CN218831201U - 显示面板和显示设备 - Google Patents

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CN218831201U CN202222320687.XU CN202222320687U CN218831201U CN 218831201 U CN218831201 U CN 218831201U CN 202222320687 U CN202222320687 U CN 202222320687U CN 218831201 U CN218831201 U CN 218831201U
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金德会
南宫埈
文重守
朴亨埈
李在晟
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Abstract

提供了一种显示面板和一种显示设备。所述显示面板包括:基底,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;多个第二像素电路,布置在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件;多条连接线,分别将所述多个第二显示元件连接到所述多个第二像素电路;第一无机绝缘层,在所述基底上;下部有机绝缘层,在所述第一无机绝缘层上;以及第二无机绝缘层,在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上。

Description

显示面板和显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年9月8日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0119854号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的全部内容通过引用全部合并于此。
技术领域
本公开的实施例的一个或多个方面涉及显示面板和包括显示面板的显示设备,并且例如,涉及具有即使在布置有诸如电子元件的组件的区域中也显示图像的扩大的显示区域的显示面板以及包括该显示面板的显示设备。
背景技术
近来,显示设备的使用已多样化。例如,随着显示设备已经变得更薄和更轻巧,显示设备的使用已经逐渐扩展。
由于显示设备用于各种合适的用途,因此正在开发设计显示设备的形状的方法,并且可以与显示设备结合或链接到显示设备的功能的数量已经增加。
实用新型内容
本公开的实施例的一个或多个方面涉及一种具有扩大的显示区域以即使在布置有诸如电子元件的组件的区域中也显示图像的显示面板,以及包括所述显示面板的显示设备。然而,该目的是示例,并且不应限制本公开的范围。
附加方面将部分地在以下描述中阐述,并且部分地根据描述而明显,或者可以通过本公开的实施例的实践而获知。
根据一个或多个实施例,一种显示面板可以包括:基底,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;多个第二像素电路,在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件;多条连接线,分别将所述多个第二显示元件连接到所述多个第二像素电路;第一无机绝缘层,在所述基底上;下部有机绝缘层,在所述第一无机绝缘层上;以及第二无机绝缘层,在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上。
所述多条连接线可以包括布置在彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线。所述第一连接线与所述第二连接线可以至少部分地重叠,或者所述第一连接线和所述第二连接线可以在宽度上彼此不同。
所述多个第二像素电路中的每一个可以包括:第一薄膜晶体管,包括第一栅极电极和第一半导体层;以及第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极和第二半导体层,所述第二栅极电极与所述第一栅极电极布置在不同的层中。
所述第二无机绝缘层可以包括暴露所述下部有机绝缘层的上表面的开口,并且所述显示面板还可以包括:上部有机绝缘层,在所述第二无机绝缘层上,其中,所述上部有机绝缘层的在所述第二显示区域中的厚度小于所述上部有机绝缘层的在所述第一显示区域中的厚度;以及附加有机绝缘层,在所述第二显示区域中,其中,所述附加有机绝缘层不在所述第一显示区域中。
所述第二显示区域可以包括:在所述第二显示区域的一侧处的第一子区域、与所述第一子区域隔开的第三子区域以及在所述第一子区域和所述第三子区域之间的第二子区域。所述第一子区域中的所述多条连接线可以具有第一宽度,所述第二子区域中的所述多条连接线可以具有第二宽度,并且所述第三子区域中的所述多条连接线可以具有第三宽度。所述第三宽度可以大于所述第二宽度,并且所述第二宽度可以大于所述第一宽度。
所述显示面板还可以包括:第三显示区域,在所述第二显示区域的相对侧。所述第二像素电路可以在所述第三显示区域中,并且所述多条连接线可以从所述第三显示区域延伸到所述第二显示区域。
根据一个或多个实施例,一种显示面板可以包括:基底,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;多个第二像素电路,在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件;第一连接线和第二连接线,分别将所述多个第二显示元件和所述多个第二像素电路彼此连接;第一绝缘层,在所述第二显示区域中;以及第二绝缘层,在所述第一绝缘层上。所述第一连接线可以在所述第一绝缘层上,所述第二连接线可以在所述第二绝缘层上,并且所述第一连接线和所述第二连接线可以在宽度上彼此不同。
所述第二显示区域可以包括:在所述第二显示区域的一侧处的第一子区域、与所述第一子区域隔开的第三子区域以及在所述第一子区域和所述第三子区域之间的第二子区域。所述第一子区域中的所述第一连接线可以具有第一宽度,所述第二子区域中的所述第一连接线可以具有第二宽度,并且所述第三子区域中的所述第一连接线可以具有第三宽度。所述第三宽度可以大于所述第二宽度,并且所述第二宽度可以大于所述第一宽度。
根据一个或多个实施例,一种显示设备可以包括:显示面板,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;以及组件,在所述显示面板下方并且与所述第二显示区域相对应。所述显示面板还可以包括:基底;多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;多个第二像素电路,分别连接到所述多个第二显示元件;多条连接线,分别将所述多个第二显示元件和所述多个第二像素电路彼此连接;第一无机绝缘层,在所述基底上;下部有机绝缘层,在所述第一无机绝缘层上;以及第二无机绝缘层,在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上。所述第二无机绝缘层可以包括暴露所述下部有机绝缘层的上表面的开口。
所述多个第二像素电路可以在所述第二显示区域的外部。所述多条连接线可以包括布置在彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线。所述第一连接线可以与所述第二连接线至少部分地重叠,或者所述第一连接线和所述第二连接线可以在宽度上彼此不同。
所述显示设备还可以包括:上部有机绝缘层,在所述第二无机绝缘层上,其中,所述上部有机绝缘层的在所述第二显示区域中的厚度小于所述上部有机绝缘层的在所述第一显示区域中的厚度;以及附加有机绝缘层,在所述第二显示区域中。所述下部有机绝缘层可以在所述第一显示区域中,并且所述附加有机绝缘层可以不在所述第一显示区域中。
根据一个或多个实施例,一种显示面板可以包括:基底,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域以及包含多个第二显示元件的第二显示区域;多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;多个第二像素电路,在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件;多条连接线,分别将所述多个第二显示元件连接到所述多个第二像素电路;第一无机绝缘层,在所述基底上;下部有机绝缘层,在所述第一无机绝缘层上;以及第二无机绝缘层,在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上,其中,所述第二无机绝缘层具有暴露所述下部有机绝缘层的上表面的开口。
所述多条连接线可以包括布置在(例如,在厚度方向上的高度)彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线,并且所述第一连接线和所述第二连接线可以包括彼此不同的材料。
所述第一连接线可以包括金属,并且所述第二连接线可以包括透明导电氧化物。
所述第一连接线可以包括被包含在所述第二像素电路中的导电材料料。
所述多个第二像素电路中的每一个可以包括:第一薄膜晶体管,包括第一栅极电极和第一半导体层,所述第一半导体层包括硅半导体;以及第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极和第二半导体层,所述第二栅极电极与所述第一栅极电极布置在不同的层中,并且所述第二半导体层包括氧化物半导体,并且所述第一连接线可以与所述第一栅极电极、所述第一半导体层、所述第二栅极电极和所述第二半导体层中的至少一个包括相同的材料。
所述显示面板还可以包括:上部有机绝缘层,在所述第二无机绝缘层上(例如,覆盖所述第二无机绝缘层),其中,所述上部有机绝缘层的在所述第二显示区域中的厚度小于所述上部有机绝缘层的在所述第一显示区域中的厚度。
所述显示面板还可以包括:附加有机绝缘层,在所述第二显示区域中,其中,所述附加有机绝缘层不在所述第一显示区域中。
所述第二显示区域可以包括在所述第二显示区域的一侧处的第一子区域、与所述第一子区域隔开的第三子区域以及在所述第一子区域和所述第三子区域之间的第二子区域,所述第一子区域中的所述多条连接线可以具有第一宽度,所述第二子区域中的所述多条连接线可以具有第二宽度,并且所述第三子区域中的所述多条连接线可以具有第三宽度,并且所述第三宽度可以大于所述第二宽度,并且所述第二宽度可以大于所述第一宽度。
所述显示面板还可以包括在所述第二显示区域的相对侧(例如,右侧和左侧)的第三显示区域,其中,所述第二像素电路在所述第三显示区域中,并且所述多条连接线从所述第三显示区域延伸到所述第二显示区域。
所述多条连接线可以包括在宽度上彼此不同的第一连接线和第二连接线。
所述多条连接线可以包括布置在(例如,在厚度方向上的高度)彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线,所述第一连接线与所述第二连接线至少部分地重叠。
根据一个或多个实施例,一种显示面板可以包括:基底,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;多个第二像素电路,在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件;第一连接线和第二连接线,分别将所述多个第二显示元件和所述多个第二像素电路彼此连接;第一绝缘层,在所述第二显示区域中;以及第二绝缘层,在所述第一绝缘层上,其中,所述第一连接线在所述第一绝缘层上,所述第二连接线在所述第二绝缘层上,所述第一连接线和所述第二连接线包括彼此不同的材料,并且所述第一连接线和所述第二连接线在宽度上彼此不同。
所述第一连接线可以包括金属,并且所述第二连接线可以包括透明导电氧化物。
所述第二显示区域可以包括在所述第二显示区域的一侧处的第一子区域、与所述第一子区域隔开的第三子区域以及在所述第一子区域和所述第三子区域之间的第二子区域,所述第一子区域中的所述第一连接线可以具有第一宽度,所述第二子区域中的所述第一连接线可以具有第二宽度,并且所述第三子区域中的所述第一连接线可以具有第三宽度,并且所述第三宽度可以大于所述第二宽度,并且所述第二宽度可以大于所述第一宽度。
