CN114078921A - 显示设备 - Google Patents

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金亨锡
徐荣完
朴京淳
田武经
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Abstract

一种显示设备，具有被扩大以在布置有组件的区域中显示图像的显示区域，所述显示设备包括：基底，包括具有透射部分的第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；第一数据线，在所述第二区域上在第一方向上延伸，并且包括彼此间隔开的第一线和第二线，所述第一区域位于所述第一线和所述第二线之间；连接线，位于所述第二区域上，所述连接线与所述第一区域相邻并且绕过所述第一区域，并且所述连接线包括连接到所述第一线的一端和连接到所述第二线的另一端；像素电路，位于所述第二区域上，所述像素电路包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的节点连接线；以及第一像素电极，位于所述像素电路上方，其中，所述连接线与所述节点连接线间隔开。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年8月10日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0099938号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
一个或多个实施例涉及显示设备，在所述显示设备中，增大显示区域以在其中布置有组件的区域中显示图像。
背景技术
近来，显示设备的用途已经多样化。例如，显示设备已经变得更薄和更轻，并且因此，显示设备的用途已经扩展。
随着显示设备用于各种目的，可以存在设计显示设备的形状的各种方法，并且已经增加了可以与显示设备有关或与显示设备相关联的功能。
发明内容
一个或多个实施例包括增加功能的方法，所述方法可以与显示设备结合或与显示设备有关。所述显示设备可以包括其中布置有诸如传感器或照相机的组件的第一区域，其中，所述第一区域提供在显示区域中。然而，这些仅是示例，并且不限制本公开的范围。
附加方面将在随后的描述中部分地阐述，并且附加方面通过该描述将部分地是明显的，或者可以通过实践所提供的本公开的实施例而获悉附加方面。
根据一个或多个实施例，一种显示设备，包括：基底，包括具有透射部分的第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；第一数据线，在所述第二区域上在第一方向上延伸，并且包括彼此间隔开的第一线和第二线，所述第一区域位于所述第一线和所述第二线之间；连接线，位于所述第二区域上，所述连接线与所述第一区域相邻并且绕过所述第一区域，并且所述连接线包括连接到所述第一线的一端和连接到所述第二线的另一端；像素电路，位于所述第二区域上，所述像素电路包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的节点连接线；以及第一像素电极，位于所述像素电路上方，其中，所述连接线与所述节点连接线间隔开。
所述连接线可以与所述第一数据线位于不同的层处。
所述连接线可以位于所述第一数据线上方。
所述显示设备还可以包括：像素限定层，覆盖所述第一像素电极的边缘，并且所述像素限定层具有暴露所述第一像素电极的中央部分的开口，其中，所述连接线在所述开口和所述节点连接线之间穿过。
所述显示设备还可以包括：像素限定层，覆盖所述第一像素电极的边缘，并且具有暴露所述第一像素电极的中央部分的开口，其中，所述连接线与所述开口重叠。
所述连接线可以与所述开口的中央部分重叠。
所述显示设备还可以包括：位于所述第一像素电极上的包括绿色发光层的第一中间层。
所述显示设备还可以包括：位于所述第二区域上并且与所述连接线间隔开的虚设线。
所述虚设线可以具有网格形式。
所述虚设线可以配置为接收驱动电压。
所述虚设线和所述连接线可以连续地布置在所述第二区域的整个表面上，其中，所述虚设线和所述连接线在所述第二区域的至少一部分上彼此断开，并且彼此电气断开。
所述显示设备还可以包括：位于所述第二区域上的第二像素电极，其中，所述连接线不与所述第二像素电极重叠。
所述显示设备还可以包括：位于所述第二像素电极上的第二中间层，其中，所述第二中间层包括红色发光层或蓝色发光层。
所述连接线可以与所述第一像素电极至少部分地重叠，并且可以在平面上弯曲至少两次以不与所述第二像素电极重叠。
所述显示设备还可以包括：虚设线，位于所述第二区域上，所述虚设线与所述连接线间隔开，与所述第一像素电极至少部分地重叠，并且在平面上弯曲至少两次以不与所述第二像素电极重叠。
所述像素电路可以包括：第一薄膜晶体管，包括半导体层、与所述半导体层至少部分地重叠的栅极电极、以及位于所述栅极电极上方并且电连接到所述半导体层的电极层；存储电容器，包括下部电极和位于所述下部电极上的上部电极，所述下部电极包括所述栅极电极；以及连接金属，位于所述电极层上方，并且所述连接金属将所述电极层与所述第一像素电极电连接，其中，所述第一数据线与所述电极层包括相同的材料，并且其中，所述连接线与所述连接金属包括相同的材料。
所述像素电路还可以包括第二薄膜晶体管，其中，所述节点连接线的一端接触所述栅极电极，并且其中，所述节点连接线的另一端接触所述第二薄膜晶体管。
所述第一薄膜晶体管可以包括驱动薄膜晶体管，其中，所述第二薄膜晶体管包括补偿薄膜晶体管。
所述显示设备还可以包括：第二数据线，在所述第一方向上延伸，所述第二数据线与所述第一数据线间隔开，并且穿过所述第一区域和所述第二区域。
所述显示设备还可以包括：辅助像素，位于所述第一区域上，并且所述辅助像素连接到所述第二数据线。
所述显示设备还可以包括：第三数据线，在所述第二区域上在所述第一方向上延伸，并且所述第三数据线与所述连接线至少部分地重叠。
根据一个或多个实施例，一种显示设备，包括：基底，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；第一像素和第二像素，位于所述第二区域上并且在第一方向上布置，所述第一区域位于所述第一像素和所述第二像素之间；数据线，在所述第二区域上在所述第一方向上延伸，并且所述数据线包括连接到所述第一像素的第一线和连接到所述第二像素的第二线；以及连接线，位于所述第二区域上，所述连接线具有连接到所述第一线的一端和连接到所述第二线的另一端，并且所述连接线与所述数据线位于不同的层处。
所述显示设备还可以包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和节点连接线，所述节点连接线将所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管电连接，并且不与所述连接线重叠，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述节点连接线位于所述第二区域上。
附图说明
通过以下结合附图的描述，本公开的实施例的以上和其他方面将更加明显，在附图中：
图1是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图2是根据一些实施例的沿着图1的线A-A'截取的显示设备的一部分的示意性截面图；
图3是根据一些实施例的显示面板的示意性平面图；
图4是根据一些实施例的显示设备的与图1的区域B相对应的部分的放大平面图；
图5是示出第一数据线和连接线的布置关系的示意性截面图；
图6A和图6B是根据一些实施例的像素的等效电路图；
图7是与图6B的等效电路图相对应的像素的结构的示意性平面图；
图8是图7的像素的结构的示意性截面图；
图9是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图10是图9的显示设备的所述部分的示意性截面图；
图11是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图12是图11的显示设备的所述部分的示意性截面图；
图13和图14是根据一些实施例的显示设备的第二区域的分别与图3的区域C和区域D相对应的部分的示意性平面图；并且
图15和图16是根据一些实施例的显示设备的分别与图4的区域E和区域F相对应的部分的示意性平面图。
具体实施方式
通过参照实施例和附图的详细描述，可以更容易地理解本公开的一些实施例和实现本公开的一些实施例的方法的各方面。在下文中，将参照附图更详细地描述实施例。然而，所描述的实施例可以以各种不同的形式来实现，并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施例。而是，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的各方面。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言用于完全理解本公开的各方面并非必要的工艺、元件和技术。
除非另外指出，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记、字符或它们的组合表示同样的元件，并且因此，将不重复其描述。此外，与实施例的描述无关的部分可能不被示出，以使描述清楚。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了元件、层和区域的相对尺寸。此外，在附图中的交叉影线和/或阴影的使用通常被提供为使相邻元件之间的边界清楚。如此，除非说明，否则交叉影线或者阴影的存在与否都不传达或表明对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、示出的元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。
