CN111261085A - 显示面板 - Google Patents

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尹一求
李知恩
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Abstract

一种显示面板，包括：基板，该基板包括第一区、第二区、围绕第一区和第二区的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域；被设置在显示区域中的多个像素；被设置在非显示区域中并且不发光的多个虚设像素；以及多条信号线，多条信号线被配置成将多个像素电连接到多个虚设像素。多个虚设像素中的一些虚设像素被设置在第一区与第二区之间。

Description

显示面板
相关专利申请的交叉引用
本申请要求2018年11月30日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0153024号的优先权和权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示面板。
背景技术
在当今世界，传统显示设备的应用比以往任何时候都更多。由于显示设备的相对小的厚度和轻的重量，因此能够增大应用范围。
假定以不同方式利用显示设备，则可以使用各种方法来设计显示设备的形状，并且可以应用或链接到显示设备的功能增加。
发明内容
作为增加可以连接或链接到显示设备的功能的方法，一个或多个实施例包括显示面板和包括该显示面板的设备，该显示面板包括摄像机、传感器等可以被设置在显示区域内的区域。
然而，一个或多个实施例仅是示例，并且本公开的范围不限于此。
附加方面将部分地在后面的描述中阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过所提出的实施例的实践来习得。
根据一个或多个实施例，显示面板包括：基板，该基板包括第一区、第二区、围绕第一区和第二区的非显示区域以及围绕非显示区域的显示区域；被设置在显示区域中的多个像素；被设置在非显示区域中并且不发光的多个虚设像素；以及多条信号线，多条信号线被配置成将多个像素电连接到多个虚设像素，其中，多个虚设像素中的一些虚设像素被设置在第一区与第二区之间。
多个虚设像素可以被设置成围绕第一区和第二区。
多个像素中的每一个像素可以包括像素电路和显示元件，像素电路包括至少一个晶体管，并且显示元件连接到像素电路。多个虚设像素中的每一个虚设像素可以包括虚设像素电路，虚设像素电路包括至少一个虚设晶体管。像素电路的结构可以是与虚设像素电路的结构相同的结构。
显示面板可以进一步包括像素限定层，像素限定层被设置在像素电路和虚设像素电路上，并且包括与多个像素中的每一个像素对应的开口。像素限定层可以具有与虚设像素对应的平坦上表面。
显示面板可以进一步包括被设置在像素限定层的与像素对应的开口内的有机发射层。有机发射层可以被设置在像素限定层的与虚设像素对应的上表面上。
显示面板可以进一步包括第一公共层、有机发射层和第二公共层，第一公共层、有机发射层和第二公共层彼此顺序堆叠并且被设置在像素限定层的与像素对应的开口内。第一公共层和第二公共层可以在像素限定层的与虚设像素对应的上表面上彼此接触。
显示面板可以进一步包括与像素对应的像素电极、中间层和对电极，像素电极连接到像素电路，中间层被设置在像素限定层的开口内，对电极被设置在中间层上。开口可以暴露像素电极，并且对电极可以接触像素限定层的与虚设像素对应的上表面。
多条信号线可以包括每条信号线在第一方向上延伸并且在第一区周围被切割的信号线，并且被切割的信号线的相应的两个切割部分可以通过在第一区周围绕行的连接线彼此连接。
连接线中的一些连接线可以被设置在与信号线被设置在上面的层相同的层上，并且连接线和信号线可以通过第一桥接金属彼此连接，第一桥接金属被设置在与连接线和信号线被设置在上面的层不同的层上。
连接线之中的相邻连接线可以被设置在不同的层上。
显示面板可以进一步包括在第一区和第二区周围彼此隔开的多条初始化电压线。多条初始化电压线可以经由围绕第一区和第二区的、呈环形形状的初始化电极层彼此连接。
初始化电极层可以被设置在与多条初始化电压线被设置在上面的层不同的层上，并且可以经由接触孔连接到多条初始化电压线。
多条信号线可以包括：扫描线和扫描连接线，每条扫描线在第一方向上延伸并且在第一区周围被切割，每条扫描连接线将扫描线中的每一条扫描线的两个切割部分彼此连接；前一扫描线和前一扫描连接线，每条前一扫描线在第一方向上延伸并且在第一区周围被切割，每条前一扫描连接线将前一扫描线中的每一条前一扫描线的两个切割部分彼此连接；以及发光控制线和发光控制连接线，每条发光控制线在第一方向上延伸并且在第一区周围被切割，每条发光控制连接线将发光控制线中的每一条发光控制线的两个切割部分彼此连接。扫描连接线、前一扫描连接线和发光控制连接线可以在第一区周围绕行，并且扫描连接线、前一扫描连接线和发光控制连接线之中彼此相邻的两条线可以被放置在不同的层上。
扫描线可以包括连接到多个虚设像素之中的第一虚设像素的第一扫描线。前一扫描线可以包括连接到第二虚设像素的第二前一扫描线，第二虚设像素在与第一方向交叉的第二方向上与第一虚设像素邻近。第一扫描线和第二前一扫描线可以连接到扫描连接线中的一条扫描连接线。
多条发光控制线之中的第一发光控制线和多条发光控制线之中的与第一发光控制线邻近的第二发光控制线可以连接到发光控制连接线中的一条发光控制连接线。
虚设像素可以包括虚设像素电路。虚设像素电路可以包括：连接到扫描线中的一条扫描线和多条数据线中的一条数据线的开关薄膜晶体管；驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管电连接到开关薄膜晶体管，并且与开关薄膜晶体管的数据信号对应的驱动电流从驱动薄膜晶体管流过；以及电连接到驱动薄膜晶体管的控制薄膜晶体管。
虚设像素电路可以进一步包括与驱动薄膜晶体管重叠的存储电容器。
多条信号线可以包括：扫描线，每条扫描线在第一方向上延伸；以及数据线，每条数据线在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且每条数据线在第一区周围被切割。被切割的数据线的相应的两个切割部分可以通过在第一区周围绕行的数据连接线彼此连接。
数据连接线中的一些数据连接线可以被设置在与数据线被设置在上面的层相同的层上，并且可以经由第二桥接金属彼此连接，第二桥接金属被设置在与数据线被设置在上面的层不同的层上。
数据连接线可以包括下数据连接线和上数据连接线，下数据连接线被设置在与数据线被设置在上面的层相同的层上，上数据连接线被设置在与数据线被设置在上面的层不同的层上。下数据连接线和上数据连接线可以彼此交替。
附图说明
结合附图，这些和/或其他方面将从以下实施例的描述变得显而易见以及更易于理解，其中：
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图；
图2A、图2B和图2C是根据实施例的显示面板的截面图；
图3A、图3B和图3C是根据其他实施例的显示面板的截面图；
图4是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图5A是图4的区III的实施例的放大平面图；
图5B是图4的区III的另一实施例的放大平面图；
图6A、图6B、图6C和图6D是根据实施例的沿图5A的线C-C’和B-B’截取的像素和虚设像素的截面图；
图7A和图7B是根据实施例的像素的等效电路图；
图8是根据实施例的像素电路的平面图；
图9是示意性地图示根据实施例的在第一区周围的线中的一些线的设置的平面图；
图10是沿图9的线IV-IV’截取的截面图；
图11是根据另一实施例的在显示面板的第一区周围的线中的一些线的平面图；
图12是根据另一实施例的在显示面板的第一区周围的线中的一些线的平面图；并且
图13是沿图12的线V-V’截取的截面图。
具体实施方式
由于本公开允许各种改变和众多实施例，因此将在图中示出并且在书面描述中详细地描述特定实施例。在下文中，将参考示出了本公开的实施例的附图，更全面地描述本公开的效果和特征以及用于实现它们的方法。然而，本公开可以以许多不同的形式来体现，并且不应被解释为限于本文阐述的实施例。
下面将参考附图更详细地描述本公开的一个或多个实施例。与图号无关，相同或对应的那些部件被赋予相同的附图标记，并且省略了冗余的解释。
将理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种部件，但是这些部件不应被这些术语限制。这些部件仅用于区别一个部件与另一部件。
如本文所使用的，单数形式“一”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
将进一步理解，本文所使用的术语“包括”和/或“包含”指定所述特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或部件的存在或附加。
将理解，当层、区或部件被称为“形成在”另一层、区或部件“上”时，它可以直接或间接形成在该另一层、区或部件上。也就是说，例如，可以存在中间的层、区或部件。
为便于解释，可以夸大图中元件的尺寸。换句话说，由于图中部件的尺寸和厚度为了便于解释而被任意地示出，因此下面的实施例不限于此。
当某一实施例可以被不同地实现时，特定工艺可以以与所描述的顺序不同的顺序被执行。例如，两个连续描述的工艺可以基本同时被执行，或以与所描述的顺序相反的顺序被执行。
