CN111668261A - 显示装置 - Google Patents

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CN111668261A CN202010142438.9A CN202010142438A CN111668261A CN 111668261 A CN111668261 A CN 111668261A CN 202010142438 A CN202010142438 A CN 202010142438A CN 111668261 A CN111668261 A CN 111668261A
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display device
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崔敏姬
郭源奎
尹宁秀
印闰京
车眩枝
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Abstract

显示装置包括：包括至少一个开口的第一区域；围绕第一区域布置的第二区域；以及设置在第一区域和第二区域之间的第三区域。第二区域包括多个显示元件，并且第三区域包括凹槽。该显示装置进一步包括：覆盖多个显示元件并且包括无机封装层和有机封装层的薄膜封装层；设置在凹槽上方的平坦化层；设置在薄膜封装层上方的第一绝缘层；设置在平坦化层上方的第二绝缘层；以及与平坦化层的第一端重叠并且与第一绝缘层和第二绝缘层部分地重叠的覆盖层。平坦化层的第一端与薄膜封装层重叠，并且第二绝缘层包括第一通孔。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年3月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0025385号的优先权，其全部内容通过引用合并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种包括第一区域和/或开口的显示面板以及包括该显示面板的显示装置。
背景技术
随着显示装置越来越薄和越轻便，增大了它们在各种应用中的使用。
尽管正在努力增加显示装置的显示面积并减小非显示区域，但是与显示装置相关联的各种功能已经被添加到利用该显示装置的设备中。这些功能中的某些功能需要通常设置在非显示区域中的部件。然而，随着显示区域的尺寸增大并且非显示区域的尺寸减小，在非显示区域中可能没有足够的空间来设置这些部件。结果，正在开发一种显示装置，其在显示区域中包括用于放置这种部件的开口。
发明内容
通常，包括开口的显示装置可能具有问题，诸如由于开口的结构和开口周围的部件导致的在开口周围的膜的提起或剥离。一个或多个实施例针对一种包括开口的显示面板，该显示面板具有提高的质量，其可以防止或减少这种问题。
根据实施例，显示装置包括：包括至少一个开口的第一区域；围绕第一区域设置的第二区域；以及设置在第一区域和第二区域之间的第三区域。第二区域包括多个显示元件，并且第三区域包括凹槽。该显示装置进一步包括：覆盖多个显示元件并且包括无机封装层和有机封装层的薄膜封装层；设置在凹槽上方的平坦化层；设置在薄膜封装层上方的第一绝缘层；设置在平坦化层上方的第二绝缘层，以及与平坦化层的第一端重叠并且与第一绝缘层和第二绝缘层部分地重叠的覆盖层。平坦化层的第一端与薄膜封装层重叠，并且第二绝缘层包括第一通孔。
在实施例中，平坦化层包括有机绝缘材料。
在实施例中，覆盖层包括导电材料。
在实施例中，覆盖层包括第二通孔。
在实施例中，第一通孔和第二通孔至少部分地彼此重叠。
在实施例中，第一通孔和第二通孔具有基本相同的尺寸。
在实施例中，第一绝缘层包括无机绝缘材料。
在实施例中，第二绝缘层包括无机绝缘材料。
在实施例中，覆盖层的不覆盖平坦化层的第一部分的宽度小于覆盖层的覆盖平坦化层的第二部分的宽度。
在实施例中，薄膜封装层的无机封装层覆盖凹槽，并且第一绝缘层覆盖无机封装层。
在实施例中，显示装置进一步包括设置在第三区域中的第一分隔壁。第一分隔壁包括多个绝缘层，并且平坦化层设置在第一分隔壁上方。
根据实施例，显示装置包括：包括至少一个开口的第一区域；围绕第一区域设置的第二区域；以及设置在第一区域和第二区域之间的第三区域。第二区域包括多个显示元件。该显示装置进一步包括：覆盖多个显示元件的薄膜封装层；设置在第三区域中的平坦化层；设置在薄膜封装层上方的第一绝缘层；设置在平坦化层上方的第二绝缘层；以及设置在多个显示元件上方的输入感测层。平坦化层的第一端与薄膜封装层重叠，并且第二绝缘层包括第一通孔。
在实施例中，输入感测层包括：包括第一连接电极的第一导电层；包括第一感测电极、第二感测电极和第二连接电极的第二导电层；以及设置在第一导电层和第二导电层之间的层间绝缘层。
在实施例中，显示装置进一步包括覆盖层，该覆盖层与平坦化层的第一端重叠，并且与第一绝缘层和第二绝缘层部分地重叠。覆盖层与第一导电层或第二导电层在同一层上。
在实施例中，覆盖层包括与第一导电层或第二导电层相同的材料。
在实施例中，显示装置进一步包括覆盖覆盖层的第三绝缘层。第三绝缘层与层间绝缘层一体形成。
在实施例中，覆盖层包括第二通孔。
在实施例中，第一通孔和第二通孔至少部分地彼此重叠。
在实施例中，第三区域包括凹槽，并且平坦化层设置在凹槽上方。
在实施例中，平坦化层包括有机绝缘材料。
在实施例中，薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，并且薄膜封装层的至少一个无机封装层覆盖凹槽。
在实施例中，第一绝缘层包括无机绝缘材料。
在实施例中，第二绝缘层包括无机绝缘材料。
附图说明
通过参考附图详细描述其一个或多个实施例，上述和其它特征将变得显而易见，其中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2是根据实施例的沿线II-II′截取的图1的显示装置的示意性横截面图；
图3是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图4是示意性地示出根据实施例的显示面板的像素的等效电路图；
图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，并且示出了第三区域中的信号线；
图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，并且示出了第三区域中的凹槽；
图7是根据实施例的沿线VII-VII'截取的图6的显示面板的横截面图；
图8是根据实施例的输入感测层的示意性平面图；
图9A和图9B是根据实施例的输入感测层的第一导电层和第二导电层各自的平面图；
图9C是根据实施例的图9A和图9B的输入感测层的横截面图；
图10A和图10B是根据实施例的输入感测层的第一导电层和第二导电层各自的平面图；
图10C是根据实施例的图10A和图10B的输入感测层的横截面图；
图11A和图11B是根据实施例的输入感测层的第一导电层和第二导电层各自的平面图；
图11C是根据实施例的图11A和图11B的输入感测层的横截面图；
图12是根据实施例的显示装置的横截面图；
图13是根据实施例的图12的部分XIII的横截面图；
图14是根据实施例的显示装置的横截面图，并且示出了图12的部分XIV；
图15和图16是根据实施例的显示装置的横截面图，并且示出了覆盖层的外围；
图17是根据实施例的显示装置的横截面图；
图18是根据实施例的显示装置中的第一区域及其外围的平面图；并且
图19A至图19D是根据实施例的形成在显示装置中的第二绝缘层和覆盖层中的通孔的各种布置的示意性平面图。
具体实施方式
在下文中将参考附图更充分地描述示例性实施例。在整个附图中，相同的附图标记可以指代相同的元件。
将理解的是，术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中用于区分一个元件与另一个元件，并且元件不受这些术语的限制。因此，实施例中的“第一”元件在另一实施例中可以被描述为“第二”元件。
除非上下文另外明确指出，否则本文中使用的单数形式“一”、“一个”和“所述”旨在包括复数形式。
将理解的是，当诸如膜、区域、层或元件之类的部件被称为在另一部件“上”、“连接至”、“联接至”另一部件或与另一部件“邻近”时，其可以直接在该另一部件上，连接到、联接到该另一部件，或与该另一部件邻近，或者也可以存在中间部件。还将理解的是，当部件被称为在两个部件“之间”时，它可以是两个部件之间的唯一部件，或者也可以存在一个或多个中间部件。还将理解的是，当部件被称为“覆盖”另一部件时，它可以是覆盖另一部件的唯一部件，或者一个或多个中间部件也可以覆盖另一部件。用于描述元件之间关系的其它词语应以相似的方式解释。
当可以不同地实施实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行某个过程顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行，或以与所描述的顺序相反的顺序执行。
当层、区域或部件被“连接”时，层、区域或部件不仅可以“直接连接”，还可以经由另一层、区域或部件“间接连接”。例如，当层、区域或部件进行电连接时，层、区域或部件不仅可以直接电连接，还可以经由另一层、区域或部件间接电连接。
当将两个或更多个元件或值描述为彼此基本相同或大约相等时，应理解，元件或值彼此相同，彼此不可区分，或彼此可区分但在功能上彼此相同，如本领域普通技术人员将理解的那样。例如，当两个或更多个元件或值彼此基本相同或大约相等但彼此不完全相同时，应理解为两个或更多个元件或值在测量误差内彼此大致相同或相等，如本领域普通技术人员所理解的那样。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。
