CN114464653A - 显示面板和包括该显示面板的显示装置 - Google Patents

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沈栋
韩世喜
洪性珍
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Abstract

提供了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置，所述显示面板包括：第一区域、第二区域和第三区域，第二区域的分辨率比第一区域的分辨率小；基底；第一像素电极，在基底上在第一区域处；第一像素电路，在基底上在第一区域处，第一像素电路连接到第一像素电极；第二像素电极，在基底上在第二区域处；第二像素电路，在基底上在第三区域处，第二像素电路连接到第二像素电极；以及不透明层，在基底与第二像素电极之间在第二区域处，不透明层包括与第二像素电极叠置的绝缘图案。

Description

显示面板和包括该显示面板的显示装置
本申请要求于2020年11月9日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0148611号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种显示面板以及一种包括该显示面板的显示装置。更具体地，本公开的一个或更多个实施例的方面涉及一种显示面板以及一种包括该显示面板的显示装置，该显示面板具有扩展的显示区域以便在设置有诸如电子元件的组件的区域处显示图像。
背景技术
显示装置已经被用于各种目的。另外，因为显示装置的厚度和重量已经减小，所以显示装置的使用范围已经增加。
根据显示装置的使用，已经开发了设计其形状的不同方法，并且更多的功能已经嵌入显示装置中或链接(关联)到显示装置。
在该背景技术部分中公开的以上信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或更多个实施例涉及一种显示面板和一种包括该显示面板的显示装置，该显示面板具有扩展的显示区域以便在设置有组件(诸如以电子元件为例)的区域处显示图像。
然而，本公开不限于以上方面和特征，并且另外的方面和特征将在以下的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述中而明显，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例中的一个或更多个来获知。
根据本公开的一个或更多个实施例，显示面板包括：第一区域、第二区域和第三区域，第二区域的分辨率比第一区域的分辨率小；基底；第一像素电极，在基底上在第一区域处；第一像素电路，在基底上在第一区域处，第一像素电路连接到第一像素电极；第二像素电极，在基底上在第二区域处；第二像素电路，在基底上在第三区域处，第二像素电路连接到第二像素电极；以及不透明层，在基底与第二像素电极之间在第二区域处，不透明层包括与第二像素电极叠置的绝缘图案。
在实施例中，显示面板还可以包括：第一有机绝缘层，在第二区域处在基底与第二像素电极之间；以及第二有机绝缘层，在第一有机绝缘层上。
在实施例中，不透明层可以在第二有机绝缘层与第二像素电极之间。
在实施例中，不透明层的上表面可以接触第二像素电极，并且不透明层的下表面可以接触第二有机绝缘层。
在实施例中，第二有机绝缘层可以包括与第二像素电极对应的凹部，并且不透明层可以在第二有机绝缘层的凹部中。
在实施例中，不透明层可以在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间。
在实施例中，第一有机绝缘层可以包括与第二像素电极对应的凹部，并且不透明层可以在第一有机绝缘层的凹部中。
在实施例中，在与第二像素电极对应的位置处的孔可以穿透第一有机绝缘层，并且不透明层可以在第一有机绝缘层的孔中。
在实施例中，显示面板还可以包括：第一连接线，在第二区域处在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间，第一连接线使第二像素电极连接到第二像素电路。
在实施例中，显示面板还可以包括：第二连接线，在第三区域处，第二连接线使第一连接线连接到第二像素电路。
在实施例中，显示面板还可以包括：第一连接线，在第二区域处在基底与第一有机绝缘层之间，第一连接线使第二像素电极连接到第二像素电路。
在实施例中，显示面板还可以包括：第二连接线，在第三区域处，第二连接线使第一连接线连接到第二像素电路。
在实施例中，显示面板还可以包括：第一有机绝缘层，覆盖第一区域处的第一像素电路和第三区域处的第二像素电路，第一有机绝缘层包括与第二区域对应的孔；以及第二有机绝缘层，在第一区域和第三区域处在第一有机绝缘层上，第二有机绝缘层在第二区域处在基底与第二像素电极之间填充第一有机绝缘层的孔。
在实施例中，不透明层可以在第二区域处在基底与第二有机绝缘层之间。
在实施例中，显示面板还可以包括：第一连接线，在第二区域处在基底与第二有机绝缘层之间，第一连接线使第二像素电极连接到第二像素电路，并且不透明层可以至少部分地覆盖第一连接线。
在实施例中，显示面板还可以包括：第二连接线，在第三区域处，第二连接线使第一连接线连接到第二像素电路。
根据本公开的一个或更多个实施例，显示装置包括：显示面板，包括：第一区域、第二区域和第三区域；基底；第一显示元件，在第一区域处；第二显示元件，在第二区域处，第二显示元件包括在第二区域处在基底上的第二像素电极；第二像素电路，在基底上在第三区域处，第二像素电路连接到第二像素电极；有机绝缘层，在第二区域处在基底与第二像素电极之间；以及不透明层，在第二区域处在基底与第二像素电极之间，不透明层包括与第二像素电极叠置的绝缘图案；以及组件，在显示面板下面，组件与第二区域对应。
在实施例中，有机绝缘层可以包括：第一有机绝缘层，在基底与第二像素电极之间；以及第二有机绝缘层，在第一有机绝缘层上。
在实施例中，不透明层可以在第二有机绝缘层与第二像素电极之间。
在实施例中，第二有机绝缘层可以包括与第二像素电极对应的凹部，并且不透明层可以在第二有机绝缘层的凹部中。
在实施例中，不透明层可以在第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间。
在实施例中，第一有机绝缘层可以包括与第二像素电极对应的凹部，并且不透明层可以在第一有机绝缘层的凹部中。
在实施例中，第一有机绝缘层可以包括穿透第一有机绝缘层并且与第二像素电极的位置对应的孔，并且不透明层可以在第一有机绝缘层的孔中。
在实施例中，有机绝缘层可以包括：第一有机绝缘层，在第三区域处覆盖第二像素电路，第一有机绝缘层包括与第二区域对应的孔；以及第二有机绝缘层，在第三区域处在第一有机绝缘层上，第二有机绝缘层在第二区域处在基底与第二像素电极之间填充第一有机绝缘层的孔。不透明层可以在基底与第二有机绝缘层之间。
附图说明
本公开的以上和其他方面和特征将通过以下参照附图对示例实施例的详细描述而对于本领域技术人员变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的透视图；
图2A至图2B是部分地示出根据一个或更多个实施例的显示装置的剖视图；
图3A至图3B是可以包括在图1的显示装置中的显示面板的平面图；
图4是根据实施例的像素电路的等效电路图；
图5是示出根据实施例的显示面板的区域的平面布局图；
图6A至图6B是示出根据一个或更多个实施例的显示面板的一些部分的剖视图；
图7是根据图6A的实施例的第二像素电极和不透明层的平面图；
图8A至图8C是示出形成根据图6A的实施例的第二像素电极和不透明层的各种工艺的剖视图；
图9是部分地示出根据实施例的显示面板的剖视图；
图10是根据图9的实施例的第二像素电极和不透明层的平面图；
图11A至图11C是示出形成根据图9的实施例的第二像素电极和不透明层的各种工艺的剖视图；
图12是示出根据实施例的显示面板的一些部分的剖视图；
图13A至图13D是示出形成根据图12的实施例的第二像素电极和不透明层的各种工艺的剖视图；
图14是示出根据实施例的显示面板的一些部分的剖视图；
图15是示出根据实施例的显示面板的一些部分的剖视图；
图16A至图16D是示出形成根据图15的实施例的第二像素电极和不透明层的各种工艺的剖视图；
图17是示出根据实施例的显示面板的一些部分的剖视图；
图18是示出根据实施例的显示面板的一些部分的剖视图；
图19A至图19C是示出形成根据图18的实施例的第二像素电极和不透明层的各种工艺的剖视图；
图20是示出根据实施例的显示面板的一些部分的剖视图；以及
图21至图22是示出根据一个或更多个实施例的显示面板的一些部分的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例。在附图中，同样的附图标记始终指同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的方式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域的技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则贯穿附图和书面描述，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
当可以不同地实现某个实施例时，具体的工艺顺序可以不同于描述的顺序。例如，两个连续描述的工艺可以同时或基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。
在附图中，为了清楚，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。出于易于解释的目的，可以在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如附图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括设备在使用或操作中的除了包括在附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果翻转附图中的设备，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包括上方和下方两种方位。设备可以被另外定向(例如，旋转90度或在其他方位处)，并且应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在附图中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，而可以以更广泛的意义进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或基本上彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的彼此不同的方向。
如本说明书中所使用的，当线被描述为“在第一方向或第二方向上延伸”时，这表示该线在第一方向或第二方向上以锯齿形状或以弯曲形状延伸，以及该线在第一方向或第二方向上直线延伸。
贯穿说明书，短语“在平面图中”表示从顶部观看目标部分，并且短语“在剖面图中”表示从侧方向观看被竖直切割的目标部分的剖面。贯穿说明书，当第一元件被描述为与第二元件“叠置”或其变形时，这表示第一元件位于第二元件上或下面。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。类似的，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，它可以直接电连接到所述另一层、区域或元件，并且/或者可以间接电连接而一个或更多个中间层、区域或元件在它们之间。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是两个元件或层之间的唯一元件或层，或者也可以存在一个或更多个中间元件或层。
这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不是意图成为本公开的限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”、“具有”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任意组合和所有组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B或者A和B。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表达位于一列元件之后时，这样的表达修饰整列元件而不修饰所述列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变型。