还将理解，当层、区或部件被称为“连接”或“耦接”到另一层、区或部件时，它可以直接连接或耦接到该另一层、区或部件，或者可以存在中间的层、区或部件。例如，当层、区或部件被称为“电连接”或“电耦接”到另一层、区或部件时，它可以直接电连接或直接电耦接到该另一层、区或部件，或者可以存在中间的层、区或部件。
图1是根据实施例的显示设备1的示意性透视图。
参考图1，显示设备1包括发光的显示区域DA和不发光的非显示区域NDA。
显示设备1可以通过显示区域DA提供图像。显示设备1可以包括液晶显示器(LCD)、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、量子点发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射器显示器、等离子体显示器或阴极射线显示器。
尽管现在有机发光显示器将被图示并且被描述为根据实施例的显示设备1，但是本公开不限于此，并且可以使用各种类型的显示设备。
显示设备1包括第一区R1和第二区R2。在第一区R1和第二区R2中，如稍后将参考图2A等描述的那样设置电子元件。第一区R1和第二区R2可以被理解为能够传输光或/和声音(光或/和声音从电子元件输出到外部或者从外部朝着电子元件传播)的开口区域或传输区域。尽管在图1中，开口区域或传输区域为第一区R1和第二区R2，但是本公开不限于此，并且可以包括三个或更多个开口区域或传输区域。
根据实施例，当光穿过第一区R1和第二区R2时，透光率可以是大约30％或更大、50％或更大、70％或更大、80％或更大或者85％或更大。
非显示区域NDA可以包括围绕第一区R1和第二区R2的第一非显示区域NDA1以及围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以完全围绕第一区R1和第二区R2，显示区域DA可以完全围绕第一非显示区域NDA1，并且第二非显示区域NDA2可以完全围绕显示区域DA。
尽管在图1中第一区R1和第二区R2在显示区域DA的右上侧，但是本公开不限于此。根据另一实施例，第一区R1和第二区R2的位置可以改变。
图2A至图2C是根据实施例的显示设备1的示意性截面图，并且可以与沿图1的线II-II’截取的截面对应。
参考图2A，显示设备1可以包括显示面板10以及分别与显示面板10的第一区R1和第二区R2对应的第一电子元件20和第二电子元件30。尽管未示出，但是可以在显示面板10上设置诸如用于感测触摸输入的输入感测构件、包括偏振器和延迟器或滤色器和黑矩阵的防反射构件以及透明窗口的部件。
显示面板10可以包括基板100、作为面对基板100的封装构件的封装基板400A以及在基板100与封装基板400A之间的密封构件450。
基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的和/或可弯曲的。基板100可以具有多层结构，该多层结构包括包含前述聚合物树脂的层和无机层(未示出)。封装基板400A可以包括玻璃或前述聚合物树脂。
薄膜晶体管TFT、作为连接到薄膜晶体管TFT的显示元件的有机发光二极管OLED以及信号线SGL被设置在基板100的显示区域DA上。信号线SGL和虚设薄膜晶体管TFT’被设置在基板100的第一非显示区域NDA1上。
尽管未示出，但是信号线SGL可以将特定信号(例如，数据信号和扫描信号)提供到在关于第一区R1和第二区R2的y方向(即，在图2A中垂直于xz平面)上彼此隔开的显示元件。
显示面板10可以包括分别与第一区R1和第二区R2对应的通孔。例如，基板100和封装基板400A可以分别包括通孔100H和通孔400AH，其中，通孔100H与第一区R1和第二区R2对应并且通孔400AH与第一区R1和第二区R2对应，并且基板100与封装基板400A之间的绝缘层IL和/或其他元件的部分(与第一区R1和第二区R2对应的那些部分)可以被移除。
图2A图示密封构件450被设置在第一区R1和第二区R2的两侧，但是，当从垂直于基板100的主表面的方向观察时，第一区R1和第二区R2可以被理解为被密封构件450完全围绕。
第一电子元件20和第二电子元件30可以分别位于第一区R1和第二区R2中。第一电子元件20和第二电子元件30可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是接收并且使用光的传感器(如同红外传感器)、接收光并且捕获图像的摄像机、输出并且感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯或输出声音的扬声器。使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波段的光。
如在图2A中，在显示面板10包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔的情况下，可以更有效地利用由第一电子元件20和第二电子元件30输出或接收的光或声音。
与显示面板10包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔的图2A不同，显示面板10的一些元件可以不包括通孔。例如，如图2B中所图示，封装基板400A可以包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔400AH，但是基板100可以不包括通孔。可替代地，如图2C中所图示，封装基板400A和基板100两者都可以不包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔。如图2B和图2C中所图示，即使基板100不包括通孔100H，基板100与封装基板400A之间的绝缘层IL和/或其他元件的部分(与第一区R1和第二区R2对应的那些部分)也可以被移除，并且因此可以确保第一电子元件20和第二电子元件30的透光率。当显示设备1包括图2B和图2C的显示面板10中的任一个时，第一电子元件20和第二电子元件30可以是使用光的电子元件。
图3A至图3C是根据其他实施例的显示设备1的示意性截面图，并且可以与沿图1的线II-II’截取的截面对应。
与上面参考图2A描述的显示设备1类似，图3A的显示设备1可以包括包含显示元件的显示面板10以及分别与显示面板10的第一区R1和第二区R2对应的第一电子元件20和第二电子元件30。尽管未示出，但是显示设备1可以进一步包括被设置在显示面板10上面的用于感测触摸输入的输入检测构件、防反射构件、窗口等。
与上面参考图2A描述的、包括作为封装构件的封装基板400A和密封构件450的显示面板10不同，根据本实施例的显示面板10可以包括薄膜封装层400B。在此情况下，显示面板10可以具有更好的柔性。现在将集中讨论并且描述它们之间的差异。
薄膜封装层400B可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。关于这些层，图3A图示了第一无机封装层410和第二无机封装层430以及第一无机封装层410与第二无机封装层430之间的有机封装层420。
第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包括诸如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料中的至少一种。有机封装层420可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
显示面板10可以包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔。例如，基板100和薄膜封装层400B可以分别包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔100H以及与第一区R1和第二区R2对应的通孔400BH。如上所述，使用光或声音的第一电子元件20和第二电子元件30可以分别被设置在第一区R1和第二区R2中。
与显示面板10包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔的图3A不同，显示面板10可以不包括通孔。如图3B中所图示，薄膜封装层400B可以包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔400BH，但是基板100可以不包括通孔。可替代地，如图3C中所图示，薄膜封装层400B和基板100两者都可以不包括与第一区R1和第二区R2对应的通孔。如图3B和图3C中所图示，即使基板100不包括通孔100H，基板100与薄膜封装层400B之间的绝缘层IL和/或其他元件的部分(与第一区R1和第二区R2对应的那些部分)也可以被移除，并且因此可以确保第一电子元件20和第二电子元件30的透光率。
如图3A和图3B中所示，当薄膜封装层400B包括通孔400BH时，至少一个无机封装层和至少一个有机封装层中的每一个可以包括与通孔400BH对应的孔。在此情况下，使每个有机封装层的孔大于每个无机封装层的孔，并且因此第一无机封装层410和第二无机封装层430可以在第一区R1和第二区R2周围彼此直接接触。
如图3C中所示，当薄膜封装层400B不包括通孔时，至少一个无机封装层和至少一个有机封装层中的每一个可以覆盖第一区R1和第二区R2。在此情况下，基板100与薄膜封装层400B之间的绝缘层IL可以被部分地移除。尽管在图3A中所示的实施例中，绝缘层IL的与第一区R1和第二区R2对应的部分被完全移除，但在其他实施例中，仅构成绝缘层IL的多层中的一些可以被移除。
图4是根据实施例的显示面板10的示意性平面图，并且图5A和图5B是图4的区III的放大平面图。
