CN117042549A - 制造显示装置的方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种制造显示装置的方法。该方法用于制造包括基板和发光二极管的显示装置，其中，基板包括显示区和显示区外部的外围区，并且发光二极管布置在显示区中。该方法包括：在外围区中形成坝，坝包括可光降解材料；在坝的内区域中形成有机层，有机层包括可光固化材料；以及去除坝。

Description

制造显示装置的方法

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2022年5月9日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0056882号的优先权，其公开通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开总体涉及显示装置。更具体地，本公开涉及制造显示装置的方法和通过该方法制造的显示装置。

背景技术

近来，显示装置的使用已经多样化。此外，随着显示装置变得更薄且更轻，其使用范围逐渐扩大。

通常，显示装置包括遍及基板布置的薄膜晶体管和发光二极管(例如，有机发光二极管)，并且发光二极管发射光。显示装置被用作诸如移动电话的小型产品的显示单元，并且还用作诸如电视机的大型产品的显示单元。

显示装置可以包括显示区和外围区，其中，显示区被配置为显示图像，并且外围区被配置为不显示图像。近来，已经积极地进行了减小外围区的面积并增大显示区的研究，其中，显示装置的电路部分等布置在外围区中。

发明内容

一个或多个实施例包括一种在制造工艺期间具有降低的缺陷率和增大的显示区的制造显示装置的方法以及通过该方法制造的显示装置。然而，这样的技术问题是示例，并且本公开不限于此。

附加的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且将部分地根据描述显而易见，或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例而获知。

根据一个或多个实施例，提供一种制造包括基板和发光二极管的显示装置的方法，其中，基板包括显示区和显示区外部的外围区，并且发光二极管布置在显示区中，该方法包括：在外围区中形成坝，坝包括可光降解材料；在坝的内区域中形成有机层，有机层包括可光固化材料；以及去除坝。

坝的形成可以包括：用坝形成材料涂覆基板以便形成图案，坝形成材料包括可光降解材料；以及干燥图案化后的坝形成材料。

基板的涂覆和图案的形成可以通过使用线描法或丝印法来执行。

基板的涂覆和图案的形成可以包括：用坝形成材料涂覆基板；以及通过使用掩模将光照射到所涂覆的坝形成材料。

在平面图中，坝可以沿显示区的边缘围绕显示区。

在平面图中，坝可以具有包括与显示区相对应的开口的表面形状。

有机层的形成可以通过使用喷墨法来执行。

有机层的形成可以包括：将有机层形成材料注入坝的内区域中，有机层形成材料包括可光固化材料；以及照射光并固化所注入的有机层形成材料。

有机层可以遍及发光二极管而设置，并且可以完全覆盖显示区。

可光固化材料可以包括负性光刻胶。

可光降解材料可以包括正性光刻胶。

坝的去除可以包括：通过将光照射到坝上来分解坝；以及去除分解后的坝。

坝的去除可以与有机层形成材料的固化同时执行。

坝的厚度可以是有机层的厚度的约0.8倍至约10倍。

显示装置可以进一步包括覆盖发光二极管的第一无机封装层、位于第一无机封装层上的第二无机封装层以及位于第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层，其中，有机层可以包括有机封装层。

有机层可以包括第一有机层和直接设置在第一有机层上的第二有机层，其中有机层的形成可以包括形成第一有机层和在第一有机层上形成第二有机层。

第一有机层的形成可以包括：将第一有机层形成材料注入坝的内区域中，第一有机层形成材料包括第一可光固化材料；以及照射光以固化所注入的第一有机层形成材料，其中，第二有机层的形成可以包括：将第二有机层形成材料注入坝的内区域中，第二有机层形成材料包括第二可光固化材料；以及照射光以固化所注入的第二有机层形成材料，并且其中，第一可光固化材料可以与第二可光固化材料不同或相同。

第一有机层形成材料的固化可以包括：准备包括透光区域和挡光区域的掩模；对准掩模使得透光区域与第一有机层形成材料相对应且挡光区域与坝相对应；以及照射光。

坝的去除可以包括：通过照射光来分解坝；以及去除分解后的坝，其中，坝的分解可以与第二有机层形成材料的固化同时执行。

根据一个或多个实施例，提供一种通过根据实施例中的一个实施例的制造方法制造的显示装置。

附图说明

根据结合附图进行的以下描述，本公开的特定实施例的以上和其它方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：

图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；

图2是根据实施例的显示装置的示意性截面图；

图3A和图3B是根据实施例的显示面板的示意性平面图；

图4是根据实施例的沿图3A的线I-I'截取的显示区的截面图；

图5是示出根据实施例的制造显示装置的方法的一部分的平面图；

图6是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的一部分的平面图；

图7A、图7B、图7C和图7D是示出根据实施例的沿图5的线A-A'截取的制造显示装置的方法的截面图；

图8是根据实施例的图7D的区域E的放大截面图；并且

图9A、图9B、图9C、图9D和图9E是示出根据另一实施例的沿图5的线A-A'截取的制造显示装置的方法的截面图。

具体实施方式

现在将详细地参照其示例在附图中图示的实施例，其中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在这方面，所呈现的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。相应地，下面通过参照附图仅描述实施例，以解释本描述的各方面。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括列出的关联项目中的一个或多个的任意和所有组合。贯穿本公开，表达“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变体。

