 베이스층(BS)과 제1 경사각(θ1)을 이룰 수 있다. 제1 경사각(θ1)은 예각일 수 있다.
제3 부분(PT3)은 제2 부분(PT2)에서 연장될 수 있다. 제3 부분(PT3)은 제3 두께(WD3)를 가진다. 제3 두께(WD3)는 베이스층(BS)에 접촉하는 회로절연층(CI)의 일 면에서 제3 방향(DR3) 방향으로 제3 부분(PT3)까지의 높이를 측정한 값이다. 제3 두께(WD3)는 일정한 값을 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 제3 부분(PT3)은 다른 두께를 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 회로절연층(CI)은 제1 부분(PT1) 내지 제3 부분(PT3)이 일체의 형상을 가질 수 있다. 즉, 회로절연층(CI)은 연속 공정에 의해 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
회로절연층(CI) 상에 발광소자(LD)가 배치될 수 있다. 발광소자(LD)는 제1 전극(EL1), 발광층(EML) 및 제2 전극(EL2)를 포함할 수 있다.
제1 전극(EL1)은 회로절연층(CI)상에 배치될 수 있다. 제1 전극(EL1)은 화소전극일 수 있다. 제1 전극(EL1)은 금속 합금 또는 도전성 화합물로 형성될 수 있다. 제1 전극(EL1)이 반투과형 전극 또는 반사형 전극인 경우, 제1 전극(EL1)은 Ag, Mg, Cu, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca, LIF1/Ca, LIF1/Al, Mo, Ti 또는 이들의 화합물이나 혼합물(예를 들어, Ag와 Mg의 혼합물)을 포함할 수 있다. 또는 상기의 예시된 물질로 형성된 반사막이나 반투과막 및 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등으로 형성된 투명 도전막을 포함하는 복수의 층 구조일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(EL1)은 다층 금속막일 수 있으며 ITO/Ag/ITO의 금속막이 적층된 구조일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)에서 제1 전극(EL1)은 제1 전극 부분(SE1) 및 제2 전극 부분(SE2)을 포함할 수 있다. 제1 전극 부분(SE1)은 제1 부분(PT1) 상에 제1 부분(PT1)과 나란하게 배치될 수 있다. 제2 전극 부분(SE2)은 제2 부분(PT2) 상에 제2 부분(PT2)과 나란하게 배치될 수 있다. 즉, 제2 전극 부분(SE2)은 제2 부분(PT2)의 경사면(SF)과 나란하게 배치될 수 있다.
제1 전극(EL1) 상에 발광층(EML)이 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 제1 발광 부분(EMLS1) 및 제2 발광 부분(EMLS2)을 포함할 수 있다. 제1 발광 부분(EMLS1)은 제1 전극 부분(SE1) 상에 제1 전극 부분(SE1)과 나란하게 배치될 수 있다. 제2 발광 부분(EMLS2)은 제2 전극 부분(SE2) 상에 제2 전극 부분(SE2)과 나란하게 배치될 수 있다. 즉, 제2 발광 부분(EMLS2)은 제2 부분(PT2)의 경사면(SF)과 나란하게 배치될 수 있다.
회로절연층(CI) 상에 화소정의막(PDL)이 배치될 수 있다. 화소정의막(PDL)에 정의된 화소 개구부(PX-OP)는 발광층(EML)을 노출시킬 수 있다.
발광층(EML) 상에 제2 전극(EL2)가 배치될 수 있다. 제2 전극(EL2)은 화소정의막(PDL) 및 발광층(EML)을 커버할 수 있다.
발광소자(LD) 상에 봉지층(TFE)이 배치될 수 있다. 즉, 봉지층(TFE)은 제2 전극(EL2) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 발광소자(LD)를 밀봉하여, 외부의 산소 또는 수분으로부터 발광소자(LD)를 보호할 수 있다.
구체적으로, 봉지층(TFE)은 제1 무기층(CVD1), 유기층(MN), 제2 무기층(CVD2)을 포함할 수 있다. 도 9에서는 봉지층(TFE)이 2개의 무기층과 1개의 유기층을 포함하는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 봉지층(TFE)은 3개의 무기층과 2개의 유기층을 포함할 수도 있고, 이 경우, 무기층과 유기층은 번갈아가며 적층된 구조를 가질 수 있다.
봉지층(TFE) 상에 반사방지층(RPP)이 배치될 수 있다. 반사방지층(RPP)은 격벽(BM) 및 유기층(OL)을 포함할 수 있다. 격벽(BM)은 윈도우유닛(WP)의 상측으로부터 입사되는 외부광을 흡수할 수 있다. 이에 따라, 외부광이 표시패널(DP) 내부로 입사되어 다시 반사되는 것을 감소시킬 수 있다.
구체적으로, 격벽(BM)은 상부면(TF), 하부면(BF) 및 제1 내측면(IF1)을 포함할 수 있다. 하부면(BF)은 상부면(TF)과 대향하도록 배치될 수 있다. 제3 방향(DR3) 상에서, 상부면(TF)은 하부면(BF)보다 베이스층(BS)에서 더 멀리 이격 되어있다.
