KR20220044061A - 표시 패널, 그 제조 방법 및 전자 기기 - Google Patents

표시 패널, 그 제조 방법 및 전자 기기 Download PDF

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electrode
encapsulation layer
organic
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박철환
이동진
최민환
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 개구를 포함하는 기판과, 개구 주변의 표시영역에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 제1전극과 제2전극 사이의 중간층을 각각 포함하는 복수의 발광요소들과, 표시영역과 개구 사이의 중간영역에 배치된 복수의 격벽들, 및 복수의 발광요소들 상에 배치되며 적어도 하나의 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함하는 봉지층을 포함하며, 제2전극은 표시영역으로부터 상기 중간영역을 향해 연장되며, 중간층의 적어도 하나의 유기물층은 개구를 향하는 제2전극의 에지부로부터 개구까지의 영역에 배치된 복수의 개구부들을 포함하는 표시 패널을 개시한다.

Description

표시 패널, 그 제조 방법 및 전자 기기 {Display panel, manufacturing method thereof, and electronic apparatus including the same}
본 발명의 실시예들은 표시 패널과 그 제조 방법, 및 표시 패널을 전자 기기에 관한 것이다.
근래에 표시 패널은 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 패널의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 패널 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 패널에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로서 표시영역 중 일부를 이미지를 표현하는 기능 이외의 기능을 위해 사용하는 연구가 계속되고 있다.
본 발명의 실시예들은, 표시영역의 내측에 배치된 적어도 하나의 개구를 갖는 표시 패널과 그 제조 방법, 및 전자 기기를 개시한다.
본 발명의 일 실시예는, 개구를 포함하는 기판; 상기 개구 주변의 표시영역에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 각각 포함하는 복수의 발광요소들; 상기 표시영역과 상기 개구 사이의 중간영역에 배치된 복수의 격벽들; 및 상기 복수의 발광요소들 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함하는 봉지층;을 포함하며, 상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 중간영역을 향해 연장되며, 상기 중간층의 적어도 하나의 유기물층은, 상기 개구를 향하는 상기 제2전극의 에지부로부터 상기 개구까지의 영역에 배치된 복수의 개구부들을 포함하는, 표시 패널을 개시한다.
상기 적어도 하나의 유기물층은 상기 복수의 개구부들에 의해 상호 이격된 유기물 부분들을 포함하며, 상기 유기물 부분들의 상면은 상기 적어도 하나의 무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
평면상에서, 상기 복수의 개구부들 각각은 상기 개구를 둘러싸는 폐곡선 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 인접한 두 개의 격벽 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 개구에 가장 가까운 격벽과 상기 개구 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 표시영역에 가장 가까운 격벽과 상기 표시영역 사이에 위치할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기물층은 홀수송층, 홀주입층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 기판 상에 배치된 무기절연층을 더 포함하며, 상기 적어도 하나의 무기봉지층은, 상기 복수의 개구부들 중 어느 하나를 통해 상기 무기절연층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 유기봉지층의 에지는 상기 복수의 격벽 중 어느 하나의 격벽과 인접하게 배치되며, 상기 적어도 하나의 무기봉지층은, 상기 유기봉지층의 아래에 배치된 제1무기봉지층; 및 상기 유기봉지층의 위에 배치되며, 상기 유기봉지층의 에지와 상기 개구 사이의 영역에서 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉하는 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
상기 제2전극의 상기 에지부는 상기 표시영역과 복수의 격벽들 중 어느 하나의 격벽 사이에 위치할 수 있다.
상기 제2전극의 상기 에지부는 상기 유기봉지층으로 커버될 수 있다.
상기 기판 상에 배치된 복수의 무기절연층들을 더 포함하고, 상기 복수의 무기절연층들은 상기 복수의 무기절연층들의 두께의 합보다 작은 깊이를 갖는 복수의 그루브들을 포함하며, 상기 복수의 그루브들은 유기절연물을 포함하는 커버층에 중첩될 수 있다.
상기 복수의 격벽들 중 어느 하나의 격벽과 상기 표시영역 사이에 배치되며, 상기 유기봉지층에 중첩되는 보조층을 더 포함할 수 있다.
상기 보조층은 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 봉지층 상에 배치되며, 상기 복수의 격벽 및 상기 유기봉지층의 일부와 중첩하는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 개구영역, 상기 개구영역 주변의 표시영역, 상기 개구와 상기 표시영역 사이의 중간영역을 포함하는 표시 패널; 및 상기 개구와 중첩하게 배치되는 컴포넌트;를 포함하되, 상기 표시 패널은, 상기 개구영역에 위치하는 개구를 포함하는 기판; 상기 표시영역에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 각각 포함하는 복수의 발광요소들; 상기 중간영역에 배치된 복수의 격벽들; 및 상기 복수의 발광요소들 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층;을 포함하며, 상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 중간영역을 향해 연장되되, 상기 개구를 향하는 상기 제2전극의 에지부에 의해 정의된 제1개구부를 포함하고, 상기 중간층의 적어도 하나의 유기물층은, 상기 제2전극의 상기 에지부로부터 상기 개구까지의 영역에 배치된 복수의 제2개구부들; 및 상기 제2개구부들에 의해 상호 이격되며, 상기 제1개구부 내에 위치하는 복수의 유기물 부분들을 포함하는, 전자 기기를 제공할 수 있다.
상기 유기물 부분들의 상면은 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
평면상에서, 상기 복수의 제2개구부들 각각은 상기 개구를 둘러싸는 폐곡선 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 인접한 두 개의 격벽 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 개구에 가장 가까운 격벽과 상기 개구 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 표시영역에 가장 가까운 격벽과 상기 표시영역 사이에 위치할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기물층은 홀수송층, 홀주입층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2전극의 상기 에지부는 상기 유기봉지층으로 커버될 수 있다.
상기 유기봉지층의 에지는 상기 제2전극의 상기 에지부와 상기 개구 사이에 위치할 수 있다.
상기 표시 패널은, 상기 기판 상의 복수의 무기절연층들을 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 복수의 무기절연층들은 상기 복수의 무기절연층들의 두께의 합보다 작은 깊이를 갖는 복수의 그루브들을 포함하며, 상기 복수의 그루브들은 유기절연물을 포함하는 커버층에 중첩할 수 있다.
상기 표시 패널은, 상기 표시영역과 상기 복수의 격벽들 중 어느 하나의 격벽 사이에 위치하며, 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 보조층을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 패널은, 상기 봉지층 상에 배치되며, 상기 복수의 격벽들 및 상기 유기봉지층의 일부와 중첩하며, 유기절연물을 포함하는 평탄화층을 더 포함할 수 있다.
상기 컴포넌트는 센서 또는 카메라를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 표시영역에 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 형성하는 공정; 상기 표시영역으로 둘러싸인 중간영역에 적어도 하나의 격벽을 형성하는 공정; 상기 표시영역에 배치되며, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1전극을 형성하는 공정; 상기 중간영역에 복수의 보조층들을 형성하는 공정; 상기 제1전극 상에 발광층을 형성하는 공정; 상기 제1전극 및 상기 복수의 보조층들 상에 유기물층을 형성하는 공정; 상기 제1전극 및 상기 복수의 보조층들 상에 제2전극을 형성하는 공정; 상기 제2전극이 상기 중간영역에 위치하는 단일의 제1개구부를 포함하고, 상기 유기물층이 상기 중간영역에 위치하는 복수의 제2개구부들을 포함하도록, 상기 복수의 보조층들, 상기 유기물층, 및 상기 제2전극의 적층 구조에 레이저를 조사하는 공정, 상기 제2전극 상에 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 봉지층을 형성하는 공정; 및 상기 중간영역의 내측에 배치된 개구영역을 제거하여 개구를 형성하는 공정;을 포함하며, 상기 유기물층은, 상기 제2개구부들에 의해 상호 이격되며 상기 제1개구부 내에 위치하는 복수의 유기물 부분들을 포함하는, 표시 패널의 제조 방법을 개시한다.
상기 복수의 유기물 부분들의 상면은 상기 무기봉지층과 직접 접촉할 수 있다.
평면상에서, 상기 복수의 제2개구부들 각각은 폐곡선 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 인접한 두 개의 격벽 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 개구에 가장 가까운 격벽과 상기 개구 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 표시영역에 가장 가까운 격벽과 상기 표시영역 사이에 위치할 수 있다.
상기 복수의 보조층들은 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 적어도 하나의 유기물층은 홀수송층, 홀주입층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 개구를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 전자 기기의 수분 투습에 대한 문제 및 크랙의 발생에 대한 문제를 방지하거나 최소화할 수 있다. 그러나 이와 같은 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널을 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널의 어느 하나의 발광다이오드에 연결된 등가 회로를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 7a은 도 6a의 VIIa 부분을 확대한 단면도이다.
도 7b는 도 6a에 도시된 기능층을 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 7c는 도 6a에 도시된 제2전극을 발췌하여 나타낸 평면도이다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정에 따른 단면을 나타낸다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 표시영역과 중간영역의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 중 표시영역과 중간영역의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 18은 도 17의 돌기 및 격벽을 나타낸 평면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 본 명세서에서"A 및 B 중 적어도 어느 하나"는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 기기를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자 기기(1)는 동영상이나 정지영상을 표시하는 장치로서, 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 내비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품의 표시 화면으로 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 전자 기기(1)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(wearable device)에 사용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 전자 기기(1)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로, 앞좌석의 배면에 배치되는 디스플레이로 사용될 수 있다. 도 1에서는 설명의 편의를 위해 일 실시예에 따른 전자 기기(1)가 스마트 폰으로 사용되는 것을 도시한다.
전자 기기(1)는 평면상 직사각형 형태로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 전자 기기(1)는 도 1과 같이 x방향의 단변과 y방향의 장변을 갖는 직사각형의 평면 형태를 가질 수 있다. x방향의 단변과 y방향의 장변이 만나는 모서리는 소정의 곡률을 갖도록 둥글게 형성되거나 직각으로 형성될 수 있다. 전자 기기(1)의 평면 형태는 직사각형에 한정되지 않고, 다른 다각형, 타원형, 또는 비정형 형상으로 형성될 수 있다.
전자 기기(1)는 개구영역(OA, 또는 제1영역) 및 개구영역(OA)을 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역(DA, 또는 제2영역)을 포함할 수 있다. 전자 기기(1)는 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에 위치하는 제3영역으로 중간영역(MA), 및 표시영역(DA)의 외측, 예컨대 표시영역(DA)을 둘러싸도록 외곽영역(PA, 또는 제4영역)을 포함할 수 있다.