参考图4，显示面板10包括被设置在显示区域DA中的多个像素P。像素P中的每一个可以包括诸如有机发光二极管(OLED)的显示元件。像素P可以经由OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。本文所使用的像素P可以被理解为发射如上所述的红光、绿光、蓝光和白光中的一种光的像素。通过被上面参考图2A至图3C描述的封装构件覆盖，可以保护显示区域DA免受外部空气或湿气的影响。
第一非显示区域NDA1围绕第一区R1和第二区R2。第一非显示区域NDA1是没有图像被显示的区域。将信号提供到在第一区R1和第二区R2周围的像素P的信号线可以被设置在第一非显示区域NDA1中。根据本实施例，不发光的虚设像素Pd被设置在第一非显示区域NDA1中。
第二非显示区域NDA2可以包括将扫描信号提供到像素P和虚设像素Pd的扫描驱动器1000、将数据信号提供到像素P和虚设像素Pd的数据驱动器2000以及用于提供驱动电压和公共电压的主电源线(未示出)。
图5A和图5B是图4的区III的放大平面图。
参考图5A和图5B，第一区R1和第二区R2在第一方向(x方向)上被设置，第一非显示区域NDA1围绕第一区R1和第二区R2，并且显示区域DA围绕第一非显示区域NDA1。
多个像素P被设置在显示区域DA中，并且多个虚设像素Pd被设置在第一非显示区域NDA1中。多条信号线可以被设置成将多个像素P电连接到多个虚设像素Pd。对此，图5A图示了每条在第一方向(x方向)上延伸的扫描线SLa和SLb将显示区域DA中的像素P连接到第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd，并且数据线DLa和DLb在与第一方向交叉的第二方向(y方向)上将像素P连接到虚设像素Pd。
扫描线SLa和SLb之中的一些扫描线SLa每条可以在第一方向(x方向)上延伸，以将信号提供到放置在第一非显示区域NDA1的左侧和右侧的像素P以及放置在第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd，但可以在第一非显示区域NDA1中的第一区R1和第二区R2周围绕行。在相应区周围绕行可以指，线的一部分如果以直线延伸，则它将会与相应区重叠，相反在相应区周围以曲线延伸，则使得它不与相应区重叠。例如，线的该部分可以在相应区的上半部分周围以半圆延伸，具有与相应区匹配的曲率(即，圆的曲率)并且具有更大的半径；然而，形状不限于此，并且可以使用其他形状，例如，曲线可以是仅局部的而不是完整的半圆，和/或曲线可以不具有与圆的曲率匹配的曲率等。被设置为远离第一非显示区域NDA1中的第一区R1和第二区R2的一些扫描线SLb或不横穿第一非显示区域NDA1的扫描线每条可以基本以直线延伸。
数据线DLa和DLb之中的一些数据线DLa每条可以在第二方向(y方向)上延伸，以将信号提供到被设置在第一非显示区域NDA1的上侧和下侧的像素P，但可以在第一非显示区域NDA1中的第一区R1和/或第二区R2周围绕行。被设置在第一非显示区域NDA1中的第一区R1与第二区R2之间的一些数据线DLb或不横穿第一非显示区域NDA1的数据线每条可以基本以直线延伸。
例如，当第一区R1和第二区R2具有圆形形状时，相对靠近第一区R1和第二区R2放置的信号线可以沿第一区R1和第二区R2以大的曲率弯曲，并且相对远离第一区R1和第二区R2放置的信号线每条可以以直线延伸。
根据本实施例，可以包括放置在第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd，以即使当它们从信号线接收到电信号时也没有光发射。
根据本实施例，可以包括虚设像素Pd以确保图案密度的均匀性以及电气负载的均匀性。在第一非显示区域NDA1中没有设置虚设像素Pd并且第一非显示区域NDA1中仅设置了将显示区域DA中的像素P彼此连接的信号线SLa、SLb、DLa和DLb的情况下，图案密度在第一非显示区域NDA1中是低的，并且因此，在蚀刻期间可能形成非均匀的图案。
而且，当第一非显示区域NDA1中没有设置虚设像素Pd时，与显示区域DA的中心部分不同的寄生电容或不同的负载可能形成在第一非显示区域NDA1以及它的周围环境中。因此，可能发生亮度非均匀性。
根据本实施例，第一非显示区域NDA1包括具有与包含在每个像素P中的像素电路PC(参见图7A和图7B)基本相同的结构的虚设像素电路，并且电信号被施加到虚设像素电路，并且因此，可以确保图案密度的均匀性和电气负载的均匀性两者。
虚设像素Pd可以被放置在第一区R1与第二区R2之间的第一非显示区域NDA1中。然而，本公开不限于此。
例如，如图5B中所示，虚设像素Pd可以被放置成围绕第一区R1和/或第二区R2。换句话说，虚设像素Pd不仅可以被设置在第一区R1与第二区R2之间，而且可以被设置在第一区R1的左侧、上侧和下侧以靠近显示区域DA。虚设像素Pd还可以被设置在第二区R2的右侧、上侧和下侧的位置处，这些位置靠近显示区域DA。
被设置成围绕第一区R1和/或第二区R2的虚设像素Pd可意味着被设置在像素P与第一区R1之间和/或在像素P与第二区R2之间的虚设像素Pd。因此，虚设像素Pd可以保护显示区域DA中的像素P免受可能在第一区R1和/或第二区R2周围发生的静电放电(ESD)的影响。换句话说，当在第一区R1和/或第二区R2周围产生静电时，虚设像素Pd可以用作用于防止由于ESD导致的大电压传输到像素P的缓冲器。
图6A至图6D是根据实施例的像素P和虚设像素Pd的示意性截面图。
参考图6A，像素P可以包括包含至少一个薄膜晶体管TFT的像素电路PC以及作为显示元件的有机发光二极管OLED。虚设像素Pd可以包括包含至少一个虚设薄膜晶体管TFT’的虚设像素电路PC’。根据一些实施例，像素电路PC和虚设像素电路PC’可以具有相同的结构。例如，像素电路PC的结构和虚设像素电路PC’的结构可以具有以相同顺序设置的相同的层和元件，所有的层和元件具有彼此相同的尺寸。
在虚设像素Pd中，显示元件的一些部件被移除，使得即使当电信号被施加到虚设像素电路PC’时也不发光。
根据本实施例，与像素P相比，有机发光二极管OLED的像素电极310未被设置在虚设像素Pd中，并且因此不发光。然而，本公开不限于此。虚设像素Pd可以不包括有机发光二极管OLED的对电极330。以这种方式，可以进行各种修改。
尽管在图6A中，单个薄膜晶体管TFT包括在像素电路PC中并且单个薄膜晶体管TFT’包括在虚设像素电路PC’中，但是本公开不限于此。可以包括多个(两个至七个)薄膜晶体管TFT和多个(两个至七个)薄膜晶体管TFT’。以这种方式，可以进行各种修改。
现在将以堆叠顺序描述像素P和虚设像素Pd的结构。
基板100可以包括玻璃材料、金属材料或者柔性的或可弯曲的材料。当基板100是柔性的或可弯曲的时，基板100可以包括聚合物树脂，聚合物树脂诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)。基板100可以具有前述材料的任何材料的单层或多层的结构。多层结构可以进一步包括无机层。在一些实施例中，基板100可以具有有机材料/无机材料/有机材料的结构。
缓冲层111可以被放置在基板100上，并且可以减少或防止异物、潮气或环境空气从基板100下面渗透，并且可以在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机和无机复合物，并且可以形成为无机材料和有机材料的单层或多层。
阻挡层(未示出)可以进一步包括在基板100与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或最小化杂质从基板100等渗透到半导体层A和A’中。阻挡层可以包括无机材料(诸如氧化物或氮化物)、有机材料或有机和无机复合物，并且可以形成为无机材料和有机材料的单层或多层。
半导体层A和A’可以被设置在缓冲层111上。半导体层A和A’可以包括非晶硅或多晶硅。根据另一实施例，半导体层A和A’可以包括选自由铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)、铝(Al)、铯(Cs)、铈(Ce)和锌(Zn)组成的组中的至少一种的氧化物。在一些实施例中，半导体层A和A’可以由作为基于Zn的氧化物的材料的Zn氧化物、In-Zn氧化物、Ga-In-Zn氧化物等形成。在其他实施例中，半导体层A和A’可以是在ZnO中包含诸如In、Ga或Sn的金属的In-Ga-Zn-O(IGZO)、In-Sn-Zn-O(ITZO)或In-Ga-Sn-Zn-O(IGTZO)半导体。半导体层A和A’可以包括沟道区以及分别设置在沟道区的两侧的源区和漏区。半导体层A和A’中的每一个可以形成为单层或多层。
栅电极G和G’被设置在半导体层A和A’上，使得栅电极G和G’与半导体层A和A’至少部分地重叠，第一栅绝缘层112在栅电极G和G’与半导体层A和A’之间。栅电极G和G’可以包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)，并且每个可以包括单层或多层。例如，栅电极G和G’中的每一个可以包括Mo的单层。
第一栅绝缘层112可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。
可以包括第二栅绝缘层113，使得第二栅绝缘层113覆盖栅电极G和G’。第二栅绝缘层113可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。
存储电容器Cst和Cst’的第一存储电容器板CE1和CE1’可以与薄膜晶体管TFT和TFT’重叠。例如，薄膜晶体管TFT和TFT’的栅电极G和G’可以用作存储电容器Cst和Cst’的第一存储电容器板CE1和CE1’。
