KR20210013458A - 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents

표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210013458A
KR20210013458A KR1020190090490A KR20190090490A KR20210013458A KR 20210013458 A KR20210013458 A KR 20210013458A KR 1020190090490 A KR1020190090490 A KR 1020190090490A KR 20190090490 A KR20190090490 A KR 20190090490A KR 20210013458 A KR20210013458 A KR 20210013458A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
counter electrode
pixel
area
disposed
electrode
Prior art date
Application number
KR1020190090490A
Other languages
English (en)
Inventor
김인배
문민호
황규환
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020190090490A priority Critical patent/KR20210013458A/ko
Priority to US16/847,208 priority patent/US11574959B2/en
Priority to JP2020110382A priority patent/JP7534132B2/ja
Priority to CN202010680565.4A priority patent/CN112310149A/zh
Publication of KR20210013458A publication Critical patent/KR20210013458A/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L27/3218—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H01L27/323—
    • H01L27/3244—
    • H01L51/50—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 개시한다. 본 발명의 실시예들은 불량이 발생하지 않으며, 시인성이 향상된 표시 장치, 이러한 표시 장치를 제조할 수 있는 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법을 제공할 수 있다.

Description

표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법{Display apparatus, apparatus and method for manufacturing the same}
본 발명의 실시예들은 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더 상세하게는 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치가 다양하게 활용됨에 따라 표시 장치의 형태를 설계하는데 다양한 방법이 있을 수 있고, 또한 표시 장치에 접목 또는 연계할 수 있는 기능이 증가하고 있다.
표시 장치에 접목 또는 연계할 수 있는 기능을 증가하는 방법으로, 본 발명의 실시예는, 표시 영역의 내측에 센서 등이 배치될 수 있는 센서 영역을 구비한 표시 장치, 이의 제조장치 및 이의 제조방법을 제공할 수 있다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는 제1화소영역, 제2화소영역 및 투과영역을 포함하는 제1표시영역과 제2표시영역을 포함하는 기판과, 상기 제1화소영역 상에 배치되며, 제1화소전극, 제1대향전극 및 상기 제1화소전극과 상기 제1대향전극 사이에 배치되는 제1중간층을 포함하는 제1화소와, 상기 제2화소영역 상에 배치되며, 제2화소전극, 제2대향전극 및 상기 제2화소전극과 상기 제2대향전극 사이에 배치되는 제2중간층을 포함하는 제2화소를 포함하고, 상기 제1대향전극과 서로 이격되는 상기 제1화소영역에 배치되며, 상기 제2대향전극은 서로 이격되는 상기 제2화소영역에 배치되고, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극은 서로 인접하는 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역이 서로 전기적으로 연결되는 제1컨택영역을 구비하는 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 화소영역과 상기 투과영역은 서로 교번하여 배치되어 격자 형태로 배열될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 투과영역은 서로 연결되는 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역으로 정의될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1컨택영역은 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 면접촉하는 영역일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1컨택영역에 있어서, 상기 제2대향전극은 상기 제1대향전극 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1화소전극 및 상기 제2화소전극 상에 배치되고, 상기 제1화소전극 및 상기 제2화소전극 각각의 중앙부를 노출시키는 제1개구 및 제2개구를 갖는 화소정의막을 더 포함하고, 상기 제1컨택영역은 상기 화소정의막 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역은 광 투과율이 서로 상이할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1표시영역에서 제공하는 이미지의 해상도는 상기 제2표시영역에서 제공하는 이미지의 해상도 보다 낮을 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2표시영역은 서로 인접하도록 배치되는 제3화소영역 및 제4화소영역을 포함하고, 상기 제3화소영역 상에 배치되며, 제3화소전극, 제3대향전극 및 상기 제3화소전극과 상기 제3대향전극 사이에 배치되는 제3중간층을 포함하는 제3화소와, 상기 제4화소영역 상에 배치되며, 제4화소전극, 제4대향전극 및 상기 제4화소전극과 상기 제4대향전극 사이에 배치되는 제4중간층을 포함하는 제4화소를 더 포함하며, 상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극은 서로 인접하는 상기 제3화소영역 및 상기 제4화소영역을 서로 전기적으로 연결하는 제2컨택영역을 구비할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3대향전극 또는 상기 제4대향전극 중 하나는 상기 제1표시영역으로 돌출되어 상기 제3대향전극이 상기 제1대향전극와 전기적으로 연결되거나 상기 제4대향전극이 상기 제2대향전극와 전기적으로 연결되는 제3컨택영역을 구비할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3컨택영역에서 상기 제4대향전극은 상기 제1대향전극 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3화소전극 및 상기 제4화소전극 상에 배치되는 화소정의막을 더 포함하고, 상기 제2컨택영역 및 상기 제3컨택영역 중 적어도 하나는 상기 화소정의막 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2컨택영역에서 상기 제4대향전극은 상기 제3대향전극 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3대향전극, 상기 제4대향전극 및 상기 제2컨택영역은 상기 제2표시영역 전면을 덮도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극은 라인(Line) 형태일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극과 상기 제3대향전극은 일직선으로 배열되고, 상기 제2대향전극과 상기 제4대향전극은 일직선으로 배열될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 제2표시영역의 적어도 일부를 감싸도록 비표시영역을 포함하고, 상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극 중 적어도 하나는 상기 제2표시영역으로부터 상기 비표시영역으로 돌출될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 제1화소영역, 제2화소영역 및 투과영역을 포함하는 제1표시영역과 제2표시영역을 포함하는 기판과, 상기 제1화소영역 상에 배치되며, 제1화소전극, 제1대향전극 및 상기 제1화소전극과 상기 제1대향전극 사이에 배치되는 제1중간층을 포함하는 제1화소와, 상기 제2화소영역 상에 배치되며, 제2화소전극, 제2대향전극 및 상기 제2화소전극과 상기 제2대향전극 사이에 배치되는 제2중간층을 포함하는 제2화소와, 상기 제1표시영역에 대응되도록 상기 기판의 일면에 배치되며, 빛을 방출하거나 수광하는 전자요소를 포함하는 컴포넌트를 포함하고, 상기 제1대향전극과 서로 이격되는 상기 제1화소영역에 배치되며, 상기 제2대향전극은 서로 이격되는 상기 제2화소영역에 배치되고, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극은 서로 인접하는 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역이 서로 전기적으로 연결되는 제1컨택영역을 구비하는 표시 장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 컴포넌트는 상기 투과영역을 통해 빛을 방출하거나 수광하며, 상기 제2표시영역의 광 투과율은 상기 제1표시영역의 광 투과율보다 작을 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 일부가 선택적으로 개폐되는 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되며, 기판이 지지되는 제1지지부와, 상기 챔버 내부에 상기 기판과 대향하도록 배치되는 마스크 조립체와, 상기 챔버 내부에 배치되며, 상기 마스크 조립체가 지지되는 제2지지부와, 상기 챔버에 배치되며, 증착물질을 상기 기판으로 공급하는 증착소스를 포함하고, 상기 마스크 조립체는, 마스크 프레임과, 상기 마스크 프레임에 안착하는 마스크 시트를 구비하고, 상기 마스크 시트는, 제1개구부와 상기 제1개구부와 상이한 상기 마스크 시트 부분에 배치되는 제2개구부를 포함하고, 상기 제1개구부와 상기 제2개구부는 서로 일렬로 배열되며, 서로 인접하는 상기 제1개구부와 상기 제2개구부 사이의 상기 마스크 시트의 폭은 서로 인접하는 상기 제2개구부 사이의 상기 마스크 시트의 폭보다 작거나 상기 제1개구부와 상기 제2개구부의 형상은 서로 상이한 표시 장치의 제조장치를 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 증착소스는 상기 챔버의 모서리 부분에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1개구부는 정사각형이고, 상기 제2개구부는 직사각형일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1지지부와 상기 제2지지부 중 적어도 하나는 상기 기판과 상기 마스크 조립체의 상대 위치를 조절 가능할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 기판과 마스크 조립체를 챔버 내부에 배치하는 단계와, 증착소스에서 공급된 증착물질이 상기 마스크 조립체를 통과하여 제1대향전극과 제3대향전극을 각각 상기 기판의 제1표시영역과 제2표시영역에 형성하는 단계와, 상기 기판 및 상기 마스크 조립체 중 적어도 하나의 위치를 가변시키는 단계와, 상기 증착소스에서 공급된 증착물질이 상기 마스크 조립체를 통과하여 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역에 각각 상기 제1대향전극과 적어도 일부가 중첩되는 제2대향전극과 상기 제3대향전극과 적어도 일부가 중첩되는 상기 제4대향전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 중첩되는 제1컨택영역 및 상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극이 중첩되는 제2컨택영역은 화소정의막 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 상기 제2표시영역의 적어도 일부를 감싸도록 배치된 비표시영역을 포함하고, 상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극 중 적어도 하나의 일부는 상기 제2표시영역에서 상기 비표시영역으로 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극 사이에는 투과영역이 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3대향전극, 상기 제4대향전극 및 상기 제2컨택영역은 상기 제2표시영역 전면을 덮도록 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 중첩되는 제1컨택영역은 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 면접촉하는 영역일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극이 중첩되는 제2컨택영역은 상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극이 면접촉하는 영역일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역은 광 투과율이 서로 상이할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극 중 적어도 하나는 상기 제1표시영역으로 돌출되는 제3컨택영역을 구비하고, 상기 제3컨택영역은 상기 제1대향전극 및 상기 제2대향전극 중 적어도 하나와 전기적으로 연결할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극과 상기 제3대향전극은 제1방향으로 배열되며, 상기 제1대향전극은 상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 배열될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극은 상기 제1방향 및 상기 제2방향과 상이한 제3방향으로 연결될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
이러한 일반적이고 구체적인 측면이 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램, 또는 어떠한 시스템, 방법, 컴퓨터 프로그램의 조합을 사용하여 실시될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 컴포넌트가 배치되는 영역에서도 이미지 표현이 가능하도록 표시 영역이 확장된 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 제1표시영역의 일 실시예를 확대하여 보여주는 평면도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 화소의 등가회로도들이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 화소회로를 개략적으로 나타낸 배치도이다.
도 8은 도 7의 I-I' 선 및 II-II'선을 따라 취한 단면도이다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1표시영역의 일부를 보여주는 평면도들이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정 중 일부를 개략적으로 보여주는 단면도들이다.
도 13은 도 9의 B-B' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 대향전극의 배치를 보여주는 평면도이다.
도 15는 도 14의 C-C' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 14의 D-D' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 17은 도 14의 E-E'선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 21은 도 20에 도시된 마스크 시트의 일 실시예의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 23은 도 20에 도시된 마스크 시트의 다른 실시예의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 25는 도 20에 도시된 마스크 시트의 또 다른 실시예의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다.
도 1을 참고하면, 표시 장치(1)는 이미지를 구현하는 표시영역(DA)과 이미지를 구현하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 제2표시영역(DA2) 및 제2표시영역(DA2) 내에 위치한 제1표시영역(DA1)을 포함한다. 표시 장치(1)는 제2표시영역(DA2)에 배치된 복수의 메인 화소(PXm)들에서 방출되는 빛을 이용하여 메인 이미지를 제공할 수 있다.
표시 장치(1)는 제2표시영역(DA2) 내에 제1표시영역(DA1)을 포함한다. 제1표시영역(DA1)은 도 2를 참조하여 후술할 바와 같이 그 하부에 적외선, 가시광선이나 음향 등을 이용하는 센서와 같은 컴포넌트가 배치되는 영역일 수 있다. 제1표시영역(DA1)은 컴포넌트로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 컴포넌트를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예로, 제1표시영역(DA1)을 통해 적외선이 투과하는 경우, 광 투과율은 약 10% 이상, 보다 바람직하게 20% 이상이거나, 25% 이상이거나 50% 이상이거나, 85% 이상이거나, 90% 이상일 수 있다. 이때, 제1표시영역(DA1)의 광 투과율은 제2표시영역(DA2)의 광 투과율과 상이할 수 있다. 예를 들면, 제1표시영역(DA1)의 광 투과율은 제2표시영역(DA2)의 광 투과율보다 클 수 있다.
본 실시예에서, 제1표시영역(DA1)에는 복수의 보조 화소(PXa)들이 배치될 수 있으며, 상기 복수의 보조 화소(PXa)들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 제1표시영역(DA1)에서 제공되는 이미지는 보조 이미지로 제2표시영역(DA2)에서 제공하는 이미지에 비해서 해상도가 낮을 수 있다. 즉, 제1표시영역(DA1)은 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(TA)를 구비하는 바, 단위 면적 당 배치될 수 있는 보조 화소(PXa)들의 수가 제2표시영역(DA2)에 단위 면적 당 배치되는 메인 화소(PXm)들의 수에 비해 적을 수 있다.
제1표시영역(DA1)은 제2표시영역(DA2)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있으며, 일 실시예로서 도 1은 제1표시영역(DA1)이 제2표시영역(DA2)에 의해 전체적으로 둘러싸인 것을 나타낸다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 무기 EL 디스플레이(Inorganic Light Emitting Display), 퀀텀닷 발광 디스플레이(Quantum dot Light Emitting Display) 등과 같이 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 1에서는 제1표시영역(DA1)이 사각형인 제2표시영역(DA2)의 일측(우상측)에 배치된 것을 도시하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 제2표시영역(DA2)의 형상은 원형, 타원, 또는 삼각형이나 오각형 등과 같은 다각형일 수 있으며, 제1표시영역(DA1)의 위치 및 개수도 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 간략하게 도시한 단면도이다. 도 2는 도 1의 A-A' 선을 따라 취한 단면에 대응될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시요소를 포함하는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10) 하부에 위치하며 제1표시영역(DA1)에 대응하는 컴포넌트(20)를 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 배치된 표시요소층(200), 상기 표시요소층(200)을 밀봉하는 밀봉부재로써 박막봉지층(300)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널(10)은 기판(100)에 하부에 배치된 하부보호필름(175)을 더 포함할 수 있다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelene n napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
표시요소층(200)은 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로층, 표시요소로서 유기발광다이오드(OLED) 및 이들 사이의 절연층(IL)을 포함할 수 있다.