如在这里使用的，术语“基本上”、“大约(约)”和类似术语被用作近似术语而不是用作程度术语，并且意图解释本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如在这里使用的，术语“使用”和其变型可以被认为分别与术语“利用”和其变型同义。此外，术语“示例性”旨在指示例或说明。
除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里如此明确定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和本说明书的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或者过于形式化的意义来解释。
图1是根据实施例的显示装置1的透视图。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和在显示区域DA的外部部分处(例如，在显示区域DA的外部部分中或在显示区域DA的外部部分上)的外围区域DPA。例如，外围区域DPA可以至少部分地围绕显示区域DA(例如，在显示区域DA的外围)。显示区域DA可以包括组件区域(例如，第二区域)CA和至少部分地围绕组件区域CA(例如，在组件区域CA的外围)的主显示区域(例如，第一区域)MDA。换言之，组件区域CA和主显示区域MDA可以独立显示图像，或者可以一起显示图像。外围区域(例如，第三区域)DPA可以是在其处(例如，在其中或在其上)未布置有像素的非显示区域。在一些实施例中，显示区域DA可以被外围区域DPA完全围绕(例如，外围区域DPA可以在显示区域DA的外围周围)。
根据实施例的显示装置1可以折叠或弯曲。显示装置1可以以各种合适的形状(诸如以具有两对边的矩形板形状为例)设置，每对边具有彼此平行或基本上平行的边。当显示装置1以为矩形板形状设置时，两对边中的一对边可以比另一对边长。为了便于说明和描述，短边延伸所沿的方向表示为x方向，长边延伸所沿的方向表示为y方向，与长边和短边的延伸方向垂直或基本上垂直的方向表示为z方向(例如，厚度方向)。
根据本公开的实施例的显示装置1不限于以上示例，并且可以具有各种合适的形状。例如，显示装置1可以设置为包括直边的闭合类型的多边形形状、包括弯曲边的圆形形状或椭圆形形状、包括直边和弯曲边的半圆形形状或半椭圆形形状等。当显示装置1具有直边时，其形状中的每个中的至少一些角可以是弯曲的。
在图1中，在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)示出了一个组件区域CA。在另一实施例中，显示装置1可以包括两个或更多个组件区域CA，多个组件区域CA的形状和/或尺寸可以彼此不同。当从与显示装置1的上表面垂直或基本上垂直的方向(例如，在平面图中)观看时，组件区域CA可以具有各种合适的形状，诸如以多边形形状(例如，正方形形状、星形形状、菱形形状等)、圆形形状、椭圆形形状等为例。另外，在图1中，当从与显示装置1的上表面垂直或基本上垂直的方向(例如，在平面图中)观看时，组件区域CA被示出为位于具有矩形形状的主显示区域MDA的(例如，在+y方向上的)上中心区域处(例如，上中心区域中或上中心区域上)，但是本公开不限于此，组件区域CA可以在具有矩形形状的主显示区域MDA的一侧(诸如以右上侧或左上侧为例)处。
显示装置1可以通过使用在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)的多个第一子像素(例如，主子像素)Pm和在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)的多个第二子像素(例如，辅助子像素)Pa来提供图像。
如下面参照图2A和图2B更详细描述的，组件40(诸如以电子元件为例)可以位于显示面板下面(例如，底下)以与组件区域CA对应。例如，组件40可以包括使用红外线或可见光的相机(成像器件等)。作为一些其他示例，组件40可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。作为另一示例，组件40可以具有接收声音的功能。为了减小对组件40的功能的限制和约束，组件区域CA可以包括透射区域TA，从组件40输出到外部或从外部朝向组件40行进的光和/或声音可以穿过透射区域TA。在根据实施例的显示面板或包括该显示面板的显示装置1中，当光穿过组件区域CA时，组件区域CA的透光率可以为约10％或更大，诸如以40％或更大、25％或更大、50％或更大、85％或更大或者90％或更大为例。
多个第二子像素Pa可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)。多个第二子像素Pa发射光以提供期望的图像(例如，预定的或特定的图像)。在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)显示的图像可以被称为辅助图像，并且可以具有比在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)显示的图像的分辨率小的分辨率。换言之，组件区域CA可以包括光和/或声音可以穿过其透射的透射区域TA，并且当在透射区域TA处(例如，在透射区域TA中或在透射区域TA上)不存在子像素时，在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)的每单位面积的第二子像素Pa的数量可以比在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)的每单位面积的第一子像素Pm的数量少。
图2A和图2B是部分地示出根据一个或更多个实施例的显示装置1的剖视图。
参照图2A，显示装置1可以包括显示面板10和与显示面板10叠置的组件40。可以在显示面板10上方进一步设置用于保护显示面板10的覆盖窗。
显示面板10可以包括作为与组件40叠置的区域的组件区域CA和用于显示主图像的主显示区域MDA。显示面板10可以包括基底100、在基底100上的显示层DISL、触摸屏层TSL、光学功能层OFL以及在基底100下面(例如，底下)的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括电路层PCL、作为显示元件的发光元件EDm和EDa以及封装构件ENCM(诸如以图2A中所示的薄膜封装层TFEL或密封基底为例)，电路层PCL包括多个薄膜晶体管TFT。绝缘层IL'可以在基底100与显示层DISL之间，绝缘层IL可以在显示层DISL中。
基底100可以包括绝缘材料，诸如以玻璃、石英和/或聚合物树脂为例。基底100可以包括刚性基底，或者可以是可弯曲的、可折叠的和/或可卷曲的柔性基底。
第一像素电路(例如，主像素电路)PCm和连接到第一像素电路PCm的第一发光元件(例如，主发光器件)EDm可以在显示面板10的主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)。第一像素电路PCm可以包括至少一个薄膜晶体管TFT，并且可以控制来自第一发光元件EDm的光发射。第一子像素Pm可以通过来自第一发光元件EDm的光发射来实现。
第二发光元件(例如，辅助发光元件)EDa可以在显示面板10的组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)以实现第二子像素Pa。在本实施例中，第二像素电路(例如，辅助像素电路)PCa可以不在组件区域CA处(例如，不在组件区域CA中或不在组件区域CA上)，而可以在作为非显示区域的外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)。在另一实施例中，第二像素电路PCa可以部分地在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)，或者可以在主显示区域MDA与组件区域CA之间。换言之，第二像素电路PCa可以被设置(例如，可以被定位)为不与第二发光元件EDa叠置。
第二像素电路PCa可以包括至少一个薄膜晶体管TFT，并且可以经由连接线TWL与第二发光元件EDa电连接。连接线TWL可以包括透明导电材料。第二像素电路PCa可以控制来自第二发光元件EDa的光发射。第二子像素Pa可以通过来自第二发光元件EDa的光发射来实现。在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)，设置(例如，定位)有第二发光元件EDa的区域可以被称为辅助像素区域ADA。
此外，在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)，未设置有作为显示元件的第二发光元件EDa的区域可以被称为透射区域TA。透射区域TA可以是从组件40发射的光和/或信号或者入射在与组件区域CA对应的组件40上的光和/或信号可以穿过其透射的区域。辅助像素区域ADA和透射区域TA可以交替地布置在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)。用于使第二像素电路PCa和第二发光元件EDa彼此连接的连接线TWL可以在透射区域TA处(例如，在透射区域TA中或在透射区域TA上)。连接线TWL可以包括具有高透射率的透明导电材料，因此，即使当连接线TWL在透射区域TA处(例如，在透射区域TA中或在透射区域TA上)时，也可以确保透射区域TA的透射率。
在本实施例中，因为第二像素电路PCa不位于组件区域CA处(例如，不位于组件区域CA中或不位于组件区域CA上)，所以可以确保透射区域TA的面积，并且可以进一步改善其透光率。
在本实施例中，作为光吸收层的不透明层SHL可以位于组件区域CA处(例如，位于组件区域CA中或位于组件区域CA上)。不透明层SHL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在反射层下面(例如，底下)。不透明层SHL可以直接在反射层下面(例如，正底下)以与反射层接触，或者一个或更多个绝缘层可以在反射层与不透明层SHL之间。在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在不透明层SHL与基底100之间可以没有定位反射层。这里，反射层可以具有合适值(例如，预定的或特定的值)或更大的反射率以及合适值(例如，预定的或特定的值)或更小的透射率。在实施例中，组件区域CA处(例如，组件区域CA中或组件区域CA上)的反射层可以包括(例如，可以是)包含在第二发光元件EDa中的像素电极(例如，阳极)。
因为从组件40(诸如以相机的透镜为例)反射的光可能在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)被包括在第二发光元件EDa中的像素电极反射并且然后可能再次入射到相机，所以通过相机拍摄的图像中可能发生重影效应或眩光效应。在本实施例中，不透明层SHL可以在与辅助像素区域ADA对应的位置处在基底100与像素电极之间。因此，入射到像素电极的光可以被吸收，可以防止或减少来自像素电极的光反射，因此，可以减少在通过相机拍摄的图像中的重影效应和眩光效应。
电路层PCL和显示元件(例如，EDm和EDa)可以被薄膜封装层TFEL或被封装基底覆盖。在一个或更多个实施例中，如图2A中所示，薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及在第一无机封装层131与第二无机封装层133之间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133均可以包括一种或更多种无机绝缘材料(诸如以氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx)为例，ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2)，并且可以通过化学气相沉积(CVD)方法等形成。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以一体地设置以覆盖主显示区域MDA和组件区域CA。
当封装构件ENCM是封装基底时，封装基底可以在显示元件在封装基底与基底100之间的情况下设置为面对基底100。间隙可以在封装基底与显示元件之间。封装基底可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以在基底100与封装基底之间，密封剂可以位于外围区域DPA处(例如，位于外围区域DPA中或位于外围区域DPA上)。在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)的密封剂可以围绕显示区域DA(例如，在显示区域DA的外围周围)以防止或基本上上防止湿气渗透穿过侧表面。