개구영역(OA)은 표시영역(DA)의 내측에 위치할 수 있다. 일 실시예로, 개구영역(OA)은 도 1에 도시된 바와 같이 표시영역(DA)의 좌상측에 배치될 수 있다. 또는, 개구영역(OA)은 표시영역(DA)의 중앙에 배치되거나, 표시영역(DA)의 우상측에 배치되는 것과 같이 다양하게 배치될 수 있다. 본 명세서의 평면도 상에서 "좌", "우", "상", "하"는 전자 기기(1)의 수직한 방향에서 전자 기기(1)를 바라보았을 때의 방향을 가리킨다. 예를 들어, "좌"는 -x 방향, "우"는 +x 방향, "상"은 +y 방향, "하"는 -y 방향을 가리킨다. 도 1에서는 개구영역(OA)이 하나 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 개구영역(OA)은 복수개 구비될 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 표시 패널을 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 I-I'선에 따른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 전자 기기(1)는 표시 패널(10) 및 표시 패널(10)의 개구영역(OA)에 배치되는 컴포넌트(70)를 포함할 수 있다. 표시 패널(10) 및 컴포넌트(70)는 하우징(HS)에 수용될 수 있다.
표시 패널(10)은 표시요소층(20), 입력감지층(40), 광학 기능층(50), 및 커버 윈도우(60)를 포함할 수 있다.
표시요소층(20)은 이미지를 표시하기 위하여 빛을 방출하는 표시요소(또는 발광요소)들을 포함할 수 있다. 표시요소는 발광다이오드, 예컨대 유기 발광층을 포함하는 유기발광다이오드를 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 발광다이오드는 무기물을 포함하는 무기 발광다이오드일 수 있다. 무기발광다이오드는 무기물 반도체 기반의 재료들을 포함하는 PN다이오드를 포함할 수 있다. PN 접합 다이오드에 순방향으로 전압을 인가하면 정공과 전자가 주입되고, 그 정공과 전자의 재결합으로 생기는 에너지를 빛 에너지로 변환시켜 소정의 색상의 빛을 방출할 수 있다. 전술한 무기발광다이오드는 수~수백 마이크로미터의 폭을 가질 수 있으며, 일부 실시예에서 무기발광다이오드는 마이크로 LED로 지칭될 수 있다. 일부 실시예에서, 표시요소층(20)은 양자점 발광다이오드를 포함할 수 있다. 예컨대, 표시요소층(20)의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
입력감지층(40)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(40)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 입력감지층(40)은 표시요소층(20) 위에 배치될 수 있다. 입력감지층(40)은 뮤추얼 캡 방식 또는/및 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
입력감지층(40)은 표시요소층(20) 상에 직접 형성되거나, 별도로 형성된 후 광학 투명 점착제와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 예컨대, 입력감지층(40)은 표시요소층(20)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이뤄질 수 있으며, 이 경우 점착층은 입력감지층(40)과 표시요소층(20) 사이에 개재되지 않을 수 있다. 도 2에는 입력감지층(40)이 표시요소층(20)과 광학 기능층(50) 사이에 개재된 것을 도시하지만, 다른 실시예로서 입력감지층(40)은 광학 기능층(50) 위에 배치될 수 있다.
광학 기능층(50)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 커버 윈도우(60)를 통해 외부에서 표시 패널(10)을 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입의 편광자는 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입의 편광자는 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 반사 방지층은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시요소층(20)의 발광다이오드들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 또 다른 실시예로, 반사 방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1반사층과 제2반사층을 포함할 있다. 제1반사층 및 제2반사층에서 각각 반사된 제1반사광과 제2반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
광학 기능층(50)은 렌즈층을 포함할 수 있다. 렌즈층은 표시요소층(20)에서 방출되는 빛의 출광 효율을 향상시키거나, 색편차를 줄일 수 있다. 렌즈층은 오목하거나 볼록한 렌즈 형상을 가지는 층을 포함하거나, 또는/및 굴절률이 서로 다른 복수의 층을 포함할 수 있다. 광학 기능층(50)은 전술한 반사 방지층 및 렌즈층을 모두 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 개구(10H)를 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 2는 표시요소층(20), 입력감지층(40), 및 광학 기능층(50)이 각각 제1 내지 제3개구(20H, 40H, 50H)를 포함하며, 제1 내지 제3개구(20H, 40H, 50H)들이 서로 중첩되는 것을 도시한다.
제1개구(20H)는 표시요소층(20)의 상면으로부터 바닥면을 관통할 수 있고, 제2개구(40H)는 입력감지층(40)의 상면으로부터 바닥면을 관통할 수 있으며, 제3개구(50H)는 광학 기능층(50)의 상면으로부터 바닥면을 관통할 수 있다.
표시 패널(10)의 개구(10H), 예컨대 제1 내지 제3개구(20H, 40H, 50H)들은 개구영역(OA)에 서로 중첩하도록 위치할 수 있다. 제1 내지 제3개구(20H, 40H, 50H)의 크기(또는 직경)은 서로 같거나 서로 다를 수 있다.
다른 실시예로, 표시요소층(20), 입력감지층(40), 및 광학 기능층(50) 중 적어도 하나는 개구를 포함하지 않을 수 있다. 예컨대, 표시요소층(20), 입력감지층(40), 및 광학 기능층(50) 중에서 선택된 어느 하나, 또는 두 개의 구성요소는 개구를 포함하지 않을 수 있다.
커버 윈도우(60)는 광학 기능층(50) 상에 배치될 수 있다. 커버 윈도우(60)는 광학 기능층(50)과의 사이에 개재된 투명 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)와 같은 점착층을 통해 결합될 수 있다. 커버 윈도우(60)는 글래스재 또는 플라스틱재를 포함할 수 있다. 플라스틱재는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다.
커버 윈도우(60)는 가요성을 갖는 윈도우를 포함할 수 있다. 예컨대, 커버 윈도우(60)는 폴리이미드 윈도우, 또는 초박형 글래스(ultra-thin glass) 윈도우를 포함할 수 있다.
개구영역(OA)은 전자 기기(1)에 다양한 기능을 부가하기 위한 컴포넌트(70)가 위치하는 일종의 컴포넌트 영역(예, 센서 영역, 카메라 영역, 스피커 영역 등)일 수 있다. 컴포넌트(70)는 표시 패널(10)의 개구(10H)와 중첩하게 배치될 수 있다.
컴포넌트(70)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(70)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소는, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 개구영역(OA)은 컴포넌트(70)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)에 해당한다.
다른 실시예로, 전자 기기(1)가 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(70)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘 등을 포함하는 부재일 수 있다. 이 경우, 바늘과 같은 컴포넌트(70)가 외부로 노출될 수 있도록 커버 윈도우(60)는 도 1에 도시된 것과 달리 개구영역(OA)에 위치하는 개구를 포함할 수 있다. 또는, 전자 기기(1)가 스피커와 같은 컴포넌트(70)를 포함하는 경우에도 커버 윈도우(60)는 개구영역(OA)에 대응하는 개구를 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 하나의 발광다이오드에 연결된 등가 회로를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 개구영역(OA), 표시영역(DA), 중간영역(MA), 및 외곽영역(PA)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함하며, 표시 패널(10)은 각 화소(P)의 발광다이오드에서 방출되는 빛, 예컨대 적색, 녹색, 청색의 빛을 이용하여 이미지를 표시할 수 있다.
각 화소(P)의 발광다이오드는 도 4에 도시된 바와 같이 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있으며, 각 유기발광다이오드(OLED)는 화소회로(PC)에 전기적으로 연결될 수 있다. 도 4는 발광다이오드가 유기발광다이오드(OLED)를 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 표시 패널(10)은 유기발광다이오드(OLED) 대신에 앞서 설명한 무기발광다이오드를 포함할 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 중간영역(MA)은 개구영역(OA)을 둘러쌀 수 있다. 중간영역(MA)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 중간영역(MA)에는 개구영역(OA) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호라인들이 지나갈 수 있다. 예컨대, 데이터라인들(DL) 및/또는 스캔라인들(SL)은 도 3에 도시된 바와 같이 표시영역(DA)을 y방향 및/또는 x방향을 따라 가로지르되, 데이터라인들(DL) 및/또는 스캔라인들(SL)의 일 부분들은 개구영역(OA)에 형성된 표시 패널(10)의 개구(10H)의 에지를 따라 중간영역(MA)에서 우회할 수 있다.
외곽영역(PA)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(2100), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(2200), 및 제1전원전압(ELVDD, 도 4) 및 제2전원전압(ELVSS, 도 4)을 제공하기 위한 제1메인 전원배선(미도시) 및 제2메인 전원배선(미도시)이 배치될 수 있다. 도 3에는 데이터 드라이버(2200)가 기판(100)의 일 측변에 인접하게 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예에 따르면, 데이터 드라이버(2200)는 표시 패널(10)의 일 측에 배치된 패드와 전기적으로 접속된 회로기판(printed circuit board) 상에 배치될 수 있다. 회로기판은 가요성을 가질 수 있으며, 회로기판의 일부는 기판(100)의 배면 아래에 위치하도록 구부러질 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 5를 참조하면, 화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치되며, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 중간영역(MA)이 위치할 수 있다. 개구영역(OA)에 인접한 화소(P)들은 평면상에서 개구영역(OA)을 중심으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 도 5의 평면에 도시된 것과 같이 화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 상하로 이격되어 배치되거나, 개구영역(OA)을 중심으로 좌우로 이격되어 배치될 수 있다. 앞서 도 3과 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 각 화소(P)는 발광다이오드에서 방출되는 적색, 녹색, 청색의 빛을 이용하는바, 도 4에 도시된 화소(P)들의 위치는 각각 발광다이오드들의 위치에 해당한다. 따라서, 화소(P)들이 평면상에서 개구영역(OA)을 중심으로 상호 이격되어 배치된다고 함은 발광다이오드들이 평면 상에서 개구영역(OA)을 중심으로 상호 이격되어 배치되는 것을 나타낼 수 있다. 예컨대, 평면상에서, 발광다이오드들은 개구영역(OA)을 중심으로 상하로 이격되어 배치되거나, 개구영역(OA)을 중심으로 좌우로 이격되어 배치될 수 있다.
각 화소(P)의 발광다이오드에 연결된 화소회로로 신호를 공급하는 신호라인들 중 개구영역(OA)과 인접한 신호라인들은 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)를 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 데이터라인들 중 일부 데이터라인(DL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 위와 아래에 각각 배치된 화소(P)들에 데이터신호를 제공하도록 ±y방향으로 연장되되, 중간영역(MA)에서 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)의 에지를 따라 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 스캔라인들 중 일부 스캔라인(SL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 좌우에 각각 배치된 화소(P)들에 스캔신호를 제공하도록 ±x방향으로 연장되되, 중간영역(MA)에서 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)의 에지를 따라 우회할 있다.
도 5에는 스캔라인(SL)이 중간영역(MA)에서 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)를 우회하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 스캔라인(SL)은 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)를 중심으로 분리 또는 단절될 수 있으며, 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)를 중심으로 좌측에 배치된 스캔라인(SL)은 도 3에 도시된 바와 같이 표시영역(DA)을 중심으로 좌측에 배치된 스캔 드라이버(2100)로부터 신호를 전달받을 수 있고, 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)를 중심으로 우측에 배치된 스캔라인(SL)은 도 3에 도시되지 않았으나 표시영역(DA)의 중심으로 스캔 드라이버(2100)의 반대편에 배치된 추가 스캔 드라이버로부터 신호를 전달받을 수 있다.