根据一个或多个实施例,一种显示设备可以包括:显示面板,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;和组件,在所述显示面板下方并且与所述第二显示区域相对应,其中,所述显示面板还包括:基底;多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;多个第二像素电路,在所述第二显示区域的外部,并且分别连接到所述多个第二显示元件;多条连接线,分别将所述多个第二显示元件和所述多个第二像素电路彼此连接;第一无机绝缘层,在所述基底上;下部有机绝缘层,布置在所述第一无机绝缘层上;以及第二无机绝缘层,在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上,其中,所述第二无机绝缘层具有暴露所述下部有机绝缘层的上表面的开口。
所述多条连接线可以包括布置在(例如,在厚度方向上的高度)彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线,并且所述第一连接线和所述第二连接线可以包括彼此不同的材料。
所述显示设备还可以包括:上部有机绝缘层,在所述第二无机绝缘层上(例如,覆盖所述第二无机绝缘层),其中,所述上部有机绝缘层的在所述第二显示区域中的厚度小于所述上部有机绝缘层的在所述第一显示区域中的厚度。
所述显示设备还可以包括在所述第二显示区域中的附加有机绝缘层,其中,所述下部有机绝缘层在所述第一显示区域中,并且所述附加有机绝缘层不在所述第一显示区域中。
所述多条连接线可以包括在宽度上彼此不同的第一连接线和第二连接线。
所述多条连接线可以包括布置在(例如,在厚度方向上的高度)彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线,所述第一连接线与所述第二连接线至少部分地重叠。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述,特定实施例的上述和其它方面、特征和优点将变得更加明显,在附图中:
图1是示意性地示出根据一个或多个实施例的显示设备的透视图;
图2是示意性地示出根据一个或多个实施例的显示设备的一部分的截面图;
图3是示意性地示出根据一个或多个实施例的可以被包括在图1的显示设备中的显示面板的平面图;
图4是示意性地示出根据一个或多个实施例的可以被包括在图1的显示设备中的显示面板的平面图;
图5是图4的显示面板的示意性截面图;
图6是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;
图7是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;
图8是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;
图9是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;
图10是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性平面布局图;
图11是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性平面布局图;
图12是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;
图13是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;
图14是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;
图15是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图;以及
图16是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图。
具体实施方式
现在将更详细地参照实施例,实施例的示例在附图中示出,其中,在本公开中,同样的附图标记始终表示同样的元件,并且可以不提供其重复描述。在这点上,本公开的实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为局限于在本文中所阐述的描述。因此,以下仅通过参照附图来描述实施例以说明本公开的描述的方面。如在本文中所使用的,术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。如在本文中所使用的,当诸如“……中的至少一个”、“……中的一个”和“选自……”的表述一列元件(元素)之前/之后时,修饰整个此列元件并且不修饰此列中的单独的元件。例如,在本公开中,表述“a、b和c中的至少一个”可以指示仅a、仅b、仅c,a和b两者(例如,同时),a和c两者(例如,同时),b和c两者(例如,同时),a、b和c的全部或其变型。此外,当描述本公开的实施例时,“可以”的使用表示“本公开的一个或多个实施例”。
本文中所使用的术语仅出于描述特定示例实施例的目的,并且不旨在对本文中所描述的示例实施例进行限制。
将理解的是,尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区间隔开。因此,在不脱离本公开的教导的情况下,第一元件可以被命名为第二元件。类似地,第二元件可以命名为第一元件。如本文中所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式也旨在包括复数形式。
如本文中所使用的,除非上下文另外明确指出,否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也旨在包括复数形式。
将进一步理解的是,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“包含”、“具有”和/或“有”说明存在所陈述的特征、步骤、操作、元件和/或组件,但是不排除存在或附加一个或多个其它特征、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
如本文中所使用的,术语“使用”可以被视为与术语“利用”同义。
如本文中所使用的,术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而非程度术语,并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差。考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的局限性),如本文中所使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值,并且指在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围之内。例如,“大约”可以指在一个或多个标准偏差内,或者在所陈述的值的±30%、±20%、±10%或±5%之内。
本文中所列举的任意数值范围旨在包括在列举的范围之内的相同数值精度的所有子范围。例如,“1.0至10.0”的范围旨在包括列举的最小值1.0和列举的最大值10.0之间(并且包含列举的最小值1.0和列举的最大值10.0)的所有子范围,即,具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值,诸如,例如2.4至7.6。本文中所列举的任意最大数值限制旨在包括包含在其中的所有较低的数值限制,并且本说明书中所列举的任意最小数值限制旨在包括包含在其中的所有较高的数值限制。因此,申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利,以明确列举包含在本文中所明确列举的范围之内的任意子范围。
然而,本公开可以以许多不同的形式体现并且不应被解释为局限于本文中所阐述的实施例。本公开的效果和特征以及用于实现本公开的效果和特征的方法将参照在本文中参照附图更详细地描述的实施例来阐明。然而,本公开的实施例可以以一种或多种合适的形式来实现,而不限于所呈现的实施例。
在下文中,将参照附图描述实施例,在附图中,同样的附图标记始终表示同样的元件,并且在本公开中可能不提供对同样的元件的重复描述,并且省略对同样的元件的重复描述。
将理解的是,当诸如层、膜、区或板的组件被称为“在”另一组件“上”时,所述组件可以直接在所述另一组件上(例如,在所述组件和所述另一组件之间不存在居间组件),或者在所述组件和所述另一组件之间可以存在居间组件。在附图中,为了便于说明,附图中的组件的尺寸可能被夸大或缩小。例如,由于为了便于描述而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度,因此以下实施例不限于此。
为了便于说明,在本文中可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”、“底部”和“顶部”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是,除了附图中所描绘的方位之外,空间相对术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果装置在一幅附图中被翻转,则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为在其它元件或特征“上方”或“之上”。因此,术语“下方”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位处),并且应当相应地解释本文中所使用的空间相对描述语。
在以下实施例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更广泛的含义进行解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直(或基本上垂直),或者可以表示彼此不垂直(或基本上不垂直)的不同方向。
图1是示意性地示出根据一个或多个实施例的显示设备1的透视图。
参照图1,显示设备1可以包括显示区域DA和显示区域DA外部的外围区域DPA。显示区域DA可以包括第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。第一显示区域DA1可以布置为至少部分地围绕第二显示区域DA2。第一显示区域DA1可以是主显示区域,并且第二显示区域DA2可以是组件区域和/或辅助显示区域,组件区域具有布置在其中的组件。例如,第一显示区域DA1和第二显示区域DA2可以单独或一起(例如,同时或并发地)显示图像。外围区域DPA可以是不布置显示元件的非显示区域。显示区域DA可以被外围区域DPA完全围绕。
在图1中,布置有组件的单个第二显示区域DA2定位在第一显示区域DA1中。在一个或多个其它实施例中,显示设备1可以包括两个或更多个第二显示区域DA2,并且第二显示区域DA2的形状和大小可以彼此不同。当从与显示设备1的上表面大致垂直(例如,正交)的方向观察时,第二显示区域DA2可以具有一种或多种合适的形状,诸如,圆形形状、椭圆形形状或者诸如四边形、星形形状和/或菱形形状的多边形形状。在一些实施例中,例如,如图1中所示,当从与显示设备1的上表面大致垂直(例如,正交)的方向(例如,在平面图中)观察时,第二显示区域DA2布置在具有大致圆形形状和/或四边形形状的第一显示区域DA1(在+y方向上)的上部中心部分处。然而,第二显示区域DA2也可以布置在具有圆形形状和/或四边形形状的第一显示区域DA1的一侧,例如右上侧或左上侧。
显示设备1可以通过利用多个像素来提供图像。像素可以包括能够显示红色、绿色和/或蓝色的子像素。像素可以包括一组多个子像素。
子像素可以被实现为(例如,可以包括)单个显示元件的发射区域。显示元件可以包括像素电极(阳极)、相对电极(阴极)以及布置在像素电极和相对电极之间的发射层,并且发射区域可以被限定为其中发射层发射(例如,被配置为发射)光的区域。在一个或多个实施例中,发射区域可以被限定为像素限定层的覆盖像素电极的边缘并且暴露像素电极的中心部分的开口区域。类似地,子像素可以被限定为像素限定层的开口区域。