触摸屏层TSL可以根据外部输入(诸如以触摸事件为例)获得坐标信息。触摸屏层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可以根据自电容方法或互电容方法感测外部输入。
触摸屏层TSL可以在薄膜封装层TFEL上。作为另一示例，触摸屏层TSL可以独立地形成在触摸基底上，然后可以经由粘合层(诸如以光学透明粘合剂(OCA)为例)连接到薄膜封装层TFEL上。在实施例中，触摸屏层TSL可以直接在薄膜封装层TFEL上，在这种情况下，粘合层可以不设置在触摸屏层TSL与薄膜封装层TFEL之间。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部入射到显示装置1的光(例如，外部光)的反射率。
在一些实施例中，光学功能层OFL可以包括偏振膜。光学功能层OFL可以包括与透射区域TA对应的开口OFL_OP。因此，可以显著改善透射区域TA的透光率。透明材料(诸如以光学透明树脂(OCR)为例)可以填充在开口OFL_OP中。
在一些实施例中，光学功能层OFL可以包括滤光板，滤光板包括黑矩阵和滤色器。
在一些实施例中，光学功能层OFL还可以包括在抗反射层上的多层结构。多层结构可以包括第一层和在第一层上的第二层。第一层和第二层可以包括有机绝缘材料，并且可以具有彼此不同的折射率。例如，第二层的折射率可以比第一层的折射率大。
覆盖窗可以进一步在显示面板10上以保护显示面板10。光学功能层OFL可以经由光学透明粘合剂附着到(例如，粘附到)覆盖窗，或者可以经由光学透明粘合剂附着到(例如，粘附到)触摸屏层TSL。
面板保护构件PB附着到基底100的下部(例如，后表面)，以支撑并保护基底100。面板保护构件PB可以包括与组件区域CA对应的开口PB_OP。当面板保护构件PB包括开口PB_OP时，可以改善组件区域CA的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
组件区域CA的面积可以比在其处(例如，在其中或在其上)布置有组件40的区域的面积大。因此，面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可以不同于(例如，可以不等于)组件区域CA的面积。
在一些实施例中，多个组件40可以位于组件区域CA处(例如，位于组件区域CA中或位于组件区域CA上)。多个组件40可以具有彼此不同的功能。例如，多个组件40可以包括相机(例如，成像器件)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
在图2A中，底金属层BML不位于外围区域DPA处(例如，不位于外围区域DPA中或不位于外围区域DPA上)的第二像素电路PCa下面(例如，底下)，但是如图2B中所示，根据一些实施例的显示装置1可以包括在第二像素电路PCa下面(例如，底下)的底金属层BML。底金属层BML可以在基底100与第二像素电路PCa之间，以便与第二像素电路PCa叠置。底金属层BML可以防止或基本上防止外部光到达第二像素电路PCa。
图3A和图3B是可以包括在图1的显示装置1中的显示面板10的平面图。
参照图3A，显示面板10的各种元件在基底100上。基底100包括显示区域DA和围绕显示区域DA(例如，在显示区域DA的外围周围)的外围区域DPA。显示区域DA可以包括用于显示主图像的主显示区域MDA以及用于显示辅助图像并包括透射区域TA的组件区域CA。辅助图像可以与主图像形成一个整体图像(例如，一个总图像)，或者可以是独立于主图像的图像。
多个第一子像素Pm在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)。多个第一子像素Pm中的每个可以被实现为诸如以有机发光二极管OLED(见图4)为例的显示元件。用于驱动第一子像素Pm的第一像素电路PCm在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)，并且可以与第一子像素Pm叠置。第一子像素Pm中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。主显示区域MDA被封装构件覆盖，以保护其免受外部空气和/或湿气的影响。
如上所述，组件区域CA可以在主显示区域MDA的一侧处，或者可以在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)以被主显示区域MDA围绕(例如，在组件区域CA的外围周围)。多个第二子像素Pa在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)。第二子像素Pa中的每个可以包括诸如以有机发光二极管为例的显示元件。用于驱动第二子像素Pa的第二像素电路PCa可以在外围区域DPA的与组件区域CA相邻的区域处(例如，在外围区域DPA的与组件区域CA相邻的区域中或在外围区域DPA的与组件区域CA相邻的区域上)。例如，当组件区域CA在显示区域DA的上侧处(例如，在显示区域DA的上侧中或在显示区域DA的上侧上)时，第二像素电路PCa可以在外围区域DPA的与上侧相邻的部分处(例如，在外围区域DPA的与上侧相邻的部分中或在外围区域DPA的与上侧相邻的部分上)。第二像素电路PCa和包括在第二子像素Pa中的显示元件可以经由可以在y方向上延伸的连接线TWL彼此连接。第二子像素Pa中的每个可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。组件区域CA被封装构件覆盖，以保护其免受外部空气和/或湿气的影响。
组件区域CA可以包括透射区域TA。例如，透射区域TA可以围绕多个第二子像素Pa(例如，在多个第二子像素Pa的外围周围)。作为另一示例，透射区域TA可以被布置为具有多个第二子像素Pa的格栅。
因为组件区域CA包括透射区域TA，所以组件区域CA的分辨率可以比主显示区域MDA的分辨率小。例如，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9、1/16等。例如，主显示区域MDA可以具有约400ppi的分辨率，并且组件区域CA可以具有约200ppi或约100ppi的分辨率。
用于驱动第一子像素Pm和第二子像素Pa的第一像素电路PCm和第二像素电路PCa可以分别电连接到在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)的外部电路。第一扫描驱动电路SDRV1至第四扫描驱动电路SDRV4、端子部分PAD、驱动电压供应线11以及共电压供应线13可以在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)。
第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2在主显示区域MDA在它们之间的情况下彼此面对，并且可以在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或外围区域DPA上)分别在基底100的左侧和基底100的右侧处。第一扫描驱动电路SDRV1可以经由主扫描线SLm向驱动第一子像素Pm的第一像素电路PCm中的每个施加扫描信号。第一扫描驱动电路SDRV1可以经由主发射控制线ELm向第一像素电路PCm中的至少一些中的每个施加发射控制信号。第二扫描驱动电路SDRV2可以基于主显示区域MDA与第一扫描驱动电路SDRV1相对，并且可以被定位为与第一扫描驱动电路SDRV1平行或基本上平行。在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)的第一子像素Pm的第一像素电路PCm中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，第一像素电路PCm中的其他第一像素电路PCm可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。
第三扫描驱动电路SDRV3和第四扫描驱动电路SDRV4在第二像素电路PCa在它们之间的情况下彼此面对，并且可以在基底100的上侧处分别位于外围区域DPA的左侧和右侧处。第三扫描驱动电路SDRV3和第四扫描驱动电路SDRV4可以经由辅助扫描线SLa向用于驱动在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)的第二子像素Pa的第二像素电路PCa施加扫描信号。第三扫描驱动电路SDRV3和第四扫描驱动电路SDRV4可以经由辅助发射控制线ELa向第二像素电路PCa施加发射控制信号。第二子像素Pa的第二像素电路PCa中的一些可以电连接到第三扫描驱动电路SDRV3，第二像素电路PCa中的其他第二像素电路PCa可以电连接到第四扫描驱动电路SDRV4。
端子部分PAD可以在基底100的一侧处。端子部分PAD可以不被绝缘层覆盖，并且可以被暴露以连接到显示电路板30。显示驱动器32可以位于显示电路板30上。
显示驱动器32可以生成将要被传输到第一扫描驱动电路SDRV1至第四扫描驱动电路SDRV4的控制信号。显示驱动器32可以生成数据信号，数据信号可以经由扇出线FW和连接到扇出线FW的主数据线DLm传输到主像素电路PCm。
显示驱动器32也可以向驱动电压供应线11供应驱动电压ELVDD(见图4)，并且可以向共电压供应线13供应共电压ELVSS(见图4)。驱动电压ELVDD经由连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到第一子像素Pm的第一像素电路PCm和第二子像素Pa的第二像素电路PCa。共电压ELVSS可以连接到共电压供应线13以施加到显示元件的对电极。
驱动电压供应线11可以在主显示区域MDA下方在x方向上延伸。共电压供应线13可以具有环形形状，该环形形状具有一个敞开侧以部分地围绕主显示区域MDA(例如，在主显示区域MDA的外围周围)。
图3A示出了一个组件区域CA，但是可以设置多个组件区域CA。在这种情况下，多个组件区域CA彼此间隔开(例如，分离)。作为示例，第一相机可以与一个组件区域CA对应，第二相机可以与另一组件区域CA对应。作为另一示例，相机可以与一个组件区域CA对应，红外线传感器可以与另一组件区域CA对应。多个组件区域CA的形状和/或尺寸可以彼此不同。
组件区域CA可以具有圆形形状、椭圆形形状、多边形形状或非限定形状。在一些实施例中，组件区域CA可以具有八边形形状。组件区域CA可以具有各种合适的多边形形状，诸如以矩形形状、六边形形状为例。组件区域CA可以被主显示区域MDA围绕(例如，主显示区域MDA可以在组件区域CA的外围周围)。
在图3A中，第二像素电路PCa被示出为被布置为与组件区域CA的外侧相邻，但是本公开不限于此。如图3B中所示，第二像素电路PCa可以被布置为与主显示区域MDA的外侧相邻。在一些实施例中，连接线TWL可以经由附加连接线TWL'(例如，见图3B)连接到第二像素电路PCa。在这种情况下，连接线TWL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)，附加连接线TWL'可以在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)。连接线TWL可以包括透明导电材料，附加连接线TWL'可以包括高导电金属。在一些实施例中，附加连接线TWL'可以在与连接线TWL的层相同的层处。在另一实施例中，附加连接线TWL'可以在与连接线TWL的层不同的层处，并且可以经由接触孔连接到连接线TWL。
当第二像素电路PCa和包括在第二子像素Pa中的显示元件经由连接线TWL和附加连接线TWL'彼此连接时，连接线TWL和附加连接线TWL'可以分别被称为第一连接线和第二连接线。
图4是根据实施例的像素电路PC的等效电路图。图4可以是第一像素电路PCm和/或第二像素电路PCa的等效电路图。在下文中，为了便于描述，第一像素电路PCm和/或第二像素电路PCa将被称为像素电路PC。
参照图4，像素电路PC可以包括第一晶体管(例如，驱动薄膜晶体管)T1、第二晶体管(例如，开关薄膜晶体管)T2、第三晶体管(例如，补偿薄膜晶体管)T3、第四晶体管(例如，第一初始化薄膜晶体管)T4、第五晶体管(例如，第一发射控制薄膜晶体管)T5、第六晶体管(例如，第二发射控制薄膜晶体管)T6、第七晶体管(例如，第二初始化薄膜晶体管)T7和电容器Cst。
图4示出了每个像素电路PC包括信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL中的至少一者和/或初始化电压线VL可以由邻近像素电路(例如，由相邻像素电路)共享。