在本文中，参照作为实施例和/或中间结构的示意图的截面图来描述各种实施例。如此，将预期到例如由于制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。此外，为了描述根据本公开的构思的实施例的目的，本文中公开的特定结构或功能描述仅是说明性的。因此，本文中公开的实施例不应被解释为局限于具体示出的区域的形状，而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。
例如，示出为矩形的注入区域通常将在其边缘处具有倒圆的或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋入区域可能导致在埋入区域与发生注入所通过的表面之间的区域中的某些注入。因此，附图中示出的区域在实质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出装置的区域的实际形状，且不旨在进行限制。另外，如本领域技术人员将认识到的，在全部不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例。
在详细的描述中，为了说明的目的，阐述了许多具体细节以提供对各种实施例的透彻理解。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者通过一个或多个等同布置来实践各种实施例。在其它情况下，以框图的形式示出了公知的结构和装置，以避免使各种实施例不必要地模糊。
将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下文中描述的第一元件、组件、区域、层或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
为了易于说明，在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”和“上”等空间相对术语，以描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将定向为“在”其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。所述装置可以以其他方式定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且应当相应地解释本文中使用的空间相对描述语。类似地，当第一部分被描述为布置“在”第二部分“上”时，这表示第一部分基于重力方向布置在第二部分的上侧或下侧，而不限于第二部分的上侧。
此外，在本说明书中，短语“在平面上”或“平面图”是指从顶部观看目标部分，并且短语“在截面上”是指从侧面观看通过垂直切割目标部分形成的截面。
将理解的是，当元件、层、区域或组件被称为“形成在”另一元件、层、区域或组件“上”、“在”另一元件、层、区域或组件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层、区域或组件时，所述元件、层、区域或组件可以直接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、直接在所述另一元件、层、区域或组件上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件、层、区域或组件，或者可以间接形成在所述另一元件、层、区域或组件上、间接在所述另一元件、层、区域或组件上、间接连接到或间接耦接到所述另一元件、层、区域或组件，使得可以存在一个或多个居间元件、层、区域或组件。例如，当层、区域或组件被称为“电连接”或“电耦接”到另一层、区域或组件时，所述层、区域或组件可以直接电连接或直接电耦接到所述另一层、区域和/或组件，或者可以存在居间层、区域或组件。然而，“直接连接/直接耦接”被称为一个组件直接连接或直接耦接另一组件而没有中间组件。同时，诸如“在……之间”、“直接在……之间”或“与……相邻”和“与……直接相邻”的描述组件之间的关系的其他表述可以被类似地解释。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，所述元件或层可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或多个居间元件或层。
为了本公开的目的，当诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列的个别元件。例如，“X、Y和Z中的至少一个(种)”、“X、Y或Z中的至少一个(种)”和“从由X、Y和Z构成的组中选择的至少一个(种)”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如以XYZ、XYY、YZ和ZZ或它们的任何变形为例。类似地，诸如“A和B中的至少一个(种)”的表述可以包括A、B、或者A和B。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。例如，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B、或者A和B。
在示例中，x轴、y轴和/或z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。同样的情况适用于第一方向、第二方向和/或第三方向。
本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并且不意图限制本公开。如本文所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”和“一种”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括”、“包含”、“具有”、“具备”、“含”和“含有”说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”、“近似”和类似术语用作近似术语而非程度术语，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所述值，并且意指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％以内。此外，当描述本公开的实施例时，使用“可以”是指“本公开的一个或多个实施例”。
根据本文描述的本公开的实施例的电子或电气装置和/或任何其他相关装置或组件可以利用任何合适的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件、或软件、固件和硬件的组合来实现。例如，这些装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上，或者可以形成在单独的IC芯片上。此外，这些装置的各种组件可以在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上实现，或者在一个基底上形成。
此外，这些装置的各种组件可以是在一个或多个计算装置中运行在一个或多个处理器上的进程或线程，所述一个或多个计算装置执行计算机程序指令并与其他系统组件进行交互以执行本文中描述的各种功能。计算机程序指令被存储在存储器中，该存储器可以使用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储装置在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在诸如以CD-ROM或闪存驱动器等为例的其他非暂时性计算机可读介质中。而且，本领域技术人员应认识到，在不脱离本公开的实施例的精神和范围的情况下，各种计算装置的功能可以被组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布遍及一个或多个其他计算装置。
除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，除非在文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景中的含义相一致的含义，并且不应当以理想化的或过于形式化的含义来解释所述术语。
图1是根据一些实施例的显示设备1的一部分的示意性平面图。
参照图1，显示设备1可以包括显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域NDA。显示区域DA可以包括第一区域DA1和第二区域DA2，第一区域DA1可以被限定为辅助显示区域或组件区域，第二区域DA2可以被限定为主显示区域并且至少部分地围绕第一区域DA1。即，第一区域DA1和第二区域DA2中的每一个可以单独地显示图像或一起显示图像。外围区域NDA可以对应于其中未布置显示元件的非显示区域的类型。显示区域DA通常可以被外围区域NDA围绕。
图1示出了一个第一区域DA1位于第二区域DA2中。根据其他实施例，显示设备1可以包括两个或更多个第一区域DA1，其中，第一区域DA1可以具有彼此不同的形状和尺寸。当从大致垂直于显示设备1的上表面的方向(例如，在平面图中)观看第一区域DA1时，第一区域DA1可以具有各种形状，诸如，包括正方形形状、六边形形状、八边形形状、星形形状、菱形形状等的多边形形状、圆形形状或椭圆形形状等。
此外，图1示出了第一区域DA1布置在显示区域DA的(例如，在+y方向上的)上部中心侧，当从大致垂直于显示设备1的上表面的方向(例如，在平面图中)观看时，显示区域DA具有具备倒圆的边缘的大致四边形形状。然而，第一区域DA1可以布置在显示区域DA的一侧，例如，右上侧或左上侧。
如以下参照图2所述，第一区域DA1可以包括像素区域PA(参见图2)和透射部分TA(参见图2)。像素区域PA和透射部分TA中的每一个可以被提供为多个数量，并且像素区域PA和透射部分TA可以交替地布置。在像素区域PA中可以布置像素。然而，像素可以不布置在透射部分TA中。透射部分TA可以对应于其中使显示层DSL(参见图2)中包括的组件的布置减少或最小化的区域。此外，光可以经由穿过基底100(参见图2)而透射通过透射部分TA。