제2표시영역(DA2)에는 박막트랜지스터(TFT) 및 이와 연결된 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함하는 메인 화소(PXm)가 배치되고, 제1표시영역(DA1)에는 박막트랜지스터(TFT) 및 이와 연결된 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함하는 보조 화소(PXa) 배치되며, 메인 화소(PXm) 및 보조 화소(PXa)와 전기적으로 연결된 배선들(미도시)이 배치될 수 있다.
또한, 제1표시영역(DA1)에는 박막트랜지스터(TFT) 및 화소가 배치되지 않는 투과영역(TA)이 배치될 수 있다. 투과영역(TA)은 컴포넌트(20)로부터 방출되는 빛/신호 나 컴포넌트(20)로 입사되는 빛/신호가 투과(tansmission)되는 영역으로 이해할 수 있다.
컴포넌트(20)는 제1표시영역(DA1)에 위치할 수 있다. 컴포넌트(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)는 적외선 센서와 같이 광을 수광하여 이용하는 센서, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등일 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있음은 물론이다. 제1표시영역(DA1)에 배치된 컴포넌트(20)의 수는 복수로 구비될 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)로써 발광소자 및 수광소자가 하나의 제1표시영역(DA1)에 함께 구비될 수 있다. 또는, 하나의 컴포넌트(20)에 발광부 및 수광부가 동시에 구비될 수 있다.
박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 2는 제1및 제2무기봉지층(310, 330)과 이들 사이의 유기봉지층(320)을 나타낸다.
제1및 제2무기봉지층(310, 330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 타탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 아연옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌설포네이트, 폴리옥시메틸렌, 폴리아릴레이트, 헥사메틸디실록산, 아크릴계 수지(예를 들면, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산 등) 또는 이의 임의의 조합을 포함할 수 있다.
하부보호필름(175)는 기판(100)의 하부에 부착되어, 기판(100)을 지지하고 보호하는 역할을 할 수 있다. 하부보호필름(175)는 제1표시영역(DA1)에 대응하는 개구(175OP)를 구비할 수 있다. 하부보호필름(175)에 개구(175OP)를 구비함으로써, 제1표시영역(DA1)의 광 투과율을 향상시킬 수 있다. 하부보호필름(175)는 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate) 또는 폴리이미드(PI, polyimide)를 포함하여 구비될 수 있다.
제1표시영역(DA1)의 면적은 컴포넌트(20)가 배치되는 면적에 비해서 크게 구비될 수 있다. 도 2에서는 제1표시영역(DA1)과 개구(175OP)의 면적이 동일한 것으로 도시되나, 하부보호필름(175)에 구비된 개구(175OP)의 면적은 상기 제1표시영역(DA1)의 면적과 일치하지 않을 수도 있다. 예컨대, 개구(175OP)의 면적은 제1표시영역(DA1)의 면적에 비해 작게 구비될 수 있다.
도시되지는 않았으나, 표시 패널(10) 상에는 터치입력을 감지하는 입력감지부재, 편광자(polarizer)와 지연자(retarder) 또는 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 반사 방지부재 및 투명한 윈도우와 같은 구성요소가 더 배치될 수 있다.
한편, 본 실시예에서 표시요소층(200)을 밀봉하는 봉지부재로 박막봉지층(300)을 이용한 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예컨대, 표시요소층(200)을 밀봉하는 부재로써, 실런트 또는 프릿에 의해서 기판(100)과 합착되는 밀봉기판을 이용할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 4는 도 3의 제1표시영역의 일 실시예를 확대하여 보여주는 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 표시 패널(10)을 이루는 각종 구성 요소들은 기판(100) 상에 배치된다. 기판(100)은 표시영역 및 표시영역을 둘러싸는 비표시영역(NDA)를 포함한다. 표시영역은 메인 이미지가 디스플레이되는 제2표시영역(DA2) 및 내부에 투과영역(TA)을 구비하며 보조 이미지가 디스플레이되는 제1표시영역(DA1)을 포함한다.
제2표시영역(DA2)에는 복수의 메인 화소(PXm)들이 배치된다. 메인 화소(PXm)들은 각각 유기발광소자(OLED)와 같은 표시요소를 포함할 수 있다. 각 메인 화소(PXm)는 유기발광소자(OLED)를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 본 명세서에서의 메인 화소(PXm)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 화소로 이해할 수 있다. 제2표시영역(DA2)은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 봉지부재로 커버되어 외기 또는 수분 등으로부터 보호될 수 있다.
제1표시영역(DA1)은 제2표시영역(DA2)의 내측에 배치될 수 있으며, 제1표시영역(DA1)에는 복수의 보조 화소(PXa)들이 배치된다. 보조 화소(PXa)들은 각각 유기발광다이오드와 같은 표시요소를 포함할 수 있다. 각 보조 화소(PXa)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 본 명세서에서의 보조 화소(PXa)라 함은 전술한 바와 같이 적색, 녹색, 청색, 백색 중 어느 하나의 색상의 빛을 방출하는 화소로 이해할 수 있다. 한편, 제1표시영역(DA1)에는 보조 화소(PXa)들 사이에 배치되는 투과영역(TA)가 구비될 수 있다.
제1표시영역(DA1)은 투과영역(TA)를 구비하고 있는 바, 제1표시영역(DA1)의 해상도는 제2표시영역(DA2) 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1표시영역(DA1)의 해상도는 제2표시영역(DA2)의 약 1/2일 수 있다. 일부 실시예에서, 제2표시영역(DA2)의 해상도는 400ppi 이상이고, 제1표시영역(DA1)의 해상도는 약 200ppi 일 수 있다.
도 4를 참조하여 제1표시영역(DA1)에 대해 설명한다.
제1표시영역(DA1)은 적어도 하나 이상의 보조 화소(PXa)를 포함하는 보조화소영역(PA1)과 투과영역(TA)을 구비할 수 있다. 보조화소영역(PA1)과 투과영역(TA)은 제1방향(DR1)과 제2방향(DR2)을 따라 교번하여 배치되며, 예컨대 격자형상으로 배치될 수 있다.
보조화소영역(PA1)은 적색으로 발광하는 보조 화소(Pr), 녹색으로 발광하는 보조 화소(Pg) 및 청색으로 발광하는 보조 화소(Pb)를 포함할 수 있다. 도 4에서는 펜타일형(pentile type)의 보조 화소(PXa)를 도시하나, 보조 화소(PXa)는 스트라이프형 또는 다양한 형상으로 형성될 수도 있음은 물론이다. 또한, 도 4에서는 보조화소영역(PA1)에 8개의 보조 화소(PXa)가 구비된 것으로 도시하나, 보조 화소(PXa)의 개수는 제1표시영역(DA1)의 해상도에 따라 변형 설계될 수 있다.
일 실시예에서, 하나의 메인 화소(PXm)와 하나의 보조 화소(PXa)는 동일한 화소 회로를 포함할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 메인 화소(PXm)에 포함되는 화소 회로와 보조 화소(PXa)에 포함되는 화소 회로는 서로 다를 수 있음은 물론이다.
투과영역(TA)에는 보조 화소(PXa)가 배치되지 않을 수 있다. 보조 화소(PXa)가 배치되지 않는다고 함은, 보조 화소(PXa)이 유기발광소자(OLED)와 같은 표시요소를 포함하지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 투과영역(TA)에는 유기발광소자(OLED)를 구성하는 화소전극, 중간층, 대향전극 및 이에 전기적으로 연결된 화소회로가 배치되지 않는 것으로 이해될 수 있다. 물론, 보조화소영역(PA1)에 위치한 보조 화소(PXa)에 신호를 공급하기 위해 연결된 신호선들(PL, DL, SL, EL) 일부는 투과영역(TA)을 가로질러 위치할 수 있다. 다만, 이 경우에도 투과영역(TA)의 투과율을 높이기 위해, 상기 신호선들(PL, DL, SL, EL)은 투과영역(TA)의 중앙부를 우회하여 배치될 수도 있다.
도시되어 있지는 않으나, 제1표시영역(DA1)의 보조화소영역(PA1)에 대응하여 기판(100) 상에 도전층(미도시)이 배치될 수도 있다. 도전층은 보조 화소(PXa) 하부에 배치되며, 예컨대 보조 화소(PXa)의 박막트랜지스터와 기판 사이에 배치될 수 있다. 도전층은 컴포넌트(20)로부터 출사된 외부 광이 보조 화소(PXa)의 화소회로(PC, 도 5)에 입사되는 것을 차단하여 영향을 주는 것을 방지할 수 있다. 이러한 도전층에는 정전압 또는 신호가 인가되어, 정전기 방전에 의한 화소회로(PC)의 손상을 방지할 수 있다. 도전층은 제1표시영역(DA1) 내에 복수 개 구비될 수 있으며, 경우에 따라 각 도전층은 서로 다른 전압을 제공받을 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 각 화소(PXm, PXa)는 비표시영역(NDA)에 배치된 외곽회로들과 전기적으로 연결될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 제1스캔 구동회로(110), 제2스캔 구동회로(120), 단자(140), 데이터 구동회로(150), 제1전원공급배선(160), 및 제2전원공급배선(170)이 배치될 수 있다.
제1스캔 구동회로(110)는 스캔선(SL)을 통해 각 화소(PXm, PXa)에 스캔 신호를 제공할 수 있다. 제1스캔 구동회로(110)는 발광 제어선(EL)을 통해 각 화소에 발광 제어 신호를 제공할 수 있다. 제2스캔 구동회로(120)는 표시영역(DA)을 사이에 두고 제1스캔 구동회로(110)와 나란하게 배치될 수 있다. 표시영역(DA)에 배치된 화소(PXm, PXa)들 중 일부는 제1스캔 구동회로(110)와 전기적으로 연결될 수 있고, 나머지는 제2스캔 구동회로(120)에 연결될 수 있다. 다른 실시예로, 제2스캔 구동회로(130)는 생략될 수 있다.
단자(140)는 기판(100)의 일 측에 배치될 수 있다. 단자(140)는 절연층에 의해 덮이지 않고 노출되어 인쇄회로기판(PCB)과 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄회로기판(PCB)의 단자(PCB-P)는 표시 패널(10)의 단자(140)와 전기적으로 연결될 수 있다. 인쇄회로기판(PCB)은 제어부(미도시)의 신호 또는 전원을 표시 패널(10)로 전달한다. 제어부에서 생성된 제어 신호는 인쇄회로기판(PCB)을 통해 제1및 제2스캔 구동회로(110, 120)에 각각 전달될 수 있다. 제어부는 제1및 제2연결배선(161, 171)을 통해 제1및 제2전원공급배선(160, 170)에 각각 제1및 제2전원(ELVDD, ELVSS, 후술할 도 5, 6 참조)을 제공할 수 있다. 제1전원전압(ELVDD)은 제1전원공급배선(160)과 연결된 구동전압선(PL)을 통해 각 화소(PXm, PXa)에 제공되고, 제2전원전압(ELVSS)은 제2전원공급배선(170)과 연결된 각 화소(PXm, PXa)의 대향전극에 제공될 수 있다.
데이터 구동회로(150)는 데이터선(DL)에 전기적으로 연결된다. 데이터 구동회로(150)의 데이터 신호는 단자(140)에 연결된 연결배선(151) 및 연결배선(151)과 연결된 데이터선(DL)을 통해 각 화소(PXm, PXa)에 제공될 수 있다. 도 3는 데이터 구동회로(150)가 인쇄회로기판(PCB)에 배치된 것을 도시하지만, 다른 실시예로, 데이터 구동회로(150)는 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 데이터 구동회로(150)는 단자(140)와 제1전원공급배선(160) 사이에 배치될 수 있다.
제1전원공급배선(160, first power supply line)은 제2표시영역(DA2)과 단자1k40) 사이에 배치되며, x방향을 따라 나란하게 연장된 제1서브배선(162) 및 제2서브배선(163)을 포함할 수 있다. 제2전원공급배선(170, second power supply line)은 일측이 개방된 루프 형상으로 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 화소의 등가회로도들이다.
도 5 및 도 6을 참고하면, 각 화소(PXm, PXa)는 스캔라인(SL) 및 데이터선(DL)에 연결된 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광소자(OLED)를 포함한다.
화소회로(PC)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔라인(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)을 통해 입력되는 스캔 신호(Sn)에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터 신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(T2) 및 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD, 또는 구동전압)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
구동 박막트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광소자(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
도 5에서는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 도 6에 도신된 바와 같이, 화소회로(PC)는 7개의 박막트랜지스터 및 1개의 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 도 6에서는 1개의 스토리지 커패시터를 포함한 것으로 도시하였으나, 화소회로(PC)는 2개 이상의 스토리지 커패시터를 포함할 수도 있다.
도 6을 참조하면, 각 화소(PXm, PXa)는 화소회로(PC) 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 화소회로(PC)는 복수의 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터(storage capacitor)를 포함할 수 있다. 박막트랜지스터들 및 스토리지 커패시터는 신호선(SL, SL-1, EL, DL), 초기화전압선(VL) 및 구동전압선(PL)에 연결될 수 있다.
도 6에서는 화소(PXm, PXa)가 신호선(SL, SL-1, EL, DL), 초기화전압선(VL), 및 구동전압선(PL)에 연결된 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 신호선(SL, SL-1, EL, DL) 중 적어도 어느 하나, 초기화전압선(VL)과 구동전압선(PL) 등은 이웃하는 화소들에서 공유될 수 있다.
신호선은 스캔신호(Sn)를 전달하는 스캔선(SL), 제1초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)에 이전 스캔신호(Sn-1)를 전달하는 이전 스캔선(SL-1), 동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)에 발광제어신호(En)를 전달하는 발광 제어선(EL), 스캔선(SL)과 교차하며 데이터신호(Dm)를 전달하는 데이터선(DL)을 포함한다. 구동전압선(PL)은 구동 박막트랜지스터(T1)에 구동전압(ELVDD)을 전달하며, 초기화전압선(VL)은 구동 박막트랜지스터(T1) 및 화소전극을 초기화하는 초기화전압(Vint)을 전달한다.
구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)에 연결되어 있고, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)은 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 하부 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 메인 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 전기적으로 연결되어 있다. 구동 박막트랜지스터(T1)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 동작에 따라 데이터신호(Dm)를 전달받아 메인 유기발광소자(OLED)에 구동전류(IOLED)를 공급한다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 게이트전극(G2)은 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스전극(S2)은 데이터선(DL)에 연결되어 있으며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)에 연결되어 있으면서 동작제어 박막트랜지스터(T5)를 경유하여 하부 구동전압선(PL)에 연결되어 있다. 스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 데이터선(DL)으로 전달된 데이터신호(Dm)를 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1)으로 전달하는 스위칭 동작을 수행한다.