중간영역(MA)에는 전술한 신호라인들의 우회부분 보다 개구영역(OA)에 더 인접하게 배치된 적어도 하나의 격벽이 위치할 수 있다. 이와 관련하여 도 5는 제1 내지 제3격벽(PW1, PW2, PW3)을 도시하고 있다. 제1 내지 제3격벽(PW1, PW2, PW3)은 개구영역(OA) 및/또는 개구(10H)를 둘러싸는 폐루프 형상으로, 상호 이격되어 배치될 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당하며, 도 7a은 도 6a의 VIIa 부분을 확대한 단면도이며, 도 7b는 도 6a에 도시된 기능층을 발췌하여 나타낸 평면도이고, 도 7c는 도 6a에 도시된 제2전극을 발췌하여 나타낸 평면도이다. 도 6a은 설명의 편의 상 표시 패널(10) 중 광학기능층(50, 도 2) 및 커버 윈도우(60, 도 2)을 생략하고, 표시요소층(20) 및 표시요소층(20) 상의 입력감지층(40)을 도시한다. 표시요소층(20)은 표시영역(DA)에 대응하도록 기판(100) 상에 배치된 발광다이오드들을 포함하며, 이와 관련하여 도 6a 및 도 6b은 하나의 발광다이오드, 예컨대 유기발광다이오드(OLED)를 도시한다.
표시 패널(10)은 개구영역(OA)에 위치하는 개구(10H)를 포함할 수 있다. 개구(10H)는 표시 패널(10)의 상면과 하면을 관통하는 관통홀의 형상일 수 있다.
표시 패널(10)이 개구영역(OA)에 위치하는 개구(10H)를 포함한다고 함은, 표시 패널(10)에 포함된 복수의 층들도 개구영역(OA)에 위치하는 개구를 포함하는 것을 나타낼 수 있다. 기판(100)은 개구영역(OA)에 위치하는 개구(100H)를 포함할 수 있으며, 기판(100)의 개구(100H)는 기판(100)의 상면과 하면을 관통하는 관통홀 형상을 갖는다. 마찬가지로, 기판(100) 상에 배치된 층들을 포함하는 표시요소층(20), 및 입력감지층(40) 각각은 개구영역(OA)에 위치하는 관통홀 형상의 제1 및 제2개구(20H, 40H)를 포함할 수 있다.
도 6a 및 도 6b의 표시영역(DA)을 살펴보면, 기판(100) 상에 화소회로(PC)가 배치되고, 화소회로(PC) 상에 유기발광다이오드(OLED)가 배치될 수 있다.
기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 고분자 수지는 폴리에테르술폰, 폴리아크릴레이트, 폴리에테르 이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이드, 폴리페닐렌 설파이드, 폴리아릴레이트, 폴리이미드, 폴리카보네이트 또는 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트 등을 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블 또는 벤더블 특성을 가질 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
버퍼층(201)은 기판(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(Act)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 및 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
화소회로(PC)는 버퍼층(201) 상에 배치될 수 있다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 도 6a 및 도 6b는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 및 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 티타늄층, 알루미늄층, 및 티타늄층(Ti/Al/Ti)의 다층 구조로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1층간절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 6a 및 도 6b는 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않으며, 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)은 각각 별개로 형성될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1) 및/또는 상부 전극(CE2)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다. 또는, 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 유기절연물은 polymethylmethacrylate(PMMA)나 polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 전술한 화소회로(PC) 및 후술할 제1전극(221) 사이의 제1중간절연층(또는 제1비아절연층, 209)으로 커버될 수 있다. 제1중간절연층(209)은 상면이 대략 편평한 면을 포함할 수 있다.
화소회로(PC) 상에는 제1전극(221)이 배치된다. 제1전극(221)은 화소마다 배치될 수 있으며, 제1전극(221)은 화소회로(PC)와 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이 박막트랜지스터(TFT)와 제1전극(221) 사이에는 콘택메탈층(CM)이 개재될 수 있다. 콘택메탈층(CM)은 제1중간절연층(209)에 형성된 콘택홀을 통해 박막트랜지스터(TFT)와 접속할 수 있으며, 제1전극(221)은 콘택메탈층(CM) 상의 제2중간절연층(211)에 형성된 콘택홀을 통해 콘택메탈층(CM)에 접속할 수 있다. 콘택메탈층(CM)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 콘택메탈층(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 콘택메탈층(CM)이 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211) 사이에 배치되며, 화소회로(PC)와 제1전극(221)을 전기적으로 연결하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로 콘택메탈층(CM)은 생략될 수 있다. 이 경우, 화소회로(PC)의 트랜지스터(TFT)와 제1전극(221)은 직접 접속될 수 있으며, 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211) 중 하나는 생략될 수 있다. 예컨대, 화소회로(PC)와 제1전극(221) 사이에 하나의 중간절연층이 개재될 수 있으며, 하나의 중간절연층을 통해 제1전극(221)이 화소회로(PC)의 트랜지스터(TFT)에 접속될 수 있다.
제1전극(221)은 제2중간절연층(211) 상에 형성될 수 있다. 제1전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 제1전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1전극(221)은 ITO/Ag/ITO의 3층 구조를 포함할 수 있다.
제1전극(221) 상에는 상부절연층(215)이 형성될 수 있다. 상부절연층(215)은 제1전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 제1전극(221)의 가장자리를 커버할 수 있다. 상부절연층(215)은 화소를 정의하는 화소정의막일 수 있다. 예컨대, 제1전극(221)의 상면을 노출하는 개구의 폭은 빛이 방출되는 발광영역의 폭, 또는 화소의 폭에 해당할 수 있다.
상부절연층(215)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 예컨대, 상부절연층(215)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
스페이서(217)는 상부절연층(215) 상에 형성될 수 있다. 스페이서(217)는 유기 절연물을 포함할 수 있다. 스페이서(217)는 상부절연층(215)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
중간층(222)은 발광층(222b)을 포함한다. 발광층(222b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 중간층(222)은 기능층을 포함할 수 있다. 기능층은 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2기능층(222c)을 포함할 수 있다.
제1기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer) 및/또는 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함할 수 있다.
제2기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(222)에 포함된 적어도 하나의 유기물층(222o), 예컨대 제1기능층(222a) 및/또는 제2기능층(222c)은 표시영역(DA)을 전체적으로 커버하도록 형성될 수 있다. 표시영역(DA)에는, 해당하는 화소의 색에 따라 서로 다른 색의 발광층(222b)들이 상호 이격되어 배치될 수 있으나, 제1기능층(222a) 및/또는 제2기능층(222c)은 표시영역(DA)을 전체적으로 커버하도록 형성될 수 있다. 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c) 각각은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들에서 공유될 수 있다. 따라서, 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c) 각각은 복수의 제1전극(221)을 커버하도록 형성될 수 있다.
제2전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 제2전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제2전극(223)은 은(Ag) 및 마그네슘(Mg)을 포함할 수 있다. 제2전극(223)은 표시영역(DA)을 전체적으로 커버하도록 형성될 수 있다. 제2전극(223)은 공통층으로서 복수의 제1전극(221)을 커버할 수 있다. 표시영역(DA)을 전체적으로 커버하는 공통층인 제2전극(223) 및 기능층은 서로 다른 두께를 가질 수 있다. 제2전극(223)은 중간층(222)에 포함된 유기물층, 예컨대 제1 및 제2기능층(222a, 222c)의 적층체의 두께 보다 얇게 형성될 수 있다.
제1전극(221), 중간층(222), 및 제2전극(223)을 포함하는 유기발광다이오드(OLED)는 봉지층(300)으로 커버된다. 봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있으며, 도 6a 및 도 6b는 봉지층(300)이 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시한다. 다른 실시예에서 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 전술한 물질을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리아크릴산과 같은 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(320)은 아크릴레이트 폴리머(acrylate polymer)를 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)의 물질은 서로 다를 수 있다. 예컨대, 제1무기봉지층(310)은 실리콘옥시나이트라이드를 포함하고, 제2무기봉지층(330)은 실리콘나이트라이드를 포함할 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)의 두께는 서로 다를 수 있다. 제1무기봉지층(310)의 두께가 제2무기봉지층(330)의 두께 보다 클 수 있다. 또는, 제2무기봉지층(330)의 두께가 제1무기봉지층(310)의 두께 보다 크거나, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)의 두께는 서로 동일할 수 있다.
입력감지층(40)은 봉지층(300) 상에 배치될 수 있다. 입력감지층(40)은 제1절연층(41a, 41b), 제1도전층(CML1), 제2절연층(43), 제2도전층(CML2), 및 제3절연층(45)을 포함할 수 있다.
제1절연층(41a, 41b)은 제1서브절연층(41a) 및 제2서브절연층(41b)을 포함할 수 있다. 제1서브절연층(41a) 및 제2서브절연층(41b)은 무기절연물, 예컨대 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다.
제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2)은 도전성 물질, 예컨대 각 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2)은 몰리브데넘(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함할 수 있으며, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2)은 각각 티타늄층, 알루미늄층, 및 티타늄층이 순차적으로 적층(Ti/Al/Ti)된 구조를 가질 수 있다.
제1도전층(CML1) 및/또는 제2도전층(CML2)은 터치입력을 감지하기 위한 복수의 터치전극들을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 입력감지층(40)은 평면상에서 x방향으로 연장된 터치전극들, 및 y방향으로 연장된 터치전극들을 포함할 수 있으며, 전술한 터치전극들은 뮤추얼 캡 방식으로 입력을 감지할 수 있으며 제1도전층(CML1) 및/또는 제2도전층(CML2)에 구비될 수 있다. 다른 실시예로, 터치전극은 셀프 캡 방식으로 입력을 감지할 수 있으며, 제1도전층(CML1) 또는 제2도전층(CML2)에 구비될 수 있다.
제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2) 사이에는 제2절연층(43)이 배치될 수 있다. 제2절연층(43)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드와 같은 무기절연물을 포함할 수 있다.
제3절연층(45)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제3절연층(45)은 폴리머 계열의 물질을 포함할 수 있다. 전술한 폴리머 계열의 물질은 투명할 수 있다. 예컨대, 제3절연층(45)은 실리콘계 수지, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 입력감지층(40)이 제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2)을 포함하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로 입력감지층(40)은 제1도전층(CML1) 및 제2도전층(CML2) 중 어느 하나를 구비할 수 있다.
다음으로, 도 6a 및 도 6b의 중간영역(MA)을 살펴보면, 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211)은 중간영역(MA)으로 연장될 수 있다. 예컨대, 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211)은 중간영역(MA)으로 연장되되, 후술할 제1격벽(PW1)과는 이격될 수 있다. 유사하게, 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 각각은 중간영역(MA)으로 연장되되, 제1격벽(PW1)과는 이격될 수 있다. 이 때, 제1중간절연층(209)은 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 보다 제1격벽(PW1)을 향해 더 연장되며,
게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207) 각각의 에지를 커버할 수 있다. 제2중간절연층(211)은 제1중간절연층(209) 보다 제1격벽(PW1)을 향해 더 연장되어 제1중간절연층(209)의 에지를 커버할 수 있다.