参照图1，显示装置1包括第一区域OA(开口区域)和第二区域DA(显示区域)。第二区域DA至少部分地围绕第一区域OA。
显示装置1可以通过使用从设置在第二区域DA中的多个像素发射的光来提供图像。第一区域OA可以被第二区域DA完全围绕。第一区域OA可以是其中设置有部件20(参考图2)的区域。
第三区域MA(中间区域)可以设置在第一区域OA和第二区域DA之间，并且第二区域DA可以被第四区域PA(外围区域)围绕。
第三区域MA和第四区域PA可以是其中未设置像素的非显示区域。第三区域MA可以被第二区域DA完全围绕，并且第二区域DA可以被第四区域PA完全围绕。
尽管显示装置1在此被描述为有机发光显示装置，但是实施例不限于此。例如，根据实施例，显示装置1可以是液晶显示装置、无机发光显示装置或量子点发光显示装置。
尽管图1示出了一个基本为圆形的第一区域OA，但是第一区域OA的数量和形状不限于此。例如，根据一个或多个实施例，第一区域OA的数量可以是两个或更多个，并且每个第一区域OA可以不同地改变，以在平面上(或在垂直于基板主表面的方向上)具有例如圆形形状、椭圆形形状、诸如三角形形状或四边形形状、星形形状、菱形形状的多边形形状、或非典型的形状。
显示装置1可以实现在各种电子设备中，诸如例如移动电话、笔记本计算机或智能手表。
图2是根据实施例的沿线II-II'截取的图1的显示装置1的示意性横截面图。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、输入感测层40、光学功能层50和窗口60。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括设置在第二区域DA(显示区域)中的像素。像素可以包括显示元件和与其连接的像素电路。显示元件可以包括例如有机发光二极管。可替代地，显示元件可以包括无机发光二极管、量子点发光二极管等。
输入感测层40根据诸如例如触摸事件之类的外部输入获得坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极或触摸电极以及连接到感测电极或触摸电极的迹线。输入感测层40可以设置在显示面板10上。输入感测层40可以使用例如互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接设置在显示面板10上。输入感测层40可以在同一工艺中与显示面板10一起形成，或者可以通过单独的工艺形成并且经由诸如例如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层与显示面板10组合。例如，在显示面板10的制造工艺完成之后，可以通过在显示面板10上连续地实施直接沉积工艺和/或额外的图案化工艺来形成输入感测层40。在这种情况下，在输入感测层40与显示面板10之间可以不存在粘合层。
尽管图2示出了设置在显示面板10和光学功能层50之间的输入感测层40，但是实施例不限于此。例如，在实施例中，输入感测层40可以设置在光学功能层50上。
光学功能层50可以包括防反射层。防反射层可以减小从外部通过窗口60朝着显示面板10移动的入射光(外部光)的反射率。
防反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂层型，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以是膜型或液晶涂层型。膜型可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型可以包括预定排列的液晶。
延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。可以将延迟器和偏振器本身或保护膜定义为防反射层的基底层。
在实施例中，防反射层可以包括黑矩阵和滤色器。可以通过考虑从显示面板10的每个像素发射的光的颜色来设置滤色器。
在实施例中，防反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括设置在彼此不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可能经历相消干涉，因此，外部光的反射率可能降低。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以增加从显示面板10发射的光的光输出效率，或者可以减小颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层和/或可以包括具有彼此不同的折射率的多个层。光学功能层50可以包括上述防反射层和透镜层两者，或者可以包括上述防反射层和透镜层之一。
显示面板10、输入感测层40和光学功能层50可以包括开口。就这一点而言，图2示出了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括彼此重叠的第一至第三开口10H、40H和50H。
第一至第三开口10H、40H和50H可以对应于第一区域OA(开口区域)。例如，第一区域OA可以由第一至第三开口10H、40H和50H形成。第一至第三开口10H、40H和50H的尺寸(或直径)可以彼此相同或不同。
在实施例中，显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50中的至少一个可以不包括开口。例如，从显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中选择的一个或两个部件可以不包括开口。因此，第一区域OA可以由第一至第三开口10H、40H和50H中的一些但不是全部形成。
第一区域OA可以是用于向显示装置1添加各种功能的诸如例如传感器、照相机、扬声器等的部件20位于其中的部件区域(例如传感器区域、照相机区域、扬声器区域等)。
如图2中的实线所示，部件20可以设置在第一至第三开口10H、40H和50H中。可替代地，如虚线所示，部件20可以设置在显示面板10下方，并且因此不设置在第一至第三开口10H、40H和50H中的任何一个内。在这种情况下，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或多个可以不包括开口。即，在这种情况下，可以不包括第一至第三开口10H、40H和50H中的至少一个。
部件20可以包括电子元件。例如，部件20可以是使用光或声音的电子元件。
例如，电子元件可以包括使用光的传感器(例如红外传感器)、接收光以捕获图像的相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小灯、输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用各种波长范围内的光，例如可见光、红外光、紫外光等。在一些实施例中，第一区域OA可以是传输区域，其能够将从部件20输出的光和/或声音传输到外部或从外部向电子元件传输。
在实施例中，当显示装置1用于实现例如智能手表或车辆用仪表板时，部件20可以是包括钟针、指示预定信息(例如车速等)的针的构件。当显示装置1包括诸如钟针或车辆用仪表板的部件20时，部件20可以通过窗口60暴露在外部，并且窗口60可以包括与第一区域OA相对应的开口。可替代地，即使当显示装置1包括不具有钟针或车辆用仪表板的部件20时(例如，当该部件是扬声器时)，窗口60也可以包括与第一区域OA相对应的开口。
如上所述，部件20可以包括与显示面板10的功能有关的(多个)部件，或者可以包括诸如增加显示面板10的美观感的附件的部件。
可以在窗口60与光学功能层50之间设置包括诸如例如OCA的粘合层的层。
图3是根据实施例的图2的显示面板10的示意性平面图。图4是示意性地示出根据实施例的显示面板10的像素P的等效电路图。
参照图3，显示面板10包括第一区域OA(开口区域)、第二区域DA(显示区域)、第三区域MA(中间区域)和第四区域PA(外围区域)。图3示出了显示面板10的基板100。例如，基板100包括第一区域OA、第二区域DA、第三区域MA和第四区域PA。
显示面板10包括设置在第二区域DA中的多个像素P。如图4所示，每个像素P包括像素电路PC和有机发光二极管OLED，有机发光二极管OLED是连接到像素电路PC的显示元件。
像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以通过有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传送到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应给驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差相对应的电压。
作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。驱动电流可以允许有机发光二极管OLED发射具有预定亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
尽管图4所示的像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是实施例不限于此。例如，根据像素电路PC的设计，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以不同地改变。