보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 게이트전극(G3)은 스캔선(SL)에 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1)에 연결되어 있으면서 발광제어 박막트랜지스터(T6)를 경유하여 유기발광소자(OLED)의 화소전극과 연결되어 있고, 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1), 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 드레인전극(D4) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 스캔선(SL)을 통해 전달받은 스캔신호(Sn)에 따라 턴-온되어 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)과 구동 드레인전극(D1)을 전기적으로 연결하여 구동 박막트랜지스터(T1)를 다이오드 연결시킨다.
제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 게이트전극(G4)은 이전 스캔선(SL-1)에 연결되어 있고, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 소스전극(S4)은 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 드레인전극(D7)과 초기화전압선(VL)에 연결되어 있으며, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 드레인전극(D4)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1), 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 드레인전극(D3) 및 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 연결되어 있다. 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 초기화전압(Vint)을 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)에 전달하여 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)의 전압을 초기화시키는 초기화동작을 수행한다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 게이트전극(G5)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있으며, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 소스전극(S5)은 하부 구동전압선(PL)과 연결되어 있고, 동작제어 박막트랜지스터(T5)의 동작제어 드레인전극(D5)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 소스전극(S1) 및 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 드레인전극(D2)과 연결되어 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 게이트전극(G6)은 발광 제어선(EL)에 연결되어 있고, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 소스전극(S6)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 드레인전극(D1) 및 보상 박막트랜지스터(T3)의 보상 소스전극(S3)에 연결되어 있으며, 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6)은 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 소스전극(S7) 및 유기발광소자(OLED)의 화소전극에 전기적으로 연결되어 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5) 및 발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광 제어선(EL)을 통해 전달받은 발광제어신호(En)에 따라 동시에 턴-온되어, 구동전압(ELVDD)이 메인 유기발광소자(OLED)에 전달되어 유기발광소자(OLED)에 구동전류(IOLED)가 흐르도록 한다.
제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 게이트전극(G7)은 이전 스캔선(SL-1)에 연결되어 있고, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 소스전극(S7)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 발광제어 드레인전극(D6) 및 메인 유기발광소자(OLED)의 화소전극에 연결되어 있으며, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 제2초기화 드레인전극(D7)은 제1초기화 박막트랜지스터(T4)의 제1초기화 소스전극(S4) 및 초기화전압선(VL)에 연결되어 있다. 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 이전 스캔선(SL-1)을 통해 전달받은 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 턴-온되어 메인 유기발광소자(OLED)의 화소전극을 초기화시킨다.
도 6에서는 제1초기화 박막트랜지스터(T4)와 제2초기화 박막트랜지스터(T7)가 이전 스캔선(SL-1)에 연결된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 이전 스캔선(SL-1)에 연결되어 이전 스캔신호(Sn-1)에 따라 구동하고, 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 별도의 신호선(예컨대, 이후 스캔선)에 연결되어 상기 신호선에 전달되는 신호에 따라 구동될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)은 구동전압선(PL)에 연결되어 있으며, 유기발광소자(OLED)의 대향전극은 공통전압(ELVSS)에 연결되어 있다. 이에 따라, 유기발광소자(OLED)는 구동 박막트랜지스터(T1)로부터 구동전류(IOLED)를 전달받아 발광함으로써 화상을 표시할 수 있다.
도 6에서는 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1초기화 박막트랜지스터(T4)가 듀얼 게이트전극을 갖는 것으로 도시하고 있으나, 보상 박막트랜지스터(T3)와 제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 한 개의 게이트전극을 가질 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 화소회로를 개략적으로 나타낸 배치도이다. 도 8은 도 7의 I-I' 선 및 II-II'선을 따라 취한 단면도이다.
도 7 및 도 8을 참고하면, 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)는, 반도체층(1130)을 따라 배치된다.
반도체층(1130)은 무기 절연물질인 버퍼층이 형성된 기판 상에 배치된다. 본 실시예에서, 반도체층(1130)은 저온 폴리 실리콘(Low Temperature Poly-Silicon; LTPS)을 포함할 수 있다. 폴리 실리콘 물질은 전자이동도가 높아 (100㎠/Vs 이상), 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하므로,　표시 장치에서 박막 트랜지스터의　반도체층으로 이용될 수 있다. 다만 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시예로, 반도체층(1130)은 아모퍼스 실리콘(a-Si) 및/또는 산화물 반도체로 형성될 수도 있으며, 복수의 박막트랜지스터들 중 일부 반도체층은 저온 폴리 실리콘(LTPS)으로 형성되고, 다른 일부 반도체층은 아모퍼스 실리콘(a-Si) 및/또는 산화물 반도체로 형성될 수도 있다.
반도체층(1130)의 일부 영역들은, 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 반도체층들에 해당한다. 바꾸어 말하면, 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 보상 박막트랜지스터(T3), 제1초기화 박막트랜지스터(T4), 동작제어 박막트랜지스터(T5), 발광제어 박막트랜지스터(T6) 및 제2초기화 박막트랜지스터(T7)의 반도체층들은 서로 연결되며 다양한 형상으로 굴곡진 것으로 이해할 수 있다.
반도체층(1130)은 채널영역 및 채널영역 양측의 소스영역 및 드레인영역을 포함하는데, 소스영역 및 드레인영역은 해당하는 박막트랜지스터의 소스전극 및 드레인전극으로 이해될 수 있다. 이하는 편의상, 소스영역 및 드레인영역을 각각 소스전극 및 드레인전극으로 부른다.
구동 박막트랜지스터(T1)는 구동 채널영역에 중첩하는 구동 게이트전극(G1) 및 구동 채널영역 양측의 구동 소스전극(S1) 및 구동 드레인전극(D1)을 포함한다. 구동 게이트전극(G1)과 중첩하는 구동 채널영역은 오메가 형상과 같이 절곡된 형상을 가짐으로써 좁은 공간 내에 긴 채널길이를 형성할 수 있다. 구동 채널영역의 길이가 긴 경우 게이트 전압의 구동 범위(driving range)가 넓어지게 되어 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 계조를 보다 정교하게 제어할 수 있으며, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스위칭 채널영역에 중첩하는 스위칭 게이트전극(G2) 및 스위칭 채널영역 양측의 스위칭 소스전극(S2) 및 스위칭 드레인전극(D2)을 포함한다. 스위칭 드레인전극(D2)은 구동 소스전극(S1)과 연결될 수 있다.
보상 박막트랜지스터(T3)는 듀얼 박막트랜지스터로, 2개의 보상 채널영역에 중첩하는 보상 게이트전극(G3)들을 구비할 수 있으며, 양 측에 배치된 보상 소스전극(S3) 및 보상 드레인전극(D3)을 포함할 수 있다. 보상 박막트랜지스터(T3)는 후술할 노드연결선(1174)을 통해 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)과 연결될 수 있다.
제1초기화 박막트랜지스터(T4)는 듀얼 박막트랜지스터로, 2개의 제1초기화 채널영역에 중첩하는 제1초기화 게이트전극(G4)을 구비하며, 양측에 배치된 제1초기화 소스전극(S4) 및 제1초기화 드레인전극(D4)을 포함할 수 있다.
동작제어 박막트랜지스터(T5)는 동작제어 채널영역에 중첩하는 동작제어 게이트전극(G5) 및 양측에 위치하는 동작제어 소스전극(S4) 및 동작제어 드레인전극(D5)을 포함할 수 있다. 동작제어 드레인전극(D5)은 구동 소스전극(S1)과 연결될 수 있다.
발광제어 박막트랜지스터(T6)는 발광제어 채널영역에 중첩하는 발광제어 게이트전극(G6), 및 양측에 위치하는 발광제어 소스전극(S6) 및 발광제어 드레인전극(D6)을 포함할 수 있다. 발광제어 소스전극(S6)은 구동 드레인전극(D1)과 연결될 수 있다.
제2초기화 박막트랜지스터(T7)는 제2초기화 채널영역에 중첩하는 제2초기화 게이트전극(G7), 및 양측에 위치하는 제2초기화 소스전극(S7) 및 제2초기화 드레인전극(D7)을 포함할 수 있다.
전술한 박막트랜지스터들은 신호선(SL, SL-1, EL, DL), 초기화전압라인(VL) 및 구동전압라인(PL)에 연결될 수 있다.
전술한 반도체층(1130) 상에는 절연층(들)을 사이에 두고 스캔선(SL), 이전 스캔선(SL-1), 발광 제어라인(EL) 및 구동 게이트전극(G1)이 배치될 수 있다.
스캔선(SL)은 제1방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다. 스캔선(SL)의 일 영역들은 스위칭 및 보상 게이트전극(G2, G3)에 해당할 수 있다. 예컨대, 스캔선(SL) 중 스위칭 및 보상 박막트랜지스터(T2, T3)의 채널영역들과 중첩하는 영역이 각각 스위칭 및 보상 게이트전극(G2, G3)일 수 있다.
이전 스캔선(SL-1)은 제1방향(DR1)을 따라 연장되되, 일부 영역들은 각각 제1및 제2초기화 게이트전극(G4, G7)에 해당할 수 있다. 예컨대, 이전 스캔선(SL-1) 중 제1및 제2초기화 구동 박막트랜지스터(T4, T7)의 채널영역들과 중첩하는 영역이 각각 제1및 제2초기화 게이트전극(G4, G7)일 수 있다.
발광 제어라인(EL)은 제1방향(DR1)을 따라 연장된다. 발광 제어라인(EL)의 일 영역들은 각각 동작제어 및 발광제어 게이트전극(G5, G6)에 해당할 수 있다. 예컨대, 발광 제어라인(EL) 중 동작제어 및 발광제어 구동박막트랜지스터(T6, T7)의 채널영역들과 중첩하는 영역이 각각 동작제어 및 발광제어 게이트전극(G5, G6)일 수 있다.
구동 게이트전극(G1)은 플로팅 전극으로, 전술한 노드연결선(1174)을 통해 보상 박막트랜지스터(T3)와 연결될 수 있다.
전술한 스캔선(SL), 이전 스캔선(SL-1), 발광 제어라인(EL), 및 구동 게이트전극(G1) 상에는 절연층(들)을 사이에 두고, 전극전압라인(HL)이 배치될 수 있다.
전극전압라인(HL)은 데이터라인(DL) 및 구동전압라인(PL)과 교차하도록 제1방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다. 전극전압라인(HL)의 일부는 구동 게이트전극(G1)의 적어도 일부를 커버하며, 구동 게이트전극(G1)과 함께 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 예컨대, 구동 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)이 되고 전극전압라인(HL)의 일부는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)이 될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)은 구동전압라인(PL)과 전기적으로 연결된다. 이와 관련하여, 전극전압라인(HL)은 전극전압라인(HL) 상에 배치된 구동전압라인(PL)과 콘택홀(CNT)을 통해 접속될 수 있다. 따라서, 전극전압라인(HL)은 구동전압라인(PL)과 동일한 전압 레벨(정전압)을 가질 수 있다. 예컨대, 전극전압라인(HL)은 +5V의 정전압을 가질 수 있다. 전극전압라인(HL)은 횡방향 구동전압라인으로 이해할 수 있다.
구동전압라인(PL)은 제2방향(DR2)을 따라 연장되고, 구동전압라인(PL)과 전기적으로 연결된 전극전압라인(HL)은 제2방향(DR2)에 교차하는 제1방향(DR1)을 따라 연장되므로, 표시영역에서 복수의 구동전압라인(PL)들과 전극전압라인(HL)들은 그물 구조(mesh structure)를 이룰 수 있다.
전극전압라인(HL) 상에는 절연층(들)을 사이에 두고 데이터라인(DL), 구동전압라인(PL), 초기화연결선(1173), 및 노드연결선(1174)이 배치될 수 있다.
데이터라인(DL)은 제2방향(DR2)으로 연장되며, 콘택홀(1154)을 통해 스위칭 박막트랜지스터(T2)의 스위칭 소스전극(S2)에 접속될 수 있다. 데이터라인(DL)의 일부는 스위칭 소스전극으로 이해될 수 있다.
구동전압라인(PL)은 제2방향(DR2)으로 연장되며, 전술한 바와 같이 콘택홀(CNT)을 통해 전극전압라인(HL)에 접속된다. 또한, 콘택홀(1155)을 통해 동작제어 박막트랜지스터(T5)에 연결될 수 있다. 구동전압라인(PL)은 콘택홀(1155)을 통해 동작제어 드레인전극(D5)에 접속될 수 있다.
초기화연결선(1173)의 일단은 콘택홀(1152)을 통해 제1및 제2초기화 박막트랜지스터(T4, T7)에 연결되고, 타단은 콘택홀(1151)을 통해 후술할 초기화전압라인(VL)과 연결될 수 있다.
노드연결선(1174)의 일단은 콘택홀(1156)을 통해 보상 드레인전극(D3)에 연결되고, 타단은 콘택홀(1157)을 통해 구동 게이트전극(G1)에 접속할 수 있다.
데이터라인(DL), 구동전압라인(PL), 초기화연결선(1173), 및 노드연결선(1174) 상에는 절연층(들)을 사이에 두고 초기화전압라인(VL)이 배치될 수 있다.
초기화전압라인(VL)은 제1방향(DR1)으로 연장된다. 초기화전압라인(VL)은 초기화연결선(1173)을 통해 제1및 제2초기화 구동 박막트랜지스터(T4, T7)에 연결될 수 있다. 초기화전압라인(VL)은 정전압(예컨대, -2V 등)을 가질 수 있다.
초기화전압라인(VL)은 유기발광다이오드(OLED, 도 8)의 화소전극(210)과 동일한 층 상에 배치되고, 동일한 물질을 포함할 수 있다. 화소전극(210)은 발광제어 박막트랜지스터(T6)에 연결될 수 있다. 화소전극(210)은 콘택홀(1163)을 통해 접속메탈(1175)에 접속되고, 접속메탈(1175)은 콘택홀(1153)을 통해 발광제어 드레인전극(D6)에 접속할 수 있다.
도 7에서는 초기화전압라인(VL)이 화소전극(210)과 동일한 층 상에 배치된 것을 설명하였으나, 다른 실시예에서 초기화전압라인(VL)은 전극전압라인(HL)과 동일한 층 상에 배치될 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에 포함된 구성들의 적층된 구조에 대해서 설명하도록 한다.