제1 내측면(IF1)에 의해서 개구부(OP)가 정의될 수 있다. 제1 내측면(IF1)과 하부면(BF)이 이루는 예각이 제2 경사각(θ2)일 수 있다.
개구부(OP)는 평면 상에서 제1 부분(PT1)과 중첩할 수 있다. 구체적으로, 개구부(OP)의 폭(LN)들 중 가장 작은 값은 상기 제1 부분(PT1)의 길이(LL)와 같을 수 있다. 본 명세서에서 제1 부분(PT1)의 길이(LL)는 제1 부분(PT1)의 최장 길이일 수 있다. 즉, 표시장치(DD)의 단면에 따라 제1 부분(PT1)은 길이(LL)는 복수의 값들을 가질 수 있고, 그 중 가장 큰 값을 의미하는 것일 수 있다. 또한, 본 명세서에서 개구부(OP)의 폭(LN)은 제1 방향(DR1) 및 제3 방향(DR3)이 이루는 평면과 평행한 단면 상에서 개구부(OP)를 제2 방향(DR2)으로 측정한 값이다. 또한, 개구부(OP)는 평면 상에서 제1 발광 부분(EMLS1)과 중첩할 수 있다. 제1 발광 부분(EMLS1)에서 출광 된 빛은 개구부(OP)를 통해서 윈도우유닛(WP) 밖으로 나갈 수 있다.
반사방지층(RPP) 상에 입력감지회로(ISC)가 배치될 수 있다. 입력감지회로(ISC)는 실리콘-버퍼층(ISC-BF), 제2 연결패턴(CNP2), 제1 절연층(ISC-IL1), 복수의 센서들(IE1, IE2) 및 제2 절연층(ISC-IL2)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고 다른 실시예예서 일부 구성이 생략될 수 있다.
실리콘-버퍼층(ISC-BF)은 질화실리콘(SiNx)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 의하여 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 다른 실시예에서, 실리콘-버퍼층(ISC-BF)은 생략될 수 있다. 실리콘-버퍼층(ISC-BF)이 생략됨에 따라 표시패널(DP)의 두께는 더 감소될 수 있다.
제2 연결패턴(CNP2)은 실리콘-버퍼층(ISC-BF) 상에 배치될 수 있다. 실리콘-버퍼층(ISC-BF)가 생략될 경우, 제2 연결패턴(CNP2)은 반사방지층(RPP) 상에 직접 배치될 수 있다. 즉, 제2 연결패턴(CNP2)은 반사방지층(RPP)에 접촉할 수 있다.
제1 절연층(ISC-IL1)은 실리콘-버퍼층(ISC-BF) 상에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1 절연층(ISC-IL1)은 제2 연결패턴(CNP2)을 커버하면서 실리콘-버퍼층(ISC-BF) 상에 배치될 수 있다. 제1 절연층(ISC-IL1)은 컨택홀(CTH)을 포함할 수 있다. 컨택홀(CTH)은 2 연결패턴(CNP2)의 일부분을 노출시킬 수 있다.
제1 절연층(ISC-IL1) 상에 제1 센서(IE1) 및 제2 센서(IE2)가 배치될 수 있다. 제1 센서(IE1) 및 제2 센서(IE2)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 복수의 센서들(IE1, IE2) 중 적어도 어느 하나는 컨택홀(CTH)을 통해서 제2 연결패턴(CNP2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 센서(IE2)는 컨택홀(CTH)을 통해서 제2 연결패턴(CNP2)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 센서(IE1)는 제1 절연층(ISC-IL1)에 의해 절연될 수 있다.
제1 절연층(ISC-IL1) 상에 복수의 센서(IE1, IE2)들을 커버하는 제2 절연층(ISC-IL2)이 배치될 수 있다. 제2 절연층(ISC-IL2)은 터치 개구부(OP-ISC)를 정의하는 제2 내측면(IF2)을 포함할 수 있다. 제2 내측면(IF2)이 베이스층(BS)과 이루는 예각(θI)은 제2 경사각(θ2)보다 작을 수 있다. 제2 절연층(ISC-IL2)은 제1 굴절률을 가질 수 있다. 제1 절연층(ISC-IL1) 상에 제2 절연층(ISC-IL2)을 커버하는 제3 절연층(RE)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(RE)은 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)에서, 제1 경사각(θ1) 및 제2 경사각(θ2)의 합이 실질적으로 90도일 때 제2 발광 부분(EMLS2)에서 발광된 빛이 윈도우유닛(WP) 밖으로 출광될 수 있다. 구체적으로, 제2 발광 부분(EMLS2)에서 발광된 빛이 개구부(OP)를 통해서 제2 절연층(ISC-IL2)의 제2 내측면(IF2)에 입사할 수 있다. 입사된 광은 제3 절연층(RE)과 제2 절연층(ISC-IL2)의 굴절률 차이로 인해 전반사하여 윈도우유닛(WP) 밖으로 반사될 수 있다. 즉 제2 발광 부분(EMLS2)에서 발광된 빛은 제2 내측면(IF2)에서 전반사하여 윈도우유닛(WP) 밖으로 출광 될 수 있다. 즉, 제1 발광 부분(EMLS1)에서 발광된 빛과 제2 발광 부분(EMLS2)에서 발광된 빛은 모두 개구부(OP)를 통해 윈도우유닛(WP) 밖으로 출광 될 수 있다.