存储电容器Cst和Cst’的第二存储电容器板CE2和CE2’与第一存储电容器板CE1和CE1’重叠，第二栅绝缘层113在第二存储电容器板CE2和CE2’与第一存储电容器板CE1和CE1’之间。在此情况下，第二栅绝缘层113可以用作存储电容器Cst和Cst’的介电层。第二存储电容器板CE2和CE2’可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且每个可以形成为包括前述材料的多层或单层。例如，第二存储电容器板CE2和CE2’每个可以是Mo的单层或Mo/Al/Mo的多层。
尽管在图6A至图6D中，存储电容器Cst和Cst’与薄膜晶体管TFT和TFT’重叠，但是本公开不限于此。存储电容器Cst和Cst’可以不与薄膜晶体管TFT和TFT’重叠。以这种方式，可以进行各种修改。
可以包括层间绝缘层115以覆盖存储电容器Cst和Cst’的第二存储电容器板CE2和CE2’。层间绝缘层115可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。
源电极S和S’以及漏电极D和D’可以被设置在层间绝缘层115上。源电极S和S’以及漏电极D和D’中的每一个可以包括包含Mo、Al、Cu和Ti的导电材料，并且可以是包括前述材料的多层或单层。例如，源电极S和S’以及漏电极D和D’中的每一个可以是Ti/Al/Ti的多层。
导通孔层117和附加导通孔层118可以被放置在源电极S和S’以及漏电极D和D’上，并且有机发光二极管OLED可以被放置在附加导通孔层118上的像素P的区中。在一些实施例中，可以省略附加导通孔层118。
导通孔层117和附加导通孔层118可以具有平坦的上表面，使得第一电极310可以平坦地形成。导通孔层117和附加导通孔层118每个可以形成为包括有机材料的单层或形成为每层包括有机材料的多层。导通孔层117和附加导通孔层118可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的工业聚合物、具有苯酚基团的聚合物衍生物、丙烯基聚合物、亚胺基聚合物、丙烯醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、它们的混合物等。导通孔层117和附加导通孔层118可以包括无机材料。导通孔层117和附加导通孔层118可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、氧化锌(ZnO2)等。当导通孔层117和附加导通孔层118包括无机材料时，可以进行化学平坦化抛光。导通孔层117可以包括有机材料和无机材料两者。
在基板100的显示区域DA中，有机发光二极管OLED被放置在附加导通孔层118上。有机发光二极管OLED包括像素电极310、对电极330以及包括有机发射层的中间层320。
经由其暴露薄膜晶体管TFT的源电极S和漏电极D中的一个的贯穿孔形成在导通孔层117和附加导通孔层118中，并且像素电极310经由该贯穿孔接触源电极S或漏电极D并且电连接到薄膜晶体管TFT。
像素电极310可以包括(半)透光电极或反射电极。根据一些实施例，像素电极310可以包括由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物形成的反射层，以及形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中的至少一种。根据一些实施例，像素电极310可以具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层119可以被布置在附加导通孔层118上。像素限定层119可以通过在显示区域DA中包括分别与像素电极310对应的开口(即，开口OP，经由开口OP暴露像素电极310的至少中心部分)来限定像素P的发光区。像素限定层119可以通过增加像素电极310与被布置在像素电极310之上的对电极330的边缘之间的距离来防止电弧等在像素电极310的边缘上发生。像素限定层119可以经由旋涂等由诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅醚(HMDSO)或酚醛树脂的有机绝缘材料形成。
像素P(即，像素P的发光区)可以由像素限定层119的开口OP限定。换句话说，像素P的边缘可意味着像素限定层119的开口OP的边缘。像素限定层119的开口OP的边缘可意味着像素电极310的经由开口OP暴露的边界。
有机发光二极管OLED的中间层320可以包括有机发射层321以及可以分别被布置在有机发射层321的底部和顶部上的第一公共层322和第二公共层323。
有机发射层321可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发射层321可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。
第一公共层322可以包括空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)，并且第二公共层323可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层320可以被设置成与多个第一电极310中的每一个对应。然而，本公开不限于此。中间层320可以包括在多个第一电极310之上延伸的单层，即，第一公共层322和/或第二公共层323。以这种方式，可以进行各种修改。可以省略第一公共层322和/或第二公共层323。
对电极330可以包括透光电极或反射电极。根据一些实施例，对电极330可以包括透明或半透明电极，并且可以包括具有小功函数的金属薄膜，包括锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的化合物。包括透明导电氧化物(TCO)(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3))的TCO层可以进一步被布置在金属薄膜上。对电极330可以在显示区域DA和非显示区域NDA之上延伸，并且可以被设置在中间层320和像素限定层119上。对电极330可以形成为构成多个有机发光二极管OLED的单体，并且因此可以与多个像素电极310对应。
当像素电极310包括反射电极并且对电极330包括透光电极时，由中间层320发射的光朝向对电极330发射，并且因此显示设备1可以是顶发射型。当像素电极310包括透明或半透明电极并且对电极330包括反射电极时，由中间层320发射的光朝向基板100发射，并且因此显示设备1可以是底发射型。然而，本实施例不限于此。根据本实施例的显示设备1可以是在两个方向上(即，朝向显示设备1的上表面和底表面)发射光的双发射型。
与像素P不同，被设置在基板100的第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd可以不包括像素电极，并且像素限定层119可以不包括与虚设像素Pd对应的开口。换句话说，像素限定层119可以具有与虚设像素Pd对应的平坦上表面，因为像素限定层119可以由有机材料经由曝光和固化形成，并且可以不影响由于图案密度导致的非均匀性。
在虚设像素Pd的区中，中间层320可以被放置在像素限定层119上。即使当中间层320被设置在虚设像素Pd的区中时，虚设像素Pd也不包括像素电极，并且因此光不被中间层320发射。
在图6A中，有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323都被设置在虚设像素Pd的区中，如同被设置在像素P中的中间层320。然而，本公开不限于此。
如在图6B中，有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323可以被设置在像素P的区中，并且在虚设像素Pd的区中，可以没有有机发射层321被设置，并且可以仅设置第一公共层322和第二公共层323。在此情况下，第一公共层322和第二公共层323可以在虚设像素Pd的区中彼此直接接触。
可替代地，如在图6C中，中间层320可以被设置在像素P的区中，并且可以没有中间层320被设置在虚设像素Pd的区中。以这种方式，可以进行各种修改。在此情况下，对电极330可以在虚设像素Pd的区中直接接触像素限定层119的上表面。
尽管在图6A至图6C中，对电极330不仅被设置在像素P的区中，而且被设置在虚设像素Pd的区中，但是本公开不限于此。例如，如在图6D中，对电极330可以不被设置在虚设像素Pd中。在此情况下，如在图6D中，包括与包含在像素电极310中的材料相同的材料并且被放置在与像素电极310形成在上面的层相同的层上的导电层310’以及中间层320的有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323可以被设置在虚设像素Pd中。然而，本公开不限于此。可以省略导电层310’、有机发射层321、第一公共层322和第二公共层323中的至少一个。
由于对电极330通过使用开口掩模形成在整个显示面板之上，因此对电极330可以被设置成在工艺期间与像素P和虚设像素Pd对应。
封盖层340可以被设置在对电极330上。封盖层340可以具有与对电极330不同(更低或更高)的折射率，并且可以通过增加由包括有机发射层321的中间层320产生的光被发射到外部的百分比来改善发光效率。