发射层可以包括能够基本上显示红色、绿色和/或蓝色的有机材料。根据第一电极(阳极)和第二电极(阴极)的重叠区域,发射层可以包括发射(例如,被配置为发射)光的发射区域和不发射光的非发射区域。
在本公开中,可以以与子像素基本上相同的方式(例如,出于基本上相同的目的)来利用像素。例如,像素可以被实现为(例如,可以包括)单个显示元件的发射区域。在一些实施例中,可以以与显示元件基本上相同的方式(例如,出于基本上相同的目的)来利用像素或子像素。
显示设备1可以通过利用布置在第一显示区域DA1中的多个第一像素Pm和布置在第二显示区域DA2中的多个第二像素Pa来提供图像。
多个第二像素Pa可以布置在第二显示区域DA2中。多个第二像素Pa可以发射(例如,可以被配置为发射)光以提供图像。在第二显示区域DA2中显示的图像可以包括辅助图像,并且可以具有小于在第一显示区域DA1中显示的图像的分辨率的分辨率。
作为电子元件的组件40(参见图2)可以在第二显示区域DA2中布置显示面板10(参见图2)下方。组件40包括使用红外光或可见光的相机,并且可以包括成像装置。在一些实施例中,组件40可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近度传感器或虹膜传感器。在一些实施例中,组件40可以具有接收声音(例如,可以能够接收声音)的功能。为了使对组件40的功能的限制最小化或减少对组件40的功能的限制,用于驱动布置在第二显示区域DA2中的第二像素Pa的第二像素电路可以布置在第三区域AR3(参见图5)中,并且不布置在第二显示区域DA2中。在一个或多个实施例中,第三区域AR3可以是外围区域DPA。在一个或多个其它实施例中,第三区域AR3可以是布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间以提供(例如,显示)图像的显示区域。
在根据一个或多个实施例的显示面板和包括该显示面板的显示设备中,当光通过第二显示区域DA2透射时,光透射率可以是大约10%或更高,例如,大约40%或更高、大约25%或更高、大约50%或更高、大约85%或更高或者大约90%或更高。
图2是示意性地示出根据一个或多个实施例的显示设备1的一部分的截面图。
参照图2,显示设备1可以包括显示面板10和与显示面板10重叠的组件40。用于保护显示面板10的覆盖窗可以进一步布置在显示面板10上。
显示面板10可以包括作为与组件40重叠的区域的第二显示区域DA2和显示主图像的第一显示区域DA1。显示面板10可以包括基底100、基底100上的显示层DISL、触摸屏幕层TSL、光学功能层OFL和基底100下方的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括电路层PCL、显示元件层和诸如薄膜封装层TFEL或封装基底的封装构件ENCM。电路层PCL可以包括薄膜晶体管TFTm和TFTa,并且显示元件层可以包括作为显示元件的第一显示元件EDm和第二显示元件EDa。绝缘层IL'可以布置在基底100和显示层DISL之间,并且绝缘层IL可以布置在显示层DISL中。
基底100可以包括绝缘材料,诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂。基底100可以包括刚性基底或可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性基底。
第一像素电路PCm和连接(例如,电耦接)到第一像素电路PCm的第一显示元件EDm可以布置在显示面板10的第一显示区域DA1中。第一像素电路PCm可以包括至少一个薄膜晶体管TFTm并且可以控制第一显示元件EDm的发射。第一像素Pm可以通过由(从)第一显示元件EDm的发射来实现。
第二显示元件EDa可以布置在显示面板10的第二显示区域DA2中以实现第二像素Pa。第二显示区域DA2是辅助显示区域,并且第二显示区域DA2的分辨率可以小于第一显示区域DA1的分辨率。例如,每单位面积的布置在第二显示区域DA2中的第二显示元件EDa的数量可以小于每单位面积的布置在第一显示区域DA1中的第一显示元件EDm的数量。
在本实施例中,用于驱动(例如,驱动)第二显示元件EDa的第二像素电路PCa可以布置在第二显示元件EDa外部,并且可以不在第二显示区域DA2中。在一个或多个实施例中,第二像素电路PCa可以不布置在第二显示区域DA2中,但是可以布置在外围区域DPA中。在一个或多个其它实施例中,第二像素电路PCa可以布置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的第三显示区域DA3(参见图4)中,并且可以进行一种或多种合适的修改。例如,第二像素电路PCa可以布置为与第二显示元件EDa不重叠。
第二像素电路PCa可以包括至少一个薄膜晶体管TFTa,并且可以通过利用连接线CWL电连接(例如,电耦接)到第二显示元件EDa。第二像素电路PCa可以控制由(从)第二显示元件EDa的发射。第二像素Pa可以通过由(从)第二显示元件EDa的发射来实现。
在一些实施例中,第二显示区域DA2可以包括透射区域,从组件40发射或入射到组件40上的光/声音可以通过该透射区域透射。第二显示区域DA2的透射区域可以包括第二显示区域DA2的其中不布置第二显示元件EDa的像素电极(阳极)的其余区域。透射区域可以包括除了第二显示元件EDa发射(例如,被配置为发射)光的区域之外的区域。透射区域可以包括各个第二像素Pa之间的区域。透射区域可以包括各个第二显示元件EDa之间的区域。
可以被包括在绝缘层IL和IL'中的诸如缓冲层和/或栅极绝缘层的无机绝缘层可以布置在透射区域中。透射区域可以包括可以被包含在绝缘层IL和IL'中的有机绝缘层。相对电极(阴极)可以布置在透射区域中。薄膜封装层TFEL的无机封装层和/或有机封装层可以布置在透射区域中。包括金属和/或透明导电材料的线可以布置在透射区域中。基底100、偏振器、粘合剂、窗和面板保护构件PB可以布置在透射区域中。
因为第二像素电路PCa不设置在第二显示区域DA2中,每单位面积的布置在第二显示区域DA2中的第二显示元件EDa的数量小于每单位面积的布置在第一显示区域DA1中的第一显示元件EDm的数量,所以第二显示区域DA2的透光率可以是高的(或合适的)。
作为显示元件的第一显示元件EDm和第二显示元件EDa可以被薄膜封装层TFEL和/或封装基底覆盖。在一些实施例中,薄膜封装层TFEL可以包括如图2中所示的至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在一个或多个实施例中,薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及第一无机封装层131和第二无机封装层133之间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可以各自独立地包括一种或多种无机绝缘材料,诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)和/或氧化铪(HfO2),并且可以通过化学气相沉积(CVD)等形成。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯等。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以一体地形成为单个整体以覆盖第一显示区域DA1和第二显示区域DA2。
当作为显示元件的第一显示元件EDm和第二显示元件EDa被封装基底密封时,封装基底可以布置为面向基底100,显示元件介于封装基底和基底100之间。封装基底和显示元件可以在封装基底和显示元件之间具有间隙。封装基底可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以布置在基底100和封装基底之间,并且密封剂可以布置在外围区域DPA中。布置在外围区域DPA中的密封剂在位于显示区域DA的周围(例如,围绕显示区域DA)的同时,可以防止或减少水(例如,湿气)通过显示区域DA的侧表面的渗透。
触摸屏幕层TSL可以基于外部输入(例如,触摸事件)获得坐标信息。触摸屏幕层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏幕层TSL可以基于磁电容法和/或互电容法检测外部输入。
触摸屏幕层TSL可以被提供在薄膜封装层TFEL上。在一些实施例中,触摸屏幕层TSL可以单独形成在触摸基底上,并且然后可以利用由诸如光学透明粘合剂(OCA)的粘合剂形成的层耦接到薄膜封装层TFEL上。在一个或多个实施例中,触摸屏幕层TSL可以直接提供在薄膜封装层TFEL上,在这种情况下,在触摸屏幕层TSL和薄膜封装层TFEL之间可以没有粘合剂层。
光学功能层OFL可以包括防反射层。防反射层可以降低从外部朝向显示设备1入射的光(例如,外部光)的反射率。在一些实施例中,光学功能层OFL可以包括偏振膜。在一些实施例中,光学功能层OFL可以被提供为包括黑矩阵和滤色器的滤光板。
面板保护构件PB可以附接到基底100的下表面以支撑和保护基底100。面板保护构件PB可以具有与第二显示区域DA2对应的开口PB_OP。通过在面板保护构件PB中提供开口PB_OP,可以改善第二显示区域DA2的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和/或聚酰亚胺(PI)。
被提供在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以不对应于(例如,可以小于)第二显示区域DA2的面积。然而,本公开不限于此。例如,面板保护构件PB可以不具有开口PB_OP,并且可以连续地布置以与第二显示区域DA2相对应。
在一些实施例中,多个组件40可以布置在第二显示区域DA2中。多个组件40可以具有彼此不同的功能。例如,多个组件40可以包括相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近度传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
图3是示意性地示出根据一个或多个实施例的可以被包括在图1的显示设备1中的显示面板10的平面图。
参照图3,包括在显示面板10中的一个或多个合适的元件可以布置在基底100上。基底100可以包括显示区域DA和显示区域DA周围(例如,围绕显示区域DA)的外围区域DPA。显示区域DA可以包括显示主图像的第一显示区域DA1和显示辅助图像的第二显示区域DA2。辅助图像可以与主图像一起构成一个完整的(例如,整体的)图像,或者可以是独立于主图像的图像。
多个第一像素Pm可以布置在第一显示区域DA1中。第一像素Pm中的每一个可以被实现为(例如,可以包括)诸如有机发光二极管的显示元件。用于驱动第一像素Pm的第一像素电路PCm可以布置在第一显示区域DA1中,并且可以布置为与第一像素Pm重叠。第一像素Pm中的每一个可以发射(例如,可以被配置为发射)例如红光、绿光、蓝光和/或白光。第一显示区域DA1可以被封装构件覆盖并且被保护免受环境空气和/或湿气等的影响。
如上所述,第二显示区域DA2可以在第一显示区域DA1的一侧,或者可以布置在显示区域DA中并且被第一显示区域DA1围绕。多个第二像素Pa可以布置在第二显示区域DA2中。多个第二像素Pa中的每一个可以被实现为(例如,可以包括)诸如有机发光二极管的显示元件。用于驱动第二像素Pa的第二像素电路PCa可以布置在靠近第二显示区域DA2的外围区域DPA中。例如,当第二显示区域DA2布置在显示区域DA的上侧时,第二像素电路PCa可以布置在外围区域DPA的上侧。第二像素电路PCa和实现第二像素Pa(例如,被包括在第二像素Pa中)的显示元件可以通过利用在y方向上延伸的连接线CWL彼此连接(例如,电耦接)。第二像素Pa中的每一个可以发射(例如,可以被配置为发射)例如红光、绿光、蓝光和/或白光。第二显示区域DA2可以被封装构件覆盖并且被保护免受环境空气和/或湿气等的影响。