第一晶体管T1的漏电极可以经由第六晶体管T6电连接到作为显示元件的有机发光二极管OLED。第一晶体管T1根据第二晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且可以向有机发光二极管OLED供应驱动电流。
第二晶体管T2的栅电极连接到扫描线SL，第二晶体管T2的源电极连接到数据线DL。第二晶体管T2的漏电极连接到第一晶体管T1的源电极，并且可以经由第五晶体管T5连接到驱动电压线PL。
第二晶体管T2根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而导通，并且执行开关操作以向第一晶体管T1的源电极传输通过数据线DL传输的数据信号Dm。
第三晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。第三晶体管T3的源电极连接到第一晶体管T1的漏电极，并且可以经由第六晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第三晶体管T3的漏电极可以连接到电容器Cst的第一电极、第四晶体管T4的源电极和第一晶体管T1的栅电极。第三晶体管T3根据通过扫描线SL传输的扫描信号Sn而导通，并且使第一晶体管T1的栅电极和漏电极彼此连接以使第一晶体管T1二极管连接，使得可以补偿第一晶体管T1的阈值电压。
第四晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第四晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第四晶体管T4的源电极可以连接到电容器Cst的第一电极、第三晶体管T3的漏电极和第一晶体管T1的栅电极。第四晶体管T4根据通过前一扫描线SL-1传输的前一扫描信号Sn-1而导通，以向第一晶体管T1的栅电极传输初始化电压Vint，并且执行用于使第一晶体管T1的栅电极处的电压初始化的初始化操作。
第五晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。第五晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。第五晶体管T5的漏电极连接到第一晶体管T1的源电极和第二晶体管T2的漏电极。
第六晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。第六晶体管T6的源电极可以连接到第一晶体管T1的漏电极和第三晶体管T3的源电极。第六晶体管T6的漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第五晶体管T5和第六晶体管T6根据通过发射控制线EL传输的发射控制信号En并发地(例如，同时地)导通，以向有机发光二极管OLED传输驱动电压ELVDD，因此，驱动电流流过有机发光二极管OLED。
第七晶体管T7的栅电极可以连接到下一扫描线SL+1。第七晶体管T7的源电极可以连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第七晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第七晶体管T7根据通过下一扫描线SL+1传输的后一扫描信号(例如，下一扫描信号)Sn+1而导通，以使有机发光二极管OLED的像素电极初始化。
图4示出了其中第四晶体管T4和第七晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1的示例，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，第四晶体管T4和第七晶体管T7两者可以连接到前一扫描线SL-1从而根据前一扫描信号Sn-1操作。
电容器Cst的第二电极可以连接到驱动电压线PL。电容器Cst的第一电极可以连接到第一晶体管T1的栅电极、第三晶体管T3的漏电极和第四晶体管T4的源电极。
有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收共电压ELVSS的供应。有机发光二极管OLED在接收到来自第一晶体管T1的驱动电流之后发射光。
像素电路PC不限于图4中所示的晶体管和电容器的数量和电路设计，并且可以根据需要或期望而不同地修改数量和/或电路设计。
图5是示出根据实施例的显示面板的区域的平面布局图。更详细地，图5示出了组件区域CA、主显示区域MDA的在组件区域CA周围(例如，与组件区域CA相邻)的部分以及外围区域DPA的一部分。
参照图5，多个第一子像素Pm可以在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)。如在本说明书中使用的，子像素是用于实现图像的最小单元，并且表示光由显示元件发射穿过其的发光区域。当有机发光二极管用作显示元件时，发光区域可以由像素限定层的开口限定。将在下面对此进行更详细地描述。多个第一子像素Pm中的每个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的合适的一种。
在一些实施例中，在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)的第一子像素Pm可以包括第一颜色子像素Pr、第二颜色子像素Pg和第三颜色子像素Pb。第一颜色子像素Pr、第二颜色子像素Pg和第三颜色子像素Pb可以分别发射红光、绿光和蓝光。第一子像素Pm可以以RGBG结构(例如，
Figure BDA0003342281870000191
结构，
Figure BDA0003342281870000192
是三星显示有限公司(Samsung Display Co.,Ltd.)的正式注册商标)布置。
例如，使在第二颜色子像素Pg处的中心点作为正方形的中心点的虚拟正方形的顶点之中，第一颜色子像素Pr可以在第一顶点和第三顶点处，第三颜色子像素Pb可以在第二顶点和第四顶点处。第二颜色子像素Pg的尺寸可以比第一颜色子像素Pr和第三颜色子像素Pb的尺寸小。
这种像素排列结构被称为RGBG结构或RGBG矩阵结构(例如，
Figure BDA0003342281870000193
结构或
Figure BDA0003342281870000194
矩阵结构)。通过应用渲染(其中像素的颜色通过共享相邻像素的颜色来表示)，可以经由较少数量的像素获得高分辨率。
图5示出了多个第一子像素Pm以RGBG矩阵结构(例如，
Figure BDA0003342281870000195
矩阵结构)布置，但是本公开不限于此。例如，多个第一子像素Pm可以以各种合适的形状和结构(诸如以条带结构、马赛克布置结构、三角形布置结构等为例)布置。
在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)，第一像素电路PCm可以与第一子像素Pm叠置，第一像素电路PCm可以沿着x方向和y方向以矩阵的形式布置。在本说明书中，第一像素电路PCm表示用于驱动一个第一子像素Pm的像素电路的单元。
多个第二子像素Pa可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)。多个第二子像素Pa中的每个可以发射红光、绿光、蓝光和白光中的合适的一种。第二子像素Pa可以包括第一颜色子像素Pr'、第二颜色子像素Pg'和第三颜色子像素Pb'。第一颜色子像素Pr'、第二颜色子像素Pg'和第三颜色子像素Pb'可以分别发射红光、绿光和蓝光。
在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)的每单位面积的第二子像素Pa的数量可以比在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)的每单位面积的第一子像素Pm的数量少。例如，对于相同尺寸的单位面积，第二子像素Pa的数量和第一子像素Pm的数量可以是1:2、1:4、1:8或1:9的比率。换言之，组件区域CA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的1/2、1/4、1/8或1/9。图5示出了其中组件区域CA具有主显示区域MDA的分辨率的约1/8的分辨率的示例，但是本公开不限于此。
在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)的第二子像素Pa可以以各种合适的形状和结构布置。例如，第二子像素Pa可以以像素组单元布置，并且在像素组中的每个中，第二子像素Pa可以以各种合适的结构(诸如以条带结构、马赛克布置结构、三角形布置结构等为例)布置。这里，像素组中的第二子像素Pa之间的距离可以等于或基本上等于第一子像素Pm之间的距离。
作为另一示例，如图5中所示，第二子像素Pa可以分布在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)。换言之，第二子像素Pa之间的距离可以比第一子像素Pm之间的距离大。另外，在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)的未设置第二子像素Pa的区域可以是具有高透光率的透射区域TA。
用于控制来自第二子像素Pa的光发射的第二像素电路PCa可以在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)。因为第二像素电路PCa不位于组件区域CA处(例如，不位于组件区域CA中或不位于组件区域CA上)，所以组件区域CA可以具有相对较大的透射区域TA。此外，用于向第二像素电路PCa施加恒定电压和信号的电压线和信号线不位于组件区域CA处(例如，不位于组件区域CA中或不位于组件区域CA上)，因此，在不考虑线的布置的情况下，第二子像素Pa可以不同地布置(例如，可以自由布置)。
第二像素电路PCa可以在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)分布在彼此间隔开(例如，分离)的第一像素电路区域PCA1和第二像素电路区域PCA2处(例如，在第一像素电路区域PCA1和第二像素电路区域PCA2中或在第一像素电路区域PCA1和第二像素电路区域PCA2上)。例如，用于驱动第二子像素Pa之中的在组件区域CA的左侧处的第二子像素Pa的第二像素电路PCa可以位于第一像素电路区域PCA1处(例如，位于第一像素电路区域PCA1中或位于第一像素电路区域PCA1上)。用于驱动第二子像素Pa之中的位于组件区域CA的右侧处的第二子像素Pa的第二像素电路PCa可以位于第二像素电路区域PCA2处(例如，位于第二像素电路区域PCA2中或位于第二像素电路区域PCA2上)。
第一像素电路区域PCA1和第二像素电路区域PCA2可以不与组件区域CA的侧对应，并且可以与主显示区域MDA的外侧相邻。换言之，相比于靠近组件区域，第一像素电路区域PCA1和第二像素电路区域PCA2可以更靠近主显示区域MDA。第一像素电路区域PCA1和第二像素电路区域PCA2可以在x方向上彼此间隔开大约组件区域CA的宽度。然而，本公开不限于此。例如，第一像素电路区域PCA1和第二像素电路区域PCA2可以与组件区域CA的一侧或更多侧相邻。
第二像素电路PCa可以经由连接线TWL和附加连接线TWL'连接到第二子像素Pa。连接线TWL在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)，并且可以包括透明导电材料。例如，连接线TWL可以包括透明导电氧化物(TCO)。连接线TWL可以包括导电氧化物，诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓或氧化铝锌(AZO)为例。
附加连接线TWL'可以在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)，并且连接到第二像素电路PCa。附加连接线TWL'可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构。附加连接线TWL'可以在组件区域CA的边缘处(例如，在组件区域CA的边缘中或在组件区域CA的边缘上)或在组件区域CA的边缘附近(例如，与组件区域CA的边缘相邻地)连接到连接线TWL。
当连接线TWL和附加连接线TWL'连接到第二子像素Pa时，这可以表示连接线TWL和附加连接线TWL'电连接到包括在第二子像素Pa中的显示元件的像素电极。
附加连接线TWL'和连接线TWL可以彼此在同一层处或在彼此不同的层处。当附加连接线TWL'和连接线TWL在彼此不同的层处时，附加连接线TWL'和连接线TWL可以经由接触孔彼此连接。