기판(100)은 글래스 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(polyethersulfone, PES), 폴리아릴레이트(polyarylate, PAR), 폴리에테르 이미드(polyetherimide, PEI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethyelene n napthalate, PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(polyethyeleneterepthalate, PET), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide, PPS), 폴리이미드(polyimide, PI), 폴리카보네이트(polycarbonate, PC) 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate, CAP) 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
버퍼층(111)은 기판(100) 상에 위치하여, 기판(100)의 하부로부터 이물, 습기 또는 외기의 침투를 감소 또는 차단할 수 있고, 기판(100) 상에 평탄면을 제공할 수 있다. 버퍼층(111)은 산화물 또는 질화물과 같은 무기물, 또는 유기물, 또는 유무기 복합물을 포함할 수 있으며, 무기물과 유기물의 단층 또는 다층 구조로 이루어질 수 있다. 기판(100)과 버퍼층(111) 사이에는 외기의 침투를 차단하는 배리어층(미도시)이 더 포함될 수 있다.
반도체층(A1, A6) 상에는 제1게이트절연층(112)을 사이에 두고 게이트전극(G1, G6)이 배치된다. 게이트전극(G1, G6)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 게이트전극(G1, G6)은 Mo의 단층일 수 있다. 스캔선(SL, 도 7 참조), 이전 스캔선(SL-1), 및 발광 제어라인(EL)은 게이트전극(G1, G6)과 동일층에 형성될 수 있다. 즉, 게이트전극(G1, G6), 스캔선(SL, 도 7 참조), 이전 스캔선(SL-1), 및 발광 제어라인(EL)은 제1게이트절연층(112) 상에 배치될 수 있다.
제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다.
게이트전극(G1, G6)을 덮도록 제2게이트절연층(113)이 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)은 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)과 일체(一體)로 형성될 수 있다. 예컨대, 구동 박막트랜지스터(T1)의 구동 게이트전극(G1)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부전극(CE1)으로의 기능을 수행할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)은 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 하부전극(CE1)과 중첩한다. 이 경우, 제2게이트절연층(113)은 스토리지 커패시터(Cst)의 유전체층의 기능을 할 수 있다. 상부전극(CE2)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 상부전극(CE2)은 Mo의 단층이거나 또는 Mo/Al/Mo의 다층일 수 있다.
도면에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 박막트랜지스터(T1)과 중첩하는 것으로 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 박막트랜지스터(T1)과 비중첩되도록 배치될 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
상부전극(CE2)은 전극전압라인(HL)으로 기능할 수 있다. 예컨대, 전극전압라인(HL)의 일부는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)이 될 수 있다.
상부전극(CE2)을 덮도록 층간절연층(115)이 구비될 수 있다. 층간절연층(115)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 도 8에서 층간절연층(115)이 단층인 것으로 도시되나, 일 실시예에서 층간절연층(115)은 다층 구조로 형성될 수도 있다.
층간절연층(115) 상에는 데이터라인(DL), 구동전압라인(PL) 및 접속메탈(1175)이 배치될 수 있다. 데이터라인(DL), 구동전압라인(PL), 및 접속메탈(1175)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 예로, 데이터라인(DL), 구동전압라인(PL) 및 접속메탈(1175)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 상부전극(CE2)은 구동전압라인(PL)과 층간절연층(115)에 정의된 콘택홀(CNT)을 통해서 접속될 수 있다. 이는, 전극전압라인(HL)이 구동전압라인(PL)과 콘택홀(CNT)을 통해서 접속됨을 의미할 수 있다. 따라서, 전극전압라인(HL)은 구동전압라인(PL)과 동일한 전압 레벨(정전압)을 가질 수 있다.
접속메탈(1175)은 층간절연층(115), 제2게이트절연층(113) 및 제1게이트절연층(112)을 관통하는 콘택홀(1153)을 통해서 발광제어 박막트랜지스터(T6)의 반도체층(A6)과 접속된다. 접속메탈(1175)을 통해서 발광제어 박막트랜지스터(T6)은 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(210)과 전기적으로 연결될 수 있다.
데이터라인(DL), 구동전압라인(PL), 및 접속메탈(1175) 상에는 평탄화층(117)이 위치하며, 평탄화층(117) 상에 유기발광다이오드(OLED)가 위치할 수 있다.
평탄화층(117)은 화소전극(210)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다. 평탄화층(117)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 이러한, 평탄화층(117)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PXMMA)나, Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 평탄화층(117)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 이러한, 평탄화층(117)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 평탄화층(117)이 무기 물질로 구비되는 경우, 경우에 따라서 화학적 평탄화 폴리싱을 진행할 수 있다. 한편, 평탄화층(117)은 유기물질 및 무기물질을 모두 포함할 수도 있다.
화소전극(210)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(210)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(210)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
평탄화층(117) 상에는 화소정의막(119)이 배치될 수 있으며, 화소정의막(119)은 화소전극(310)의 중앙부가 노출되도록 하는 개구부(119OP)를 가짐으로써 화소의 발광영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(119)은 화소전극(310)의 가장자리와 화소전극(210) 상부의 대향전극(230)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(210)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(119)는 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)의 중간층(220)은 유기발광층을 포함할 수 있다. 유기발광층은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 유기발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 유기발광층의 아래 및 위에는, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층이 선택적으로 더 배치될 수 있다. 중간층(220)은 복수의 화소전극(210) 각각에 대응하여 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 중간층(220)은 복수의 화소전극(210)에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
대향전극(230)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 대향전극(230)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 TCO(transparent conductive oxide)막이 더 배치될 수 있다.
화소전극(210)이 반사전극, 대향전극(230)이 투광성 전극으로 구비되는 경우, 중간층(220)에서 방출되는 광은 대향전극(230) 측으로 방출되어, 표시 장치는 전면(前面) 발광형이 될 수 있다. 화소전극(210)이 투명 또는 반투명 전극으로 구성되고, 대향전극(230)이 반사 전극으로 구성되는 경우, 중간층(220)에서 방출된 광은 기판(100) 측으로 방출되어, 표시 장치는 배면 발광형이 될 수 있다. 그러나, 본 실시예는 이에 한정되지 않는다. 본 실시예의 표시 장치는 전면 및 배면 양 방향으로 광을 방출하는 양면 발광형일 수도 있다.
본 실시예에서, 대향전극(230)은 제2표시영역(DA2) 전면(全面)에 걸쳐 배치되며, 가장자리의 일부는 비표시영역(NDA)에 위치할 수 있다. 대향전극(230)은 제2표시영역(DA2) 상에 위치한 메인 화소(PXm)들, 즉 복수의 유기발광다이오드(OLED)들에 있어서 일체(一體)로 형성되어 복수의 화소전극(210)에 대응할 수 있다.
한편, 대향전극(230)은 제1표시영역(DA1) 상에 위치한 보조 화소(PXa)들 에도 구비된다. 다만, 제1표시영역(DA1)은 보조 화소(PXa)들이 위치한 보조화소영역(PA1) 및 투과 영역(TA)을 포함하는 바, 대향전극(230)의 일부는 투과 영역(TA)에 대응하는 일부 영역에서 구비되지 않을 수 있다. 물론, 전면(前面) 발광형 표시 장치의 경우, 대향전극(230) 측으로 빛이 방출될 수는 있으나, 대향전극(230)에 의해 투과율이 일부 저하될 수 있다. 따라서, 투과 영역(TA)에 대응하는 영역에서 대향전극(230)을 구비하지 않음으로써, 투과 영역(TA)의 투과율을 향상시킬 수 있다.
이를 위해 제1표시영역(DA1) 상에 배치된 대향전극(230)은 보조화소영역(PA1) 별로 패터닝된 형상으로 구비될 수 있다. 제1표시영역(DA1)에 위치한 대향전극(230)은 투과 영역(TA)에 대응하는 일부 영역을 레이저리프트오프(laser lift off)를 통해 제거하여 형성할 수도 있고, FMM 마스크 패터닝을 통해 형성할 수도 있다. 이하 본 실시예에서는 FMM 마스크 패터닝을 통해 제1표시영역(DA1) 상에 대향전극(230)을 형성하는 것을 전제로 한다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1표시영역의 일부를 보여주는 평면도들이다.
도 9 및 도 10을 참고하면, 전술한 것과 같이, 제1표시영역(DA1)은 보조화소영역(PA1) 및 투과영역(TA)을 포함하며, 보조화소영역(PA1)에는 보조 화소(PXa)들이 배치된다. 보조화소영역(PA1)은 도 9와 같이 제1화소영역(PA1-1) 및 제2화소영역(PA1-2)을 포함하고, 제1화소영역(PA1-1)에는 복수의 제1화소(PXa1)가 배치되고, 제2화소영역(PA1-2)에는 복수의 제2화소(PXa2)가 배치된다.
본 실시예에서, 제1화소영역(PA1-1) 상에는 제1대향전극(230a)이 구비되고, 제2화소영역(PA1-2) 상에는 제2대향전극(230b)이 구비된다. 제1대향전극(230a)은 제1화소영역(PA1-1)에 대응하여 배치되고, 제2대향전극(230b)은 제2화소영역(PA1-2)에 대응하여 배치될 수 있다. 또한, 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)은 일부 영역에서 서로 접촉할 수 있다. 이때, 제1대향전극(230a)의 형상과 제2대향전극(230b)의 형상은 서로 동일할 수 있다.
도 10을 참조하면, 제1화소영역(PA1-1) 상에는 복수의 제1화소(PXa1)가 배치된다. 복수의 제1화소(PXa1)는 각각에 스캔 신호를 공급받는 스캔선 및 데이터 신호를 공급받는 데이터선을 포함한다. 상기 스캔선은 제1방향(DR1)을 따라 연장되고, 상기 데이터선은 제1방향(DR1)과 교차, 예컨대 직교하는 제2방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 이때, 제1화소영역(PA1-1) 상에는 이 외의 다른 신호선들(PL, EL, SL-1, VL, 도 7) 역시 함께 구비됨은 물론이다.
상기 데이터선 및 상기 스캔선의 일부는 투과영역(TA) 상에 위치할 수 있다. 이 경우에도, 예컨대 상기 스캔선은 투과영역(TA)의 투과율 향상을 위해 투과영역(TA)의 가장자리로 우회하여 배치된 우회영역을 가질 수 있다. 이러한 우회 영역은 외의 다른 신호선들(PL, EL, SL-1, VL, 도 7)에도 적용될 수 있다.
제1화소영역(PA1-1) 상에 배치된 복수의 제1화소(PXa1)는 1개의 제1화소영역(PA1-1) 상에 일체로 형성된 제1대향전극(230a)을 구비할 수 있다.
제2화소영역(PA1-2) 상에 배치된 복수의 제2화소(PXa2)는 1개의 제2화소영역(PA1-2) 상에 일체로 형성된 제2대향전극(230b)을 구비할 수 있다.
제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)은 서로 상이한 라인에 배열될 수 있다. 이러한 경우 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)은 투과영역(TA)을 감싸도록 배열될 수 있다. 즉, 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)은 지그재그 형태로 배열될 수 있다.
제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)은 각각 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)에 대응하여 배치되되, 일부 영역에서 서로 접촉할 수 있다. 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)은 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)이 인접한 영역에서 서로 접촉하는 제1컨택영역(CTA1)을 가지며, 이를 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
상기와 같은 경우 제1컨택영역(CTA1)를 통하여 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)이 서로 연결됨으로써 제1표시영역(DA1) 상에 배치된 대향전극(230a, 230b)의 저항이 증가하는 것을 개선할 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정 중 일부를 개략적으로 보여주는 단면도들이다. 도 13은 도 9의 B-B' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 11 내지 도 13을 참고하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC)가 위치한 절연층(IL)을 형성하고, 화소회로(PC)와 전기적으로 연결된 제1화소전극(210a) 및 제2화소전극(210b)을 형성한다. 제1화소전극(210a)은 제1화소영역(PA1-1) 상에 배치되고, 제2화소전극(210b)은 제2화소영역(PA1-2) 상에 배치된다.
제1화소전극(210a) 및 제2화소전극(210b) 상에는 이들의 중앙부를 노출시키는 개구들을 갖는 화소정의막(119)을 형성한다. 화소정의막(119)의 개구들을 통해 노출된, 제1화소전극(210a) 상에는 제1중간층(220a)을 형성하고, 제2화소전극(210b) 상에는 제2중간층(220b)을 형성한다. 제1중간층(220a)과 제2중간층(220b)은 도 8에서 전술한 중간층(220)과 동일한 물질로 이해될 수 있다.
그 후, 제1중간층(220a) 및 제2중간층(220b) 상에는 제1대향전극(230a) 및 제2대향전극(230b)이 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)은 서로 다른 공정을 통해 형성될 수 있다. 이때, 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)을 형성하기 위하여 후술할 동일한 마스크 조립체(미도시)의 마스크 시트(422)를 사용할 수 있다. 즉, 제2대향전극(230b)은 제1대향전극(230a)을 형성한 후 마스크 조립체와 기판(100) 중 적어도 하나를 초기 위치와 상이한 위치로 이동시킨 후 기판(100)에 형성할 수 있다. 다른 실시예로써 제1대향전극(230a)은 제2대향전극(230b)을 형성한 후 마스크 조립체와 기판(100) 중 적어도 하나를 초기 위치와 상이한 위치로 이동시킨 후 기판(100)에 형성하는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1대향전극(230a)의 형성 후 기판(100)의 위치를 이동시켜 제2대향전극(230b)을 형성하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
구체적으로 도 11과 같이 제1중간층(220a) 상에 제1대향전극(230a)을 형성한다. 제1대향전극(230a)은 마스크 시트(422)의 제1개구부(422a)를 통과한 증착물질이 기판(100)에 증착되어 형성될 수 있다. 그 후 도 12와 같이 기판(100)을 도 11의 좌측으로 이동시켜 제2중간층(220b) 상에 제2대향전극(230b)을 형성한다. 제2대향전극(230b)은 마스크 시트(422)의 제1개구부(422a)를 통하여 제조될 수 있다.