显示设备1可以通过使用布置在第一区域DA1中的第一像素P1(参见图2)和布置在第二区域DA2中的第二像素P2(参见图2)来提供图像。
如下面参照图2所述，在第一区域DA1中，在显示面板10或显示面板10的一部分下方可以布置作为电子元件的组件20(参见图2)。组件20可以包括使用红外线或可见光的照相机，并且可以包括拍摄装置。可替代地，组件20可以包括太阳能电池和/或太阳能面板、闪光装置、照度传感器、接近传感器、虹膜传感器等。可替代地，组件20可以具有接收声音的功能。为了在尽可能的程度上避免对组件20的功能的限制，第一区域DA1可以包括光和/或声音可以经由其穿过的透射部分TA，光和/或声音从组件20经由透射部分TA输出到外部，或者光和/或声音从外部经由透射部分TA朝向组件20行进。
根据一些实施例，当光透射通过第一区域DA1时，透光率可以是大约10％或更大，例如，大约40％或更大、大约25％或更大、大约50％或更大、大约85％或更大或者大约90％或更大。
在下文中，将有机发光显示设备描述为根据一些实施例的显示设备1的示例。然而，其他实施例不限于此。作为另一示例，根据一些实施例的显示设备1可以包括无机发光显示设备、无机电致发光(EL)显示设备或量子点发光显示设备。例如，显示设备1中包括的显示元件的发光层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。
图2是根据一些实施例的显示设备1的一部分的示意性截面图。图2对应于沿着图1的线A-A'截取的显示设备1的一部分。
参照图2，显示设备1可以包括显示面板10和布置为与显示面板10重叠的组件20。在其他实施例中，用于保护显示面板10的覆盖窗可以进一步布置在显示面板10上方。
显示面板10可以包括作为与组件20重叠的区域的第一区域DA1和显示主图像的第二区域DA2。当从大致垂直于显示设备1的上表面的方向(例如，在平面图中)观看时，第一区域DA1的宽度和/或面积可以大于组件20的宽度和/或面积。
显示设备1可以通过使用布置在第一区域DA1中的辅助像素(即，第一像素P1(参见图2))和布置在第二区域DA2中的主像素(即，第二像素P2(参见图2))来提供图像。
显示面板10可以包括基底100、显示层DSL、触摸感测层TSL、光学功能层OFL和布置在基底100下方的面板保护层PPL。
基底100可以包括绝缘材料，诸如玻璃、石英、聚合物树脂。基底100可以包括刚性基底或可以弯曲、折叠或卷曲的柔性基底。根据一些实施例，基底100可以具有多层结构，并且可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。
基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。在基底100是柔性的情况下，基底100可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。
显示层DSL可以包括像素电路层PCL和/或显示元件层DEL，像素电路层PCL包括薄膜晶体管TFT，显示元件层DEL包括有机发光二极管OLED作为显示元件。显示层DSL的一些实施例可以包括封装构件，诸如薄膜封装层TFE或封装基底。
包括薄膜晶体管TFT且包括连接到薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED的第一像素P1和第二像素P2可以布置在与显示区域DA相对应的显示层DSL中。
包括薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED的第一像素P1可以布置在第一区域DA1中。第一区域DA1中的第一像素P1可以表示例如子像素。因此，可以在像素区域PA中布置至少一个第一像素P1。图2示出了在每个像素区域PA中包括一个第一像素P1。然而，在其他实施例中，可以在每个像素区域PA中包括多个第一像素P1。电连接位于相邻像素区域PA中的第一像素P1的导电层可以定位在像素区域PA周围。导电层可以对应于下面将参照图6A或图6B描述的数据线DL、驱动电压线PL、扫描线SL、发射控制线EL、前一条扫描线SL-1、下一条扫描线SL+1和初始化电压线VL中的至少一条。
其中未布置显示元件的透射部分TA可以定位在第一区域DA1的像素区域PA之间。透射部分TA可以是从组件20发射的光/信号或入射到组件20中的光/信号透射通过的区域。
可以在与透射部分TA相对应的区域中去除绝缘层IL的至少一部分，同时其余部分可以布置在透射部分TA上。如上所述，可以通过在与透射部分TA相对应的区域中去除绝缘层IL的一部分来改善透射部分TA的透光率。同时，通过使绝缘层IL的其余部分保留在透射部分TA上，可以防止从基底100产生的排气流入显示层DSL中。因此，可以提高有机发光二极管OLED的可靠性。下面将详细描述这方面。
组件20可以定位在第一区域DA1中。组件20可以包括使用光或声音的电子元件。例如，组件20可以包括诸如红外传感器的配置为接收和使用光的传感器、配置为输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、配置为输出光的小型灯、配置为输出声音的扬声器、或者包括成像装置的照相机。使用光的电子元件可以使用各种波长范围的光，诸如可见光、红外线、紫外线等。
根据一些实施例，多个组件20可以布置在第一区域DA1中。在这种情况下，多个组件20可以具有彼此不同的功能。例如，多个组件20可以包括照相机或成像装置、太阳能电池、闪光装置、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
背面金属层BML可以布置在第一区域DA1中。背面金属层BML可以布置为与每个像素区域PA相对应。背面金属层BML可以减少或防止例如从组件20发射的光的外部光到达第一像素P1。此外，可以通过背面金属层BML减少或防止当外部光透射通过导电层时发生的光反射或光衍射，并且因此，可以减少或防止第一区域DA1中的图像失真(例如，耀斑、雾度等)。
根据一些实施例，可以将恒定电压或信号施加到背面金属层BML，以减少或防止由静电放电引起的对像素电路的损坏的可能性。根据其他实施例，布置为与不同的像素区域PA相对应的背面金属层BML可以接收不同的电压。
薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。薄膜封装层TFE还可以布置在透射部分TA上。在一些实施例中，封装显示元件层DEL的封装构件与薄膜封装层TFE相对应。然而，本公开不限于此。例如，通过密封剂或玻璃料耦接到基底100的封装基底也可以用作用于封装显示元件层DEL的封装构件。
面板保护层PPL可以耦接在基底100下方，以支撑和保护基底100。面板保护层PPL可以包括与第一区域DA1相对应的开口PPL-OP。因为面板保护层PPL可以包括开口PPL-OP，所以可以提高第一区域DA1的透光率。面板保护层PPL可以包括聚乙烯、对苯二甲酸酯或聚酰亚胺。
第一区域DA1可以具有比其中布置有组件20的区域更大的面积。因此，提供在面板保护层PPL中的开口PPL-OP的面积可以不与第一区域DA1的面积相对应。例如，开口PPL-OP的面积可以小于第一区域DA1的面积。
触摸感测层TSL可以基于例如触摸事件的外部输入获得坐标信息。触摸感测层TSL可以包括触摸电极以及连接到触摸电极的触摸线。触摸感测层TSL可以基于磁电容方法或基于互电容方法来感测外部输入。触摸感测层TSL可以直接形成在薄膜封装层TFE上。可替代地，触摸感测层TSL可以单独地形成在触摸基底上，并且然后可以通过诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂层耦接到薄膜封装层TFE上。
光学功能层OFL可以包括防反射层。防反射层可以减小从外部朝向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。例如，光学功能层OFL可以包括偏振膜。可替代地，光学功能层OFL可以包括包含黑矩阵和滤色器的滤光片。
在其他实施例中，覆盖窗可以布置在显示面板10上方以保护显示面板10。光学功能层OFL可以经由OCA耦接到覆盖窗或耦接到触摸感测层TSL。
图3是根据一些实施例的显示面板10的示意性平面图，图4是根据一些实施例的显示设备1的一部分的放大平面图，并且图5是第一数据线DL1和连接线CL的布置关系的示意性截面图。图4与图1的区域B相对应。
参照图3，可以将显示面板10中包括的各种组件布置在基底100上方。基底100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的至少一部分的外围区域NDA。显示区域DA可以包括其中显示辅助图像的被限定为辅助显示区域或组件区域的第一区域DA1，并且还可以包括其中显示主图像的被限定为主显示区域的第二区域DA2。辅助图像可以与主图像一起形成一般图像，或者可以相对于主图像独立地形成单独的图像。可以理解的是，由于显示设备1和基底100可以各自被描述为包括具有第一区域DA1和第二区域DA2的显示区域DA和位于显示区域DA外部的外围区域NDA，因此，诸如像素、电路或线等元件可以被描述为在某区域中(即，在显示设备1的某区域中)或描述为在某区域上(即，在基底100的某区域上)。
如图3中所示，第一区域DA1可以布置在显示区域DA内部，并且可以被第二区域DA2围绕。图3示出了第一区域DA1具有八边形形状。
多个第一像素P1可以布置在第一区域DA1中。每个第一像素P1可以表示子像素，并且可以经由诸如有机发光二极管OLED(参见图2)的显示元件来实现。第一像素P1可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
第一区域DA1可以包括透射部分TA。透射部分TA可以布置为围绕或部分地围绕至少一个第一像素P1。可替代地，透射部分TA可以布置为针对至少一个第一像素P1形成栅格形状。