附加连接线TWL'可以具有比连接线TWL的导电率高的导电率。因为附加连接线TWL'在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)，所以可以不需要确保其透光率。因此，附加连接线TWL'可以包括具有比连接线TWL的透光率低的透光率并且比连接线TWL的导电率高的导电率的材料。因此，可以减小连接线TWL的电阻。
扫描线SL可以包括连接到第一像素电路PCm的主扫描线SLm和连接到第二像素电路PCa的辅助扫描线SLa。
主扫描线SLm在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)在x方向上延伸，以连接到彼此在同一行中的主像素电路PCm。主扫描线SLm可以不在组件区域CA处(例如，不在组件区域CA中或不在组件区域CA上)。换言之，主扫描线SLm可以在组件区域CA处断开。在这种情况下，在组件区域CA的左侧处的主扫描线SLm可以从第一扫描驱动电路SDRV1(例如，见图3A)接收信号，在组件区域CA的右侧处的主扫描线SLm可以从第二扫描驱动电路SDRV2(例如，见图3A)接收信号。
辅助扫描线SLa在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)在x方向上延伸，并且可以连接到彼此在同一行中的第二像素电路PCa。辅助扫描线SLa可以断开。在这种情况下，在组件区域CA的左侧处的辅助扫描线SLa可以从第三扫描驱动电路SDRV3(例如，见图3A)接收信号，在组件区域CA的右侧处的辅助扫描线SLa可以从第四扫描驱动电路SDRV4(例如，见图3A)接收信号。
数据线DL可以包括连接到第一像素电路PCm的主数据线DLm和连接到第二像素电路PCa的辅助数据线DLa。主数据线DLm在y方向上延伸，并且可以连接到彼此在同一列中的第一像素电路PCm。辅助数据线DLa在y方向上延伸，并且可以连接到彼此在同一列中的第二像素电路PCa。
主数据线DLm和辅助数据线DLa经由数据连接线DWL彼此连接，用于驱动彼此在同一列中的第一子像素Pm和第二子像素Pa的第一像素电路PCm和第二像素电路PCa可以经由同一扇出线FW(例如，见图3A)接收数据信号。数据连接线DWL可以绕过组件区域CA(例如，可以在组件区域CA周围延伸)。数据连接线DWL可以在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)与第一像素电路PCm叠置。因为数据连接线DWL在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)，所以可以不使用或不需要用于布置数据连接线DWL的附加空间，因此，可以减小死区的面积。
数据连接线DWL可以在与主数据线DLm和辅助数据线DLa的层不同的层处，因此，数据连接线DWL可以分别经由接触孔连接到主数据线DLm和辅助数据线DLa。
图6A和图6B是示出根据一个或更多个实施例的显示面板10的一些部分的剖视图。图6A和图6B是示出显示面板10中的主显示区域MDA、组件区域CA和外围区域DPA的一些部分的剖视图。图7是根据图6A的实施例的第二像素电极121'和不透明层SHL的平面图。图8A至图8C是示出形成根据图6A的实施例的第二像素电极121'和不透明层SHL的各种工艺的剖视图。
参照图6A，第一子像素Pm在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)，第二子像素Pa在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)。组件区域CA包括透射区域TA。包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst的第一像素电路PCm以及作为连接到第一像素电路PCm的第一显示元件的第一有机发光二极管OLED可以在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)。第二有机发光二极管OLED'可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)作为第二显示元件。包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的第二像素电路PCa可以在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)。另外，用于使第二像素电路PCa连接到第二有机发光二极管OLED'的连接线TWL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)。图6A中所示的薄膜晶体管TFT可以是图4中所示的晶体管中一个的示例。
在本实施例中，有机发光二极管OLED用作显示元件，但是本公开不限于此，在其他实施例中，无机发光二极管或量子点发光二极管可以用作显示元件。
在下文中，将在下面更详细地描述其中显示面板10中的元件彼此堆叠的结构。显示面板10可以包括依次堆叠的基底100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL。
基底100可以包括绝缘材料，诸如以玻璃、石英和/或聚合物树脂为例。基底100可以包括刚性基底，或者可以是可弯曲的、可折叠的和/或可卷曲的柔性基底。
缓冲层111在基底100上，以减少或阻挡杂质、湿气和/或外部空气从基底100的下部渗透，并且在基底100上提供平坦或基本上平坦的表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如以氧化物材料或氮化物材料为例)、有机材料或者无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。用于防止或减少外部空气的渗透的阻挡层可以进一步设置在基底100与缓冲层111之间。在一些实施例中，缓冲层111可以包括氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)。
电路层PCL在缓冲层111上，并且可以包括第一像素电路PCm和第二像素电路PCa、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113、层间绝缘层115以及平坦化层117。第一像素电路PCm和第二像素电路PCa均可以包括薄膜晶体管TFT和电容器Cst。
薄膜晶体管TFT可以在缓冲层111上。薄膜晶体管TFT包括半导体层AL、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。第一像素电路PCm的薄膜晶体管TFT连接到第一有机发光二极管OLED，以驱动第一有机发光二极管OLED。第二像素电路PCa的薄膜晶体管TFT可以连接到第二有机发光二极管OLED'，以驱动第二有机发光二极管OLED'。因为第二像素电路PCa的薄膜晶体管TFT具有与第一像素电路PCm的薄膜晶体管TFT的结构相同或基本上相同(或相似)的结构，所以可以不重复其冗余描述。
半导体层AL在缓冲层111上，并且可以包括多晶硅。在另一实施例中，半导体层AL可以包括非晶硅。在另一实施例中，半导体层AL可以包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中的至少一种的氧化物。半导体层AL可以包括掺杂有杂质的源区和漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。
第一栅极绝缘层112可以覆盖半导体层AL。第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如以氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx)为例。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。第一栅极绝缘层112可以具有包括无机绝缘材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。
栅电极GE在第一栅极绝缘层112上，以便与半导体层AL的沟道区叠置。栅电极GE可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有单层结构或多层结构。作为示例，栅电极GE可以包括包含Mo的单层。
第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极GE。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如以氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx)为例。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。第二栅极绝缘层113可以具有包括无机绝缘材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。
电容器Cst的上电极CE2可以在第二栅极绝缘层113上。电容器Cst的上电极CE2可以与其下面的栅电极GE叠置。在第二栅极绝缘层113在栅电极GE与上电极CE之间的情况下彼此叠置的栅电极GE和上电极CE可以构成电容器Cst。栅电极GE可以是电容器Cst的下电极CE1。
上电极CE2可以以单层结构或多层结构包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。
层间绝缘层115可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层115可以包括绝缘材料，诸如以氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnOx)为例。ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2。层间绝缘层115可以具有包括无机绝缘材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可以在层间绝缘层115上。数据线DL可以在层间绝缘层115上。数据线DL可以包括主数据线DLm和辅助数据线DLa。源电极SE、漏电极DE和数据线DL均可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有包括以上材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。例如，源电极SE、漏电极DE和数据线DL均可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。源电极SE和漏电极DE可以分别经由形成在无机绝缘层IIL中的接触孔连接到半导体层AL的源区和漏区。在实施例中，半导体层AL的源区和漏区可以分别被包括作为薄膜晶体管TFT的源电极SE的一部分和漏电极DE的一部分。
显示面板10的无机绝缘层IIL可以包括与组件区域CA对应的孔。例如，当第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层115被统称为无机绝缘层IIL时，无机绝缘层IIL可以包括与组件区域CA对应的第一孔H1。第一孔H1可以部分地暴露缓冲层111的上表面或基底100的上表面。可以通过将第一栅极绝缘层112的开口、第二栅极绝缘层113的开口和层间绝缘层115的开口彼此叠置来形成第一孔H1，其中开口与组件区域CA对应(例如，在组件区域CA处)。开口可以通过独立的工艺独立地形成，或者可以通过同一工艺并发地(例如，同时地)形成。当通过独立的工艺独立地形成开口时，第一孔H1的内表面可以不平滑地形成，并且可以具有台阶。
平坦化层117可以覆盖源电极SE、漏电极DE和数据线DL。平坦化层117可以具有平坦或基本上平坦的上表面，使得将布置在其上的第一像素电极121和第二像素电极121'可以是平坦的或基本上平坦的。
平坦化层117可以包括有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。在实施例中，平坦化层117可以包括作为第一有机绝缘层的第一平坦化层117a和作为第二有机绝缘层的第二平坦化层117b。因此，导电图案(诸如以布线为例)可以设置在第一平坦化层117a和第二平坦化层117b之间，并且可以实现高集成度。