중간영역(MA)에서 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211) 상에는 각각 데이터라인들의 우회부분(DL-C)들이 위치할 수 있다. 도 6a 및 도 6b에 도시된 제1중간절연층(209) 상의 데이터라인의 우회부분(DL-C)과 제2중간절연층(211) 상의 데이터라인의 우회부분(DL-C)은 앞서 도 5를 참조하여 설명한 데이터라인(DL) 중 중간영역(MA)에 위치하는 부분(도 5에서 개구영역(OA)을 따라 커브진 부분)에 해당한다.
중간영역(MA)에는 적어도 하나의 격벽이 배치된다. 일 실시예로서, 도 6a 및 도 6b는 격벽이 3개인 것을 도시하고 있으나 다른 실시예로 격벽은 2개 또는 4개 이상일 수 있다. 제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)은 버퍼층(201) 상에(예, 바로 위에) 위치할 수 있다.
제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)은 중간영역(MA)에 배치되되, 표시영역(DA)으로부터 개구영역(OA)을 향하는 방향을 따라 상호 이격될 수 있다. 제1격벽(PW1)은 표시영역(DA)에 가장 인접하고, 제3격벽(PW3)은 개구영역(OA)에 가장 인접하며, 제2격벽(PW2)은 제1격벽(PW1)과 제3격벽(PW3) 사이에 배치될 수 있다. 제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)은 각각 도 5에 도시된 바와 같이 개구(10H)를 둘러싸는 폐루프(closed-loop) 형상일 수 있다.
도 6a 및 도 6b, 및 후술할 실시예들에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)에 대응하여 기판(100)에도 개구(100H)가 형성되므로, 본 명세서에서 "개구영역(OA)", "표시 패널(10)의 개구(10H)", 및 "기판(100)의 개구(100H)"는 서로 바꾸어서 사용될 수 있다. 예컨대, "표시 패널(10)의 개구(10H)를 둘러싼다"라는 것은, 기판(100)의 개구(100H)를 둘러싼다, 및/또는 "개구영역(OA)을 둘러싼다"는 것을 나타낼 수 있다.
제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)은 상호 이격될 수 있다. 일 실시예로서, 인접한 격벽들 사이의 거리는 동일할 수 있다. 예컨대, 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이의 거리(수평방향으로의 거리, d1), 및 제2격벽(PW2)과 제3격벽(PW3) 사이의 거리(수평방향으로의 거리, d2)는 서로 동일할 수 있다.
제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)은 절연물을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)은 유기절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 표시영역(DA)에 배치된 복수의 절연성 물질층을 형성하는 공정에서 함께 형성될 수 있으며, 전술한 복수의 절연성 물질층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 제1격벽(PW1)은 복수의 제1서브격벽층(1110, 1120, 1130)을 포함할 수 있다. 복수의 제1서브격벽층(1110, 1120, 1130)은 순차적으로 적층된 제1-1서브격벽층(1110), 제1-2서브격벽층(1120), 및 제1-3서브격벽층(1130)을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제1-1서브격벽층(1110)은 제2중간절연층(211)과 동일한 물질을 포함하고, 제1-2서브격벽층(1120)은 상부절연층(215)과 동일한 물질을 포함하며, 제1-3서브격벽층(1130)은 스페이서(217)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1-3서브격벽층(1130)은 제1-2서브격벽층(1120)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 제2격벽(PW2)은 복수의 제2서브격벽층(1210, 1220, 1230, 1240)을 포함할 수 있다. 복수의 제2서브격벽층(1210, 1220, 1230, 1240)은 순차적으로 적층된 제2-1서브격벽층(1210), 제2-2서브격벽층(1220), 제2-3서브격벽층(1230), 및 제2-4서브격벽층(1240)을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제2-1서브격벽층(1210)은 제1중간절연층(209)과 동일한 물질을 포함하고, 제2-2서브격벽층(1220)은 제2중간절연층(211)과 동일한 물질을 포함하며, 제2-3서브격벽층(1230)은 상부절연층(215)과 동일한 물질을 포함하고, 제2-4서브격벽층(1240)은 스페이서(217)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제2-4서브격벽층(1240)은 제2-3서브격벽층(1230)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
다른 실시예로, 도 6b에 도시된 바와 같이, 제2격벽(PW2)은 제2-1서브격벽층(1210), 제2-2서브격벽층(1220), 및 제2-3서브격벽층(1230)을 포함할 수 있다. 제2-1서브격벽층(1210)은 제1격벽(PW1)의 제1-1서브격벽층(1110)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 마스크 공정에서 형성될 수 있다. 제2-2서브격벽층(1220)은 제1격벽(PW1)의 제1-2서브격벽층(1120)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 마스크 공정에서 형성될 수 있다. 제2-3서브격벽층(1230)은 제1격벽(PW1)의 제1-33서브격벽층(1130)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 마스크 공정에서 형성될 수 있다.
도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 제3격벽(PW3)은 복수의 제3서브격벽층(1310, 1320)을 포함할 수 있다. 복수의 제3서브격벽층(1310, 1320)은 순차적으로 적층된 제3-1서브격벽층(1310) 및 제3-2서브격벽층(1320)을 포함할 수 있다.
일 실시예로, 제3-1서브격벽층(1310)은 상부절연층(215)과 동일한 물질을 포함하고, 제3-2서브격벽층(1320)은 스페이서(217)와 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제3-2서브격벽층(1320)은 제3-1서브격벽층(1310)과 동일한 물질을 포함하며, 동일한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)의 각 서브격벽층들은 제1중간절연층(209), 제2중간절연층(211), 상부절연층(215) 및 스페이서(217) 중 적어도 어느 하나와 동일한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있으며, 상기 실시예들에 제한되지 않고 다양한 구성을 가질 수 있다.
제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3) 중 적어도 어느 하나의 높이는 나머지의 높이와 다를 수 있다. 예컨대, 도 6a에 도시된 바와 같이 제2격벽(PW2)의 높이(H2)는 제1격벽(PW1) 및 제3격벽(PW3)의 높이(H1, H3) 보다 클 수 있고, 제1격벽(PW1)의 높이(H1)는 제3격벽(PW3)의 높이(H3) 보다 클 수 있다. 바꾸어 말하면, 기판(100)의 상면으로부터 제2격벽(PW2)의 상면까지의 수직거리는 기판(100)의 상면으로부터 제1격벽(PW1)의 상면까지의 수직거리 보다 크고, 기판(100)의 상면으로부터 제1격벽(PW1)의 상면까지의 수직거리는 기판(100)의 상면으로부터 제3격벽(PW3)의 상면까지의 수직 거리보다 클 수 있다.
도 6a는 제1격벽(PW1) 및 제2격벽(PW2)이 서로 다른 높이를 갖는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서, 도 6b에 도시된 바와 같이 제1격벽(PW1) 및 제2격벽(PW2)은 실질적으로 동일한 높이를 가질 수 있다. 바꾸어 말하면, 기판(100)의 상면으로부터 제1격벽(PW1)의 상면까지의 수직거리 및 기판(100)의 상면으로부터 제2격벽(PW2)의 상면까지의 수직거리는 실질적으로 동일할 수 있다. 기판(100)의 상면으로부터 제2격벽(PW2)의 상면까지의 수직거리는 기판(100)의 상면으로부터 스페이서(217)의 상면까지의 수직거리와 같거나 그 보다 작을 수 있다.
전술한 하나 이상의 격벽, 예컨대 제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 제3격벽(PW3)은 봉지층(300)을 형성하는 공정에서 유기봉지층(320)을 이루는 물질의 흐름을 제어할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(320)은 표시영역(DA) 상에 모노머를 잉크젯 등의 공정을 통해 도포한 후 모노머를 경화하여 형성할 수 있는데, 격벽은 모노머의 흐름을 제어함으로써 유기봉지층(320)의 위치를 제어할 수 있다. 이와 관련하여 도 6a 및 도 6b는 유기봉지층(320)의 에지(320e)가 제1격벽(PW1)의 일측에 위치하는 것을 도시한다. 다른 실시예로, 유기봉지층(320)의 에지(320e)는 제1격벽(PW1)의 상면 상에 위치함으로써 유기봉지층(320)의 일부가 제1격벽(PW1)의 상면과 중첩할 수 있다. 또 다른 실시예로, 유기봉지층(320)의 에지(320e)는 제2격벽(PW2)의 일측에 배치될 수 있으며 이 때 유기봉지층(320)의 일부는 제1격벽(PW1)의 상면과 중첩할 수 있다. 유기봉지층(320)의 위치는 유기봉지층(320)을 포함하는 표시 패널(10)을 촬영한 이미지를 이용하여 확인할 수 있는데, 본 발명의 실시예에 따른 표시 패널(10)은 전술한 바와 같은 복수의 격벽을 구비함으로써, 유기봉지층(320)의 위치, 예컨대 유기봉지층(320)의 에지(320e)의 위치를 모니터링하는데 사용할 수 있다.
유기봉지층(320)의 에지(320e)가 어느 하나의 격벽, 예컨대 제1격벽(PW1)의 일측에 위치하기에, 제2무기봉지층(330)은 중간영역(MA)에서 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 유기봉지층(320)의 에지(320e)와 표시 패널(10)의 개구(10H) 사이의 영역에서 직접 접촉할 수 있다. 일 실시예로서, 도 6a 및 도 6b는 제1무기봉지층(310)과 제2무기봉지층(330)이 제1격벽(PW1)과 표시 패널(10)의 개구(10H) 사이의 영역에서 직접 접촉하는 것을 도시한다.
입력감지층(40)의 절연층, 예컨대 제1절연층(41a, 41b), 제2절연층(43), 및 제3절연층(45)도 중간영역(MA)을 커버하도록 연장될 수 있다.
평탄화 절연층(또는 평탄화층, 47)은 중간영역(MA)을 커버하도록 배치될 수 있다. 평탄화 절연층(47)은 제1에지(47E1)로부터 제2에지(47E2)에 이르는 폭을 가지도록 중간영역(MA)에만 위치할 수 있다. 따라서, 평면상에서 평탄화 절연층(47)은 개구(10H)를 둘러싸는 폐곡선 형상(예, 도넛 형상)을 가질 수 있다.
평탄화 절연층(47)의 제1에지(47E1)는 표시 패널(10)의 개구(10H)를 향하고, 평탄화 절연층(47)의 제2에지(47E2)는 표시영역(DA)에 인접할 수 있다. 표시영역(DA)에 인접한 평탄화 절연층(47)의 일 부분은 유기봉지층(320)의 에지(320e)를 커버한 채 유기봉지층(320)의 일 부분과 중첩할 수 있으며, 이들 사이에는 제2무기봉지층(330) 및 제1서브절연층(41a)이 개재될 수 있다.
제1서브절연층(41a)과 제2서브절연층(41b)은 표시영역(DA)에서 직접 접촉할 수 있는데 반해, 중간영역(MA)에서는 이들 사이에 개재되는 평탄화 절연층(47)에 의해 두께 방향(z방향)을 따라 상호 이격될 수 있다.