예를 들어, 제1 경사각(θ1) 및 제2 경사각(θ2)의 합이 90도보다 작거나 크면, 제2 발광 부분(EMLS2)에서 발광된 빛이 개구부(OP)를 통과하지 못할 수 있다. 즉, 발광층(EML)에서 출광된 빛의 일부가 반사방지층(RPP)에 의해 차단될 수 있다.
표시모듈(DM)의 구성은 전술한 바에 한정되지 않으며, 일 실시예에 따른 표시모듈(DM)은 기능층들(미도시)을 더 포함할 수 있다. 구체적으로, 표시모듈(DM)은 전술한 상쇄 간섭 구조층을 더 포함하여, 상쇄 간섭을 일으켜 외광의 반사를 억제시킬 수 있다. 예를 들어, 유기층(OL)과 제3 절연층(RE) 사이에 기능층들이 추가될 수 있다. 또는 유기층(OL)과 제3 절연층(RE) 사이의 층들이 기능층으로써 상쇄 간섭을 일으켜 외광의 반사를 억제시킬 수 있다.
도 10의 표시모듈(DM-1)을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 회로절연층(CI-1)은 제1 부분(PT1), 제2 부분(PT2), 제3 부분(PT3) 및 제4 부분(PT4)을 포함할 수 있다.
제1 부분(PT1)은 제1 두께(WD1)를 가질 수 있다. 제1 두께(WD1)는 일정한 값을 가질 수 있다. 제2 부분(PT2)은 제1 부분(PT1)에서 연장될 수 있다. 제2 부분(PT2)은 제2 두께(WD2)를 가진다. 제2 두께(WD2)는 제1 부분(PT1)에서 제3 부분(PT3) 방향으로 갈수록 점진적으로 커질 수 있다. 즉, 제2 부분(PT2)은 제1 부분(PT1)과 제3 부분(PT3)을 연결하는 제1 경사면(SF1)을 포함할 수 있다. 제1 경사면(SF1)이 베이스층(BS)과 이루는 예각은 제1 경사각(θ1-1)일 수 있다.
제3 부분(PT3-1)은 제2 부분(PT2)에서 연장될 수 있다. 제3 부분(PT3-1)은 제2 두께(WD2)보다 큰 제3 두께(WD3-1)를 가진다. 제3 두께(WD3)는 제2 부분(PT2)에서 제4 부분(PT4) 방향으로 갈수록 점진적으로 커질 수 있다. 즉, 제3 부분(PT3)은 제2 경사면(SF2)을 포함할 수 있다. 제2 경사면(SF2)이 베이스층(BS)과 이루는 예각은 제3 경사각(θ3)일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제3 경사각(θ3)은 제1 경사각(θ1-1)보다 클 수 있다. 예를 들어, 제3 부분(PT3)의 단위 길이당 두께 증가 비율은 제2 부분(PT2)의 단위 길이당 두께 증가 비율보다 클 수 있다.
제4 부분(PT4)은 제3 부분(PT3)에서 연장될 수 있다. 제4 부분(PT4)는 제4 두께(WD4)를 가진다. 제4 두께(WD4)는 베이스층(BS)에 접촉하는 회로절연층(CI-1)의 일 면에서 제3 방향(DR3) 방향으로 제4 부분(PT4)까지의 높이를 측정한 값이다. 제4 두께(WD4)는 일정한 값을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극(EL1-1)은, 제3 부분(PT3) 상에 배치되고 제3 부분(PT3)과 나란하게 배치되는 제3 전극 부분(SE3)을 더 포함할 수 있다. 즉, 제3 전극 부분(SE3)은 제3 부분(PT3)의 제2 경사면(SF2)과 나란하게 배치될 수 있다. 다만 이에 한정되는 것은 아니며, 제3 전극 부분(SE3)은 제4 부분(PT4) 상에 연장되어 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예예 따른 발광층(EML-1)은, 제3 전극 부분(SE3) 상에 배치되고, 제3 전극 부분(SE3)과 나란하게 배치되는 제3 발광 부분(EMLS3)을 더 포함할 수 있다. 즉, 제3 발광 부분(EMLS3)은 제3 부분(PT3)의 제2 경사면(SF2)과 나란하게 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시모듈(DM-1)에서, 제2 경사각(θ2) 및 제3 부분(PT3)의 제3 경사각(θ3)의 합이 실질적으로 90도일 때 제3 발광 부분(EMLS3)에서 발광된 빛이 윈도우유닛(WP) 밖으로 출광될 수 있다. 구체적으로, 제3 발광 부분(EMLS3)에서 발광된 빛이 개구부(OP)를 통해서 제2 절연층(ISC-IL2)의 제2 내측면(IF2)에 입사할 수 있다. 입사된 광은 제3 절연층(RE)과 제2 절연층(ISC-IL2)의 굴절률 차이로 인해 전반사하여 윈도우유닛(WP) 밖으로 반사될 수 있다. 즉 제3 발광 부분(EMLS3)에서 발광된 빛은 제2 내측면(IF2)에서 전반사하여 윈도우유닛(WP) 밖으로 출광 될 수 있다. 제3 발광 부분(EMLS3)보다 작은 경사각을 가지는 제2 발광 부분(EMLS2)에서 출광된 빛도 이와 마찬가지로 윈도우유닛(WP) 밖으로 출광 될 수 있다. 즉, 제1 발광 부분(EMLS1) 내지 제3 발광 부분(EMLS3)에서 발광된 빛은 모두 개구부(OP)를 통해 윈도우유닛(WP) 밖으로 출광 될 수 있다.