第一平坦化层117a和第二平坦化层117b均可以具有拥有高透光率和高平坦度的硅氧烷类有机材料。硅氧烷类有机材料可以包括六甲基二硅氧烷、八甲基三硅氧烷、十甲基四硅氧烷、十二甲基五硅氧烷和/或聚二甲基硅氧烷。作为另一示例，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b均可以包括通用聚合物(例如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。作为另一示例，第一平坦化层117a和第二平坦化层117b均可以包括光敏聚酰亚胺(PSPI)、聚碳酸酯(PC)等。
在实施例中，有机绝缘层可以在连接线TWL上，有机绝缘层的折射率与连接线TWL的折射率之间的差可以是小的(例如，可以是可忽略的)。例如，第一平坦化层117a可以包括硅氧烷类有机材料，第二平坦化层117b可以包括光敏聚酰亚胺。
第一平坦化层117a可以在主显示区域MDA和外围区域DPA处(例如，在主显示区域MDA和外围区域DPA中或在主显示区域MDA和外围区域DPA上)覆盖第一像素电路PCm和第二像素电路PCa。第一平坦化层117a可以填充无机绝缘层IIL的第一孔H1，并且可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在缓冲层111上。第二平坦化层117b可以在第一平坦化层117a上，并且可以具有平坦或基本上平坦的上表面，使得第一像素电极121和第二像素电极121'可以形成为平坦的或基本上平坦的。
连接电极CM、连接线TWL和数据连接线DWL可以在第一平坦化层117a上。
连接线TWL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)，并且可以连接到第二有机发光二极管OLED'。连接线TWL可以连接到在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)的附加连接线TWL'(例如，见图5)。附加连接线TWL'可以连接到第二像素电路PCa，例如，连接到薄膜晶体管TFT。在实施例中，附加连接线TWL'可以在与连接线TWL的层相同的层处(例如，在第一平坦化层117a上)，并且可以包括与连接线TWL的材料不同的材料。在这种情况下，连接线TWL可以与附加连接线TWL'直接接触并连接到附加连接线TWL'。在另一实施例中，附加连接线TWL'可以在与数据线DL的层相同的层处(例如，在层间绝缘层115上)，并且可以包括与数据线DL的材料相同的材料。在这种情况下，连接线TWL可以经由接触孔连接到附加连接线TWL'。
连接线TWL可以包括透明导电材料。例如，连接线TWL可以包括透明导电氧化物(TCO)。连接线TWL可以包括导电氧化物，诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓或氧化铝锌(AZO)为例。连接线TWL可以包括具有50％或更大的透射率的透明导电氧化物。
附加连接线TWL'可以具有比连接线TWL的导电率高的导电率。因为附加连接线TWL'在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)，所以可以不需要确保其透光率。因此，附加连接线TWL'可以包括具有比连接线TWL的透光率低的透光率并且比连接线TWL的导电率高的导电率的材料。附加连接线TWL'可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构。
第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'在第二平坦化层117b上。第一有机发光二极管OLED的第一像素电极121可以经由在第一平坦化层117a上的连接电极CM连接到第一像素电路PCm。第二有机发光二极管OLED'的第二像素电极121'可以经由在第一平坦化层117a上的连接线TWL连接到第二像素电路PCa。第一平坦化层117a和第二平坦化层117b可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在基底100与第二像素电极121'之间依次堆叠。
第一像素电极121和第二像素电极121'可以包括导电氧化物，诸如以氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓或氧化铝锌(AZO)为例。第一像素电极121和第二像素电极121'均可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者其化合物或其混合物的反射层。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'均可以具有其中包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的膜在上面提及的反射层上和/或下面的结构。在这种情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'均可以具有包括ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
不透明层SHL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在第二平坦化层117b上。不透明层SHL是在第二像素电极121'与基底100之间的绝缘图案以与第二像素电极121'对应，并且可以是浮置层。不透明层SHL可以与第二像素电极121'的被像素限定层119暴露的至少一个区域对应。
不透明层SHL可以包括具有1或更大的光密度(OD)的有机材料或无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。在实施例中，不透明层SHL可以包括不透明绝缘材料，诸如以碳、炭黑、类金刚石碳、黑色亚克力、黑色基体等为例。在另一实施例中，不透明层SHL可以包括有色颜料，诸如以黑色颜料或另一种有色颜料为例。例如，不透明层SHL可以包括聚酰亚胺(PI)类粘合剂和其中红色、绿色和蓝色彼此混合的颜料。作为另一示例，不透明层SHL可以包括卡多(cardo)类粘合剂树脂以及内酰胺黑色颜料和蓝色颜料的混合物。在另一实施例中，不透明层SHL可以包括钼(Mo)/氧化钼(MoOx)。
不透明层SHL可以具有5.5％或更小的光反射率。不透明层SHL可以具有约0.2微米(μm)或更大的厚度。
如图7中所示，不透明层SHL可以具有比第二像素电极121'的尺寸小的尺寸。例如，不透明层SHL的边缘与第二像素电极121'的边缘之间的距离D可以小于或等于4μm。例如，当第二像素电极121'具有12μm×12μm的尺寸时，不透明层SHL可以具有8μm×8μm或更大的尺寸。不透明层SHL可以具有与第二像素电极121'的形状对应的形状。
不透明层SHL可以在第二平坦化层117b与第二像素电极121'之间。不透明层SHL的上表面与第二像素电极121'的下表面接触，不透明层SHL的下表面可以与第二平坦化层117b的上表面接触。
在图7中，第二像素电极121'和不透明层SHL被示出为具有正方形形状，但是本公开不限于此。例如，第二像素电极121'和不透明层SHL可以具有圆形形状或与圆形形状类似的多边形形状。
如图8A中所示，连接线TWL可以在基底100与第二平坦化层117b之间，或者更详细地，在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。
连接线TWL可以在第一平坦化层117a上，第二平坦化层117b可以在连接线TWL上。可以在第二平坦化层117b中形成部分地暴露连接线TWL的接触孔CH。第二平坦化层117b也可以包括在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)部分地暴露连接电极CM的接触孔。
如图8B中所示，不透明层SHL可以在与第二像素电极121'对应的位置处在第二平坦化层117b上，并且可以具有与第二像素电极121'的图案类似的图案。不透明层SHL可以不与第二平坦化层117b的接触孔CH叠置。
如图8C中所示，不透明层SHL可以在第二平坦化层117b与第二像素电极121'之间。
第二像素电极121'在不透明层SHL上，并且可以经由接触孔CH连接到连接线TWL。第一像素电极121在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)在第二平坦化层117b上，并且可以经由接触孔连接到连接电极CM。
再次参照图6A，像素限定层119在平坦化层117上，并且覆盖第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘。像素限定层119可以具有分别暴露第一像素电极121的一些部分和第二像素电极121'的一些部分的第一开口OP1和第二开口OP2。第一开口OP1和第二开口OP2可以不与使第一像素电极121连接到连接电极CM的接触孔的位置和使第二像素电极121'连接到连接线TWL的接触孔CH的位置叠置。换言之，像素限定层119可以与使第一像素电极121连接到连接电极CM的接触孔和使第二像素电极121'连接到连接线TWL的接触孔CH叠置，并且可以覆盖接触孔和接触孔CH。第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'(或者换言之，第一子像素Pm和第二子像素Pa)的发光区域的尺寸和形状由第一开口OP1和第二开口OP2限定。
像素限定层119可以通过增加第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘与在第一像素电极121和第二像素电极121'上的对电极123之间的距离来防止或基本上防止在第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘处产生电弧。像素限定层119可以包括有机绝缘材料(诸如以聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)和/或酚醛树脂为例)，并且可以通过旋涂形成。
与第一像素电极121和第二像素电极121'对应的第一发射层122b和第二发射层122b'分别在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2中。第一发射层122b和第二发射层122b'可以包括聚合物材料或低分子材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
功能层122e可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上和/或下面。功能层122e可以包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可以根据需要或期望省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可以在第一发射层122b和第二发射层122b'下面(例如，底下)。第一功能层122a可以具有包括有机材料的单层结构或多层结构。例如，第一功能层122a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。作为另一示例，第一功能层122a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可以在主显示区域MDA和组件区域CA处(例如，在主显示区域MDA和组件区域CA中或在主显示区域MDA和组件区域CA上)一体地设置为与第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'对应。
第二功能层122c可以在第一发射层122b和第二发射层122b'上。第二功能层122c可以具有包括有机材料的单层结构或多层结构。第二功能层122c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可以在主显示区域MDA和组件区域CA处(例如，在主显示区域MDA和组件区域CA中或在主显示区域MDA和组件区域CA上)一体地设置为与第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'对应。
对电极123在第二功能层122c上。对电极123可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极123可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的透明层或半透明层。作为另一示例，对电极123还可以包括在包含以上材料中的一种或更多种的透明层或半透明层上的包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极123可以在主显示区域MDA和组件区域CA处(例如，在主显示区域MDA和组件区域CA中或在主显示区域MDA和组件区域CA上)一体地设置为与第一有机发光二极管OLED和第二有机发光二极管OLED'对应。