도 13을 함께 참조하면, 상기와 같이 형성된 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)은 제1컨택영역(CTA1)에서 서로 면접촉 할 수 있다. 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)이 면접촉한다고 함은, 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b) 사이에 어떠한 층도 개재되지 않고, 제1대향전극(230a) 상에 제2대향전극(230b)이 적층됨으로써 서로 접촉하는 것으로 이해될 수 있다.
제1컨택영역(CTA1)에서 제2대향전극(230b)은 제1대향전극(230a) 상에 배치된다. 이는 제2대향전극(230b)이 제1대향전극(230a) 보다 후속 공정으로 형성됨을 의미할 수 있다. 다른 실시예로써 제2대향전극(230b)이 제1대향전극(230a)보다 후속 공정으로 형성되는 경우 제1컨택영역(CTA1)에서 제1대향전극(230a)은 제2대향전극(230b) 상에 배치될 수 있다. 제1컨택영역(CTA1)은 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)이 면접촉함으로써 제1대향전극(230a) 또는 제2대향전극(230b) 만 배치된 영역 보다 대략 2배 이하의 두께로 형성될 수 있다. 또한, 제1컨택영역(CTA1)은 제1화소(PXa1) 및 제2화소(PXa2)의 발광영역 상에는 배치되지 않도록 구비되는 것이 바람직하다. 이때, '발광영역'은 화소정의막(119)에 형성되며, 각각이 제1화소전극(210a)과 제2화소전극(210b)의 중앙부를 노출시키는 제1및 제2개구(OP1, OP2)로서 정의될 수 있다. 즉, 제1컨택영역(CTA1)은 화소정의막(119)에 형성된 제1및 제2개구(OP1, OP2)와는 중첩되지 않도록 구비될 수 있다.
제1컨택영역(CTA1)의 면적이 넓을수록, 대향전극(230a, 230b)의 저항을 낮추는 것이 유리할 수 있다. 그러나, 상술한 것과 같이 제1컨택영역(CTA1)의 면적을 일정 이상 넓히게 되면 화소(PXa1, PXa2)의 발광영역과 중첩되게 되고, 이는 화소(PXa1, PXa2)의 발광 품질을 저하시키는 원인이 된다.
따라서, 제1컨택영역(CTA1)의 면적은 제1개구(OP1) 및 제2개구(OP2)를 차폐하지 않을 정도로 형성될 수 있다.
도 11 및 도 13을 함께 참조하면, 투과영역(TA)은 제1화소영역(PA1-1)에 비해 유기발광소자(OLED)와 같은 표시소자 및 이에 전기적으로 연결된 화소회로(PC)를 포함하지 않을 수 있다. 나아가 이러한 투과영역(TA)은 기판(100) 상에 배치된 층들의 일부가 제거된 영역으로 정의될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 대향전극의 배치를 보여주는 평면도이다. 도 15는 도 14의 C-C' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 16은 도 14의 D-D' 선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 17은 도 14의 E-E'선을 따라 취한 단면을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 14 내지 도 17을 참고하면, 상술한 바와 같이 제1표시영역(DA1)은 제1화소영역(PA1-1), 제2화소영역(PA1-2) 및 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 이때, 제1화소영역(PA1-1)에는 제1대향전극(230a)이 배치되고, 제2화소영역(PA1-2)에는 제2대향전극(230b)이 배치될 수 있다. 이러한 경우 제1표시영역(DA1)은 도 1에서 설명한 것과 같이 형성될 수 있다.
제2표시영역(DA2)은 메인화소영역(PA2)을 포함할 수 있으며, 메인화소영역(PA2)은 서로 인접하는 제3화소영역(PA2-1)과 제4화소영역(PA2-2)을 포함할 수 있다. 이때, 제3화소영역(PA2-1) 및 제4화소영역(PA2-2)에는 각각 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)이 배치될 수 있다.
상기와 같은 경우 제3대향전극(230c)은 제1대향전극(230a)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있으며, 제4대향전극(230d)은 제2대향전극(230b)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있다. 이때, 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 동일한 마스크 조립체를 통하여 형성되므로 형상이 서로 동일할 수 있다.
제3대향전극(230c) 및 제4대향전극(230d)은 라인 형태로 형성되어 하나로 형성되거나 복수개 구비될 수 있다. 이때, 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)이 라인 형태로 형성되는 경우 제3대향전극(230c)은 제1대향전극(230a)과 일렬로 배치되며, 제4대향전극(230d)은 제2대향전극(230b)과 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 제1대향전극(230a)과 제3대향전극(230c)이 일렬로 배치되는 방향과 상이한 방향으로 서로 교번하도록 배치될 수 있다. 이때, 서로 인접하는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 중첩하는 영역을 포함할 수 있으며, 이러한 중첩하는 영역에서 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 면접촉할 수 있다. 이때, 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 연결됨으로써 제2표시영역(DA2) 전체를 덮을 수 있다.
다른 실시예로써 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 각각 복수개 구비될 수 있다. 제3대향전극(230c) 및 제4대향전극(230d)이 각각 복수개 구비되는 경우 복수개의 제3대향전극(230c)은 제1대향전극(230a)과 일렬로 배치되고, 복수개의 제4대향전극(230d)은 제2대향전극(230b)과 일렬로 배치될 수 있다. 또한, 각 제3대향전극(230c)과 각 제4대향전극(230d)은 서로 엇갈리도록 배치되어 적어도 일부분에서 서로 중첩될 수 있다. 이러한 경우 서로 인접하는 각 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 연결될 수 있다. 이때, 일렬로 배열되는 복수개의 제3대향전극(230c)은 배열되는 방향으로 서로 연결될 수 있다. 다른 실시예로써 복수개의 제3대향전극(230c)은 배열되는 방향으로 각각 이격되도록 배치되며, 일렬로 배열되면서 서로 인접하는 제3대향전극(230c)은 제4대향전극(230d)에 의해 연결되는 것도 가능하다. 상기와 같은 경우 제4대향전극(230d)도 제3대향전극(230c)와 유사하게 일렬로 배열되는 제4대향전극(230d)끼리 연결되면서 인접하는 제4대향전극(230d)은 제3대향전극(230c)을 통하여 연결될 수 있으며, 일렬로 배열되는 제4대향전극(230d)끼리 연결되지 않으면서 인접하는 제4대향전극(230d)은 제3대향전극(230c)을 통하여 연결되는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제3대향전극(230c) 및 제4대향전극(230d)이 각각 복수개 구비되며, 서로 일렬로 배열되면서 인접하는 제3대향전극(230c), 서로 인접하는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d) 및 서로 일렬로 배열되면서 인접하는 제4대향전극(230d)이 서로 연결되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기와 같은 경우 서로 연결되는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 중첩되는 제2컨택영역(CTA2)을 포함할 수 있다. 이러한 경우 제2컨택영역(CTA2)의 두께는 상기에서 설명한 바와 같이 제3대향전극(230c)의 두께 또는 제4대향전극(230d)의 두께 중 하나보다 클 수 있다. 이때, 제2컨택영역(CTA2)에서는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)이 형성되는 순서에 따라 제3대향전극(230c) 또는 제4대향전극(230d) 중 하나가 제3대향전극(230c) 또는 제4대향전극(230d) 중 다른 하나의 상면에 직접 접촉할 수 있다. 이러한 경우 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 면접촉할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 도 15에 도시된 바와 같이 제4대향전극(230d)이 제3대향전극(230c) 상에 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
한편, 상기와 같은 제2컨택영역(CTA2)에는 경우에 따라서 제6컨택영역(CTA6)이 형성되는 것도 가능하다. 이러한 경우 제6컨택영역(CTA6)에는 일렬로 배열되면서 서로 인접하는 2개의 제3대향전극(230c)이 배치되고, 제3대향전극(230c) 상에 하나 또는 2개의 제4대향전극(230d)이 배치될 수 있다. 다른 실시예로써 제6컨택영역(CTA6)에는 일렬로 배열되면서 서로 중첩하는 2개의 제4대향전극(230d)이 배치되고, 제4대향전극(230d) 상에 하나 또는 2개의 제3대향전극(230c)이 배치되는 것도 가능하다. 이때, 제6컨택영역(CTA6)에 배치되는 모든 대향전극은 서로 면접촉하도록 배치될 수 있다. 또한, 제6컨택영역(CTA6)에 배치되는 대향전극의 총 두께는 제3대향전극(230c) 또는 제4대향전극(230d) 중 하나의 두께보다 클 수 있다.
제3대향전극(230c) 또는 제4대향전극(230d) 중 하나는 제1표시영역(DA1)으로 돌출될 수 있다. 예를 들면, 복수개의 제3대향전극(230c) 중 제1표시영역(DA1)에 가장 가까운 제3대향전극(230c)의 일부는 제1표시영역(DA1)으로 돌출되어 제1표시영역(DA1)에 배치될 수 있다. 다른 실시예로써 복수개의 제4대향전극(230d) 중 제1표시영역(DA1)에 가장 가까운 제4대향전극(230d)일부는 제1표시영역(DA1)으로 돌출되어 제1표시영역(DA1)에 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제4대향전극(230d) 중 제1표시영역(DA1)에 가장 가까운 제4대향전극(230d)의 일부가 제1표시영역(DA1)에 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1표시영역(DA1)에 배치되는 제4대향전극(230d)의 일부는 제1대향전극(230a)과 중첩되는 제3컨택영역(CTA3)을 포함할 수 있다. 이때, 제3컨택영역(CTA3)에서는 제조순서에 따라 도 16에 도시된 바와 같이 제1대향전극(230a) 또는 제4대향전극(230d) 중 하나가 제1대향전극(230a) 또는 제4대향전극(230d) 중 다른 하나 상에 면접촉하도록 배치될 수 있다. 상기의 경우에도 도 14에는 도시되어 있지 않지만 제3컨택영역(CTA3)에서 제2대향전극(230b)과 제3대향전극(230c)이 중첩되는 경우도 상기에서 설명한 제1대향전극(230a)과 제4대향전극(230d)의 배치와 유사하게 배치될 수 있다.
일렬로 배열되면서 서로 인접하는 제3대향전극(230c)은 일렬로 배열되면서 서로 인접하는 제3대향전극(230c) 끼리 서로 중첩하는 제4컨택영역(CTA4)을 형성할 수 있다. 또한, 일렬로 배열되면서 서로 인접하는 제4대향전극(230d)은 일렬로 배열되면서 서로 인접하는 제4대향전극(230d) 끼리 서로 중첩하는 제5컨택영역(CTA5)을 형성할 수 있다. 상기와 같은 제4컨택영역(CTA4)의 두께 및 제5컨택영역(CTA5)의 두께는 제3대향전극(230c) 또는 제4대향전극(230d) 중 하나의 두께와 거의 동일할 수 있다. 구체적으로 서로 인접하는 제3대향전극(230c)을 형성할 때 마스크 시트(미도시)의 개구부를 통과한 증착물질은 마스크 시트의 개구부 사이에 배치된 마스크 시트 부분의 배면에 배치된 기판(100) 부분에도 개구부를 통과한 증착물질의 일부가 증착될 수 있다. 이러한 경우 마스크 시트의 개구부 사이의 배면에 배치된 기판(100)에 증착되어 제3대향전극(230c)을 형성할 때 이러한 제3대향전극(230c)의 두께는 제3대향전극(230c)의 다른 부분의 두께보다 작을 수 있다. 또한, 제4대향전극(230d)을 형성할 때도 제3대향전극(230c)과 유사하게 제4대향전극(230d)의 일부의 두께가 제4대향전극(230d)의 다른 부분의 두께와 상이할 수 있다.
따라서 제4컨택영역(CTA4)에서 서로 중첩되는 각 제3대향전극(230c)의 두께는 제3대향전극(230c)의 다른 부분의 두께보다 작음으로써 각 제3대향전극(230c)이 서로 중첩되면 제3대향전극(230c)의 다른 부분의 두께와 거의 유사해질 수 있다. 뿐만 아니라 제4대향전극(230d)가 서로 중첩되는 제5컨택영역(CTA5)에서도 제4컨택영역(CTA4)와 유사한 구조를 가질 수 있다.
상기와 같은 제1화소영역(PA1-1), 제2화소영역(PA1-2), 제3화소영역(PA2-1) 및 제4화소영역(PA2-2) 각각에는 적어도 하나 이상의 화소가 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1화소영역(PA1-1)에는 제1화소(PXa1)가 배치되고, 제2화소영역(PA1-2)에는 제2화소(PXa2)가 배치될 수 있다. 또한, 제3화소영역(PA2-1)에는 제3화소(PXm1)가 배치되며, 제4화소영역(PA2-2)에는 제4화소(PXm2)가 배치될 수 있다. 이때, 제3화소(PXm1) 및 제4화소(PXm2)는 각각 제3중간층(220c) 및 제4중간층(220d)을 포함할수 있다. 이러한 화소들은 상기에서 설명한 것과 동일 또는 유사할 수 있다.
도 18은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 보여주는 사시도이다. 도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 18 및 도 19를 참고하면, 표시 장치(1)는 도 1에 도시된 것과 유사할 수 있다. 이때, 표시 장치(1)는 제1표시영역(DA1), 제2표시영역(DA2) 및 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다.
제1표시영역(DA1)은 도 1과 상이하게 표시 장치(1)의 일정한 영역일 수 있다. 이때, 제1표시영역(DA1)은 제2표시영역(DA2)과 형상이 유사할 수 있다. 예를 들면, 제1표시영역(DA1)은 X축 방향으로 길게 형성될 수 있다. 이러한 제1표시영역(DA1)은 제2표시영역(DA2)에 비하여 광 투과율이 높을 수 있으며, 제1표시영역(DA1)의 해상도는 제2표시영역(DA2)의 해상도보다 낮을 수 있다. 이때, 제1표시영역(DA1)에는 상기에서 설명한 바와 같이 제1표시영역화소(PXa)가 배치될 수 있으며, 제2표시영역(DA2)에는 제2표시영역화소(PXm)가 배치될 수 있다. 또한, 제1표시영역(DA1)은 제1표시영역화소(PXa)가 배치되지 않는 투과영역(TA)을 포함할 수 있다.
상기와 같은 제1표시영역(DA1)에는 컴포넌트가 다양한 위치에 배치될 수 있다. 이때, 제1표시영역(DA1)에는 적어도 하나 이상의 컴포넌트가 배치될 수 있다.