예를 들어, 제1 경사각(θ1-1) 및 제3 경사각(θ3)의 합이 90도보다 작거나 크면, 제2 발광 부분(EMLS2) 또는 제3 발광 부분(EMLS3)에서 발광된 빛이 개구부(OP)를 통과하지 못할 수 있다. 즉, 발광층(EML-1)에서 출광된 빛의 일부가 반사방지층(RPP)에 의해 차단될 수 있다.
이외의 다른 구성에 대한 설명은 도 9의 설명이 동일하게 적용된다.
도 11의 표시모듈(DM-2)을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지회로(ISC-1)의 실리콘-버퍼층(ISC-BF) 및 제1 절연층(ISC-IL1)의 일부는 생략될 수 있다. 구체적으로, 제2 절연층(ISC-IL2)과 평면상에서 중첩하도록 배치될 수 있다.
이외의 다른 구성에 대한 설명은 도 9 및 도 10의 설명이 동일하게 적용된다.
도 9 내지 도 11의 일 실시예에 따른 회로절연층(CI, CI-1, CI-2)은 단일 레이어에 멀티톤 마스크를 적용하여 형성될 수 있다.
도 12의 표시모듈(DM-3)를 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 회로절연층(CI-2)은 제1 서브층(PT1-1), 제2 서브층(PT2-1), 제3 서브층(PT3-2)을 포함할 수 있다.
제1 서브층(PT1-1)은 베이스층(BS) 상에 나란하게 배치될 수 있다.
제2 서브층(PT2-1)은 제1 서브층(PT1-1) 상에 나란하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 제2 서브층(PT2-1)은 화소 개구부(PX-OP)를 정의하는 내측면인 제1 경사면(SF1)을 포함할 수 있다. 제1 경사면(SF1)이 베이스층(BS)과 이루는 예각은 제1 경사각(θ1-1)이다.
제3 서브층(PT3-2)은 제2 서브층(PT2-1) 상에 나란하게 배치될 수 있다. 구체적으로, 제3 서브층(PT3-2)은 화소 개구부(PX-OP)를 정의하는 내측면인 제2 경사면(SF2)을 포함할 수 있다. 제2 경사면(SF2)이 베이스층(BS)과 이루는 예각은 제3 경사각(θ3)이다.
도 12를 참고하면, 일 실시예의 회로절연층(CI-2)은 별개의 공정으로 형성된 복수의 층이 적층된 것일 수 있다. 예를 들어, 제1 서브층 내지 제3 서브층(PT1-1, PT2-1, PT3-2)은 각각 별개의 마스크를 적용하여 형성된 층일 수 있다. 이외의 다른 구성에 대한 설명은 도 9 및 도 10의 설명이 동일하게 적용된다.
도 13을 참고하면, 일 실시예예 따른 표시모듈(DM-4)은 표시패널(DP) 및 광제어층(LCL)을 포함할 수 있다. 광제어층(LCL)은 표시패널(DP) 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에 따른 광제어층(LCL)은 제1 광제어층(LCL-IL) 및 제2 광제어층(LCL-RE)을 포함할 수 있다. 제1 광제어층(LCL-IL) 및 제2 광제어층(LCL-RE)은 각각 도 9 내지 도 12에서 전술한 제2 절연층(ISC-IL2) 및 제3 절연층(RE)과 실질적으로 동일한 층일 수 있다.
예를 들어, 제1 광제어층(LCL-IL)은 터치 개구부(OP-ISC)를 정의하는 제2 내측면(IF2)을 포함할 수 있다. 또한, 제2 내측면(IF2)이 베이스층(BS)과 이루는 예각(θI)은 제2 경사각(θ2)보다 작을 수 있다. 제1 광제어층(LCL-IL)은 제1 굴절률을 가질 수 있다. 표시패널(DP) 상에 제1 광제어층(LCL-IL)을 커버하는 제2 광제어층(LCL-RE)이 배치될 수 있다. 제2 광제어층(LCL-RE)은 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가질 수 있다.
표시패널(DP)에 대한 설명은 도 9 내지 도 12에서 전술한 표시패널(DP, DP-1)에 대한 설명이 동일하게 적용될 수 있다. 예를 들어, 표시패널(DP)은 반사방지층(RPP) 및 봉지층(TFE)을 더 포함할 수 있다. 광제어층(LCL)의 터치 개구부(OP-ISC)는 반사방지층(RPP)의 개구부(OP)에 중첩할 수 있다. 제3 절연층제3 절연층
도 14는 일 실시예에 따른 화소(PX)의 이미지이다. 도 9 내지 도 13에 도시된 개구부(OP), 터치 개구부(OP-ISC) 및 화소 개구부(PX-OP)는 도시된 이미지와 같이 원형, 다이아몬드형, 다각형 등 다양한 형태일 수 있다. 즉 개구부들(OP, ISC-OP, PX-OP)의 형태는 제한되지 않는다.