再次参照图3，第三区域MA可以围绕第一区域OA。第三区域MA是其中未设置诸如发光的有机发光二极管的显示元件的区域，并且用于向设置在第一区域OA周围的像素P提供信号的信号线可以通过第三区域MA。
向每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、向每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200、用于提供第一电源电压和第二电源电压的主电源线等可以设置在第四区域PA(外围区域)中。尽管在图3中数据驱动器1200被设置为邻近基板100的侧面，但是实施例不限于此。例如，在实施例中，数据驱动器1200可以设置在与设置在显示面板10的一侧上的焊盘电连接的柔性印刷电路板(FPCB)上。
图5是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，并且示出了第三区域MA(中间区域)中的信号线。
参照图5，像素P设置在第二区域DA中，并且第三区域MA(中间区域)设置在第一区域OA和第二区域DA之间。与第一区域OA邻近的像素P可以在平面上相对于第一区域OA彼此间隔开。像素P可以相对于第一区域OA竖直地间隔开或者可以相对于第一区域OA水平地间隔开。
在用于向像素P提供信号的信号线中，与第一区域OA邻近的信号线可以绕行第一区域OA。通过第二区域DA的数据线中的一些数据线DL可以在y方向上延伸，以将数据信号提供给分别设置在第一区域OA之上和之下的像素P(第一区域OA位于其间)，并且可以在第三区域MA上沿第一区域OA的边缘绕行。
通过第二区域DA的扫描线中的一些扫描线SL可以在x方向上延伸，以将扫描信号提供给分别设置在第一区域OA的左侧和右侧的像素P(第一区域OA位于其间)，并且可以在第三区域MA上沿第一区域OA的边缘绕行。
图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图，并且示出了在第三区域MA中的凹槽G。
参照图6，一个或多个凹槽G可以设置在第一区域OA和第二区域DA之间。尽管图6示出了设置在第一区域OA和第二区域DA之间的三个凹槽G，但是实施例不限于此。例如，根据实施例，可以在第三区域MA中设置一个、两个或四个或更多个凹槽。
在平面上，凹槽G可以设置在第三区域MA(中间区域)中并且可以具有完全围绕第一区域OA的环形形状。在平面上，每个凹槽G到第一区域OA的中心C的半径可以大于第一区域OA的半径。凹槽G可以彼此间隔开。
参照图5和图6，凹槽G可以设置在第一区域OA与数据线DL和/或扫描线SL的沿着第一区域OA的边缘绕行的绕行部分之间，并且与数据线DL和/或扫描线SL的沿第一区域OA的边缘绕行的绕行部分相比，凹槽G可以更邻近第一区域OA。
图7是根据实施例的沿线VII-VII'截取的图6的显示面板10的截面图。
参照图7，像素电路PC和电连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED可以设置在第二区域DA(显示区域)中。
像素电路PC可以设置在基板100上，有机发光二极管OLED可以设置在像素电路PC上。像素电路PC包括设置在基板100上的薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst，并且像素电极221与像素电路PC电连接。
基板100可以包括例如聚合物树脂或玻璃。在实施例中，基板100可以包括聚合物树脂，例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和/或乙酸丙酸纤维素，并且可以具有柔性性质。
在实施例中，基板100可以包括主要包括SiO2的玻璃或诸如增强塑料的树脂，并且可以具有刚性性质。
基板100可以具有由包括上述聚合物树脂的层和位于上述聚合物树脂层上的阻挡层形成的堆叠结构。例如，基板100可以具有其中第一聚合物树脂层、第一阻挡层、第二聚合物树脂层和第二阻挡层堆叠的结构。包括聚合物树脂的基板100可以增加柔性。阻挡层可以包括例如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化硅(SiOx)等。
可以防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中的缓冲层201可以设置在基板100上。缓冲层201可以包括无机绝缘材料，诸如例如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
像素电路PC可以设置在缓冲层201上。像素电路PC包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图7所示的薄膜晶体管TFT可以是如以上参考图4所述的驱动薄膜晶体管。尽管图7示出了顶栅型薄膜晶体管，其中栅电极GE设置在半导体层Act上，栅极绝缘层203设置在栅电极GE和半导体层Act之间，但实施例不限于此。例如，在实施例中，薄膜晶体管TFT可以是底栅型薄膜晶体管。
半导体层Act可以包括例如多晶硅。可替代地，半导体层Act可以包括例如非晶硅，可以包括氧化物半导体，或者可以包括有机半导体。栅电极GE可以包括例如低电阻金属材料。栅电极GE可以包括导电材料，该导电材料包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
设置在半导体层Act和栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽和氧化铪。栅极绝缘层203可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可以包括高导电材料。源电极SE和漏电极DE可以包括导电材料，该导电材料例如包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且可以具有包括上述材料的多层或单层结构。在实施例中，源电极SE和漏电极DE可以包括Ti/Al/Ti构成的多层。
存储电容器Cst包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2，并且在它们之间设置有第一层间绝缘层205。在实施例中，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。就这一点而言，在实施例中，薄膜晶体管TFT的栅电极GE可以是存储电容器Cst的下电极CE1。在实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以包括无机绝缘材料，诸如例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被平坦化绝缘层209覆盖。平坦化绝缘层209可以包括具有基本上平坦的上表面的一侧。平坦化绝缘层209可以包括有机绝缘材料，例如聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物，具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物，以及它们的混合物。在实施例中，平坦化绝缘层209可以包括PI。可替代地，平坦化绝缘层209可以包括无机绝缘材料，或者可以包括无机绝缘材料和有机绝缘材料。
像素电极221可以设置在平坦化绝缘层209上。像素电极221可以包括导电氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在实施例中，像素电极221可以包括反射膜，该反射膜包括例如银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物。在实施例中，像素电极221可以进一步包括设置在上述反射膜上和/或下的膜，该膜包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。
像素限定膜211可以设置在像素电极221上。像素限定膜211可以包括暴露像素电极221的上表面的开口，并且可以覆盖像素电极221的边缘。像素限定膜211可以包括有机绝缘材料。可替代地，像素限定膜211可以包括无机绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx)。可替代地，像素限定膜211可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222包括发射层222b。中间层222可以进一步包括设置在发射层222b下方的第一功能层222a和/或设置在发射层222b上的第二功能层222c。发射层222b可以包括发射具有预定颜色的光的聚合物或低分子有机材料。
第一功能层222a可以具有单层或多层结构。例如，当第一功能层222a包括聚合物材料时，第一功能层222a可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)，并且可以包括聚(3,4)-乙烯-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。当第一功能层222a包括低分子材料时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
在实施例中，可以省略第二功能层222c。在实施例中，当第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料时，可以提供第二功能层222c。第二功能层222c可以具有单层或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