因为第一区域DA1具有透射部分TA，所以第一区域DA1的分辨率可以低于第二区域DA2的分辨率。例如，第一区域DA1的分辨率可以是第二区域DA2的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等中的任何一者。例如，第一区域DA1的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi，并且第二区域DA2的分辨率可以是大约400ppi或更高。
多个第二像素P2可以布置在第二区域DA2中。每个第二像素P2可以表示子像素，并且可以经由诸如有机发光二极管OLED(参见图2)的显示元件来实现。第二像素P2可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
第一像素P1和第二像素P2中的每一个可以电连接到外部电路，所述外部电路布置在作为非显示区域的外围区域NDA中。第一扫描驱动电路11、第二扫描驱动电路12、发射控制驱动电路13、端子14、第一电源线15和第二电源线16可以布置在外围区域NDA中。
第一扫描驱动电路11可以通过扫描线SL将扫描信号提供给第一像素P1和第二像素P2中的每一者。第二扫描驱动电路12可以与第一扫描驱动电路11并行布置，显示区域DA在第二扫描驱动电路12和第一扫描驱动电路11之间。布置在显示区域DA中的第一像素P1和第二像素P2中的一些像素可以电连接到第一扫描驱动电路11，并且第一像素P1和第二像素P2中的其他像素可以电连接到第二扫描驱动电路12。根据其他实施例，可以省略第二扫描驱动电路12。
发射控制驱动电路13可以布置在第一扫描驱动电路11的一侧，并且可以通过发射控制线EL将发射控制信号提供给第一像素P1和第二像素P2中的每一者。图3示出了发射控制驱动电路13仅布置在显示区域DA的一侧。然而，发射控制驱动电路13可以(例如，作为第一扫描驱动电路11和第二扫描驱动电路12，或者作为第一扫描驱动电路11的一部分和第二扫描驱动电路12的一部分)布置在显示区域DA的两侧。
端子14可以布置在基底100的一侧。端子14可以不被绝缘层覆盖，并且可以被暴露以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的端子14。
在一些实施例中，印刷电路板PCB可以将控制器的信号或电力传输到显示面板10。由控制器产生的控制信号可以通过印刷电路板PCB传输到第一扫描驱动电路11、第二扫描驱动电路12和发射控制驱动电路13中的每一个。而且，控制器可以产生数据信号，并且可以通过扇出线FW将产生的数据信号传输到显示区域DA。
而且，控制器可以将第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS(例如，参见图6A和图6B)分别提供给第一电源线15和第二电源线16。可以通过连接到第一电源线15的驱动电压线PL将第一电源电压ELVDD(或者也被称为“驱动电压ELVDD”)提供给第一像素P1和第二像素P2中的每一者，并且可以将第二电源电压ELVSS(或者也被称为“公共电压ELVSS”)提供给连接到第二电源线16的第一像素P1和第二像素P2中的每一者的相对电极。第一电源线15可以在第二区域DA2下方在x方向上延伸。第二电源线16可以具有具备开口侧的环形形状，并且可以在平面图中部分地围绕显示区域DA。
参照图3和图4，可以在显示区域DA上布置在第一方向(例如，y方向)上延伸并且彼此间隔开的第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3。第一数据线DL1、第二数据线DL2和第三数据线DL3中的每一者可以将数据信号供应给显示区域DA的第一像素P1和第二像素P2。
第一数据线DL1可以被断开(例如，可以具有与第二部分断开的第一部分)，并且第一区域DA1在断开的第一数据线DL1之间。即，第一数据线DL1可以在不穿过第一区域DA1的情况下朝向第一区域DA1布置在第二区域DA2上。
根据一些实施例，第一数据线DL1可以包括彼此间隔开的第一线(例如，第一子线)DL1a和第二线(例如，第二子线)DL1b，第一区域DA1位于第一线DL1a和第二线DL1b之间。第一线DL1a可以布置在第一区域DA1下方(例如，相对于第一区域DA1在-y方向上)，并且第二线DL1b可以布置在第一区域DA1上方(例如，相对于第一区域DA1在+y方向上)。第一线DL1a可以连接到定位在第一区域DA1下方的第二像素P2，并且第二线DL1b可以连接到定位在第一区域DA1上方的第二像素P2，以提供数据信号。
第二数据线DL2可以布置在第一区域DA1和第二区域DA2上。即，第二数据线DL2可以朝向第一区域DA1布置在第二区域DA2上，并且第二数据线DL2可以穿过第一区域DA1。因此，第二数据线DL2可以将数据信号不仅供应给定位在第二区域DA2中的第二像素P2，而且供应给定位在第一区域DA1中的第一像素P1。图3和图4示出了第二数据线DL2布置为在第一区域DA1上具有线性形状。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，第二数据线DL2的定位在第一区域DA1上的至少一部分可以弯曲为之字形状，以避开透射部分TA(例如，不与透射部分TA重叠)。
第三数据线DL3可以布置在第二区域DA2上。即，第三数据线DL3可以定位在第一区域DA1的(例如，在+x方向上的)右侧，并且可以定位在第一区域DA1的(例如，在-x方向上的)左侧，以不穿过第一区域DA1。第三数据线DL3可以将数据信号仅供应给定位在第二区域DA2上的第二像素P2。
根据一些实施例，连接线CL可以布置在第二区域DA2上，连接线CL与第一区域DA1相邻且绕过第一区域DA1。连接线CL可以连接被第一区域DA1断开的第一数据线DL1，使得可以将输入到第一线DL1a的数据信号传输到第二线DL1b。为此目的，连接线CL的一端可以连接到第一线DL1a，并且连接线CL的另一端可以连接到第二线DL1b。根据一些实施例，第一数据线DL1和连接线CL可以布置在彼此不同的层处，并且可以通过接触孔彼此电连接。
连接线CL可以在第二区域DA2上与第二数据线DL2重叠。此外，连接线CL可以与布置在第二区域DA2上的第三数据线DL3的一部分重叠。因此，连接线CL可能影响定位在其中连接线CL与第二数据线DL2和/或第三数据线DL3重叠的区域上的第二像素P2的亮度。因此，根据一些实施例，如以下参照图7等所描述的，连接线CL可以布置为不与第二像素P2的节点连接线N重叠，从而减少或防止由于连接线CL导致的第二像素P2的亮度的劣化。
参照图5，下层UL可以布置在基底100上，并且第一数据线DL1可以布置在下层UL上。下层UL可以包括如以下参照图8所描述的薄膜晶体管(例如，发射控制薄膜晶体管T6)和缓冲层201以及绝缘层203、205和207。
第一数据线DL1可以包括彼此分开的第一线DL1a和第二线DL1b，第一区域DA1(参见图4)在第一线DL1a和第二线DL1b之间。连接线CL可以定位在第一数据线DL1上方。绝缘层(例如，第一平坦化层208)可以布置在连接线CL和第一数据线DL1之间。连接线CL可以分别通过限定在绝缘层(例如，在第一平坦化层208中)的第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2电连接到第一线DL1a和第二线DL1b。
虚设线DM可以进一步与连接线CL布置在相同的层上，以与连接线CL分开。根据其他实施例，可以省略虚设线DM。虚设线DM和连接线CL可以在制造工艺中同时形成。将参照图14详细地描述虚设线DM。
图6A和图6B是根据一些实施例的像素P1和P2的等效电路图，图7是与图6B的等效电路图相对应的像素P2的结构的示意性平面图，并且图8是图7的像素P2的结构的示意性截面图。
图6A的像素电路PC可以包括两个薄膜晶体管Ts和Td以及存储电容器Cst。图6B的像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。根据一些实施例，布置在第一区域DA1中的第一像素P1和布置在第二区域DA2中的第二像素P2可以具有不同的像素电路PC。例如，第一像素P1可以包括图6A的像素电路PC，并且第二像素P2可以包括图6B的像素电路PC。然而，本公开不限于此。第一像素P1和第二像素P2可以包括图6A的像素电路PC和/或图6B的像素电路PC。
参照图6A，第一像素P1可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以配置为响应于通过扫描线SL提供的扫描信号Sn将通过数据线DL提供的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并且可以配置为存储与从开关薄膜晶体管Ts接收的电压和供应给驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以配置为与存储在存储电容器Cst中的电压值相对应地控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以发射具有基于驱动电流的亮度的光。
在图6A中描述了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器。然而，本公开不限于此。如图6B中所示，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
参照图6B，像素电路PC可以包括多个薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst。薄膜晶体管T1至T7和存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、第一初始化电压线VL1、第二初始化电压线VL2、以及驱动电压线PL。