도 15 및 도 16은 일 실시예에 따른 발광소자(LD, LD-1)를 나타낸 단면도이다.
도 15 및 도 16을 참고하면, 일 실시예에 따른 발광소자(LD)는 제1 전극(EL1), 발광층(EML) 및 제2 전극(EL2)를 포함한다. 발광층(EML)은 복수의 유기층들을 포함할 수 있다.
유기층들은 제1 전극(EL1)과 발광층(EML) 사이에 배치된 정공 수송 영역(HTR) 및 발광층(EML)과 제2 전극(EL2) 사이에 배치된 전자 수송 영역(ETR)을 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)과 전자 수송 영역(ETR)은 각각 복수 개의 서브 유기층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은 서브 유기층으로 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL)을 포함할 수 있고, 전자 수송 영역(ETR)은 서브 유기층으로 전자 주입층(EIL) 및 전자 수송층(ETL)을 포함할 수 있다. 한편, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 정공 수송 영역(HTR)은 전자 저지층(미도시) 등을 서브 유기층으로 더 포함할 수 있고, 전자 수송 영역(ETR)은 정공 저지층(미도시) 등을 서브 유기층으로 더 포함할 수 있다.
정공 수송 영역(HTR)은 제1 전극(EL1) 상에 제공된다. 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 등을 포함할 수 있다. 또한, 정공 수송 영역(HTR)은 정공 주입층(HIL) 및 정공 수송층(HTL) 외에, 정공 버퍼층(미도시) 및 전자 저지층(미도시) 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)은 발광층(EML)에서 방출되는 광의 파장에 따른 공진 거리를 보상하여 광 방출 효율을 증가시킬 수 있다. 정공 버퍼층(미도시)에 포함되는 물질로는 정공 수송 영역(HTR)에 포함될 수 있는 물질이 사용될 수 있다. 전자 저지층(미도시)은 전자 수송 영역(ETR)으로부터 정공 수송 영역(HTR)으로의 전자 주입을 방지하는 역할을 하는 층이다.
정공 수송 영역(HTR)은 단일 물질로 이루어진 단일층, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층 또는 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 복수의 층을 갖는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 정공 수송 영역(HTR)은, 복수의 서로 다른 물질로 이루어진 단일층들의 구조를 갖거나, 제1 전극(EL1)으로부터 차례로 적층된 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL), 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 주입층(HIL)/정공 버퍼층(미도시), 정공 수송층(HTL)/정공 버퍼층(미도시) 또는 정공 주입층(HIL)/정공 수송층(HTL)/전자 저지층(미도시) 등의 구조를 가질 수 있으나, 실시예가 한정되는 것은 아니다.
정공 수송 영역(HTR)은, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 형성될 수 있다.
정공 주입층(HIL)은 예를 들어, 구리프탈로시아닌(copper phthalocyanine) 등의 프탈로시아닌(phthalocyanine) 화합물, DNTPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine), TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine), 2-TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine), PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid), PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid), PANI/PSS((Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)), NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), 트리페닐아민을 포함하는 폴리에테르케톤(TPAPEK), 4-Isopropyl-4'-methyldiphenyliodonium Tetrakis(pentafluorophenyl)borate], HAT-CN(dipyrazino[2,3-f: 2',3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile) 등을 포함할 수 있다.
정공 수송층(HTL)은 예를 들어, N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸계 유도체, 플루오렌(fluorine)계 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine), TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine) 등과 같은 트리페닐아민계 유도체, NPB(N,N'-di(naphthalene-l-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine), TAPC(4,4′-Cyclohexylidene bis[N,N-bis(4-methylphenyl)benzenamine]), HMTPD(4,4'-Bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethylbiphenyl), mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 포함할 수 있다.
도 16을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자(LD-1)는 발광층(EML)에 양자점(QD)을 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 복수의 양자점(QD)이 베이스부(HS)에 분산된 형태를 가질 수 있다. 양자점(QD)의 코어는 II-VI족 화합물, III-V족 화합물, IV-VI족 화합물, IV족 원소, IV족 화합물 및 이들의 조합에서 선택될 수 있다. II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, AgInS, CuInS, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InGaP, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
IV-VI족 화합물은 SnS, SnSe, SnTe, PbS, PbSe, PbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물, SnSeS, SnSeTe, SnSTe, PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물, 및 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 원소로는 Si, Ge 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. IV족 화합물로는 SiC, SiGe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물일 수 있다.
이때, 이원소 화합물, 삼원소 화합물 또는 사원소 화합물은 균일한 농도로 입자 내에 존재하거나, 농도 분포가 부분적으로 다른 상태로 나누어져 동일 입자 내에 존재하는 것일 수 있다. 또한 하나의 양자점이 다른 양자점을 둘러싸는 코어/쉘 구조를 가질 수도 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다.