由于本公开允许各种改变和众多实施例，因此将在附图中图示并在书面描述中描述特定实施例。本公开的效果和特征以及实现它们的方法将参照在下面参照附图详细描述的实施例来阐明。然而，本公开不限于以下实施例，并且可以采用各种形式来实施。

尽管诸如“第一”和“第二”的术语可以被用于描述各种部件，但是这样的部件不限于以上术语。以上术语被用于将一个部件与另一部件区分开。

在本文中所使用的单数形式“一”和“该(所述)”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。

将理解的是，在本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”指明所陈述的特征或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征或部件的添加。

将进一步理解的是，当层、区域或部件被称为“在”另一层、区域或部件“上”时，它可以直接地或间接地在该另一层、区域或部件上。也就是说，例如，可以存在居间的层、区域或部件。

为了便于解释，附图中元件的大小可能会被夸大或缩小。作为示例，附图中示出的每个元件的大小和厚度是为了便于描述而任意表示的，并且因此，本公开不必须限于此。

在本说明书中，“A和/或B”意指A或B或者A和B。在本说明书中，“A和B中的至少一个”意指A或B或者A和B。

如在本文中所使用的，“在平面图中”意指从上方观察对象部分，并且“在截面图中”意指从侧面观察垂直截取的对象部分的截面。如在本文中所使用的，“重叠”包括“在平面图中”重叠和“在截面图中”重叠。

x方向、y方向和z方向不限于与直角坐标系的三个轴相对应的方向，并且可以以更宽泛的意义进行解释。例如，x方向、y方向和z方向可以相互垂直，或者可以表示相互不垂直的不同方向。

在下文中，参照附图详细地描述本公开的实施例。当参照附图进行描述时，相同的附图标记被用于相同或相对应的元件。

图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。

参照图1，显示装置1包括显示区DA和在显示区DA外部延伸的外围区PA。

显示区DA是其中显示图像的区域，并且多个子像素P可以布置在显示区DA中。每个子像素P可以包括诸如有机发光二极管的发光元件。每个子像素P可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。显示装置1可以通过使用从显示区DA发射的光来向外部显示图像。

外围区PA是其中不显示图像并且不布置子像素的区域。电力供应线、印刷电路板或端子部分可以布置在外围区PA中。电力供应线可以驱动子像素P，印刷电路板可以包括驱动电路部分，并且驱动器集成电路(IC)可以连接到端子部分。

图1中所示的显示装置1的显示区DA具有四边形形状，然而实施例不限于此。显示区DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或者诸如三角形或五边形的其它多边形形状。此外，尽管图1中所示的显示装置1具有扁平形式，但是显示装置1可以被实现为诸如柔性显示装置、可折叠显示装置和可卷曲显示装置的各种形式。

尽管未示出，但是显示装置1可以包括位于显示面板DP(参见图3A)的一侧的部件(未示出)。部件可以是使用光或声音的电子元件。作为示例，电子元件可以包括传感器，诸如使用光的红外传感器、接收光以捕获图像的摄像头、输出和感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯以及输出声音的扬声器。

在下文中，尽管有机发光显示装置被描述为显示装置1的示例，但是根据实施例的显示装置不限于此。在另一实施例中，根据实施例的显示装置1可以是无机发光显示装置或量子点发光显示装置。作为示例，给显示装置1提供的发光二极管的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点、或者无机材料和量子点。

图2是根据实施例的显示装置1的示意性截面图。

参照图2，显示装置1包括在与x方向和y方向交叉的z方向上堆叠的显示层200、封装层400和上结构500，其中，显示层200设置在基板100上，封装层400覆盖显示层200，并且上结构500设置在封装层400上。在该示例中，封装层400完全覆盖显示层200。然而，这是示例，并且实施例不限于此。

基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。作为示例，聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基板100是柔性的、可卷曲的或可弯折的。基板100可以具有单层结构或多层结构，并且在多层结构的情况下可以进一步包括无机层(未示出)。基板100包括显示区DA和显示区DA外部的外围区PA。

显示层200可以设置在基板100上。显示层200可以包括多个子像素。每个子像素可以包括例如有机发光二极管的发光二极管和电连接到有机发光二极管的子像素电路。子像素电路可以包括薄膜晶体管、存储电容器以及位于薄膜晶体管与存储电容器之间的绝缘层。

显示层200可以被封装层400密封。因为有机发光二极管易受由于外部空气而导致的湿气和氧气的影响，所以可以通过使用封装层400密封有机发光二极管来将有机发光二极管与由于外部空气而导致的湿气阻断。封装层400可以通过保护子像素免受外部空气的影响来改善显示装置1的可靠性。