例如，封盖层340可以包括有机材料，诸如聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(或PEDOT)、4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)、4,4’,4”-三[(3-甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m-MTDATA)、1,3,5-三[N,N-双(2-甲基苯基)-氨基]-苯(o-MTDAB)、1,3,5-三[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-苯(m-MTDAT)、1,3,5-三[N,N-双(4-甲基苯基)-氨基]-苯(p-MTDAB)、4,4’-双[N,N-双(3-甲基苯基)-氨基]-二苯基甲烷(BPPM)、4,4’-联咔唑基-1,1’-联苯(CBP)、4,4’,4”-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)、2,2’,2”-(1,3,5-苯甲苯基)三-[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)。
可替代地，封盖层340可以包括无机材料，诸如氧化锌、氧化钛、氧化锆、氮化硅、氧化铌、氧化钽、氧化锡、氧化镍、氮化铟和氮化镓。封盖层340的材料不限于此，并且可以使用各种其他材料。
覆盖层(未示出)可以被设置在封盖层340上。覆盖层保护有机发光二极管OLED免受在使用等离子体等的后续工艺期间可能发生的损坏。覆盖层可以包括LiF。
图7A和图7B是根据实施例的显示面板的像素P的示意性等效电路图。
参考图7A，每个像素P包括像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管(TFT)T1、开关TFT T2和存储电容器Cst。
开关TFT T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据经由扫描线SL接收的开关电压，将经由数据线DL接收的数据电压传输到驱动TFT T1。存储电容器Cst连接到开关TFT T2和驱动电压线PL，并且存储与从开关TFT T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动TFT T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以由驱动电流发射具有某一亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收公共电压ELVSS。
尽管图7A中图示了像素电路PC包括两个TFT和一个存储电容器的情况，但是本公开不限于此。TFT的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而变化。
参考图7B，像素电路PC可以包括多个TFT和存储电容器Cst。TFT和存储电容器Cst可以连接到信号线SL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL。
尽管在图7B中，每个像素P连接到信号线SL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL，但是本公开不限于此。根据另一实施例，初始化电压线VL、驱动电压线PL以及信号线SL、SIL、EL和DL中的至少一条信号线可以由相邻像素共享。
多个TFT可以包括驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
信号线SL、SIL、EL和DL可以包括传输扫描信号Sn的扫描线SL、将前一扫描信号Sn-1传输到第二初始化TFT T7的前一扫描线SIL、将发光控制信号En传输到操作控制TFT T5和发光控制TFT T6的发光控制线EL以及与扫描线SL交叉并传输数据信号Dm的数据线DL。驱动电压线PL将驱动电压ELVDD传输到驱动TFT T1，并且初始化电压线VL传输对驱动TFT T1和有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化的初始化电压Vint。
驱动TFT T1包括连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1的驱动栅电极G1、经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL的驱动源电极S1以及经由发光控制TFT T6电连接到有机发光二极管OLED的像素电极的驱动漏电极D1。驱动TFT T1根据开关TFT T2的开关操作接收数据信号Dm，并且将驱动电流IOLED供应到有机发光二极管OLED。
开关TFT T2包括连接到扫描线SL的开关栅电极G2、连接到数据线DL的开关源电极S2、以及连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1并且还经由操作控制TFT T5连接到驱动电压线PL的开关漏电极D2。开关TFT T2根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而被导通，并且执行将从数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动TFT T1的驱动源电极S1的开关操作。
补偿TFT T3包括连接到扫描线SL的补偿栅电极G3、连接到驱动TFT T1的驱动漏电极D1并且还经由发光控制TFT T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极的补偿源电极S3、以及连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1、第一初始化TFT T4的第一初始化漏电极D4和驱动TFT T1的驱动栅电极G1的补偿漏电极D3。补偿TFT T3根据经由扫描线SL接收的扫描信号Sn而被导通，并且将驱动TFT T1的驱动栅电极S1和驱动漏电极D1彼此电连接，使得驱动TFT T1为二极管连接。
第一初始化TFT T4包括连接到前一扫描线SIL的第一初始化栅电极G4、连接到第二初始化TFT T7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL的第一初始化源电极S4、以及连接到存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1、补偿TFT T3的补偿漏电极D3和驱动TFT T1的驱动栅电极G1的第一初始化漏电极D4。第一初始化TFT T4根据经由前一扫描线SIL接收的前一扫描信号Sn-1而被导通，并且将初始化电压Vint传输到驱动TFT T1的驱动栅电极G1，从而对驱动TFT T1的驱动栅电极G1的电压进行初始化。
操作控制TFT T5包括连接到发光控制线EL的操作控制栅电极G5、连接到驱动电压线PL的操作控制源电极S5、以及连接到驱动TFT T1的驱动源电极S1和开关TFT T2的开关漏电极D2的操作控制漏电极D5。
发光控制TFT T6包括连接到发光控制线EL的发光控制栅电极G6、连接到驱动TFTT1的驱动漏电极D1和补偿TFT T3的补偿源电极S3的发光控制源电极S6、以及电连接到第二初始化TFT T7的第二初始化源电极S7和有机发光二极管OLED的像素电极的发光控制漏电极D6。
操作控制TFT T5和发光控制TFT T6根据经由发光控制线EL接收的发光控制信号En而同时被导通，并且因此驱动电压ELVDD被传输到有机发光二极管OLED，使得驱动电流IOLED可以流入有机发光二极管OLED。
第二初始化TFT T7包括连接到前一扫描线SIL的第二初始化栅电极G7、连接到发光控制TFT T6的发光控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极的第二初始化源电极S7、以及连接到第一初始化TFT T4的第一初始化源电极S4和初始化电压线VL的第二初始化漏电极D7。第二初始化TFT T7根据经由前一扫描线SIL接收的前一扫描信号Sn-1而被导通，并且对有机发光二极管OLED的像素电极进行初始化。
尽管在图7B中，第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7连接到前一扫描线SIL，但是本公开不限于此。根据另一实施例，第一初始化TFT T4可以连接到前一扫描线SIL并根据前一扫描信号Sn-1操作，并且第二初始化TFT T7可以连接到单独的信号线(例如，后续扫描线)并且根据传输到单独的信号线的信号操作。
存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2连接到驱动电压线PL，并且有机发光二极管OLED的对电极连接到公共电压ELVSS。因此，有机发光二极管OLED可以从驱动TFT T1接收驱动电流IOLED并且发光，从而显示图像。
尽管在图7B中，补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每一个具有双栅电极，但是补偿TFT T3和第一初始化TFT T4中的每一个可以具有单个栅电极。
包括在图7A和图7B中所图示的像素P中的像素电路PC适用于包括在虚设像素Pd中的虚设像素电路PC’。
图8是根据实施例的适用于显示面板的像素电路的平面图。根据本实施例，虚设像素电路可以与像素电路相同。因此，图8可以是根据实施例的适用于显示面板的虚设像素电路的平面图。