可以为第二区域DA中的每个像素设置中间层222的发射层222b。发射层222b可以接触经由像素限定膜211中的开口暴露的像素电极221的上表面。与发射层222b不同，中间层222的第一功能层222a和第二功能层222c可以不仅存在于图7的第二区域DA(显示区域)中，而且存在于第三区域MA(参见图12)中。例如，在实施例中，发射层222b设置在第二区域DA(显示区域)中而不设置在第三区域MA中，并且第一功能层222a和第二功能层222c设置在第二区域DA(显示区域)和第三区域MA中。
相对电极223可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极223可以包括(半)透明层，其包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、它们的合金等。可替代地，相对电极223可以进一步包括设置在包括上述材料的(半)透明层上的层，诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3。相对电极223不仅可以设置在第二区域DA上方，而且可以设置在第三区域MA(中间区域)上方。中间层222和相对电极223可以例如通过热沉积形成。
封盖层230可以设置在相对电极223上。封盖层230可以包括例如氟化锂(LiF)，并且可以例如通过热沉积形成。可替代地，封盖层230可以包括无机绝缘材料，诸如例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。可替代地，封盖层230可以包括有机绝缘材料。可替代地，可以省略封盖层230。
间隔物213可以设置在像素限定膜211上。间隔物213可以包括例如PI的有机绝缘材料。可替代地，间隔物213可以包括诸如例如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔物213可以包括与像素限定膜211不同的材料。可替代地，间隔物213可以包括与像素限定膜211相同的材料，并且在这种情况下，像素限定膜211和间隔物213可以在使用例如半色调掩模的掩模工艺期间一起形成。在实施例中，像素限定膜211和间隔物213可以包括PI。
有机发光二极管OLED被薄膜封装层300覆盖。例如，薄膜封装层300设置在有机发光二极管OLED上。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。在实施例中，薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及设置在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320，如图7所示。根据实施例，可以改变有机封装层的数量、无机封装层的数量及其堆叠顺序。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括一种或多种无机绝缘材料，诸如例如氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，并且可以通过例如化学气相沉积(CVD)形成。
有机封装层320可以包括例如聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、丙烯酸树脂(例如PMMA，聚(丙烯酸)等)，或它们的任何组合。
输入感测层40可以设置在显示面板10上。在实施例中，输入感测层40直接形成在显示面板10上，使得其与薄膜封装层300接触，如图7所示。
图8是根据实施例的输入感测层40的示意性平面图。图8示出了输入感测层40的对应于如图7所示的第二区域DA的一部分。
参照图8，输入感测层40包括位于第二区域DA中的第一感测电极SP1和第二感测电极SP2。在实施例中，多个第一感测电极SP1在x方向上布置并彼此连接，并且多个第二感测电极SP2在y方向上跨过第一感测电极SP1布置并彼此连接。第一感测电极SP1和第二感测电极SP2可以在竖直方向上彼此交叉。
第一感测电极SP1和第二感测电极SP2的角部可以彼此邻近。相邻的第一感测电极SP1可以经由第一连接电极CP1在x方向上彼此电连接，并且相邻的第二感测电极SP2可以经由第二连接电极CP2在y方向上彼此电连接。
图9A和图9B是根据实施例的输入感测层(例如，图8的输入感测层40)的第一导电层410和第二导电层420各自的平面图。图9C是根据实施例的沿图8的线VIII-VIII'截取的图9A和图9B的输入感测层40的横截面图。
参照图9A和图9B，第一感测电极SP1和第二感测电极SP2可以彼此设置在同一层上。例如，第一导电层410可以包括第一连接电极CP1(参见图9A)，第二导电层420可以包括第一感测电极SP1、第二感测电极SP2和第二连接电极CP2(参见图9B)。
第二感测电极SP2可以通过设置在同一层上的第二连接电极CP2彼此连接。例如，第二感测电极SP2和第二连接电极CP2可以设置在第二导电层420上(参考图9B)。第一感测电极SP1可以沿x方向设置，并且可以通过设置在不同层上的第一连接电极CP1彼此连接。例如，第一感测电极SP1可以设置在第二导电层420上(参考图9B)，并且第一连接电极CP1可以设置在第一导电层410上(参考图9A)。
参照图9C，层间绝缘层或中间绝缘层403可以设置在第一导电层410和第二导电层420之间。设置在第二导电层420中的第一感测电极SP1可以经由中间绝缘层403中的接触孔CNT连接到设置在第一导电层410中的第一连接电极CP1。
第二导电层420可以由上绝缘层405覆盖，并且下绝缘层401可以设置在第一导电层410下方。下绝缘层401和中间绝缘层403可以是诸如例如氮化硅的无机绝缘层或有机绝缘层。
上绝缘层405可以是有机绝缘层或无机绝缘层。第一导电层410和第二导电层420可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括例如钼(Mo)、锰(Mb)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)及其合金。透明导电层可以包括透明导电氧化物，诸如例如ITO、IZO、ZnO、铟锡锌氧化物(ITZO)等。此外，透明导电层可以包括导电聚合物，诸如例如PEDOT、金属纳米线、碳纳米管、石墨烯等。
在图9C的实施例中，下绝缘层401设置在薄膜封装层300和第一导电层410之间。在实施例中，可以省略下绝缘层401，并且第一导电层410可以直接设置在薄膜封装层300上。
图10A和图10B是根据实施例的输入感测层(例如，图8的输入感测层40)的第一导电层410和第二导电层420各自的平面图。图10C是根据实施例的沿图8的线VIII-VIII'截取的图10A和图10B的输入感测层40的截面图。
参照图10A和图10B，第一导电层410包括第一感测电极SP1和连接第一感测电极SP1的第一连接电极CP1，第二导电层420包括第二感测电极SP2和连接第二感测电极SP2的第二连接电极CP2。第一导电层410可以进一步包括连接到第二感测电极SP2的第二辅助感测电极S-SP2，并且第二导电层420可以进一步包括连接到第一感测电极SP1的第一辅助感测电极S-SP1。
参照图10A，每个第一感测电极SP1可以具有包括多个孔H的网格结构。孔H可以与像素的发射区域P-E重叠。第二感测电极SP2、第一辅助感测电极S-SP1和第二辅助感测电极S-SP2也可以具有网格结构，该网格结构包括与像素的发光区域P-E相对应的多个孔，如图10A所示。
参照图10C，第一辅助感测电极S-SP1可以经由中间绝缘层403中的接触孔CNT连接到第一感测电极SP1。这种结构可以减小第一感测电极SP1的电阻。类似地，第二感测电极SP2可以经由中间绝缘层403中的接触孔CNT连接到第二辅助感测电极S-SP2。
下绝缘层401和中间绝缘层403可以是诸如氮化硅之类的无机绝缘层，或者是有机绝缘层，而上绝缘层405可以是有机绝缘层或无机绝缘层。
第一导电层410和第二导电层420可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括，例如钼(Mo)、锰(Mb)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)及其合金，并且可以具有包括上述金属的单层或多层结构。例如，第一导电层410和第二导电层420可以是包括三个Ti/Al/Ti子层的金属层。如上所述，透明导电层可以包括例如透明导电氧化物、导电聚合物、金属纳米线、石墨烯等。
图11A和图11B是根据实施例的输入感测层(例如，图8的输入感测层40)的第一导电层410和第二导电层420各自的平面图。图11C是根据实施例的沿图8的线VIII-VIII'截取的图11A和图11B的输入感测层40的截面图。
参照图11A和图11B，第一导电层410包括第一感测电极SP1和连接第一感测电极SP1的第一连接电极CP1，并且第二导电层420包括第二感测电极SP2和连接第二感测电极SP2的第二连接电极CP2。
参照图11C，中间绝缘层403可以设置在第一导电层410与第二导电层420之间。中间绝缘层403不包括接触孔，并且第一感测电极SP1和第二感测电极SP2可以通过设置在两者之间的中间绝缘层403彼此电绝缘。
第二导电层420可以由上绝缘层405覆盖。包括无机材料或有机材料的下绝缘层401可以被进一步包括在第一导电层410下面。中间绝缘层403和上绝缘层405可以是有机绝缘层或无机绝缘层。