第二显示区域DA2的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如,第一显示区域DA1的分辨率可以是大约400ppi或更高,并且第二显示区域DA2的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi。
用于驱动第一像素Pm和第二像素Pa的像素电路中的每一个可以电连接到布置在外围区域DPA中的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子单元PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13可以布置在外围区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以经由主扫描线SL将扫描信号传输到用于驱动第一像素Pm的第一像素电路PCm(例如,可以被配置为经由主扫描线SL将扫描信号传输到用于驱动第一像素Pm的第一像素电路PCm)。第一扫描驱动电路SDRV1可以经由主发射控制线EL将发射控制信号传输到第一像素电路PCm中的每一个(例如,可以被配置为经由主发射控制线EL将发射控制信号传输到第一像素电路PCm中的每一个)。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于第一显示区域DA1定位在第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧,并且可以与第一扫描驱动电路SDRV1大致平行(例如,基本上平行)。第一显示区域DA1中的第一像素Pm的一些像素电路(例如,第一像素电路PCm)可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1,并且其余的像素电路(例如,第一像素电路PCm)可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。
端子单元PAD可以布置在基底100的一侧。端子单元PAD可以被暴露,而不是被绝缘层覆盖,以连接(例如,电耦接)到显示电路板30。显示驱动单元32可以布置在显示电路板30中。
显示驱动单元32可以产生待传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动单元32可以产生数据信号,并且产生的数据信号可以经由扇出线FW和连接到扇出线FW的主数据线DL传输到第一像素电路PCm。
显示驱动单元32可以将驱动电压施加到驱动电压供应线11,并且可以将公共电压施加到公共电压供应线13。驱动电压可以通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL被施加到第一像素Pm和第二像素Pa的像素电路(例如,第一像素电路PCm和第二像素电路PCa),并且公共电压可以通过公共电压供应线13被施加到显示元件的相对电极。
在平面图中,驱动电压供应线11可以在第一显示区域DA1下方在x方向上延伸。公共电压供应线13可以具有一侧开口的环形形状,以部分地围绕第一显示区域DA1。
在图3中,示出了一个第二显示区域DA2,但是可以提供多个第二显示区域DA2。在这种情况下,多个第二显示区域DA2可以彼此隔开(例如,间隔开),并且第一相机可以布置为与一个第二显示区域DA2相对应,并且第二相机可以布置为与另一第二显示区域DA2相对应。在一些实施例中,相机可以布置为与一个第二显示区域DA2相对应,并且红外传感器可以布置为与另一第二显示区域DA2相对应。多个第二显示区域DA2可以具有不同的形状和/或不同的尺寸。
在一些实施例中,第二显示区域DA2可以被提供为圆形形状、椭圆形形状、多边形形状和/或不规则形状。在一些实施例中,第二显示区域DA2可以被提供为八边形形状。第二显示区域DA2可以被提供为任意合适的多边形形状,诸如四边形形状和/或六边形形状。第二显示区域DA2可以在第一显示区域DA1周围(例如,可以被第一显示区域DA1围绕)。
图4是示意性地示出根据一个或多个实施例的可以被包括在图1的显示设备1中的显示面板10的平面图。图5是图4的显示面板10的示意性截面图。在图4和图5中,与图2和图3的附图标记相同的附图标记指代相同的元件,并且不提供对相同的元件的重复描述。
参照图4和图5,基底100的显示区域DA可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2以及在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2之间的第三显示区域DA3。
第一显示区域DA1可以包括显示主图像的区域。第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可以包括显示辅助图像的区域。辅助图像可以与主图像一起构成一个完整的(例如,整体的)图像,或者可以是独立于主图像的图像。
第三显示区域DA3可以布置在第二显示区域DA2的至少一侧处(例如,上)。在图4中,第三显示区域DA3布置在第二显示区域DA2的左侧和右侧,但是本公开不限于此。第三显示区域DA3可以布置在第二显示区域DA2的上方或下方,或者可以布置为围绕第二显示区域DA2,并且可以进行一种或多种合适的修改。
多个第三像素Pt可以布置在第三显示区域DA3中。第三像素Pt中的每一个可以被实现为(例如,可以包括)诸如有机发光二极管的显示元件。用于驱动第三像素Pt(包括第三显示元件EDt)的第三像素电路PCt可以布置在第三显示区域DA3中,并且可以布置为与第三像素Pt重叠。第三像素Pt中的每一个可以发射(例如,可以被配置为发射)例如红光、绿光、蓝光和/或白光。第三显示区域DA3可以被封装构件覆盖并且被保护免受环境空气和/或湿气等的影响。
用于驱动第二显示区域DA2的第二像素Pa的第二像素电路PCa可以布置在第三显示区域DA3中。例如,第三显示区域DA3可以用作上述第三区域AR3。第二像素电路PCa和第三像素Pt可以在第三显示区域DA3中交替地布置。第二像素电路PCa和第二显示元件EDa可以通过利用在x方向上延伸的连接线CWL彼此连接,第二显示元件EDa实现第二像素Pa(例如,被包括在第二像素Pa中)。
第三显示区域DA3的分辨率可以与第二显示区域DA2的分辨率相同。在一些实施例中,第三显示区域DA3的分辨率可以大于第二显示区域DA2的分辨率并且可以小于第一显示区域DA1的分辨率。
例如,第三显示区域DA3的分辨率可以是第一显示区域DA1的分辨率的大约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如,第一显示区域DA1的分辨率可以是大约400ppi或更高,并且第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的每一者的分辨率可以是大约200ppi或大约100ppi。
在一个或多个实施例中,第一像素电路PCm、第二像素电路PCa和第三像素电路PCt可以基本上相同。然而,本公开不限于此。第一像素电路PCm、第二像素电路PCa和第三像素电路PCt可以不同,并且可以进行一种或多种合适的修改。
图6是示出根据一个或多个实施例的显示面板10的一部分的示意性截面图,并且是示意性地示出第一显示区域DA1的一部分的截面图。
参照图6,第一像素电路PCm可以在显示面板10的第一显示区域DA1中布置在基底100上,并且有机发光二极管OLED可以布置为连接到第一像素电路PCm的第一显示元件EDm(参见图5)。在一些实施例中,下部导电层BML可以进一步布置在基底100和第一像素电路PCm之间。
根据本实施例的第一像素电路PCm可以包括包含硅半导体的第一薄膜晶体管TFT1和包含氧化物半导体的第二薄膜晶体管TFT2。第一像素电路PCm还可以包括存储电容器Cst。
第一薄膜晶体管TFT1可以包括包含硅半导体的第一半导体层AS1和与第一半导体层AS1绝缘的第一栅极电极GE1。第一薄膜晶体管TFT1可以包括第一源极电极SE1和第一漏极电极DE1,并且第一源极电极SE1和/或第一漏极电极DE1可以连接到第一半导体层AS1。第一薄膜晶体管TFT1可以用作驱动薄膜晶体管。
第二薄膜晶体管TFT2可以包括包含氧化物半导体的第二半导体层AO2和与第二半导体层AO2绝缘的第二栅极电极GE2。第二薄膜晶体管TFT2可以包括第二源极电极SE2和第二漏极电极DE2,并且第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以连接到第二半导体层AO2。第二薄膜晶体管TFT2可以用作开关薄膜晶体管。在一些实施例中,第二薄膜晶体管TFT2可以是除了驱动薄膜晶体管之外的任意合适的薄膜晶体管。
在一个或多个实施例中,用作驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管TFT1的第一半导体层AS1可以包括具有优异的或合适的可靠性的多晶硅,并且用作开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管TFT2的第二半导体层AO2可以包括具有低漏电流的氧化物半导体。
例如,直接影响显示元件的亮度的驱动薄膜晶体管可以包括包含具有高可靠性的多晶硅的半导体层,并且因此可以实现高分辨率的显示设备。
包括氧化物半导体的薄膜晶体管具有高载流子迁移率和低漏电流,并且因此,即使当驱动时间长时,薄膜晶体管的电压降也不大。因此,在包括氧化物半导体的薄膜晶体管中,即使在低频驱动期间,根据电压降的图像的颜色变化也不大,并且因此低频驱动是可能的。因此,与当被包括在驱动电路中的所有薄膜晶体管包括包含多晶硅的半导体层时相比,当驱动电路包括包含具有氧化物半导体的半导体层的薄膜晶体管时,功耗可以更低。
在本实施例中,除了驱动薄膜晶体管之外的其余的薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管包括包含氧化物半导体的有源层,并且因此可以降低显示设备的功耗。
在一些实施例中,根据一个或多个实施例,与第一薄膜晶体管TFT1重叠的下部导电层BML可以布置在第一薄膜晶体管TFT1下方。可以将恒定电压施加到下部导电层BML。因为下部导电层BML布置在第一薄膜晶体管TFT1下方,所以第一薄膜晶体管TFT1受周围干扰信号的影响较小,并且因此可以进一步改善显示设备的可靠性。
在一些实施例中,有机发光二极管用作显示元件。然而,在其它实施例中,无机发光元件或量子点发光元件可以用作显示元件。
在下文中,描述包括在显示面板10中的元件的堆叠结构。
基底100可以包括绝缘材料,诸如玻璃、石英和/或聚合物树脂。基底100可以包括刚性基底或者可弯曲、可折叠和/或可卷曲的柔性基底。基底100可以具有上述材料(多种材料)的单层或多层结构,并且当基底100具有多层结构时,基底100还可以包括无机层。在一些实施例中,基底100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
缓冲层111可以在基底100上以减少或阻止异物、湿气和/或环境空气从基底100下方渗透,并且可以在基底100上提供合适的平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物和/或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合材料,并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。在一些实施例中,缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)。
下部导电层BML可以布置在基底100和缓冲层111之间。下部导电层BML可以包括导电材料。在一些实施例中,下部导电层BML可以包括透明导电材料。例如,下部导电层BML可以包括导电氧化物,诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。下部导电层BML可以布置为与第一薄膜晶体管TFT1重叠,并且可以将恒定电压施加到下部导电层BML。在基底100和下部导电层BML之间可以进一步包括用于阻挡或减少环境空气的渗透的阻挡层。阻挡层可以包括诸如氧化物和/或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合材料,并且可以包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