표시영역(DA)을 전체적으로 커버하도록 형성된 제2전극(223)은 중간영역(MA)으로 연장되되, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 표시영역(DA)과 어느 하나의 격벽 사이에 위치할 수 있다. 일 실시예로, 도 6a 및 도 6b는 제2전극(223)의 에지부(223ep)가 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 위치하는 것을 도시한다. 여기서, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 제2전극(223) 중 개구(10H)에 가장 인접한 부분으로서, 제2전극(223)의 에지부(223ep)로부터 개구(10H)까지의 영역에는 제2전극(223)에 해당하는 층이 존재하지 않을 수 있다. 바꾸어 말하면, 제2전극(223)의 에지부(223ep)로부터 개구(10H)까지의 영역에는 제2전극(223)과 동일한 물질 및 구조를 갖는 층이 존재하지 않을 수 있다. 이와 관련하여 도 6a, 도 6b, 및 도 7c는 제2전극(223)이 에지부(223ep)로 둘러싸인/정의된 제1개구부(223oh)를 포함하는 것을 도시한다. 제2전극(223)의 제1개구부(223oh)는 도 7c에 도시된 바와 같이 개구영역(OA) 및 개구영역(OA) 에 인접한 중간영역(MA)의 일부에 중첩할 수 있다.
제2전극(223)의 에지부(223ep)는 유기물층, 예컨대 유기봉지층(320)으로 커버될 수 있다. 제2전극(223)은 표시영역(DA) 및 중간영역(MA)을 전체적으로 커버하는 제2전극물질층을 형성한 후 중간영역(MA)에 위치하는 제2전극물질층의 일부를 제거함으로써 형성될 수 있다. 제2전극물질층의 일부는 레이저 리프트 오프 공정을 통해 제거될 수 있는데, 레이저에 의해 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 불규칙적인 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 레이저 리프트 오프 공정에 의해 형성된 버(burr)를 포함할 수 있다. 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 기판(100)의 상면으로부터 멀어지도록 비스듬한 방향을 따라 연장될 수 있으며, 그 단면은 불규칙적인 요철을 가질 수 있다.
제2전극(223)의 에지부(223ep)의 형상에 의해 제2전극(223) 상의 제1무기봉지층(310)의 두께는 일정하지 않을 수 있다. 예컨대, 도 7a에 도시된 바와 같이, 제1무기봉지층(310)은 제2전극(223)의 일 부분(223ep)의 형상을 따라 위쪽으로 볼록한 상면을 포함할 수 있다.
제1무기봉지층(310)은 비교적 스텝 커버리지가 우수하지만, 제1무기봉지층(310) 아래의 제2전극(223)의 에지부(223ep)가 불규칙한 형상을 가지기 때문에 제1무기봉지층(310)은 국소적으로 밀도가 작은 부분 및/또는 두께가 얇은 부분을 포함할 수 있다. 이 경우 제1무기봉지층(310)에 크랙이 발생될 수 있으며, 전술한 크랙은 주변으로 전달될 수 있으나, 본 발명의 실시예에 따르면, 유기봉지층(320)이 제2전극(223)의 에지부(223ep)를 커버하기에 전술한 문제를 방지하거나 최소화할 수 있다.
중간층(222)에 포함된 적어도 하나의 유기물층(222o, 이하 유기물층이라 함), 예컨대 제1기능층(222a) 및/또는 제2기능층(222c)은 중간영역(MA)에서 단절될 수 있다. 바꾸어 말하면, 유기물층(222o)의 일부는 중간영역(MA)에서 제거될 수 있으며, 따라서 유기물층(222o)은 중간영역(MA)에 위치하는 제2개구부(222oh)를 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 6a 및 도 6b는 중간영역(MA)에 복수의 제2개구부(222oh)들을 도시한다. 유기물층(222o)은 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c)을 포함할 수 있으며, 제1기능층(222a)의 개구부(222ah) 및 제2기능층(222c)의 개구부(222ch)는 서로 중첩하며 전술한 제2개구부(222oh)를 형성할 수 있다. 제1기능층(222a)의 개구부(222ah) 및 제2기능층(222c)의 개구부(222ch)는 각각 제1기능층(222a)의 일부 및 제2기능층(222c)의 일부가 제거되면서 형성될 수 있으며, 개구부(222ah, 222ch)에 의해 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c)은 중간영역(MA)에서 불연속적일 수 있다.
제2개구부(222oh)를 통해 그 아래에 배치된 절연층, 예컨대 버퍼층(201)이 노출될 수 있으며, 제1무기봉지층(310)은 제2개구부(222oh)를 통해 버퍼층(201)과 직접 접촉할 수 있다. 버퍼층(201)은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 제1무기봉지층(310)과 버퍼층(201)의 접촉은 국소적으로 수분의 진행을 차단하는 역할을 수행할 수 있다.
중간층(222)에 포함된 적어도 하나의 유기물층(222o)은 표시영역(DA)을 전체적으로 커버하도록 형성되므로, 표시 패널(10)의 개구(10H)를 통해 유입될 수 있는 수분의 진행 경로를 제공할 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 유기물층(222o)이 중간영역(MA)에 위치한 제2개구부(222oh)를 포함하기에 유기물층(222o)을 통한 수분의 진행을 방지하거나 최소화할 수 있다.
유기물층(222o)의 제2개구부(222oh)들은 제2전극(223)의 에지부(223ep)로부터 개구(10H)까지의 영역에 상호 이격되도록 배치될 수 있다. 제2개구부(222oh)들 중 적어도 어느 하나는 이웃한 격벽들 사이, 제3격벽(PW3)과 개구(10H) 사이, 및/또는 제1격벽(PW1)과 표시영역(DA) 사이에 위치할 수 있다.
일 실시예로, 도 6a 및 도 6b는 제1격벽(PW1)과 표시영역(DA) 사이의 제2개구부(222oh), 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이의 제2개구부(222oh), 제2격벽(PW2)과 제3격벽(PW3) 사이의 제2개구부(222oh), 및 제3격벽(PW3)과 개구(10H) 사이의 제2개구부(222oh)들을 도시하고 있다.
유기물층(222o)은 제2개구부(222oh)들에 의해 상호 이격된 유기물 부분(222op)들을 포함할 수 있다. 유기물 부분(222op)들은 중간영역(MA)에서 상호 이격되어 배치될 수 있다. 유기물 부분(222op)은 예컨대 제1기능층의 일부(222ap) 및/또는 제2기능층의 일부(222cp)를 포함할 수 있다.
제2개구부(222oh)가 이웃하는 격벽들 사이에 형성되는 경우, 제1 내지 제3격벽(PW1, PW2, PW3) 각각은 유기물 부분(222op)에 중첩되거나 커버될 수 있다. 유기물 부분(222op)은 제2전극(223)으로 커버되지 않으며, 제2전극(223) 상에 형성되는 층, 예컨대 제1무기봉지층(310)으로 직접 커버될 수 있다. 바꾸어 말하면, 제1무기봉지층(310)은 유기물 부분(222op)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
제2개구부(222oh) 각각은 평면도 상에서 개구(10H)를 둘러쌀 수 있다. 예컨대, 제2개구부(222oh) 각각은 개구(10H)의 가장자리를 따라 연장되며, 평면도 상에서 개구(10H)를 완전히 둘러싸는 폐루프 형상을 가질 수 있다.
제2개구부(222oh)들은 상호 이격되어 배치될 수 있다. 따라서, 제2개구부(222oh)에 의해 상호 이격된 유기물 부분(222op)들도 도 7b에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸는 폐루프 형상을 가질 수 있다.
도 6a, 도 6b, 도 7b 및 도 7c를 참조하면, 유기물층(222o)은 복수의 제2개구부(222oh)들을 포함하는 반면 제2전극(223)은 단일의 제1개구부(223oh)를 포함할 수 있다. 단일의 제2전극(223)의 제1개구부(223oh)는 복수의 제2개구부(222oh)들과 중첩하게 배치될 수 있다. 바꾸어 말하면, 단일의 제1개구부(223oh) 내에는 제2개구부(222oh)들에 의해 이격된 유기물 부분(222op)들이 배치될 수 있다.
도 8a 내지 도 8e는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 제조 공정에 따른 단면을 나타낸다.
먼저 도 8a를 참조하면, 기판(100) 상에 화소회로(PC) 및 화소회로(PC) 상의 제1전극(221), 그리고 적어도 하나의 격벽을 형성한다. 화소회로(PC)를 형성하기 전에 버퍼층(201)이 기판(100)의 상면을 전체적으로 커버하도록 형성될 수 있다. 이 후, 박막트랜지스터의 반도체층, 게이트절연층(203), 박막트랜지스터의 게이트전극 및 스토리지 커패시터의 하부전극, 제1층간절연층(205), 스토리지 커패시터의 상부전극, 제2층간절연층(207), 소스전극과 드레인전극, 제1중간절연층(209), 콘택메탈층, 제2중간절연층(211)이 순차적으로 형성될 수 있다.
버퍼층(201)은 기판(100)을 전체적으로 커버하는데 반해, 버퍼층(201) 상의 적어도 하나의 절연층의 일부는 제거될 수 있다. 예컨대, 개구영역(OA) 및 개구영역(OA)에 인접한 중간영역(MA)의 일부 영역에 형성된 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205), 제2층간절연층(207), 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211) 각각은 제거될 수 있다. 따라서, 도 8a에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)을 향하는 및/또는 개구영역(OA)에 인접한 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)의 에지(203e, 205e, 207e)는 제1격벽(PW1)과 이격될 수 있으며, 제1중간절연층(209)으로 커버될 수 있다. 유사하게, 개구영역(OA)을 향하는 및/또는 개구영역(OA)에 인접한 제1중간절연층(209) 및 제2중간절연층(211)의 에지(209e, 211e)도 제1격벽(PW1)과 이격될 수 있으며, 제1중간절연층(209)의 에지(209e)는 제2중간절연층(211)으로 커버될 수 있다.
제2중간절연층(211) 상에는 제1전극(221)이 형성되고, 제1전극(221) 상에는 상부절연층(215) 및 스페이서(217)가 형성될 수 있다. 표시영역(DA)에 제1전극(221)이 형성될 때, 복수의 보조층(1200)이 중간영역(MA)에 형성될 수 있으며, 표시영역(DA)에 유기절연물을 포함하는 절연성 물질층들이 형성될 때 적어도 하나의 격벽이 중간영역(MA)에 형성될 수 있다.
보조층(1200)들은 제1전극(221)과 동일한 물질을 포함하며 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있다. 예컨대, 보조층(1200)은 ITO/Ag/ITO와 같이 금속 및 투명도전성 산화물을 포함할 수 있다.
적어도 하나의 격벽, 예컨대 제1 내지 제3격벽(PW1, PW2, PW3)은 하부의 폭이 상부의 폭보다 큰 단면 형상 가질 수 있다. 제1 내지 제3격벽(PW1, PW2, PW3)은 복수의 서브층들을 포함하며, 각 서브층들은 제1중간절연층(209), 제2중간절연층(211), 상부절연층(215), 및/또는 스페이서(217)를 형성하는 공정에서 함께 형성될 수 있다. 제1 내지 제3격벽(PW1, PW2, PW3)의 서브층들의 구체적 물질은 앞서 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한 바와 같다.