信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL可以包括配置为传输扫描信号Sn的扫描线SL、配置为将前一扫描信号Sn-1传输到第一初始化薄膜晶体管T4的前一条扫描线SL-1、配置为将扫描信号Sn传输到第二初始化薄膜晶体管T7的下一条扫描线SL+1、配置为将发射控制信号Em传输到操作控制薄膜晶体管T5且传输到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制线EL、以及配置为与扫描线SL交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL可以配置为将驱动电压ELVDD传输到驱动薄膜晶体管T1，第一初始化电压线VL1可以配置为将初始化电压Vint传输到第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以配置为将初始化电压Vint传输到第二初始化薄膜晶体管T7。
驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1可以连接到存储电容器Cst的下部电极CE1，驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1可以通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL，并且驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1可以通过发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。驱动薄膜晶体管T1可以配置为根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且可以将驱动电流IOLED提供给有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管T2的开关栅极电极G2可以连接到扫描线SL，开关薄膜晶体管T2的开关源极电极S2可以连接到数据线DL，并且开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1，并且可以通过操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。开关薄膜晶体管T2可以响应于通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且可以配置为执行用于将通过数据线DL传输的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的补偿栅极电极G3可以连接到扫描线SL，补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3可以在通过发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极的同时连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1，并且补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3可以连接到存储电容器Cst的下部电极CE1、第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4和驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1。补偿薄膜晶体管T3可以响应于通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且可以配置为将驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1和驱动漏极电极D1电连接，以便以二极管方式连接驱动薄膜晶体管T1。
第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化栅极电极G4可以连接到前一条扫描线SL-1，第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化源极电极S4可以连接到第一初始化电压线VL1，并且第一初始化薄膜晶体管T4的第一初始化漏极电极D4可以连接到存储电容器Cst的下部电极CE1，连接到补偿薄膜晶体管T3的补偿漏极电极D3，并且连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过前一条扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而导通，并且可以配置为执行将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1以使驱动薄膜晶体管T1的驱动栅极电极G1的电压初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的操作控制栅极电极G5可以连接到发射控制线EL，操作控制薄膜晶体管T5的操作控制源极电极S5可以连接到驱动电压线PL，并且操作控制薄膜晶体管T5的操作控制漏极电极D5可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动源极电极S1和开关薄膜晶体管T2的开关漏极电极D2。
发射控制薄膜晶体管T6的发射控制栅极电极G6可以连接到发射控制线EL，发射控制薄膜晶体管T6的发射控制源极电极S6可以连接到驱动薄膜晶体管T1的驱动漏极电极D1且连接到补偿薄膜晶体管T3的补偿源极电极S3，并且发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极电极D6可以电连接到第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极。
操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可以响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号Em而并发地或基本上同时导通，使得可以将驱动电压ELVDD传输到有机发光二极管OLED，并且使得驱动电流IOLED可以在有机发光二极管OLED中流动。
第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化栅极电极G7可以连接到下一条扫描线SL+1，第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化源极电极S7可以连接到发射控制薄膜晶体管T6的发射控制漏极电极D6且连接到有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化薄膜晶体管T7的第二初始化漏极电极D7可以连接到第二初始化电压线VL2。
在一些实施例中，扫描线SL和下一条扫描线SL+1彼此电连接，并且因此，可以将相同的扫描信号Sn施加到扫描线SL和下一条扫描线SL+1。因此，第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过下一条扫描线SL+1传输的扫描信号Sn而导通，并且可以配置为执行使有机发光二极管OLED的像素电极初始化的操作。
存储电容器Cst的上部电极CE2可以连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的公共电极可以连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流IOLED以发射光，以便显示图像。
图6B示出了补偿薄膜晶体管T3和第一初始化薄膜晶体管T4具有双栅极电极。然而，在其他实施例中，补偿薄膜晶体管T3和/或第一初始化薄膜晶体管T4可以具有一个栅极电极。
在下文中，将参照图7和图8更详细地描述一个像素(例如，第二像素P2)的结构。此外，为了便于描述，图8仅示出了像素电路PC中包括的发射控制薄膜晶体管T6。
驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7可以沿着半导体层1130(参见图7)布置，并且半导体层1130的一个或多个部分可以被包括在驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7的半导体层中。
半导体层1130可以形成在基底100上。作为另一示例，可以在基底100上形成缓冲层201，并且可以在缓冲层201上形成半导体层1130。
缓冲层201可以减少或阻止杂质、水分或外部物质从基底100下方渗入，并且可以将平坦化的表面提供给基底100。缓冲层201可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料、或者有机和无机化合物，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
半导体层1130可以包括低温多晶硅(LTPS)。多晶硅材料可以具有高电子迁移率(例如，大约100cm2/Vs或更高)，并且因此，可以具有低功耗和高可靠性。作为另一示例，半导体层1130还可以包括非晶硅(a-Si)和/或氧化物半导体。多个薄膜晶体管的一个或多个半导体层可以包括LTPS，并且其他半导体层可以包括a-Si和/或氧化物半导体。
第一栅极绝缘层203可以定位在半导体层1130上，并且扫描线SL、前一条扫描线SL-1、下一条扫描线SL+1和发射控制线EL可以定位在第一栅极绝缘层203上。
第一栅极绝缘层203可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