包括硅半导体的第一半导体层AS1可以布置在缓冲层111上,并且第一半导体层AS1可以包括多晶硅和/或非晶硅。第一半导体层AS1可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域,源极区域和漏极区域被掺杂有杂质。
可以提供第一栅极绝缘层112以覆盖第一半导体层AS1。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料,诸如SiO2、SiNx、氮氧化硅(SiOxNy)、Al2O3和/或TiO2。第一栅极绝缘层112可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅极电极GE1可以布置在第一栅极绝缘层112上以与第一半导体层AS1重叠。第一栅极电极GE1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等,并且可以包括单层或多层。例如,第一栅极电极GE1可以是单个Mo层。
可以提供第二栅极绝缘层113以覆盖第一栅极电极GE1。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料,诸如SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3和/或TiO2。第二栅极绝缘层113可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst可以被提供在第一栅极电极GE1上以与第一栅极电极GE1重叠。存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。第二栅极绝缘层113可以布置在下电极CE1和上电极CE2之间。在这种情况下,第一栅极电极GE1不仅可以执行作为第一薄膜晶体管TFT1的栅极电极的功能,而且还可以作为存储电容器Cst的下电极CE1。例如,第一栅极电极GE1和下电极CE1可以被一体地提供为单个整体。上电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层113上以与下电极CE1至少部分地重叠。
第一线WL1和下栅极电极BGE可以布置在第二栅极绝缘层113上。第一线WL1可以将待传输的信号传输到第一薄膜晶体管TFT1或第二薄膜晶体管TFT2(例如,可以被配置为将待传输的信号传输到第一薄膜晶体管TFT1或第二薄膜晶体管TFT2)。下栅极电极BGE可以与第二薄膜晶体管TFT2的第二半导体层AO2重叠并且将栅极信号施加到第二薄膜晶体管TFT2。在这种情况下,第二薄膜晶体管TFT2可以具有栅极电极布置在第二半导体层AO2上方和下方的双栅极电极结构。
下栅极电极BGE可以被提供为第一线WL1的一部分。在这种情况下,第一线WL1可以将栅极信号传输到第二薄膜晶体管TFT2(例如,可以被配置为将栅极信号传输到第二薄膜晶体管TFT2)。
第二栅极绝缘层113可以包括包含氧化物和/或氮化物的无机材料。例如,第二栅极绝缘层113可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2等。
第一层间绝缘层115可以被提供在上电极CE2、第一线WL1和下栅极电极BGE上(例如,覆盖上电极CE2、第一线WL1和下栅极电极BGE)。第一层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2等。第一层间绝缘层115可以包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
包括氧化物半导体的第二半导体层AO2可以布置在第一层间绝缘层115上。第二半导体层AO2可以包括沟道区域、源极区域和漏极区域,源极区域和漏极区域在沟道区域的相对侧。第二半导体层AO2可以包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。在一些实施例中,第二半导体层AO2可以包括诸如In和Ga的金属被包含在ZnO中的In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体。
第二半导体层AO2的源极区域和漏极区域可以通过调整氧化物半导体的载流子浓度以使得氧化物半导体导电来提供。例如,第二半导体层AO2的源极区域和漏极区域可以通过利用氢(H)类气体、氟(F)类气体或它们的任意组合的等离子体处理使氧化物半导体的载流子浓度增加来提供。
第二栅极电极GE2可以布置在第二半导体层AO2上方,并且第二层间绝缘层117可以布置在第二半导体层AO2和第二栅极电极GE2之间。第二栅极电极GE2可以布置为与第二半导体层AO2重叠,并且可以通过第二层间绝缘层117与第二半导体层AO2绝缘。
第二层间绝缘层117可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5和/或HfO2。第二层间绝缘层117可以包括包含上述无机绝缘材料(多种无机绝缘材料)的单层或多层。
第三层间绝缘层119可以布置在第二栅极电极GE2上,并且连接到第一半导体层AS1的第一源极电极SE1和/或第一漏极电极DE1和连接到第二半导体层AO2的第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以布置在第三层间绝缘层119上。在一些实施例中,被配置为传输数据信号的数据线和被配置为传输驱动电压的驱动电压线可以布置在第三层间绝缘层119上。第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以直接连接到数据线和/或驱动电压线或经由另一薄膜晶体管连接到数据线和/或驱动电压线。
第三层间绝缘层119可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2等。第三层间绝缘层119可以具有包括上述无机绝缘材料(多种无机绝缘材料)的单层或多层。
第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以包括具有高导电性的材料,诸如金属和/或导电氧化物。例如,第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以包括包含Al、Cu、Ti等的单层或多层。在一些实施例中,第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2可以包括顺序地布置的Ti层、Al层和另一Ti层的三层结构。
有机绝缘层120可以布置在第一源极电极SE1、第一漏极电极DE1、第二源极电极SE2和/或第二漏极电极DE2上。有机绝缘层120可以包括单层或多层。例如,可以通过使第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123堆叠来提供有机绝缘层120。在这种情况下,第二线WL2可以布置在第一有机绝缘层121上,并且第三线WL3可以布置在第二有机绝缘层122上。第二线WL2和第三线WL3可以被配置为将一个或多个合适的信号和/或电压传输到第一像素电路PCm。
有机绝缘层120可以包括一种或多种合适的通用聚合物(诸如光敏PI、PI、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、苯并环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物和/或乙烯醇类聚合物。
在一些实施例中,有机绝缘层120可以包括硅氧烷类有机材料。硅氧烷类有机材料可以包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和/或聚二甲基硅氧烷。有机绝缘层120可以用作覆盖第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2的保护层。第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123可以包括彼此相同的材料,或者它们中的至少一个可以包括不同的材料,并且可以进行一种或多种合适的修改。
具有像素电极310、相对电极330和介于像素电极310与相对电极330之间的发射层320的有机发光二极管OLED可以布置在有机绝缘层120上。
像素电极310可以通过限定在有机绝缘层120中的接触孔连接到第一漏极电极DE1,并且可以通过利用第一漏极电极DE1连接到第一薄膜晶体管TFT1的第一漏极区域。像素电极310可以直接连接到第一薄膜晶体管TFT1,或者可以经由执行发射控制功能的另一薄膜晶体管间接连接到第一薄膜晶体管TFT1。
像素电极310可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO的导电氧化物。像素电极310可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、Al或它们的任意化合物的反射层。例如,像素电极310可以具有包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层位于上述反射层上方或下方的结构。在这种情况下,像素电极310可以具有ITO层、Ag层和另一ITO层的堆叠结构。
像素限定层125可以布置在有机绝缘层120上。像素限定层125可以覆盖像素电极310的边缘并且具有暴露像素电极310的中心部分的开口,从而限定像素。例如,有机发光二极管OLED的发射区域以及第一像素Pm的尺寸和形状可以由像素限定层125的开口来限定。
在一些实施例中,像素限定层125可以通过增加像素电极310的边缘和位于像素电极310上方的相对电极330之间的距离来防止或减少在像素限定层125的边缘处出现电弧等。上述像素限定层125可以包括诸如PI、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和/或酚醛树脂的有机绝缘材料,并且可以通过诸如旋涂的任意合适的方法而提供(例如,形成)。
在一些实施例中,像素限定层125可以包括包含黑色颜料或染料的绝缘材料(例如,有机绝缘材料)。上述包括光阻挡层(例如,包括黑色颜料或染料)的像素限定层125可以防止或减少相邻像素之间的颜色混合,从而改善可见度。
有机发光二极管OLED的发射层320可以包括低分子量材料和/或聚合物材料,并且可以发射(例如,可以被配置为发射)红光、绿光、蓝光和/或白光。
第一公共层和第二公共层可以分别布置在发射层320下方和上方。第一公共层是布置在发射层320下方的元件,并且可以包括例如空穴传输层(HTL),或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二公共层是布置在发射层320上方的元件,并且可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。在一些实施例中,可以不提供第二公共层。
虽然发射层320可以针对每个像素布置以与像素限定层125的开口相对应,但是与将在下文中更详细地描述的相对电极330同样地(类似地),第一公共层和第二公共层中的每一者可以被一体地提供为单个整体以完全覆盖基底100的显示区域DA(参见图1)。
相对电极330可以布置在发射层320上。相对电极330可以包括具有低功函数的导电材料。例如,相对电极330可以包括包含Ag、Mg、Al、铂(Pt)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的任意合金的(半)透明层。在一些实施例中,相对电极330还可以包括位于包含上述材料的(半)透明层上的包含ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的层。相对电极330可以相对于多个有机发光二极管OLED一体地提供为单个整体,以与多个像素电极310相对应。
实现第一显示区域DA1中的第一像素Pm(例如,被包括在第一显示区域DA1中的第一像素Pm中)的有机发光二极管OLED可以布置为与第一像素电路PCm重叠。例如,有机发光二极管OLED的像素电极310可以与被包括在第一像素电路PCm中的薄膜晶体管中的至少一个重叠。