在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)从第一像素电极121至对电极123的层可以构成第一有机发光二极管OLED。在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)从第二像素电极121'至对电极123的层可以构成第二有机发光二极管OLED'。
包括有机材料的上层150可以在对电极123上。上层150可以设置为保护对电极123，并改善光提取效率。上层150可以包括具有比对电极123的折射率高的折射率的有机材料。作为另一示例，上层150可以包括具有彼此不同的折射率的堆叠层。例如，上层150可以包括高折射率层/低折射率层/高折射率层。高折射率层可以具有1.7或更大的折射率，低折射率层可以具有1.3或更小的折射率。
上层150可以另外包括LiF。作为另一示例，上层150可以另外包括无机绝缘材料，诸如以氧化硅(SiO2)和/或氮化硅(SiNx)为例。
连接线TWL在图6A中被示出为在第一平坦化层117a上，但是在另一实施例中，如图6B中所示，连接线TWL可以在第一孔H1中。例如，连接线TWL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在缓冲层111上。
参照图6B，连接线TWL可以在基底100与第一平坦化层117a之间，或者在缓冲层111与第一平坦化层117a之间。连接线TWL可以经由接触孔连接到在第一平坦化层117a上的连接电极CM'，并且可以经由连接电极CM'连接到第二像素电极121'。连接线TWL经由接触孔连接到在外围区域DPA处(例如，在外围区域DPA中或在外围区域DPA上)的附加连接线TWL'，并且可以经由附加连接线TWL'连接到第二像素电路PCa。在这种情况下，在连接线TWL上方(例如，直接在连接线TWL上)的第一平坦化层117a可以包括光敏聚酰亚胺，第二平坦化层117b可以包括硅氧烷类有机材料。
图9是部分地示出根据实施例的显示面板10的剖视图。图10是根据图9的实施例的第二像素电极121'和不透明层SHL的平面图。图11A至图11C是示出形成根据图9的实施例的第二像素电极121'和不透明层SHL的各种工艺的剖视图。在图9中，与图6A的附图标号同样的附图标号表示相同或基本上相同的元件、构件和层，因此，可以不重复其冗余描述。
参照图9，不透明层SHL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在第二平坦化层117b上。如图10中所示，不透明层SHL可以具有比第二像素电极121'的尺寸大的尺寸。
如图11A中所示，连接线TWL在第一平坦化层117a上，第二平坦化层117b在连接线TWL上。包括不透明有机材料的有机绝缘层SHL'可以在第二平坦化层117b上。
如图11B中所示，部分地暴露连接线TWL的接触孔CH'可以在第二平坦化层117b和有机绝缘层SHL'中(例如，可以穿透第二平坦化层117b和有机绝缘层SHL')。第二平坦化层117b还可以包括在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)部分地暴露连接电极CM的接触孔。第二平坦化层117b中的接触孔CH1和有机绝缘层SHL'中的接触孔CH2可以彼此叠置。当接触孔CH2形成在有机绝缘层SHL'中时，有机绝缘层SHL'可以被图案化以形成不透明层SHL。不透明层SHL可以在与第二像素电极121'对应的位置中形成为具有与第二像素电极121'的形状类似的形状的图案。
如图11C中所示，第二像素电极121'可以在不透明层SHL上，并且可以经由接触孔CH'连接到连接线TWL。第一像素电极121在第二平坦化层117b上，并且可以在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)经由接触孔连接到连接电极CM。
在图9的实施例中，连接线TWL被示出为在第一平坦化层117a上，但是如图6B中所示，连接线TWL可以在第一孔H1中(或者换言之，在缓冲层111上)，并且可以连接到第一平坦化层117a上的连接电极CM'。
图12和图14是示出根据一个或更多个实施例的显示面板10的一些部分的剖视图。图13A至图13D是示出形成根据图12的实施例的第二像素电极121'和不透明层SHL的各种工艺的剖视图。在图12和图14中，同样的附图标号表示与图6A的元件、构件和层相同或基本上相同的元件、构件和层，因此，可以不重复其冗余描述。
参照图12，不透明层SHL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在第二平坦化层117b上。换言之，不透明层SHL可以在第二平坦化层117b与第二像素电极121'之间。第二平坦化层117b包括在与第二像素电极121'对应的位置中容纳不透明层SHL的凹部REC1，不透明层SHL可以在第二平坦化层117b的凹部REC1中。第二像素电极121'在不透明层SHL上，并且可以经由接触孔CH连接到在第一平坦化层117a上的连接线TWL。
如图13A中所示，连接线TWL可以在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。
连接线TWL可以在第一平坦化层117a上，第二平坦化层117b可以在连接线TWL上。第二平坦化层117b可以包括在与第二像素电极121'对应的位置中的凹部REC1。由于通过使用半色调掩模在第二平坦化层117b中形成凹部REC1，第二平坦化层117b可以包括具有彼此不同厚度的区域，或者换言之，具有第一厚度TH1的区域和具有比第一厚度TH1小的第二厚度TH2的区域。凹部REC1可以在与第二像素电极121'对应的位置中具有与第二像素电极121'的形状类似的形状。
如图13B中所示，部分地暴露连接线TWL的接触孔CH可以在第二平坦化层117b中。第二平坦化层117b还可以包括在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)部分地暴露连接电极CM的接触孔。
如图13C中所示，将遮光有机材料填充在第二平坦化层117b的凹部REC1中以形成不透明层SHL。不透明层SHL的上表面和第二平坦化层117b中的具有第一厚度TH1的区域的上表面可以彼此重合(例如，可以共面)。
如图13D中所示，第二像素电极121'在不透明层SHL和第二平坦化层117b上，并且可以经由接触孔CH连接到连接线TWL。第一像素电极121在第二平坦化层117b上，并且可以在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)经由接触孔连接到连接电极CM。
在图12中所示的实施例中，不透明层SHL的尺寸和第二平坦化层117b中的凹部REC1的尺寸可以比第二像素电极121'的尺寸小。但是在另一实施例中，如图14中所示，不透明层SHL的尺寸和第二平坦化层117b中的凹部REC1的尺寸可以大于或等于第二像素电极121'的尺寸。在这种情况下，第二像素电极121'可以经由第二平坦化层117b中的接触孔CH1和不透明层SHL中的接触孔CH2连接到连接线TWL。不透明层SHL中的接触孔CH2可以与第二平坦化层117b中的接触孔CH1叠置。
在图12和图14中所示的实施例中，连接线TWL在第一平坦化层117a上，但是如图6B中所示，连接线TWL可以在第一孔H1中(或者换言之，在缓冲层111与第一平坦化层117a之间)，并且可以连接到第一平坦化层117a上的连接电极CM'。
图15和图17是示出根据一个或更多个实施例的显示面板10的一些部分的剖视图。图16A至图16D是示出形成根据图15的实施例的第二像素电极121'和不透明层SHL的各种工艺的剖视图。在图15和图17中，同样的附图标号表示与图6A的构件、元件和层相同的构件、元件和层，因此，可以不重复其冗余描述。
参照图15，不透明层SHL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在第一平坦化层117a上。不透明层SHL可以在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。第一平坦化层117a可以包括用于容纳不透明层SHL的凹部REC2，不透明层SHL可以包括在第一平坦化层117a的凹部REC2中。连接线TWL可以在不透明层SHL上，第二平坦化层117b可以在连接线TWL上。连接线TWL的一部分可以直接在不透明层SHL上，连接线TWL的剩余部分可以直接在第一平坦化层117a上。第二平坦化层117b可以覆盖连接线TWL、不透明层SHL和第一平坦化层117a。第二像素电极121'可以在第二平坦化层117b上，并且可以经由接触孔CH连接到连接线TWL。在图15的实施例中，不透明层SHL可以阻挡或减少来自第二像素电极121'的光反射和来自连接线TWL的光反射。
如图16A中所示，第一平坦化层117a可以在缓冲层111上，并且可以包括在与第二像素电极121'对应的位置中的凹部REC2。由于通过使用半色调掩模在第一平坦化层117a中形成凹部REC2，第一平坦化层117a可以包括具有彼此不同厚度的区域，或者换言之，具有第三厚度TH3的区域和具有比第三厚度TH3小的第四厚度TH4的区域。凹部REC2可以在与第二像素电极121'对应的位置中具有与第二像素电极121'的形状类似的形状。
如图16B中所示，将遮光有机材料填充在第一平坦化层117a的凹部REC2中以形成不透明层SHL。不透明层SHL的上表面和第一平坦化层117a中的具有第三厚度TH3的区域的上表面可以彼此重合(例如，可以共面)。
如图16C中所示，连接线TWL在不透明层SHL上，第二平坦化层117b在连接线TWL上。可以在第二平坦化层117b中形成部分地暴露连接线TWL的接触孔CH。第二平坦化层117b还可以包括在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)部分地暴露连接电极CM的接触孔。
如图16D中所示，第二像素电极121'在第二平坦化层117b上，并且可以经由接触孔CH连接到连接线TWL。第一像素电极121在第二平坦化层117b上，并且可以在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)经由接触孔连接到连接电极CM。
在另一实施例中，如图17中所示，可以在第一平坦化层117a中在与第二像素电极121'对应的位置中形成穿透第一平坦化层117a并部分地暴露缓冲层111的第二孔H2，而不是凹部REC2。另外，不透明层SHL可以形成在第二孔H2中以填充第二孔H2。可以在主显示区域MDA和外围区域DPA处(例如，在主显示区域MDA和外围区域DPA中或在主显示区域MDA和外围区域DPA上)在第一平坦化层117a中形成接触孔的工艺中获得(例如，可以形成)第二孔H2。连接线TWL的一部分可以直接在不透明层SHL上，连接线TWL的剩余部分可以直接在第一平坦化层117a上。第二平坦化层117b可以覆盖连接线TWL、不透明层SHL和第一平坦化层117a。
在图15和图17的实施例中，连接线TWL被示出为在不透明层SHL上，但是如图6B中所示，连接线TWL可以在第一孔H1中(或者换言之，在缓冲层111上)，并且可以连接到第一平坦化层117a上的连接电极CM'。
图18和图20是示出根据一个或更多个实施例的显示面板10的一些部分的剖视图。图19A至图19C是示出形成根据图18的实施例的第二像素电极121'和不透明层SHL的各种工艺的剖视图。在图18和图20中，同样的附图标号表示与图6A的构件、元件和层相同或基本上相同的构件、元件和层，因此，可以不重复其冗余描述。
参照图18，连接线TWL和不透明层SHL可以在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)在第一平坦化层117a上。不透明层SHL可以在与第二像素电极121'对应的位置处。第二平坦化层117b可以在连接线TWL和不透明层SHL上。
不透明层SHL可以至少部分地覆盖连接线TWL。换言之，连接线TWL的一部分可以在第一平坦化层117a与不透明层SHL之间，并且连接线TWL的另一部分可以在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间。
第二像素电极121'可以在第二平坦化层117b上，并且可以经由接触孔CH连接到连接线TWL。