扫描线SL的与开关薄膜晶体管T2和补偿薄膜晶体管T3的沟道区域重叠的部分可以分别对应于开关栅极电极G2和补偿栅极电极G3。前一条扫描线SL-1的与第一初始化薄膜晶体管T4的沟道区域重叠的部分可以与第一初始化栅极电极G4相对应。下一条扫描线SL+1的与第二初始化薄膜晶体管T7的沟道区域重叠的部分可以与第二初始化栅极电极G7相对应。发射控制线EL的与操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6的沟道区域重叠的部分可以分别对应于操作控制栅极电极G5和发射控制栅极电极G6。
第二栅极绝缘层205可以布置在扫描线SL、前一条扫描线SL-1、下一条扫描线SL+1和发射控制线EL上。第二栅极绝缘层205可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
电极电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以布置在第二栅极绝缘层205上。电极电压线HL可以覆盖驱动栅极电极G1的至少一部分，并且可以与驱动栅极电极G1一起形成存储电容器Cst。
存储电容器Cst的下部电极CE1可以与驱动薄膜晶体管T1的栅极电极G1形成为一体。例如，驱动薄膜晶体管T1的栅极电极G1可以用作存储电容器Cst的下部电极CE1。电极电压线HL的与驱动栅极电极G1重叠的部分可以与存储电容器Cst的上部电极CE2相对应。因此，第二栅极绝缘层205可以用作存储电容器Cst的介电层。
层间绝缘层207可以定位在电极电压线HL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2上。层间绝缘层207可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。
数据线DL、驱动电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线N以及下部连接金属1175可以布置在层间绝缘层207上。数据线DL、驱动电压线PL、节点连接线N和连接金属1175可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括包含上述材料的多层或单层。例如，数据线DL、驱动电压线PL、节点连接线N和连接金属1175可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
数据线DL可以通过接触孔1154连接到开关薄膜晶体管T2的开关源极电极S2。数据线DL的一部分可以被理解为开关源极电极S2。
驱动电压线PL可以通过形成在层间绝缘层207中的接触孔1158连接到存储电容器Cst的上部电极CE2。因此，电极电压线HL可以与驱动电压线PL具有相同的电压电平(例如，恒定电压)。此外，驱动电压线PL可以通过接触孔1155连接到操作控制源极电极S5。
第一初始化电压线VL1可以通过第一初始化连接线1173a连接到第一初始化薄膜晶体管T4，并且第二初始化电压线VL2可以通过第二初始化连接线1173b连接到第二初始化薄膜晶体管T7。第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2可以具有相同的恒定电压(例如，大约-2V等)。
节点连接线N的一端可以通过接触孔1156连接到补偿漏极电极D3，并且节点连接线N的另一端可以通过接触孔1157连接到驱动栅极电极G1。
连接金属1175可以通过贯穿层间绝缘层207、第二栅极绝缘层205和第一栅极绝缘层203的接触孔1153连接到发射控制薄膜晶体管T6的半导体层。发射控制薄膜晶体管T6可以通过连接金属1175电连接到有机发光二极管OLED的像素电极210。
第一平坦化层208可以定位在数据线DL、驱动电压线PL、第一初始化连接线1173a和第二初始化连接线1173b、节点连接线N以及连接金属1175上。
在图7和图8中，描述了一个像素电路PC的结构。然而，可以在第一方向(例如，y方向)和第二方向(例如，x方向)上布置具有相同的像素电路PC的多个像素P。在这种情况下，第一初始化电压线VL1、前一条扫描线SL-1、第二初始化电压线VL2和下一条扫描线SL+1可以由在第一方向(例如y方向)上彼此相邻的两个像素电路PC共享。
即，第一初始化电压线VL1和前一条扫描线SL-1可以电连接到另一像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管，所述另一像素电路PC基于附图在第一方向(例如，y方向)上布置在图7中示出的像素电路PC的上方。因此，可以将施加到前一条扫描线SL-1的前一扫描信号作为下一扫描信号传输到另一像素电路PC的第二初始化薄膜晶体管。同样地，第二初始化电压线VL2和下一条扫描线SL+1可以电连接到又一像素电路PC的第一初始化薄膜晶体管，所述又一像素电路PC基于附图在第一方向(例如，y方向)上布置为与图7中示出的像素电路PC的下部相邻。因此，第二初始化电压线VL2和下一条扫描线SL+1可以配置为传输前一扫描信号和初始化电压。
再次参照图8，连接金属CM和连接线CL可以布置在第一平坦化层208上，并且第二平坦化层209可以定位在连接金属CM和连接线CL上。
连接金属CM可以位于薄膜晶体管(例如，发射控制薄膜晶体管T6)和像素电极210之间，使得像素电极210可以电连接到发射控制漏极电极D6。
连接线CL可以布置在第一平坦化层208上，并且可以与连接金属CM包括相同的材料。如以上参照图3等所述，连接线CL可以电连接经由第一区域DA1被断开的第一数据线DL1。下面将详细描述连接线CL。
第二平坦化层209可以具有平坦化的上表面以使像素电极210平坦化。第一平坦化层208可以包括包含有机材料的单层或多层。第一平坦化层208可以包括：苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、或者诸如聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和它们的共混物。第一平坦化层208可以包括无机材料。第一平坦化层208可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。当第一平坦化层208包括无机材料时，可以根据情况执行化学平坦化抛光。第一平坦化层208可以包括有机材料和无机材料两者。
有机发光二极管OLED可以包括像素电极210、相对电极230和定位在像素电极210和相对电极230之间并包括发光层的中间层220。
参照图7和图8，像素电极210可以通过接触孔PCNT连接到连接金属CM，连接金属CM可以通过接触孔1163连接到下部连接金属1175，并且下部连接金属1175可以通过接触孔1153连接到发射控制漏极电极D6。
像素电极210可以包括(半)透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极210可以包括：反射层，包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和它们的化合物；以及透明或半透明电极层，位于所述反射层上。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)构成的组中选择的至少一种。根据一些实施例，像素电极210可以包括其中堆叠有ITO/Ag/ITO层的结构。
像素限定层215可以布置在第二平坦化层209上，并且间隔件217可以布置在像素限定层215上。像素限定层215可以具有开口以暴露像素电极210的中央部分，以便限定像素的发射区域。此外，像素限定层215可以增加像素电极210的边缘和位于像素电极210上的相对电极230之间的距离，以减少或防止在像素电极210的边缘处发生电弧等的可能性。通过使用诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO、酚醛树脂等的有机绝缘材料，通过使用旋涂法等可以形成像素限定层215。
中间层220可以包括有机发光层。有机发光层可以包括有机材料，该有机材料包括用于发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发光层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。此外，诸如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以选择性地进一步布置在有机发光层的上方和下方。中间层220可以布置为与多个像素电极210中的每一个相对应。然而，本公开不限于此。中间层220中包括的至少一层可以遍及多个像素电极210一体地形成。
相对电极230可以包括透射电极或反射电极。根据一些实施例，相对电极230可以包括透明或半透明电极，并且可以包括具有低功函数的金属薄膜，所述金属薄膜由诸如Li、Ca、Al、Ag、Mg和它们的化合物(例如，LiF)的材料形成，或者形成为诸如LiF/Ca、LiF/Al的多层结构。此外，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电氧化物(TCO)层可以进一步布置在金属薄膜上方。
相对电极230可以一体地形成为单个整体，以对应于多个像素电极210。根据一些实施例，相对电极230可以形成为对应于第一区域DA1(参见图3)的整个表面并且对应于第二区域DA2(参见图3)的整个表面。根据其他实施例，相对电极230可以不布置在透射部分TA(参见图3)上。在这种情况下，在第一区域DA1(参见图3)中，相对电极230可以具有使相对电极230针对每个像素区域PA(参见图15或图16)图案化的形状。为此目的，可以通过激光剥离操作去除相对电极230的与透射部分TA(参见图3)相对应的部分，或者可以通过FMM掩模图案化从透射部分TA(参见图3)中省略相对电极230。