제1표시영역(DA1)은 제1화소영역(PA1-1), 제2화소영역(PA1-2) 및 투과영역(TA)을 포함할 수 있다. 이때, 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)은 서로 엇갈리도록 배치될 수 있으며, 투과영역(TA)은 서로 인접하는 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)에 의해 정의될 수 있다. 특히 투과영역(TA)은 서로 연결되는 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)에 의하여 차폐될 수 있다. 이러한 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)에는 각각 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)이 배치될 수 있다. 서로 제1컨택영역(CTA1)에서 중첩됨으로써 연결될 수 있다. 또한, 제1화소영역(PA1-1)과 제2화소영역(PA1-2)에는 각각 제1화소(PXa1)와 제2화소(PXa2)가 배치될 수 있다. 또한, 제1표시영역(DA1)에는 제3대향전극(230c) 또는 제4대향전극(230d) 중 하나가 돌출되도록 배치될 수 있다. 이때, 제3대향전극(230c) 또는 제4대향전극(230d) 중 하나는 제1대향전극(230a) 또는 제2대향전극(230b)과 제1표시영역(DA1)에서 중첩될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1대향전극(230a)과 제4대향전극(230d)이 서로 중첩되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 이러한 경우 제1대향전극(230a)과 제4대향전극(230d)은 서로 중첩되도록 배치되는 제3컨택영역(CTA3)을 포함할 수 있다.
제2표시영역(DA2)은 제3화소영역(PA2-1) 및 제4화소영역(PA2-2)을 포함할 수 있다. 이때, 제3화소영역(PA2-1)과 제4화소영역(PA2-2)은 서로 동일한 형상을 가지면서 서로 엇갈리도록 배치될 수 있다. 제3화소영역(PA2-1) 및 제4화소영역(PA2-2) 각각에는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)이 배치될 수 있다. 또한, 제3화소영역(PA2-1) 및 제4화소영역(PA2-2) 각각에는 제3화소(PXm1)와 제4화소(PXm2)가 배치될 수 있다.
제1표시영역(DA1)에 배치되는 제1대향전극(230a)과 제2표시영역(DA2)에 배치되는 제3대향전극(230c)은 일렬로 배열되며, 제2대향전극(230b)과 제4대향전극(230d)은 일렬로 배열된다. 즉, 제1대향전극(230a)과 제3대향전극(230c)은 하나의 라인을 형성하고, 제2대향전극(230b)과 제4대향전극(230d)은 하나의 라인을 형성하도록 배치될 수 있다.
상기와 같은 제3대향전극(230c)은 복수개 구비될 수 있으며, 일렬로 배열되는 제3대향전극(230c)은 서로 적어도 일부가 중첩될 수 있다. 또한, 제4대향전극(230d)은 복수개 구비될 수 있으며, 일렬로 배열되는 제4대향전극(230d)은 서로 적어도 일부가 중첩될 수 있다. 뿐만 아니라 서로 인접하는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 적어도 일부분이 중첩될 수 있다. 이때, 서로 중첩되는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 제2컨택영역(CTA2)을 포함할 수 있으며, 서로 중첩되는 제3대향전극(230c)은 제4컨택영역(CTA4)을 포함하고, 서로 중첩되는 제4대향전극(230d)은 제5컨택영역(CTA5)을 포함할 수 있다. 또한, 제4컨택영역(CTA4)에 배치되며, 제4대향전극(230d)이 제3대향전극(230c)에 중첩되거나 제5컨택영역(CTA5)에 배치되며 제3대향전극(230c)이 제4대향전극(230d)에 중첩되는 제6컨택영역(CTA6)이 제4컨택영역(CTA4) 및 제5컨택영역(CTA5) 중 적어도 하나에 배치될 수 있다.
상기와 같은 제1컨택영역(CTA1) 내지 제6컨택영역(CTA6)은 상기 도 9 내지 도 17에서 설명한 것과 동일 또는 유사하므로 상세한 설명은 생략하기로 한다.
상기와 같이 제1대향전극(230a) 내지 제4대향전극(230d)이 배치되는 경우 제1대향전극(230a)과 제4대향전극(230d)은 서로 연결될 수 있다. 이때, 상기에서 설명한 바와 같이 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b) 사이에는 투과영역(TA)이 배치되어 제1표시영역(DA1) 상에 배치되는 컴포넌트에서 발생하는 빛이나 컴포넌트로 입사하는 광을 차단하지 않을 수 있다.
또한, 각 대향전극이 서로 중첩되는 컨택영역에서 서로 중첩되는 대향전극은 서로 면접촉함으로써 대향전극 상에서 저항을 낮출 수 있으므로 표시 장치(1)이 안정적으로 작동할 수 있다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조장치를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 21은 도 20에 도시된 마스크 시트의 일 실시예의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 20 및 도 21을 참고하면, 표시 장치(1)의 표시 패널(미도시)는 표시 장치의 제조장치(400)를 통하여 제조될 수 있다.
표시 장치의 제조장치(400)는 챔버(410), 마스크 조립체(420), 제1지지부(430), 제2지지부(440), 증착소스(450), 자기력생성부(460), 비젼부(470) 및 압력조절부(480)를 포함할 수 있다.
챔버(410)는 내부에 공간이 형성될 수 있으며, 챔버(410)의 일부는 개구되도록 형성될 수 있다. 이때, 챔버(410)의 개구된 부분에는 개폐 가능하도록 게이트밸브(411)가 배치될 수 있다.
마스크 조립체(420)는 챔버(410) 내부에 선택적으로 배치될 수 있다. 이때, 마스크 조립체(420)는 마스크 프레임(421)과 마스크 시트(422)를 포함할 수 있다. 마스크 프레임(421)은 복수개의 프레임이 서로 연결되어 형성되며, 내부에 개구부를 포함할 수 있다. 이때, 마스크 프레임(421)은 하나의 개구부를 포함하거나 서로 구분되는 복수개의 개구부를 포함할 수 있다. 이러한 경우 마스크 프레임(421)은 창틀 등과 같이 격자 형태로 형성될 수 있다. 마스크 시트(422)는 마스크 프레임(421)에 인장된 상태로 고정될 수 있다. 이때, 마스크 시트(422)는 증착물질이 통과하도록 개구부가 배치될 수 있다.
마스크 시트(422)는 증착물질이 통과하여 상기에서 설명한 제1대향전극(미도시) 또는 제2대향전극(미도시)를 형성하는 제1개구부(422a)를 포함할 수 있다. 또한, 마스크 시트(422)는 상기에서 설명한 제3대향전극(미도시) 또는 제4대향전극(미도시)를 형성하는 제2개구부(422b)를 포함할 수 있다. 이때, 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1개구부(422a)의 형상과 제2개구부(422b)의 형상은 서로 동일할 수 있다. 다른 실시예로써 제1개구부(422a)의 형상과 제2개구부(422b)의 형상은 서로 상이할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1개구부(422a)의 형상과 제2개구부(422b)의 형상이 상이한 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1개구부(422a)의 형상은 제1화소영역(PA1-1) 또는 제2화소영역(PA1-2)에 대응되도록 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1개구부(422a)의 형상은 직사각형, 정사각형 또는 마름모를 포함할 수 있다. 상기와 같은 경우 제1개구부(422a)을 통과한 증착물질은 기판(100)에 증착되어 제1대향전극 또는 제2대향전극을 형성할 수 있다. 이러한 경우 제1개구부(422a)가 복수개 구비되는 경우 복수개의 제1개구부(422a)는 각 제1개구부(422a)를 통과한 증착물질이 기판(100)에 증착된 후 서로 연결되지 않도록 충분히 이격되도록 배치될 수 있다.
제2개구부(422b)는 제1개구부(422a)의 형상과 상이하게 형성될 수 있다. 이때, 제2개구부(422b)의 크기는 제1개구부(422a)의 크기보다 크게 형성될 수 있다. 또한, 서로 인접하는 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b) 사이의 제2거리(WI2)은 서로 인접하는 제1개구부(422a) 사이의 제1거리(WI1)과 동일할 수 있다. 반면 서로 인접하는 제2개구부(422b) 사이의 제3거리(WI3)은 제1거리(WI1) 및 제2거리(WI2)과 상이할 수 있다. 예를 들면, 제3거리(WI3)은 제1거리(WI1) 및 제2거리(WI2)보다 작을 수 있다. 이때, 제3거리(WI3)은 서로 인접하는 제2개구부(422b)를 통과한 증착물질이 서로 중첩되어 기판(100)에 증착되도록 충분히 작을 수 있다. 이러한 경우 복수개의 제2개구부(422b)를 통과한 증착물질은 기판(100)에 일렬로 배열되면서 서로 연결되는 제3대향전극(230c) 또는 일렬로 배열되면서 서로 연결되는 제4대향전극(230d)을 형성할 수 있다.
제1지지부(430)는 기판(100)이 안착할 수 있다. 이때, 제1지지부(430)는 기판(100)의 위치를 조절할 수 있다. 예를 들면, 제1지지부(430)는 UVW 스테이지를 포함할 수 있다.
제2지지부(440)는 마스크 조립체(420)가 안착될 수 있다. 이때, 제2지지부(440)는 제1지지부(430)와 유사하게 마스크 조립체(420)의 위치를 조절하는 것이 가능하다.
증착소스(450)는 증착물질이 수납된 후 증착물질을 기화시키거나 승화시켜 챔버(410)로 공급할 수 있다. 이때, 증착소스(450)는 내부에 히터를 포함할 수 있으며, 히터의 작동에 의해 증착소스(450) 내부의 증착물질을 가열함으로써 증착물질을 용융시키기거나 승화시킬 수 있다. 상기와 같은 경우 증착소스(450)는 챔버(410)의 중앙 또는 모서리에 배치될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 증착소스(450)가 챔버(410)의 모서리에 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
자기력생성부(460)는 챔버(410)에 배치되어 기판(100)과 마스크 조립체(420)를 밀착시킬 수 있다. 이때, 자기력생성부(460)는 자기력을 생성하는 전자석 또는 영구자석 등을 포함할 수 있다.
비젼부(470)는 챔버(410)에 배치되어 마스크 조립체(420) 및 기판(100)의 위치를 촬영할 수 있다. 이때, 비젼부(470)는 마스크 조립체(420) 및 기판(100) 중 적어도 하나의 얼라인마크 등을 촬영할 수 있다.
압력조절부(480)는 챔버(410)와 연결되어 챔버(410) 내부의 압력을 조절할 수 있다. 이때, 압력조절부(480)는 챔버(410)와 연결되는 연결배관(481) 및 연결배관(481)에 배치되는 펌프(482)를 포함할 수 있다.
한편, 표시 장치의 제조장치(400)로 표시 장치(1)를 제조할 수 있다. 이때, 표시 장치의 제조장치(400)는 상기에서 설명한 실시예들 뿐만 아니라 하기에서 설명할 실시예들에 따른 표시 장치(1)를 제조할 수 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 표시 장치의 제조장치(400)가 도 19에 도시된 표시 패널(미도시)의 화소영역을 제조하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다. 이하에서 도 19와 동일한 도면부호는 동일한 부재를 나타낸다.
구체적으로 절연층(미도시)이 형성된 기판(100) 및 마스크 조립체(420)를 챔버(410) 내부에 배치할 수 있다. 이때, 박막트랜지스터(미도시)와 유기발광소자(미도시) 중 화소전극(미도시) 및 유기발광층(미도시)가 형성된 상태일 수 있다.
기판(100)과 마스크 조립체(420)를 각각 제1지지부(430)와 제2지지부(440)에 안착한 후 비젼부(470)를 통하여 기판(100) 및 마스크 조립체(420)를 촬영할 수 있다. 이후 기판(100)과 마스크 조립체(420)를 얼라인할 수 있다.
증착소스(450)가 작동하여 증착물질을 공급하면, 증착물질은 마스크 시트(422)의 제1개구부(422a) 및 제2개구부(422b)를 통과하여 기판(100)의 유기발광층 및 화소정의막 상에 증착될 수 있다. 이때, 제1개구부(422a)를 통과한 증착물질은 상기에서 설명한 바와 같이 제1대향전극(230a)을 형성하고, 제2개구부(422b)를 통과한 증착물질은 제3대향전극(230c)과 제4컨택영역(CTA4)을 형성할 수 있다.
상기와 같이 증착되는 경우 제1대향전극(230a)과 제3대향전극(230c)은 일렬로 배열될 수 있다. 이러한 열은 복수개 구비되어 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
상기의 과정이 완료되면, 기판(100) 및 마스크 조립체(420) 중 적어도 하나의 위치를 가변시킬 수 있다. 예를 들면, 마스크 조립체(420)의 위치를 고정시킨 후 기판(100)의 위치를 가변시킬 수 있다. 다른 실시예로써 기판(100)의 위치를 고정시킨 후 마스크 조립체(420)의 위치를 가변시키는 것도 가능하다. 또 다른 실시예로써 기판(100)의 위치 및 마스크 조립체(420)의 위치를 모두 가변시키는 것도 가능하다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 마스크 조립체(420)의 위치는 고정시킨 후 기판(100)의 위치를 가변시키는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
기판(100)의 위치를 가변시키는 경우 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b)는 제1대향전극(230a)과 제3대향전극(230c)이 형성되지 않은 기판(100) 부분에 대응되도록 배치될 수 있다. 즉, 제1개구부(422a)는 서로 인접하는 제1대향전극(230a) 사이에 배치되며, 제2개구부(422b)는 서로 인접하는 제3대향전극(230c) 사이에 배치될 수 있다.
기판(100)의 위치를 가변시킨 후 증착소스(450)에서 증착물질을 공급하면 증착물질은 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b)를 통과하여 기판(100)에 증착될 수 있다. 이때, 제1개구부(422a)를 통과한 증착물질은 기판(100)에 증착되어 제2대향전극(230b)을 형성하고, 제2개구부(422b)를 통과한 증착물질은 기판(100)에 증착되어 제4대향전극(230d)을 형성할 수 있다. 제4대향전극(230d)이 형성되는 경우 제2컨택영역(CTA2), 제5컨택영역(CTA5) 및 제6컨택영역(CTA6)이 형성될 수 있다. 특히 이러한 경우 제2대향전극(230b)은 제1대향전극(230a) 사이에 배치되어 제1컨택영역(CTA1)을 통하여 연결될 수 있다. 제4대향전극(230d)은 제2대향전극(230b) 사이에 배치될 수 있으며, 제4대향전극(230d)은 제3컨택영역(CTA3)을 통하여 제1대향전극(230a)과 연결되고, 제2컨택영역(CTA2) 및 제6컨택영역(CTA6)을 통하여 제3대향전극(230c)과 연결될 수 있다.