第一导电层410和第二导电层420可以包括金属层或透明导电层。金属层可以包括例如钼(Mo)、锰(Mb)、银(Ag)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)及其合金。透明导电层可以包括诸如例如ITO、IZO、ZnO、ITZO等的透明导电氧化物。此外，透明导电层可以包括诸如例如PEDOT、金属纳米线、石墨烯等的导电聚合物。
图12是根据实施例的显示装置沿图6的线XII-XII'截取的横截面图。图13是根据实施例的图12的部分XIII的横截面图。图14是根据实施例的显示装置的横截面图，并且示出了图12的部分XIV。图15和图16是根据实施例的显示装置的横截面图，并且示出了覆盖层730的外围。图17是根据实施例的显示装置的横截面图。
参照图12，显示面板10可以包括与第一区域OA相对应的第一开口10H。
第二区域DA包括设置在基板100上的像素电路PC、连接至像素电路PC的像素电极221以及依次堆叠在像素电极221上的中间层222和相对电极223。
基板100可以包括多层。例如，基板100可以包括顺序地堆叠的第一基底层101、第一阻挡层102、第二基底层103和第二阻挡层104。
第一基底层101和第二基底层103中的每一个可以包括聚合物树脂。例如，第一基底层101和第二基底层103可以包括聚合物树脂，例如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素和/或乙酸丙酸纤维素。上述聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104中的每一个是可以防止外部异物渗透的阻挡层，可以具有包括诸如氮化硅(SiNx)和/或氧化硅(SiOx)的无机材料的单层或多层结构。
像素电路PC位于基板100上，并且包括例如薄膜晶体管和存储电容器。包括像素电极221、中间层222的发射层和相对电极223的有机发光二极管发射预定的光，并被薄膜封装层300覆盖。设置在第二区域DA中的部件与如上面参考图7所述的那些相同，并且为了描述的方便，省略其进一步的描述。
参照图12，第三区域MA可以包括相对邻近第二区域DA的第一子中间区域SMA1以及相对邻近第一区域OA或第一开口10H的第二子中间区域SMA2。例如，第一子中间区域SMA1与其靠近第一区域OA相比更靠近第二区域DA，并且第二子中间区域SMA2与其靠近第二区域DA相比更靠近第一区域OA。
第一子中间区域SMA1可以是其中信号线(例如，上面参考图5描述的数据线DL)穿过的区域。图12所示的数据线DL可以对应于绕行第一区域OA绕的数据线。第一子中间区域SMA1可以是其中数据线DL穿过的线区域或绕行区域。在实施例中，第一子中间区域SMA1的宽度可以小于或大于第二子中间区域SMA2的宽度。在实施例中，第一子中间区域SMA1的宽度可以与第二子中间区域SMA2的宽度基本相同。
如图12所示，数据线DL可以交替地设置，并且在其间设置有绝缘层。例如，第一组数据线DL可以设置在第一层间绝缘层205上，第二层间绝缘层207可以设置在第一组数据线DL之上，并且第二组数据线DL可以设置在第二层间绝缘层207之上。第一组和第二组的数据线DL可以以交替的方式设置。当在相邻的数据线DL之间设置有绝缘层(例如第二层间绝缘层207)的情况下分别在上方和下方设置相邻的数据线DL时，相邻的数据线DL之间的间隙(间距)可以减小，并且第三区域MA的宽度可以减少。
在实施例中，数据线DL可以设置在同一绝缘层(例如第二层间绝缘层207)上。尽管图12示出了设置在第一子中间区域SMA1中的数据线DL，但是如上面参考图5所述的绕行第一区域OA的扫描线也可以设置在第一子中间区域SMA1中。
屏蔽层80可以设置在位于第一子中间区域SMA1中的数据线DL和/或扫描线上。屏蔽层80可以与数据线DL和/或扫描线重叠，从而防止用户看到数据线DL和/或扫描线。在实施例中，屏蔽层80可以包括金属。
第二子中间区域SMA2是包括多个凹槽G的凹槽区域。尽管图12示出了设置在第二子中间区域SMA2中的五个凹槽G，但是实施例不限于此，并且凹槽G的数量可以不同地改变。
每个凹槽G可以在多层膜中，该多层膜包括具有彼此不同材料的第一层和第二层。例如，在实施例中，凹槽G可以设置在基板100的子层中，如图12所示。
参照图12和图13，可以通过去除第二阻挡层104的一部分和第二基底层103的一部分来形成凹槽G。穿过第二阻挡层104形成的孔H2和在第二基底层103中形成的凹部R1可以在空间上连接以形成凹槽G。第二基底层103可以对应于上述多层膜的第一层，并且第二阻挡层104可以对应于多层膜的第二层。
在形成凹槽G的过程中，可以将设置在第二阻挡层104上的缓冲层201的一部分与第二阻挡层104一起去除以形成孔H2。尽管这里将缓冲层201和第二阻挡层104描述为单独的部件，但是在实施例中，设置在基板100上的缓冲层201可以是具有多层结构的第二阻挡层104的子层。
凹槽G的穿过第二阻挡层104的一部分(例如，孔H2)的宽度可以小于凹槽G的穿过第二基底层103的一部分(例如，凹部R1)的宽度。孔H2的宽度W2(或直径)可以小于凹部R1的宽度W1(或直径)，并且凹槽G可以具有底切横截面。
限定孔H2的第二阻挡层104的侧表面可以比限定凹部R1的第二基底层103的侧表面朝着凹槽G的中心更为突出。例如，如图13所示，从第二阻挡层104的与凹槽G相邻的侧表面到凹槽G的中心的距离可以小于从第二基底层103的与凹槽G相邻的侧表面到凹槽G的中心的距离。第二阻挡层104的朝向凹槽G的中心突出的部分可以构成一对檐部(或一对突出的末端或末端PT)。缓冲层201也可以与第二阻挡层104一起构成一对檐部。
凹槽G可以在形成中间层222的过程之前形成。中间层222的一部分222'，例如延伸到第三区域MA的第一功能层222a和/或第二功能层222c，在凹槽G周围是不连续的。例如，凹槽G可以在中间层222中产生断裂(或断开)。类似地，包括例如LiF的相对电极223和封盖层230可以在凹槽G周围是不连续的。例如，凹槽G可在相对电极223和封盖层230中产生断裂(或断开)。一对末端PT中的每一个的长度l可以小于约2.0μm。例如，在实施例中，长度l可以为约1.0μm至约1.8μm。
尽管图12和图13示出了凹槽G的底表面位于第二基底层103的底表面和上表面之间的假想平面上，但是实施例不限于此。例如，在实施例中，凹槽G的底表面可以位于与第二基底层103的底表面相同的平面上。例如，在用于形成凹槽G的蚀刻工艺期间，凹部R1的深度dp可以与第二基底层103的厚度t基本相同，并且在这种情况下，凹槽G的底表面可以与第二基底层103的底表面位于同一平面上。凹部R1的深度dp可以为约2.0μm或更大。当凹部R1的深度dp与第二基底层103的厚度t基本相同时，凹部R1可以形成穿过第二基底层103的孔。
如图12所示，覆盖第二区域DA(显示区域)中的显示元件的薄膜封装层300可以延伸以覆盖第三区域MA。例如，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到第三区域MA。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以例如通过CVD形成，并且与中间层222的部分222'或相对电极223相比可以具有相对较好的台阶覆盖率。因此，第一无机封装层310和第二无机封装层330各自可围绕凹槽G连续而不是不连续。
第一无机封装层310可以覆盖凹槽G的内表面。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有彼此不同的厚度。例如，第一无机封装层310可以具有约1μm的厚度，并且第二无机封装层330可以具有约0.7μm的较小厚度。可替代地，第一无机封装层310的厚度和第二无机封装层330的厚度可以彼此基本相同，或者第一无机封装层310的厚度可以小于第二无机封装层330的厚度。
尽管图12和图13示出了其中包括LiF的封盖层230在凹槽G周围是不连续的结构，但是实施例不限于此。例如，在实施例中，当封盖层230与第一无机封装层310一样包括无机材料时，封盖层230可以连续地覆盖凹槽G的内表面，而不是在凹槽G周围不连续。即，在这种情况下，凹槽G不会在封盖层230中产生断裂(或断开)。
如图12所示，有机封装层320可以覆盖第二区域DA，并且可以具有设置在第一分隔壁510的一侧上的端部320E。有机封装层320的端部320E可以接触第一分隔壁510。
有机封装层320可以例如通过散布和固化单体来形成。单体的流动可以由第一分隔壁510控制，并且有机封装层320的厚度可以由第一分隔壁510控制。
有机封装层320(例如，有机封装层320的端部320E)可以与第一区域OA间隔开。结果，可以防止渗透通过第一开口10H的外部水分经由有机封装层320行进到第二区域DA(显示区域)的有机发光二极管。
第一分隔壁510可以包括多个层(例如，多个绝缘层)。就这一点而言，图12示出了第一分隔壁510具有由包括与栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207相同材料的层以及包括与平坦化绝缘层209和像素限定膜211相同材料的层形成的堆叠结构。然而，实施例不限于此。例如，在实施例中，构成第一分隔壁510的层的数量可以大于或小于图12所示的层的数量。
有机材料层320A与第一区域OA相邻，并且与有机封装层320间隔开预定距离。有机材料层320A可以在与有机封装层320相同的工艺中形成，并且可以包括与有机封装层320相同的材料。由于单体的流动在有机封装层320的形成过程中由第一分隔壁510调节，因此有机材料层320A可以通过第二分隔壁520来调节，并且有机材料层320A的端部320AE可以设置在第二分隔壁520的一侧上。