参考图8，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFTT5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7沿半导体层1130被设置。半导体层1130可以被设置在包括无机绝缘材料的缓冲层被设置在上面的基板上。
半导体层1130的一些区与驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFTT4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层对应。换句话说，可以理解，驱动TFT T1、开关TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、操作控制TFT T5、发光控制TFT T6和第二初始化TFT T7的半导体层彼此连接并且被弯曲成各种形状。
半导体层1130包括沟道区以及在沟道区的两个相对侧的源区和漏区。源区和漏区可以被理解为相关TFT的源电极和漏电极。在下文中，为了便于描述，源区和漏区分别被称为源电极和漏电极。
驱动TFT T1包括与驱动沟道区重叠的驱动栅电极G1以及在驱动沟道区的两个相对侧的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1重叠的驱动沟道区可以通过具有诸如欧米茄形状的弯曲形状而在狭窄的空间内形成长沟道。当驱动沟道区是长的时，栅电压的驱动范围变宽，并且因此可以更精细地控制从有机发光二极管OLED发射的光的灰度，并且可以改善显示质量。
开关TFT T2包括与开关沟道区重叠的开关栅电极G2以及在开关沟道区的两个相对侧的开关源电极S2和开关漏电极D2。开关漏电极D2可以连接到驱动源电极S1。
补偿TFT T3是双TFT，并且因此可以包括分别与两个补偿沟道区重叠的补偿栅电极G3，并且可以包括被设置在补偿沟道区的两个相对侧的补偿源电极S3和补偿漏电极D3。补偿TFT T3可以通过稍后将描述的节点连接线1174连接到驱动TFT T1的驱动栅电极G1。
第一初始化TFT T4是双TFT，并且因此可以包括分别与两个第一初始化沟道区重叠的第一初始化栅电极G4，并且可以包括被设置在第一初始化沟道区的两个相对侧的第一初始化源电极S4和第一初始化漏电极D4。
操作控制TFT T5可以包括与操作控制沟道区重叠的操作控制栅电极G5以及被设置在操作控制沟道区的两个相对侧的操作控制源电极S5和操作控制漏电极D5。操作控制漏电极D5可以连接到驱动源电极S1。
发光控制TFT T6可以包括与发光控制沟道区重叠的发光控制栅电极G6以及被设置在发光控制沟道区的两个相对侧的发光控制源电极S6和发光控制漏电极D6。发光控制源电极S6可以连接到驱动漏电极D1。
第二初始化TFT T7可以包括与第二初始化沟道区重叠的第二初始化栅电极G7以及被设置在第二初始化沟道区的两个相对侧的第二初始化源电极S7和第二初始化漏电极D7。
前述TFT可以连接到信号线SL、SIL、EL和DL、初始化电压线VL和驱动电压线PL。
扫描线SL、前一扫描线SIL、发光控制线EL和驱动栅电极G1可以被设置在半导体层1130上，绝缘层在扫描线SL、前一扫描线SIL、发光控制线EL和驱动栅电极G1与半导体层1130之间。
扫描线SL可以在第一方向(x方向)上延伸。扫描线SL的一些区可以与开关栅电极G2和补偿栅电极G3对应。例如，扫描线SL的与开关TFTT2和补偿TFT T3的相应沟道区重叠的区可以分别是开关栅电极G2和补偿栅电极G3。
前一扫描线SIL可以在第一方向(x方向)上延伸，并且前一扫描线SIL的一些区可以分别与第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7对应。例如，前一扫描线SIL的与第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7的相应沟道区重叠的区可以分别是第一初始化栅电极G4和第二初始化栅电极G7。
发光控制线EL可以在第一方向(x方向)上延伸。发光控制线EL的一些区可以分别与操作控制栅电极G5和发光控制栅电极G6对应。例如，发光控制线EL的与操作控制TFT T5和发光控制TFT T6的相应沟道区重叠的区可以分别是操作控制栅电极G5和发光控制栅电极G6。
驱动栅电极G1是浮置电极，并且因此可以通过上述节点连接线1174与补偿TFT T3电连接。
电极电压线HL可以被设置在扫描线SL、前一扫描线SIL、发光控制线EL和驱动栅电极G1上，绝缘层在电极电压线HL与扫描线SL、前一扫描线SIL、发光控制线EL和驱动栅电极G1之间。
电极电压线HL可以在第一方向(x方向)上延伸以与数据线DL和驱动电压线PL交叉。电极电压线HL的一部分可以覆盖驱动栅电极G1的至少一部分，并且可以与驱动栅电极G1一起形成存储电容器Cst。例如，驱动栅电极G1可以用作存储电容器Cst的第一存储电容器板CE1，并且电极电压线HL的一部分可以用作存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2。
存储电容器Cst的第二存储电容器板CE2电连接到驱动电压线PL。对此，电极电压线HL可以通过接触孔CNT连接到被设置在电极电压线HL上的驱动电压线PL。因此，电极电压线HL可以具有与驱动电压线PL相同的电压电平(恒定电压)。例如，电极电压线HL可以具有+5V的恒定电压。电极电压线HL可以被理解为在第一方向(x方向)上延伸的驱动电压线。
由于驱动电压线PL在第二方向(y方向)上延伸并且电连接到驱动电压线PL的电极电压线HL在与第二方向(y方向)交叉的第一方向(x方向)上延伸，因此多条驱动电压线PL和多条电极电压线HL可以在显示区域DA中构成网格结构。
根据本实施例，电极电压线HL可以被设置在与驱动电压线PL被设置在上面的层不同的层上，并且电极电压线HL可以具有比驱动电压线PL大的电阻率。
数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174可以被设置在电极电压线HL上，绝缘层在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174与电极电压线HL之间。
数据线DL可以在第二方向(y方向)上延伸，并且可以通过接触孔1154连接到开关TFT T2的开关源电极S2。数据线DL的一部分可以被理解为开关源电极S2。
驱动电压线PL在第二方向(y方向)上延伸，并且通过如上所述的接触孔CNT连接到电极电压线HL。驱动电压线PL还可以通过接触孔1155连接到操作控制TFT T5。驱动电压线PL可以通过接触孔1155连接到操作控制源电极S5。
初始化连接线1173的一端可以通过接触孔1152连接到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7，并且初始化连接线1173的另一端可以通过接触孔1151连接到下面将描述的初始化电压线VL。
节点连接线1174的一端可以通过接触孔1156连接到补偿漏电极D3，并且节点连接线1174的另一端可以通过接触孔1157连接到驱动栅电极G1。
初始化电压线VL可以被设置在数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174上，绝缘层在初始化电压线VL与数据线DL、驱动电压线PL、初始化连接线1173和节点连接线1174之间。
初始化电压线VL在第一方向(x方向)上延伸。初始化电压线VL可以通过初始化连接线1173连接到第一初始化TFT T4和第二初始化TFT T7。初始化电压线VL可以具有恒定电压(例如，-2V)。
初始化电压线VL可以被设置在与第二存储电容器板CE2(即，电极电压线HL)被设置在上面的层相同的层上，并且可以包括与包含在第二存储电容器板CE2(即，电极电压线HL)中的材料相同的材料。在显示区域DA中，有机发光二极管OLED的像素电极可以连接到发光控制TFT T6。像素电极可以通过接触孔1163连接到连接金属1175，并且连接金属1175可以通过接触孔1153连接到发光控制漏电极D6。
图9是根据实施例的在显示面板中的第一区R1周围的线中的一些线的平面图，并且图10是沿图9的线IV-IV’截取的截面图。图6A和图10中的相同的附图标记表示相同的元件，并且因此省略其重复描述。详细地，图9图示了初始化电压线VL、前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL。
尽管在图9中，四个虚设像素Pd和两个像素P被设置在第一区R1周围，但是可以设置更多的像素和更多的线。尽管图9是基于第一区R1描述的，但是图9的线的设置适用于第二区R2。
参考图9，初始化电压线VL、前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL每条可以在第一方向(x方向)上延伸，并且可以将恒定电压和/或信号传输到像素P和虚设像素Pd。
初始化电压线VL、前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL中的至少一条可以在第一区R1周围被切割。也就是说，将以直线行进穿过第一区R1以与第一区R1重叠的相应的线的部分被切割，以在第一区R1的任一侧分开两个切割部分，两个切割部分不与第一区R1重叠。尽管在图9中，所有的初始化电压线VL、前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL都被切割，但是本公开不限于此。初始化电压线VL、前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL中的仅一些线可以被切割，而其他线可以被设置成在第一区R1周围绕行而不被切割。