封装层400可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。尽管图2的封装层400包括第一无机封装层410、第二无机封装层430以及设置在第一无机封装层410与第二无机封装层430之间的有机封装层420，但是实施例不限于此。封装层400可以被提供为一体以完全覆盖显示区DA，并且可以延伸到显示区DA外部的外围区PA。封装层400可以被提供为覆盖例如图3A中所示的第一扫描驱动电路SDR1和第二扫描驱动电路SDR2、驱动电压供应线11以及公共电压供应线13中的一部分或全部。第一无机封装层410可以在外围区PA中直接接触第二无机封装层430。有机封装层420的外侧表面可以被第二无机封装层430覆盖。

在实施例中，包括玻璃的封装基板(未示出)可以代替封装层400被提供。封装基板可以设置在显示层200上，并且显示层200可以设置在基板100与封装基板之间。封装基板与显示层200之间可以存在间隙。填充材料可以填充间隙。

上结构500可以进一步设置在封装层400上。尽管未示出，但是上结构500可以包括光学层以及位于光学层上的滤色器层、输入感测层、抗反射层和窗口层中的至少一个。然而，本实施例不限于此。此外，虽然在图2中示出上结构500从显示区DA延伸到外围区PA，但是上结构500中的一部分可以仅布置在显示区DA中。

在实施例中，上结构500可以包括抗反射层。抗反射层可以包括偏振器。可替代地，抗反射层可以包括例如红色滤色器、绿色滤色器和/或蓝色滤色器的不同颜色的滤色器以及完全覆盖滤色器的保护层。保护层可以被布置为完全覆盖显示区DA，并且可以延伸到外围区PA。保护层可以包括有机材料。作为示例，保护层可以包括诸如丙烯酸类树脂的透光有机材料。

在实施例中，上结构500可以包括光学层和位于光学层上的滤色器层，其中，光学层被配置为转换从显示层200发射的光的颜色或者透射光而不转换光的颜色。光学层可以包括量子点层和透射层，其中，量子点层被配置为将从显示层200发射的光转换为不同颜色的光，并且透射层被配置为透射从显示层200发射的光而不转换光的颜色。滤色器层可以包括例如红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器的不同颜色的滤色器。在这种情况下，上结构500可以进一步包括覆盖滤色器层的保护层。

图3A和图3B是根据实施例的显示面板DP和DP'的示意性平面图。

参照图3A，显示装置1可以包括显示面板DP。显示面板DP包括显示区DA和围绕显示区DA的外围区PA。显示面板DP可以被配置为通过使用从布置在显示区DA中的多个子像素P发射的光来显示图像。

显示区DA可以包括多个子像素P，其中，多个子像素P连接到在y方向上延伸的数据线DL和在与y方向交叉的x方向上延伸的扫描线SL。每个子像素P可以连接到在y方向上延伸的驱动电压线PL。

多个子像素P中的每一个可以包括例如有机发光二极管的发光二极管和电连接到有机发光二极管的子像素电路。每个子像素P可以通过使用发光二极管来发射红光、绿光、蓝光或白光。在实施例中，包括在多个子像素P中的发光二极管中的全部可以被配置为发射相同颜色的光，并且各个子像素P的颜色可以通过设置在发光二极管上的滤色器等被实现为不同。

每个子像素P可以电连接到布置在外围区PA中的多个电路。作为示例，第一扫描驱动电路SDR1、第二扫描驱动电路SDR2、驱动电压供应线11、公共电压供应线13和焊盘部分PAD可以布置在外围区PA中。

第一扫描驱动电路SDR1可以被配置为通过扫描线SL将扫描信号施加到子像素P的子像素电路。第二扫描驱动电路SDR2可以在显示区DA周围被布置为与第一扫描驱动电路SDR1对称。子像素P中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路SDR1，并且其余的可以电连接到第二扫描驱动电路SDR2。

驱动电压供应线11可以布置在显示区DA的一侧，例如显示面板DP的下端。驱动电压供应线11可以在x方向上延伸。驱动电压供应线11可以连接到被配置为将驱动电压传送到子像素P的多条驱动电压线PL。

公共电压供应线13可以具有包括一个开口侧的环形形状，使得公共电压供应线13可以部分地围绕显示区DA。公共电压供应线13可以连接到子像素P的子像素电路并且可以被配置为将公共电压提供给子像素P的发光二极管的对电极。

焊盘部分PAD可以布置在基板100的一侧，并且可以包括多个焊盘端子PT。每个焊盘端子PT可以连接到第一连接线CWL1或第二连接线CWL2等，其中，第一连接线CWL1延伸到显示区DA，并且第二连接线CWL2连接到驱动电压供应线11。每个焊盘端子PT可以通过不被绝缘层覆盖而被暴露，并且可以电连接到驱动电路部分30。驱动电路部分30的驱动端子部分DTP可以电连接到焊盘部分PAD。

驱动电路部分30可以被配置为将控制器(未示出)的信号或电力传送到焊盘部分PAD。控制器可以被配置为通过连接线分别将驱动电压和公共电压提供给驱动电压供应线11和公共电压供应线13。