如图19A中所示，第一平坦化层117a可以在缓冲层111上，连接线TWL可以在第一平坦化层117a上。不透明层SHL可以在第一平坦化层117a上以与第二像素电极121'对应。不透明层SHL的一部分可以部分地覆盖连接线TWL的与第二像素电极121'叠置的部分。例如，不透明层SHL可以部分地覆盖连接线TWL的除了连接线TWL的将被随后将形成在第二平坦化层117b中的接触孔CH暴露的区域之外的部分。
如图19B中所示，第二平坦化层117b可以在第一平坦化层117a上，同时覆盖连接线TWL和不透明层SHL。可以在第二平坦化层117b中形成部分地暴露连接线TWL的接触孔CH。第二平坦化层117b还可以包括在主显示区域MDA处(例如，在主显示区域MDA中或在主显示区域MDA上)部分地暴露连接电极CM的接触孔。
如图19C中所示，第二像素电极121'在第二平坦化层117b上，并且可以经由接触孔CH连接到连接线TWL。第一像素电极121也在第二平坦化层117b上，并且可以在主显示区域MDA处(例如，其中或上)经由接触孔连接到连接电极CM。
在参照图18示出的实施例中，不透明层SHL的尺寸比第二像素电极121'的尺寸少(例如，小)，但是如图20中所示，不透明层SHL的尺寸可以等于或大于第二像素电极121'的尺寸。在这种情况下，不透明层SHL可以覆盖连接线TWL的与第二像素电极121'叠置的区域。第二像素电极121'可以经由第二平坦化层117b中的接触孔CH1和不透明层SHL中的接触孔CH2连接到连接线TWL。第二平坦化层117b中的接触孔CH1可以与不透明层SHL中的接触孔CH2叠置。
在图18和图20的实施例中，连接线TWL被示出为在第一平坦化层117a上，但是如图6B中所示，连接线TWL可以在第一孔H1中(或者换言之，在缓冲层111上)，并且可以连接到第一平坦化层117a上的连接电极CM'。在这种情况下，不透明层SHL可以部分地或完全地覆盖连接电极CM'的与第二像素电极121'叠置的区域。
图21和图22是示出根据一个或更多个实施例的显示面板10的一些部分的剖视图。在图21和图22中，同样的附图标号表示与图6A的构件、元件和层相同或基本上相同的构件、元件和层，因此，可以不重复其冗余描述。
在图21和图22中所示的实施例中，第一平坦化层117a包括与组件区域CA对应的第二孔H2，连接线TWL和不透明层SHL在第二孔H2中。这里，第一平坦化层117a可以包括与不透明层SHL的材料相同的材料。
在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)，连接线TWL在缓冲层111上，不透明层SHL可以在与第二像素电极121'对应的位置处在缓冲层111与第二平坦化层117b之间。在缓冲层111上形成连接线TWL之后，不透明层SHL可以形成在连接线TWL上，以便部分地或完全地覆盖连接线TWL。第二平坦化层117b填充在第一平坦化层117a的第二孔H2中，并且可以覆盖暴露的缓冲层111、连接线TWL和不透明层SHL。换言之，连接线TWL的一部分可以在缓冲层111与第二平坦化层117b之间，连接线TWL的另一部分可以在缓冲层111与不透明层SHL之间。
第二平坦化层117b可以在主显示区域MDA和外围区域DPA处(例如，在主显示区域MDA和外围区域DPA中或在主显示区域MDA和外围区域DPA上)在第一平坦化层117a上。
当第二孔H2在基底100上方形成在第一平坦化层117a中时，可以通过在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)使第一平坦化层117a的在第二孔H2中的剩余部分图案化来获得(例如，可以形成)不透明层SHL。根据本实施例，可以省略可以作为与形成平坦化层117的工艺分开的工艺的形成不透明层SHL的工艺。
连接线TWL可以经由第二平坦化层117b中的接触孔CH连接到第二像素电极121'。连接线TWL经由接触孔连接到附加连接线TWL'，并且可以经由附加连接线TWL'连接到第二像素电路PCa。不透明层SHL可以如图21中所示部分地覆盖连接线TWL的与第二像素电极121'叠置的区域，或者可以如图22中所示完全覆盖连接线TWL的与第二像素电极121'叠置的区域。
根据本公开的一个或更多个实施例，不透明层SHL在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)位于第二像素电极121'(或者换言之，反射层)与基底100之间，因此，不存在位于不透明层SHL与基底100之间的反射层。包括具有合适水平(例如，预定的或特定的水平)或更小的反射率的透明导电材料的连接线TWL和透明有机层/无机层可以(例如，可以仅存在)在不透明层SHL与基底100之间。因此，可以减少由于在组件区域CA处(例如，在组件区域CA中或在组件区域CA上)的反射层引起的光反射。
如上所述，在根据本公开的一个或更多个实施例的显示面板和显示装置中，像素电路不位于组件区域处(例如，不位于组件区域中或不位于组件区域上)，因此，可以确保相对较宽的透射区域，从而改善其透射率。然而，本公开不限于这些方面和特征。
尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在示例实施例中可以进行各种修改。将理解的是，除非另外地指出，否则每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此，如对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外地具体指出，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以独立使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且不应被解释为限于这里公开的特定示例实施例，并且对公开的示例实施例以及其他示例实施例的各种修改旨在包括在如所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (24)

1.一种显示面板，所述显示面板包括：
第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域的分辨率比所述第一区域的分辨率小；
基底；
第一像素电极，在所述基底上在所述第一区域处；
第一像素电路，在所述基底上在所述第一区域处，所述第一像素电路连接到所述第一像素电极；
第二像素电极，在所述基底上在所述第二区域处；
第二像素电路，在所述基底上在所述第三区域处，所述第二像素电路连接到所述第二像素电极；以及
不透明层，在所述基底与所述第二像素电极之间在所述第二区域处，所述不透明层包括与所述第二像素电极叠置的绝缘图案。
2.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
第一有机绝缘层，在所述第二区域处在所述基底与所述第二像素电极之间；以及
第二有机绝缘层，在所述第一有机绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述不透明层在所述第二有机绝缘层与所述第二像素电极之间。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述不透明层的上表面接触所述第二像素电极，并且
所述不透明层的下表面接触所述第二有机绝缘层。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其中，所述第二有机绝缘层包括与所述第二像素电极对应的凹部，并且
所述不透明层在所述第二有机绝缘层的所述凹部中。
6.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述不透明层在所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第一有机绝缘层包括与所述第二像素电极对应的凹部，并且
所述不透明层在所述第一有机绝缘层的所述凹部中。
8.根据权利要求2所述的显示面板，其中，在与所述第二像素电极对应的位置处的孔穿透所述第一有机绝缘层，并且
所述不透明层在所述第一有机绝缘层的所述孔中。
9.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：第一连接线，在所述第二区域处在所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间，所述第一连接线使所述第二像素电极连接到所述第二像素电路。
10.根据权利要求9所述的显示面板，所述显示面板还包括：第二连接线，在所述第三区域处，所述第二连接线使所述第一连接线连接到所述第二像素电路。
11.根据权利要求2所述的显示面板，所述显示面板还包括：第一连接线，在所述第二区域处在所述基底与所述第一有机绝缘层之间，所述第一连接线使所述第二像素电极连接到所述第二像素电路。
12.根据权利要求11所述的显示面板，所述显示面板还包括：第二连接线，在所述第三区域处，所述第二连接线使所述第一连接线连接到所述第二像素电路。
13.根据权利要求1所述的显示面板，所述显示面板还包括：
第一有机绝缘层，覆盖所述第一区域处的所述第一像素电路和所述第三区域处的所述第二像素电路，所述第一有机绝缘层包括与所述第二区域对应的孔；以及
第二有机绝缘层，在所述第一区域和所述第三区域处在所述第一有机绝缘层上，所述第二有机绝缘层在所述第二区域处在所述基底与所述第二像素电极之间填充所述第一有机绝缘层的所述孔。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述不透明层在所述第二区域处在所述基底与所述第二有机绝缘层之间。
15.根据权利要求14所述的显示面板，所述显示面板还包括：第一连接线，在所述第二区域处在所述基底与所述第二有机绝缘层之间，所述第一连接线使所述第二像素电极连接到所述第二像素电路，
其中，所述不透明层至少部分地覆盖所述第一连接线。
16.根据权利要求15所述的显示面板，所述显示面板还包括：第二连接线，在所述第三区域处，所述第二连接线使所述第一连接线连接到所述第二像素电路。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
显示面板，包括：
第一区域、第二区域和第三区域；
基底；
第一显示元件，在所述第一区域处；
第二显示元件，在所述第二区域处，所述第二显示元件包括在所述第二区域处在所述基底上的第二像素电极；
第二像素电路，在所述基底上在所述第三区域处，所述第二像素电路连接到所述第二像素电极；
有机绝缘层，在所述第二区域处在所述基底与所述第二像素电极之间；以及
不透明层，在所述第二区域处在所述基底与所述第二像素电极之间，所述不透明层包括与所述第二像素电极叠置的绝缘图案；以及
组件，在所述显示面板下面，所述组件与所述第二区域对应。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层包括：
第一有机绝缘层，在所述基底与所述第二像素电极之间；以及
第二有机绝缘层，在所述第一有机绝缘层上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述不透明层在所述第二有机绝缘层与所述第二像素电极之间。
20.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二有机绝缘层包括与所述第二像素电极对应的凹部，并且
所述不透明层在所述第二有机绝缘层的所述凹部中。
21.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述不透明层在所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间。
22.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层包括与所述第二像素电极对应的凹部，并且
所述不透明层在所述第一有机绝缘层的所述凹部中。
23.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第一有机绝缘层包括穿透所述第一有机绝缘层并且与所述第二像素电极的位置对应的孔，并且
所述不透明层在所述第一有机绝缘层的所述孔中。
24.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层包括：
第一有机绝缘层，在所述第三区域处覆盖所述第二像素电路，所述第一有机绝缘层包括与所述第二区域对应的孔；以及
第二有机绝缘层，在所述第三区域处在所述第一有机绝缘层上，所述第二有机绝缘层在所述第二区域处在所述基底与所述第二像素电极之间填充所述第一有机绝缘层的所述孔，
其中，所述不透明层在所述基底与所述第二有机绝缘层之间。
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