보조층(1200)들은 중간영역(MA) 및/또는 개구영역(OA)에 배치될 수 있다. 예컨대, 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 하나의 보조층(1200)이 배치되고, 이웃한 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이에 하나의 보조층(1200)이 배치되며, 이웃한 제2격벽(PW2)과 제3격벽(PW3) 사이에 하나의 보조층(1200)이 배치될 수 있다. 제3격벽(PW3)과 개구영역(OA) 사이의 수평거리는 인접한 격벽들 사이의 수평거리보다 클 수 있으며, 따라서 제3격벽(PW3)과 개구영역(OA) 사이에는 복수의 보조층(1200)들이 배치될 수 있다. 보조층(1200)은 개구영역(OA)에도 배치될 수 있다. 보조층(1200)들 각각의 폭은 서로 다르거나 서로 동일하게 형성될 수 있다.
이후, 도 8b에 도시된 바와 같이 제1전극(221) 상에 제1기능층(222a), 발광층(222b), 제2기능층(222c), 및 제2전극(223)을 형성할 수 있다. 발광층(222b)은 표시영역(DA)에서 상호 이격되도록 배치된 제1전극(221)에 대응하여 형성되는데 반해, 공통층인 유기물층(222o, 예컨대 제1기능층 및/또는 제2기능층) 및 제2전극(223)은 도 8b에 도시된 바와 같이 기판(100) 전체를 커버하도록 형성될 수 있다.
공통층인 유기물층(222o) 및 제2전극(223)이 기판(100)의 상면을 전체적으로 커버하는 경우, 크랙이 발생하거나 수분이 발광다이오드로 유입되는 문제가 있다. 따라서, 중간영역(MA)에서 유기물층(222o)의 일부 및 제2전극(223)의 일부를 제거할 수 있다. 이를 위해, 기판(100)에 레이저(Laser)가 조사된다. 레이저(Laser)는 기판(100)의 배면(100b) 으로부터 상면(100t)을 향하는 방향으로 조사될 수 있다. 레이저(Laser)의 출력은 제2전극(223)의 밴드갭에 기초하여 설정될 수 있다. 레이저(Laser)는 1회 또는 복수회 조사될 수 있으며, 복수회 조사되는 경우 레이저(Laser)의 종류, 출력 및/또는 조사 범위(또는 레이저 빔의 크기)는 변경될 수 있다 전술한 레이저(Laser)에 의해 제2전극(223) 중 중간영역(MA)에 위치하는 일 부분은 제거될 수 있다(레이저 리프트 오프 공정).
전술한 레이저 리프트 오프 공정 중, 보조층(1200)은 레이저를 흡수하여 소정의 온도로 가열될 수 있으며, 유기물층(222o), 예컨대 제1기능층(222a) 및 제2기능층(222c) 중 보조층(1200) 상의 일 부분들은 제거될 수 있다. 보조층(1200)은 일종의 희생층으로, 유기물층(222o)의 일부들이 제거된 후(유기물층(222o)에 제2개구부(222oh)들이 형성된 후) 보조층(1200)은 도 8c에 도시된 바와 같이 제거될 수 있다.
도 8c는 전술한 레이저 리프트 오프 공정에 의해 제2전극(223)의 에지부(223ep)가 표시영역(DA)과 어느 하나의 격벽(예컨대 제1격벽, PW1) 사이에 위치하는 것을 도시한다. 유기물층(222o)은 중간영역(MA) 및 개구영역(OA)에 위치하는 제2개구부(222oh)들을 포함하며, 제2개구부(222oh)들에 의해 상호 이격된 유기물 부분(222op)들을 포함할 수 있다. 유기물층(222o)이 제1 및 제2기능층(222a, 222c)을 포함하는 경우, 유기물층(222o)의 제2개구부(222oh)는 제1기능층(222a)의 개구부(222ah) 및 제2기능층(222c)의 개구부(222ch)를 포함할 수 있고, 유기물층(222o)의 유기물 부분(222op)은 제1기능층(222a)의 부분(222ap) 및 제2기능층(222c)의 부분(222cp)을 포함할 수 있다.
도 8c는 제2전극(223)의 에지부(223ep)가 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 위치하고, 제2개구부(222oh)가 제2전극(223)의 에지부(223ep)로부터 개구영역(OA)까지의 영역에 위치하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 보조층(1200)의 개수와 위치, 및/또는 레이저(Laser)의 조사 범위에 따라 제2전극(223)의 제1개구부(223oh), 유기물층(222o)의 제2개구부(222oh), 및 제2전극(223)의 에지부(223ep)의 위치는 다양하게 변경될 수 있다. 다른 실시예로서, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이, 제2격벽(PW2)과 제3격벽(PW3) 사이, 또는 제3격벽(PW3)과 개구영역(OA) 사이에 배치될 수 있고, 유기물층(222o)의 제2개구부(222oh)는 제2전극(223)의 에지부(223ep)로부터 개구영역(OA)까지의 영역에 위치할 수 있다.
도 8d를 참조하면, 도 8c을 참조하여 설명한 구조가 형성된 기판(100) 상에 봉지층(300) 및 입력감지층(40)이 형성될 수 있다.
봉지층(300)의 제1무기봉지층(310)은 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 형성될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 화학기상증착법 등으로 형성될 수 있다. 앞서 도 8c를 참조하여 설명한 구조에서 이웃한 격벽들 사이의 보조층(1200)이 제거되기에, 제1무기봉지층(310)은 그 아래의 무기절연층, 예컨대 버퍼층(201)과 직접 접촉할 수 있다.
제1무기봉지층(310)은 상대적으로 스텝 커버리지가 우수하기 때문에, 위쪽으로 비스듬히 들린 제2전극(223)의 에지부(223ep)를 커버할 수 있다. 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 일종의 버(burr)로서 그 형상이 불규칙적이므로, 제1무기봉지층(310)이 제2전극(223)의 일 부분(223ep)을 커버한다 하더라도 상대적으로 크랙이 발생의 가능성이 높을 수 있으나, 제2전극(223)의 에지부(223ep)가 유기봉지층(320)으로 커버되기에 전술한 문제를 최소화하거나 방지할 수 있다.
한편, 유기봉지층(320)은 레이저 리프트 오프 공정에서 발생한 파티클들 중 제2전극(223) 상에 잔존하는 파티클들을 커버할 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이 보조층(1200)의 개수와 위치, 및/또는 레이저(Laser)의 조사 범위에 따라 제2전극(223)의 제1개구부(223oh), 유기물층(222o)의 제2개구부(222oh), 및 제2전극(223)의 에지부(223ep)의 위치는 다양하게 변경될 수 있다. 다른 실시예로서, 유기봉지층(320)의 에지(320e)가 도 8d에 도시된 바와 같이 제1격벽(PW1)의 일측에 위치하나 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 제3격벽(PW3)과 개구영역(OA) 사이에 배치될 수 있다. 이 경우, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 유기봉지층(320)의 에지(320e) 보다 개구영역(OA)에 더 인접하게 위치하게 된다. 레이저 리프트 오프 공정에서 발생하는 파티클은 제2전극(223) 상에 잔존할 수 있는데, 제2전극(223)의 에지부(223ep)가 유기봉지층(320)의 에지(320e) 보다 개구영역(OA)을 향해 더 연장된 경우, 유기봉지층(320)으로 커버되지 않는 제2전극(223)의 일 부분 상에 잔존하는 파티클은 제1무기봉지층(310)의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라 국소적으로 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉하는 제2무기봉지층(330)의 막의 품질까지 저하시킬 수 있다. 따라서, 도 8d에 도시된 바와 같이 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 유기봉지층(320)의 에지(320e)보다 표시영역(DA)에 더 인접하게 배치되며, 중간영역(MA)에서 제2전극(223)의 상면이 전체적으로 유기봉지층(320)으로 커버되도록 함이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 유기봉지층(320)의 에지(320e)는 제2전극(223)의 에지부(223ep)와 개구(10H) 사이에 위치할 수 있다.
유기봉지층(320)은 모노머를 잉크젯 방식 등을 통해 도포한 후 이를 경화하여 형성될 수 있으며, 유기봉지층(320)은 모노머가 경화되면서 형성된 수지를 포함할 수 있다. 유기봉지층(320)의 구체적 물질은 앞서 설명한 바와 같다.
제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320) 상에 형성되며, 제1무기봉지층(310)과 마찬가지로 화학기상증착법 등으로 형성될 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320)이 형성되지 않은 중간영역(MA)의 일부 및 개구영역(OA) 상에서 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉할 수 있다. 예컨대, 제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320)의 에지(320e) 및 개구영역(OA) 사이에서 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉할 수 있으며, 따라서 투습의 가능성을 더욱 감소시키거나 방지할 수 있다.
이 후, 제1서브절연층(41a)이 형성되고 제1서브절연층(41a) 위에 평탄화 절연층(47)이 형성될 수 있다. 중간영역(MA) 및 개구영역(OA)에 평탄화 절연층(47)이 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)이 표시영역(DA)을 커버하도록 배치되는데 반해, 평탄화 절연층(47)은 표시영역(DA)을 커버하지 않을 수 있다. 도 8d에 도시된 제조 공정 중, 평탄화 절연층(47)은 중간영역(MA) 및 개구영역(OA)에만 존재할 수 있다.
다음으로, 제2서브절연층(41b)이 형성되고, 제1도전층(CML1), 제2절연층(43), 제2도전층(CML2), 및 제3절연층(45)이 순차적으로 형성될 수 있다.
이 후, 레이저 커팅 등의 방식을 이용하여 커팅라인(SCL)을 따라 개구영역(OA)을 절단하면, 도 8e에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)은 개구영역(OA)에 형성된 개구(10H)를 포함할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다. 도 9를 참조하면 격벽의 구체적 형상이 앞서 도 6a 내지 도 8e를 참조하여 설명한 실시예와 차이가 있다. 격벽의 형상을 제외한 다른 구성에 대한 구체적 특징은 앞서 도 6a 및 도 6b를 참조하여 설명한 구조와 같거나 유사하다.
적어도 하나의 격벽, 예컨대 제1 내지 제3격벽(PW1, PW2, PW3)은 하부의 폭이 상부의 폭보다 큰 형상을 갖지만, 도 9에 도시된 바와 같이 상부와 하부가 단차를 가질 수 있다.
제1격벽(PW1)의 제1서브격벽층 중 제1-1서브격벽층(1110), 제1-2서브격벽층(1120)은 상대적으로 큰 폭의 제1격벽(PW1)의 하부를 형성하고, 제1-3서브격벽층(1130)은 상대적으로 작은 폭의 상부를 형성할 수 있다. 제1격벽(PW1)의 하부와 상부는 단면도 상에서 단차를 가질 수 있다. 예컨대, 제1격벽(PW1)은 하부에서 상부를 향하는 방향으로 그 폭이 점진적으로(gradually) 감소하는 형상이 아니라, 단차 부분에서 그 폭이 크게 감소하는 형상을 가질 수 있다.