数据驱动电路32电连接到数据线DL。数据驱动电路32的数据信号可以通过连接线和数据线DL提供给每个子像素P，其中，连接线连接到焊盘部分PAD，并且数据线DL连接到连接线。尽管在图3A中示出数据驱动电路32布置在驱动电路部分30中，但是在另一实施例中，数据驱动电路32可以设置在基板100上。作为示例，数据驱动电路32可以布置在焊盘部分PAD与驱动电压供应线11之间。

尽管在图3A中示出一个驱动电路部分30被附接到焊盘部分PAD，但是如图3B中所示，多个驱动电路部分30可以被附接到焊盘部分PAD。焊盘部分PAD可以沿着基板100的两侧布置。焊盘部分PAD可以包括多个子焊盘部分PADS。驱动电路部分30可以分别被附接到子焊盘部分PADS中的每一个。

图4是根据实施例的显示装置1的显示区DA的一部分的截面图。图4是沿图3A的线I-I'截取的显示区DA的截面图。

参照图4，显示装置1可以包括显示层200和覆盖显示层200的封装层400，其中，显示层200位于基板100上。显示层200可以包括子像素电路PC和连接到子像素电路PC的有机发光二极管OLED。图4中示出了子像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。

基板100可以包括玻璃或聚合物树脂。第一缓冲层201可以设置在基板100上。第一缓冲层201可以阻断透过基板100的异物或湿气。作为示例，第一缓冲层201可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以包括单层或多层。

偏置电极BML可以设置在第一缓冲层201上。电压可以被施加到偏置电极BML。偏置电极BML可以与薄膜晶体管TFT的半导体层Act重叠，并且可以阻止外部光到达半导体层Act。相应地，薄膜晶体管TFT的特性可以被稳定。在另一实施例中，可以省略偏置电极BML。

第二缓冲层211可以覆盖偏置电极BML。第二缓冲层211可以遍及基板100的整个区域而设置。第二缓冲层211可以包括诸如氮化硅和氮氧化硅的无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。

半导体层Act可以设置在第二缓冲层211上。半导体层Act可以包括多晶硅、非晶硅、氧化物半导体或有机半导体材料等。在实施例中，半导体层Act可以包括沟道区、源区和漏区，其中，沟道区与栅电极GE重叠，并且源区和漏区分别布置在沟道区的两个相反侧并且包括比沟道区的杂质的浓度高的浓度的杂质。杂质可以包括N型杂质或P型杂质。

栅绝缘层212可以覆盖半导体层Act。栅绝缘层212可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或锌氧化物的无机绝缘材料。栅绝缘层212可以包括单层或多层。栅电极GE可以设置在栅绝缘层212上。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以包括包含以上材料的单层或多层。

存储电容器Cst的第一电容器电极CE1可以与栅电极GE设置在同一层。第一电容器电极CE1可以包括与栅电极GE的材料相同的材料。

层间绝缘层213可以覆盖栅电极GE和存储电容器Cst的第一电容器电极CE1。层间绝缘层213可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或锌氧化物的无机绝缘材料。层间绝缘层213可以包括单层或多层。

源电极SE、漏电极DE、存储电容器Cst的第二电容器电极CE2以及驱动电压线PL可以设置在层间绝缘层213上。源电极SE、漏电极DE、第二电容器电极CE2和驱动电压线PL可以包括铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)中的至少一种，并且可以包括单层或多层。在实施例中，源电极SE、漏电极DE、第二电容器电极CE2和驱动电压线PL可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。源电极SE和漏电极DE可以通过穿透栅绝缘层212和层间绝缘层213的接触孔分别连接到设置在半导体层Act的一端的源区和设置在半导体层Act的另一端的漏区。漏电极DE可以通过穿透第二缓冲层211、栅绝缘层212和层间绝缘层213的接触孔连接到偏置电极BML。源电极SE可以连接到驱动电压线PL。

存储电容器Cst的第二电容器电极CE2可以以设置在其间的层间绝缘层213与第一电容器电极CE1重叠，并且可以构成电容。在这种情况下，层间绝缘层213可以用作存储电容器Cst的介电层。层间绝缘层213的厚度可以根据存储电容器Cst的电容的值来设计。

第一平坦化层217可以被设置为覆盖源电极SE、漏电极DE、存储电容器Cst的第二电容器电极CE2以及驱动电压线PL。第二平坦化层218可以设置在第一平坦化层217上。

第一平坦化层217和第二平坦化层218中的每一个可以包括有机材料。第一平坦化层217和第二平坦化层218可以各自包括有机绝缘材料中的一种，有机绝缘材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及其共混物。在实施例中，可以省略第一平坦化层217和第二平坦化层218中的一个。