图7和图8是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图,并且是示意性地示出第二显示区域DA2和第三区域AR3的一部分的截面图。第三区域AR3可以是上述第三显示区域DA3或外围区域DPA。在图7和图8中,与图6的附图标记相同的附图标记指代相同的元件,并且不提供对相同的元件的重复描述。
参照图7,有机发光二极管OLED可以布置在显示面板10(参见图3)的第二显示区域DA2中作为实现第二像素Pa(例如,被包括在第二像素Pa中)的第二显示元件EDa(参见图5)。连接(例如,电耦接)到第二显示元件EDa的第二像素电路PCa可以布置在显示面板10的第三区域AR3中。
第二像素电路PCa可以包括第一薄膜晶体管TFT1、第二薄膜晶体管TFT2和存储电容器Cst,第一薄膜晶体管TFT1包括硅半导体,并且第二薄膜晶体管TFT2包括氧化物半导体。下部导电层BML可以进一步布置在基底100和第二像素电路PCa之间。下部导电层BML可以与第一薄膜晶体管TFT1重叠。包括在第二像素电路PCa中的元件与包括在第一像素电路PCm中的元件类似,并且因此,第二像素电路PCa的描述可以与第一像素电路PCm的描述类似。
布置在第二显示区域DA2的外部(例如,布置在第三区域AR3中)的第二像素电路PCa可以通过利用连接线CWL电连接到有机发光二极管OLED,有机发光二极管OLED是布置在第二显示区域DA2中的第二显示元件EDa。
连接线CWL可以被提供为多条,并且多条连接线CWL可以包括布置在彼此不同的层中的连接线CWL。例如,多条连接线CWL可以包括布置在彼此不同的层中的第一连接线CWL1、第二连接线CWL2、第三连接线CWL3和第四连接线CWL4。上述连接线CWL中的一些连接线可以被提供为不透明线,并且其它连接线可以被提供为透明线。
例如,第一连接线CWL1可以具有与包括在第二像素电路PCa中的导电层中的至少一个导电层的材料相同的材料。在一些实施例中,第一连接线CWL1可以与包括在第二像素电路PCa中的导电层中的至少一个导电层并发地(例如,同时地)提供(例如,形成)。
例如,第一连接线CWL1可以与第一薄膜晶体管TFT1的第一半导体层、第一栅极电极GE1、第一源极电极和第一漏极电极和存储电容器Cst的下电极CE1和上电极CE2以及第二薄膜晶体管TFT2的第二半导体层、下栅极电极BGE、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极中的至少一个具有相同的材料。在一些实施例中,第一连接线CWL1可以与下部导电层BML具有相同的材料。第一连接线CWL1可以被提供为不透明线或透明线。
在一些实施例中,显示面板的第一无机绝缘层IL1可以包括与第二显示区域DA2相对应的凹槽GV,并且第一连接线CWL1的至少一部分可以布置在凹槽GV中。
例如,当缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第二层间绝缘层117和第三层间绝缘层119被统称为第一无机绝缘层IL1时,第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第二层间绝缘层117和第三层间绝缘层119中的每一者可以具有与第二显示区域DA2相对应的凹槽GV或开口。
可以通过去除第一无机绝缘层IL1的一部分来提供凹槽GV。例如,缓冲层111可以连续地布置在第二显示区域DA2中,并且第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第二层间绝缘层117和第三层间绝缘层119中的每一者可以具有与第二显示区域DA2相对应的开口。开口可以以单独的工艺单独地提供,或者可以以基本上相同的工艺并发地(例如,同时地)提供。当以单独的工艺提供开口时,凹槽GV的内表面可能不平滑并且可能具有阶梯形台阶。
在图7中,在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第二层间绝缘层117和第三层间绝缘层119中提供开口以与第一无机绝缘层IL1的凹槽GV相对应。然而,本公开不限于此。在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、第一层间绝缘层115、第二层间绝缘层117和第三层间绝缘层119中的一些中可以不提供开口。
在一些实施例中,第一无机绝缘层IL1可以具有与第二显示区域DA2相对应的开口。例如,还可以在缓冲层111中提供开口,使得基底100的上表面被暴露。在另一实施例中,第一无机绝缘层IL1可以连续地布置以与第二显示区域DA2相对应(例如,可以在第二显示区域DA2中),而不具有与第二显示区域DA2相对应的开口或凹槽。
第一连接线CWL1可以在第二显示区域DA2中布置在第一无机绝缘层IL1的凹槽GV或开口中。有机绝缘层120可以布置在第一连接线CWL1上方。例如,第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123可以布置在第一连接线CWL1上方。
第一有机绝缘层121至第三有机绝缘层123可以布置为填充凹槽GV,同时覆盖布置在凹槽GV中的第一连接线CWL1。第一连接线CWL1可以在第二显示区域DA2中布置在基底100和第一有机绝缘层121之间。有机绝缘层120可以具有比第一无机绝缘层IL1的透光率高的透光率。因此,可以进一步改善第二显示区域DA2的透光率。在一些实施例中,有机绝缘层120可以由于有机材料的特性而吸收可能施加到连接线CWL的冲击并且可以保护连接线CWL免于形成裂纹。
第二连接线CWL2可以布置在第一有机绝缘层121上,并且第三连接线CWL3和第四连接线CWL4可以布置在第二有机绝缘层122上。在一些实施例中,第三连接线CWL3可以布置在第二有机绝缘层122和下文中将更详细地描述的第二无机绝缘层IL2之间,并且第四连接线CWL4可以布置在第二无机绝缘层IL2上。
第二连接线CWL2至第四连接线CWL4可以被提供为不透明线或透明线。当第二连接线CWL2至第四连接线CWL4被提供为不透明线时,第二连接线CWL2至第四连接线CWL4中的每一者可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的金属,并且可以包括单层或多层。
当第二连接线CWL2至第四连接线CWL4被提供为透明线时,第二连接线CWL2至第四连接线CWL4中的每一者可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如,第二连接线CWL2至第四连接线CWL4中的每一者可以包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和/或AZO的导电氧化物。第二连接线CWL2至第四连接线CWL4可以与布置在第一显示区域DA1(参见图6)中的线以基本上相同的工艺提供,或者可以以单独的工艺形成。
连接线CWL的一端可以连接到第二像素电路PCa,并且连接线CWL的另一端可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极310。图7示出了第三连接线CWL3连接到第二像素电路PCa和有机发光二极管OLED的结构。第三连接线CWL3的一端可以通过穿过第二有机绝缘层122和第一有机绝缘层121的接触孔连接到第二像素电路PCa的第一薄膜晶体管TFT1。有机发光二极管OLED的像素电极310可以通过穿过第三有机绝缘层123和第二无机绝缘层IL2的接触孔连接到第三连接线CWL3的另一端。
连接线CWL和第二像素电路PCa可以以一种或多种合适的方式(诸如,通过接触孔、通过中间电极连接和/或直接在同一层中)而连接。类似地,连接线CWL和有机发光二极管OLED可以以一种或多种合适的方式(诸如,通过接触孔、通过中间电极连接和/或直接在同一层中)而连接。
在本实施例中,第二无机绝缘层IL2可以布置在第二显示区域DA2中。第二无机绝缘层IL2可以布置在第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123之间,或者可以布置在有机绝缘层120上。
在图7中,第二无机绝缘层IL2布置在第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123之间。然而,本公开不限于此。第二无机绝缘层IL2可以布置在第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122之间,或者可以布置在第三有机绝缘层123上,并且可以进行一种或多种合适的修改。
当布置在第二无机绝缘层IL2下方的有机绝缘层120(例如,有机绝缘层120的布置在第二无机绝缘层IL2下方的一部分)被称为下部有机绝缘层OL1,并且布置在第二无机绝缘层IL2上的有机绝缘层120(例如,有机绝缘层120的布置在第二无机绝缘层IL2上的一部分)被称为上部有机绝缘层OL2时,可以认为第二无机绝缘层IL2可以布置在下部有机绝缘层OL1和上部有机绝缘层OL2之间。在一些实施例中,当第二无机绝缘层IL2布置在有机绝缘层120上时,上部有机绝缘层OL2可以不布置在第二无机绝缘层IL2和像素电极310之间。
可以引入第二无机绝缘层IL2以增加布置在不同的层中的连接线CWL的数量。由于布置在第二显示区域DA2中的第二显示元件EDa的数量增加,因此可能需要更多的连接线CWL,并且考虑到第二显示区域DA2的透光率,可能需要恰当地或合适地布置连接线CWL。由于引入了第二无机绝缘层IL2,因此可以添加布置在不同的层中的连接线CWL,使得连接线CWL部分地彼此重叠。在一些实施例中,除了第二无机绝缘层IL2之外,可以通过引入额外的有机绝缘层来添加连接线CWL。然而,因为有机绝缘层由于其特性而被提供得比无机绝缘层厚,所以将有机绝缘层与无机绝缘层恰当地或合适地结合可能是更优选的或期望的。
在一些实施例中,可以引入第二无机绝缘层IL2以改善第二显示区域DA2中的光衍射现象。第二无机绝缘层IL2的折射率可以具有在有机绝缘层120的折射率和包括透明线的连接线CWL的折射率之间的值。通过在有机绝缘层120之间恰当地或合适地布置第二无机绝缘层IL2,可以改善有机绝缘层120和连接线CWL之间可能发生的光衍射现象。
第二无机绝缘层IL2可以包括暴露下部有机绝缘层OL1的上表面的开口IL2-OP。开口IL2-OP可以是在下部有机绝缘层OL1中产生的气体可以排放(例如,到外部)所经由的通道。例如,开口IL2-OP可以是排气孔。
当在第二无机绝缘层IL2中不提供开口IL2-OP时,由于在下部有机绝缘层OL1中产生的气体,可能发生第二无机绝缘层IL2的层剥离现象。根据本实施例,由于开口IL2-OP提供在第二无机绝缘层IL2中,因此可以防止或减少由于层剥离而导致的缺陷。
第二无机绝缘层IL2可以布置为与第二显示区域DA2相对应。第二无机绝缘层IL2也可以布置在第一显示区域DA1和/或第三区域AR3中。在一些实施例中,第二无机绝缘层IL2可以仅布置在第二显示区域DA2和第三区域AR3中,而不布置在第一显示区域DA1中。
第二无机绝缘层IL2可以包括SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5和/或HfO2。第二无机绝缘层IL2可以是包括上述无机绝缘材料的单层或多层。
布置在第二显示区域DA2中的像素限定层125'可以布置为与布置在第一显示区域DA1中的像素限定层125(参见图6)间隔开。像素限定层125'可以包括光阻挡材料。例如,像素限定层125'可以包括包含黑色颜料或染料的绝缘材料(例如,有机绝缘材料)。包括上述光阻挡材料的像素限定层125'可以防止或减少相邻像素之间的颜色混合并且吸收从组件40(参见图2)朝向显示面板10反射的光,从而改善可见度。由于像素限定层125'包括光阻挡材料,因此布置在第二显示区域DA2中的像素限定层125'可以针对每个第二像素Pa而被图案化。像素限定层125'可以覆盖像素电极310的边缘,并且可以具有暴露像素电极310的中心部分的开口,并且因此,像素限定层125'在平面图中可以具有环形形状或圆环形状。在一些实施例中,像素限定层125'的开口在平面图中可以具有圆形形状。在一些实施例中,像素限定层125'的开口可以具有椭圆形形状或带有倒圆的角部的多边形形状。