如图12所示，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以位于第三区域MA上方，同时彼此接触。
当第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的接触面积大约等于或大于某个值时，第一无机封装层310和第二无机封装层330或周围层(例如，稍后描述的平坦化层720)由于第一无机封装层310和第二无机封装层330的应力而可以被抬起。然而，可以通过布置如图12所示的有机材料层320A来减小第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的接触面积，因此防止或减少这种抬起。
当设置与有机封装层320间隔开的有机材料层320A时，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在有机封装层320的端部320E与有机材料层320A的端部320AE之间彼此接触。
平坦化层720可以设置在第三区域MA中。
平坦化层720可以是有机绝缘层。平坦化层720可以包括基于聚合物的材料。平坦化层720可以包括例如硅酮类树脂、丙烯酸树脂、环氧类树脂、PI、聚乙烯等。上述基于聚合物的材料可以是透明的。
在实施例中，平坦化层720可以包括与有机封装层320不同的材料。例如，在实施例中，有机封装层320可以包括硅酮类树脂，并且平坦化层720可以包括丙烯酸树脂。在实施例中，有机封装层320和平坦化层720可以包括彼此相同的材料。
平坦化层720可以覆盖第三区域MA中的至少一个凹槽G。平坦化层720可以通过至少覆盖第三区域MA中未被有机封装层320覆盖的区域来增加显示面板10在第一区域OA周围的平坦度。因此，可以防止或减少诸如设置在显示面板10上的(图2的)输入感测层40和/或(图2的)光学功能层50的分离或脱离的问题。平坦化层720的一部分可以与有机封装层320重叠。平坦化层720的一端，例如，与第二区域DA相邻的第一端720E1，可以设置在有机封装层320上。例如，平坦化层720的第一端720E1可以与薄膜封装层300重叠。
可以通过例如曝光和显影工艺在第三区域MA上方形成平坦化层720。在平坦化层720的一些形成工艺(例如，洗涤工艺)期间，当外部异物(例如，水分)沿显示面板10的侧面方向(例如平行于xy平面的方向)行进时，第二区域DA的有机发光二极管可能被损坏。然而，根据实施例，通过在平坦化层720下方和之上分别布置绝缘层(例如，第一绝缘层710和第二绝缘层740)，可以防止或减少由平坦化层720的形成过程期间和之后的水分渗透和/或周围膜的抬起引起的上述问题。
第一绝缘层710可以直接设置在平坦化层720下方。例如，第一绝缘层710可以接触平坦化层720，并且在第一绝缘层710和平坦化层720之间可以不存在其它层。第一绝缘层710可以包括诸如例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
第一绝缘层710可以直接接触薄膜封装层300。例如，第一绝缘层710可以直接接触第二无机封装层330的上表面。
第一绝缘层710可以包括与第二无机封装层330相同的材料，或者可以包括与第二无机封装层330不同的材料。即使第一绝缘层710包括与第二无机封装层330相同的材料，例如氮化硅，但详细组成比(例如硅和氮的含量比)可以不同，并且在第一绝缘层710和第二无机封装层330之间可以存在交界面。第一绝缘层710的厚度可以小于第二无机封装层330的厚度。可替代地，第一绝缘层710的厚度可以与第二无机封装层330的厚度基本相同或大于第二无机封装层330的厚度。
第二绝缘层740可以设置在平坦化层720上，例如，直接在平坦化层720上。第二绝缘层740可以包括诸如例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。
第一绝缘层710和第二绝缘层740可以包括彼此相同的材料或者可以包括彼此不同的材料。第二绝缘层740的厚度可以大于第一绝缘层710的厚度。可替代地，第二绝缘层740的厚度可以小于或基本上等于第一绝缘层710的厚度。
平坦化层720相对于其下层可以具有台阶。参照图14，平坦化层720的第一端720E1可以相对于其下层，例如第一绝缘层710的上表面具有台阶。在制造显示面板10的操作和/或在制造之后使用显示面板10的操作期间，为了防止平坦化层720的第一端720E1与其下层由于上述步骤而分离或抬起，平坦化层720的第一端720E1可以被第二绝缘层740和/或覆盖层730覆盖。
在实施例中，覆盖层730可以与平坦化层720的第一端720E1完全重叠，并且可以与第一绝缘层710和第二绝缘层740部分重叠，如图14所示。
覆盖层730可以包括与第一绝缘层710和第二绝缘层740不同的材料。例如，覆盖层730可以包括与位于第二区域DA中的输入感测层40的第一导电层410和/或第二导电层420相同的材料。在实施例中，覆盖层730可以包括诸如金属的导电材料。
覆盖层730的第三宽度W3可以是数十μm至数百μm。例如，覆盖层730的第三宽度W3可以是大约50μm至大约500μm、大约50μm至大约400μm、大约50μm至大约300μm、大约50μm至大约200μm、大约50μm至大约100μm或大约60μm至大约100μm。
覆盖层730可以设置在平坦化层720上。例如，覆盖层730可以直接设置在覆盖平坦化层720的第二绝缘层740上。
为了防止平坦化层720的第一端720E1与其下层由于上述步骤而分离或抬起，平坦化层720的上部被第二绝缘层740覆盖，并且覆盖层730形成为靠近平坦化层720的第一端720E1。然而，在平坦化层720中产生的气体成分可能累积，并引起覆盖层730的抬起。
根据实施例，通过在直接接触平坦化层720的第二绝缘层740中形成多个通孔740H，可以促进平坦化层720的除气，因此可以防止或减少覆盖层730的抬起。
例如，根据实施例，每个通孔740H不填充有另一种材料。结果，可以通过通孔740H促进平坦化层720的除气，并且可以防止或减少覆盖层730的抬起。例如，尽管用于形成直接设置在通孔740H上方的层的一些材料可以进入通孔740H，但是通孔740H没有被完全填充，并且即使不完全敞开也保持至少部分敞开。结果，由平坦化层720释放的气体可以被释放到通孔740H中，这可以降低压力，并因此防止或减少如果不存在通孔740H则可能引起的覆盖层730的抬起。
在实施例中，覆盖层730的第一端730E1在覆盖层730的第一部分中未设置在平坦化层720上方，该第一部分在朝着第二区域DA的方向上进一步延伸超出平坦化层720的第一端720E1，如图14所示。覆盖层730的第二端730E2可以在覆盖层730的第二部分中设置在平坦化层720上方，该第二部分在朝着第一区域OA的方向上在平坦化层720上方延伸。
覆盖层730的第一部分的宽度W31可以小于覆盖层730的第二部分的宽度W32。例如，覆盖层730的第一部分的宽度W31可以为大约20μm，覆盖层730的第二部分的宽度W32可以为大约60μm。
如图14所示，在实施例中，覆盖层730的具有宽度W31的第一部分并不覆盖平坦化层720，而覆盖层730的具有宽度W32的第二部分覆盖平坦化层720。因此，在实施例中，覆盖层730的不覆盖平坦化层720的第一部分的宽度W31小于覆盖层730的覆盖平坦化层720的第二部分的宽度W32。
第三绝缘层750和第四绝缘层760可以设置在覆盖层730上。第三绝缘层750可以包括诸如例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料。可替代地，第三绝缘层750可以包括有机绝缘材料。第四绝缘层760可以包括无机绝缘材料或者可以包括有机绝缘材料。包括有机绝缘材料的第四绝缘层760可以具有基本平坦的上表面。有机绝缘材料可以是光致抗蚀剂(负性或正性)，或者可以包括基于聚合物的有机材料。
第一绝缘层710、第二绝缘层740、第三绝缘层750和第四绝缘层760中的至少一个可以包括与以上参考图8至图11C描述的输入感测层40中包括的绝缘层相同的材料。
在实施例中，第一绝缘层710、第二绝缘层740、第三绝缘层750和第四绝缘层760中的每一个可以在与以上参考图8至图11C描述的输入感测层40的至少一个绝缘层相同的工艺中一起形成。例如，如图12所示，第一绝缘层710可以包括与第一子下绝缘层401a相同的材料，该第一子下绝缘层401a是输入感测层40的下绝缘层401的一部分，并且第一绝缘层710可以与输入感测层40的第一子下绝缘层401a一体形成。第二绝缘层740可以包括与第二子下绝缘层401b相同的材料，该第二子下绝缘层401b是下绝缘层401的一部分，并且第二绝缘层740可以与第二子下绝缘层401b一体形成。第三绝缘层750可以包括与输入感测层40的中间绝缘层403相同的材料，并且可以与中间绝缘层403一体形成。第四绝缘层760可以包括与输入感测层40的上绝缘层405相同的材料，并且可以与上绝缘层405一体形成。在实施例中，第一绝缘层710、第二绝缘层740和第三绝缘层750可以包括无机绝缘材料，第四绝缘层760可以包括有机绝缘材料。
显示装置1的第一开口10H和第二开口40H可以例如通过在基板100上形成上述部件和层之后执行切割或划线工艺来形成。
就这一点而言，图12的横截面结构可以理解为通过沿着第一线SCL1执行切割或划线工艺而制造的显示面板10的横截面。围绕第一区域OA设置在基板100上的层的端部可以与基板100的限定第一开口10H的端部100E在同一竖直线上。例如，第一绝缘层710的端部710E、平坦化层720的第二端部720E2和第二绝缘层740的端部740E可以与基板100的限定开口100H的端部100E在同一竖直线上。类似地，第一无机封装层310和第二无机封装层330、有机材料层320A以及第三绝缘层750和第四绝缘层760的端部也可以与基板100的端部100E在同一竖直线上。