有机发光二极管OLED可以设置在第二平坦化层218上。有机发光二极管OLED可以包括像素电极220、中间层230和对电极240，其中，中间层230包括发射层。

像素电极220可以通过穿透第一平坦化层217和第二平坦化层218的接触孔电连接到漏电极DE。像素电极220可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射层。可替代地，像素电极220可以进一步包括位于反射层上和/或之下的导电氧化物材料层。导电氧化物材料层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。在实施例中，像素电极220可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

堤层219可以设置在像素电极220和第二平坦化层218上。暴露像素电极220的至少一部分的第一开口219OP可以限定在堤层219中。像素电极220的中心部分可以通过限定在堤层219中的第一开口219OP被暴露。第一开口219OP可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发射区。堤层219可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷的有机绝缘材料。在另一实施例中，堤层219可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅的无机绝缘材料。在另一实施例中，堤层219可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。

中间层230可以包括发射层。空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)可以设置在像素电极220与发射层之间。电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)可以设置在发射层与对电极240之间。

发射层可包括低分子量材料或聚合物材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。在发射层包括低分子量材料的情况下，中间层230可以具有其中空穴注入层、空穴传输层、发射层、电子传输层、电子注入层等以单一结构或复合结构被堆叠的结构。发射层可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺和三-(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)的各种有机材料。

在发射层包括聚合物材料的情况下，中间层230可以具有包括空穴传输层和发射层的结构。发射层可以包括诸如聚苯撑乙烯(PPV)类材料和聚芴类材料的聚合物材料。

尽管图4中示出了发射层被图案化以与多个像素电极220中的每一个相对应，但是实施例不限于此。在实施例中，发射层可以遍及多个像素电极220被形成为一体。

对电极240可以设置在中间层230上。对电极240可以是透光电极或反射电极。在实施例中，对电极240可以是透明电极或半透明电极，并且可以包括包含Li、Ca、Al、Ag、Mg或其化合物或者诸如LiF/Ca或LiF/Al的双层结构且具有小功函数的金属薄膜。此外，诸如ITO、IZO、ZnO或In₂O₃的透明导电氧化物(TCO)层可以进一步布置在金属薄膜上。对电极240不仅可以延伸到显示区DA，而且可以延伸到图3A中所示的外围区PA。

有机发光二极管OLED可以被封装层400覆盖。在实施例中，封装层400可以包括第一无机封装层410、第二无机封装层430以及设置在第一无机封装层410与第二无机封装层430之间的有机封装层420。在另一实施例中，有机封装层的层数、无机封装层的层数和堆叠顺序可以改变。

第一无机封装层410和第二无机封装层430可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、锌氧化物、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅当中的至少一种无机材料。第一无机封装层410和第二无机封装层430可以各自包括包含以上材料的单层或多层。

有机封装层420可以包括单体类材料和/或聚合物类材料。聚合物类材料可以包括例如丙烯酸类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。有机封装层420可以由设置在有机封装层420之下和上的第一无机封装层410和第二无机封装层430从外部密封。如下面具体所述，因为在制造显示装置1的工艺期间有机封装层420被外围区PA中的坝DAM(参见图5)阻挡，所以有机封装层420不会朝向基板100的边缘溢出。

图5是根据实施例的制造显示装置1的方法的一部分的平面图。图6是示出修改后的图5的实施例的平面图。图7A、图7B、图7C和图7D是根据实施例的制造显示装置1的方法的示意性截面图，并且图7A、图7B、图7C和图7D是示出沿图5的线A-A'截取的制造显示装置1的方法的截面图。

参照图5、图6和图7A，在制造显示装置1的工艺期间，多个显示面板DP可以同时堆叠在母基板50上。然后，多个显示面板DP中的每一个可以同时被切割。在切割之后，形成在母基板50上的多个显示面板DP中的每一个可以被生产为图3A中所示的包括在显示装置1中的每一个中的显示面板DP。母基板50是在制造显示装置1的工艺期间用作对结构进行支撑的基底的基板，并且可以包括例如玻璃。然而，母基板50在制造显示装置1的工艺期间被去除。

用作显示面板DP的基板100(参见图3A)的基底层100'可以形成在基板50上。基底层100'可以在母基板50上被形成为一体，以形成多个显示面板DP。

显示层200可以形成在基底层100'上。基底层100'的在其中形成显示层200的区域可以对应于显示区DA。在其中不形成显示层200的、显示区DA的外区域可以对应于外围区PA。尽管图2中未示出，但是绝缘层中的一部分(例如显示层200中的无机绝缘层)可以延伸到外围区PA。

参照图5，坝DAM可以形成在外围区PA中。坝DAM可以被形成为防止有机层形成材料在形成显示面板DP的有机层OIL的工艺期间朝向基板100(参见图3A)的边缘扩散，并且限制有机层OIL的形成位置。

在这种情况下，有机层OIL可以被布置为完全与显示区DA相对应，并且可以布置在外围区PA的一部分中。有机层OIL可以设置在显示面板DP的显示层200上(例如，设置在发光二极管上)。作为示例，有机层OIL可以是有机封装层420。在下文中，虽然有机层OIL被描述为封装层400的有机封装层420的示例，但是实施例不限于此。在实施例中，有机层OIL可以是包括在上结构500(参见图2)中的保护层。坝DAM可以形成在基底层100'上。作为示例，在有机层OIL是有机封装层420的情况下，坝DAM可以形成在第一无机封装层410上，如图7A中所示。