상기와 같은 제3대향전극(230c) 및 제4대향전극(230d) 중 적어도 하나는 제2표시영역(DA2)의 테두리로부터 비표시영역(NDA)으로 돌출될 수 있다. 이러한 경우 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 제2표시영역(DA2)에서 서로 연결됨으로써 제2표시영역(DA2)을 덮도록 배치될 수 있다.
따라서 기판(100) 상에 배치되는 대향전극은 각 컨택영역을 통하여 서로 연결될 수 있다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 23은 도 20에 도시된 마스크 시트의 다른 실시예의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 22 및 도 23을 참고하면, 표시 장치의 제조장치(미도시)는 상기 도 20에 도시된 것과 유사할 수 있다. 이하에서는 도 20에 도시된 표시 장치의 제조장치와 상이한 점을 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
마스크 시트(422)는 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b)를 포함할 수 있다. 이때, 제1개구부(422a)는 정사각형 형태일 수 있으며, 제2개구부(422b)는 직사각형 형태일 수 있다. 이때, 제2개구부(422b)는 마스크 시트(422)의 길이 방향을 따라 길게 형성될 수 있다. 특히 제2개구부(422b)는 기판(100)의 제2표시영역(DA2)을 제3대향전극(230c)이 덮도록 형성될 수 있다.
상기와 같은 표시 장치의 제조장치를 통하여 대향전극을 형성하는 방법은 상기 도 20 및 도 21에서 설명한 것과 유사할 수 있다. 구체적으로 제1대향전극(230a)은 제1표시영역(DA1)에 형성되고, 제3대향전극(230c)은 제1대향전극(230a)의 형성 시 동시에 제2표시영역(DA2)에 형성될 수 있다. 이때, 제3대향전극(230c)의 적어도 일부는 제2표시영역(DA2)으로부터 비표시영역(NDA)으로 돌출될 수 있다. 또한, 제3대향전극(230c)의 적어도 일부는 제2표시영역(DA2)으로부터 제1표시영역(DA1)으로 돌출될 수 있다.
이후 기판(미도시)의 위치를 가변하여 제2대향전극(230b)과 제4대향전극(230d)을 형성할 수 있다. 이러한 경우 제2대향전극(230b)의 일부는 제1대향전극(230a)과 중첩될 수 있으며, 제2대향전극(230b)의 다른 일부는 제3대향전극(230c)과 중첩될 수 있다. 이러한 경우 중첩되는 부분에서 각각 제1컨택영역(CTA1)과 제3컨택영역(CTA3)이 형성될 수 있다. 또한, 제4대향전극(230d)의 일부는 제3대향전극(230c)과 중첩될 수 있으며, 제4대향전극(230d)과 제3대향전극(230c)이 중첩되어 제2컨택영역(CTA2)을 형성할 수 있다. 상기와 같은 경우 제4대향전극(230d)의 일부는 제2표시영역(DA2)에서 비표시영역(NDA)으로 돌출될 수 있다.
따라서 상기와 같은 경우 각 표시영역에 배치되는 대향전극은 서로 연결될 수 있다. 특히 기판(100) 상에 배치되는 대향전극 전체가 서로 연결될 수 있다. 또한, 서로 연결되는 대향전극은 면접촉함으로써 대향전극의 면저항을 최소화할 수 있다.
표시 장치(1)는 투과영역(TA)을 확보함으로써 제1표시영역(DA1)에 배치되는 컴포넌트의 기능을 저하시키지 않을 수 있다.
도 24는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 25는 도 20에 도시된 마스크 시트의 또 다른 실시예의 일부를 보여주는 평면도이다.
도 24 및 도 25를 참고하면, 표시 장치의 제조장치(미도시)는 상기 도 20에 도시된 것과 유사할 수 있다. 이하에서는 도 20에 도시된 표시 장치의 제조장치와 상이한 점을 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
마스크 시트(422)는 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b)를 포함할 수 있다. 이때, 제1개구부(422a)는 정사각형 형태일 수 있으며, 제2개구부(422b)는 제1개구부(422a)와 형상이 동일할 수 있다. 이러한 경우 서로 일렬로 배열되는 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b) 중 서로 인접하는 제1개구부(422a) 사이의 제1거리(WI1)는 서로 인접하는 제2개구부(422b) 사이의 제3거리(WI3)와 상이할 수 있다. 예를 들면, 제3거리(WI3)는 제1거리(WI1)보다 작을 수 있다. 또한, 제3거리(WI3)는 서로 인접하는 제1개구부(422a)와 제2개구부(422b) 사이의 제2거리(WI2)보다 작을 수 있다. 이때, 제2거리(WI2)는 제1거리(WI1)와 동일할 수 있다.
상기와 같은 표시 장치의 제조장치를 통하여 대향전극을 형성하는 방법은 상기 도 20 및 도 21에서 설명한 것과 유사할 수 있다. 구체적으로 제1대향전극(230a)은 제1표시영역(DA1)에 형성되고, 제3대향전극(230c)은 제1대향전극(230a)의 형성 시 동시에 제2표시영역(DA2)에 형성될 수 있다. 이때, 제3대향전극(230c)의 적어도 일부는 제2표시영역(DA2)으로부터 비표시영역(NDA)으로 돌출될 수 있다. 또한, 제3대향전극(230c)의 적어도 일부는 제2표시영역(DA2)으로부터 제1표시영역(DA1)으로 돌출될 수 있다. 제2표시영역(DA2)에 배치되는 제3대향전극(230c)은 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
이후 기판(미도시)의 위치를 가변하여 제2대향전극(230b)과 제4대향전극(230d)을 형성할 수 있다. 이러한 경우 제2대향전극(230b)의 일부는 제1대향전극(230a)과 중첩될 수 있으며, 제2대향전극(230b)의 다른 일부는 제3대향전극(230c)과 중첩될 수 있다. 이러한 경우 중첩되는 부분에서 각각 제1컨택영역(CTA1)과 제3컨택영역(CTA3)이 형성될 수 있다. 또한, 제4대향전극(230d)의 일부는 제3대향전극(230c)과 중첩될 수 있으며, 제4대향전극(230d)과 제3대향전극(230c)이 중첩되어 제2컨택영역(CTA2)을 형성할 수 있다. 상기와 같은 경우 제4대향전극(230d)의 일부는 제2표시영역(DA2)에서 비표시영역(NDA)으로 돌출될 수 있다.
상기와 같은 경우 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)은 서로 지그재그로 배열되어 서로 연결될 수 있으며, 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)은 서로 지그재그 형태로 배열되어 서로 연결될 수 있다. 또한, 복수개의 제3대향전극(230c) 중 적어도 하나와 복수개의 제2대향전극(230b) 중 적어도 하나가 서로 연결될 수 있으며, 복수개의 제4대향전극(230d) 중 적어도 하나와 복수개의 제1대향전극(230a) 중 적어도 하나가 서로 연결될 수 있다.
따라서 상기와 같은 경우 각 표시영역에 배치되는 대향전극은 서로 연결될 수 있다. 특히 기판(100) 상에 배치되는 대향전극 전체가 서로 연결될 수 있다. 또한, 서로 연결되는 대향전극은 면접촉함으로써 대향전극의 면저항을 최소화할 수 있다.
표시 장치(미도시)는 투과영역(TA)을 확보함으로써 제1표시영역(DA1)에 배치되는 컴포넌트의 기능을 저하시키지 않을 수 있다.
도 26은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 26을 참고하면, 표시 패널(미표기)은 제1표시영역(DA1), 투과영역(TA), 제2표시영역(DA2) 및 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 이때, 제1표시영역(DA1)에는 제1화소영역(PA1-1) 및 제2화소영역(PA1-2)을 포함할 수 있다. 또한, 제2표시영역(DA2)에는 제3화소영역(PA2-1) 및 제4화소영역(PA2-2)을 포함할 수 있다. 이러한 제1화소영역(PA1-1) 내지 제4화소영역(PA2-2) 각각에는 화소가 배치될 수 있다. 예를 들면, 제1화소영역(PA1-1)에는 4개의 제1화소(PXa1)가 배치되며, 제2화소영역(PA1-2)에는 4개의 제2화소(PXa2)가 배치될 수 있다. 또한, 제3화소영역(PA2-1) 및 제4화소영역(PA2-2)에는 각각 4개의 제3화소(PXm1)와 4개의 제4화소(PXm2)를 포함할 수 있다. 이러한 경우 각 화소는 직사각형 형태일 수 있으며, 하나의 화소영역에 배치되는 4개의 화소 중 2개는 서로 동일한 색을 구현하는 것이 가능하다.
제1화소영역(PA1-1)에는 제1대향전극(230a)이 배치되며, 제2화소영역(PA1-2)에는 제2대향전극(230b)이 배치되고, 제3화소영역(PA2-1)에는 제3대향전극(230c)이 배치되며, 제4화소영역(PA2-2)에는 제4대향전극(230d)이 배치될 수 있다. 이때, 각 제1대향전극(230a) 내지 제4대향전극(230d)은 각각 서로 일부가 중첩되도록 배치됨으로써 컨택영역을 형성할 수 있다. 이때, 제1컨택영역(CTA1)은 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b)이 서로 중첩되어 형성되며, 제2컨택영역(CTA2)은 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d)이 서로 중첩되어 형성될 수 있다. 또한, 제3컨택영역(CTA3)은 제1대향전극(230a)과 제4대향전극(230d)이 서로 중첩되어 형성될 수 있다. 제4컨택영역(CTA4)은 서로 인접하는 제3대향전극(230c)이 서로 중첩되어 형성될 수 있으며, 제5컨택영역(CTA5)은 서로 인접하는 제4대향전극(230d)이 서로 중첩되어 형성될 수 있다. 또한, 제6컨택영역(CTA6)은 서로 인접하는 제3대향전극(230c), 제2컨택영역(CTA2) 및 제4대향전극(230d)이 서로 중첩되어 형성될 수 있다.
따라서 상기와 같은 경우 각 표시영역에 배치되는 대향전극은 서로 연결될 수 있다. 특히 기판(100) 상에 배치되는 대향전극 전체가 서로 연결될 수 있다. 또한, 서로 연결되는 대향전극은 면접촉함으로써 대향전극의 면저항을 최소화할 수 있다.
표시 장치(1)는 투과영역(TA)을 확보함으로써 제1표시영역(DA1)에 배치되는 컴포넌트의 기능을 저하시키지 않을 수 있다.
도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 27을 참고하면, 표시 패널(미표기)은 도 26에 도시된 바와 유사할 수 있다. 이때, 각 화소영역에는 화소가 3개 배치될 수 있다. 이러한 경우 하나의 화소영역에 3개의 화소 중 하나는 3개의 화소 중 나머지 2개의 크기보다 클 수 있다. 예를 들면, 3개의 화소 중 하나는 직사각형일 수 있으며, 3개의 화소 중 나머지 2개 각각은 정사각형일 수 있다.
도 28은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 28을 참고하면, 표시 패널(미표기)은 도 26에 도시된 바와 유사할 수 있다. 이때, 각 화소영역에는 화소가 4개 배치될 수 있다. 이러한 경우 하나의 화소영역에 배치되는 4개의 화소는 서로 동일한 크기일 수 있다.
도 29는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 표시 영역 및 비표시영역을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 29를 참고하면, 표시 패널(미표기)은 도 15, 도 19 또는 도 24 등에 도시된 바와 유사할 수 있다. 이때, 각 화소는 마름모 형태로 배열될 수 있다. 이러한 경우 제1표시영역(DA1)에 배치되는 제1대향전극(230a)과 제2대향전극(230b) 각각은 4개의 화소를 덮도록 배치될 수 있으며, 제2표시영역(DA2)에 배치되는 제3대향전극(230c)과 제4대향전극(230d) 각각은 9개의 화소를 덮도록 배치될 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 표시 패널 230: 대향전극
20: 컴포넌트 230a: 제1대향전극
100: 기판 230b: 제2대향전극
110: 제1스캔 구동회로 230c: 제3대향전극
111: 버퍼층 230d: 제4대향전극
112: 제1게이트절연층 300: 박막봉지층
113: 제2게이트절연층 310: 화소전극
115: 층간절연층 320: 유기봉지층
117: 평탄화층 400: 표시 장치의 제조장치
119: 화소정의막 410: 챔버
120: 제2스캔 구동회로 420: 마스크 조립체
130: 제2스캔 구동회로 421: 마스크 프레임
140: 단자 422: 마스크 시트
150: 데이터 구동회로 430: 제1지지부
151: 연결배선 440: 제2지지부
160: 제1전원공급배선 450: 증착소스
162: 제1서브배선 460: 자기력생성부
163: 제2서브배선 470: 비젼부
170: 제2전원공급배선 480: 압력조절부
175: 하부보호필름 1130: 반도체층
200: 표시요소층 1173: 초기화연결선
210: 화소전극 1174: 노드연결선
220: 중간층 1175: 접속메탈
1151,1152,1153,1154,1155,1156,1157,1163: 콘택홀

Claims (34)

  1. 제1화소영역, 제2화소영역 및 투과영역을 포함하는 제1표시영역과 제2표시영역을 포함하는 기판;
    상기 제1화소영역 상에 배치되며, 제1화소전극, 제1대향전극 및 상기 제1화소전극과 상기 제1대향전극 사이에 배치되는 제1중간층을 포함하는 제1화소; 및
    상기 제2화소영역 상에 배치되며, 제2화소전극, 제2대향전극 및 상기 제2화소전극과 상기 제2대향전극 사이에 배치되는 제2중간층을 포함하는 제2화소;를 포함하고,
    상기 제1대향전극과 서로 이격되는 상기 제1화소영역에 배치되며, 상기 제2대향전극은 서로 이격되는 상기 제2화소영역에 배치되고, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극은 서로 인접하는 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역이 서로 전기적으로 연결되는 제1컨택영역을 구비하는 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 화소영역과 상기 투과영역은 서로 교번하여 배치되어 격자 형태로 배열되는 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 투과영역은 서로 연결되는 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역으로 정의되는 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1컨택영역은 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 면접촉하는 영역인 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1컨택영역에 있어서, 상기 제2대향전극은 상기 제1대향전극 상에 배치되는 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1화소전극 및 상기 제2화소전극 상에 배치되고, 상기 제1화소전극 및 상기 제2화소전극 각각의 중앙부를 노출시키는 제1개구 및 제2개구를 갖는 화소정의막;을 더 포함하고,
    상기 제1컨택영역은 상기 화소정의막 상에 배치되는 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역은 광 투과율이 서로 상이한 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1표시영역에서 제공하는 이미지의 해상도는 상기 제2표시영역에서 제공하는 이미지의 해상도 보다 낮은 표시 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2표시영역은 서로 인접하도록 배치되는 제3화소영역 및 제4화소영역을 포함하고,
    상기 제3화소영역 상에 배치되며, 제3화소전극, 제3대향전극 및 상기 제3화소전극과 상기 제3대향전극 사이에 배치되는 제3중간층을 포함하는 제3화소; 및
    상기 제4화소영역 상에 배치되며, 제4화소전극, 제4대향전극 및 상기 제4화소전극과 상기 제4대향전극 사이에 배치되는 제4중간층을 포함하는 제4화소;를 더 포함하며,
    상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극은 서로 인접하는 상기 제3화소영역 및 상기 제4화소영역을 서로 전기적으로 연결하는 제2컨택영역을 구비하는 표시 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3대향전극 또는 상기 제4대향전극 중 하나는 상기 제1표시영역으로 돌출되어 상기 제3대향전극이 상기 제1대향전극와 전기적으로 연결되거나 상기 제4대향전극이 상기 제2대향전극와 전기적으로 연결되는 제3컨택영역을 구비하는 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제3컨택영역에서 상기 제4대향전극은 상기 제1대향전극 상에 배치되는 표시 장치.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 제3화소전극 및 상기 제4화소전극 상에 배치되는 화소정의막;을 더 포함하고,
    상기 제2컨택영역 및 상기 제3컨택영역 중 적어도 하나는 상기 화소정의막 상에 배치되는 표시 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제2컨택영역에서 상기 제4대향전극은 상기 제3대향전극 상에 배치되는 표시 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3대향전극, 상기 제4대향전극 및 상기 제2컨택영역은 상기 제2표시영역 전면을 덮도록 배치되는 표시 장치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극은 라인(Line) 형태인 표시 장치.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1대향전극과 상기 제3대향전극은 일직선으로 배열되고, 상기 제2대향전극과 상기 제4대향전극은 일직선으로 배열되는 표시 장치.