图12所示的从第一条线SCL1到第n条线SCLn的区域可以是在显示面板的制造过程的切割或划线工艺中激光可以穿过的区域CA。即，可以沿着第一条线SCL1至第n条线SCLn中的一条执行切割或划线工艺，并且所得的横截面结构可以对应于根据一个或多个实施例的显示装置的结构。
参照图15和图16，根据实施例，覆盖层730可以包括第二通孔730H。第二通孔730H的宽度可以变化。在实施例中，第二通孔730H可以与第一通孔740H重叠，如图15所示。第二通孔730H可以与第一通孔740H完全重叠(例如，第二通孔730H可以与第一通孔740H对准)，如图15所示，或者第二通孔730H可以与第一通孔740H至少部分地重叠。第二通孔730H可具有与第一通孔740H基本相同的尺寸。在实施例中，第二通孔730H不与第一通孔740H重叠，如图16所示。
根据实施例，通孔730H和740H不填充有另一种材料。结果，可以通过通孔730H和740H促进平坦化层720的除气。例如，尽管用于形成直接设置在通孔730H和740H上方的层的一些材料可以进入通孔730H和740H，但是通孔730H和740H没有被完全填充，并且即使不完全敞开也保持至少部分敞开。结果，由平坦化层720释放的气体可以被释放到通孔730H和740H中，这可以降低压力，并因此防止或减少如果不存在通孔730H和740H则可能引起的覆盖层730的抬起。
图17示出了沿着第n条线SCLn执行切割或划线工艺的显示面板10的横截面结构。沿着图12所示的第一条线SCL1至第n条线SCLn中的一条进行切割或划线工艺的显示面板的横截面结构可以对应于本申请的实施例。
图12和图17所示的横截面结构可以理解为围绕第一区域OA的结构。例如，如上面参考图6所述，设置在第一区域OA和第二区域DA之间的凹槽G可以具有围绕第一开口10H和第一区域OA的环形形状。类似地，在该平面上，图12的平坦化层720可以具有围绕第一开口10H和第一区域OA的环形形状，并且就这一点而言，图18示出了平坦化层720。
图18是根据实施例的显示装置中的第一区域OA及其外围的平面图，其是为便于描述而从平坦化层720和覆盖层730摘录的。
参照图18，平坦化层720可以具有围绕第一区域OA的环形形状。平坦化层720可以设置在第三区域MA中，并且在该平面上，平坦化层720的第二端720E2可以与第一区域OA的轮廓基本相同。
覆盖层730可以至少部分地覆盖平坦化层720的第一端720E1。就这一点而言，图18示出了具有围绕第一区域OA并且完全覆盖平坦化层720的第一端720E1的环形形状的覆盖层730。然而，实施例不限于此。例如，在实施例中，覆盖层730可以部分地覆盖平坦化层720的第一端720E1，可以具有在该平面上部分地围绕第一区域OA的形状。
如上所述，覆盖层730可以包括与包括在(图12的)输入感测层40中的导电层之一相同的材料，并且可以在与包括在(图12的)输入感测层40中的导电层之一相同的层上。例如，覆盖层730可以包括与输入感测层40的第一导电层410或输入感测层40的第二导电层420相同的材料，并且可以设置在与输入感测层40的第一导电层410或输入感测层40的第二导电层420相同的层上。
覆盖层730可以包括金属层。例如，覆盖层730可以具有金属多层结构，其中例如钛层、铝层和钛层顺序地堆叠。
图19A至图19D示出了根据实施例的在第二绝缘层740和覆盖层730中的通孔的各种布置。
图19A和图19B示出了其中仅第二绝缘层740包括第一通孔740H的实施例。图19A示出了成列地布置的第一通孔740H，其中第一通孔740H在相邻的列中彼此对准。图19B示出了成列地布置的第一通孔740H，其中第一通孔740H在相邻的列中彼此未对准。在图19B中，在交替列中的第一通孔740H可以彼此对准。
图19C和图19D示出了其中第二绝缘层740包括第一通孔740H并且覆盖层730包括第二通孔730H的实施例。图19C示出了一些第二通孔730H与第一通孔740H重叠，一些第二通孔730H与第一通孔740H不重叠。图19D示出了彼此完全重叠的第二通孔730H和第一通孔740H。
尽管图19A至图19D示出了四边形的通孔，但是实施例不限于此。例如，在实施例中，可以对通孔进行各种修改以具有例如圆形形状、椭圆形形状、诸如三角形或四边形、星形形状、菱形形状的多边形形状、非典型的形状等等。
根据一个或多个实施例，可以防止或减少诸如围绕开口区域的膜的抬起或剥落的故障。
尽管这里已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解，在不脱离如以下权利要求书限定的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (27)

1.一种显示装置，包括：
包括至少一个开口的第一区域；
围绕所述第一区域设置的第二区域，其中所述第二区域包括多个显示元件；
设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域，其中所述第三区域包括凹槽；
薄膜封装层，覆盖所述多个显示元件，并包括无机封装层和有机封装层；
设置在所述凹槽上方的平坦化层，其中所述平坦化层的第一端与所述薄膜封装层重叠；
设置在所述薄膜封装层上方的第一绝缘层；
设置在所述平坦化层上方的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层包括第一通孔；和
覆盖层，与所述平坦化层的所述第一端重叠，并且与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述平坦化层包括有机绝缘材料。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述覆盖层包括导电材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述覆盖层包括第二通孔。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一通孔和所述第二通孔至少部分地彼此重叠。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一通孔和所述第二通孔具有相同的尺寸。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层包括无机绝缘材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二绝缘层包括无机绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述覆盖层的不覆盖所述平坦化层的第一部分的宽度小于所述覆盖层的覆盖所述平坦化层的第二部分的宽度。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述薄膜封装层的所述无机封装层覆盖所述凹槽，并且
所述第一绝缘层覆盖所述无机封装层。
11.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
设置在所述第三区域中的第一分隔壁，其中所述第一分隔壁包括多个绝缘层，
其中所述平坦化层设置在所述第一分隔壁上。
12.一种显示装置，包括：
包括至少一个开口的第一区域；
围绕所述第一区域设置的第二区域，其中所述第二区域包括多个显示元件；
设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；
覆盖所述多个显示元件的薄膜封装层；
设置在所述第三区域中的平坦化层，其中所述平坦化层的第一端与所述薄膜封装层重叠；
设置在所述薄膜封装层上方的第一绝缘层；
设置在所述平坦化层上方的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层包括第一通孔；和
设置在所述多个显示元件上方的输入感测层。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述输入感测层包括：
包括第一连接电极的第一导电层；
包括第一感测电极、第二感测电极和第二连接电极的第二导电层；和
设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间的层间绝缘层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，进一步包括：
覆盖层，与所述平坦化层的所述第一端重叠，并且与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层部分地重叠；
其中所述覆盖层与所述第一导电层或所述第二导电层在同一层上。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述覆盖层包括与所述第一导电层或所述第二导电层相同的材料。
16.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括：
覆盖所述覆盖层的第三绝缘层，
其中所述第三绝缘层与所述层间绝缘层一体形成。
17.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述覆盖层包括第二通孔。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中所述第一通孔和所述第二通孔至少部分地彼此重叠。