몇몇 실시예에서, 양자점(QD)은 상술한 나노 결정을 포함하는 코어 및 코어를 둘러싸는 쉘을 포함하는 코어-쉘 구조를 가질 수 있다. 코어-쉘 구조를 갖는 양자점(QD)의 쉘은 코어의 화학적 변성을 방지하여 반도체 특성을 유지하기 위한 보호층 역할 및/또는 양자점(QD)에 전기 영동 특성을 부여하기 위한 차징층(charging layer)의 역할을 수행할 수 있다. 쉘은 단층 또는 다중층일 수 있다. 코어와 쉘의 계면은 쉘에 존재하는 원소의 농도가 중심으로 갈수록 낮아지는 농도 구배(gradient)를 가질 수 있다. 코어-쉘 구조를 갖는 양자점(QD)의 쉘의 예로는 금속 또는 비금속의 산화물, 반도체 화합물 또는 이들의 조합 등을 들 수 있다.
예를 들어, 금속 또는 비금속의 산화물은 SiO2, Al2O3, TiO2, ZnO, MnO, Mn2O3, Mn3O4, CuO, FeO, Fe2O3, Fe3O4, CoO, Co3O4, NiO 등의 이원소 화합물, 또는 MgAl2O4, CoFe2O4, NIF1e2O4, CoMn2O4 등의 삼원소 화합물을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
또, 상기 반도체 화합물은 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnTeS, GaAs, GaP, GaSb, HgS, HgSe, HgTe, InAs, InP, InGaP, InSb, AlAs, AlP, AlSb등을 예시할 수 있으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
양자점(QD)은 약 45nm 이하, 바람직하게는 약 40nm 이하, 더욱 바람직하게는 약 30nm 이하의 발광 파장 스펙트럼의 반치폭(full width of half maximum, FWHM)을 가질 수 있으며, 이 범위에서 색순도나 색재현성을 향상시킬 수 있다. 또한 이러한 양자점을 통해 발광되는 광은 전 방향으로 방출되는바, 광 시야각이 향상될 수 있다.
또한, 양자점(QD)의 형태는 당 분야에서 일반적으로 사용하는 형태의 것으로 특별히 한정하지 않지만, 보다 구체적으로 구형, 피라미드형, 다중 가지형(multi-arm), 또는 입방체(cubic)의 나노 입자, 나노 튜브, 나노와이어, 나노 섬유, 나노 판상 입자 등의 형태의 것을 사용할 수 있다.
양자점(QD)은 입자 크기에 따라 방출하는 광의 색상을 조절 할 수 있으며, 이에 따라 양자점(QD)은 청색, 적색, 녹색 등 다양한 발광 색상을 가질 수 있다. 양자점(QD)의 입자 크기가 작을수록 단파장 영역의 광을 발광하는 것일 수 있다. 예를 들어 녹색광을 방출하는 양자점의 입자 크기는 적색광을 방출하는 양자점의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다. 또한, 청색광을 방출하는 양자점의 입자 크기는 녹색광을 방출하는 양자점의 입자 크기 보다 작은 것일 수 있다.
일 실시예의 발광소자(LD-1)에서 발광층(EML)은 호스트 및 도펀트를 포함하는 것일 수 있다. 일 실시예에서 발광층(EML)의 베이스부(HS)에 호스트 재료가 포함되고, 양자점(QD)을 도펀트 재료로 포함하는 것일 수 있다.
일 실시예의 발광소자(LD-1)에서 발광층(EML)은 형광 발광하는 것일 수 있다. 예를 들어, 양자점(QD)은 형광 도펀트 재료로 사용될 수 있다.
발광층(EML)에서 방출되는 광의 발광 파장은 사용된 양자점(QD)의 종류에 따라 달라질 수 있다. 발광층(EML)에서 방출되는 광은 양자점(QD)의 종류에 따라 청색광, 녹색광, 또는 적색광을 방출하는 것일 수 있다.
발광층(EML)은 진공 증착법, 스핀 코팅법, 캐스트법, LB법(Langmuir-Blodgett), 잉크젯 프린팅법, 레이저 프린팅법, 레이저 열전사법(Laser Induced Thermal Imaging, LITI) 등과 같은 다양한 방법을 이용하여 베이스부(HS)에 분산된 양자점(QD)을 적용하여 형성될 수 있다.
발광층(EML)에 포함된 양자점(QD)은 1층 이상의 층으로 적층될 수 있다. 일 예로, 도 16에 도시된 바와 같이 양자점(QD)은 발광층(EML)에서 2층으로 적층된 것일 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 양자점(QD)은 1 이상 10 이하의 층으로 적층될 수 있다. 양자점(QD)은 양자점(QD)의 종류 및 발광하고자 하는 광의 발광 파장을 고려하여, 적절한 층으로 적층되는 것일 수 있다.
일 실시예의 발광소자(LD-1)에서 발광층(EML)은 공지의 안트라센계 발광 재료를 더 포함할 수 있다.