在实施例中，形成坝DAM的操作可以包括通过使用坝形成材料遍及基底层100'涂覆图案以及干燥图案化后的坝形成材料，其中，坝形成材料包括可光降解材料。

坝形成材料可以包括可光降解材料。在实施例中，可光降解材料可以是正性光刻胶。当被曝光时，正性光刻胶可以被分解。正性光刻胶允许被曝光区可溶于显影剂。也就是说，除了被曝光区域之外的其余区域可以在显影工艺之后保留。

参照图5，坝DAM可以被形成为在平面图中沿显示区DA的边缘围绕显示区DA的至少一部分。也就是说，坝DAM可以沿包括在多个显示面板DP中的每一个中的显示区DA的边缘被单独地形成。在这种情况下，通过使用坝形成材料来形成图案的操作可以通过使用例如线描法或丝印法来执行。然而，实施例不限于此。

在另一实施例中，参照图6，坝DAM可以被形成为具有平面形状。在这种情况下，在平面图中与显示区DA相对应的开口OP形成在坝DAM中。在实施例中，在平面图中，开口OP的边缘可以沿显示区DA的边缘形成。坝DAM可以相对于多个显示面板DP被形成为一体。在这种情况下，涂覆坝形成材料并形成图案的操作可以通过例如丝印法来执行，或者通过涂覆坝形成材料并且然后将光照射到坝形成材料的方法来执行。作为示例，在通过使用后一种方法形成图案的情况下，因为坝形成材料包括例如正性光刻胶的可光降解材料，所以坝形成材料的与掩模的透光区域相对应的区域可以在显影工艺期间被去除。掩模的透光区域可以包括与开口OP相对应的区域。

干燥图案化后的坝形成材料的操作可以是通过使用预烘烤等去除包括在坝形成材料中的溶剂的操作。干燥后的坝形成材料可以是固定且不流动的。

坝DAM的厚度W可以通过考虑有机层OIL的厚度来形成。作为示例，坝DAM的厚度W可以是有机层OIL的厚度的约0.8倍至约10倍。如下面所描述的，因为坝DAM在制造显示装置1的工艺期间被临时形成并去除，所以坝DAM可以被形成为具有相对大的厚度。

参照图7B和图7C，有机层OIL可以形成在坝DAM的内区域中，有机层OIL包括可光固化材料。在实施例中，有机层OIL可以通过使用利用喷嘴的喷墨法来形成。然而，实施例不限于此。

在本实施例中，形成有机层OIL的操作可以包括将有机层形成材料OIL'注入坝DAM的内区域中以及照射光并固化所注入的有机层形成材料OIL'，有机层形成材料OIL'包括可光固化材料。

有机层形成材料OIL'可以包括可光固化材料。在实施例中，可光固化材料可以是负性光刻胶。负性光刻胶可以具有与正性光刻胶的性质相反的性质。当被曝光时，负性光刻胶可以通过聚合反应被固化。在负性光刻胶中，被曝光区可以在显影工艺之后保留。

如以上所描述的，坝DAM可以用作用于防止具有流动性的有机层形成材料OIL'流出的屏障。坝DAM的内区域可以包括其中形成有机层OIL的区域。在实施例中，坝DAM的内区域可以直接接触有机层形成材料OIL'。

固化有机层形成材料OIL'的操作可以通过照射诸如紫外(UV)线等的光来执行。该操作可以通过将光照射到基底层100'的整个表面来执行。在有机层形成材料OIL'包括例如负性光刻胶的可光固化材料的情况下，有机层形成材料OIL'可以通过所照射的光来固化。

在该工艺期间，坝DAM可以被分解。也就是说，分解坝DAM的操作可以与固化有机层形成材料OIL'的操作同时执行。在坝DAM包括例如正性光刻胶的可光降解材料的情况下，因为正性光刻胶具有与负性光刻胶的性质相反的性质，所以坝DAM可以通过所照射的光来分解。也就是说，用光照射后的坝DAM可以被改变为可溶于显影剂的材料。如以上所描述的，坝DAM可以不在单独的工艺中被分解/去除，而是可以在固化有机层形成材料OIL'并形成有机层OIL的工艺期间同时被分解。

参照图7D，分解后的坝DAM可以被去除。分解后的坝DAM可以通过使用显影剂来显影。分解后的坝DAM可以通过溶解在显影剂中来去除。此外，坝DAM的残留物可以使用洗涤溶液来去除。图7D示出有机层OIL对应于有机封装层420的情况。坝DAM被去除，并且然后第二无机封装层430可以形成在有机层OIL上。