如图7中所示,布置在第二显示区域DA2中的第三有机绝缘层123的厚度t2可以等于布置在第三区域AR3中的第三有机绝缘层123的厚度t1。在一个或多个实施例中,第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122在第二显示区域DA2和第三区域AR3中可以具有相同的厚度。
在其它一个或多个实施例中,参照图8,布置在第二显示区域DA2中的第三有机绝缘层123的厚度t2可以小于布置在第一显示区域DA1(参见图6)和第三区域AR3中的第三有机绝缘层123的厚度t1。为此,可以利用半色调掩模工艺来提供(例如,形成)第三有机绝缘层123。因为第三有机绝缘层123的在第二显示区域DA2中的厚度t2相对小,所以可以增加第二显示区域DA2的透光率。类似地,第一有机绝缘层121和/或第二有机绝缘层122的在第二显示区域DA2中的厚度可以小于第一有机绝缘层121和/或第二有机绝缘层122的在第一显示区域DA1和第三区域AR3中的厚度。
图9是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图。在图9中,与图6和图7的附图标记相同的附图标记指代相同的元件,并且不提供对相同的元件的重复描述。
参照图9,附加有机绝缘层OL3可以布置在第二显示区域DA2中。附加有机绝缘层OL3可以是不布置在第一显示区域DA1(参见图6)中的有机绝缘层。附加有机绝缘层OL3可以布置在第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123之间。在一个或多个其它实施例中,附加有机绝缘层OL3可以布置在第三有机绝缘层123和像素电极310之间。
附加有机绝缘层OL3可以包括一种或多种合适的通用聚合物(诸如光敏PI、PI、PS、PC、BCB、HMDSO和/或PMMA)、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物和/或乙烯醇类聚合物。
在一些实施例中,附加有机绝缘层OL3可以包括硅氧烷类有机材料。硅氧烷类有机材料可以包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和/或聚二甲基硅氧烷。
图10是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性平面布局图。例如,在图10中示出了第二显示区域DA2和布置在第二显示区域DA2的相对侧的第三显示区域DA3。
参照图10,第二像素Pa可以布置在第二显示区域DA2中。第二像素Pa可以以一种或多种合适的像素排列结构(诸如
Figure BDA0003827417240000321
结构(
Figure BDA0003827417240000322
是三星显示有限公司拥有的注册商标)、条状结构和/或三角形结构)布置。第三显示区域DA3可以布置在第二显示区域DA2的左侧和右侧。用于驱动第二像素Pa的第二像素电路PCa(参见图4)可以布置在第三显示区域DA3中。组件40可以布置为与第二显示区域DA2相对应。
布置在第三显示区域DA3中的第二像素电路PCa中的每一个可以通过利用连接线CWL连接到实现第二像素Pa的显示元件。连接线CWL可以在x方向或-x方向上延伸。例如,从布置在第二显示区域DA2左侧的第三显示区域DA3延伸到第二显示区域DA2的连接线CWL可以在x方向上延伸,并且从布置在第二显示区域DA2的右侧的第三显示区域DA3延伸到第二显示区域DA2的连接线CWL可以在-x方向上延伸。
在本实施例中,根据连接线CWL的在第二显示区域DA2中的位置,连接线CWL可以包括具有不同宽度的部分。
第二显示区域DA2可以包括第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3。第一子区域SA1可以包括第二显示区域DA2的布置在与第三显示区域DA3相邻的边缘(例如,侧)处的区域。第三子区域SA3可以包括布置在第二显示区域DA2的中心部分处的区域。第二子区域SA2可以包括布置在第一子区域SA1和各个第三子区域SA3之间的区域。
布置在第二显示区域DA2中的多条连接线CWL可以包括延伸到第一子区域SA1的第一连接线CWL1、延伸到第二子区域SA2的第二连接线CWL2和延伸到第三子区域SA3的第三连接线CWL3。
在这种情况下,所有的第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3布置在第一子区域SA1中,但是仅第二连接线CWL2和第三连接线CWL3可以布置在第二子区域SA2中,并且仅第三连接线CWL3可以布置在第三子区域SA3中。
当第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3被提供为具有相同的厚度时,第一子区域SA1、第二子区域SA2和第三子区域SA3的透光率可能彼此不同,并且因此,由组件40接收或发送的光或信号可能依据区域而大体上不均匀。
在本实施例中,根据连接线CWL的在第二显示区域DA2中的位置,连接线CWL可以具有不同的宽度(例如,厚度),使得第二显示区域DA2的透光率可以基本上均匀,并且因此,可以改善组件40的功能的性能。
布置在第一子区域SA1中的连接线CWL可以具有第一宽度wt1,布置在第二子区域SA2中的连接线CWL可以具有第二宽度wt2,并且布置在第三子区域SA3中的连接线CWL可以具有第三宽度wt3。第三宽度wt3可以大于第二宽度wt2,并且第二宽度wt2可以大于第一宽度wt1(wt3>wt2>wt1)。在这种情况下,第一宽度wt1、第二宽度wt2和第三宽度wt3可以是根据垂直(或基本上垂直)于连接线CWL在纵向方向上延伸的方向的方向的宽度。在一些实施例中,第一宽度wt1可以是大约2μm至大约2.5μm,第二宽度wt2可以是大约2.5μm至大约3μm,并且第三宽度wt3可以是大约3μm至大约3.5μm。
第一连接线CWL1仅布置在第一子区域SA1中,并且因此,第一连接线CWL1可以仅被提供有第一宽度wt1。第二连接线CWL2可以包括具有第一宽度wt1的部分和具有第二宽度wt2的部分。第三连接线CWL3可以包括具有第一宽度wt1的部分、具有第二宽度wt2的部分和具有第三宽度wt3的部分。
图11是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性平面布局图。在图11中,与图10的附图标记相同的附图标记指代相同的元件,并且不提供对相同的元件的重复描述。
参照图11,连接线CWL可以包括具有彼此不同宽度(例如,厚度)的第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和/或第三连接线CWL3。例如,第一连接线CWL1可以具有第一宽度wt1,第二连接线CWL2可以具有第二宽度wt2,并且第三连接线CWL3可以具有第三宽度wt3。在这种情况下,第一连接线CWL1的长度可以小于第二连接线CWL2的长度,并且第二连接线CWL2的长度可以小于第三连接线CWL3的长度。第三宽度wt3可以大于第二宽度wt2,并且第二宽度wt2可以大于第一宽度wt1(wt3>wt2>wt1)。
因为第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和/或第三连接线CWL3可以具有彼此不同的长度,所以可以根据长度来确定第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和/或第三连接线CWL3的宽度,使得可以一致地提供连接线CWL中的每一条的电阻。
在一些实施例中,第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和/或第三连接线CWL3可以具有不同的材料,并且因此可以具有彼此不同的电阻率值。因此,即使具有相同长度的连接线CWL也可以具有不同的宽度,使得可以统一设计连接线CWL的电阻值。
图12是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图。例如,图12是示出沿着图10中的线V-V'截取的图10中的显示面板的一部分的示意性截面图,并且图12是示出可以布置在第二显示区域DA2中的连接线CWL的截面图。
参照图12,包括第一无机绝缘层IL1、下部有机绝缘层OL1、第二无机绝缘层IL2和上部有机绝缘层OL2的多个绝缘层可以在第二显示区域DA2中堆叠在基底100上。第二无机绝缘层IL2可以包括暴露下部有机绝缘层OL1的上表面的开口IL2-OP。在下部有机绝缘层OL1中可能产生的气体可以通过开口IL2-OP排放到外部。
下部有机绝缘层OL1可以是布置在第二无机绝缘层IL2下方的有机绝缘层,并且在本实施例中,下部有机绝缘层OL1可以包括第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122。上部有机绝缘层OL2可以是布置在第二无机绝缘层IL2的上部和显示元件的像素电极310(参见图9)之间的有机绝缘层,并且在本实施例中,上部有机绝缘层OL2可以包括第三有机绝缘层123。
连接线CWL可以布置在多个绝缘层之间或多个绝缘层上方。连接线CWL可以包括在第二显示区域DA2中布置在彼此不同的层中的第一连接线CWL1、第二连接线CWL2、第三连接线CWL3和第四连接线CWL4。
第一连接线CWL1可以在第一无机绝缘层IL1的凹槽内布置在缓冲层111上。当在第一无机绝缘层IL1中不提供凹槽时,第一连接线CWL1可以布置在第一无机绝缘层IL1的上表面上。第一连接线CWL1可以布置在缓冲层111和第一有机绝缘层121之间。
第二连接线CWL2可以布置在第一有机绝缘层121上。第二连接线CWL2可以布置在第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122之间。
第三连接线CWL3可以布置在第二有机绝缘层122上。第三连接线CWL3可以布置在第二有机绝缘层122和第二无机绝缘层IL2之间。第三连接线CWL3可以被第二无机绝缘层IL2覆盖。
第四连接线CWL4可以布置在第二无机绝缘层IL2上。第四连接线CWL4可以布置在第二无机绝缘层IL2和第三有机绝缘层123之间。第二无机绝缘层IL2包括开口IL2-OP,并且因此,第四连接线CWL4中的一些可以在第二无机绝缘层IL2的开口IL2-OP中布置在第二有机绝缘层122上。
上部有机绝缘层OL2(例如,第三有机绝缘层123)可以布置为覆盖第四连接线CWL4。有机发光二极管OLED(参见图9)可以布置在第三有机绝缘层123上。
在一个或多个实施例中,第一连接线CWL1至第四连接线CWL4中的至少一些连接线可以彼此重叠。因此,可以引入多条连接线CWL而不增加布置连接线CWL的区域。在一些实施例中,由于可以引入多条连接线CWL,因此可以在第二显示区域DA2中布置更多第二显示元件EDa(参见图5),并且因此可以扩大第二显示区域DA2的面积。
在一个或多个实施例中,第一连接线CWL1至第四连接线CWL4中的一些连接线可以包括金属,并且其它的连接线可以包括TCO。然而,本公开不限于此。第一连接线CWL1至第四连接线CWL4中的全部连接线可以包括金属,或者第一连接线CWL1至第四连接线CWL4中的全部连接线可以包括TCO,并且可以进行一种或多种合适的修改。
在一个或多个实施例中,第一连接线CWL1至第四连接线CWL4可以根据其长度和材料而具有一个或多个合适的宽度。
图13是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图。例如,图13是示出沿着图10中的线V-V'截取的图10中的显示面板的一部分的示意性截面图。在图13中,与图12的附图标记相同的附图标记指代相同的元件,并且不提供对相同的元件的重复描述。
参照图13,包括第一无机绝缘层IL1、下部有机绝缘层OL1、第二无机绝缘层IL2和上部有机绝缘层OL2的多个绝缘层可以在第二显示区域DA2中堆叠在基底100上。第二无机绝缘层IL2可以包括暴露下部有机绝缘层OL1的上表面的开口IL2-OP。在下部有机绝缘层OL1中可能产生的气体可以通过开口IL2-OP排放到外部。