발광층(EML)은 공지의 호스트 재료를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 발광층(EML)은 호스트 재료로, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PVK(poly(n-vinylcabazole), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine), TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), DSA(distyrylarylene), CDBP(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl), MADN(2-Methyl-9,10-bis(naphthalen-2-yl)anthracene), DPEP0(bis[2-(diphenylphosphino)phenyl] ether oxide), CP1 (Hexaphenyl cyclotriphosphazene), UGH2 (1,4-Bis(triphenylsilyl)benzene), DPSiO3 (Hexaphenylcyclotrisiloxane), DPSiO4 (Octaphenylcyclotetra siloxane), PPF (2,8-Bis(diphenylphosphoryl)dibenzofuran), mCBP(3,3'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), 또는 mCP(1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene) 등을 포함할 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 제시된 호스트 재료 이외에 공지의 호스트 재료가 포함될 수 있다.
한편, 일 실시예의 발광소자(LD-1)에서 발광층(EML)은 공지의 도펀트 재료를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서 발광층(EML)은 도펀트로 스티릴 유도체(예를 들어, 1, 4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene(BCzVB), 4-(di-p-tolylamino)-4'-[(di-p-tolylamino)styryl]stilbene(DPAVB), N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(diphenylamino)styryl)naphthalen-2-yl)vinyl)phenyl)-N-phenylbenzenamine(N-BDAVBi), 페릴렌 또는 그 유도체(예를 들어, 2, 5, 8, 11-Tetra-t-butylperylene(TBP)), 피렌 또는 그 유도체(예를 들어, 1, 1-dipyrene, 1, 4-dipyrenylbenzene, 1, 4-Bis(N, N-Diphenylamino)pyrene)) 등을 포함할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DM: 표시모듈 DP: 표시패널
BS: 베이스층 CI: 회로절연층
EL1: 제1 전극 SE1: 제1 전극 부분
SE2: 제2 전극 부분 SE3: 제3 전극 부분
EML: 발광층 EMLS1: 제1 발광 부분
EMLS2: 제2 발광 부분 EMLS3: 제3 발광 부분
EL2: 제2 전극 TFE: 봉지층
RPP: 반사방지층 TF: 상부면
BF: 하부면 IF1: 제1 내측면
ISC: 입력감지회로 LN: 폭
PT1: 제1 부분 PT2: 제2 부분
PT3: 제3 부분 PT4: 제4 부분
WD1: 제1 두께 WD2: 제2 두께
WD3: 제3 두께 WD4: 제4 두께
SF: 경사면 SF1: 제1 경사면
SF2: 제2 경사면 θ1: 제1 경사각
θ2: 제2 경사각 θ3: 제3 경사각
PDL: 화소정의막 LD: 발광소자
LL: 제1 부분의 길이 CNP: 연결패턴
CTH: 컨택홀 ISC-IL1: 제1 절연층
ISC-IL2: 제2 절연층 RE: 제3 절연층
OP: 개구부 OP-ISC: 터치 개구부
BM: 격벽 OL: 유기층
LCL: 광제어층 LCL-IL: 제1 광제어층
LCL-RE: 제2 광제어층

Claims (20)

  1. 표시패널을 포함하고,
    상기 표시패널은,
    베이스층;
    상기 베이스층 상에 배치되고, 제1 두께를 가지는 제1 부분, 상기 제1 두께보다 큰 제2 두께를 가지는 제2 부분, 및 상기 제2 두께보다 큰 제3 두께를 가지는 제3 부분을 포함하는 회로절연층;
    상기 제1 부분 상에 배치되는 제1 전극 부분, 상기 제1 전극 부분에서 연장되고, 상기 제2 부분 상에 배치되는 제2 전극 부분을 포함하는 제1 전극; 및
    상기 제1 전극 부분 상에 배치되는 제1 발광 부분, 상기 제1 발광 부분에서 연장되고, 상기 제2 전극 부분 상에 배치되는 제2 발광 부분을 포함하는 발광층을 포함하는 표시모듈.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 두께는 일정하고, 상기 제2 두께는 상기 제1 부분에서 상기 제3 부분 방향으로 갈수록 커지며, 상기 제3 두께는 일정한 표시모듈.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고,
    상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며,
    상기 개구부의 폭들 중 가장 작은 값은 상기 제1 부분의 길이와 같은 표시모듈.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 경사면을 포함하고,
    상기 경사면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제1 경사각이고,
    상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며,
    상기 제1 경사각과 상기 제2 경사각의 합은 실질적으로 90도인 표시모듈.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 표시패널 상에 배치되는 입력감지회로를 더 포함하고,
    상기 입력감지회로는,
    상기 표시패널 상에 배치되는 연결패턴;
    상기 연결패턴 중 적어도 일부분을 노출시키는 컨택홀이 정의되는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 배치되고, 적어도 어느 하나가 상기 연결패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 센서들;
    제1 굴절률을 가지며, 상기 복수의 센서들을 커버하는 제2 절연층; 및
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는 제3 절연층을 포함하는 표시모듈.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고,
    상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며,
    상기 제2 절연층은 상기 개구부에 중첩하는 터치 개구부를 정의하는 제2 내측면을 포함하고,
    상기 제2 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각은 상기 제1 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각인 제2 경사각보다 큰 표시모듈.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 두께는 일정하고, 상기 제2 두께는 상기 제1 부분에서 멀어질수록 커지고, 상기 제3 두께는 상기 제2 부분에서 멀어질수록 커지며,
    상기 제1 전극은 상기 제2 전극 부분에서 연장되고, 상기 제3 부분 상에 배치되는 제3 전극 부분을 더 포함하며,
    상기 발광층은 상기 제2 발광 부분에서 연장되고, 상기 제3 전극 부분 상에 배치되는 제3 발광 부분을 더 포함하는 표시모듈.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고,
    상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며,
    상기 개구부의 최단폭은 상기 제1 부분의 길이와 같은 표시모듈.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 부분은 상기 베이스층과 이루는 예각이 제1 경사각인 제1 경사면을 포함하고,
    상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며,
    상기 제3 부분은 상기 베이스층과 이루는 예각이 제3 경사각인 제2 경사면을 포함하며,
    상기 제1 경사각 및 상기 제3 경사각의 합은 실질적으로 90도인 표시모듈.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제3 경사각은 상기 제1 경사각보다 큰 표시모듈.