每条线的具有第一区R1在它们之间的两个切割部分可以通过在第一区R1周围绕行或围绕第一区R1的连接线SIL-C、SL-C和EL-C中的每一条或初始化电极层VL-R彼此连接。
换句话说，每条初始化电压线VL的两个切割部分可以连接到在第一区R1周围的初始化电极层VL-R。每条前一扫描线SIL的两个切割部分可以通过前一扫描连接线SIL-C在第一区R1周围彼此连接。每条扫描线SL的两个切割部分可以通过扫描连接线SL-C在第一区R1周围彼此连接。每条发光控制线EL的两个切割部分可以通过发光控制连接线EL-C在第一区R1周围彼此连接。
可以包括前一扫描连接线SIL-C、扫描连接线SL-C和发光控制连接线EL-C，以在第一区R1的上侧或右侧周围绕行。尽管前一扫描连接线SIL-C、扫描连接线SL-C和发光控制连接线EL-C在图中是弧形曲线，但是它们的绕行部分可以是锯齿形弯曲线。
初始化电压线VL、前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL每条可以在第一区R1周围被切割，以便保护像素P和虚设像素Pd免受可能在第一区R1周围产生的ESD的影响。
静电电荷可聚集在能够包括至少一个开口的第一区R1周围，并且因此极有可能发生ESD。当在第一区R1周围的线中的每一条线与单个导电层一体地形成时，由于ESD导致的大电压可以在不改变的情况下直接施加到像素P和/或虚设像素Pd。
然而，根据本实施例，在第一区R1周围的线中的每一条线没有与单个导电层一体地形成，并且经由被设置在与单个导电层被设置在上面的层不同的层上的连接线SIL-C、SL-C和EL-C中的每一条或初始化电极层VL-R连接到单个导电层，并且因此可以防止由于ESD导致的大电压直接施加到像素P和/或虚设像素Pd。
每条初始化电压线VL的具有第一区R1在它们之间的两个切割部分可以通过第一接触孔CNT1连接到初始化电极层VL-R。初始化电极层VL-R可以具有围绕第一区R1的环形形状。
如图10中所示，初始化电压线VL可以被布置在第二栅绝缘层113上，并且初始化电极层VL-R可以被布置在导通孔层117上。初始化电极层VL-R可以通过第一接触孔CNT1电连接到初始化电压线VL，并且中间金属ML可以被放置在初始化电极层VL-R与初始化电压线VL之间。
中间金属ML可以被放置在层间绝缘层115上。中间金属ML可以经由穿过层间绝缘层115的第一个第一接触孔CNT1-1连接到初始化电压线VL，并且初始化电极层VL-R可以通过第二个第一接触孔CNT1-2连接到中间金属ML。中间金属ML可以是仅设置在与第一接触孔CNT1对应的区中的岛状金属，并且可以包括与包含在数据线中的材料相同的材料。
初始化电极层VL-R可以被布置在附加导通孔层118下面，并且因此附加导通孔层118可以被放置在初始化电极层VL-R与像素电极310之间(参见图6A)。
每条前一扫描线SIL、每条扫描线SL和每条发光控制线EL的相应的两个切割部分(这两个切割部分之间具有第一区R1)可以经由被设置在与前一扫描连接线SIL-C、扫描连接线SL-C和发光控制连接线EL-C被设置在上面的层不同的层上的第一桥接金属BM1，分别连接到前一扫描连接线SIL-C、扫描连接线SL-C和发光控制连接线EL-C。
例如，如图10中所示，第一桥接金属BM1可以被设置在层间绝缘层115上，并且可以经由第二接触孔CNT2和第三接触孔CNT3(每个穿过层间绝缘层115和第二栅绝缘层113)分别连接到前一扫描连接线SIL-C和前一扫描线SIL。
前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL可以全部被设置在同一层上。例如，前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL可以被设置在第一栅绝缘层112上。
前一扫描连接线SIL-C、扫描连接线SL-C和发光控制连接线EL-C可以全部被设置在与前一扫描线SIL被设置在上面的层相同的层上，或者前一扫描连接线SIL-C、扫描连接线SL-C和发光控制连接线EL-C中的至少一条可以被设置在与前一扫描线SIL被设置在上面的层不同的层上。
在图10中，前一扫描连接线SIL-C和发光控制连接线EL-C被设置在第一栅绝缘层112上，并且扫描连接线SL-C被设置在第二栅绝缘层113上。然而，本公开不限于此。例如，前一扫描连接线SIL-C和发光控制连接线EL-C可以被设置在第二栅绝缘层113上，并且扫描连接线SL-C可以被设置在第一栅绝缘层112上。换句话说，在平面图中，在第一区R1周围绕行的线之中的相邻线可以被设置在不同的层上。
通常，靠近第一区R1并且在第一区R1周围绕行的线之间的距离小于显示区域DA中的相邻线之间的距离，并且因此，由于在第一区R1周围绕行的线之间的耦合可能导致问题产生。
然而，根据本实施例，在第一区R1周围绕行的线之中的相邻线被设置在不同的层上，并且因此可以最小化由于耦合导致的问题的产生，并且可以最小化线之间的距离，并且因此最小化在第一区R1周围的死区。
图11是根据另一实施例的在显示面板的第一区R1周围的线中的一些线的平面图。详细地，图11图示前一扫描线SIL、扫描线SL和发光控制线EL。
参考图11，在第一非显示区域NDA1中，相邻虚设像素Pd中的一个虚设像素Pd的扫描线SL可以连接到另一虚设像素Pd的前一扫描线SIL。例如，将扫描信号传输到放置在第一区R1的左侧和右侧的虚设像素Pd的第一行上的第一扫描线SL1可以连接到第一非显示区域NDA1中的第二行上的第二前一扫描线SIL2。例如，在第一非显示区域NDA1中，第二前一扫描线SIL2可以通过第一连接布线CW1连接到第一扫描线SL1。第一连接布线CW1可以被放置在与第二前一扫描线SIL2和第一扫描线SL1被放置在上面的层不同的层上，并且可以经由相应的接触孔连接到第二前一扫描线SIL2和第一扫描线SL1。根据一些实施例，第一连接布线CW1可以被放置在层间绝缘层115上，层间绝缘层115是数据线被放置在上面的层。
因此，第一扫描线SL1和第二前一扫描线SIL2两者都可以连接到一条绕行线，例如，第二前一扫描连接线SIL2-C。
根据本实施例，由于第二前一扫描线SIL2和第一扫描线SL1沿单条绕行线在第一区R1周围绕行，因此可以减少横穿第一非显示区域NDA1的扫描线和前一扫描线的数量。
在第一非显示区域NDA1中，两个相邻像素中的一个像素的发光控制线可以连接到另一像素的发光控制线。例如，将发光控制信号传输到放置在第一区R1的左侧和右侧的虚设像素Pd的第一行上的第一发光控制线EL1可以连接到第一非显示区域NDA1中的第二行上的第二发光控制线EL2。例如，在第一非显示区域NDA1中，第二发光控制线EL2可以通过第二连接布线CW2连接到第一发光控制线EL1。第二连接布线CW2可以被放置在与第二发光控制线EL2和第一发光控制线EL1被放置在上面的层不同的层上，并且可以经由接触孔分别连接到第二发光控制线EL2和第一发光控制线EL1。根据一些实施例，第二连接布线CW2可以被放置在层间绝缘层115上，层间绝缘层115是数据线被放置在上面的层。因此，第一发光控制线EL1和第二发光控制线EL2两者都可以连接到一条绕行线，例如，第一发光控制连接线EL1-C。
根据本实施例，由于第一发光控制线EL1和第二发光控制线EL2沿单条绕行线在第一区R1周围绕行而不单独绕行，因此可以减少横穿第一非显示区域NDA1的发光控制线的数量(即，每条发光控制线的绕行线的数量)。
在前述实施例中，已经描述了第n条发光控制线连接到第n-1条发光控制线的绕行部分。然而，可以理解，第n-1条发光控制线连接到第n条发光控制线的绕行部分(其中，n为自然数)。如上所述，当第n-1条扫描线和第n条前一扫描线彼此连接并且第n-1条发光控制线和第n条发光控制线彼此连接时，连接到扫描线的前一扫描线的绕行部分和连接到另一发光控制线的发光控制线的绕行部分可以彼此交替。
尽管图11图示了其中第n-1条扫描线和第n条前一扫描线彼此连接并且第n-1条发光控制线和第n条发光控制线彼此连接的结构，但是本公开不限于此。根据另一实施例，第n-1条扫描线和第n条前一扫描线可以彼此连接，但第n-1条发光控制线和第n条发光控制线可以彼此不连接。根据另一实施例，第n-1条发光控制线和第n条发光控制线可以彼此连接，但第n-1条扫描线和第n条前一扫描线可以彼此不连接。
图12是根据另一实施例的在显示面板的第一区R1周围的线中的一些线的平面图。详细地，图12图示了数据线DL。图13是沿图12的线V-V’截取的截面图。
参考图12，每条数据线DL可以在第二方向(y方向)上延伸，并且可以将数据信号传输到被设置在显示区域DA中的像素P和被设置在第一非显示区域NDA1中的虚设像素Pd。
横穿第一非显示区域NDA1的数据线DL之中的被放置为远离第一区R1或第二区R2的一些数据线DL’可以不被切割，但每条可以在第二方向(y方向)上以直线形状延伸。
被放置为靠近第一区R1的数据线DL每条可以在第一区R1周围被切割。每条数据线DL的两个切割部分可以通过在第一区R1周围绕行的数据连接线DL-Ca和DL-Cb中的每一条数据连接线彼此连接。尽管数据连接线DL-Ca和DL-Cb在图12中是弧形曲线，但是它们的绕行部分可以是锯齿形弯曲线。
数据线DL每条可以在第一区R1周围被切割，以便保护像素P和虚设像素Pd免受可能在第一区R1中发生的ESD的影响。
静电电荷可聚集在能够包括至少一个开口的第一区R1周围，并且因此极有可能发生ESD。如果在第一区R1周围的线中的每一条线与单个导电层一体地形成，则由于ESD导致的大电压可以穿过数据线DL并且可以被直接施加到像素P和/或虚设像素Pd。