此外，可以在相对电极230上形成薄膜封装层300，薄膜封装层300包括第一无机封装层310、第二无机封装层330和位于第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的至少一种无机绝缘材料。有机封装层320可以包括：聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸基树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)或它们的任意组合。
再次参照图7，连接线CL可以布置在第一平坦化层208上，并且可以大体上在第一方向(例如，y方向)和第二方向(例如，x方向)上延伸。即，与在第一方向(例如，y方向)或第二方向(例如，x方向)上延伸的其他线(例如，数据线DL或扫描线SL)不同，连接线CL可以在第一方向(例如，y方向)和第二方向(例如，x方向)两者上延伸，并且可以具有例如网格形式。然而，在这种情况下，连接线CL可以“大体上延伸”表示连接线CL可以趋向于延伸。换句话说，虽然连接线CL可以在第一方向(例如，y方向)或第二方向(例如，x方向)上延伸，但是连接线CL的一部分可以具有弯曲的形状以避开相关线或相关导电层(例如，以与相关线或相关导电层间隔开，或者以不与相关线或相关导电层重叠)。
连接线CL可以在平面上弯曲至少两次，以避开至少一个像素电极210。根据一些实施例，例如，至少一个像素电极210可以对应于用于发射红光的第二像素电极210R(参见图9)和/或用于发射蓝光的第三像素电极210B(参见图9)。在用于发射绿光的第一像素电极210G(参见图9)的情况下，连接线CL可以与第一像素电极210G(参见图9)的至少一部分重叠。
这样，因为连接线CL布置为避开至少一个像素电极210，所以连接线CL的至少一部分可以具有例如之字形状。根据比较实施例，当连接线在像素电极下方穿过时，可能由于像素的不平坦的发射区域而导致不均匀的反射。因此，显示设备的显示质量可能劣化。根据一些实施例的显示设备，连接线CL可以布置为避开至少一个像素电极210，并且因此，可以使像素的发射区域平坦化以提高发光均匀性，并且因此，可以改善显示设备的显示质量。
图9是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，图10是图9的显示设备的所述部分的示意性截面图，图11是根据一些实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，并且图12是图11的显示设备的所述部分的示意性截面图。
图9至图12示出了布置在第二区域DA2中的多个第二像素P2。
参照图9和图10，像素电路PC可以连续地形成在第二区域DA2上，并且第一像素电极210G、第二像素电极210R和第三像素电极210B可以电连接到每个像素电路PC。根据一些实施例，第一像素电极210G可以与用于发射绿光的像素电极相对应，第二像素电极210R可以与用于发射红光的像素电极相对应，并且第三像素电极210B可以与用于发射蓝光的像素电极相对应。然而，本公开不必限于此。
如上所述，连接线CL可以布置为避开第二像素电极210R和第三像素电极210B。在该工艺中，虽然连接线CL可以在第一方向(例如，y方向)和第二方向(例如，x方向)上延伸，但是连接线CL可以弯曲至少两次。
连接线CL可以不与像素电路PC的节点连接线N重叠。根据比较示例，当连接线与像素电路的节点连接线重叠时，在连接线和节点连接线之间可能出现寄生电容，并且因此，可以改变对应像素的亮度。在根据一些实施例的显示设备中，连接线CL可以布置为不与像素电路PC的节点连接线N重叠，并且因此，可以去除、减小或最小化连接线CL和节点连接线N之间的寄生电容，并且因此，可以改善显示设备的显示质量。
尽管连接线CL可以布置为不与像素电路PC的节点连接线N重叠，但是连接线CL可以与第一像素电极210G至少部分地重叠。然而，同样在这种情况下，连接线CL可以不与第一像素电极210G的发射区域EA重叠。因为连接线CL可以布置为避开第一像素电极210G的发射区域EA，所以可以改善发射区域EA的均匀性。
图10示出了连接线CL、节点连接线N和第一像素电极210G之间的布置关系。其他线和/或电极可以与连接线CL、节点连接线N和第一像素电极210G布置在相同的层上。然而，为了便于描述，图10仅示出了连接线CL、节点连接线N和第一像素电极210G。
参照图10，下层UL可以布置在基底100上，并且节点连接线N可以定位在下层UL上。连接线CL可以定位在节点连接线N上方，第一平坦化层208位于连接线CL和节点连接线N之间。第一像素电极210G可以定位在连接线CL上方，第二平坦化层209位于第一像素电极210G和连接线CL之间。在图10中，下层UL可以包括图8的缓冲层201、第一栅极绝缘层203、第二栅极绝缘层205和层间绝缘层207中的至少一个。
第一像素电极210G的发射区域EA可以由像素限定层215的开口OP限定。在平面图中，连接线CL可以布置为不与节点连接线N重叠并且与节点连接线N分离开距离d。此外，连接线CL可以不与第一像素电极210G的发射区域EA重叠。因此，在平面图中，连接线CL可以延伸穿过位于像素电路PC的节点连接线N和第一像素电极210G的发射区域EA之间的区域SA。
参照图11和图12，以及以与上面的描述类似的方式，在平面图中，连接线CL可以与像素电路PC的节点连接线N分离开一距离，以便与第一像素电极210G至少部分地重叠的同时不与节点连接线N重叠。与上述的一些实施例不同，连接线CL可以布置为与第一像素电极210G的发射区域EA重叠。在这种情况下，连接线CL可以穿过第一像素电极210G的发射区域EA的中央部分。换句话说，第一像素电极210G的发射区域EA可以基于连接线CL(例如，重叠区域OR)近似对称地划分为两个部分。
根据比较示例，当连接线在偏斜的方向上与第一像素电极的发射区域重叠而不是与发射区域的中央部分重叠时，第一像素电极的发射区域可以基于连接线不对称地划分为两个部分。这可能由于不平坦的发射区域而导致不均匀的反射，这可能进一步导致发光不均匀的劣化。因此，根据一些实施例的显示设备，尽管连接线CL可以布置为避开节点连接线N，但是连接线CL可以布置为穿过第一像素电极210G的发射区域EA的中央部分。因此，可以改善显示设备的显示质量。
图13和图14是根据一些实施例的显示设备1的第二区域DA2的一部分的示意性平面图。图13与图3的区域C相对应，并且图14与图3的区域D相对应。
图13示出了第二区域DA2的其中布置有第一连接线CL1、第二连接线CL2和第三连接线CL3的部分，并且图14示出了第二区域DA2的其中布置有虚设线DM的部分。参照图13和图14，第一连接线CL1、第二连接线CL2和第三连接线CL3以及虚设线DM可以具有基本上相同的形状。即，第一连接线CL1、第二连接线CL2和第三连接线CL3以及虚设线DM可以在制造工艺中通过相同的工艺形成。
在制造工艺中，可以将用于形成第一连接线CL1、第二连接线CL2和第三连接线CL3以及虚设线DM的导电图案形成为与第二区域DA2的整个表面相对应。导电图案可以形成为在第二区域DA2的整个表面上具有网格形式。可以将导电图案的一部分断开，以便形成电隔离的第一连接线CL1、第二连接线CL2和第三连接线CL3以及虚设线DM。为了便于描述，图13示出了三条连接线CL1、CL2和CL3。然而，在各个实施例中，可以布置更多数量的连接线。
图13示出了多个第二像素P2r、P2g和P2b以及第一连接线CL1至第三连接线CL3。如上所述，第一连接线CL1的一部分至第三连接线CL3的一部分可以弯曲以避开多个第二像素P2r、P2g和P2b。
第一连接线CL1至第三连接线CL3可以大体上在第一方向(例如，x方向)和第二方向(例如，y方向)上延伸。第一连接线CL1至第三连接线CL3可以形成为大体上具有网格形式。然而，可以在第一连接线CL1至第三连接线CL3之间形成相应的第一断开部分dc1和第二断开部分dc2，并且因此，第一连接线CL1至第三连接线CL3可以施加不同的相应数据信号。根据一些实施例，可以在第一连接线CL1和第二连接线CL2之间形成多个第一断开部分dc1，并且可以在第二连接线CL2和第三连接线CL3之间形成多个第二断开部分dc2。
图13示出了第一断开部分dc1和第二断开部分dc2的宽度w与第一连接线CL1至第三连接线CL3的宽度基本上相同。然而，本公开不必限于此。第一断开部分dc1和第二断开部分dc2的宽度w可以与在相同方向上延伸的第一连接线CL1至第三连接线CL3之间的距离d1和d2相同，或者可以小于在相同方向上延伸的第一连接线CL1至第三连接线CL3之间的距离d1和d2。根据一些实施例，当第一断开部分dc1和第二断开部分dc2的宽度w与第一连接线CL1至第三连接线CL3之间的距离d1和d2相同时，会去除其中形成有第一断开部分dc1和第二断开部分dc2的分支部分bp。
图14示出了多个第二像素P2r、P2g和P2b以及虚设线DM。与上述第一连接线CL1至第三连接线CL3相似，虚设线DM的部分可以弯曲以避开多个第二像素P2r、P2g和P2b。
虚设线DM可以表示上述导电图案的与第一连接线CL1至第三连接线CL3断开并分离开的部分。第一连接线CL1至第三连接线CL3可以布置在第二区域DA2的与第一区域DA1相邻的部分上，并且虚设线DM可以布置在第二区域DA2的大多数其他部分上。根据一些实施例，因为虚设线DM形成为网格形式，所以可以将第一电源电压ELVDD施加到虚设线DM以使用虚设线DM作为驱动电压线。根据其他实施例，可以去除虚设线DM。
图15和图16是根据一些实施例的显示设备1的一部分的示意性平面图。图15和图16详细示出了在第一区域DA1和第二区域DA2之间的边缘处的线的连接结构，并且图15和图16分别与图4的区域E和区域F相对应。
参照图15和图16，第一像素P1可以布置在第一区域DA1中，并且第二像素P2可以布置在第二区域DA2中。根据一些实施例，可以不同地提供第一像素P1和第二像素P2。如图15和图16中所示，第一像素P1的发射区域可以大于第二像素P2的发射区域。第一区域DA1可以具有透射部分TA，并且因此，在第一区域DA1中可以布置比在第二区域DA2中更少数量的像素。因此，为了补偿第一区域DA1的亮度，第一像素P1的发射区域可以大于第二像素P2的发射区域。