  11. 제7 항에 있어서,
    상기 표시패널 상에 배치되는 입력감지회로를 더 포함하고,
    상기 입력감지회로는,
    상기 표시패널 상에 배치되는 연결패턴;
    상기 연결패턴 중 적어도 일부분을 노출시키는 컨택홀이 정의되는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 배치되고, 적어도 어느 하나가 상기 연결패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 센서들;
    제1 굴절률을 가지며 상기 복수의 센서들을 커버하는 제2 절연층; 및
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는 제3 절연층을 포함하는 표시모듈.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고,
    상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며,
    상기 제2 절연층은 상기 개구부에 중첩하는 터치 개구부를 정의하는 제2 내측면을 포함하고,
    상기 제2 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각은 상기 제1 내측면이 상기 베이스층과 이루는 예각인 제2 경사각보다 큰 표시모듈.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 부분 내지 제3 부분은 일체의 형상을 가지는 표시모듈.
  14. 표시패널 및 상기 표시패널 상에 배치되는 입력감지회로를 포함하고,
    상기 표시패널은,
    베이스층;
    상기 베이스층 상에 배치되는 제1 서브층 및 상기 제1 서브층 상에 배치되고 제1 경사면을 포함하는 제2 서브층을 포함하고, 상기 제1 경사면은 상기 베이스층과 제1 경사각을 이루는 회로절연층;
    상기 제1 서브층 상에 배치되는 제1 전극 부분 및 상기 제2 서브층 상에 배치되는 제2 전극 부분을 포함하는 제1 전극; 및
    상기 제1 전극 부분 상에 배치되는 제1 발광 부분 및 상기 제2 전극 부분 상에 배치되는 제2 발광 부분을 포함하는 발광층을 포함하는 표시모듈.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고,
    상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며,
    상기 개구부의 최단폭은 상기 제2 서브층에 의해 노출되는 상기 제1 서브층의 길이와 같은 표시모듈.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며,
    상기 제1 경사각과 상기 제2 경사각의 합은 실질적으로 90도인 표시모듈.
  17. 제14 항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 제2 전극 및 상기 제2 전극 상에 배치되는 봉지층을 더 포함하고,
    상기 입력감지회로는,
    상기 봉지층 상에 배치되는 연결패턴;
    상기 연결패턴 중 적어도 일부분을 노출시키는 컨택홀이 정의되는 제1 절연층;
    상기 제1 절연층 상에 배치되고, 적어도 어느 하나가 상기 연결패턴과 전기적으로 연결되는 복수의 센서들;
    제1 굴절률을 가지고 상기 복수의 센서들을 커버하는 제2 절연층; 및
    상기 제1 절연층 및 상기 제2 절연층 상에 배치되고, 상기 제1 굴절률보다 큰 제2 굴절률을 가지는 제3 절연층을 포함하는 표시모듈.
  18. 제14 항에 있어서,
    상기 회로절연층은 상기 제2 서브층에서 연장되고, 제2 경사면을 포함하는 제3 서브층을 더 포함하고,
    상기 제1 전극은 상기 제3 서브층 상에 배치되는 제3 전극 부분을 더 포함하고,
    상기 발광층은 상기 제3 전극 부분 상에 배치되는 제3 발광 부분을 더 포함하며,
    상기 제2 경사면은 상기 베이스층과 이루는 예각이 제3 경사각인 표시모듈.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 표시패널은 상기 발광층 상에 배치되는 반사방지층을 더 포함하고,
    상기 반사방지층은 상부면, 상기 상부면에 대향하는 하부면, 및 상기 제1 부분에 중첩하는 개구부를 정의하는 제1 내측면을 포함하는 격벽을 포함하며,
    상기 개구부의 최단폭은 상기 제2 서브층에 의해 노출되는 상기 제1 서브층의 길이와 같은 표시모듈.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 경사면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제1 경사각이고,
    상기 제1 내측면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제2 경사각이며,
    상기 제2 경사면과 상기 베이스층이 이루는 예각은 제3 경사각이고,
    상기 제2 경사각과 상기 제3 경사각의 합은 실질적으로 90도인 표시모듈.
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