在本实施例中,第二无机绝缘层IL2可以布置在第一有机绝缘层121上。第二无机绝缘层IL2可以布置在第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122之间。在本实施例中,下部有机绝缘层OL1可以是第一有机绝缘层121,并且上部有机绝缘层OL2可以包括第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123。
连接线CWL可以布置在多个绝缘层之间或多个绝缘层上方。连接线CWL可以包括在第二显示区域DA2中布置在彼此不同的层中的第一连接线CWL1、第二连接线CWL2、第三连接线CWL3和第四连接线CWL4。由于第二无机绝缘层IL2布置在第一有机绝缘层121和第二有机绝缘层122之间,因此第三连接线CWL3可以布置在第二无机绝缘层IL2上。
图14是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图。例如,图14是示出沿着图10中的线V-V'截取的图10中的显示面板的一部分的示意性截面图。在图14中,与图12的附图标记相同的附图标记指代相同的元件,并且不提供对相同的元件的重复描述。
参照图14,包括第一无机绝缘层IL1、下部有机绝缘层OL1和第二无机绝缘层IL2的多个绝缘层可以在第二显示区域DA2中堆叠在基底100上。第二无机绝缘层IL2可以包括暴露下部有机绝缘层OL1的上表面的开口IL2-OP。在下部有机绝缘层OL1中可能产生的气体可以通过开口IL2-OP排放到外部。
在本实施例中,第二无机绝缘层IL2可以布置在第三有机绝缘层123上。在本实施例中,下部有机绝缘层OL1可以包括第一有机绝缘层121、第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123,并且可以不提供上部有机绝缘层。例如,显示元件的像素电极310(参见图9)可以布置在第二无机绝缘层IL2上。
连接线CWL可以布置在多个绝缘层之间或多个绝缘层上方。连接线CWL可以包括在第二显示区域DA2中布置在彼此不同的层中的第一连接线CWL1、第二连接线CWL2和第三连接线CWL3。由于第二无机绝缘层IL2布置在第三有机绝缘层123上,因此连接线CWL还可以包括位于第二无机绝缘层IL2上的第五连接线CWL5。第五连接线CWL5可以与显示元件的像素电极310(参见图9)布置在同一层中,并且可以与像素电极310包括相同的材料。
图15和图16是示出根据一个或多个实施例的显示面板的一部分的示意性截面图。例如,图15和图16示出了当第二无机绝缘层IL2布置在第三有机绝缘层123和像素电极310之间时像素电极310和连接电极CM彼此接触的部分的结构。
参照图15和图16,连接电极CM可以布置在第一有机绝缘层121上。连接电极CM可以是将第二像素电路PCa(参见图9)和像素电极310彼此连接的中间电极或连接线CWL。连接电极CM也可以布置在除了第一有机绝缘层121之外的绝缘层上。例如,连接电极CM可以布置在缓冲层111上。
第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123可以布置在连接电极CM上,并且可以包括暴露连接电极CM的一部分的第一开口OP1。第二无机绝缘层IL2可以布置在第三有机绝缘层123上,并且可以包括与第一开口OP1重叠的第二开口OP2。第二开口OP2可以用作接触孔并且同时可以用于允许在第二有机绝缘层122和第三有机绝缘层123中产生的气体逸出。
参照图15,第一开口OP1的面积可以大于第二开口OP2的面积。因此,第二无机绝缘层IL2的一部分可以布置在第一开口OP1中。在一些实施例中,第二开口OP2可以布置在第一开口OP1中。像素电极310可以通过第二开口OP2与连接电极CM接触。
参照图16,第一开口OP1的面积可以小于第二开口OP2的面积。因此,第二无机绝缘层IL2可以不布置在第一开口OP1中。像素电极310可以布置在第一开口OP1的侧表面上,并且可以通过第一开口OP1与连接电极CM接触。
如上所述,在根据实施例的显示面板和显示设备中,像素电路不布置在布置有组件(例如,图2中的组件40)的第二显示区域中,因此确保较宽的透射区域并改善透光率。
在一些实施例中,在根据实施例的显示面板和显示设备中,布置在彼此不同的层中的连接线可以在第二显示区域中,并且因此,可以易于或合适地扩展第二显示区域(例如,总显示面积)。
然而,本公开的范围不受该效果限制。
可以利用任意合适的硬件、固件(例如,专用集成电路)、软件或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文中描述的本公开的实施例的显示设备和/或任意其它相关的装置或组件。例如,设备的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或分开的IC芯片上。此外,设备的各种组件可以被实现在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)或印刷电路板(PCB)上,或者形成在一个基底上。此外,设备的各种组件可以是用于执行本文中描述的各种功能的在一个或多个计算装置中运行一个或多个进程或线程、执行计算机程序指令并与其它系统组件交互的处理器。计算机程序指令存储在存储器中,存储器可以在使用标准存储器装置(诸如,以随机存取存储器(RAM)为例)的计算装置中实现。计算机程序指令也可以存储在其它非暂时性计算机可读介质(诸如,以CD-ROM或闪存驱动器等为例)中。而且,本领域的技术人员应认识到的是,在不脱离本公开的示例性实施例的范围的情况下,各种计算装置的功能性可以被组合或集成到单个计算装置中,或者特定计算装置的功能性可以分布在一个或多个其它计算装置上。
应理解的是,本文中描述的实施例应被认为仅是描述性的意义,而不是出于限制的目的。实施例中的每一个之中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离包括在所附权利要求及其等同物中的本公开的精神和范围的情况下,可以在形式和细节上对实施例进行一个或多个合适的改变。

Claims (11)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基底,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;
多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;
多个第二像素电路,在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件;
多条连接线,分别将所述多个第二显示元件连接到所述多个第二像素电路;
第一无机绝缘层,在所述基底上;
下部有机绝缘层,在所述第一无机绝缘层上;以及
第二无机绝缘层,在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多条连接线包括布置在彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线,并且
其中,所述第一连接线与所述第二连接线至少部分地重叠,或者所述第一连接线和所述第二连接线在宽度上彼此不同。
3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述多个第二像素电路中的每一个包括:
第一薄膜晶体管,包括第一栅极电极和第一半导体层;以及
第二薄膜晶体管,包括第二栅极电极和第二半导体层,所述第二栅极电极与所述第一栅极电极布置在不同的层中。
4.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述第二无机绝缘层包括暴露所述下部有机绝缘层的上表面的开口,并且
所述显示面板还包括:上部有机绝缘层,在所述第二无机绝缘层上,其中,所述上部有机绝缘层的在所述第二显示区域中的厚度小于所述上部有机绝缘层的在所述第一显示区域中的厚度;以及附加有机绝缘层,在所述第二显示区域中,其中,所述附加有机绝缘层不在所述第一显示区域中。
5.根据权利要求1或2所述的显示面板,其特征在于,所述第二显示区域包括:在所述第二显示区域的一侧处的第一子区域、与所述第一子区域隔开的第三子区域以及在所述第一子区域和所述第三子区域之间的第二子区域,
所述第一子区域中的所述多条连接线具有第一宽度,所述第二子区域中的所述多条连接线具有第二宽度,并且所述第三子区域中的所述多条连接线具有第三宽度,并且
所述第三宽度大于所述第二宽度,并且所述第二宽度大于所述第一宽度。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:第三显示区域,在所述第二显示区域的相对侧,
其中,所述第二像素电路在所述第三显示区域中,并且所述多条连接线从所述第三显示区域延伸到所述第二显示区域。
7.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
基底,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;
多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;
多个第二像素电路,在所述第二显示区域的外部并且分别连接到所述多个第二显示元件;
第一连接线和第二连接线,分别将所述多个第二显示元件和所述多个第二像素电路彼此连接;
第一绝缘层,在所述第二显示区域中;以及
第二绝缘层,在所述第一绝缘层上,
其中,所述第一连接线在所述第一绝缘层上,
所述第二连接线在所述第二绝缘层上,并且
所述第一连接线和所述第二连接线在宽度上彼此不同。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第二显示区域包括:在所述第二显示区域的一侧处的第一子区域、与所述第一子区域隔开的第三子区域以及在所述第一子区域和所述第三子区域之间的第二子区域,
所述第一子区域中的所述第一连接线具有第一宽度,所述第二子区域中的所述第一连接线具有第二宽度,并且所述第三子区域中的所述第一连接线具有第三宽度,并且
所述第三宽度大于所述第二宽度,并且所述第二宽度大于所述第一宽度。
9.一种显示设备,其特征在于,所述显示设备包括:
显示面板,包括包含多个第一显示元件的第一显示区域和包含多个第二显示元件的第二显示区域;以及
组件,在所述显示面板下方并且与所述第二显示区域相对应,其中,所述显示面板还包括:
基底;
多个第一像素电路,在所述第一显示区域中并且分别连接到所述多个第一显示元件;
多个第二像素电路,分别连接到所述多个第二显示元件;
多条连接线,分别将所述多个第二显示元件和所述多个第二像素电路彼此连接;
第一无机绝缘层,在所述基底上;
下部有机绝缘层,在所述第一无机绝缘层上;以及
第二无机绝缘层,在所述第二显示区域中位于所述下部有机绝缘层上,
其中,所述第二无机绝缘层包括暴露所述下部有机绝缘层的上表面的开口。
10.根据权利要求9所述的显示设备,其特征在于,所述多个第二像素电路在所述第二显示区域的外部,并且所述多条连接线包括布置在彼此不同的层中的第一连接线和第二连接线,并且所述第一连接线与所述第二连接线至少部分地重叠,或者所述第一连接线和所述第二连接线在宽度上彼此不同。
11.根据权利要求9或10所述的显示设备,其特征在于,所述显示设备还包括:上部有机绝缘层,在所述第二无机绝缘层上,其中,所述上部有机绝缘层的在所述第二显示区域中的厚度小于所述上部有机绝缘层的在所述第一显示区域中的厚度;以及附加有机绝缘层,在所述第二显示区域中,其中,所述下部有机绝缘层在所述第一显示区域中,并且所述附加有机绝缘层不在所述第一显示区域中。
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CN115117140A (zh) * 2019-12-30 2022-09-27 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111326560B (zh) * 2020-01-23 2023-08-22 京东方科技集团股份有限公司 显示基板和显示装置
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