如参照图7A、图7B、图7C和图7D所描述的，坝DAM可以在制造显示装置1的工艺期间被临时形成并去除。也就是说，在根据实施例所制造的显示装置1中，坝DAM可以不保留。在这种情况下，因为其中形成坝DAM的外围区PA不需要被设计得宽，所以显示装置1的死空间可以减小，并且显示区DA可以增大。此外，因为坝DAM是临时形成的，因此可以防止坝DAM的一部分在制造工艺期间由于物理影响而剥落并朝向显示区DA移动且因此产生缺陷的问题。

图8是根据实施例的显示装置1的一部分的截面图。图8是图7D的区域E的放大截面图。

如图8中所示，图7D的基底层100'可以对应于显示装置1的基板100。

显示装置1可以包括显示区DA和外围区PA。显示区DA的结构与参照图4所描述的显示区DA的结构相同。

显示面板DP可以包括基板100(参见图3A)、显示层200和封装层400。显示层200可以设置在基板100上。显示层200可以包括子像素电路PC、第一缓冲层201、第二缓冲层211、栅绝缘层212、层间绝缘层213、第一平坦化层217、第二平坦化层218、堤层219和有机发光二极管OLED。子像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。

薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。存储电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2。有机发光二极管OLED可以包括像素电极220、中间层230和对电极240。

在图8中，间隔件SPC可以进一步布置在堤层219上。间隔件SPC可以设置在堤层219上。间隔件SPC可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可替代地，间隔件SPC可以包括无机绝缘材料或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。间隔件SPC可以包括与堤层219的材料不同的材料或者可以包括与堤层219的材料相同的材料。

封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。如参照图7C和图7D所描述的，坝DAM被去除，并且然后第二无机封装层430被形成，于是有机封装层420的与坝DAM的内表面接触的外侧表面可以被第二无机封装层430完全覆盖。

在这种情况下，有机封装层420的外侧表面可以具有与被去除的坝DAM的内表面的形状基本相同的形状。在坝DAM的内表面相对于下表面具有预设角度的情况下，有机封装层420的外侧表面可以相对于下表面呈现与该预设角度基本相同的角度。作为示例，参照图7D描述的坝DAM的内表面可以被形成为相对于下表面具有约90°，并且图8中所示的有机封装层420的外侧表面可以具有相对于下表面以90°直立的形状。

作为比较示例，显示装置可以包括用于防止有机层溢出的坝。坝可以通过堆叠例如处于有机封装层之下的层的有机层(例如与第一平坦化层、第二平坦化层、堤层和/或间隔件相同的层)来形成。由于坝的厚度受下层限制，因此坝的厚度可能不够，并且存在有机层形成材料可能溢出坝外的风险。相应地，可以形成被布置为在平面图中围绕坝的辅助坝。在这种情况下，在根据比较示例的显示装置中，死空间可能增大。此外，因为坝是通过堆叠多层形成的，所以可能难以完全均匀地形成坝的厚度。

在根据实施例的显示装置1中，坝DAM在制造工艺期间被去除，并且在最终产品中不会保留(参见图7D)。此外，坝DAM不是通过堆叠有机层OIL(参见图7D)(例如有机封装层420)之下的层形成的，而是通过单独的工艺形成的。相应地，因为坝DAM的厚度不受下层的厚度限制，所以存在坝DAM可以被形成为具有足可以防止有机层OIL的溢出的厚度的优点。

图9A、图9B、图9C、图9D和图9E是示出根据另一实施例的制造显示装置的方法的截面图。图9A、图9B、图9C、图9D和图9E是示出根据另一实施例的沿图5的线A-A'截取的制造显示装置的方法的截面图。在图9A、图9B、图9C、图9D和图9E中，除了有机层OIL和显示层200之外，省略了可以布置在有机层OIL与显示层200之间的构造。

参照图9A、图9B、图9C、图9D和图9E，该实施例与以上实施例的不同之处在于，制造其中多个层被连续沉积的有机层OIL。在下文中，主要描述在工艺方面区别于图7A、图7B、图7C和图7D的差异。有机层OIL可以包括第一有机层OIL1和第二有机层OIL2。第二有机层OIL2可以直接设置在第一有机层OIL1上。有机层OIL可以是例如可以包括在上结构500(参见图2)中的保护层。

在实施例中，第一有机层OIL1和第二有机层OIL2可以包括不同的材料。然而，实施例不限于此。在实施例中，第一有机层OIL1和第二有机层OIL2可以包括相同的材料。作为示例，在有机层OIL是保护层的情况下，有机层OIL可以通过连续堆叠包括相同材料的有机层来形成，以充分覆盖有机层OIL之下的结构。

参照图9A，包括可光降解材料的坝DAM可以形成在外围区PA中。坝DAM的厚度可以通过考虑有机层OIL的厚度来形成。坝DAM的厚度可以是有机层OIL的总厚度的约0.8倍至约10倍。作为示例，坝DAM的厚度可以是第一有机层OIL1和第二有机层OIL2的厚度之和的约0.8倍至约10倍。