제2격벽(PW2)의 제2서브격벽층 중 제2-1서브격벽층(1210) 및 제2-2서브격벽층(1220)은 상대적으로 큰 폭의 제2격벽(PW2)의 하부를 형성하고, 제2-3서브격벽층(1230) 및 제2-4서브격벽층(1240)은 상대적으로 작은 폭의 제2격벽(PW2)의 상부를 형성할 수 있다. 제1격벽(PW1)과 마찬가지로, 제2격벽(PW2)의 하부와 상부는 단면도 상에서 단차를 가질 수 있다.
제3격벽(PW3)의 제3서브격벽층 중 제3-1서브격벽층(1310) 및 제3-2서브격벽층(1320)은 제1 및 제2격벽(PW1, PW2)과 달리 단차를 갖지 않을 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
앞서 도 6a 내지 도 9를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 표시 패널(10)의 제조 공정 중 보조층(1200)이 모두 제거된 것을 도시하고 있으나, 적어도 하나의 보조층(1200)은 기판(100) 상에 남아 있을 수 있다. 이와 관련하여, 도 10은 보조층(1200)이 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 위치하는 것을 도시한다. 제1격벽(PW1)과 표시영역(DA) 사이에 배치된 보조층(1200)은 유기봉지층(320)으로 커버될 수 있다.
보조층(1200)은 유기봉지층(320)의 위치를 추적하는데 사용될 수 있다. 일부 실시예로서, 모노머/또는 유기봉지층(320)의 위치는 현미경 이미지를 이용하여 확인할 수 있는데, 반사성 금속을 포함하는 보조층(1200)을 제1격벽(PW1) 보다 표시영역(DA) 측에 인접하게 위치시키는 경우 빛이 보조층(1200)에서 반사되므로, 모노머/또는 유기봉지층(320)의 위치를 추적하기 쉬워질 수 있다.
제2전극(223)의 에지부(223ep)와 보조층(1200)은 도 10에 도시된 바와 같이 상호 이격될 수 있다. 예컨대, 제2전극(223)의 에지부(223ep)와 제1격벽(PW1) 사이에 보조층(1200)이 위치할 수 있다. 다른 실시예로, 레이저 리프트 오프 공정 중 레이저의 스펙 및/또는 레이저의 조사 회수에 따라 제2전극(223)의 에지부(223ep)와 보조층(1200)은 중첩할 수 있다. 예컨대, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 보조층(1200) 위에 위치하되, 보조층(1200)과 중첩할 수 있다.
앞서 도 6a 내지 도 9를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 유기물층(222o)의 제2개구부(222oh)가 위치하는 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서 도 10은 표시영역(DA)을 전체적으로 커버하도록 형성된 기능층이 제1격벽(PW1)을 지나도록 중간영역(MA)을 향해 연장된 것을 도시한다. 유기물층(222o), 예컨대 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 개구부를 포함하지 않을 수 있으며, 보조층(1200)은 제1 및 제2기능층(222a, 222c)으로 커버될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이며, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 11의 실시예에 따르면, 표시영역(DA)에 위치하는 유기물층(222o)은 도 10을 참조하여 설명한 바와 같이 중간영역(MA)의 제1격벽(PW1)까지 연속적으로 연장될 수 있다. 도 10의 실시예와 달리, 도 11은 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 보조층(1200)이 존재하지 않는 것을 도시한다. 앞서 도 8a 내지 도 8e를 참조하여 설명한 표시 패널(10)의 제조 공정 중에서 보조층(1200)을 형성할 때 표시영역(DA)과 제1격벽(PW1) 사이에 보조층(1200)이 형성되지 않도록 함으로써, 도 11에 도시된 바와 같은 구조의 표시 패널(10)을 형성할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 12는 표시영역(DA)의 일부 및 중간영역(MA)의 일부를 발췌하여 나타낸다.
도 12를 참조하면, 표시영역(DA)의 제2전극(223)이 중간영역(MA)으로 연장되되, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 이웃하는 두 개의 격벽들 사이에 위치할 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 제2전극(223)은 제1격벽(PW1)을 지나도록 개구(10H)를 향해 연장되며, 제2전극(223)의 에지부(223ep)는 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이에 위치할 수 있다.
유기물층(222o), 예컨대 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 제2개구부(222oh)를 포함한다. 제2개구부(222oh)는 제2전극(223)의 에지부(223ep)로부터 개구(10H)까지의 영역에 배치될 수 있다.
봉지층(300)은 기판(100) 상에 형성된다. 앞서 설명한 바와 같이 봉지층(300) 중 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 표시영역(DA) 및 중간영역(MA)을 커버하도록 연속적으로 형성될 수 있으며, 유기봉지층(320)은 제2전극(223)의 에지부(223ep)를 커버할 수 있다. 이와 관련하여, 도 12는 유기봉지층(320)이 제1격벽(PW1)을 커버한 채 제2격벽(PW2)에 인접하게 배치된 것을 도시한다. 유기봉지층(320)의 에지(320e)는 도 12에 도시된 바와 같이 제2격벽(PW2)의 일측에 위치하거나, 다른 실시예로 제2격벽(PW2)의 상면 상에 위치할 수 있다.
도 13 및 도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
앞서 도 6a 내지 도 12를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)의 에지(203e, 205e, 207e)가 제1격벽(PW1) 보다 표시영역(DA)에 더 인접하게 배치된 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 도 13 및 도 14를 참조하면, 버퍼층(201)과 마찬가지로, 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및/또는 제2층간절연층(207)은 기판(100)의 상면을 전체적으로 커버할 수 있다. 예컨대, 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)의 에지(203e, 205e, 207e)는 개구(10H)를 형성하는 표시 패널(10)의 측면(lateral surface)를 이룰 수 있다.
유기물층(222o)은 앞서 설명한 바와 같이 제2개구부(222oh)를 포함할 수 있으며, 제2층간절연층(207)은 제2개구부(222oh)를 통해 노출될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 제2개구부(222oh)를 통해 제2층간절연층(207)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 제2층간절연층(207)은 무기절연물을 포함할 수 있으며, 이 경우 제2층간절연층(207)과 제1무기봉지층(310)의 접촉은 수분의 진행을 차단하는 역할을 수행할 수 있다.
도 13 및 도 14는 보조층(1200)이 유기봉지층(320)에 중첩하도록 배치되는 것을 도시하고 있으나, 도 11에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)은 보조층(1200)을 포함하지 않을 수 있다. 유기봉지층(320)의 에지(320e)는 도 13 및 도 14에 제1격벽(PW1)의 일측에 배치된 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예에서 유기봉지층(320)의 에지(320e)는 제1격벽(PW1)의 상면에 위치하거나 제2격벽(PW2)의 일측에 위치하거나, 제2격벽(PW2)의 상면에 위치하는 등 다양하게 변경될 수 있음은 앞서 설명한 바와 같다.
일부 실시예에 따르면, 도 14에 도시된 바와 같이 개구(10H)에 인접한 영역에 그루브(G)들이 형성될 수 있다. 그루브(G)는 무기절연구조, 예컨대 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)을 포함하는 적층구조에 형성될 수 있다. 일부 실시예로서, 그루브(G)의 깊이는 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)의 두께의 합 보다 작을 수 있다. 다른 실시예로서, 그루브(G)는 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)의 두께의 합 보다 작을 수 있으며, 이 경우 그루브(G)의 바닥면은 버퍼층(201)의 상면 위에 위치할 수 있다.
무기절연물은 유기절연물 보다 크랙의 발생 가능성이 크다. 따라서, 무기절연물을 포함하는 게이트절연층(203), 제1층간절연층(205) 및 제2층간절연층(207)의 접촉 면적이 증가할수록 크랙이 발생하고 발생한 크랙이 전파될 가능성이 있으나, 그루브(G)들을 형성하고, 해당 그루브(G) 상에 유기절연물을 포함하는 커버층(1400)을 형성하는 경우, 전술한 문제를 방지하거나 최소화할 수 있다. 그루브(G) 및 커버층(1400)은 기판(100)에 수직한 방향에서 보았을 때(평면 상에서), 개구영역(OA) 및 개구(10H)를 둘러싸는 폐루프 형상일 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
앞서 도 6a 내지 도 14를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 3개의 격벽을 도시하고 있으나, 다른 실시예로서, 도 15에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)은 3개 이상의 격벽을 포함할 수 있다.
예컨대, 표시영역(DA)에서 개구영역(OA)을 향하는 방향을 따라, 제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 복수의 제3격벽들(PW31, PW32, ¨ , PW3n)이 배치될 수 있다.
제1격벽(PW1), 제2격벽(PW2), 및 복수의 제3격벽들(PW31, PW32, ¨ ,PW3n)은 상호 이격되어 배치된다. 이웃하는 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이의 거리(d1)는 이웃하는 제2격벽(PW2)과 제3-1격벽(PW31) 사이의 거리(d2)와 다를 수 있다. 예컨대, 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이의 거리(d1)는 제2격벽(PW2)과 제3-1격벽(PW31) 사이의 거리(d2) 보다 클 수 있다. 복수의 제3격벽들(PW31, PW32, ¨ , PW3n) 중 이웃하는 격벽들 사이의 거리(d3)는 전술한 제2격벽(PW2)과 제3-1격벽(PW31) 사이의 거리(d2)와 같을 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도로서, 도 5의 V-V'선에 따른 단면에 해당한다.
앞서 도 6a 내지 도 15를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 평탄화 절연층(47)이 중간영역(MA) 중 유기봉지층(320)으로 커버되지 않은 영역을 커버하는 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
다른 실시예로서, 도 16에 도시된 바와 같이, 입력감지층(40)에 포함된 절연층 중 유기절연물을 포함하는 제3절연층(45)이 중간영역(MA) 중 유기봉지층(320)으로 커버되지 않은 영역을 커버할 수 있다. 이와 같은 구조를 갖는 경우, 앞서 설명한 실시예와 달리 중간영역(MA)에만 존재하던 평탄화 절연층(47)은 생략될 수 있으며, 이 경우 도 16에 도시된 바와 같이 평탄화층인 제3절연층(45)의 일 부분들은 각각 격벽들 사이의 오목한 공간, 예컨대 제1격벽(PW1)과 제2격벽(PW2) 사이의 오목한 공간 및 제2격벽(PW2)과 제3격벽(PW3) 사이의 오목한 공간에 각각 존재할 수 있다.
도 17은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널 중 표시영역과 중간영역의 일부를 나타낸 단면도이고, 도 18은 도 17의 돌기 및 격벽을 나타낸 평면도이다.
도 17을 참조하면, 표시영역(DA)에는 앞서 설명한 바와 같이 발광다이오드, 예컨대 유기발광다이오드(OLED)가 배치되며, 유기발광다이오드(OLED)의 아래에 배치된 절연층들, 게이트절연층(203), 제1 및 제2층간절연층(205, 207), 제1중간절연층(209), 및 제2중간절연층(211)은 중간영역(MA)을 향해 연장될 수 있으며, 이에 대한 내용은 앞서 도 6a 내지 도 16에 도시된 바와 같다.