在第一区域DA1中，可以交替地布置多个像素区域PA和多个透射部分TA，并且第一像素P1可以布置为与像素区域PA中的每一者相对应。根据一些实施例，多个第一像素P1r、P1g和P1b可以布置在像素区域PA中，并且多个第一像素P1r、P1g和P1b可以发射红光、绿光和蓝光中的任何一种。
如图15和图16中所示，第一数据线DL1和第二数据线DL2可以在第二区域DA2上在第一方向(例如，y方向)上朝向第一区域DA1延伸。在第一数据线DL1和第二数据线DL2中，第一数据线DL1可以不布置在第一区域DA1上，并且第一数据线DL1可以被断开，第一区域DA1位于断开的第一数据线DL1之间。因此，第一数据线DL1可以包括布置在第一区域DA1下方的第一线DL1a和布置在第一区域DA1上方的第二线DL1b。
如图15和图16中所示，连接线CL的一端可以通过第一接触孔CNT1连接到第一线DL1a，并且连接线CL的另一端可以通过第二接触孔CNT2连接到第二线DL1b。第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以定位在第一区域DA1的边缘部分中。第一区域DA1的边缘部分可以与其中未布置像素区域PA和透射部分TA的非显示区域相对应，并且连接线CL和第一数据线DL1可以通过第一区域DA1的该边缘部分彼此连接。
连接线CL的在第一方向(例如，y方向)上延伸的部分可以称为第一部分CLa，并且连接线CL的在第二方向(例如，x方向)上延伸的部分可以称为第二部分CLb。在此，两个第二像素P2可以在第二方向(例如，x方向)上布置在相邻的第一部分CLa之间。因此，连接线CL的各部分可以具有被弯曲以分别连接到第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2的一端和另一端，以便连接到第一数据线DL1。
第二数据线DL2可以如图15中所示地在第二区域DA2上朝向第一区域DA1延伸，或者可以如图16中所示地在第一区域DA1上朝向第二区域DA2延伸。即，第二数据线DL2可以在第一区域DA1上不断开，并且可以连续地形成。第二数据线DL2不仅可以连接到第二区域DA2中的第二像素P2，而且可以连接到第一区域DA1中的第一像素P1，以便传输数据信号。
图15和图16示出了各自包括三条数据线的第一数据线DL1和第二数据线DL2交替地布置。然而，本公开不限于此。
以上描述主要是关于显示设备给出的。然而，本公开不限于此。即，制造显示设备的方法也可以被包括在本公开的范围内。
根据上述一个或多个实施例，显示设备可以被实现为具有显示区域，将该显示区域扩大以在其中布置有组件的区域中显示图像。然而，本公开的范围不限于此。
应当理解的是，本文中描述的实施例应当仅在描述性的意义上考虑，并且不是出于限制的目的。对实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在将一个或多个实施例的功能性等同物包含在其中的情况下，在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (23)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括具有透射部分的第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；
第一数据线，在所述第二区域上在第一方向上延伸，并且包括彼此间隔开的第一线和第二线，所述第一区域位于所述第一线和所述第二线之间；
连接线，位于所述第二区域上，所述连接线与所述第一区域相邻并且绕过所述第一区域，并且所述连接线包括连接到所述第一线的一端和连接到所述第二线的另一端；
像素电路，位于所述第二区域上，所述像素电路包括薄膜晶体管和电连接到所述薄膜晶体管的节点连接线；以及
第一像素电极，位于所述像素电路上方，
其中，所述连接线与所述节点连接线间隔开。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述连接线与所述第一数据线位于不同的层处。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述连接线位于所述第一数据线上方。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：像素限定层，覆盖所述第一像素电极的边缘，并且所述像素限定层具有暴露所述第一像素电极的中央部分的开口，
其中，所述连接线在所述开口和所述节点连接线之间穿过。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：像素限定层，覆盖所述第一像素电极的边缘，并且所述像素限定层具有暴露所述第一像素电极的中央部分的开口，
其中，所述连接线与所述开口重叠。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述连接线与所述开口的中央部分重叠。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：位于所述第一像素电极上的包括绿色发光层的第一中间层。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：位于所述第二区域上并且与所述连接线间隔开的虚设线。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述虚设线具有网格形式。
10.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述虚设线配置为接收驱动电压。
11.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述虚设线和所述连接线连续地布置在所述第二区域的整个表面上，并且
其中，所述虚设线和所述连接线在所述第二区域的至少一部分上彼此断开，并且彼此电气断开。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：位于所述第二区域上的第二像素电极，
其中，所述连接线不与所述第二像素电极重叠。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：位于所述第二像素电极上的第二中间层，
其中，所述第二中间层包括红色发光层或蓝色发光层。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述连接线与所述第一像素电极至少部分地重叠，并且在平面上弯曲至少两次以不与所述第二像素电极重叠。
15.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：虚设线，位于所述第二区域上，所述虚设线与所述连接线间隔开，与所述第一像素电极至少部分地重叠，并且在平面上弯曲至少两次以不与所述第二像素电极重叠。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素电路包括：
第一薄膜晶体管，包括半导体层、与所述半导体层至少部分地重叠的栅极电极、以及位于所述栅极电极上方并且电连接到所述半导体层的电极层；
存储电容器，包括下部电极和位于所述下部电极上的上部电极，所述下部电极包括所述栅极电极；以及
连接金属，位于所述电极层上方，并且所述连接金属将所述电极层与所述第一像素电极电连接，
其中，所述第一数据线与所述电极层包括相同的材料，并且
其中，所述连接线与所述连接金属包括相同的材料。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述像素电路还包括：第二薄膜晶体管，
其中，所述节点连接线的一端接触所述栅极电极，并且
其中，所述节点连接线的另一端接触所述第二薄膜晶体管。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一薄膜晶体管包括驱动薄膜晶体管，并且
其中，所述第二薄膜晶体管包括补偿薄膜晶体管。
19.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：第二数据线，在所述第一方向上延伸，所述第二数据线与所述第一数据线间隔开，并且穿过所述第一区域和所述第二区域。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：辅助像素，位于所述第一区域上，并且所述辅助像素连接到所述第二数据线。
21.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：第三数据线，在所述第二区域上在所述第一方向上延伸，并且所述第三数据线与所述连接线至少部分地重叠。
22.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；
第一像素和第二像素，位于所述第二区域上并且在第一方向上布置，所述第一区域位于所述第一像素和所述第二像素之间；
数据线，在所述第二区域上在所述第一方向上延伸，并且所述数据线包括连接到所述第一像素的第一线和连接到所述第二像素的第二线；以及
连接线，位于所述第二区域上，所述连接线具有连接到所述第一线的一端和连接到所述第二线的另一端，并且所述连接线与所述数据线位于不同的层处。
23.根据权利要求22所述的显示设备，还包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和节点连接线，所述节点连接线将所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管电连接，并且不与所述连接线重叠，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述节点连接线位于所述第二区域上。
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