参照图9B和图9C，第一有机层OIL1可以形成在坝DAM的内区域中，第一有机层OIL1包括可光固化材料。第一有机层OIL1可以通过喷墨法来形成。形成第一有机层OIL1的操作可以通过将第一有机层形成材料OIL1'注入坝DAM的内区域中以及照射光并固化第一有机层形成材料OIL1'来执行。第一有机层形成材料OIL1'可以包括可光固化材料。可光固化材料可以包括例如负性光刻胶。

固化第一有机层形成材料OIL1'的操作可以通过利用掩模M的曝光工艺来执行。固化第一有机层形成材料OIL1'的操作可以包括：准备包括透光区域TR和挡光区域SR的掩模M，对准掩模M使得透光区域TR与第一有机层形成材料OIL1'相对应且挡光区域SR与坝DAM相对应，以及照射光。

掩模M可以包括阻挡光的挡光区域SR和透射光的透光区域TR。因为透光区域TR与第一有机层形成材料OIL1'相对应，所以当照射光时，穿过透光区域TR的光可以固化第一有机层形成材料OIL1'。第一有机层形成材料OIL1'可以被固化，于是第一有机层OIL1可以被形成。比较而言，因为掩模M的挡光区域与坝DAM相对应，所以坝DAM可以不被曝光。相应地，在第一有机层OIL1被形成时，坝DAM可以不被去除。

参照图9D和图9E，包括可光固化材料的第二有机层OIL2可以在坝DAM的内区域中形成在第一有机层OIL1上。第二有机层OIL2可以通过利用喷嘴的喷墨法来形成。形成第二有机层OIL2的操作可以通过将第二有机层形成材料OIL2'注入坝DAM的内区域中以及照射光并固化第二有机层形成材料OIL2'来执行。第二有机层形成材料OIL2'可以包括可光固化材料。可光固化材料可以包括例如负性光刻胶。

固化第二有机层形成材料OIL2'的操作可以通过将光照射到基底层100'的整个表面来执行。因为第二有机层形成材料OIL2'包括可光固化材料，所以第二有机层形成材料OIL2'可以被固化，于是第二有机层OIL2可以被形成。在该工艺期间，坝DAM可以被分解。也就是说，分解坝DAM的操作可以与固化第二有机层形成材料OIL2'的操作同时执行。如以上所描述的，因为坝DAM包括可光降解材料(例如正性光刻胶)，所以坝DAM可以被光分解。坝DAM可以不通过单独的工艺来去除，而是可以在形成第二有机层OIL2时同时被分解。

分解后的坝DAM可以通过例如利用显影剂的显影工艺来去除。

根据实施例，可以提供一种在制造工艺期间具有降低的缺陷率和增大的显示区的制造显示装置的方法以及通过该方法制造的显示装置。然而，本公开的范围不受该效果限制。

应当理解的是，本文中所描述的实施例应仅在描述性意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。尽管已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在形式和细节上对其进行各种改变，而不脱离由权利要求所限定的精神和范围。

Claims (10)

1.一种制造包括基板和发光二极管的显示装置的方法，其中，所述基板包括显示区和设置在所述显示区外部的外围区，并且所述发光二极管布置在所述显示区中，所述方法包括以下步骤：

在所述外围区中形成坝，所述坝包括可光降解材料；

在所述坝的内区域中形成有机层，所述有机层包括可光固化材料；以及

去除所述坝。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在平面图中，所述坝沿所述显示区的边缘围绕所述显示区。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在平面图中与所述显示区相对应的开口形成在所述坝中。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机层的所述形成通过以下来执行：

将有机层形成材料注入所述坝的所述内区域中，所述有机层形成材料包括所述可光固化材料；以及

照射光并固化所注入的所述有机层形成材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述坝的所述去除通过以下来执行：

通过将光照射到所述坝上来分解所述坝；以及

去除分解后的所述坝。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述坝的所述去除与所述有机层形成材料的所述固化同时执行。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机层包括第一有机层和直接设置在所述第一有机层上的第二有机层，并且

其中，所述有机层的所述形成通过形成所述第一有机层和在所述第一有机层上形成所述第二有机层来执行。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一有机层的所述形成通过以下来执行：

将第一有机层形成材料注入所述坝的所述内区域中，所述第一有机层形成材料包括第一可光固化材料；以及

照射光以固化所注入的所述第一有机层形成材料，

其中，所述第二有机层的所述形成通过以下来执行：

将第二有机层形成材料注入所述坝的所述内区域中，所述第二有机层形成材料包括第二可光固化材料；以及

照射光以固化所注入的所述第二有机层形成材料，并且

其中，所述第一可光固化材料与所述第二可光固化材料不同或相同。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一有机层形成材料的所述固化通过以下来执行：

准备包括透光区域和挡光区域的掩模；

对准所述掩模，使得所述透光区域与所述第一有机层形成材料相对应并且所述挡光区域与所述坝相对应；以及

照射光。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述坝的所述去除通过以下来执行：

通过照射光来分解所述坝；以及

去除分解后的所述坝，并且

其中，所述坝的所述分解与所述第二有机层形成材料的所述固化同时执行。