중간영역(MA)에서 전술한 절연층들 상에는 복수의 돌기(PS)들 및 이웃하는 돌기(PS) 사이의 밸리(VY)를 포함하는 구조가 형성될 수 있다. 돌기(PS) 및 밸리(VY)를 포함하는 구조는 데이터라인들의 우회부분(DL-C)들에 중첩할 수 있다. 예컨대, 데이터라인들의 우회부분(DL-C)들 중 적어도 어느 하나는 돌기(PS) 또는 밸리(VY)에 중첩될 수 있다.
돌기(PS) 및 밸리(VY)는 도 17에 도시된 바와 같이 수평방향(예, x방향)을 따라 교번적으로 배치될 수 있다. 예컨대, 이웃한 돌기(PS)들 사이에 밸리(VY)가 배치되고, 이웃한 밸리(VY)들 사이에 돌기(PS)가 배치될 수 있다. 돌기(PS) 및 밸리(VY)를 포함하는 구조는, 제2중간절연층(211) 상의 적어도 하나의 절연층(ISL), 예컨대 상부절연층(215) 및 스페이서(217)를 포함하는 층(217L)에 형성될 수 있다.
유기봉지층(320)의 일 부분은 밸리(VY)에 해당하는 오목한 공간에 존재할 수 있으며, 밸리(VY) 구조를 통해 유기봉지층(320)의 체적을 충분히 확보할 수 있다. 본 발명의 비교예로서 밸리(VY) 구조가 없는 경우, 잉크젯 방식으로 주입되는 모노머의 흐름성에 의해 데이터라인들의 우회부분(DL-C)들이 배치된 영역을 커버하는 유기봉지층(320)의 두께를 충분히 확보하기 어렵다. 그러나, 본 발명의 실시예는 전술한 밸리(VY)를 포함하는 구조를 형성함으로써, 밸리(VY)에 수용되는 모노머의 부피를 향상시킬 수 있으며, 따라서 유기봉지층(320)의 두께를 충분히 확보할 수 있다. 밸리(VY) 및 돌기(PS)는 도 18에 도시된 바와 같이 평면상에서 표시 패널(10)의 개구(10H)를 둘러싸는 폐루프 형상일 수 있다. 도 17 및 도 18은 중간영역(MA)에 배치되며, 표시 패널(10)의 개구(10H)를 둘러싸는 폐루프 형상의 평탄화 절연층(47)을 도시하고 있으나, 다른 실시예로 도 16를 참조하여 설명한 바와 같이 평탄화 절연층(47) 대신 제3절연층(45, 도 16)이 배치될 수 있음은 물론이다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 전자 기기
10: 표시 패널
10H: 개구
221: 제1전극
222b: 발광층
222a: 제1기능층
222c: 제2기능층
222: 중간층
223: 제2전극
300: 봉지층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
PW1, PW2, PW3: 제1 내지 제3격벽

Claims (36)

  1. 개구를 포함하는 기판;
    상기 개구 주변의 표시영역에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 각각 포함하는 복수의 발광요소들;
    상기 표시영역과 상기 개구 사이의 중간영역에 배치된 복수의 격벽들; 및
    상기 복수의 발광요소들 상에 배치되며, 적어도 하나의 무기봉지층 및 유기봉지층을 포함하는 봉지층;을 포함하며,
    상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 중간영역을 향해 연장되며, 상기 중간층의 적어도 하나의 유기물층은, 상기 개구를 향하는 상기 제2전극의 에지부로부터 상기 개구까지의 영역에 배치된 복수의 개구부들을 포함하는, 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기물층은 상기 복수의 개구부들에 의해 상호 이격된 유기물 부분들을 포함하며,
    상기 유기물 부분들의 상면은 상기 적어도 하나의 무기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    평면상에서, 상기 복수의 개구부들 각각은 상기 개구를 둘러싸는 폐곡선 형상을 갖는, 표시 패널.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 인접한 두 개의 격벽 사이에 위치하는, 표시 패널.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 개구에 가장 가까운 격벽과 상기 개구 사이에 위치하는, 표시 패널.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 표시영역에 가장 가까운 격벽과 상기 표시영역 사이에 위치하는, 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기물층은 홀수송층, 홀주입층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 패널.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 무기절연층을 더 포함하며,
    상기 적어도 하나의 무기봉지층은,
    상기 복수의 개구부들 중 어느 하나를 통해 상기 무기절연층의 상면과 직접 접촉하는, 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 유기봉지층의 에지는 상기 복수의 격벽 중 어느 하나의 격벽과 인접하게 배치되며,
    상기 적어도 하나의 무기봉지층은,
    상기 유기봉지층의 아래에 배치된 제1무기봉지층; 및
    상기 유기봉지층의 위에 배치되며, 상기 유기봉지층의 에지와 상기 개구 사이의 영역에서 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉하는 제2무기봉지층을 포함하는, 표시 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제2전극의 상기 에지부는 상기 표시영역과 복수의 격벽들 중 어느 하나의 격벽 사이에 위치하는, 표시 패널.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2전극의 상기 에지부는 상기 유기봉지층으로 커버되는, 표시 패널.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 기판 상에 배치된 복수의 무기절연층들을 더 포함하고,
    상기 복수의 무기절연층들은 상기 복수의 무기절연층들의 두께의 합보다 작은 깊이를 갖는 복수의 그루브들을 포함하며,
    상기 복수의 그루브들은 유기절연물을 포함하는 커버층에 중첩되는, 표시 패널.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 격벽들 중 어느 하나의 격벽과 상기 표시영역 사이에 배치되며, 상기 유기봉지층에 중첩되는 보조층을 더 포함하는, 표시 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 보조층은 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 봉지층 상에 배치되며, 상기 복수의 격벽 및 상기 유기봉지층의 일부와 중첩하는 평탄화층을 더 포함하는, 표시 패널.
  16. 개구영역, 상기 개구영역 주변의 표시영역, 상기 개구와 상기 표시영역 사이의 중간영역을 포함하는 표시 패널; 및
    상기 개구와 중첩하게 배치되는 컴포넌트;를 포함하되,
    상기 표시 패널은,
    상기 개구영역에 위치하는 개구를 포함하는 기판;
    상기 표시영역에 배치되며, 제1전극, 제2전극, 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이의 중간층을 각각 포함하는 복수의 발광요소들;
    상기 중간영역에 배치된 복수의 격벽들; 및
    상기 복수의 발광요소들 상에 배치되며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층;을 포함하며,
    상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 중간영역을 향해 연장되되, 상기 개구를 향하는 상기 제2전극의 에지부에 의해 정의된 제1개구부를 포함하고,
    상기 중간층의 적어도 하나의 유기물층은,
    상기 제2전극의 상기 에지부로부터 상기 개구까지의 영역에 배치된 복수의 제2개구부들; 및
    상기 제2개구부들에 의해 상호 이격되며, 상기 제1개구부 내에 위치하는 복수의 유기물 부분들을 포함하는, 전자 기기.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 유기물 부분들의 상면은 상기 제1무기봉지층과 직접 접촉하는, 전자 기기.
  18. 제16항에 있어서,
    평면상에서, 상기 복수의 제2개구부들 각각은 상기 개구를 둘러싸는 폐곡선 형상을 갖는, 전자 기기.
  19. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 인접한 두 개의 격벽 사이에 위치하는, 전자 기기.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 개구에 가장 가까운 격벽과 상기 개구 사이에 위치하는, 전자 기기.
  21. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 표시영역에 가장 가까운 격벽과 상기 표시영역 사이에 위치하는, 전자 기기.
  22. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 유기물층은 홀수송층, 홀주입층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 전자 기기.
  23. 제16항에 있어서,
    상기 제2전극의 상기 에지부는 상기 유기봉지층으로 커버되는, 전자 기기.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 유기봉지층의 에지는 상기 제2전극의 상기 에지부와 상기 개구 사이에 위치하는, 전자 기기.
  25. 제16항에 있어서,
    상기 표시 패널은 상기 기판 상의 복수의 무기절연층들을 더 포함하고,
    상기 복수의 무기절연층들은 상기 복수의 무기절연층들의 두께의 합보다 작은 깊이를 갖는 복수의 그루브들을 포함하며,
    상기 복수의 그루브들은 유기절연물을 포함하는 커버층에 중첩하는, 전자 기기.
  26. 제16항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 표시영역과 상기 복수의 격벽들 중 어느 하나의 격벽 사이에 위치하며, 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는 보조층을 더 포함하는, 전자 기기.
  27. 제16항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    상기 봉지층 상에 배치되며, 상기 복수의 격벽들 및 상기 유기봉지층의 일부와 중첩하며, 유기절연물을 포함하는 평탄화층을 더 포함하는, 전자 기기.
  28. 제16항에 있어서,
    상기 컴포넌트는 센서 또는 카메라를 포함하는, 전자 기기.
  29. 표시영역에 트랜지스터를 포함하는 화소회로를 형성하는 공정;
    상기 표시영역으로 둘러싸인 중간영역에 적어도 하나의 격벽을 형성하는 공정;
    상기 표시영역에 배치되며, 상기 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 제1전극을 형성하는 공정;
    상기 중간영역에 복수의 보조층들을 형성하는 공정;
    상기 제1전극 상에 발광층을 형성하는 공정;
    상기 제1전극 및 상기 복수의 보조층들 상에 유기물층을 형성하는 공정;
    상기 제1전극 및 상기 복수의 보조층들 상에 제2전극을 형성하는 공정;
    상기 제2전극이 상기 중간영역에 위치하는 단일의 제1개구부를 포함하고, 상기 유기물층이 상기 중간영역에 위치하는 복수의 제2개구부들을 포함하도록, 상기 복수의 보조층들, 상기 유기물층, 및 상기 제2전극의 적층 구조에 레이저를 조사하는 공정;
    상기 제2전극 상에 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 봉지층을 형성하는 공정; 및
    상기 중간영역의 내측에 배치된 개구영역 상의 적층 구조를 제거하여 개구를 형성하는 공정;을 포함하고,
    상기 유기물층은, 상기 제2개구부들에 의해 상호 이격되며 상기 제1개구부 내에 위치하는 복수의 유기물 부분들을 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 복수의 유기물 부분들의 상면은 상기 무기봉지층과 직접 접촉하는, 표시 패널의 제조 방법.
  31. 제29항에 있어서,
    평면상에서, 상기 복수의 제2개구부들 각각은 폐곡선 형상을 갖는, 표시 패널의 제조 방법.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 인접한 두 개의 격벽 사이에 위치하는, 표시 패널의 제조 방법.
  33. 제29항에 있어서,
    상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 개구에 가장 가까운 격벽과 상기 개구 사이에 위치하는, 표시 패널의 제조 방법.
  34. 제29항에 있어서,
    상기 복수의 제2개구부들 중 적어도 어느 하나는, 상기 복수의 격벽들 중 상기 표시영역에 가장 가까운 격벽과 상기 표시영역 사이에 위치하는, 표시 패널의 제조 방법.
  35. 제29항에 있어서,
    상기 복수의 보조층들은 상기 제1전극과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
  36. 제29항에 있어서,
    상기 유기물층은 홀수송층, 홀주입층, 전자수송층, 및 전자주입층 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 표시 패널의 제조 방법.
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