19.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第三区域包括凹槽，并且
所述平坦化层设置在所述凹槽上方。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述平坦化层包括有机绝缘材料。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中所述薄膜封装层包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层；
其中所述薄膜封装层中的所述至少一个无机封装层覆盖所述凹槽。
22.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第一绝缘层包括无机绝缘材料。
23.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第二绝缘层包括无机绝缘材料。
24.一种显示装置，包括：
包括至少一个开口的第一区域；
围绕所述第一区域设置的第二区域，其中所述第二区域包括多个显示元件；
设置在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；
覆盖所述多个显示元件的薄膜封装层；
设置在所述第三区域中的平坦化层，其中所述平坦化层的第一端与所述薄膜封装层重叠；
设置在所述薄膜封装层上方的第一绝缘层；
设置在所述平坦化层上方的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层包括第一通孔；和
覆盖层，与所述平坦化层的所述第一端重叠，并且与所述第一绝缘层和所述第二绝缘层部分地重叠。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中所述覆盖层包括第二通孔。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其中所述第一通孔和所述第二通孔至少部分地彼此重叠。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中所述第一通孔和所述第二通孔具有相同的尺寸。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022068429A1 (zh) * 2020-09-30 2022-04-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200145952A (ko) 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210024292A (ko) * 2019-08-21 2021-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN111725425A (zh) * 2020-06-11 2020-09-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
KR20220044061A (ko) * 2020-09-29 2022-04-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 그 제조 방법 및 전자 기기
KR20220140935A (ko) * 2021-04-09 2022-10-19 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR20230110423A (ko) * 2022-01-14 2023-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
EP4280850A1 (en) * 2022-05-17 2023-11-22 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106935626A (zh) * 2015-12-29 2017-07-07 乐金显示有限公司 一种显示面板和包括该种显示面板的显示装置
CN107039493A (zh) * 2015-12-04 2017-08-11 三星显示有限公司 显示设备
US20170278901A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Samsung Display Co. , Ltd. Display apparatus with bending area capable of minimizing manufacturing defects
CN107275506A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备
CN107783691A (zh) * 2016-08-31 2018-03-09 乐金显示有限公司 具有触摸传感器的有机发光显示器

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102381391B1 (ko) 2015-04-16 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101739384B1 (ko) 2010-12-24 2017-05-25 엘지디스플레이 주식회사 화이트 유기발광다이오드 표시소자 및 그 제조방법
KR20120078954A (ko) 2011-01-03 2012-07-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US8946985B2 (en) * 2012-05-07 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Flexible touch screen panel and flexible display device with the same
KR102009725B1 (ko) 2012-09-06 2019-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102239840B1 (ko) 2014-04-28 2021-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
KR102331597B1 (ko) 2015-01-21 2021-11-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102552276B1 (ko) 2015-02-24 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10205122B2 (en) * 2015-11-20 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display and method of manufacturing the same
KR20180076429A (ko) 2016-12-27 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6704477B2 (ja) 2017-01-24 2020-06-03 シャープ株式会社 フレキシブルディスプレイ
KR20200060002A (ko) * 2018-11-22 2020-05-29 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107039493A (zh) * 2015-12-04 2017-08-11 三星显示有限公司 显示设备
CN106935626A (zh) * 2015-12-29 2017-07-07 乐金显示有限公司 一种显示面板和包括该种显示面板的显示装置
US20170278901A1 (en) * 2016-03-25 2017-09-28 Samsung Display Co. , Ltd. Display apparatus with bending area capable of minimizing manufacturing defects
CN107275506A (zh) * 2016-04-04 2017-10-20 三星显示有限公司 具有用于密封显示单元的保护层和封装层的显示设备
CN107783691A (zh) * 2016-08-31 2018-03-09 乐金显示有限公司 具有触摸传感器的有机发光显示器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022068429A1 (zh) * 2020-09-30 2022-04-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN114335374A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置
CN114335374B (zh) * 2020-09-30 2024-06-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制作方法、显示装置

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