然而，根据本实施例，在第一区R1周围的数据线DL中的每一条数据线不与单个导电层一体地形成，并且经由被设置在与单个导电层被设置在上面的层不同的层上的数据连接线DL-Ca和DL-Cb连接到单个导电层，并且因此可以防止由于ESD导致的大电压直接施加到像素P和/或虚设像素Pd。
参考图13，被切割的数据线DL可以经由第二桥接金属BM2连接到下数据连接线DL-Ca。第二桥接金属BM2可以被放置在导通孔层117上，并且可以经由每个穿过导通孔层117的第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5分别连接到下数据连接线DL-Ca和数据线DL。第二桥接金属BM2可以被放置在与上数据连接线DL-Cb被放置在上面的层相同的层上，并且可以具有岛状。
包括在数据连接线DL-C中的下数据连接线DL-Ca可以被设置在层间绝缘层115上，层间绝缘层115是数据线DL被设置在上面的层。包括在数据连接线DL-C中的上数据连接线DL-Cb可以被设置在导通孔层117上，导通孔层117是与数据线DL被设置在上面的层不同的层。
因此，在第一区R1周围绕行的数据连接线DL-C可以被设置使得下数据连接线DL-Ca和上数据连接线DL-Cb彼此交替，并且因此可以最小化由于数据连接线DL-C之间的耦合导致的问题，并且还可以最小化死区。
根据实施例，虚设像素被设置在与诸如传感器或摄像机的电子元件对应的区之间，并且因此图案密度和负载可以是均匀的，并且因此可以提供高质量的显示面板。然而，前述效果是示例性的，并且将在下面的描述中详细描述根据实施例的效果。
应理解，本文描述的实施例应仅在描述性的意义上被考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。
虽然已经参考图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在不脱离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，对其进行形式上和细节上的各种修改。

Claims (20)

1.一种显示面板，包括：
基板，所述基板包括第一区、第二区、围绕所述第一区和所述第二区的非显示区域以及围绕所述非显示区域的显示区域；
被设置在所述显示区域中的多个像素；
被设置在所述非显示区域中并且不发光的多个虚设像素；以及
多条信号线，所述多条信号线被配置成将所述多个像素电连接到所述多个虚设像素，
其中，所述多个虚设像素中的一些虚设像素被设置在所述第一区与所述第二区之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个虚设像素被设置成围绕所述第一区和所述第二区。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述多个像素中的每一个像素包括像素电路和显示元件，所述像素电路包括至少一个晶体管，并且所述显示元件连接到所述像素电路，所述多个虚设像素中的每一个虚设像素包括虚设像素电路，所述虚设像素电路包括至少一个虚设晶体管，并且
所述像素电路的结构是与所述虚设像素电路的结构相同的结构。
4.根据权利要求3所述的显示面板，进一步包括像素限定层，所述像素限定层被设置在所述像素电路和所述虚设像素电路上，并且包括与所述多个像素中的每一个像素对应的开口，
其中，所述像素限定层具有与所述虚设像素对应的平坦上表面。
5.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括被设置在所述像素限定层的与所述像素对应的所述开口内的有机发射层，
其中，所述有机发射层被设置在所述像素限定层的与所述虚设像素对应的所述上表面上。
6.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括第一公共层、有机发射层和第二公共层，所述第一公共层、所述有机发射层和所述第二公共层彼此顺序堆叠并且被设置在所述像素限定层的与所述像素对应的所述开口内，
其中，所述第一公共层和所述第二公共层在所述像素限定层的与所述虚设像素对应的所述上表面上彼此接触。
7.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括与所述像素对应的像素电极、中间层和对电极，所述像素电极连接到所述像素电路、所述中间层被设置在所述像素限定层的所述开口内，所述对电极被设置在所述中间层上，
其中，所述开口暴露所述像素电极，并且所述对电极接触所述像素限定层的与所述虚设像素对应的所述上表面。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述多条信号线包括每条信号线在第一方向上延伸并且在所述第一区周围被切割的信号线，并且
被切割的所述信号线的相应的两个切割部分通过在所述第一区周围绕行的连接线彼此连接。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，
所述连接线中的一些连接线被设置在与所述信号线被设置在上面的层相同的层上，并且
所述连接线和所述信号线通过第一桥接金属彼此连接，所述第一桥接金属被设置在与所述连接线和所述信号线被设置在上面的层不同的层上。
10.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述连接线之中的相邻连接线被设置在不同的层上。
11.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括在所述第一区和所述第二区周围彼此隔开的多条初始化电压线，
其中，所述多条初始化电压线经由围绕所述第一区和所述第二区的、呈环形形状的初始化电极层彼此连接。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述初始化电极层被设置在与所述多条初始化电压线被设置在上面的层不同的层上，并且经由接触孔连接到所述多条初始化电压线。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述多条信号线包括：
扫描线和扫描连接线，每条扫描线在第一方向上延伸并且在所述第一区周围被切割，每条扫描连接线将所述扫描线中的每一条扫描线的两个切割部分彼此连接；
前一扫描线和前一扫描连接线，每条前一扫描线在所述第一方向上延伸并且在所述第一区周围被切割，每条前一扫描连接线将所述前一扫描线中的每一条前一扫描线的两个切割部分彼此连接；以及
发光控制线和发光控制连接线，每条发光控制线在所述第一方向上延伸并且在所述第一区周围被切割，每条发光控制连接线将所述发光控制线中的每一条发光控制线的两个切割部分彼此连接，
所述扫描连接线、所述前一扫描连接线和所述发光控制连接线在所述第一区周围绕行，并且
所述扫描连接线、所述前一扫描连接线和所述发光控制连接线之中彼此相邻的两条线被放置在不同的层上。
14.根据权利要求13所述的显示面板，其中，
所述扫描线包括连接到所述多个虚设像素之中的第一虚设像素的第一扫描线，
所述前一扫描线包括连接到第二虚设像素的第二前一扫描线，所述第二虚设像素在与所述第一方向交叉的第二方向上与所述第一虚设像素邻近，并且
所述第一扫描线和所述第二前一扫描线连接到所述扫描连接线中的一条扫描连接线。
15.根据权利要求13所述的显示面板，其中，所述多条发光控制线之中的第一发光控制线和所述多条发光控制线之中的与所述第一发光控制线邻近的第二发光控制线连接到所述发光控制连接线中的一条发光控制连接线。
16.根据权利要求13所述的显示面板，其中，
所述虚设像素包括虚设像素电路，并且
所述虚设像素电路包括：
连接到所述扫描线中的一条扫描线和多条数据线中的一条数据线的开关薄膜晶体管；
驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管电连接到所述开关薄膜晶体管，并且与所述开关薄膜晶体管的数据信号对应的驱动电流从所述驱动薄膜晶体管流过；以及
电连接到所述驱动薄膜晶体管的控制薄膜晶体管。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述虚设像素电路进一步包括与所述驱动薄膜晶体管重叠的存储电容器。
18.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述多条信号线包括：
扫描线，每条扫描线在第一方向上延伸；以及
数据线，每条数据线在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且每条数据线在所述第一区周围被切割，并且
被切割的所述数据线的相应的两个切割部分通过在所述第一区周围绕行的数据连接线彼此连接。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其中，所述数据连接线中的一些数据连接线被设置在与所述数据线被设置在上面的层相同的层上并且经由第二桥接金属彼此连接，所述第二桥接金属被设置在与所述数据线被设置在上面的所述层不同的层上。
20.根据权利要求18所述的显示面板，其中，
所述数据连接线包括下数据连接线和上数据连接线，所述下数据连接线被设置在与所述数据线被设置在上面的层相同的层上，所述上数据连接线被设置在与所述数据线被设置在上面的所述层不同的层上，并且
所述下数据连接线和所述上数据连接线彼此交替。
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