  17. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제2표시영역의 적어도 일부를 감싸도록 비표시영역을 포함하고,
    상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극 중 적어도 하나는 상기 제2표시영역으로부터 상기 비표시영역으로 돌출되는 표시 장치.
  18. 제1화소영역, 제2화소영역 및 투과영역을 포함하는 제1표시영역과 제2표시영역을 포함하는 기판;
    상기 제1화소영역 상에 배치되며, 제1화소전극, 제1대향전극 및 상기 제1화소전극과 상기 제1대향전극 사이에 배치되는 제1중간층을 포함하는 제1화소;
    상기 제2화소영역 상에 배치되며, 제2화소전극, 제2대향전극 및 상기 제2화소전극과 상기 제2대향전극 사이에 배치되는 제2중간층을 포함하는 제2화소; 및
    상기 제1표시영역에 대응되도록 상기 기판의 일면에 배치되며, 빛을 방출하거나 수광하는 전자요소를 포함하는 컴포넌트;를 포함하고,
    상기 제1대향전극과 서로 이격되는 상기 제1화소영역에 배치되며, 상기 제2대향전극은 서로 이격되는 상기 제2화소영역에 배치되고, 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극은 서로 인접하는 상기 제1화소영역과 상기 제2화소영역이 서로 전기적으로 연결되는 제1컨택영역을 구비하는 표시 장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 상기 투과영역을 통해 빛을 방출하거나 수광하며,
    상기 제2표시영역의 광 투과율은 상기 제1표시영역의 광 투과율보다 작은 표시 장치.
  20. 일부가 선택적으로 개폐되는 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되며, 기판이 지지되는 제1지지부;
    상기 챔버 내부에 상기 기판과 대향하도록 배치되는 마스크 조립체;
    상기 챔버 내부에 배치되며, 상기 마스크 조립체가 지지되는 제2지지부; 및
    상기 챔버에 배치되며, 증착물질을 상기 기판으로 공급하는 증착소스;를 포함하고,
    상기 마스크 조립체는,
    마스크 프레임; 및
    상기 마스크 프레임에 안착하는 마스크 시트;를 구비하고,
    상기 마스크 시트는, 제1개구부와 상기 제1개구부와 상이한 상기 마스크 시트 부분에 배치되는 제2개구부를 포함하고, 상기 제1개구부와 상기 제2개구부는 서로 일렬로 배열되며, 서로 인접하는 상기 제1개구부와 상기 제2개구부 사이의 상기 마스크 시트의 폭은 서로 인접하는 상기 제2개구부 사이의 상기 마스크 시트의 폭보다 작거나 상기 제1개구부와 상기 제2개구부의 형상은 서로 상이한 표시 장치의 제조장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 증착소스는 상기 챔버의 모서리 부분에 배치되는 표시 장치의 제조장치.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 제1개구부는 정사각형이고, 상기 제2개구부는 직사각형인 표시 장치의 제조장치.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 제1지지부와 상기 제2지지부 중 적어도 하나는 상기 기판과 상기 마스크 조립체의 상대 위치를 조절 가능한 표시 장치의 제조장치.
  24. 기판과 마스크 조립체를 챔버 내부에 배치하는 단계;
    증착소스에서 공급된 증착물질이 상기 마스크 조립체를 통과하여 제1대향전극과 제3대향전극을 각각 상기 기판의 제1표시영역과 제2표시영역에 형성하는 단계;
    상기 기판 및 상기 마스크 조립체 중 적어도 하나의 위치를 가변시키는 단계; 및
    상기 증착소스에서 공급된 증착물질이 상기 마스크 조립체를 통과하여 상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역에 각각 상기 제1대향전극과 적어도 일부가 중첩되는 제2대향전극과 상기 제3대향전극과 적어도 일부가 중첩되는 제4대향전극을 형성하는 단계;를 포함하는 표시 장치의 제조방법.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 중첩되는 제1컨택영역 및 상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극이 중첩되는 제2컨택영역은 화소정의막 상에 배치된 표시 장치의 제조방법.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제2표시영역의 적어도 일부를 감싸도록 배치된 비표시영역을 포함하고, 상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극 중 적어도 하나의 일부는 상기 제2표시영역에서 상기 비표시영역으로 돌출되는 표시 장치의 제조방법.
  27. 제 24 항에 있어서,
    상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극 사이에는 투과영역이 배치된 표시 장치의 제조방법.
  28. 제 24 항에 있어서,
    상기 제3대향전극, 상기 제4대향전극 및 상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극이 중첩되는 제2컨택영역은 상기 제2표시영역 전면을 덮도록 배치되는 표시 장치의 제조방법.
  29. 제 24 항에 있어서,
    상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 중첩되는 제1컨택영역은 상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극이 면접촉하는 영역인 표시 장치의 제조방법.
  30. 제 24 항에 있어서,
    상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극이 중첩되는 제2컨택영역은 상기 제3대향전극과 상기 제4대향전극이 면접촉하는 영역인 표시 장치의 제조방법.
  31. 제 24 항에 있어서,
    상기 제1표시영역과 상기 제2표시영역은 광 투과율이 서로 상이한 표시 장치의 제조방법.
  32. 제 24 항에 있어서,
    상기 제3대향전극 및 상기 제4대향전극 중 적어도 하나는 상기 제1표시영역으로 돌출되는 제3컨택영역을 구비하고, 상기 제3컨택영역은 상기 제1대향전극 및 상기 제2대향전극 중 적어도 하나와 전기적으로 연결하는 표시 장치의 제조방법.
  33. 제 24 항에 있어서,
    상기 제1대향전극과 상기 제3대향전극은 제1방향으로 배열되며, 상기 제1대향전극은 상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 배열되는 표시 장치의 제조방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 제1대향전극과 상기 제2대향전극은 상기 제1방향 및 상기 제2방향과 상이한 제3방향으로 연결되는 표시 장치의 제조방법.
KR1020190090490A 2019-07-25 2019-07-25 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 KR20210013458A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190090490A KR20210013458A (ko) 2019-07-25 2019-07-25 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
US16/847,208 US11574959B2 (en) 2019-07-25 2020-04-13 Display apparatus, and apparatus and method of manufacturing the same
JP2020110382A JP7534132B2 (ja) 2019-07-25 2020-06-26 表示装置及び表示装置の製造方法
CN202010680565.4A CN112310149A (zh) 2019-07-25 2020-07-15 显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190090490A KR20210013458A (ko) 2019-07-25 2019-07-25 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210013458A true KR20210013458A (ko) 2021-02-04

Family

ID=74189439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190090490A KR20210013458A (ko) 2019-07-25 2019-07-25 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11574959B2 (ko)
JP (1) JP7534132B2 (ko)
KR (1) KR20210013458A (ko)
CN (1) CN112310149A (ko)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200121958A (ko) * 2019-04-16 2020-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조방법
CN110649179B (zh) * 2019-09-29 2023-05-23 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置、掩膜板
JP7465440B2 (ja) * 2020-03-24 2024-04-11 大日本印刷株式会社 マスク群、有機デバイスの製造方法及び有機デバイス
KR20220001805A (ko) * 2020-06-30 2022-01-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20220078007A (ko) * 2020-12-02 2022-06-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
WO2022123431A1 (en) 2020-12-07 2022-06-16 Oti Lumionics Inc. Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating
CN115552622A (zh) * 2021-04-30 2022-12-30 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
US20220399503A1 (en) * 2021-06-14 2022-12-15 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Mask group, method of manufacturing organic device and organic device
US20230006168A1 (en) * 2021-07-01 2023-01-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Organic device and manufacturing method for organic device

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6838819B2 (en) * 2000-06-19 2005-01-04 Lg Electronics Inc. Full color organic EL display panel, manufacturing method thereof and driving circuit thereof
KR101379650B1 (ko) * 2007-11-06 2014-04-02 엘지디스플레이 주식회사 쉐도우 마스크, 이로 제조된 유기전계발광표시장치 및 그제조방법
JP2009289474A (ja) * 2008-05-27 2009-12-10 Casio Comput Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20110101980A (ko) * 2010-03-10 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US8894458B2 (en) * 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223727B1 (ko) 2012-03-29 2013-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR20140107928A (ko) * 2013-02-28 2014-09-05 삼성디스플레이 주식회사 캐소드 증착 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR102124426B1 (ko) * 2013-07-08 2020-06-19 삼성디스플레이 주식회사 진공 증착 장치 및 이를 이용한 진공 증착 방법
KR101750022B1 (ko) * 2013-08-21 2017-06-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR102077142B1 (ko) * 2013-10-11 2020-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN104701338B (zh) * 2013-12-09 2017-12-01 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示器件及其掩膜板
KR102136789B1 (ko) * 2014-06-17 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102184784B1 (ko) * 2014-06-30 2020-11-30 엘지디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치
KR102453420B1 (ko) * 2015-04-30 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
KR102649143B1 (ko) 2016-05-12 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법
CN105976757B (zh) * 2016-07-26 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构、像素电路、显示面板及驱动方法
KR20180050473A (ko) 2016-11-04 2018-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108155204B (zh) * 2016-12-02 2020-03-17 京东方科技集团股份有限公司 一种像素排列结构、显示装置及掩膜板
CN106653813B (zh) * 2016-12-26 2019-01-22 武汉华星光电技术有限公司 一种基于oled的内置式触控显示面板
CN108269840B (zh) * 2017-09-30 2021-08-13 昆山国显光电有限公司 显示屏及显示装置
CN108010947B (zh) * 2017-11-29 2021-01-08 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
KR102490978B1 (ko) * 2017-12-11 2023-01-19 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
CN108258153B (zh) * 2018-01-19 2020-09-15 云谷（固安）科技有限公司 Oled器件结构及柔性显示装置
KR102597673B1 (ko) * 2018-05-16 2023-11-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102587116B1 (ko) * 2018-05-31 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108810200A (zh) * 2018-06-04 2018-11-13 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置
US10490164B2 (en) * 2018-10-10 2019-11-26 Intel Corporation Stretchable display with fixed pixel density
KR20200050059A (ko) * 2018-10-31 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200044245A (ko) * 2018-10-18 2020-04-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200087384A (ko) * 2019-01-10 2020-07-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
EP4016658A1 (en) * 2019-01-31 2022-06-22 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask group, manufacturing method of electronic device, and electronic device
KR20200121958A (ko) * 2019-04-16 2020-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조방법
KR102698881B1 (ko) * 2019-05-23 2024-08-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20200136551A (ko) * 2019-05-27 2020-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210002283A (ko) * 2019-06-28 2021-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20210009479A (ko) * 2019-07-16 2021-01-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102707313B1 (ko) * 2019-08-01 2024-09-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210032599A (ko) * 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN115347033A (zh) * 2019-11-27 2022-11-15 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US11574959B2 (en) 2023-02-07
US20210028248A1 (en) 2021-01-28
CN112310149A (zh) 2021-02-02
JP2021021940A (ja) 2021-02-18
JP7534132B2 (ja) 2024-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7475998B2 (ja) 表示装置
JP7534132B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
US11950485B2 (en) Display apparatus
KR20200108146A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20200136549A (ko) 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US12089455B2 (en) Display device
EP3822959A2 (en) Display apparatus
KR20200097371A (ko) 표시 장치
KR20200099251A (ko) 표시 장치
KR20200135637A (ko) 디스플레이 장치
EP3846215A2 (en) Display device
KR20200115944A (ko) 유기발광표시장치
KR20210074447A (ko) 표시 장치
KR20210078650A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
KR20210154305A (ko) 표시 장치
KR20210025748A (ko) 표시 장치
KR20210003363A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR102679419B1 (ko) 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR20210007084A (ko) 표시 패널
KR20200126463A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함한 디스플레이 장치
KR20210155442A (ko) 표시 장치
CN115581093A (zh) 显示设备
CN114078921A (zh) 显示设备
JP2024149630A (ja) 表示装置の製造装置
KR20240144643A (ko) 디스플레이 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination